WO2024029313A1 - モジュール - Google Patents

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WO2024029313A1
WO2024029313A1 PCT/JP2023/025938 JP2023025938W WO2024029313A1 WO 2024029313 A1 WO2024029313 A1 WO 2024029313A1 JP 2023025938 W JP2023025938 W JP 2023025938W WO 2024029313 A1 WO2024029313 A1 WO 2024029313A1
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WO
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metal film
substrate
insulating film
component
layer
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Application number
PCT/JP2023/025938
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English (en)
French (fr)
Inventor
喜人 大坪
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits

Definitions

  • the present invention relates to a module.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device in which components are mounted on both sides of a wiring board. This semiconductor device includes a rewiring layer on the surface on the mother board side.
  • Heat is generated from the components mounted on the module board. In order for the components to continue operating normally, the generated heat must be dissipated efficiently.
  • an object of the present invention is to provide a module with improved heat dissipation performance.
  • a module based on the present invention includes a substrate having a first surface, a first component mounted on the first surface, and a module that covers a side surface of the first component and the first surface. and a rewiring layer covering a surface of the first sealing resin layer on a side far from the substrate.
  • the rewiring layer includes a first metal film arranged to correspond to the projection area of the first component, a first insulating film covering a surface of the first metal film on a side far from the substrate, and a first conductive via group that penetrates one insulating film and protrudes from the first metal film in a direction away from the substrate.
  • the first conductive via group is exposed on the surface of the redistribution layer on the side far from the substrate, or the metal member connected to the first conductive via group is far from the substrate of the redistribution layer. exposed on the side surface.
  • the heat generated in the first component is transmitted to the first conductive via group via the first metal film, so that it can quickly reach the surface of the redistribution layer on the side far from the substrate. . Therefore, heat is efficiently radiated to the outside from this surface. In this way, a module with improved heat dissipation performance can be provided.
  • FIG. 2 is a sectional view of a module in Embodiment 1 based on the present invention. It is a bottom view of the module in Embodiment 1 based on this invention.
  • FIG. 2 is a diagram in which the outline of the first metal film is indicated by broken lines.
  • FIG. 2 is a perspective bottom view of a module in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective bottom view of Modification 1 of the module in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective bottom view of Modification 2 of the module in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a module according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective bottom view of a module in Embodiment 3 based on the present invention.
  • 9 is a sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8.
  • FIG. FIG. 7 is a perspective bottom view of Modified Example 1 of the module in Embodiment 3 based on the present invention.
  • 11 is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 10.
  • FIG. 7 is a perspective bottom view of a second modification of the module according to the third embodiment of the present invention.
  • 13 is a sectional view taken along the line XIII-XIII in FIG. 12.
  • FIG. FIG. 7 is a perspective bottom view of Modified Example 3 of the module in Embodiment 3 based on the present invention.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along the line XV-XV in FIG. 14.
  • FIG. FIG. 7 is a perspective plan view of a module in Embodiment 4 based on the present invention.
  • 17 is a sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG. 16.
  • FIG. It is a sectional view of the module in Embodiment 5 based on the present invention.
  • top or bottom do not necessarily mean absolute top or bottom, but may mean relative top or bottom within the illustrated posture. .
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of module 101 in this embodiment.
  • the module 101 includes a substrate 1 having a first surface 1a, a first component 31 mounted on the first surface 1a, and a first sealant disposed to cover the side surface of the first component 31 and the first surface. It includes a resin layer 61 and a rewiring layer 13 that covers the surface of the first sealing resin layer 61 on the side far from the substrate 1.
  • the substrate 1 includes a plurality of stacked insulating layers 2.
  • the rewiring layer 13 includes a first layer 13a and a second layer 13b.
  • a first layer 13a is arranged on the side of the redistribution layer 13 closer to the substrate 1, and a second layer 13b is arranged on the side farther from the substrate 1.
  • the second layer 13b forms the bottom surface of the module 101.
  • a second component 32 is mounted on the first surface 1a of the substrate 1.
  • the rewiring layer 13 includes a first metal film 41a arranged to correspond to the projection area of the first component 31, and a first insulating film 121 covering the surface of the first metal film 41a on the side far from the substrate 1.
  • a first conductive via group 161 that penetrates the first insulating film 121 and protrudes from the first metal film 41a in a direction away from the substrate 1 is included.
  • the rewiring layer 13 includes metal films 45a and 45b.
  • the rewiring layer 13 includes a second insulating film 122.
  • the first conductive via group 161 is connected to the metal film 45a.
  • a second conductor via group 162 is arranged so as to protrude from the metal film 45a.
  • the second conductive via group 162 penetrates the second insulating film 122.
  • the lower end of the second conductive via group 162 is exposed on the lower surface of the redistribution layer 13.
  • the module 101 includes a columnar conductor 14.
  • the columnar conductor 14 is arranged to penetrate the first sealing resin layer 61.
  • the upper ends of the columnar conductors 14 are connected to pad electrodes arranged on the first surface 1a of the substrate 1.
  • the lower end of the columnar conductor 14 is connected to a conductor pattern included in the first layer 13a of the redistribution layer 13.
  • the redistribution layer 13 includes several conductor patterns and conductor vias in the first layer 13a and the second layer 13b.
  • the lower ends of the columnar conductors 14 are electrically drawn out to the lower surface of the rewiring layer 13 via these conductor patterns and conductor vias.
  • FIG. 2 shows a view of the bottom surface of the module 101.
  • the lower surface of the redistribution layer 13 is visible.
  • the terminals are arranged at equal intervals.
  • FIG. 3 shows the outline of the first metal film 41a etc. hidden behind the insulating film shown in FIG. 2 using broken lines.
  • FIG. 4 shows a view from below with the second layer 13b removed from the module 101.
  • the first insulating film 121 is shown assuming that it is transparent. That is, in FIG. 4, portions of the first metal film 41a and the like that are covered by the first insulating film 121 are also displayed.
  • a view according to this display method applied to FIG. 4 will be referred to as a "perspective bottom view" in this specification. This display method is similarly applied to FIGS. 5, 6, 8, 10, 12, etc., which will be described later.
  • the "first metal film” included in the rewiring layer 13 is not limited to the first metal film 41a.
  • the rewiring layer 13 includes first metal films 41b and 41c in addition to the first metal film 41a.
  • the first metal films 41a, 41b, and 41c belong to the first layer 13a.
  • the metal films 45a and 45b belong to the second layer 13b.
