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Anordnung zum Betreiben von Informationsspeichern
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum Betreiben von Informationsspeichern, die mit
Spalten- und Zeilenleitungen zur Koinzidenzansteuerung der Speicherelemente versehen und mit einer
Leseleitung zur Serienablesung der gespeicherten Informationen unter Verwendung einer Ferritkernschie- bekette ausgerüstet sind, von der jede Stufe eine Spaltenleitung des Informationsspeichers speist.
In einer dazu bekanntgewordenen Einrichtung besteht jede Stufe einer als Ringzähler geschalteten
Ferritkernschiebekette aus zwei Ferritkernen mit je einer Eingangs-, einer Ausgangs- und einer Schiebe- wicklung sowie einer zusätzlichen Wicklung für einen der Kerne der Stufe, wobei die Ausgangswicklung des einen Kernes mit der Eingangswicklung des andern und die Schiebewicklungen der einen Gruppe von
Kernen untereinander und mit einer zugeordneten Impulsquelle verbunden sind. Diese Impulsquellen lie- fern an die Kerne Schiebeimpulse, von denen der Schiebeimpuls der einen Impulsquelle zwischen zwei
Schiebeimpulsen der andern Impulsquelle liegt, so dass die in den Stufen der Ferritkernschiebekette auf- einanderfolgenden Kerne nach dem Wirken der Schiebeimpulse immer entgegengesetzt magnetisiert sind.
Die Spaltenleitungen des Informationsspeichers sind an die entsprechenden zusätzlichen Wicklungen der einen Gruppe von Kernen angeschlossen, um die Spaltenleitungen nur durch diese Kerngruppe mit Impulsen zu versorgen. Im Betrieb treiben nacheinander die entsprechenden Kerne zuerst einen positiven und dann einen negativen Stromimpuls durch die angeschlossenen Spaltenleitungen des Informationsspeichers.
Dies geschieht derart, dass alle aus der Gruppe der mit den Spaltenleitungen verbundenen Kerne und bis auf einen alle weiteren Kerne der ändern Gruppe den gleichen Magnetisierungszustand aufweisen, während der ausgewählte Kern den umgekehrten Magnetisierungszustand besitzt. Durch den nächsten an diesem eintreffenden Schiebeimpuls kippt dieser in seinen ursprünglichen Magnetisierungszustand zurück und der über die Ausgangswicklung mit ihm verbundene Kern aus der Gruppe der an die Spaltenleitungen des Informationsspeichers angeschlossenen Kerne wird ummagnetisiert. Dadurch entsteht auf der Spaltenleitung ein positiver Ausgangsimpuls, der zum Lesen und Nullsetzen des Informationsspeichers dient.
Gelangt nachfolgend an den in seinen positiven Remanenzzustand befindlichen Kern über die auf ihm befindliche Schiebewicklung ein Schiebeimpuls, wird der Kern in den ursprünglichen Magnetisierungszustand unter Abgabe eines negativen Stromimpulses zurückgeführt. Diese negativen Impulse werden zum Einschreiben einer Information in den Speicher benutzt.
Durch die Ummagnetisierung des Kernes in den negativen Remanenzzustand werden die folgenden Kerne der andern Gruppe ummagnetisiert, die bei der Änderung ihres magnetischen Zustandes durch einen eintreffenden Schiebeimpuls einen mit der nächsten Spaltenleitung verbundenen Kern in den andern manetischen Zustand umkippen. Auf diese Art und Weise werden nacheinander sämtlichen Spaltenleitungen positive oder negative Stromimpulse zugeführt, die in dem Speicher enthaltene Information herausgelesen und dieselbe oder eine andere wieder eingeschrieben.
Durch eine Auswahlschaltung ist Vorsorge getroffen, dass jeweils nur die Impulsleitung einer Zeile betätigt wird, so dass nur die Speicherkerne der angerufenen Speicherzeile gekippt werden, wie auch jeder Zeile eigene Schreib-, Lese- und Regenerierungseinrichtungen zugeordnet sind, so dass sämtliche Speicherzeilen als dynamische Register arbeiten.
