WO2024004444A1

WO2024004444A1 - プラズマ処理装置及び蓄電量の制御方法

Info

Publication number: WO2024004444A1
Application number: PCT/JP2023/019150
Authority: WO
Inventors: 望永島; 大祐吉越; 邦彦山形
Original assignee: 東京エレクトロン株式会社
Priority date: 2022-06-29
Filing date: 2023-05-23
Publication date: 2024-01-04
Also published as: TW202408319A; TW202408318A; WO2024004400A1; WO2024004399A1; WO2024004256A1; WO2024004497A1; TW202408320A

Abstract

開示されるプラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバ、基板支持部、グランドフレーム、蓄電部、整流・平滑部、給電出力コネクタ、及び受電コイルを備える。グランドフレームは、グランドフレームは、接地されており、プラズマ処理チャンバと共に基板支持部を囲む。蓄電部及び整流・平滑部は、グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されている。整流・平滑部は、給電量力コネクタ及び整流回路を含む。給電入力コネクタは、グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられている。整流回路は、ダイオードブリッジを含み、給電入力コネクタと蓄電部との間で接続されている。給電出力コネクタは、受電コイルに接続されており、給電入力コネクタに着脱可能である。

Description

プラズマ処理装置及び蓄電量の制御方法

関連出願の相互参照

　本出願は、２０２２年６月２９日に出願された「Ｐｌａｓｍａ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ」と題する米国仮特許出願第６３／３５６，７１３号の優先権を主張し、同米国仮特許出願の全体を参照することにより本明細書に援用する。

　本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置及び蓄電量の制御方法に関するものである。

　プラズマ処理装置が、プラズマ処理において用いられる。プラズマ処理装置は、チャンバ及びチャンバ内に配置される基板支持台（載置台）を備えている。基板支持台は、基台（下部電極）及び基板を保持する静電チャックを有している。静電チャックの内部には基板の温度を調整するための温度調整素子（例えば、ヒータ）が設けられている。また、温度調整素子と温度調整素子用電源との間には、チャンバ内の高周波電極及び／又はその他の電気的部材から給電ライン及び／又は信号線等の線路上に入ってくる高周波ノイズを減衰させるか阻止するフィルタが設けられている。このようなプラズマ処理装置の一種は、下記の特許文献１に記載されている。

特開２０１５－１７３０２７号公報

　本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置の蓄電部の蓄電量を制御する技術を提供する。

　一つの例示的実施形態においてプラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバ、基板支持部、高周波電源、電極又はアンテナ、電力消費部材、グランドフレーム、蓄電部、整流・平滑部、給電出力コネクタ、及び受電コイルを備える。基板支持部は、プラズマ処理チャンバ内に配置されている。高周波電源は、高周波電力を発生するように構成されている。電極又はアンテナは、プラズマ処理チャンバ内でガスからプラズマを生成するために高周波電力を受けるよう高周波電源に電気的に接続されている。電力消費部材は、プラズマ処理チャンバ内又は基板支持部内に配置されている。グランドフレームは、接地されており、プラズマ処理チャンバと共に基板支持部を囲む。蓄電部は、グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されており、電力消費部材と電気的に接続されている。整流・平滑部は、グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されている。整流・平滑部は、給電量力コネクタ及び整流回路を含む。給電入力コネクタは、第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子を含み、グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられている。整流回路は、ダイオードブリッジを含み、給電入力コネクタと蓄電部との間で接続されている。給電出力コネクタは、第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子に電気的に接続可能な第１の給電出力端子及び第２の給電出力端子を含み、給電入力コネクタに着脱可能である。受電コイルは、グランドフレームの外側に配置されており、給電出力コネクタに電気的に接続されており、送電コイルから電磁誘導結合により電力を受けることが可能である。

　一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置の蓄電部の蓄電量を制御する技術が提供される。

プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。一つの例示的実施形態に係る送電部を示す図である。一つの例示的実施形態に係る送電コイル部及び受電コイル部を示す図である。一つの例示的実施形態に係る送電コイル部及び受電コイル部を示す図である。一つの例示的実施形態に係る送電コイル部及び受電コイル部を示す図である。一つの例示的実施形態に係る受電コイル部のインピーダンス特性を示すグラフである。一つの例示的実施形態に係るＲＦフィルタを示す図である。一つの例示的実施形態に係る整流・平滑部を示す図である。一つの例示的実施形態に係るＲＦフィルタを示す図である。一つの例示的実施形態に係る送電部の通信部及び整流・平滑部の通信部を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。別の例示的実施形態に係る送電部の通信部及び整流・平滑部の通信部を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図２３の（ａ）及び図２３の（ｂ）の各々は、一つの例示的実施形態に係る蓄電部を示す図である。一つの例示的実施形態に係る電圧制御コンバータを示す図である。一つの例示的実施形態に係る定電圧制御部を示す図である。別の例示的実施形態に係る定電圧制御部を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の蓄電部に対する充電を説明するための図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図２９に示すプラズマ処理装置の整流・平滑部に受電コイル部が接続された状態を示す図である。図２９に示すプラズマ処理装置の整流・平滑部に直流安定化電源が接続された状態を示す図である。図３２の（ａ）は、蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートであり、図３２の（ｂ）は、蓄電部に供給される電流の一例のタイミングチャートである。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に受電コイル部が接続された状態を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に直流安定化電源が接続された状態を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に放電ユニットが接続された状態を示す図である。蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートである。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において蓄電部の放電に関連する構成を示す図である。更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において蓄電部の放電に関連する構成を示す図である。蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートである。

　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

　図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　Ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅＰｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：ＳｕｒｆａｃｅＷａｖｅＰｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極（吸着電極、チャック電極、又はクランプ電極ともいう）１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

　なお、容量結合型のプラズマ処理装置１においては、上部電極は、当該上部電極と基板支持部１１との間にプラズマ処理空間が位置するように配置される。第１のＲＦ生成部３１ａのような高周波電源は、上部電極又は基板支持部１１内の下部電極に電気的に接続される。プラズマ処理装置１が誘導結合型のプラズマ処理装置である場合には、アンテナが、当該アンテナと基板支持部１１との間にプラズマ処理空間が位置するように配置される。第１のＲＦ生成部３１ａのような高周波電源は、アンテナに電気的に接続される。プラズマ処理装置１がマイクロ波のような表面波によりプラズマを生成するプラズマ処理装置である場合には、アンテナが、当該アンテナと基板支持部１１との間にプラズマ処理空間が位置するように配置される。第１のＲＦ生成部３１ａのような高周波電源は、導波路を介してアンテナに電気的に接続される。

　以下、種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。以下に説明する各プラズマ処理装置は、チャンバ１０内の少なくとも一つの電力消費部材に無線給電（電磁誘導結合）により電力を供給するように構成されており、プラズマ処理装置１と同じ構成を有し得る。

　図３は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３に示すプラズマ処理装置１００Ａは、少なくとも一つの高周波電源３００、受電コイル部１４０、蓄電部１６０、及び少なくとも一つの電力消費部材２４０（図２５及び図２６参照）を含んでいる。プラズマ処理装置１００Ａは、送電部１２０、送電コイル部１３０、整流・平滑部１５０、定電圧制御部１８０（一例の電圧制御部）、グランドフレーム１１０、整合部３０１を更に含んでいてもよい。

　少なくとも一つの高周波電源３００は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び／又は第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。少なくとも一つの高周波電源３００は、整合部３０１を介して基板支持部１１に電気的に接続されている。整合部３０１は、少なくとも一つのインピーダンス整合回路を含んでいる。

　グランドフレーム１１０は、チャンバ１０を含んでおり、電気的に接地されている。グランドフレーム１１０は、その内部の空間１１０ｈ（ＲＦ－Ｈｏｔ空間）と外側の空間１１０ａ（大気空間）とを電気的に分離している。グランドフレーム１１０は、空間１１０ｈ内に配置された基板支持部１１を囲んでいる。プラズマ処理装置１００Ａでは、整流・平滑部１５０、蓄電部１６０、及び定電圧制御部１８０は、空間１１０ｈ内に配置されている。また、プラズマ処理装置１００Ａでは、送電部１２０、送電コイル部１３０、及び受電コイル部１４０は、空間１１０ａに配置されている。なお、空間１１０ｈは、減圧空間（真空空間）と非減圧空間（非真空空間）を含む。減圧空間は、チャンバ１０内の空間であり、非減圧空間は、チャンバ１０外の空間である。基板支持部１１及び基板Ｗは、減圧空間内に配置される。整流・平滑部１５０、蓄電部１６０、及び定電圧制御部１８０は、非減圧空間内に配置される。

　空間１１０ａに配置されているデバイス、即ち、送電部１２０、送電コイル部１３０、及び受電コイル部１４０等は、アルミニウムのような金属から形成された金属筐体によって覆われており、当該金属筐体は接地されている。これにより、第１のＲＦ信号（ソースＲＦ信号）及び／又は第２のＲＦ信号（バイアスＲＦ信号）のような高周波電力に起因する高周波ノイズの漏洩が抑制される。かかる金属筐体と各給電ラインは、それらの間に絶縁距離を有している。なお、以下の説明において、第１のＲＦ信号及び／又は第２のＲＦ信号のような高周波電力であって送電部１２０に向けて伝搬する高周波電力を、高周波ノイズ、コモンモードノイズ、又は伝導性ノイズということがある。

　送電部１２０は、交流電源４００（例えば、商用交流電源）と送電コイル部１３０との間で電気的に接続されている。送電部１２０は、交流電源４００からの交流電力の周波数を受けて、当該交流電力の周波数を伝送周波数に変換することにより、伝送周波数を有する交流電力、即ち伝送交流電力を生成する。

　送電コイル部１３０は、後述する送電コイル１３１（図９参照）を含んでいる。送電コイル１３１は、送電部１２０に電気的に接続されている。送電コイル１３１は、送電部１２０からの伝送交流電力を受けて、当該伝送交流電力を受電コイル１４１に無線伝送する。

　受電コイル部１４０は、後述する受電コイル１４１（図９参照）を含んでいる。受電コイル１４１は、送電コイル１３１と電磁誘導結合されている。電磁誘導結合は、磁界結合及び電界結合を含む。また、磁界結合は、磁界共鳴（磁界共振ともいう）を含む。受電コイル１４１と送電コイル１３１との間の距離は、コモンモードノイズ（伝導性ノイズ）を抑制するように設定されている。また、受電コイル１４１と送電コイル１３１との間の距離は、給電可能な距離に設定されている。受電コイル１４１と送電コイル１３１との間の距離は、受電コイル１４１と送電コイル１３１との間での高周波電力（即ち、高周波ノイズ）の減衰量が閾値以下となり、且つ、送電コイル１３１からの電力を受電コイル１４１において受電可能なように設定される。減衰量の閾値は、送電部１２０の破損又は誤動作を十分に防止できる値に設定される。減衰量の閾値は、例えば、－２０ｄＢである。受電コイル部１４０によって受電された伝送交流電力は、整流・平滑部１５０に出力される。

　整流・平滑部１５０は、受電コイル部１４０と蓄電部１６０との間で電気的に接続されている。整流・平滑部１５０は、受電コイル部１４０からの伝送交流電力に対する全波整流及び平滑化により、直流電力を生成する。整流・平滑部１５０によって生成された直流電力は、蓄電部１６０において蓄電される。蓄電部１６０は、整流・平滑部１５０と定電圧制御部１８０との間で電気的に接続されている。なお、整流・平滑部１５０は、受電コイル部１４０からの伝送交流電力に対する半波整流及び平滑化により、直流電力を生成してもよい。

