WO2023120127A1 - 熱電変換モジュール - Google Patents

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大助 志水
増美 山本
唯 齋藤
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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Definitions

  • thermoelectric conversion modules The present disclosure relates to thermoelectric conversion modules.
  • thermoelectric conversion module is used by being installed on an object, but the installation surface on which the thermoelectric conversion module is installed is not necessarily flat.
  • the thermoelectric conversion module should be installed on the curved outer surface of the exhaust pipe or drainage pipe. Become. Further, when installing the thermoelectric conversion module on a cylindrical radiator, the thermoelectric conversion module is installed on the curved outer surface of the radiator.
  • thermoelectric conversion elements 30 sandwiched between the first substrate 10 and the second substrate 20 are electrically connected to each other by the first electrodes 12 of the first substrate 10 and the second electrodes 22 of the second substrate 20. there is A plurality of thermoelectric conversion elements 30 are joined to the first electrode 12 and the second electrode 22 . Specifically, the plurality of thermoelectric conversion elements 30 are joined to the first electrode 12 and the second electrode 22 via a conductive adhesive such as solder.
  • the row electrode 12a is a first bridging electrode that spans the first row and the second row adjacent to the first row (that is, two adjacent rows).
  • the column electrode 12b is a second bridging electrode that spans the first column and the second column adjacent to the first column (that is, two adjacent columns).
  • the first metal film 13 is a metal layer made of a metal material such as copper or aluminum.
  • the first metal film 13 is made of copper.
  • the first metal film 13 is a copper thin film formed in a thin film shape.
  • the thickness of the first metal film 13 is not particularly limited, it is, for example, 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the second metal film 23 like the first metal film 13 of the first substrate 10, is in an electrically floating state (floating state). In other words, no voltage is applied to the second metal film 23 , and no current for operating the thermoelectric conversion element 30 flows through the second metal film 23 .
  • the second resin thin film 21 has connecting portions 21d that connect the divided regions divided by the slits 21c.
  • the connecting portion 21d functions as a connecting portion that connects the divided regions.
  • the connecting portion 21d connects two adjacent divided areas among the plurality of divided areas. Specifically, in the plurality of divided areas, two adjacent divided areas are continuously connected by two connecting portions 21d. In this case, both ends in the X direction of two adjacent divided regions are connected by connecting portions 21d.
  • the second resin thin film 21 is divided into 13 divided regions, so the 13 divided regions are connected by 24 connecting portions 21d.
  • the connecting portion 21d protrudes outward from the outline of the first substrate 10 on the extending line of the slit 21c in the extending direction. Specifically, the connecting portion 21 d protrudes outward from the contour line of the first resin thin film 11 , which is the contour line of the first substrate 10 . The connecting portion 21d protrudes outward from the long side of the rectangular second resin thin film 21 when the connecting portion 21d is removed. In this way, by projecting the connecting portion 21d outward, the length of the connecting portion 21d can be made longer than the width of the slit 21c.
  • FIG. 7 is a perspective view of a thermoelectric conversion module 1X of a comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state in which the second substrate 20X is omitted in the thermoelectric conversion module 1X of the comparative example.
  • the total length of the two notch portions 12b1 in the X direction is preferably 1/2 or less of the width of the column electrode 12b.
  • the length of one notch portion 12b1 in the X direction is preferably 1/2 or less of the width of the column electrode 12b.
  • thermoelectric conversion module 1 can be more easily deformed in one specific direction.
  • thermoelectric conversion module that is deformable in a specific direction, but is also deformable in a direction that intersects with the specific direction. Therefore, when the installation surface is a convex curved surface whose outer diameter changes, such as a human arm (that is, when the installation surface is a three-dimensional surface that curves in a three-dimensional shape), Even if there is, the thermoelectric conversion module can be easily brought into close contact with the installation surface.
  • the degree of bending in one specific direction is greater than the degree of bending in a direction crossing the one specific direction.
