JP3303429B2 - 陰極線管内蔵抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
陰極線管内蔵抵抗体及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管内蔵抵抗体及
びその製造方法に係り、特に抵抗素体端面の導通不良を
改良した陰極線管の内蔵抵抗体に関するものである。
びその製造方法に係り、特に抵抗素体端面の導通不良を
改良した陰極線管の内蔵抵抗体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン受像管のような陰極線管
（ＣＲＴ）の電子銃では、電極と電極との間、あるいは
電極と他部との間で放電を生じ、この時流れる大電流
（ラッシュカレント）により付随する回路部品セット等
に破損を生じる。この破損を生じないように、従来は図
４に示すように陰極線管内蔵抵抗体として放電抑制抵抗
体（ＰＣＥ）Ｒ１、Ｒ２を接続することが行われる。
（ＣＲＴ）の電子銃では、電極と電極との間、あるいは
電極と他部との間で放電を生じ、この時流れる大電流
（ラッシュカレント）により付随する回路部品セット等
に破損を生じる。この破損を生じないように、従来は図
４に示すように陰極線管内蔵抵抗体として放電抑制抵抗
体（ＰＣＥ）Ｒ１、Ｒ２を接続することが行われる。
【０００３】陰極線管の電子銃１はファンネル管体２の
ネック部３内に収容され、ビードガラス４で固定された
カソードＫと、例えば第１〜第５グリッドＧ１〜Ｇ５の
各電極が配列されてなっている。この場合、グリッドＧ
３〜Ｇ５でユニポテンシャルの主電子レンズを構成し、
Ｇ３及びＧ５には高圧及びＣＶ電圧供給を端子（アノー
ド端子）５を介して蛍光面と同様の高電圧ＨＶが印加さ
れる。
ネック部３内に収容され、ビードガラス４で固定された
カソードＫと、例えば第１〜第５グリッドＧ１〜Ｇ５の
各電極が配列されてなっている。この場合、グリッドＧ
３〜Ｇ５でユニポテンシャルの主電子レンズを構成し、
Ｇ３及びＧ５には高圧及びＣＶ電圧供給を端子（アノー
ド端子）５を介して蛍光面と同様の高電圧ＨＶが印加さ
れる。
【０００４】アノード端子５を介して印加された高電圧
ＨＶは、ファンネル管体２内面に塗布されたカーボン膜
よりなる内部導電膜６を介して第５グリッドＧ５にとり
つけた弾性金属リード片１１に接触させ、第５グリッド
Ｇ５及び第３グリッドＧ３間を放電抑制抵抗体Ｒ１を通
じて接触することにより供給される。
ＨＶは、ファンネル管体２内面に塗布されたカーボン膜
よりなる内部導電膜６を介して第５グリッドＧ５にとり
つけた弾性金属リード片１１に接触させ、第５グリッド
Ｇ５及び第３グリッドＧ３間を放電抑制抵抗体Ｒ１を通
じて接触することにより供給される。
【０００５】他の電極Ｋ、Ｇ１、Ｇ２及びＧ４に関して
はネック部３の端部に封着したステム８に貫通配設した
対応する端子ピン９に導線で接続し、各端子ピン９から
給電を行うようになされているが、低電圧が印加される
フォーカス電極、すなわち第４グリッドＧ４とこれに対
応する端子ピン９との接続を同様に放電抑制抵抗体Ｒ２
を介して行う。
はネック部３の端部に封着したステム８に貫通配設した
対応する端子ピン９に導線で接続し、各端子ピン９から
給電を行うようになされているが、低電圧が印加される
フォーカス電極、すなわち第４グリッドＧ４とこれに対
応する端子ピン９との接続を同様に放電抑制抵抗体Ｒ２
を介して行う。
【０００６】一方、コンバージェンス（ＣＶ）の電圧供
給はリード１０ａ、サポータ７で固定されたＣＶ電圧供
給被覆導線１２、リード１０ｂを介してＣＶプレート２
０へ供給される。上述したように、従来の陰極線管では
放電抑制抵抗体Ｒ１、Ｒ２を設けることによりＣＲＴの
放電時に発生する〜１０００Ａのラッシュカレントを〜
２Ａ程度に抑えることができる。この放電抑制抵抗体を
装備したＣＲＴでは、ＣＲＴの製造工程の電子銃のパー
ツのバリ取り工程（ノッキング工程）では実際の動作電
圧（３０ＫＶ）の２倍以上の高電圧をかけてクリーニン
グして放電を起こさないように耐圧特性を改善してい
る。
給はリード１０ａ、サポータ７で固定されたＣＶ電圧供
給被覆導線１２、リード１０ｂを介してＣＶプレート２
０へ供給される。上述したように、従来の陰極線管では
放電抑制抵抗体Ｒ１、Ｒ２を設けることによりＣＲＴの
放電時に発生する〜１０００Ａのラッシュカレントを〜
２Ａ程度に抑えることができる。この放電抑制抵抗体を
装備したＣＲＴでは、ＣＲＴの製造工程の電子銃のパー
ツのバリ取り工程（ノッキング工程）では実際の動作電
圧（３０ＫＶ）の２倍以上の高電圧をかけてクリーニン
グして放電を起こさないように耐圧特性を改善してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記電子銃のノッキン
グ工程では非常に高いエネルギーが放電抑制抵抗体（以
下ＰＣＥとも記す）にかけられるため、ＰＣＥにとって
最も弱い抵抗素体とＡｌ容射部との界面に導通不良部が
形成され、ＰＣＥの導通不良を招く。このようなＰＣＥ
の導通不良が発生するとＧ３電極に高圧が印加されなく
なり、電子ビームがフォーカスされないことになる。こ
の問題は、ＣＲＴでは致命的な問題となる。
グ工程では非常に高いエネルギーが放電抑制抵抗体（以
下ＰＣＥとも記す）にかけられるため、ＰＣＥにとって
最も弱い抵抗素体とＡｌ容射部との界面に導通不良部が
形成され、ＰＣＥの導通不良を招く。このようなＰＣＥ
の導通不良が発生するとＧ３電極に高圧が印加されなく
なり、電子ビームがフォーカスされないことになる。こ
の問題は、ＣＲＴでは致命的な問題となる。
【０００８】ここでＰＣＥがなぜ導通不良を生じるか説
明する。図５は従来の陰極線管内蔵抵抗体（放電抑制抵
抗体）の側面図であり、図６（ａ）は図５のＡ−Ａ断面
図であり、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ断面図である。図
５と図６に示すように、従来のＰＣＥ（放電抑制抵抗
体）はＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＣａＯ等の酸化物
とカーボンの混合物を焼成してなり、中央部のカーボン
富有抵抗層３０ａとその周囲の絶縁層３０ｂとからなる
円柱状抵抗素体３０の両端にＡｌを約０．１〜０．２ｍ
ｍの厚さに容射してＡｌ容射層３１を設け、更に両端に
ステンレス等からなる端子キャップ３２に圧入して得ら
れる。この従来のＰＣＥ構造ではカーボン富有抵抗層３
０ａとＡｌ容射層３１との側面接続、そしてＡｌ容射層
３１と端子キャップ３２との圧入によるＡｌ容射層３１
の肩部３１ａと端子キャップ３２の内面の接続がなさ
れ、最終的にカーボン富有抵抗層３０ａと端子キャップ
３２との導通が図られる。
明する。図５は従来の陰極線管内蔵抵抗体（放電抑制抵
抗体）の側面図であり、図６（ａ）は図５のＡ−Ａ断面
図であり、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ断面図である。図
５と図６に示すように、従来のＰＣＥ（放電抑制抵抗
体）はＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＣａＯ等の酸化物
とカーボンの混合物を焼成してなり、中央部のカーボン
富有抵抗層３０ａとその周囲の絶縁層３０ｂとからなる
円柱状抵抗素体３０の両端にＡｌを約０．１〜０．２ｍ
ｍの厚さに容射してＡｌ容射層３１を設け、更に両端に
ステンレス等からなる端子キャップ３２に圧入して得ら
れる。この従来のＰＣＥ構造ではカーボン富有抵抗層３
０ａとＡｌ容射層３１との側面接続、そしてＡｌ容射層
３１と端子キャップ３２との圧入によるＡｌ容射層３１
の肩部３１ａと端子キャップ３２の内面の接続がなさ
れ、最終的にカーボン富有抵抗層３０ａと端子キャップ
３２との導通が図られる。
【０００９】抵抗素体の両端のＡｌ容射層３１が抵抗素
体３０の構成成分のうちのＳｉより酸化物を生成し易い
ため、４Ａｌ＋３Ｏ2→２Ａｌ2Ｏ3の反応によりＡｌ容
射層３１が酸化される。ノッキング工程は温度も高いた
めその反応も早く進む。図７に示すように、抵抗素体３
０とＡｌ容射層３１との界面にＡｌ2Ｏ3層３４が形成さ
れて導通不良が生じるのである。また抵抗素体３０の方
もノッキング工程の昇温により、Ａｌ容射層３１との接
触面で絶縁材料中のカーボンがＣ＋Ｏ2→ＣＯ2の反応を
起こし、図７に示したようにカーボンが無いカーボン飛
散部３５を生ずる。この現象も導通不良の原因となる。
体３０の構成成分のうちのＳｉより酸化物を生成し易い
ため、４Ａｌ＋３Ｏ2→２Ａｌ2Ｏ3の反応によりＡｌ容
射層３１が酸化される。ノッキング工程は温度も高いた
めその反応も早く進む。図７に示すように、抵抗素体３
０とＡｌ容射層３１との界面にＡｌ2Ｏ3層３４が形成さ
れて導通不良が生じるのである。また抵抗素体３０の方
もノッキング工程の昇温により、Ａｌ容射層３１との接
