WO2024023872A1

WO2024023872A1 - 電力変換装置

Info

Publication number: WO2024023872A1
Application number: PCT/JP2022/028570
Authority: WO
Inventors: 義章石黒; 哲村上; 亮太近藤; 光中川; 由浩竹島
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2022-07-25
Filing date: 2022-07-25
Publication date: 2024-02-01

Abstract

コンデンサ直列回路（２ａ、２ｂ）と、複数のスイッチング素子（３ａ～３ｆ）が直列接続されたレグが複数並列に接続されたインバータ回路（３）と、複数のスイッチング素子（４ａ～４ｆ）を有し、一端がコンデンサ直列回路（２ａ、２ｂ）の接続点に接続され、他端がインバータ回路（３）のスイッチング素子（３ａ～３ｆ）の複数の接続点に接続されたスイッチ回路（４）とを備え、インバータ回路（３）は、スイッチ回路（４）のスイッチング素子（４ａ～４ｆ）をオフさせることにより２レベル動作が可能であり、スイッチ回路（４）のスイッチング素子（４ａ～４ｆ）をオン・オフさせることにより３レベル動作が可能であり、制御回路（８）は、２レベル動作と３レベル動作との間の動作レベルの切替の際に、スイッチング素子（３ａ～３ｆ）、（４ａ～４ｆ）のスイッチング速度を変更する。

Description

電力変換装置

　本願は、電力変換装置に関するものである。

　従来、直列接続した第１及び第２の直流電源と、前記各直流電源の直流電力を交流電力に変換を行う電力変換器を備え、前記電力変換器は、半導体素子からなる少なくとも２個のスイッチング素子を直列接続して１アームを構成し、これを少なくとも３アーム並列接続し、各アーム毎の前記スイッチング素子相互の接続点と、前記直流電源相互の接続点との間に、半導体素子と半導体素子に逆並列に接続したダイオードからなる少なくとも２個のスイッチング素子を直列接続してなる交流スイッチをそれぞれ接続し、前記各交流スイッチをオン又はオフすることで、前記電力変換器を３レベル運転又は２レベル運転を可能にした電力変換装置がある（下記の特許文献１参照）。

国際公開番号ＷＯ２０１２／０２５９７８

　前述のような電力変換装置において、２レベル動作時は直列接続されたスイッチング素子には電源電圧が印加されるが、３レベル動作時は直列接続されたスイッチング素子には電源電圧の半分の電圧が印加される。ここで、３レベル動作時に低損失となるようにスイッチング時に発生するサージ電圧がスイッチング素子の許容サージ電圧以下となる範囲で最適に調整されたオフ時のゲート抵抗値の状態から、２レベル動作に切り替えられると、直列接続されたスイッチング素子に印加される電圧が３レベル動作時に比べて２倍となる。その結果、スイッチング時に発生するサージ電圧がスイッチング素子の許容サージ電圧を超過し、スイッチング素子が故障する懸念がある。

　本願は、前記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、２レベル動作と３レベル動作の動作レベルの切替可能な電力変換装置において、動作レベル切替時においてもスイッチング素子の故障の懸念がない電力変換装置を提供することを目的としている。

　本願に開示される電力変換装置は、
　直列に接続された複数のコンデンサを有し、両端が直流電圧源の両端に接続されるコンデンサ直列回路と、
　複数のスイッチング素子が直列接続されたレグが複数並列に接続され、直流入力端が前記コンデンサ直列回路の両端に接続されるとともに交流出力端が負荷に接続されるインバータ回路と、
　複数のスイッチング素子を有し、一端が複数の前記コンデンサの接続点に接続され、他端が前記インバータ回路の前記スイッチング素子の複数の接続点に接続されたスイッチ回路と、
　前記インバータ回路および前記スイッチ回路を制御する制御回路と、を備え、
　前記インバータ回路は、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオフさせることにより２レベル動作が可能であり、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオン・オフさせることにより３レベル動作が可能であり、
　前記制御回路は、前記２レベル動作と前記３レベル動作との間の動作レベルの切替の際に、前記インバータ回路および前記スイッチ回路の前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更するものである。

　本願に開示される電力変換装置によれば、動作レベル切替時においてもスイッチング素子の故障の懸念がない電力変換装置を実現することが可能となる。

実施の形態１に係る電力変換装置を示す構成図である。実施の形態１に係る電力変換装置のゲート入力部を示す構成図である。２レベル動作時と３レベル動作時の負荷電流とスイッチング電圧を示す図である。２レベル動作時と３レベル動作時の電力変換装置の損失内訳を示す模式図である。ＷＬＴＣモード走行パターンの時系列データを示す図である。レベル動作切替の電流値とＷＬＴＣモード走行時の損失の関係を示す模式図である。レベル動作切替の電流値と電力変換装置の体積の関係を示す模式図である。実施の形態１による電力変換装置の制御の特徴を表す動作概念図である。実施の形態１による電力変換装置の具体的な制御フローチャートを示す図である。実施の形態１による電力変換装置の具体的な制御フローチャートを示す図である。実施の形態１による電力変換装置の具体的な制御フローチャートを示す図である。実施の形態１によるモータ動作点に応じた動作レベルの切替を示す模式図であり、モータの回転数とトルク特性に２レベル動作および３レベル動作とキャリア周波数の関係をマッピングした図である。実施の形態１による図１以外の電力変換装置の構成を示す図である。実施の形態２による電力変換装置の制御の特徴を表す動作概念図である。実施の形態１の電力変換装置のゲート入力部のバッファ回路の構成を示す図である。実施の形態１および２による電力変換装置の制御回路のハードウエア構成を示す図である。

実施の形態１．
　本開示の実施の形態１に係る電力変換装置について図面を用いて説明する。
［電力変換装置の構成］
　図１は、実施の形態１に係る電力変換装置を示す構成図である。
　図１に示す電力変換装置は、直流電圧源１と、負荷としてのモータ７との間に接続されており、直流電圧源１からの直流電力を交流電力に変換してモータ（負荷）７に出力することによりモータ（負荷）７を動作させる。
　電力変換装置は、複数のコンデンサ２ａ、２ｂが直列に接続されたコンデンサ直列回路２と、複数のスイッチング素子３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆを有するインバータ回路３と、複数のスイッチング素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆを有するスイッチ回路４と、スイッチング素子３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆのゲート入力部５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆと、スイッチング素子４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆのゲート入力部６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆと、インバータ回路３およびスイッチ回路４を制御する制御回路８を備えている。
　なお、本実施の形態では、電力変換装置の例として三相インバータ装置を示しているが、必ずしも三相インバータ装置である必要はなく、単相または四相以上のインバータ装置であってもよい。また、負荷としてモータ７の例を示したが、その他の負荷機器であっても良い。

　コンデンサ２ａおよびコンデンサ２ｂは、互いに直列に接続されており、コンデンサ直列回路２を形成している。ここでは、コンデンサ２ａおよびコンデンサ２ｂの接続点を第１の接続点として説明する。コンデンサ直列回路２は、その両端が直流電圧源１の両端および後述するインバータ回路３の直流入力端に接続されている。なお、ここではコンデンサ直列回路２は、２つのコンデンサが直列に接続された場合について示しているが、これに限ったものではなく、３つ以上のコンデンサが接続されていてもよい。

　インバータ回路３は、直列接続された２つのスイッチング素子からなるレグを３つ並列に接続された構成をしており、各レグの両端はコンデンサ直列回路２の両端および直流電圧源１の両端に接続されている。図１に示す例では、スイッチング素子３ａのアームとスイッチング素子３ｂのアームが直列に接続されてＵ相のレグを構成し、スイッチング素子３ｃのアームとスイッチング素子３ｄのアームが直列に接続されてＶ相のレグを構成し、スイッチング素子３ｅのアームとスイッチング素子３ｆのアームが直列に接続されてＷ相のレグを構成している。ここでは、スイッチング素子３ａおよび３ｂ、スイッチング素子３ｃおよび３ｄ、スイッチング素子３ｅおよび３ｆの接続点を、それぞれ第２、第３、第４の接続点として説明する。第２、第３、第４の接続点は、インバータ回路３の交流出力端となる。第２、第３、第４の接続点には、負荷としてのモータ７が接続されており、インバータ回路３は、第２、第３、第４の接続点を介してモータ７に交流電力を供給する。

　なお、インバータ回路３に用いるスイッチング素子３ａ～３ｆは、ソース・ドレイン間に逆並列ダイオードを備えたＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられているが、ＭＯＳＦＥＴはＳｉＣまたはＳｉのどちらも適用することが可能であり、また、逆並列ダイオードはＭＯＳＦＥＴに内蔵されたダイオードを用いても良く、外付けに別途ダイオードを設けても良い。さらに、ダイオードが逆並列に接続されたＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）あるいはＧａＮ－ＨＥＭＴ（Ｇａｌｌｉｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｈｉｇｈ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などを用いても良い。

