WO2023085314A1 - 基板処理装置、基板処理システム、電力供給システム及び電力供給方法 - Google Patents

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Abstract

基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置の外部に位置する送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部を備え、前記受電部からの電力を利用するユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給するように構成された、基板処理装置。

Description

基板処理装置、基板処理システム、電力供給システム及び電力供給方法
　本開示は、基板処理装置、基板処理システム、電力供給システム及び電力供給方法に関する。
　特許文献１には、基板処理装置としてのプラズマ処理装置が開示されている。前記プラズマ処理装置は、処理容器内の高周波電極その他の電気的部材から給電ラインに入ってくる高周波ノイズをフィルタによって減衰または阻止するものである。
日本国特開２０１５－１７３０２７号公報
　本開示にかかる技術は、電気的な接続用配線の簡略化が可能な基板処理装置、基板処理システム、電力供給システム及び電力供給方法を提供する。
　本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置の外部に位置する送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部を備え、前記受電部からの電力を利用するユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給するように構成された、基板処理装置である。
　本開示によれば、電気的な接続用配線の簡略化が可能な基板処理装置、基板処理システム、電力供給システム及び電力供給方法を提供することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 基板処理システムの構成の概略を示す側面図である。 電力供給システムの概略的構成を示す概念図である。 送電用コイルと受電用コイルの配置関係に関する概略説明図である。 コイル同士の対向関係についての概略説明図である。 電力供給システムにおいて周波数変換回路を含む場合の概略的構成を示す概念図である。 他実施形態に係る電力供給システムの概略的構成を示す概念図である。 他実施形態に係る電力供給システムにおいて周波数変換回路を含む場合の概略的構成を示す概念図である。 参考例における容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 参考例における一実施形態に係るプラズマ処理装置の電力供給系の概略的構成を示す概念図である。
　基板処理装置や基板処理システムにおいては、種々の部材が外部の電源に電気的に接続されている。そのため、基板処理装置や基板処理システムの周辺には複数の接続用配線が設置される。このような接続用配線が増加すると、装置立ち上げ時や更新時などに配線の取り違えが発生する恐れや、装置設置時や装置撤去時の配線取り付けや取り外し作業の煩雑化等が懸念される。また、基板処理装置が配置されるクリーンルームレイアウトにおいて、接続用配線としての電力ケーブル長さの不統一等により、レイアウトの変更が困難になる恐れがある。
　また、基板処理装置としてのプラズマ処理装置は、処理容器内にプラズマを発生させるためのＲＦ電力の発生源としてＲＦ電源を備えている。ＲＦ電源により印加されたＲＦの一部はノイズとして接続用配線を伝搬するおそれがある。伝搬したＲＦノイズは、外部の電源の動作や性能に害を及ぼす恐れがある。外部の電源は、例えば工場用力としての工場電源である。特許文献１には、外部の電源へのＲＦノイズの伝搬を防止又は抑制するために、ＲＦノイズを減衰または阻止するＲＦフィルタが開示されている。
　しかしながら、上述したように基板処理装置や基板処理システムにおいては接続用配線の増加が問題となっており、配線取り違えの防止や、装置設置時や装置撤去時の配線取り付けや取り外し作業の簡素化が求められている。また、特許文献１に記載の技術では、接続用配線に加え、高周波ノイズを減衰または阻止するフィルタを設ける必要があることから、設備費用の増加が懸念される。また、装置の立ち上げ、設置、撤去、移設時の作業工数や費用の増加が懸念され、それらの削減が求められている。
　本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板処理装置や基板処理システムと用力設備との間の接続用配線や、その周辺の接続用配線を不要とし、電力の移送を行うことが可能な構成を提供する。更には、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムにおいて問題となるＲＦノイズの外部の電源への影響を抑えることが可能な構成を提供する。
　以下、本開示の一実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置、基板処理システムとしてのプラズマ処理システム、及び、電力供給システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜プラズマ処理システム＞
　先ず、一実施形態にかかるプラズマ処理システムについて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
　一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ　Ｃｕｒｒｅｎｔ、以下単に交流ということがある）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ、以下単に直流ということがある）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
＜プラズマ処理装置＞
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置１の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１の中央領域１１１ａを囲む他の部材が環状領域１１１ｂにあってもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１の中央領域１１１ａと環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はワイヤレス給電部３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、プラズマ処理装置１において、プラズマ処理装置１に給電を行うワイヤレス給電部３２が備えられている。ワイヤレス給電部３２は、受電部３２ａ及び送電部３２ｂを含む。一実施形態において、受電部３２ａには受電用コイル３３が含まれ、送電部３２ｂには送電用コイル３４が含まれる。一実施形態において、受電部３２ａはプラズマ処理装置１に備えられ、送電部３２ｂはプラズマ処理装置１の外部に設けられ、受電部３２ａと送電部３２ｂは物理的に離間している。受電部３２ａは、プラズマ処理チャンバ１０の内部の部材に電気的に接続される。一実施形態において、受電部３２ａは少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に電気的に接続される。一実施形態において、送電部３２ｂはプラズマ処理装置１の外部に位置し、例えばプラズマ処理装置１が設置される床面又は床下に配置される。送電用コイル３４と受電用コイル３３は物理的に離間し、その離間距離Ｌ１は、ＲＦのノイズの伝搬が抑制され、且つ、電力の供給が可能な距離、例えば、１ｍｍ以上２００ｍｍ以下であっても良く、好ましくは５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、より好ましくは１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。なお、離間距離Ｌ１とは、送電用コイル３４と受電用コイル３３の各対向面の距離である。ワイヤレス給電部３２においては、送電部３２ｂに対しＡＣ電力供給源からＡＣ電力が供給され、送電用コイル３４から受電用コイル３３に非接触でＡＣ電力が伝送される。一実施形態において、送電部３２ｂは、ＡＣ／ＡＣコンバータ等の周波数変換回路により、周波数を変換して受電部３２ａへＡＣ電力を供給してもよい。一実施形態において、伝送方式は、例えば磁場共鳴方式（磁界共鳴方式ともいう）、電磁誘導方式、電界結合方式であっても良い。そして、図示しないＡＣ／ＤＣコンバータ等の変換回路により、受電用コイル３３が受電したＡＣ電力をＤＣ電力に変換し、プラズマ処理チャンバ１０の内部の部材にＤＣ電力の供給を行う。また、一実施形態において、発生したＡＣ電力をそのまま供給しても良い。
