WO2023128047A1 - 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물 - Google Patents

면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물 Download PDF

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문종택
권용덕
유병욱
이상민
문승일
김기수
이규현
현다솜
심수진
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주식회사 그래핀랩
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Definitions

  • the present invention relates to an etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance, and more particularly, to an etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance, which exhibits an effect of significantly reducing the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition.
  • Graphene produced through chemical vapor deposition is usually produced from copper or nickel copper foil. Therefore, copper or nickel undergoes a process of etching. In particular, since nickel forms multi-layer graphene, copper is advantageous in forming single-layer graphene, so etching of the copper thin film is very important.
  • Graphene grown on a copper thin film can be etched by various methods. Etching solutions using ammonium persulfate (APS), cerium ammonium nitrate (CAN), and nitric acid are etched on the surface of the copper thin film. After synthesizing graphene through chemical vapor deposition, a transfer process is essential for deviceization. The transfer process consists of three steps: coating a polymer thin film on top of graphene, etching and cleaning the copper thin film.
  • APS ammonium persulfate
  • CAN cerium ammonium nitrate
  • nitric acid are etched on the surface of the copper thin film.
  • the copper etching solution most commonly used is an aqueous solution of iron chloride (FeCl 3 ) having a mass concentration of 30%, an aqueous solution of cerium ammonium nitrate, and an aqueous solution of a mixture of acetic acid and nitric acid.
  • FeCl 3 iron chloride
  • the iron chloride aqueous solution exhibits a fast etching rate, but has problems in that cleaning takes a long time and a lot of metal residues remain under graphene.
  • cerium ammonium nitrate is very slow when etching copper, and cerium metal remains between graphene grain boundaries or under graphene without being cleaned.
  • the aqueous mixture of acetic acid and nitric acid has a disadvantage in that intercalation occurs at grain boundaries of graphene during etching and graphene may be oxidized.
  • An object of the present invention is to provide an etchant composition for producing graphene having low sheet resistance, which exhibits an effect of significantly reducing the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition.
  • An object of the present invention is achieved by providing an etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance, characterized in that it consists of sulfuric acid, hydrogen peroxide, an N-heterocyclic aromatic compound, aromatic boric acid, and purified water.
  • the etchant composition for preparing graphene having a low sheet resistance contains 9 to 11% by weight of sulfuric acid, 3 to 4% by weight of hydrogen peroxide, 2 to 4% by weight of an N-heterocyclic aromatic compound, and 1.5 to 2.5% by weight of aromatic boric acid. % and the remaining amount of purified water.
  • the etchant composition for preparing graphene having a low sheet resistance is composed of 10% by weight of sulfuric acid, 3.5% by weight of hydrogen peroxide, 3% by weight of an N-heterocyclic aromatic compound, 2% by weight of aromatic boric acid, and the remaining amount of purified water. do.
  • the N-heterocyclic aromatic compound is made of benzoimidazole or benzotriazole.
  • the aromatic boric acid is made of phenyl boric acid.
  • the etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance according to the present invention exhibits an excellent effect of significantly reducing the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition.
  • Figure 2 is a graph showing sheet resistance of graphene prepared through Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Examples 5 to 9 of the present invention measured.
  • the etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance according to the present invention is composed of sulfuric acid, hydrogen peroxide, an N-heterocyclic aromatic compound, an aromatic boric acid, and purified water, and contains 9 to 11% by weight of sulfuric acid, 3 to 4% by weight of hydrogen peroxide, and N-heterocyclic aromatic compounds. It is preferably composed of 2 to 4% by weight of an aromatic compound, 1.5 to 2.5% by weight of aromatic boric acid, and the remaining amount of purified water.
  • the sulfuric acid contains 9 to 11% by weight, removes the copper oxide film present on the surface of the seed layer to be etched, and serves to promote etching.
  • the etching rate of copper slows down and the time required for the seed layer removal process becomes too long. If the sulfuric acid content exceeds 11% by weight, the etching rate, etching effect, and undercut suppression effect is undesirable because it increases production cost and increases the amount of wastewater generated without greatly improving.
  • the hydrogen peroxide contains 3 to 4% by weight, and serves as an oxidizing agent to oxidize copper (Cu) contained in the seed layer.
  • Cu copper
  • the oxidizing power to copper of the etchant composition prepared through the present invention is weakened and the etching performance is reduced.
  • side attack and undercut on the copper seed layer may occur due to an excessively increased etching rate.
  • the N-heterocyclic aromatic compound is contained in an amount of 2 to 4% by weight, and serves to improve the etching rate of the copper thin film in the vertical direction and reduce the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition.
  • etching in the spray direction of the spray can be promoted when the spray treatment is performed from above with respect to the surface of the seed layer.
  • the N-heterocyclic aromatic compound is preferably composed of benzoimidazole or benzotriazole.
  • the content of the N-heterocyclic aromatic compound is less than 2% by weight, the above effect is insignificant, and if the content of the N-heterocyclic aromatic compound exceeds 4% by weight, the above effect is not greatly improved and the aromatic An excessively excessive amount is added compared to boric acid, so the effect of reducing the sheet resistance of graphene may be halved.
  • the aromatic boric acid contains 1.5 to 2.5% by weight, and serves to significantly reduce the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition. If the content of the aromatic boric acid is less than 1.5% by weight, the effect is insignificant, , When the content of the aromatic boric acid exceeds 2.5% by weight, the effect of reducing the sheet resistance of graphene is reduced.
  • the aromatic boric acid is preferably composed of phenylboric acid, and the content of the aromatic boric acid is most preferably 66.6 parts by weight compared to 100 parts by weight of the N-heterocyclic aromatic compound.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 3.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 4.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 5.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 6.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 7.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 8.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 9.
  • Graphene was prepared in the same manner as in Example 1, but using the etchant prepared in Preparation Example 10.
  • Sheet resistance of the graphene prepared through Comparative Examples 1 to 4 was measured and shown in FIG. 1 below.
  • the etchant composition for preparing graphene having low sheet resistance significantly reduces the sheet resistance of graphene prepared through chemical vapor deposition.

