WO2023248751A1 - 弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置 - Google Patents

弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置 Download PDF

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    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer, an electrode layer located on an upper surface of the piezoelectric layer, an underbump metal, and a bump, and the underbump metal is attached to the piezoelectric layer. It has a first region that is directly bonded and a second region that is bonded to the electrode layer, and when the piezoelectric layer is viewed in plan, at least a portion of the first region and at least a portion of the bump , overlap.
  • FIG. 1 is a cross-sectional structural diagram of an elastic wave device according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of an elastic wave device according to Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a cross-sectional structural diagram of a general elastic wave device.
  • the bump not only has the function of electrically connecting the acoustic wave device and the package, but also has the function of mechanically fixing the acoustic wave device to the package.
  • the strength of the bond between the elastic wave device and the bump has not always been sufficient.
  • FIG. 4 is a cross-sectional structural diagram of a general acoustic wave device 100.
  • the acoustic wave device 100 includes a support substrate 50, a piezoelectric layer 10, an electrode layer 120, an under bump metal 130, and a bump 40, which are overlapped.
  • the piezoelectric layer 10 is a thin film made of piezoelectric material.
  • the piezoelectric material include LT (lithium tantalate: LiTaO 3 ) and LN (lithium niobate: LiNbO 3 ).
  • the piezoelectric layer 10 may be a piezoelectric single crystal such as quartz, or a piezoelectric ceramic such as lead zirconate titanate ceramic. In this embodiment, LT is used.
  • Piezoelectric layer 10 is formed on support substrate 50 . Furthermore, the support substrate 50 may have a cavity between it and the piezoelectric layer 10. Between the piezoelectric layer 10 and the support substrate 50 there may be a thin SiO 2 layer or a plurality of low acoustic impedance layers, e.g. SiO 2 and a plurality of high acoustic impedance layers, e.g. HfO 2 . It may have an acoustic reflective film in which these are alternately laminated. Alternatively, the piezoelectric layer 10 may have a sufficient thickness without the support substrate 50.
  • the electrode layer 120 includes an IDT electrode section 21 and a pad section 122.
  • the electrode layer 20 is generally made of a material containing aluminum, and in this embodiment, the pattern is formed by etching an aluminum alloy (AlCu) film. Further, the electrode layer 120 may be formed using other metals or alloys such as copper (Cu).
  • the IDT electrode section 21 is a comb-shaped electrode that generates elastic waves in an elastic wave device.
  • the IDT electrode section 21 is composed of a pair of electrodes to which an alternating current voltage is applied.
  • Pad portion 122 is connected to IDT electrode portion 21 .
  • the under bump metal 130 is a base layer.
  • the under bump metal 130 includes a bonding layer 131, a metal layer 132, and a molten layer 33, which are stacked in this order.
  • the bumps 40 cannot be bonded with good adhesion onto the electrode layer 120 made of an aluminum alloy.
  • the under bump metal 30 is inserted as an intermediate layer between the electrode layer 120 and the bump 40, and acts as an intermediary between the two.
  • the underbump metal 130 is characterized in that the bonding layer 131, the metal layer 132, and the molten layer 33 are formed with substantially uniform thickness.
  • the bonding layer 131 is made of chromium (Cr), titanium (Ti), or the like, and has the role of strengthening the bond between the aluminum alloy and other metals.
  • the metal layer 132 is made of nickel (Ni) or the like, and is plated to ensure corrosion resistance and conductivity as an under bump metal. Further, the metal layer 132 reduces diffusion of the bump 40 when the bump 40 is melted, which will be described later.
  • the melting layer 33 is a layer for improving wetting of the bumps 40, and is made of gold (Au) or the like.
  • the bumps 40 are so-called solder and are made of tin (Sn), silver (Ag), copper (Cu), or the like.
  • the bumps 40 intermingle and bond with the molten layer 33. After the bump bonding, the molten layer 33 is integrated with the bump 40, and the boundary with the bump 40 may not be clear.
  • the electrode layer 120 and the bumps 40 are bonded via the under bump metal 130, but these interfaces are easily oxidized and it is difficult to achieve bonding strength. In particular, depending on the oxidation situation, it may not be possible to achieve bonding strength at the interface between the electrode layer 120 and the underbump metal 130, so it can be said that the stability of the bonding strength of the entire acoustic wave device 100 is low.
