WO2024029086A1 - 電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 - Google Patents

電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 Download PDF

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WO2024029086A1
WO2024029086A1 PCT/JP2022/030176 JP2022030176W WO2024029086A1 WO 2024029086 A1 WO2024029086 A1 WO 2024029086A1 JP 2022030176 W JP2022030176 W JP 2022030176W WO 2024029086 A1 WO2024029086 A1 WO 2024029086A1
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WO
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circuit chip
layer
electronic component
component device
base material
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Application number
PCT/JP2022/030176
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English (en)
French (fr)
Inventor
智章 柴田
Original Assignee
株式会社レゾナック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 株式会社レゾナック filed Critical 株式会社レゾナック
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates

Definitions

  • the present disclosure relates to an electronic component device and a method of manufacturing the electronic component device.
  • Non-Patent Document 1 Although the electronic component device disclosed in Non-Patent Document 1 has been improved in terms of productivity, high-speed transmission, power saving, miniaturization, etc., the thermal conductivity has recently increased due to the increase in the amount of heat generated from the chip. It was found that there is room for improvement.
  • the problem to be solved by an embodiment of the present disclosure has been made in view of the above circumstances, and is to provide an electronic component device with excellent thermal conductivity and a method of manufacturing the electronic component device.
  • the rewiring layer includes a resin layer containing a cured product of a photosensitive resin composition and wiring.
  • the photosensitive resin composition contains an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group.
  • the photosensitive resin composition contains at least one selected from the group consisting of polyimide resin, polyamideimide resin, and polybenzoxazole resin.
  • ⁇ 6> The electronic component device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5> above, wherein the first sealing layer contains a cured product of a sealing resin composition containing an epoxy resin.
  • a step of preparing a laminated base material comprising a support base material and a seed layer provided on one surface of the support base material; forming a rewiring layer on a side of the seed layer opposite to the supporting base material side; arranging an electronic circuit chip and an optical circuit chip on a side of the rewiring layer opposite to the seed layer side; forming a first sealing layer that seals the electronic circuit chip and the optical circuit chip; polishing the surface of the first sealing layer on the side opposite to the rewiring layer side, and forming an opening at a position that at least partially overlaps the position of the optical circuit chip; in this order, a method for manufacturing an electronic component device.
  • the support After the step of polishing the surface of the first sealing layer on the side opposite to the rewiring layer side and forming an opening at a position that at least partially overlaps with the position of the optical circuit chip, the support The method for manufacturing an electronic component device according to ⁇ 7> above, further comprising the step of removing the base material. ⁇ 9> The method for manufacturing an electronic component device according to ⁇ 8> above, further comprising a step of etching the seed layer after the step of removing the support base material. ⁇ 10> The method according to ⁇ 9> above, further comprising the step of arranging a solder ball on a side of the rewiring layer opposite to the electronic circuit chip and the optical circuit chip sides, after the step of etching the seed layer.
  • an electronic component device with excellent thermal conductivity and a method of manufacturing the electronic component device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an electronic component device of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the electronic component device of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an electronic component device of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the electronic component device of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing an electronic component device.
  • step includes not only a step that is independent from other steps, but also a step that cannot be clearly distinguished from other steps, as long as the purpose of the step is achieved.
  • numerical ranges indicated using “ ⁇ ” include the numerical values written before and after " ⁇ " as minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit or lower limit described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit of another numerical range described step by step.
  • the upper limit or lower limit of the numerical range may be replaced with the values shown in the Examples.
  • each component may contain multiple types of corresponding substances.
  • the content rate or content of each component is the total content rate or content of the multiple types of substances present in the composition, unless otherwise specified. means quantity.
  • the term "layer” includes not only the case where the layer is formed in the entire area when observing the area where the layer exists, but also the case where the layer is formed only in a part of the area. included.
  • the configuration of the embodiments is not limited to the configuration shown in the drawings.
  • the sizes of the members in each figure are conceptual, and the relative size relationships between the members are not limited thereto.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an electronic component device of the present disclosure.
  • An electronic component device 10A of the present disclosure includes a rewiring layer 11, an electronic circuit chip 12 and an optical circuit chip 13 disposed on the rewiring layer 11, and a sealed electronic circuit chip 12 and optical circuit chip 13.
  • the position of the optical circuit chip 13 at least partially overlaps.
  • the expression that the position of the opening of the first sealing layer and the position of the optical circuit chip at least partially overlap means that there is a region on the surface of the optical circuit chip where the first sealing layer is not provided. means to exist.
  • the first sealing layer 14 may have a plurality of openings, for example, an opening 14A, and this position may overlap with the position of the electronic circuit chip 12.
  • the electronic circuit chip 12 can include a chip electrode 12A.
  • the optical circuit chip 13 can include a laser diode or photodiode 13A, a transparent resin layer 13B, a waveguide 13C, a grating 13D, an optical circuit chip base material 13E, and a chip electrode 13F.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the electronic component device of the present disclosure.
  • the electronic component device 10B shown in FIG. 2 has solder balls 15 on the side opposite to the electronic circuit chip 12 and the optical circuit chip 13 side of the rewiring layer 11 of the electronic component device 10A shown in FIG. It further includes a second sealing layer 16 for sealing and a base material 17. Note that the electronic component device of the present disclosure is not limited to the electronic component device shown in FIGS. 1 and 2.
  • the electronic component device of the present disclosure has excellent thermal conductivity. Although the reason for the above effect is not clear, it is presumed as follows.
  • the first sealing layer has an opening on the side opposite to the rewiring layer side, and the position of the opening and the position of the optical circuit chip are at least partially aligned. overlapping.
  • the thermal conductivity is improved compared to the case where light is extracted from the side surface of the optical circuit chip.
  • the optical circuit chip and the electronic circuit chip are integrally sealed by the first sealing layer on the rewiring layer, and can be mounted on the base material, which improves productivity. , it has excellent high-speed transmission performance and power saving performance, and can be downsized compared to an electronic component device in which an electronic circuit chip and an optical circuit chip are separately sealed and mounted. Furthermore, the chip and the substrate can be connected through a rewiring layer, and the package can be made smaller compared to conventional packages that use wire bonding or the like.
  • the electronic component device of the present disclosure further includes a solder ball, a second sealing layer for sealing the solder ball, and a base material on the side of the wiring layer opposite to the electronic circuit chip and optical circuit chip side. be able to.
  • the electronic component device of the present disclosure can include a heat sink on the surface of at least one of the electronic circuit chip and the optical circuit chip.
  • the rewiring layer can include wiring and a resin layer.
  • the wiring may exist on the surface of the resin layer, may exist inside the resin layer, or may exist on the surface and inside the resin layer.
  • the wiring included in the rewiring layer extends outward from the outer dimensions of the electronic circuit chip and the optical circuit chip.
  • the wiring allows electrical connection between the chip electrodes of the electronic circuit chip and the optical circuit chip and the solder balls.
  • the wiring can include one or more metals.
  • the above-mentioned metal is not particularly limited, and metals commonly used as metals constituting the wiring included in the rewiring layer can be used. Examples of metals include copper, silver, gold, aluminum, and the like.
  • the resin layer can contain a cured product of a photosensitive resin composition.
  • the photosensitive resin composition is not particularly limited, and includes conventionally known ones, specifically, alkali-soluble resins having phenolic hydroxyl groups, acrylic resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polybenzoxazole resins, etc. can be selected and used as appropriate.
  • the photosensitive resin composition may be positive type or negative type. From the viewpoints of safety, environmental load reduction, etc., the photosensitive resin composition preferably contains an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group.
  • alkali-soluble means that it is soluble in an alkaline solution, for example, a 2.38% by weight aqueous tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the photosensitive resin composition preferably contains a photosensitizer. Moreover, from the viewpoint of heat resistance reliability, the photosensitive resin composition may contain a thermal crosslinking agent. Furthermore, from the viewpoint of impact resistance, the photosensitive resin composition may contain an acrylic resin.
  • the resin layer preferably has an elastic modulus of 1 GPa to 5 GPa, more preferably 2 GPa to 3 GPa.