　整流・平滑部１５０と送電部１２０は、信号ライン１２５０により互いに電気的に接続されている。整流・平滑部１５０は、信号ライン１２５０を介して指示信号を送電部１２０に送信する。指示信号は、伝送交流電力の供給又は伝送交流電力の供給の停止を送電部１２０に指示するための信号である。指示信号は、ステータス信号、異常検知信号、並びに、送電コイル部１３０及び受電コイル部１４０の冷却制御信号を含み得る。ステータス信号は、整流・平滑部１５０の電圧検出器１５５ｖ（図１４参照）及び電流検出器１５５ｉ（図１４参照）が検出する電圧、電流、電力の大きさ及び／又は位相等の値である。異常検知信号は、整流・平滑部１５０の故障及び／又は温度異常の発生を送電部１２０に伝達するための信号である。冷却制御信号は、送電コイル部１３０及び受電コイル部１４０に設けられた冷却機構を制御する。冷却制御信号は、例えば、空冷の場合は、ファンの回転数を制御する。また、液冷の場合は、冷媒の流速及び／又は温度等を制御する。

　定電圧制御部１８０は、蓄電部１６０において蓄電される電力を用いて、少なくとも電力消費部材２４０に電圧を印加する。定電圧制御部１８０は、少なくとも電力消費部材２４０に対する電圧印加とその停止を制御し得る。

　プラズマ処理装置１００Ａにおいて、受電コイル１４１は、第１のＲＦ信号及び／又は第２のＲＦ信号のような高周波電力に起因する高周波ノイズに対するフィルタとして機能する。したがって、プラズマ処理装置の外部の電源への高周波ノイズの伝搬が抑制される。

　図４を参照する。図４は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図４に示すプラズマ処理装置１００Ｂについて、プラズマ処理装置１００Ａに対するその相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｂは、電圧制御コンバータ１７０を更に含んでいる。電圧制御コンバータ１７０は、ＤＣ－ＤＣコンバータであり、蓄電部１６０と定電圧制御部１８０との間で接続されている。電圧制御コンバータ１７０は、蓄電部１６０に電圧変動が生じた場合においても、一定の出力電圧を定電圧制御部１８０に入力するように構成され得る。なお、蓄電部１６０における電圧変動は、例えば、蓄電部１６０を電気二重層で構成した場合に蓄電電力に応じた電圧低下等として生じ得る。

　図５を参照する。図５は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図５に示すプラズマ処理装置１００Ｃについて、プラズマ処理装置１００Ｂに対するその相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｃは、ＲＦフィルタ１９０を更に備えている。ＲＦフィルタ１９０は、整流・平滑部１５０と送電部１２０との間で接続されている。ＲＦフィルタ１９０は、信号ライン１２５０の一部を構成する。ＲＦフィルタ１９０は、信号ライン１２５０を介した高周波電力（高周波ノイズ）の伝搬を抑制する特性を有する。即ち、ＲＦフィルタ１９０は、高周波ノイズ（伝導性ノイズ）に対して高いインピーダンスを有するが、比較的低い周波数の指示信号を通過させる特性を有するローパスフィルタを含む。

　プラズマ処理装置１００Ｃでは、蓄電部１６０、電圧制御コンバータ１７０、及び定電圧制御部１８０が、互いに一体化されている。即ち、蓄電部１６０、電圧制御コンバータ１７０、及び定電圧制御部１８０は共に、単一の金属筐体内に配置されているか、単一の回路基板上に形成されている。これにより、蓄電部１６０と電圧制御コンバータ１７０とを互いに接続する一対の給電ライン（プラスライン及びマイナスライン）の各々の長さが短くなる。また、蓄電部１６０と電圧制御コンバータ１７０とを互いに接続する一対の給電ラインの長さを互いに等しくすることが可能である。また。電圧制御コンバータ１７０と定電圧制御部１８０とを互いに接続する一対の給電ライン（プラスライン及びマイナスライン）の各々の長さが短くなる。また、電圧制御コンバータ１７０と定電圧制御部１８０とを互いに接続する一対の給電ラインの長さを互いに等しくすることが可能である。したがって、ノーマルモードノイズ（プラスラインとマイナスラインの線間の電位差）に起因するデバイスの誤動作及び破損が抑制される。なお、チャンバ１０内に当該筐体の周囲に電磁界を遮蔽する別の金属体が設けられている場合は、単一の筐体は、金属製でなくてもよい。

　図６を参照する。図６は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図６に示すプラズマ処理装置１００Ｄについて、プラズマ処理装置１００Ｃに対する相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｄは、ＲＦフィルタ１９０を含んでいない。プラズマ処理装置１００Ｄにおいて、整流・平滑部１５０は、無線部である通信部１５１を含む。通信部１５１は、非減圧空間内に配置されている。また、送電部１２０は、無線部である通信部１２１を含む。通信部１２１は、空間１１０ａに配置されている。上述の指示信号は、整流・平滑部１５０と送電部１２０との間で通信部１５１及び通信部１２１を用いて伝送される。通信部１２１及び通信部１５１の詳細については、後述する。

　図７を参照する。図７は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図７に示すプラズマ処理装置１００Ｅについて、プラズマ処理装置１００Ｄに対するその相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｅは、ＲＦフィルタ２００を更に含んでいる。ＲＦフィルタ２００は、受電コイル部１４０と整流・平滑部１５０との間で接続されている。ＲＦフィルタ２００は、受電コイル部１４０から送電コイル１３１及び送電部１２０へ伝搬する高周波ノイズを低減させるか遮断する特性を有する。ＲＦフィルタ２００の詳細については、後述する。

　以下、種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における無線給電のための各部の構成について詳細に説明する。

　［送電部の構成］

　図８は、一つの例示的実施形態に係る送電部を示す図である。送電部１２０は、上述したように、交流電源４００からの交流電力の周波数を受けて、当該交流電力の周波数を伝送周波数に変換することにより、伝送周波数を有する伝送交流電力を生成する。

　一実施形態において、送電部１２０は、制御部１２２、整流・平滑部１２３、及びインバータ１２４を含む。制御部１２２は、ＣＰＵのようなプロセッサ又はＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）のようなプログラム可能なロジックデバイスから構成されている。

　整流・平滑部１２３は、整流回路と平滑回路を含む。整流回路は、例えばダイオードブリッジを含む。平滑回路は、例えば線間コンデンサを含む。整流・平滑部１２３は、交流電源４００からの交流電力に対する全波整流及び平滑化により、直流電力を生成する。なお、整流・平滑部１２３は、交流電源４００からの交流電力に対する半波整流及び平滑化により、直流電力を生成してもよい。

　インバータ１２４は、整流・平滑部１２３によって出力される直流電力から伝送周波数を有する伝送交流電力を生成する。インバータ１２４は、例えば、フルブリッジインバータであり、複数のトライアック又は複数のスイッチング素子（例えばＦＥＴ）を含む。インバータ１２４は、制御部１２２による複数のトライアック又は複数のスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ制御により、伝送交流電力を生成する。インバータ１２４から出力された伝送交流電力は、送電コイル部１３０に出力される。

　送電部１２０は、電圧検出器１２５ｖ、電流検出器１２５ｉ、電圧検出器１２６ｖ、及び電流検出器１２６ｉを更に含んでいてもよい。電圧検出器１２５ｖは、整流・平滑部１２３とインバータ１２４とを互いに接続する一対の給電ラインの間の電圧値を検出する。電流検出器１２５ｉは、整流・平滑部１２３とインバータ１２４との間での電流値を検出する。電圧検出器１２６ｖは、インバータ１２４と送電コイル部１３０を互いに接続する一対の給電ラインの間の電圧値を検出する。電流検出器１２６ｉは、インバータ１２４と送電コイル部１３０との間での電流値を検出する。電圧検出器１２５ｖによって検出された電圧値、電流検出器１２５ｉによって検出された電流値、電圧検出器１２６ｖによって検出された電圧値、及び電流検出器１２６ｉによって検出された電流値は、制御部１２２に通知される。

　送電部１２０は、上述した通信部１２１を含んでいる。通信部１２１は、ドライバ１２１ｄ、送信器１２１ｔｘ、及び受信器１２１ｒｘを含む。送信器１２１ｔｘは、無線信号の送信器であるか、光信号の送信器である。受信器１２１ｒｘは、無線信号の受信器であるか、光信号の受信器である。通信部１２１は、ドライバ１２１ｄにより送信器１２１ｔｘを駆動して制御部１２２からの信号を無線信号又は光信号として送信器１２１ｔｘから出力させる。送信器１２１ｔｘから出力された信号は、後述する通信部１５１（図１４参照）において受信される。また、通信部１２１は、通信部１５１から上述の指示信号のような信号を受信器１２１ｒｘにより受信して、受信した信号をドライバ１２１ｄを介して制御部１２２に入力する。制御部１２２は、通信部１５１から通信部１２１を介して受信した指示信号、電圧検出器１２５ｖによって検出された電圧値、電流検出器１２５ｉによって検出された電流値、電圧検出器１２６ｖによって検出された電圧値、及び電流検出器１２６ｉによって検出された電流値に応じてインバータ１２４を制御することにより、伝送交流電力の出力及びその停止を切り替える。

　［送電コイル部及び受電コイル部］

　図９～図１１を参照する。図９～図１１の各々は、一つの例示的実施形態に係る送電コイル部及び受電コイル部を示す図である。図９に示すように、送電コイル部１３０は、送電コイル１３１に加えて、共振コンデンサ１３２ａ及び共振コンデンサ１３２ｂを含んでいてもよい。共振コンデンサ１３２ａは、送電部１２０と送電コイル部１３０とを互いに接続する一対の給電ラインのうち一方と送電コイル１３１の一端との間で接続されている。共振コンデンサ１３２ｂは、当該一対の給電ラインのうち他方と送電コイル１３１の他端との間で接続されている。送電コイル１３１、共振コンデンサ１３２ａ、及び共振コンデンサ１３２ｂは、伝送周波数に対して共振回路を構成する。即ち、送電コイル１３１、共振コンデンサ１３２ａ、及び共振コンデンサ１３２ｂは、伝送周波数に略一致する共振周波数を有する。なお、送電コイル部１３０は、共振コンデンサ１３２ａと共振コンデンサ１３２ｂの何れか一方を含んでいなくてもよい。

　図１０及び図１１に示すように、送電コイル部１３０は、金属筐体１３０ｇを更に含んでいてもよい。金属筐体１３０ｇは、開口端を有しており、接地されている。送電コイル１３１は、金属筐体１３０ｇ内に絶縁距離を確保して配置されている。送電コイル部１３０は、ヒートシンク１３４、フェライト材１３５、及び熱伝導シート１３６を更に含んでいてもよい。ヒートシンク１３４は、金属筐体１３０ｇ内に配置されており、金属筐体１３０ｇによって支持されている。フェライト材１３５は、ヒートシンク１３４上に配置されている。熱伝導シート１３６は、フェライト材１３５上に配置されている。送電コイル１３１は、熱伝導シート１３６上に配置されており、金属筐体１３０ｇの開口端を介して受電コイル１４１と対面している。図１１に示すように、金属筐体１３０ｇ内には、共振コンデンサ１３２ａ及び共振コンデンサ１３２ｂが更に収容されていてもよい。

