DE2247579C3 - Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für Solarzellen - Google Patents
Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für SolarzellenInfo
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- DE2247579C3 DE2247579C3 DE19722247579 DE2247579A DE2247579C3 DE 2247579 C3 DE2247579 C3 DE 2247579C3 DE 19722247579 DE19722247579 DE 19722247579 DE 2247579 A DE2247579 A DE 2247579A DE 2247579 C3 DE2247579 C3 DE 2247579C3
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben, bei dem
die Halbleiterscheibe zwischen eine Maske aus ferromagnetischem Material und einem Dauermagneten
gelegt wird.
Aus der DE-AS11 60107 ist ein derartiges Verfahren
bekannt Allerdings wird bei dem bekannten Verfahren, das nicht speziell zum Herstellen von Solarzellen dient,
die Halbleiterscheibe mit Hilfe von Federn gegen eine eingespannte Maske gepreßt Der verwendete Dauermagnet,
der kein Flachmagnet ist, wird in geringem Abstand über der Halbleiteroberfläche gehalten.
Aus der DE-AS 12 83 975 ist außerdem bekannt, daß
zur Herstellung einer Solarzeile dünne Leitbahnen unter Verwendung einer Schablone auf die Halbleiteroberfläche
aufgedampft werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei dem eingangs beschriebenen Verfahren die Unterdampfung
der schmalen Zungen von Solarzellenmasken zu vermeiden. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die
Maske mit einer Vielzahl langgestreckter, schmaler Zungen auf eine auf einem flachen Dauermagneten
liegende und für die Herstellung einer Solarzeile vorgesehene Halbleiterscheibe so aufgelegt wird, daß
die drei in ihrer Größe weitgehend einander entsprechenden Teile durch die Einwirkung des magnetischen
Feldes eine feste Einheit bilden.
Dieses Verfahren hat zusätzlich den Vorteil, daß die drei Teile eine transportfähige Einheit bilden, die ohne
zusätzliche Klammern oder Halterungen auskommt.
Bei der Herstellung von Solarzellen weisen die sehr dünnen Masken einer Vielzahl von langgestreckten
schmalen Zungen auf, die durch die Aussparungen, in denen das Metall niedergeschlagen werden soll,
voneinander getrennt sind. Diese Zungen werden bei bekannten Verfahren nicht fest genug an dje Halbleiteroberfläpbe
angepreßt, so daß in den entstehenden schmalen Spalt zwischen Maske und Halbleiterscheibe
das Bedampfungsgut eindringen kann. Durch diese fehlerhaften Aufdampfungen erhält man zu große
metallbeschichtete Flächen, Bei der Herstellung von Solarzellen bilden die Unterdampfungen eine wesentliche
Ausfallquelle. Zur Vorbereitung für die Metallbedampfung
von Halbleiterscheiben wird außerdem zu viel Arbeitszeit benötigt Diese Nachteile werden bei
dem neuen Verfahren beseitigt
Nach dem Auflegen der Maske auf die Halbleiterscheibe
wird unter die Scheibe ein flacher Dauermagnet
is gebracht, der dann über die sich in der Maske
schließenden Feldlinien alle Teile fest und unverrückbar zusammenhält Das Verfahren ist bei der Herstellung
von Solarzellen sehr vorteilhaft, da Solarzellen auf einer Halbleiteroberflächenseite mit finger- oder kammartigen
Leitbahnstrukturen versehen werden müssen. Die Masken bestehen vorzugsweise aus magnetisierbarem
Federstahl und haben vorzugsweise eine Dicke von 50 bis 100 (im. Die Einheit aus Magnet Halbleiterscheibe
und Maske kann dann noch vorteilhaft in eine Fassung eingelegt werden, die besonders geeignet für den Einbau
in eine Hochvakuum-B^dampfungs-Anlagt- ist
Die Erfindung wird noch anhand der Fig. 1 und 2
erläutert
In der Figur ist eine Halbleiterscheibe 1 dargestellt die beispielsweise aus zwei Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps besteht und eine Solarzelle bildet Zur Abführung des erzeugten Stroms muß auf die eine Oberflächenseite eine fingerartige Leitbahnstruktur aufgebracht werden. Dabei sind die Leitbahnen sehr schmal, um den Verlust an aktiver Halbleiter-Oberfläche möglichst klein zu halten. Auf die Halbleiterscheibe wird eine Maske 2 aus ferromagnetischem Material, beispielsweise aus magnetisierbarem Federstahl aufgelegt Die Maske hat eine Dicke von ca. &) bis 100 μπι und weist eine Vielzahl von metallischen Zungen 3 auf, zwischen denen Aussparungen 4 verbleiben, durch die die Metallschichten auf die Halbleiteroberfläche aufgedampft werden. Nach dem Auflegen der Maske wird unter die Halbleiterscheibe ein Flachmagnet 5 gebracht, dessen Feldlinien sich über die Stahlfolie 2 schließen, so daß die Maske mit allen ihren Zungen fest gegen die Halbleiteroberfläche gepreßt wird. Hierbei ist ausgeschlossen, daß Spalten zwischen der Halbleiterscheibe und der Maske verbleiben. Die Gefahr einer Metallunterdampfung der Maske besteht daher nicht mehr. Die Einheit aus Maske, Halbleiterscheibe und Magnet kann dann noch in eine rahmenförmige Fassung 6 eingelegt werden, die den in der Aufdampfanlage vorgesehenen Halterungen angepaßt ist und gleichzeitig für den großflächigen Rückseitenkontakt als Maske dient