　スイッチ回路４は、複数のスイッチング素子４ａ～４ｆを備えており、これらのスイッチング素子４ａ～４ｆを制御することで、後述する２レベル動作および３レベル動作を切り替えることができる。図１に示すスイッチ回路４は、インバータ回路３の第２～第４の接続点と、コンデンサ２ａ、２ｂの第１の接続点との間に設けられており、ソース・ドレイン間に逆並列ダイオードを備えたＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられる。ここでも、ＭＯＳＦＥＴはＳｉＣまたはＳｉのどちらも適用することが可能であり、また、逆並列ダイオードはＭＯＳＦＥＴに内蔵されたダイオードを用いても良く、外付けに別途ダイオードを設けても良い。さらに、ダイオードが逆並列に接続されたＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）あるいはＧａＮ－ＨＥＭＴ（Ｇａｌｌｉｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｈｉｇｈ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などを用いても良い。

　スイッチ回路４において、スイッチング素子４ａとスイッチング素子４ｂ、スイッチング素子４ｃとスイッチング素子４ｄ、スイッチング素子４ｅとスイッチング素子４ｆ、が逆方向に直列接続されている。また、スイッチング素子４ａ、４ｃ、４ｅのソース端子はコンデンサ直列回路２の第１の接続点に接続されており、スイッチング素子４ｂ、４ｄ、４ｆのソース端子はそれぞれ第２～第４の接続点に接続されている。逆方向に直列接続されている構成として、スイッチング素子４ａと４ｂ、スイッチング素子４ｃと４ｄ、スイッチング素子４ｅと４ｆは、互いのドレイン端子同士が接続されている。

　前記のようなスイッチ回路４の構成により、スイッチング素子４ａをオンとすることにより、第２の接続点から第１の接続点へ電流が流れることが可能となり、スイッチング素子４ｂをオンとすることにより、第１の接続点から第２の接続点へ電流が流れることが可能となる。また、スイッチング素子４ｃをオンとすることにより、第３の接続点から第１の接続点へ電流が流れることが可能となり、スイッチング素子４ｄをオンとすることにより、第１の接続点から第３の接続点へ電流が流れることが可能となる。さらに、スイッチング素子４ｅをオンとすることにより、第４の接続点から第１の接続点へ電流が流れることが可能となり、スイッチング素子４ｆをオンとすることにより、第１の接続点から第４の接続点へ電流が流れることが可能となる。なお、スイッチ回路４は、図１に示す構成に限定されるものではなく、一方のスイッチング素子をオンまたはオフとすることにより電流の流れる方向を制御できればよい。

　ゲート入力部５ａ～５ｆは、制御回路８から出力されたＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ　Ｗｉｄｔｈ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号に基づいて、インバータ回路３の各スイッチング素子３ａ～３ｆをオンオフ動作させるとともに、ゲート抵抗選択信号（Ｒｇ選択信号）に基づいてインバータ回路３の各スイッチング素子３ａ～３ｆのオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを設定する。
　ゲート入力部６ａ～６ｆは、制御回路８から出力されたＰＷＭ信号に基づいて、スイッチ回路４の各スイッチング素子４ａ～４ｆをオンオフ動作させるとともに、ゲート抵抗選択信号（Ｒｇ選択信号）に基づいてスイッチ回路４の各スイッチング素子４ａ～４ｆのオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを設定する。

［電力変換装置のゲート入力部］
　図２は、実施の形態１に係る電力変換装置のゲート入力部を示す構成図である。図２では、特にスイッチング素子３ａに対応したゲート入力部５ａと制御回路８との接続関係に着目した構成図を示す。
　図２に示すように、ゲート入力部５ａに対して制御回路８から出力されたＰＷＭ信号Ｐ５ａは、例えばＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタから構成されるトーテムポール型のバッファ回路１１に入力される。そして、ＰＷＭ信号Ｐ５ａがオンの場合は、オン時のゲート抵抗Ｒｇｏｎを介してオン電源１２からバッファ回路１１を介してスイッチング素子３ａに電流を流してスイッチング素子３ａをオン状態とする。一方、ＰＷＭ信号Ｐ５ａがオフの場合は、ゲート抵抗切替回路１０を介してオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆによりスイッチング素子３ａからオフ電源１５に電流を流してスイッチング素子３ａをオフ状態とすることでスイッチング素子３ａのオンオフ動作を行う。
　なお、ゲート入力部５ｂ～５ｆ、ゲート入力部４ａ～４ｆに対して制御回路８から出力されたＰＷＭ信号Ｐ５ｂ、Ｐ５ｃ、Ｐ５ｄ、Ｐ５ｅ、Ｐ５ｆ、ＰＷＭ信号Ｐ６ａ、Ｐ６ｂ、Ｐ６ｃ、Ｐ６ｄ、Ｐ６ｅ、Ｐ６ｆも、上記と同様の働きを行い、スイッチング素子３ｂ～３ｆ、スイッチング素子４ａ～４ｆのオンオフ動作を行う。

　また、制御回路８から出力されるＲｇ選択信号Ｒ５ａは、ゲート抵抗切替回路１０のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを調整するために、スイッチＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５の切替動作を行う。すなわち、Ｒｇ選択信号Ｒ５ａは、スイッチＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５のそれぞれのスイッチをオン状態またはオフ状態のどちらにするかを時分割で表現した信号であり、この信号がゲート抵抗決定部９に入力されると、ゲート抵抗決定部９においてスイッチＳＷ２～ＳＷ５のオンまたはオフの信号に分割して各スイッチＳＷ２～ＳＷ５に入力することでスイッチＳＷ２～ＳＷ５を任意の組み合わせでオンオフ操作する。そして、ゲート抵抗切替回路１０は、抵抗Ｒｇ１と、抵抗Ｒｇ２、Ｒｇ３、Ｒｇ４、Ｒｇ５がオンした場合の抵抗値と、の合成抵抗値に、スイッチング素子３ａのオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを調整する。

　なお、図１において「Ｒｇ選択信号×１」として、Ｒｇ選択信号Ｒ５ａ、Ｒ５ｂ、Ｒ５ｃ、Ｒ５ｄ、Ｒ５ｅ、Ｒ５ｆ、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ、Ｒ６ｃ、Ｒ６ｄ、Ｒ６ｅ、Ｒ６ｆは制御簡素化のために１種類（共通）としている。ここで、スイッチング素子４ａ～４ｆには、直流電圧源１の電圧（Ｖｄｃ）の半分の電圧（Ｖｄｃ／２）しか印加されないことから、スイッチング素子３ａ～３ｆに比べて最大サージ電圧が低く、当該サージ電圧の余裕を損失低減に使用するために、スイッチング素子４ａ～４ｆのゲート入力部６ａ～６ｆのオフ時のゲート抵抗値をスイッチング素子３ａ～３ｆのゲート入力部５ａ～５ｆのオフ時のゲート抵抗値よりも小さく設定することが考えられる。この場合は、具体的に、図２において、ゲート入力部５ａ～５ｆ、ゲート入力部６ａ～６ｆに伝達される共通のＲｇ選択信号Ｒ５ａ～Ｒ５ｆ、Ｒ６ａ～Ｒ６ｆに対して、ゲート入力部５ａ～５ｆの抵抗Ｒｇ１～Ｒｇ５と、ゲート入力部６ａ～６ｆの抵抗Ｒｇ１～Ｒｇ５の、それぞれの抵抗値を変えることにより実現することができる。

［電力変換装置とモータ］
　モータ７は、インバータ回路３の交流出力端に接続されており、インバータ回路３から出力される交流電力により動作する。モータ７は、どのような形式であってもよく、図１では図示しない制御装置によりトルク指令および回転数指令を算出し、当該トルク指令および回転数指令に基づいて制御回路８は電力変換装置のスイッチング素子３ａ～３ｆ、スイッチング素子４ａ～４ｆを制御することにより、モータ７を駆動制御する。なお、トルク指令および回転数指令を生成する制御装置は、制御回路８が兼ねてもよい。

　制御回路８は、インバータ回路３のスイッチング素子３ａ～３ｆ、およびスイッチ回路４のスイッチング素子４ａ～４ｆを制御する。すなわち、インバータ回路３およびスイッチ回路４を含む電力変換装置の動作状態情報、モータ７の動作状態情報、並びに電力変換装置およびモータ７に対する指令値情報に基づいて、モータ７に出力する交流電力の制御を行う。例えば、直流電圧源１の電圧、コンデンサ２ａ、２ｂの電圧および電流、インバータ回路３およびスイッチ回路４の温度を取り込み、モータ７からは、モータ７の相電流、回転位置の情報、トルク指令および回転数指令情報（ＮＴ特性）を取り込み、これらの情報に基づいてインバータ回路３およびスイッチ回路４の制御を行う。また、制御回路８は、あらかじめ設定された電力変換装置（インバータ回路３、スイッチ回路４）またはモータ７の動作状態情報、指令値情報に応じて、インバータ回路３のキャリア周波数、２レベル動作または３レベル動作の動作状態、ゲート抵抗切替回路１０のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの選択を、例えばモータ７のＮＴ特性上に定義する動作マップを適用しながら適切に設定する。詳細については、後述する。

