DE1769520A1

DE1769520A1 - Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase,insbesondere fuer Halbleiterzwecke

Info

Publication number: DE1769520A1
Application number: DE19681769520
Authority: DE
Inventors: Erhard Dipl-Ing Sussmann
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1968-06-05
Filing date: 1968-06-05
Publication date: 1972-03-02
Also published as: FR1597032A; JPS5149191B1; CH521163A; GB1260233A; AT288811B; NL6906275A; SE356905B

Description

Neue Beschreibung

Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase, insbesondere für Halbleiterzwecke

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase, insbesondere von Halbleitermaterial. Zu diesem Zweck ist es üblich, die Substratkörper, insbesondere Halbleiterscheiben, in einem den abzuscheidenden Stoff bei erhöhter Temperatur liefernden Reaktionsgas bis zum Auftreten einer Abscheidung zu erhitzen. Im allgemeinen werden diese.Substratkörper durch Vermittlung einer beheizten Unterlage auf die für die

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Reaktion erforderliche Temperatur erhitzte Dabei ist es im Interesse einer Vergleichmäßigung der Abscheidung bereits bekannt, das die zu beschichtenden Substratscheiben umströmende Reaktionsgas in den Reaktionsraum mittels eines beweg-, liehen Zuführungsorgana, ZcB_o einer bewegbaren DUsO₅ einzubringeno Ferner ist es bekannt, stattdessen mit einer ortsfesten Gaszuführung zu arbeiten und eine rotierende Unterlage für die zu beschichtenden Scheiben zu verwenden ^

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Durchlaufverfahren für die epitaktische Abscheidung zu entwickeln, bei dem die zu beschichtenden Substratscheiben laufend durch ein insbesondere rohrforniiges Reaktionsgefäß hindurchgeschleust werden ο Dadurch wird eine Erhöhung der Fertigungsquote erreichte Außerdem lassen sich bei Anwendung des im folgenden zu definierenden erfindungsgemäßen Verfahrens bezüglich spezifischen Widerstand und Schichtdicke sehr gleichmäßige epitaktische Schichten erreichen, weil Ungleichmäßigkeiten in der Zusammensetzung des Reaktionsgases, wie man noch erkennen wird, bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ausgeschaltet oder auf ein Minimum reduziert werden können<,

Die Erfindung bezieht sieh auf ein Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material, insbesondere von Halbleitermaterial, aus der Gasphase auf Substratkörpern, insbesondere Halbleiterscheiben, bei dem der Träger der Substratkörper während des Abscheidevorgangs im Reaktionsgefäß sbewegt wird ο Gemäß der Erfindung ist dabei vorgesehen ₉ daß mindestens ein die zu beschichtenden Substratkörpor tragendes Transportorgan in den mit den erforderlichen Reaktionsbedingungen versehenen Reaktionsraum eingeschleust und nach erfolgter Abscheidung bei aufrechterhaltenen Reaktionsbedingungen in mindestens einer Reaktionszone des Reaktionsraumes wieder ausgeschleust wird₀

BAD OFHGINAU

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Eine "wesentliche Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß sämtliche mit dem Reaktionsgas in Kontakt gelangende Appa-■ ratetaile, einschließlich/der zu verwendenden Transportorgane_? mindestens an ihrer Oberfläche aus hochreinem SiO₂? SiC oder Si* F, bestehen» Eine günstige Kombination besteht in der'■ Verwendung von Graphitapparateteilen, die an ihrer Oberfläche mit einem dichten tJberzug aus SiO versehen sind„ Bei Verwendung solcher keine Verunreinigungen an das Eeaktionsgas abgebender Apparaturen lassen sich bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrene auch für die Silicium- und Germaniumepitaxie die gleichen Reinheiten erzielen, wie sie bei Verwendung der üblichen abgeschlossenen Reaktionsgefäße üblich sind₀

Eine weitere wesentliche Maßnahme stellt das kontinuierliche Einschleusen und Ausschleusen der zu beschichtenden Scheiben in Form einer "Fahrzeugkette¹¹ dar, die das ganze Reaktionsgefäß von der Einschleucstelle bis zur Ausschleusstelle durchsetzt, und die außerhalb des Reaktionsgefäßes arbeitstaktmäßig beschickt bzw=, entladen wird _α Die· Fahrzeugkette kann sowohl aus einer Anzahl horizontal hintereinander angeordneter,, z.B. aneinander angehängter, Fahrzeuge oder - bei Verwendung eines vertikalen Reaktionsrohres - in einer Anzahl vertikal übercinandergestapelter Transportorgane bestehen*

Als Mittel zum ein- und auschleusen der mit den zu beschichtenden Scheiben, insbesondere Halbleiterscheiben, beschickten Fahrzeuge sind entsprechend der weiteren Erfindung in besonderer Weise angeordnete Strömungen von inerten Hilfsgasen vorgesehen, die im einzelnen noch beschrieben werden,. In besonderen Fällen kann aber auch auf solche Gasschleusen verzichtet werden.

