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Schaltung mit Tunneldioden-Charakteristik
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einen sehr geringenAufwand an Schaltelementen- -- seinem Reststrom. in Fig. 4 ist dieser Reststromverlauf strichpunktiert eingezeichnet. Das Wieder-Ansteigen der Kennlinie nach dem Punkt --II-- (Teil --II-III-- der Kennlinie) ist auf das Zunehmen des Kollektrostromes des Transistors-T,-, wenn der Transistor -- Tl -- praktisch nicht mehr leitet, zurückzuführen.
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eine Gerade darstellt. Die Neigung dieses Abschnittes kann durch Verringern des Wertes von-R-bei gleichzeitiger Zunahme der Konkavität dieses Kurvenastes erhöht werden ; wird-R,-Null, verläuft die Kennlinie natürlich von-n nach III-.
Die Transistoren- Tl und T,-müssen nicht, wie eingangs angegeben, ein Germanium- und ein Silizium-Transistor sein ; es ist durchaus möglich, zwei Germanium- oder zwei Silizium-Transistoren entsprechender Typen zu verwenden, wenn die Schaltungswiderstände entsprechend vorhanden sind (Germanium-Transistoren) oder mit der Variante, dass ein zusätzlicher Widerstand hinzukommt.
Eine solche Ausbildungsmöglichkeit der Schaltung ist in Fig. 3 gezeigt. Hier ist an Stelle des Basis-
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einerseits und-R-anderseits auf. In einem ersten, geringe Basis-Emitter-Spannungen umfassenden Bereich nimmt der Widerstand den grösseren Teil des Stromes auf, die Basis-Emitter-Strecke des Transistors den geringeren Teil. Dieses Verhältnis ändert sich jedoch mit sich steigernder Spannung so, dass der erstere Wert-nichtlinear-abnimmt und der zweite Wert - ebenfalls nichtlinear - zunimmt. Erst bei weiterer Spannungswert-Zunahme geht über die Basis-Emitter-Strecke von -- T2 - ein grösserer Strom als über den Widerstand-R-.
Es hat sich gezeigt, dass bei Verwendung eines Germanium-Transistors für -- T1 -- ein steiler An-
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Transistor, so wird-R-entbehrlich. Die Verwendung von zwei Silizium-Transistoren ist ebenfalls möglich, jedoch muss durch entsprechende Auswahl der Typen dieser Transistoren erreichtwerden, dass diese Transistoren bei verschiedenen Basis-Emitter-Spannungen leitend werden.
Mit dieser Schaltungsvariante kann ein etwas flacherer Verlauf der J-U-Kennlinie im Abschnitt - erreicht werden.
Das Verhältnis zwischen --Jp und Jv -- (Fig.4) liegt in Abhängigkeit von den verwendeten Transistoren-bei der erfindungsgemässen Schaltung im Bereich von 10 zu 1 ; das Verhältnis von -- UFB zu Up-kann 100 zu 1 und mehr betragen.
Eine Anwendung der erfindungsgemässen Schaltung zeigt die Fig. 5, u. zw. als sehr einfacher DCWandler. Die erfindungsgemässe Schaltung ist hiebei als Kästchen- S-mit den beiden Zuleitungen oder Klemmen und 2-dargestellt.-B-ist die Batterie od. dgl. Gleichstromquelle, --L-bedeutet eine Induktivität. und- RL-ist der Verbraucher der durch den Gleichrichter-Gl-gleich- gerichteten, erhöhten Spannung.
Die erfindungsgemässe Schaltung kann auch als Trigger, Oszillator, in elektronischen Sicherungseinrichtungen, in dekadischen Zählschaltungen, in Rechenmaschinen (z. B. als sogenannter"logic cir- cuit") usw. angewandt werden.
Die Schaltung kann lichtabhängig oder lichtempfindlich gemacht werden durch die Anordnung von Photo-Transistoren, d. h. einer oder beide der Transistoren werden durch Photo-Transistoren ersetzt oder
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auch dadurch, dass einer oder methrereder Widerstände durch je einen lichtabhängigen Widerstand (Photowiderstand, LDR) bzw. Photodiode ersetzt werden.
Weiters kann dieSchaltungdurchHerausführen der Basis eines der beiden Transistoren auch als Dreipol aufgefasst werden ; es ergibt sich dann die Möglichkeit, die J-U-Kennlinie zu steuern.
PATENTANSPRÜCHE : 1.. SchaltungmitTunneldioden-Charakteristikmit zwei Transistoren, dadurch gekennzeich- n e t, dass die Transistoren (T, T ) vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind, die Emitter beider Transistoren (T,, T,) an eine gemeinsame Zuleitung (1), die Basen beider Transistoren gegebenenfalls über Widerstände an eine andere, gemeinsame Zuleitung (2) angeschlossen sind, der Kollektor des einen Transistors (T.) mit der Basis des andern Transistors (Tl) unmittelbar verbunden und der Kollektor dieses
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nachAnspruchl, dadurch gekennzeichnet, dassderersteTransistor(Tl) ein3.
Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis nur des einen Transistors (Tl) über einen Widerstand (R) mit der zweiten Zuleitung (2) verbunden ist.
4. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis nur des einen Transistors (T) über einen Widerstand (R mit der zweiten Zuleitung (2) verbunden ist und die Basis des andern Transistors (tua) an den Abgriff eines zwischen den
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