触面で絶縁材料中のカーボンがＣ＋Ｏ2→ＣＯ2の反応を
起こし、図７に示したようにカーボンが無いカーボン飛
散部３５を生ずる。この現象も導通不良の原因となる。
【００１０】従来のＰＣＥの製造方法はまず、導電材料
のカーボン（Ｃ）と絶縁材料、例えばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ
2，ＭｇＯ，ＣａＯ等とをカーボン添加量が約３％（重
量）になるように混合し、水を加えて混錬し、所定太さ
の棒状に押出し成形する。その後、その棒状成形体を１
２００℃程度の温度で焼成し、次に所定長さに切断す
る。棒状成形体を焼成した時点でその棒状中心部のカー
ボン量は最初の成分量（３％）を維持しているが、その
周囲のカーボンは前述の反応によりＣＯ2となり、Ｃは
なくなりほぼ絶縁材料のみとなっている。
のカーボン（Ｃ）と絶縁材料、例えばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ
2，ＭｇＯ，ＣａＯ等とをカーボン添加量が約３％（重
量）になるように混合し、水を加えて混錬し、所定太さ
の棒状に押出し成形する。その後、その棒状成形体を１
２００℃程度の温度で焼成し、次に所定長さに切断す
る。棒状成形体を焼成した時点でその棒状中心部のカー
ボン量は最初の成分量（３％）を維持しているが、その
周囲のカーボンは前述の反応によりＣＯ2となり、Ｃは
なくなりほぼ絶縁材料のみとなっている。
【００１１】このようにして得られた抵抗素体の両端に
通常のＡｌを容射してＡｌ容射量を形成し、両端にＡｌ
容射量を形成した抵抗素体の両端をステンレスからなる
端子キャップに圧入することによってＰＣＥが得られ
る。上記従来の工程で形成した抵抗素体３０と端子キャ
ップ３２との間の介在層としてのＡｌ容射層３１は抵抗
素体３０の内部に浸透して形成されておらず、単に抵抗
素体３０の表面に被着されているだけなので上述したよ
うに抵抗素体３０のカーボン富有抵抗層３０ａのカーボ
ンが飛散し易く、導通不良を起こす。
通常のＡｌを容射してＡｌ容射量を形成し、両端にＡｌ
容射量を形成した抵抗素体の両端をステンレスからなる
端子キャップに圧入することによってＰＣＥが得られ
る。上記従来の工程で形成した抵抗素体３０と端子キャ
ップ３２との間の介在層としてのＡｌ容射層３１は抵抗
素体３０の内部に浸透して形成されておらず、単に抵抗
素体３０の表面に被着されているだけなので上述したよ
うに抵抗素体３０のカーボン富有抵抗層３０ａのカーボ
ンが飛散し易く、導通不良を起こす。
【００１２】そこで、本発明は上記課題を考慮して陰極
線管の電子銃のノッキング工程時等に導通不良を生じな
い陰極線管の内蔵抵抗体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
線管の電子銃のノッキング工程時等に導通不良を生じな
い陰極線管の内蔵抵抗体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、抵抗素体と該抵抗素体に付設する金属端子との間
に、前記抵抗素体を構成する元素の酸化物生成自由エネ
ルギーより大きな酸化物生成自由エネルギーを有する金
属材料のスパッタ膜を導通介在層として設けたことを特
徴とする陰極線管内蔵抵抗体によって解決される。
ば、抵抗素体と該抵抗素体に付設する金属端子との間
に、前記抵抗素体を構成する元素の酸化物生成自由エネ
ルギーより大きな酸化物生成自由エネルギーを有する金
属材料のスパッタ膜を導通介在層として設けたことを特
徴とする陰極線管内蔵抵抗体によって解決される。
【００１４】本発明では前記導通介在層の金属材料が
銅、少なくとも銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆ
ｅ）あるいは金（Ａｕ）を含むことが好ましい。
銅、少なくとも銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆ
ｅ）あるいは金（Ａｕ）を含むことが好ましい。
【００１５】更に上記課題は本発明によれば抵抗素体と
金属端子との間に導通介在層を有する陰極線管内蔵抵抗
体の製造方法において、前記導通介在層を、前記抵抗素
体を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーより大き
な酸化物生成自由エネルギーを有する金属材料を用いた
スパッタ法で形成することを特徴とする陰極線管内蔵抵