Diese Einrichtung hat aber den Nachteil, dass sie sich nur vorteilhaft zur Speicherung für Informationen konstanter Wortlängen einsetzen lässt. Auch nach einer möglichen Auswahl von Speicherzellen
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in bestimmten Zeilen werden sämtliche Ferritkerne der Schiebekette zur Abgabe positiver oder negativer Stromimpulse so lange veranlasst, als in die als Ringzähler geschaltete Ferritkernschiebekette Schiebeimpulse einlaufen, zumal nur ein ausgewählter Kern der Ferritkernschiebekette fähig ist, die die Schiebekette durchlaufenden Informationen zu empfangen. Aus diesem Grunde muss eine Information so oft in den Speicher eingegeben werden, als sie entnommen worden ist.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine Einrichtung zum Betreiben von Informationsspeichern zu' schaffen, welche geeignet ist, aus einem Speicher Informationen variabler Wortlänge zu entnehmen oder einzuschreiben ohne die leeren oder nicht zu lesenden Speicherplätze anzusprechen und ohne sämtliche Kerne in einer Ferritkernschiebekette zu belasten.
Erfindungsgemäss wird das dadurch erreicht, dass zwischen den Ausgangs- und Eingangswicklungen zweier Kerngruppen einer Ferritkernschiebekette einer mit der Basis des Transistors verbundener ODERKreis liegt, der die beim Ummagnetisieren eines Ferritkernes induzierte Spannung oder ein von einer Quelle kommendes Signal zur Basis des Transistors und dieser einen Strom in die Schreibleitung einer vorangegangenen und über die Eingangswicklung eines nachfolgenden Ferritkernes der Schiebekette in die Leseleitung einer nachfolgenden Spalte der Kernspeichermatrix leitet, so dass gleichzeitig ein nachfolgenderFerritkern in der Schiebekette ummagnetisiert, die Speicherzelle einer Spalte der Kernspeichermatrix gelesen und die einer vorangegangenen eingeschrieben werden und dass Schalter vorgesehen sind.
die über Richtleiter den Schreib- und Leseleitungen der Spalten der Speichermatrix Potentialleitungen zuordnen.
Die Erfindung wird durch ein Ausführungsbeispiel an Hand einer Zeichnung erläutert. Die Figur zeigt eine Einrichtung zum Betreiben von Informationsspeichern.
Die in der Figur dargestellte Einrichtung enthält eineFerritkernschiebekette 1 mit den Ferritkernen 2, 4,6, 8, die durch die in Reihe geschaltetenSchiebewicklungen 9 zu einer ersten Ferritkerngruppe, während dieFerritkerne 3, 5 und 7 durch die hintereinandergeschalteten Schiebewicklungen 10 zu einer zwei- ten Ferritkerngruppe zusammengeschlossen sind. Dabei sind die Ferritkerngruppen so angeordnet, dass immer ein Ferritkern der zweiten Gruppe zwischen zwei Ferritkernen der ersten Gruppe liegt. Es sind dann Ausgangswicklungen 11,13, 15 der Ferritkerne 2,4, 6 der ersten Ferritkerngruppe über ODER-Kreise 17, 19,21 und Transistoren 23,25, 27 mit den Eingangswicklungen 30,32, 34 der Ferritkerne 3,5, 7 der
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35 der Ferritkerne 4,6, 8 der ersten Ferritkerngruppe verbunden sind.
Die Schiebewicklungen 9,10 sind an eine Impulsquelle 36 angeschlossen, die den Schiebewicklungen 9, 10 abwechselnd in einem bestimmten Takt Impulse zur Verschiebung der in einem Ferritkern der ersten Gruppe enthaltenen Information zu einem Ferritkern der zweiten Gruppe oder umgekehrt zur Verfügung stellt, wie das von den sogenannten Zwei-Takt-Schiebeketten bekannt ist. Die Emitter der Transistoren 23 - 28 sind mit den Ausgangswicklungen 11 - 16 verbunden, von deren Verbindungszweig
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- 46 derSpalten einerKernspeichermatrixJede Speicherzelle in einer Spalte der Kernspeichermatrix besitzt je eine Lese- und eine Schreibleitung, wobei die Leseleitung in entgegengesetzter Richtung zur Schreibleitung durch die Speicherzelle geführt ist. Die zu einer Speicherzelle gehörenden Leitungspaare sind bis auf den Apostroph durch gleiche Ziffern gekennzeichnet.