  • FIG. 1 is a cross-sectional structural diagram of an elastic wave device 1 according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • the elastic wave device 1 includes a support substrate 50, a piezoelectric layer 10, an electrode layer 20, an underbump metal 30, and bumps 40.
  • the configurations of the electrode layers 20 and 120 and the under bump metals 30 and 130 are different between the elastic wave device 1 and the elastic wave device 100.
  • the electrode layer 20 includes an IDT electrode section 21 and a pad section 22.
  • the shape of the pad portion 22 is different between the electrode layer 20 and the electrode layer 120 of the comparative example.
  • the pad portion 22 has an opening in the center.
  • the shape of the opening is not limited, and may be circular, for example.
  • the under bump metal 30 includes a bonding layer 31, a metal layer 32, and a molten layer 33, which are stacked in this order. That is, the under bump metal 30 and the under bump metal 130 have different shapes of the bonding layer and the metal layer.
  • the bonding layer 31 is formed so as to fit into the opening of the pad section 22. Furthermore, the metal layer 32 is formed further above the bonding layer 31 so as to fill the recessed portion of the bonding layer 31 while having the same shape as the opening of the pad portion 22 .
  • the aluminum alloy since the aluminum alloy has a property of being easily oxidized, the surface quality of the interface of the electrode layer 20 is unstable. Therefore, depending on the oxidation situation, the aluminum alloy of the electrode layer 20 and the chromium of the bonding layer 31 may not bond.
  • the chromium used for the bonding layer 31 and the LT of the piezoelectric layer 10 provide stable bonding strength (at a constant strength). Therefore, by bonding the bonding layer 31 and the piezoelectric layer 10 in the first region 31a, the bonding strength in the acoustic wave device 1 can be increased. That is, the elastic wave device 1 has higher bonding strength than the elastic wave device 100, and the under bump metal 30 is less likely to peel off.
  • the aluminum alloy of the electrode layer 20 comes into close contact with the chromium of the bonding layer 31, thereby ensuring conduction between the electrode layer 20 and the underbump metal 30.
  • the bonding strength of the under bump metal 30 is ensured in the first region 31a, and the conduction of the under bump metal 30 is ensured in the second region 31b.
  • FIG. 2 is a plan view of the elastic wave device 1 according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 2 when piezoelectric layer 10 is viewed from above, at least a portion of first region 31a and at least a portion of bump 40 overlap. Therefore, the stability of the bonding strength between the under bump metal 30 and the piezoelectric layer 10 at the bonding location of the bump 40 in plan view can be ensured. As a result, the under bump metal 30 and the electrode layer 20 can be firmly bonded.
  • the mechanical strength is ensured by the bonding strength between the electrode layer 20 and the bonding layer 31, but due to the poor surface properties of the aluminum used for the electrode layer 20, the bonding
  • the bonding strength of the first region ensures mechanical strength. That is, when piezoelectric layer 10 is viewed in plan, first region 31a is located within bump 40.
  • the center of the bump 40 and the center of the first region 31a may overlap.
  • the expression "center” may be the center of a circle when the shape of the bump 40 and the first region 31a is a circle, or may be the center of gravity when the shape is a rectangle.
  • the center of the bump 40 and the center of the first region 31a do not necessarily have to exactly coincide when the piezoelectric layer 10 is viewed in plan, but only need to fall within a certain range.
  • the range for example, when the piezoelectric layer 10 is viewed in plan, the center is a region corresponding to 30% of the area of the bump 40 in the region where the bump 40 is present. Further, for example, when the piezoelectric layer 10 is viewed in plan, a region corresponding to 30% of the area of the first region 31a is the center.
  • the first region 31a may be located within the bump 40.
  • the area of the first region 31a may be larger than the area of the second region 31b. In these cases, the bonding strength of the underbump metal 30 to the piezoelectric layer 10 and the electrode layer 20 can be ensured.
  • the pad portion 22 of the electrode layer 20 has a circular opening, and the under bump metal 30 and the piezoelectric layer 10 are bonded to each other in the opening. That is, the first region 31a is located in the opening.
