TW202408320A - 電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明所揭示之電漿處理系統具備第1及第2電漿處理裝置。第1及第2電漿處理裝置各自具備電漿處理腔、基板支持部、電力消耗構件、接地框架、蓄電部、受電線圈及整流/平滑部。接地框架將基板支持部與電漿處理腔一併包圍。電力消耗構件配置於電漿處理腔內或基板支持部內。受電線圈經由整流/平滑部連接於接地框架內之蓄電部。第1及第2電漿處理裝置各自係以相對於其電力消耗構件，其蓄電部與第1及第2電漿處理裝置中之另一電漿處理裝置之蓄電部可並聯連接之方式構成。

Description

電漿處理裝置

本發明之例示性實施方式係關於一種電漿處理裝置。

電漿處理裝置用於電漿處理中。電漿處理裝置具備腔室、及配置於腔室內之基板支持台(載置台)。基板支持台具有基台(下部電極)、及保持基板之靜電吸盤。於靜電吸盤之內部設置有用以調整基板溫度之溫度調整元件(例如，加熱器)。又，於溫度調整元件與溫度調整元件用電源之間設置有濾波器，該濾波器使自腔室內之高頻電極及/或其他電性構件進入供電線及/或信號線等線路上之高頻雜訊衰減，或阻攔上述高頻雜訊。下述專利文獻1中記載有此種電漿處理裝置之一種。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2015-173027號公報

發明所欲解決之問題

本發明之例示性實施方式提供一種降低相對於電漿處理裝置之蓄電部之負載變動而發生之輸出電壓之變動的技術。 解決問題之技術手段

一個例示性實施方式中提供一種電漿處理系統。電漿處理系統具備第1及第2電漿處理裝置。第1及第2電漿處理裝置各自具備電漿處理腔、基板支持部、高頻電源、電極或天線、電力消耗構件、接地框架、蓄電部、受電線圈及整流/平滑部。基板支持部配置於電漿處理腔內。高頻電源係以產生高頻電力之方式構成。電極或天線為了於電漿處理腔內由氣體產生電漿而電性連接於高頻電源，以接收高頻電力。電力消耗構件配置於電漿處理腔內或基板支持部內。接地框架接地，將基板支持部與電漿處理腔一併包圍。蓄電部配置於被接地框架包圍之空間內，與電力消耗構件電性連接。受電線圈與蓄電部電性連接，能藉由電磁感應耦合自送電線圈接收電力。整流/平滑部配置於被接地框架包圍之空間內。整流/平滑部包含與受電線圈連接之整流電路、及連接於整流電路與蓄電部之間之平滑電路。第1及第2電漿處理裝置各自係以相對於其電力消耗構件，其蓄電部與第1及第2電漿處理裝置中之另一電漿處理裝置之蓄電部可並聯連接之方式構成。 發明效果

根據一個例示性實施方式，提供一種降低相對於電漿處理裝置之蓄電部之負載變動而發生之輸出電壓之變動的技術。

以下，參照圖式詳細地對各種例示性實施方式進行說明。再者，於各圖式中，對相同或相當之部分標註相同之符號。

圖1係用以說明電漿處理系統之構成例之圖。一實施方式中，電漿處理系統包含電漿處理裝置1及控制部2。電漿處理系統係基板處理系統之一例，電漿處理裝置1係基板處理裝置之一例。電漿處理裝置1包含電漿處理腔10、基板支持部11及電漿產生部12。電漿處理腔10具有電漿處理空間。又，電漿處理腔10具有用以向電漿處理空間供給至少1種處理氣體之至少1個氣體供給口、及用以自電漿處理空間排出氣體之至少1個氣體排出口。氣體供給口連接於下述氣體供給部20，氣體排出口連接於下述排氣系統40。基板支持部11配置於電漿處理空間內，具有用以支持基板之基板支持面。

電漿產生部12係以由供給至電漿處理空間內之至少1種處理氣體產生電漿之方式構成。於電漿處理空間中形成之電漿可為電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)、感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、ECR電漿(Electron-Cyclotron-Resonance Plasma，電子回旋共振電漿)、螺旋波激發電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)或表面波電漿(SWP：Surface Wave Plasma)等。又，亦可採用包括AC(Alternating Current，交流)電漿產生部及DC(Direct Current，直流)電漿產生部在內之各種類型之電漿產生部。一實施方式中，AC電漿產生部中使用之AC信號(AC電力)具有100 kHz～10 GHz範圍內之頻率。因此，AC信號包含RF(Radio Frequency，射頻)信號及微波信號。一實施方式中，RF信號具有100 kHz～150 MHz範圍內之頻率。

控制部2對使電漿處理裝置1執行本發明中所述之各種步驟、可由電腦加以執行之命令進行處理。控制部2能以控制電漿處理裝置1之各要素，使之執行此處所述之各種步驟之方式構成。一實施方式中，可為控制部2之一部分或全部包含於電漿處理裝置1。控制部2可包含處理部2a1、記憶部2a2及通信介面2a3。控制部2例如由電腦2a實現。處理部2a1能以自記憶部2a2讀出程式，並執行所讀出之程式，藉此進行各種控制動作之方式構成。該程式可預先儲存於記憶部2a2，亦可於需要之時經由媒體而取得。所取得之程式儲存於記憶部2a2，由處理部2a1自記憶部2a2讀出而加以執行。媒體可為能被電腦2a讀取之各種記憶媒體，亦可為連接於通信介面2a3之通信線路。處理部2a1可為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶部2a2可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)或其等之組合。通信介面2a3可經由LAN(Local Area Network，局域網路)等通信線路而與電漿處理裝置1之間通信。

以下，對作為電漿處理裝置1之一例之電容耦合型電漿處理裝置之構成例進行說明。圖2係用以說明電容耦合型電漿處理裝置之構成例之圖。

電容耦合型電漿處理裝置1包含電漿處理腔10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部係以將至少1種處理氣體導入電漿處理腔10內之方式構成。氣體導入部包含簇射頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔10內。簇射頭13配置於基板支持部11之上方。一實施方式中，簇射頭13構成電漿處理腔10之頂部(ceiling)之至少一部分。電漿處理腔10具有由簇射頭13、電漿處理腔10之側壁10a及基板支持部11界定之電漿處理空間10s。電漿處理腔10接地。簇射頭13及基板支持部11與電漿處理腔10之殼體電性絕緣。

基板支持部11包含本體部111及環組件112。本體部111具有用以支持基板W之中央區域111a、及用以支持環組件112之環狀區域111b。晶圓係基板W之一例。本體部111之環狀區域111b俯視下包圍本體部111之中央區域111a。基板W配置於本體部111之中央區域111a上，環組件112以包圍本體部111之中央區域111a上之基板W之方式配置於本體部111之環狀區域111b上。因此，中央區域111a亦被稱為用以支持基板W之基板支持面，環狀區域111b亦被稱為用以支持環組件112之環支持面。

一實施方式中，本體部111包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110包含導電性構件。基台1110之導電性構件可作為下部電極發揮功能。靜電吸盤1111配置於基台1110之上。靜電吸盤1111包含陶瓷構件1111a、及配置於陶瓷構件1111a內之靜電電極(亦稱為吸附電極、吸盤電極或鉗制電極)1111b。陶瓷構件1111a具有中央區域111a。一實施方式中，陶瓷構件1111a亦具有環狀區域111b。再者，亦可為包圍靜電吸盤1111之其他構件，如環狀靜電吸盤、環狀絕緣構件具有環狀區域111b。該情形時，環組件112可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件兩者之上。又，與下述RF電源31及/或DC電源32耦合之至少1個RF/DC電極可配置於陶瓷構件1111a內。該情形時，至少1個RF/DC電極作為下部電極發揮功能。向至少1個RF/DC電極供給下述偏置RF信號及/或DC信號之情形時，RF/DC電極亦被稱為偏置電極。再者，基台1110之導電性構件及至少1個RF/DC電極亦可作為複數個下部電極發揮功能。又，靜電電極1111b亦可作為下部電極發揮功能。因此，基板支持部11包含至少1個下部電極。

環組件112包含1個或複數個環狀構件。一實施方式中，1個或複數個環狀構件包含1個或複數個邊緣環及至少1個罩蓋環。邊緣環由導電性材料或絕緣材料形成，罩蓋環由絕緣材料形成。