  • the structure is such that deformation in one specific direction is easier than in a direction crossing the one specific direction, and the deformation of the thermoelectric conversion module is dominant in one specific direction.
  • thermoelectric conversion module of the present disclosure can be widely applied to various products including products that require cooling.

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

熱電変換モジュール（１）は、第１樹脂薄膜（１１）と第１樹脂薄膜（１１）の一方の面側に設けられた第１電極（１２）とを有する第１基板（１０）と、第２樹脂薄膜（２１）と第２樹脂薄膜（２１）の一方の面側に設けられた第２電極（２２）とを有する第２基板（２０）と、第１基板（１０）と第２基板（２０）との間に行列状に配置された複数の熱電変換素子（３０）と、を備え、第１電極（１２）は、少なくとも第１方向に沿って延在する隙間（１４）を有するように複数に分割されており、第２電極（２２）は、少なくとも前記第１方向に沿って延在する隙間（２５）を有するように複数に分割されており、第２樹脂薄膜（２１）には、第２電極（２２）の隙間（２５）に位置し且つ前記第１方向に沿って延在するスリット（２１ｃ）が形成されており、第２樹脂薄膜（２１）は、スリット（２１ｃ）によって分割された部分同士を繋げる繋ぎ部（２１ｄ）を有する。

Description

熱電変換モジュール
　本開示は、熱電変換モジュールに関する。
　従来から、熱エネルギーと電気エネルギーとの相互変換（つまり熱電変換）を利用した熱電変換技術として、ペルチェ冷却技術及び熱発電技術が知られている。ペルチェ冷却技術は、ペルチェ効果による電気エネルギーから熱エネルギーへの変換を利用した技術であり、ペルチェ式冷蔵庫における庫内冷却、コンピューターなどに用いられるＣＰＵなどの半導体デバイスの冷却、または、光通信用の半導体レーザー発振器の温度制御などに用いられている。一方、熱発電技術は、ゼーベック効果による熱エネルギーから電気エネルギーへの変換を利用した技術であり、排熱エネルギーを回収して利用するエネルギーハーベスト分野などで用いられることが期待されている。
　このような熱電変換技術を用いた熱電変換装置として、各々に電極が設けられた２つの基板と、この２つの基板に挟み込まれた複数のｐ型熱電変換素子及び複数のｎ型熱電変換素子とを備える熱電変換モジュールが知られている。熱電変換モジュールにおいて、２つの基板の各々の電極は、複数のｐ型熱電変換素子及び複数のｎ型熱電変換素子が直列回路で接続されるように、所定のパターンで形成されている。また、２つの基板を構成する基材としては、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどからなるセラミック基板またはガラス繊維を含むエポキシ樹脂からなるガラスエポキシ基板などのリジッド基板が用いられる。
　この種の熱電変換モジュールは、対象物を冷却または加熱するために用いられる（特許文献１、２）。また、熱電変換モジュールは、工場などで生じる排熱を電力に変換するために用いられたりもする。
特開２００９－２６７３１６号公報 特開２０２０－７４３８８号公報 国際公開第２０１６／１７５１４７号
　熱電変換モジュールは、対象物に設置されて用いられるが、熱電変換モジュールが設置される設置面は、必ずしも平面であるとは限らない。例えば、工場などから排出される廃熱を輸送する円筒状の排気パイプまたは排水パイプなどに熱電変換モジュールを取り付ける場合は、排気パイプまたは排水パイプなどの湾曲した外面に熱電変換モジュールを設置することになる。また、円柱状の放熱器に熱電変換モジュールを設置する場合は、放熱器の湾曲した外面に熱電変換モジュールを設置することになる。