  • the opening in the electrode layer 20 is not limited to a circular shape, and may have any shape (for example, a rectangle), as long as the pad portion 22 surrounds at least a portion of the first region 31a. That is, it is sufficient that the second region 31b surrounds at least a portion of the first region 31a. Therefore, the possibility that the under bump metal 30 and the electrode layer 20 are electrically connected is increased.
  • the bonding strength between the electrode layer 20 and the bonding layer 31 tends to be higher than the bonding strength between the piezoelectric layer 10 and the bonding layer 31. Therefore, by surrounding the first region with the second region, the bonding strength can be increased.
  • the thick piezoelectric layer 10 is bonded to the support substrate 50, and the piezoelectric layer 10 is ground thin.
  • the piezoelectric layer 10 may be formed on the support substrate 50 using any method such as vapor deposition, plating, or sputtering.
  • a conductive layer is formed on the piezoelectric layer 10 using any method such as vapor deposition, plating, or sputtering (first step). After that, in order to form a predetermined shape (IDT electrode part 21 and pad part 22) on the conductive layer, a mask is applied, and a part of the conductive layer is removed by wet etching or dry etching to form the electrode layer 20. (2nd step).
  • a pattern of the under bump metal 30 is formed using any method such as vapor deposition, plating, or sputtering so as to be in contact with the openings of the piezoelectric layer 10 and the electrode layer 20 (third step). .
  • the third step may be performed without performing the oxide film removal and smoothing treatment on the upper surface of the electrode layer. This is because the third step is performed immediately after the second step, so there is not enough time for the electrode layer 20 to oxidize.
  • bumps 40 are formed on the under bump metal 30 (fourth step).
  • the bonding surface between the piezoelectric layer 10 and the under bump metal 30 is kept clean, so that stable bonding can be achieved without cleaning.
  • FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of an elastic wave device 1a according to Embodiment 3 of the present disclosure.
  • the electrode layer 20a has a low resistance layer 23 added to the electrode layer 20.
  • the low resistance layer 23 is an aluminum film formed on the top of the pad portion 22 .
  • the resistance of the wiring from the pad section 22 to the IDT electrode section 21 can be reduced, and the effect of reducing power consumption can be obtained. Furthermore, this reduces heat generation and reduces resistance, improving loss characteristics.
  • the interface between the low resistance layer 23 and the bonding layer 31 corresponds to the second region 31b.
  • the under bump metal 30 has the bonding layer 31 in both the first region 31a and the second region 31b, but the bonding layer 31 may not be provided in the second region 31b. That is, the electrode layer 20 and the metal layer 32 may be joined in the second region 31b.
  • the first region is located at the opening of the pad portion 22 and the second region is arranged to surround the first region in plan view, but the present invention is not limited thereto.
  • the first region may be formed around the pad section 22 connected to the IDT electrode section 21, excluding the wiring section to the IDT electrode section 21. That is, the second region is surrounded by the first region, and the first region has a C-shape.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer, an electrode layer located on the top surface of the piezoelectric layer, an underbump metal, and a bump, and the underbump metal is attached to the piezoelectric layer. It has a first region to be bonded and a second region to be bonded to the electrode layer, and when the piezoelectric layer is viewed in plan, at least a portion of the first region and at least a portion of the bump overlap. .
  • the first region may be located within the bump when the piezoelectric layer is viewed in plan.
  • the first region is located within the bump when viewed in plan, the bump and the first region overlap, making it possible to ensure the stability of the bonding strength.
  • the area of the first region may be larger than the area of the second region.
  • the second region can ensure the bonding strength between the electrode layer and the underbump metal, and the first region can stably bond the underbump metal to the piezoelectric layer.
  • the second region may surround the first region.
  • the under bump metal and the electrode layer can be bonded to each other by the second region, making it easy to ensure conduction. Further, according to the above configuration, the second region surrounds the first region, so that bonding strength can be ensured.
  • the electrode layer includes an IDT electrode section and a pad section, and the first electrode layer is provided in the opening of the pad section. A region may be located.
  • the material of the upper surface of the electrode layer may include aluminum.