［電力変換装置の２レベル動作と３レベル動作］
　ここで、図３Ａおよび図３Ｂに基づいて、電力変換装置の２レベル動作と３レベル動作について説明する。
　図３Ａおよび図３Ｂは、電力変換装置を２レベルで動作させた場合と３レベルで動作させた場合の１相のモータ電流の模式図を示す。
　まず、図３Ａにより２レベル動作について説明する。本実施の形態に示す電力変換装置における２レベル動作は、図１においてスイッチ回路４のスイッチング素子４ａ～４ｆをオフとし、インバータ回路３の各スイッチング素子３ａ～３ｆをオン・オフさせることにより、各相において、コンデンサ２ａおよび２ｂの合計電圧である正の電圧値および負の電圧値をモータ７に出力することができる。正電圧および負電圧の時間比率を制御することにより、モータ７に三相の正弦波電圧を与えることができる。２レベル動作は一般的な三相インバータ装置の動作であり、詳細な説明は省略する。

　次に、図３Ｂにより３レベル動作について説明する。ここでは、１相の動作を説明するが、他の２相の動作についても当該１相の動作と同様であるため説明は省略する。
　まず、電力変換装置からモータ７へ電流が流れる状態を例に説明する。図１において、スイッチング素子３ａ、３ｂおよびスイッチング素子４ａ、４ｂがオフの状態で、電流がスイッチング素子３ｂに逆並列に接続されたダイオードを流れてモータ７に還流している状態から説明を始める。この状態からスイッチング素子４ｂをオンとし、スイッチング素子３ａ、３ｂおよびスイッチング素子４ａをオフのままとすることにより、コンデンサ２ｂの電圧により、スイッチング素子４ａに逆並列に接続されたダイオードとスイッチング素子４ｂを介してモータ７に電流が流れる。

　次に、スイッチング素子４ｂをオンのまま、スイッチング素子３ａをオンにすると（スイッチング素子３ｂおよびスイッチング素子４ａはオフのまま）、スイッチング素子４ａはリバース電流をブロックするためスイッチング素子４ａ、４ｂには電流は流れず、直列接続したコンデンサ２ａおよび２ｂの電圧によりモータ７に流れる電流が増加する。
　一方、モータ７への電流を減らす場合は、上記と逆の順序で動作し、スイッチング素子４ｂをオンのまま、スイッチング素子３ａ、３ｂおよびスイッチング素子４ａをオフにして、コンデンサ２ｂの電圧でモータ７に電流を流して電流を減らし、最後はすべてのスイッチング素子をオフするという動作を行う。
　このようにインバータ回路３およびスイッチ回路４を動作させると、各スイッチング素子の電圧は、それぞれコンデンサ２ａ、２ｂの電圧すなわち直流電圧源１の半分の電圧（Ｖｄｃ／２）となり、スイッチング損失が低下するとともに、電流を制御する電圧が小さいため電流ひずみが小さくなる。

　次に、モータ７からインバータ回路３に電流が流れる場合について説明する。
　まず、スイッチング素子４ａをオン、スイッチング素子３ｂをオン、スイッチング素子４ｂをオフにすると、スイッチング素子４ａはリバース電流をブロックするのでコンデンサ２ｂに電流は流れず、モータ７からの電流はスイッチング素子３ｂに流れてモータ７に還流する。
　次に、スイッチング素子３ｂをオフ（スイッチング素子３ａおよびスイッチング素子４ｂはオフのまま）すると、モータ７の電流はスイッチング素子４ｂに逆並列に接続されているダイオードとスイッチング素子４ａを介してコンデンサ２ｂに流れる。
　次に、スイッチング素子４ａをオフすると、モータ７の電流はスイッチング素子３ａに逆並列に接続されているダイオードを通り、コンデンサ２ａおよび２ｂに流れる。その後は上記と逆の順序でスイッチすることによりモータ７の電流を減らすように動作をさせる。１相の動作を例にとって説明したが、他相についても位相が異なるだけで同様である。

　図３Ａに示す２レベル動作時と、図３Ｂに示す３レベル動作時のモータ相電流の電流波形を比較すると、２レベル動作時の電流波形は３レベル動作時の電流波形に比べて歪むこととなる。これは、電流を生成するための電圧が、２レベル動作時は３レベル動作時に比べて２倍の電圧で電流を制御するためである。２レベル動作時では、電流ひずみが大きくなるため、モータの高調波鉄損が大きくなるというデメリットがある。さらに、２レベル動作時では、スイッチング時の電圧が２倍となることから、スイッチング時に発生するインバータ回路３のスイッチング損失が増大するというデメリットがある。

　図４は、２レベル動作時と３レベル動作時の電力変換装置の損失内訳の模式図を示す。
　ここで、スイッチ回路４において、直列接続した、スイッチング素子４ａおよび４ｂ、スイッチング素子４ｃおよび４ｄ、スイッチング素子４ｅおよび４ｆを、スイッチ回路４の各アームと称す。
　スイッチ回路４の各アーム（例えばスイッチング素子４ａと４ｂのアーム）はスイッチング素子が２直列で構成されているため、スイッチ回路４に電流を流すときにはオンした側のスイッチング素子（例えばスイッチング素子４ａ）の導通損失と、もう一方のスイッチング素子（例えばスイッチング素子４ｂ）に逆並列に接続されているダイオードの導通損失が発生することから、電力変換装置の導通損失はスイッチ回路４を使用する３レベル動作の方が大きくなる。しかし、前述したとおりに２レベル動作時に比べて３レベル動作時では、インバータ回路３に印加される電圧が半分となるため、スイッチング損失とリカバリ損失が大幅に減少し、電力変換装置の総合損失は減少する。

　一方、３レベル動作を可能とした電力変換装置は、スイッチ回路４の追加およびコンデンサ容量の増大（コンデンサ２ａ、２ｂの２直列化）が必要なため、電力変換装置の体積が増大する。

　そこで、３レベル動作を可能とした電力変換装置の体積増大を最小限に抑えつつ、電力変換装置の損失を最大限に低減させるために、２レベル動作と３レベル動作を電力変換装置の電流値に応じて切り替える。すなわち、３レベル動作は頻繁に使用する電流閾値以下での使用とし、それよりも大きい電流領域では２レベル動作とする。これにより、スイッチ回路４には規定される電流閾値以下の電流しか流さないため、一般的に電流量から決まるスイッチング素子４ａ～４ｆのサイズを小さくし、電力変換装置の大幅な体積増大を抑制できる。

　実際に、電動車両に適用する場合の損失量は、国際的な試験法であるＷＬＴＣ（Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ－ｈａｒｍｏｎｉｚｅｄ　Ｌｉｇｈｔ　ｖｅｈｉｃｌｅｓ　Ｔｅｓｔ　Ｃｙｃｌｅ）モード（市街地モード、郊外モード、高速道路モードといった各走行モードを平均的な使用時間配分で構成したモード）での燃費で表現される。ＷＬＴＣモードで規定される大多数の時間はモータの持つ性能限界トルクに対して十分に小さい領域が使用されている。すなわち、電力変換装置の最小限の体積増大により最大限のＷＬＴＣモード燃費（損失）を改善するためには、ＷＬＴＣモードで規定される大多数時間を占める電流領域以下でのみ３レベル動作をするようにレベル動作を切り替えるようにする。

　具体的に説明すると、図５は、ＷＬＴＣモード走行パターンの縦軸を便宜上電流値と置き換え横軸を時刻とした、時系列データを示した図である。図５において、レベル動作を切り替える電流値として、最小値、Ａ値、Ｂ値、最大値（最小値＜Ａ値＜Ｂ値＜最大値）を示している。
　図６は、レベル動作切替のための電流値を、図５の全領域、Ａ値、Ｂ値と変化させたときのＷＬＴＣモード走行完走時の合計損失の一例を示す。
　図７は、図６と同じく、レベル動作切替のための電流値を、図５の全領域、Ａ値、Ｂ値と変化させたときの電力変換装置の体積を表現した一例を示す。

　図６および図７において、条件１は、全ての電流領域で２レベル動作させた場合であり、図６に示す電力変換装置の損失は大きいが、スイッチ回路４が不要なため、図７に示す電力変換装置の体積は小さい。
　条件２は、電流が０値からＡ値（Ａ値はＷＬＴＣモード走行パターンにおいて大多数時間が占める電流の上限値であり、０値よりも大きい値）までの領域で３レベル動作を行い、電流がＡ値以上の領域で２レベル動作を行った場合であり、条件１に対して大多数時間で３レベル動作を行うため図６に示す電力変換装置の損失が大きく改善され、スイッチ回路４の追加により図７に示す電力変換装置の体積は増大する。
　条件３は、電流が０値からＢ値（Ａ＜Ｂ）までの領域を３レベル動作、電流がＢ値以上の領域で２レベル動作を行った場合であり、条件２に対して３レベル動作を行う時間は大きくは変わらないため、条件２に対して、図６に示す電力変換装置の若干の損失改善があるが、一方、スイッチ回路４の通流電流量増大のためスイッチ回路４の大型化により図７に示す電力変換装置の体積は増大する。
　条件４は、全ての電流領域において３レベル動作させた場合であり、図６に示す電力変換装置の損失改善効果は最も大きく得られるが、条件２に対しても若干の損失改善程度である。一方、スイッチ回路４にはモータ７の最大トルクに対応する最大電流が通流するため、スイッチ回路４の大型化により図７に示す電力変換装置の体積は最大限増大する。

