DE1490271A1

DE1490271A1 - Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern

Info

Publication number: DE1490271A1
Application number: DE19621490271
Authority: DE
Inventors: Erich Fenner; Schoefer Dr Rudolf
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1958-04-30
Filing date: 1962-02-16
Publication date: 1968-12-05

Description

STBMlWS AKTIEHGESELLSOHAPT

München 2,den 16.Peb.1962 Wlttelsbacherplatz 2

PA 62/2131

P H 90 271. 7

Verfahren zur Herstellung sperrschichtfreier Kontaktierungen an keramischen Kaltleitern

Zusatz zum Patent (Pat.Anmeldg. S 58 065 VIIId/21c;

uns.Zeh.: PA 58/2313)

Im Patent (S 58 065 VIIId/21c; PA 58/2313) ist ein

aus zusammengesinterten störleitend gemachten ferroelektrischen

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KristallitkÖrnern bestehender keramischer Y/id erstand mit hohem «.Temperaturkoeffizienten seineB Gesaratwiderstandewertes

nach Patent (Patentanmeldung S 54 291 Vllld/21cj PA 57/2480)

beschrieben, wobei zur Erzielung einer vernachl'ässigbar kleinen Spanntmgsabhängigkeit des aesamtwiderstandswertes die Kontakte im wesentlichen sperrschichtfrei auf das Material des Widerstandes aufgebracht, insbesondere aufgedampft sind.

Zur Erzielung sperrschichtfreier Kontakte ist in dem Patent .... (S 58 065 VIIId/21; PA 58/2313) u.a. auch ein Verfahren' beschrieben, bei dem die zur Kontaktierung vorgesehenen Stellen der Kaltleiterkeramik durch Beglimmen vorbehandelt werden. Auf den beglimmten Stellen wird dann ein unedles Metall wie z.B. Aluminium oder Zink aufgedampft. Auf diese Metallschicht kann eine weitere Metallschicht aus gut lötfähigem Material z.B. Kupfer oder Silber galvanisch oder·chemisch aufgetragen werd en.

Es hat sich nun gezeigt, daß das dort angegebene Verfahren zwar eine im allgemeinen hinreichend große Spannungsunabhängigkeit des V/id erstand swertes ergibt, daß jedoch diese Spannungsunabhängigkeit für besonders hohe Anforderungen nicht ausreichend ist. In umfangreichen Versuchen sollte nun festgestellt werden, worauf die geringe. Restspannungsabhängigkeit der Kontaktierung zurückzuführen ist. Im Ergebnis dieser Versuche war zu erkennen, daß die Leitfähigkeit der Zwischen-

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schicht nicht groß genug war, um den Sperrochichteffekt zwischen Keramikmaterial und Kontaktwerkstoff au'szuschliessen. Es wird angenommen, daß dies auf eine Verminderung der Störleitung infolge der Möglichkeit des Einwirkena von Sauerstoff auf die Keramik zurückzuführen ist. . . . ·

Demzufolge schlägt die vorliegende Erfindung vor, die für die Herstellung einer sperrschichtfreien Kontaktierung erforderlichen Verfahrensschritte .

a) Beglimmen der Keramik an den für die 'Kontaktierung vorgesehenen Stellen,

b) Aufdampfen einer ersten Schicht aus unedlem Metall,-wie z.B. Aluminium oder Zink,

c) Aufdampfen einer zweiten Schicht aus einem gut lötfähigen Metall, wie z.B. Kupfer oder Silber,

in einer Unterdruckopparatur ohne Unterbrechung vorzunehmen. Hierunter ist zu verstehen, daß das Beglimmen und die Aufdampfvorgänge in der Weise vorzunehmen sind, daß ein Zutritt von auf die Keramik oxydierend wirkenden Stoffen oder Gasen, wie z.B. Luft, wenigstens bis zum vollendeten Aufbringen des gut lötfähigen Metalls vermieden wird. Um eine gute lotbarkeit atöch n^ch längerer lagerung der mit den Metallschichten versehenen' Kaltle.iterkeramik zu gewährleisten, ist es empehlensv/ert, in der Unterdruclcapparatur, ebenfalls ohne Unterbrechung· des Kontaktierungsverfahrens, die gut lötfähige Metallschicht

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mit einer durch Aufdampfen hergestellten Zinnschioht zu be decken. Sie 2innschicht ist eweckmäßigerweise stärker ala die anderen Metallschichten und mindestens gleich der geaeineamen Stärke der ersten und zweiten Schicht,

2 Patentansprüche

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ORIGINAL INSPECTED

Claims

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Patentansprüche

Vf ΑΛ:

/ 1. Verfahren zum Herateilen sperrschichtfreier Kontak/fcierungen '--■' an keramischen.Kaltleitern mit ferroelektrischem Grundmaterial nach Patent .... (S 58 065 VIIId/21cj PA 58/2515), dadurch gekennzeichnet, daß die folgenden Verfahreneschritte

a) Beglimmen der Keramik an den für die Kontaktierung vorgesehenen Stellen,;

b) Aufdampfen einer ersten Schicht aus einem unedlen Metall, wie z.B. Aluminium oder Zink,

c) Aufdampfen .einer zweiten Schicht aus gut lötfähigem Metallwie z.B. Kupfer oder Silber, ■

in einer Unterdruckapparatur ohne Unterbrechung vorgenommen

'werden. ' . .

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2. Verfahren nach Anspruch 1,. dadurch gekennzeichnet, daß auf die zweite Schicht noch eine dritte Schicht aus Zinn' im ' gleichen Arbeitsgang aufgedampft wird, deren Stärke*mindesten? gleich der gemeinsamen Stärke der ersten und zweiten Schicht

'ist. ' ■■'■ '■■■'.'.■ ■ ■ .' . ' ·.'.■''■

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Neue Unterlagen tAA 7 § ι