　図９に示すように、受電コイル部１４０は、受電コイル１４１を含む。受電コイル１４１は、送電コイル１３１と電磁誘導結合される。受電コイル部１４０は、受電コイル１４１に加えて、共振コンデンサ１４２ａ及び共振コンデンサ１４２ｂを含んでいてもよい。共振コンデンサ１４２ａは、受電コイル部１４０から延びる一対の給電ラインのうち一方と受電コイル１４１の一端との間で接続されている。共振コンデンサ１４２ｂは、当該一対の給電ラインのうち他方と受電コイル１４１の他端との間で接続されている。受電コイル１４１、共振コンデンサ１４２ａ、及び共振コンデンサ１４２ｂは、伝送周波数に対して共振回路を構成する。即ち、受電コイル１４１、共振コンデンサ１４２ａ、及び共振コンデンサ１４２ｂは、伝送周波数に略一致する共振周波数を有する。なお、受電コイル部１４０は、共振コンデンサ１４２ａと共振コンデンサ１４２ｂの何れか一方を含んでいなくてもよい。

　図１０及び図１１に示すように、受電コイル部１４０は、金属筐体１４０ｇを更に含んでいてもよい。金属筐体１４０ｇは、開口端を有しており、接地されている。受電コイル１４１は、金属筐体１４０ｇ内に絶縁距離を確保して配置されている。受電コイル部１４０は、スペーサ１４３、ヒートシンク１４４、フェライト材１４５、及び熱伝導シート１４６を更に含んでいてもよい。スペーサ１４３は、金属筐体１４０ｇ内に配置されており、金属筐体１４０ｇによって支持されている。スペーサ１４３については、後述する。ヒートシンク１４４は、スペーサ１４３上に配置されている。フェライト材１４５は、ヒートシンク１４４上に配置されている。熱伝導シート１４６は、フェライト材１４５上に配置されている。受電コイル１４１は、熱伝導シート１４６上に配置されており、金属筐体１４０ｇの開口端を介して送電コイル１３１と対面している。図１１に示すように、金属筐体１４０ｇ内には、共振コンデンサ１４２ａ及び共振コンデンサ１４２ｂが更に収容されていてもよい。

　スペーサ１４３は、誘電体から形成されており、受電コイル１４１と金属筐体１４０ｇ（グランド）との間に設けられている。スペーサ１４３は、受電コイル１４１とグランドとの間に空間浮遊容量を与えている。

　［受電コイル部のインピーダンス特性］

　図１２を参照する。図１２は、一つの例示的実施形態に係る受電コイル部のインピーダンス特性を示すグラフである。図１２は、スペーサ１４３の厚さに応じた受電コイル部１４０のインピーダンス特性を示している。スペーサ１４３の厚さは、ヒートシンク１４４と金属筐体１４０ｇとの間の距離に対応する。図１２に示すように、受電コイル部１４０は、スペーサ１４３の厚さに応じて周波数ｆ_Ｈ及び周波数ｆ_Ｌの各々のインピーダンスを調整することができる。したがって、受電コイル部１４０によれば、第１のＲＦ信号及び第２のＲＦ信号のようなプラズマ処理装置において使用される二つの高周波電力の周波数の各々において高いインピーダンスを提供することが可能である。また、受電コイル部１４０において高いインピーダンスを得ることができるので、高周波電力の損失を抑制して、高い処理レート（例えばエッチングレート）を得ることができる。

　［ＲＦフィルタ２００］

　図１３を参照する。図１３は、一つの例示的実施形態に係るＲＦフィルタを示す図である。図１３に示すように、ＲＦフィルタ２００は、受電コイル部１４０と整流・平滑部１５０との間で接続されている。ＲＦフィルタ２００は、インダクタ２０１ａ、インダクタ２０１ｂ、終端コンデンサ２０２ａ、及び終端コンデンサ２０２ｂを含む。インダクタ２０１ａの一端は、共振コンデンサ１４２ａに接続されており、インダクタ２０１ａの他端は、整流・平滑部１５０に接続されている。インダクタ２０１ｂの一端は、共振コンデンサ１４２ｂに接続されており、インダクタ２０１ｂの他端は、整流・平滑部１５０に接続されている。終端コンデンサ２０２ａは、インダクタ２０１ａの一端とグランドとの間で接続されている。終端コンデンサ２０２ｂは、インダクタ２０１ｂの一端とグランドとの間で接続されている。インダクタ２０１ａ及び終端コンデンサ２０２ａは、ローパスフィルタを形成する。また、インダクタ２０１ｂ及び終端コンデンサ２０２ｂは、ローパスフィルタを形成する。ＲＦフィルタ２００によれば、第１のＲＦ信号及び第２のＲＦ信号のようなプラズマ処理装置において使用される二つの高周波電力の周波数の各々において高インピーダンスが得られる。したがって、高周波電力の損失が抑制されて、高い処理レート（例えばエッチングレート）を得ることができる。

　［整流・平滑部］

　図１４を参照する。図１４は、一つの例示的実施形態に係る整流・平滑部を示す図である。一実施形態において、整流・平滑部１５０は、制御部１５２、整流回路１５３、及び平滑回路１５４を含む。整流回路１５３は、受電コイル部１４０と平滑回路１５４との間で接続されている。平滑回路１５４は、整流回路１５３と蓄電部１６０との間で接続されている。制御部１５２は、ＣＰＵのようなプロセッサ又はＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）のようなプログラム可能なロジックデバイスから構成されている。なお、制御部１５２は、制御部１２２と同一であってもよく、異なっていてもよい。

　整流回路１５３は、受電コイル部１４０からの交流電力に対する全波整流により生成した電力を出力する。整流回路１５３は、例えばダイオードブリッジである。なお、整流回路１５３は、受電コイル部１４０からの交流電力に対する半波整流により生成した電力を出力してもよい。

　平滑回路１５４は、整流回路１５３からの電力に対する平滑化により直流電力を生成する。平滑回路１５４は、インダクタ１５４１ａ、コンデンサ１５４２ａ、及びコンデンサ１５４２ｂを含んでいてもよい。インダクタ１５４１ａの一端は、平滑回路１５４の一対の入力のうち一方に接続されている。インダクタ１５４１ａの他端は、整流・平滑部１５０の正出力（Ｖ_ＯＵＴ＋）に接続されている。整流・平滑部１５０の正出力は、後述する一対の給電ラインのうちプラスライン１６０ｐ（図２３の（ａ）及び図２３の（ｂ）を参照）を介して蓄電部１６０の一つ以上のコンデンサの各々の一端に接続されている。

　コンデンサ１５４２ａの一端は、平滑回路１５４の一対の入力のうち一方及びインダクタ１５４１ａの一端に接続されている。コンデンサ１５４２ａの他端は、平滑回路１５４の一対の出力のうち他方及び整流・平滑部１５０の負出力（Ｖ_ＯＵＴ－）に接続されている。整流・平滑部１５０の負出力は、後述する一対の給電ラインのうちマイナスライン１６０ｍ（図２３の（ａ）及び図２３の（ｂ）を参照）を介して蓄電部１６０の一つ以上のコンデンサの各々の他端に接続されている。コンデンサ１５４２ｂの一端は、インダクタ１５４１ａの他端に接続されている。コンデンサ１５４２ｂの他端は、平滑回路１５４の一対の出力のうち他方及び整流・平滑部１５０の負出力（Ｖ_ＯＵＴ－）に接続されている。

　整流・平滑部１５０は、電圧検出器１５５ｖ及び電流検出器１５５ｉを更に含んでいてもよい。電圧検出器１５５ｖは、整流・平滑部１５０の正出力と負出力との間の電圧値を検出する。電流検出器１５５ｉは、整流・平滑部１５０と蓄電部１６０との間での電流値を検出する。電圧検出器１５５ｖによって検出された電圧値及び電流検出器１５５ｉによって検出された電流値は、制御部１５２に通知される。制御部１５２は、蓄電部１６０において蓄えられている電力に応じて、上述の指示信号を生成する。例えば、制御部１５２は、蓄電部１６０において蓄えられている電力が第１の閾値以下である場合には、送電部１２０に給電、即ち伝送交流電力の出力を指示するための指示信号を生成する。第１の閾値は、例えば、電力消費部材２４０といった負荷での消費電力である。また、余裕度を考慮して電力消費部材２４０といった負荷での消費電力に一定の値（例えば、１以上、３以下の範囲内の値）を乗算した値でもよい。一方、制御部１５２は、蓄電部１６０において蓄えられている電力が第２の閾値よりも大きい場合には、送電部１２０に対して給電の停止、即ち伝送交流電力の出力の停止を指示するための指示信号を生成する。第２の閾値は、蓄電部１６０の限界蓄電電力を超えない値である。第２の閾値は、例えば、蓄電部１６０の限界蓄電電力に一定の値（例えば１以下の値）を乗算した値である。

　整流・平滑部１５０は、上述した通信部１５１を含んでいる。通信部１５１は、ドライバ１５１ｄ、送信器１５１ｔｘ、及び受信器１５１ｒｘを含む。送信器１５１ｔｘは、無線信号の送信器であるか、光信号の送信器である。受信器１５１ｒｘは、無線信号の受信器であるか、光信号の受信器である。通信部１５１は、ドライバ１５１ｄにより送信器１５１ｔｘを駆動して指示信号のような制御部１２２からの信号を送信器１５１ｔｘから無線信号又は光信号として出力させる。送信器１５１ｔｘら出力された信号は、送電部１２０の通信部１２１において受信される。また、通信部１５１は、通信部１２１からの信号を受信器１５１ｒｘにより受信して、受信した信号をドライバ１５１ｄを介して制御部１５２に入力する。

　［ＲＦフィルタ１９０］

　図１５を参照する。図１５は、一つの例示的実施形態に係るＲＦフィルタ１９０を示す図である。図１５に示すように、信号ライン１２５０は、送電部１２０の信号出力（Ｔｘ）と整流・平滑部１５０の信号入力（Ｒｘ）とを電気的に接続する第１の信号ライン、及び送電部１２０の信号入力（Ｒｘ）と整流・平滑部１５０の信号出力（Ｔｘ）とを電気的に接続する第２の信号ラインを含んでいてもよい。信号ライン１２５０は、送電部１２０の第１の基準電圧端子（ＶＣＣ）と整流・平滑部１５０の第１の基準電圧端子（ＶＣＣ）とを接続する信号ライン、及び送電部１２０の第２の基準電圧端子（ＧＮＤ）と整流・平滑部１５０の第２の基準電圧端子（ＧＮＤ）とを接続する信号ラインを含んでいてもよい。信号ライン１２５０は、グランド電位のシールドで覆われたシールドケーブルであってもよい。この場合には、信号ライン１２５０を構成する複数の信号ラインは、一つずつ個別にシールドで覆われてもよく、まとめてシールドで覆われてもよい。ＲＦフィルタ１９０は、信号ライン１２５０を構成する複数の信号ラインの各々にローパスフィルタを提供する。ローパスフィルタは、インダクタ及びコンデンサを含むＬＣフィルタであってもよい。ローパスフィルタのインダクタは、対応する信号ラインの一部を構成する。コンデンサは、送電部１２０に接続されたインダクタの一端とグランドとの間で接続されている。ＲＦフィルタ１９０によれば、整流・平滑部１５０と送電部１２０との間の信号ライン１２５０を介した高周波電力（高周波ノイズ）の伝搬を抑制することが可能となる。

