AT288811B - Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern - Google Patents
Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf SubstratkörpernInfo
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Cited By (1)
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