　このように、熱電変換モジュールは、平面以外の形状の設置面に設置されることがあるため、設置面の形状に沿うように変形できることが望ましい。例えば、熱電変換モジュールが設置される設置面が曲面である場合、熱電変換モジュールは、設置面に沿って曲面状に変形できることが望ましい。
　しかしながら、従来の熱電変換モジュールは、湾曲状などに変形しにくい構造になっている。例えば、従来の熱電変換モジュールは、行列状に配置された複数の熱電変換素子を挟み込む２つの基板の少なくともに一方に、列方向に並ぶ複数の熱電変換素子に接合された列電極が設けられているとともに、行方向に隣り合う２つの熱電変換素子を橋渡しするために所定の列の熱電変換素子とその隣りの列の熱電変換素子とに接合された行電極（列間を跨ぐ電極）が設けられている。このように、リジッドな列電極及び行電極が形成されたリジッドな基板を備えた従来の熱電変換モジュールは、行列状に配列された熱電変換素子の列方向及び行方向のいずれの方向にも変形しにくい構造になっている。
　そこで、円筒状のパイプの外面に沿って設置できるように、ポリイミド樹脂で形成された２つのフレキシブル基板の一方にスリットを設けることでさらにフレキシブル性を持たせた熱電変換モジュールが提案されている（特許文献３）。
　しかしながら、一般的に、熱電変換モジュールでは、複数のリジッドな熱電変換素子の両端面と２つの基板の各々の電極とが半田によって接合されている。このため、例えば設置面に沿って熱電変換モジュールを曲げる場合、設置面側の一方の基板が設置面に沿って曲がったときに反対側の他方の基板がその一方の基板の曲がりに追従して伸び広がる必要があるが、一般的なポリイミド樹脂で形成されたフレキシブル基板は伸縮性に欠けるので、設置面と密着するように熱電変換モジュールを変形させることが難しい。
　この際、強引に熱電変換モジュールを曲げようとすると、熱電変換素子または基板の電極と熱電変換素子との接合部に過度の応力負荷がかかってしまい、熱電変換素子が破損したり接合部が損傷したりして熱電変換モジュールとしての熱電変換機能が損なわれるおそれがある。具体的には、ペルチェ効果またはゼーベック効果を利用した熱電変換の変換効率が低下するおそれがある。
　このように、従来の熱電変換モジュールの構造では、熱電変換機能を損なわせることなく設置面に沿うように熱電変換モジュールを変形させることが難しい。
　本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、熱電変換機能を損なわせることなく設置面に沿うように容易に変形させることができる熱電変換モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本開示に係る熱電変換モジュールの一態様は、第１樹脂薄膜と前記第１樹脂薄膜の一方の面側に設けられた第１電極とを有する第１基板と、第２樹脂薄膜と前記第２樹脂薄膜の一方の面側に設けられた第２電極とを有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に行列状に配置された複数の熱電変換素子と、を備え、前記第１基板は、前記第１電極が前記複数の熱電変換素子側となるように配置され、前記第２基板は、前記第２電極が前記複数の熱電変換素子側となるように配置され、前記複数の熱電変換素子は、前記第１電極及び前記第２電極に接合されており、前記第１電極は、少なくとも第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されており、前記第２電極は、少なくとも前記第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されており、前記第２樹脂薄膜には、前記第２電極の隙間に位置し且つ前記第１方向に沿って延在するスリットが形成されており、前記第２樹脂薄膜は、前記スリットによって分割された分割領域同士を繋げる繋ぎ部を有する。
　熱電変換機能を損なわせることなく設置面に沿うように容易に変形させることができる熱電変換モジュールを実現できる。