  • the acoustic wave device in any one of aspects 1 to 6, may not include a layer that joins the electrode layer and the under bump metal in the second region.
  • the piezoelectric layer is made of lithium tantalate or lithium niobate
  • the under bump metal is made of chromium or titanium. It may have a layer of
  • the under bump metal can be stably joined.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device includes a first step of providing a conductive layer on a piezoelectric layer, and a second step of removing a portion of the conductive layer to form an electrode layer. a third step of forming an under bump metal in contact with the openings of the piezoelectric layer and the electrode layer; and a fourth step of forming a bump on the under bump metal.
  • the area where the piezoelectric layer is formed is covered by the electrode layer in the second step, so that the bonding surface between the piezoelectric layer and the underbump metal is kept clean.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device according to an aspect 10 of the present disclosure is provided in any one of the aspects 1 to 9, in which oxide film removal and smoothing treatment on the upper surface of the electrode layer is not performed before the third step. You can.
  • the communication device can be filtered by the elastic wave device.

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Abstract

電極層とアンダーバンプメタルとの接合強度を確保できる。圧電層と、圧電層の上面に位置する電極層と、アンダーバンプメタルと、バンプと、を有し、アンダーバンプメタルは、圧電層に直接接合する第１領域と、電極層に接合する第２領域と、を有し、圧電層を平面視したときに、第１領域の少なくとも一部と、バンプの少なくとも一部が重なる。

Description

弾性波装置、弾性波装置の製造方法、および通信装置
　本開示は弾性波装置に関する。
　近年、弾性波装置の小型化のために、フリップチップボンディング方式により組み立てられた弾性波装置が広く用いられている。この方式では、弾性波装置を構成している圧電層上の電極パッドにバンプが形成され、該バンプを介して電極層と、パッケージに設けられた入出力電極パッドあるいはグラウンド電極パッドと、が電気的に接続されると共に、機械的に接合されている。
日本国公開特許公報特開２００２－２６１５６０号公報
　本開示の一態様に係る弾性波装置は、圧電層と、前記圧電層の上面に位置する電極層と、アンダーバンプメタルと、バンプと、を有し、前記アンダーバンプメタルは、前記圧電層に直接接合する第１領域と、前記電極層に接合する第２領域と、を有し、前記圧電層を平面視したときに、前記第１領域の少なくとも一部と、前記バンプの少なくとも一部と、が重なる。
本開示の実施形態１に係る弾性波装置の断面構造図である。 本開示の実施形態１に係る弾性波装置の平面図である。 本開示の実施形態３に係る弾性波装置の断面構造図である。 一般的な弾性波装置の断面構造図である。
