WO2024106228A1 - 導電性フィルム及び表示装置 - Google Patents

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WO2024106228A1
WO2024106228A1 PCT/JP2023/039677 JP2023039677W WO2024106228A1 WO 2024106228 A1 WO2024106228 A1 WO 2024106228A1 JP 2023039677 W JP2023039677 W JP 2023039677W WO 2024106228 A1 WO2024106228 A1 WO 2024106228A1
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layer
metal
resin
conductive film
conductive
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PCT/JP2023/039677
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浩 新開
寿昭 葛西
晋亮 橋本
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Tdk株式会社
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    • C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
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    • C23C22/52—Treatment of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • G—PHYSICS
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    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Definitions

  • This disclosure relates to a conductive film and a display device.
  • Display devices having a display unit such as a touch panel may include a conductive film having a conductive pattern in which conductive portions are formed in a mesh shape on the front surface side of the display unit.
  • the conductive pattern may have a conductive body and a blackening layer provided on the conductive body in order to suppress reflection of light from the conductive portion.
  • Patent Document 1 discloses a conductive film including a substrate and a conductive portion composed of thin metal wires arranged on at least one of the main surfaces of the substrate, in which the thin metal wires include a base layer and a conductive layer arranged in this order from the substrate side, and a blackened layer covering the surface of the conductive layer, and the line width is 2.0 ⁇ m or less, the base layer contains a metal oxide or metal nitride as a main component, the blackened layer contains palladium, and the conductive layer contains copper as a main component.
  • the conductive film described in Patent Document 1 has the following problems. That is, although the conductive film described in Patent Document 1 suppresses light reflection and improves invisibility, there is still room for improvement in terms of improving electrical conductivity.
  • the present disclosure has been made in consideration of the above problems, and aims to provide a conductive film and a display device that can improve conductivity while suppressing light reflection.
  • One aspect of the present disclosure provides a conductive film comprising a substrate and a conductive portion provided on the main surface side of the substrate, the conductive portion having a main body portion containing a first metal and a blackening layer covering at least the surface of the main body portion opposite the substrate, the blackening layer containing the first metal and a second metal different from the first metal, and the blackening layer having a crystal structure with a space group of Pm-3m.
  • the present disclosure provides a conductive film and a display device that can improve conductivity while suppressing light reflection.
  • FIG. 1 is a partial plan view illustrating an embodiment of a conductive film according to the present disclosure.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a first structure obtained in a first step.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second structure obtained in a second step.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third structure obtained in a third step.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a fifth structure obtained in a fifth step.
  • 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of a display device according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of a conductive film of the present disclosure.
  • Fig. 1 is a partial plan view showing an embodiment of a conductive film according to the present disclosure.
  • Fig. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in Fig. 1.
  • the conductive film 100 shown in Figures 1 and 2 comprises a substrate 10, a mesh wiring 40 including linear conductive portions 20 provided on the main surface 10S side of the substrate 10, and a resin layer 30.
  • the resin layer 30 is provided on the main surface 10S of the substrate 10, and has a trench 33 on the side opposite the substrate 10.
  • the conductive portion 20 is filled in the trench 33 and is fixed to the substrate 10 via the resin layer 30.
  • the conductive portion 20 has, in this order, a main body portion 21 containing a first metal, and a blackening layer 22.
  • the blackening layer 22 is provided in the trench 33, and covers the first surface 21c of the main body portion 21 on the surface opposite the substrate 10.
  • the blackening layer 22 contains the first metal and a second metal different from the first metal, and has a crystal structure with a space group of Pm-3m.
  • the blackening layer 22 covers the first surface 21c of the main body 21 in the conductive portion 20 provided on the main surface 10S of the substrate 10, so that even when light is incident toward the main surface 10S of the substrate 10, the blackening layer 22 suppresses reflection of light.
  • the blackening layer 22 has a crystal structure with a space group of Pm-3m, the resistance value of the blackening layer 22 of the conductive portion 20 is reduced, and the resistance value of the conductive portion 20 as a whole is reduced. Therefore, the conductivity of the conductive film 100 can be improved.
  • the inventors of the present disclosure speculate that the reason why the resistance value of the blackened layer 22 is reduced when the blackened layer 22 has a crystal structure with a space group of Pm-3m is as follows. That is, in a crystal structure having a space group of Fm-3m, the atoms of the second metal are present randomly, and the regularity of the crystal structure is low. In contrast, in a crystal structure having a space group of Pm-3m, the atoms of the second metal are present in specific lattices (locations), and the regularity of the crystal structure is high. Therefore, in the blackening layer 22 including a crystal structure having a space group of Pm-3m, it is considered that it is possible to obtain a low resistance value without impeding the flow of electrons when a current is passed through it.
  • the conductive portion 20 is also filled into the trenches 33 of the resin layer 30. Therefore, the conductive portion 20 is stably fixed to the substrate 10 by the resin layer 30, and the conductive portion 20 is less likely to peel off from the substrate 10.
  • the substrate 10, conductive portion 20, and resin layer 30 are described in detail below.
  • the substrate 10 is a member that fixes the conductive portion 20.
  • the substrate 10 may be a light-transmitting substrate.
  • the light-transmitting substrate has a degree of light transmittance that is required, for example, when the conductive film 100 is included in a display device. Specifically, the total light transmittance of the substrate 10 may be 90 to 100%. Alternatively, the haze of the substrate 10 may be 0 to 5%.
  • the substrate 10 may be, for example, a transparent resin film, examples of which include a film of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethylene naphthalate (PEN), cycloolefin polymer (COP), or polyimide (PI).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PC polycarbonate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • COP cycloolefin polymer
  • PI polyimide
  • the substrate 10 may also be a glass substrate.
  • the thickness of the substrate 10 may be 1 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, or 20 ⁇ m or more, and may be 500 ⁇ m or less, 200 ⁇ m or less, or 100 ⁇ m or less.
  • the conductive portion 20 has a main body portion 21 and a blackening layer 22.
  • the conductive portion 20 may further have an underlayer 23 on the substrate 10 side of the main body portion 21.
  • the width of the conductive portion 20 is not particularly limited, but from the viewpoint of improving invisibility, it is preferably 4 ⁇ m or less, and more preferably 2 ⁇ m or less. However, from the viewpoint of reducing the resistance of the conductive portion 20, the width of the conductive portion 20 is preferably 0.5 ⁇ m or more, and more preferably 0.8 ⁇ m or more.
  • the width of the conductive portion 20 specifically refers to the width in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive portion 20 when the conductive portion 20 is viewed in plan from the blackening layer 22 side.
  • the distance (pitch) between the opposing conductive portions 20 is not particularly limited, but from the viewpoint of increasing conductivity, it is preferably 300 ⁇ m or less, and more preferably 200 ⁇ m or less. From the viewpoint of increasing invisibility, the pitch of the conductive portions 20 may be, for example, 50 ⁇ m or more, or 80 ⁇ m or more.
  • the main body 21 has a first metal.
  • the first metal is not particularly limited, but examples of the first metal include copper (Cu), gold (Au), and silver (Ag).
  • the main body 21 may further contain a nonmetallic element such as phosphorus, as long as appropriate electrical conductivity is maintained.
  • the space group of the crystal structure contained in the main body 21 is not particularly limited and may be Pm-3m or Fm-3m, but is preferably Fm-3m.
  • the mass content of the first metal in the main body 21 may be, for example, 50 mass% or more, 55 mass% or more, or 100 mass%.
  • the main body 21 may include crystal grains.
  • the maximum size of the grain size of the crystal grains is not particularly limited, but is preferably 30 nm or less, and more preferably 25 nm or less.
  • the maximum size of the crystal grains included in the main body 21 may be 5 nm or more, or 8 nm or more.
  • the “maximum size of crystal grain size” refers to the maximum size among the sizes of 10 crystal grains contained within the field of view when any one region of a cross section of the thickness direction of the main body portion 21 is observed with a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the size of a crystal grain refers to the distance between two points on the grain boundary of the crystal grain when the distance between these two points is at its maximum.
  • the thickness of the main body 21 is appropriately set based on the resistance value required for the conductive portion 20, and is not particularly limited, but may be, for example, 1.0 ⁇ m or more, 1.5 ⁇ m or more, or 2.0 ⁇ m or more.
  • the thickness of the main body 21 may be 6.0 ⁇ m or less, 5.0 ⁇ m or less, or 4.0 ⁇ m or less.
  • the main body 21 and the resin layer 30 of the conductive portion 20 are in direct contact with each other at all or part of the interface between the main body 21 and the resin layer 30 without the blackening layer 22 therebetween.
  • the proportion of the blackened layer 22 in the surface portion of the conductive part 20 is reduced, thereby further improving the conductivity of the conductive part 20.
  • FIG. 2 shows a state in which the body portion 21 of the conductive portion 20 and the resin layer 30 are in direct contact with each other at the entire interface between the body portion 21 and the resin layer 30 without the blackening layer 22 therebetween.
  • the main body 21 and the resin layer 30 may be in contact with each other via the blackening layer 22.
  • the blackening layer 22 has a first metal and a second metal different from the first metal.
  • the first metal the same metal as the first metal contained in the main body portion 21 is used.
  • the second metal may be any metal different from the first metal, but preferably has a lower reflectance in the visible light region than the first metal. Examples of the second metal include palladium (Pd) and nickel (Ni).
  • the first metal may be, for example, Cu and the second metal may be Pd.
  • the mass content of the first metal in the blackened layer 22 is not particularly limited, but is preferably 50 mass% or more. In this case, the resistance value of the blackened layer 22 tends to be reduced.
  • the mass content of the first metal in the blackened layer 22 may be 53 mass% or more, or 55 mass% or more.
  • the mass content of the first metal in the blackened layer 22 may be 95 mass% or less, 90 mass% or less, or 85 mass% or less.
  • the mass content of the second metal in the blackened layer 22 may be 15 mass% or more, 20 mass% or more, or 25 mass% or more.
  • the mass content of the second metal in the blackened layer 22 may be 50 mass% or less, 48 mass% or less, or 45 mass% or less. It is preferable that the mass content of the second metal in the blackened layer 22 is 43 mass% or less.
  • the mass content of the first metal in the blackened layer 22 may be greater than or less than the mass content of the second metal in the blackened layer 22; however, it is preferable that the mass content of the first metal in the blackened layer 22 is greater than the mass content of the second metal in the blackened layer 22, i.e., the ratio R2 of the mass content of the first metal in the blackened layer 22 to the mass content of the second metal in the blackened layer 22 is greater than 1.
  • the space group of the crystal structure contained in the blackened layer 22 tends to be Pm-3m, and the resistance value of the blackened layer 22 is effectively reduced, thereby effectively reducing the overall resistance value of the conductive portion 20.