実施の形態に係る熱電変換モジュールの斜視図である。 実施の形態に係る熱電変換モジュールにおいて、第２基板を省略した状態を示す図である。 実施の形態に係る熱電変換モジュールの断面図である。 実施の形態に係る熱電変換モジュールにおける第１基板の構成を示す図である。 実施の形態に係る熱電変換モジュールにおける第２基板の構成を示す図である。 図５の破線で囲まれる領域ＶＩの拡大図である。 比較例の熱電変換モジュールの斜視図である。 比較例の熱電変換モジュールにおいて、第２基板を省略した状態を示す図である。 実施の形態に係る熱電変換モジュールの設置例を示す側面図である。 変形例に係る熱電変換モジュールの設置例を示す側面図である。 熱電変換モジュールの第２基板の変形例を示す図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程及び工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。また、本明細書及び図面において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、三次元直交座標系の三軸を表しており、本実施の形態では、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、Ｚ軸に垂直な方向（ＸＹ平面に平行な方向）を水平方向としている。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交し、且つ、いずれもＺ軸に直交する軸である。本明細書において、Ｚ軸方向が熱電変換モジュール１の高さ方向であり、Ｚ軸正方向が上方向である。また、本明細書において、「上」及び「下」という用語は、必ずしも、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではない。
　（実施の形態）
　まず、実施の形態に係る熱電変換モジュール１の全体の構成について、図１～図３を用いて説明する。図１は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１の斜視図である。図２は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第２基板２０を省略した状態を示す図である。図３は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１の断面図である。なお、図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面を示している。
　図１に示すように、熱電変換モジュール１は、対向する一対の支持基板である第１基板１０及び第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０との間に配置された熱電変換素子３０とを備える。本実施の形態では、第１基板１０と第２基板２０との間に、複数の熱電変換素子３０が配置されている。具体的には、複数の熱電変換素子３０は、行列状に配置されている。熱電変換モジュール１は、第１基板１０と第２基板２０とで複数の熱電変換素子３０をサンドイッチして支持する構成になっている。つまり、複数の熱電変換素子３０は、第１基板１０と第２基板２０とに挟み込まれている。
　複数の熱電変換素子３０は、導電型が異なる第１熱電変換素子と第２熱電変換素子とを含む。本実施の形態において、複数の熱電変換素子３０は、ｐ型の特性を有するｐ型熱電変換素子３０Ｐ（第１熱電変換素子）と、ｎ型の特性を有するｎ型熱電変換素子３０Ｎ（第２熱電変換素子）とを含む。
　第１基板１０と第２基板２０とに挟まれた複数の熱電変換素子３０は、第１基板１０の第１電極１２と第２基板２０の第２電極２２とによって互いに電気的に接続されている。複数の熱電変換素子３０は、第１電極１２及び第２電極２２に接合されている。具体的には、複数の熱電変換素子３０は、半田などの導電性接着剤を介して第１電極１２及び第２電極２２に接合されている。