　以上のように、電力変換装置の損失低減量と電力変換装置の体積増大量の関係性を考慮し、例えば、条件２のように、レベル動作を切り替える電流閾値をＡ値に設定する。または、反対にスイッチ回路４のスイッチング素子の体積に応じて３レベル動作の上限電流値（レベル切替閾値）を決定しても良い。制御回路８は、このようにあらかじめ決められた電流値に基づいて、２レベル動作および３レベル動作の切り替えを行う。

　なお、モータ７の回転数に応じて、電力変換装置の損失（インバータ損失）におけるスイッチング損失と導通損失とリカバリ損失との比率が変化することから、動作レベルの切替を電流値ではなくモータ動作点に応じて決定しても良い。

　すなわち、トルク指令、回転数指令および直流電圧源の電圧から、電力変換装置およびモータの、それぞれ２レベル動作時と３レベル動作時の損失と電力変換装置の体積を試算することで、モータの回転数とトルク特性を示した回転数－トルクマップ（ＮＴマップ）上に動作レベル切替の閾値を定める。なお、損失の試算方法については、どのようなものを用いてもよいが、例えば、トルク指令または回転数指令から２レベル動作時と３レベル動作時（それぞれの動作レベル時にサージ電圧同等となるようなオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを選定）のインバータ回路の損失を計算する数式を用いてもよいし、あるいは、予め実測データ等に基づいて作成された動作テーブルを用いてもよい。インバータ損失を試算する場合には、モータのトルク指令および回転数指令から、モータ相電流、インバータ回路３のスイッチングの変調率、キャリア周波数、力率を算出して、これらの値とオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ毎のスイッチング損失（単パルス）データと検出した直流電圧源の電圧から２レベル動作時および３レベル動作時のインバータ損失を算出することができる。

　あるいは、スイッチ回路４はモータ仕様上の最大電流に対応した体積（サイズ）とし、損失低減のみに着目して、制御回路８では前記のように算出された２レベル動作時と３レベル動作時のインバータ回路３の合計損失に基づいて、２レベル動作と３レベル動作のうちの合計損失の小さくなる方を随時選択するようにレベル動作を切り替えても良い。

［電力変換装置のスイッチング速度の変更］
　本実施の形態では、前述のような動作レベルの切り替えに加えて、スイッチング素子のスイッチング速度の変更を行うことによりさらなる損失改善を行う。具体的には、スイッチング素子のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを切り替えることにより損失改善を行う。
　スイッチング素子がオフしたときに発生するサージ電圧は、スイッチング素子の素子耐圧を超過しない範囲で、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの調整により、スイッチング速度を高速化することにより、スイッチング損失を低減することができる。
　通常、入出力動作条件（電流、電圧、温度、等）が時々刻々と変化するシステムにおいては、前記動作範囲内のワースト条件においてサージ電圧が許容電圧を超過しないようにゲート抵抗値が調整されている。
　本実施の形態においては、入出力動作条件が変化する環境においても、サージ電圧をモニタしながら損失最小化のためのオフ時のゲート抵抗値の切替を実施する。

　具体的には、電力変換装置の交流出力の基本波周期毎に、周期内における最大サージ電圧を検出し、最大サージ電圧がスイッチング素子の耐圧、ばらつき、電圧検出精度等の設計要素を考慮して決まる許容サージ上限電圧ＶＹと、許容サージ上限電圧ＶＹから一定の最大サージ電圧目標範囲として設定する許容サージ下限電圧ＶＸとの範囲（ＶＹ～ＶＸ）内に入っているかを確認する。
　最大サージ電圧が許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲にある場合は、最適なオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが選択されていると判断し、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを変更しない。
　一方、最大サージ電圧が許容サージ下限電圧ＶＸ未満である場合は、さらなる損失改善の余地があると判断し、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階小さく、すなわち、スイッチング速度を１段階高速に設定する。
　他方、最大サージ電圧が許容サージ上限電圧ＶＹ以上である場合は、許容サージ上限電圧ＶＹを超過しており、スイッチング素子が故障する懸念があることから、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階大きく、すなわち、スイッチング速度を１段階低速に設定する。

　なお、スイッチング素子の故障の懸念をより確実に解消させるために、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階の変更ではなく、設定可能範囲の最大値に設定しても良い。また、前記懸念をより高速に解消させるために、最大サージ電圧が許容サージ上限電圧ＶＹ以上ではないかの判断を、交流出力の基本波周期毎ではなく、それよりも短周期の制御ループの中で実施しても良い。

　ここで、オフ時のゲート抵抗Ｒｇｏｆｆの設定は、前記したように図２に示す回路で実現することができる。また、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆは１段階ずつの変更として説明したが、例えば、最大サージ電圧が許容サージ下限電圧ＶＸに対して大幅に小さい場合には、その乖離量に応じて２段階、または３段階変更しても良い。さらに、入力電圧または負荷動作点の関係性から必要なスイッチング速度（ｄｉ／ｄｔ）とスイッチング素子特性を踏まえて、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを計算により算出し設定しても良い。

　また、ここまで説明したスイッチング損失最小化のためのスイッチング速度の変更は、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの可変に限らず、ゲート電圧の可変、バッファ能力（電流供給量）の可変等で実現しても良い。

　ゲート電圧の可変については、図２に示したオフ電源１５の電源電圧を可変構成とし、スイッチング素子の両端または複数コンデンサの両端に発生するサージ電圧が許容サージ電圧に対して余裕があればオフ電源１５を高電圧側に変更する。オフ電源１５の可変構成は、例えば複数用意されている異なる電源電圧の中から制御回路８からの指令情報に基づいて、スイッチにより所望の電源電圧を選択する方法がある。

　バッファ能力（電流供給量）の可変については、例えば、図２のバッファ回路１１の段数を可変構成とし、スイッチング素子の両端または複数コンデンサの両端に発生するサージ電圧が許容サージ電圧に対して余裕があればバッファ回路１１の段数を増やすようにする。例えば、図１５に示すように、バッファ回路１１を複数段のバッファ回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、・・・、１１Ｎで構成し、バッファ回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、・・・のスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、・・・のスイッチａまたはスイッチｂをオン・オフする構成とする。そして、制御回路８からの指令情報に基づいて、前述のスイッチａまたはスイッチｂをオン・オフすることにより所望のバッファ回路の段数に切り替えることができる。例えば、図１５の場合、全スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、・・・においてスイッチａをオフし、スイッチｂをオンすれば、１段のバッファ回路１１Ｎが選択される。また、全スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、・・・においてスイッチａをオンし、スイッチｂをオフすれば、最大の段数のバッファ回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、・・・、１１Ｎが選択される。

　ここで、周期内における最大サージ電圧をモニタする手法としては、例えば、マイコン等に搭載されているＡ／Ｄ変換器を用いて、高速サンプリングとサンプルホールド機能を用いても良い。
　また、アナログ的にコンデンサ２ａ、２ｂから検出した電圧に対応した制御電圧を別途設けられた制御用コンデンサに充電（最大サージ電圧の検出とゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ選定判断に使用した後は放電）することで求めても良い。
　さらに、１周期分の最大サージ電圧を算出する判定タイミングは、相電流の位相または電流検出値に基づいて判断しても良い。

　ここで、３レベル動作において損失を最小化させるために、スイッチング素子両端に発生する最大サージ電圧が、許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲内になるまでスイッチング速度を高速化（ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを小さな値に設定）した状態において２レベル動作に切り替えると、スイッチング素子に印加される電圧が２倍となる。そのため、スイッチング素子両端に発生する最大サージ電圧が許容サージ上限電圧ＶＹを超過し、スイッチング素子が故障する懸念がある。
　そこで、本実施の形態では３レベル動作から２レベル動作に切り替える前にオフ時のゲート抵抗値を大きな値に変更することで、スイッチング素子両端に発生するサージ電圧を抑制し、サージ電圧によるスイッチング素子の故障を防ぎながら電力変換装置の損失を最小化することを特徴としている。

［電力変換装置の制御］
　図８は、本実施の形態の電力変換装置の制御の特徴を表す動作概念図である。
　図８に基づいて、電力変換装置の動作レベルの切替とオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替を実現するための動作について説明する。
　本実施の形態では、電力変換装置の出力電流の基本波周期の制御間隔で動作レベルの切替とゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替を行うこととしている。そして、図８のＡ１はインバータ回路３のＵ相電流Ｉｕを示したものであり、Ｕ相電流Ｉｕのピーク領域において動作レベルの切替とゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替を実施している。
　なお、図８は、電力変換装置のＵ相電流Ｉｕに関して、動作レベルの切替とゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替を説明しているが、電力変換装置のＶ相電流Ｉｖ、Ｗ相電流Ｉｗについても同様であり、その説明は省略する。

　図８のＡ２は、３レベル動作と２レベル動作の切替について説明するための図である。
　図８のＡ２において、３レベル動作から２レベル動作に切り替える際のレベル切替閾値をＬｖｔｈ３－２とし、２レベル動作から３レベル動作に切り替える際のレベル切替閾値をＬｖｔｈ２－３としている。

