AT338335B - Verfahren zum herstellen einer zone eines ersten leitfahigkeitstyps in einem halbleiterkristall vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten leitfahigkeitstyp - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer zone eines ersten leitfahigkeitstyps in einem halbleiterkristall vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten leitfahigkeitstypInfo
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