　本実施の形態において、熱電変換モジュール１は、π型構造である。したがって、ｐ型熱電変換素子３０Ｐとｎ型熱電変換素子３０Ｎとは、交互に配列されて直列接続の関係で電気的に接続されている。具体的には、複数のｐ型熱電変換素子３０Ｐと複数のｎ型熱電変換素子３０Ｎとは、行方向にも列方向にも交互になるように配列されている。つまり、複数のｐ型熱電変換素子３０Ｐと複数のｎ型熱電変換素子３０Ｎとは、上面視において、市松模様で配列されている。そして、熱電変換モジュール１における全てのｐ型熱電変換素子３０Ｐと全てのｎ型熱電変換素子３０Ｎとは、第１基板１０の第１電極１２と第２基板２０の第２電極２２とによって直列接続の関係で電気的に接続されている。したがって、第１基板１０の第１電極１２と第２基板２０の第２電極２２とは、全てのｐ型熱電変換素子３０Ｐと全てのｎ型熱電変換素子３０Ｎとが直列回路で接続されるように、所定のパターンで形成されている。
　ｐ型熱電変換素子３０Ｐ及びｎ型熱電変換素子３０Ｎの各々は、半導体材料によって構成されており、電流を流すとその端面で温度差を発生することが可能である熱電変換特性を持つ柱状の半導体素子である。
　本実施の形態において、ｐ型熱電変換素子３０Ｐ及びｎ型熱電変換素子３０Ｎは、いずれもＢｉＴｅ系材料によって構成されている。一例として、ｐ型熱電変換素子３０Ｐは、ＳｂがドープされたＢｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３によって構成されており、ｎ型熱電変換素子３０Ｎは、ＳｅがドープされたＢｉ２Ｔｅ２．７Ｓｅ０．３によって構成されている。なお、ｐ型熱電変換素子３０Ｐ及びｎ型熱電変換素子３０Ｎを構成する半導体材料は、熱電変換特性を有する物質であれば、ＢｉＴｅ系材料に限るものではなく、例えば、ＣｏＳｂ系材料、ＰｄＴｅ系材料またはＭｎＳｉ系材料などであってもよい。また、ｐ型熱電変換素子３０Ｐ及びｎ型熱電変換素子３０Ｎは、ＢｉＴｅ系材料などの組成に、特性を改善するために各種元素が添加されたものであってもよいし、材料強度を上げるためにカーボンナノチューブ、フラーレンまたはガラスフリットなどの無機物や結着材が含まれたものであってもよい。
　また、本実施の形態において、熱電変換素子３０の形状は、四角柱状であるが、これに限らない。例えば、熱電変換素子３０の形状は、四角柱以外の角柱状であってもよいし、円柱状などであってもよいし、それ以外の形状であってもよい。ただし、より高密度に配置できるなどの観点から、熱電変換素子３０の形状は、角柱であるとよい。特に、本実施の形態のように、熱電変換素子３０の形状は、四角柱であるとよい。
　次に、熱電変換モジュール１における第１基板１０及び第２基板２０の詳細な構成について、図１～図３を参照しつつ、図４～図６を用いて説明する。図４は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１における第１基板１０の構成を示す図である。図５は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１における第２基板２０の構成を示す図である。図６は、図５の破線で囲まれる領域ＶＩの拡大図である。なお、図４及び図５において、（ａ）は、側面図であり、（ｂ）は、内面側から見たときの平面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における断面図であり、（ｄ）は、外面側から見たときの平面図である。また、図４及び図５では、第１電極１２及び第１金属膜１３と第２電極２２及び第２金属膜２３とを分かりやすくするために、（ｂ）及び（ｄ）には便宜上ハッチングを施している。
　図３及び図４に示すように、下基板である第１基板１０は、第１樹脂薄膜１１と、第１樹脂薄膜１１の一方の面側に設けられた第１電極１２と、第１樹脂薄膜１１の他方の面側に設けられた第１金属膜１３とを有する。第１樹脂薄膜１１は、第１電極１２と第１金属膜１３とに挟まれている。熱電変換モジュール１において、第１基板１０は、第１電極１２が熱電変換素子３０側となるように配置されている。
　第１樹脂薄膜１１は、厚みが一定の平板状の樹脂基材であり、第１面１１ａ及び第２面１１ｂを有する。第１面１１ａは、第１樹脂薄膜１１の一方の面であり、本実施の形態では、熱電変換素子３０側の面（第２基板２０側の面）である。つまり、第１樹脂薄膜１１の第１面１１ａは、内側の面である。一方、第２面１１ｂは、第１樹脂薄膜１１の他方の面であり、第１面１１ａとは反対側の面である。つまり、第１樹脂薄膜１１の第２面１１ｂは、外側の面である。