又，基板支持部11可包含以將靜電吸盤1111、環組件112及基板中之至少一者調節至目標溫度之方式構成之調溫模組。調溫模組可包含加熱器、導熱媒體、流路1110a或其等之組合。流路1110a中流通導熱流體，如鹽水、氣體。一實施方式中，流路1110a形成於基台1110內，1個或複數個加熱器配置於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內。又，基板支持部11亦可包含以向基板W之背面與中央區域111a之間之間隙供給導熱氣體之方式構成之導熱氣體供給部。

簇射頭13係以將來自氣體供給部20之至少1種處理氣體導入電漿處理空間10s內之方式構成。簇射頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體通過氣體擴散室13b自複數個氣體導入口13c向電漿處理空間10s內導入。又，簇射頭13包含至少1個上部電極。再者，氣體導入部可除了簇射頭13以外，還包含形成於側壁10a之1個或複數個開口部上安裝之1個或複數個側邊氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。

氣體供給部20可包含至少1個氣源21及至少1個流量控制器22。一實施方式中，氣體供給部20係以將至少1種處理氣體從各自所對應之氣源21經由各自所對應之流量控制器22向簇射頭13供給之方式構成。各流量控制器22例如可包含質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含調變至少1種處理氣體之流量或使其脈衝化之至少1個流量調變器件。

電源30包含經由至少1個阻抗匹配電路耦合於電漿處理腔10之RF電源31。RF電源31係以向至少1個下部電極及/或至少1個上部電極供給至少1個RF信號(RF電力)之方式構成。藉此，由供給至電漿處理空間10s之至少1種處理氣體形成電漿。因此，RF電源31可作為電漿產生部12之至少一部分發揮功能。又，藉由向至少1個下部電極供給偏置RF信號，能使基板W產生偏置電位，並將所形成之電漿中之離子成分引入至基板W。

一實施方式中，RF電源31包含第1RF產生部31a及第2RF產生部31b。第1RF產生部31a經由至少1個阻抗匹配電路耦合於至少1個下部電極及/或至少1個上部電極，以產生電漿產生用之源RF信號(源RF電力)之方式構成。一實施方式中，源RF信號具有10 MHz～150 MHz範圍內之頻率。一實施方式中，第1RF產生部31a亦能以產生具有不同頻率之複數個源RF信號之方式構成。所產生之1個或複數個源RF信號向至少1個下部電極及/或至少1個上部電極供給。

第2RF產生部31b經由至少1個阻抗匹配電路耦合於至少1個下部電極，以產生偏置RF信號(偏置RF電力)之方式構成。偏置RF信號之頻率可與源RF信號之頻率相同，亦可與之不同。一實施方式中，偏置RF信號具有較源RF信號之頻率低之頻率。一實施方式中，偏置RF信號具有100 kHz～60 MHz範圍內之頻率。一實施方式中，第2RF產生部31b亦能以產生具有不同頻率之複數個偏置RF信號之方式構成。所產生之1個或複數個偏置RF信號向至少1個下部電極供給。又，各種實施方式中，源RF信號及偏置RF信號中之至少一者亦可脈衝化。

又，電源30可包含耦合於電漿處理腔10之DC電源32。DC電源32包含第1DC產生部32a及第2DC產生部32b。一實施方式中，第1DC產生部32a連接於至少1個下部電極，以產生第1DC信號之方式構成。所產生之第1DC信號向至少1個下部電極施加。一實施方式中，第2DC產生部32b連接於至少1個上部電極，以產生第2DC信號之方式構成。所產生之第2DC信號向至少1個上部電極施加。

各種實施方式中，第1及第2DC信號亦可脈衝化。該情形時，電壓脈衝之序列向至少1個下部電極及/或至少1個上部電極施加。電壓脈衝可具有矩形、梯形、三角形或其等之組合之脈衝波形。一實施方式中，用以由DC信號產生電壓脈衝之序列之波形產生部連接於第1DC產生部32a與至少1個下部電極之間。因此，第1DC產生部32a及波形產生部構成電壓脈衝產生部。第2DC產生部32b及波形產生部構成電壓脈衝產生部之情形時，電壓脈衝產生部連接於至少1個上部電極。電壓脈衝可具有正極性，亦可具有負極性。又，電壓脈衝之序列可於1個週期內包含1個或複數個正極性電壓脈衝與1個或複數個負極性電壓脈衝。再者，可除了RF電源31以外還設置了第1及第2DC產生部32a、32b，亦可設置第1DC產生部32a來取代第2RF產生部31b。

排氣系統40例如可與設置於電漿處理腔10之底部之氣體排出口10e連接。排氣系統40可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥，調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵可包括渦輪分子泵、乾式真空泵或其等之組合。

再者，於電容耦合型電漿處理裝置1中，上部電極係以電漿處理空間位於該上部電極與基板支持部11之間之方式配置。高頻電源，如第1RF產生部31a電性連接於上部電極或基板支持部11內之下部電極。電漿處理裝置1為感應耦合型電漿處理裝置之情形時，天線係以電漿處理空間位於該天線與基板支持部11之間之方式配置。高頻電源，如第1RF產生部31a電性連接於天線。電漿處理裝置1為藉由表面波，如微波而產生電漿之電漿處理裝置之情形時，天線係以電漿處理空間位於該天線與基板支持部11之間之方式配置。高頻電源，如第1RF產生部31a經由波導電性連接於天線。

以下，對各種例示性實施方式之電漿處理裝置進行說明。以下所說明之各電漿處理裝置係以藉由無線供電(電磁感應耦合)向腔室10內之至少一個電力消耗構件供給電力之方式構成，可具有與電漿處理裝置1相同之構成。

圖3係概略性地表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。圖3所示之電漿處理裝置100A包含至少一個高頻電源300、受電線圈部140、蓄電部160及至少一個電力消耗構件240(參照圖25及圖26)。電漿處理裝置100A可進而包含送電部120、送電線圈部130、整流/平滑部150、定電壓控制部180(電壓控制部之一例)、接地框架110及匹配部301。

至少一個高頻電源300包含第1RF產生部31a及/或第2RF產生部31b。至少一個高頻電源300經由匹配部301電性連接於基板支持部11。匹配部301包含至少一個阻抗匹配電路。

接地框架110包含腔室10，且電性接地。接地框架110將其內部之空間110h(RF-Hot空間)與其外側之空間110a(大氣空間)電性分離。接地框架110包圍配置於空間110h內之基板支持部11。於電漿處理裝置100A中，整流/平滑部150、蓄電部160及定電壓控制部180配置於空間110h內。又，於電漿處理裝置100A中，送電部120、送電線圈部130及受電線圈部140配置於空間110a內。再者，空間110h包含減壓空間(真空空間)與非減壓空間(非真空空間)。減壓空間係腔室10內之空間，非減壓空間係腔室10外之空間。基板支持部11及基板W配置於減壓空間內。整流/平滑部150、蓄電部160及定電壓控制部180配置於非減壓空間內。

配置於空間110a內之器件，即送電部120、送電線圈部130及受電線圈部140等被由金屬，如鋁形成之金屬殼體覆蓋，且該金屬殼體接地。藉此，能抑制由高頻電力，如第1RF信號(源RF信號)及/或第2RF信號(偏置RF信號)引發之高頻雜訊洩漏。該金屬殼體與各供電線彼此之間具有絕緣距離。再者，以下說明中，有時會將向送電部120傳播之高頻電力，如第1RF信號及/或第2RF信號稱為高頻雜訊、共模雜訊或傳導性雜訊。

送電部120電性連接於交流電源400(例如，商用交流電源)與送電線圈部130之間。送電部120接收來自交流電源400之交流電力之頻率，並將該交流電力之頻率轉換成傳輸頻率，藉此產生具有傳輸頻率之交流電力，即傳輸交流電力。

送電線圈部130包含下述送電線圈131(參照圖9)。送電線圈131電性連接於送電部120。送電線圈131接收來自送電部120之傳輸交流電力，並將該傳輸交流電力無線傳輸至受電線圈141。

受電線圈部140包含下述受電線圈141(參照圖9)。受電線圈141與送電線圈131電磁感應耦合。電磁感應耦合包含磁場耦合及電場耦合。又，磁場耦合包括磁場共鳴(亦稱為磁場共振)。受電線圈141與送電線圈131之間之距離係以抑制共模雜訊(傳導性雜訊)之方式設定。又，受電線圈141與送電線圈131之間之距離設定為能夠供電之距離。受電線圈141與送電線圈131之間之距離係以受電線圈141與送電線圈131之間之高頻電力(即，高頻雜訊)之衰減量成為閾值以下，且可於受電線圈141中接收到來自送電線圈131之電力之方式設定。衰減量之閾值設定為能充分防止送電部120之破損或誤動作之值。衰減量之閾值例如為-20 dB。被受電線圈部140接收到之傳輸交流電力向整流/平滑部150輸出。