  • the first conductive via group 161 is exposed on the surface of the redistribution layer 13 on the side far from the substrate 1, or the metal member connected to the first conductive via group 161 is far from the substrate 1 of the redistribution layer 13. exposed on the side surface. More specifically, in this embodiment, the metal member connected to the first conductor via group 161 is exposed on the surface of the rewiring layer 13 on the side far from the substrate 1.
  • the "metal member” here refers to the metal film 45a and the second conductive via group 162. The lower surface of the second conductive via group 162 is exposed as a terminal in FIG.
  • the substrate 1 has a second surface 1b as a surface opposite to the first surface 1a.
  • components 33, 34, 35, and 36 are mounted on the second surface 1b.
  • the second surface 1b and the components 33, 34, 35, and 36 are sealed with a second sealing resin 62.
  • the heat generated in the first component 31 is transmitted to the first metal film 41a arranged to correspond to the projection area of the first component 31, and further to the first metal film 41a that penetrates the first insulating film 121. It is transmitted to the 1-conductor via group 161.
  • the first conductive via group 161 is exposed on the surface of the redistribution layer 13 on the side far from the substrate 1, or the metal member connected to the first conductive via group 161 is far from the substrate 1 of the redistribution layer 13. Since the side surface is exposed, the transferred heat can quickly reach the surface of the redistribution layer 13 on the side far from the substrate 1. Heat can be efficiently radiated to the outside from this surface. Therefore, according to this embodiment, a module with improved heat dissipation performance can be realized.
  • the redistribution layer 13 includes the second insulating film 122 disposed on the side of the first insulating film 121 far from the substrate 1 so as to overlap the first insulating film 121, and
  • the wiring layer 13 includes a second conductive via group 162 electrically connected to at least one of the conductive vias belonging to the first conductive via group 161, and the second conductive via group 162 penetrates the second insulating film 122.
  • heat can be conducted to the surface of the redistribution layer 13 through the second conductive via group 162, so that heat can be efficiently dissipated.
  • the arrangement of the second conductive via group 162 is the same as the arrangement of the first conductive via group 161.
  • the first sealing resin layer 61 is preferably interposed between the first component 31 and the rewiring layer 13. This is because by employing this configuration, the first component 31 can be protected. In particular, the first sealing resin layer 61 can prevent moisture entering through the rewiring layer 13 from reaching the first component 31 .
  • dot-shaped conductors are preferably exposed at equal intervals on the surface of the rewiring layer 13 on the side far from the substrate 1.
  • the dot-shaped conductors are terminals for connection to a motherboard or the like. By adopting this configuration, connection with a motherboard etc. becomes easy.
  • Modification 1 Modification 1 of this embodiment will be described below.
  • the module of Modification 1 has the configuration shown in FIG. 5 instead of the configuration shown in FIG. 4.
  • FIG. 5 shows the arrangement of the first conductive via group 161.
  • the arrangement of the second conductive via group 162 is the same as that shown in FIG. That is, in the module of Modification Example 1, the first conductive via group 161 (see FIG. 5) is arranged more densely than the second conductive via group 162 (see FIG. 3), and the first conductive via group 161
  • the number of conductor vias belonging to the second conductor via group 162 is greater than the number of conductor vias belonging to the second conductor via group 162.
  • the number of conductive vias belonging to the first conductive via group 161 is 25, and the number of conductive vias belonging to the second conductive via group 162 is 16.
  • the number of heat conduction paths from the first metal film 41a to the metal film 45a increases inside the redistribution layer 13, so that heat is transmitted from the first component 31 to the first metal film 41a. Heat can be efficiently transmitted to the metal film 45a, and heat radiation is promoted.
  • the lower surfaces of the second conductive via group 162 exposed on the lowermost surface of the redistribution layer 13 serve as connection terminals as they are, it is preferable that the arrangement of the second conductive via group 162 follows a predetermined arrangement. Since the first conductive via group 161 is not exposed at the bottom surface of the redistribution layer 13, it is not necessary to follow the rules for arranging connection terminals, and the first conductive via group 161 can be arranged at high density.
  • the module of Modification 2 has the configuration shown in FIG. 6 instead of the configuration shown in FIG. 4.
  • the density of the first conductive via group 161 protruding from the first metal film 41a is higher than the density of the conductive via group protruding from the first metal film 41b.
  • the density of the first conductive via group 161 protruding from the first metal film 41a corresponding to the first component 31 is set to be lower than that of other components. It is conceivable to make the density relatively high compared to the density of the conductor via group protruding from the corresponding metal film. By doing so, it is possible to actually promote heat dissipation regarding the components whose heat dissipation should be most promoted.
  • the density of the conductor vias arranged in the same layer in this way may be varied depending on the corresponding components.
  • Embodiment 2 Referring to FIG. 7, a module in Embodiment 2 based on the present invention will be described. A cross-sectional view of the module 102 in this embodiment is shown in FIG.
  • the rewiring layer 13 has a roughly two-layer structure, but in the module 102 in this embodiment, the rewiring layer 13 has a single-layer structure instead of a two-layer structure. It has a structure.
  • the rewiring layer 13 includes a first metal film 41a and a first insulating film 121.
  • the rewiring layer 13 includes a first conductive via group 161 that penetrates the first insulating film 121 and protrudes from the first metal film 41a in a direction away from the substrate 1. In the module 102, the first conductive via group 161 is exposed on the surface of the redistribution layer 13 on the side far from the substrate 1.
  • the heat generated in the first component 31 is transmitted to the first conductive via group 161 through the first metal film 41a. Since the lower end of the first conductive via group 161 is exposed from the rewiring layer 13, heat is quickly radiated to the outside. Therefore, according to this embodiment, a module with improved heat dissipation performance can be realized.
  • FIG. 8 shows a perspective bottom view of module 103 in this embodiment.
  • FIG. 9 shows a sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8.
  • FIGS. 8 and 9 when referring to a cross-sectional view from a perspective bottom view to an arrow direction, the cross-sectional view of the entire module is shown, not with some layers removed. The same applies to other figures below.
  • the module 103 includes a first metal film 41 and a second metal film 42 in the rewiring layer 13 .
  • the module 103 includes a second component 32 as another component mounted on the first surface 1a.
  • the rewiring layer 13 includes a second metal film 42a that is arranged to correspond to the projection area of the other component, that is, the second component 32, and is grounded.
  • the first metal film 41a and the second metal film 42a are connected.
  • the rewiring layer 13 includes a grounded second metal film 42b.
  • the second metal films 42a and 42b are ground conductor patterns.
  • the second metal film 42 includes a second metal film 42a and a second metal film 42b. As shown in FIG. 8, the first metal film 41a and the second metal film 42b may also be connected.