　第１樹脂薄膜１１は、樹脂材料によって構成された可撓性を有するシート状の樹脂基材である。したがって、第１基板１０は、リジッド基板ではあるが、曲がったり反ったりしやすくなっている。また、第１基板１０は、フレキシブル基板またはフィルム基板などの柔軟性を有する樹脂基材であってもよい。本実施の形態において、第１樹脂薄膜１１は、ポリイミド樹脂からなるポリイミド基材であり、かつ、薄膜状で柔軟性を有する。一例として、第１樹脂薄膜１１の平面視形状は、長方形である。
　なお、第１樹脂薄膜１１を構成する樹脂材料は、ポリイミド樹脂に限らない。また、第１樹脂薄膜１１の平面視形状は、長方形に限らない。
　図３に示すように、第１電極１２は、第１樹脂薄膜１１の第１面１１ａである内側の面に形成された内装電極である。したがって、第１電極１２は、第２基板２０及び熱電変換素子３０に対向している。
　第１電極１２は、複数の熱電変換素子３０同士を電気的に接続するための接続電極として機能する。つまり、第１電極１２は、配線として機能する。第１電極１２と複数の熱電変換素子３０とは、半田によって接合される。具体的には、図３に示すように、第１電極１２の上に熱電変換素子３０が配置されており、第１電極１２は、熱電変換素子３０の下電極３１と接合されている。
　図４に示すように、第１電極１２は、複数に分割されている。第１電極１２は、少なくとも第１方向であるＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間１４を有するように複数に分割されている。本実施の形態において、第１電極１２は、第１方向であるＸ方向と第１方向に直交する第２方向であるＹ方向（列方向）との両方向に沿って延在する隙間１４を有するように複数に分割されている。具体的には、第１電極１２は、複数の行電極１２ａと複数の列電極１２ｂとを含むように分割されている。
　行電極１２ａは、行列状に配列された複数の熱電変換素子３０のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子３０に接合された電極であり、Ｘ方向（行方向）に延在している。また、列電極１２ｂは、行列状に配列された複数の熱電変換素子３０のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子３０に接合された電極であり、Ｙ方向（列方向）に延在している。
　本実施の形態において、行電極１２ａ及び列電極１２ｂは、いずれも２つの熱電変換素子３０に接合されている。つまり、行電極１２ａ及び列電極１２ｂの各々の上には、隣り合う２つの熱電変換素子３０が配置されている。具体的には、図３に示すように、行電極１２ａの上には、Ｘ方向（行方向）に沿って隣り合う１つのｐ型熱電変換素子３０Ｐと１つのｎ型熱電変換素子３０Ｎとが半田実装されている。また、列電極１２ｂの上には、Ｙ方向（列方向）に沿って隣り合う１つのｐ型熱電変換素子３０Ｐと１つのｎ型熱電変換素子３０Ｎとが半田実装されている。
　このように、行電極１２ａは、第１の行と第１の行の隣りの第２の行（つまり隣り合う２つの行）に跨る第１の架橋電極である。また、列電極１２ｂは、第１の列と第１の列の隣りの第２の列（つまりの隣り合う２つの列）に跨る第２の架橋電極である。
　なお、複数の列電極１２ｂのうち給電用のリード線４０が接続される２つの列電極１２ｂについては、１つの熱電変換素子３０のみが接合されている。リード線４０と列電極１２ｂとは、例えば半田により接合される。また、複数の行電極１２ａ及び複数の列電極１２ｂには、熱電変換素子３０が接合されていない行電極１２ａ及び列電極１２ｂが含まれていてもよい。
　行電極１２ａ及び列電極１２ｂは、いずれも略矩形状に形成されている。また、複数の行電極１２ａの各々は、互いに同じ幅であり、複数の列電極１２ｂの各々も、互いに同じ幅である。また、行電極１２ａと列電極１２ｂとは、互いに同じ幅である。つまり、第２電極２２は、向きが異なる略矩形状の行電極１２ａ及び列電極１２ｂが組み合わされた構成になっている。