　バンプは、弾性波装置とパッケージとを電気的に接続する機能だけではなく、機械的に弾性波装置をパッケージに固定する機能をも果たす。しかし従来、弾性波装置とバンプとの間の接合の強度が必ずしも十分ではないことがあった。
　〔実施形態１〕
　以下、本開示の一側面に係る実施の形態（以下、「本実施形態」とも表記する）を、図面に基づいて説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
　（比較例：一般的な弾性波装置の断面構造）
　図４は、一般的な弾性波装置１００の断面構造図である。弾性波装置１００は、支持基板５０と、圧電層１０と、電極層１２０と、アンダーバンプメタル１３０と、バンプ４０と、を備え、これらが重畳している。
　圧電層１０は、圧電材料で形成された薄膜である。圧電材料としては、ＬＴ（タンタル酸リチウム：ＬｉＴａＯ３）またはＬＮ（ニオブ酸リチウム：ＬｉＮｂＯ３）などが挙げられる。また、圧電層１０としては、水晶などの圧電単結晶、またはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスであってもよい。本実施形態では、ＬＴを用いる。
　圧電層１０は、支持基板５０の上に形成される。また、支持基板５０には、圧電層１０との間に空洞部が備わっていてもよい。圧電層１０と、支持基板５０との間に、薄いＳｉＯ２層があってもよいし、例えばＳｉＯ２である、複数の低音響インピーダンス層と、例えばＨｆＯ２である、複数の高音響インピーダンス層を交互に積層した、音響反射膜を有していてもよい。また、支持基板５０を有さず、十分な厚さを有する圧電層１０であってもよい。
　電極層１２０は、ＩＤＴ電極部２１と、パッド部１２２とを備える。電極層２０は、アルミニウムを含む材料を用いることが一般的であり、本実施形態ではアルミニウム合金（ＡｌＣｕ）の膜をエッチングすることによってパターン形成される。また、電極層１２０は、銅（Ｃｕ）などの他の金属または合金を用いて形成しても構わない。
　ＩＤＴ電極部２１は、弾性波装置において、弾性波を発生させる櫛形電極である。ＩＤＴ電極部２１は、一対の交流電圧を印加する電極から構成される。パッド部１２２は、ＩＤＴ電極部２１と接続される。
　アンダーバンプメタル１３０は、下地層である。アンダーバンプメタル１３０は、接合層１３１と、金属層１３２と、溶融層３３と、を備え、この順で重畳する。
　アルミニウムは酸化し易いため、アルミニウム合金から構成される電極層１２０上に、密着性良くバンプ４０を接合させることができない。
　そのため、アンダーバンプメタル３０は、電極層１２０とバンプ４０との間に、中間層として挿入され、両者の仲立ちをする。アンダーバンプメタル１３０では、接合層１３１、金属層１３２、および溶融層３３がほぼ一様な厚さで形成されている特徴を有する。
　接合層１３１は、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）などであり、アルミニウム合金と他の金属との接合を強化する役割をもつ。金属層１３２は、ニッケル（Ｎｉ）などであり、アンダーバンプメタルとしての耐食性と導電性を担保するメッキである。また、金属層１３２は、後述するバンプ４０の溶融時に、バンプ４０の拡散を低減する。溶融層３３は、バンプ４０の濡れをよくするための層であり、金（Ａｕ）などが用いられる。
　バンプ４０は、いわゆる半田であり、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、および銅（Ｃｕ）などによって構成される。バンプ４０は、溶融層３３と交じり合い結合する。溶融層３３は、バンプ接合後は、バンプ４０と一体となって、バンプ４０との境界が明確でないことがある。
　アルミニウムおよびアルミニウム合金は酸化し易いために、アンダーバンプメタル１３０を介して、電極層１２０とバンプ４０とを接合するが、これらの界面は酸化し易く、接合強度を出し辛い。特に酸化の状況によっては、電極層１２０とアンダーバンプメタル１３０との界面において、接合強度を出せないことがあるために、弾性波装置１００全体での接合強度の安定性が低いといえる。
　（断面構造）
　次に実施形態１に係る弾性波装置１に関して説明する。図１は、本開示の実施形態１に係る弾性波装置１の断面構造図である。弾性波装置１は、弾性波装置１００と同様に、支持基板５０と、圧電層１０と、電極層２０と、アンダーバンプメタル３０と、バンプ４０と、を備える。弾性波装置１と弾性波装置１００とでは、電極層２０、１２０およびアンダーバンプメタル３０、１３０の構成が異なっている。
　電極層２０は、ＩＤＴ電極部２１と、パッド部２２とを備える。電極層２０と比較例の電極層１２０とは、パッド部２２の形状が異なっている。
　パッド部２２は、中央に開口を有する。開口の形状は制限されず、例えば円形であってもよい。
　アンダーバンプメタル３０は、接合層３１と、金属層３２と、溶融層３３と、を備え、この順で重畳する。つまり、アンダーバンプメタル３０とアンダーバンプメタル１３０とは、接合層、および金属層の形状が異なっている。