　［送電部の通信部及び整流・平滑部の通信部］

　図１６～図１８を参照する。図１６は、一つの例示的実施形態に係る送電部の通信部及び整流・平滑部の通信部を示す図である。図１７及び図１８の各々は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図６、図７、図１６、図１７、及び図１８に示すように、通信部１２１及び通信部１５１は、互いの間で無線通信を介して上述の指示信号のような信号の伝送を行うように構成されていてもよい。無線通信を介した通信は、光通信により行われてもよい。通信部１２１及び通信部１５１がそれらの間で無線通信を介して信号の伝送を行う場合には、通信部１２１及び通信部１５１は、それらの間に遮蔽物が介在しなければ、如何なる位置に配置されていてもよい。これらの図に示す例によれば、ＲＦフィルタ１９０が不要となる。なお、図１６～図１８に示す例を含む種々の例示的実施形態において、信号ライン１２５０は、グランド電位のシールドで覆われたシールドケーブルであってもよい。この場合には、信号ライン１２５０を構成する複数の信号ラインは、一つずつ個別にシールドで覆われてもよく、まとめてシールドで覆われてもよい。

　図１９～図２２を参照する。図１９は、別の例示的実施形態に係る送電部の通信部及び整流・平滑部の通信部を示す図である。図２０～図２２の各々は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１９～図２２に示すように、通信部１２１及び通信部１５１は、互いの間で光ファイバ１２６０を介して、即ち、光ファイバ通信により、上述の指示信号のような信号（光信号）の伝送を行うように構成されていてもよい。通信部１２１及び通信部１５１がそれらの間で光ファイバ１２６０を介して信号の伝送を行う場合には、通信部１２１及び通信部１５１は、光ファイバ１２６０の曲げ半径が許容される範囲内にあれば、如何なる位置に配置されていてもよい。これらの図に示す例においても、ＲＦフィルタ１９０が不要となる。

　［蓄電部］

　図２３の（ａ）及び図２３の（ｂ）を参照する。図２３の（ａ）及び図２３の（ｂ）の各々は、一つの例示的実施形態に係る蓄電部を示す図である。図２３の（ａ）に示すように、蓄電部１６０は、コンデンサ１６１を含んでいる。コンデンサ１６１は、一対の給電ライン、即ち、プラスライン１６０ｐとマイナスライン１６０ｍとの間で接続されている。プラスライン１６０ｐは、整流・平滑部１５０の正出力（Ｖ_ＯＵＴ＋）から負荷に向けて延びている。マイナスライン１６０ｍは、整流・平滑部１５０の負出力（Ｖ_ＯＵＴ－）から負荷に向けて延びている。コンデンサ１６１は、有極性のコンデンサであってもよい。コンデンサ１６１は、電気二重層又はリチウムイオンバッテリであってもよい。

　図２３の（ｂ）に示すように、蓄電部１６０は、複数のコンデンサ１６１を含んでいてもよい。複数のコンデンサ１６１は、プラスライン１６０ｐとマイナスライン１６０ｍとの間で直列接続されている。複数のコンデンサ１６１は、互いに同一の静電容量を有してもよいし、互いに異なる静電容量を有してもよい。複数のコンデンサ１６１の各々は、有極性のコンデンサであってもよい。複数のコンデンサ１６１の各々は、電気二重層又はリチウムイオンバッテリであってもよい。蓄電部１６０は、それに対する入力電圧とノーマルモードノイズによる線間電位差との合計値が許容入力電圧よりも低くなる条件で用いられる必要がある。蓄電部１６０が、複数のコンデンサ１６１の直列接続を含む場合には、蓄電部１６０の許容入力電圧が高くなる。したがって、図２３の（ｂ）に示す例によれば、蓄電部１６０のノイズ耐性が向上される。

　［電圧制御コンバータ］

　図２４を参照する。図２４は、一つの例示的実施形態に係る電圧制御コンバータを示す図である。電圧制御コンバータ１７０は、ＤＣ－ＤＣコンバータである。電圧制御コンバータ１７０は、蓄電部１６０と定電圧制御部１８０との間で接続されている。電圧制御コンバータ１７０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）には、プラスライン１６０ｐが接続されている。電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）には、マイナスライン１６０ｍが接続されている。電圧制御コンバータ１７０の正出力（Ｖ_ＯＵＴ＋）は、定電圧制御部１８０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）に接続されている。電圧制御コンバータ１７０の負出力（Ｖ_ＯＵＴ－）は、定電圧制御部１８０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）に接続されている。

　電圧制御コンバータ１７０は、制御部１７２、ローパスフィルタ１７３、トランス１７４、及びコンデンサ１７５を含んでいてもよい。ローパスフィルタ１７３は、インダクタ１７３１ａ、コンデンサ１７３２ａ、及びコンデンサ１７３２ｂを含んでいてもよい。インダクタ１７３１ａの一端は、電圧制御コンバータ１７０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）に接続されている。インダクタ１７３１ａの他端は、トランス１７４の一次側コイルの一端に接続されている。コンデンサ１７３２ａの一端は、インダクタ１７３１ａの一端及び電圧制御コンバータ１７０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）に接続されている。コンデンサ１７３２ａの他端は、電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）に接続されている。コンデンサ１７３２ｂの一端は、インダクタ１７３１ａの他端に接続されている。コンデンサ１７３２ｂの他端は、電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）に接続されている。

　トランス１７４は、一次側コイル１７４１、二次側コイル１７４２、及びスイッチ１７４３を含んでいる。一次側コイル１７４１の他端は、スイッチ１７４３を介して電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）に接続されている。二次側コイル１７４２の一端は、コンデンサ１７５の一端及び電圧制御コンバータ１７０の正出力（Ｖ_ＯＵＴ＋）に接続されている。二次側コイル１７４２の他端は、コンデンサ１７５の他端及び電圧制御コンバータ１７０の負出力（Ｖ_ＯＵＴ－）に接続されている。

　スイッチ１７４３には、ドライバ１７４４が接続されている。ドライバ１７４４は、スイッチ１７４３を開閉する。スイッチ１７４３が閉じているとき、即ち、一次側コイル１７４１の他端と負入力（Ｖ_ＩＮ－）が導通状態にあるときには、一次側コイル１７４１の他端が電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）に接続されて、電圧制御コンバータ１７０からの直流電力が定電圧制御部１８０に与えられる。一方、スイッチ１７４３が開いているとき、即ち、一次側コイル１７４１の他端と負入力（Ｖ_ＩＮ－）が非導通状態にあるときには、一次側コイル１７４１の他端と電圧制御コンバータ１７０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）との接続が切断されて、電圧制御コンバータ１７０から定電圧制御部１８０への直流電力の供給が遮断される。

　電圧制御コンバータ１７０は、電圧検出器１７６ｖ及び電流検出器１７６ｉを更に含んでいてもよい。電圧検出器１７６ｖは、二次側コイル１７４２の両端間の電圧値又は電圧制御コンバータ１７０の正出力と負出力との間での電圧値を検出する。電流検出器１７６ｉは、二次側コイル１７４２の他端と電圧制御コンバータ１７０の負出力との間での電流値を測定する。電圧検出器１７６ｖによって検出された電圧値及び電流検出器１７６ｉによって検出された電流値は、制御部１７２に通知される。なお、制御部１７２は、制御部１２２及び制御部１５２の少なくとも何れか一つと同一であってもよく、異なっていてもよい。

　制御部１７２は、電圧検出器１７６ｖによって検出された電圧値が閾値以上である場合に、ドライバ１７４４を制御して、電圧制御コンバータ１７０から定電圧制御部１８０への直流電力の供給を遮断する。電圧制御コンバータ１７０の正出力と負出力との間の電圧値は、電圧制御コンバータ１７０の出力電圧値とノーマルモードノイズによる線間電位差の加算値である。この実施形態では、ノーマルモードノイズによる線間電位差に起因する過電圧による電圧制御コンバータ１７０の負荷の破損を抑制することができる。

　［定電圧制御部］

　図２５及び図２６を参照する。図２５及び図２６は、幾つかの例示的実施形態に係る定電圧制御部を示す図である。定電圧制御部１８０は、蓄電部１６０と少なくとも一つの電力消費部材２４０との間で接続されており、少なくとも一つの電力消費部材２４０への電圧印加（直流電圧の印加）及びその停止を制御するように構成されている。

　定電圧制御部１８０は、制御部１８２及び少なくとも一つのスイッチ１８３を含んでいる。定電圧制御部１８０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）は、スイッチ１８３を介して電力消費部材２４０に接続されている。定電圧制御部１８０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）は、電力消費部材２４０に接続されている。スイッチ１８３は、制御部１８２によって制御される。スイッチ１８３が閉じられているときには、定電圧制御部１８０からの直流電圧が電力消費部材２４０に印加される。スイッチ１８３が開かれているときには、定電圧制御部１８０から電力消費部材２４０への直流電圧の印加が停止される。なお、制御部１８２は、制御部１２２、制御部１５２及び制御部１７２の少なくとも何れか一つと同一であってもよく、異なっていてもよい。

　図２５及び図２６に示す実施形態において、プラズマ処理装置は、複数の電力消費部材２４０を含んでいる。定電圧制御部１８０は、制御部１８２及び複数のスイッチ１８３を含んでいる。定電圧制御部１８０の正入力（Ｖ_ＩＮ＋）は、複数のスイッチ１８３を介して複数の電力消費部材２４０に接続されている。定電圧制御部１８０の負入力（Ｖ_ＩＮ－）は、複数の電力消費部材２４０に接続されている。

　図２５及び図２６に示す実施形態において、複数の電力消費部材２４０は複数のヒータ（抵抗加熱素子）を含んでいてもよい。複数のヒータは、基板支持部１１内に設けられていてもよい。図２５に示す実施形態では、複数の抵抗体２６０が複数のヒータそれぞれの近傍に配置されている。複数の抵抗体２６０の各々は、温度によって変化する抵抗値を有する。複数の抵抗体２６０の各々は、例えばサーミスタである。複数の抵抗体２６０の各々は、基準抵抗（図示せず）と直列接続されている。定電圧制御部１８０は、複数の測定部１８４を含んでいる。複数の測定部１８４の各々は、複数の抵抗体２６０のうち対応する抵抗体と基準抵抗の直列接続に基準電圧を印加して、当該抵抗体の両端間の電圧値を検出する。複数の測定部１８４の各々は、検出した電圧値を制御部１８２に通知する。制御部１８２は、通知された電圧値から複数のヒータのうち対応するヒータが配置されている領域の温度を特定し、当該領域の温度を目標温度に近づけるように、対応するヒータへの直流電圧の印加を制御する。なお、複数の抵抗体２６０の代わりに光ファイバ温度計を配置してもよい。この場合は、複数の抵抗体２６０と複数の測定部１８４との間の配線が不要になるため、電力消費部材２４０への高周波の伝導性ノイズの影響を無くすことができる。

　図２６に示す実施形態において、定電圧制御部１８０は、電圧検出器１８５ｖ及び複数の電流検出器１８５ｉを含む。電圧検出器１８５ｖは、複数のヒータの各々に印加されている電圧値を検出する。複数の電流検出器１８５ｉは、複数のヒータのうち対応するヒータに供給される電流の値、即ち電流値を測定する。複数の測定部１８４は、複数のヒータのうち対応するヒータの抵抗値を、複数の電流検出器１８５ｉのうち対応する電流検出器によって検出された電流値と電圧検出器１８５ｖによって検出された電圧値から特定する。制御部１８２は、複数のヒータそれぞれの検出された抵抗値から、複数のヒータそれぞれが配置されている複数の領域それぞれの温度を特定する。制御部１８２は、複数の領域それぞれの温度を目標温度に近づけるように、複数のヒータそれぞれへの直流電圧の印加を制御する。