  • the ratio R2 is not particularly limited as long as it is greater than 1, but is preferably 1.2 or more, and more preferably 1.4 or more. However, the ratio R2 is preferably 2.1 or less, and more preferably 2.0 or less.
  • the crystal system contained in the blackening layer 22 may be the same as or different from the crystal system of the first metal contained in the main body 21, but it is preferable that they are the same.
  • the crystal lattice belonging to the crystal system contained in the blackening layer 22 may be the same as or different from the crystal lattice of the first metal, but it is preferable that they are the same. In this case, the resistance value of the blackening layer 22 can be effectively reduced.
  • the crystal system varies depending on the type of the first metal, but examples include cubic and tetragonal crystals.
  • the crystal system of Cu is cubic and the crystal lattice is a face-centered cubic lattice (fcc), so it is preferable that the crystal system contained in the blackening layer 22 is cubic and the crystal lattice is a face-centered cubic lattice.
  • the compound constituting the crystal structure contained in the blackening layer 22 may be an intermetallic compound containing a first metal and a second metal.
  • the intermetallic compound may be an intermetallic compound containing Cu and Pd.
  • Examples of such intermetallic compounds include Cu 3.82 Pd 0.18 , Cu 3 Pd, Cu 3 PdPd, and CuPd.
  • the intermetallic compound is preferably Cu 3.82 Pd 0.18 .
  • the resistance value of the blackening layer 22 is effectively reduced, and therefore the resistance value of the conductive portion 20 as a whole is effectively reduced. Therefore, the conductivity of the conductive film 100 can be effectively improved.
  • the space group of the crystal structure contained in the blackened layer 22 is Pm-3m.
  • the content of the crystal structure having the space group Pm-3m may be 70 mass % or more, may be 80 mass % or more, or may be 100 mass %.
  • the space group of the crystal structure can be identified by observing an electron beam diffraction image of a region observed by a transmission electron microscope (TEM) in a cross section in the thickness direction of the blackened layer 22. Specifically, if a (110) plane is present in the electron beam diffraction image, the space group of the crystal structure can be identified as Pm-3m.
  • TEM transmission electron microscope
  • the maximum size of the crystal grains contained in the blackening layer 22 is not particularly limited, but is preferably less than 30 nm, and more preferably 25 nm or less.
  • visible light is less likely to be scattered and more likely to be absorbed by the blackening layer 22 compared to when the maximum size of the crystal grains contained in the blackening layer 22 is 30 nm or more. Therefore, reflection of visible light at the conductive portion 20 is effectively suppressed. Therefore, the invisibility of the conductive portion 20 can be improved.
  • the maximum size of the crystal grains contained in the blackened layer 22 may be 5 nm or more, or may be 8 nm or more.
  • the “maximum size of crystal grains” refers to the maximum size among the sizes of 10 crystal grains contained within the field of view when any one region of the cross section of the blackened layer 22 in the thickness direction is observed by TEM.
  • the size of a crystal grain refers to the distance between two points on the grain boundary of the crystal grain when the distance between these two points is at its maximum.
  • the surface roughness of the blackened layer 22 is not particularly limited, but is preferably less than 100 nm, more preferably 80 nm or less, and even more preferably 50 nm or less.
  • the surface roughness of the blackened layer 22 is less than 100 nm, the flatness of the surface of the blackened layer 22 is increased, so that the resistance value of the blackened layer 22 can be further reduced. This is particularly effective when the high-frequency current passed through the conductive portion 20 flows mainly through the surface of the conductive portion 20 due to the skin effect.
  • “100 nm” means that the wavelength is sufficiently smaller than the lower limit of the wavelength of visible light.
  • the surface roughness of the blackening layer 22 may be 5 nm or more, 10 nm or more, or 15 nm or more.
  • the "surface roughness" in the present disclosure is the maximum height, and specifically, is the value measured as the maximum height in a surface width of 300 nm of the blackening layer 22 when a cross section of the blackening layer 22 in the thickness direction is observed by TEM.
  • the surface roughness of the blackening layer 22 may be less than the surface roughness of the surface of the main body portion 21 or greater than the surface roughness of the surface of the main body portion 21, but is preferably less than the surface roughness of the surface of the main body portion 21.
  • the surface of the blackening layer 22 has a higher flatness than the surface of the main body 21, and therefore the resistance value of the blackening layer 22 is further reduced, compared to when the surface roughness of the blackening layer 22 is equal to or greater than the surface roughness of the surface of the main body 21.
  • the resistance value of the conductive portion 20 is effectively reduced overall, and the conductivity of the conductive film 100 can be effectively improved.
  • the ratio R3 of the surface roughness of the blackening layer 22 to the surface roughness of the main body 21 may be smaller than 1, but is preferably 0.9 or less, and more preferably 0.8 or less. However, the ratio R3 may be 0.2 or more, or may be 0.3 or more.
  • the thickness of the blackening layer 22 is not particularly limited, but is preferably 100 nm or less, more preferably 80 nm or less, and even more preferably 70 nm or less. When the thickness of the blackening layer 22 is 100 nm or less, the resistance value of the conductive portion 20 as a whole can be further reduced.
  • the thickness of the blackening layer 22 may be 10 nm or more, 15 nm or more, or 20 nm or more.
  • the underlayer 23 includes a third metal.
  • the third metal may be a metal selected from Pd, Cu, Ni, Al, Co, Au, Ag, Pd, Rh, Pt, In, and Sn, may be a metal selected from Pd, Cu, Ni, and Al, may be a metal selected from Pd, Cu, and Ni, or may be Ni.
  • the third metal may be one type alone or a combination of two or more types.
  • the third metal may be the same as or different from the first metal.
  • the third metal may be nickel and the first metal may be copper.
  • the thickness of the underlayer 23 may be 5 nm or more, 10 nm or more, or 30 nm or more, and may be 500 nm or less, 300 nm or less, or 150 nm or less.
  • the resin layer 30 may include a first resin layer 31.
  • the first resin layer 31 includes a resin.
  • the total light transmittance of the first resin layer 31 may be 90 to 100%.
  • the haze of the first resin layer 31 may be 0 to 5%.
  • the resin contained in the first resin layer 31 may be a cured product of a curable resin composition (photocurable resin composition or thermosetting resin composition).
  • This curable resin composition contains a curable resin.
  • the curable resin include acrylic resin, amino resin, cyanate resin, isocyanate resin, polyimide resin, epoxy resin, oxetane resin, polyester resin, allyl resin, phenol resin, benzoxazine resin, xylene resin, ketone resin, furan resin, COPNA (condensed polycyclic polynuclear aromatic) resin, silicon resin, dicyclopentadiene resin, benzocyclobutene resin, episulfide resin, ene-thiol resin, polyazomethine resin, polyvinylbenzyl ether compound, acenaphthylene, and ultraviolet-curable resins containing functional groups that undergo a polymerization reaction under ultraviolet light, such as unsaturated double bonds, cyclic ethers, and vinyl ethers.
  • the thickness of the first resin layer 31 may be, for example, 500 nm or more, 1000 nm or more, or 2000 nm or more, and may be 20 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or less.
  • the resin layer 30 may further include a second resin layer 32 in addition to the first resin layer 31.
  • the second resin layer 32 is provided between the first resin layer 31 and the substrate 10.
  • the second resin layer 32 contains a resin.
  • the second resin layer 32 may further contain first inorganic particles.
  • the resin contained in the second resin layer 32 may be a cured product of a curable resin composition (a photocurable resin composition or a thermosetting resin composition).
  • This curable resin composition includes a curable resin.
  • the curable resin examples include acrylic resin, amino resin, cyanate resin, isocyanate resin, polyimide resin, epoxy resin, oxetane resin, polyester resin, allyl resin, phenol resin, benzoxazine resin, xylene resin, ketone resin, furan resin, COPNA (condensed polycyclic polynuclear aromatic) resin, silicon resin, dicyclopentadiene resin, benzocyclobutene resin, episulfide resin, ene-thiol resin, polyazomethine resin, polyvinylbenzyl ether compound, acenaphthylene, and ultraviolet curable resins containing functional groups that undergo a polymerization reaction with ultraviolet light, such as unsaturated double bonds, cyclic ethers, and vinyl ethers.
  • acrylic resin acrylic resin
  • amino resin cyanate resin
  • isocyanate resin polyimide resin
  • epoxy resin epoxy resin
  • oxetane resin polyester resin
  • allyl resin phenol resin
  • the curable resin may be one type alone or two or more types in combination.
  • the first inorganic particles include silica, alumina, titania, tantalum oxide, zirconia, silicon nitride, barium titanate, barium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, lead titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum zirconate titanate, gallium oxide, spinel, mullite, cordierite, talc, aluminum titanate, barium silicate, boron nitride, calcium carbonate, barium sulfate, calcium sulfate, zinc oxide, magnesium titanate, hydrotalcite, mica, calcined kaolin, and carbon.
  • the second inorganic particles may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the second resin layer 32 is preferably made of a material that has higher adhesion to the substrate 10 than the first resin layer 31.
  • the thickness of the second resin layer 32 may be, for example, 5 nm or more, 100 nm or more, or 200 nm or more, and may be 10 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or less, or 2 ⁇ m or less.
  • the resin layer 30 may further include second inorganic particles at least between the second resin layer 32 and the underlayer 23.
  • the second inorganic particles may be a metal selected from Pd, Cu, Ni, Al, Co, Au, Ag, Pd, Rh, Pt, In, and Sn, may be a metal selected from Pd, Cu, Ni, and Al, may be a metal selected from Pd, Cu, and Ni, or may be Pd.
  • the second inorganic particles may be one type alone or a combination of two or more types.
  • the resin layer 30 may further include second inorganic particles between the second resin layer 32 and the first resin layer 31.
  • the bottom surface of the trench 33 in the resin layer 30 is formed in the first resin layer 31.
  • the trench 33 may be formed so as to penetrate through the first resin layer 31.
  • the method for producing a conductive film according to the present disclosure includes a conductive portion forming step of forming a conductive portion on a main surface side of a substrate, and in the conductive portion forming step, the conductive portion has a main body portion containing a first metal and a blackening layer covering at least the surface of the main body portion opposite the substrate, the blackening layer containing the first metal and a second metal different from the first metal, and the blackening layer is formed so as to have a crystal structure having a space group of Pm-3m.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first structure obtained in a first step
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second structure obtained in a second step
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a third structure obtained in a third step
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a fifth structure obtained in a fifth step.