　図８のＡ２に示すように、電力変換装置の電流指令値（実効値）Ｉｕ（ｒｍｓ）＊が与えられると、現在３レベル動作を行っている場合、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊と予め定められたレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２との比較から、電力変換装置を現在の３レベル動作から、２レベル動作または３レベル動作のどちらで動作させるかを判断する。なお、現在２レベル動作を行っている場合は、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊と予め定められたレベル切替閾値Ｌｖｔｈ２－３との比較から、電力変換装置を現在の２レベル動作から、３レベル動作または２レベル動作のどちらで動作させるかを判断する。

　図８のＡ２の例では、現在３レベル動作を行っており、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊とレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２との比較から、電力変換装置を３レベル動作から２レベル動作に切り替える場合を表している。

　図８のＡ２に示すように、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊がレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２を横切ると、３レベル動作から２レベル動作に変更すると判断される（実線Ｄの上向き矢印が３レベル動作から２レベル動作への切り替えを表している。なお、実線ＤにおいてＬｏｗが３レベル動作、Ｈｉｇｈが２レベル動作を示している）。
　そして、３レベル動作から２レベル動作に変更すると判断されると、まず、図８のＡ４に示すように、３レベル動作時に使用していた比較的小さなオフ時のゲート抵抗値（図８ではゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１６）を、設定可能範囲の一番大きな値（図８ではゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１）に変更する。具体的には、図２のゲート抵抗切替回路１０においてスイッチＳＷ２からＳＷ５をすべてオンすることで実現されるゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１６から、スイッチＳＷ２からＳＷ５をすべてオフすることで実現されるゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１に変更する。ただし、Ｒｇｏｆｆ１＞＞Ｒｇｏｆｆ１６である。

　次に、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを一番大きな値（図８ではゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１）に変更した後、スイッチング素子のオフ時のゲート電圧傾きが緩和したこと、ゲート電流量が減少したこと、またはサージ電圧が低下したことをモニタすることで、実際にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが大きい値に変化したことを確認する。

　次に、スイッチング素子のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの一番大きな値への変更した結果に対応する変化（ゲート電圧傾きが緩和したこと等の変化）を確認した後に、図８のＡ３に示すように、時間Ｅを経て、電力変換装置の動作レベルを３レベル動作から２レベル動作に変更する。
　このように、動作レベルを３レベル動作から２レベル動作に切り替える前にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを小さな値から大きな値に変更する。
　すなわち、３レベル動作時に最大サージ電圧がほぼ許容サージ電圧となるように調整した比較的小さなオフ時のゲート抵抗値（図８のＲｇｏｆｆ１６）が選択されていた場合に、２レベル動作に変更されたときのインバータ回路３のスイッチング素子両端に印加される電圧が２倍になることによりスイッチング素子間電圧の許容サージ電圧超過（図８のＡ５の点線Ｈで記載）が発生してスイッチング素子が故障する懸念が生じる。しかしながら、本実施の形態のように制御することにより、スイッチング素子の故障を防止でき、損失最小化を実現することができる。

　ここで、図８のＡ５の細い実線は、スイッチング素子３ａ間の電圧（瞬時値）Ｖａを示しており、太い実線は、スイッチング素子３ａ間の電圧Ｖａの最大値をホールドした電圧最大値（アーム間電圧最大値）Ｖｍａｘａを示している。
　同様に、図８のＡ６の細い実線は、スイッチング素子３ｂ間の電圧（瞬時値）Ｖｂを示しており、太い実線は、スイッチング素子３ｂ間の電圧Ｖｂの最大値をホールドした電圧最大値（アーム間電圧最大値）Ｖｍａｘｂを示している。
　アーム間電圧最大値Ｖｍａｘａ、Ｖｍａｘｂは、例えば制御回路８内のソフトウエアを用いて電圧（瞬時値）Ｖａ、Ｖｂの最大値をホールドするように構成したり、コンデンサ（ハードウエア）を用いて電圧（瞬時値）Ｖａ、Ｖｂの最大電圧をコンデンサに充電する構成により実現することができる。なお、アーム間電圧最大値Ｖｍａｘａ、Ｖｍａｘｂは、動作レベル切替と同時にゼロリセットする。
　また、図８のＡ７は、スイッチング素子３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂのオン、オフ動作を表している。

　図８の説明では、動作レベルの切替の判断は、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊に基づいて実施してきたが、電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊の代わりに、モータの回転数または必要トルクに対応して事前に用意されたテーブルから算出した判断基準を用いても良い。さらに、モータの回転数またはトルクに応じて２レベル動作時、３レベル動作時の損失計算結果を基に決定しても良い。

　本実施の形態では、３レベル動作時には電流指令値Ｉｕ（ｒｍｓ）＊とレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２との比較から動作レベルを切り替えるかを判断し、２レベル動作時にはＩｕ（ｒｍｓ）＊とレベル切替閾値Ｌｖｔｈ２－３との比較から動作レベルを切り替えるかを判断している。この場合、各レベル切替閾値は、（レベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２）＞（レベル切替閾値Ｌｖｔｈ２－３）としている。このように現在の動作レベルに応じてレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２とＬｖｔｈ２－３との間にヒステリシスを設けることで、頻繁な動作レベル変更を回避することが可能である。

　さらに、ここまでは電力変換装置の体積（サイズ）を電流値に応じて極力小さく実現するために、レベル切替閾値よりも低い電流を３レベル動作、レベル切替閾値以上の電流を２レベル動作と設定する説明をしたが、電力変換装置の体積（サイズ）を問わない場合、レベル切替閾値よりも低い電流を２レベル動作、レベル切替閾値以上の電流を３レベル動作と設定しても良い。これによりサージ電圧が大きくなる正弦波の電流ピーク領域におけるサージ電圧を抑制できるため、大電流領域のオフ時のゲート抵抗値を小さくでき、さらなる低損失化を実現できる。

［電力変換装置の具体的な制御フローチャート］
　図９、図１０、図１１は、本実施の形態の電力変換装置の具体的な制御フローチャートの一例を示したものであり、以下に説明する。なお、ここでの説明では２レベル動作と３レベル動作との間で２段階に切り替えることができる電力変換装置の制御の一例として説明し、この制御フローチャートは電力変換装置の交流出力の基本波周期毎に実施されることとする。

　図９において、ＳＴＡＲＴにより制御フローが実施されると、ステップＳ１において、前述した動作条件に基づき、今回の動作レベルが２レベル動作または３レベル動作であるかが判断される。さらに、ステップＳ１では、交流出力の基本波周期内のサージ電圧最大値を検出する。すなわち、図８のＡ５およびＡ６の、太い実線で示されるアーム電圧最大値Ｖｍａｘａ、Ｖｍａｘｂを検出する。
　ステップＳ２では、動作レベルが３レベル動作から２レベル動作に変更するタイミングであるか、を確認するため、まずは前回の動作レベルが３レベル動作であったかを判断し、前回の動作レベルが３レベル動作（ＹＥＳ）であればステップＳ３を実行し、前回の動作レベルが２レベル動作（ＮＯ）であれば、図１１のステップＳ４を実行する。

　図１１のステップＳ４では、前回の動作レベルが２レベル動作であるため、動作レベル変更時のサージ電圧が許容サージ上限電圧ＶＹを超過する懸念はなく、オフ時のゲート抵抗値の最適化制御を継続する。すなわち、ステップＳ４では、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっているかを確認し、許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっている場合（ＹＥＳ）は、最適なオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが選択されており、現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを維持し（ステップＳ１９）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ２０）、この周期は終了となる。

　一方、ステップＳ４でサージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっていない場合（ＮＯの場合）、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸ未満であるのか、許容サージ上限電圧ＶＹより大きいのかを判断する。すなわち、ステップＳ２１において、サージ電圧最大値は許容サージ下限電圧ＶＸ未満であるかを確認し、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸ未満の場合（ＹＥＳ）、さらなる損失改善の余地があると判断し、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを小さくする。ただし、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値設定であればこれ以上の最小化ができないため、ステップＳ２２で現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値に設定されていないか確認する。ステップＳ２２でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小でない場合（ＹＥＳ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階小さくし（ステップＳ２３）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ２０）、この周期は終了となる。
　一方、ステップＳ２２でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値である場合（ＮＯ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆはこれ以上小さくできないため、現在値と同じ最小値の設定とし（ステップＳ２４）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ２０）、この周期は終了となる。

　ステップＳ２１においてＮＯの場合、サージ電圧最大値が許容サージ上限電圧ＶＹよりも大きくなるので、スイッチング素子の故障の懸念があるため、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを大きく設定する。ただし、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値設定であればこれ以上の最大化ができないため、ステップＳ２５で現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値に設定されていないか確認する。ステップＳ２５でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大でない場合（ＹＥＳ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階大きくし（ステップＳ２６）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ２０）、この周期は終了となる。
　一方、ステップＳ２５でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大である場合（ＮＯ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆはこれ以上大きくできないため、現在値と同じ最大値の設定とし（ステップＳ２７）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ２０）、この周期は終了となる。なお、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値で許容サージ上限電圧ＶＹを超過している状態のため、スイッチング素子の故障を防止するために、上位システムにこの状態を伝達するか、または出力電力（電流）を絞る、等の対策を行っても良い。