Der Strom durch die Leseleitungen 42'-47'wird als Strom negativer, während der Strom in den Schreibleitungen als Strom positiver Richtung bezeichnet wird. Die von den Schreib- und Leseleitungen durchsetzten Speicherzellen sind nicht dargestellt. Durch Dioden 48 - 53 sind über Leitung 73 die Schreibleitungen 41 - 46 an einen inEmitterschaltung angeordneten Transistorschalter 37 und durch Dioden 54 - 59 über Leitung 72 an einen ebenfalls in Emitterschaltung angeordneten Transistorschalter 38'angeschlossen, durch welche die Schreibleitungen 41-46 anMassepotential gelegt werden können.
Über Dioden 60-65, Leitung 74. und dem in Kollektorschaltung vorgesehenen Transistorschalter 39 sowie über Dioden 66-71, Leitung 75 und über in gleicher Art und Weise geschalteten Transistorschalter 40 sind die Leseleitungen 42'-47'der Spalten der Kernspeichermatrix mit negativem Potential verbunden. Die Transistorschalter 37 - 38 liegen emitterseitig am Massepotential und sind kollektorseitig an die Leitungen 72,73 geführt, während die Kollektoren der Transistorschalter 39,40 am negativen Potential und emitterseitig an die
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Leitungen 74,75 angeschlossen sind.
Für die Ströme negativer Richtung in den Leseleitungen 42'- 47' und bei geöffneten Schaltern 39,40 sind die Dioden 60 - 71 im statischen Zustand in Sperrichtung, wo- gegen die Dioden 48 - 59 im statischen Zustand bei geöffneten Schaltern 37,38 für die Ströme negativer
Richtung in'den Schreibleitungen 41 - 46 in Durchlassrichtung gepolt sind.
Die Eingänge 76 - 81 der ODER-Kreise 17 - 22 können mit einem nichtdargestellten Adressenspeicher verbunden sein, der, wie bei einer Kernspeichermatrix üblich, die auszuwählende Spalte bestimmt. Da- durch ist es möglich, zu jedem gewünschten Zeitpunkt jeder beliebigen Speicherzelle die in ihr gespei- cherte Information zu entnehmen oder dieselbe oder eine neue Information einzuschreiben. Um aber nicht die Speicherzellen aller Spalten während des Lese- und Schreibvorganges anzusprechen, sind den Tran- sistorschaltern 37-40 verschiedene Funktionen übertragen worden. Die Transistorschalter 37 und 39 sind für die Funktionen "Nicht-Schreiben bzw. Nicht-Lesen"vorgesehen, während die Transistorschalter 38 und 40 für die Funktionen "Schreiben bzw. Lesen" von Speicherzellen angeordnet sind.
Je nachdem welche der Transistorschalter 37 - 40 geschlossen sind, fliesst nacheinander durch alle
Leseleitungen 42'-47'und durch alle Schreibleitungen 41-46 über die von den Ferritkernen 2 - 8 ne- gativ vorgespannten Transistoren 23 - 28 vom Masse- zum negativen Potential ein Strom oder nur durch diejenigen, die durch das Schliessen der Transistorschalter 37 oder 39 über die Dioden 48-53, 60-65 und den Leitungen 73,74 an Masse- oder negatives Potential gelegt werden.