　［蓄電部の蓄電量の制御方法］

　図２７を参照する。図２７は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図２７に示すプラズマ処理装置１００Ｇについて、図７に示すプラズマ処理装置１００Ｅに対する相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｇにおいて、蓄電部１６０は、電圧制御コンバータ１７０及び定電圧制御部１８０と一体化されていない。また、プラズマ処理装置１００Ｇにおいて、蓄電部１６０は、一対の入力スイッチ１６０ＳＩ及び一対の出力スイッチ１６０ＳＯを含んでいる。蓄電部１６０は、一対の入力スイッチ１６０ＳＩを介して整流・平滑部１５０に接続されている。蓄電部１６０は、一対の出力スイッチ１６０ＳＯを介して電圧制御コンバータ１７０に接続されている。プラズマ処理装置１００Ｇの他の構成は、プラズマ処理装置１００Ｅの対応の構成と同様である。

　以下、プラズマ処理装置１００Ｇにおける蓄電部１６０の蓄電量の制御方法について説明する。蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０のプラズマ処理装置１００Ｇへの搭載時における蓄電部１６０の充電方法を含む。蓄電部１６０がプラズマ処理装置１００Ｇに搭載される際には、一対の入力スイッチ１６０ＳＩがＯＮ状態（導通状態）に設定されることにより、整流・平滑部１５０に対する蓄電部１６０の接続が確立される。また、一対の出力スイッチ１６０ＳＯがＯＮ状態（導通状態）に設定されることにより、電圧制御コンバータ１７０に対する蓄電部１６０の接続が確立される。

　そして、初期充電モードでの処理が行われる。初期充電モードでは、送電部１２０、送電コイル部１３０、及び受電コイル部１４０を用いた無線給電により、蓄電部１６０への充電が行われる。このとき、送電部１２０は、初期充電モードにて動作する。整流・平滑部１５０の制御部１５２は、電圧検出器１５５ｖによって検出される蓄電部１６０の電圧値が所定値に達している場合に、通信部１５１及び通信部１２１を介して、充電完了を示す信号を送電部１２０に送信する。送電部１２０の制御部１２２は、充電完了を示す信号を受けると、初期充電モードから通常動作モードに移行する。

　以下、図２８を参照する。図２８は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の蓄電部に対する充電を説明するための図である。別の実施形態の充電方法において、蓄電部１６０は、プラズマ処理装置１００Ｇへの搭載前に充電されてから、プラズマ処理装置１００Ｇに搭載されてもよい。

　具体的には、図２８に示すように、プラズマ処理装置１００Ｇへの搭載前に、蓄電部１６０は、一対の入力スイッチ１６０ＳＩを介して、直流安定化電源５１０に接続されてもよい。蓄電部１６０の正極は、一対の入力スイッチ１６０ＳＩのうち一方及び逆流防止ダイオードを介して直流安定化電源５１０の正出力に接続されてもよい。蓄電部１６０への充電時には、一対の入力スイッチ１６０ＳＩは、ＯＮ状態に設定され、一対の出力スイッチ１６０ＳＯは、ＯＦＦ状態（非導通状態）に設定される。蓄電部１６０の充電の完了後、一対の入力スイッチ１６０ＳＩは、ＯＦＦ状態に設定される。

　そして、充電された蓄電部１６０は、プラズマ処理装置１００Ｇに搭載されて、一対の入力スイッチ１６０ＳＩを介して整流・平滑部１５０に接続され、一対の出力スイッチ１６０ＳＯを介して電圧制御コンバータ１７０に接続される。しかる後に、一対の入力スイッチ１６０ＳＩ及び一対の出力スイッチ１６０ＳＯが、ＯＮ状態に設定される。

　蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の放電方法を更に含んでいてもよい。プラズマ処理装置１００Ｇの蓄電部１６０の放電方法において、一対の入力スイッチ１６０ＳＩ及び一対の出力スイッチ１６０ＳＯは、ＯＦＦ状態（非導通状態）に設定される。次いで、蓄電部１６０が、プラズマ処理装置１００Ｇから取り外される。そして、プラズマ処理装置１００Ｇの外部において、蓄電部１６０の電力が、当該蓄電部１６０に接続されたダミー負荷等に放電される。

　以下、図２９～図３１を参照する。図２９は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３０は、図２９に示すプラズマ処理装置の整流・平滑部に受電コイル部が接続された状態を示す図である。図３１は、図２９に示すプラズマ処理装置の整流・平滑部に直流安定化電源が接続された状態を示す図である。以下、図２９に示すプラズマ処理装置１００Ｈについて、図２７に示すプラズマ処理装置１００Ｇに対する相違点の観点から説明する。

　プラズマ処理装置１００Ｈにおいて、整流・平滑部１５０は、表示器１５６、ドライバ１５６ｄ、及び給電入力コネクタ１５７を更に含んでいる。

　給電入力コネクタ１５７は、グランドフレーム１１０の外側からアクセス可能に設けられている。即ち、グランドフレーム１１０には、グランドフレーム１１０の外側から給電入力コネクタ１５７へのアクセスを可能とするための開口１１０ｗが設けられている。給電入力コネクタ１５７は、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２を含んでいる。図３０及び図３１の例では、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２の各々は、雌型の端子であるが、雄型の端子であってもよい。

　上述したように、整流・平滑部１５０において、整流回路１５３は、ダイオードブリッジを含んでいる。整流回路１５３は、給電入力コネクタ１５７と蓄電部１６０との間で接続されている。整流回路１５３は、平滑回路１５４を介して蓄電部１６０に接続されている。

　図３０に示すように、プラズマ処理装置１００Ｈは、給電出力コネクタ４５０を更に備えている。給電出力コネクタ４５０は、第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２を含んでおり、給電入力コネクタ１５７に着脱可能である。第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２は、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に電気的に接続可能である。第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２は、開口１１０ｗを通って、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に電気的に接続される。このため、給電出力コネクタ４５０は、絶縁部材４５３を更に含んでいてもよい。第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２は、絶縁部材４５３を貫通して、絶縁部材４５３から突き出している。絶縁部材４５３は、第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２が第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に接続されている状態では、第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２の各々とグランドフレーム１１０の間に介在する。

　受電コイル部１４０は、グランドフレーム１１０の外側、即ち、空間１１０ａに配置されており、給電出力コネクタ４５０に接続されている。即ち、即ち、受電コイル１４１は、第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２に接続されている。受電コイル１４１と第１の給電出力端子４５１及び第２の給電出力端子４５２の各々との間では、ＲＦフィルタ２００が接続されていてもよい。

　受電コイル部１４０がプラズマ処理装置１００Ｈに搭載される際には、給電出力コネクタ４５０が給電入力コネクタ１５７に接続される。これにより、グランドフレーム１１０の外側に配置されている受電コイル部１４０が、給電出力コネクタ４５０、給電入力コネクタ１５７、及び整流・平滑部１５０を介して蓄電部１６０に接続される。なお、図３０に示す例では、受電コイル部１４０は、送電コイル部１３０と共に一体化されている。受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０には、これらを冷却するファン１３４ｆが取り付けられている。なお、図３０に示す例では、ファン１３４ｆが、受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０の左方に取り付けられているが、ファン１３４ｆが取り付けられる位置は、図３０に示す例に限定されるものではない。ファン１３４ｆは、受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０の右方に取り付けられてもよく、下方に取り付けられてもよい。

　プラズマ処理装置１００Ｈのグランドフレーム１１０は、光学窓１１０ｖを更に含んでいてもよい。光学窓１１０ｖは、表示器１５６をグランドフレーム１１０の外部から視認可能とするよう、表示器１５６とグランドフレーム１１０の外部の空間との間に介在している。光学窓１１０ｖは、金属製の遮蔽部材１１０ｃにより開閉可能である。光学窓１１０ｖは、受電コイル部１４０が整流・平滑部１５０と電気的に接続されている状態では、遮蔽部材１１０ｃにより閉じられる。光学窓１１０ｖが、遮蔽部材１１０ｃにより閉じられると、遮蔽部材１１０ｃとグランドフレーム１１０は電気的に接続される。

　以下、図２９～図３１に加えて、図３２の（ａ）及び図３２の（ｂ）を参照して、プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法について説明する。図３２の（ａ）は、蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートであり、図３２の（ｂ）は、蓄電部に供給される電流の一例のタイミングチャートである。蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の充電方法を含む。

　プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の充電方法では、給電出力コネクタ４５０が給電入力コネクタ１５７から取り外されて、受電コイル部１４０がプラズマ処理装置１００Ｈから取り外される。

　そして、プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の充電方法では、図３１に示すように、蓄電部１６０の充電のために、電源ユニット５００が用いられる。電源ユニット５００は、直流安定化電源５１０及び給電コネクタ５２０を含んでいる。給電コネクタ５２０は、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２を含んでおり、給電入力コネクタ１５７に着脱可能である。第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２は、グランドフレーム１１０の外側、即ち空間１１０ａに配置された直流安定化電源５１０に接続されている。第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２は、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に電気的に接続可能である。

　プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の充電方法では、図３１に示すように、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２が、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に接続される。第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２は、開口１１０ｗを通って、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に電気的に接続される。このため、給電コネクタ５２０は、絶縁部材５２３を更に含んでいてもよい。第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２は、絶縁部材５２３を貫通して、絶縁部材５２３から突き出している。絶縁部材５２３は、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２が第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に接続されている状態では、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２の各々とグランドフレーム１１０の間に介在する。

　次いで、プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の充電方法では、直流安定化電源５１０から蓄電部１６０への給電が行われて、蓄電部１６０が充電される。なお、直流安定化電源５１０から蓄電部１６０に供給される電流の初期的な設定値は、図３２の（ｂ）に示す電流値Ｉ_ＳＥＴである。

　蓄電部１６０の充電状態は、制御部１５２によって監視される。蓄電部１６０の充電時には、蓄電部１６０の電圧値が、制御部１５２によって電圧検出器１５５ｖを用いて監視されてもよい。また、蓄電部１６０の充電時には、直流安定化電源５１０から蓄電部１６０に流れる電流の値（即ち、電流値）が、制御部１５２によって電流検出器１５５ｉを用いて監視されてもよい。

　図３２の（ａ）及び図３２の（ｂ）に示すように、制御部１５２は、蓄電部１６０の電圧値を監視して、蓄電部１６０の電圧値が、設定電圧値Ｖ_ＳＥＴに達した時点ｔ_Ａで又は時点Ｔ_Ａの後且つ後述する時点ｔ_Ｅの前に蓄電部１６０の充電を完了（即ち、停止）してもよい。或いは、制御部１５２は、蓄電部１６０の電圧値及び直流安定化電源５１０から蓄電部１６０への電流値を監視して、蓄電部１６０の電圧値が設定電圧値Ｖ_ＳＥＴに達した時点ｔ_Ａの後に、当該電流値が閾値Ｉ_ＴＨに達した時点ｔ_Ｅで、蓄電部１６０の充電を完了（即ち、停止）してもよい。閾値Ｉ_ＴＨは、例えば、制御部１５２が起動するために必要な値に設定される。閾値Ｉ_ＴＨは、例えば、０．５Ａに設定され得る。制御部１５２は、通信部１２１及び通信部１５１を介した通信により、直流安定化電源５１０による給電を停止する信号を、直流安定化電源５１０に送信し、これにより蓄電部１６０の充電を停止してもよい。

　制御部１５２は、表示器１５６により蓄電部１６０の充電状態を表す表示を行ってもよい。表示器１５６は、半導体発光素子（即ち、ＬＥＤ）を含んでいてもよい。制御部１５２は、ドライバ１５６ｄを制御して、表示器１５６に蓄電部１６０の充電状態を表す表示を行わせてもよい。なお、この場合には、表示器１５６をグランドフレーム１１０の外部から視認できるように、光学窓１１０ｖが開かれる。