　ここで、図９に戻って、ステップＳ３では、前回の動作レベルが３レベル動作であるため（ステップＳ２）、３レベル動作から２レベル動作に変更するタイミングであるかどうか、を確認するため、今回の動作レベルが２レベル動作であるかを確認する必要がある。すなわち、ステップＳ３で今回の動作レベルが２レベル動作であれば（ＹＥＳ）、ステップＳ５を実行し、今回の動作レベルが３レベル動作であれば（ＮＯ）、図１０のステップＳ９を実行する。

　図１０のステップＳ９では、前回の動作レベルも今回の動作レベルも共に３レベル動作であるため、動作レベル切替時のサージ電圧によるスイッチング素子の故障の懸念はなく、オフ時のゲート抵抗値の最適化制御を継続する。すなわち、ステップＳ９では、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっているかを確認し、許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっている場合（ＹＥＳ）は、最適なオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが選択されており、現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを維持し（ステップＳ１０）、ステップＳ１で判断された通りに今回も３レベル動作で動作させ（ステップＳ１１）、この周期は終了となる。

　一方、ステップＳ９でサージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸから許容サージ上限電圧ＶＹの範囲に収まっていない場合（ＮＯ）、ステップＳ１２において、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸ未満であるのか、許容サージ上限電圧ＶＹより大きいのかを判断する。すなわち、ステップＳ１２において、サージ電圧最大値は許容サージ下限電圧ＶＸ未満であるかを確認し、サージ電圧最大値が許容サージ下限電圧ＶＸ未満の場合（ＹＥＳ）、さらなる損失改善の余地があると判断し、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを小さくする。ただし、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値設定であればこれ以上の最小化ができないため、ステップＳ１３で現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値に設定されていないか確認する。

　ステップＳ１３でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小でない場合（ＹＥＳ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階小さくし（ステップＳ１４）、３レベル動作を継続させ（ステップＳ１１）、この周期は終了となる。
　一方、ステップＳ１３でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最小値である場合（ＮＯ）、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆはこれ以上小さくできないため、現在値と同じ最小値の設定とし（ステップＳ１５）、３レベル動作を継続させ（ステップＳ１１）、この周期は終了となる。

　ステップＳ１２において、サージ電圧最大値が許容サージ上限電圧ＶＹよりも大きい場合（ＮＯ）、スイッチング素子の故障の懸念があるため、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを大きく設定する。ただし、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値設定であればこれ以上の最大化ができないため、ステップＳ１６で現在のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値に設定されていないか確認する。ステップＳ１６においてオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値でない場合（ＹＥＳ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを１段階大きくし（ステップＳ１７）、３レベル動作を継続させ（ステップＳ１１）、この周期は終了となる。

　一方、ステップＳ１６でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値である場合（ＮＯ）、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆはこれ以上大きくできないため、現在値と同じ最大値の設定とし（ステップＳ１８）、ステップＳ１で判断された今回の動作レベルで動作させ（ステップＳ１１）、この周期は終了となる。なお、既にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値であり許容サージ上限電圧ＶＹを超過している状態のため、スイッチング素子の故障を防止するために、上位システムにこの状態を伝達するか、または、出力電力（電流）を絞る等の対策を行ってもよい。

　図９に戻って、ステップＳ５では、前回の動作レベルが３レベル動作であり（ステップＳ２でＹＥＳ）、今回の動作レベルが２レベル動作であるため（ステップＳ３でＹＥＳ）、３レベル動作時に最適調整されたゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを用いて２レベル動作を行うと、スイッチング素子両端に過大なサージ電圧が発生する懸念がある。そのため、ステップＳ５では、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値となるように設定する。

　ここで、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの変更と同時に２レベル動作への切り替えを行うと、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替が完了する前に２レベル動作でスイッチング動作を行うことになり、スイッチング素子間に過大なサージ電圧が発生して、スイッチング素子が故障する懸念がある。
　そのため、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替が完了するまでは２レベル動作への切り替えは行わない。
　ステップＳ６では、ゲート抵抗切替回路１０のスイッチＳＷのスイッチング速度を考慮して、スイッチングが完了するのに十分な時間（例えば１ｕｓ）が経過するまで処理を待機させ、その後にステップＳ７に移行する。

　ステップＳ７では、前回のスイッチングオフ時のスイッチング速度と、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを最大にした後の今回のスイッチングオフ時のスイッチング速度を比較し、スイッチング速度が一定以上遅くなったかを確認する。
　ステップＳ７において、スイッチング速度が一定以上遅くなった場合（ＹＥＳ）、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの最大値への変更が完了したと判断して、ステップＳ８に移行して２レベル動作への切替を実行する。

　一方、ステップＳ７において、スイッチング速度が一定以上遅くならない場合（ＮＯ）、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆがまだ最大値に変更されていないと判断し、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが最大値に移行するまで、ステップＳ６の一定の遅延後にステップＳ７の判断を続ける。
　なお、前回のスイッチング時にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが既に最大である場合、これ以上ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを大きくできないため、オフ時のスイッチング速度の比較は行わずに、ステップＳ８に移行して２レベル動作への切替を行う。

　なお、ステップＳ７では、オフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの切替の完了を、オフ時のスイッチング速度の変化によって判断しているが、他の方法でもよく、ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが確実に切り替わったことが確認できればよい。例えば、スイッチング速度の変更指令後に、スイッチング素子のゲート端子に印加されるゲート電圧傾きが一定以上変化したこと、または、スイッチング素子のゲート電流が一定以上変化したこと、または、スイッチング素子の両端または複数コンデンサの両端に発生するサージ電圧最大値が一定以上変化したこと、に基づいて確実に切り替わったことを判断しても良い。

　以上のような制御フローにより動作レベルの切り替えとオフ時のゲート抵抗値の切り替えを行うことにより、最大サージ電圧が許容サージ電圧を超過しない範囲で損失最小化の制御を実現することができる。

　上述の説明では、制御回路８は、電力変換装置の損失を最小化させるように、２レベル動作と３レベル動作を切り替えるとともに、オフ時のゲート抵抗値を切り替える方法について説明したが、さらには、電力変換装置とモータを含めた合計損失が最小化されるように、２レベル動作と３レベル動作を切り替えるとともに、オフ時のゲート抵抗値を切り替えても良い。

　また、２レベル動作と３レベル動作の切り替えおよびオフ時のゲート抵抗値の切り替えに加え、インバータ回路の動作を制御するキャリア周波数を変更する制御を行ってもよい。前述したように、３レベル動作時は電流ひずみが改善されるためモータ鉄損が減る。キャリア周波数を下げると、電流ひずみが増えるためモータ鉄損は増えるが電力変換装置の損失が低下するため、条件によっては全体損失を下げることができる。そのため、回転数指令が同一である場合においては、３レベル動作時のキャリア周波数は、２レベル動作時のキャリア周波数以下に設定しても良い。すなわち、２レベル動作時のキャリア周波数をｆｘ_２ｌｖとし、３レベル動作時のキャリア周波数をｆｘ_３ｌｖとした場合、ｆｘ_２ｌｖ≧ｆｘ_３ｌｖを満たすようにキャリア周波数を設定する。

　図１２は、モータの回転数とトルク特性に電力変換装置（インバータ回路）の２レベル動作および３レベル動作とキャリア周波数を模式的にマッピングしたものである。制御回路８は、モータの回転数指令が同一である場合においては、トルク指令（または電流指令）があらかじめ定められた閾値以上の場合には２レベル動作に切り替え、あらかじめ定められた閾値より小さい場合には３レベル動作に切り替える。ここであらかじめ定められた閾値は、例えば前述したように、電力変換装置の損失量と体積量の試算結果を基に事前に決められた閾値である。なお、図１２に示す例では閾値が１つであるが、動作が安定するように複数の閾値を設けヒステリシス制御を行うようにしてもよい。例えば、トルク指令に応じて２レベル動作と３レベル動作とを切り替える閾値をトルク指令が増加する場合と減少する場合とで異なる閾値とする。また、増加する場合の閾値を減少する場合の閾値に比べて高くすることにより、不必要に２レベル動作と３レベル動作が切り替わることが防止でき、動作が安定することとなる。

　また、図１２に示す動作マップでは、モータの回転数指令に応じてキャリア周波数についても変更を行うようにしている。キャリア周波数の設定であるが、３レベル動作時はモータの電流ひずみが小さくなるため、２レベル動作時に比べて高調波鉄損が少なくなる。インバータ回路のスイッチング損失とスイッチング周波数は比例の関係にあるため、周波数を下げると、モータの高周波鉄損とトレードオフにはなるが、インバータ損失を低下して使うことが可能となる。このようにキャリア周波数はインバータ回路とモータにとって相反するパラメータとなり、制御性を確保しながら、インバータ回路とモータの合計損失を最小化するように設定する必要がある。通常、回転数が高くなる領域では、モータシステムにおける損失は、モータの高調波鉄損が支配的になるため、回転数が大きくなるにつれてキャリア周波数を高くしてもよい。そのため、図１０に示す例では、回転数に応じてキャリア周波数を３段階に変更するようにしており、ｆ１＿３ｌｖ＜ｆ２＿３ｌｖ＜ｆ３＿３ｌｖとなる。