整流/平滑部150電性連接於受電線圈部140與蓄電部160之間。整流/平滑部150藉由對來自受電線圈部140之傳輸交流電力實施全波整流及平滑化，而產生直流電力。由整流/平滑部150產生之直流電力蓄存於蓄電部160中。蓄電部160電性連接於整流/平滑部150與定電壓控制部180之間。再者，整流/平滑部150亦可藉由對來自受電線圈部140之傳輸交流電力實施半波整流及平滑化，而產生直流電力。

整流/平滑部150與送電部120藉由信號線1250而相互電性連接。整流/平滑部150經由信號線1250向送電部120發送指示信號。指示信號係用以指示送電部120供給傳輸交流電力或停止供給傳輸交流電力之信號。指示信號可包括狀態信號、異常探測信號、以及送電線圈部130及受電線圈部140之冷卻控制信號。狀態信號係整流/平滑部150之電壓檢測器155v(參照圖14)及電流檢測器155i(參照圖14)檢測出之電壓、電流、電力之大小及/或相位等之值。異常探測信號係用以將整流/平滑部150之故障及/或溫度異常之發生訊息傳達給送電部120之信號。冷卻控制信號控制設置於送電線圈部130及受電線圈部140之冷卻機構。例如於空冷之情形時，冷卻控制信號控制風扇之轉數。又，於液冷之情形時，冷卻控制信號控制冷媒之流速及/或溫度等。

定電壓控制部180使用蓄電部160中蓄存之電力，至少向電力消耗構件240施加電壓。定電壓控制部180能控制至少向電力消耗構件240之電壓施加及停止。

於電漿處理裝置100A中，受電線圈141作為針對由高頻電力，如第1RF信號及/或第2RF信號引發之高頻雜訊之濾波器發揮功能。因此，能抑制高頻雜訊向電漿處理裝置之外部電源傳播。

參照圖4。圖4係概略性地表示另一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。以下，關於圖4所示之電漿處理裝置100B，自其與電漿處理裝置100A之不同點之觀點進行說明。

電漿處理裝置100B進而包含電壓控制轉換器170。電壓控制轉換器170係DC-DC轉換器，連接於蓄電部160與定電壓控制部180之間。電壓控制轉換器170能以即便蓄電部160中發生了電壓變動，亦向定電壓控制部180輸入固定之輸出電壓之方式構成。再者，蓄電部160中之電壓變動例如於採用電雙層構成蓄電部160之情形時，會以與蓄存電力相應之電壓下降等形式發生。

參照圖5。圖5係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。以下，關於圖5所示之電漿處理裝置100C，自其與電漿處理裝置100B之不同點之觀點進行說明。

電漿處理裝置100C進而具備RF濾波器190。RF濾波器190連接於整流/平滑部150與送電部120之間。RF濾波器190構成信號線1250之一部分。RF濾波器190具有抑制高頻電力(高頻雜訊)經由信號線1250傳播之特性。即，RF濾波器190包含低通濾波器，該低通濾波器具有如下特性：對高頻雜訊(傳導性雜訊)具有較高阻抗，但會使相對較低頻率之指示信號通過。

於電漿處理裝置100C中，蓄電部160、電壓控制轉換器170及定電壓控制部180相互一體化。即，蓄電部160、電壓控制轉換器170及定電壓控制部180皆配置於單個金屬殼體內，或皆形成於單個電路基板上。藉此，將蓄電部160與電壓控制轉換器170相互連接之一對供電線(正線及負線)各自之長度縮短。又，能使將蓄電部160與電壓控制轉換器170相互連接之一對供電線之長度彼此相等。又。將電壓控制轉換器170與定電壓控制部180相互連接之一對供電線(正線及負線)各自之長度縮短。又，能使將電壓控制轉換器170與定電壓控制部180相互連接之一對供電線之長度彼此相等。因此，能抑制由常模雜訊(正線與負線之線間電位差)引發之器件之誤動作及破損。再者，於腔室10內設置有將電磁場遮蔽於該殼體之周圍之其他金屬體之情形時，單個殼體亦可非金屬製。

參照圖6。圖6係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。以下，關於圖6所示之電漿處理裝置100D，自其與電漿處理裝置100C之不同點之觀點進行說明。

電漿處理裝置100D不包含RF濾波器190。於電漿處理裝置100D中，整流/平滑部150包含作為無線部之通信部151。通信部151配置於非減壓空間內。又，送電部120包含作為無線部之通信部121。通信部121配置於空間110a內。上述指示信號利用通信部151及通信部121於整流/平滑部150與送電部120之間傳輸。關於通信部121及通信部151之詳情，將於下文加以敍述。

參照圖7。圖7係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。以下，關於圖7所示之電漿處理裝置100E，自其與電漿處理裝置100D之不同點之觀點進行說明。

電漿處理裝置100E進而包含RF濾波器200。RF濾波器200連接於受電線圈部140與整流/平滑部150之間。RF濾波器200具有降低或阻斷自受電線圈部140向送電線圈131及送電部120傳播之高頻雜訊之特性。關於RF濾波器200之詳情，將於下文加以敍述。

以下，詳細地對各種例示性實施方式之電漿處理裝置中用於無線供電之各部之構成進行說明。

[送電部之構成]

圖8係表示一個例示性實施方式之送電部之圖。送電部120如上所述，接收來自交流電源400之交流電力之頻率，並將該交流電力之頻率轉換成傳輸頻率，藉此產生具有傳輸頻率之傳輸交流電力。

一實施方式中，送電部120包含控制部122、整流/平滑部123及變流器124。控制部122由處理器如CPU、或可編程之邏輯器件如FPGA(Field-Programmable Gate Array，場可編程閘陣列)構成。

整流/平滑部123包含整流電路及平滑電路。整流電路例如包含二極體橋。平滑電路例如包含線間電容器。整流/平滑部123藉由對來自交流電源400之交流電力實施全波整流及平滑化，而產生直流電力。再者，整流/平滑部123亦可藉由對來自交流電源400之交流電力實施半波整流及平滑化，而產生直流電力。

變流器124由利用整流/平滑部123而輸出之直流電力產生具有傳輸頻率之傳輸交流電力。變流器124例如為全橋變流器，包含複數個可控矽或複數個開關元件(例如FET(Field Effect Transistor，場效電晶體))。變流器124藉由控制部122對複數個可控矽或複數個開關元件之接通/斷開控制，而產生傳輸交流電力。自變流器124輸出之傳輸交流電力會輸出至送電線圈部130。

送電部120可進而包含電壓檢測器125v、電流檢測器125i、電壓檢測器126v及電流檢測器126i。電壓檢測器125v檢測將整流/平滑部123與變流器124相互連接之一對供電線之間之電壓值。電流檢測器125i檢測整流/平滑部123與變流器124之間之電流值。電壓檢測器126v檢測將變流器124與送電線圈部130相互連接之一對供電線之間之電壓值。電流檢測器126i檢測變流器124與送電線圈部130之間之電流值。電壓檢測器125v檢測出之電壓值、電流檢測器125i檢測出之電流值、電壓檢測器126v檢測出之電壓值及電流檢測器126i檢測出之電流值會通知給控制部122。

送電部120包含上述通信部121。通信部121包含驅動器121d、發送器121tx及接收器121rx。發送器121tx為無線信號之發送器或光信號之發送器。接收器121rx為無線信號之接收器或光信號之接收器。通信部121藉由驅動器121d驅動發送器121tx，使來自控制部122之信號自發送器121tx以無線信號或光信號之形式輸出。自發送器121tx輸出之信號於下述通信部151(參照圖14)中被接收。又，通信部121藉由接收器121rx自通信部151接收信號，如上述指示信號，並將所接收到之信號經由驅動器121d輸入至控制部122。控制部122根據經由通信部121自通信部151接收到之指示信號、電壓檢測器125v檢測出之電壓值、電流檢測器125i檢測出之電流值、電壓檢測器126v檢測出之電壓值及電流檢測器126i檢測出之電流值來控制變流器124，藉此切換傳輸交流電力之輸出及停止。

[送電線圈部及受電線圈部]