  • the resin layer preferably has a linear expansion coefficient ( ⁇ 1) of 20 ppm/°C to 100 ppm/°C, more preferably 20 ppm/°C to 60 ppm/°C.
  • the resin layer preferably has a glass transition temperature of 200°C to 400°C, more preferably 250°C to 350°C.
  • the resin layer preferably has an elongation at break of 20% to 80%, more preferably 40% to 80%.
  • the elastic modulus and elongation at break are values at room temperature (25°C).
  • the elastic modulus and elongation at break are measured by a tensile test.
  • the linear expansion coefficient and glass transition temperature are measured by TMA (Thermal Mechanical Analysis).
  • the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is not particularly limited, and can be from 500 to 500,000.
  • the weight average molecular weight and number average molecular weight are polystyrene equivalent weight average molecular weights measured by gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the alkali-soluble resin with respect to the total amount of the photosensitive resin composition is preferably 50% by mass to 80% by mass, more preferably 55% by mass to 75% by mass.
  • the photosensitive resin composition preferably contains at least one selected from the group consisting of polyimide resin, polyamideimide resin, and polybenzoxazole resin.
  • the weight average molecular weight of the polyimide resin, polyamideimide resin, and polybenzoxazole resin is preferably 10,000 to 200,000, and 10 ,000 to 150,000, and even more preferably 10,000 to 100,000.
  • the photosensitive resin composition contains at least one selected from the group consisting of polyimide resin, polyamideimide resin, and polybenzoxazole resin, from the viewpoint of adhesiveness, mechanical properties, thermal shock resistance, etc.
  • the sum of the contents of polyimide resin, polyamideimide resin and polybenzoxazole resin with respect to the total amount of the photosensitive resin composition is preferably 50% by mass to 100% by mass, and preferably 70% by mass to 95% by mass. More preferred.
  • the photosensitive resin composition preferably contains an acrylic resin.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 2,000 to 100,000, and preferably 3,000 to 60,000. is more preferable, more preferably 5,000 to 50,000, particularly preferably 10,000 to 40,000.
  • the content of the acrylic resin is 1 part by mass to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the alkali-soluble resin from the viewpoint of adhesion, mechanical properties, thermal shock resistance, etc. It is preferably 3 parts by weight to 30 parts by weight, and even more preferably 5 parts to 20 parts by weight.
  • the photosensitive resin composition can contain a photosensitizer.
  • a photosensitizer refers to a compound that generates an acid upon irradiation with light.
  • the photosensitizers may be used alone or in combination of two or more.
  • the photosensitizer is not particularly limited, and conventionally known photosensitizers can be used.
  • the content of the photosensitizer per 100 parts by mass of the alkali-soluble resin is , preferably from 3 parts by weight to 100 parts by weight, more preferably from 5 parts by weight to 50 parts by weight, even more preferably from 5 parts by weight to 30 parts by weight.
  • the photosensitive resin composition can contain a thermal crosslinking agent.
  • a thermal crosslinking agent As a result, when the photosensitive resin composition is cured, the alkali-soluble resin and the thermal crosslinking agent undergo a crosslinking reaction, so the photosensitive resin composition can be cured at low temperatures, and the strength and heat resistance of the cured product are improved. I can do that.
  • Thermal crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photosensitive agent is 1 with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. It is preferably from 2 parts by weight to 50 parts by weight, more preferably from 2 parts by weight to 30 parts by weight, even more preferably from 3 parts by weight to 25 parts by weight.
  • the photosensitive resin composition may contain one or more solvents.
  • Solvents include ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzyl acetate, n-butyl acetate, ethoxyethyl propionate, 3-methylmethoxypropionate, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N -Dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorylamide, tetramethylene sulfone, diethyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether , dipropylene glycol monomethyl ether.
  • solvents include ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, prop
  • the photosensitive resin composition may contain components other than the above-mentioned components (hereinafter also referred to as "other components") such as an alkali-soluble resin.
  • Other components include a compound that generates an acid when heated, an elastomer, a dissolution promoter, a dissolution inhibitor, a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, and the like.
  • the thickness of the rewiring layer is not particularly limited, and can be, for example, 1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • an electronic circuit chip and an optical circuit chip are placed on the redistribution layer. From the viewpoints of productivity, high-speed transmission, power saving, miniaturization, etc., it is preferable that the electronic circuit chip and the optical circuit chip are arranged side by side in the in-plane direction of the rewiring layer.
  • the shortest distance between the electronic circuit chips and optical circuit chips is is preferably 0.1 mm to 10 mm, more preferably 0.1 mm to 5 mm.
  • the electronic circuit chip and the optical circuit chip are not particularly limited, and conventionally known ones can be used.
  • An electronic circuit chip consists of an electronic circuit chip base material (silicon base material, etc.), a transmitting circuit and a receiving circuit arranged on one surface of the electronic circuit chip base material, and the other surface of the electronic circuit chip base material. and a tip electrode arranged at the tip.
  • the optical circuit chip includes an optical circuit chip base material (silicon base material, etc.), a laser diode or photodiode, a transparent resin layer, a waveguide, and a grating arranged on one surface of the optical circuit chip base material. and a chip electrode disposed on the other surface of the optical circuit chip base material.
  • the electronic component device of the present disclosure includes an electronic circuit chip and a first sealing layer that seals the circuit chip.
  • the first sealing layer On the side of the first sealing layer opposite to the rewiring layer side, the first sealing layer has an opening, and the position of the opening and the position of the optical circuit chip at least partially overlap.
  • the area where the opening and the optical circuit chip overlap may be a part of the optical circuit chip or the entire optical circuit chip, as long as light can be extracted by connecting the connector. From the viewpoint of ease of connection of the connector, the ratio of the area of the optical circuit chip where the openings overlap to the total area of the optical circuit chip (area of the optical circuit chip where the openings overlap/total area of the optical circuit chip) is 0.
  • the first sealing layer may have a plurality of openings. Further, the position of the opening may overlap with the position of the electronic circuit chip.
  • the first sealing layer contains a cured product of a sealing resin composition. Conventionally known resin compositions can be used as the sealing resin composition, and may be solid or liquid.
  • the sealing resin composition may contain an epoxy resin, and may further contain at least one selected from the group consisting of a curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler.
  • the type of epoxy resin is not particularly limited as long as it has an epoxy group in its molecule.
  • the cured product of the sealing resin composition preferably has an elastic modulus of 5 GPa to 25 GPa, more preferably 10 to 25 GPa.
  • the cured product of the sealing resin composition preferably has a linear expansion coefficient ( ⁇ 1) of 5 ppm/°C to 30 ppm/°C, and preferably 10 to 25 ppm/°C. It is more preferable that there be.
  • the cured product of the sealing resin composition preferably has a glass transition temperature of 100°C to 150°C, more preferably 120°C to 150°C. .
  • the methods for measuring the elastic modulus, linear expansion coefficient, and glass transition temperature are as described above.
  • the epoxy equivalent (molecular weight/number of epoxy groups) of the epoxy resin is not particularly limited. From the viewpoint of the balance of various properties such as moldability, reflow resistance, and electrical reliability, it is preferably 100 g/eq to 1000 g/eq, more preferably 150 g/eq to 500 g/eq.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is a value measured by a method according to JIS K 7236:2009.
  • the melting point or softening point is not particularly limited.
  • the temperature is preferably 40°C to 180°C from the viewpoint of moldability and reflow resistance, and more preferably 50°C to 130°C from the viewpoint of handleability during preparation of the sealing resin composition.
  • the melting point of the epoxy resin is a value measured by differential scanning calorimetry (DSC)
  • the softening point of the epoxy resin is a value measured by a method (ring and ball method) according to JIS K 7234:1986.
  • the content of the epoxy resin with respect to the total amount of the sealing resin composition is preferably 2% by mass to 10% by mass, and 2.5% by mass. It is more preferably 7.5% by mass, and even more preferably 3% by mass to 6.5% by mass.
