DE2624044C2 - Halbleiterschaltkreis zum Schalten von Wechselstromsignalen - Google Patents
Halbleiterschaltkreis zum Schalten von WechselstromsignalenInfo
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Description
gekennzeichnet durch
e) ein erstes und ein zweites Nebenschlußglied (7, T; 13,13'; 14,14'), das jeweils mindestens einen
Transistor (Q,, Q,', Q2, (^aufweist, der mit der
Kollektor-Emitter-Strecke zwischen den Kathoden-Steueranschluß einerseits und die Anode oder den Anoden-Steueraiischluß andererseits des ersten bzw. zweiten Thyristors (Th,
Th') geschaltet ist,
f) wobei bei jedem Nebenschlußglied (7, 7'; 13, 13'; 14,14') die Basis eines Transistors (Q2, Q2')
mit dem zweiten Konstantstromglied (Cc 2) verbunden ist ό
2. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 1,
— bei dem der erste und der zweite Thyristor eine
erste bzw. eine zweite rückwärtssperrende Thyristor-Triode sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Nebenschlußglieder (7, T) jeweils eine erste bzw. eine
zweite Reihenschaltung aus einer Diode (D2; D2) so
und mindestens einem Transistor (Q,, Q2; Q1', Q2')
zwischen der Anode und dem Kathoden-Steueranschtuß des ersten bzw. des zweiten rückwärtssperrenden Thyristors aufweisen.
3. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine
Transistor jeweils ein pnp-Transistor (Q2; Q2') ist,
dessen Basisanschluß mit dem zweiten Konstantstromglied (Cc 7) verbunden ist.
4. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, μ
dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Reihenschaltungen jeweils eine Darlington-Schaltung aus
einem npn-Transistor (Q1, Q\') und einem pnp-Transistor (Q2, Q2')bei\izen.
5. Halbleiierschaltkreis nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Basis der pnp-Transistoren des ersten und des zweiten Nebenschlußglieds (13,
13') mit dem zweiten Konstantstromglied (Cc2) über
eine dritte bzw. eine vierte Diode (Dj, Dj)
verbunden ist,
6. Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen der pnp-Transistoren
(Q2, Q2') des ersten und des zweiten Nebenschlußglieds (13, 13'; 14, 14') miteinander und mit dem
Konstantstromglied (Cc 2) unmittelbar verbunden sind.
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterschaltkreis zum Schalten von Wechselstromsignalen nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei einem derartigen bekannten Halbleiterschaltkreis (vgl. DE-OS 24 43 930) fließt der volle Steuerstrom über
die beiden Ansteuerglieder, so daß die zugehörigen Spannungsquellen eine verhältnismäßig hohe Leistung
aufbringen müssen.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, einen derartigen Halbieiterschaltkreis so auszubilden, daß der
vom zweiten Konstantstromglied zu liefernde Strom klein sein kann.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch die Lehre nach dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild eines Beispieles eines herkömmlichen Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreises mit antiparallel geschalteten rückwärtssperrenden Thyristor-Trioden,
Fig.2 den Verlauf der Lastspannung und des Laststromes bei der Schaltung nach Fig. 1,
Fig.3 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreises,
Fig.4 den Verlauf einer Lastspannung und eines
Laststromes bei der Schaltung nach F i g. 3,
F i g. 5 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreises, und
Fig.6 ein Schaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreises.
Bevor einzelne Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben werden, sollen anhand der F i g. 1 und
2 ein herkömmlicher Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreis mit dem Verlauf einer zugeordneten Lastspannung
urd eines zugeordneten Laststromes näher erläutert werden.
