AT288811B - Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern - Google Patents

Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern

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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0011148A1 (de) * 1978-11-13 1980-05-28 Siemens Aktiengesellschaft CVD-Beschichtungsvorrichtung für Kleinteile und ihre Verwendung zur Beschichtung von Spannelementen von Dentalturbinen

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4096821A (en) * 1976-12-13 1978-06-27 Westinghouse Electric Corp. System for fabricating thin-film electronic components
DE2722545C2 (de) * 1977-05-18 1984-03-08 Kurt Dr.-Ing. 7802 Merzhausen Heber Diffusionsofen zur Behandlung von Halbleitersubstraten
DE2800574A1 (de) * 1978-01-07 1979-07-12 Stanley Electric Co Ltd Medizinisches pruefgeraet zur untersuchung von ohren
DE2830589C2 (de) * 1978-07-12 1985-04-18 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Durchlaufofen zum Prozessieren von Halbleiterplättchen
FR2498813A1 (fr) * 1981-01-27 1982-07-30 Instruments Sa Installation de traitement de materiaux pour la production de semi-conducteurs
DE3427057A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-23 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum
JPS6169116A (ja) * 1984-09-13 1986-04-09 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング用サセプター
GB2196650A (en) * 1986-10-27 1988-05-05 Prutec Ltd Cadmium sulphide solar cells
DE3907610A1 (de) * 1989-03-09 1990-09-13 Telefunken Electronic Gmbh Epitaxieverfahren
JP2999751B2 (ja) 1997-06-27 2000-01-17 三星電子株式会社 シリカ膜の製造装置及びその製造方法
JP5698059B2 (ja) * 2011-04-08 2015-04-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び、太陽電池の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0011148A1 (de) * 1978-11-13 1980-05-28 Siemens Aktiengesellschaft CVD-Beschichtungsvorrichtung für Kleinteile und ihre Verwendung zur Beschichtung von Spannelementen von Dentalturbinen

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