  • the functional group equivalent (hydroxyl group equivalent in the case of a phenol curing agent) of the curing agent is not particularly limited. From the viewpoint of the balance of various properties such as moldability, reflow resistance, and electrical reliability, it is preferably 70 g/eq to 1000 g/eq, more preferably 80 g/eq to 500 g/eq.
  • the hydroxyl equivalent of the phenol curing agent is a value measured by a method according to JIS K 0070:1992.
  • the temperature is preferably 40°C to 180°C, and from the viewpoint of handleability during production of the encapsulating resin composition, it is more preferably 50°C to 130°C. .
  • the melting point or softening point of the curing agent is a value measured in the same manner as the melting point or softening point of the epoxy resin.
  • the equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent is not particularly limited. From the viewpoint of suppressing each unreacted component, it is preferably set in the range of 0.5 to 1.5, more preferably set in the range of 0.6 to 1.3, and 0.7. More preferably, it is set in the range of 1.2 to 1.2.
  • the type of curing accelerator is not particularly limited, and can be selected depending on the type of epoxy resin, desired characteristics of the sealing resin composition, etc.
  • a phosphorus-based curing accelerator is preferable from the viewpoint of the electrical reliability of the sealing resin composition and the fluidity during molding.
  • the content of the curing accelerator in the sealing resin composition is not particularly limited as long as a curing accelerating effect is obtained.
  • the content of the curing accelerator in the sealing resin composition is preferably 0.1% by mass to 8.0% by mass, and preferably 0.5% by mass to 8.0% by mass, based on the total amount of the epoxy resin and curing agent.
  • the content is more preferably 5.0% by mass, and even more preferably 1.0% by mass to 3.0% by mass.
  • the sealing resin composition can contain an inorganic filler.
  • an inorganic filler By including an inorganic filler, it is possible to reduce hygroscopicity and improve strength when cured.
  • the shape of the inorganic filler is not particularly limited, and examples include powder, spherical, and fibrous shapes. Among these, a spherical shape is preferable from the viewpoint of fluidity and mold abrasion resistance during molding of the sealing resin composition.
  • solder ball The electronic component device of the present disclosure can include solder balls on the side of the rewiring layer opposite to the electronic circuit chip and optical circuit chips.
  • the solder balls are electrically connected to the chip electrodes of the electronic circuit chip and the optical circuit chip through wiring provided in the redistribution layer. Further, the solder balls are electrically connected to wiring provided in the base material, which will be described later. Conventionally known solder balls can be used.
  • the electronic component device of the present disclosure can include a second sealing layer that seals the solder balls.
  • the second sealing layer contains a cured product of the sealing resin composition.
  • the sealing resin composition may be the same as that used for forming the first sealing layer, or a different one may be used.
  • the second sealing layer can be provided between the base material described later and the rewiring layer. Further, the second sealing layer can be provided not only between the base material and the redistribution layer. In this case, the second sealing layer has a second opening on the side opposite to the base material side of the second sealing layer, and the position of the second opening and the position of the optical circuit chip are at least the same. The departments overlap.
  • the area where the second opening and the optical circuit chip overlap may be a part of the optical circuit chip or the entire optical circuit chip, as long as light can be extracted by connecting the connector.
  • the ratio of the area of the optical circuit chip overlapping with the second opening to the total area of the optical circuit chip (area of the optical circuit chip overlapping with the second opening/total area of the optical circuit chip) ) is preferably 0.5 or more, more preferably 0.7 or more, even more preferably 0.9 or more, and may be 1.0.
  • the second sealing layer may have a plurality of second openings. Further, the position of the second opening may overlap with the position of the electronic circuit chip.
  • the electronic component device of the present disclosure can include a base material on the side of the rewiring layer opposite to the electronic circuit chip and optical circuit chip sides.
  • the base material may be a wiring base material including wiring, and the wiring is electrically connected to the solder ball.
  • Examples of the material constituting the base material include ceramic, glass, silicon, metal oxides such as TiO 2 and SiO 2 , silicon nitride, and the like. Further, a glass cloth impregnated with epoxy resin or the like may be used as the base material.
  • the electronic component device of the present disclosure can include a heat sink on the surface of at least one of the electronic circuit chip and the optical circuit chip, thereby improving the heat dissipation of the electronic component device.
  • the electronic component device of the present disclosure can include a layer made of TIM (Thermal Interface Material) such as a thermally conductive sheet or thermally conductive grease between the electronic circuit chip, the optical circuit chip, and the heat sink.
  • TIM Thermal Interface Material
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of preparing a laminated base material including a support base material and a seed layer provided on at least one surface of the support base material (hereinafter referred to as "step of preparing a laminated base material").
  • step of forming a rewiring layer on the side of the seed layer opposite to the supporting base material side
  • step of forming a rewiring layer a step of arranging an electronic circuit chip and an optical circuit chip on the side of the rewiring layer opposite to the seed layer side
  • step of arranging an electronic circuit chip and an optical circuit chip A step of forming a first sealing layer for sealing the electronic circuit chip and the optical circuit chip
  • step of forming a first sealing layer for sealing the electronic circuit chip and the optical circuit chip
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include a step of removing the support base material (hereinafter also referred to as a “support base material removal step”) after the step of forming the opening.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include a step of etching the seed layer (hereinafter also referred to as “seed layer etching step”) after the step of removing the support base material.
  • the method for manufacturing an electronic component device according to the present disclosure includes a step (hereinafter referred to as "solder ball”) of arranging a solder ball on the side of the rewiring layer opposite to the electronic circuit chip and optical circuit chip side after the seed layer etching step. ).
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of providing a base material on the side of the solder balls opposite to the rewiring layer side (hereinafter also referred to as "step of providing a base material") after the step of arranging the solder balls. .) may further be included.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of forming a second sealing layer for sealing the solder balls (hereinafter also referred to as a "step of forming a second sealing layer”) after the step of providing the base material. .) may further be included.
  • the second sealing layer on the side opposite to the base material side is sealed.
  • the method may include a step of polishing the surface of the sealing layer to form a second opening that at least partially overlaps the position of the optical circuit chip (hereinafter also referred to as "step of forming a second opening").
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include a step of providing a heat sink on at least one surface of the electronic circuit chip and the optical circuit chip (hereinafter also referred to as "step of providing a heat sink").
  • the laminated base material includes a support base material and a seed layer provided on one surface of the support base material.
  • the laminated base material may be provided with a temporary fixing layer and a seed layer in this order on at least one surface.
  • the supporting base material one manufactured by a conventionally known method may be used, or one that is commercially available may be used.
  • a glass base material can be used.
  • the material constituting the seed layer is not particularly limited, and conventionally known materials can be used.
  • the seed layer can be formed by plating copper, titanium, etc. onto a glass substrate.
  • Materials constituting the temporary fixing layer include resins containing non-polar components such as acrylic, polyimide, polybenzoxazole, silicone, and fluorine, resins containing components that expand or foam when heated or UV (ultraviolet rays), and heated. Alternatively, resins containing components that undergo a crosslinking reaction when exposed to UV light, resins that generate heat when irradiated with light, etc. may be used. Examples of the method for forming the temporary fixing layer include a spin coating method, a spray coating method, and a laminating method. Note that the temporary fixing layer is removed together with the support base material in the support base material removal step, and the seed layer remains on the surface of the redistribution layer.
  • the rewiring layer is not particularly limited, and can be formed by a conventionally known method using the photosensitive resin composition described above.
  • the redistribution layer can be formed by the following method. First, a photosensitive resin composition is applied to the seed layer side surface of the supporting base material to form a coating film. Next, the coating film is exposed to light, and after exposure, the exposed areas are removed with a developer and the unexposed areas are heated to form a resin layer. Next, a rewiring layer can be formed by arranging wiring in the removed exposed portion. The above coating film formation, exposure and wiring arrangement may be repeated. Alternatively, drying may be performed after applying the photosensitive resin composition. A hot plate, oven, etc. can be used for drying.
  • a conventionally known mask can be used to expose the coating film.
  • ultraviolet rays, visible light, radiation, etc. can be used for exposure.
  • developing solutions include aqueous solutions containing alkaline components such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, and tetramethylammonium hydroxide, ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, and propylene.