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Abstract

본 발명은 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 황산, 과산화수소, N-헤테로고리 방향족 화합물, 방향족 붕산 및 정제수로 이루어진다. 상기의 성분으로 이루어지는 식각액 조성물은 화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition)을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 효과를 나타낸다.

Description

면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물
본 발명은 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 효과를 나타내는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물에 관한 것이다.
화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀은 보통 구리나 니켈 동박에서 제조한다. 따라서 구리나 니켈을 식각해야 하는 과정을 거치는데, 특히 니켈은 다층 그래핀을 형성하지만 구리는 단층 그래핀 형성에 유리하므로 구리박막의 식각이 매우 중요하다.
구리박막에서 성장되는 그래핀은 여러 가지 방식에 의하여 에칭될 수 있는데, 과황산암모늄(APS, ammonium persulfate), 질산암모늄세륨(CAN, Cerium Ammonium Nitrate) 및 질산을 이용한 에칭액은 구리 박막의 성부면에 화학기상증착법을 통해 그래핀을 합성한 후, 소자화하기 위해선 전사과정이 필수적이다. 전사과정은 그래핀의 상부에 고분자 박막 코팅, 구리 박막의 식각 및 세정의 3단계으로 이루어진다.
또한, 가장 많이 사용되고 있는 구리 식각액으로는 질량농도 30%의 염화철( FeCl3) 수용액, 질산암모늄세륨 수용액 및 초산과 질산 혼합물의 수용액 등이다.
상기 염화철 수용액은 빠른 식각속도를 나타내지만, 세정이 오래걸리고 그래핀 하부에 금속 잔여물이 많이 잔존하는 문제점이 있었다.
또한, 질산암모늄세륨 수용액은 구리 식각 시 속도가 매우 느리고 그래핀 결정입계 사이 혹은 그래핀 하부에 세륨 금속이 세정되지 않고 잔존하는 문제점이 있었다.
또한, 초산과 질산 혼합물 수용액은 식각 시 그래핀 결정입계에서 인터칼레이션(intercalation)이 발생되며 그래핀이 산화 될 수 있는 단점이 있었다.
그래핀은 결정입계(grain boundary) 등의 결함이 존재하므로 상기에 나열된 식각액을 사용하여 제조되는 종래에 그래핀은 면저항이 매우 높은 문제점이 있는데, 1층 기준으로 800 내지 1K Ω/sq를 나타낸다(Direct Probing of 1/f Noise Origin with Graphene Multilayers: Surface vs. Volume, Guanxiong liu, 2013, applied physics letter, 102).
상기의 문제점을 해소하기 위해, 최근에는 에칭후에 도핑을 실시하는 방법이 이용되고 있는데, 에칭후 도핑을 실시하더라도 제조되는 그래핀의 면저항이 250 내지 300Ω/sq를 나타내어 여전히 높은 문제점이 있었다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
한국특허등록 제10-1798720호(2017.11.10.)
한국특허공개 제10-2018-0036262호(2018.04.09.)
본 발명의 목적은 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 효과를 나타내는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 황산, 과산화수소, N-헤테로고리 방향족 화합물, 방향족 붕산 및 정제수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물을 제공함에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 황산 9 내지 11 중량%, 과산화수소 3 내지 4 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물 2 내지 4 중량%, 방향족 붕산 1.5 내지 2.5 중량% 및 정제수 잔량으로 이루어지는 것으로 한다.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물 3 중량%, 방향족 붕산 2 중량% 및 정제수 잔량으로 이루어지는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 N-헤테로고리 방향족 화합물은 벤조이미다졸 또는 벤조트리아졸로 이루어지는 것으로 한다.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 방향족 붕산은 페닐붕산으로 이루어지는 것으로 한다.
본 발명에 따른 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 탁월한 효과를 나타낸다.
도 1은 비교예 1 내지 4를 통해 제조된 그래핀의 면저항 변화를 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 5 내지 9를 통해 제조된 그래핀의 면저항을 측정하여 나타낸 그래프이다.