Die Eingangsinformation für die Ferritkernschiebekette 1 inForm einer binären"Eins"kann entweder der Eingangswicklung 29 des Ferritkernes 2 oder über die Eingänge 76 - 81 der ODER-Kreise 17 - 22 zuge- leitet werden. Erfolgt die Eingabe über die Eingangswicklung 29 bei geschlossenen Transistorschaltern
38,40, so wird der Ferritkern 2 vom Null-Zustand in den Ein-Zustand ummagnetisiert und in der Aus- gangswicklung 11 ein positiver Spannungsimpuls induziert. Dieser positive Impuls sperrt über den ODERKreis 17 den Transistor 23 und hält die Unterbrechung des Stromkreises vom Massepotential über Transistorschalter 38, Diode 54, Leitung 41, Transistor 23, Eingangswicklung 30 des Ferritkernes 3, Widerstand Rl. Leitung 42'zum Transistorschalter 40 und damit zum negativen Potential aufrecht.
Durch den offenen Transistorschalter 37 liegen die Dioden 48-53 für den Strom in positiver Richtung im Sperrbereich, während die Dioden 54 - 59 durch das Kollektorpotential des geschlossenen Transistorschalters 38 in den Durchlassbereich umgepolt worden sind.
Ein von der Impulsquelle 36 in die Schiebewicklung 9 einlaufender Impuls kippt den Ferritkern 2 in den ursprünglichen Magnetisierungszustand zurück und induziert dabei in der Ausgangswicklung 11 einen negativen Impuls, so dass über den ODER-Kreis 17 der Transistor 23 leitend wird. Damit ist der Stromkreis vom Massepotential uber den geschlossenen Transistorschalter 38, Schreibleitung 41, Transistor 23, Eingangswicklung 30, Widerstand Rl, Leseleitung 42', Diode 66, Transistorschalter 40 zum negativen Potential geschlossen. Der in der Schreibleitung 41 fliessende Strom ist dem Betrag nach gleich dem Strom in der Leseleitung 42', aber von entgegengesetzter Richtung, das Schreib-und Leseleitungen zueinander entgegengesetzt geführt sind.
Die Dioden 66 - 71 sind beim Schliessen des Transistorschalters 40 in die Durchlassrichtung gepolt worden, während die Dioden 60 - 65 nach wie vor im Sperrbereich liegen.
Durch den Strom vom Masse- zum negativen Potential über den Transistor 23 wird der Ferritkern 3 der Schiebekette 1 vom Null-Zustand in den Ein-Zustand umgekippt, die Speicherzelle der zweiten Spalte mit der Leseleitung 42'durch den Strom negativer Richtung gelesen und gleichzeitig durch den Strom positiver Richtung in der Schreibleitung 41 die Speicherzelle der ersten Spalte der Kernspeichermatrix wieder eingeschrieben.
Der positive Strom wird über die Diode 50, Leitung 72 und den geschlossenen Transistorschalter 38 zur Masse abgeleitet. Mit dem von der Impulsquelle 36 in den Schiebewicklungen 10 eintreffenden Schiebeimpuls wird der Ferritkern 3 der Ferritkernschiebekette 1 vom Ein- in den Null-Zustand ummagnetisiert, so dass in der Ausgangswicklung 12 des Ferritkernes 3 ein negativer Ausgangsimpuls entsteht. Über den ODER-Kreis 18 wird der Transistor 24 leitend und der Stromkreis vom Masse- zum negativen Potential über die Transistorschalter 38,40, den Transistor 24 sowie den Dioden 55,67 geschlossen.
Der einsetzende Strom in der Eingangswicklung 31 schaltet den Ferritkern 4 um. Gleichzeitig gelangt der Strom negativer Richtung über den Begrenzungswiderstand R2 in die Leseleitung 43'und über die Diode 67, Leitung 75 zum Transistorschalter 40 an negatives Potential. Dabei wird die Speicherzelle der dritten Spalte gelesen und gleichzeitig durch den Strom positiver Richtung in der Schreibleitung 42 der Speicherzelle der zweiten Spalte die ehemals gelesene Information wieder eingetragen. Der beim Umschalten des Kernes 4 in der Ausgangswicklung 13 induzierte positive Impuls hält den Transistor 25 gesperrt, so dass der Stromkreis vom Massepotential zum negativen Potential über die Leitungen 72,75 und den Dioden 56,68 unterbrochen bleibt.