Wie in der F i g. 1 dargestellt ist, hat der herkömmliche Halbleiter-Wechselstrom-Schaltkreis einen Wechselstrom-Schalter 1 mit antiparallelen rückwärtssperrenden Thyristoren-Trioden Th und Th' zum Leiten
eines Wechselstromsignales. Wenn beide Steueranschlüsse der beiden Thyristoren mit einem Strom von
einem Ansteuerglied 2 mit einer Spannungsquelle E,, einem Schalter SW,, einem Konstantstromglied Cc\ und
Dioden A und D\ angesteuert werden, kann ein Wechselstromsignal durch den Wechselstrom-Schalter
fließen. Widerstände RgK und RgK' zwischen den Steueranschlüssen und der Kathode der jeweiligen
Thyristoren Th und Th' dienen zum Ausschließen oder Verringern des Geschwindigkeits-Effekts (dv/dt-Ef-
fekts, d.h. der Verringerung der Schaltspannung bei
erhöhter Anstiegsgeschwindigkeit der Spannung in Durchlaß- oder Vorwärts-Richtung), der einem Thyristor
eigen ist, wodurch jedoch der Ansteuerstrom und der Selbsthaltestrom für die Thyristoren zunimmt, so
daß zusätzliche Ströme durch diese Widerstände RgK und RgK'geleitet werden.
Wenn der Wechselstrom-Schalter 1 z.B. mit einer Signalquelle 3 und einer kapazitiven Last 4 mit einer
kapazitiven Komponente Cl und einer ohmschen Komponente Rl verbunden ist und so ein Wechselstromsignal
durch den Wechselstrom-Schalter 1 bei dem in F i g. 1 dargestellten Grundschaltungszustand
fließt, eilt der Laststrom i(t) um ungefähr π/2 in der
Phase der Lastspannung v(t) vor, so daß der Steuerstrom nicht weiter in den Steueranschluß des
Thyristors fließen kann, wenn die Ansteuerspannung am Steueranschluß kleiner als der Maximalwert der Lastoder
Signalspannung isL Wenn der Thyristor durchgeschaltet
ist, ist die Signalspannung, d. h. die Spannung an der Anode des Thyristors, ungefähr gleich der
Lastspannung, d. h. der Spannung an der Kathode des
Thyristors. Wenn also kein Steuerstrom fließ», fällt der
Laststrom plötzlich auf Null ab, sobald er einen Pegel 5 erreicht hat, bei dem der Selbsthaltestrom des
Thyristors unterschritten wird, wie dies z. B. für einen Teil 6 des Laststromes i(t) in Fig.2 dargestellt ist.
Anschließend nimmt die Last- oder Signalspannung ab, bis der Steuerstrom in den Steueranschluß fließen kann,
so daß der Laststrom plötzlich in Rückwärtsrichtung zu fließen beginnt, wie dies in Fig.2 durch das
Bezugszeichen 6' angedeutet ist Dies führt zu Unzulänglichkeiten, da nicht nur eine normale Signalübertragung
zur Last verhindert wird, sondern auch die plötzliche Änderung im Laststrom Rauschsignale
bewirkt
Als Gegenmaßnahme wurde bereits angeregt, die Steueranschluß-Ansteuerspannung größer als den Maximalwert
der Signalspannung zu wählen, so daß der Steuerstrom immer fließen kann. Dieses Vorgehen ist
jedoch nicht wirtschaftlich, und eine hohe Gleichspannung zur Steueranschluß-Ansteuerung beeinträchtigt
oft die Zuverlässigkeit der Bauelemente der Schaltung.
Bei dem aus der DE-OS 24 43 930 bekannten Halbleiterstromschalter wird dieses Problem dadurch
gelöst, daß für jede Stromrichtung entweder je ein Thyristor mit Anodensteueranschluä und einer mit
Kathodensteueranschluß oder aber ein einziger Thyristor mit Anoden- und Kathodensteueranschluß vorgesehen
ist, wobei die Anodensteueranschlüsse und die so Kaihodensteueranschlüsse jeweils an eine Ansteuereinrichtung
mit einer Spannungsquelle und einem Konstantstromglied angeschlossen sind.