  • a method for manufacturing the conductive film 100 includes, for example, a first step of forming a resin film 30A on the main surface 10S of the substrate 10 to obtain a first structure 101 (see FIG. 3), a second step of forming a trench 33 by an imprint method on the surface of the resin film 30A opposite the substrate 10 to form a resin layer 30 to obtain a second structure 102 (see FIG. 4), a third step of forming an underlayer 23 as a seed layer containing a third metal in the trench 33 to obtain a third structure 103 (see FIG.
  • the method includes a fourth step of forming a catalyst layer (not shown) on the base layer 23 to obtain a fourth structure, a fifth step of growing a metal plating 24 containing a first metal on the base layer 23 by a plating method to obtain a fifth structure 104 (see FIG. 6), and a sixth step of blackening the exposed surface of the grown metal plating 24 with a blackening treatment solution containing a second metal, thereby forming the exposed surface portion of the metal plating 24 into a blackened layer 22 and forming a conductive portion 20 having the base layer 23, the main body portion 21, and the blackened layer 22 (see FIG. 2).
  • the third step to the sixth step correspond to the conductive portion forming step described above.
  • the resin film 30A is a laminate of a second resin film 32A which becomes the second resin layer 32 and a first resin film 31A which becomes the first resin layer 31 (see FIG. 3).
  • a second resin film 32A containing first inorganic particles and a resin is first formed, and then a second inorganic particle-containing resin layer containing second inorganic particles and a resin as a nucleating agent is formed.
  • the resin is removed from the second inorganic particle-containing resin layer by an ashing process.
  • the second inorganic particles as a nucleating agent remain on the surface of the second resin film 32A.
  • a first resin film 31A is formed on the second resin film 32A via the second inorganic particles.
  • a mold having a protrusion is pressed into the resin film 30A, and then the mold is pulled out from the resin film 30A to form a trench 33 in the resin film 30A, thereby forming the resin layer 30.
  • the trench 33 is formed so as to expose the second inorganic particles present on the surface of the second resin film 32A, i.e., to penetrate the first resin film 31A.
  • the first resin film 31A may be cured in a state in which the mold is pressed into the first resin film 31A to form the first resin layer 31.
  • the first resin film 31A when the first resin film 31A contains a photocurable resin composition, the first resin film 31A may be irradiated with ultraviolet light in a state in which the mold is pressed into the first resin film 31A, thereby curing the first resin film 31A to form the first resin layer 31.
  • the underlayer 23 functions as a seed layer when growing the metal plating 24 in the fifth step.
  • the underlayer 23 can be formed by, for example, immersing the second structure 102 in an electroless plating solution for forming the underlayer, so that the second inorganic particles on the second resin film 32A serve as a nucleating agent.
  • the catalyst layer can be formed on the underlayer 23 by immersing the third structure 103 in a catalyst liquid containing a catalyst.
  • the catalyst in the catalyst solution may be at least one metal selected from copper, nickel, cobalt, palladium, silver, gold, platinum and tin.
  • the metal plating 24 can be grown on the underlayer 23 using the underlayer 23 as a seed layer. The growth of the metal plating 24 is preferably performed by an electroless plating method.
  • the metal plating 24 contains relatively more grain boundaries and impurities than when the metal plating 24 is grown by an electrolytic plating method, and the second metal in the blackening treatment solution is less likely to diffuse into the metal plating 24 in the sixth step, so that the blackening layer 22 containing more of the first metal than the second metal can be formed in a short time.
  • the metal plating 24 is grown by an electroless plating method, specifically, the fourth structure is immersed in, for example, an electroless plating solution, so that the metal plating 24 grows on the underlayer 23 starting from the catalyst layer.
  • the exposed surface of the grown metal plating 24 is blackened with a blackening solution containing a second metal, thereby replacing a portion of the first metal in the metal plating 24 with the second metal, and a blackened layer 22 containing the first metal and the second metal is formed.
  • the blackening treatment can be carried out by contacting the metal plating 24 with a blackening treatment solution containing the second metal.
  • the contact time between the metal plating 24 and the blackening treatment solution can be, for example, 150 seconds or less, or may be 120 seconds or less. Even if the contact time between the metal plating 24 and the blackening treatment solution is 100 seconds or less, the blackening layer 22 can be obtained.
  • the contact time between the metal plating 24 and the blackening treatment solution may be, for example, 30 seconds or more, or 45 seconds or more.
  • the temperature of the blackening treatment liquid is not particularly limited, and may be, for example, 20° C. or higher, or 25° C. or higher.
  • the temperature of the blackening treatment liquid may be, for example, 50° C. or lower, or 45° C. or lower.
  • the compound represented by the composition formula Cu3.18Pd0.82 can be formed in the blackening layer 22 even if the ratio of Pd to Cu is changed over a wide range.
  • the compound represented by the composition formula Cu3.18Pd0.82 can be easily formed in the blackening layer 22 without strictly controlling the ratio of Pd to Cu. This makes it possible to set the contact time between the metal plating 24 and the blackening treatment solution, the temperature of the blackening treatment solution, and the like, which are necessary to adjust the ratio of Pd to Cu, over a wide range.
  • the display device of the present disclosure includes a conductive film.
  • the conductive film the conductive film 100 described above can be used.
  • the conductive film can improve the conductivity while suppressing light reflection. This makes it possible to improve the invisibility of the conductive parts in the display device. In addition, since the conductivity can be improved, heat generation by the conductive parts can be suppressed.
  • the conductive film 100 can be used, for example, as a planar transparent antenna.
  • the display device may be, for example, a liquid crystal display device or an organic EL display device.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing one embodiment of a display device according to the present disclosure.
  • 7 includes an image display unit 201, a conductive film 100, a polarizing plate 202, and a cover glass 203.
  • the conductive film 100, the polarizing plate 202, and the cover glass 203 are laminated in this order from the image display unit 201 side on one surface side of the image display unit 201.
  • the configuration of the display device is not limited to the form shown in FIG. 7, and can be modified as necessary.
  • a polarizing plate 202 may be provided between the image display section 201 and the conductive film 100.
  • the image display section 201 may be, for example, a liquid crystal display section.
  • the polarizing plate 202 and the cover glass 203 may be ones that are commonly used in display devices.
  • the polarizing plate 202 and the cover glass 203 do not necessarily have to be provided.
  • the present disclosure is not limited to the above embodiment.
  • the conductive portion 20 is fixed to the substrate 10 by the resin layer 30, but the conductive portion 20 may be fixed directly to the substrate 10.
  • the resin layer 30 can be omitted.
  • the main body 21 of the conductive portion 20 is composed only of a base portion provided inside the trench 33 when the conductive portion 20 is viewed in a plan view (i.e., when viewed in a direction perpendicular to the main surface 10S of the substrate 10), but the main body 21 may be composed of a base 21a and protrusions 21b provided on both sides of the base 21a, as in the conductive film 110 shown in FIG. 8.
  • the main body 21 has a base 21a and protrusions 21b provided on both sides of the base 21a, it is preferable that the protrusions 21b contact a surface 30S of the resin layer 30 opposite the substrate 10.
  • the main body 21 has protrusions 21b provided on both sides of the base 21a, and the protrusions 21b are in contact with the surface 30S of the resin layer 30 opposite to the substrate 10, so that the contact area between the resin layer 30 and the conductive portion 20 is increased compared to when the main body 21 does not have the protrusions 21b. Therefore, the adhesion between the resin layer 30 and the conductive portion 20 is further improved, and the conductive portion 20 is less likely to peel off from the resin layer 30.
  • the thermal expansion coefficient of the conductive portion 20 is generally smaller than the thermal expansion coefficient of the resin layer 30. Therefore, the base 21a is less likely to expand in the thickness direction than the resin layer 30. Therefore, even if the surrounding temperature increases and the resin layer 30 tries to expand in the thickness direction, the expansion of the resin layer 30 in the thickness direction is suppressed by the protrusions 21b, and the conductive portion 20 is less likely to peel off from the resin layer 30.
  • the blackening layer 22 may cover the first surface 21c and the second surface 21d of the main body 21. In this case, even when light is incident toward the main surface 10S of the substrate 10, the blackening layer 22 suppresses reflection of light.
  • the bottom surface of the trench 33 of the resin layer 30 is formed in the first resin layer 31, but may be formed in the second resin layer 32 or the substrate 10. In this case, the aspect ratio of the conductive portion 20 can be made higher than when the bottom surface of the trench 33 is formed in the first resin layer 31, and the conductivity of the conductive portion 20 can be further improved.
  • the aspect ratio is the ratio of the thickness of the conductive portion 20 to the width of the conductive portion 20.
  • the width of the conductive portion 20 is the width in the direction perpendicular to the extension direction of the conductive portion 20 when the conductive portion 20 is viewed in plan from the blackening layer 22 side, and the thickness of the conductive portion 20 is the distance between the position of the conductive portion 20 closest to the substrate 10 side and the position of the conductive portion 20 farthest from the substrate 10.
  • the present disclosure includes the following configuration examples, but is not limited to the following configuration examples.
  • the blackening layer may have a greater mass content of the first metal than a mass content of the second metal.
  • the resistance value of the blackened layer is effectively reduced, and therefore the resistance value of the conductive portion as a whole is effectively reduced, and therefore the conductivity of the conductive film can be effectively improved.
  • the first metal may be copper and the second metal may be palladium.
  • the blackening layer may contain a compound represented by a composition formula of Cu3.18Pd0.82 .
  • the resistance value of the blackened layer is effectively reduced, and therefore the resistance value of the conductive portion as a whole is effectively reduced, and therefore the conductivity of the conductive film can be effectively improved.
  • the blackening layer may include crystal grains, and the maximum size of the crystal grains may be less than 30 nm. In this case, when light is incident on the conductive portion, the visible light is less likely to be scattered by the blackening layer and is more likely to be absorbed, which effectively suppresses the reflection of visible light at the conductive portion, thereby improving the invisibility of the conductive portion.
  • the blackening layer may have a thickness of 100 nm or less. In this case, by making the thickness of the blackened layer 100 nm or less, the resistance value of the conductive portion as a whole can be further reduced.
  • the blackening layer may have a surface roughness of less than 100 nm.
  • the surface of the blackened layer has high flatness, so that the resistance value of the blackened layer can be further reduced, which is particularly effective when the high frequency current applied to the conductive part flows mainly through the surface of the conductive part due to the skin effect.
  • the blackening layer may have a surface roughness smaller than a surface roughness of the surface of the main body portion.
  • the surface of the blackening layer has a higher flatness than the surface of the main body, and the resistance value of the blackening layer is further reduced, compared to when the surface roughness of the blackening layer is equal to or greater than the surface roughness of the surface of the main body. Therefore, the resistance value of the conductive part as a whole is effectively reduced, and the conductivity of the conductive film can be effectively improved.
  • the influence of the surface of the blackening layer is reduced, and the conductivity of the conductive film can be further improved.
