JPH11191503A - 抵抗器及びこれを用いた陰極線管用電子銃 - Google Patents
抵抗器及びこれを用いた陰極線管用電子銃Info
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- JPH11191503A JPH11191503A JP9359782A JP35978297A JPH11191503A JP H11191503 A JPH11191503 A JP H11191503A JP 9359782 A JP9359782 A JP 9359782A JP 35978297 A JP35978297 A JP 35978297A JP H11191503 A JPH11191503 A JP H11191503A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗パターン間の短絡を抑制することによ
り、寿命が長く小型化が図れる抵抗器、及びこの抵抗器
を備えた陰極線管用電子銃を提供する。 【解決手段】 基板６上に、ナトリウム濃度が５０ｐｐ
ｍ以下である導電膜からなる抵抗パターン５が形成され
て成る抵抗器２、及びこの抵抗器２を備えて成る陰極線
管用電子銃１を構成する。
り、寿命が長く小型化が図れる抵抗器、及びこの抵抗器
を備えた陰極線管用電子銃を提供する。 【解決手段】 基板６上に、ナトリウム濃度が５０ｐｐ
ｍ以下である導電膜からなる抵抗パターン５が形成され
て成る抵抗器２、及びこの抵抗器２を備えて成る陰極線
管用電子銃１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗膜の表面にオ
ーバーコートガラスを塗布して成る抵抗器、及びこれを
用いた陰極線管用電子銃、並びに抵抗器の製造方法に係
わる。
ーバーコートガラスを塗布して成る抵抗器、及びこれを
用いた陰極線管用電子銃、並びに抵抗器の製造方法に係
わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、テレビ、ディスプレイ等において
高解像度化の要求が非常に高まっている。
高解像度化の要求が非常に高まっている。
【０００３】そのため、例えば図３に示すような、共有
電界拡張レンズ（ＥＦＥＡＬ：Extended Field Ellipti
cal Aperture Lens ）構造の電子銃３１が開発され、商
品化されてきている（SID '97 DIGEST p347-350(1997)
参照）。
電界拡張レンズ（ＥＦＥＡＬ：Extended Field Ellipti
cal Aperture Lens ）構造の電子銃３１が開発され、商
品化されてきている（SID '97 DIGEST p347-350(1997)
参照）。
【０００４】この電子銃３１では、図示しないが赤Ｒ、
緑Ｇ、青Ｂの３色に対応する電子ビームを発生させる３
つの陰極Ｋ、電子ビームを加速及び制御する各電極即ち
第１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極
Ｇ4 、第５電極Ｇ5 、後述の中間電極ＧＭ、第６電極Ｇ
6 、及びコンバージェンスカップ３５を有し、電子銃３
１の長手方向と略平行に抵抗器３２が取り付けられて成
る。図３中３３はステム、３４はステムピンである。
緑Ｇ、青Ｂの３色に対応する電子ビームを発生させる３
つの陰極Ｋ、電子ビームを加速及び制御する各電極即ち
第１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極
Ｇ4 、第５電極Ｇ5 、後述の中間電極ＧＭ、第６電極Ｇ
6 、及びコンバージェンスカップ３５を有し、電子銃３
１の長手方向と略平行に抵抗器３２が取り付けられて成
る。図３中３３はステム、３４はステムピンである。
【０００５】このＥＦＥＡＬ構造の電子銃３１には、従
来のフォーカス電圧（例えば６ｋＶ）とアノード電圧
（例えば２７ｋＶ）の中間の電圧（例えば１４ｋＶ）を
印加する新規の電極が必要になる。そこで、陽極側の第
６電極Ｇ6 とフォーカス電極である第５電極Ｇ5 との間
に中間電極ＧＭを設けている。ＥＦＥＡＬ型構造の電子
銃３１では、第５電極Ｇ5、中間電極ＧＭ、第６電極
が、図示しないがそれぞれ３つの電子ビームに対応した
ビーム透過孔を有する電界補正電極板を内部に有し、各
電極Ｇ5 ，ＧＭ，Ｇ6が断面長円形の筒体とされてい
る。
来のフォーカス電圧（例えば６ｋＶ）とアノード電圧
（例えば２７ｋＶ）の中間の電圧（例えば１４ｋＶ）を
印加する新規の電極が必要になる。そこで、陽極側の第
６電極Ｇ6 とフォーカス電極である第５電極Ｇ5 との間
に中間電極ＧＭを設けている。ＥＦＥＡＬ型構造の電子
銃３１では、第５電極Ｇ5、中間電極ＧＭ、第６電極
が、図示しないがそれぞれ３つの電子ビームに対応した
ビーム透過孔を有する電界補正電極板を内部に有し、各
電極Ｇ5 ，ＧＭ，Ｇ6が断面長円形の筒体とされてい