　一実施形態において、受電部３２ａはＤＣ信号を生成するＤＣ生成部（図示せず）を含んでも良い。生成されるＤＣ信号はパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。即ち、プラズマ処理装置１やそれを構成する部材、又はその周辺部材は、ＤＣ電力を利用して作動するユニットまたは部材を含む。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
＜基板処理システム＞
　次に、上述したプラズマ処理装置１を備えたプラズマ処理システムの具体的構成の一例である基板処理システムについて説明する。図３は基板処理システム５０の構成の概略を示す平面図である。また、図４は基板処理システム５０の構成の概略を示す側面図である。本実施形態においては、基板処理システム５０が、基板Ｗにエッチング処理、成膜処理等のプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置１を複数箇所（６箇所）に備える場合について説明する。但し、本開示の基板処理システム５０のモジュール構成はこれに限られず、基板処理の目的に応じて選択され得る。
　図３に示すように、基板処理システム５０は、大気部１００と減圧部１０１がロードロックモジュール６０を介して一体に接続された構成を有している。
　ロードロックモジュール６０は、後述のローダモジュール７０の幅方向（Ｘ軸方向）に沿って複数、本実施形態においては例えば２つのロードロック６１ａ、６１ｂを有している。ロードロック６１ａ、６１ｂ（以下、これらを併せて単に「ロードロック６１」という場合がある。）は、基板搬送口を介して、大気部１００の後述するローダモジュール７０の内部空間と、減圧部１０１の後述するトランスファモジュール８０の内部空間を連通するように設けられている。なお、基板搬送口は、それぞれゲートバルブ６４、６５により開閉自在に構成されている。
　ロードロック６１は、基板Ｗを一時的に保持するように構成されている。また、ロードロック６１は、内部を大気雰囲気と減圧雰囲気（真空状態）とに切り替えられるように構成されている。すなわちロードロックモジュール６０は、大気雰囲気の大気部１００と、減圧雰囲気の減圧部１０１との間で、適切に基板Ｗの受渡しができるように構成されている。
　大気部１００は、後述する基板搬送装置９０を備えたローダモジュール７０と、複数の基板Ｗを保管可能なフープ７１を載置するロードポート７２とを有している。なお、ローダモジュール７０には、基板Ｗの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（図示せず）や複数の基板Ｗを格納する格納モジュール（図示せず）などが隣接して設けられていてもよい。
　ローダモジュール７０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気雰囲気に維持されている。ローダモジュール７０のＹ軸負方向側の長辺を構成する一側面には、複数、例えば４つのロードポート７２が並べて配置されている。ローダモジュール７０のＹ軸正方向側の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール６０のロードロック６１ａ、６１ｂが並べて配置されている。
　ローダモジュール７０の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送装置９０が設けられている。基板搬送装置９０は、基板Ｗを保持して移動する搬送アーム９１と、搬送アーム９１を回転可能に支持する回転台９２と、回転台９２を搭載した回転載置台９３とを有している。また、ローダモジュール７０の内部には、ローダモジュール７０の長手方向（Ｘ軸方向）に延伸するガイドレール９４が設けられている。回転載置台９３はガイドレール９４上に設けられ、基板搬送装置９０はガイドレール９４に沿って移動可能に構成されている。
　減圧部１０１は、基板Ｗを内部で搬送するトランスファモジュール８０と、トランスファモジュール８０から搬送された基板Ｗに所望の処理を施す処理モジュール（上述したプラズマ処理装置１に相当）を有している。トランスファモジュール８０及び処理モジュールの内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持可能に構成される。なお本実施形態においては、１つのトランスファモジュール８０に対して、複数、例えば６つの処理モジュールが接続されている。なお、処理モジュールの数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
　真空搬送モジュールとしてのトランスファモジュール８０は、ロードロックモジュール６０に接続されている。トランスファモジュール８０は、例えばロードロックモジュール６０のロードロック６１ａに搬入された基板Ｗを一の処理モジュールに搬送して所望の処理を施し、ロードロックモジュール６０のロードロック６１ｂを介して大気部１００に搬出する。一実施形態において、トランスファモジュール８０は、真空搬送空間及び開口部を有する。開口部は、真空搬送空間と連通している。
　トランスファモジュール８０の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送装置１２０が設けられている。即ち、基板搬送装置１２０は、真空搬送モジュールの真空搬送空間内に配置される。基板搬送装置１２０は、基板Ｗを保持して移動する搬送アーム１２１と、搬送アーム１２１を回転可能に支持する回転台１２２と、回転台１２２を搭載した回転載置台１２３とを有している。回転載置台１２３はトランスファモジュール８０の長手方向（Ｙ軸方向）に延伸するガイドレール１２５上に設けられ、基板搬送装置１２０はガイドレール１２５に沿って移動可能に構成されている。
　処理モジュール（プラズマ処理装置１）は、基板Ｗに対して、例えばエッチング処理、成膜処理等のプラズマ処理を行う。処理モジュールには、基板処理の目的に応じた処理を行うモジュールを選択することができる。また処理モジュールは、トランスファモジュール８０の側壁面に形成された基板搬送口を介してトランスファモジュール８０と連通しており、基板搬送口はゲートバルブ１３２を用いて開閉自在に構成されている。
　また、図４に示すように、一実施形態に係る基板処理システム５０には、基板処理システム５０全体に給電を行うワイヤレス給電部１４０が電気的に接続されている。ワイヤレス給電部１４０は、基板処理システム５０側に設けられる受電部１４０ａと、基板処理システム５０外に設けられる送電部１４０ｂとを含む。一実施形態において、受電部１４０ａには受電用コイル１４３が含まれ、送電部１４０ｂには送電用コイル１４４が含まれる。一実施形態において、受電部１４０ａと送電部１４０ｂは物理的に離間している。その離間距離Ｌ２は、ＲＦのノイズの伝搬が抑制され、且つ、電力の供給が可能な距離、例えば、１ｍｍ以上２００ｍｍ以下であっても良く、好ましくは５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、より好ましくは１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。一実施形態において、受電部１４０ａはロードロックモジュール６０の底部、一例として、底面に設けられる。一実施形態において、送電部１４０ｂは、受電部１４０ａと対向する下方であり基板処理システム５０が設置された床面又は床下に設けられる。また、一実施形態において、受電部１４０ａが基板処理システム５０の側部、一例として、側面に設けられても良い。その場合、基板処理システム５０側面の受電部１４０ａに対応する位置に送電部１４０ｂが設けられても良い。なお、受電部１４０ａがロードロックモジュール６０の底部に設けられる場合を図示したが、受電部１４０ａの配置場所はこれに限定されるものではない。例えば、トランスファモジュール８０の底部、ローダモジュール７０の底部、または処理モジュールの底部に設けられてもよく、その場合、送電部１４０ｂは、受電部１４０ａと対向する下方であり基板処理システム５０が設置された床面又は床下に設けられる。また、各処理モジュール、トランスファモジュール８０やローダモジュール７０ごとに受電部１４０ａが設けられても良く、その場合、送電部１４０ｂは、各受電部１４０ａと対向する下方であり基板処理システム５０が設置された床面又は床下に設けられる。なお、各モジュールでの受電部１４０ａの配置位置は底部に限定されず、送電部１４０ｂは、各受電部１４０ａと対向する位置に設けられる。