  • the conductive film may further include a resin layer provided on a main surface side of the base material, the resin layer having a trench, and the conductive portion filling the trench.
  • the resin layer has a trench, and the conductive portion is filled in the trench, whereby the conductive portion is stably fixed to the substrate.
  • the main body of the conductive portion and the resin layer may be in direct contact with each other without the blackened layer at at least a part of the interface between the main body and the resin layer.
  • the proportion of the blackened layer in the surface layer of the conductive portion is reduced, thereby further improving the conductivity of the conductive portion.
  • the conductive portion when the conductive portion is viewed in a plane, the conductive portion has a base provided inside the trench and protrusions provided on both sides of the base, and the protrusions may be in contact with the surface of the resin layer opposite the substrate.
  • the main body has protrusions provided on both sides of the base, and the protrusions are in contact with the surface of the resin layer opposite to the substrate, so that the contact area between the resin layer and the conductive part is increased compared to when the main body does not have the protrusions. Therefore, the adhesion between the resin layer and the conductive part is further improved, and the conductive part is less likely to peel off from the resin layer.
  • the thermal expansion coefficient of the conductive part is generally smaller than that of the resin layer. Therefore, the base is less likely to expand in the thickness direction than the resin layer. Therefore, even if the surrounding temperature increases and the resin layer tries to expand in the thickness direction, the expansion of the resin layer in the thickness direction is suppressed by the protrusions, and the conductive part is less likely to peel off from the resin layer.
  • the conductive film can improve the conductivity while suppressing the reflection of light. Therefore, the invisibility of the conductive portion in the display device can be improved. In addition, since the conductivity can be improved, heat generation by the conductive portion can be suppressed.
  • Example 1 As a substrate, a COP film (thickness: 100 ⁇ m) was prepared. Next, a second resin composition containing silica as the first inorganic particles, an acrylic resin as the resin, and methyl ethyl ketone (MEK) as the solvent was applied onto the main surface of the substrate, and dried to form a second resin film having a thickness of 0.3 ⁇ m. Next, a Pd-containing resin composition containing Pd as the second inorganic particles, an acrylic resin as the resin, and methyl ethyl ketone (MEK) as the solvent was applied and dried to form a Pd-containing resin layer having a thickness of 60 ⁇ m.
  • a Pd-containing resin composition containing Pd as the second inorganic particles, an acrylic resin as the resin, and methyl ethyl ketone (MEK) as the solvent was applied and dried to form a Pd-containing resin layer having a thickness of 60 ⁇ m.
  • the resin in the Pd-containing resin layer was removed by an ashing process, and then a first resin composition containing an acrylic resin as the resin was applied onto the Pd particles remaining on the second resin film to form a first resin film having a thickness of 2 ⁇ m. In this way, a resin film having a thickness of 2.3 ⁇ m was formed, and a first structure was obtained.
  • trenches were formed by imprinting on the surface of the resin film opposite the substrate to form a resin layer, thereby obtaining a second structure.
  • a mold with mesh-shaped protrusions was pressed into the resin film, and then the mold was pulled out of the resin film to form a mesh pattern in the resin film with trenches 2 ⁇ m deep and 1.5 ⁇ m wide.
  • the Pd particles remaining on the second resin film were exposed. In this way, a resin layer was formed.
  • the pitch of the mesh pattern was set to 100 ⁇ m.
  • the second structure was immersed in an electroless plating solution containing nickel sulfate and sodium hypophosphite to grow Ni plating on the Pd particles remaining on the second resin film, and a Ni layer was formed as a base layer in the trench to obtain a third structure.
  • the third structure with the Ni layer formed thereon was immersed in a Pd catalyst solution to form a Pd catalyst layer, and a fourth structure was obtained.
  • the obtained fourth structure was immersed in an electroless plating solution containing copper sulfate and formalin, and Cu plating was grown on the Ni layer starting from the Pd catalyst layer to form a Cu layer in the trench, thereby forming a conductive layer having a mesh pattern in the trench, thereby obtaining a fifth structure.
  • the fifth structure was immersed in a blackening treatment solution containing palladium at room temperature (25°C) for 60 seconds to blacken the exposed surface of the grown copper plating, thereby turning the surface portion of the copper plating into a blackened layer, forming a conductive portion having a base layer, a main body portion and a blackened layer, and forming mesh wiring having a conductive portion in a mesh pattern having trenches. In this manner, a conductive film was obtained.
  • the conductive film obtained as described above was analyzed using TEM observation and electron beam diffraction to determine the thickness of the main body, the composition ratio of Cu and Pd in the blackened layer (Cu:Pd, mass ratio), the thickness of the blackened layer, the maximum size of the crystal grains in the blackened layer, the crystal structure (crystal lattice) of the blackened layer, the space group of the crystal structure of the blackened layer, and the compound phase that constitutes the crystal structure of the blackened layer.
  • the results are shown in Table 1.
  • the TEM observation and electron beam diffraction analysis were carried out using a scanning transmission electron microscope (STEM) equipped with an EDS detector (manufactured by JEOL Ltd., product name: JEM-2011F).
  • Example 1 A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the fifth structure was immersed in a blackening treatment solution containing palladium at room temperature (25° C.) for 180 seconds.
  • the conductive film obtained as described above was subjected to TEM observation and analysis using electron beam diffraction in the same manner as in Example 1 to determine the thickness of the main body, the composition ratio of Cu and Pd in the blackened layer (Cu:Pd, mass ratio), the thickness of the blackened layer, the maximum size of the crystal grains in the blackened layer, the crystal structure (crystal lattice) of the blackened layer, the space group of the crystal structure of the blackened layer, and the compound phase that constitutes the crystal structure of the blackened layer.
  • Table 1 The results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 2 A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that no blackening treatment was performed and no blackening layer was formed.
  • the thickness of the main body portion, the composition ratio of Cu and Pd in the blackened layer (Cu:Pd, mass ratio), the thickness of the blackened layer, the maximum size of the crystal grains in the blackened layer, the crystal structure (crystal lattice) of the blackened layer, the space group of the crystal structure of the blackened layer, and the compound phases constituting the crystal structure of the blackened layer are indicated as "-" in Table 1.
  • Example 1 Light Reflection Suppression Effect Evaluation samples were prepared to evaluate the light reflection suppression effect of the conductive films obtained in Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. Specifically, the evaluation samples were prepared in the same manner as in Example 1, Comparative Example 1, or Comparative Example 2, except that a resin layer was not formed on the main surface of the substrate, and a conductive portion was formed on the entire main surface of the substrate. Then, the reflectance of the evaluation samples was measured for light with a wavelength of 550 nm using a spectrophotometer. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 had the same reflectance of light with a wavelength of 550 nm as Comparative Example 1, but the surface resistance of the conductive portion was sufficiently reduced.
  • the conductive film disclosed herein can improve conductivity while suppressing light reflection.
  • a conductive film comprising: a substrate; and a conductive portion provided on a main surface side of the substrate, the conductive portion having a main body portion containing a first metal; and a blackening layer covering at least a surface of the main body portion opposite the substrate, the blackening layer containing the first metal and a second metal different from the first metal, and the blackening layer having a crystal structure having a space group of Pm-3m.
  • the mass content of the first metal is greater than the mass content of the second metal.
  • a display device comprising the conductive film described in [9] or [10], wherein the main body portion has, when viewed in a plane, a base portion provided inside the trench and protrusions provided on both sides of the base, and the protrusions are in contact with the surface of the resin layer opposite the substrate.
  • a display device comprising the conductive film described in any of [1] to [11].
  • 10 ...substrate, 10S...main surface, 20...conductive portion, 21...main body, 21a...base, 21b...protruding portion, 22...blackened layer, 30...resin layer, 33...trench, 100...conductive film, 200...display device.

