AT237110B - Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen KaltleiternInfo
- Publication number
- AT237110B AT237110B AT76963A AT76963A AT237110B AT 237110 B AT237110 B AT 237110B AT 76963 A AT76963 A AT 76963A AT 76963 A AT76963 A AT 76963A AT 237110 B AT237110 B AT 237110B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- layer
- barrier
- contacts
- production
- vapor deposition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern In der franz. Patentschrift Nr. 1. 223. 114 ist ein aus zusammengesinterten störleitend gemachten fer- roelektrischen Kristallitkörner bestehender keramischer Widerstand mit hohem Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes beschrieben, wobei zur Erzielung einer vernachlässigbar kleinen Span- nungsabhängigkeit des Gesamtwiderstandswertes die Kontakte im wesentlichen sperrschichtfrei auf das Material des Widerstandes aufgebracht, insbesondere aufgedampft sind. Dieser Widerstand ist entsprechend den Vorschlägen der deutschen Auslegeschrift Nr. 1140628 zusammengesetzt. Zur Erzielung sperrschichtfreier Kontakte ist in der franz. Patentschrift Nr. 1. 223. 114 unter anderem auch ein Verfahren beschrieben, bei dem die zur Kontaktierung vorgesehenen Stellen der Kaltleiterkera- mik durch Be glimmen vorbehandelt werden. Auf den beglimmten Stellen wird dann ein unedles Metall wie z. B. Aluminium oder Zink aufgedampft. Auf diese Metallschicht kann eine weitere Metallschicht aus gut lötfähigem Material z. B. Kupfer oder Silber galvanisch oder chemisch aufgetragen werden. Es hat sich nun gezeigt, dass das dort angegebene Verfahren zwar eine im allgemeinen hinreichend grosse Spannungsunabhängigkeit des Widerstandswertes ergibt, dass jedoch diese Spannungsunabhängigkeit für besonders hohe Anforderungen nicht ausreichend ist. In umfangreichen Versuchen sollte nun festgestellt werden, worauf die geringe Restspannungsabhängigkeit der Kontaktierung zurückzuführen ist. Im Ergebnis dieser Versuche war zu erkennen, dass die Leitfähigkeit der Zwischenschicht nicht gross genug war, um den Sperrschichteffekt zwischen Keramikmaterial und Kontaktwerkstoff auszuschliessen. Es wird angenommen, dass dies auf eine Verminderung der Störleitung Infolge der Möglichkeit des Einwirkens von Sauerstoff auf die Keramik zurückzuführen ist. Demzufolge schlägt die Erfindung vor, die für die Herstellung einer sperrschichtfreien Kontaktierung erforderlichen Verfahrensschritte a) Beglimmen der Keramik an den für die Kontaktierung vorgesehenen Stellen, b) Aufdampfen einer ersten Schicht aus unedlem Metall, wie z. B. Aluminium oder Zink, c) Aufdampfen einer zweiten Schicht aus einem gut lötfähigen Metall, wie z. B. Kupfer oder Silber, in einer Unterdruckapparatur ohne Unterbrechung vorzunehmen. Hierunter ist zu verstehen, dass das Beglimmen und die Aufdampfvorgänge in der Weise vorzunehmen sind, dass ein Zutritt von auf die Keramik oxydierend wirkenden Stoffen oder Gasen, wie z. B. Luft, wenigstens bis zum vollendeten Aufbringen des gut lötfähigen Metalls vermieden wird. Um eine gute Lötbarkeit auch nach längerer Lagerung der mit den Metallschichten versehenen Kaltleiterkeramik zu gewährleisten, ist es empfehlenswert, in der Unterdruckapparatur, ebenfalls ohne Unterbrechung des Kontaktierungsverfahrens, die gut lötfähige Metallschicht mit einer durch Aufdampfen hergestellten Zinnschicht zu bedecken. Die Zinnschicht ist zweckmässigerweise stärker als die andern Metallschichten und mindestens gleich der gemeinsamen Stärke der ersten und zweiten Schicht. **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zum Herstellen der Kontaktierungen an einem aus zusammengesinterten, störleitend gemachten ferroelektrischen Kristallitkörnern bestehenden keramischen Widerstand mit hohem Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandes, wobei zur Erzielung vernachlässigbar kleiner Spannungsab- <Desc/Clms Page number 2> hängigkeit des Gesamtwiderstandswertes die Kontakte im wesentlichen sperrschichtfrei auf das Material des Widerstandes aufgebracht, insbesondere aufgedampft werden, dadurch gekennzeichnet, dass die folgenden Verfahrensschritte a) Beglimmen der Keramik an den für die Kontaktierung vorgesehenen Stellen, b) Aufdampfen einer ersten Schicht aus einem unedlen Metall, wie z. B. Aluminium oder Zink, c) Aufdampfen einer zweiten Schicht aus gut lötfähigem Metall, wie z. B.Kupfer oder Silber, in einer Unterdruckapparatur ohne Unterbrechung vorgenommen werden.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf die zweite Schicht noch eine dritte Schicht aus Zinn im gleichen Arbeitsgang aufgedampft wird, deren Stärke mindestens gleich-der gemeinsamen Stärke der ersten und zweiten Schicht ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE237110X | 1962-02-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT237110B true AT237110B (de) | 1964-11-25 |
Family
ID=5902923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT76963A AT237110B (de) | 1962-02-16 | 1963-01-31 | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT237110B (de) |
-
1963
- 1963-01-31 AT AT76963A patent/AT237110B/de active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3223736C2 (de) | Keramisches Dielektrikum | |
DE1590768C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolierenden Tragkörper | |
DE2437518C2 (de) | Dielektrische Keramik | |
DE2700013A1 (de) | Regenerierfaehiger elektrischer kondensator | |
AT237110B (de) | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern | |
DE1012698B (de) | Verfahren zur Herstellung von Sekundaeremissionskathoden mit einer Magnesiumoxydoberflaeche | |
DE1589079B2 (de) | Duennfilmkondensator | |
DE1490271A1 (de) | Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern | |
CH393494A (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Widerstandes mit sperrschichtfreien Kontaktierungen | |
DE1463621C3 (de) | Träger in einem Isolierkörper befindlicher Schmelzeinsatz | |
DE1180466B (de) | Elektrischer Kontakt | |
DE1790082A1 (de) | Metallschicht-Widerstandselement | |
DE7712411U1 (de) | Metallschichtwiderstand | |
DE516901C (de) | Elektrische Entladungsroehre mit Wehneltkathode | |
DE652142C (de) | Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenzwiderstaenden | |
DE612693C (de) | Indirekt geheizte Gluehkathode | |
DE1789161C2 (de) | Elektrode für impulsbetriebene Elektronenröhren hoher Leistung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE709336C (de) | Schreibfedern | |
DE1237327B (de) | Thermoelektrische Tellur-Antimon-Wismut-Legierung | |
DE2243503C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektrolytkondensators | |
DE2543079B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
DE1758642C3 (de) | Verwendung einer Nickellegierung als Werkstoff für elektrische Widerstandsdrähte | |
DE760308C (de) | Traege Schmelzsicherung | |
AT145746B (de) | Durch Aufstäuben von Metallegierungen aus gleichzeitig zur Wirkung gebrachten Kathoden verschiedener Metalle auf isolierende Träger hergestellte Widerstände für Hochfrequenzströme. | |
DE914996C (de) | Verfahren zur Erzielung kleiner Kaltwiderstaende von Heissleitern |