AT254262B - Verfahren zur Herstellung einer dünnen metallischen Schicht, mit gitterförmiger Struktur für Steuerelektroden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer dünnen metallischen Schicht, mit gitterförmiger Struktur für SteuerelektrodenInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 13
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 8
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung einer dünnen metallischen Schicht, mit gitterförmiger Struktur für Steuerelektroden Das Stammpatent Nr. 245624 betrifft ein dünnschichtiges Verstärkerwirkung aufweisendes Festkörperelement mit drei Elektroden, bei dem auf eine Unterlage eine vermöge eines Lawineneffektes als Emitter wirkende Schicht aus Magnesiumfluorid aufgebracht ist, an welche sich als Steuerelektrode eine dünne metallische Schicht mit gitterförmiger Struktur anschliesst, worauf weiterhin eine zweite 1000 Ä E dicke dielektrische Schicht aus Siliziummonoxyd und abschliessend die als Kollektor wirkende metallische Schicht folgt, derart, dass die Dicke der ersten dielektrischen Schicht kleiner, diejenige der zweiten dielektrischen Schicht jedoch grösser als die freie Weglänge der Ladungsträger ist. Ähnlich wie bei Elektronenröhren (Trioden) übernimmt ein Steuerorgan mit gitterartiger Struktur die S teuerung des Ladungsträgerflusses zwischen einem Emitter (Elektronenquelle) und einem Kollektor (Anode). Der Aufbau des Festkörperverstärkerelementes als eine Folge von leitenden und nicht leitenden Schichten, die mittels der bekannten Technologie dünner Schichten hergestellt werden, macht eine weniger als EMI1.1 auf solche, welche sich zu ihrer Herstellung der Technologie dünner Schichten bedienen. Ein für den genannten Zweck brauchbares Steuerorgan kann durch ein Vakuumaufdampfverfahren hergestellt werden. Ein Steuergitter einer solchen Verstärkeranordnung mit drei Elektroden besitzt in der Regel eine Dicke von 100 ÄE oder weniger. Bei der Herstellung solch dünner Gitterstrukturen ist es ausserordentlich schwierig, diese geringen Masse einzuhalten. Man hat herausgefunden, dass eine solche dünnschichtige Gitterstruktur zweckmässigerweise folgende Bedingungen erfüllen sollte. 1. Die Gitterstruktur sollte nach Möglichkeit genügend grosse Öffnungen besitzen, um eine möglichst hohe Stromdichte mit einem Minimum an Trägerverlust am Gitter vorbeizuführen. 2. Die Gitterstruktur sollte möglichst gleichförmig sein zur Sicherstellung eines gleichförmigen elektrischen Feldes über die gesamte Gitterebene. 3. Die vom Gitter verursachte Emission oder Trägerinjektion sollte vernachlässigbar klein sein. 4. Die Gitterstruktur sollte vereinbar mit der Technologie der dünnen Schichten herstellbar sein. Die genannten Forderungen lassen sich dadurch erfüllen, dass man auf der Oberfläche des Substrates, auf dem das Gitter hergestellt werden soll, eine Suspension aus Polystyrolkügelchen in einer Mischung aus Wasser und Methylalkohol als Dispergierungsmittel aufbringt. Lässt man nun nach Verdampfen des Dispergierungsmittels im Hochvakuum-Aufdampfverfahren Metall gegen diese Fläche strömen, so entsteht durch den Schatteneffekt der genannten Kugeln die gewünschte Gitterstruktur. Die Polystyrolkügelchen werden nunmehr durch chemische Mittel gelöst und im Zuge eines Reinigungsverfahrens entfernt. Nach diesen Arbeitsvorgängen bleibt eine dünne metallische Schicht zurück, die eine Dicke von einigen Ä E besitzt und die elektrisch homogen ist, wobei die genannten Aussparungen die gewünschte Gitterstruktur darstellen. <Desc/Clms Page number 2> Weitere Einzelheiten des Erfindungsgedankens ergeben sich aus der Beschreibung sowie aus der Zeichnung. Das in der Zeichnung gezeigte Substrat 2 besteht aus einer dielektrischen Schicht und stellt die Kollektorregion der