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Abstract

基材と、基材の主面側に設けられる導電部とを備え、導電部が、第１金属を含む本体部と、本体部の表面のうち少なくとも基材と反対側の面を被覆する黒化層とを有し、黒化層が、第１金属と、第１金属とは異なる第２金属とを含み、黒化層が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する、導電性フィルム。

Description

導電性フィルム及び表示装置
　本開示は、導電性フィルム及び表示装置に関する。
　タッチパネルなどの表示部を有する表示装置は、表示部の表面側に、導電部をメッシュ状に形成してなる導電パターンを有する導電性フィルムを備えることがある。
　このような導電性フィルムにおいては、導電部からの光の反射を抑制するために、導電パターンが、導電部本体と、その導電部本体上に設けられる黒化層とを有することがある。
　例えば下記特許文献１には、基板と、基板の少なくとも一方の主面上に配置された、金属細線から構成された導電部とを含む導電性フィルムであって、金属細線が、基板側からこの順に配置された下地層及び導電層と、導電層の表面を被覆する黒化層とを含み、且つ、線幅が２．０μｍ以下であり、下地層が、金属酸化物又は金属窒化物を主成分として含み、黒化層がパラジウムを含み、導電層が、銅を主成分として含む、導電性フィルムが開示されている。
国際公開第２０１９／０６５７８２号
　しかし、上記特許文献１に記載の導電性フィルムは、以下の課題を有していた。
　すなわち、上記特許文献１に記載の導電性フィルムは、光の反射が抑制されて不可視性は向上するものの、導電性の向上の点で改善の余地を有していた。
　本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光の反射を抑制しながら、導電性を向上させることができる導電性フィルム及び表示装置を提供することを目的とする。
　本開示の一側面は、基材と、前記基材の主面側に設けられる導電部とを備え、前記導電部が、第１金属を含む本体部と、前記本体部の表面のうち少なくとも前記基材と反対側の面を被覆する黒化層とを有し、前記黒化層が、前記第１金属と、前記第１金属とは異なる第２金属とを含み、前記黒化層が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する、導電性フィルムを提供する。
　本開示によれば、光の反射を抑制しながら、導電性を向上させることができる導電性フィルム及び表示装置が提供される。
本開示の導電性フィルムの一実施形態を示す部分平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 第１工程で得られる第１構造体を示す断面図である。 第２工程で得られる第２構造体を示す断面図である。 第３工程で得られる第３構造体を示す断面図である。 第５工程で得られる第５構造体を示す断面図である。 本開示の表示装置の一実施形態を示す部分断面図である。 本開示の導電性フィルムの他の実施形態を示す部分断面図である。
　以下、本開示の実施形態について詳細に説明する。
＜＜導電性フィルム＞＞
　まず、本開示の導電性フィルムの一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本開示の導電性フィルムの一実施形態を示す部分平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。
　図１及び図２に示される導電性フィルム１００は、基材１０と、基材１０の主面１０Ｓ側に設けられる線状の導電部２０を含むメッシュ配線４０と、樹脂層３０とを備えている。
　樹脂層３０は、基材１０の主面１０Ｓ上に設けられ、基材１０と反対側にトレンチ３３を有している。導電部２０はトレンチ３３に充填されており、樹脂層３０を介して基材１０に固定されている。
　導電部２０は、第１金属を含む本体部２１と、黒化層２２とをこの順に有している。黒化層２２は、トレンチ３３内に設けられ、本体部２１のうち基材１０と反対側の表面の第１面２１ｃを被覆している。黒化層２２は、第１金属と、第１金属とは異なる第２金属とを含み、黒化層２２は、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する。
　この導電性フィルム１００によれば、基材１０の主面１０Ｓ上に設けられる導電部２０において、黒化層２２が、本体部２１の表面の第１面２１ｃを被覆しているため、基材１０の主面１０Ｓに向かって光が入射される場合でも、黒化層２２により、光の反射が抑制される。また、本体部２１が第１金属を含み、黒化層２２が、第１金属と、第１金属とは異なる第２金属とを含む状態で、黒化層２２が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有すると、導電部２０の黒化層２２の抵抗値が低減されるため、導電部２０の抵抗値が全体として低減される。このため、導電性フィルム１００の導電性を向上させることができる。このことは、導電部２０に流される高周波電流が表皮効果により主に導電部２０の表面を流れる場合に特に有効である。高周波電流が主に導電部２０の表面を流れる場合には、導電部２０の表面の一部を構成している黒化層２２の抵抗値が導電部２０の導電性に大きく影響するためである。
　黒化層２２が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する場合に黒化層２２の抵抗値が低減される理由については、以下のとおりではないかと本開示の発明者らは推測する。
　すなわち、空間群がＦｍ－３ｍの結晶構造では第２金属の原子がランダムに存在し、結晶構造の規則性が低くなる。これに対し、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造では、第２金属の原子が特定の格子（場所）に存在しており、結晶構造の規則性が高くなる。そのため、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を含む黒化層２２においては、電流が流される場合に電子の流れが妨げられずに低い抵抗値を得ることが可能となるのではないかと考えられる。
　また、導電部２０は、樹脂層３０のトレンチ３３に充填されている。このため、導電部２０が樹脂層３０によって基材１０に安定的に固定され、導電部２０が基材１０から剥離しにくくなる。
　以下、基材１０、導電部２０及び樹脂層３０について詳細に説明する。
＜基材＞
　基材１０は、導電部２０を固定する部材である。基材１０は、光透過性基材であってよい。光透過性基材は、例えば、導電性フィルム１００が表示装置に含まれる場合に必要とされる程度の光透過性を有する。具体的には、基材１０の全光線透過率は９０～１００％であってよい。あるいは、基材１０のヘイズが０～５％であってもよい。
　基材１０は、例えば透明樹脂フィルムであってよく、その例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、又はポリイミド（ＰＩ）のフィルムが挙げられる。基材１０はガラス基板であってもよい。
　基材１０の厚みは、１μｍ以上、１０μｍ以上、又は２０μｍ以上であってよく、５００μｍ以下、２００μｍ以下、又は１００μｍ以下であってよい。
＜導電部＞
　導電部２０は、本体部２１と、黒化層２２とを有する。導電部２０は、本体部２１の基材１０側に下地層２３をさらに有していてもよい。
　導電部２０の幅は、特に制限されるものではないが、不可視性を高める観点からは、好ましくは４μｍ以下であり、より好ましくは２μｍ以下である。但し、導電部２０の幅は、導電部２０の抵抗を低下させる観点からは、好ましくは０．５μｍ以上であり、より好ましくは０．８μｍ以上である。
　なお、導電部２０の幅とは、具体的には、導電部２０を黒化層２２側から平面視したときの導電部２０の延在方向に直交する方向の幅をいう。
　メッシュ配線４０において、対向する導電部２０同士の間隔（ピッチ）は、特に制限されるものではないが、導電性を高める観点からは、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以下である。不可視性を高める観点からは、導電部２０のピッチは、例えば５０μｍ以上であってよく、８０μｍ以上であってもよい。
（本体部）
　本体部２１は、第１金属を有する。第１金属は、特に制限されるものではないが、第１金属としては、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などが挙げられる。
　本体部２１は、適切な導電性が維持される範囲で、リン等の非金属元素を更に含んでいてもよい。
　本体部２１に含まれる結晶構造の空間群は、特に制限されるものではなく、Ｐｍ－３ｍであってよく、Ｆｍ－３ｍであってもよいが、Ｆｍ－３ｍであることが好ましい。
　本体部２１中の第１金属の質量含有率は、例えば５０質量％以上であってよく、５５質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　本体部２１は結晶粒を含んでよい。結晶粒の粒径（結晶粒径）の最大サイズは、特に制限されるものではないが、３０ｎｍ以下であることが好ましく、２５ｎｍ以下であることがより好ましい。本体部２１に含まれる結晶粒径の最大サイズは、５ｎｍ以上であってもよく、８ｎｍ以上であってもよい。
　本開示の「結晶粒径の最大サイズ」は、本体部２１の厚み方向の断面の任意の１箇所の領域を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察したときの、視野内に含まれる結晶粒１０個の結晶粒のサイズのうちの最大サイズをいう。
　なお、結晶粒のサイズは、結晶粒の粒界上の２点間の距離が最大となる場合における、その２点間の距離をいう。
　本体部２１の厚みは、導電部２０に必要とされる抵抗値に基づいて適宜設定されるものであり、特に制限されるものではないが、例えば１．０μｍ以上、１．５μｍ以上、又は２．０μｍ以上であってよい。本体部２１の厚みは、６．０μｍ以下、５．０μｍ以下、又は４．０μｍ以下であってよい。
　導電部２０の本体部２１と樹脂層３０との界面の全部又は一部において、本体部２１と樹脂層３０とが黒化層２２を介さずに直接接触していることが好ましい。
　この場合、導電部２０に流される高周波電流が表皮効果により導電部２０の表層部を流れる場合でも、導電部２０の表層部における黒化層２２の割合が減少するため、導電部２０の導電性をより向上させることができる。
　図２では、導電部２０の本体部２１と樹脂層３０との界面の全部において、本体部２１と樹脂層３０とが黒化層２２を介さずに直接接触している状態が示されている。
　なお、導電部２０の本体部２１と樹脂層３０との界面の一部において、本体部２１と樹脂層３０とが黒化層２２を介して接触していてもよい。
（黒化層）
　黒化層２２は、第１金属と、第１金属と異なる第２金属とを有する。
　第１金属としては、本体部２１に含まれる第１金属と同じ金属が用いられる。
　第２金属は、第１金属と異なる金属であればよいが、第１金属に対して可視光領域で反射率が低いことが好ましい。第２金属としては、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。
　黒化層２２においては、例えば第１金属がＣｕで、第２金属がＰｄであってよい。
　黒化層２２中の第１金属の質量含有率は、特に制限されるものではないが、５０質量％以上であることが好ましい。この場合、黒化層２２の抵抗値を低減できる傾向がある。黒化層２２中の第１金属の質量含有率は、５３質量％以上であってもよく、５５質量％以上であってもよい。黒化層２２中の第１金属の質量含有率は、９５質量％以下であってよく、９０質量％以下であってもよく、８５質量％以下であってもよい。
　黒化層２２中の第２金属の質量含有率は、１５質量％以上であってよく、２０質量％以上であってもよく、２５質量％以上であってもよい。黒化層２２中の第２金属の質量含有率は、５０質量％以下であってよく、４８質量％以下であってもよく、４５質量％以下であってもよい。黒化層２２中の第２金属の質量含有率は、４３質量％以下であることが好ましい。
　黒化層２２中の第１金属の質量含有率は、黒化層２２中の第２金属の質量含有率よりも大きくても、第２金属の質量含有率以下であってもよいが、黒化層２２中の第１金属の質量含有率は、黒化層２２中の第２金属の質量含有率よりも大きいこと、すなわち黒化層２２中の第２金属の質量含有率に対する黒化層２２中の第１金属の質量含有率の比Ｒ２が１より大きいことが好ましい。