Einzelheiten der E_rfindung werden an Hand der Zeichnungen beschrieben, Dabei stellt Figur 1 eine Vorrichtung mit Gasschleusen dar, während Fig_c 2 einen Querschnitt durch das Reaktionsrohr gem, Fig» 1, Figo ein wagenförmiges Transportorgan und Figr 4 eine besonders einfache Apparatur zeigt„

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Ein horizontal gelagertes Quarzrohr 1, vorzugsweise mit rechteckigem Querschnitt, erstreckt' sich durch einen Rohrofen 2 als Heizvorrichtung,, Anstelle des Rohrofens können auch andere Energiequellen? Z₀B₀ eine Erzeugungsvorrichtung für ein die induktive Beheizung der zu beschichtenden Scheiben bzY/o deren Träger vornehmendes elektromagnetisches Feld,, insbesondere ein Hochfrequenzfeld₉ ersetzt sein_o Das für die Epitaxie erforderlcieh Reaktionsgas wird der Anordnung an der Stelle 3 zugeführt und durchströmt den eigentlichen;, das Innere des Quarzrohres bildenden Reaktionsraum und verläßt an der Stelle 4 das Reaktionsrohr 1_P Dieses Rohr setzt sich jedoch weiter nach beiden Seiten fort und ist an seinen Enden 1a, 1e offen₀ Vom Ort der Heizvorrichtung 2 aus gesehen, wird hinter den Versorgungsstellen 3_? 4 für das strömende Reaktionsgas je ein Schutzgasvorhang erzeugt-, Hierzu sind GasZuführungen und Gasableitungen 5? 5 S ^o 6^f - einander gegenüberliegend - vorgesehene Wie Figo 2 erkennen läßt, bildet das Reaktionsrohr 1 an diesen Stellen eine beispielsweise quadratische - Taille, in die die Zuführungsrohre 5? 6 und die Abführungsrohre 5', 6^! einander gegenüberliegend- einmünden ο Unter möglichster Ausschaltung von Staustellen des aus den Rohren 5j 6 ausströmenden und in die Rohre 5^! , 6^f einströmenden Schutzgases wird bei entsprechend hohem Druck bzw_o Geschwindigkeit des Schutzgases ein Austritt des im Reaktionsraum strömenden Reaktionsgases .unterbundene ( Ein Eintritt von Schutzgas in den Reaktionsraum dürfte im allgemeinen unschädlich seine) Jedenfalls sollte der Druck im Gasvorhang gegenüber dem im Reaktionsraum erhöht sein j um Verluste an Reaktionsgas möglichst klein zu halten ο

In Figo 3 ist ein mit den zu beschichtenden Scheiben beschicktes Transportorgan in Form eines Wagens dargestellt,, Dieser V/o gen besteht aus entsprechend hitzebeständigem., inertem Material₀ Es empfiehlt sich", wenn die Teile dieses Wagens mindestens an ihrer Oberfläche aus dichtem xiochrei ··

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SiOp₅ SiG oder AIpO₇. bestehen. Solche Überzüge lassen sich

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in hochreiner Form durch Abscheren aus der Gasphase erzeugeno In Fällen, in den man eine induktive Erhitzung der zu beschichtenden Scheiben wünscht, wird man falls diese aus hochreinem Halbleitermaterial bestehen, einen Wagen ver- . .wenden, dessen Ladebrücke 11 und Räder 12 aus hitzebeständigem i-letall, wie Tantal, bestehen,und mit einem der genannten Stoffe überzogen sind₀ Auch hochreiner Graphit kann als Material für die zu verwenden Fahrzeuge herangezogen werden*» Gelangt dann ein solcher Wagen in ein das Reaktionsrohr durchsetzendes elektromagnetisches ^echselfeld ausreichender Intensität, so erhitzt der Wagen sich und die auf ihm liegenden Substratscheiben auf die erforderliche hohe Temperature

