AT150579B - Elektronenabgebende Schicht und Verfahren zur ihrer Herstellung. - Google Patents

Description

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  Elektronenabgebende Schicht und Verfahren zu ihrer Herstellung. 



   Die elektronenabgebenden   Cäsiumoxydschichten   von lichtelektrischen Zellen werden im allgemeinen in der Weise hergestellt, dass man einen metallischen Träger, vorzugsweise Silber, an der Oberfläche oxydiert und die Oxydschicht dann mit Cäsiumdampf in Berührung bringt. Dabei verbindet sieh das Cäsium mit dem Sauerstoff der Schicht zu Cäsiumoxyd,   Cs2O,   und das Silberoxyd der Ober-   fläche wird   wieder zu metallischem Silber reduziert. Das Cäsiumoxyd ist dann zwischen die Silberteilchen in feinverteilter Form eingelagert. 



   Nach der Erfindung wird im Gegensatz dazu eine lichtelektrische Schicht benutzt, die ausschliesslich aus den wirksamen Stoffen besteht und keine fremden Beimengungen, wie z. B. Bestandteile der Unterlage, enthält. Dadurch wird eine wesentlich bessere Elektronenabgabe erzielt. Die Schicht kann einatomar sein. Zweckmässig wird ihr jedoch eine grössere Stärke von z. B.   1/10 mm oder   mehr 
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 tellurid,   Cs2Te, oder   aus innigen Gemischen oder Mischkristallen dieser Verbindungen bestehen. Als
Unterlage können beliebige leitende oder nichtleitende Stoffe dienen.

   Die Schicht erhält einen geringen Überschuss des Alkalimetalls von vorzugsweise   O'l   bis   2%.   Durch diesen   Überschuss   wird nicht nur die Elektronenabgabe erhöht, sondern auch die an sich nichtleitenden Verbindungen werden dadurch zu Leitern, die keine besonderen leitenden Zusätze oder Unterlagen mehr brauchen. 



   Die neuen lichtelektrischen Schichten können z. B. in folgender Weise hergestellt werden : Auf die nichtleitende Innenwand des Entladungsgefässes wird eine Schicht von Quecksilberoxyd,   HgO,  
Quecksilbersulfid, HgS, Quecksilberselenid, HgSe, Quecksilbertellurid, HgTe, oder Gemische dieser Verbindungen aufgebracht. Diese Schicht wird dem Dampf des Alkalimetalls ausgesetzt. Hiebei kann sich die Anordnung auf einer Temperatur zwischen der Zimmertemperatur und der Erweichungtemperatur des Glases befinden. Vorzugsweise hat die Stelle, an der das Alkalimetall verdampft, eine   möglichst hohe Temperatur, also z.   B.   4000 C. Bei der Umsetzung zwischen der Schicht und dem Cäsium-   dampf entsteht neben der photoelektrisch wirksamen Schicht noch Quecksilber. Dieses ist durch kurzzeitiges Erwärmen auszutreiben.

   An Stelle der Queeksilberverbindungen können auch andere Verbindungen mit ähnlichen Eigenschaften benutzt werden. Zur Herstellung der Sulfid-und Telluridschichten kann man unmittelbar das elementare Selen oder Tellur als Schicht in dem Gefäss anbringen und dem Cäsiumdampf aussetzen. In einigen Fällen ist es auch möglich, die wirksame Verbindung als solche auf den Träger aufzubringen. Hiezu kann man beispielsweise eine Aufschlämmung der Verbindung benutzen. Für die   Aufschlämmung   haben sich organische Verbindungen, wie z. B. Toluol, bewährt. Nach dem Abdampfen der Aufschlämmungsmittel wird die Schicht der wirksamen Verbindung dann dem Cäsiumdampf ausgesetzt, um den   erforderlichen Uberschuss   an Cäsium zu erzeugen. 



   Die Schichten sollen   einen Überschuss   an Alkalimetall von vorzugsweise   O'l   bis 2% enthalten, damit sie gute Elektronenleiter werden. Zu diesem Zweck muss der Alkalidampf etwas länger auf die Schicht einwirken als zur Bildung der Cäsiumverbindungen erforderlich ist. Das überschüssige Cäsium kann bei Zimmertemperatur oder etwas höherer Temperatur aufgenommen werden. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Elektronenabgebende Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass sie ausschliesslich aus dem Oxyd, Sulfid, Selenid oder Tellurid von Cäsium oder aus Gemischen oder Mischkristallen dieser Stoffe mit geringem   Überschuss   des Alkalimetalls ohne Zusatz von Fremdstoffen, wie z. B. Trägermetall, besteht. 

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Claims (1)

1. 2. Verfahren zum Herstellen einer Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf einen leitenden oder nichtleitenden Träger die Elemente Selen oder Tellur oder ein Gemisch beider aufgebracht und diese Stoffe mit Cäsiumdampf zu der wirksamen Schicht umgesetzt werden.

   3. Verfahren zum Herstellen einer Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf einen leitenden oder nichtleitenden Träger solche Verbindungen als Schicht aufgetragen werden, die den Sauerstoff, den Schwefel, das Selen, das Tellur oder mehrere dieser Elemente an solche Bestandteile gebunden enthalten, die nach dem Umsetzen mit dem Alkalimetalldampf leicht rückstandslos, z. B. durch Erwärmen, entfernt werden können und dass diese Verbindung mit Cäsiumdampf behandelt und die Reststoffe entfernt werden.

   4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von Quecksilberoxyd, -sulfid,-selenid,-tellurid oder von Gemischen dieser Stoffe.

   5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die wirksame Verbindung als solehe z. B. in Form einer Aufschlämmung auf den Träger aufgebracht und nach dem Aufbringen mit Cäsiumdampf behandelt wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.