抗体の製造方法によって解決される。
金属端子との間に導通介在層を有する陰極線管内蔵抵抗
体の製造方法において、前記導通介在層を、前記抵抗素
体を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーより大き
な酸化物生成自由エネルギーを有する金属材料を用いた
スパッタ法で形成することを特徴とする陰極線管内蔵抵
抗体の製造方法によって解決される。
【００１６】
【作用】本発明によれば、抵抗素体３０と端子キャップ
３２との間の導体介在層の金属材料として抵抗素体３０
を構成する元素、通常Ｃ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ等よ
り酸化されにくい（酸化物生成自由エネルギーが大き
い）材料を用いているため酸化物がされにくく、導通不
良を生じない。しかも、その導体介在層の金属材料を抵
抗素体にスパッタ法により形成しているため、その金属
が抵抗素体、特にカーボン富有抵抗層３０ａに浸透して
いるため、従来のカーボン飛散を抑制し、そのため導通
不良の抑制に寄与する。本発明ではＣＲＴの動作各件に
より好適にするため、上記金属材料としては蒸気圧が低
く、しかも融点がＣＲＴ製造プロセスで十分高い材料Ｃ
ｕ，Ｆｅ，ＮｉあるいはＡｕが好ましい。
３２との間の導体介在層の金属材料として抵抗素体３０
を構成する元素、通常Ｃ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ等よ
り酸化されにくい（酸化物生成自由エネルギーが大き
い）材料を用いているため酸化物がされにくく、導通不
良を生じない。しかも、その導体介在層の金属材料を抵
抗素体にスパッタ法により形成しているため、その金属
が抵抗素体、特にカーボン富有抵抗層３０ａに浸透して
いるため、従来のカーボン飛散を抑制し、そのため導通
不良の抑制に寄与する。本発明ではＣＲＴの動作各件に
より好適にするため、上記金属材料としては蒸気圧が低
く、しかも融点がＣＲＴ製造プロセスで十分高い材料Ｃ
ｕ，Ｆｅ，ＮｉあるいはＡｕが好ましい。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００１８】図１及び図２は本発明に係る陰極線管内蔵
抵抗体の一実施例を示すそれぞれ側面図及び断面図であ
る。本実施例の図において従来図に示した要素と同一要
素については同一符号で示す。
抵抗体の一実施例を示すそれぞれ側面図及び断面図であ
る。本実施例の図において従来図に示した要素と同一要
素については同一符号で示す。
【００１９】本実施例の内蔵抵抗体（放電抑制抵抗体）
は外観的には図１に示したように従来図５と同一であ
る。すなわち、円柱状の抵抗素体３０の両端がステンレ
スからなる金属端子としての端子キャップ３２に圧入さ
れている。その構造を図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて
説明する。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図２
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、本実施例の内蔵抵抗体は従来の
Ａｌ容射層３１（図６）の部位を、絶縁層の構成成分で
あるＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ等よりも酸化物になりにく
い、従って酸化物生成自由エネルギーが大きく、しかも
蒸気圧が低く融点がＣＲＴプロセスで十分高い材料に代
えた。特に図３は各元素の酸化物生成の標準自由エネル
ギーを示す。この図からＣｕ，Ｎｉ等がＳｉ，Ａｌ等よ
り酸化物になりにくいことがわかる。
は外観的には図１に示したように従来図５と同一であ
る。すなわち、円柱状の抵抗素体３０の両端がステンレ
スからなる金属端子としての端子キャップ３２に圧入さ
れている。その構造を図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて
説明する。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図２
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、本実施例の内蔵抵抗体は従来の
Ａｌ容射層３１（図６）の部位を、絶縁層の構成成分で
あるＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ等よりも酸化物になりにく
い、従って酸化物生成自由エネルギーが大きく、しかも
蒸気圧が低く融点がＣＲＴプロセスで十分高い材料に代
えた。特に図３は各元素の酸化物生成の標準自由エネル
ギーを示す。この図からＣｕ，Ｎｉ等がＳｉ，Ａｌ等よ
り酸化物になりにくいことがわかる。
【００２０】本実施例ではＡｌの代わりに、上記条件を
満たすＡｕ（金）をスパッタリングによって抵抗素体３
０の両端に設け、導体介在層としてのＡｕスパッタ膜４
０を構成した。Ａｕスパッタ膜４０を設けた抵抗素体３
０は従来と同様にステンレス等からなる端子キャップ３
０に圧入されている。この圧入によって抵抗素体３０中
のカーボン富有抵抗層３０ａ、Ａｕスパッタ膜４０そし
て端子キャップ３２が面接触され導通が図られる。
満たすＡｕ（金）をスパッタリングによって抵抗素体３
０の両端に設け、導体介在層としてのＡｕスパッタ膜４
０を構成した。Ａｕスパッタ膜４０を設けた抵抗素体３
０は従来と同様にステンレス等からなる端子キャップ３
０に圧入されている。この圧入によって抵抗素体３０中
のカーボン富有抵抗層３０ａ、Ａｕスパッタ膜４０そし
て端子キャップ３２が面接触され導通が図られる。
【００２１】以下上記実施例の製造方法を詳細に説明す
る。まず、導通材料のカーボン粉末を添加量が約３重量
％となるようにＡｌ3Ｏ2，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＣａＯ粉
末添加混合し、水を加え十分に均一になるように混錬し
た後、約３ｍｍ直径の細い棒状に押出し成形する。その
後、その棒状成形体を１２００℃温度で焼成し、約２０
ｍｍの長さに各焼成棒を切断した。前述したように、焼
成完了後は棒の中心部はカーボン濃度が元の３％で保持
されているが外周に移行するにつれてカーボン濃度が急
速に減少し、表面及びその近傍ではカーボン濃度がほぼ
０の状態となっている。カーボン濃度が３％の中央部が
カーボン富有抵抗層３０ａであり、その周囲（外周）が
絶縁層３０ｂとなる。
る。まず、導通材料のカーボン粉末を添加量が約３重量
％となるようにＡｌ3Ｏ2，ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＣａＯ粉
末添加混合し、水を加え十分に均一になるように混錬し
た後、約３ｍｍ直径の細い棒状に押出し成形する。その
後、その棒状成形体を１２００℃温度で焼成し、約２０
ｍｍの長さに各焼成棒を切断した。前述したように、焼
成完了後は棒の中心部はカーボン濃度が元の３％で保持
されているが外周に移行するにつれてカーボン濃度が急
速に減少し、表面及びその近傍ではカーボン濃度がほぼ
０の状態となっている。カーボン濃度が３％の中央部が
カーボン富有抵抗層３０ａであり、その周囲（外周）が
絶縁層３０ｂとなる。
【００２２】約２０ｍｍの長さに切断された上記焼成棒
の抵抗素体３０の両端に各端毎にＡｕスパッタを行い、
Ａｕスパッタ膜４０を構成した。Ａｕのスパッタ条件は
以下の通りとした。
の抵抗素体３０の両端に各端毎にＡｕスパッタを行い、
Ａｕスパッタ膜４０を構成した。Ａｕのスパッタ条件は
以下の通りとした。
【００２３】スパッタ法 ＤＣスパッタ 真空度 １０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ ＨＶ（高圧） １．５ＫＶ スパッタ電流 １２〜１５ｍＡ スパッタ時間 ３０分 成膜厚さ ４００〜５００ｎｍ このようにして抵抗素体３０の両端の所定部位にＡｕス
パッタ膜４０を形成した後、従来と同様にステンレスか
らなる端子キャップ３２に圧入して、ＰＣＥ（放電抑制
抵抗体）を得た。このＰＣＥを図４に示したと同様のＣ
ＲＴ内の位置に内蔵させて従来と同様のノッキング処理
を行ったが、内蔵抵抗体での導通不良は発生しなかっ
た。
パッタ膜４０を形成した後、従来と同様にステンレスか
らなる端子キャップ３２に圧入して、ＰＣＥ（放電抑制
抵抗体）を得た。このＰＣＥを図４に示したと同様のＣ
ＲＴ内の位置に内蔵させて従来と同様のノッキング処理
を行ったが、内蔵抵抗体での導通不良は発生しなかっ
た。
【００２４】本実施例では抵抗素体３０と端子キャップ
３２の間の導体介在層の材料をＡｕとしたが、その他Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｆｅ等を用いることができる。