　また、他の例として、基板処理システム５０に設けられた１つの受電部へ給電された電力を各処理モジュール、トランスファモジュール８０やローダモジュール７０に分配しても良い。また、基板処理システム５０は、移動可能に構成されても良く、送電部１４０ｂと受電部１４０ａが対向するように基板処理システム５０を送電部１４０ｂへ移動させ、送電部１４０ｂから受電部１４０ａへ給電することで、基板処理システム５０、又は各モジュールに給電しても良い。なお、基板処理システム５０は外部からの制御信号を赤外線や無線通信などの非接触の方式で受信することにより、送電部１４０ｂと受電部１４０ａが対向するように、基板処理システム５０が自動で送電部１４０ｂへ移動するように構成されても良い。
　一実施形態において、ワイヤレス給電部１４０においては、送電部１４０ｂにＡＣ電力供給源からＡＣ電力が供給される。一実施形態において、送電部１４０ｂは、ＡＣ／ＡＣコンバータ等の周波数変換回路により、周波数を変換して受電部１４０ａへＡＣ電力を供給してもよい。送電用コイル１４４から磁場共鳴方式等の非接触な手段によって受電用コイル１４３にＡＣ電力が伝送される。そして、図示しないＡＣ／ＤＣコンバータ等の変換回路により、受電用コイル１４３が受電したＡＣ電力をＤＣ電力に変換し、プラズマ処理チャンバ１０の内部の部材にＤＣ電力の供給を行う。また、一実施形態において、発生したＡＣ電力をそのまま供給しても良い。
　また、一実施形態において、基板処理システム５０の受電部１４０ａへ給電された電力を蓄える蓄電部が設けられても良い。蓄電部へは、ＡＣ／ＤＣコンバータ等の変換回路によりＡＣ電力をＤＣ電力に変換してＤＣ電力の供給が行われても良い。蓄電部の電力が各モジュールに供給されるように構成されても良い。また、各モジュール毎に、各モジュールに接続される蓄電部をそれぞれ有し、１つの受電部に供給された電力を並列に接続された各モジュール毎の蓄電部へ供給し、その電力を各モジュールに供給させるように構成しても良い。蓄電部の容量は、各モジュールの電力使用量に対応した容量であっても良い。各モジュール毎の蓄電部は、少なくとも２以上を有し、これら２以上の蓄電部が切替可能に構成されても良い。２以上の蓄電部を切替可能に構成することで、１つの蓄電部が故障した場合や電力が少なくなった場合に、他の蓄電部に切り替えて使用することができる。
　以上の基板処理システム５０には、図３に示すように制御部１５０が設けられている。制御部１５０は、前記した制御部２と同様、ここで述べられる種々の工程を実行するように基板処理システム５０の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部１５０の一部又は全てが基板処理システム５０に含まれてもよい。制御部１５０は例えば制御部２と同様、処理部１５０ａ１、記憶部１５０ａ２及び通信インターフェース１５０ａ３を含んでもよい。制御部１５０は、例えばコンピュータ１５０ａにより実現される。処理部１５０ａ１は、記憶部１５０ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部１５０ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。さらにこのプログラムはネットワークを介してインストールされてもよい。取得されたプログラムは、記憶部１５０ａ２に格納され、処理部１５０ａ１によって記憶部１５０ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ１５０ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース１５０ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部１５０ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部１５０ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース１５０ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　プラズマ処理システム（基板処理システム５０）においては、図２を参照して説明したワイヤレス給電部３２と、図４を参照して説明したワイヤレス給電部１４０の少なくとも一方が設けられても良く、両方設けられても良い。以下では、一実施形態に係る構成として、プラズマ処理装置１に対しワイヤレス給電部３２を介して給電を行う場合の電力供給システムの一例について図面を参照して説明する。
＜電力供給システム＞
　図５は一実施形態に係る電力供給システムＳ１の概略的構成を示す概念図である。図５に示すように、電力供給システムＳ１は、工場用力（工場電源、ＡＣ電力供給源）としてのＡＣ電源２００と、ＡＣ電源２００からＡＣ電力が供給される送電用コイル３４を含む。送電用コイル３４は送電部３２ｂに含まれ、また、送電部３２ｂと対向するように受電用コイル３３を含む受電部３２ａが設けられる。送電部３２ｂにおいて、送電用コイル３４から磁場共鳴方式等の非接触な手段によって受電用コイル３３にＡＣ電力が伝送される。これにより、送電部３２ｂから受電部３２ａに電力が移送される。
　図６は、送電用コイル３４と受電用コイル３３の配置関係に関する概略説明図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。図６に示すように、送電用コイル３４と受電用コイル３３とが「対向する」とは、各コイルの対向面同士が略平行に位置する配置関係である。例えば、上記離間距離Ｌ１は、図６（ｂ）に示す、２つのコイルの対向面同士の距離である。
　ここで、２つのコイルの「対向」とは、各コイルの対向面同士が平行に位置する配置関係である。また、各コイルの大きさは必ずしも同一でなくとも良い。図７は送電用コイル３４と受電用コイル３３を例としたコイル同士の対向関係についての概略説明図であり、その例を（ａ）～（ｈ）に列挙して図示したものである。図７では、コイル中心軸を破線で図示している。図７に示すように、送電用コイル３４と受電用コイル３３の構成には種々の場合が考えられる。例えば、（ａ）、（ｂ）のように２つのコイルが同一サイズであり、平面視で、（ａ）対向面全体が重複し、各コイルの中心軸が略一致、（ｂ）対向面が一部重複、する構成である。また、（ｃ）～（ｅ）のように２つのコイルのうち受電用コイル３３が送電用コイル３４に比べ大きく、平面視で、（ｃ）送電側コイルの対向面全体が受電側コイルの対向面内にあり、各コイルの中心軸が略一致、（ｄ）送電側コイルの対向面全体が受電側コイルの対向面内にあるが、各コイルの中心軸は不一致、（ｅ）送電側コイルの対向面の一部が受電側コイルの対向面外にある、構成である。また、（ｆ）～（ｈ）のように２つのコイルのうち送電用コイル３４が受電用コイル３３に比べ大きく、平面視で、（ｆ）受電側コイルの対向面全体が送電側コイルの対向面内にあり、各コイルの中心軸が略一致、（ｇ）受電側コイルの対向面全体が送電側コイルの対向面内にあるが、コイルの中心軸は不一致、（ｈ）受電側コイルの対向面の一部が送電側コイルの対向面外にある、構成である。（ａ）～（ｈ）のどの構成もとり得るが、送電効率の観点から、（ａ）、（ｃ）、（ｆ）のように、２つのコイルの対向面が平面視で全体が重複し、各コイルの中心軸が略一致するような配置関係が好ましい。
　一実施形態では、受電部３２ａはＡＣ電力をＤＣ電力に変換する変換部としてのコンバータ２１０を介して蓄電部としてのコンデンサ素子２２０と電気的に接続されている。即ち、受電部３２ａに送られたＡＣ電力は、コンバータ２１０を経由し、その出力側に接続されたコンデンサ素子２２０にＤＣ電力へ変換して送電され、蓄えられる。コンデンサ素子２２０の出力側には、コンデンサ素子２２０からのＤＣ電圧を調整する電圧制御コンバータ２３０が接続される。また、電圧制御コンバータ２３０には定電圧制御部２４０が電気的に接続される。なお、コンデンサ素子２２０の出力側に、ＤＣ／ＡＣコンバータを接続してＡＣ電力をＡＣ電力需要部材に供給しても良い。この場合、受電部３２ａが受電したＡＣ電力と、ＤＣ／ＡＣコンバータが出力するＡＣ電力の周波数は、同一でもよく、異なっていてもよい。なお、電力を蓄える手段としてコンデンサ素子２２０を例示して図示したが、例えばバッテリを用いても良い。
　一実施形態では、定電圧制御部２４０には、上部電極を含むシャワーヘッド１３が電気的に接続される。即ち、コンデンサ素子２２０から出力された電力は、電圧制御コンバータ２３０により所望の電圧に制御され、更に、定電圧制御部２４０により一定の電圧に制御されてシャワーヘッド１３に供給される。