　表示器１５６は、ＬＥＤの点灯又は消灯により、蓄電部１６０の充電が完了しているか否かを表してもよい。或いは、表示器１５６は、ＬＥＤの発光色により、蓄電部１６０の充電状態を表してもよい。例えば、表示器１５６は、緑色の発光により蓄電部１６０の電圧値が整流・平滑部１５０が動作可能な電圧値であることを示してもよい。また、表示器１５６は、橙色の発光により、蓄電部１６０の電圧値が整流・平滑部１５０が動作可能な電圧値ではあるが、充電の余地があることを示してもよい。また、表示器１５６は、赤色の発光により蓄電部１６０の電圧値が整流・平滑部１５０が動作不可能な電圧値であり、充電が必要であることを示してもよい。或いは、表示器１５６は、７セグメントＬＥＤを含んでいてもよく、７セグメントＬＥＤにより蓄電部１６０の電圧値を表す数値を表示してもよい。なお、表示器１５６が用いられる場合には、蓄電部１６０の充電は、その完了時に作業者による手動で停止されてもよい。

　プラズマ処理装置１００Ｈでは、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２は、整流・平滑部１５０の整流回路１５３のダイオードブリッジを介して蓄電部１６０に接続される。したがって、蓄電部１６０の充電のために、逆流防止回路を用いることなく、直流安定化電源５１０を蓄電部１６０に電気的に接続することが可能である。また、蓄電部１６０の充電完了後に、受電コイル部１４０を整流・平滑部１５０に電気的に接続する際には（図３０参照）、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２は帯電していない。したがって、作業者の感電が防止される。

　以下、図３３～図３６を参照する。図３３は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３４が、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に受電コイル部が接続された状態を示す図である。図３５は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に直流安定化電源が接続された状態を示す図である。図３６は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の整流・平滑部に放電ユニットが接続された状態を示す図である。以下、図３３に示すプラズマ処理装置１００Ｊについて、図２９に示すプラズマ処理装置１００Ｈとの相違点の観点から説明する。

　図３４に示すように、プラズマ処理装置１００Ｊにおいて、整流・平滑部１５０は、プラズマ処理装置１００Ｈの整流・平滑部１５０と同様に、ドライバ１５６ｄ及び給電入力コネクタ１５７を含んでいる。図３４に示すように、プラズマ処理装置１００Ｊは、プラズマ処理装置１００Ｈと同様に、給電出力コネクタ４５０を備えている。プラズマ処理装置１００Ｊにおいて、整流・平滑部１５０は、表示器１５６１、表示器１５６２、及び放電出力コネクタ１５８を更に含んでいる。

　プラズマ処理装置１００Ｈの場合と同様に、受電コイル部１４０がプラズマ処理装置１００Ｊに搭載される際には、給電出力コネクタ４５０が給電入力コネクタ１５７に接続される。これにより、グランドフレーム１１０の外側に配置されている受電コイル部１４０が、給電出力コネクタ４５０、給電入力コネクタ１５７、及び整流・平滑部１５０を介して蓄電部１６０に接続される。なお、図３４に示す例では、受電コイル部１４０は、送電コイル部１３０と共に一体化されている。受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０には、これらを冷却するファン１３４ｆが取り付けられている。なお、図３４に示す例では、ファン１３４ｆが受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０の右方に取り付けられているが、ファン１３４ｆが取り付けられる位置は、図３４に示す例に限定されるものではない。ファン１３４ｆは、受電コイル部１４０及び送電コイル部１３０の上方に取り付けられてもよく、下方に取り付けられてもよい。

　プラズマ処理装置１００Ｊにおいて、給電出力コネクタ４５０は、絶縁部４５４を更に含んでいてもよい。絶縁部４５４は、絶縁性材料から形成されている。絶縁部４５４は、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２の各々が雌型の端子である場合には、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２それぞれの中に挿入される一対の絶縁ピンであってもよい。或いは、絶縁部４５４は、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２を覆う絶縁キャップであってもよい。

　以下、図３３～図３６に加えて、図３２の（ａ）及び図３２の（ｂ）並びに図３７を参照して、プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法について説明する。図３７は、蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートである。

　プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の充電方法を含む。プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の充電方法では、給電出力コネクタ４５０が給電入力コネクタ１５７から取り外されて、受電コイル部１４０がプラズマ処理装置１００Ｈから取り外される。

　そして、プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の充電方法では、図３５に示すように、電源ユニット５００が用いられる。電源ユニット５００は、プラズマ処理装置１００Ｈの蓄電部１６０の充電に関連して上述したように、直流安定化電源５１０及び給電コネクタ５２０を含んでいる。

　プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の充電方法では、図３５に示すように、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２が、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に接続される。第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２は、開口１１０ｗを通って、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に電気的に接続される。

　次いで、プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の充電方法では、直流安定化電源５１０から蓄電部１６０への給電が行われて、蓄電部１６０が充電される。

　図３２の（ａ）及び図３２の（ｂ）に示すように、制御部１５２は、蓄電部１６０の電圧値を監視して、蓄電部１６０の電圧値が、設定電圧値Ｖ_ＳＥＴに達した時点ｔ_Ａで又は時点Ｔ_Ａの後且つ後述する時点ｔ_Ｅの前に蓄電部１６０の充電を完了（即ち、停止）してもよい。或いは、制御部１５２は、蓄電部１６０の電圧値及び直流安定化電源５１０から蓄電部１６０への電流値を監視して、蓄電部１６０の電圧値が設定電圧値Ｖ_ＳＥＴに達した時点ｔ_Ａの後に、当該電流値が閾値Ｉ_ＴＨに達した時点ｔ_Ｅで、蓄電部１６０の充電を完了（即ち、停止）してもよい。制御部１５２は、通信部１２１及び通信部１５１を介した通信により、直流安定化電源５１０による給電を停止する信号を、直流安定化電源５１０に送信し、これにより充電を停止してもよい。

　制御部１５２は、表示器１５６１により蓄電部１６０の充電状態を表す表示を行ってもよい。表示器１５６１は、プラズマ処理装置１００Ｈにおける表示器１５６と同様に、半導体発光素子（即ち、ＬＥＤ）を含んでいてもよい。制御部１５２は、ドライバ１５６ｄを制御して、表示器１５６１に蓄電部１６０の充電状態を表す表示を行わせてもよい。なお、この場合には、表示器１５６１をグランドフレーム１１０の外部から視認できるように、絶縁部材５２３は、光学的に透明な材料から形成されていてもよい。表示器１５６１での蓄電部１６０の充電状態を表す表示は、プラズマ処理装置１００Ｈにおける表示器１５６の表示と同様であり得る。

　一実施形態において、電源ユニット５００は、テスタ５３０を更に含んでいてもよい。また、給電コネクタ５２０は、一対のテスタ端子５２４を含んでいてもよい。一対のテスタ端子５２４は、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に接続可能であり、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に対する接続を解除することも可能である。一対のテスタ端子５２４は、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２が第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２に接続されている状態では、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に接続される。一方、一対のテスタ端子５２４は、第１の給電端子５２１及び第２の給電端子５２２が第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２から引き離されると、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２から引き離される。

　一対のテスタ端子５２４が第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に接続されている状態において、テスタ５３０は、蓄電部１６０の電圧値を監視する。したがって、直流安定化電源５１０から蓄電部１６０への充電時には、テスタ５３０により蓄電部１６０の充電状態を監視することができる。

　プラズマ処理装置１００Ｊでは、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２は、整流・平滑部１５０の整流回路１５３のダイオードブリッジを介して蓄電部１６０に接続される。したがって、蓄電部１６０の充電のために、逆流防止回路を用いることなく、直流安定化電源５１０を蓄電部１６０に電気的に接続することが可能である。また、蓄電部１６０の充電完了後に、受電コイル部１４０を整流・平滑部１５０に電気的に接続する際には（図３４参照）、第１の給電入力端子１５７１及び第２の給電入力端子１５７２は帯電していない。したがって、作業者の感電が防止される。

　プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の放電方法を含む。プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の放電方法では、給電出力コネクタ４５０が給電入力コネクタ１５７から取り外されて、受電コイル部１４０がプラズマ処理装置１００Ｈから取り外される。

　そして、プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の放電方法では、図３６に示すように、放電ユニット６００が用いられる。放電ユニット６００は、放電用負荷６１０及び放電コネクタ６２０を含んでいる。放電ユニット６００は、ファン６３０を更に含んでいてもよい。ファン６３０は、放電用負荷６１０を冷却するために、設けられている。

　放電コネクタ６２０は、第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２を含んでおり、放電出力コネクタ１５８に着脱可能である。第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２は、グランドフレーム１１０の外側、即ち空間１１０ａに配置された放電用負荷６１０に接続されている。第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２は、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に電気的に接続可能である。第１の放電端子６２１は、スイッチ６２４を介して、放電用負荷６１０に接続されていてもよい。

　プラズマ処理装置１００Ｊの蓄電部１６０の放電方法では、図３６に示すように、第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２が、スイッチ６２４がＯＦＦ状態（即ち、非導通状態）に設定されている状態で、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に接続される。第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２は、開口１１０ｗを通って、第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に電気的に接続される。このため、放電コネクタ６２０は、絶縁部材６２３を更に含んでいてもよい。第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２は、絶縁部材６２３を貫通して、絶縁部材６２３から突き出している。絶縁部材６２３は、第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２が第１の放電出力端子１５８１及び第２の放電出力端子１５８２に接続されている状態では、第１の放電端子６２１及び第２の放電端子６２２の各々とグランドフレーム１１０の間に介在する。

　次いで、蓄電部１６０の放電方法では、スイッチ６２４がＯＮ状態（即ち、導通状態）に設定される。これにより、蓄電部１６０の電力が放電用負荷６１０に放電される。

　図３７に示すように、蓄電部１６０の放電中には、蓄電部１６０の電圧値は、蓄電部１６０の放電の開始時の電圧値Ｖ_Ｓから減少する。蓄電部１６０の放電は、蓄電部１６０の電圧値が閾値Ｖ_ＴＨに到達した時点ｔ_Ｆで完了し、停止される。閾値Ｖ_ＴＨは、例えば、制御部１５２を起動することができず、且つ、人体に影響を与えない値に設定される。閾値Ｖ_ＴＨは、例えば、２．５Ｖに設定され得る。蓄電部１６０の放電が完了した後に、スイッチ６２４がＯＦＦ状態に設定されて、放電ユニット６００がプラズマ処理装置１００Ｊから取り外される。

　制御部１５２は、表示器１５６２により蓄電部１６０の放電状態を表す表示を行ってもよい。表示器１５６２は、半導体発光素子（即ち、ＬＥＤ）を含んでいてもよい。制御部１５２は、ドライバ１５６ｄを制御して、表示器１５６２に蓄電部１６０の放電状態を表す表示を行わせてもよい。この場合において、表示器１５６２をグランドフレーム１１０の外部から視認できるように、絶縁部材５２３は、光学的に透明な材料から形成されていてもよい。なお、表示器１５６２は、蓄電部１６０の放電が完了すると、その動作が不可能となって、消灯するように構成されていてもよい。また、プラズマ処理装置１００Ｊは、表示器１５６１及び表示器１５６２の代わりに、表示器１５６１及び表示器１５６２の双方と同様に用いられる単一の表示器を有していてもよい。