Statt der Wagen 14 können auch anders ausgestaltete Fahrzeuge, ZoBc Schlitten, verwendet werdeno ^Äuch die Verwendung eines vertikal gehalterten Reaktionsrohres ist mögliche In diesem Falle können die Fahrzeuge mit den zu beschichtenden Halbleiterscheiben im Paternosterbetrieb durch die Anordnung geschleust v/erden ο Allerdings ist bei Verwendung von in Führungen gleitenden Fahrzeugen darauf zu achtens, daß durch deren Betrieb leicht Staubteilchen losgerissen werden' können, was die Entstehung von Störkeimen für ein angestrebtes einkristallines Wachstum der abgeschiedenen Schichten bedeuten kann₀

Wie aus Fig_c 3 ersichtlich, können die Substratscheiben 14 in Ausnehmungen der Ladebrücken 11 eingelassen seim Diese Ausnehmungen bewirken im ^eispielsfalle nur ein landauflage_o Mc Wagen können außerdem mit einer Kopplungsvorrichtung 13 verschen sein, die ein Anhängen der einzelnen Wagen aneinander ermöglichte

In Fig_o 1 ist eine das Reaktionsrohr 1 durchsetzende Kette von Wagen 10 dargestellt, die von der Beladungstelle B

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durch das gesamte Reaktionsrohr 1 bis zur Entladestelle E reicht ο Arbeitstaktmäßig werden beim Betrieb der Anordnung ständig neue Wagen 10 an der Beladungsstelle B angehängt und an der Entladestelle E mit den fertig beschichte±eten Scheiben abgehängte Die Wägen v/erden dann - ggf„ nach einer Reinigung wieder beladen und eingesetzte

Bei dem in Figur 1 beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Fahrzeugkette entgegen der Strömung des Reaktionsgases im Reaktionsrohr 1 geführte Diese Maßnahme empfiehlt sich dann, wenn das Reaktionsgas infolge der Abgabe von Halbelitermaterial die Fähigkeit gewinnt, ätzend auf die Substratscheiben und das abgeschiedene Halbleitermaterial einzuwirken ο Bei Verwendung von halogen- und wasserstoffhaltigen Reaktionsgasen ist diese Eigenschaft bekanntlich im Falle der Abscheidung von Halbleitermaterial, wie Silicium oder Germanium, gegeben, Dercentsprechend ist der innerhalb des Ofens angeordnete Teil des Reaktionsrauaes in die Teilzonen I und II unterteilt, wobei die Teilzone I die eigentliche Abscheidezone ist, während in der Teilzone II die Vorbereitung der Substratscheiben 14 auf den Abscheidevorgang durch das abziehende Reaktionsgas stattfindet= Zur Unterstützung der Wirkung in der Teilzone II kann entsprechend der Darstellung der Fig, 1 an der Stelle 16 zusätzliche ätzendes Gas, Z=B₀ HCl, derart eingelassen werden₉ daß es in die Teilzone II, nicht dagegen in die Teilzone I gelangte Zu diesem Zweck ist die rohrförmige Sinlaßstelle 16 in Richtung auf die Teilzone II gebogene

Im Interesse eines möglichst geringen technische Aufwandes wird ir.an bestrebt sein, diejenigen Teile des Reaktionsrohres, an denen die Wagen mit den zu be schicht e'jylen Scheiben ein- und ausgeschleust werden soweit entfernt vom Ofen anzuordnen_s daß sie sich etwa auf Raumtemperatur befinden., Dann durchlaufen die Wagen mit den zu beschichtenden Scheiben beiderseits des Ofens ein Temperaturfeld mit Gradienten, Die Folge davon ist, daß im Prinzip auch eine Abscheidung außerhalb der eigentlichen Abscheidungszone möglich ist_o Die dort herrschenden Tem-