　図２を参照して上述したように、上部電極を含むシャワーヘッド１３には、ＲＦ電源３１が電気的に接続される。ＲＦ電源３１が少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に接続され、ＲＦ信号が供給され、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。ＲＦ電源３１からの１又は複数のソースＲＦ信号は、整合器２４５を経由し、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。これに伴い、ＲＦ電源３１に電気的に接続されたシャワーヘッド１３、定電圧制御部２４０、電圧制御コンバータ２３０、コンデンサ素子２２０等を介して、ＲＦ電源３１から発生するＲＦノイズが、受電部３２ａへ伝搬する場合がある。
　本実施形態に係る電力供給システムＳ１では、ＡＣ電源２００とプラズマ処理装置１とは、受電用コイル３３と送電用コイル３４を介して物理的に離間している。受電用コイル３３と送電用コイル３４との間は、送電されるＡＣ電力の周波数以外の周波数に対してインピーダンスが高くなるように設定される。従って、送電されるＡＣ電力の周波数以外の周波数はフィルタリングされる構成となる。例えば、磁気共鳴方式を用いた場合は、ＡＣ電力の周波数は共鳴周波数（共振周波数ともいう）である。従って、上述したようにＲＦ電源３１から発生するＲＦノイズが、ＡＣ電源２００へ伝搬するのを阻止することができる。尚、ＡＣ電力の周波数は、ＡＣ電力の周波数を中心周波数として、所定の帯域幅を有していてもよい。
　なお、本実施形態に係る電力供給システムＳ１にあっては、ＡＣ電源２００から供給されるＡＣ電力の周波数を、ワイヤレス給電部３２での伝送を好適に行うための周波数変換回路３７を含んでも良い。周波数変換回路３７は、例えばＡＣ／ＡＣコンバータである。図８は、本実施形態に係る電力供給システムＳ１において周波数変換回路を含む場合の概略的構成を示す概念図である。
　図８に示すように、一実施形態において、ワイヤレス給電部３２は、ＡＣ電源２００から供給されるＡＣ電力の周波数を伝送周波数に変換し送電する周波数変換回路３７を含む。周波数変換回路３７では、ＡＣ電源２００から供給される周波数が５０Ｈｚ又は６０ＨｚであるＡＣ電力の周波数が、例えば周波数が８５ｋＨｚ～２５０ｋＨｚである正弦波または方形波の伝送周波数に変換される。方形波に変換される場合には、周波数変換回路により変換された正弦波が不図示の変換回路により方形波に変換される。
　このような構成によれば、送電用コイル３４から磁場共鳴方式等の非接触な手段によって受電用コイル３３にＡＣ電力が伝送される際に、周波数変換回路３７によって周波数を変換して伝送が行われる。これにより伝送に適した周波数とし効率的に非接触な手段で電力を伝送することができる。
　一実施形態において、受電部３２ａに送られた電力は、整流平滑部２１５を経由し、その出力側に接続されたコンデンサ素子２２０に送電され、蓄えられる。整流平滑部２１５は、整流回路２１５ａと平滑回路２１５ｂを含む。整流回路２１５ａは、例えばブリッジダイオード等を含む。平滑回路２１５ｂは、コンデンサやローパスフィルタ等を含む。図８の例では、整流回路２１５ａは、例えばブリッジダイオードによって、受電部３２ａが受電したＡＣ信号を、順方向（正極方向）に整流する。整流回路２１５ａの出力信号は、一般的に脈流となる。従って、整流回路２１５ａの出力信号を平滑回路２１５ｂに入力し、脈流をコンデンサ素子２２０に適した電圧のＤＣ電力に変換する。整流平滑部２１５においては、コンデンサ素子２２０に蓄電された電力の計測を行っても良く、計測結果に基づきワイヤレス給電部３２における送受電制御を行っても良い。なお、整流回路２１５ａにおいては、例えばブリッジダイオードによって、受電部３２ａが受電したＡＣ信号を、逆方向（負極方向）に整流してもよい。
＜本開示の技術の作用効果＞
　本実施形態に係る電力供給システムＳ１にあっては、ＡＣ電源２００からプラズマ処理装置１に対し電力を供給するに際し、物理的に離間する送電部３２ｂと受電部３２ａを含むワイヤレス給電部３２を用いた構成を採っている。また、基板処理システム５０においても、同様に、送電部１４０ｂと受電部１４０ａを含むワイヤレス給電部１４０を用いた構成を採っている。これにより、プラズマ処理装置１や基板処理システム５０とＡＣ電源２００との間の接続用配線や、その周辺の接続用配線を減少させる、もしくは不要とすることができる。よって、配線取り違えの防止や、装置設置時や装置撤去時の配線取り付けや取り外し作業の簡素化が図られる。加えて、設備コストの削減や装置設計の簡素化、スペースの拡充等が図られる。
　また、ＲＦ電源３１が少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に接続されたプラズマ処理装置１にあっては、ＡＣ電源２００とプラズマ処理装置１とを物理的に離間させることで、ＲＦノイズがＡＣ電源２００へ伝搬するのを阻止することができる。また、ＲＦノイズをカットするフィルタを設ける必要がないため、フィルタ性能のばらつきに伴うプロセスの偏りを抑え、均一性を担保することができる。加えて、電力効率の向上を図ることができる。
　また、電力供給システムＳ１にあっては、ＡＣ電源２００からプラズマ処理装置１に給電を行う際に、電力をコンデンサ素子２２０に蓄電している。そして、コンデンサ素子２２０からの電荷の供給によりプラズマ処理装置１においてＤＣ電力を利用する部材等の駆動を行う。そのため、コンデンサ素子２２０のキャパシタ容量を調整することで、電荷供給量に制限をかけ、アーキング（異常放電）時の過剰電流を防止し、部材へのダメージを抑制することができる。
　なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　例えば、上記実施形態で説明した電力供給システムＳ１において、定電圧制御部２４０には、上部電極を含むシャワーヘッド１３が電気的に接続される場合を図示した。また、ＲＦ電源３１に電気的に接続される部材として、上部電極を含むシャワーヘッド１３を図示した。しかしながら、本開示の適用対象はこれに限定されるものではない。
　ＤＣ電力を利用する基板処理システム、基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つであればよい。本開示において、基板処理システムは複数の基板処理装置を含む。基板処置システムとしては本実施形態の基板処理システム５０が例示され、基板処理装置としては本実施形態のプラズマ処理装置１が例示される。また本開示において、ユニットは複数の部材が組み合わされたものであって、これらユニットと部材はそれぞれ基板処理装置の内部に設けられていてもよいし、基板処理装置の外部に設けられていてもよい。例えば、プラズマ処理装置１の内部においては、部材として基台１１１０や静電チャック１１１１が例示され、ユニットとして本体部１１１や基板支持部１１が例示される。プラズマ処理装置１の外部においては、部材として搬送アーム９１が例示され、ユニットとして基板搬送装置９０が例示される。
　そして本開示のワイヤレス給電は、下記の場合を含む。
（１）基板処理装置システム自体に給電する場合。
（２）基板処理装置自体に給電する場合。
（３）基板処理装置の内部のユニットに給電する場合。
（４）基板処理装置の内部の部材に給電する場合。
（５）基板処理システムの内部であって基板処理装置の外部のユニットに給電する場合。
（６）基板処理システムの内部であって基板処理装置の外部の部材に給電する場合。
　以上のように本開示の対象物は、ＡＣ、ＤＣに関わらず、電力を利用して作動する基板処理システム５０、プラズマ処理装置１に加えて、あらゆるユニットや部材を含む。以下、具体例を述べる。例えば、プラズマ処理チャンバ１０を構成する部材やその周辺部材として以下のものが例示される。ＩＣＰアンテナに電気的に接続されるマッチャー、吸収コイルに付随するバリアブルコンデンサ、上部電極と下部電極とのギャップ駆動用のモータ、ＩＣＰアンテナであっても良い。また、上部電極、上部ＲＦ用のマッチャー、上部電極の吸着機構であっても良い。また、静電チャックに含まれる電極、昇降ピン駆動用のアクチュエータ、下部ＲＦ用のマッチャー、ＤＣパルス電極、抵抗加熱ヒータ用のコントローラ及び冷却ファン、インダクティブヒータ、セラミック部材交換用のセラミック部材吸着機構、ステージ駆動用のモータであっても良い。また、エッジリング、エッジリングの電位コントロール用電源、エッジリング駆動用のピン、基板やエッジリング吸着用の電極、インピーダンス制御における可変コンデンサ、可変インダクタ、可変抵抗、リレー用のモータ、コイル、ＤＣ電極であっても良い。また、チャンバ側壁に配置される抵抗加熱ヒータ、抵抗加熱ヒータのコントローラ、チャンバ側壁に配置されるＤＣ電極、インダクティブヒータであっても良い。また、距離センサ、膜厚センサ、カメラ、ウェハ埋め込み型センサ、発光センサ、四重極型質量分析計（Ｑ－ＭＡＳＳ）であっても良い。また、外部コイル（電磁石）用のコントローラ、内部コイル用のコントローラであっても良い。また、ガスボックスに含まれる抵抗加熱ヒータ、インダクティブヒータ、ガスバルブ、流量計であっても良い。また、圧力調整弁のモータ、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、配管における抵抗加熱ヒータ及びインダクティブヒータであっても良い。