  • Organic solvents such as sulfoxide, hexamethylphosphorylamide, tetramethylene sulfone, diethyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl
  • ovens such as quartz tube furnaces, hot plates, rapid thermal annealing, vertical diffusion furnaces, infrared curing furnaces, electron beam curing furnaces, and microwave curing furnaces, microwave curing equipment, and variable frequency microwaves are used.
  • a curing device or the like can be used.
  • the electronic circuit chip and the optical circuit chip can be arranged by placing the electronic circuit chip and the optical circuit chip on the rewiring layer and electrically connecting the wiring included in the rewiring layer and the chip electrodes of the electronic circuit chip and the optical circuit chip.
  • the connection method is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
  • the method for forming the first sealing layer is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method.
  • the first sealing layer can be formed using a transfer molding method, an injection molding method, a compression molding method, or a mold underfill method.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of polishing the surface of the first sealing layer on the side opposite to the rewiring layer side and forming an opening at a position that at least partially overlaps with the position of the optical circuit chip.
  • the polishing method is not particularly limited, and any conventionally known method can be used.
  • the number of openings formed by polishing the first sealing layer may be one, or two or more.
  • the position of the opening may overlap the position of the electronic circuit chip.
  • the method for removing the supporting base material is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method. If the laminated base material includes a temporary fixing layer, remove the temporary fixing layer along with the supporting base material.
  • seed layer etching process For etching the seed layer, known methods such as spraying, oscillating dipping, brushing, and scraping can be employed.
  • solder ball placement process The solder balls can be placed on the redistribution layer and electrically connected to the wiring included in the redistribution layer. Conventionally known solder balls can be used.
  • the base material can be arranged by bringing the base material into contact with the solder balls and electrically connecting the wiring included in the base material and the solder balls.
  • the method for forming the second sealing layer is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method.
  • the second sealing layer can be formed by using the above-described transfer molding method, injection molding method, compression molding method, mold underfill method, capillary underfill method, or the like.
  • the capillary underfill method a sealing layer can be formed only between the base material and the redistribution layer. Thereby, it is possible to prevent the second sealing layer from being formed on the surfaces of the electronic circuit chip and the optical circuit chip, and it is possible to omit the step of forming the second opening.
  • Step of forming the second opening When the electronic circuit chip and the optical circuit chip are sealed together with the solder balls by forming the second sealing layer, the surface of the second sealing layer on the side opposite to the base material side is polished and the optical circuit chip is sealed. forming a second opening that at least partially overlaps the position of the second opening.
  • the polishing method is not particularly limited, and any conventionally known method can be used.
  • the number of second openings formed by polishing the second sealing layer may be one, or two or more.
  • the position of the second opening may overlap with the position of the electronic circuit chip.
  • the method for manufacturing an electronic component device can further include the step of providing a heat sink on the surface of at least one of the electronic circuit chip and the optical circuit chip.
  • the timing of implementing the step of providing a heat sink is not particularly limited, and may be performed, for example, after the step of forming the opening and before the step of removing the support base material. Further, the step of providing the heat sink may be performed after the step of forming the second opening.
  • the heat sink As the heat sink, conventionally known ones can be used. Further, the heat sink can be provided on the surface of the electronic circuit chip and the optical circuit chip by using TIM (Thermal Interface Material) such as a thermally conductive sheet or thermally conductive grease.
  • TIM Thermal Interface Material
  • the method for manufacturing an electronic component device according to the present disclosure includes the step of preparing a laminated base material A having a seed layer 1 and a support base material 2 on at least one surface.
  • the support base material 2 includes a temporary fixing layer 3 on the side of the seed layer 1 opposite to the support base material 1 side.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of forming a rewiring layer 11 on the side of the seed layer 1 opposite to the support base material 2 side.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of arranging an electronic circuit chip 12 and an optical circuit chip 13 on the side of the rewiring layer 11 opposite to the seed layer 1 side.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes a step of forming a first sealing layer 14 that seals the electronic circuit chip 12 and the optical circuit chip 13.
