AT228837B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen 
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   Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläu- tert. 



   Die Figuren zeigen einen schematischen Schnitt durch eine Legiergiessform in zwei Lagen. 



   Die Giessform, die deutlichkeitshalber in sehr einfacher Form wiedergegeben, jedoch in Wirklich- keit meist verwickelter ist, um mehr als eine Elektrode aufschmelzen zu können, besteht aus einem
Graphitboden   1,   in dem eine Höhlung 2 für einen Halbleiterkörper 3 vorgesehen ist. Auf dem Boden 1 ruht ein Graphitblock 4, in den ein Pfropfen 5 aus gleichem Werkstoff gesetzt ist. Der Pfropfen 5 weist eine Bohrung 6 auf, an die eine in der oberen Fläche der Giessform vorgesehene Rinne 7 anschliesst, wel- che eine Elektrodenmaterialmenge 8 in Form eines Kügelchens enthält. 



   Das Aufschmelzverfahren vollzieht sich derart, dass die Giessform zunächst bis über den Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials in einer reduzierenden Umgebung, z. B. in Wasserstoff, erhitzt wird. Die Giessform wird dabei in der in Fig. 1 dargestellten Lage gehalten. Anschliessend wird die Giessform in die in Fig. 2 dargestellte Lage gekippt, wobei das Material 8 auf den Halbleiterkörper fällt und auf diesem eine Elektrode 9 bildet. 



   Als Beispiel einer Zusammensetzung des Elektrodenmaterials wird eine aus 2 Gew.-% Germanium, 1/2   Gew. -0/0   Aluminium und im übrigen aus Indium bestehende Legierung genannt. Eine weitere brauchbare Legierung besteht z. B. aus 5   Gew. -0/0   Germanium, I   Gel.-%   Gallium und im übrigen aus Zinn. 



   Für solche Legierungen ist eine Erhitzung auf 5000C in einer reduzierenden Umgebung zweckmässig. 



  Um zu erleichtern, dass die Legierung nach dem Kippen eine gleichmässige Eindringtiefe erreicht, kann es erwünscht sein, die Temperatur vor dem Kippen zunächst abfallen zu lassen, z. B. auf   300 C,   und sie dann wieder zu steigern, z. B. auf den ursprünglichen Wert von 500 C. 



   Es sei bemerkt, dass im Rahmen der Erfindung viele Änderungen möglich sind, insbesondere hinsichtlich der Zusammensetzung des Elektrodenmaterials. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, bei dem ein Halbleiterkörper und eine Elektrodenmaterialmenge getrennt in einer Giessform auf eine Temperatur erhitzt werden, die höher als der Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials, jedoch niedriger als der des Halbleiterkörpers ist, und   an-   schliessend durch eine Lagenänderung der Giessform das Elektrodenmaterial auf den Halbleiterkörper geworfen oder fallengelassen wird, wobei das Elektrodenmaterial Gallium und/oder Aluminium enthält, dadurch gekennzeichnet, dass ein Elektrodenmaterial mit einem Gehalt an Germanium und/oder Silicium benutzt wird, der wenigstens   dieHälfte   des Gehaltes an Gallium und/oder Aluminium beträgt.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Galliumgehalt und/oder Aluminiumgehalt zwischen 0, 1 Gew.-lo und 5 Gew. -0/0 liegt.