　また、プラズマ処理チャンバ１０の上流側に位置する部材として以下のものが例示される。ＡＣパワーボックス、ガスボックス、チラーであっても良い。また、トランスファモジュール用の搬送アーム、センサ、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、ロードロックモジュールにおける駆動ピン用のモータ、ヒータ、位置センサ、アーム用のモータ、オリエンタ用のモータ、Ｎ２循環用のバルブ、ロードポートのシャッター用のモータ、センサ、パージストレージ用のＮ２バルブであっても良い。
　なお、電力供給システムＳ１においては、電圧制御コンバータ２３０や定電圧制御部２４０を含む場合を図示し説明したが、これらは必ずしも必須の構成ではない。即ち、一実施形態において、電力を供給する対象部材が種々のヒータといった電圧制御を必要としない部材である場合には、電圧制御コンバータ２３０や定電圧制御部２４０を含まないシステム構成としても良い。
＜本開示の他実施形態＞
　上記実施形態では、電力供給システムＳ１において、受電部３２ａに送られた電力は、コンバータ２１０を経由し、その出力側に接続されたコンデンサ素子２２０に送電され蓄えられる場合を図示し説明したが本開示に係る技術はこれに限定されるものではない。以下では、本開示の他実施形態について図９を参照して説明する。なお、図９において上記実施形態と同じ機能構成を有する構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する場合がある。
　図９は、他実施形態に係る電力供給システムＳ２の概略的構成を示す概念図である。図９に示すように、電力供給システムＳ２の基本的な構成は上記実施形態に係る電力供給システムＳ１と同じである。但し、電力供給システムＳ２は蓄電部としてのコンデンサ素子２２０を有さない構成となっている。即ち、ワイヤレス給電部３２の受電部３２ａがコンバータ２１０を介して電圧制御コンバータ２３０に電気的に接続される。
　ＡＣ電源２００から供給されたＡＣ電力が、送電部３２ｂを通じて受電部３２ａに移送され、受電部３２ａに送られた電力は、コンバータ２１０を経由し、その出力側に接続された電圧制御コンバータ２３０に送られる。電圧制御コンバータ２３０には定電圧制御部２４０が電気的に接続される。即ち、ＡＣ電源２００からワイヤレス給電部３２を介して移送された電力は、コンバータ２１０においてＤＣ電力に変換され、電圧制御コンバータ２３０により所望の電圧に制御され、更に、定電圧制御部２４０により一定の電圧に制御されてシャワーヘッド１３に供給される。
　図９に示すように構成される電力供給システムＳ２にあっては、ＡＣ電源２００からプラズマ処理装置１に対し電力を供給するに際し、物理的に離間する送電部３２ｂと受電部３２ａを含むワイヤレス給電部３２を用いた構成を採っている。これにより、プラズマ処理装置１や基板処理システム５０とＡＣ電源２００との間の接続用配線や、その周辺の接続用配線を減少させる、もしくは不要とすることができる。よって、配線取り違えの防止や、装置設置時や装置撤去時の配線取り付けや取り外し作業の簡素化が図られる。加えて、設備コストの削減や装置スペースの拡充が図られる。
　また、ＲＦ電源３１が少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に接続されたプラズマ処理装置１にあっては、ＡＣ電源２００とプラズマ処理装置１とを物理的に離間させることで、ＲＦノイズがＡＣ電源２００へ伝搬するのを阻止することができる。また、ＲＦノイズをカットするフィルタを設ける必要がないため、フィルタ性能のばらつきに伴うプロセスの偏りを抑え、均一性を担保することができる。加えて、電力効率の向上を図ることができる。
　なお、図９に示す電力供給システムＳ２においては、上記実施形態の図８の構成と同様に、ＡＣ電源２００から供給されるＡＣ電力の周波数を、ワイヤレス給電部３２での伝送を好適に行うための周波数変換回路３７を含んでも良い。図１０は、電力供給システムＳ２において周波数変換回路を含む場合の概略的構成を示す概念図である。
　図１０に示す構成では、周波数変換回路３７によって周波数を変換して伝送が行われる。これにより伝送に適した周波数とし効率的に非接触な手段で電力を伝送することができる。また、一実施形態において、受電部３２ａから電圧制御コンバータ２３０に送電する際に、整流平滑部２１５を経由させても良い。
＜参考例＞
　また、基板処理装置に対して適切に電力を供給するためには、以下の参考例に示すような基板処理装置及び基板処理方法が提供されても良い。なお、本参考例において、上記実施形態や他実施形態で説明したものと実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する場合がある。
　半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体基板（以下、単に「基板」ともいう。）を収容した処理モジュールの内部を減圧状態にし、当該基板に予め定められた処理を施す、様々な基板処理が行われている。例えばプラズマ処理は、処理容器内の基板支持部に基板を載置して、基板支持部を加熱すると共にＲＦ電力によって処理容器内にプラズマを生成して行われる。
　基板支持部を加熱する場合、例えば工場の交流（以下、単にＡＣということがある）電力供給源からのＡＣ電力をヒータに供給するようにしている。しかしながらＲＦ電力によって処理容器内にプラズマを生成してプラズマ処理する場合、基板支持部を経由してＲＦノイズが給電経路を通りＡＣ電力供給源に到達して、ＡＣ電力供給源に悪影響を与えるおそがある。そこで、特許文献１にはＲＦノイズをフィルタによって減衰または阻止する技術が開示されている。
　しかしながら、ＲＦノイズを減衰または阻止するいわゆるＲＦフィルタが給電路に介在していると、ＲＦフィルタの存在によって供給する電力が減衰し、予定したパワーがヒータに投入できないおそれがある。また給電対象の数だけＲＦフィルタが必要となり、装置内にＲＦフィルタを配置するスペースを確保できないおそれもある。
　本参考例は、上記事情に鑑みてなされたものであり、前記したＲＦフィルタを用いることなく、例えば基板支持部を経由してＲＦノイズが給電経路を通り交流電力供給源に到達することの対策を容易に行える技術である。また本参考例は、基板処理装置における電力を利用するユニット、部材に対して効率よく電力を供給する。また、本参考例は、装置内を省スペース化することができる。
　以下、本参考例の一実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の参考例及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜プラズマ処理システム＞
　本参考例に係る基板処理装置の一例としてのプラズマ処理装置１（以下の参考例では１ａとする）を有するプラズマ処理システムの構成は上記実施形態で図１を参照して説明したものと同一であるため、ここでは説明を省略する。
＜プラズマ処理装置＞
　以下に、プラズマ処理装置１ａの一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図１１は、容量結合型のプラズマ処理装置１ａの構成例を説明するための図である。図１１において、図２を参照して上述した装置構成等について共通の構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する。
　一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、一例では、１又は複数のヒータ１１１１ｃが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。上記ヒータ１１１１ｃは、ＤＣ電力が供給されることで発熱する。ヒータ１１１１ｃには、蓄電部４５からＤＣ電力が供給される。
＜基板処理システム＞
　また、上述したプラズマ処理装置１ａを備えたプラズマ処理システムの具体的構成の一例である基板処理システム５０については、上記実施の形態にて図３を参照して説明した構成と基本的に同じ構成である。そこで、ここでの基板処理システム５０に関する説明は省略する。