  • the surface of the first sealing layer 14 on the side opposite to the rewiring layer 11 is polished and at least aligned with the position of the optical circuit chip 12.
  • the process includes a step of forming openings 14B at partially overlapping positions. As shown in FIG.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include the step of removing the support base material 2 after the step of forming the opening. Note that, as shown in FIG. 8, the temporary fixing layer 3 is removed together with the supporting base material 2. As shown in FIG. 1, the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include a step of etching the seed layer 1 after the step of removing the supporting base material. Thereby, one embodiment of the electronic component device of the present disclosure can be manufactured. As shown in FIG. 9, in the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure, after the seed layer etching process, solder balls are placed on the side of the rewiring layer 11 opposite to the electronic circuit chip 12 and optical circuit chip 13 sides. 15 may further be included. As shown in FIG.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure further includes a step of providing a base material 17 on the side of the solder balls 15 opposite to the rewiring layer 11 side after the step of arranging the solder balls. can be included.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include a step of forming a second sealing layer 16 for sealing the solder balls 15 after the step of providing the base material.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present disclosure can further include the step of providing a heat sink 20 on at least the surfaces of the electronic circuit chip 12 and the optical circuit chip 13.
  • the heat sink 20 can be provided on at least the surface of the electronic circuit chip 12 and the optical circuit chip 13 using the TIM 21 .

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Abstract

再配線層と、再配線層上に配置される電子回路チップ及び光回路チップと、電子回路チップ及び光回路チップを封止する第１封止層と、を備え、第１封止層の再配線層側とは反対の側において、第１封止層が開口部を有し、開口部の位置と、光回路チップの位置とが少なくとも一部重なる。

Description

電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
　本開示は、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法に関する。
　近年、高速光通信、ＨＰＣ（Ｈｉｇｈ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）等への適用を目的とし、光回路チップと、これを制御するための電子回路チップとを１つのパッケージにまとめるＣｏ－ｐａｃｋａｇｅｄ　ｏｐｔｉｃｓという概念が広まりつつある。これによれば、高速大容量化、低消費電力化、小型化等が可能となる。
　一般的には、光回路チップと、電子回路チップとは、別々にパッケージ化され、基材上に搭載される。しかしながら、生産性、高速伝送性、省電力性、小型化等の観点から、光回路チップ及び電子回路チップを再配線層上に配置し、まとめてパッケージし、これを基材上に搭載することが行われている（"FOWLP and Si-Interposer for High-Speed Photonic Packaging", Lim Teck Guan, Eva Wai Leong Ching, Jong Ming Ching, Loh Woon Leng, David Ho Soon Wee and Surya Bhattacharya(2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC))参照）。
　非特許文献１において開示される電子部品装置は、生産性、高速伝送性、省電力性、小型化等で改善されるものの、今般、チップからの発熱量が増大しているため、熱伝導率には改善の余地があるとの知見を得た。
　本開示の一実施形態が解決しようとする課題は、上記事情に鑑みてなされたものであり、熱伝導率に優れる電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供することである。
＜１＞　再配線層と、上記再配線層上に配置される電子回路チップ及び光回路チップと、上記電子回路チップ及び上記光回路チップを封止する第１封止層と、を備え、
　上記第１封止層の上記再配線層側とは反対の側において、上記第１封止層が開口部を有し、上記開口部の位置と、上記光回路チップの位置とが少なくとも一部重なる、電子部品装置。
＜２＞　上記再配線層の上記電子回路チップ及び上記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールと、上記はんだボールを封止する第２封止層と、基材と、をさらに備える、上記＜１＞に記載の電子部品装置。
＜３＞　上記再配線層が、感光性樹脂組成物の硬化物を含有する樹脂層と、配線とを含む、上記＜１＞又は＜２＞に記載の電子部品装置。
＜４＞　上記感光性樹脂組成物が、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含む、上記＜３＞に記載の電子部品装置。
＜５＞　上記感光性樹脂組成物が、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む、上記＜３＞に記載の電子部品装置。
＜６＞　上記第１封止層が、エポキシ樹脂を含む封止用樹脂組成物の硬化物を含有する、上記＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の電子部品装置。
＜７＞　支持基材と、上記支持基材の一方の表面に設けられるシード層とを備える積層基材を用意する工程と、
　上記シード層の上記支持基材側とは反対の側に、再配線層を形成する工程と、
　上記再配線層の上記シード層側とは反対の側に、電子回路チップ及び光回路チップを配置する工程と、
　上記電子回路チップ及び上記光回路チップを封止する第１封止層を形成する工程と、
　上記再配線層側とは反対の側の上記第１封止層の表面を研磨し、上記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程と、
をこの順に含む、電子部品装置の製造方法。
＜８＞　上記再配線層側とは反対の側の上記第１封止層の表面を研磨し、上記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程の後に、上記支持基材を除去する工程をさらに含む、上記＜７＞に記載の電子部品装置の製造方法。
＜９＞　上記支持基材を除去する工程の後に、上記シード層をエッチングする工程をさらに含む、上記＜８＞に記載の電子部品装置の製造方法。
＜１０＞　上記シード層をエッチングする工程の後に、上記再配線層の上記電子回路チップ及び上記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを配置する工程をさらに含む、上記＜９＞に記載の電子部品装置の製造方法。
＜１１＞　上記再配線層の上記電子回路チップ及び上記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを配置する工程の後に、上記はんだボールの上記再配線層側とは反対の側に、基材を設ける工程をさらに含む、上記＜１０＞に記載の電子部品装置の製造方法。
＜１２＞　上記はんだボールと接続する基材を設ける工程の後に、上記はんだボールを封止する第２封止層を形成する工程をさらに含む、上記＜１１＞に記載の電子部品装置の製造方法。
　本開示の一実施形態によれば、熱伝導率に優れる電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供することできる。
図１は、本開示の電子部品装置の一実施形態を示す断面模式図である。 図２は、本開示の電子部品装置の一実施形態を示す断面模式図である。 図３は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図４は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図５は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図６は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図７は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図８は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図９は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図１０は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。 図１１は、電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明するための断面模式図である。
　以下、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示は以下の実施形態に限定されない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明表した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
　また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
　本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
[電子部品装置]
　図１は、本開示の電子部品装置の一実施形態を示す断面模式図である。
　本開示の電子部品装置１０Ａは、再配線層１１と、上記再配線層１１上に配置される電子回路チップ１２及び光回路チップ１３と、上記電子回路チップ１２及び上記光回路チップ１３を封止する第１封止層１４と、を備え、第１封止層１４の再配線層１１側とは反対の側において、第１封止層１４が１４Ｂを有し、開口部１４Ｂの位置と、光回路チップ１３の位置とが少なくとも一部重なる。
　なお、本開示において、第１封止層の開口部の位置と、光回路チップの位置が少なくとも一部重なるとは、光回路チップの表面に、第１封止層が設けられていない領域が存在することを意味する。