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peraturverhältnisse bzw, auch sonstigen Bedingungen sind im Segensatz zu denen der eigentlichen Abscheidungszone I ., nicht immer so, daß das abgeschiedene Material in dem gewünschten einkristallinen Zustand anfällt= Dies gilt insbesondere für das Gebiet links von den Teilzonen I und II_O Die Teilzone II bewirkt hier also eine Abtragung von solchem unerwünscht abgeschiedenn Material sowohl von der Oberfläche der Scheiben als auch von der Oberfläche der transportierenden Fahrezeuge 1'Oo Darüber hinaus ist es auch erwünscht., wenn zusätzlich auch die ursprüngliche Oberfläche der Substratscheiben 14 durch Abätzen von Störstellen befreit wirdΌ Um auf jeden Fall eine ausreichende Ätzwirkung zu erreichen,ist die an der Stelle 16 erfolgende Zugabe von zusätzlichem A'tzgas vorgesehen,, Darüberhinaus kann man die Scheiben fiber derart kritische Gebiete wesentlich rascher führen, als dies der Geschwindigkeit in der Teilzone II und vor allem auch in der Teilzone I entspricht ο Schließlich kann man noch durcd Anwendung einer entsprechenden Heizvorrichtung die Temperatur in der Teilzone II in Abweichung von der.in der Teilzone I derart wählen? daß die Abtragung in. der Teilzone II auch hierdurch begünstigt wird. Bei Anwendung des Verfahrens auf Kalbleiter wie Silicium bedeutet dies, daß die Teilzone II eine höhere Temperatur als Oic Teilsone I erhalte

Um mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten der die Scheiben 14 tragenden Fahrzeuge 10 innerhalb des Reaktionsrohres arbeiten zu können, hat man an sich mehrere Köglichkeiten, Man kann ZoB=, die Fahrzeuge einzelne, Z₀B₀ mittels eines Drahtes aus inerten icaterial, wie Tantal, durch die Apparatur mit zeitlich unterschiedlichen Geschwindigkeiten, ggfo automatisch_? hin- . durchziehen bzw» hindurchschiebena Arbeitet man wie gem* Figd mit einer kontinuierlich durchgehenden Fahrzeugkette, so kann man durch entsprechende Abstimmung der Abstände der Scheiben auf die Längen der Teilzonen I und II ohne weiteres erreichen, dai3 sowohl am Eingang zur Teilzone .II, als am übergang zur ■Teilsone I ols auch in dem Anschlußbereich am anderen Ende

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sich immer gleichzeitig Scheiben 14 befinden oder überhaupt keine Scheiben befinden» Dann kann raan ohne weiteres die .Fahrzeugkette immer rasch dann bewegen, wenn irgendwelche Seheiben 14 sich in einer dieser Zonen befinden, weil dann gleichzeitig auch durch die anderen dieser Zonen mit starkem Temperaturgradienten Scheiben bewegt werden» Da aber die Scheiben in äquidistanten Gruppen längs der gesamten Fahrzeugkette verteilt sind und die Zonen starken Temperaturübergpnges schmal im Vergleich zu den Abständen dieser Scheibengruppen ( denen zweckmäßig je ein besonderes fahrzeug zugeordnet wird) und zu den noch größeren längsdimensionen der Teilzonen I und II, hat die vorhergehende Gruppe jedesmal breits die kritischen Zonen verlassen, bevor die nächste Gruppe in diese Zonen gelangt« Man hat also die Möglichkeit in den hierdurch definierten Pausen ( in denen natürlich außerhalb der Aufheizungsbereiche und in Seilzonen I und II Scheiben 14 sein können un,d normalerweise auch sind ) mit wesentlich langsamerer Geschwindigkeit, insbesondere auch mit der Geschwindigkeit Null, zu fahren und dadurch den Scheiben in den Teilzonen genügend Behändlungsgelegenheit für die in den Teilzonen I und II stattfindenden Prozesse zu geben«

In Ergänzung zu den Figo 1 bis sind noch auf folgende Details hinzuweisen: Es empfiehlt sich, wenn die "Zagen 10 auf Schienen 7 geführt werden, um einen definierten lauf durch das Reaktionsrohr 1 zu ermöglichen ο Insbesondere wenn die "'agenkette ihren ^-ntrieb von den Rohrenden her durch die Anordnung gezogen bezwo geschoben wird, empfiehlt sich, wenn die Wagen mit einander mechanisch, z»B„ mittels ösen und Haken aus Quarz, gekoppelt sind» Eine solche Kopplung ist in Figo 5 gezeigt und mit 11 bezeichnet. Schließlich ist auch ein Kettenantrieb der die zu beschichtenden Scheiben tragenden Wagen möglich. Bei diesem ist das Reaktionsrohr über seine ganze länge oder einen Teil seiner länge mit einem geradlinijgen, ζ »Br zwischen den beiden Schienen 7 laufenden Schlitz versehene Durch diesen Schlitz 15 greifen dornartige Vorsprünge 16 eines - ins-