＜基板処理装置の電力供給系＞
　図１２は一実施形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理装置１ａの電力供給系の概略的構成を示す概念図である。図１２に示すように、この例では、工場用力（工場電源、ＡＣ電力供給源）としてのＡＣ電源３００からのＡＣ電力が、ＤＣ電力に変換されて、蓄電部４５を介して、ＤＣ電力を利用するユニット、一例として、部材としてのヒータ１１１１ｃに、ＤＣ電力が供給される。ヒータ１１１１ｃは、静電チャック１１１１の内部に設けられる１以上のヒータである。蓄電部４５は、供給されたＤＣ電力を蓄電できるものであればよく、例えばコンデンサ素子、または電池（バッテリ）を用いることができる。コンデンサ素子と電池を併用してもよい。コンデンサ素子の内部（寄生）抵抗は、小さい方が好ましく、例えば１００ｍΩ以下である。複数のヒータに給電する場合、この構成によれば、各ヒータに対するＲＦフィルタが不要となる。
　図１２に示した例では、蓄電部４５へのＤＣ電力の供給系統が４つ用意されている。まず、第１の供給系統は、ＡＣ電源３００からＡＣ／ＤＣコンバータ３１０にＡＣ電力が供給され、その後ＤＣ電力に変換された後にリレー３１１を経て、蓄電部４５にＤＣ電力が供給されるものである。
　第２の供給系統は、ＡＣ電源３００からワイヤレス給電部３２０を経て、ＡＣ／ＤＣコンバータ３２１から蓄電部４５にＤＣ電力が供給されるものである。すなわち、ワイヤレス給電部３２０は、ＡＣ電源３００からＡＣ電力が供給される送電用コイル３２２と、送電用コイル３２２と対向配置された受電用コイル３２３を有している。そして送電用コイル３２２にＡＣが供給されると、非接触、例えば磁場共鳴方式、電磁結合方式、電磁誘導方式等によって受電用コイル３２３からＡＣが出力される。送電用コイル３２２と受電用コイル３２３とは、物理的に離間している。離間距離は、ＲＦのノイズの伝搬が抑制され、且つ、電力の供給が可能な距離、例えば、１ｍｍ以上２００ｍｍ以下であっても良く、好ましくは５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、より好ましくは１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。受電用コイル３２３からのＡＣ電力は、ＡＣ／ＤＣコンバータ３２１によってＤＣ電力に変換された後に、蓄電部４５にＤＣ電力が供給される。
　第３の供給系統は、ＡＣ電源３００から充電部３３０にＡＣ電力が供給され、充電部３３０において不図示のＡＣ／ＤＣコンバータによりＤＣ電力に変換された後に充電可能な電池３３１が充電され、充電された電池３３１が出力部３３２にセットされて、出力部３３２から蓄電部４５にＤＣ電力が供給されるものである。
　第４の供給系統は、燃料電池３４０から発生するＤＣ電力を蓄電部４５に供給するものである。燃料電池３４０の原料である酸素、水素は、例えばプラズマ処理装置１ａが設置されている施設、たとえばクリーンルーム内の各種半導体製造装置に供給される酸素、水素を用いることができる。なお、燃料電池３４０はプラズマ処理装置１ａ内に配置されても良い。
　蓄電部４５へのＤＣ電力によって貯えられた電荷は、ＤＣ電力としてＤＣ電圧を調整する電圧制御コンバータ３５０を経て、定電圧制御部３６０へと供給される。定電圧制御部２６０からのＤＣ電力は、基板支持部１１に設けられているヒータ１１１１ｃへと供給される。なお、蓄電部４５の出力側に、ＤＣ／ＡＣコンバータを接続してＡＣ電力をＡＣ電力需要部材に供給してもよい。この場合、受電用コイル３２３が受電したＡＣ電力と、ＤＣ／ＡＣコンバータが出力するＡＣ電力の周波数は、同一でもよく、異なっていてもよい。
　下部電極を含む基板支持部１１には、整合器３７０を介して、既述したＲＦ電源３１からのＲＦ電力が供給される。
＜本参考例の技術の作用効果＞
　本参考例に係るプラズマ処理装置１ａにおいては、ＤＣ電力を利用して作動するヒータ１１１１ｃに対しては、蓄電部４５に蓄えられた電荷がＤＣとして供給されるので、ＲＦフィルタを用いることなく、プラズマ処理時に発生する給電系統へのＲＦノイズの抑制を容易に実現できる。
　すなわち、プラズマ処理時にはＲＦ電源３１に電気的に接続された基板支持部１１からヒータ１１１１ｃ、定電圧制御部３６０、電圧制御コンバータ３５０、蓄電部４５を介して、ＲＦ電源３１から発生するＲＦノイズが伝搬する。
　しかしながら、ヒータ１１１１ｃには蓄電部４５からＤＣ電力が供給される構成であるため、プラズマ処理時においてヒータ１１１１ｃが作動している間も、蓄電部４５自体は他の電源、例えばＡＣ電源３００と直接接続している必要はない。そのため、ＲＦノイズのＡＣ電源３００への伝搬を抑制する手段が容易に採用できる。
　すなわち第１の供給系統では、リレー３１１を介して、蓄電部４５とＡＣ電源３００とが接続されているので、プラズマ処理時においては、リレー３１１を遮断状態にすることで、ＲＦノイズのＡＣ電源３００への伝搬を抑制することができる。そしてプラズマ処理を行っていない間は、リレー３１１を通電状態にして、蓄電部４５に電荷を供給することができる。
　第２の供給系統では、ＡＣ電源３００からワイヤレス給電部３２０を経て、蓄電部４５にＤＣ電力が供給されるので、受電部から送電部へのＲＦノイズの伝搬が抑制される。
　第３の供給系統では、充電可能な電池３３１からのＤＣ電力が蓄電部４５へと供給されるものであるため、そもそも蓄電部４５からＡＣ電源３００へのＲＦノイズの伝搬は考慮する必要はない。
　第４の供給系統は、燃料電池３４０から発生するＤＣ電力を蓄電部４５に供給するものであるため、そもそも蓄電部４５からＡＣ電源３００へのＲＦノイズの伝搬は考慮する必要はない。
　このように蓄電部４５からＤＣ電力が供給される構成であるため、第１の供給系統から第４の供給系統で示したように、ＲＦフィルタを用いることなく、ＲＦノイズのＡＣ電源３００への伝搬を抑制する手段を容易にかつ複数採用することが可能である。
　また蓄電部４５からヒータ１１１１ｃへの給電路に、ＲＦノイズのＡＣ電源３００への伝搬を抑制するＲＦフィルタを設ける必要はないから、蓄電部４５からヒータ１１１１ｃへのパワーの投入は効率よく行える。さらにＲＦノイズをカットするフィルタを設ける必要がないため、フィルタ性能のばらつきによるプロセスの偏りを抑え、均一性を担保することができる。
　前記した参考例では、第１の供給系統から第４の供給系統を全て備えた構成であったが、これら４つの供給系統の少なくとも１つを有する構成としても良い。
　さらにまた複数の供給系統を組み合わせて採用することで、プラズマ処理時に電池３３１に充電したり、燃料電池３４０によって蓄電部４５にＤＣ電力を供給することで、蓄電部４５の継続時間を延ばすことができる。
　なお燃料電池３４０については、その原料である酸素、水素には、例えばプラズマ処理装置１ａが設置されている施設、たとえばクリーンルーム内の各種半導体製造装置に供給される酸素、水素を用いることができる。
　なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　例えば、上記参考例で説明したプラズマ処理装置１ａでは、ヒータ１１１１ｃに蓄電部４５からＤＣ電力を供給するようにしていたが、蓄電部４５からＤＣ電力を供給する需要部はこれに限られない。即ち、本参考例に係る技術の適用対象は、基板処理装置又は基板処理システムにおいてＤＣを利用するユニット又は部材であれば良い。
　すなわち、本参考例において、ユニットは複数の部材が組み合わされたものであって、これらユニットと部材はそれぞれ基板処理装置の内部に設けられていてもよいし、基板処理装置の外部に設けられていてもよい。例えば、プラズマ処理装置１ａの内部においては、部材として基台１１１０や静電チャック１１１１が例示され、ユニットとして本体部１１１や基板支持部１１が例示される。プラズマ処理装置１ａの外部においては、部材として搬送アーム９１が例示され、ユニットとして基板搬送装置９０が例示される。