　第１封止層１４は、開口部を複数有していてもよく、例えば、開口部１４Ａを有し、この位置が電子回路チップ１２の位置と重なっていてもよい。
　電子回路チップ１２は、チップ電極１２Ａを備えることができる。
　光回路チップ１３は、レーザーダイオード又はフォトダイオード１３Ａと、透明樹脂層１３Ｂと、導波路１３Ｃと、グレーティング１３Ｄと、光回路チップ用基材１３Ｅと、チップ電極１３Ｆとを備えることができる。
　図２は、本開示の電子部品装置の他の一実施形態を示す断面模式図である。
　図２に示す電子部品装置１０Ｂは、図２に示す電子部品装置１０Ａの再配線層１１の電子回路チップ１２及び光回路チップ１３側とは反対の側に、はんだボール１５と、はんだボール１５を封止する第２封止層１６と、基材１７と、をさらに備える。
　なお、本開示の電子部品装置は、図１及び図２に示される電子部品装置に限定されるものではない。
　本開示の電子部品装置は、優れた熱伝導率を有する。上記効果が奏される理由は明らかではないが、以下のように推測される。
　本開示の電子部品装置は、再配線層側とは反対の側において、上記第１封止層が開口部を有し、上記開口部の位置と、上記光回路チップの位置とが少なくとも一部重なって
いる。これにより、再配線層側とは反対の側において、光回路チップの表面に、第１封止層が設けられていない領域が存在するため、光回路チップの表面にコネクタを接続し、光の取り出しが可能となる。そのため、光回路チップの側面方向から光を取り出す場合と比較し、熱伝導率が向上すると推測される。また、光回路チップの表面に、第１封止層が設けられていない領域が存在し、光回路チップが露出する構造となるため、放熱を容易に行うことができる。
　また、本開示の電子部品装置において、光回路チップ及び電子回路チップは再配線層上で第１封止層により一体的に封止されており、これを基材上に搭載できることから、生産性、高速伝送性及び省電力性に優れており、且つ、電子回路チップ及び光回路チップを別々に封止し、搭載する電子部品装置と比べて小型化が可能である。さらに、チップと基板との接続を再配線層により行うことができ、ワイヤボンディング等を用いる従来のパッケージと比較して小型化が可能である。
　本開示の電子部品装置は、配線層の電子回路チップ及び光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールと、はんだボールを封止する第２封止層と、基材と、をさらに備えることができる。
　本開示の電子部品装置は、電子回路チップ及び光回路チップの少なくとも一方の表面に、ヒートシンクを備えることができる。
（再配線層）
　再配線層は、配線と、樹脂層とを含むことができる。
　再配線層において、配線は、樹脂層の表面に存在してもよく、樹脂層の内部に存在してもよく、樹脂層の表面及び内部に存在してもよい。
　また、再配線層が備える配線は、電子回路チップ及び光回路チップの外形よりも外側に拡張されていることが好ましい。
　上記配線により、電子回路チップ及び光回路チップが備えるチップ電極と、はんだボールとを電気的に接続することができる。
　配線は１種又は２種以上の金属を含むことができる。上記金属は、特に限定されるものではなく、再配線層が含む配線を構成する金属として一般的に使用されるものを使用することができる。金属としては、銅、銀、金、アルミニウム等が挙げられる。
　樹脂層は、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことができる。
　感光性樹脂組成物としては、特に限定されるものではなく、従来公知のもの、具体的には、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等を適宜選択して使用することができる。感光性樹脂組成物は、ポジ型であってもよく、ネガ型であってもよい。
　安全性、環境負荷軽減等の観点から、感光性樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含むことが好ましい。本開示において、アルカリ可溶性とは、アルカリ溶液、例えば、２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に溶解可能であることを意味する。感度の観点から、感光性樹脂組成物は感光剤を含むことが好ましい。また、耐熱信頼性の観点から、感光性樹脂組成物は熱架橋剤を含んでもよい。さらに、耐衝撃性の観点から、感光性樹脂組成物はアクリル樹脂を含んでもよい。
　樹脂層は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、弾性率が１ＧＰａ～５ＧＰａであることが好ましく、２ＧＰａ～３ＧＰａであることがより好ましい。
　樹脂層は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、線膨張係数（α１）が２０ｐｐｍ／℃～１００ｐｐｍ／℃であることが好ましく、２０ｐｐｍ／℃～６０ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。
　樹脂層は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、ガラス転移温度が２００℃～４００℃であることが好ましく、２５０℃～３５０℃であることがより好ましい。
　樹脂層は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、破断伸び率が２０％～８０％であることが好ましく、４０％～８０％であることがより好ましい。
　なお、弾性率及び破断伸び率は室温（２５℃）での値である。
　弾性率及び破断伸び率は引張り試験により測定する。
　線膨張係数及びガラス転移温度はＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定する。
　アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるものではなく、５００～５００，０００とすることができる。
　本開示において、重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
　感光性樹脂組成物の総量に対するアルカリ可溶性樹脂の含有率は、５０質量％～８０質量％であることが好ましく、５５質量％～７５質量％であることがより好ましい。
　また、耐熱信頼性の観点から、感光性樹脂組成物は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
　耐熱衝撃性、アルカリ可溶性樹脂との相溶性、現像性等の観点から、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の重量平均分子量は、１０，０００～２００，０００であることが好ましく、１０，０００～１５０，０００であることがより好ましく、１０，０００～１００，０００であることがさらに好ましい。
　感光性樹脂組成物がポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む場合、密着性、機械特性、耐熱衝撃性等の観点から、
　感光性樹脂組成物の総量に対するポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の含有率の和は、５０質量％～１００質量％であることが好ましく、７０質量％～９５質量％であることがより好ましい。
　また、耐熱衝撃性の観点から、感光性樹脂組成物は、アクリル樹脂を含むことが好ましい。
　耐熱衝撃性、アルカリ可溶性樹脂との相溶性、現像性等の観点から、アクリル樹脂の重量平均分子量は、２，０００～１００，０００であることが好ましく、３，０００～６０，０００であることがより好ましく、５，０００～５０，０００であることがさらに好ましく、１０，０００～４０，０００であることが特に好ましい。
　感光性樹脂組成物がアルカリ可溶性樹脂及びアクリル樹脂を含む場合、密着性、機械特性、耐熱衝撃性等の観点から、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対する、アクリル樹脂の含有量は、１質量部～５０質量部であることが好ましく、３質量部～３０質量部であることがより好ましく、５質量部～２０質量部であることがさらに好ましい。
　感光性樹脂組成物は、感光剤を含むことができる。本開示において、感光剤とは、光の照射により酸を生成する化合物を意味する。感光剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　感光剤は、特に限定されるものではなく、従来公知のものを使用することができる。
　感光性樹脂組成物がアルカリ可溶性樹脂及び感光剤を含む場合、露光部及び未露光部の溶解速度差、感度の許容幅等の観点から、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対する、感光剤の含有量は、３質量部～１００質量部であることが好ましく、５質量部～５０質量部であることがより好ましく、５質量部～３０質量部であることがさらに好ましい。
　感光性樹脂組成物は、熱架橋剤を含むことができる。これにより、感光性樹脂組成物の硬化時において、アルカリ可溶性樹脂と熱架橋剤とが架橋反応するため、感光性樹脂組成物の低温における硬化が可能となり、且つ硬化物の強度、耐熱性を向上することできる。熱架橋剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　感光性樹脂組成物がアルカリ可溶性樹脂及び熱架橋剤を含む場合、現像時間、未露光部残膜率の許容幅等の観点から、アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対する、感光剤の含有量は、１質量部～５０質量部であることが好ましく、２質量部～３０質量部であることがより好ましく、３質量部～２５質量部であることがさらに好ましい。
　感光性樹脂組成物は、溶剤を１種又は２種以上含んでいてもよい。
　溶剤としては、γ－ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、ｎ－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、３－メチルメトキシプロピオナート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。
　感光性樹脂組成物が溶剤を含む場合、感光性樹脂組成物の総量に対する溶剤の含有率は特に限定されるものではなく、２０質量％～９０質量％とすることができる。
　感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂等の上記した成分以外の成分（以下、「その他の成分」ともいう。）を含んでいてもよい。
　その他の成分としては、熱により酸を生成する化合物、エラストマー、溶解促進剤、溶解阻害剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤等が挙げられる。
　再配線層の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば、１μｍ～２０μｍとすることができる。
（電子回路チップ及び光回路チップ）
　電子回路チップ及び光回路チップは、再配線層上に配置される。
　生産性、高速伝送性、省電力性、小型化等の観点から、電子回路チップ及び光回路チップは、再配線層の面内方向に並べて配置されることが好ましい。
　電子回路チップ及び光回路チップが再配線層の面内方向に並べて配置される場合、生産性、高速伝送性、省電力性、小型化等の観点から、電子回路チップ及び光回路チップの最短距離は、０．１ｍｍ～１０ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ～５ｍｍであることがより好ましい。
　電子回路チップ及び光回路チップは、特に限定されるものではなく、従来公知のものを使用することができる。
　電子回路チップは、電子回路チップ用基材（シリコン基材等）と、電子回路チップ用基材の一方の表面に配置される送信回路及び受信回路と、電子回路チップ用基材の他方の表面に配置されるチップ電極とを備えることができる。
　光回路チップは、光回路チップ用基材（シリコン基材等）と、光回路チップ用基材の一方の表面に配置されるレーザーダイオード又はフォトダイオード、透明樹脂層、導波路、及びグレーティングと、光回路チップ用基材の他方の表面に配置されるチップ電極とを備えることができる。
（第１封止層）
　本開示の電子部品装置は、電子回路チップ及び上記回路チップを封止する第１封止層を備える。
　第１封止層の再配線層側とは反対の側において、第１封止層は開口部を有し、開口部の位置と、光回路チップの位置とが少なくとも一部重なる。
　開口部と、光回路チップとが重なる面積は、コネクタの接続による光の取り出しができる限りにおいて、光回路チップの一部であってもよく、光回路チップの全体であってもよい。
