AT156998B - Regelbarer Halbleiterwiderstand. - Google Patents
Regelbarer Halbleiterwiderstand.Info
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Regelbarer lIalbleiterwiderstand. EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> Je nach der Form der Begrenzungskanten 10 und 11 kann man sonach den Widerstandsverlauf verschieden gestalten. Im weiteren Verlauf der Bewegung des Schleifers längs der Bewegungsbahn 7 erfolgt eine Beeinflussung des Widerstandswertes durch das metallische Element 3 und später noch durch das metallische Element 4. Fig. 2 zeigt einen segmentförmigen Widerstand, dessen Halbleiterschicht 15 zwei an die Endkontakte 16, 11 angeschlossene, gut leitende Elemente 18 und 19 überdeckt. Dabei sind für zwei Stellungen 20 und 21 des Schleifers auf der Bewegungsbahn 7"die Stromwege eingezeichnet, woraus die Art der Wirkung der Elemente 18 und 19 wohl ohne weitere Erklärung verständlich ist. Die Fig. 3 veranschaulicht einen Widerstand von Rechteckform. Dabei bezeichnet 22 die Halbleiterschicht, auf der sich der nicht gezeichnete Schleifer längs der Linie 23 bewegt. 24, 25, 26 und 27 sind Elemente aus gut leitendem Material, von denen die Elemente 24 und 27 mit den Endkontakten 28 und 29 verbunden sind. Die gut leitenden Elemente 24 bis 27 werden vorzugsweise wieder unmittelbar EMI2.1 beschriebenen Ausführungsformen gilt) oberhalb der Halbleitersehieht oder auch in der Höhe der Halbleitersehieht selbst angeordnet sein, in welchem Falle die Halbleiterschicht entsprechende Ausnehmungen besitzt. Gemäss Fig. 4 ist ein einziges Element 30 aus gut leitendem Material vorgesehen, welches sich über einen beträchtlichen Teil der Länge der Halbleiterschicht 31 erstreckt. Die eine Begrenzungskante 32 des Elementes 30 hat dabei die Form einer Wellenlinie. Die Bewegungsbahn des Schleifers ist durch die Linie 33 angedeutet. 34 und 35 sind die Endkontakte des Widerstandes. Die in den Fig. 1-4 dargestellten Elemente aus elektrisch gut leitendem Stoff können auf verschiedene Weise hergestellt sein. Beispielsweise kann man Metallblättehen verwenden, vorzugsweise wird man jedoch diese Elemente durch Aufspritzen nach dem Scoop'sehen Verfahren oder auf galvanischem Wege herstellen.
Claims (1)
- PATENT-ANSPRUCH : Regelbarer Halbleiterwiderstand mit im Wesen in der Ebene der vom Schleifer befahrenen Halbleiterschicht angeordneten, mit dieser Schicht im Kontakt stehenden blättehenförmigen, vorzugsweise gleichfalls als Schicht ausgebildeten Elementen aus elektrisch gut leitendem Stoff zur Beeinflussung des Widerstandsverlaufes, dadurch gekennzeichnet, dass sich eines der gut leitenden Elemente, vom Anfangskontakt ausgehend, vorerst in der Bewegungsbahn des Schleifers erstreckt, dann aber diese Bahn unter Bildung eines sanft anwachsenden Winkels zwischen einer seiner Begrenzungskanten und der genannten Bahn verlässt, wobei diese Begrenzungskante in wechselndem Abstand zu der genannten Bahn verläuft, welchen wechselnden Abstand zur Bewegungsbahn des Schleifers auch die übrigen gegebenenfalls noch vorgesehenen gut leitenden Elemente aufweisen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT156998T | 1934-10-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT156998B true AT156998B (de) | 1939-09-11 |
Family
ID=3649151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT156998D AT156998B (de) | 1934-10-19 | 1934-10-19 | Regelbarer Halbleiterwiderstand. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT156998B (de) |
-
1934
- 1934-10-19 AT AT156998D patent/AT156998B/de active
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