　本参考例が対象とする部材は、ＤＣ、ＡＣにかかわらず、電力を利用して作動するあらゆる部材であっても良い。以下、具体例を述べる。例えば、プラズマ処理チャンバ１０を構成する部材やその周辺部材として以下のものが例示される。ＩＣＰアンテナに電気的に接続されるマッチャー、吸収コイルに付随するバリアブルコンデンサ、上部電極と下部電極との間のギャップ駆動用のモータ、ＩＣＰアンテナであっても良い。また、上部電極、上部ＲＦ用のマッチャー、上部電極の吸着機構であっても良い。また、静電チャックに含まれる電極、昇降ピン駆動用のアクチュエータ、下部ＲＦ用のマッチャー、ＤＣパルス電極、抵抗加熱ヒータ用のコントローラ及び冷却ファン、インダクティブヒータ、セラミック部材交換用のセラミック部材吸着機構、ステージ駆動用のモータであっても良い。また、エッジリング、エッジリングの電位コントロール用電源、エッジリング駆動用のピン、基板やエッジリング吸着用の電極、インピーダンス制御における可変コンデンサ、可変インダクタ、可変抵抗、リレー用のモータ、コイル、ＤＣ電極であっても良い。また、チャンバ側壁に配置される抵抗加熱ヒータ、抵抗加熱ヒータのコントローラ、チャンバ側壁に配置されるＤＣ電極、インダクティブヒータであっても良い。また、センサに含まれる距離センサ、膜厚センサ、カメラ、ウエハ埋め込み型センサ、発光センサ、四重極型質量分析計（Ｑ－ＭＡＳＳ）であっても良い。また、外部コイル（電磁石）用のコントローラ、内部コイル用のコントローラであっても良い。また、ガスボックスに含まれる抵抗加熱ヒータ、インダクティブヒータ、ガスバルブ、流量計であっても良い。また、圧力調整弁のモータ、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、配管における抵抗加熱ヒータ及びインダクティブヒータであっても良い。
　また、プラズマ処理チャンバ１０の上流側に位置する部材として以下のものが例示される。ＡＣパワーボックス、ガスボックス、チラーであっても良い。また、トランスファモジュール用の搬送アーム、センサ、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、ロードロックモジュールにおける駆動ピン用のモータ、ヒータ、位置センサ、アーム用のモータ、オリエンタ用のモータ、Ｎ２循環用のバルブ、ロードポートのシャッター用のモータ、センサ、パージストレージ用のＮ２バルブであっても良い。
　なお、前記参考例では、電圧制御コンバータ３５０や定電圧制御部３６０を含む場合を図示し説明したが、これらは必ずしも必須の構成ではない。即ち、一実施形態において、電力を供給する対象部材が電圧制御を必要としない部材である場合には、電圧制御コンバータ３５０や定電圧制御部３６０を含まない装置構成としても良い。
　また、前記参考例において、ＡＣ電源３００と送電用コイル３２２との間に、周波数変換回路が設けられても良い。このような構成によれば、送電用コイル３２２から磁場共鳴方式等の非接触な手段によって受電用コイル３２３にＡＣ電力が伝送される際に、周波数変換回路によって周波数を変換して伝送が行われる。これにより伝送に適した周波数とし効率的に非接触な手段で電力を伝送することができる。そして、前記参考例において、ＡＣ／ＤＣコンバータ３２１に代えて、整流平滑部が設けられても良い。整流平滑部は、例えばブリッジダイオード、コンデンサ、ローバスフィルタ等で構成されている。整流平滑部においては、例えばブリッジダイオードによって交流入力の負電圧側が反転され、コンデンサやローバスフィルタによって反転後の出力が平滑化されて、蓄電部４５に例えばコンデンサ素子に適した電圧のＤＣ電力として蓄えられる。
＜付記項＞
［付記項１］
基板処理装置であって、
前記基板処理装置は、
蓄電部と、
電力を利用するユニットまたは部材を少なくとも１つ有し、
前記蓄電部に蓄えた電荷を電力として、前記ユニットまたは部材に供給するように構成された、基板処理装置。
［付記項２］
交流電力供給源からの電力が供給される送電用コイルとの間で非接触によって電力を受電する受電用コイルを有し、
前記蓄電部には、前記受電用コイルからの交流電力を直流電力に変換する変換部が接続される、付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項３］
制御部を備え、
前記制御部は、交流電力供給源からの電力を直流電力に変換させて前記蓄電部への給電を行うように構成され、
前記制御部は、前記基板処理装置におけるＲＦ電力を利用した基板処理時には、前記蓄電部と前記交流電力供給源とを電気的に遮断するように構成されている、
付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項４］
前記制御部は、交流電力供給源からの電力が直流電力に変換された後に、前記蓄電部への給電を、電気的供給路を通じて行うように構成され、
前記電気的供給路には、リレーが設けられ、
前記基板処理装置におけるＲＦ電力を利用した基板処理時には、前記リレーは遮断状態とされる、付記項３に記載の基板処理装置。
［付記項５］
前記交流電力供給源から供給される電力の周波数を、伝送周波数に変換して送電する周波数変換回路を有し、
当該周波数変換回路によって周波数変換された後の電力を整流平滑して前記蓄電部へ給電する整流回路及び平滑回路を有する、付記項２に記載の基板処理装置。
［付記項６］
前記蓄電部への給電は、電池からの直流電力の供給によって行われる、付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項７］
前記電池は、交流電力供給源からの電力を直流電力に変換して供給されることにより充電される、付記項６に記載の基板処理装置。
［付記項８］
前記基板処理装置は発電機構を備え、前記蓄電部への給電は、前記発電機構により得られた電力の供給によって行われる、付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項９］
前記発電機構は、燃料電池発電を用いたものである、付記項８に記載の基板処理装置。
［付記項１０］
前記燃料電池発電で使用される酸素または水素の少なくともいずれかは、前記基板処理装置が設置されている施設における基板処理に用いられるものである、付記項９に記載の基板処理装置。
［付記項１１］
前記蓄電部を複数有し、かつ前記各蓄電部は、前記ユニットまたは部材に対して並列に接続され、
前記複数の蓄電部の１の蓄電部の電圧が低下して、当該１の蓄電部に蓄えた電荷を電力として供給する先の前記ユニットまたは部材に必要な電圧よりも低くなった場合には、他の蓄電部からの供給に切り替えるように構成された、付記項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
［付記項１２］
前記他の蓄電部からの供給に切り替えられた後の、電圧が低下した前記１の蓄電部は、当該低下した電圧でも駆動するユニットまたは部材に対して電力を供給するように構成された、付記項１１に記載の基板処理装置。
［付記項１３］
前記他の蓄電部からの供給に切り替えられた後の、電圧が低下した前記１の蓄電部に対しては、給電されるように構成された、付記項１１に記載の基板処理装置。
［付記項１４］
前記ユニットまたは部材と、前記蓄電部との間に、前記蓄電部よりも低容量の相対的低容量蓄電部が並列に接続された、付記項１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
［付記項１５］
前記ユニットまたは部材と、前記相対的低容量蓄電部との間に、当該相対的低容量蓄電部よりも低容量の他の相対的低容量蓄電部が並列に接続された、付記項１４に記載の基板処理装置。
［付記項１６］
前記蓄電部はコンデンサ素子または電池である、付記項１～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
［付記項１７］
前記コンデンサ素子の内部抵抗は、１００ｍΩ以下である、付記項１６に記載の基板処理装置。
［付記項１８］
基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、蓄電部と、電力を利用するユニットまたは部材を少なくとも１つ有し、
前記蓄電部からの電荷を、電力として前記ユニットまたは部材に供給する、基板処理方法。
　　１　　　　プラズマ処理装置
　　３２ａ　　受電部
　　３３　　　受電用コイル
　　３４　　　送電用コイル
　　Ｗ　　　　基板
 

Claims (29)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板処理装置の外部に位置する送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部を備え、
    前記受電部からの電力を利用するユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給するように構成された、基板処理装置。
  2. 受電部からの電力を利用するユニット又は部材は前記基板処理装置の上部電極を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 受電部からの電力を利用するユニット又は部材は前記基板処理装置の下部電極を含む、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と、前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記蓄電部には、前記受電用コイルからの交流電力を直流電力に変換する変換部が接続される、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と、前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記交流電力供給源から前記送電用コイルへ供給される電力の周波数を伝送周波数に変換し送電する周波数変換回路を有し、