　かかるプラズマ処理装置１００Ｊによれば、蓄電部１６０をプラズマ処理装置１００Ｊに搭載した状態で、グランドフレーム１１０の外側に配置された放電用負荷６１０に対して蓄電部１６０の放電を行うことができる。したがって、蓄電部１６０の放電のための作業における作業者の感電が防止される。

　以下、図３８及び図３９を参照する。図３８は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３９は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において蓄電部の放電に関連する構成を示す図である。以下、図３８に示すプラズマ処理装置１００Ｋについて、図７に示すプラズマ処理装置１００Ｅに対する相違点の観点から説明する。

　図３８に示すように、プラズマ処理装置１００Ｋは、放電用負荷６５、複数のスイッチ６６、及び表示器６７を更に備えている。放電用負荷６５は、蓄電部１６０の放電のみの用途で設けられた負荷、即ち放電専用負荷であるか、上述の複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つ（例えば、少なくとも一つのヒータ）である。放電用負荷６５は、グランドフレーム１１０から絶縁距離以上離れて配置されている。複数のスイッチ６６は、グランドフレーム１１０の外側からアクセス可能であるように、空間１１０ｈの非減圧空間に設けられていてもよい。また、表示器６７は、グランドフレーム１１０の外側から視認可能であるように設けられていてもよい。

　図３９に示すように、放電用負荷６５の一端は、整流・平滑部１５０と蓄電部１６０とを互いに接続する一対の給電ラインのうち一方（例えば、プラスライン１６０ｐ）に接続されている。放電用負荷６５の他端は、当該一対の給電ラインのうち他方（例えば、マイナスライン１６０ｍ）に接続されている。

　複数のスイッチ６６は、放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２（又はダイレクトモードスイッチ）を含んでいる。また、表示器６７は、表示部６７０及び表示部６７２を含んでいる。表示部６７０及び表示部６７２の各々は、蓄電部１６０の放電状態を表すように構成された放電状態表示部であり、ＬＥＤであってもよい。

　放電モードスイッチ６６０及び表示部６７０は、制御部１５２に対して直列に接続されている。また、スイッチ６６２は、整流・平滑部１５０と蓄電部１６０とを互いに接続する一対の給電ラインのうち一方（例えば、プラスライン１６０ｐ）と放電用負荷６５との間で接続されている。表示部６７２は、蓄電部１６０に対して放電用負荷６５と並列に接続されている。

　図３９に示す実施形態において、放電モードスイッチ６６０は、プラズマ処理装置１００Ｋでの異常発生時にハードウェアインターロックとしてＯＮ状態に設定されてもよい。或いは、放電モードスイッチ６６０は、蓄電部１６０の放電のために、作業者による手動でＯＮ状態に設定されてもよい。スイッチ６６２は、放電モードスイッチ６６０がＯＮ状態に設定されているときに、作業者による手動でＯＮ状態に設定されてもよく、或いは、制御部２又は制御部１５２による制御によってＯＮ状態に設定されてもよい。蓄電部１６０の放電が完了したときには、放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２は、作業者による手動でＯＦＦ状態に設定されてもよく、或いは、制御部２又は制御部１５２による制御によってＯＦＦ状態に設定されてもよい。なお、スイッチ６６２は、放電モードスイッチ６６０と共用されていてもよい。

　図３９に示す実施形態に示す実施形態において、プラズマ処理装置１００Ｋの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の放電方法を含む。蓄電部１６０の放電は、放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２がＯＮ状態に設定されることで開始する。放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２がＯＮ状態に設定されると、蓄電部１６０の電力は放電用負荷６５に放電される。

　蓄電部１６０の放電中には、蓄電部１６０の電圧値は、蓄電部１６０の放電の開始時の電圧値Ｖ_Ｓから減少する（図３７参照）。蓄電部１６０の放電は、蓄電部１６０の電圧値が閾値Ｖ_ＴＨに到達した時点ｔ_Ｆで完了し、停止される。蓄電部１６０の放電が完了した後に、放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２は、ＯＦＦ状態に設定される。

　表示部６７０及び表示部６７２は、上述の表示器１５６２と同様に、蓄電部１６０の放電中に蓄電部１６０の放電状態を表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。表示部６７０及び表示部６７２は、蓄電部１６０の放電が完了すると、その動作が不可能となって、消灯するように構成されていてもよい。

　図３９に示す実施形態では、蓄電部１６０の電力は、放電用負荷６５に放電されるが、蓄電部１６０の電力は、放電用負荷６５以外の負荷に放電されてもよい。例えば、蓄電部１６０の電力は、複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つに放電されてもよい。

　以下、図４０を参照する。図４０は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において蓄電部の放電に関連する構成を示す図である。図４０に示す蓄電部１６０の放電に関連する構成は、プラズマ処理装置１００Ｋにおいて採用され得る。以下、図４０の実施形態について、図３９の実施形態に対する相違点の観点から説明する。

　図４０の実施形態において、放電用負荷６５は、放電専用負荷であってもよい。図４０の実施形態において、複数のスイッチ６６は、放電モードスイッチ６６０、スイッチ６６１（１次放電モードスイッチ）、及びスイッチ６６２（ダイレクトモードスイッチ又は２次放電モードスイッチ）を含んでいる。また、表示器６７は、表示部６７ａ（ダイレクト放電モード表示部）、表示部６７ｂ（２段階放電モード表示部）、表示部６７１（１次放電状態表示部）、及び表示部６７２（ダイレクトモード放電状態表示部又は２次放電状態表示部）を含んでいる。表示部６７ａ、表示部６７ｂ、表示部６７１、及び表示部６７２の各々は、ＬＥＤであってもよい。

　放電モードスイッチ６６０は、制御部１５２に接続されている。表示部６７ａ及び表示部６７ｂは、放電モードスイッチ６６０と制御部１５２との間で並列接続されている。スイッチ６６１及び表示部６７１は、制御部１５２に対して直列に接続されている。また、スイッチ６６２は、整流・平滑部１５０と蓄電部１６０とを互いに接続する一対の給電ラインのうち一方（例えば、プラスライン１６０ｐ）と放電用負荷６５との間で接続されている。表示部６７２は、蓄電部１６０に対して放電用負荷６５と並列に接続されている。

　図４０に示す実施形態において、放電モードスイッチ６６０は、プラズマ処理装置１００Ｋでの異常発生時にハードウェアインターロックとしてＯＮ状態に設定されてもよい。或いは、放電モードスイッチ６６０は、蓄電部１６０の放電のために、作業者による手動でＯＮ状態に設定されてもよい。

　放電モードスイッチ６６０がＯＮ状態に設定される場合には、放電モードスイッチ６６０は、表示部６７ａ及び表示部６７ｂのうち一方に選択的に接続する。放電モードスイッチ６６０が表示部６７ａに接続している場合には、スイッチ６６２がＯＮ状態に設定されて、図３９の実施形態と同様に放電用負荷６５だけを用いた蓄電部１６０の放電（即ち、ダイレクトモード放電）が行われる。この場合には、表示部６７ａは、ダイレクトモード放電が行われていることを表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。また、表示部６７２は、ダイレクトモード放電が行われていることを表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。

　放電モードスイッチ６６０が表示部６７ｂに接続している場合には、２段階放電モードでの放電が行われる。この場合には、表示部６７ｂは、２段階放電モードでの放電が行われていることを表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。２段階放電モードでの放電では、１段階目に、スイッチ６６１がＯＮ状態に設定されて、蓄電部１６０の電力が、上述の複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つ（例えば、少なくとも一つのヒータ）に放電される。このとき、表示部６７１は、１段階目の放電が行われていることを表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。

　２段階放電モードでの放電では、２段階目に、スイッチ６６１がＯＦＦ状態に設定され、且つ、スイッチ６６２がＯＮ状態に設定されて、蓄電部１６０の電力が放電用負荷６５に放電される。このとき、表示部６７２は、２段階目の放電が行われていることを表す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。

　図４０の実施形態において、放電モードスイッチ６６０、スイッチ６６１、及びスイッチ６６２の各々の状態は、作業者による手動で切り替えられてもよく、或いは、制御部２又は制御部１５２の制御により切り替えられてもよい。なお、スイッチ６６１は、放電モードスイッチ６６０の２段階放電モードへのスイッチングと共用されていてもよい。また、スイッチ６６２は、放電モードスイッチ６６０のダイレクト放電モードへのスイッチングと共用されていてもよい。即ち、放電モードスイッチ６６０が、スイッチ６６１及びスイッチ６６２の少なくとも一方を兼ねていてもよい。

　図４０に示す実施形態に示す実施形態において、プラズマ処理装置１００Ｋの蓄電部１６０の蓄電量の制御方法は、蓄電部１６０の放電方法を含む。蓄電部１６０の放電は、上述したように、ダイレクトモード放電及び２段階放電モードを含む。以下、図４１を参照して、２段階放電モードでの蓄電部１６０の放電方法について説明する。図４１は、蓄電部の電圧の一例のタイミングチャートである。

　２段階放電モードでの放電方法は、放電モードスイッチ６６０が、２段階放電モードの選択（表示部６７ｂへの接続）に切り替えられ、且つ、及びスイッチ６６１がＯＮ状態に設定されることで開始する。そして、１段階目の放電が行われる。１段階目の放電において、蓄電部１６０の電力は上述の複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つ（例えば、少なくとも一つのヒータ）に放電される。

　蓄電部１６０の放電中には、蓄電部１６０の電圧値は、図４１に示すように、蓄電部１６０の放電の開始時の電圧値Ｖ_Ｓから減少する。１段階目の蓄電部１６０の放電は、蓄電部１６０の電圧値が閾値Ｖ_１に到達した時点ｔ_１で完了し、停止される。閾値Ｖ_１は、例えば、蓄電部１６０の電荷を電力消費部材２４０への放電することができなくなる値に設定される。閾値Ｖ_１は、例えば、電圧制御コンバータの入力下限電圧値に設定され得る。

　次いで、スイッチ６６１がＯＦＦ状態に設定されて、スイッチ６６２がＯＮ状態に設定される。そして、２段階目の放電が行われる。２段階目の放電において、蓄電部１６０の電力は放電用負荷６５に放電される。

　２段階目の蓄電部１６０の放電中には、蓄電部１６０の電圧値は、図４１に示すように、更に減少する。２段階目の蓄電部１６０の放電は、蓄電部１６０の電圧値が閾値Ｖ_２に到達した時点ｔ_２で完了し、停止される。２段階目の蓄電部１６０の放電が完了した後に、放電モードスイッチ６６０及びスイッチ６６２は、ＯＦＦ状態に設定される。閾値Ｖ_２は、例えば、制御部１５２を起動することができず、且つ、人体に影響を与えない値に設定される。閾値Ｖ_ＴＨは、例えば、２．５Ｖに設定され得る。

　図４０及び図４１に示す実施形態では、蓄電部１６０の電力は、１段階目の放電においては複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つに放電され、２段階目の放電においては放電用負荷６５に放電されるが、蓄電部１６０の電力の放電はこの例に限定されるものではない。蓄電部１６０の電力は、１段階目の放電においては放電用負荷６５に放電され、２段階目の放電においては複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つに放電されてもよい。また、特定の期間のみにおいて、蓄電部１６０の電力は、複数の電力消費部材２４０のうち少なくとも一つ及び放電用負荷６５に同時に放電されてもよい。

　上述したように、表示部６７１は、１段階目の放電が行われているときに、１段階目の放電が行われていることを示す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。表示部６７１は、時点ｔ_１で消灯してもよい。また、表示部６７２は、２段階目の放電が行われているときに、２段階目の放電が行われていることを示す表示（例えば、ＬＥＤの発光）を行う。表示部６７２は、時点ｔ_２で消灯してもよい。