　図４に示すように、本実施の形態において、複数の行電極１２ａと複数の列電極１２ｂとは、第１樹脂薄膜１１の第１面１１ａに敷き詰められるように形成されている。具体的には、図２に示すように、１３行×６列の行列状に配列された７８個の熱電変換素子３０において、図２中の上から下に向かって、１行目、２行目、・・・、１３行目とし、左から右に向かって、１列目、２列目、・・・、６列目とすると、図４の（ｂ）に示すように、１列目及び６列目には、列電極１２ｂのみが形成されている。また、１行目～１３行目における２列目及び３列目には、２列目及び３列目に跨る行電極１２ａのみが形成されている。また、１行目における４列目及び５列目には、４列目及び５列目に跨る行電極１２ａが形成されており、２行目～１３行目における４列目及び５列目には、列電極１２ｂのみが形成されている。
　また、図４に示すように、Ｙ方向（列方向）に延在する列電極１２ｂは、切り欠き部１２ｂ１を有する。切り欠き部１２ｂ１は、列電極１２ｂの外縁の一部を切り欠くように形成されている。切り欠き部１２ｂ１の形状は、一例として、矩形状である。
　この切り欠き部１２ｂ１は、当該列電極１２ｂに接合された２つ以上の熱電変換素子３０のうちＹ方向（列方向）に隣り合う２つの熱電変換素子３０を区分する区分線に沿って形成されている。つまり、切り欠き部１２ｂ１は、隣り合う２つの行を区分する区分線（行間線）上に沿って、列方向に隣り合う２つの熱電変換素子３０の間の領域を隔てるように形成されている。
　本実施の形態において、切り欠き部１２ｂ１は、Ｘ方向（行方向）に沿って延在するように形成されている。また、１つの列電極１２ｂに、２つの切り欠き部１２ｂ１が形成されている。具体的には、２つの切り欠き部１２ｂ１は、Ｘ方向に対向する位置に形成されている。切り欠き部１２ｂ１は、第１電極１２を複数に分割する隙間１４に連続して形成されている。また、対向する切り欠き部１２ｂ１は、Ｘ方向（列方向）に沿って延在する隙間１４と同じ区分線上に位置するように形成されている。
　第１電極１２は、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料によって構成された金属層である。本実施の形態において、第１電極１２は、銅によって構成された銅電極である。また、第１電極１２は、薄膜状に形成された薄膜電極である。第１電極１２の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下である。
　第１金属膜１３は、第１樹脂薄膜１１の第２面１１ｂである内側の面に形成された外装電極である。したがって、第１金属膜１３は、外部に露出している。
　第１金属膜１３は、電気的に浮いた状態（フローティング状態）になっている。つまり、第１金属膜１３には電圧が印加されておらず、第１金属膜１３には、熱電変換素子３０を動作させるための電流が流れない。
　図４に示すように、第１金属膜１３は、複数に分割されている。本実施の形態において、第１金属膜１３は、第１方向であるＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間１５を有するように複数に分割されている。本実施の形態において、第１金属膜１３は、Ｘ方向（行方向）のみに沿って延在する隙間１５を有するように複数に分割されている。したがって、第１金属膜１３は、行方向に延在する複数の行金属膜１３ａのみによって構成されている。第１基板１０の平面視において、第１金属膜１３の隙間１５は、第１電極１２の隙間１４と重なっている。また、第１金属膜１３の隙間１５の幅は、第１電極１２の隙間１４の幅の同じであるが、異なっていてもよい。
　複数の行金属膜１３ａは、平面視において、行列状に配列された複数の熱電変換素子３０のうち同じ行に位置する複数の熱電変換素子３０に対向する位置に形成されている。したがって、第１基板１０の平面視において、第１金属膜１３の行金属膜１３ａは、第１電極１２の行電極１２ａと重なる位置に形成されている。本実施の形態において、第１金属膜１３の行金属膜１３ａの幅と第１電極１２の行電極１２ａの幅とは同じであるが、異なっていてもよい。