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"besondere als endloses Band ausgestalteten Transportwerkzeuges 17, z.Bo einer Kette aus Tantal ein, die parallel am Schlitz außerhalb des Reaktionsrohreö geführt ist«, Die dornartigen Vorsprünge gelangen in mechanischem Kontakt mit den ^gen und dienen als deren Antrieb« Wenn auch die Möglichkeit' erwähnt wurde, den Antrieb dieser Art, d.h. den hierzu erforderlichen Schlitz über die ganze Eohrlänge zu führen, so wird doch in vielen Fällen eine wesentlich kleinere Länge vorzuziehen sein* Vorallem kann es erwünscht sein, einen solchen Antrieb nur außerhalb der Teilzonen I und II und ggfo sogar außerhalb der bei einer Anordnung gemäß I¹Ig₀ 1 vorgesehenen Gasschleuse/v anzuordnen. Die Anwendung eines zweiten (zweckmäßig durchsichtigen ) Rohres, das das Reaktionsrohr 1 umgibt und zugleich mindestens einen Teil der Fördervorrichtung enthält, kann zweckmäßig sein-

Eine andere Ausführungsform einer für das erfindungsgemäße Verfahren dienenden Apparatur ist in'Figy 4 dargestellte» Im Gegensatz zu einer Anordnung genu Figo 1 werden die in diesem Falle aus elektrischeleitendem Material bestehenden Wagen durch das Feld einer Induktionsspule 18 erhitzt, die so beschaffen ist,' daß sie die Wagen 10 in der Teilzone Il etwas stärker als in der Teilzone I erhitzt ο Die rohrartige Zuführung für das ätzende Gas markiert die Grenze zwischen den Teilzonen I und II_O Die Frischgaszufuhrstcllen für das Reaktionsgas 3 sind ebenfalls durch Rohre gegeben, welche in Richtung auf die Zone I und entgegen der Bewegung de'r Wagen 10 gebogen sind„ Dadurch wird das frische Reaktionsgas unmittelbar in die Zone I geblasen ο Das Gas strömt dann zum Gasauslaß Dieser ist mit einer Saugpumpe gekoppelt, die während des Betriebes verhindert, daß Reaktions^gas zu dem offenen Ξ-nde des Reaktionsrohres 1 bei B gelangt» Die Gasschleuse in der Fig., 1 wird hier also- durch eine wirksame Absaugvorrichtung ersetzt,·, Dasselbe gilt für die zweite Gasschleuse der Anordnung gemäß Fig, 1_O

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Nachdem bei einem vorgegebenen, für alle Fahrzeuge und damit Scheiben 14 verbindlichen Gesehwindigkcitsprogramm sämtliche Scheiben während ihrer Wanderung durch das Reaktionsrohr über gleiche Bedingungen geführt werden, ist mit einem hohen ^rad an Gleichmäßigkeit der Eigenschaften der erhaltenen epitaktischen Schichten zu~rechnen_c Insbesondere gilt dies, weil in der eigentlichen Abscheidungszone I sich jeweils nur relativ wenig Substrrtscheiben befinden und somit die Änderung der Eeaktionsgaszusar.riensetzung längs seiner Strchnungs- und damit der .."anderrichtung der Scheiben, hervorgerufen durch die chemische Aufwachsreaktion, die ja die Hauptursache für äen unterschiedlichen Einbau von Dotierungsntoff ist, klein bleibt,- Aus '-■-. diesem Grund wird eine hohe Gleichmäßigkeit der Dotierung in den abgeschiedenen Halbleiterschichten erhalten» Aber auch die Dicke der Schichten wird aus einem analogen Grund sehr" gleichmäßig ο Eine hohe Gleichmäßigkeit der Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten ist an sich eine Eigenschaft von kleinen Abscheidungsapparaturen, die nur mit wenig Scheiben auf einnu?! bestückt werden können, die aber aus diesem Grunde unwirtschaftlich sind ο Das E^findungsgemäße Verfahren verbindet also den Vorteil einer hohen Gleichmäßigkeit der Eigenschaften der erhaltenen Schichten mit dem Vorteil eines hohen Produktionsausstoßes»

4 Piguren

4 Patentansprüche

^BAD

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Claims

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. Verfahren zum epitaktisc'hen Abscheiden von kristallinen Haterial aus dor Gasphase auf Substratkörpern, bei den dor Träger der Substratkö'rper während des Absehe!- dungsvorgangs in Reaktionsgefäß bewegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein die zu "be schicht enden SuTostratkürper tragendes Transportorgan in den mit den erforderlichen Reaktionsbedingungen versehenen Reaktionsraun eingecchleuct und nach erfolgter ATdscheidung "bei aufrechterhal'tenen Reaktionsbedingungen wieder ausgeschleust wird.

2. Yerfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Anwendung einer Apparatur, bei der sämtliche mit dem Reaktionsgas in Kontakt gelangenden Apparateteile einschließlich der zu verwendenden Transportorgane für die zu "beschichtenden Substratkörper mindestens an der Oberfläche aus hochreinen SiOp und/o der:-' Si JS * und/oder Graphit, der mit SiG dicht umhüllt ist, bestehen.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beschichtenden Transportorgane in Form einer das ganze Reaktionsgefäß durchsetzenden Fahrzeugkette kontinuierlich ein- und ausgeschleust werden.

4. Verfahren nach einen der Ansprüche 1 - 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pahrzeugkotte aus einer Anzahl horizontal hintereinander angeordneter und miteinander in physischem Kontakt gehaltener Fahrzeuge, insbesondere mit Rädern versehener V/agen, besteht.

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r ^NweUnteria0en(Art7 8J-Ab_fc2Ni.iSate3deeÄndenjng_Mfc^||,e.

5. Verfahren nach einen der Ansprüche 1-4» dadurch gekennzeichnet, daß die Trancportorgane auf Schienen geführt v/erden ο

6. Verfahren nach einen der Ansprüche 1-5» dadurch gekennzeichnet, daß die Transportorgane mittels aerodynamischer Gasschleusen in den Reaktionsraum ein- bzw. ausgeschleust werden, indem an der Einschleusstelle die Trainsportorgane durch einen "Gasvorhang" geführt werden, der eine hydrodynamische Grenze zwischen dem Reaktionsgas und den über die Eintrittsstelle bzw. Austrittsstelle der Transportorgane in die Apparatur bespülenden Inertgas bildet.

7· Verfahren nach einen der Ansprüche 1- 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fahrzeuge entgegen der Strömung des Reaktionsgases in Reaktionsraum geführt werden.

8= Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - $, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beschichtenden Scheiben beim Eintritt in die Zone hoher Temperatur und beim Verlassen derselben mit merklich größerer Geschwindigkeit als innerhalb dieser Zone gefahren werden,,

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zone hoher Temperatur die zu beschichtenden Scheiben zunächst, in eine Teilzone mit etwas höherer, eine Abtragung bewirkender Temperatur und ch-nn in eine Teilzone mit etwas niedrigerer Temperatur, der Abscheidungsaone geführt werden ο

1Oo Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Abtragungswirkung durch Zugabe von ätsendem Gas zum Heaktionsgas unterstützt wird„

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ο- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß die die. Scheiben tragenden .Fahrzeuge einzeln durch den Reaktionsraum geführt werden.

12■„ Verfahren nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet, daß die die zu beschichtenden Scheiben tragenden Fahrzeuge in Form einer- durchgehenden Kette durch den Reaktionsraum geführt werden=

13ο Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Fahrzeugkette mit den Scheiben derart beladen wird, daß diskret angeordnete Gruppen entstehen, deren gegenseitiger Abstand in Bewegungsrichtung größer als die Länge der Zonen starken !Temperaturgradientcn am Eingang und Ausgang der heißen Zone im Reaktionsraum gewählt 'wird ο

14« Vorrichtung zur Ausübu ng des Verfahrens nach einem der Ansprüche. 1 ~ 13, gekennzeichnet durch einen gestreckten Reaktionsraum, einer Vorrichtung zur Erzeugung eines strömenden Reaktionsgases im Reaktionsraum, mindestens ■oimi zum transport von zu beschichtenden Scheiben durch den Reaktionsraum dienendes Fahrzeug, eine die Erhitzung der Scheiben bewirkende, in ihrer wirkung nur auf einen Teil des Reaktionsraunies beschränkte Energiequelle, sowie je eine nicht im Bereich des Reaktionsgases gelangende Stelle zum Einführen bzw„ Ausführen des Fahrzeuges in den Reaktionsraum vor bzw«, nach der Energiequelle₀

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