る。
【０００６】そして、この中間電極ＧＭに上述の例えば
１４ｋＶの中間の電圧を印加することにより、中間電極
ＧＭの電界補正電極板（図示せず）のビーム透過孔への
電界のしみ込みで電子ビームの形状やコンバージェンス
を制御して、これらを最適化することができる。
１４ｋＶの中間の電圧を印加することにより、中間電極
ＧＭの電界補正電極板（図示せず）のビーム透過孔への
電界のしみ込みで電子ビームの形状やコンバージェンス
を制御して、これらを最適化することができる。
【０００７】ここで、陰極線管の外部から電子銃に電圧
を供給するステムピン３４から供給できる電圧は、ピン
間の耐電圧特性から１０ｋＶ程度が限界である。従っ
て、中間電極ＧＭに例えば１４ｋＶ等の中間電圧を供給
するために、ステムピン３４からの低い電圧と、陽極側
の高い電圧の間を接続して分圧する、抵抗器３２が不可
欠となっている。
を供給するステムピン３４から供給できる電圧は、ピン
間の耐電圧特性から１０ｋＶ程度が限界である。従っ
て、中間電極ＧＭに例えば１４ｋＶ等の中間電圧を供給
するために、ステムピン３４からの低い電圧と、陽極側
の高い電圧の間を接続して分圧する、抵抗器３２が不可
欠となっている。
【０００８】図４は、図３の電子銃３１の抵抗器３２で
ある。図４Ａに断面図、図４Ｂに平面図を示す。この抵
抗器３２は、例えばアルミナ等のセラミック基板３６の
片面に、導電膜を所定のパターンに塗布形成した抵抗パ
ターン３７が印刷焼成されている。そして、抵抗パター
ン３７の上及びセラミック基板３６の裏面には、抵抗パ
ターン３７を保護するためのオーバーコートガラス３８
が形成されて抵抗器３２が構成されている。
ある。図４Ａに断面図、図４Ｂに平面図を示す。この抵
抗器３２は、例えばアルミナ等のセラミック基板３６の
片面に、導電膜を所定のパターンに塗布形成した抵抗パ
ターン３７が印刷焼成されている。そして、抵抗パター
ン３７の上及びセラミック基板３６の裏面には、抵抗パ
ターン３７を保護するためのオーバーコートガラス３８
が形成されて抵抗器３２が構成されている。
【０００９】抵抗器３２は、セラミック基板３６の抵抗
パターン３７が形成された面を電子銃３１側、反対側の
面を外側、即ち陰極線管のネックガラス側として電子銃
３１に取り付けられる。
パターン３７が形成された面を電子銃３１側、反対側の
面を外側、即ち陰極線管のネックガラス側として電子銃
３１に取り付けられる。
【００１０】抵抗器３２の左端の高圧電極部３９には、
アノード電圧例えば、２５〜３２ｋＶ程度の高圧が印加
され、右端のアース電極部４１は接地されるか、又は陰
極線管外部の外付け抵抗に接続される。図３の電子銃３
１では、高圧電極部３９がコンバージェンスカップ３５
に接続され、アース電極部４１がステムピン３４を通じ
て接地され、中間電極部４０が中間電極ＧＭに接続され
る。
アノード電圧例えば、２５〜３２ｋＶ程度の高圧が印加
され、右端のアース電極部４１は接地されるか、又は陰
極線管外部の外付け抵抗に接続される。図３の電子銃３
１では、高圧電極部３９がコンバージェンスカップ３５
に接続され、アース電極部４１がステムピン３４を通じ
て接地され、中間電極部４０が中間電極ＧＭに接続され
る。
【００１１】上述のような抵抗器３２は、例えばいわゆ
る内部分割抵抗器（ＩＢＲ：InnerBreeder Resisto
r）、ＩＭＲ（Inner Middle voltage breeder Resisto
r)、ＩＦＲ（Inner Focus breeder Resistor）等があ
り、上述の中間電極ＧＭへの中間電圧の供給の他にも、
陰極線管の電子銃のコンバーゼンス特性を得るためのコ
ンバーゼンス電圧の供給、陰極線管の電子銃のフォーカ
ス電圧の供給、さらにはテレビ受像機のフォーカスコン
トローラ等にも用いられる。
る内部分割抵抗器（ＩＢＲ：InnerBreeder Resisto
r）、ＩＭＲ（Inner Middle voltage breeder Resisto
r)、ＩＦＲ（Inner Focus breeder Resistor）等があ
り、上述の中間電極ＧＭへの中間電圧の供給の他にも、
陰極線管の電子銃のコンバーゼンス特性を得るためのコ
ンバーゼンス電圧の供給、陰極線管の電子銃のフォーカ
ス電圧の供給、さらにはテレビ受像機のフォーカスコン
トローラ等にも用いられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな抵抗器３２の場合、動作中にナトリウムのイオンマ
イグレーションによるデンドライト（Dendrite）の成長
が発生し、抵抗パターン３７間が導通してしまうことが
あった。
うな抵抗器３２の場合、動作中にナトリウムのイオンマ
イグレーションによるデンドライト（Dendrite）の成長
が発生し、抵抗パターン３７間が導通してしまうことが
あった。
【００１３】例えば、図４Ｂに示すように、オーバーコ