　コネクタの接続容易性の観点からは、光回路チップの総面積に対する、開口部が重なる光回路チップの面積の比（開口部が重なる光回路チップの面積／光回路チップの総面積）は、０．５以上であることが好ましく、０．７以上であることがより好ましく、０．９以上であることがさらに好ましく、１．０であってもよい。
　また、第１封止層は、開口部を複数有していてもよい。また、開口部の位置は、電子回路チップの位置と重なっていてもよい。
　第１封止層は、封止用樹脂組成物の硬化物を含む。封止用樹脂組成物は、従来公知のものを使用することができ、固体であってもよく、液体であってもよい。
　封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含んでもよく、更に、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填剤からなる群より選択される少なくとも１種を含有してもよい。エポキシ樹脂は、分子中にエポキシ基を有するものであればその種類は特に制限されない。
　封止用樹脂組成物の硬化物は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、弾性率が５ＧＰａ～２５ＧＰａであることが好ましく、１０～２５ＧＰａであることがより好ましい。
　封止用樹脂組成物の硬化物は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、線膨張係数（α１）が５ｐｐｍ／℃～３０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、１０～２５ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。
　封止用樹脂組成物の硬化物は、機械的信頼性及び熱的信頼性の観点から、ガラス転移温度が１００℃～１５０℃であることが好ましく、１２０℃～１５０℃であることがより好ましい。
　なお、弾性率、線膨張係数及びガラス転移温度の測定方法は、上記した通りである。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量（分子量／エポキシ基数）は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性、電気的信頼性等の各種特性バランスの観点からは、１００ｇ／ｅｑ～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ～５００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ　７２３６：２００９に準じた方法で測定される値とする。
　エポキシ樹脂が固体である場合、その融点又は軟化点は、特に制限されない。成形性と耐リフロー性の観点からは４０℃～１８０℃であることが好ましく、封止用樹脂組成物の調製の際の取扱い性の観点からは５０℃～１３０℃であることがより好ましい。
　エポキシ樹脂の融点は示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で測定される値とし、エポキシ樹脂の軟化点はＪＩＳ　Ｋ　７２３４：１９８６に準じた方法（環球法）で測定される値とする。
　封止用樹脂組成物の総量に対する、エポキシ樹脂の含有率は、強度、流動性、耐熱性、成形性等の観点から、２質量％～１０質量％であることが好ましく、２．５質量％～７．５質量％であることがより好ましく、３質量％～６．５質量％であることがさらに好ましい。
　硬化剤の官能基当量（フェノール硬化剤の場合は水酸基当量）は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性、電気的信頼性等の各種特性バランスの観点からは、７０ｇ／ｅｑ～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、８０ｇ／ｅｑ～５００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　フェノール硬化剤の水酸基当量は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２に準じた方法により測定される値とする。
　硬化剤が固体である場合、その融点又は軟化点は、特に制限されない。成形性と耐リフロー性の観点からは、４０℃～１８０℃であることが好ましく、封止用樹脂組成物の製造時における取扱い性の観点からは、５０℃～１３０℃であることがより好ましい。
　硬化剤の融点又は軟化点は、エポキシ樹脂の融点又は軟化点と同様にして測定される値とする。
　エポキシ樹脂と硬化剤との当量比、すなわちエポキシ樹脂中の官能基数に対する、硬化剤中の官能基数の比（硬化剤中の官能基数／エポキシ樹脂中の官能基数）は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑える観点からは、０．５～１．５の範囲に設定されることが好ましく、０．６～１．３の範囲に設定されることがより好ましく、０．７～１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
　硬化促進剤の種類は特に制限されず、エポキシ樹脂の種類、封止用樹脂組成物の所望の特性等に応じて選択できる。硬化促進剤としては、封止用樹脂組成物の電気的信頼性及び成形時の流動性の観点から、リン系の硬化促進剤が好ましい。
　封止用樹脂組成物中の硬化促進剤の含有率は硬化促進効果が得られれば特に限定されない。封止用樹脂組成物中の硬化促進剤の含有率は、エポキシ樹脂及び硬化剤の総量に対して、０．１質量％～８．０質量％であることが好ましく、０．５質量％～５．０質量％であることがより好ましく、１．０質量％～３．０質量％であることがさらに好ましい。
　封止用樹脂組成物は、無機充填材を含むことができる。無機充填材を含むことにより、硬化物とした際に吸湿性低減及び強度向上を図ることができる。無機充填材の形状は特に限定されず、粉状、球状、繊維状等が挙げられる。中でも、封止用樹脂組成物の成形時の流動性及び金型摩耗性の点からは、球形が好ましい。
（はんだボール）
　本開示の電子部品装置は、再配線層の電子回路チップ及び光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを備えることができる。はんだボールは、再配線層が備える配線により、電子回路チップ及び光回路チップのチップ電極へ電気的に接続する。また、はんだボールは、後述する基材が備える配線に電気的に接続する。はんだボールは、従来公知のものを使用することができる。
（第２封止層）
　本開示の電子部品装置は、はんだボールを封止する第２封止層を備えることができる。
　第２封止層は、封止用樹脂組成物の硬化物を含む。封止用樹脂組成物は、第１封止層の形成に使用するものと同じものを使用してもよく、異なるものを使用してもよい。
　第２封止層は、後述する基材と、再配線層との間に設けることができる。
　また、第２封止層は、基材と再配線層との間以外にも設けることができる。この場合、第２封止層の基材側とは反対の側において、第２封止層は第２開口部を有し、第２開口部の位置と、光回路チップの位置とが少なくとも一部重なる。
　第２開口部と、光回路チップとが重なる面積は、コネクタの接続による光の取り出しができる限りにおいて、光回路チップの一部であってもよく、光回路チップの全体であってもよい。
　コネクタの接続容易性の観点からは、光回路チップの総面積に対する、第２開口部が重なる光回路チップの面積の比（第２開口部が重なる光回路チップの面積／光回路チップの総面積）は、０．５以上であることが好ましく、０．７以上であることがより好ましく、０．９以上であることがさらに好ましく、１．０であってもよい。
　また、第２封止層は、第２開口部を複数有していてもよい。また、第２開口部の位置は、電子回路チップの位置と重なっていてもよい。
（基材）
　本開示の電子部品装置は、再配線層の電子回路チップ及び光回路チップ側とは反対の側に、基材を備えることができる。基材は、配線を含む配線基材であってもよく、上記配線は、はんだボールと電気的に接続する。
　基材を構成する材料としては、セラミック、ガラス、シリコン、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２等の金属酸化物、窒化ケイ素等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等を含浸させたガラスクロスを基材として使用してもよい。
（ヒートシンク）
　本開示の電子部品装置は、電子回路チップ及び光回路チップの少なくとも一方の表面に、ヒートシンクを備えることができ、これにより、電子部品装置の放熱性を向上することができる。
　本開示の電子部品装置は、電子回路チップ及び光回路チップと、ヒートシンクとの間に、熱伝導シート、熱伝導グリース等のＴＩＭ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ）により構成される層を備えることができる。
[電子部品装置の製造方法]
　本開示の電子部品装置の製造方法は、支持基材と、支持基材の少なくとも一方の表面に設けられるシード層とを備える積層基材を用意する工程（以下、「積層基材を用意する工程」ともいう。）と、
　上記シード層の上記支持基材側とは反対の側に、再配線層を形成する工程（以下、「再配線層を形成する工程」ともいう。）と、
　上記再配線層の上記シード層側とは反対の側に、電子回路チップ及び光回路チップを配置する工程（以下、「電子回路チップ及び光回路チップを配置する工程」ともいう。）と、
　上記電子回路チップ及び上記光回路チップを封止する第１封止層を形成する工程（以下、「第１封止層を形成する工程」ともいう。）と、
　上記再配線層側とは反対の側の上記第１封止層の表面を研磨し、上記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程（以下、「開口部を形成する工程」ともいう。）と、
をこの順に含む。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、開口部を形成する工程の後に、支持基材を除去する工程（以下、「支持基材の除去工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、支持基材の除去工程の後に、シード層をエッチングする工程（以下、「シード層のエッチング工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、シード層のエッチング工程の後に、再配線層の電子回路チップ及び光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを配置する工程（以下、「はんだボールの配置工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、はんだボールの配置工程の後に、はんだボールの再配線層側とは反対の側に、基材を設ける工程（以下、「基材を設ける工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、基材を設ける工程の後に、はんだボールを封止する第２封止層を形成する工程（以下、「第２封止層を形成する工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、第２封止層の形成により、はんだボールと共に、電子回路チップ及び上記光回路チップが封止される場合、基材側とは反対の側の第２封止層の表面を研磨し、上記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる第２開口部を形成する工程（以下、「第２開口部を形成する工程」ともいう。）を含むことができる。
　本開示の電子部品装置の製造方法は、ヒートシンクを電子回路チップ及び光回路チップの少なくとも一方の表面に設ける工程（以下、「ヒートシンクを設ける工程」ともいう。）をさらに含むことができる。
（積層基材を用意する工程）
　積層基材は、支持基材と、支持基材の一方の表面に設けられるシード層を備える。
　積層基材は、少なくとも一方の表面に、仮固定層及びシード層をこの順に備えていてもよい。
　支持基材は、従来公知の方法により製造したものを使用してもよく、市販されるものを使用してもよい。支持基材としては、例えば、ガラス基材を使用することができる。
　シード層を構成する材料は、特に限定されるものではなく、従来公知の材料を使用することができる。銅、チタン等を、ガラス基材にめっきすることによりシード層を形成することができる。
　仮固定層を構成する材料としては、アクリル、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコーン、フッ素等の非極性成分を含有した樹脂、加熱若しくはＵＶ（紫外線）によって体積膨張若しくは発泡する成分を含有した樹脂、加熱若しくはＵＶによって架橋反応が進行する成分を含有した樹脂、光照射によって発熱する樹脂などが挙げられる。