Dadurch können unabhängig von den Lastbedingungen und der Amplitude oder Größe einer Wechselstromsignal-Spannung
Steuerströme fließen, so daß ein Wechselstrom, der sich in positiver und negativer
Polarität ändert, durch den Halbleiter-Wechselstrom-Schalter ohne momentane Unterbrechung geleitet wird,
selbst wenn die Steuerströme im Absolutwert unter die Selbsthalteströme der Thyristoren abfallen. Da hierbei
die vollen Steuerströme über die Ansteuerglieder fließen, müssen deren Spannungsquellen eine verhältnismäßig
große Leistung aufbringen.
Anhand der Fig.3 wird ein Halbleiter-Wechselstrom-Schalter
entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. In der F i g. 3 sind
vorgesehen ein Thyristor Schalter 1 mit antiparallelen rückwärtssperrenden Trioden-Thyristoren TTi und Tb'
zur Wechselstrom-Übertragung, die mit Widerständen RgKüna RgK'verbunden sind, um den einem Thyristor
eigenen Geschwindigkeitseffekt auszuschließen oder zu verringern, ein Ansteuerglied 2 mit zwei Dioden A und
A' und einem ersten Konstantstromglied Ccx zum
Ansteuern der jeweiligen Steueranschlüsse der antiparallelen Thyristoren 7Äund 77)'des Thyristor-Schalters
1, eine Signalquelle 3, eine kapazitive Last 4 mit einem kapazitiven Bauelement CL und einem ohmschen
Bauelement Ru ein Nebenschlußglied 7 mit einem
npn-Transistor Q\ und einem pnp-Transistor Qi in Darlington-Schaltung und mit einer Diode Di zum
Erhöhen der Durchbruchsspannung der Darlingtonschaltung im Sperrzustand in Emitter-Kollektor-Richtung,
ein anderes Nebenschlußglied T ähnlich dem Nebenschlußglied 7 mit Transistoren Q\ und Qi in
Darlington-Schaltung und mit einer Diode Di und ein Ansteuerglied 8, das ein Konstantstromglied Cci, einen
Schalter SWi und eine umgekehrt zur Gleichspannungsquelle £1 gepolte Gleichspannungsqn- ile Ei hat und zum
Ansteuern der Transistoren Qi und Qi dirni.
Die F i g. 4 zeigt Signale zum Erläutern des Betriebs des in Fig.3 dargestellten Halbleiter-Wechselstrom-Schalters
als Beispiel, wobei ein Laststrom i(t) unter der ungünstigsten Bedingung hinsichtlich einer Lastspannung
v(t) ist, d. h. in der Phase um π/2 voreilt. Der zeitliche Verlauf der Signale ist dabei derselbe wie bei
dem aus der DE-OS 24 43 930 bekannten Schaltkreis. Jedoch muß das zweite Ansteuergiied nicht den
verhältnismäßig großen Steuerstrom für die Thyristoren liefern, sondern nur noch den kleinen Einschaltstrom
für das Nebenschlußglied, wie unten näher erläutert wird. In Fig.4 sind minimale Selbsthaltestromwerte
5 (vgl. auch Fig.2) für die jeweiligen antiparallelen Thyristoren 77? und 77?' im Thyristor-Schalter
1 und Bereiche 9,10,11 und 12 eingezeichnet, in denen der Laststrom i(t) im Absolutwert unter den
Selbsthaltestrom 5 abfällt und daher eine so nachieilhafte
momentane Unterbrechung des Thyristors eintritt, wie dies beim Pegel 5 in Fig.2 dargestellt ist, wenn
nichi der Steuerstrom eingespeist wird, wobei zur Vereinfachung der Beschreibung des Betriebs vier
Bereiche vorhanden sind.