  • the second metal film 42a and the second metal film 42b may also be connected.
  • the first metal film 41a and the second metal film 42a are connected by a bridge-shaped portion.
  • the bridge-shaped portion is arranged so as to avoid a conductor pattern connected to a terminal arranged between the projection area of the first component 31 and the projection area of the second component 32.
  • the heat dissipation of components mounted on the first surface 1a of the substrate 1 is improved.
  • Modification 1 In the example of the module 103 shown in FIG. 8, the second metal film 42a and the second metal film 42b are connected by a bridge-shaped portion, but this is just an example. Modification 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
  • the second metal film 42a and the second metal film 42b are connected to each other over the entire width.
  • a virtual boundary line between the second metal film 42a and the second metal film 42b is indicated by a two-dot chain line.
  • FIG. 11 shows a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 10.
  • the second metal film 42a and the second metal film 42b are connected and integrated, so a large conductor pattern called the second metal film 42 is arranged as an integrated ground conductor pattern. state.
  • Modification 2 A second modification of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
  • the second metal film 42a and the second metal film 42b are connected to each other over the entire width.
  • the first metal film 41 is also connected.
  • the integral metal film 40 including the first metal film 41, the second metal film 42a, and the second metal film 42b is a terminal disposed between the projection area of the first component 31 and the projection area of the second component 32.
  • a ground conductor via 166 is included. Since the metal film 40 is connected to the ground conductor via 166, it can also be said to be a ground conductor pattern. In FIG.
  • the conductor vias for signal transmission and for ground connection are each shown as circles, and the ground conductor vias 166 are each shown as a hatched circle. In FIG. 12, four ground conductor vias 166 are shown. A sectional view taken along the line XIII-XIII in FIG. 12 is shown in FIG.
  • the module 105 can also be expressed as follows.
  • the module 105 includes ground conductor vias 166 as columnar conductors 14 arranged so as to penetrate the first sealing resin layer 61 .
  • the redistribution layer 13 includes a conductor structure in the projection area of these columnar conductors 14. This conductor structure is connected to the columnar conductor 14 and electrically connects the surface of the rewiring layer 13 closer to the substrate 1 to the surface of the rewiring layer 13 farther from the substrate 1.
  • the first metal film 41 and the conductor structure are connected.
  • the module 106 shown in FIG. 14 includes a metal membrane 40 that has a wider range than the integral metal membrane 40 in the module 105.
  • the integral metal film 40 including the first metal film 41, the second metal film 42a, and the second metal film 42b is a terminal disposed between the projection area of the first component 31 and the projection area of the second component 32.
  • ground conductor vias 166a that connect to , 166f, 166h, and 166i and extend as an integral metal film 40.
  • the metal film 40 can also be said to be a ground conductor pattern. In FIG. 14, each ground conductor via is shown as a hatched circle.
  • the first metal film 41 includes a portion extending toward each of the ground conductor vias 166b, 166c, 166d, and 166e.
  • the second metal film 42b includes a portion extending toward each of the ground conductor vias 166f and 166h.
  • the second metal film 42a includes a portion extending toward the ground conductor via 166i.
  • FIG. 15 shows a sectional view taken along the line XV-XV in FIG. 14.
  • the module 106 can also be expressed as follows.
  • the module 106 includes a group of columnar conductors arranged to penetrate the first sealing resin layer 61 and surround the projection area of the first component 31.
  • the first metal film 41 includes an overhang extending outward from the projection area of the first component 31, and the columnar conductor group is connected to the overhang.
  • the columnar conductor group here refers to a group including, for example, ground conductor vias 166c, 166d, and 166e.
  • FIG. 16 shows a perspective bottom view of module 107 in this embodiment.
  • FIG. 17 shows a sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG. 16.
  • the module 107 includes a first part 31 and a second part 32. Please note that in this embodiment, the first part 31 and the second part 32 in the figure are reversed compared to the first to third embodiments.
  • the first metal film 41 is arranged to correspond to the projection area of the first component 31.
  • the module 107 includes a second component 32 mounted on the first surface 1a.
  • rewiring layer 13 includes third metal film 43 in a region that does not overlap with first metal film 41 .
  • the second component 32 and the third metal film 43 are in contact with each other.
  • Module 107 includes a third conductive via group 163 that penetrates first insulating film 121 and protrudes from third metal film 43 in a direction away from substrate 1 .
  • the first conductive via group 161 is arranged at a higher density than the third conductive via group 163.
  • FIG. 18 shows a cross-sectional view of module 108 in this embodiment.
  • module 108 The basic configuration of module 108 is similar to module 101 described in Embodiment 1, but differs in the following points.
  • a TIM (Thermal Interface Material) layer 7 is interposed between the first component 31 and the first metal film 41a, the first component 31 and the TIM layer 7 are in contact with each other, and the TIM layer 7 and the first metal film 41a are in contact with each other. It is in contact with the metal film 41a.
  • the TIM layer 7 is a layer of thermally conductive material. That is, the TIM layer 7 is a layer of material suitable for heat conduction.
  • the material of TIM layer 7 is non-conductive.
  • the material of the TIM layer 7 may be, for example, epoxy resin mixed with metal.
  • the metal to be mixed here may be, for example, gold, silver, or the like.
  • the TIM layer 7 may be made of thermal grease, white grease, or the like.
  • the TIM layer 7 may be formed by combining a plurality of thermal greases, white greases, and the like.
  • the material of the TIM layer 7 may be any one of epoxy resin, silicone, inorganic material, and matrix polymer.
  • the material of the TIM layer 7 may be a polymer mixed with a thermally conductive filler.
  • the matrix polymer may include any one selected from the group consisting of ethylene propylene, ethylene propylene diene monomer, and hydrogenated polyisoprene, or a combination of two or more selected from this group. Good too.
  • TIM layer 7 may contain one selected from the group consisting of aluminum oxide, boron nitride, and aluminum nitride, or may contain a combination of a plurality selected from this group.
  • the TIM layer 7 may contain any one selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphene, polyimide resin, polybenzoxazole, epoxy polymers, silica polymers, and acrylic polymers. It may be a combination of multiple selections. TIM layer 7 may contain filler.
  • the thermal conductivity of the material of the TIM layer 7 may be 5 W/(m ⁇ K) or more and 100 W/(m ⁇ K) or less. Further, the thermal conductivity of the material of the TIM layer 7 is preferably 10 W/(m ⁇ K) or more and 90 W/(m ⁇ K) or less.