Mit dem nächsten Schiebeimpuls von der Impulsquelle 36
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in der Schiebewicklung 9 wird der Ferritkern 4 in seine ursprüngliche Lage zurückgeführt, so dass in der
Ausgangswicklung 13 ein negativer Impuls induziert wird, durch den der Transistor 25 über den ODER-
Kreis 19 leitend wird.
Der Strom durch den Transistor 25 überträgt mit Hilfe der Eingangswicklung 32 die im Ferritkern 4 enthaltene Information zum Ferritkern 5, wodurch dieser über die Ausgangswicklung 14 einen positiven
Impuls abgibt, der die Basis des Transistors 26 weiterhin positiv vorspannt.
Weiterhin wird durch den leitenden Transistor 25 der Stromkreis vom Massepotential zum negativen
Potential über die Schalter 38,40, Leitungen 72,75, Dioden 56,68 und Begrenzerwiderstand R3 ge- schlossen. Dabei wird durch den Strom negativer Richtung in der Leseleitung 44'der Speicherzelle der vierten Spalte eine Information entnommen, während infolge des positiven Stromes in der Schreibleitung
43 der Speicherzelle der dritten Spalte die zu einem vorangegangenen Zeitpunkt gelesene Information wieder eingetragen worden ist.
Durch die abwechselnd in den Schiebewicklungen 9,10 von der Impulsquelle 36 ankommenden Im- pulse werden die Informationen vom Ferritkern 5 bis zum Ferritkern 8 der Ferritkernschiebekette 1 über- tragen, so dass nacheinander die Transistoren 26 - 28 leitend, und dabei den Leseleitungen 45'-47'und den Schreibleitungen 44 - 46 Ströme negativer und positiver Richtung zugeführt werden, die über die ent- sprechendenDioden 69-71, 57-59 zu den Transistorschaltern 38,40 gelangen und an die Potentiallei- tungen für Masse- und negatives Potential.
Somit werden die entsprechenden Speicherzellen gelesen oder diesen Informationen eingeschrieben, wobei der Vorgang des Lesens und Schreibens gleichzeitig stattfin- det und so, dass immer erst eineSpeicherzelle gelesen sein muss, bevor ihr die Information eingeschrieben werden kann. Übertragen auf die Kernspeichermatrix bedeutet das, dass die Speicherzellen der ersten Spal- te gelesen werden, dann die der zweiten Spalte, wobei die den Speicherzellen der ersten Spalte zu einem vorangegangenen Zeitpunkt entnommenen Informationen wieder eingetragen werden.
Um dieKernspeichermatrix nur zu lesen oder zu löschen, wird der Transistorschalter 38 geöffnet und der Transistorschalter 37 geschlossen. Die Dioden 54 - 59 gelangen dadurch für Ströme positiver Richtung in den Sperrbereich, die Dioden 48 - 53 in den Durchlassbereich. Deshalb fliessen sämtliche Ströme posi- tiver Richtung überdieDioden48 - 53, Transistorschalter 37 zur Masse ab, ohne dass dabei einem Ferrit- kern eine Information eingeschrieben wird.
Es können nur die Ströme negativer Richtung von den Ein- gangswicklungen 31 - 35 über die Begrenzungswiderstände Rl-R5 und die Leseleitungen 42'-47'auf die zugehörigen Speicherkerne einwirken, so dass die in der Kernspeichermatrix enthaltenen Informationen gelesen und dabei die Kernspeichermatrix, wie bei einem nicht zerstörungsfreien Lesen üblich, gelöscht wird. Umgekehrt ist es möglich, eine Information in die Kernspeicnermatrix einzugeben, ohne eine andere zu entnehmen. Bei diesem Vorgang sind die Transistorschalter 38, 39 geschlossen und die Transistorschalter 37,40 geöffnet.