參照圖9～圖11。圖9～圖11各自係表示一個例示性實施方式之送電線圈部及受電線圈部之圖。如圖9所示，送電線圈部130可除了送電線圈131以外，還包含共振電容器132a及共振電容器132b。共振電容器132a連接於將送電部120與送電線圈部130相互連接之一對供電線中之一者和送電線圈131之一端之間。共振電容器132b連接於該一對供電線中之另一者和送電線圈131之另一端之間。送電線圈131、共振電容器132a及共振電容器132b相對於傳輸頻率，構成共振電路。即，送電線圈131、共振電容器132a及共振電容器132b具有與傳輸頻率大體一致之共振頻率。再者，送電線圈部130亦可不包含共振電容器132a與共振電容器132b中之任一者。

如圖10及圖11所示，送電線圈部130可進而包含金屬殼體130g。金屬殼體130g具有開口端，且接地。送電線圈131確保絕緣距離而配置於金屬殼體130g內。送電線圈部130可進而包含散熱器134、鐵氧體材135及導熱片136。散熱器134配置於金屬殼體130g內，由金屬殼體130g支持。鐵氧體材135配置於散熱器134上。導熱片136配置於鐵氧體材135上。送電線圈131配置於導熱片136上，隔著金屬殼體130g之開口端而與受電線圈141面對面。如圖11所示，可於金屬殼體130g內進而收容有共振電容器132a及共振電容器132b。

如圖9所示，受電線圈部140包含受電線圈141。受電線圈141與送電線圈131電磁感應耦合。受電線圈部140可除了受電線圈141以外，還包含共振電容器142a及共振電容器142b。共振電容器142a連接於自受電線圈部140延伸之一對供電線中之一者與受電線圈141之一端之間。共振電容器142b連接於該一對供電線中之另一者與受電線圈141之另一端之間。受電線圈141、共振電容器142a及共振電容器142b相對於傳輸頻率，構成共振電路。即，受電線圈141、共振電容器142a及共振電容器142b具有與傳輸頻率大體一致之共振頻率。再者，受電線圈部140亦可不包含共振電容器142a與共振電容器142b中之任一者。

如圖10及圖11所示，受電線圈部140可進而包含金屬殼體140g。金屬殼體140g具有開口端，且接地。受電線圈141確保絕緣距離而配置於金屬殼體140g內。受電線圈部140可進而包含間隔件143、散熱器144、鐵氧體材145及導熱片146。間隔件143配置於金屬殼體140g內，由金屬殼體140g支持。關於間隔件143，將於下文加以敍述。散熱器144配置於間隔件143上。鐵氧體材145配置於散熱器144上。導熱片146配置於鐵氧體材145上。受電線圈141配置於導熱片146上，經由金屬殼體140g之開口端而與送電線圈131面對面。如圖11所示，可於金屬殼體140g內進而收容有共振電容器142a及共振電容器142b。

間隔件143由介電體形成，設置於受電線圈141與金屬殼體140g(接地)之間。間隔件143向受電線圈141與接地之間供給空間雜散電容。

[受電線圈部之阻抗特性]

參照圖12。圖12係表示一個例示性實施方式之受電線圈部之阻抗特性之曲線圖。圖12示出了與間隔件143之厚度相應之受電線圈部140之阻抗特性。間隔件143之厚度對應於散熱器144與金屬殼體140g之間之距離。如圖12所示，受電線圈部140能根據間隔件143之厚度，調整頻率f _H及頻率f _L各自之阻抗。因此，藉由受電線圈部140，能於電漿處理裝置中所使用之兩個高頻電力，如第1RF信號及第2RF信號之各頻率下提供較高阻抗。又，因能於受電線圈部140中獲得較高阻抗，故能抑制高頻電力之損耗，從而獲得較高之處理速率(例如蝕刻速率)。

[RF濾波器200]

參照圖13。圖13係表示一個例示性實施方式之RF濾波器之圖。如圖13所示，RF濾波器200連接於受電線圈部140與整流/平滑部150之間。RF濾波器200包含電感器201a、電感器201b、終端電容器202a及終端電容器202b。電感器201a之一端連接於共振電容器142a，電感器201a之另一端連接於整流/平滑部150。電感器201b之一端連接於共振電容器142b，電感器201b之另一端連接於整流/平滑部150。終端電容器202a連接於電感器201a之一端與接地之間。終端電容器202b連接於電感器201b之一端與接地之間。電感器201a及終端電容器202a形成低通濾波器。又，電感器201b及終端電容器202b形成低通濾波器。藉由RF濾波器200，能於電漿處理裝置中所使用之兩個高頻電力，如第1RF信號及第2RF信號之各頻率下獲得高阻抗。因此，能抑制高頻電力之損耗，從而獲得較高之處理速率(例如蝕刻速率)。

[整流/平滑部]

參照圖14。圖14係表示一個例示性實施方式之整流/平滑部之圖。一實施方式中，整流/平滑部150包含控制部152、整流電路153及平滑電路154。整流電路153連接於受電線圈部140與平滑電路154之間。平滑電路154連接於整流電路153與蓄電部160之間。控制部152由處理器如CPU、或可編程之邏輯器件如FPGA(Field-Programmable Gate Array)構成。再者，控制部152可與控制部122相同，亦可與之不同。

整流電路153輸出藉由對來自受電線圈部140之交流電力實施全波整流而產生之電力。整流電路153例如為二極體橋。再者，整流電路153亦可輸出藉由對來自受電線圈部140之交流電力實施半波整流而產生之電力。

平滑電路154藉由對來自整流電路153之電力實施平滑化而產生直流電力。平滑電路154可包含電感器1541a、電容器1542a及電容器1542b。電感器1541a之一端連接於平滑電路154之一對輸入中之一者。電感器1541a之另一端連接於整流/平滑部150之正輸出(V _OUT+)。整流/平滑部150之正輸出經由下述一對供電線中之正線160p(參照圖23(a)及圖23(b))連接於蓄電部160之一個以上電容器各自之一端。

電容器1542a之一端連接於平滑電路154之一對輸入中之一者及電感器1541a之一端。電容器1542a之另一端連接於平滑電路154之一對輸出中之另一者及整流/平滑部150之負輸出(V _OUT-)。整流/平滑部150之負輸出經由下述一對供電線中之負線160m(參照圖23(a)及圖23(b))連接於蓄電部160之一個以上電容器各自之另一端。電容器1542b之一端連接於電感器1541a之另一端。電容器1542b之另一端連接於平滑電路154之一對輸出中之另一者及整流/平滑部150之負輸出(V _OUT-)。

整流/平滑部150可進而包含電壓檢測器155v及電流檢測器155i。電壓檢測器155v檢測整流/平滑部150之正輸出與負輸出之間之電壓值。電流檢測器155i檢測整流/平滑部150與蓄電部160之間之電流值。電壓檢測器155v檢測出之電壓值及電流檢測器155i檢測出之電流值會通知給控制部152。控制部152根據蓄電部160中蓄存之電力，產生上述指示信號。例如，控制部152於蓄電部160中蓄存之電力為第1閾值以下之情形時，產生用以指示送電部120供電，即輸出傳輸交流電力之指示信號。第1閾值例如為電力消耗構件240等負載中之消耗電力。又，亦可為考慮到餘裕度而將電力消耗構件240等負載中之消耗電力乘以固定之值(例如，1以上3以下之範圍內之值)所得的值。另一方面，控制部152於蓄電部160中蓄存之電力大於第2閾值之情形時，產生用以指示送電部120停止供電，即停止輸出傳輸交流電力之指示信號。第2閾值為不超過蓄電部160之極限蓄存電力之值。第2閾值例如為蓄電部160之極限蓄存電力乘以固定之值(例如1以下之值)所得的值。

整流/平滑部150包含上述通信部151。通信部151包含驅動器151d、發送器151tx及接收器151rx。發送器151tx為無線信號之發送器或光信號之發送器。接收器151rx為無線信號之接收器或光信號之接收器。通信部151藉由驅動器151d驅動發送器151tx，使來自控制部122之信號，如指示信號自發送器151tx以無線信號或光信號之形式輸出。自發送器151tx輸出之信號於送電部120之通信部121中被接收。又，通信部151藉由接收器151rx接收來自通信部121之信號，並將所接收到之信號經由驅動器151d輸入至控制部152。

[RF濾波器190]