　なお、トルク指令または回転数指令のみならず、他のパラメータを用いて、２レベル動作時と３レベル動作時のインバータ回路およびモータの損失を算出してもよい。例えば、トルク指令または回転数指令に加え、直流電圧源の電圧、電力変換装置の温度を用いて、直流電圧源の電圧および電力変換装置の温度のうちの少なくとも１つのパラメータに応じた動作テーブルを保持しておき、この動作テーブルに基づいて電力変換装置およびモータの損失を算出してもよい。

［その他の電力変換装置の構成］
　図１に示した電力変換装置では、３レベル動作を行うために設けたスイッチ回路４として、ソース・ドレイン間に逆並列ダイオードを備えたＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたものを示したが、図１３に示すようにリバースブロックタイプのＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた構成のスイッチ回路４Ｂを用いても良い。
　図１３に示す電力変換装置のスイッチ回路４Ｂは、リバースブロックタイプのＩＧＢＴであるスイッチング素子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆを備えている。そして、スイッチング素子１４ａとスイッチング素子１４ｂ、スイッチング素子１４ｃとスイッチング素子１４ｄ、スイッチング素子１４ｅとスイッチング素子１４ｆ、がそれぞれ逆方向に並列に接続されている。スイッチ回路４Ｂの一端はコンデンサ直列回路２の第１の接続点に接続されており、他端はそれぞれ第２、第３、第４の接続点に接続されている。なお、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆは、スイッチング素子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆのゲート入力部を示している。また、その他の構成は、図１の電力変換装置と同様である。
　図１３のように構成した電力変換装置でも、図１の電力変換装置と同様の動作および効果を奏することができる。

［実施の形態１の効果］
　以上のように実施の形態１によれば、
　直列に接続された複数のコンデンサを有し、両端が直流電圧源の両端に接続されるコンデンサ直列回路と、
　複数のスイッチング素子が直列接続されたレグが複数並列に接続され、直流入力端が前記コンデンサ直列回路の両端に接続されるとともに交流出力端が負荷に接続されるインバータ回路と、
　複数のスイッチング素子を有し、一端が複数の前記コンデンサの接続点に接続され、他端が前記インバータ回路の前記スイッチング素子の複数の接続点に接続されたスイッチ回路と、
　前記インバータ回路および前記スイッチ回路を制御する制御回路と、を備え、
　前記インバータ回路は、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオフさせることにより２レベル動作が可能であり、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオン・オフさせることにより３レベル動作が可能であり、
　前記制御回路は、前記２レベル動作と前記３レベル動作との間の動作レベルの切替の際に、前記インバータ回路および前記スイッチ回路の前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更するようにしたので、
　動作レベル切替時においてもスイッチング素子の故障の懸念がない電力変換装置を提供することができる。

　また、前記制御回路は、前記３レベル動作から前記２レベル動作に変更する際に、前記スイッチング素子のスイッチング速度を遅くするようにしたので、サージ電圧を許容範囲内に収めることができ、スイッチング素子の故障の懸念がなくなる。

　また、前記制御回路は、前記３レベル動作と前記２レベル動作との間の動作レベルを切り替える前に、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができ、スイッチング素子の故障の懸念がなくなる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、一定時間待機した後に前記３レベル動作と前記２レベル動作との間の動作レベルを切り替えるようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができ、スイッチング素子の故障の懸念がなくなる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変化に基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のゲート端子に印加されるゲート電圧傾きが変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のゲート電流が変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生するサージ電圧が変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記２レベル動作から前記３レベル動作に変更するときのレベル切替閾値と、前記３レベル動作から前記２レベル動作に変更するときのレベル切替閾値とは、異なる値にしてヒステリシスを設けるようにしたので、頻繁な動作レベル変更を回避することができる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生するサージ電圧の検出値に基づいて、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変化させるようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生するサージ電圧の検出値の最大値が、目標とする許容電圧範囲に収まるように、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、連続した複数回の前記サージ電圧の検出値に基づいて、スイッチング速度を変更するようにしたので、確実にサージ電圧を許容範囲内に収めることができる。

　また、前記制御回路は、前記２レベル動作と前記３レベル動作との切替を、前記電力変換装置の交流出力電流値と予め設定された電流閾値との比較に基づいて行うようにしたので、動作レベルの切替を適切に実施することができる。

　また、前記制御回路は、前記電力変換装置の交流出力電流の基本波周期毎に、前記動作レベルの切替とスイッチング速度の変更を実施するようにしたので、動作レベルの切替およびスイッチング速度の変更を適切に行うことができる。

　また、前記２レベル動作と前記３レベル動作とを切り替えるレベル切替閾値は、前記スイッチ回路の前記スイッチング素子の体積に応じて決定するようにしたので、動作レベルの切替を適切に実施することができる。

　また、前記負荷としてモータが接続され、前記制御回路は、前記モータおよび前記電力変換装置の指令情報、並びに前記モータおよび前記電力変換装置の検出情報に基づいて、事前に用意したテーブルまたは計算結果から、前記動作レベルの切替およびスイッチング速度を決定するようにしたので、動作レベルの切替およびスイッチング速度の変更を適切に行うことができる。
　なお、ここで、「モータおよび電力変換装置の指令情報」とは、「モータのトルク指令または回転数指令、電力変換装置の各相電流指令（Ｉｕ（ｒｍｓ）＊、Ｉｕ＊等）」などを意味する。また、「モータおよび電力変換装置の検出情報」とは、「モータの回転数、電力変換装置の各相電流（Ｉｕ等）、スイッチング素子のスイッチング変調率、スイッチング素子のゲート電圧、電力変換装置の母線電圧、サージ電圧、温度」などを意味する。

　また、前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更を、前記スイッチング素子をオフするときのゲート抵抗値を変更することで実現するようにしたので、スイッチング素子のスイッチング速度の変更が適切に行われる。

実施の形態２．
　次に、実施の形態２に係る電力変換装置について説明する。実施の形態２に係る電力変換装置の回路ブロック図は、実施の形態１における図１、図１３等の電力変換装置の回路ブロック図と同様であるが、本実施の形態２では電力変換装置の制御回路による制御動作が実施の形態１とは相違する。
　図１４は、本実施の形態２に係る電力変換装置の制御回路の動作を示したものであり、実施の形態１と異なる点について実施の形態１の制御動作（図８）との比較により以下に説明する。なお、特に記載のない説明については実施の形態１と同様である。

　実施の形態１では、電力変換装置の交流出力の基本波周期毎に動作レベルの切替とオフ時のゲート抵抗値の切替を実施していたが、実施の形態２においては、電力変換装置の交流出力の基本波周期よりも短い時間間隔で動作レベルの切替とオフ時のゲート抵抗値の切替を実施することを特徴としている。すなわち、動作レベルの判断については、実施の形態１では交流出力電流指令値（実効値）Ｉｕ（ｒｍｓ）＊とレベル切替閾値との比較で実施していたが、実施の形態２では、図１４のＢ１およびＢ２で示すように、交流出力電流指令値（瞬時値）Ｉｕ＊とレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２、Ｌｖｔｈ２－３との比較で実施している。

　なお、交流出力電流指令値（瞬時値）Ｉｕ＊とレベル切替閾値との比較で実施するほかに、検出電流値Ｉｕ（複数の連続検出値の平均）とレベル切替閾値との比較で実施しても良い。検出電流値Ｉｕ（複数の連続検出値の平均）とは、例えば、スイッチング素子に流れる電流（例えば図１のＵ相電流Ｉｕ）の検出値を取り込み、取り込み周期毎に保存しておき、例えば最新１０回分の保存値を平均したものをいう。

　ここで、動作レベルの選定に関して、実施の形態１では、交流出力の電流指令値（実効値）Ｉｕ（ｒｍｓ）＊がレベル切替閾値よりも大きな場合、交流出力（正弦波）の全領域を２レベル動作で実施させることになるが、実施の形態２では、交流出力の電流指令値（瞬時値）Ｉｕ＊とレベル切替閾値との比較により行うので、交流出力（正弦波）の低電流領域では３レベル動作を実施することとなり、さらなる電力変換装置の低損失化が実現される。

　また、オフ時のゲート抵抗値の選定に関しては、実施の形態１では、交流出力（正弦波）の最大電流値においてサージ電圧律速を満足するように決定するため、最大電流値付近以外の電流領域ではサージ電圧余裕が生じており、さらなる低損失化の余地を残している。これに対して、実施の形態２では、交流出力（正弦波）の全領域においてサージ電圧律速を満足するように、オフ時のゲート抵抗値がその都度変更されるため、最大電流値付近以外の電流領域においてもサージ余裕が発生せず、さらなる低損失化が実現される。ここで、サージ電圧律速を満足するとは、サージ電圧がスイッチング素子のモジュール耐圧を超過しないという意味である。