Alle durch die Eingangswicklungen 30 - 35 laufenden Ströme werden über die Begrenzungswiderstände R1 - R6 und den im Durchlassbereich arbeitenden Dioden 60-65, über die Leitung 74 dem Emitter des Transistorschalters 39 zugeführt, so dass keine in den Leitungen 42'-45'liegende Speicherzelle gelesen werden kann. Die Ströme positiver Richtung schreiben beim Durchlaufen der Schreibleitung 41-46 die neue Information in die Speicherkerne ein.
Für die Eingabe und Entnahme von Informationen variabler Wortlänge in die und aus der Kernspeichermatrix sind die ODER-Kreise 17 - 22 vorgesehen. Zu diesem Zweck wird die Information von einem nicht gezeigten Adressenregister an die Eingänge 76 - 81 der ODER-Kreise 17-22 gegeben. Soll z. B. die Information in den Speicherzellen der 4. - 6. Spalte gespeichert sein, gelangt ein negativer Impuls vom nicht gezeigten Adressenregister an den Eingang 78 des ODER-Kreises 19.
Bei geöffneten Transistorschaltern 38, 39 wird der Transistor 25 leitend und durch den Strom in der Eingangswicklung 32 der Ferritkern 5 von der negativen in die positive Remanenz getrieben. Der leitende Transistor 25 schliesst fernerhin den Stromkreis vom Massepotential, Transistorschalter 37, Leitung 73, Diode 50, Widerstand R3, Diode 68, Leitung 75 zum Transistorschalter 40 und zum negativen Potential.
Der Strom in der Leseleitung 44'magnetisiert auf seinem Weg zum negativen Potential über den Begrenzungswiderstand R3, Diode 68, Leitung 75 und Transistorschalter 40 die Speicherzellen der 4. Spalte vom Ein-Zustand in den Null-Zustand um, wodurch diese gelesen worden sind, wenn von der entsprechenden Zeilenleitung ebenfalls ein Strom bestimmter Grösse zur Verfügung gestellt worden ist.
In der Schreibleitung 43 kann durch den geschlossenen Transistorschalter 37 kein Strom fliessen. Bevor durch den in der Schiebewicklung 10 von der Impulsquelle 36 ankommenden Schiebeimpuls der Ferritkern 5 vom Ein-Zustand in den Null-Zustand zurückmagnetisiert und in der Ausgangswicklung 14 ein negativer Impuls induziert wird, der den Transistor 26 leitend macht, wird der Transistorschalter 38 geschlossen und Transistorschalter 37 geöffnet.
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Nunmehr nimmt der Strom seinen Weg vom Massepotential über Transistorschalter 38, Leitung 72, der Diode 57, Schreibleitung 44, über den Transistor 26, Eingangswicklung 33, Begrenzungswiderstand R4, der Leseleitung 45', Diode 69, über die Leitung 75 und den Transistorschalter 40 zum negativen Poten- tial. Dabei wird die Speicherzelle der 5. Spalte gelesen und die der 4. Spalte erhält die vorher gelesene
Information wieder eingeschrieben.
Gleichzeitig kippt der Strom in der Eingangswicklung 33 den Ferrit- kern 6 in den Ein-Zustand, wodurch die Ausgangswicklung 15 einen positiven Impuls abgibt, der den
Transistor 27 gesperrt lässt. Mit Hilfe des Schiebeimpulses und der Schiebewicklung 9 des Ferritkernes 6 wird die Information vom Ferritkern 6 in den Ferritkern 7 übertragen, indem durch den negativen Impuls in der Ausgangswicklung 15 der Transistor 27 leitend und durch den einsetzenden Strom in der Eingangs- wicklung 34 der Ferritkern 7 vom negativen in den positiven Remanenzpunkt umgekippt wird. Dadurch entsteht in der Ausgangswicklung 16 ein positiver Impuls, der wirkungslos auf dem Transistor 28 bleibt.
Infolge des leitenden Transistors 27 fliesst der Strom vom Massepotential Über die Dioden 58, 70 zum negativen Potential. Die Speicherzelle der 6. Spalte wird mittels der Leseleitung 46'gelesen, die der
5. Spalte mittels der Schreibleitung 45 eingeschrieben. Daraufhin wird der Transistorschalter 40 geöffnet und der Transistorschalter 39 geschlossen.