  • the thermal conductivity of the material of the TIM layer 7 is preferably 20 W/(m ⁇ K) or more and 80 W/(m ⁇ K) or less.
  • the material of the TIM layer 7 may have a structure in which a polymer is bonded to the liquid metal through an organometallic bond, a coordinate bond, or a covalent bond.
  • the heat generated in the first component 31 is transmitted to the first metal film 41a via the TIM layer 7, and further to the first conductive via group 161 that penetrates the first insulating film 121. Therefore, according to this embodiment, it is possible to obtain the same effects as in Embodiment 1, and it is possible to realize a module with improved heat dissipation performance.
  • a substrate having a first surface; a first component mounted on the first surface; a first sealing resin layer disposed to cover a side surface of the first component and the first surface; a rewiring layer covering a surface of the first sealing resin layer on a side far from the substrate;
  • the redistribution layer is a first metal film arranged to correspond to the projection area of the first component; a first insulating film covering a surface of the first metal film on a side far from the substrate; a first conductive via group penetrating the first insulating film and protruding from the first metal film in a direction away from the substrate; The first conductive via group is exposed on a surface of the redistribution layer on a side far from the substrate, or the metal member connected to the first conductive via group is far from the substrate of the redistribution layer.
  • the rewiring layer includes a second insulating film disposed on a side of the first insulating film far from the substrate so as to overlap the first insulating film, and the rewiring layer includes a second insulating film disposed on a side of the first insulating film far from the substrate, and the rewiring layer includes a second insulating film disposed on a side of the first insulating film far from the substrate, and the rewiring layer includes a second insulating film disposed on a side of the first insulating film far from the substrate, and the rewiring layer includes a second insulating film disposed on a side of the first insulating film far from the substrate so as to overlap with the first insulating film.
  • the module according to appendix 1 including a second conductor via group electrically connected to at least one conductor via belonging to the module, the second conductor via group penetrating the second insulating film.
  • the first conductive via group is arranged more densely than the second conductive via group, and the number of conductive vias belonging to the first conductive via group is equal to the number of conductive vias belonging to the second conductive via group.
  • the rewiring layer includes a second metal film arranged to correspond to the projection area of the other component and grounded;
  • the module according to any one of Supplementary Notes 1 to 4, wherein the first metal film and the second metal film are connected.
  • the rewiring layer includes a columnar conductor arranged to penetrate the first sealing resin layer, the rewiring layer includes a conductor structure in a projection area of the columnar conductor, and the conductor structure is connected to the columnar conductor. Further, a surface of the redistribution layer near the substrate is electrically connected to a surface of the redistribution layer far from the substrate, and the first metal film and the conductor structure are not connected.
  • a group of columnar conductors are arranged so as to penetrate the first sealing resin layer and surround the projection area of the first component, and the first metal film extends from the projection area of the first component. 7.