ートガラス３８とセラミック基板３６との界面におい
て、オーバーコートガラス３８のエッジの部分から抵抗
パターン３７に向かってデンドライト４２の成長が生じ
る。
ートガラス３８とセラミック基板３６との界面におい
て、オーバーコートガラス３８のエッジの部分から抵抗
パターン３７に向かってデンドライト４２の成長が生じ
る。
【００１４】このデンドライト４２の成長は、次のよう
に説明することができる。図５に示すように、オーバー
コートガラス、セラミック基板及び抵抗パターン中に不
純物として含まれるＮａ2 Ｏからナトリウム原子がイオ
ン化し、ナトリウムイオンＮａ+ が発生する。このナト
リウムイオンＮａ+ が、電位勾配に沿ってイオンマイグ
レーションを起こし、陰極側（低電位側）Ｋに移動す
る。さらに、陰極側Ｋで周りの酸化物から酸素を奪っ
て、酸化ナトリウムＮａ2 Ｏの層として析出し、陰極側
Ｋから陽極側（高電位側）Ａに向かって酸化ナトリウム
Ｎａ2 Ｏから成るデンドライト４２が成長していく。
に説明することができる。図５に示すように、オーバー
コートガラス、セラミック基板及び抵抗パターン中に不
純物として含まれるＮａ2 Ｏからナトリウム原子がイオ
ン化し、ナトリウムイオンＮａ+ が発生する。このナト
リウムイオンＮａ+ が、電位勾配に沿ってイオンマイグ
レーションを起こし、陰極側（低電位側）Ｋに移動す
る。さらに、陰極側Ｋで周りの酸化物から酸素を奪っ
て、酸化ナトリウムＮａ2 Ｏの層として析出し、陰極側
Ｋから陽極側（高電位側）Ａに向かって酸化ナトリウム
Ｎａ2 Ｏから成るデンドライト４２が成長していく。
【００１５】このデンドライト４２の成長が、陰極線管
の動作中に進行すると、前述のように抵抗パターン３７
間の導通が生じる。例えば図４Ｂの場合、本来は中間電
極部４０から１４ｋＶを供給してきたものが、低電圧側
の抵抗パターン３７が短絡して実質的抵抗が短くなるこ
とにより、中間電極ＧＭの電位が１５ｋＶ等の電圧に上
がってしまいフォーカスの不良を起こしてしまう。
の動作中に進行すると、前述のように抵抗パターン３７
間の導通が生じる。例えば図４Ｂの場合、本来は中間電
極部４０から１４ｋＶを供給してきたものが、低電圧側
の抵抗パターン３７が短絡して実質的抵抗が短くなるこ
とにより、中間電極ＧＭの電位が１５ｋＶ等の電圧に上
がってしまいフォーカスの不良を起こしてしまう。
【００１６】特に最近では、上述のＥＦＥＡＬ型の電子
銃３１等のように、電気的、機械的に過酷な条件下で抵
抗器が使用される要求が高まり、抵抗パターン間導通の
問題が深刻化されている。また、電子銃３１の小型化を
図ろうとすると、抵抗器３２において抵抗パターン３７
の間隔が狭くなり、短絡が生じやすくなるため、電子銃
３１の小型化が難しかった。
銃３１等のように、電気的、機械的に過酷な条件下で抵
抗器が使用される要求が高まり、抵抗パターン間導通の
問題が深刻化されている。また、電子銃３１の小型化を
図ろうとすると、抵抗器３２において抵抗パターン３７
の間隔が狭くなり、短絡が生じやすくなるため、電子銃
３１の小型化が難しかった。
【００１７】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、抵抗パターン間の短絡を抑制することにより、
寿命が長く小型化が図れる抵抗器、及びこの抵抗器を備
えた陰極線管用電子銃を提供するものである。
いては、抵抗パターン間の短絡を抑制することにより、
寿命が長く小型化が図れる抵抗器、及びこの抵抗器を備
えた陰極線管用電子銃を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗器は、基板
上に、ナトリウム濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜か
らなる抵抗パターンが形成されて成るものである。
上に、ナトリウム濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜か
らなる抵抗パターンが形成されて成るものである。
【００１９】本発明の陰極線管用電子銃は、基板上にナ
トリウム濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵
抗パターンが形成されて成る抵抗器を備えて成るもので
ある。
トリウム濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵
抗パターンが形成されて成る抵抗器を備えて成るもので
ある。
【００２０】上述の本発明の抵抗器によれば、導電膜か
らなる抵抗パターンのナトリウム濃度を５０ｐｐｍ以下
とすることにより、抵抗パターン間等における、ナトリ
ウムイオンの移動によるデンドライトの成長を低減する
ことができる。
らなる抵抗パターンのナトリウム濃度を５０ｐｐｍ以下
とすることにより、抵抗パターン間等における、ナトリ
ウムイオンの移動によるデンドライトの成長を低減する