　仮固定層の形成方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、ラミネート加工法等が挙げられる。
　なお、仮固定層は、支持基材の除去工程において、支持基材と共に除去され、シード層は再配線層表面に残存する。
（再配線層を形成する工程）
　再配線層は、特に限定されるものではなく、上記した感光性樹脂組成物を使用し、従来公知の方法により形成することができる。
　一実施形態において、再配線層は、以下の方法により形成することができる。
　まず、支持基材のシード層側の表面に、感光性樹脂組成物を塗布し、塗膜を形成する。次いで、塗膜を露光し、露光後に現像液により露光部を除去し、非露光部を加熱し、樹脂層を形成する。次いで、除去された露光部の部分に配線を配置することにより、再配線層を形成することができる。上記塗膜形成、露光及び配線の配置は繰り返し行ってもよい。また、感光性樹脂組成物を塗布した後に乾燥を行ってもよい。乾燥には、ホットプレート、オーブン等を使用することができる。塗膜の露光には、従来公知のマスクを使用することができる。また、露光には、紫外線、可視光線、放射線等を使用することができる。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ成分を含む水溶液、γ－ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、ｎ－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、３－メチルメトキシプロピオナート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶剤などを使用することができる。非露光部の加熱には、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等のオーブン、マイクロ波硬化装置、周波数可変マイクロ波硬化装置などを使用することができる。
（電子回路チップ及び光回路チップを配置する工程）
　電子回路チップ及び光回路チップは、再配線層上に載せ、再配線層が含む配線と、電子回路チップ及び光回路チップのチップ電極とを電気的に接続することにより、配置することができる。接続方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。
（第１封止層を形成する工程）
　第１封止層の形成方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。例えば、第１封止層は、トランスファ成形法、インジェクション成形法、圧縮成形法、又はモールドアンダーフィル法を利用することにより形成することができる。
（開口部を形成する工程）
　本開示の電子部品装置の製造方法は、再配線層側とは反対の側の第１封止層の表面を研磨し、光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程を含む。
　研磨方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。
　第１封止層の研磨により形成される開口部は１つであってもよく、２つ以上であってもよい。上記開口部の位置は、電子回路チップの位置と重なっていてもよい。
（支持基材の除去工程）
　支持基材の除去方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。積層基材が仮固定層を備える場合、支持基材と共に、仮固定層も除去する
（シード層のエッチング工程）
　シード層のエッチングは、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法が採用できる。
（はんだボールの配置工程）
　はんだボールは、再配線層上に載せ、再配線層が含む配線と電気的に接続することにより、配置することができる。
　はんだボールは、従来公知のものを使用することができる。
（基材を設ける工程）
　基材をはんだボールと接触させ、基材に含まれる配線とはんだボールとを電気的に接続することにより、基材を配置することができる。
（第２封止層を形成する工程）
　第２封止層の形成方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。例えば、第２封止層は、上述のトランスファ成形法、インジェクション成形法、圧縮成形法、モールドアンダーフィル法、キャピラリーアンダーフィル法等を利用することにより形成することができる。
　キャピラリーアンダーフィル法を用いることで基材と再配線層の間にのみ封止層を形成できる。これにより、電子回路チップ及び光回路チップの表面に第２封止層が形成されることを防止することができ、第２開口部を形成する工程を省略することができる。
（第２開口部を形成する工程）
　第２封止層の形成により、はんだボールと共に、電子回路チップ及び上記光回路チップを封止した場合、基材側とは反対の側の第２封止層の表面を研磨し、光回路チップの位置と少なくとも一部重なる第２開口部を形成する工程を含む。
　研磨方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により行うことができる。
　第２封止層の研磨により形成される第２開口部は１つであってもよく、２つ以上であってもよい。上記第２開口部の位置は、電子回路チップの位置と重なっていてもよい。
（ヒートシンクを設ける工程）
　本開示の電子部品装置の製造方法は、ヒートシンクを電子回路チップ及び光回路チップの少なくとも一方の表面に設ける工程をさらに含むことができる。
　ヒートシンクを設ける工程を実施するタイミングは、特に限定されるものではなく、例えば、開口部を形成する工程の後、支持基材の除去工程の前に行ってもよい。また、ヒートシンクを設ける工程を、第２開口部を形成する工程の後に行ってもよい。
　ヒートシンクとしては、従来公知のものを使用することができる。また、ヒートシンクは、熱伝導シート、熱伝導グリース等のＴＩＭ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ）を使用することにより、電子回路チップ及び光回路チップの表面に設けることができる。
　以下、図１～図１０を参照し、本開示の電子部品装置の製造方法の一実施形態を説明する。なお、本開示の電子部品装置の製造方法は、以下の図に示される電子部品装置の製造方法に限定されるものではない。
　図３に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、少なくとも一方の表面にシード層１と、支持基材２とを備える積層基材Ａを用意する工程を含む。支持基材２は、シード層１の支持基材１側とは反対の側に、仮固定層３を備える。
　図４に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、シード層１の支持基材２側とは反対の側に、再配線層１１を形成する工程を含む。
　図５に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、再配線層１１のシード層１側とは反対の側に、電子回路チップ１２及び光回路チップ１３を配置する工程を含む。
　図６に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、電子回路チップ１２及び光回路チップ１３を封止する第１封止層１４を形成する工程を含む。
　図７に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、再配線層１１側とは反対の側の第１封止層１４の表面を研磨し、光回路チップ１２の位置と少なくとも一部重なる位置に開口部１４Ｂを形成する工程を含む。
　図８に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、開口部を形成する工程の後に、支持基材２を除去する工程をさらに含むことができる。なお、図８に示すように、支持基材２と共に、仮固定層３が除去される。
　図１に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、支持基材の除去工程の後に、シード層１をエッチングする工程をさらに含むことができる。これにより、本開示の電子部品装置の一実施形態を製造することができる。
　図９に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、シード層のエッチング工程の後に、再配線層１１の電子回路チップ１２及び光回路チップ１３側とは反対の側に、はんだボール１５を配置する工程をさらに含むことができる。
　図１０に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、はんだボールの配置工程の後に、はんだボール１５の再配線層１１側とは反対の側に、基材１７を設ける工程をさらに含むことができる。
　図２に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、基材を設ける工程の後に、はんだボール１５を封止する第２封止層１６を形成する工程をさらに含むことができる。これにより、本開示の電子部品装置の一実施形態を製造することができる。
　図１１に示すように、本開示の電子部品装置の製造方法は、ヒートシンク２０を電子回路チップ１２及び光回路チップ１３の少なくとも表面に設ける工程をさらに含むことができる。ヒートシンク２０は、ＴＩＭ２１により電子回路チップ１２及び光回路チップ１３の少なくとも表面に設けることができる。

Claims (12)

  1. 　再配線層と、前記再配線層上に配置される電子回路チップ及び光回路チップと、前記電子回路チップ及び前記光回路チップを封止する第１封止層と、を備え、
    　前記第１封止層の前記再配線層側とは反対の側において、前記第１封止層が開口部を有し、前記開口部の位置と、前記光回路チップの位置とが少なくとも一部重なる、電子部品装置。
  2. 　前記再配線層の前記電子回路チップ及び前記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールと、前記はんだボールを封止する第２封止層と、基材と、をさらに備える、請求項１に記載の電子部品装置。
  3. 　前記再配線層が、感光性樹脂組成物の硬化物を含有する樹脂層と、配線とを含む、請求項１又は請求項２に記載の電子部品装置。
  4. 　前記感光性樹脂組成物が、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含む、請求項３に記載の電子部品装置。
  5. 　前記感光性樹脂組成物が、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項３に記載の電子部品装置。
  6. 　前記第１封止層が、エポキシ樹脂を含む封止用樹脂組成物の硬化物を含有する、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の電子部品装置。
  7. 　支持基材と、前記支持基材の一方の表面に設けられるシード層とを備える積層基材を用意する工程と、
    　前記シード層の前記支持基材側とは反対の側に、再配線層を形成する工程と、
    　前記再配線層の前記シード層側とは反対の側に、電子回路チップ及び光回路チップを配置する工程と、
    　前記電子回路チップ及び前記光回路チップを封止する第１封止層を形成する工程と、
    　前記再配線層側とは反対の側の前記第１封止層の表面を研磨し、前記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程と、
    をこの順に含む、電子部品装置の製造方法。
  8. 　前記再配線層側とは反対の側の前記第１封止層の表面を研磨し、前記光回路チップの位置と少なくとも一部重なる位置に開口部を形成する工程の後に、前記支持基材を除去する工程をさらに含む、請求項７に記載の電子部品装置の製造方法。
  9. 　前記支持基材を除去する工程の後に、前記シード層をエッチングする工程をさらに含む、請求項８に記載の電子部品装置の製造方法。
  10. 　前記シード層をエッチングする工程の後に、前記再配線層の前記電子回路チップ及び前記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを配置する工程をさらに含む、請求項９に記載の電子部品装置の製造方法。
  11. 　前記再配線層の前記電子回路チップ及び前記光回路チップ側とは反対の側に、はんだボールを配置する工程の後に、前記はんだボールの前記再配線層側とは反対の側に、基材を設ける工程をさらに含む、請求項１０に記載の電子部品装置の製造方法。
  12. 　前記はんだボールと接続する基材を設ける工程の後に、前記はんだボールを封止する第２封止層を形成する工程をさらに含む、請求項１１に記載の電子部品装置の製造方法。
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