　接合層３１は、パッド部２２の開口に入り込むように形成される。また、金属層３２は、接合層３１のさらに上に、パッド部２２の開口と同様の形状を成しながら、接合層３１の凹部を塞ぐように形成される。
　（第１領域３１ａおよび第２領域３１ｂ）
　その結果、接合層３１と圧電層１０とが直接接合する第１領域３１ａと、接合層３１と電極層２０とが接合する第２領域３１ｂと、が形成される。
　上述したようにアルミニウム合金は酸化し易い性質をもつために、電極層２０の界面の表面性状は不安定である。そのため、酸化の状況によっては、電極層２０のアルミニウム合金と接合層３１のクロムが接合しないことがある。対して、接合層３１に用いられるクロムと、圧電層１０のＬＴとでは、接合強度が安定して（一定の強度で）出せる。そのため、第１領域３１ａにおいて、接合層３１と圧電層１０とを接合させることによって、弾性波装置１における接合強度を強くすることができる。すなわち、弾性波装置１は、弾性波装置１００よりも接合強度が高く、アンダーバンプメタル３０が剥離し辛い。
　また、第２領域３１ｂにおいて電極層２０のアルミニウム合金が接合層３１のクロムと密着することによって、電極層２０とアンダーバンプメタル３０との導通を確保している。
　したがって、弾性波装置１では、第１領域３１ａにおいて、アンダーバンプメタル３０の接合強度を確保し、第２領域３１ｂにおいて、アンダーバンプメタル３０の導通を確保している。
　（平面視した場合での配置）
　図２は、本開示の実施形態１に係る弾性波装置１の平面図である。図２に示すように、圧電層１０を平面視したときに、第１領域３１ａの少なくとも一部と、バンプ４０の少なくとも一部とが重なっている。そのため、平面視におけるバンプ４０の接合箇所での、アンダーバンプメタル３０と圧電層１０との接合強度の安定性を確保することができる。その結果、アンダーバンプメタル３０と電極層２０とを強固に接合することができるようになる。
　ここで、比較例では、機械的強度の担保は、電極層２０と接合層３１との間の接合強度で担保しているが、電極層２０に用いられるアルミニウムの表面性状が悪いために、接合強度を出し辛い欠点があった。対して、本実施形態では、第１領域において、直接圧電層１０と接合層３１とが接合しており、当該第１領域の接合強度でもって機械的強度を担保している。すなわち、圧電層１０を平面視したときに、第１領域３１ａがバンプ４０の中に位置する。
　また、圧電層１０を平面視したときに、バンプ４０の中心と第１領域３１ａの中心とが重なってもよい。中心という表現は、バンプ４０および第１領域３１ａの形状が円の場合は円の中心であってもよく、形状が矩形の場合は重心であってもよい。また、必ずしもバンプ４０の中心と第１領域３１ａの中心とが、圧電層１０を平面視したときに厳密に一致する必要はなく、ある一定の範囲に収まればよい。範囲としては、例えば圧電層１０を平面視した際に、バンプ４０が存在する領域のうち、バンプ４０の面積のうち、中央の３０％の面積に当たる領域が中心である。また、例えば、圧電層１０を平面視した際に、第１領域３１ａの面積のうち、中央の３０％の面積に当たる領域が中心である。
　また、圧電層１０を平面視したときに、第１領域３１ａが、バンプ４０の中に位置してもよい。
　さらに、第１領域３１ａの面積が第２領域３１ｂの面積よりも大きくてもよい。これらの場合、アンダーバンプメタル３０の圧電層１０および電極層２０に対する接合強度を確保することができる。
　電極層２０のパッド部２２は、円形に開口を有し、当該開口において、アンダーバンプメタル３０と圧電層１０とが接合する。すなわち、当該開口に第１領域３１ａが位置する。電極層２０における開口は円形に限定されず、任意の形状（例えば矩形）でもよく、パッド部２２が第１領域３１ａの少なくとも一部を囲っていればよい。すなわち、第２領域３１ｂが、第１領域３１ａの少なくとも一部を囲っていればよい。そのため、アンダーバンプメタル３０と電極層２０とが導通する可能性を高める。
　また、安定性に欠けるものの、電極層２０と接合層３１との接合強度は、圧電層１０と接合層３１との接合強度よりも、高い傾向がある。そのため、第２領域が第１領域を囲うことによって、接合強度を高めることができる。
　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　支持基板５０に対して、厚い圧電層１０を接合し、圧電層１０を薄く研削する。または、支持基板５０に対し、蒸着、メッキ、またはスパッタなどの何れかの方法を用いて圧電層１０を形成してもよい。
　圧電層１０の上に、蒸着、メッキ、またはスパッタなどの何れかの方法を用いて導電層を形成する（第１工程）。その後、導電層に所定の形状（ＩＤＴ電極部２１およびパッド部２２）を形成するために、マスクを行い、ウェットエッチングまたはドライエッチングによって、導電層の一部を除去して、電極層２０を形成する（第２工程）。