參照圖15。圖15係表示一個例示性實施方式之RF濾波器190之圖。如圖15所示，信號線1250可包含將送電部120之信號輸出(Tx)與整流/平滑部150之信號輸入(Rx)電性連接之第1信號線、及將送電部120之信號輸入(Rx)與整流/平滑部150之信號輸出(Tx)電性連接之第2信號線。信號線1250亦可包含將送電部120之第1基準電壓端子(VCC)與整流/平滑部150之第1基準電壓端子(VCC)連接之信號線、及將送電部120之第2基準電壓端子(GND)與整流/平滑部150之第2基準電壓端子(GND)連接之信號線。信號線1250可為被地電位之屏蔽層覆蓋之屏蔽電纜。該情形時，構成信號線1250之複數個信號線可一個一個分別被屏蔽層覆蓋，亦可合為一個整體被屏蔽層覆蓋。RF濾波器190為構成信號線1250之複數個信號線各者提供低通濾波器。低通濾波器可為包含電感器及電容器之LC濾波器(無源濾波器)。低通濾波器之電感器構成對應信號線之一部分。電容器連接於與送電部120連接之電感器之一端和接地之間。藉由RF濾波器190，能抑制高頻電力(高頻雜訊)經由整流/平滑部150與送電部120之間之信號線1250傳播。

[送電部之通信部及整流/平滑部之通信部]

參照圖16～圖18。圖16係表示一個例示性實施方式之送電部之通信部及整流/平滑部之通信部之圖。圖17及圖18各自係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。如圖6、圖7、圖16、圖17及圖18所示，通信部121及通信部151能以彼此之間經由無線通信傳輸信號，如上述指示信號之方式構成。經由無線通信進行之通信可藉由光通信來進行。通信部121及通信部151彼此之間經由無線通信傳輸信號之情形時，通信部121及通信部151只要彼此之間不介存遮蔽物，便可配置於任意位置。根據該等圖所示之例，不再需要RF濾波器190。再者，包括圖16～圖18所示之例在內之各種例示性實施方式中，信號線1250可為被地電位之屏蔽層覆蓋之屏蔽電纜。該情形時，構成信號線1250之複數個信號線可一個一個分別被屏蔽層覆蓋，亦可合為一個整體被屏蔽層覆蓋。

參照圖19～圖22。圖19係表示另一例示性實施方式之送電部之通信部及整流/平滑部之通信部之圖。圖20～圖22各自係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。如圖19～圖22所示，通信部121及通信部151亦能以彼此之間經由光纖1260，即藉由光纖通信傳輸信號(光信號)，如上述指示信號之方式構成。通信部121及通信部151彼此之間經由光纖1260傳輸信號之情形時，通信部121及通信部151只要光纖1260之彎曲半徑處於允許範圍內，便可配置於任意位置。該等圖所示之例中，亦不再需要RF濾波器190。

[蓄電部]

參照圖23(a)及圖23(b)。圖23(a)及圖23(b)各自係表示一個例示性實施方式之蓄電部之圖。如圖23(a)所示，蓄電部160包含電容器161。電容器161連接於一對供電線，即正線160p與負線160m之間。正線160p自整流/平滑部150之正輸出(V _OUT+)向負載延伸。負線160m自整流/平滑部150之負輸出(V _OUT-)向負載延伸。電容器161可為有極性之電容器。電容器161亦可為電雙層或鋰離子電池。

如圖23(b)所示，蓄電部160亦可包含複數個電容器161。複數個電容器161串聯連接於正線160p與負線160m之間。複數個電容器161可具有彼此相同之靜電電容，亦可具有互不相同之靜電電容。複數個電容器161各自可為有極性之電容器。複數個電容器161各自亦可為電雙層或鋰離子電池。蓄電部160需於向其輸入之輸入電壓與常模雜訊所致之線間電位差之合計值低於允許輸入電壓之條件下使用。蓄電部160包含複數個電容器161之串聯連接之情形時，蓄電部160之允許輸入電壓升高。因此，根據圖23(b)所示之例，蓄電部160之雜訊耐性提高。

[電壓控制轉換器]

參照圖24。圖24係表示一個例示性實施方式之電壓控制轉換器之圖。電壓控制轉換器170係DC-DC轉換器。電壓控制轉換器170連接於蓄電部160與定電壓控制部180之間。於電壓控制轉換器170之正輸入(V _IN+)連接有正線160p。於電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)連接有負線160m。電壓控制轉換器170之正輸出(V _OUT+)連接於定電壓控制部180之正輸入(V _IN+)。電壓控制轉換器170之負輸出(V _OUT-)連接於定電壓控制部180之負輸入(V _IN-)。

電壓控制轉換器170可包含控制部172、低通濾波器173、變壓器174及電容器175。低通濾波器173可包含電感器1731a、電容器1732a及電容器1732b。電感器1731a之一端連接於電壓控制轉換器170之正輸入(V _IN+)。電感器1731a之另一端連接於變壓器174之一次側線圈之一端。電容器1732a之一端連接於電感器1731a之一端及電壓控制轉換器170之正輸入(V _IN+)。電容器1732a之另一端連接於電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)。電容器1732b之一端連接於電感器1731a之另一端。電容器1732b之另一端連接於電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)。

變壓器174包含一次側線圈1741、二次側線圈1742及開關1743。一次側線圈1741之另一端經由開關1743連接於電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)。二次側線圈1742之一端連接於電容器175之一端及電壓控制轉換器170之正輸出(V _OUT+)。二次側線圈1742之另一端連接於電容器175之另一端及電壓控制轉換器170之負輸出(V _OUT-)。

於開關1743連接有驅動器1744。驅動器1744將開關1743打開或關閉。當開關1743關閉時，即當一次側線圈1741之另一端與負輸入(V _IN-)處於導通狀態時，一次側線圈1741之另一端連接於電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)，來自電壓控制轉換器170之直流電力向定電壓控制部180供給。而當開關1743打開時，即當一次側線圈1741之另一端與負輸入(V _IN-)處於非導通狀態時，一次側線圈1741之另一端與電壓控制轉換器170之負輸入(V _IN-)之連接被切斷，直流電力自電壓控制轉換器170向定電壓控制部180之供給遭到阻斷。

電壓控制轉換器170可進而包含電壓檢測器176v及電流檢測器176i。電壓檢測器176v檢測二次側線圈1742之兩端間之電壓值、或電壓控制轉換器170之正輸出與負輸出之間之電壓值。電流檢測器176i測定二次側線圈1742之另一端與電壓控制轉換器170之負輸出之間之電流值。電壓檢測器176v檢測出之電壓值及電流檢測器176i檢測出之電流值會通知給控制部172。再者，控制部172可與控制部122及控制部152中之至少任一者相同，亦可與之不同。

控制部172於電壓檢測器176v檢測出之電壓值為閾值以上之情形時，控制驅動器1744，以將直流電力自電壓控制轉換器170向定電壓控制部180之供給阻斷。電壓控制轉換器170之正輸出與負輸出之間之電壓值係電壓控制轉換器170之輸出電壓值與常模雜訊所致之線間電位差之相加值。該實施方式中，能抑制由常模雜訊所致之線間電位差引發之過電壓使電壓控制轉換器170之負載破損。

[定電壓控制部]

參照圖25及圖26。圖25及圖26係表示若干個例示性實施方式之定電壓控制部之圖。定電壓控制部180連接於蓄電部160與至少一個電力消耗構件240之間，以控制向至少一個電力消耗構件240之電壓施加(直流電壓之施加)及停止之方式構成。

定電壓控制部180包含控制部182及至少一個開關183。定電壓控制部180之正輸入(V _IN+)經由開關183連接於電力消耗構件240。定電壓控制部180之負輸入(V _IN-)連接於電力消耗構件240。開關183由控制部182控制。當開關183關閉時，來自定電壓控制部180之直流電壓向電力消耗構件240施加。當開關183打開時，直流電壓自定電壓控制部180向電力消耗構件240之施加停止。再者，控制部182可與控制部122、控制部152及控制部172中之至少任一者相同，亦可與之不同。

圖25及圖26所示之實施方式中，電漿處理裝置包含複數個電力消耗構件240。定電壓控制部180包含控制部182及複數個開關183。定電壓控制部180之正輸入(V _IN+)經由複數個開關183連接於複數個電力消耗構件240。定電壓控制部180之負輸入(V _IN-)連接於複數個電力消耗構件240。