　この場合、黒化層２２に含まれる結晶構造の空間群がＰｍ－３ｍになりやすくなり、黒化層２２の抵抗値が効果的に低減されるため、導電部２０の抵抗値が全体として効果的に低減される。このため、導電性フィルム１００の導電性を効果的に向上させることができる。
　上記比Ｒ２は、１より大きければ特に制限されるものではないが、１．２以上であることが好ましく、１．４以上であることがより好ましい。但し、上記比Ｒ２は、２．１以下であることが好ましく、２．０以下であることがより好ましい。
　黒化層２２に含まれる結晶系は、本体部２１に含まれる第１金属の結晶系と同一であっても異なってもよいが、同一であることが好ましい。黒化層２２に含まれる結晶系に属する結晶格子は、第１金属の結晶格子と同一であっても異なってもよいが、同一であることが好ましい。この場合、黒化層２２の抵抗値が効果的に低減できる。結晶系は、第１金属の種類によって異なるが、例えば立方晶、正方晶などが挙げられる。
　また、例えば、第１金属がＣｕである場合、Ｃｕの結晶系は立方晶であり、結晶格子は面心立方格子（ｆｃｃ）であるから、黒化層２２に含まれる結晶系は立方晶で、結晶格子は面心立方格子であることが好ましい。
　黒化層２２に含まれる結晶構造を構成する化合物は、第１金属及び第２金属を含む金属間化合物であればよい。第１金属がＣｕ、第２金属がＰｄである場合、金属間化合物は、Ｃｕ及びＰｄを含む金属間化合物であればよい。このような金属間化合物としては、Ｃｕ３．８２Ｐｄ０．１８、Ｃｕ３Ｐｄ、Ｃｕ３ＰｄＰｄ、ＣｕＰｄが挙げられる。中でも、金属間化合物は、Ｃｕ３．８２Ｐｄ０．１８が好ましい。この場合、黒化層２２の抵抗値が効果的に低減されるため、導電部２０の抵抗値が全体として効果的に低減される。このため、導電性フィルム１００の導電性を効果的に向上させることができる。
　黒化層２２に含まれる結晶構造の空間群は、Ｐｍ－３ｍである。黒化層２２において、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造の含有率は、７０質量％以上であってよく、８０質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　結晶構造の空間群は、黒化層２２の厚み方向の断面において透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察した領域の電子線回折像を観察することにより特定することができる。具体的には、電子線回折像に（１１０）面が存在すれば、結晶構造の空間群がＰｍ－３ｍであることが特定できる。
　黒化層２２に含まれる結晶粒径の最大サイズは、特に制限されるものではないが、３０ｎｍ未満であることが好ましく、２５ｎｍ以下であることがより好ましい。黒化層２２に含まれる結晶粒径の最大サイズが３０ｎｍ未満であると、黒化層２２に含まれる結晶粒径の最大サイズが３０ｎｍ以上の場合に比べて、導電部２０に光が入射されると、黒化層２２で可視光が散乱されにくくなり、吸収されやすくなる。このため、導電部２０における可視光の反射が効果的に抑制される。このため、導電部２０の不可視性を高めることができる。
　黒化層２２に含まれる結晶粒径の最大サイズは、５ｎｍ以上であってもよく、８ｎｍ以上であってもよい。
　本開示の「結晶粒径の最大サイズ」は、黒化層２２の厚み方向の断面の任意の１箇所の領域をＴＥＭによって観察したときの、視野内に含まれる結晶粒１０個の結晶粒のサイズのうちの最大サイズをいう。
　なお、結晶粒のサイズは、結晶粒の粒界上の２点間の距離が最大となる場合における、その２点間の距離をいう。
　黒化層２２の表面粗さは、特に制限されるものではないが、１００ｎｍ未満であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。黒化層２２の表面粗さが１００ｎｍ未満になると、黒化層２２の表面の平坦性が高くなるため、黒化層２２の抵抗値をより低減させることができる。このことは、導電部２０に流される高周波電流が表皮効果により主に導電部２０の表面を流れる場合に特に有効である。
　なお、「１００ｎｍ」は、可視光の波長の下限よりも十分小さいことを意味するものである。
　黒化層２２の表面粗さは、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、又は１５ｎｍ以上であってよい。
　本開示の「表面粗さ」は、最大高さであり、具体的には、黒化層２２の厚み方向の断面をＴＥＭ観察したときの、黒化層２２の表面幅３００ｎｍにおける最大高さとして測定される値である。
　黒化層２２の表面粗さは、本体部２１の表面の表面粗さよりも小さくても、本体部２１の表面の表面粗さ以上であってもよいが、本体部２１の表面の表面粗さよりも小さいことが好ましい。
　この場合、黒化層２２の表面粗さが、本体部２１の表面の表面粗さ以上である場合に比べて、黒化層２２の表面が本体部２１の表面より高い平坦性を有するため、黒化層２２の抵抗値がより低減される。このため、導電部２０の抵抗値が全体として効果的に低減され、導電性フィルム１００の導電性を効果的に向上させることができる。特に、導電部２０に流される高周波電流が表皮効果により主に導電部２０の表面を流れる場合でも、黒化層２２の表面による影響が小さくなるため、導電性フィルム１００の導電性をより向上させることができる。
　本体部２１の表面の表面粗さに対する黒化層２２の表面粗さの比Ｒ３は、１より小さければよいが、０．９以下であることが好ましく、０．８以下であることがより好ましい。但し、上記比Ｒ３は、０．２以上であってよく、０．３以上であってもよい。
　黒化層２２の厚みは、特に制限されるものではないが、１００ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましい。黒化層２２の厚みが１００ｎｍ以下になると、導電部２０全体としての抵抗値をより低減させることができる。
　黒化層２２の厚みは、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上であってよい。
（下地層）
　下地層２３は、第３金属を含む。
　第３金属は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｎ、及びＳｎから選ばれる金属であってもよく、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれる金属であってもよく、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる金属であってもよく、Ｎｉであってもよい。第３金属は、１種類単独若しくは２種類以上の組合せであってもよい。第３金属は、第１金属と同一でもよく、異なってもよい。例えば第３金属がニッケルであり、第１金属が銅であってよい。
　下地層２３の厚みは、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、又は３０ｎｍ以上であってよく、５００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、又は１５０ｎｍ以下であってよい。
（樹脂層）
　樹脂層３０は、図２に示すように、第１樹脂層３１を含んでよい。第１樹脂層３１は、樹脂を含む。
　第１樹脂層３１の全光線透過率は９０～１００％であってよい。第１樹脂層３１のヘイズは０～５％であってよい。
　第１樹脂層３１に含まれる樹脂は、硬化性樹脂組成物（光硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物）の硬化物であってよい。この硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂を含む。硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ（縮合多環多核芳香族）樹脂、ケイ素樹脂、ジクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、並びに、不飽和二重結合、環状エーテル、及びビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂が挙げられる。
　第１樹脂層３１の厚みは、例えば５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以上、又は２０００ｎｍ以上であってよく、２０μｍ以下、１０μｍ以下、又は５μｍ以下であってもよい。
（第２樹脂層）
　樹脂層３０は、図２に示すように、第１樹脂層３１に加えて、第２樹脂層３２をさらに備えてもよい。第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１と基材１０との間に設けられる。
　第２樹脂層３２は、樹脂を含む。第２樹脂層３２は、第１無機粒子をさらに含有してもよい。
　第２樹脂層３２に含まれる樹脂は、硬化性樹脂組成物（光硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物）の硬化物であってもよい。この硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂を含む。硬化性樹脂としては、例えばアクリル樹脂、アミノ樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル樹脂、アリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、フラン樹脂、ＣＯＰＮＡ（縮合多環多核芳香族）樹脂、ケイ素樹脂、ジクロペンタジエン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エピスルフィド樹脂、エン－チオール樹脂、ポリアゾメチン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物、アセナフチレン、並びに、不飽和二重結合、環状エーテル、及びビニルエーテル等の紫外線で重合反応を起こす官能基を含む紫外線硬化樹脂が挙げられる。硬化性樹脂は、１種単独又は２種類以上の組合せであってもよい。
　第１無機粒子としては、例えばシリカ、アルミナ、チタニア、酸化タンタル、ジルコニア、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、酸化ガリウム、スピネル、ムライト、コーディエライト、タルク、チタン酸アルミニウム、ケイ酸バリウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸マグネシウム、ハイドロタルサイト、雲母、焼成カオリン、及びカーボンなどが挙げられる。上記第２無機粒子は、１種単独で又は２種類以上を組み合せて使用してもよい。
　第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１よりも基材１０に対する密着性が高い材料で構成されることが好ましい。
　第２樹脂層３２の厚みは、例えば５ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、又は２００ｎｍ以上であってもよく、１０μｍ以下、５μｍ以下、又は２μｍ以下であってもよい。
　樹脂層３０は、少なくとも第２樹脂層３２と下地層２３との間に、第２無機粒子をさらに備えていてもよい。第２無機粒子は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｎ、及びＳｎから選ばれる金属であってもよく、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれる金属であってもよく、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる金属であってもよく、Ｐｄであってもよい。第２無機粒子は、１種類単独若しくは２種類以上の組合せであってもよい。樹脂層３０は、第２樹脂層３２と第１樹脂層３１との間に、第２無機粒子をさらに備えていてもよい。
（トレンチ）
　樹脂層３０のトレンチ３３の底面は、図２では、第１樹脂層３１に形成されている。トレンチ３３は、第１樹脂層３１を貫通するように形成されていてよい。
＜＜導電性フィルムの製造方法＞＞
　次に、本開示の導電性フィルムの製造方法の実施形態について説明する。
　本開示の導電性フィルムの製造方法は、基材の主面側に導電部を形成する導電部形成工程を備え、導電部形成工程において、導電部が、第１金属を含む本体部と、本体部の表面のうち少なくとも基材と反対側の面を被覆する黒化層とを有し、黒化層が、第１金属と、第１金属とは異なる第２金属とを含み、黒化層が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有するように形成する。