    前記受電用コイルから前記蓄電部へ給電される電力を整流平滑する整流回路及び平滑回路を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記蓄電部はコンデンサ素子またはバッテリである、請求項４又は５に記載の基板処理装置。
  7. 基板を処理する基板処理装置を複数備えた基板処理システムであって、
    前記基板処理システムの外部に位置する送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部を備え、
    前記受電部からの電力を利用する前記基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給するように構成された、基板処理システム。
  8. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と、前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記蓄電部には、前記受電用コイルからの交流電力を直流電力に変換する変換部が接続される、請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と、前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記交流電力供給源から前記送電用コイルへ供給される電力の周波数を伝送周波数に変換し送電する周波数変換回路を有し、
    前記受電用コイルから前記蓄電部へ給電される電力を整流平滑する整流回路及び平滑回路を有する、請求項７に記載の基板処理システム。
  10. 前記蓄電部はコンデンサ素子またはバッテリである、請求項８又は９に記載の基板処理システム。
  11. 前記受電部は、前記基板処理システムの底部に配置される、請求項７～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  12. 前記基板処理システムは、１以上の処理モジュール、トランスファモジュール、ロードロックモジュール、ローダモジュールを含み、
    前記受電部は、前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールの少なくともいずれかのモジュールの底部に配置される、請求項７～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  13. 前記基板処理システムは、１以上の処理モジュール、トランスファモジュール、ロードロックモジュール、ローダモジュールを含み、
    前記受電部は、前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールの少なくともいずれかのモジュールに配置され、
    前記受電部へ給電された電力を前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールに分配するように構成される、請求項７～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  14. 前記基板処理システムは、当該基板処理システムに備えられた前記受電部が前記送電用コイルと対向するように移動可能に構成される、請求項７～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  15. 前記基板処理システムは、外部からの制御信号を非接触の方式で受信することにより、自動で前記送電用コイルと対向するように移動するように構成される、請求項１４に記載の基板処理システム。
  16. 前記基板処理システムは、１つの受電部と、当該受電部に対して並列に接続された複数の蓄電部と、を有し、
    前記１つの受電部へ給電された電力を前記複数の蓄電部に蓄えるように構成される、請求項７に記載の基板処理システム。
  17. 前記基板処理システムは、１以上の処理モジュール、トランスファモジュール、ロードロックモジュール、ローダモジュールを含み、
    前記複数の蓄電部に蓄えられた電力は、前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールにそれぞれ供給されるように構成される、請求項１６に記載の基板処理システム。
  18. 前記複数の蓄電部の容量は、前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールの電力使用量に対応した容量に構成される、請求項１６又は１７に記載の基板処理システム。
  19. 前記基板処理システムは、１以上の処理モジュール、トランスファモジュール、ロードロックモジュール、ローダモジュールを含み、
    前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールは、それぞれ少なくとも２以上の蓄電部を有する、請求項７に記載の基板処理システム。
  20. 前記処理モジュール、前記トランスファモジュール、前記ロードロックモジュール、前記ローダモジュールがそれぞれ有する前記２以上の蓄電部は切替可能に構成される、請求項１９に記載の基板処理システム。
  21. 電力を利用する基板処理システム、基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給する電力供給システムであって、
    交流電力供給源から電力が供給される送電用コイルを含む送電部と、
    前記送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部と、を備え、
    前記受電部から前記基板処理システム、前記基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つへ電力を供給する、電力供給システム。
  22. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記蓄電部には、前記受電用コイルからの交流電力を直流電力に変換する変換部が接続される、請求項２１に記載の電力供給システム。
  23. 前記ユニット又は部材は、複数の当該ユニットを含む基板処理システムに備えられ、
    前記受電部は、複数の前記ユニットそれぞれに配置される、請求項２１又は２２に記載の電力供給システム。
  24. 前記送電部は、前記ユニットが設置される床面又は床下に配置される、請求項２３に記載の電力供給システム。
  25. 前記ユニット又は部材は、複数の当該ユニットを含む基板処理システムに備えられ、
    前記受電部は、前記基板処理システムに配置される、請求項２１又は２２に記載の電力供給システム。
  26. 前記送電部は、前記基板処理システムが設置される床面又は床下に配置される、請求項２５に記載の電力供給システム。
  27. 前記受電部から供給された電力を蓄える蓄電部を有し、
    前記蓄電部と、前記送電用コイルに電力を供給する交流電力供給源との間において、送電される交流電力の周波数のインピーダンスに比べ、送電される交流電力以外の周波数のインピーダンスが高く設定され、
    前記交流電力供給源から前記送電用コイルへ供給される電力の周波数を伝送周波数に変換し送電する周波数変換回路を有し、
    前記受電用コイルから前記蓄電部へ給電される電力を整流平滑する整流回路及び平滑回路を有する、請求項２１に記載の電力供給システム。
  28. 前記蓄電部はコンデンサ素子またはバッテリである、請求項２２又は２７に記載の電力供給システム。
  29. 電力を利用する基板処理システム、基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つに電力を供給する電力供給方法であって、
    交流電力供給源から電力が供給される送電用コイルを含む送電部と、
    前記送電用コイルから非接触で電力が伝送される受電用コイルを含む受電部と、を備えた電力供給システムを用いて、
    前記受電部から前記基板処理システム、前記基板処理装置、ユニット又は部材の少なくとも１つへ電力を供給する、電力供給方法。
     
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