Da im Bereich 9 zunächst die Lastspannung v(t)\n die
Nähe des positiven Maximalwertes kommt, muß eine sehr große oder hohe Ansteuerspannung vorgesehen
werden, wenn das Kathoden-Steueranschluß-Ansteuerglied
2 allein zur Einspeisung des Steuerstromes wie beim herkömmlichen Halbleiter-Wechselstrom-Schalter
dient. Bei der Schaltung der F i g. 3 schaltet das Ansteuergiied 8 zum Ansteuern der pnp-Transistoren
Qi und Qi den pnp-Transistor Qi des Nebenschlußgliedes
7 bei niedriger Spannung ein, so daß dann der npn-Transistor Q\ eingeschaltet wird, um dadurch einen
Strom an den Kathoden-Steueranschluß des. zugeordneten
Thyristors Th über die Diode D2 und den npn-Transistor Q\ abzugeben. Das heißt, da der
betrachtete Thyristor Th ein hohes positives Potential annimmt, wird sofort ein Strom durch die Diode Di und
die Emitter Basis-Strecke des pnp-Transistors Qi zum
Ansteuerglied 8 mit der negativen Quelle Ei abgegeben.
Demgemäß kann ein Teil des Stromes im Hauptstromweg auf der Anodenseite des betrachteten Thyristors 77i
sofort zum Kathoden-Steueranschluß des Thyristors Th über die Diode üi und den npn-Transistor Q\
abgezweigt werden, wodurch der Steueranschluß des Thyristors 77i angesteuert wird, um zu verhindern, daß
der Thyristor Th ausschaltet.
Sodann ist im Bereich 10 die Lastspannung vft) noch
nahe beim positiven Maximalwert, während die Richtung des Laststromes /ft/umgekehrt ist. Daher wird
der Kathoden-Steueranschluß des Thyristors 77»' mit einem Strom über das Nebenschlußglied T aufgrund des
gleichen Prinzips wie für den Bereich 9 versorgt, so daß der Thyristor-Schalter 1 am Ausschalten gehindert ist.
Da andererseits die Lastspannung Wt) im Bereich 11 in
die Nähe des negativen Maximalwertes kommt, ist es möglich, den Kathoden-Steueranschluß des Thyristors
Th' einfach durch das Ansteuerglied 2 mit einer niedrigen Spannung auf die beschriebene Weise
anzusteuern. Auf ähnliche Weise kann der Kathoden-Steueranschluß des Thyristors Th einfach im Bereich 12
mit einem Strom bei niedriger Spannung vom Ansteuerglied 2 angesteuert werden. Da an sich eine
negative Spannung zum Erregen des Ansteuergliedes 8 und damit zum Ansteuern der pnp-Transistoren O>
und Q2 in diesen Bereichen 11 und 12 mit einem
Spannungswert benötigt wird, der größer ist als der absolute Mindestwert der Spannung Wt) kann bei einer
Übertragung eines sich in positiver und negativer Polarität ändernden Wechselstromsignales (vgl. Fig.4)
die Ansteuerung aber mit niedriger Spannung erzielt werden, indem das herkömmliche Ansteuerglied 2 durch
das Transistor-Ansteuerglied 8 ergänzt wird, das den Nebenschlußgliedern 7 und T zugeordnet ist. Während
oben der Halbleiter-Wechselstrom-Schalter für einen Fall erläutert wurde, in dem z. B. eine kapazitive Last als
Last angeschlossen ist, kann eine kleine Ansteuerspannung aufgrund der Erfindung bei jeder Last angelegt
werden, z. B. bei einer induktiven Last, bei der der
Laststrom in der Phase nacheilt.