　以下、導電性フィルムが上述した導電性フィルム１００である場合における導電性フィルム１００の製造方法について図３～図６を参照しながら説明する。
　図３は、第１工程で得られる第１構造体を示す断面図、図４は、第２工程で得られる第２構造体を示す断面図、図５は、第３工程で得られる第３構造体を示す断面図、図６は、第５工程で得られる第５構造体を示す断面図である。
　導電性フィルム１００の製造方法は、例えば基材１０の主面１０Ｓ上に樹脂膜３０Ａを形成し、第１構造体１０１を得る第１工程と（図３参照）、樹脂膜３０Ａのうち基材１０と反対側の面に、インプリント法によりトレンチ３３を形成して樹脂層３０を形成し、第２構造体１０２を得る第２工程と（図４参照）、トレンチ３３内に、第３金属を含むシード層としての下地層２３を形成して第３構造体１０３を得る第３工程と（図５参照）、第３構造体１０３において、下地層２３の上に触媒層（図示せず）を形成し、第４構造体を得る第４工程と、下地層２３上に、めっき法により、第１金属を含む金属めっき２４を成長させて第５構造体１０４を得る第５工程と（図６参照）、成長した金属めっき２４のうち露出する表面を、第２金属を含む黒化処理液で黒化処理することにより、金属めっき２４のうち露出する表層部を黒化層２２とし、下地層２３、本体部２１及び黒化層２２を有する導電部２０を形成する第６工程とを含む（図２参照）。ここで、第３工程から第６工程が、上述した導電部形成工程に相当する。
　第１工程において、樹脂膜３０Ａは、第２樹脂層３２となる第２樹脂膜３２Ａと、第１樹脂層３１となる第１樹脂膜３１Ａの積層体である（図３参照）。
　第１工程では、例えば、まず第１無機粒子及び樹脂を含む第２樹脂膜３２Ａを形成した後、核剤としての第２無機粒子及び樹脂を含む第２無機粒子含有樹脂層を形成する。その後、第２無機粒子含有樹脂層に対し、アッシング処理により樹脂を除去する。このとき、第２樹脂膜３２Ａの表面上には核剤としての第２無機粒子が残存する。次に、第２樹脂膜３２Ａ上に、第２無機粒子を介して第１樹脂膜３１Ａを形成する。
　第２工程では、例えば、樹脂膜３０Ａに対して、凸部を有するモールドを押し込み、その後、モールドを樹脂膜３０Ａから引き抜くことにより、樹脂膜３０Ａにトレンチ３３が形成され、樹脂層３０が形成される。このとき、トレンチ３３は、第２樹脂膜３２Ａの表面上に存在する第２無機粒子が露出するように、すなわち、第１樹脂膜３１Ａを貫通するように形成する。
　第１樹脂膜３１Ａが硬化性樹脂組成物を含む場合、第１樹脂膜３１Ａにモールドが押し込まれた状態で第１樹脂膜３１Ａを硬化させて第１樹脂層３１を形成してもよい。具体的に、第１樹脂膜３１Ａが光硬化性樹脂組成物を含む場合には、第１樹脂膜３１Ａにモールドが押し込まれている状態で第１樹脂膜３１Ａに対して紫外線を照射し、それによって第１樹脂膜３１Ａを硬化させて第１樹脂層３１を形成してもよい。
　第３工程では、下地層２３は、第５工程において金属めっき２４を成長させる際のシード層として機能する。下地層２３は、例えば第２構造体１０２を下地層形成用の無電解めっき液に浸漬させることにより、第２樹脂膜３２Ａ上の第２無機粒子を核剤として形成させることができる。
　第４工程では、触媒層は、第３構造体１０３を、触媒を含む触媒液に浸漬することにより下地層２３の上に形成することができる。
　触媒液中の触媒としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズから選ばれる少なくとも１種の金属を用いることができる。
　第５工程では、例えば、下地層２３をシード層として、下地層２３上に金属めっき２４を成長させることができる。金属めっき２４の成長は、無電解めっき法により行うことが好ましい。この場合、金属めっき２４の成長を電解めっき法により行う場合に比べて、金属めっき２４中に粒界および不純物が比較的多く含まれるようになり、第６工程において黒化処理液中の第２金属が金属めっき２４中に拡散しにくくなり、第２金属よりも第１金属を多く含む黒化層２２を短時間で形成することができる。金属めっき２４の成長が無電解めっき法により行われる場合、具体的には、第４構造体を例えば無電解めっき液に浸漬させることにより、触媒層を起点として下地層２３上に金属めっき２４が成長する。
　第６工程では、例えば、成長した金属めっき２４のうち露出する表面を、第２金属を含む黒化処理液で黒化処理することで、金属めっき２４中の第１金属の一部を第２金属で置換させ、第１金属及び第２金属を含む黒化層２２が形成される。
　黒化処理は、金属めっき２４を、第２金属を含む黒化処理液に接触させればよい。このとき、金属めっき２４の成長が、無電解めっき法により行われる場合には、金属めっき２４と黒化処理液との接触時間は、例えば１５０秒以下とすればよく、１２０秒以下であってもよい。金属めっき２４と黒化処理液との接触時間が１００秒以下であっても、黒化層２２を得ることが可能となる。
　金属めっき２４と黒化処理液との接触時間は、例えば３０秒以上であってよく、４５秒以上であってもよい。
　黒化処理液の温度は、特に制限されるものではなく、例えば２０℃以上であってよく、２５℃以上であってもよい。黒化処理液の温度は、例えば５０℃以下であってよく、４５℃以下であってもよい。
　なお、第１金属をＣｕ、第２金属をＰｄとし、黒化層２２中にＣｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を形成する場合には、Ｃｕに対するＰｄの比を広い範囲で変化させても、黒化層２２中にＣｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を形成することができる。すなわち、Ｃｕに対するＰｄの比を厳密に制御することなく、黒化層２２中にＣｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を容易に形成することができる。このため、Ｃｕに対するＰｄの比を調整するために必要な、金属めっき２４と黒化処理液との接触時間、黒化処理液の温度などを広い範囲に設定することが可能となる。
＜＜表示装置＞＞
　次に、本開示の表示装置の実施形態について説明する。
　本開示の表示装置は、導電性フィルムを備える。導電性フィルムとしては、上述した導電性フィルム１００を用いることができる。
　上記表示装置によれば、上記導電性フィルムが、光の反射を抑制しながら、導電性を向上させることができる。このため、表示装置において、導電部の不可視性を向上させることができる。また、導電性を向上させることができるため、導電部による発熱を抑制することができる。
　導電性フィルム１００は、例えば平面状の透明アンテナとして用いることができる。
　表示装置は、例えば、液晶表示装置、又は有機ＥＬ表示装置であってもよい。
　図７は、本開示の表示装置の一実施形態を示す断面図である。
　図７に示される表示装置２００は、画像表示部２０１と、導電性フィルム１００と、偏光板２０２と、カバーガラス２０３とを備える。導電性フィルム１００、偏光板２０２、及びカバーガラス２０３は、画像表示部２０１の一面側において、画像表示部２０１側からこの順に積層されている。
　なお、表示装置の構成は図７の形態に限られず、必要により適宜変更が可能である。例えば、偏光板２０２が画像表示部２０１と導電性フィルム１００との間に設けられてもよい。画像表示部２０１は、例えば液晶表示部であってもよい。偏光板２０２及びカバーガラス２０３としては、表示装置において通常用いられているものを用いることができる。偏光板２０２及びカバーガラス２０３は、必ずしも設けられなくてもよい。
　本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、導電部２０が樹脂層３０によって基材１０に固定されているが、導電部２０は、基材１０に直接固定されてもよい。この場合、樹脂層３０は省略可能である。
　また上記実施形態では、導電部２０の本体部２１は、導電部２０を平面視した場合（すなわち基材１０の主面１０Ｓに直交する方向に見た場合）に、トレンチ３３の内側に設けられる基部のみで構成されているが、図８に示す導電性フィルム１１０のように、本体部２１が基部２１ａとその両側に設けられる突出部２１ｂとを含んで構成されてもよい。
　本体部２１は、基部２１ａと、基部２１ａの両側に設けられる突出部２１ｂとを有する場合、突出部２１ｂが樹脂層３０のうち基材１０と反対側の面３０Ｓに接触していることが好ましい。
　この場合、本体部２１が、基部２１ａの両側に設けられる突出部２１ｂを有し、突出部２１ｂが樹脂層３０のうち基材１０と反対側の面３０Ｓに接触しているため、本体部２１が、突出部２１ｂを有しない場合に比べて、樹脂層３０と導電部２０との接触面積が増加する。このため、樹脂層３０と導電部２０との密着性がより向上し、導電部２０が樹脂層３０から剥離しにくくなる。また、導電部２０の熱膨張率は一般に樹脂層３０の熱膨張率よりも小さい。このため、基部２１ａは、樹脂層３０に比べて厚み方向に膨張しにくい。このため、周囲の温度が高くなって樹脂層３０がその厚み方向に膨張しようとしても、樹脂層３０の厚み方向の膨張が突出部２１ｂによって抑制され、導電部２０が樹脂層３０から剥離しにくくなる。
　また、本体部２１が基部２１ａとその両側に設けられる突出部２１ｂとを含んで構成される場合、図８に示すように、黒化層２２は、本体部２１の表面の第１面２１ｃ及び第２面２１ｄを被覆していてもよい。この場合、基材１０の主面１０Ｓに向かって光が入射される場合でも、黒化層２２により、光の反射が抑制される。
　また、上記実施形態では、樹脂層３０のトレンチ３３の底面が、第１樹脂層３１に形成されているが、第２樹脂層３２内又は基材１０内に形成されてもよい。この場合、トレンチ３３の底面が第１樹脂層３１内に形成される場合に比べて、導電部２０のアスペクト比を高くすることができ、導電部２０の導電性をより向上させることができる。ここで、アスペクト比とは、導電部２０の幅に対する導電部２０の厚みの比である。導電部２０の幅とは、導電部２０を黒化層２２側から平面視したときの導電部２０の延在方向に直交する方向の幅であり、導電部２０の厚みとは、導電部２０のうち基材１０側に最も近い位置と基材１０から最も遠い位置との間の距離をいう。
　本開示は、課題を解決するための手段に記載された導電性フィルムに加えて以下の構成例が含むが、以下の構成例に限定されるものではない。
　本開示の一側面である導電性フィルムにおいては、上記黒化層において、上記第１金属の質量含有率が上記第２金属の質量含有率より大きくてよい。
　この場合、黒化層の抵抗値が効果的に低減されるため、導電部の抵抗値が全体として効果的に低減される。このため、導電性フィルムの導電性を効果的に向上させることができる。
　上記導電性フィルムにおいて、上記第１金属が銅であり、上記第２金属がパラジウムであってよい。
　上記導電性フィルムにおいて、上記黒化層は、Ｃｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を含んでよい。
　この場合、黒化層の抵抗値が効果的に低減されるため、導電部の抵抗値が全体として効果的に低減される。このため、導電性フィルムの導電性を効果的に向上させることができる。
　上記導電性フィルムにおいて、上記黒化層が結晶粒を含み、上記結晶粒の粒径の最大サイズは３０ｎｍ未満であってよい。
　この場合、導電部に光が入射されると、黒化層で可視光が散乱されにくくなり、吸収されやすくなる。このため、導電部における可視光の反射が効果的に抑制される。このため、導電部の不可視性を高めることができる。
　上記導電性フィルムにおいて、上記黒化層の厚みが１００ｎｍ以下であってよい。
　この場合、黒化層の厚みが１００ｎｍ以下となることで、導電部全体としての抵抗値をより低減させることができる。
　上記導電性フィルムにおいて、上記黒化層の表面粗さが１００ｎｍ未満であってよい。
　この場合、黒化層の表面の平坦性が高くなるため、黒化層の抵抗値をより低減させることができる。このことは、導電部に流される高周波電流が表皮効果により主に導電部の表面を流れる場合に特に有効である。
　上記導電性フィルムにおいて、上記黒化層の表面粗さが、上記本体部の表面の表面粗さよりも小さくてよい。
　この場合、黒化層の表面粗さが、本体部の表面の表面粗さ以上である場合に比べて、黒化層の表面が本体部の表面より高い平坦性を有するため、黒化層の抵抗値がより低減される。このため、導電部の抵抗値が全体として効果的に低減され、導電性フィルムの導電性を効果的に向上させることができる。特に、導電部に流される高周波電流が表皮効果により主に導電部の表面を流れる場合でも、黒化層の表面による影響が小さくなるため、導電性フィルムの導電性をより向上させることができる。