　その後、マスクを行い、圧電層１０および電極層２０の開口に接するように、蒸着、メッキ、またはスパッタなどの何れかの方法を用いて、アンダーバンプメタル３０のパターンを形成する（第３工程）。
　第２工程の後に、電極層上面の酸化被膜除去および平滑化処理を行わずに第３工程を行ってもよい。これは、第２工程の直後に第３工程を行うため、電極層２０が酸化するのに十分な時間がないためである。
　その後、アンダーバンプメタル３０の上に、バンプ４０を形成する（第４工程）。
　したがって、第３工程の前に、圧電層１０とアンダーバンプメタル３０との接合面が清浄に保たれるため、クリーニングを行わなくても、安定的に接合することができる。
　〔実施形態３〕
　図３は、本開示の実施形態３に係る弾性波装置１ａの断面構造図である。実施形態３では、電極層２０ａは、電極層２０に対して、低抵抗層２３が追加されている。低抵抗層２３は、パッド部２２の上部に形成されるアルミニウムの膜である。
　低抵抗層２３を形成することによって、パッド部２２からＩＤＴ電極部２１に至る配線の抵抗を低減することができ、消費電力を低減する効果が得られる。また、これにより、発熱が低減され、抵抗が小さくなるため、ロス特性が向上する。
　本実施形態では、パッド部２２と接合層３１との界面に加え、低抵抗層２３と接合層３１との界面が、第２領域３１ｂに対応する。
　〔変形例〕
　実施形態１から３では、第１領域３１ａおよび第２領域３１ｂともにアンダーバンプメタル３０が接合層３１を有したが、第２領域３１ｂでは接合層３１を有しなくてもよい。すなわち、第２領域３１ｂにおいて、電極層２０と金属層３２とが接合していてもよい。
　実施形態１から３では、平面視において、第１領域がパッド部２２の開口に位置し、第２領域が第１領域を囲うように配置されたが、これに限定されない。例えば、ＩＤＴ電極部２１と接続しているパッド部２２の周りに、ＩＤＴ電極部２１への配線部を除いて、第１領域が形成されていてもよい。すなわち、第２領域が第１領域に囲われており、第１領域がＣ字状の形状をなしている。
　この場合、パッド部２２の外周において、強固に圧電層１０と接合層３１とが接合しているために、圧電層１０と接合層３１との接合面の外周から徐々に剥離していくことを防ぐことができる。
　実施形態１から３では、弾性波装置としてＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）を対象として記載したが、これに限定されない。例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）であってもよい。
　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る弾性波装置は、圧電層と、前記圧電層の上面に位置する電極層と、アンダーバンプメタルと、バンプと、を有し、前記アンダーバンプメタルは、前記圧電層に接合する第１領域と、前記電極層に接合する第２領域と、を有し、前記圧電層を平面視したときに、前記第１領域の少なくとも一部と、前記バンプの少なくとも一部が重なる。
　上記の構成によれば、平面視におけるバンプ接合箇所での、アンダーバンプメタルと圧電層との接合強度の安定性を確保することができる。その結果、アンダーバンプメタルと電極層とを強固に接合することができるようになる。
　本開示の態様２に係る弾性波装置は、前記態様１において、前記圧電層を平面視したときに、前記第１領域が、前記バンプの中に位置してもよい。
　上記の構成によれば、平面視したときに、第１領域がバンプの中に位置するため、バンプと第１領域とが重なることになり、接合強度の安定性を確保することができる。
　本開示の態様３に係る弾性波装置は、前記態様１または２において、前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積よりも大きくてもよい。
　上記の構成によれば、第２領域によって、電極層とアンダーバンプメタルとの接合強度を確保しつつ、第１領域によってアンダーバンプメタルを圧電層に安定して接合することができる。
　本開示の態様４に係る弾性波装置は、前記態様１から３のいずれか１つにおいて、前記第２領域が、前記第１領域を囲っていてもよい。
　上記の構成によれば、第２領域によって、アンダーバンプメタルと電極層とを接合することができ、導通を確保し易い。また、上記の構成によれば、第２領域が第１領域を囲うことによって、接合強度を確保することができる。
　本開示の態様５に係る弾性波装置は、前記態様１から４のいずれか１つにおいて、前記電極層は、ＩＤＴ電極部と、パッド部とを有し、前記パッド部の開口に前記第１領域が位置してもよい。
　上記の構成によれば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）でも作成することができる。