圖25及圖26所示之實施方式中，複數個電力消耗構件240可包含複數個加熱器(電阻加熱元件)。複數個加熱器可設置於基板支持部11內。圖25所示之實施方式中，複數個電阻器260配置於複數個加熱器各自之附近。複數個電阻器260各自具有隨溫度變化之電阻值。複數個電阻器260各自例如為熱阻器。複數個電阻器260各自與基準電阻(未圖示)串聯連接。定電壓控制部180包含複數個測定部184。複數個測定部184各自向複數個電阻器260中之對應之電阻器與基準電阻之串聯連接施加基準電壓，檢測該電阻器之兩端間之電壓值。複數個測定部184各自將所檢測出之電壓值通知給控制部182。控制部182根據被通知之電壓值，特定出配置有複數個加熱器中之對應之加熱器之區域之溫度，並以使該區域之溫度接近目標溫度之方式，控制直流電壓向對應之加熱器之施加。再者，亦可配置光纖溫度計來取代複數個電阻器260。該情形時，不再需要複數個電阻器260與複數個測定部184之間之配線，因此能消除高頻之傳導性雜訊對電力消耗構件240之影響。

圖26所示之實施方式中，定電壓控制部180包含電壓檢測器185v及複數個電流檢測器185i。電壓檢測器185v檢測施加至複數個加熱器各者之電壓值。複數個電流檢測器185i測定供給至複數個加熱器中之對應之加熱器之電流之值，即電流值。複數個測定部184根據複數個電流檢測器185i中之對應之電流檢測器檢測出之電流值、及電壓檢測器185v檢測出之電壓值，特定出複數個加熱器中之對應之加熱器之電阻值。控制部182根據複數個加熱器各自被檢測出之電阻值，特定出分別配置有複數個加熱器各者之複數個區域各自之溫度。控制部182以使複數個區域各自之溫度接近目標溫度之方式，控制直流電壓向複數個加熱器各者之施加。

[複數個電漿處理裝置之蓄電部之共用]

參照圖27～圖33。圖27係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之圖。圖28～圖33各自係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。圖27～圖33所示之電漿處理系統(以下，稱為「系統PS」)包含複數個電漿處理裝置100G。以下，從複數個電漿處理裝置100G各自與圖7所示之電漿處理裝置100E之不同點之觀點，對系統PS進行說明。

圖27所示之例中，作為複數個電漿處理裝置100G，系統PS包含電漿處理裝置100G1(第1電漿處理裝置)及電漿處理裝置100G2(第2電漿處理裝置)。系統PS亦可包含三個以上電漿處理裝置100G。

於系統PS中，複數個電漿處理裝置100G各自可共用其他電漿處理裝置100G之蓄電部160。即，複數個電漿處理裝置100G各自係以相對於其一個以上電力消耗構件240各者，其蓄電部160與其他電漿處理裝置100G之蓄電部160可並聯連接之方式構成。

複數個電漿處理裝置100G各自包含一對端子Ta及Tb。端子Ta連接於將整流/平滑部150與蓄電部160相互連接之一對供電線中之一者(例如，正線160p)。端子Tb連接於將整流/平滑部150與蓄電部160相互連接之一對供電線中之另一者(例如，負線160m)。

一對端子Ta及Tb配置於接地框架110內之非減壓空間之中。接地框架110具有用以使一對端子Ta及Tb露出於接地框架110之外側之開口110w。藉由開口110w，能接近接地框架110內之一對端子Ta及Tb。複數個電漿處理裝置100G各自之端子Ta經由穿過開口110w而延伸之第1配線，與複數個電漿處理裝置100G中之另一電漿處理裝置之端子Ta連接。第1配線與接地框架110隔開絕緣距離以上而配置。複數個電漿處理裝置100G各自之端子Tb經由穿過開口110w而延伸之第2配線，與複數個電漿處理裝置100G中之另一電漿處理裝置之端子Tb連接。藉此，複數個電漿處理裝置100G之各蓄電部160並聯連接。第2配線與接地框架110隔開絕緣距離以上而配置。

一實施方式中，複數個電漿處理裝置100G各自之蓄電部160經由構成為能切換彼此之間之被允許之電力逆流方向的至少一個防逆流切換器162而並聯連接。圖27～圖33所示之例中，電漿處理裝置100G1及電漿處理裝置100G2各自包含防逆流切換器162。電漿處理裝置100G1之蓄電部160與電漿處理裝置100G2之蓄電部160經由電漿處理裝置100G1之防逆流切換器162及電漿處理裝置100G2之防逆流切換器162而並聯連接。

防逆流切換器162可設置於複數個電漿處理裝置100G中之對應一個電漿處理裝置之上述非減壓空間內。或者，防逆流切換器162亦可設置於複數個電漿處理裝置100G各自之接地框架110之外側。如圖29所示，可為複數個電漿處理裝置100G各自與其整流/平滑部150分開地包含防逆流切換器162。或者，如圖30所示，亦可為複數個電漿處理裝置100G各自之整流/平滑部150包含防逆流切換器162。即，防逆流切換器162亦可為整流/平滑部150之一部分，而內置於整流/平滑部150。

如圖29～圖31所示，防逆流切換器162包含端子162a及端子162b。圖29～圖31之例中，端子162a為端子Ta。端子162b連接於將整流/平滑部150與蓄電部160相互連接之一對供電線中之一者(例如，正線160p)。防逆流切換器162作為開關而構成，其能使端子162a與端子162b之間之連接在經由二極體1621之連接、經由二極體1622之連接、及經由電氣通路1623之連接之中切換。圖29～圖31之例中，防逆流切換器162之端子162a及端子162b連接於正線160p，但端子162a及端子162b亦可連接於負線160m。端子162a及端子162b連接於負線160m時，防逆流切換器162亦進行與上述切換動作相同之切換動作。

二極體1621係以防止電力自並聯連接之兩個蓄電部160中之一者(例如，電漿處理裝置100G1之蓄電部160)向另一者(例如，電漿處理裝置100G2之蓄電部160)逆流之方向設置。二極體1622係以防止電力自並聯連接之兩個蓄電部160中之另一者(例如，電漿處理裝置100G2之蓄電部160)向一者(例如，電漿處理裝置100G1之蓄電部160)逆流之方向設置。電氣通路1623允許電力於並聯連接之兩個蓄電部160之間雙向流動。電氣通路1623不包含二極體。

一實施方式中，如圖29或圖30所示，電漿處理裝置100G1之防逆流切換器162之端子162a與端子162b可經由二極體1621連接。又，電漿處理裝置100G2之防逆流切換器162之端子162a與端子162b可經由電氣通路1623連接。該情形時，電力自電漿處理裝置100G1之蓄電部160向電漿處理裝置100G2之蓄電部160之逆流得到抑制。換言之，允許電力自電漿處理裝置100G2之蓄電部160向電漿處理裝置100G1之蓄電部160供給，但抑制電力自電漿處理裝置100G1之蓄電部160向電漿處理裝置100G2之蓄電部160供給。該實施方式中，電漿處理裝置100G1為主控裝置，電漿處理裝置100G2為從動裝置。電漿處理裝置100G1為主控裝置，電漿處理裝置100G2為從動裝置之實施方式可於以下第1～第3案例中加以利用。

第1案例係電漿處理裝置100G1之電力消耗構件之負載變動大於電漿處理裝置100G2之電力消耗構件之負載變動之情形。第1案例之具體例如圖28所示，為如下案例：電漿處理裝置100G2中被供給來自蓄電部160之電力之電力消耗構件僅有電力消耗構件240b，而電漿處理裝置100G1中被供給來自蓄電部160之電力之電力消耗構件由電力消耗構件240a及電力消耗構件240c中之一者切換成兩者，或由兩者切換成其中一者。此種情形時，電漿處理裝置100G1中會發生負載變動。若發生負載變動，則電漿處理裝置100G1之蓄電部160之輸出電壓會變動。但圖29或圖30所示之實施方式中，電漿處理裝置100G2之蓄電部160與電漿處理裝置100G1之蓄電部160並聯連接，因此該等蓄電部160之合成靜電電容較大。因此，能抑制由負載變動引發之電漿處理裝置100G1之蓄電部160的輸出電壓之變動。

第2案例係電漿處理裝置100G1之高頻電源300所產生的高頻電力，如第1RF信號及/或第2RF信號之功率位準大於電漿處理裝置100G2之高頻電源300所產生的高頻電力之功率位準之情形。又，第3案例係自電漿處理裝置100G1之蓄電部160輸出之電力大於自電漿處理裝置100G2之蓄電部160輸出之電力之情形。