　上記導電性フィルムは、上記基材の主面側に設けられる樹脂層をさらに備え、上記樹脂層はトレンチを有し、上記導電部が上記トレンチに充填されいるものであってよい。
　この場合、上記導電性フィルムにおいて、樹脂層がトレンチを有し、導電部がトレンチに充填されることで、導電部が安定的に基材に固定される。
　上記導電性フィルムにおいては、上記導電部の上記本体部と上記樹脂層との界面の少なくとも一部において、上記本体部と上記樹脂層とが上記黒化層を介さずに直接接触していてよい。
　この場合、導電部に流される高周波電流が表皮効果により導電部の表層部を流れる場合でも、導電部の表層部における黒化層の割合が減少するため、導電部の導電性をより向上させることができる。
　上記導電性フィルムにおいて、上記導電部が、上記導電部を平面視した場合に、上記トレンチの内側に設けられる基部と、上記基部の両側に設けられる突出部とを有し、上記突出部が上記樹脂層のうち上記基材と反対側の面に接触していてもよい。
　この場合、本体部が、基部の両側に設けられる突出部を有し、突出部が樹脂層のうち基材と反対側の面に接触しているため、本体部が、突出部を有しない場合に比べて、樹脂層と導電部との接触面積が増加する。このため、樹脂層と導電部との密着性がより向上し、導電部が樹脂層から剥離しにくくなる。また、導電部の熱膨張率は一般に樹脂層の熱膨張率よりも小さい。このため、基部は、樹脂層に比べて厚み方向に膨張しにくい。このため、周囲の温度が高くなって樹脂層がその厚み方向に膨張しようとしても、樹脂層の厚み方向の膨張が突出部によって抑制され、導電部が樹脂層から剥離しにくくなる。
　本開示の別の一側面は、上記導電性フィルムを備える、表示装置を提供する。
　上記表示装置によれば、上記導電性フィルムが、光の反射を抑制しながら、導電性を向上させることができる。このため、表示装置において、導電部の不可視性を向上させることができる。また、導電性を向上させることができるため、導電部による発熱を抑制することができる。
　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
　基材として、ＣＯＰフィルム（厚み：１００μｍ）を用意した。
　次に、基材の主面上に、第１無機粒子としてシリカ、樹脂としてアクリル樹脂、溶媒としてメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を含む第２樹脂組成物を塗布し、乾燥することで、厚み０．３μｍの第２樹脂膜を形成した。
　次に、第２無機粒子としてＰｄ、樹脂としてアクリル樹脂、溶媒としてメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を含むＰｄ含有樹脂組成物を塗布し、乾燥することで、厚み６０μｍのＰｄ含有樹脂層を形成した。
　続いて、アッシング処理によりＰｄ含有樹脂層中の樹脂を除去した後、第２樹脂膜の上に残ったＰｄ粒子の上に、樹脂としてアクリル樹脂を含む第１樹脂組成物を塗布し、厚み２μｍの第１樹脂膜を形成した。
　こうして、厚み２．３μｍの樹脂膜を形成し、第１構造体を得た。
　次に、樹脂膜のうち基材と反対側の面に、インプリント法によりトレンチを形成して樹脂層を形成し、第２構造体を得た。具体的には、上記樹脂膜に対して、メッシュ状の凸部を有するモールドを押し込み、その後、モールドを樹脂膜から引き抜くことにより、樹脂膜に、深さ２μｍ、幅１．５μｍのトレンチを有するメッシュパターンを形成した。このとき、第２樹脂膜の上に残ったＰｄ粒子を露出させた。こうして樹脂層を形成した。このとき、メッシュパターンのピッチは１００μｍとした。
　次に、第２構造体を、硫酸ニッケル及び次亜リン酸ナトリウムを含有する無電解めっき液に浸漬して、第２樹脂膜の上に残ったＰｄ粒子の上にＮｉめっきを成長させ、トレンチ内に下地層としてのＮｉ層を形成して第３構造体を得た。Ｎｉ層が形成された第３構造体を、Ｐｄ触媒液に浸漬し、Ｐｄ触媒層を形成し、第４構造体を得た。
　次いで、得られた第４構造体を、硫酸銅及びホルマリンを含有する無電解めっき液に浸漬させ、Ｐｄ触媒層を起点としてＮｉ層上にＣｕめっきを成長させ、トレンチ内にＣｕ層を形成した。これにより、メッシュ状のパターンを有する導電層をトレンチ内に形成し、第５構造体を得た。
　次に、第５構造体を、パラジウムを含む黒化処理液中に室温（２５℃）で６０秒間浸漬、成長した銅めっきのうち露出する表面を黒化処理することにより、銅めっきにおける表層部を、黒化層とし、下地層、本体部及び黒化層を有する導電部を形成し、トレンチを有するメッシュパターンに、導電部を有するメッシュ配線を形成した。
　以上のようにして導電性フィルムを得た。
　上記のようにして得られた導電性フィルムについて、ＴＥＭ観察及び電子線回折法を用いた分析を行うことにより、本体部の厚み、並びに、黒化層におけるＣｕ及びＰｄの組成比（Ｃｕ：Ｐｄ、質量比）、黒化層の厚み、黒化層の結晶粒の最大サイズ、黒化層の結晶構造（結晶格子）、黒化層の結晶構造の空間群、黒化層の結晶構造を構成する化合物相を求めた。結果を表１に示す。
　なお、ＴＥＭ観察及び電子線回折分析は、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）にＥＤＳ検出器を付属させた装置（日本電子社製、製品名：ＪＥＭ－２０１１Ｆ）を用いて行った。
（比較例１）
　第５構造体を、パラジウムを含む黒化処理液中に室温（２５℃）で１８０秒間浸漬したこと以外は実施例１と同様にして導電性フィルムを作製した。
　上記のようにして得られた導電性フィルムについて、実施例1と同様にしてＴＥＭ観察及び電子線回折法を用いた分析を行うことにより、本体部の厚み、並びに、黒化層におけるＣｕ及びＰｄの組成比（Ｃｕ：Ｐｄ、質量比）、黒化層の厚み、黒化層の結晶粒の最大サイズ、黒化層の結晶構造（結晶格子）、黒化層の結晶構造の空間群、黒化層の結晶構造を構成する化合物相を求めた。結果を表１に示す。
（比較例２）
　黒化処理を行わず、黒化層を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして導電性フィルムを作製した。
　なお、比較例２については、黒化層を形成しなかったため、本体部の厚み、並びに、黒化層におけるＣｕ及びＰｄの組成比（Ｃｕ：Ｐｄ、質量比）、黒化層の厚み、黒化層の結晶粒の最大サイズ、黒化層の結晶構造（結晶格子）、黒化層の結晶構造の空間群、黒化層の結晶構造を構成する化合物相については、表１において「－」と表示した。
＜評価＞
（１）光反射抑制効果
　実施例１，比較例１及び比較例２で得られた導電性フィルムの光反射抑制効果を評価するために、評価用サンプルを用意した。評価用サンプルは、具体的には、基材の主面上に樹脂層を形成せず、基材の主面の全面に導電部を形成したこと以外は実施例１，比較例１又は比較例２と同様にして用意した。そして、この評価用サンプルについて、分光測色計にて波長５５０ｎｍの光の反射率測定を行った。結果を表１に示す。
（２）導電性
　実施例１，比較例１及び比較例２で得られた導電性フィルムのメッシュ配線について、４端子抵抗測定器を用いて表面抵抗値（Ω／ｓｑ）を測定し、この表面抵抗値により導電性を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示す結果より、実施例１の導電性フィルムは、比較例１と比べると、波長５５０ｎｍの光の反射率については同等であったものの、導電部の表面抵抗値については十分に低減されていることが分かった。
　以上のことから、本開示の導電性フィルムによれば、光の反射を抑制しながら、導電性を向上させることができることが確認された。
　なお、本開示の概要は以下のとおりである。
［１］基材と、前記基材の主面側に設けられる導電部とを備え、前記導電部が、第１金属を含む本体部と、前記本体部の表面のうち少なくとも前記基材と反対側の面を被覆する黒化層とを有し、前記黒化層が、前記第１金属と、前記第１金属とは異なる第２金属とを含み、前記黒化層が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する、導電性フィルム。
［２］前記黒化層において、前記第１金属の質量含有率が前記第２金属の質量含有率より大きい、［１］に記載の導電性フィルム。
［３］前記第１金属が銅であり、前記第２金属がパラジウムである、［１］又は［２］に記載の導電性フィルム。
［４］前記黒化層が、Ｃｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を含む、［３］に記載の導電性フィルム。
［５］前記黒化層が結晶粒を含み、前記結晶粒の粒径の最大サイズは３０ｎｍ未満である、［１］～［４］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［６］前記黒化層の厚みが１００ｎｍ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［７］前記黒化層の表面粗さが１００ｎｍ未満である、［１］～［６］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［８］前記黒化層の表面粗さが、前記本体部の表面の表面粗さよりも小さい、［１］～［７］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［９］前記基材の主面側に設けられる樹脂層をさらに備え、前記樹脂層がトレンチを有し、前記導電部が前記トレンチに充填されている、［１］～［８］のいずれかに記載の導電性フィルム。
［１０］前記導電部の前記本体部と前記樹脂層との界面の少なくとも一部において、前記本体部と前記樹脂層とが前記黒化層を介さずに直接接触している、［９］に記載の導電性フィルム。
［１１］前記本体部が、前記本体部を平面視した場合に、前記トレンチの内側に設けられる基部と、前記基部の両側に設けられる突出部とを有し、前記突出部が前記樹脂層のうち前記基材と反対側の面に接触している、［９］又は［１０］に記載の導電性フィルム
［１２］［１］～［１１］のいずれかに記載の導電性フィルムを備える、表示装置。
　１０…基材、１０Ｓ…主面、２０…導電部、２１…本体部、２１ａ…基部、２１ｂ…突出部、２２…黒化層、３０…樹脂層、３３…トレンチ、１００…導電性フィルム、２００…表示装置。

Claims (12)

  1. 　基材と、
    　前記基材の主面側に設けられる導電部とを備え、
    　前記導電部が、
    　第１金属を含む本体部と、前記本体部の表面のうち少なくとも前記基材と反対側の面を被覆する黒化層とを有し、
    　前記黒化層が、前記第１金属と、前記第１金属とは異なる第２金属とを含み、
    　前記黒化層が、空間群がＰｍ－３ｍの結晶構造を有する、導電性フィルム。
  2. 　前記黒化層において、前記第１金属の質量含有率が前記第２金属の質量含有率より大きい、請求項１に記載の導電性フィルム。
  3. 　前記第１金属が銅であり、前記第２金属がパラジウムである、請求項１に記載の導電性フィルム。
  4. 　前記黒化層が、Ｃｕ３．１８Ｐｄ０．８２の組成式で表される化合物を含む、請求項３に記載の導電性フィルム。
  5. 　前記黒化層が結晶粒を含み、前記結晶粒の粒径の最大サイズは３０ｎｍ未満である、請求項１に記載の導電性フィルム。
  6. 　前記黒化層の厚みが１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電性フィルム。
  7. 　前記黒化層の表面粗さが１００ｎｍ未満である、請求項１に記載の導電性フィルム。
  8. 　前記黒化層の表面粗さが、前記本体部の表面の表面粗さよりも小さい、請求項１に記載の導電性フィルム。
  9. 　前記基材の主面側に設けられる樹脂層をさらに備え、
    　前記樹脂層はトレンチを有し、前記導電部が前記トレンチに充填されている、請求項１に記載の導電性フィルム。
  10. 　前記導電部の前記本体部と前記樹脂層との界面の少なくとも一部において、前記本体部と前記樹脂層とが前記黒化層を介さずに直接接触している、請求項９に記載の導電性フィルム。
  11. 　前記本体部が、前記本体部を平面視した場合に、前記トレンチの内側に設けられる基部と、前記基部の両側に設けられる突出部とを有し、前記突出部が前記樹脂層のうち前記基材と反対側の面に接触している、請求項９に記載の導電性フィルム。
  12. 　請求項１～１１のいずれか一項に記載の導電性フィルムを備える、表示装置。
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