DE1763283B2 - Halbleiter eingangsstufe zum abschalten eines elektromagneten - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrüTt eine Halbleiter-Eingangsstufe zum Abschalten eines Elektromagneten, der beispielsv "ise mechanische und oder elektrotiiechanische Glieder betätigt, welche die Belichtung von Material h,; phol· jraphisclu Zwecke beeinflus- *en. beispielsweise Verschluß und oder Blende.

Derartige Schaltungen neigen beim Kippen in ihre beiden Leitzustände zu Schwingungen durch Rückwirkungen der Induktivität des Elektromagneten auf die aktiven Schaltelemente.

Der Erfindung lag deshalb die Aufgabe zugrunde, fiiit geringstem Aufwand das Schaltverhalten grundlegend zu verbessern und die genannten Mängel auszuschalten.

Erfmdimgsgemäß wird diese Aufgabe von einer elektronischen Schaltung dadurch gelöst, daß eine Kückkopplung den Anschlußpunkt der positiven Betriebsspannung des Lndtnmsistors mit der Basis des liingangstransistors durch eine Reihenschaltung verbindet, die aus einer Diode, die in Richtung zur Basis des Transistors gepolt ist. und einem hochohmigen \Viderstand besteht.

An I land tier Zeichnung, die schematisch eine Schaltungsanordnung mit Kippverhaltcn sowie die eründungsgemäße Rückkopplung zeigt, wird die Wirkungsweise beschrieben.

Die Anschlußpunkte 1 und 2 dienen zum Anschluß der Stromquelle mit der eingetragenen Polarität. An S den Eingangspunkten 3 und 4 wirkt am Kondensator 5 eine Steuergröße, die beispielsweise von einem Phoiowiderstand, der nicht dargestellt ist, gebildet wird, über den Widerstand 6 wird die Steuerspannung der Basis des NPN-Transistors 7 zugeführt,

ίο der über beliebige, nicht gezeichnete Zwischenstufen die Basis des NPN-Transistors 8 aussteuert. Im KoI-lektorkreis dieses Transistors 8 liegt der Elektromagnet 9. Am Kollektor des Endtransistors 8 win! nun über eine Diode 30, die vorzugsweise eine SiIi-.-Mum-Diode mit sehr kleinem Sperrstrom ist. und über einen in Reihe sich anschließenden hochohinigen Widerstand 11 auf die Basis des Eingangstruiv sistors 7 an den Kondensator 5 zurückgekoppelt. Di₁ Reihenschaltung ist so dimensioniert, daß sich eii::.·

so Art Mitkopplung ergibt, indem der folgende 1 Unerreicht wird:

Bei Anlegen einer positiven Spannung an den Li;.-gang 3, 4 liegt die Diode 10 für den im Ruhe/ustatnj der "Schaltung durchgesteuerten Transistor 8 in Spun Richtung und wiikt dadurch so hochohmig. daß d, Rückkopplung überhaupt nicht wirksam wird. Wen;, nun die Stcuerspannung am Kondensator 5 ansii.iL und damit die Basisspannung am Transistor 7. liegt die Diode 10 immer stärker in Speir-Richiun..

es findet erst recht keine Rückkopplung statt. Sohal'i aber die Durchsteuerspannung des Transistors 7 l : reicht ist, kippt die Schaltung, d. h., beide Transistoren 7 und 8 wechseln ihren Leitzrsüind. Das bcdci.-tet, ch-ß der Transistor 7 durchsteuert und der Iran sistor 8 sperrt. Von diesem Augenblick an liegt di.. Diode 10 plötzlich in Durchlaßrichtung, d h.. der Arheitspunkt verschiebt sich in den Durchlaßbereich und zieht die Basis von Transi^.or 7 noch weitet in positive Richtung. Es wird demnach erreicht, dal.', das Durchsteuern und Kippen der Schaltungsanordnung gesichert und beschleunigt wird. Gleichzeitig wird so jede Neigung zum Schwingen, bedingt oder angeregt durch das Abschalten der Induktivität des Elektromagneten 9. wirksam unterbunden.

Selbstverständlich bedingt eine Verwendung \on Transistoren unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps tür Eingangs- und Avisgangstransistor 7 und 8 eine entsprechende Reihenschaltung als Rückkopplung mit den beschriebenen Eigenschaften zwischen Emitter des Endtransistors 8 und der Basis des Eiimangstransistors 7.

Hierzu I Blatt Zcichnunccn

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Halbleiter-Eingangsstufe zum Abschalten eines Elektromagneten, dadurch gekennzeichnet, daß eine Rückkopplung den Anschlußpunkt der positiven Betriebsspannung des Endtransistors (8) mit der Basis des Eingangstiansistors (7) durch eine Reihenschaltung verbindet, die aus einer Diode (10), die in Richtung zur Basis des Transistors (7) gepolt ist, und einem hochohmigen Widerstand (6) besteht.

2. Halbleiter-Eingangsstufe gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung den Kollektor des Endtransistors (8) mit der Basis des Eingangstransistors (7) verbindet, wenn beide vom n-p-n-Leitfähigkeitstyp sind.

3. Halbleiter-Eingangsstufe gemäß den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung den Emitter des Endtransistors (is, mit der Basis des Eingangstransistors (7) verbindet, wenn der Endtransistor (8) vom p-n-p-Leitfühigkeitstyp ist.