ことができる。
【００２１】上述の本発明の陰極線管用電子銃によれ
ば、その所要の電極に所要の電圧を印加するための抵抗
器において、その導電膜からなる抵抗パターンのナトリ
ウム濃度を５０ｐｐｍ以下とすることにより、オーバー
コートガラスと抵抗パターンとの間等における、ナトリ
ウムイオンの移動によるデンドライトの成長を低減する
ことができ、所要の電圧の変動が抑えられる。
ば、その所要の電極に所要の電圧を印加するための抵抗
器において、その導電膜からなる抵抗パターンのナトリ
ウム濃度を５０ｐｐｍ以下とすることにより、オーバー
コートガラスと抵抗パターンとの間等における、ナトリ
ウムイオンの移動によるデンドライトの成長を低減する
ことができ、所要の電圧の変動が抑えられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、基板上に、ナトリウム
濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵抗パター
ンが形成された抵抗器である。
濃度が５０ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵抗パター
ンが形成された抵抗器である。
【００２３】本発明は、基板上にナトリウム濃度が５０
ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵抗パターンが形成さ
れて成る抵抗器を備えて成る陰極線管用電子銃である。
ｐｐｍ以下である導電膜からなる抵抗パターンが形成さ
れて成る抵抗器を備えて成る陰極線管用電子銃である。
【００２４】図１は、本発明に係る抵抗器の概略構成を
示す。図１Ａに断面図、図１Ｂに平面図を示す。この抵
抗器２は、絶縁基板６、例えばアルミナ基板等のセラミ
ック基板の片面に、導電膜、例えばＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 を
主体とした導電膜を所定のパターンに塗布形成した抵抗
パターン５が印刷焼成等により形成されている。この抵
抗パターン５は、これに含まれるナトリウム濃度が５０
ｐｐｍ以下に設定される。
示す。図１Ａに断面図、図１Ｂに平面図を示す。この抵
抗器２は、絶縁基板６、例えばアルミナ基板等のセラミ
ック基板の片面に、導電膜、例えばＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 を
主体とした導電膜を所定のパターンに塗布形成した抵抗
パターン５が印刷焼成等により形成されている。この抵
抗パターン５は、これに含まれるナトリウム濃度が５０
ｐｐｍ以下に設定される。
【００２５】抵抗パターン５の一端には、低電圧を供給
するための端子となる低圧電極部９が形成され、抵抗パ
ターン５の他端には、高電圧を供給するための端子とな
る高圧電極部７が形成され、抵抗パターンの中間には、
分圧された中間の電圧が得られる端子となる中間電極部
８が形成される。そして、抵抗パターン５の上（図１Ａ
では絶縁基板６の両面）には、抵抗パターン５を保護す
るためのオーバーコートガラス４が、例えば焼成によっ
て所定の厚み、例えば数１０〜数１００μｍの厚みで形
成されて抵抗器２が構成されている。
するための端子となる低圧電極部９が形成され、抵抗パ
ターン５の他端には、高電圧を供給するための端子とな
る高圧電極部７が形成され、抵抗パターンの中間には、
分圧された中間の電圧が得られる端子となる中間電極部
８が形成される。そして、抵抗パターン５の上（図１Ａ
では絶縁基板６の両面）には、抵抗パターン５を保護す
るためのオーバーコートガラス４が、例えば焼成によっ
て所定の厚み、例えば数１０〜数１００μｍの厚みで形
成されて抵抗器２が構成されている。
【００２６】この抵抗器２では、低圧電極部９に低圧、
例えばアース電圧を供給し、高圧電極部７に高圧を供給
することにより、中間電極部８からアース電圧と高圧と
の中間の電圧が取り出される。
例えばアース電圧を供給し、高圧電極部７に高圧を供給
することにより、中間電極部８からアース電圧と高圧と
の中間の電圧が取り出される。
【００２７】ここで、抵抗器でのデンドライト１０成長
について、さらに詳述する。上述のオーバーコートガラ
スのエッジ部分から抵抗パターンに向かう成長の場合の
他に、直接に抵抗パターン相互間、中間電極部と抵抗パ
ターン間、及び低圧電極部と抵抗パターン間において
も、条件によっては前述のデンドライト１０成長の現象
が起こりうる。
について、さらに詳述する。上述のオーバーコートガラ
スのエッジ部分から抵抗パターンに向かう成長の場合の
他に、直接に抵抗パターン相互間、中間電極部と抵抗パ
ターン間、及び低圧電極部と抵抗パターン間において
も、条件によっては前述のデンドライト１０成長の現象
が起こりうる。
【００２８】このデンドライト１０の成長は、以下の数
１に示すイオン移動の式によって説明することができ
る。
１に示すイオン移動の式によって説明することができ
る。
【００２９】
【数１】ＪNa＝Ａ0 ・ＮNa・ｅｘｐ（−Ｑ／ｋＴ）・ｄ
Ｅ／ｄｘ・ｆ（ｄＴ／ｄｘ） ＪNa：Ｎａ+ イオンの移動 Ａ0 ：定数 ＮNa：単位堆積当たりのＮａ原子数（atoms/cm3 ） Ｑ ：活性化エネルギー（ｅＶ） ｋ ：ボルツマン乗数 Ｔ ：動作温度（Ｋ） dE/dx ：電位勾配 f(dT/dx)：温度勾配ｄＴ／ｄｘの関数
Ｅ／ｄｘ・ｆ（ｄＴ／ｄｘ） ＪNa：Ｎａ+ イオンの移動 Ａ0 ：定数 ＮNa：単位堆積当たりのＮａ原子数（atoms/cm3 ） Ｑ ：活性化エネルギー（ｅＶ） ｋ ：ボルツマン乗数 Ｔ ：動作温度（Ｋ） dE/dx ：電位勾配 f(dT/dx)：温度勾配ｄＴ／ｄｘの関数
【００３０】従って、数１より、ナトリウムのイオンマ
イグレーションを抑制してDendrite成長を抑えるには、
以下のような対策が考えられる。 （１）単位体積当たりのナトリウム原子数（ナトリウム
濃度）ＮNaを減らす。 （２）電位勾配ｄＥ／ｄｘを緩やかにする。 （３）動作温度Ｔ及び温度勾配ｄＴ／ｄｘを抑える。 （４）抵抗パターン５間の距離を広げ、デンドライトに
よる抵抗パターン５間の短絡を生じにくくする。
イグレーションを抑制してDendrite成長を抑えるには、
以下のような対策が考えられる。 （１）単位体積当たりのナトリウム原子数（ナトリウム
濃度）ＮNaを減らす。 （２）電位勾配ｄＥ／ｄｘを緩やかにする。 （３）動作温度Ｔ及び温度勾配ｄＴ／ｄｘを抑える。 （４）抵抗パターン５間の距離を広げ、デンドライトに
よる抵抗パターン５間の短絡を生じにくくする。
【００３１】しかしながら、上述の（２）及び（３）は
ｘを大きくする、また（４）は抵抗パターン５間を広げ
ることから、いずれも抵抗器２を大きく形成することが
必要になる。これにより、抵抗器全体の大きさに制約が
生じる等の短所が生じる。
ｘを大きくする、また（４）は抵抗パターン５間を広げ
ることから、いずれも抵抗器２を大きく形成することが
必要になる。これにより、抵抗器全体の大きさに制約が
生じる等の短所が生じる。
【００３２】これに対して、（１）は、抵抗器の全体を
大きくする必要がなく、後述する例えば陰極線管に内蔵
する小型の抵抗器２に適した手法である。
大きくする必要がなく、後述する例えば陰極線管に内蔵
する小型の抵抗器２に適した手法である。
【００３３】上述の数１より、動作温度Ｔや電位勾配ｄ
Ｅ／ｄｘ等他の条件が同じ（一定）であれば、ナトリウ
ムイオンの移動ＪNaは、ナトリウム濃度ＮNaに比例する
ことがわかる。
Ｅ／ｄｘ等他の条件が同じ（一定）であれば、ナトリウ
ムイオンの移動ＪNaは、ナトリウム濃度ＮNaに比例する
ことがわかる。
【００３４】従って、図１の抵抗器２において、オーバ
ーコートガラス４のナトリウム濃度ＮNaを低減すること
により、数１よりナトリウムイオンの移動ＪNaも低減さ
れる。ナトリウムイオンの移動ＪNaが低減されると、デ
ンドライト１０の成長が抑制されるため、抵抗パターン
５間の導通を抑制し、これにより抵抗器２の寿命を長く
することができる。
ーコートガラス４のナトリウム濃度ＮNaを低減すること
により、数１よりナトリウムイオンの移動ＪNaも低減さ
れる。ナトリウムイオンの移動ＪNaが低減されると、デ
ンドライト１０の成長が抑制されるため、抵抗パターン
５間の導通を抑制し、これにより抵抗器２の寿命を長く
することができる。
【００３５】上述のナトリウム濃度の低減には、オーバ
ーコートガラス４、絶縁基板６、及び抵抗パターン５の
材料のそれぞれにおいてナトリウム濃度を低減すること
によって効果が期待できる。特にその中でも、オーバー
コートガラス４のナトリウム濃度は、通常１０００ｐｐ
ｍと高く、これを５００ｐｐｍ以下にすることで、ナト
リウムイオンの移動ＪNaを低減させ、デンドライトの成
長を抑制して、抵抗パターン５間の導通に至るまでの時
間を大幅に伸ばすことができる。
ーコートガラス４、絶縁基板６、及び抵抗パターン５の
材料のそれぞれにおいてナトリウム濃度を低減すること
によって効果が期待できる。特にその中でも、オーバー
コートガラス４のナトリウム濃度は、通常１０００ｐｐ
ｍと高く、これを５００ｐｐｍ以下にすることで、ナト
リウムイオンの移動ＪNaを低減させ、デンドライトの成
長を抑制して、抵抗パターン５間の導通に至るまでの時
間を大幅に伸ばすことができる。
【００３６】このように、本実施の形態の抵抗器２によ
れば、オーバーコートガラス４のナトリウム濃度を５０
０ｐｐｍ以下にすることにより、デンドライトの成長を
抑制し、抵抗パターン５間の導通を抑制することができ
るので、抵抗器２の寿命を長くすることができる。ま
た、抵抗器２を大きくしなくても抵抗パターン５間の導
通を抑制できるため、従来よりも、抵抗器２の小型化を
図ることが可能になる。
れば、オーバーコートガラス４のナトリウム濃度を５０
０ｐｐｍ以下にすることにより、デンドライトの成長を
抑制し、抵抗パターン５間の導通を抑制することができ
るので、抵抗器２の寿命を長くすることができる。ま
た、抵抗器２を大きくしなくても抵抗パターン５間の導
通を抑制できるため、従来よりも、抵抗器２の小型化を
図ることが可能になる。
【００３７】ここで、上述の抵抗器２は、例えば次のよ
うにして製造することができる。まず、絶縁基板６、例
えばアルミナ等のセラミック基板に、導電ペースト、例
えば金ペースト等の電極材を焼き付けて、高圧電極部
７、中間電極部８、低圧電極部９を形成する。その後、
導電膜のペースト、例えばＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 等の導電膜
のペーストを、所定のパターンで印刷塗布し、溶剤を蒸
発させた後に、焼成して抵抗パターン５を形成する。さ
らに、上述のオーバーコートガラス４用のペーストを抵
抗パターン５上に印刷塗布する。尚、図１の場合は、絶
縁基板６の裏面にも塗布する。そして、ペーストを乾燥
した後に焼成することにより、抵抗パターン５を被覆し
てオーバーコートガラス４を形成することができる。こ
のようにして、抵抗器２を構成することができる。
うにして製造することができる。まず、絶縁基板６、例
えばアルミナ等のセラミック基板に、導電ペースト、例
えば金ペースト等の電極材を焼き付けて、高圧電極部
７、中間電極部８、低圧電極部９を形成する。その後、
導電膜のペースト、例えばＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 等の導電膜
のペーストを、所定のパターンで印刷塗布し、溶剤を蒸
発させた後に、焼成して抵抗パターン５を形成する。さ
らに、上述のオーバーコートガラス４用のペーストを抵
抗パターン５上に印刷塗布する。尚、図１の場合は、絶
縁基板６の裏面にも塗布する。そして、ペーストを乾燥
した後に焼成することにより、抵抗パターン５を被覆し
てオーバーコートガラス４を形成することができる。こ
のようにして、抵抗器２を構成することができる。
【００３８】上述の抵抗器２は、陰極線管の電子銃の例
えば中間電極への中間電圧の供給、電子銃のフォーカス
電極へのフォーカス電圧の供給、電子銃のコンバージェ
ンス特性を得るためのコンバージェンス電圧供給用等の
抵抗器、さらにテレビ受像機のフォーカスコントローラ
用の抵抗器にも適用することができる。
えば中間電極への中間電圧の供給、電子銃のフォーカス
電極へのフォーカス電圧の供給、電子銃のコンバージェ
ンス特性を得るためのコンバージェンス電圧供給用等の
抵抗器、さらにテレビ受像機のフォーカスコントローラ
用の抵抗器にも適用することができる。
【００３９】図２は、上述の抵抗器を備えた本発明に係
る陰極線管用電子銃の概略構成を示す。この図２は、前
述のＥＦＥＡＬ型の電子銃に適用した場合を示してい
る。
る陰極線管用電子銃の概略構成を示す。この図２は、前
述のＥＦＥＡＬ型の電子銃に適用した場合を示してい
る。
【００４０】この電子銃１は、図示しないが赤Ｒ、緑
Ｇ、青Ｂの３色に対応する電子ビームを発生させる３つ
の陰極Ｋ、電子ビームを加速及び制御する各電極即ち第
１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ
4 、第５電極Ｇ5 、中間電極ＧＭ、第６電極Ｇ6 、及び
コンバージェンスカップ１２を有して成る。図２中１０
はステム、１１はステムピンである。第５電極Ｇ5 にフ
ォーカス電圧が、第６電極Ｇ6 にアノード電圧が、また
中間電極ＧＭにフォーカス電圧とアノード電圧の中間の
電圧が供給されて、ここに共有電界拡張レンズが構成さ
れる。
Ｇ、青Ｂの３色に対応する電子ビームを発生させる３つ
の陰極Ｋ、電子ビームを加速及び制御する各電極即ち第
１電極Ｇ1 、第２電極Ｇ2 、第３電極Ｇ3 、第４電極Ｇ
4 、第５電極Ｇ5 、中間電極ＧＭ、第６電極Ｇ6 、及び
コンバージェンスカップ１２を有して成る。図２中１０
はステム、１１はステムピンである。第５電極Ｇ5 にフ
ォーカス電圧が、第６電極Ｇ6 にアノード電圧が、また
中間電極ＧＭにフォーカス電圧とアノード電圧の中間の
電圧が供給されて、ここに共有電界拡張レンズが構成さ
れる。
【００４１】このＥＦＥＡＬ型構造の電子銃１では、前
述の図３の電子銃３１と同様に、第５電極Ｇ5 、中間電
極ＧＭ、第６電極Ｇ6 が、図示しないがそれぞれ３つの
電子ビームに対応したビーム透過孔を有する電界補正電
極板を内部に有し、各電極Ｇ5 ，ＧＭ，Ｇ6 が断面長円
形の筒体とされている。
述の図３の電子銃３１と同様に、第５電極Ｇ5 、中間電
極ＧＭ、第６電極Ｇ6 が、図示しないがそれぞれ３つの
電子ビームに対応したビーム透過孔を有する電界補正電
極板を内部に有し、各電極Ｇ5 ，ＧＭ，Ｇ6 が断面長円
形の筒体とされている。
【００４２】そして、本発明では、特に、中間電極ＧＭ
に図１で示した抵抗器２から中間電圧を供給するため
に、電子銃１の片側に抵抗器２が配置される。
に図１で示した抵抗器２から中間電圧を供給するため
に、電子銃１の片側に抵抗器２が配置される。
【００４３】抵抗器２は、絶縁基板６の抵抗パターン５
が形成された面を外側、即ち陰極線管のネックガラス
側、反対側の面を電子銃１側として電子銃１に取り付け
られる。
が形成された面を外側、即ち陰極線管のネックガラス
側、反対側の面を電子銃１側として電子銃１に取り付け
られる。
【００４４】抵抗器２の左端の高圧電極部７には、アノ
ード電圧、例えば、２５〜３２ｋＶ程度の高圧が印加さ
れ、右端の低圧電極部９はアース電極部となり、接地さ
れるか、又は陰極線管外部の外付け抵抗に接続される。
図２の電子銃１では、抵抗器２の高圧電極部７がコンバ
ージェンスカップ１２に接続され、アース電極部９がス
テムピン１１を通じて接地され、中間電極部８が中間電
極ＧＭに接続される。
ード電圧、例えば、２５〜３２ｋＶ程度の高圧が印加さ
れ、右端の低圧電極部９はアース電極部となり、接地さ
れるか、又は陰極線管外部の外付け抵抗に接続される。
図２の電子銃１では、抵抗器２の高圧電極部７がコンバ
ージェンスカップ１２に接続され、アース電極部９がス
テムピン１１を通じて接地され、中間電極部８が中間電
極ＧＭに接続される。
【００４５】そして、抵抗器２の中間電極部８から、フ
ォーカス電圧とアノード電圧の中間の電圧、例えば高圧
の半分程度の１４ｋＶの中間電圧が取り出されて、電子
銃１の中間電極ＧＭに供給される。
ォーカス電圧とアノード電圧の中間の電圧、例えば高圧
の半分程度の１４ｋＶの中間電圧が取り出されて、電子
銃１の中間電極ＧＭに供給される。
【００４６】上述の陰極線管用電子銃１によれば、寿命
が長く小型化を図ることができる抵抗器２を備えて構成
することにより、中間電極ＧＭへの中間電圧の変動が抑
えられ、陰極線管の故障を低減し、また陰極線管の小型
化、長寿命化、高信頼性化を図ることができる。また、
抵抗器２が小型化されるので、電子銃の設計に制約が生
じにくい。
が長く小型化を図ることができる抵抗器２を備えて構成
することにより、中間電極ＧＭへの中間電圧の変動が抑
えられ、陰極線管の故障を低減し、また陰極線管の小型
化、長寿命化、高信頼性化を図ることができる。また、
抵抗器２が小型化されるので、電子銃の設計に制約が生
じにくい。
【００４７】尚、本発明は、フォーカス電圧を上述の抵
抗器２の中間電極部８から供給するようにした電子銃、
コンバージェンス電圧を上述の抵抗器２の中間電極部８
から供給するようにした電子銃にも適用できる。図１の
抵抗器２を電子銃のフォーカス電圧用抵抗とする場合
は、例えば高圧の２５％前後、電子銃のコンバーゼンス
電圧用抵抗とする場合は、例えば、９５％前後の電圧が
夫々中間電極部８から取り出される。
抗器２の中間電極部８から供給するようにした電子銃、
コンバージェンス電圧を上述の抵抗器２の中間電極部８
から供給するようにした電子銃にも適用できる。図１の
抵抗器２を電子銃のフォーカス電圧用抵抗とする場合
は、例えば高圧の２５％前後、電子銃のコンバーゼンス
電圧用抵抗とする場合は、例えば、９５％前後の電圧が
夫々中間電極部８から取り出される。
【００４８】本発明の抵抗器、陰極線管用電子銃は、上
述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００４９】
【発明の効果】上述の本発明の抵抗器によれば、導電膜
による抵抗パターンのナトリウム濃度を５０ｐｐｍ以下
とすることにより、デンドライトの成長を抑制して、抵
抗膜の抵抗パターン間の導通が生じるまでの時間を長く
することができる。従って、抵抗器の寿命を延ばすこと
ができる。
による抵抗パターンのナトリウム濃度を５０ｐｐｍ以下
とすることにより、デンドライトの成長を抑制して、抵
抗膜の抵抗パターン間の導通が生じるまでの時間を長く
することができる。従って、抵抗器の寿命を延ばすこと
ができる。
【００５０】また、本発明の抵抗器により、抵抗器を大
きくしなくても抵抗パターン間の導通を抑制できるた
め、従来よりも、抵抗器の小型化を図ることが可能にな
る。
きくしなくても抵抗パターン間の導通を抑制できるた
め、従来よりも、抵抗器の小型化を図ることが可能にな
る。
【００５１】また、本発明の陰極線管用電子銃によれ
ば、寿命が長く小型化を図ることができる抵抗器を備え
ることにより、陰極線管の故障を低減し、また陰極線管
の小型化も図ることができる。
ば、寿命が長く小型化を図ることができる抵抗器を備え
ることにより、陰極線管の故障を低減し、また陰極線管
の小型化も図ることができる。
【図１】本発明の抵抗器の実施の形態の概略構成図であ
る。 Ａ 断面図である。 Ｂ 平面図である。
る。 Ａ 断面図である。 Ｂ 平面図である。
【図２】本発明に係る陰極線管用電子銃の概略構成図
（平面図）である。
（平面図）である。
【図３】ＥＦＥＡＬ型の陰極線管用電子銃の概略構成図