３２の間の導体介在層の材料をＡｕとしたが、その他Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｆｅ等を用いることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、動
作電圧の２倍以上の負荷をかけるＣＲＴ製造工程のノッ
キング工程でも、放電抑制抵抗体（ＰＣＥ）の導通不良
は発生しなかった。
作電圧の２倍以上の負荷をかけるＣＲＴ製造工程のノッ
キング工程でも、放電抑制抵抗体（ＰＣＥ）の導通不良
は発生しなかった。
【図１】本発明に係る陰極線管内蔵抵抗体の一実施例の
側面図である。
側面図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】酸化物生成の標準自由エネルギーと温度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】従来技術を説明するための陰極線管の部分模式
図である。
図である。
【図５】従来の陰極線管内蔵抵抗体の側面図である。
【図６】図５の断面図である。
【図７】従来の問題点を説明するための部分断面図であ
る。
る。
１ 電子銃 ２ ファンネル管体 ３ ネック部 ４ ビードガラス ５ 高圧及びＣＶ電圧供給端子 ６ 内部導電膜 ７ サポータ ８ ステム ９ 端子ピン １０ａ リード ２０ ＣＶプレート ３０ 抵抗素体 ３０ａ カーボン富有抵抗層 ３１ Ａｌ容射層 ３２ 端子キャップ ３４ Ａｌ2Ｏ3層 ３５ カーボン飛散部 ４０ Ａｕスパッタ膜
フロントページの続き (72)発明者 今林 大智 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−205302（ＪＰ，Ａ) 実公 昭39−35124（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 29/48 H01C 17/00 - 17/30
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗素体と該抵抗素体に付設する金属端
子との間に、前記抵抗素体を構成する元素の酸化物生成
自由エネルギーより大きな酸化物生成自由エネルギーを
有する金属材料のスパッタ膜を導通介在層として設けた
ことを特徴とする陰極線管内蔵抵抗体。 - 【請求項２】 前記導通介在層の金属材料が少なくとも
銅、ニッケル、鉄あるいは金を含むことを特徴とする請
求項１記載の陰極線管内蔵抵抗体。 - 【請求項３】 抵抗素体と金属端子との間に導通介在層
を有する陰極線管内蔵抵抗体の製造方法において、 前記導通介在層を、前記抵抗素体を構成する元素の酸化
物生成自由エネルギーより大きな酸化物生成自由エネル
ギーを有する金属材料を用いたスパッタ法で形成するこ
とを特徴とする陰極線管内蔵抵抗体の製造方法。 - 【請求項４】 前記導通介在層の金属材料として銅、ニ
ッケル、鉄あるいは金を用いることを特徴とする請求項
３記載の陰極線管内蔵抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11852493A JP3303429B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 陰極線管内蔵抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11852493A JP3303429B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 陰極線管内蔵抵抗体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333510A JPH06333510A (ja) | 1994-12-02 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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1993
- 1993-05-20 JP JP11852493A patent/JP3303429B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06333510A (ja) | 1994-12-02 |
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