In der Figur ist eine Halbleiterscheibe 1 dargestellt die beispielsweise aus zwei Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps besteht und eine Solarzelle bildet Zur Abführung des erzeugten Stroms muß auf die eine Oberflächenseite eine fingerartige Leitbahnstruktur aufgebracht werden. Dabei sind die Leitbahnen sehr schmal, um den Verlust an aktiver Halbleiter-Oberfläche möglichst klein zu halten. Auf die Halbleiterscheibe wird eine Maske 2 aus ferromagnetischem Material, beispielsweise aus magnetisierbarem Federstahl aufgelegt Die Maske hat eine Dicke von ca. &) bis 100 μπι und weist eine Vielzahl von metallischen Zungen 3 auf, zwischen denen Aussparungen 4 verbleiben, durch die die Metallschichten auf die Halbleiteroberfläche aufgedampft werden. Nach dem Auflegen der Maske wird unter die Halbleiterscheibe ein Flachmagnet 5 gebracht, dessen Feldlinien sich über die Stahlfolie 2 schließen, so daß die Maske mit allen ihren Zungen fest gegen die Halbleiteroberfläche gepreßt wird. Hierbei ist ausgeschlossen, daß Spalten zwischen der Halbleiterscheibe und der Maske verbleiben. Die Gefahr einer Metallunterdampfung der Maske besteht daher nicht mehr. Die Einheit aus Maske, Halbleiterscheibe und Magnet kann dann noch in eine rahmenförmige Fassung 6 eingelegt werden, die den in der Aufdampfanlage vorgesehenen Halterungen angepaßt ist und gleichzeitig für den großflächigen Rückseitenkontakt als Maske dient
Claims (2)
- Patentansprüche;1, Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben, bei dem die Halbleiterscheibe zwischen eine Maske aus ferrogmagnetischem Material und einen Dauermagneten gelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske mit einer Vielzahl langgestreckter, schmaler Zungen auf eine auf einem flachen Dauermagneten liegende und für die Herstellung einer Solarzelle vorgesehene Halbleiterscheibe so aufgelegt wird, daß die drei in ihrer Größe weitgehend einander entsprechenden Teile durch die Einwirkung des magnetischen Feldes eine feste Einheit bilden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Masken aus ferromagnetischem Federstahl verwendet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722247579 DE2247579C3 (de) | 1972-09-28 | 1972-09-28 | Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für Solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19722247579 DE2247579C3 (de) | 1972-09-28 | 1972-09-28 | Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für Solarzellen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2247579A1 DE2247579A1 (de) | 1974-04-04 |
DE2247579B2 DE2247579B2 (de) | 1978-08-17 |
DE2247579C3 true DE2247579C3 (de) | 1980-08-07 |
Family
ID=5857627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722247579 Expired DE2247579C3 (de) | 1972-09-28 | 1972-09-28 | Verfahren zum Befestigen von Aufdampfmasken auf Halbleiterscheiben für Solarzellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2247579C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3231735A1 (de) * | 1982-08-26 | 1984-03-01 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Verfahren zum herstellen metallischer ueberzuege auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2835136A1 (de) * | 1978-08-10 | 1980-02-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Solarelement sowie verfahren und vorrichtung zur herstellung desselben mittels ionenimplantation |
DE3139069A1 (de) * | 1981-10-01 | 1983-04-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von strukturierten schichten auf der oberflaeche eines halbleiterkoerpers |
DE10232821B4 (de) * | 2002-07-12 | 2006-06-14 | Domorazek, Gottfried, Dr.-Ing.habil. | Verfahren zum Herstellen von Sensoren zum elektrischen Messen der Füllstandshöhe sowie Einrichtung zum Herstellen solcher Sensoren |
FR2855530B3 (fr) * | 2003-05-28 | 2005-04-15 | Tecmachine | Procede de masquage par pochoir pour la realisation de depots sous vide sur un substrat |
-
1972
- 1972-09-28 DE DE19722247579 patent/DE2247579C3/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3231735A1 (de) * | 1982-08-26 | 1984-03-01 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Verfahren zum herstellen metallischer ueberzuege auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2247579B2 (de) | 1978-08-17 |
DE2247579A1 (de) | 1974-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |