WO2024127730A1 - 抵抗器 - Google Patents

抵抗器 Download PDF

Info

Publication number
WO2024127730A1
WO2024127730A1 PCT/JP2023/030891 JP2023030891W WO2024127730A1 WO 2024127730 A1 WO2024127730 A1 WO 2024127730A1 JP 2023030891 W JP2023030891 W JP 2023030891W WO 2024127730 A1 WO2024127730 A1 WO 2024127730A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
resistor
electrode
heat dissipation
resistive layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/030891
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
公亮 森谷
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
Publication of WO2024127730A1 publication Critical patent/WO2024127730A1/ja

Links

Images

Definitions

  • This disclosure relates to resistors.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open Publication No. 11-16703
  • Patent Document 1 describes a resistor.
  • the resistor described in Patent Document 1 has an insulating substrate, a first terminal electrode, a second terminal electrode, and a resistive body.
  • the resistive body has multiple resistive layers and multiple insulating layers.
  • the first terminal electrode and the second terminal electrode are disposed on an insulating substrate.
  • the first terminal electrode and the second terminal electrode are disposed opposite each other with a gap in the first direction.
  • the resistor is disposed on the insulating substrate between the first terminal electrode and the second terminal electrode, and is electrically connected to the first terminal electrode and the second terminal electrode.
  • One resistive layer and another resistive layer adjacent to the one resistive layer in the thickness direction of the resistor are electrically connected to each other at their ends in the second direction.
  • An insulating layer is interposed between the two resistive layers adjacent to each other in the thickness direction of the resistor.
  • the insulating layer is made of a glass material or a ceramic material. Therefore, in the resistor described in Patent Document 1, the heat dissipation of the resistor is low, and there is room for improvement in the overload characteristics of the resistor. In addition, in the resistor described in Patent Document 1, since the insulating layer is made of a glass material or a ceramic material, it is difficult to adjust the electrical resistance of the resistor by trimming the resistor.
  • the resistor of the present disclosure includes an insulating substrate, a first electrode, a second electrode, and a resistive body.
  • the first electrode and the second electrode are arranged on the insulating substrate so as to face each other with a gap in a first direction.
  • the resistive body is electrically connected to the first electrode and the second electrode, and has a first resistive layer, a second resistive layer, and a first heat dissipation layer.
  • the first resistive layer is arranged on the insulating substrate between the first electrode and the second electrode.
  • the first resistive layer has a first end and a second end opposite the first end in a second direction perpendicular to the first direction.
  • the second resistive layer has a third end electrically connected to the first end and a fourth end opposite the third end in the second direction.
  • the second resistive layer is arranged on the first resistive layer with the first heat dissipation layer interposed therebetween.
  • the first resistive layer, the second resistive layer, and the first heat dissipation layer are formed of a glass material containing conductive particles.
  • the electrical resistance of the first heat dissipation layer is greater than the electrical resistance of the first resistive layer and the electrical resistance of the second resistive layer.
  • FIG. 2 is a plan view of the resistor 100.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 3A to 3C are manufacturing process diagrams of the resistor 100.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating an electrode forming step S2.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating a first resistance layer forming step S31.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating a heat dissipation layer forming step S32.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating a second resistance layer forming step S33.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a resistor 100 according to a second modified example.
  • FIG. 11 is a plan view of a resistor 100 according to a third modified example.
  • FIG. 11 is a plan view of a resistor 100 according to a fourth modified example.
  • FIG. 2 is a plan view of resistor 200. This is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in Figure 13.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a resistor 200 according to a modified example.
  • resistor 100 A resistor according to a first embodiment will be described.
  • the resistor according to the first embodiment is designated as resistor 100.
  • FIG. 1 is a plan view of resistor 100.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1.
  • resistor 100 has an insulating substrate 10, a first electrode 20, a second electrode 21, and a resistive element 30.
  • the insulating substrate 10 is formed of an electrically insulating material.
  • the insulating substrate 10 is preferably formed of a material having high thermal conductivity, such as alumina (Al 2 O 3 ).
  • the insulating substrate 10 has a first surface 10a and a second surface 10b.
  • the first surface 10a and the second surface 10b are end surfaces in the thickness direction of the insulating substrate 10.
  • the insulating substrate 10 has, for example, a rectangular shape in a plan view. In the resistor 100, the longitudinal direction of the insulating substrate 10 in a plan view is aligned along a first direction DR1.
  • the first direction DR1 is the direction in which the first electrode 20 and the second electrode 21 are arranged side by side.
  • the first electrode 20 and the second electrode 21 are formed, for example, of a sintered body of metal particles.
  • the metal particles are formed, for example, of copper (Cu).
  • the metal particles may be formed of silver (Ag), gold (Au), a silver-palladium (Pd) alloy, a copper-nickel (Ni) alloy, or the like.
  • the metal particles may be formed of other materials.
  • the width of the first electrode 20 in the first direction DR1 is width W1.
  • the width of the second electrode 21 in the first direction DR1 is width W2.
  • width W1 and width W2 are equal to each other.
  • the first electrode 20 and the second electrode 21 are disposed on the insulating substrate 10. More specifically, the first electrode 20 and the second electrode 21 are disposed on the first surface 10a. The first electrode 20 and the second electrode 21 are disposed opposite each other with a gap therebetween in the first direction DR1.
  • the resistor 30 is electrically connected to the first electrode 20 and the second electrode 21.
  • the width of the resistor 30 in the first direction DR1 is width W3.
  • the width of the resistor 30 in the second direction DR2 is width W4.
  • the second direction DR2 is a direction perpendicular to the first direction DR1. In the resistor 100, the width W3 is greater than the width W4.
  • the resistor 30 has a first resistive layer 31, a second resistive layer 32, and a first heat dissipation layer 33.
  • the first resistive layer 31 is disposed on the insulating substrate 10 between the first electrode 20 and the second electrode 21. More specifically, the first resistive layer 31 is disposed on the first surface 10a between the first electrode 20 and the second electrode 21.
  • the first resistance layer 31 has a first end 31a and a second end 31b in the second direction DR2.
  • the second end 31b is on the opposite side to the first end 31a.
  • the second resistance layer 32 is disposed on the first resistance layer 31 with the first heat dissipation layer 33 interposed therebetween.
  • the second resistance layer 32 has a third end 32a and a fourth end 32b in the second direction DR2.
  • the third end 32a is electrically connected to the first end 31a.
  • the fourth end 32b faces the second end 31b with the first heat dissipation layer 33 interposed therebetween. That is, in the resistor 100, the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32 are U-shaped in a cross-sectional view perpendicular to the first direction DR1.
  • the first resistance layer 31, the second resistance layer 32, and the first heat dissipation layer 33 are formed of a glass material containing conductive particles.
  • the conductive particles contained in the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32 are formed of, for example, a copper-nickel alloy.
  • the conductive particles contained in the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32 may be formed of silver, copper, gold, a silver-palladium alloy, ruthenium oxide (RuO 2 ), or lanthanum boride (LaB 6 ).
  • the conductive particles contained in the first heat dissipation layer 33 are formed of, for example, a copper-nickel alloy or lanthanum boride.
  • the conductive particles contained in the first heat dissipation layer 33 may be formed of silver, copper, gold, a silver-palladium alloy, or ruthenium oxide.
  • the conductive particles contained in the first heat dissipation layer 33 may be formed of the same material as the conductive particles contained in the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32, or may be formed of a different material.
  • the electrical resistance of the first heat dissipation layer 33 is greater than the electrical resistance of the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32.
  • the electrical resistance of the first heat dissipation layer 33 may be 10 times or less, 100 times or less, or 1000 times or less than the electrical resistance of the first resistance layer 31 and the second resistance layer 32.
  • the electrical resistance of the first resistance layer 31, the second resistance layer 32, and the first heat dissipation layer 33 is calculated by performing cross-sectional observation of a cross section perpendicular to the first direction DR1 and cross-sectional observation of a cross section perpendicular to the second direction DR2, and by calculating the volumes of the first resistance layer 31, the second resistance layer 32, and the first heat dissipation layer 33, and by confirming the composition of the first resistance layer 31, the second resistance layer 32, and the first heat dissipation layer 33 in the cross section by EDX (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy).
  • EDX Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy
  • the electrical resistance of the first resistive layer 31, the second resistive layer 32, and the first heat dissipation layer 33 may be obtained by measuring the electrical resistance of the cross-sections of the first resistive layer 31, the second resistive layer 32, and the first heat dissipation layer 33 before the cross-sections are polished using an electronic probe.
  • FIG. 3 is a manufacturing process diagram of resistor 100.
  • the manufacturing method of resistor 100 includes a preparation process S1, an electrode formation process S2, a resistor formation process S3, and a singulation process S4.
  • the resistor formation process S3 includes a first resistor layer formation process S31, a heat dissipation layer formation process S32, and a second resistor layer formation process S33.
  • a preparation step S1 is first performed.
  • an insulating substrate 10 is prepared.
  • the insulating substrate 10 prepared in the preparation step S1 is not individualized.
  • FIG. 4 is a plan view illustrating the electrode formation process S2.
  • a first electrode 20 and a second electrode 21 are formed in the electrode formation process S2.
  • the first electrode 20 and the second electrode 21 are formed by applying a paste containing metal particles onto the insulating substrate 10 (first surface 10a) and firing the applied paste.
  • the resistor formation process S3 is performed after the electrode formation process S2.
  • the first resistance layer formation process S31 is performed.
  • FIG. 5 is a plan view illustrating the first resistance layer formation process S31. As shown in FIG. 5, in the first resistance layer formation process S31, the first resistance layer 31 is formed.
  • the first resistance layer 31 is formed by applying a paste containing conductive particles and a glass material onto the insulating substrate 10 (first surface 10a) between the first electrode 20 and the second electrode 21, and by firing the applied paste.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating the heat dissipation layer forming process S32.
  • the first heat dissipation layer 33 is formed.
  • a paste containing conductive particles and a glass material is applied onto the first resistance layer 31.
  • the paste is applied so that the first end 31a is exposed.
  • the paste is fired.
  • the first heat dissipation layer 33 is formed on the first resistance layer 31 so that the first end 31a is exposed.
  • the second resistance layer forming process S33 is performed after the heat dissipation layer forming process S32.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating the second resistance layer forming process S33. As shown in FIG. 7, in the second resistance layer forming process S33, the second resistance layer 32 is formed.
  • the second resistance layer 32 When forming the second resistance layer 32, first, a paste containing conductive particles and a glass material is applied onto the first heat dissipation layer 33. Since the first end 31a is exposed from the first heat dissipation layer 33, the above paste is also applied onto the first end 31a. Second, the above paste is fired. As a result, the second resistance layer 32 is formed on the first resistance layer 31 with the first heat dissipation layer 33 interposed therebetween, and the third end 32a is electrically connected to the first end 31a.
  • the singulation process S4 is carried out after the resistor formation process S3.
  • the insulating substrate 10 is divided into a number of small pieces, resulting in a number of resistors 100 having the structure shown in Figures 1 and 2.
  • the resistor formation process S3 is performed after the electrode formation process S2, but the electrode formation process S2 may be performed after the resistor formation process S3. Also, only a portion of the first electrode 20 and the second electrode 21 may be formed in the electrode formation process S2, and the remaining portions of the first electrode 20 and the second electrode 21 may be formed after the resistor formation process S3. In the resistor formation process S3, firing to form the first resistive layer 31, firing to form the first heat dissipation layer 33, and firing to form the second resistive layer 32 may be performed all at once.
  • resistor 100 ⁇ Effects of Resistor 100> The effects of the resistor 100 will be described below in comparison with a comparative example, which is referred to as resistor 100A.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of resistor 100A.
  • FIG. 8 shows a cross-section at a position corresponding to II-II in FIG. 1.
  • resistor 100A has insulating layer 34 instead of first heat dissipation layer 33.
  • Insulating layer 34 is made of glass material or ceramic material.
  • the configuration of resistor 100A is the same as that of resistor 100.
  • the constituent material of the first heat dissipation layer 33 contains conductive particles in addition to the glass material. Therefore, the thermal conductivity of the first heat dissipation layer 33 is higher than that of the insulating layer 34. Therefore, in the resistor 100, the heat dissipation of the resistive element 30 is increased compared to the resistor 100A, and it is possible to improve the overload characteristics of the resistive element 30. Furthermore, when the width W4 is increased, the overload characteristics of the resistive element 30 are improved. In the resistor 100, the resistive layer is folded back inside the resistive element 30, so the width W4 is effectively increased. As a result, the resistor 100 makes it possible to improve the overload characteristics of the resistive element 30.
  • the material constituting the first heat dissipation layer 33 contains conductive particles in addition to the glass material. Therefore, in the resistor 100, it is easier to form a trimming groove in the resistive element 30 than in the resistor 100A. Therefore, in the resistor 100, it is easy to adjust the electrical resistance of the resistive element 30 by trimming.
  • the firing temperature when forming the insulating layer 34 is high.
  • the first resistance layer 31 is also heated, and the first resistance layer 31 may be damaged due to the high firing temperature.
  • the firing temperature when forming the second resistance layer 32 exceeds the glass transition point of the glass material constituting the insulating layer 34, and the insulating layer 34 may be damaged when forming the second resistance layer 32.
  • the firing temperature of the first heat dissipation layer 33 is not high as in the case where the insulating layer 34 is formed of a sintered body of ceramic particles, and the first heat dissipation layer 33 contains conductive particles in addition to the glass material, so it is less likely to be damaged by heating when forming the second resistance layer 32. In this way, the resistor 100 makes it possible to easily form the resistor 30.
  • the electrical resistance of the first heat dissipation layer 33 As large as possible compared with the electrical resistance of the first resistance layer 31 and the electrical resistance of the second resistance layer 32.
  • a large electrical resistance of the first heat dissipation layer 33 means that the content of conductive particles in the glass material is small, and the thermal conductivity of the first heat dissipation layer 33 decreases. Therefore, in the resistor 100, the performance of the resistor 100 can be appropriately adjusted by appropriately changing the electrical resistance of the first resistance layer 31 and the ratio of the electrical resistance of the first heat dissipation layer 33 to the second resistance layer 32.
  • FIGS. 9 and 10 show a cross section at a position corresponding to II-II in FIG. 1.
  • the resistor 30 may further include a third resistive layer 35 and a second heat dissipation layer 36.
  • the third resistive layer 35 is made of the same material as the first resistive layer 31 and the second resistive layer 32, and the second heat dissipation layer 36 is made of the same material as the first heat dissipation layer 33.
  • the third resistive layer 35 is disposed on the second resistive layer 32 with the second heat dissipation layer 36 interposed therebetween.
  • the third resistive layer 35 has a fifth end 35a and a sixth end 35b in the second direction DR2.
  • the sixth end 35b is the end opposite to the fifth end 35a.
  • the fifth end 35a may face the third end 32a with the second heat dissipation layer 36 interposed therebetween, and the sixth end 35b may be electrically connected to the fourth end 32b.
  • the fifth end 35a may be electrically connected to the third end 32a, and the sixth end 36b may face the fourth end 32b with the second heat dissipation layer 36 interposed therebetween.
  • the resistive layer of the resistor 30 may be serpentine-shaped or comb-shaped in a cross-sectional view perpendicular to the first direction DR1. Although not shown, the resistor 30 may have more resistive layers and heat dissipation layers.
  • Fig. 11 is a plan view of the resistor 100 according to the third modification.
  • the width W4 may be larger than the width W3.
  • the effect of the resistance layer being folded back inside the resistor 30 becomes even greater. Therefore, in this case, the overload characteristics of the resistor 30 can be further improved.
  • Fig. 12 is a plan view of a resistor 100 according to Modification 4. As shown in Fig. 12, the width W1 and the width W2 may be different from each other.
  • resistor 200 The resistor according to the second embodiment is referred to as resistor 200.
  • resistor 200 differences from resistor 100 will be mainly described, and overlapping descriptions will not be repeated.
  • FIG. 13 is a plan view of resistor 200.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 13.
  • resistor 200 has an insulating substrate 10, a first electrode 20, a second electrode 21, and a resistive body 30.
  • resistive body 30 has a first resistive layer 31, a second resistive layer 32, and a first heat dissipation layer 33.
  • the configuration of resistor 200 is the same as that of resistor 100.
  • the fourth end 32b is spaced from the second end 31b in the second direction DR2. That is, in the resistor 200, the first resistance layer 31 is exposed from the second resistance layer 32 and the first heat dissipation layer 33.
  • the configuration of the resistor 200 differs from the configuration of the resistor 100.
  • Fig. 15 is a cross-sectional view of a resistor 200 according to a modified example.
  • Fig. 15 shows a cross section taken along a line corresponding to XIV-XIV in Fig. 13.
  • the resistive body 30 may further include a third resistive layer 35 and a second heat dissipation layer 36.
  • the sixth end 35b is electrically connected to the fourth end 32b.
  • the fourth end 32b is spaced from the second end 31b in the second direction DR2, and the first resistance layer 31 has a portion that is not covered by the second resistance layer 32 and the first heat dissipation layer 33. Therefore, by forming a trimming groove in the portion of the first resistance layer 31 that is not covered by the second resistance layer 32 and the first heat dissipation layer 33, it is possible to adjust the electrical resistance of the resistor 30 without forming a trimming groove that penetrates the entire resistor 30. Therefore, even if the number of resistance layers and the number of heat dissipation layers of the resistor 30 are large, it is possible to easily adjust the electrical resistance of the resistor 30.
  • ⁇ Appendix 1> An insulating substrate; A first electrode and a second electrode; and a resistor.
  • the first electrode and the second electrode are disposed on the insulating substrate so as to face each other with a gap therebetween in a first direction;
  • the resistor is electrically connected to the first electrode and the second electrode, and includes a first resistive layer, a second resistive layer, and a first heat dissipation layer;
  • the first resistive layer is disposed on the insulating substrate between the first electrode and the second electrode;
  • the first resistance layer has a first end and a second end opposite to the first end in a second direction perpendicular to the first direction;
  • the second resistance layer has a third end electrically connected to the first end in the second direction and a fourth end that is an end opposite to the third end, the second resistor layer is disposed on the first resistor layer with the first heat dissipation layer therebetween;
  • ⁇ Appendix 5> 5 The resistor of claim 1, wherein a width of the resistor body in the second direction is smaller than a distance between the first electrode and the second electrode in the first direction.
  • ⁇ Appendix 6> 5 The resistor of claim 1, wherein a width of the resistor body in the second direction is greater than a distance between the first electrode and the second electrode in the first direction.
  • the resistor further includes a third resistive layer and a second heat dissipation layer, the third resistive layer has, in the second direction, a fifth end and a sixth end that is an end opposite to the fifth end and is electrically connected to the fourth end; 10.
  • the resistor of claim 1 wherein the third resistive layer is disposed on the second resistive layer with the second resistive layer interposed therebetween.
  • the resistor further includes a third resistive layer and a second heat dissipation layer, the third resistance layer has a fifth end electrically connected to the third end in the second direction and a sixth end that is an end opposite to the fifth end, 10.
  • the first electrode and the second electrode are made of a sintered body of copper particles, the conductive particles included in the first resistive layer and the second resistive layer are formed of a copper-nickel alloy; 12.

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

抵抗器は、絶縁基板と、第１電極及び第２電極と、抵抗体とを備える。第１電極及び第２電極は、第１方向において互いに間隔を空けて対向するように絶縁基板上に配置されている。抵抗体は、第１電極及び第２電極と電気的に接続されており、かつ第１抵抗層及び第２抵抗層と第１放熱層とを有する。第１抵抗層は、第１電極と第２電極との間において絶縁基板上に配置されている。第１抵抗層は、第１方向に直交する第２方向において、第１端部と、第１端部の反対側の端部である第２端部とを有する。第２抵抗層は、第２方向において、第１端部と電気的に接続されている第３端部と、第３端部の反対側の端部である第４端部とを有する。第２抵抗層は、第１放熱層を介在させて第１抵抗層上に配置されている。

Description

抵抗器
　本開示は、抵抗器に関する。
　例えば特開平１１－１６７０３号公報（特許文献１）には、抵抗器が記載されている。特許文献１に記載の抵抗器は、絶縁基板と、第１端子電極及び第２端子電極と、抵抗体とを有している。抵抗体は、複数の抵抗層と、複数の絶縁層とを有している。
　第１端子電極及び第２端子電極は、絶縁基板上に配置されている。第１端子電極及び第２端子電極は、第１方向において間隔を空けて対向配置されている。抵抗体は、第１端子電極及び第２端子電極との間において絶縁基板上に配置されており、かつ第１端子電極及び第２端子電極と電気的に接続されている。
　１つの抵抗層及び当該１つの抵抗層と抵抗体の厚さ方向において隣り合う他の１つの抵抗層は、第２方向における端部において、互いに電気的に接続されている。抵抗体の厚さ方向において隣り合う２つの抵抗層の間には、絶縁層が介在されている。
特開平１１－１６７０３号公報
　［概要］
　特許文献１に記載の抵抗器では、絶縁層がガラス材料又はセラミック材料で形成されている。そのため、特許文献１に記載の抵抗器では、抵抗体の放熱性が低く、抵抗体の過負荷特性に改善の余地がある。また、特許文献１に記載の抵抗器では、絶縁層がガラス材料又はセラミック材料で形成されているため、抵抗体にトリミングを施して抵抗体の電気抵抗を調整することが困難である。
　本開示の抵抗器は、絶縁基板と、第１電極及び第２電極と、抵抗体とを備える。第１電極及び第２電極は、第１方向において互いに間隔を空けて対向するように絶縁基板上に配置されている。抵抗体は、第１電極及び第２電極と電気的に接続されており、かつ第１抵抗層及び第２抵抗層と第１放熱層とを有する。第１抵抗層は、第１電極と第２電極との間において絶縁基板上に配置されている。第１抵抗層は、第１方向に直交する第２方向において、第１端部と、第１端部の反対側の端部である第２端部とを有する。第２抵抗層は、第２方向において、第１端部と電気的に接続されている第３端部と、第３端部の反対側の端部である第４端部とを有する。第２抵抗層は、第１放熱層を介在させて第１抵抗層上に配置されている。第１抵抗層、第２抵抗層及び第１放熱層は、導電粒子を含有するガラス材料で形成されている。第１放熱層の電気抵抗は、第１抵抗層の電気抵抗及び第２抵抗層の電気抵抗よりも大きい。
抵抗器１００の平面図である。 図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。 抵抗器１００の製造工程図である。 電極形成工程Ｓ２を説明する平面図である。 第１抵抗層形成工程Ｓ３１を説明する平面図である。 放熱層形成工程Ｓ３２を説明する平面図である。 第２抵抗層形成工程Ｓ３３を説明する平面図である。 抵抗器１００Ａの断面図である。 変形例１に係る抵抗器１００の断面図である。 変形例２に係る抵抗器１００の断面図である。 変形例３に係る抵抗器１００の平面図である。 変形例４に係る抵抗器１００の平面図である。 抵抗器２００の平面図である。 図１３中のＸＩＶ－ＸＩＶにおける断面図である。 変形例に係る抵抗器２００の断面図である。
　［詳細な説明］
　本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
　（第１実施形態）
　第１実施形態に係る抵抗器を説明する。第１実施形態に係る抵抗器を、抵抗器１００とする。
　＜抵抗器１００の構成＞
　以下に、抵抗器１００の構成を説明する。
　図１は、抵抗器１００の平面図である。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。図１及び図２に示されるように、抵抗器１００は、絶縁基板１０と、第１電極２０及び第２電極２１と、抵抗体３０とを有している。
　絶縁基板１０は、電気絶縁性の材料で形成されている。絶縁基板１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の熱伝導率が高い材料で形成されていることが好ましい。絶縁基板１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂとを有している。第１面１０ａ及び第２面１０ｂは、絶縁基板１０の厚さ方向における端面である。絶縁基板１０は、平面視において、例えば矩形状である。抵抗器１００では、絶縁基板１０の平面視における長手方向が、第１方向ＤＲ１に沿っている。第１方向ＤＲ１は、第１電極２０及び第２電極２１が並んでいる方向である。
　第１電極２０及び第２電極２１は、例えば、金属粒子の焼結体で形成されている。金属粒子は、例えば、銅（Ｃｕ）で形成されている。金属粒子は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銀－パラジウム（Ｐｄ）合金、銅－ニッケル（Ｎｉ）合金等で形成されていてもよい。金属粒子は、その他の材料で形成されていてもよい。
　第１方向ＤＲ１における第１電極２０の幅を、幅Ｗ１とする。第１方向ＤＲ１における第２電極２１の幅を、幅Ｗ２とする。抵抗器１００では、幅Ｗ１及び幅Ｗ２が互いに等しくなっている。
　第１電極２０及び第２電極２１は、絶縁基板１０上に配置されている。第１電極２０及び第２電極２１は、より具体的には、第１面１０ａ上に配置されている。第１電極２０及び第２電極２１は、第１方向ＤＲ１において間隔を空けて対向配置されている。
　抵抗体３０は、第１電極２０及び第２電極２１と電気的に接続されている。第１方向ＤＲ１における抵抗体３０の幅を、幅Ｗ３とする。第２方向ＤＲ２における抵抗体３０の幅を、幅Ｗ４とする。第２方向ＤＲ２は、第１方向ＤＲ１に直交する方向である。抵抗器１００では、幅Ｗ３が幅Ｗ４よりも大きい。抵抗体３０は、第１抵抗層３１と、第２抵抗層３２と、第１放熱層３３とを有している。第１抵抗層３１は、第１電極２０と第２電極２１との間において、絶縁基板１０上に配置されている。より具体的には、第１抵抗層３１は、第１電極２０と第２電極２１との間において、第１面１０ａ上に配置されている。
　第１抵抗層３１は、第２方向ＤＲ２において、第１端部３１ａと、第２端部３１ｂとを有している。第２端部３１ｂは、第１端部３１ａの反対側にある。
　第２抵抗層３２は、第１放熱層３３を介在させて第１抵抗層３１上に配置されている。第２抵抗層３２は、第２方向ＤＲ２において、第３端部３２ａと、第４端部３２ｂとを有している。第３端部３２ａは、第１端部３１ａに電気的に接続されている。抵抗器１００では、第４端部３２ｂが、第１放熱層３３を介在させて第２端部３１ｂと対向している。すなわち、抵抗器１００では、第１方向ＤＲ１に直交する断面視において、第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２がＵ字状になっている。
　第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３は、導電粒子を含有するガラス材料で形成されている。第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２に含まれている導電粒子は、例えば、銅－ニッケル合金で形成されている。第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２に含まれている導電粒子は、銀、銅、金、銀－パラジウム合金、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）又は硼化ランタン（ＬａＢ６）で形成されていてもよい。第１放熱層３３に含まれている導電粒子は、例えば、銅－ニッケル合金又は硼化ランタンで形成されている。第１放熱層３３に含まれている導電粒子は、銀、銅、金、銀－パラジウム合金又は酸化ルテニウムで形成されていてもよい。なお、第１放熱層３３に含まれている導電粒子は、第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２に含まれている導電粒子と同一材料で形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよい。
　第１放熱層３３の電気抵抗は、第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２の電気抵抗よりも大きい。第１放熱層３３の電気抵抗は、第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２の電気抵抗の１０倍以下、１００倍以下又は１０００倍以下であってもよい。第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３の電気抵抗は、第１方向ＤＲ１に直交している断面における断面観察及び第２方向ＤＲ２に直交している断面における断面観察を行うことにより第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３の体積を算出するとともに、当該断面において第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３の組成をＥＤＸ（Energy　Dispersive　X-Ray　Spectroscopy）により確認することで算出される。第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３の電気抵抗は、電子プローブにより第１抵抗層３１、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３の断面研磨前の断面における電気抵抗の測定を行うことにより得られてもよい。
　＜抵抗器１００の製造方法＞
　以下に、抵抗器１００の製造方法を説明する。
　図３は、抵抗器１００の製造工程図である。図３に示されるように、抵抗器１００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、電極形成工程Ｓ２と、抵抗体形成工程Ｓ３と、個片化工程Ｓ４とを有している。抵抗体形成工程Ｓ３は、第１抵抗層形成工程Ｓ３１と、放熱層形成工程Ｓ３２と、第２抵抗層形成工程Ｓ３３とを有している。
　抵抗器１００の製造方法では、まず準備工程Ｓ１が行われる。準備工程Ｓ１では、絶縁基板１０が準備される。但し、準備工程Ｓ１で準備される絶縁基板１０は、抵抗器１００が有する絶縁基板１０と異なり、個片化されていない。
　電極形成工程Ｓ２は、準備工程Ｓ１の後に行われる。図４は、電極形成工程Ｓ２を説明する平面図である。図４に示されるように、電極形成工程Ｓ２では、第１電極２０及び第２電極２１が形成される。第１電極２０及び第２電極２１は、金属粒子を含むペーストを絶縁基板１０（第１面１０ａ）上に塗布するとともに、塗布された当該ペーストを焼成することにより形成される。
　抵抗体形成工程Ｓ３は、電極形成工程Ｓ２の後に行われる。抵抗体形成工程Ｓ３では、まず、第１抵抗層形成工程Ｓ３１が行われる。図５は、第１抵抗層形成工程Ｓ３１を説明する平面図である。図５に示されるように、第１抵抗層形成工程Ｓ３１では、第１抵抗層３１が形成される。第１抵抗層３１は、導電粒子及びガラス材料を含むペーストを第１電極２０と第２電極２１との間において絶縁基板１０（第１面１０ａ）上に塗布するとともに、塗布された当該ペーストを焼成することにより形成される。
　放熱層形成工程Ｓ３２は、第１抵抗層形成工程Ｓ３１の後に行われる。図６は、放熱層形成工程Ｓ３２を説明する平面図である。図６に示されるように、放熱層形成工程Ｓ３２では、第１放熱層３３が形成される。第１放熱層３３の形成に際しては、第１に、導電粒子及びガラス材料を含むペーストが第１抵抗層３１上に塗布される。但し、上記のペーストは、第１端部３１ａが露出するように塗布される。第２に、上記のペーストの焼成が行われる。これにより、第１端部３１ａが露出するように第１抵抗層３１上に第１放熱層３３が形成されることになる。
　第２抵抗層形成工程Ｓ３３は、放熱層形成工程Ｓ３２の後に行われる。図７は、第２抵抗層形成工程Ｓ３３を説明する平面図である。図７に示されるように、第２抵抗層形成工程Ｓ３３では、第２抵抗層３２が形成される。
　第２抵抗層３２の形成に際しては、第１に、導電粒子及びガラス材料を含むペーストが第１放熱層３３上に塗布される。第１放熱層３３からは第１端部３１ａが露出しているため、上記のペーストは、第１端部３１ａ上にも塗布される。第２に、上記のペーストの焼成が行われる。これにより、第１放熱層３３を介在させて第２抵抗層３２が第１抵抗層３１上に形成されるとともに、第３端部３２ａが第１端部３１ａと電気的に接続される。
　個片化工程Ｓ４は、抵抗体形成工程Ｓ３の後に行われる。個片化工程Ｓ４では、絶縁基板１０が複数の小片に分割されることにより、図１及び図２に示される構造の抵抗器１００が複数個得られることになる。
　上記においては、抵抗体形成工程Ｓ３が電極形成工程Ｓ２の後に行われる例について説明したが、電極形成工程Ｓ２は、抵抗体形成工程Ｓ３の後に行われてもよい。また、電極形成工程Ｓ２では第１電極２０及び第２電極２１の一部のみが形成され、抵抗体形成工程Ｓ３の後に第１電極２０及び第２電極２１の残部が形成されてもよい。抵抗体形成工程Ｓ３では、第１抵抗層３１を形成するための焼成、第１放熱層３３を形成するための焼成及び第２抵抗層３２を形成するための焼成が、一括して行われてもよい。
　＜抵抗器１００の効果＞
　以下に、抵抗器１００の効果を、比較例に係る抵抗器と対比しながら説明する。比較例に係る抵抗器を、抵抗器１００Ａとする。
　図８は、抵抗器１００Ａの断面図である。図８には、図１中のＩＩ－ＩＩに対応する位置における断面が示されている。図８に示されるように、抵抗器１００Ａは、第１放熱層３３に代えて、絶縁層３４を有している。絶縁層３４は、ガラス材料又はセラミック材料で形成されている。その他の点に関して、抵抗器１００Ａの構成は、抵抗器１００の構成と共通している。
　第１放熱層３３の構成材料には、ガラス材料に加えて導電粒子が含まれている。そのため、第１放熱層３３の熱伝導率は、絶縁層３４の熱伝導率よりも高くなる。そのため、抵抗器１００では、抵抗体３０の放熱性が抵抗器１００Ａと比較して高まり、抵抗体３０の過負荷特性を改善することが可能である。また、幅Ｗ４が大きくなると、抵抗体３０の過負荷特性が改善する。抵抗器１００では、抵抗体３０の内部において抵抗層が折り返されているため、幅Ｗ４が実質的に大きくなる。その結果、抵抗器１００によると、抵抗体３０の過負荷特性を改善可能である。
　また、第１放熱層３３の構成材料には、ガラス材料に加えて導電粒子が含まれている。そのため、抵抗器１００では、抵抗器１００Ａと比較して抵抗体３０に対してトリミング溝を形成しやすい。そのため、抵抗器１００では、トリミングによる抵抗体３０の電気抵抗の調整を容易に行うことが可能である。
　絶縁層３４がセラミック粒子の焼結体で形成されている場合、絶縁層３４を形成する際の焼成温度が高くなる。絶縁層３４を焼成する際には、第１抵抗層３１も加熱されることになるため、第１抵抗層３１が高い焼成温度に起因して損傷されてしまうことがある。絶縁層３４がガラス材料で形成されている場合、第２抵抗層３２を形成する際の焼成温度が絶縁層３４を構成しているガラス材料のガラス転移点を超えてしまい、第２抵抗層３２を形成する際に絶縁層３４が損傷されてしまうことがある。他方で、抵抗器１００では、絶縁層３４をセラミック粒子の焼結体で形成する場合のように第１放熱層３３の焼成温度が高くなく、第１放熱層３３がガラス材料に加えて導電粒子を含んでおり、第２抵抗層３２を形成する際の加熱で損傷されにくい。このように、抵抗器１００によると、抵抗体３０を容易に形成することが可能となる。
　電流が優先的に第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２に流れやすくなるようにする観点からは、第１放熱層３３の電気抵抗は、第１抵抗層３１の電気抵抗及び第２抵抗層３２の電気抵抗と比較して可能な限り大きくすることが望ましい。他方で、第１放熱層３３の電気抵抗が大きいことは、ガラス材料に対する導電粒子の含有量が少ないことを意味し、第１放熱層３３の熱伝導率が低下してしまう。そのため、抵抗器１００では、第１抵抗層３１の電気抵抗及び第２抵抗層３２に対する第１放熱層３３の電気抵抗の倍率を適宜変更することにより、抵抗器１００の性能を適宜調整可能である。
　＜変形例１及び変形例２＞
　図９は、変形例１に係る抵抗器１００の断面図である。図１０は、変形例２に係る抵抗器１００の断面図である。図９及び図１０には、図１中のＩＩ－ＩＩに対応する位置における断面が示されている。図９及び図１０に示されているように、抵抗体３０は、第３抵抗層３５と、第２放熱層３６とをさらに有していてもよい。第３抵抗層３５の構成材料は例えば第１抵抗層３１及び第２抵抗層３２の構成材料と同一であり、第２放熱層３６の構成材料は例えば第１放熱層３３の構成材料と同一である。第３抵抗層３５は、第２放熱層３６を介在させて第２抵抗層３２上に配置されている。
　第３抵抗層３５は、第２方向ＤＲ２において、第５端部３５ａと、第６端部３５ｂとを有している。第６端部３５ｂは、第５端部３５ａの反対側の端部である。図９に示されるように、第５端部３５ａは第２放熱層３６を介在させて第３端部３２ａと対向していてもよく、第６端部３５ｂは第４端部３２ｂに電気的に接続されていてもよい。図１０に示されるように、第５端部３５ａは第３端部３２ａに電気的に接続されていてもよく、第６端部３６ｂは第２放熱層３６を介在させて第４端部３２ｂと対向していてもよい。このことを別の観点から言えば、抵抗体３０の抵抗層は、第１方向ＤＲ１に直交する断面視において、蛇行形状になっていてもよく、櫛歯状になっていてもよい。なお、図示されていないが、抵抗体３０は、より多くの抵抗層及び放熱層を有していてもよい。
　＜変形例３＞
　図１１は、変形例３に係る抵抗器１００の平面図である。図１１に示されるように、幅Ｗ４は、幅Ｗ３よりも大きくてもよい。幅Ｗ４が幅Ｗ３よりも大きい場合、抵抗体３０の内部において抵抗層が折り返されることの効果がさらに大きくなる。そのため、この場合には、抵抗体３０の過負荷特性をさらに改善可能である。
　＜変形例４＞
　図１２は、変形例４に係る抵抗器１００の平面図である。図１２に示されるように、幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、互いに異なっていてもよい。
　（第２実施形態）
　第２実施形態に係る抵抗器を説明する。第２実施形態に係る抵抗器を、抵抗器２００とする。ここでは、抵抗器１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
　＜抵抗器２００の構成＞
　以下に、抵抗器２００の構成を説明する。
　図１３は、抵抗器２００の平面図である。図１４は、図１３中のＸＩＶ－ＸＩＶにおける断面図である。図１３及び図１４に示されているように、抵抗器２００は、絶縁基板１０と、第１電極２０及び第２電極２１と、抵抗体３０とを有している。また、抵抗器２００では、抵抗体３０が、第１抵抗層３１と、第２抵抗層３２と、第１放熱層３３とを有している。これらの点に関して、抵抗器２００の構成は、抵抗器１００の構成と共通している。
　抵抗器２００では、第２方向ＤＲ２において、第４端部３２ｂが第２端部３１ｂから離間している。すなわち、抵抗器２００では、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３から第１抵抗層３１が露出している。この点に関して、抵抗器２００の構成は、抵抗器１００の構成と異なっている。
　＜変形例＞
　図１５は、変形例に係る抵抗器２００の断面図である。図１５には、図１３中のＸＩＶ－ＸＩＶに対応する位置における断面が示されている。図１５に示されているように、抵抗器２００では、抵抗体３０が、第３抵抗層３５及び第２放熱層３６をさらに有していてもよい。抵抗器２００では、例えば、第６端部３５ｂが第４端部３２ｂに電気的に接続されている。
　＜抵抗器２００の効果＞
　以下に、抵抗器２００の効果を説明する。
　抵抗器２００では、第４端部３２ｂが第２方向ＤＲ２において第２端部３１ｂから離間しており、第１抵抗層３１に第２抵抗層３２及び第１放熱層３３に覆われていない部分がある。そのため、第２抵抗層３２及び第１放熱層３３に覆われていない第１抵抗層３１の部分にトリミング溝を形成すれば、抵抗体３０全体を貫通するようにトリミング溝を形成することなく抵抗体３０の電気抵抗の調整を行うことが可能であるため、抵抗体３０の抵抗層の数及び放熱層の数が多くなる場合でも、抵抗体３０の電気抵抗の調整を容易に行うことが可能である。
　（付記）
　以下に、本開示の実施形態に示されている構成を付記する。
　＜付記１＞
　絶縁基板と、
　第１電極及び第２電極と、
　抵抗体とを備え、
　前記第１電極及び前記第２電極は、第１方向において互いに間隔を空けて対向するように前記絶縁基板上に配置されており、
　前記抵抗体は、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続されており、かつ第１抵抗層及び第２抵抗層と第１放熱層とを有し、
　前記第１抵抗層は、前記第１電極と前記第２電極との間において前記絶縁基板上に配置されており、
　前記第１抵抗層は、前記第１方向に直交する第２方向において、第１端部と、前記第１端部の反対側の端部である第２端部とを有し、
　前記第２抵抗層は、前記第２方向において、前記第１端部と電気的に接続されている第３端部と、前記第３端部の反対側の端部である第４端部とを有し、
　前記第２抵抗層は、前記第１放熱層を介在させて前記第１抵抗層上に配置されており、
　前記第１抵抗層、前記第２抵抗層及び前記第１放熱層は、導電粒子を含有するガラス材料で形成されており、
　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗よりも大きい、抵抗器。
　＜付記２＞
　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１０倍以下である、付記１に記載の抵抗器。
　＜付記３＞
　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１００倍以下である、付記１に記載の抵抗器。
　＜付記４＞
　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１０００倍以下である、付記１に記載の抵抗器。
　＜付記５＞
　前記第２方向における前記抵抗体の幅は、前記第１方向における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも小さい、付記１から付記４のいずれかに記載の抵抗器。
　＜付記６＞
　前記第２方向における前記抵抗体の幅は、前記第１方向における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも大きい、付記１から付記４のいずれかに記載の抵抗器。
　＜付記７＞
　前記第１方向における前記第１電極の幅は、前記第１方向における前記第２電極の幅と異なっている、付記１から付記６のいずれかに記載の抵抗器。
　＜付記８＞
　前記第４端部は、前記第１放熱層を介在させて前記第２端部と対向している、付記１から付記７に記載の抵抗器。
　＜付記９＞
　前記第４端部は、前記第２方向において、前記第２端部から離間している、付記１から付記７に記載の抵抗器。
　＜付記１０＞
　前記抵抗体は、第３抵抗層と、第２放熱層とをさらに備え、
　前記第３抵抗層は、前記第２方向において、第５端部と、前記第５端部の反対側の端部であり、かつ前記第４端部と電気的に接続されている第６端部とを有し、
　前記第３抵抗層は、前記第２抵抗層を介在させて前記第２抵抗層上に配置されている、付記１から付記９のいずれかに記載の抵抗器。
　＜付記１１＞
　前記抵抗体は、第３抵抗層と、第２放熱層とをさらに備え、
　前記第３抵抗層は、前記第２方向において、前記第３端部と電気的に接続されている第５端部と、前記第５端部の反対側の端部である第６端部とを有し、
　前記第３抵抗層は、前記第２放熱層を介在させて前記第２抵抗層上に配置されている、付記１から付記９のいずれかに記載の抵抗器。
　＜付記１２＞
　前記第１電極の構成材料及び前記第２電極は、銅粒子の焼結体で形成されており、
　前記第１抵抗層及び前記第２抵抗層に含まれている前記導電粒子は、銅－ニッケル合金で形成されており、
　前記第１放熱層に含まれている前記導電粒子は、銅－ニッケル合金又は硼化ランタンで形成されている、付記１から付記１１のいずれかに記載の抵抗器。
　以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。
　１００，１００Ａ，２００　抵抗器、１０　絶縁基板、１０ａ　第１面、１０ｂ　第２面、２０　第１電極、２１　第２電極、３０　抵抗体、３１　第１抵抗層、３１ａ　第１端部、３１ｂ　第２端部、３２　第２抵抗層、３２ａ　第３端部、３２ｂ　第４端部、３３　第１放熱層、３４　絶縁層、３５　第３抵抗層、３５ａ　第５端部、３５ｂ　第６端部、３６　第２放熱層、ＤＲ１　第１方向、ＤＲ２　第２方向、Ｓ１　準備工程、Ｓ２　電極形成工程、Ｓ３　抵抗体形成工程、Ｓ３１　第１抵抗層形成工程、Ｓ３２　放熱層形成工程、Ｓ３３　第２抵抗層形成工程、Ｓ４　個片化工程、Ｗ１　幅、Ｗ２　幅、Ｗ３　幅、Ｗ４　幅。

Claims (12)

  1. 　絶縁基板と、
    　第１電極及び第２電極と、
    　抵抗体とを備え、
    　前記第１電極及び前記第２電極は、第１方向において互いに間隔を空けて対向するように前記絶縁基板上に配置されており、
    　前記抵抗体は、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続されており、かつ第１抵抗層及び第２抵抗層と第１放熱層とを有し、
    　前記第１抵抗層は、前記第１電極と前記第２電極との間において前記絶縁基板上に配置されており、
    　前記第１抵抗層は、前記第１方向に直交する第２方向において、第１端部と、前記第１端部の反対側の端部である第２端部とを有し、
    　前記第２抵抗層は、前記第２方向において、前記第１端部と電気的に接続されている第３端部と、前記第３端部の反対側の端部である第４端部とを有し、
    　前記第２抵抗層は、前記第１放熱層を介在させて前記第１抵抗層上に配置されており、
    　前記第１抵抗層、前記第２抵抗層及び前記第１放熱層は、導電粒子を含有するガラス材料で形成されており、
    　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗よりも大きい、抵抗器。
  2. 　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１０倍以下である、請求項１に記載の抵抗器。
  3. 　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１００倍以下である、請求項１に記載の抵抗器。
  4. 　前記第１放熱層の電気抵抗は、前記第１抵抗層の電気抵抗及び前記第２抵抗層の電気抵抗の１０００倍以下である、請求項１に記載の抵抗器。
  5. 　前記第２方向における前記抵抗体の幅は、前記第１方向における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも小さい、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の抵抗器。
  6. 　前記第２方向における前記抵抗体の幅は、前記第１方向における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも大きい、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の抵抗器。
  7. 　前記第１方向における前記第１電極の幅は、前記第１方向における前記第２電極の幅と異なっている、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の抵抗器。
  8. 　前記第４端部は、前記第１放熱層を介在させて前記第２端部と対向している、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の抵抗器。
  9. 　前記第４端部は、前記第２方向において、前記第２端部から離間している、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の抵抗器。
  10. 　前記抵抗体は、第３抵抗層と、第２放熱層とをさらに備え、
    　前記第３抵抗層は、前記第２方向において、第５端部と、前記第５端部の反対側の端部であり、かつ前記第４端部と電気的に接続されている第６端部とを有し、
    　前記第３抵抗層は、前記第２抵抗層を介在させて前記第２抵抗層上に配置されている、請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の抵抗器。
  11. 　前記抵抗体は、第３抵抗層と、第２放熱層とをさらに備え、
    　前記第３抵抗層は、前記第２方向において、前記第３端部と電気的に接続されている第５端部と、前記第５端部の反対側の端部である第６端部とを有し、
    　前記第３抵抗層は、前記第２放熱層を介在させて前記第２抵抗層上に配置されている、請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の抵抗器。
  12. 　前記第１電極の構成材料及び前記第２電極は、銅粒子の焼結体で形成されており、
    　前記第１抵抗層及び前記第２抵抗層に含まれている前記導電粒子は、銅－ニッケル合金で形成されており、
    　前記第１放熱層に含まれている前記導電粒子は、銅－ニッケル合金又は硼化ランタンで形成されている、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の抵抗器。
PCT/JP2023/030891 2022-12-15 2023-08-28 抵抗器 WO2024127730A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-200081 2022-12-15
JP2022200081 2022-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024127730A1 true WO2024127730A1 (ja) 2024-06-20

Family

ID=91484765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/030891 WO2024127730A1 (ja) 2022-12-15 2023-08-28 抵抗器

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2024127730A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355502U (ja) * 1986-09-30 1988-04-14
JPH1116703A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Shoei Chem Ind Co 超低抵抗抵抗器
JP2006245219A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Rohm Co Ltd 低抵抗のチップ抵抗器とその製造方法
WO2014171087A1 (ja) * 2013-04-18 2014-10-23 パナソニック株式会社 抵抗器とその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355502U (ja) * 1986-09-30 1988-04-14
JPH1116703A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Shoei Chem Ind Co 超低抵抗抵抗器
JP2006245219A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Rohm Co Ltd 低抵抗のチップ抵抗器とその製造方法
WO2014171087A1 (ja) * 2013-04-18 2014-10-23 パナソニック株式会社 抵抗器とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0829886B1 (en) Chip resistor and a method of producing the same
CN103222015B (zh) 片状热敏电阻和热敏电阻集合基板
WO1999001876A1 (fr) Resistance et procede de fabrication
US9583262B2 (en) Multi-layer component and method for producing same
JPH04340778A (ja) 積層圧電アクチュエータ素子
WO2011043233A1 (ja) チップヒューズ
WO2024127730A1 (ja) 抵抗器
KR20080010894A (ko) 세라믹 부품 및 그 제조방법
JP5885027B2 (ja) サーミスタ素子
JP6763008B2 (ja) 配線基板の製造方法、およびサーマルヘッドの製造方法
JP5157178B2 (ja) 角形チップ抵抗器
JP4295035B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
EP2704176B1 (en) Electric power fuse
WO2020170750A1 (ja) 抵抗器
KR101148259B1 (ko) 칩 저항기 및 그 제조방법
JP2009246147A (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP3632860B2 (ja) Ｎｔｃサーミスタ
CN110911069B (zh) 电子组件及其制造方法
JP2000100601A (ja) チップ抵抗器
WO2023079876A1 (ja) チップ抵抗器
WO2022091644A1 (ja) チップ抵抗器
CN113826173B (zh) 电阻器
JP2008244211A (ja) 薄膜チップ抵抗器の製造方法
JPH0636675A (ja) ヒユーズ抵抗器およびその製造方法
JP2574499Y2 (ja) サージ保護器