  • the rewiring layer includes a third metal film in a region that does not overlap with the first metal film, the second component and the third metal film are in contact with each other,
  • the module includes a third conductive via group that penetrates the first insulating film and protrudes from the third metal film in a direction away from the substrate, 9.
  • the module according to any one of Supplementary Notes 1 to 8, wherein the first conductive via group is arranged at a higher density than the third conductive via group.

Abstract

モジュール（１０１）は、第１面（１ａ）を有する基板（１）と、第１面（１ａ）に実装された第１部品（３１）と、第１部品（３１）の側面および第１面（１ａ）を覆うように配置された第１封止樹脂層（６１）と、第１封止樹脂層（６１）の基板（１）から遠い側の表面を覆う再配線層（１３）とを備える。再配線層（１３）は、第１部品（３１）の投影領域に対応するように配置された第１金属膜（４１ａ）と、第１金属膜（４１ａ）の基板（１）から遠い側の表面を覆う第１絶縁膜（１２１）と、第１絶縁膜（１２１）を貫通して基板（１）から遠ざかる向きに第１金属膜（４１ａ）から突出する第１導体ビア群（１６１）とを含む。第１導体ビア群（１６１）が、再配線層（１３）の基板（１）から遠い側の表面に露出するか、または、第１導体ビア群（１６１）に接続された金属部材が、再配線層（１３）の基板（１）から遠い側の表面に露出する。

Description

モジュール
　本発明は、モジュールに関するものである。
　米国特許出願公開ＵＳ２０１７／０３５８５６０Ａ１（特許文献１）には、配線基板の両側に部品が実装された半導体装置が開示されている。この半導体装置は、マザー基板側の表面に再配線層を備えている。
米国特許出願公開ＵＳ２０１７／０３５８５６０Ａ１
　モジュールの基板に実装された部品からは熱が発生する。部品が正常に動作し続けることができるようにするためには、発生した熱を効率良く放出する必要がある。
　そこで、本発明は、放熱性能を向上させたモジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第１面を有する基板と、上記第１面に実装された第１部品と、上記第１部品の側面および上記第１面を覆うように配置された第１封止樹脂層と、上記第１封止樹脂層の上記基板から遠い側の表面を覆う再配線層とを備える。上記再配線層は、上記第１部品の投影領域に対応するように配置された第１金属膜と、上記第１金属膜の上記基板から遠い側の表面を覆う第１絶縁膜と、上記第１絶縁膜を貫通して上記基板から遠ざかる向きに上記第１金属膜から突出する第１導体ビア群とを含む。上記第１導体ビア群が、上記再配線層の上記基板から遠い側の表面に露出するか、または、上記第１導体ビア群に接続された金属部材が、上記再配線層の上記基板から遠い側の表面に露出する。
　本発明によれば、第１部品で発生した熱は、第１金属膜を経由して第１導体ビア群に伝わるので、速やかに再配線層の基板から遠い側の表面に到達することができる。したがって、この表面から外部に効率良く放熱される。このように、放熱性能を向上させたモジュールを提供することができる。
本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの下面図である。 図２に第１金属膜の外形線を破線で表示した図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの透視下面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの変形例１の透視下面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの変形例２の透視下面図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールの断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの透視下面図である。 図８におけるＩＸ－ＩＸ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの変形例１の透視下面図である。 図１０におけるＸＩ－ＸＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの変形例２の透視下面図である。 図１２におけるＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの変形例３の透視下面図である。 図１４におけるＸＶ－ＸＶ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの透視平面図である。 図１６におけるＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールの断面図である。
　図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
　（実施の形態１）
　図１～図３を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０１の断面図を図１に示す。モジュール１０１は、第１面１ａを有する基板１と、第１面１ａに実装された第１部品３１と、第１部品３１の側面および前記第１面を覆うように配置された第１封止樹脂層６１と、第１封止樹脂層６１の基板１から遠い側の表面を覆う再配線層１３とを備える。ここで示す例では、基板１は、積層された複数の絶縁層２を含む。再配線層１３は、第１層１３ａと第２層１３ｂとを含む。再配線層１３のうち基板１に近い側に第１層１３ａが配置され、基板１から遠い側に第２層１３ｂが配置されている。第２層１３ｂは、モジュール１０１の最下面をなしている。基板１の第１面１ａには、第１部品３１の他に、たとえば第２部品３２が実装されている。
　再配線層１３は、第１部品３１の投影領域に対応するように配置された第１金属膜４１ａと、第１金属膜４１ａの基板１から遠い側の表面を覆う第１絶縁膜１２１と、第１絶縁膜１２１を貫通して基板１から遠ざかる向きに第１金属膜４１ａから突出する第１導体ビア群１６１とを含む。
　ここで示す例では、再配線層１３は、金属膜４５ａ，４５ｂを含む。再配線層１３は、第２絶縁膜１２２を含む。第１導体ビア群１６１は、金属膜４５ａに接続されている。金属膜４５ａから突出するように第２導体ビア群１６２が配置されている。第２導体ビア群１６２は、第２絶縁膜１２２を貫通している。第２導体ビア群１６２の下端は、再配線層１３の下面に露出している。
　モジュール１０１は、柱状導体１４を備える。柱状導体１４は、第１封止樹脂層６１を貫通するように配置されている。柱状導体１４の上端は、基板１の第１面１ａに配置されたパッド電極に接続されている。柱状導体１４の下端は、再配線層１３の第１層１３ａに含まれる導体パターンに接続されている。再配線層１３は、第１層１３ａおよび第２層１３ｂにいくつかの導体パターンおよび導体ビアを含んでいる。柱状導体１４の下端は、これらの導体パターンおよび導体ビアを経由して、再配線層１３の下面に電気的に引き出されている。
　モジュール１０１の下面を見たところを図２に示す。図２では、再配線層１３の下面が見えている。ここでは、端子が等間隔に配置されている。図２において、絶縁膜の向こう側に隠れている第１金属膜４１ａなどの外形線を破線で表示したところを図３に示す。
　さらに、モジュール１０１から第２層１３ｂを取り去った状態で、下方から見たところを図４に示す。ただし、図４では、説明の便宜のために、第１絶縁膜１２１が透明であるものと仮定して見た状態が示されている。すなわち、図４では、第１金属膜４１ａなどのうち第１絶縁膜１２１に覆い隠されている部分も表示されている。図４に適用したこの表示法に従った図を、本明細書では「透視下面図」と呼ぶものとする。この表示法は、後述する図５、図６、図８、図１０、図１２などにおいても同様に適用される。