（平面図）である。
（平面図）である。
【図４】図３の電子銃に用いる抵抗器の概略構成図であ
る。 Ａ 断面図である。 Ｂ 平面図である。
る。 Ａ 断面図である。 Ｂ 平面図である。
【図５】デンドライトの成長を説明する図である。
１…電子銃、２…抵抗器、４…オーバーコートガラス、
５…抵抗パターン、６…セラミック基板、７…高圧電極
部、８…中間電極部、９…アース電極部、１０…ステ
ム、１１…ステムピン、１２…コンバージェンスカッ
プ、３１…電子銃、３２…抵抗器、３３…ステム、３４
…ステムピン、３５…コンバージェンスカップ、３６…
セラミック基板、３７…抵抗パターン、３８…オーバー
コートガラス、３９…高圧電極部、４０…中間電極部、
４１…アース電極部、４２…デンドライト（dendrit
e）、Ｇ1 …第１電極、Ｇ2 …第２電極、Ｇ3 …第３電
極、Ｇ4 …第４電極、Ｇ5 …第５電極、Ｇ6 …第６電
極、ＧＭ…中間電極
５…抵抗パターン、６…セラミック基板、７…高圧電極
部、８…中間電極部、９…アース電極部、１０…ステ
ム、１１…ステムピン、１２…コンバージェンスカッ
プ、３１…電子銃、３２…抵抗器、３３…ステム、３４
…ステムピン、３５…コンバージェンスカップ、３６…
セラミック基板、３７…抵抗パターン、３８…オーバー
コートガラス、３９…高圧電極部、４０…中間電極部、
４１…アース電極部、４２…デンドライト（dendrit
e）、Ｇ1 …第１電極、Ｇ2 …第２電極、Ｇ3 …第３電
極、Ｇ4 …第４電極、Ｇ5 …第５電極、Ｇ6 …第６電
極、ＧＭ…中間電極
フロントページの続き (72)発明者 石川 明人 東京都青梅市末広町１丁目６番１号 住友 金属鉱山株 式会社 電子事業本部内 (72)発明者 淀川 勝幸 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 天野 靖信 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 遠藤 徳彦 福島県安達郡本宮町字樋ノ口２番地 ソニ ー本宮株式会社内 (72)発明者 梶原 和夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、ナトリウム濃度が５０ｐｐｍ
以下である導電膜からなる抵抗パターンが形成されて成
ることを特徴とする抵抗器。 - 【請求項２】 基板上にナトリウム濃度が５０ｐｐｍ以
下である導電膜からなる抵抗パターンが形成されて成る
抵抗器を備えて成ることを特徴とする陰極線管用電子
銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9359782A JPH11191503A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 抵抗器及びこれを用いた陰極線管用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9359782A JPH11191503A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 抵抗器及びこれを用いた陰極線管用電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191503A true JPH11191503A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18466266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9359782A Abandoned JPH11191503A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 抵抗器及びこれを用いた陰極線管用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152464A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Hitachi Ltd | 厚膜抵抗体 |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP9359782A patent/JPH11191503A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152464A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Hitachi Ltd | 厚膜抵抗体 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040130 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20051111 |