　本開示の態様６に係る弾性波装置は、前記態様１から５のいずれか１つにおいて、前記電極層の上面の材料は、アルミニウムを含んでもよい。
　上記の構成によれば、接合が安定し辛いアルミニウムの表面であっても、接合を安定化させることができる。
　本開示の態様７に係る弾性波装置は、前記態様１から６のいずれか１つにおいて、前記第２領域に前記電極層と前記アンダーバンプメタルとを接合する層を有しなくてもよい。
　上記の構成によれば、接合層がなくても安定して接合することができる。
　本開示の態様８に係る弾性波装置は、前記態様１から７のいずれか１つにおいて、前記圧電層は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムによって構成され、前記アンダーバンプメタルには、クロムまたはチタンの層を有してもよい。
　上記の構成によれば、アンダーバンプメタルを安定して接合することができる。
　本開示の態様９に係る弾性波装置の製造方法は、圧電層上に導電層を設ける第１工程と、前記導電層の一部を除去することで、電極を形成した電極層とする第２工程と、前記圧電層および前記電極層の開口に接する、アンダーバンプメタルを形成する第３工程と、前記アンダーバンプメタルの上にバンプを形成する第４工程と、を含む。
　上記の構成によれば、第２工程によって、電極層によって圧電層が形成される領域がカバーされることによって、圧電層とアンダーバンプメタルとの接合面が清浄に保たれる。
　本開示の態様１０に係る弾性波装置の製造方法は、前記態様１から９のいずれか１つにおいて、前記第３工程の前に、前記電極層上面の酸化被膜除去および平滑化処理を行わなくてもよい。
　上記の構成によれば、圧電層とアンダーバンプメタルとの接合面が清浄に保たれるため、クリーニングを行わなくても、安定的に接合することができる。
　上記の構成によれば、通信装置は、弾性波装置によってフィルタすることができる。
　〔付記事項〕
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。
　１、１ａ、１００　弾性波装置
　１０　圧電層
　２０、１２０　電極層
　２１　ＩＤＴ電極部
　２２、１２２　パッド部
　２３　低抵抗層
　３０、１３０　アンダーバンプメタル
　３１、１３１　接合層
　３１ａ　第１領域
　３１ｂ　第２領域
　３２、１３２　金属層
　３３　溶融層
　４０　バンプ
　５０　支持基板

Claims (10)

  1. 　圧電層と、
    　前記圧電層の上面に位置する電極層と、
    　アンダーバンプメタルと、
    　バンプと、を有し、
    　前記アンダーバンプメタルは、
    　　前記圧電層に接合する第１領域と、
    　　前記電極層に接合する第２領域と、を有し、
    　前記圧電層を平面視したときに、前記第１領域の少なくとも一部と、前記バンプの少なくとも一部が重なる、弾性波装置。
  2. 　前記圧電層を平面視したときに、前記第１領域が、前記バンプの中に位置する、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第２領域が、前記第１領域を囲っている、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記電極層は、ＩＤＴ電極部と、パッド部とを有し、
    　前記パッド部の開口に前記第１領域が位置する、請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記電極層の上面の材料は、アルミニウムを含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第２領域に前記電極層と前記アンダーバンプメタルとを接合する層を有しない、請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電層は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムによって構成され、
    　前記アンダーバンプメタルには、クロムまたはチタンの層を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　圧電層上に導電層を設ける第１工程と、
    　前記導電層の一部を除去することで、電極を形成した電極層とする第２工程と、
    　前記圧電層および前記電極層の開口に接する、アンダーバンプメタルを形成する第３工程と、
    　前記アンダーバンプメタルの上にバンプを形成する第４工程と、を含む弾性波装置の製造方法。
  10. 　前記第２工程の後に、前記電極層上面の酸化被膜除去および平滑化処理を行わずに前記第３工程を行う、請求項９に記載の製造方法。
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