Mit dem Schiebeimpuls in der Schiebewicklung 10 wird der Ferritkern 7 in den Null-Zustand zurück- gekippt und in der Ausgangswicklung 16 ein negativer Spannungsimpuls induziert, der die Basis des Transistors 28 negativ vorspannt. Der Transistor 28 wird leitend, so dass ein Strom vom Massepotential über
Transistorschalter 38, Leitung 72, Diode 59 und Leitung 46, durch die Eingangswicklung 34, über den
Begrenzungswiderstand R6 und Diode 65, der Leitung 74, den Schalter 39 zum negativen Potential fliesst.
Damit sind die Speicherzellen der 4.-6. Spalte gelesen und eingeschrieben worden.
Gleichfalls ist es gegeben, Speicherkerne in nicht nebeneinanderliegenden Spalten der Kernspeicher- matrix zu lesen oder einzuschreiben. Ist beispielsweise der Kern mit der Schreibleitung 41 als letzter eingeschrieben worden und soll darauffolgend der Speicherkern der 4. Spalte gelesen und wieder eingeschrieben werden, werden nach dem Einschreiben einer Information in die Speicherzelle der 1. Spalte die Schalter 37,39 geschlossen und die Schalter 38,40 geöffnet. Durch die Änderung der Schalterstellung werden die Dioden 54 - 59 für Ströme positiver die Dioden 66 - 71 für Ströme negativer Richtung undurchlässig. Die Dioden 48,49 bleiben für Ströme negativer und die Dioden 60-65 für Ströme positiver Richtung gesperrt.
Die Verschiebung des in der Eingangswicklung 29 des Ferritkernes 2 eingegebenen Signals erfolgt mit Hilfe der Schiebeimpulse in den Schiebewicklungen 9,10 bis zum Ferritkern 4, so dass die induzierten negativen Impulse in den Ausgangswicklungen 12,13 der Reihe nach die Transistoren 23, 24 negativ vorspannen. Diese schliessen den Stromkreis vom Massepotential über den Schalter 37, der Leitung 73, den Dioden 48, 49 und den Begrenzungswiderständen Rl, R2, den Dioden 60, 61, der Leitung 74 über den Schalter 39 zum negativen Potential. Es wird dadurch weder eine Speicherzelle gelesen noch eine eingeschrieben.
Erst, wenn der Ferritkern 4 in den negativen Remanenzpunkt geschaltet worden ist, wird der Schalter 40 geschlossen und Schalter 39 geöffnet und etwas zeitverzögert danach werden die Schalter 37, 38 betätigt, so dass auch dann Schalter 38 geschlossen und Schalter 37 geöffnet ist. Damit ist die Gewähr gegeben, dass beim Schliessen der Schalter 38, 40 in den vorangegangenen Lese- und Schreibleitungen kein Strom fliessen kann, der eine nicht zu lesende und eine nicht zu schreibende Speicherzelle beeinflusst, dies umsomehr, da der Stromfluss so lange aufrechterhalten bleibt, wie der Kippvorgang der Ferritkerne der Ferritkernschiebekette 1 andauert. Es werden die Stromkreise vom Massepotential zum negativen Potential über die Transistorschalter 38,40 und den Leitungen 72, 75 ausgewählt.
Anderseits lässt sich der beschriebene Vorgang auch dermassen durchführen, dass das Signal nicht an die Eingangswicklung 29, sondern an den Eingang 78 des ODER-Kreises 19 gegeben wird. Bei anfangs ge- öffneten Transistorschaltern 38. 39 und geschlossenen Transistorschaltern 37,40 magnetisiert der Strom vom Massepotential zum negativen Potential über den leitenden Transistor 25 einmal den Ferritkern 5 um, zum andern wird über den Begrenzungswiderstand R3 der Strom negativer Richtung zum Lesen der Spei-
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der Ferritkernschiebekette 1 läuft der normale Lese- und Schreibvorgang weiter.
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