另一實施方式中，如圖31所示，電漿處理裝置100G1之防逆流切換器162之端子162a與端子162b可經由電氣通路1623連接。又，電漿處理裝置100G2之防逆流切換器162之端子162a與端子162b可經由電氣通路1623連接。該實施方式中，能於電漿處理裝置100G1之蓄電部160與電漿處理裝置100G2之蓄電部160之間雙向地供給電力。該實施方式中同樣地，電漿處理裝置100G1之蓄電部160與電漿處理裝置100G2之蓄電部160並聯連接，因此該等蓄電部160之合成靜電電容較大。因此，能抑制由負載變動引發之電漿處理裝置100G1之蓄電部160的輸出電壓之變動。又，能抑制由負載變動引發之電漿處理裝置100G2之蓄電部160的輸出電壓之變動。

如圖29～圖32所示，一對端子Ta及Tb可由防逆流切換器162提供。該情形時，端子Ta可為端子162a。或者，防逆流切換器162亦可設置於接地框架110之外側，一對端子Ta及Tb如圖33所示，亦可作為與防逆流切換器162不同之要素，而設置於接地框架110內之非減壓空間中。該情形時，一對端子Ta及Tb與設置於接地框架110之外側之防逆流切換器162連接。

無論哪種實施方式中，一對端子Ta及Tb皆會於接地框架110內與接地框架110隔開絕緣距離以上而設置。再者，複數個電漿處理裝置100G各自之蓄電部160不與其他電漿處理裝置之蓄電部160並聯連接之情形時，如圖32及圖33所示，開口110w被能使其打開或封閉之金屬製之遮蔽構件110c封住。若開口110w被遮蔽構件110c封住，則遮蔽構件110c與接地框架110電性連接。該遮蔽構件110c構成接地框架110之一部分。

以下，參照圖34。圖34係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部充電時之狀態之圖。如圖34所示，複數個電漿處理裝置100G各自之蓄電部160可藉由配置於接地框架110之外側(即，空間110a)之直流穩定電源500加以充電。直流穩定電源500經由穿過開口110w而延伸之一對配線，連接於一對端子Ta及Tb。

以下，參照圖35。圖35係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部放電時之狀態之圖。如圖35所示，複數個電漿處理裝置100G各自之蓄電部160之電力亦可向配置於接地框架110之外側(即，空間110a)之放電用負載600釋放。放電用負載600經由穿過開口110w而延伸之一對配線，連接於一對端子Ta及Tb。一對配線中之一者可經由開關610連接於放電用負載600。可於放電用負載600安裝有將其冷卻之風扇602。

圖36係與一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部之放電相關之時序圖。如圖36所示，於蓄電部160之放電中，蓄電部160之電壓值自蓄電部160開始放電時之電壓值V _S減少。蓄電部160之放電於蓄電部160之電壓值達到閾值V _TH之時點t _F完成，停止。閾值V _TH例如設定為無法啟動控制部152且對人體不會造成影響之值。閾值V _TH例如可設定為2.5 V。

以下，參照圖37。圖37係表示另一例示性實施方式之電漿處理系統之圖。圖37所示之系統PS包含電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3。電漿處理裝置100G1之蓄電部160、電漿處理裝置100G2之蓄電部160及電漿處理裝置100G3之蓄電部160相互並聯連接。

電漿處理裝置100G1之蓄電部160經由電漿處理裝置100G1之防逆流切換器162B及電漿處理裝置100G2之防逆流切換器162A，與電漿處理裝置100G2之蓄電部160並聯連接。電漿處理裝置100G2之蓄電部160經由電漿處理裝置100G2之防逆流切換器162B及電漿處理裝置100G3之防逆流切換器162A，與電漿處理裝置100G3之蓄電部160並聯連接。於電漿處理裝置100G3之蓄電部160進而連接有防逆流切換器162B。電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3各自之防逆流切換器162A及防逆流切換器162B與上述防逆流切換器162同樣地構成。

於圖37所示之系統PS中，可經由穿過開口110w而延伸之一對配線將放電用負載600連接於電漿處理裝置100G3之防逆流切換器162B之一對端子Ta及Tb。該情形時，於電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3各自之防逆流切換器162A及防逆流切換器162B中，以允許電力自該等電漿處理裝置之蓄電部160向放電用負載600流動之方式，來設定端子162a與端子162b之間之連接。藉此，能使電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3各自之蓄電部160統一向單個放電用負載600放電。

又，於圖37所示之系統PS中，亦可經由穿過開口110w而延伸之一對配線將直流穩定電源500連接於電漿處理裝置100G3之防逆流切換器162B之一對端子Ta及Tb。該情形時，於電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3各自之防逆流切換器162A及防逆流切換器162B中，以允許電力自直流穩定電源500向該等電漿處理裝置流動之方式，來設定端子162a與端子162b之間之連接。藉此，能藉由單個直流穩定電源500將電漿處理裝置100G1、電漿處理裝置100G2及電漿處理裝置100G3各自之蓄電部160統一充電。

以上對各種例示性實施方式進行了說明，但並不限定於上述例示性實施方式，亦可進行各種追加、省略、替換及變更。又，可使不同實施方式中之要素組合而形成其他實施方式。

此處，將本發明中包含之各種例示性實施方式記載於以下[E1]～[E10]。

[E1] 一種電漿處理裝置，其具備： 第1電漿處理裝置；及 第2電漿處理裝置； 上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自包含： 電漿處理腔； 基板支持部，其配置於上述電漿處理腔內； 高頻電源，其係以產生高頻電力之方式構成； 電極或天線，其為了於上述電漿處理腔內由氣體產生電漿而電性連接於上述高頻電源，以接收上述高頻電力； 電力消耗構件，其配置於上述電漿處理腔內或上述基板支持部內； 接地框架，其接地，將上述基板支持部與上述電漿處理腔一併包圍； 蓄電部，其配置於被上述接地框架包圍之空間內，與上述電力消耗構件電性連接； 受電線圈，其與上述蓄電部電性連接，能藉由電磁感應耦合自送電線圈接收電力；及 整流/平滑部，其配置於被上述接地框架包圍之上述空間內，包含與上述受電線圈連接之整流電路、及連接於上述整流電路與上述蓄電部之間之平滑電路；且 上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自係以相對於其上述電力消耗構件，其蓄電部與上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之另一電漿處理裝置之上述蓄電部可並聯連接之方式構成。

[E2] 如E1之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之一者、或上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之每一者進而具備構成為能切換其上述蓄電部與上述另一電漿處理裝置之上述蓄電部之間的被允許之電力逆流方向之防逆流切換器。

[E3] 如E2之電漿處理裝置，其中上述防逆流切換器係以如下方式構成：使上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部與上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之間之連接在經由第1二極體之連接、經由第2二極體之連接、及經由電氣通路之連接之中選擇性地切換，上述第1二極體係以防止電力自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部逆流之方式設置，上述第2二極體係以防止電力自上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部逆流之方式設置，上述電氣通路允許電力於上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部與上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之間雙向流動。

[E4] 如E2或E3之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自與其上述整流/平滑部分開地包含上述防逆流切換器。

[E5] 如E2或E3之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自之上述整流/平滑部包含上述防逆流切換器。

[E6] 如E2～E5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置之上述電力消耗構件之負載變動大於上述第2電漿處理裝置之上述電力消耗構件之負載變動之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。

[E7] 如E2～E5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置之上述高頻電源所產生的高頻電力之功率位準大於上述第2電漿處理裝置之上述高頻電源所產生的高頻電力之功率位準之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。

[E8] 如E2～E5中任一項之電漿處理裝置，其中自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部輸出之電力大於自上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部輸出之電力之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。

[E9] 如E1～E8中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自包含為了將其上述蓄電部與上述另一電漿處理裝置之上述蓄電部並聯連接，而於其上述接地框架內與該接地框架隔開絕緣距離以上地設置之一對端子。

[E10] 如E9之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自之上述接地框架包含： 開口，其用以使上述一對端子露出於上述接地框架之外側；及 金屬製之遮蔽構件，其能使上述開口打開或封閉。

由以上說明理應瞭解：本發明之各種實施方式係基於說明之目的而於本說明書中加以說明，可於不脫離本發明之範圍及主旨之條件下進行各種變更。因此，本說明書中揭示之各種實施方式並無進行限定之意圖，真正之範圍及主旨係由隨附之請求專利範圍來表示。 相關申請之相互參照

本申請主張2022年6月29日提出申請之題為「Plasma Processing Apparatus」之美國臨時專利申請第63/356,713號之優先權，藉由參照該美國臨時專利申請之全部而將其引用於本說明書中。