　再配線層１３に含まれる「第１金属膜」は、第１金属膜４１ａだけとは限らない。ここで示す例では、再配線層１３は、第１金属膜４１ａの他に第１金属膜４１ｂ，４１ｃも含む。
　ここで示す例では、第１金属膜４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、第１層１３ａに属する。金属膜４５ａ，４５ｂは、第２層１３ｂに属する。
　第１導体ビア群１６１が、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出するか、または、第１導体ビア群１６１に接続された金属部材が、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出する。より具体的には、本実施の形態では、第１導体ビア群１６１に接続された金属部材が、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出している。ここでいう「金属部材」とは、金属膜４５ａおよび第２導体ビア群１６２のことである。第２導体ビア群１６２の下面は、図２において端子として露出している。
　基板１は、第１面１ａとは逆の側の表面として第２面１ｂを有する。ここで示す例では、第２面１ｂには、部品３３，３４，３５，３６が実装されている。第２面１ｂおよび部品３３，３４，３５，３６は、第２封止樹脂６２によって封止されている。
　本実施の形態では、第１部品３１で発生した熱は、第１部品３１の投影領域に対応するように配置された第１金属膜４１ａに伝わり、さらに、第１絶縁膜１２１を貫通する第１導体ビア群１６１に伝わる。第１導体ビア群１６１が、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出するか、または、第１導体ビア群１６１に接続された金属部材が、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出しているので、伝わった熱は、速やかに再配線層１３の基板１から遠い側の表面に到達することができる。この表面から外部に効率良く放熱することができる。したがって、本実施の形態によれば、放熱性能を向上させたモジュールを実現することができる。
　本実施の形態で示したように、再配線層１３は、第１絶縁膜１２１の基板１から遠い側に、第１絶縁膜１２１に重なるように配置された第２絶縁膜１２２を含み、再配線層１３は、第１導体ビア群１６１に属する少なくともいずれかの導体ビアと電気的に接続する第２導体ビア群１６２を含み、第２導体ビア群１６２は第２絶縁膜１２２を貫通していることが好ましい。この構成を採用することにより、第２導体ビア群１６２を通じて再配線層１３の表面に熱を伝えることができるので、効率良く放熱することができる。
　モジュール１０１においては、第２導体ビア群１６２の配置は、第１導体ビア群１６１の配置と同じである。
　なお、本実施の形態で示したように、第１部品３１と再配線層１３との間には、第１封止樹脂層６１が介在していることが好ましい。この構成を採用することにより、第１部品３１を保護することができるからである。特に、再配線層１３を通じて侵入してくる水分が第１部品３１に到達することを、第１封止樹脂層６１によって阻止することができる。
　なお、本実施の形態で示したように、再配線層１３の基板１から遠い側の表面には、ドット状の導体が等間隔で露出していることが好ましい。ドット状の導体は、マザー基板などと接続するための端子である。この構成を採用することにより、マザー基板などとの接続が容易となる。
　（変形例１）
　以下、本実施の形態の変形例１について説明する。変形例１のモジュールは、図４に示した構成に代えて図５に示す構成を備える。図５には、第１導体ビア群１６１の配置が示されている。第２導体ビア群１６２の配置は、図３に示したものと同じである。すなわち、変形例１のモジュールにおいては、第１導体ビア群１６１（図５参照）は、第２導体ビア群１６２（図３参照）よりも高密度に配置されており、第１導体ビア群１６１に属する導体ビアの数は、第２導体ビア群１６２に属する導体ビアの数より多い。ここで示す例では、第１導体ビア群１６１に属する導体ビアの数は２５個であり、第２導体ビア群１６２に属する導体ビアの数は１６個である。この構成を採用することにより、再配線層１３の内部で第１金属膜４１ａから金属膜４５ａへの熱伝導の経路の数が多くなるので、第１部品３１から第１金属膜４１ａに伝わった熱は効率良く金属膜４５ａへと伝わることができ、放熱が促進される。再配線層１３の最下面に露出する第２導体ビア群１６２の下面はそのまま接続端子となるので、第２導体ビア群１６２の配置は決められた配置に従うことが好ましいが、変形例１においては、第１導体ビア群１６１は、再配線層１３の最下面に露出するわけではないので、接続端子の配置ルールに従う必要がなく、高密度に配置することができる。
　（変形例２）
　以下、本実施の形態の変形例２について説明する。変形例２のモジュールは、図４に示した構成に代えて図６に示す構成を備える。第１金属膜４１ａから突出する第１導体ビア群１６１の密度は、第１金属膜４１ｂから突出する導体ビア群の密度に比べて高くなっている。放熱を最も促進すべき部品が第１部品３１である場合には、このように第１部品３１に対応する第１金属膜４１ａから突出する第１導体ビア群１６１の密度を、他の部品に対応する金属膜から突出する導体ビア群の密度に比べて、相対的に高くすることが考えられる。このようにすることで、放熱を最も促進すべき部品に関する放熱を、実際に促進することができる。このように同一層の中に配置されている導体ビアの密度を、対応する部品に応じて変えて配置してもよい。
　（実施の形態２）
　図７を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０２の断面図を図７に示す。
　実施の形態１で説明したモジュール１０１では、再配線層１３は大きく分けて２層構造となっていたが、本実施の形態におけるモジュール１０２では、再配線層１３は、２層構造ではなく単層構造となっている。再配線層１３は、第１金属膜４１ａと第１絶縁膜１２１とを含む。再配線層１３は、第１絶縁膜１２１を貫通して基板１から遠ざかる向きに第１金属膜４１ａから突出する第１導体ビア群１６１を含む。モジュール１０２においては、第１導体ビア群１６１は、再配線層１３の基板１から遠い側の表面に露出している。
　本実施の形態では、第１部品３１で発生した熱は、第１金属膜４１ａを通じて第１導体ビア群１６１に伝わる。第１導体ビア群１６１の下端は、再配線層１３から露出しているので、外部への放熱が速やかに行なわれる。したがって、本実施の形態によれば、放熱性能を向上させたモジュールを実現することができる。
　（実施の形態３）
　図８～図９を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０３の透視下面図を図８に示す。図８におけるＩＸ－ＩＸ線に関する矢視断面図を図９に示す。図８から図９に至るように、透視下面図から矢視断面図に言及する場合には、一部の層を取り去った状態ではなく、モジュール全体の断面図を示す。以下の他の図においても同様である。
　モジュール１０３は、再配線層１３に第１金属膜４１および第２金属膜４２を備える。
　モジュール１０３は、第１面１ａに実装された他の部品として第２部品３２を備える。再配線層１３は、前記他の部品すなわち第２部品３２の投影領域に対応するように配置されて接地された第２金属膜４２ａを含む。第１金属膜４１ａと第２金属膜４２ａとは、つながっている。さらに、再配線層１３は、接地された第２金属膜４２ｂを含む。第２金属膜４２ａ，４２ｂは、グランド導体パターンである。第２金属膜４２は、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとを含む。図８に示すように、第１金属膜４１ａと第２金属膜４２ｂとの間もつながっていてもよい。第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとの間もつながっていてもよい。
　ここでは、一例として、第１金属膜４１ａと第２金属膜４２ａとは、ブリッジ状の部分によってつながっている。ブリッジ状の部分は、第１部品３１の投影領域と第２部品３２の投影領域との間に配置された端子につながる導体パターンを避けるように配置されている。
　本実施の形態では、基板１の第１面１ａに実装された部品の放熱性が向上する。本実施の形態では、部品周辺のグランド端子にとっては、グランド接続の強化が可能となる。
　（変形例１）