이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 발명에 따른 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 황산, 과산화수소, N-헤테로고리 방향족 화합물, 방향족 붕산 및 정제수로 이루어지며, 황산 9 내지 11 중량%, 과산화수소 3 내지 4 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물 2 내지 4 중량%, 방향족 붕산 1.5 내지 2.5 중량% 및 정제수 잔량으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 황산은 9 내지 11 중량%가 함유되며, 에칭 대상의 시드층의 표면에 존재하는 구리 산화막을 제거하며, 에칭을 촉진하는 역할을 한다.
상기 황산의 함량이 9 중량% 미만이면 구리의 에칭 속도가 느려져 시드층 제거 공정에 요하는 시간이 지나치게 길어지며, 상기 황산의 함량이 11 중량%를 초과하게 되면 에청속도나 에칭효과 및 언더컷 억제 효과는 크게 향상되지 않으면서 제조비용을 증가시키고 폐수의 발생량을 증가시키기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 과산화수소는 3 내지 4 중량%가 함유되며, 산화제로서 시드층(seed layer)에 포함되어 있는 구리(Cu)를 산화시키는 역할을 하는데, 본 발명을 통해 제조되는 식각액과 접촉하는 시드층의 표면에는 산화구리막(CuO)이 형성된다.
상기 과산화수소의 함량이 3 중량% 미만이면 본 발명을 통해 제조되는 식각액 조성물의 구리에 대한 산화력이 약해져 식각 성능이 감소되고, 과산화수소의 함량이 4 중량%를 초과하게 되면 구리에 대한 산화력이 지나치게 강해질 뿐만 아니라, 식각속도가 지나치게 증가하여 구리 시드층에 대한 사이드 어택 및 언더컷이 발생할 수 있다.
상기 N-헤테로고리 방향족 화합물은 2 내지 4 중량%가 함유되며, 구리박막의 수직방향의 에칭속도를 향상시킬 뿐만 아니라, 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 감소시키는 역할을 한다.
특히, 스프레이 처리를 행한 경우, 시드층의 면에 대하여 상측으로부터 스프레이 처리를 행한 경우에, 스프레이의 분사 방향의 에칭을 촉진할 수 있다.
이때, 상기 N-헤테로고리 방향족 화합물은 벤조이미다졸 또는 벤조트리아졸로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 N-헤테로고리 방향족 화합물의 함량이 2 중량% 미만이면 상기의 효과가 미미하며, 상기 N-헤테로고리 방향족 화합물의 함량이 4 중량%를 초과하게 되면 상기의 효과는 크게 향상되지 않으면서 상기 방향족 붕산에 비해 지나치게 과량이 첨가되어 그래핀의 면저항 감소효과가 반감될 수 있다.
상기 방향족 붕산은 1.5 내지 2.5 중량%가 함유되며, 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 역할을 하는데, 상기 방향족 붕산의 함량이 1.5 중량% 미만이면 상기의 효과가 미미하며, 상기 방향족 붕산의 함량이 2.5 중량%를 초과하게 되면 그래핀의 면저항 감소효과가 저하된다.
이때, 상기 방향족 붕산은 페닐붕산(phenylboric acid)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 방향족 붕산의 함량은 상기 N-헤테로고리 방향족 화합물 100 중량부 대비 66.6 중량부가 함유되는 것이 가장 바람직하다.
이하에서는, 본 발명에 따른 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 식각액 조성물의 물성을 실시예를 들어 설명하기로 한다.
<제조예 1>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 3 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 2 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 2>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 0.75 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 3>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 1.50 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 4>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 2.25 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 5>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 3.0 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 6>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 3 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 1 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 7>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 1 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 1 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 8>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 1 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 2 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 9>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 1 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 3 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<제조예 10>
