AT320736B - Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens einen Hochfrequenz-Leistungstransistor enthält, und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens einen Hochfrequenz-Leistungstransistor enthält, und Verfahren zur Herstellung derselben

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AT446168A 1966-11-07 1968-05-09 Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens einen Hochfrequenz-Leistungstransistor enthält, und Verfahren zur Herstellung derselben AT320736B (de)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1263381A (en) * 1968-05-17 1972-02-09 Texas Instruments Inc Metal contact and interconnection system for nonhermetic enclosed semiconductor devices
GB1245882A (en) * 1968-05-22 1971-09-08 Rca Corp Power transistor with high -resistivity connection
NL7002117A (index.php) * 1970-02-14 1971-08-17
FR2121405A1 (en) * 1971-01-11 1972-08-25 Comp Generale Electricite Integrated circuit with resistor(s) - applied without attacking silicon substrate with resistor-trimming etchant
US3740621A (en) * 1971-08-30 1973-06-19 Rca Corp Transistor employing variable resistance ballasting means dependent on the magnitude of the emitter current
DE2251727A1 (de) * 1972-10-21 1974-04-25 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung mit mindestens zwei zonen entgegengesetzten leitfaehigkeitstyps
SE444921B (sv) * 1982-06-01 1986-05-20 Asea Ab Vagnskorg for jernvegsfordon i lettmetall med fiberkompositband forenade med lettmetallprofiler
EP0378794A1 (en) * 1989-01-18 1990-07-25 International Business Machines Corporation Vertical bipolar transistor structure and method of manufacturing
US5128271A (en) * 1989-01-18 1992-07-07 International Business Machines Corporation High performance vertical bipolar transistor structure via self-aligning processing techniques

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504239A (en) * 1964-01-31 1970-03-31 Rca Corp Transistor with distributed resistor between emitter lead and emitter region
ES313647A1 (es) * 1964-09-29 1965-07-16 Fairchild Camera Instr Co Perfeccionamientos en la construccion de transistores
GB1078790A (en) * 1964-11-20 1967-08-09 Nippon Electric Co A resistor element and a manufacturing method therefor
US3427511A (en) * 1965-03-17 1969-02-11 Rca Corp High frequency transistor structure with two-conductivity emitters

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