　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

　ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１４］に記載する。

［Ｅ１］
　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部と、
　高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
　前記プラズマ処理チャンバ内でガスからプラズマを生成するために前記高周波電力を受けるよう前記高周波電源に電気的に接続された電極又はアンテナと、
　前記プラズマ処理チャンバ内又は前記基板支持部内に配置される電力消費部材と、
　接地されており、前記プラズマ処理チャンバと共に前記基板支持部を囲むグランドフレームと、
　前記グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されており、前記電力消費部材と電気的に接続される蓄電部と、
　前記グランドフレームによって囲まれた前記空間内に配置された整流・平滑部であり、
　　第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子を含み、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた給電入力コネクタと、
　　ダイオードブリッジを含み、前記給電入力コネクタと前記蓄電部との間で接続された整流回路と、
　を含む、該整流・平滑部と、
　前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に電気的に接続可能な第１の給電出力端子及び第２の給電出力端子を含み、前記給電入力コネクタに着脱可能な給電出力コネクタと、
　前記グランドフレームの外側に配置されており、前記給電出力コネクタに電気的に接続されており、送電コイルから電磁誘導結合により電力を受けることが可能な受電コイルと、
を備えるプラズマ処理装置。

［Ｅ２］
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた放電出力コネクタを更に備え、
　前記放電出力コネクタは、前記蓄電部と前記整流回路とを互いに接続する二つの給電ラインにそれぞれ接続された第１の放電出力端子及び第２の放電出力端子を含む、
Ｅ１に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ３］
　前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備える、Ｅ１又はＥ２に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ４］
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側から視認可能であるように設けられた表示器であり、前記蓄電部の放電状態を表示するように構成された、該表示器を更に含む、Ｅ２又はＥ３に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ５］
　前記整流・平滑部は、
　　前記蓄電部の電圧値を検出するように構成された電圧検出器と、
　　前記電圧検出器によって検出される前記電圧値に基づいて前記蓄電部の放電状態を表示するよう前記表示器を制御するように構成された制御部と、
　を更に含む、Ｅ４に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ６］
　前記表示器は、半導体発光素子を含む、Ｅ４又はＥ５に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ７］
　前記整流・平滑部は、
　　前記グランドフレームの外側から視認可能であるように設けられた表示器と、
　　前記蓄電部の電圧値を検出するように構成された電圧検出器と、
　　前記電圧検出器によって検出される前記電圧値に基づいて前記蓄電部の充電状態を表示するよう前記表示器を制御するように構成された制御部と、
　を更に含む、Ｅ１～Ｅ４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ８］
　前記表示器は、半導体発光素子を含む、Ｅ７に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ９］
　前記グランドフレームは、
　　前記表示器を該グランドフレームの外側から視認可能とする光学窓と、
　　前記光学窓を開閉可能な金属製の遮蔽部材と、
　を含む、Ｅ４～Ｅ８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ１０］
　前記整流・平滑部は、前記整流回路と前記蓄電部との間で電気的に接続された平滑回路を更に含む、Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

［Ｅ１１］
　蓄電量の制御方法であって、
　該蓄電量の該制御方法が適用されるプラズマ処理装置は、
　　プラズマ処理チャンバと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部と、
　　高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
　　前記プラズマ処理チャンバ内でガスからプラズマを生成するために前記高周波電力を受けるよう前記高周波電源に電気的に接続された電極又はアンテナと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内又は前記基板支持部内に配置される電力消費部材と、
　　接地されており、前記プラズマ処理チャンバと共に前記基板支持部を囲むグランドフレームと、
　　前記グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されており、前記電力消費部材と電気的に接続される蓄電部と、
　　前記グランドフレームによって囲まれた前記空間内に配置された整流・平滑部であり、
　　　第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子を含み、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた給電入力コネクタと、
　　　ダイオードブリッジを含み、前記給電入力コネクタと前記蓄電部との間で接続された整流回路と、
　　を含む、該整流・平滑部と、
　　前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に電気的に接続可能な第１の給電出力端子及び第２の給電出力端子を含み、前記給電入力コネクタに着脱可能な給電出力コネクタと、
　　前記グランドフレームの外側に配置されており、前記給電出力コネクタに電気的に接続されており、送電コイルから電磁誘導結合により電力を受けることが可能な受電コイルと、
を備え、
　該蓄電量の該制御方法は、
　前記グランドフレームの外側に配置された直流安定化電源に接続された第１の給電端子及び第２の給電端子を前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に接続する工程と、
　前記直流安定化電源から前記蓄電部に給電する工程と、
　を含む、蓄電量の制御方法。

［Ｅ１２］
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた放電出力コネクタを更に備え、
　前記放電出力コネクタは、前記蓄電部と該整流回路とを互いに接続する二つの給電ラインにそれぞれ接続された第１の放電出力端子及び第２の放電出力端子を含み、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記グランドフレームの外側に配置された放電用負荷に接続された第１の放電端子及び第２の放電端子を前記第１の放電出力端子及び前記第２の放電出力端子に接続する工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、Ｅ１１に記載の蓄電量の制御方法。

［Ｅ１３］
　前記プラズマ処理装置は、前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備え、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記スイッチにより前記蓄電部を前記放電専用負荷に導通させる工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電専用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、Ｅ１１に記載の蓄電量の制御方法。

［Ｅ１４］
　前記プラズマ処理装置は、前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備え、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記蓄電部の電力を前記電力消費部材に供給することにより前記蓄電部の電力を放電する工程と、
　　前記スイッチにより前記蓄電部を前記放電専用負荷に導通させる工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電専用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、Ｅ１１に記載の蓄電量の制御方法。

　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

　１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１１…基板支持部、１１０…グランドフレーム、１２０…送電部、１３０…送電コイル部、１３１…送電コイル、１４０…受電コイル部、１４１…受電コイル、１５０…整流・平滑部、１６０…蓄電部、１７０…電圧制御コンバータ、１８０…定電圧制御部、２４０…電力消費部材、３００…高周波電源。

Claims

　プラズマ処理チャンバと、
　前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部と、
　高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
　前記プラズマ処理チャンバ内でガスからプラズマを生成するために前記高周波電力を受けるよう前記高周波電源に電気的に接続された電極又はアンテナと、
　前記プラズマ処理チャンバ内又は前記基板支持部内に配置される電力消費部材と、
　接地されており、前記プラズマ処理チャンバと共に前記基板支持部を囲むグランドフレームと、
　前記グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されており、前記電力消費部材と電気的に接続される蓄電部と、
　前記グランドフレームによって囲まれた前記空間内に配置された整流・平滑部であり、
　　第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子を含み、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた給電入力コネクタと、
　　ダイオードブリッジを含み、前記給電入力コネクタと前記蓄電部との間で接続された整流回路と、
　を含む、該整流・平滑部と、
　前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に電気的に接続可能な第１の給電出力端子及び第２の給電出力端子を含み、前記給電入力コネクタに着脱可能な給電出力コネクタと、
　前記グランドフレームの外側に配置されており、前記給電出力コネクタに電気的に接続されており、送電コイルから電磁誘導結合により電力を受けることが可能な受電コイルと、
を備えるプラズマ処理装置。
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた放電出力コネクタを更に備え、
　前記放電出力コネクタは、前記蓄電部と前記整流回路とを互いに接続する二つの給電ラインにそれぞれ接続された第１の放電出力端子及び第２の放電出力端子を含む、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側から視認可能であるように設けられた表示器であり、前記蓄電部の放電状態を表示するように構成された、該表示器を更に含む、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
　前記整流・平滑部は、
　　前記蓄電部の電圧値を検出するように構成された電圧検出器と、
　　前記電圧検出器によって検出される前記電圧値に基づいて前記蓄電部の放電状態を表示するよう前記表示器を制御するように構成された制御部と、
　を更に含む、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
　前記表示器は、半導体発光素子を含む、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
　前記整流・平滑部は、
　　前記グランドフレームの外側から視認可能であるように設けられた表示器と、
　　前記蓄電部の電圧値を検出するように構成された電圧検出器と、
　　前記電圧検出器によって検出される前記電圧値に基づいて前記蓄電部の充電状態を表示するよう前記表示器を制御するように構成された制御部と、
　を更に含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　前記表示器は、半導体発光素子を含む、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
　前記グランドフレームは、
　　前記表示器を該グランドフレームの外側から視認可能とする光学窓と、
　　前記光学窓を開閉可能な金属製の遮蔽部材と、
　を含む、請求項４～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
　前記整流・平滑部は、前記整流回路と前記蓄電部との間で電気的に接続された平滑回路を更に含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　蓄電量の制御方法であって、
　該蓄電量の該制御方法が適用されるプラズマ処理装置は、
　　プラズマ処理チャンバと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部と、
　　高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
　　前記プラズマ処理チャンバ内でガスからプラズマを生成するために前記高周波電力を受けるよう前記高周波電源に電気的に接続された電極又はアンテナと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内又は前記基板支持部内に配置される電力消費部材と、
　　接地されており、前記プラズマ処理チャンバと共に前記基板支持部を囲むグランドフレームと、
　　前記グランドフレームによって囲まれた空間内に配置されており、前記電力消費部材と電気的に接続される蓄電部と、
　　前記グランドフレームによって囲まれた前記空間内に配置された整流・平滑部であり、
　　　第１の給電入力端子及び第２の給電入力端子を含み、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた給電入力コネクタと、
　　　ダイオードブリッジを含み、前記給電入力コネクタと前記蓄電部との間で接続された整流回路と、
　　を含む、該整流・平滑部と、
　　前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に電気的に接続可能な第１の給電出力端子及び第２の給電出力端子を含み、前記給電入力コネクタに着脱可能な給電出力コネクタと、
　　前記グランドフレームの外側に配置されており、前記給電出力コネクタに電気的に接続されており、送電コイルから電磁誘導結合により電力を受けることが可能な受電コイルと、
を備え、
　該蓄電量の該制御方法は、
　前記グランドフレームの外側に配置された直流安定化電源に接続された第１の給電端子及び第２の給電端子を前記第１の給電入力端子及び前記第２の給電入力端子に接続する工程と、
　前記直流安定化電源から前記蓄電部に給電する工程と、
　を含む、蓄電量の制御方法。
　前記整流・平滑部は、前記グランドフレームの外側からアクセス可能に設けられた放電出力コネクタを更に備え、
　前記放電出力コネクタは、前記蓄電部と該整流回路とを互いに接続する二つの給電ラインにそれぞれ接続された第１の放電出力端子及び第２の放電出力端子を含み、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記グランドフレームの外側に配置された放電用負荷に接続された第１の放電端子及び第２の放電端子を前記第１の放電出力端子及び前記第２の放電出力端子に接続する工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、請求項１１に記載の蓄電量の制御方法。
　前記プラズマ処理装置は、前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備え、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記スイッチにより前記蓄電部を前記放電専用負荷に導通させる工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電専用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、請求項１１に記載の蓄電量の制御方法。
　前記プラズマ処理装置は、前記蓄電部に電気的にスイッチを介して接続された放電専用負荷を更に備え、
　前記蓄電量の該制御方法は、
　　前記蓄電部の電力を前記電力消費部材に供給することにより前記蓄電部の電力を放電する工程と、
　　前記スイッチにより前記蓄電部を前記放電専用負荷に導通させる工程と、
　　前記蓄電部の電力を前記放電専用負荷に放電する工程と、
　を更に含む、請求項１１に記載の蓄電量の制御方法。