　図８に示したモジュール１０３の例では、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとの間は、ブリッジ状の部分によってつながっていたが、これはあくまで一例である。図１０～図１１を参照して、本実施の形態の変形例１について説明する。図１０に示すモジュール１０４では、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとは、そのまま幅全体にわたってつながっている。図１０においては、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとの間の仮想的な境界線が二点鎖線で表示されている。図１０におけるＸＩ－ＸＩ線に関する矢視断面図を図１１に示す。変形例１では、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとの間はつながって一体となっているので、第２金属膜４２という大きな導体パターンが一体的なグランド導体パターンとして配置されている状態である。
　（変形例２）
　図１２～図１３を参照して、本実施の形態の変形例２について説明する。図１２に示すモジュール１０５では、第２金属膜４２ａと第２金属膜４２ｂとは、そのまま幅全体にわたってつながっている。さらに、第１金属膜４１もつながっている。第１金属膜４１、第２金属膜４２ａおよび第２金属膜４２ｂを含む一体的な金属膜４０は、第１部品３１の投影領域と第２部品３２の投影領域との間に配置された端子につながるグランド導体ビア１６６を取り込んでいる。金属膜４０は、グランド導体ビア１６６に接続されているので、グランド導体パターンであるともいえる。図１２では、導体ビアは、信号伝達のためのものもグランド接続のためのものも、それぞれ円形で示されているが、グランド導体ビア１６６はそれぞれハッチングを付した円形で表示されている。図１２では、４個のグランド導体ビア１６６が示されている。図１２におけるＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に関する矢視断面図を図１３に示す。
　モジュール１０５については、以下のように表現することもできる。モジュール１０５は、第１封止樹脂層６１を貫通するように配置された柱状導体１４としてのグランド導体ビア１６６を備える。再配線層１３は、これらの柱状導体１４の投影領域に導体構造を含む。この導体構造は、柱状導体１４に接続され、かつ、再配線層１３の基板１に近い側の面から再配線層１３の基板１から遠い側の面までを電気的に接続している。第１金属膜４１と前記導体構造とは、つながっている。
　（変形例３）
　図１４～図１５を参照して、本実施の形態の変形例３について説明する。図１４に示すモジュール１０６は、モジュール１０５における一体的な金属膜４０に比べてさらに範囲を広げた金属膜４０を備える。第１金属膜４１、第２金属膜４２ａおよび第２金属膜４２ｂを含む一体的な金属膜４０は、第１部品３１の投影領域と第２部品３２の投影領域との間に配置された端子につながるグランド導体ビア１６６ａを取り込んだだけに留まらず、第１部品３１の投影領域の周辺および第２部品３２の投影領域の周辺に配置された端子につながるグランド導体ビア１６６ｂ，１６６ｃ，１６６ｄ，１６６ｅ，１６６ｆ，１６６ｈ，１６６ｉを取り込んで一体物の金属膜４０として延在している。金属膜４０は、グランド導体パターンであるともいえる。図１４では、グランド導体ビアはそれぞれハッチングを付した円形で表示されている。第１金属膜４１は、グランド導体ビア１６６ｂ，１６６ｃ，１６６ｄ，１６６ｅの各々に向かって張り出した部分を含む。第２金属膜４２ｂは、グランド導体ビア１６６ｆ，１６６ｈの各々に向かって張り出した部分を含む。第２金属膜４２ａは、グランド導体ビア１６６ｉに向かって張り出した部分を含む。図１４におけるＸＶ－ＸＶ線に関する矢視断面図を図１５に示す。
　モジュール１０６については、以下のように表現することもできる。モジュール１０６は、第１封止樹脂層６１を貫通するように、かつ、第１部品３１の投影領域を取り囲むように配置された柱状導体群を備える。第１金属膜４１は、第１部品３１の投影領域から外側に延在する張出し部を備え、前記柱状導体群は、前記張出し部に接続されている。ここでいう柱状導体群とは、たとえばグランド導体ビア１６６ｃ，１６６ｄ，１６６ｅを含む群のことである。
　（実施の形態４）
　図１６～図１７を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０７の透視下面図を図１６に示す。図１６におけるＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に関する矢視断面図を図１７に示す。
　モジュール１０７は、第１部品３１と、第２部品３２とを備える。本実施の形態では、実施の形態１～３に比べて図の中の第１部品３１と第２部品３２とが逆になっているので、注意されたい。第１部品３１の投影領域に対応するように第１金属膜４１が配置されている。
　モジュール１０７は、第１面１ａに実装された第２部品３２を備える。モジュール１０７においては、再配線層１３は、第１金属膜４１とは重ならない領域に、第３金属膜４３を含む。第２部品３２と第３金属膜４３とは、接している。モジュール１０７は、第１絶縁膜１２１を貫通して基板１から遠ざかる向きに第３金属膜４３から突出する第３導体ビア群１６３を含む。図１６に示されるように、第１導体ビア群１６１は、第３導体ビア群１６３よりも高密度に配置されている。
　本実施の形態では、第１面１ａに実装された第２部品３２の放熱を促進しつつ、第１部品３１の放熱を促進することができる。したがって、本実施の形態によれば、放熱性能を向上させたモジュールを実現することができる。
　（実施の形態５）
　図１８を参照して、本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０８の断面図を図１８に示す。
　モジュール１０８は、基本的な構成としては、実施の形態１で説明したモジュール１０１と同様であるが、以下の点で異なる。モジュール１０８では、第１部品３１と第１金属膜４１ａとの間にＴＩＭ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ）層７が介在し、第１部品３１とＴＩＭ層７とは接しており、ＴＩＭ層７と第１金属膜４１ａとは接している。
　ＴＩＭ層７は、熱伝導材料の層である。すなわち、ＴＩＭ層７は、熱伝導に適した材料の層である。ＴＩＭ層７の材料は、非導電性である。ＴＩＭ層７の材料は、たとえばエポキシ樹脂に金属を混入させたものであってよい。ここで混入させる金属としては、たとえば金、銀などであってよい。ＴＩＭ層７は、サーマルグリース、ホワイトグリースなどで形成されていてもよい。ＴＩＭ層７は、サーマルグリース、ホワイトグリースなどのうちから複数を組み合わせて形成されていてもよい。
　ＴＩＭ層７の材料は、エポキシ樹脂、シリコーン、無機材料、マトリックスポリマーのいずれかであってよい。ＴＩＭ層７の材料は、熱導電性フィラーを混入させたポリマーであってもよい。マトリックスポリマーは、エチレンプロピレーン、エチレンプロピレーンジエンのモノマー、および水素化ポリイソプレンからなる群から選択されるいずれかを含んでいてもよく、この群から選択される複数を組み合わせたものであってもよい。ＴＩＭ層７は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、および窒化アルミニウムからなる群から選択されるいずれかを含んでいてもよく、この群から選択される複数を組み合わせたものであってもよい。
　ＴＩＭ層７は、カーボンナノチューブ、グラファイト、グラフェン、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール、エポキシ系ポリマー、シリカ系ポリマー、およびアクリル系ポリマーからなる群から選択されるいずれかを含んでいてもよく、この群から選択される複数を組み合わせたものであってもよい。ＴＩＭ層７は、フィラーを含んでいてもよい。ＴＩＭ層７の材料の熱伝導率は、５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であってよい。さらに、ＴＩＭ層７の材料の熱伝導率は、１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。さらに、ＴＩＭ層７の材料の熱伝導率は、２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。ＴＩＭ層７の材料は、ポリマーが有機金属結合、配位結合、または共有結合によって、液体金属に結合した構造のものであってもよい。