　図１４に基づいて、実施の形態２による、動作レベルの切替とオフ時のゲート抵抗値の切替を実現するための動作について説明する。
　図１４に示すように、現在３レベル動作を行っている場合、電力変換装置の電流指令値（瞬時値）Ｉｕ＊と、予め定められたレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２との比較から、２レベル動作または３レベル動作のどちらで動作させるかを判断する。すなわち、図１４のＢ２に示すように、電流指令値（瞬時値）Ｉｕ＊がレベル切替閾値Ｌｖｔｈ３－２を横切ると、３レベル動作から２レベル動作に変更すると判断される（実線Ｄの上向き矢印が３レベル動作から２レベル動作への切り替えを表している。なお、実線ＤにおいてＬｏｗが３レベル動作、Ｈｉｇｈが２レベル動作を示している）。そして、３レベル動作から２レベル動作に変更すると判断されると、まず、図１４のＢ４に示すように、３レベル動作時に使用していた比較的小さなオフ時のゲート抵抗値（ゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１４）を、設定可能範囲の一番大きな値（図１４ではゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１）に変更する。

　次に、オフ時のゲート抵抗値を一番大きな値（図１４ではゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆ１）に変更した後、スイッチング素子のオフ時のゲート電圧傾きが緩和したこと、ゲート電流量が減少したこと、またはサージ電圧が低下したことをモニタすることで、実際にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆが大きい値に変化したことを確認する。

　次に、スイッチング素子のオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆの一番大きな値への変更した結果に対応する変化（ゲート電圧傾きが緩和したこと等の変化）を確認した後に、図１４のＢ３に示すように、動作レベルを３レベル動作から２レベル動作に変更する。
　このように、動作レベルを３レベル動作から２レベル動作に切り替える前にオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを小さな値から大きな値に変更する。

　そして、実施の形態２においては、オフ時のゲート抵抗値の選定のための最大サージ電圧検出に関して、サージ電圧の連続した検出値を用いて判断する。すなわち、図１４のＢ５で示すように、サージ電圧検出値（アーム間電圧最大値）Ｖｍａｘが許容サージ電圧ＶＸ未満の場合には、サージ余裕検出ＣＮＴ（カウンタ）値をプラス１ずつインクリメントして、サージ余裕検出ＣＮＴ値があらかじめ設定したＲｇｏｆｆ切替閾値ＲＺに達した時点でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを変更して行く。すなわち、図１４では、サージ余裕検出ＣＮＴ値がＲｇｏｆｆ切替閾値ＲＺに達した時点で、例えば、ゲート抵抗値をＲｇｏｆｆ１、Ｒｇｏｆｆ２、Ｒｇｏｆｆ３、Ｒｇｏｆｆ４、Ｒｇｏｆｆ５、Ｒｇｏｆｆ６・・・のように変更していく。
　なお、Ｒｇｏｆｆ１＞Ｒｇｏｆｆ２＞Ｒｇｏｆｆ３＞Ｒｇｏｆｆ４＞・・・＞Ｒｇｏｆｆ１４＞Ｒｇｏｆｆ１５＞Ｒｇｏｆｆ１６である。

　このように、サージ余裕検出ＣＮＴ値があらかじめ設定したＲｇｏｆｆ切替閾値ＲＺに達した時点でオフ時のゲート抵抗値Ｒｇｏｆｆを変更することで、オフ時のゲート抵抗値が頻繁に変更されることを防ぐことができ、不安定なゲート抵抗値変動を抑制することが可能となる。

　実施の形態２のその他の制御は、実施の形態１と同様であるので説明を省略する。

　実施の形態２において、モータおよび電力変換装置の検出情報（相電流、相電流（トルク）指令値、回転数検出値、変調率、ゲート電圧値、サージ電圧値、温度等）を基に、サージ電圧を許容範囲に収めつつ損失最小となる動作レベルおよびオフ時のゲート抵抗の組合せを制御周期毎に計算し、事前に用意したテーブルまたは損失計算から決定しても良い。特に、実施の形態２においては、比較的高速に動作レベルの切替およびオフ時のゲート抵抗値の切替を行うため、低損失化に関して大きな効果を得ることができる。

　実施の形態２においては、動作レベルの切替およびオフ時のゲート抵抗値の切替について、基本波周期よりも短い、例えば、交流出力電流を制御するための交流出力電流の検出周期毎に実施することで、同一周期内においても２レベル動作と３レベル動作の切替、およびオフ時のゲート抵抗値の切替を実施することができ、安全性を確保した上でより強力な低損失化を実現することができる。

［実施の形態２の効果］
　以上のように、実施の形態２によれば、実施の形態１の効果と同様の効果を奏するとともに、以下の効果を奏することができる。
　すなわち、前記制御回路は、前記電力変換装置の交流出力電流の基本波周期よりも短い時間間隔で、前記動作レベルの切替とスイッチング速度の変更を実施するようにしたので、より確実かつ適切に動作レベルの切替およびスイッチング速度の変更を行うことができる。

［制御回路のハードウエア構成］
　なお、実施の形態１および実施の形態２の制御回路８は、ハードウエアの一例を図１６に示すように、プロセッサ１００と記憶装置１０１から構成される。記憶装置１０１は、図示していない、ランダムアクセスメモリ等の揮発性記憶装置と、フラッシュメモリ等の不揮発性の補助記憶装置とを備える。
　また、フラッシュメモリの代わりにハードディスクを備えてもよい。プロセッサ１００は、記憶装置１０１から入力されたプログラムを実行する。この場合、補助記憶装置から揮発性記憶装置を介してプロセッサ１００にプログラムが入力される。また、プロセッサ１００は、演算結果等のデータを記憶装置１０１の揮発性記憶装置に出力してもよいし、揮発性記憶装置を介して補助記憶装置にデータを保存してもよい。

［その他の実施の形態］
　本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

１　直流電圧源、２　コンデンサ直列回路、２ａ、２ｂ　コンデンサ、３　インバータ回路、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ　スイッチング素子（インバータ回路）、４，４Ｂ　スイッチ回路、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ　スイッチング素子（スイッチ回路）、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ　スイッチング素子（スイッチ回路）、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ　ゲート入力部（インバータ回路）、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ　ゲート入力部（スイッチ回路）、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ　ゲート入力部（スイッチ回路）、７　モータ（負荷）、８　制御回路、９　ゲート抵抗決定部、１０　ゲート抵抗切替回路、１１　バッファ回路、１２　オン電源、１５　オフ電源。

Claims

　直列に接続された複数のコンデンサを有し、両端が直流電圧源の両端に接続されるコンデンサ直列回路と、
　複数のスイッチング素子が直列接続されたレグが複数並列に接続され、直流入力端が前記コンデンサ直列回路の両端に接続されるとともに交流出力端が負荷に接続されるインバータ回路と、
　複数のスイッチング素子を有し、一端が複数の前記コンデンサの接続点に接続され、他端が前記インバータ回路の前記スイッチング素子の複数の接続点に接続されたスイッチ回路と、
　前記インバータ回路および前記スイッチ回路を制御する制御回路と、を備え、
　前記インバータ回路は、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオフさせることにより２レベル動作が可能であり、前記スイッチ回路が有する前記スイッチング素子をオン・オフさせることにより３レベル動作が可能であり、
　前記制御回路は、前記２レベル動作と前記３レベル動作との間の動作レベルの切替の際に、前記インバータ回路および前記スイッチ回路の前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更する、電力変換装置。
　前記制御回路は、前記３レベル動作から前記２レベル動作に変更する際に、前記スイッチング素子のスイッチング速度を遅くする、請求項１に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記３レベル動作と前記２レベル動作との間の動作レベルを切り替える前に、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更する、請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、一定時間待機した後に前記３レベル動作と前記２レベル動作との間の動作レベルを切り替える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変化に基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のゲート端子に印加されるゲート電圧傾きが変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子のゲート電流が変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更指令後、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生するサージ電圧が変化したことに基づいて、スイッチング速度の変更処理を確定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記２レベル動作から前記３レベル動作に変更するときのレベル切替閾値と、前記３レベル動作から前記２レベル動作に変更するときのレベル切替閾値とは、異なる値にする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生するサージ電圧の検出値に基づいて、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変化させる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子の両端、または、前記コンデンサ直列回路の両端に発生する前記サージ電圧の検出値の最大値が、目標とする許容電圧範囲に収まるように、前記スイッチング素子のスイッチング速度を変更する、請求項１０に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、連続した複数回の前記サージ電圧の検出値に基づいて、スイッチング速度を変更する、請求項１０または請求項１１に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記２レベル動作と前記３レベル動作との切替を、前記電力変換装置の交流出力電流値と予め設定された電流閾値との比較に基づいて行う、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記電力変換装置の交流出力電流の基本波周期毎に、前記動作レベルの切替とスイッチング速度の変更を実施する、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記電力変換装置の交流出力電流の基本波周期よりも短い時間間隔で、前記動作レベルの切替とスイッチング速度の変更を実施する、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記２レベル動作と前記３レベル動作とを切り替えるレベル切替閾値は、前記スイッチ回路の前記スイッチング素子の体積に応じて決定する、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記負荷としてモータが接続され、前記制御回路は、前記モータおよび前記電力変換装置の指令情報、並びに前記モータおよび前記電力変換装置の検出情報に基づいて、事前に用意したテーブルまたは計算結果から、前記動作レベルの切替およびスイッチング速度を決定する、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング速度の変更を、前記スイッチング素子をオフするときのゲート抵抗値を変更することで実現する、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の電力変換装置。