Festkörperverstärkervorrichtung dar. Die relative Konzentration von Wasser und dispergierendem Mittel kann sehr verschieden sein. Man bringt eine Mischung von 0,04 ml der genannten Polystyrollösung mit 1 ml Methylalkohol auf die Oberfläche des Substrates 2 auf und wartet bis der Methylalkohol verdampft ist. Es verbleiben dann auf der Substratoberfläche in willkürlicher aber statisch gleichförmiger Verteilung Polystyrolkugeln mit einem Durchmesser von 800 bis 880 E. Kugelförmige Polystyrollatexdispersionen sind im Handel in verschiedenem Durchmesser zu erhalten. Die Grösse des gewählten Durchmessers hängt von der Feinheit der gewünschten Gitterstruktur ab. In manchen Fällenreichen die Adhäsionskräfte dieser kleinen Kügelchen 4 aus, um genügend fest auf dem Substrat 2 zu haften, auch wenn mittels eines Vakuumaufdampfverfahrens Metall über die genannten Kugeln aufgedampft wird. Zur Erhöhung der Adhäsionswirkung wird man gelegentlich von chemischen Bindemitteln Gebrauch machen, welche der Lösung der Polystyrolkugeln im Methylalkohol beigesetzt werden. Auch kann eine elektrostatische Aufladung der Polystyrolkügelchen 4 angewandt werden, um die Anziehung zwischen ihnen und dem Substrat zu erhöhen. Nach dem Verdampfen des Methylalkohols bilden die Polystyrolkügelchen gewisse Anhäufungen von Gruppen zu ein, zwei, drei oder vier Kügelchen an jeweils einer gegebenen Stelle. Grosse statistische Schwankungen in der Grösse dieser Gruppen treten aber nicht auf. Nunmehr wird das Substrat 2 und die aufgebrachte Schicht aus Polystyrolkügelchen in eine Vakuumkammer eingebracht und unterhalb einer Verdampfungsquelle 6 angeordnet. Diese besteht in der Regel aus einem Heizfaden. Das zur Erzeugung der dünnen Gitterstruktur verwendete Metall wird auf diesen aufgebracht und verdampft. Bei dem Aufdampfungsprozess selbst wirken die Kügelchen 4 als Masken, so dass auf der Oberfläche des Substrates nur an den mit 8 bezeichneten Stellen eine dünne Metallschicht von weniger als 111 Dicke erzeugt wird. Nach Beendigung des Aufdampfprozesses werden die Polystyrolkügelchen durch Auflösung in Toluol entfernt bzw. ausgewaschen. So erhält man schliesslich eine dünnflächige leitende Schicht mit geeigneten Öffnungen in einer Dickenausdehnung von 111 oder weniger, welches diese besonders als Gitterstruktur für Festkörperverstärkervorrichtungen geeignet erscheinen lässt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH : Verfahren zur Herstellung einer dünnen metallischen Schicht, mit gitterförmiger Struktur für Steuerelektroden, nach Patent Nr. 245624, dadurch gekennzeichnet, dass eine Suspension von Polystyrolkügelchen in einer Mischung von Wasser und Methylalkohol als Dispergierungsmittel auf ein Substrat aufgebracht wird, dass durch Verdampfen des Dispergierungsmittels das in teilweise zusammengeballten Kugeln statistisch verteilt zurückbleibende Polystyrol eine Maske bildet und dass durch diese Maske hindurch im Vakuum-Aufdampfverfahren eine metallische Schicht aufgebracht wird, so dass nach Auflösung bzw. Auswaschung des Polystyrols die gewünschte metallische Gitterstruktur von der Dicke einiger molekularer Schichten übrigbleibt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US199450A US3202543A (en) | 1962-06-01 | 1962-06-01 | Method of forming a thin film grid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT254262B true AT254262B (de) | 1967-05-10 |
Family
ID=22737556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT425863A AT254262B (de) | 1962-06-01 | 1963-05-27 | Verfahren zur Herstellung einer dünnen metallischen Schicht, mit gitterförmiger Struktur für Steuerelektroden |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT254262B (de) |
-
1963
- 1963-05-27 AT AT425863A patent/AT254262B/de active
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