Die F i g. 5 zeigt ein zweites Alisführungsbeispiel der Erfindung. In dieser Figur sind vorgesehen ein
Thyristor-Schalter 1 mit antiparallelen rückwärtssperrenden Thyristortetroden Th und Th' zur Wechselstrom-Übertragung, die mit Widerständen RgK und
^/('gekoppelt sind, um den Geschwindigkeitseffekt zu verringern, ein Ansteuerglied 2. das zwei Dioden Di und
D\ und eine Konstantstromquelle Cn aufweist und zum Ansteuern der Kathoden-Steueranschlüsse der antiparallelen rückwärtssperrenden Thyristortetroden Th und
Th' im Thyristor-Schalter 1 dient, eine Signalquelle 3. eine kapazitive Last 4 mit einem kapazitiven Bauelement Ci. und einem ohmschen Bauelement Ri.,
Nebenschlußglieder 13 und 13' jeweils mit pnp-Transistoren Q2 und Q2 und ein Ansteuerglied 8'. das zwei
Dioden Dj und Dj' sowie eine Konstantstromquelle Cc2
hat und zur Ansteuerung der Transistoren Qi und Q>
dient.
Zum Betrieb der Schaltung der F i g. 5 sei grundsätzlich auf die Erläuterung von F i g. 3 verwiesen.
Anhand der Fig.6 wird ein drittes Ausführungsbei
spiel der Erfindung erläutert, bei dem Nebenschlußglie
der 14 und 14' jeweils pnp- und npn-Transistoren Q2 und
Q\ in Darlington-Schaltung und auf ähnliche Weise pnp- und npn-Transistoren Qi bzw. Q1' in Darlington-Schaltung aufweisen, die für eine integrierte Schaltung
geeignet sind. In integrierten Halbleiterschaltungen werden insbesondere allgemein pnp-Lateraltransistoren verwendet, von denen jeder eine große Basis-Emitter-Durchschlagfestigkeit oder Durchbruchsspannung,
eine große Basis-Kollektor-Durchschlagfestigkeit sowie
eine kleine Stromverstärkung hat. Wenn demgemäß
(vgl. F i g. 6) der pnp-Transistor Qi mit dem npn-Transistor Q\ oder der pnp-Transistor Qi mit dem
npn-Transistor Q\' zusammengefaßt wird, die zu einer großen Stromverstärkung neigen, ist es möglich, den
Ansteuerstrom für den pnp-Transistor Q2 oder Q1'
möglichst klein zu machen. Der pnp-Lateraltransistor Qi oder Q2 dient zum Erzeugen einer ausreichenden
Durchschlagfestigkeit, so daß die Dioden D3 und Dj'
nicht erforderlich sind, die beim Ausführungsbeispiel der
F i g. 5 vorgesehen sind. Mit dieser Schaltung wird in
Fig. 3 verhindert, daß der Thyristor-Schalter 1 in den
Bereichen 9 und 10 (vgl. F i g. 4) ausschaltet, indem das Nebenschlußglied 14 mit dem pnp- und dem npn-Transistor Qi bzw. Qi oder das Nebenschlußglied 14' mit dem
}■> pnp- und dem npn-Transistor Q2 bzw. Q1' mittels des
Ansteuergliedes 8 angesteuert wird.
Es sei darauf hingewiesen, daß das zweite und dritte Ausführungsbeispiel (vgl. F i g. 5 und 6) besonders
vorteilhaft sind, da der Anoden-Steueranschluß und der
Kathoden-Steueranschluß beide zur Erhöhung der
Empfindlichkeit angesteuert werden. Der Schalter SWi
für das Kathoden-Steueranschluß-Ansteuerglied 2 und der Schalter SW2 für das Ansteuerglied 8 oder 8' zum
Ansteuern der pnp-Transistoren Qi und Qi (vgl. F i g. 3,
5 oder 6) können gleichzeitig während der Übertragung eines Wechselstromsignales geschlossen werden.