1:電漿處理裝置 2:控制器 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通信介面 10:腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 12:電漿產生部 13:簇射頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣源 22:流量控制器 30:電源 31:RF電源 31a:第1RF產生部 31b:第2RF產生部 32:DC電源 32a:第1DC產生部 32b:第2DC產生部 40:排氣系統 100A:電漿處理裝置 100B:電漿處理裝置 100C:電漿處理裝置 100D:電漿處理裝置 100E:電漿處理裝置 100Ea:電漿處理裝置 100Eb:電漿處理裝置 100Fa:電漿處理裝置 100Fb:電漿處理裝置 100Fc:電漿處理裝置 100G:電漿處理裝置 100G1:電漿處理裝置(第1電漿處理裝置) 100G2:電漿處理裝置(第2電漿處理裝置) 100G3:電漿處理裝置 110:接地框架 110a:空間(大氣空間) 110c:遮蔽構件 110h:空間 110w:開口 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 112:環組件 120:送電部 121:通信部 121d:驅動器 121tx:發送器 121rx:接收器 122:控制部 123:整流/平滑部 124:變流器 125i:電流檢測器 125v:電壓檢測器 126i:電流檢測器 126v:電壓檢測器 130:送電線圈部 130g:金屬殼體 131:送電線圈 132a:共振電容器 132b:共振電容器 134:散熱器 135:鐵氧體材 136:導熱片 140:受電線圈部 140g:金屬殼體 141:受電線圈 142a:共振電容器 142b:共振電容器 143:間隔件 144:散熱器 145:鐵氧體材 146:導熱片 150:整流/平滑部 151:通信部 151d:驅動器 151tx:發送器 151rx:接收器 152:控制部 153:整流電路 154:平滑電路 155i:電流檢測器 155v:電壓檢測器 160:蓄電部 160m:負線 160p:正線 161:電容器 162:防逆流切換器 162A:防逆流切換器 162B:防逆流切換器 162a:端子 162b:端子 170:電壓控制轉換器 172:控制部 173:低通濾波器 174:變壓器 175:電容器 176i:電流檢測器 176v:電壓檢測器 180:定電壓控制部 182:控制部 183:開關 184:測定部 185i:電流檢測器 185v:電壓檢測器 190:RF濾波器 200:RF濾波器 201a:電感器 201b:電感器 202a:終端電容器 202b:終端電容器 240:電力消耗構件 240a:電力消耗構件 240b:電力消耗構件 240c:電力消耗構件 260:電阻器 300:高頻電源 400:交流電源 500:直流穩定電源 600:放電用負載 602:風扇 610:開關 1110:基台 1110a:流路 1111:靜電吸盤 1111a:陶瓷構件 1111b:靜電電極(吸附電極、吸盤電極或鉗制電極) 1250:信號線 1260:光纖 1541a:電感器 1542a:電容器 1542b:電容器 1621:二極體 1622:二極體 1623:電氣通路 1731a:電感器 1732a:電容器 1732b:電容器 1741:一次側線圈 1742:二次側線圈 1743:開關 1744:驅動器 PS:電漿處理系統 Ta:端子 Tb:端子 W:基板

圖1係用以說明電漿處理系統之構成例之圖。 圖2係用以說明電容耦合型電漿處理裝置之構成例之圖。 圖3係概略性地表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖4係概略性地表示另一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖5係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖6係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖7係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖8係表示一個例示性實施方式之送電部之圖。 圖9係表示一個例示性實施方式之送電線圈部及受電線圈部之圖。 圖10係表示一個例示性實施方式之送電線圈部及受電線圈部之圖。 圖11係表示一個例示性實施方式之送電線圈部及受電線圈部之圖。 圖12係表示一個例示性實施方式之受電線圈部之阻抗特性之曲線圖。 圖13係表示一個例示性實施方式之RF濾波器之圖。 圖14係表示一個例示性實施方式之整流/平滑部之圖。 圖15係表示一個例示性實施方式之RF濾波器之圖。 圖16係表示一個例示性實施方式之送電部之通信部及整流/平滑部之通信部之圖。 圖17係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖18係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖19係表示另一例示性實施方式之送電部之通信部及整流/平滑部之通信部之圖。 圖20係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖21係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖22係概略性地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。 圖23(a)及圖23(b)各自係表示一個例示性實施方式之蓄電部之圖。 圖24係表示一個例示性實施方式之電壓控制轉換器之圖。 圖25係表示一個例示性實施方式之定電壓控制部之圖。 圖26係表示另一例示性實施方式之定電壓控制部之圖。 圖27係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之圖。 圖28係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖29係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖30係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖31係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖32係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖33係局部地表示一個例示性實施方式之電漿處理系統之構成之圖。 圖34係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部充電時之狀態之圖。 圖35係表示一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部放電時之狀態之圖。 圖36係與一個例示性實施方式之電漿處理系統中的蓄電部之放電相關之時序圖。 圖37係表示另一例示性實施方式之電漿處理系統之圖。

2:控制部

11:基板支持部

100G:電漿處理裝置

100G1:電漿處理裝置(第1電漿處理裝置)

100G2:電漿處理裝置(第2電漿處理裝置)

110:接地框架

110a:空間(大氣空間)

110h:空間

120:送電部

121:通信部

130:送電線圈部

140:受電線圈部

150:整流/平滑部

151:通信部

160:蓄電部

162:防逆流切換器

170:電壓控制轉換器

180:定電壓控制部

200:RF濾波器

300:高頻電源

301:匹配部

400:交流電源

1250:信號線

PS:電漿處理系統

W:基板

Claims (10)

1. 一種電漿處理裝置，其具備： 第1電漿處理裝置；及 第2電漿處理裝置； 上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自包含： 電漿處理腔； 基板支持部，其配置於上述電漿處理腔內； 高頻電源，其係以產生高頻電力之方式構成； 電極或天線，其為了於上述電漿處理腔內由氣體產生電漿而電性連接於上述高頻電源，以接收上述高頻電力； 電力消耗構件，其配置於上述電漿處理腔內或上述基板支持部內； 接地框架，其接地，將上述基板支持部與上述電漿處理腔一併包圍； 蓄電部，其配置於被上述接地框架包圍之空間內，與上述電力消耗構件電性連接； 受電線圈，其與上述蓄電部電性連接，能藉由電磁感應耦合自送電線圈接收電力；及 整流/平滑部，其配置於被上述接地框架包圍之上述空間內，包含與上述受電線圈連接之整流電路、及連接於上述整流電路與上述蓄電部之間之平滑電路；且 上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自係以相對於其上述電力消耗構件，其蓄電部與上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之另一電漿處理裝置之上述蓄電部可並聯連接之方式構成。
2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之一者、或上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置中之每一者進而具備構成為能切換其上述蓄電部與上述另一電漿處理裝置之上述蓄電部之間的被允許之電力逆流方向之防逆流切換器。
3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述防逆流切換器係以如下方式構成：使上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部與上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之間之連接在經由第1二極體之連接、經由第2二極體之連接、及經由電氣通路之連接之中選擇性地切換，上述第1二極體係以防止電力自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部逆流之方式設置，上述第2二極體係以防止電力自上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部逆流之方式設置，上述電氣通路允許電力於上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部與上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之間雙向流動。
4. 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自與其上述整流/平滑部分開地包含上述防逆流切換器。
5. 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自之上述整流/平滑部包含上述防逆流切換器。
6. 如請求項2至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置之上述電力消耗構件之負載變動大於上述第2電漿處理裝置之上述電力消耗構件之負載變動之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。
7. 如請求項2至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置之上述高頻電源所產生的高頻電力之功率位準大於上述第2電漿處理裝置之上述高頻電源所產生的高頻電力之功率位準之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。
8. 如請求項2至5中任一項之電漿處理裝置，其中自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部輸出之電力大於自上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部輸出之電力之情形時，上述防逆流切換器以防止自上述第1電漿處理裝置之上述蓄電部向上述第2電漿處理裝置之上述蓄電部之逆流之方式設定。
9. 如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自包含為了將其上述蓄電部與上述另一電漿處理裝置之上述蓄電部並聯連接，而於其上述接地框架內與該接地框架隔開絕緣距離以上地設置之一對端子。
10. 如請求項9之電漿處理裝置，其中上述第1電漿處理裝置及上述第2電漿處理裝置各自之上述接地框架包含： 開口，其用以使上述一對端子露出於上述接地框架之外側；及 金屬製之遮蔽構件，其能使上述開口打開或封閉。