황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물(벤조트리아졸) 1 중량%, 방향족 붕산(페닐붕산) 4 중량% 및 정제수 잔량을 혼합하고 150rpm의 속도로 10분 동안 교반하여 식각액 조성물을 제조하였다.
<실시예 1>
동박에 아르곤과 수소를 흘려주어 동박표면을 산화시킨 후에 1000℃의 온도에서 메탄가스와 수소를 주입하여 그래핀을 성장시키고, 성장된 그래핀을 냉각한 후에 TRF(thermal release film)을 코팅하고 제조예 1을 통해 제조된 식각액으로 식각하고, 식각 후에 초순수 정제수로 세척하고 질소로 건조하며, 건조 후에는 폴리에틸렌테레프탈레이트에 코팅 후 120℃의 온도에서 TFR를 제거하여 폴리에틸렌테레프탈레이트에 전사된 그래핀을 제조하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 2를 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 2>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 3을 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 3>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 4를 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 4>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 5를 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 5>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 6을 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 6>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 7을 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 7>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 8을 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 8>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 9를 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
<비교예 9>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 상기 제조예 10을 통해 제조된 식각액을 사용하여 그래핀을 제조하였다.
상기 비교예 1 내지 4를 통해 제조된 그래핀의 면저항을 측정하여 아래 도 1에 나타내었다.
아래 도 1에 나타낸 것처럼, N-헤테로고리 방향족 화합물 성분이 증가된 식각액을 사용하면 제조되는 그래핀의 면저항이 줄어들었으나, N-헤테로고리 방향족 화합물 성분을 계속적으로 증가시켜도 270ohm/sq의 면저항 아래로는 감소되지 않았다.
상기 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 5 내지 9를 통해 제조된 그래핀의 면저항을 측정하여 아래 도 2에 나타내었다.
아래 도 2에 나타낸 것처럼, N-헤테로고리 방향족 화합물 성분만을 사용한 식각액에 비해 N-헤테로고리 방향족 화합물과 방향족 붕산이 혼합된 식각액의 면저항이 더욱 감소되는 것을 알 수 있는데, N-헤테로고리 방향족 화합물과 방향족 붕산이 3:2의 비율로 혼합된 실시예 1의 경우에 가장 우수한 면저항 감소효과를 나타내었다.
이때, N-헤테로고리 방향족 화합물에 비해 방향족 붕산의 혼합량이 2배를 초과하게 되는 비교예 8 내지 9를 보면 제조되는 그래핀의 면저항이 오히려 증가하는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 것을 알 수 있다.
화학기상증착법을 통해 제조되는 그래핀의 면저항을 현저하게 감소시키는 효과를 나타내는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 황산, 과산화수소, N-헤테로고리 방향족 화합물, 방향족 붕산 및 정제수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물은 황산 9 내지 11 중량%, 과산화수소 3 내지 4 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물 2 내지 4 중량%, 방향족 붕산 1.5 내지 2.5 중량% 및 정제수 잔량으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물 황산 10 중량%, 과산화수소 3.5 중량%, N-헤테로고리 방향족 화합물 3 중량%, 방향족 붕산 2 중량% 및 정제수 잔량으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 N-헤테로고리 방향족 화합물은 벤조이미다졸 또는 벤조트리아졸로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 방향족 붕산은 페닐붕산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면저항이 낮은 그래핀 제조용 식각액 조성물.
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