Claims (1)
1. Halbleiterschaltkreis zum Schalten von Wechselstromsignalen
a) mit zwei als Wechselstromschalter dienenden antiparallel geschalteten Thyristor-Trioden
oder Thyristor-Tetroden,
b) mit einem ersten Ansteuerglied, das eine erste
Spannungsquelle, in Serie dazu geschaltet ein ι ο erstes Konstantstromglied und zwei Dioden
aufweist, wobei das Konstantstromglied über jeweils eine der Dioden mit den Kathoden-Steueranschlüssen der Thyristoren verbunden
ist,
c) mit einem zweiten Ansteuerglied, das eine zweite Spannungsquelle und in Serie dazu
geschaltet ein zweites Konstantstromglied aufweist,
d) wobei die Ansteuerglieder so mit den Thyristoren verbunden sind, daß im Einschaltzustand
des Schalters die Steuerströme in den Thyristoren unabhängig von den Lastbedingungen und
der Amplitude des Wechselstromsignals fließen können,
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6424875A JPS51140491A (en) | 1975-05-30 | 1975-05-30 | Semiconductor bidirectional switch |
JP9381275A JPS5217761A (en) | 1975-07-31 | 1975-07-31 | Semiconductor universal - direction switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2624044A1 DE2624044A1 (de) | 1976-12-16 |
DE2624044C2 true DE2624044C2 (de) | 1982-05-13 |
Family
ID=26405370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2624044A Expired DE2624044C2 (de) | 1975-05-30 | 1976-05-28 | Halbleiterschaltkreis zum Schalten von Wechselstromsignalen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4039864A (de) |
CA (1) | CA1061408A (de) |
DE (1) | DE2624044C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3511207A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-09 | Werner Turck Gmbh & Co Kg, 5884 Halver | Naeherungsschalter mit einer elektronischen lastschalteinrichtung |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4255782A (en) * | 1977-11-15 | 1981-03-10 | Jgf, Incorporated | Electrical energy conversion systems |
US4529998A (en) * | 1977-12-14 | 1985-07-16 | Eaton Corporation | Amplified gate thyristor with non-latching amplified control transistors across base layers |
US4302687A (en) * | 1978-04-20 | 1981-11-24 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor switch |
JPS62256529A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-11-09 | アレン−ブラツドリイ カンパニ−,インコ−ポレ−テツド | サイリスタ回路 |
US5579192A (en) * | 1994-06-27 | 1996-11-26 | Larry C. Y. Lee | Thyristor power control circuit |
FI119578B (fi) * | 2004-08-30 | 2008-12-31 | Abb Oy | Menetelmä ja järjestely puoliohjatun verkkosillan yhteydessä |
DE102010051423A1 (de) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Ms-Technik Mess- Und Regelungstechnik Gmbh & Co. Kg | Schalter für durch eine Last fliessenden Wechselstrom |
FR3036001A1 (fr) | 2015-05-05 | 2016-11-11 | St Microelectronics Tours Sas | Commutateur bidirectionnel de puissance |
FR3036534A1 (fr) * | 2015-05-20 | 2016-11-25 | St Microelectronics Tours Sas | Commutateur bidirectionnel de puissance a performances en commutation ameliorees |
CN112448594B (zh) * | 2019-08-28 | 2022-05-31 | 台达电子工业股份有限公司 | 间接式矩阵转换器及整流模块 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3237030A (en) * | 1962-09-28 | 1966-02-22 | Dynamics Controls Corp | Radio noise-free switch |
US3283177A (en) * | 1964-09-02 | 1966-11-01 | Aerojet General Co | Interference-free a.-c. switch |
DE2160330A1 (de) * | 1971-12-06 | 1973-06-07 | Angewandte Elektronic Harry Kl | Elektronischer tastschalter |
-
1976
- 1976-05-27 US US05/690,587 patent/US4039864A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-05-28 CA CA253,660A patent/CA1061408A/en not_active Expired
- 1976-05-28 DE DE2624044A patent/DE2624044C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3511207A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-09 | Werner Turck Gmbh & Co Kg, 5884 Halver | Naeherungsschalter mit einer elektronischen lastschalteinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2624044A1 (de) | 1976-12-16 |
US4039864A (en) | 1977-08-02 |
CA1061408A (en) | 1979-08-28 |
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