AT338335B - Verfahren zum herstellen einer zone eines ersten leitfahigkeitstyps in einem halbleiterkristall vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten leitfahigkeitstyp - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer zone eines ersten leitfahigkeitstyps in einem halbleiterkristall vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten leitfahigkeitstyp

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0104412A1 (en) * 1982-09-23 1984-04-04 Allied Corporation Polymeric boron-nitrogen dopant

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2262021C2 (de) * 1972-12-19 1982-12-30 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Dotierung von Halbleitersilicium
JPH01135017A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE4013929C2 (de) * 1989-05-02 1995-12-07 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zum Einbringen von Störstoffen in eine Halbleitermaterial-Schicht beim Herstellen eines Halbleiterbauelements und Anwendung des Verfahrens

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3084079A (en) * 1960-10-13 1963-04-02 Pacific Semiconductors Inc Manufacture of semiconductor devices
US3355291A (en) * 1963-10-08 1967-11-28 Texas Instruments Inc Application of glass to semiconductor devices
US3514348A (en) * 1967-05-10 1970-05-26 Ncr Co Method for making semiconductor devices
JPS4822536B1 (OSRAM) * 1969-03-20 1973-07-06

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0104412A1 (en) * 1982-09-23 1984-04-04 Allied Corporation Polymeric boron-nitrogen dopant

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FR2080610B1 (OSRAM) 1976-04-16

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