AT202193B - Verfahren zur Befestigung von Halbleiteranordnungen. - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren zur Befestigung von   Halbleiteranordnungen.   



   Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Befestigung von Halbleiteranordnungen an einem gut wärmeleitenden, beispielsweise aus Kupfer bestehenden Körper. 



   Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen für höhere Leistungen liegt die Aufgabe vor, die 
 EMI1.1 
 gen worden, einen guten thermischen Kontakt mit dem die Halbleiteranordnung tragenden Körper, z. B. mit der Chassisplatte eines   Funkempfängers,   
 EMI1.2 
 schlagen sich aber Verunreinigungen auf dem Kristall nieder, wodurch seine auch von einer sauberen Oberfläche   abhängigen elektrischen   Eigen- 
 EMI1.3 
 aber nach dem Löten die Oberfläche des Halbleiterkristalles durch Atzen reinigen will, so ergibt sich die Schwierigkeit, dass die Platte einwandfrei abgedeckt und gegen   Säureangriff   geschützt werden muss, damit keine schädlichen Metallionen in die Atze und auf die Oberfläche des Halbleiterkristalles gelangen. Bisher ist dies in befriedigender Weise nicht gelungen. 



   Es ist an sich bereits bekannt, für die Halbleiteranordnung einen kupfernen Träger vorzusehen und diesen in einer Hülle einzupressen. Dies hat aber den Nachteil, dass man entweder nur sehr niedrige Pressdrucke benutzen kann, wodurch der   Wärmeabgang herabgesetzt   wird, oder dass man die Gefahr mechanischer Zerstörungen bei Anwendung eines höheren Pressdruckes in Kauf nehmen muss. 
 EMI1.4 
 per ein Träger einer Halbleiteranordnung und der gut wärmeleitende Körper auf verschiedene Temperaturen gebracht, und zwar wird der Träger auf eine niedrigere Temperatur als der Körper und hierauf der Träger in einen, den Träger eng um- schliessenden Hohlraum des Körpers eingesetz wobei nach Ausgleich der Temperaturdifferenz der Träger fest in dem Körper eingeklemmt wird. 



   Vorteilhafterweise enthält die Halbleiteranordnung einen, beispielsweise aus Germanium bestehenden Einkristall, der   auf einem Molybdänträger   durch Löten befestigt ist, wobei nach erfolgter   Setzung   der Molybdänträger in den Hohlraum eingesetzt wird. Die Wahl eines Molybdänträgers ist darum bedeutend, weil nicht nur das Molybdän einen   Wärmeausdehnungskoeffizienten   besitzt, der 
 EMI1.5 
 hat. Auch ist Molybdän ziemlich resistent gegen die üblichen Atzmittel, ausgenommen, wenn es 
 EMI1.6 
 durch   Erhitzen und/oder Abkühlen   eine Temperatur von etwa   1500 C   erzeugt.

   Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Halbleiteranordnung mit dem 
 EMI1.7 
 Zeichnung noch näher erläutert, wobei weitere Einzelheiten der Erfindung dargelegt werden.
Der als Beispiel für eine Anwendung der Erfindung gewählte Transistor der   Fig. l   weist einen   Halbleiterkörper   1 aus n-leitendem Germanium auf mit einem Emitter 4, einem Kollektor 6 und 
 EMI1.8 
 Löten ein vergoldeter Molybdänträger 2 befestigt ist. Molybdän hat einen   Wärmeausdehnungskoefn-   zienten, der etwa gleich dem des Germaniumkörpers 1 ist. Das Anlöten des vergoldeten Molybdänträgers 2 und das nachfolgende Atzen bereiten keinerlei Schwierigkeiten. In dem als Kupferplatte 
 EMI1.9 
 gutdänträgers 2.

   Der Molybdänträger 2 wird in die
Bohrung eingesetzt, nachdem entweder der gut wärmeleitende Körper 3 erhitzt oder die Halbleiter- anordnung mit dem Molybdänträger 2 z. B. mit flüssiger Luft gekühlt worden ist. Man kann nat,   turgemäss   beide Massnahmen   gleichzeitig anwen-   

 <Desc/Clms Page number 2> 

 den. Erfahrungsgemäss ist die Behandlung von Halbleitern in flüssiger Luft eher förderlich als nachteilig. 



   Sobald sich das Temperaturgleichgewicht zwischen den miteinander verbundenen Teilen eingestellt hat, sitzt der Molybdänträger 2 unter starkem Druck in dem Körper 3 fest. Um zu errei- 
 EMI2.1 
   Molybdänträger   2 und dem Körper 3 möglichst gross ist, empfiehlt es sich, dem   Molybdänträger 2   eine von der Zylinderform abweichende Gestalt zu geben. Wie die Fig. 2 erkennen lässt, kann der Molybdänträger 2 beispielsweise so gestaltet sein, dass sein Querschnitt gemäss Fig. 2a sternförmig od. dgl. ist.

   Es hat sich gezeigt, dass es zweckmä- ssig ist, vor dem Einsetzen des Molybdänträgers in die Bohrung des Körpers 2 zwischen beiden Teilen 
 EMI2.2 
 
 EMI2.3 
 
 EMI2.4 
 
1ddurch gekennzeichnet, dass ein Träger (2) einer Halbleiteranordnung und der gut wärmeleitende körper (3) auf verschiedene Temperaturen gebracht werden, und zwar der Träger (2) auf eine niedrigere Temperatur als der Körper (3) und hierauf der Träger (2) in einen den Träger (2) eng   umschliessenden Hohlraum   des Körpers   (3)   eingesetzt wird, wobei nach Ausgleich der Temperaturdifferenz der Träger (2) fest in dem Körper (3) eingeklemmt wird. 
 EMI2.5 

Claims (1)

1. spielsweise aus Germanium bestehenden Einkristall (1) enthält, der auf einem Molybdänträger (2) durch Löten befestigt ist, wobei nach erfolgter Atzung der Molybdänträger in den Hohlraum ein- EMI2.6 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Einsetzen des Molybdän- trägers in den Hohlraum des Körpers zwischen den zu verbindenden Teilen durch Erhitzen und bzw. oder Abküìhlen eine Temperatur von etwa 1500 C erzeugt wird.

   4. Verfahren nach einem oder beiden der Ansprüche 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass EMI2.7 Einsetzen in den Hohlraum in flüssige Luft getaucht wird.

   5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, gekennzeichnet durch die Verwendung eines vergoldeten Molydbänträgers.

   6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der gute wärmeleitende Körper die Form einer Platte (3) hat, die eine Bohrung aufweist, und dass der gegenüber dem Körper auf niedriger Temperatur befindliche Träger (2) in die Bohrung eingesetzt wird.