　本実施の形態では、第１部品３１で発生した熱は、ＴＩＭ層７を経由して第１金属膜４１ａに伝わり、さらに、第１絶縁膜１２１を貫通する第１導体ビア群１６１に伝わる。したがって、本実施の形態によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができ、放熱性能を向上させたモジュールを実現することができる。
　なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
　なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
［付記１］
　第１面を有する基板と、
　前記第１面に実装された第１部品と、
　前記第１部品の側面および前記第１面を覆うように配置された第１封止樹脂層と、
　前記第１封止樹脂層の前記基板から遠い側の表面を覆う再配線層とを備え、
　前記再配線層は、
　前記第１部品の投影領域に対応するように配置された第１金属膜と、
　前記第１金属膜の前記基板から遠い側の表面を覆う第１絶縁膜と、
　前記第１絶縁膜を貫通して前記基板から遠ざかる向きに前記第１金属膜から突出する第１導体ビア群とを含み、
　前記第１導体ビア群が、前記再配線層の前記基板から遠い側の表面に露出するか、または、前記第１導体ビア群に接続された金属部材が、前記再配線層の前記基板から遠い側の表面に露出する、モジュール。
［付記２］
　前記再配線層は、前記第１絶縁膜の前記基板から遠い側に、前記第１絶縁膜に重なるように配置された第２絶縁膜を含み、前記再配線層は、前記第１導体ビア群に属する少なくともいずれかの導体ビアと電気的に接続する第２導体ビア群を含み、前記第２導体ビア群は前記第２絶縁膜を貫通している、付記１に記載のモジュール。
［付記３］
　前記第１導体ビア群は、前記第２導体ビア群よりも高密度に配置されており、前記第１導体ビア群に属する導体ビアの数は、前記第２導体ビア群に属する導体ビアの数より多い、付記２に記載のモジュール。
［付記４］
　前記第１部品と前記再配線層との間には、前記第１封止樹脂層が介在している、付記１から３のいずれか１項に記載のモジュール。
［付記５］
　前記第１面に実装された他の部品を備え、
　前記再配線層は、前記他の部品の投影領域に対応するように配置されて接地された第２金属膜を含み、
　前記第１金属膜と前記第２金属膜とは、つながっている、付記１から４のいずれか１項に記載のモジュール。
［付記６］
　前記第１封止樹脂層を貫通するように配置された柱状導体を備え、前記再配線層は、前記柱状導体の投影領域に導体構造を含み、前記導体構造は、前記柱状導体に接続され、かつ、前記再配線層の前記基板に近い側の面から前記再配線層の前記基板から遠い側の面までを電気的に接続しており、前記第１金属膜と前記導体構造とは、つながっている、付記１から５のいずれか１項に記載のモジュール。
［付記７］
　前記第１封止樹脂層を貫通するように、かつ、前記第１部品の投影領域を取り囲むように配置された柱状導体群を備え、前記第１金属膜は、前記第１部品の投影領域から外側に延在する張出し部を備え、前記柱状導体群は、前記張出し部に接続されている、付記１から６のいずれか１項に記載のモジュール。
［付記８］
　前記再配線層の前記基板から遠い側の表面には、ドット状の導体が等間隔で露出している、付記１から７のいずれか１項に記載のモジュール。
［付記９］
　前記第１面に実装された第２部品を備え、
　前記再配線層は、前記第１金属膜とは重ならない領域に、第３金属膜を含み、
　前記第２部品と前記第３金属膜とは、接しており、
　前記モジュールは、前記第１絶縁膜を貫通して前記基板から遠ざかる向きに前記第３金属膜から突出する第３導体ビア群を含み、
　前記第１導体ビア群は、前記第３導体ビア群よりも高密度に配置されている、付記１から８のいずれか１項に記載のモジュール。
　１　基板、１ａ　第１面、１ｂ　第２面、２　絶縁層、７　ＴＩＭ層、１３　再配線層、１３ａ　第１層、１３ｂ　第２層、１４　柱状導体、３１　第１部品、３２　第２部品、３３，３４，３５，３６　部品、４０　金属膜、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ　第１金属膜、４２，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ　第２金属膜、４３　第３金属膜、４５ａ，４５ｂ　金属膜、６１　第１封止樹脂層、６２　第２封止樹脂層、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８　モジュール、１２１　第１絶縁膜、１２２　第２絶縁膜、１６１　第１導体ビア群、１６２　第２導体ビア群、１６３　第３導体ビア群、１６６，１６６ａ，１６６ｂ，１６６ｃ，１６６ｄ，１６６ｅ，１６６ｆ，１６６ｈ，１６６ｉ　グランド導体ビア。

Claims (10)

  1. 　第１面を有する基板と、
    　前記第１面に実装された第１部品と、
    　前記第１部品の側面および前記第１面を覆うように配置された第１封止樹脂層と、
    　前記第１封止樹脂層の前記基板から遠い側の表面を覆う再配線層とを備え、
    　前記再配線層は、
    　前記第１部品の投影領域に対応するように配置された第１金属膜と、
    　前記第１金属膜の前記基板から遠い側の表面を覆う第１絶縁膜と、
    　前記第１絶縁膜を貫通して前記基板から遠ざかる向きに前記第１金属膜から突出する第１導体ビア群とを含み、
    　前記第１導体ビア群が、前記再配線層の前記基板から遠い側の表面に露出するか、または、前記第１導体ビア群に接続された金属部材が、前記再配線層の前記基板から遠い側の表面に露出する、モジュール。
  2. 　前記再配線層は、前記第１絶縁膜の前記基板から遠い側に、前記第１絶縁膜に重なるように配置された第２絶縁膜を含み、前記再配線層は、前記第１導体ビア群に属する少なくともいずれかの導体ビアと電気的に接続する第２導体ビア群を含み、前記第２導体ビア群は前記第２絶縁膜を貫通している、請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記第１導体ビア群は、前記第２導体ビア群よりも高密度に配置されており、前記第１導体ビア群に属する導体ビアの数は、前記第２導体ビア群に属する導体ビアの数より多い、請求項２に記載のモジュール。
  4. 　前記第１部品と前記再配線層との間には、前記第１封止樹脂層が介在している、請求項１から３のいずれか１項に記載のモジュール。
  5. 　前記第１面に実装された他の部品を備え、
    　前記再配線層は、前記他の部品の投影領域に対応するように配置されて接地された第２金属膜を含み、
    　前記第１金属膜と前記第２金属膜とは、つながっている、請求項１から４のいずれか１項に記載のモジュール。
  6. 　前記第１封止樹脂層を貫通するように配置された柱状導体を備え、前記再配線層は、前記柱状導体の投影領域に導体構造を含み、前記導体構造は、前記柱状導体に接続され、かつ、前記再配線層の前記基板に近い側の面から前記再配線層の前記基板から遠い側の面までを電気的に接続しており、前記第１金属膜と前記導体構造とは、つながっている、請求項１から５のいずれか１項に記載のモジュール。
  7. 　前記第１封止樹脂層を貫通するように、かつ、前記第１部品の投影領域を取り囲むように配置された柱状導体群を備え、前記第１金属膜は、前記第１部品の投影領域から外側に延在する張出し部を備え、前記柱状導体群は、前記張出し部に接続されている、請求項１から６のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 　前記再配線層の前記基板から遠い側の表面には、ドット状の導体が等間隔で露出している、請求項１から７のいずれか１項に記載のモジュール。
  9. 　前記第１面に実装された第２部品を備え、
    　前記再配線層は、前記第１金属膜とは重ならない領域に、第３金属膜を含み、
    　前記第２部品と前記第３金属膜とは、接しており、
    　前記モジュールは、前記第１絶縁膜を貫通して前記基板から遠ざかる向きに前記第３金属膜から突出する第３導体ビア群を含み、
    　前記第１導体ビア群は、前記第３導体ビア群よりも高密度に配置されている、請求項１から８のいずれか１項に記載のモジュール。
  10. 　前記第１部品と前記第１金属膜との間にＴＩＭ層が介在し、前記第１部品と前記ＴＩＭ層とは接しており、前記ＴＩＭ層と前記第１金属膜とは接している、請求項１から９のいずれか１項に記載のモジュール。
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