　第１金属膜１３は、銅またはアルミニウムなどの金属材料によって構成された金属層である。本実施の形態において、第１金属膜１３は、銅によって構成されている。また、第１金属膜１３は、薄膜状に形成された銅薄膜である。第１金属膜１３の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下である。
　このように、第１基板１０は、第１樹脂薄膜１１の両面に第１電極１２及び第１金属膜１３の金属層が形成された３層構造になっている。つまり、第１基板１０は、内装電極である第１電極１２と外装電極である第１金属膜１３とからなる電極群を有する。
　なお、第１電極１２と第１金属膜１３とは、同じ金属材料を用いて形成されていてもよいし、異なる金属材料で形成されていてもよい。第１基板１０は、第１樹脂薄膜１１の両面にベタ膜である金属箔が形成された両面基板に対してエッチングなどを施して金属箔を所定の形状にパターニングすることで作製することができる。
　また、第１電極１２の厚みと第１金属膜１３の厚みとは、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じである方がよい。第１電極１２の厚みと第１金属膜１３の厚みとを等しくすることで、第１電極１２と第１金属膜１３との熱膨張時の応力差によって第１基板１０が反ることなどを抑制することができる。
　次に、第２基板２０について説明する。図３及び図５に示すように、上基板である第２基板２０は、第２樹脂薄膜２１と、第２樹脂薄膜２１の一方の面側に設けられた第２電極２２と、第２樹脂薄膜２１の他方の面側に設けられた第２金属膜２３とを有する。第２樹脂薄膜２１は、第２電極２２と第２金属膜２３とに挟まれている。熱電変換モジュール１において、第２基板２０は、第２電極２２が熱電変換素子３０側となるように配置されている。
　第２樹脂薄膜２１は、厚みが一定の平板状の樹脂基材であり、第１面２１ａ及び第２面２１ｂを有する。第１面２１ａは、第２樹脂薄膜２１の一方の面であり、本実施の形態では、熱電変換素子３０側の面（第１基板１０側の面）である。つまり、第２樹脂薄膜２１の第１面２１ａは、内側の面である。一方、第２面２１ｂは、第２樹脂薄膜２１の他方の面であり、第１面２１ａとは反対側の面である。つまり、第２樹脂薄膜２１の第２面２１ｂは、外側の面である。
　第２樹脂薄膜２１は、第１基板１０の第１樹脂薄膜１１と同様に、樹脂材料によって構成された可撓性を有するシート状の樹脂基材である。したがって、第２基板２０は、リジッド基板ではあるが、曲がったり反ったりしやすくなっている。また、第２基板２０は、フレキシブル基板またはフィルム基板などの柔軟性を有する樹脂基材であってもよい。本実施の形態において、第２樹脂薄膜２１は、第１樹脂薄膜１１と同様に、ポリイミド樹脂からなるポリイミド基材であり、かつ、薄膜状で柔軟性を有する。一例として、第２樹脂薄膜２１の平面視形状は、第１樹脂薄膜１１と同様に、長方形である。本実施の形態において、第２樹脂薄膜２１の外形サイズ及び形状は、第１樹脂薄膜１１の外形サイズ及び形状と同じである。したがって、後述する繋ぎ部２１ｄを除いて、第２樹脂薄膜２１と第１樹脂薄膜１１とは、同じ輪郭を有している。つまり、繋ぎ部２１ｄを除いて、第１基板１０と第２基板２０とは、同じ輪郭を有している。
　なお、第２樹脂薄膜２１を構成する樹脂材料は、ポリイミド樹脂に限らない。また、第２樹脂薄膜２１の平面視形状は、長方形に限らない。また、第２樹脂薄膜２１の平面視形状は、第１樹脂薄膜１１の平面視形状と異なっていてもよいし、第２樹脂薄膜２１の外形サイズは、第１樹脂薄膜１１の外形サイズと異なっていてもよい。また、第２樹脂薄膜２１と第１樹脂薄膜１１とは、同じ樹脂材料によって構成されているが、異なる樹脂材料によって構成されていてもよい。また、第２樹脂薄膜２１と第１樹脂薄膜１１とは、同じ厚さとしたが、異なる厚さであってもよい。
　図３に示すように、第２電極２２は、第２樹脂薄膜２１の第１面２１ａである内側の面に形成された内装電極である。したがって、第２電極２２は、第１基板１０及び熱電変換素子３０に対向している。
　第２電極２２は、第１基板１０の第１電極１２と同様に、複数の熱電変換素子３０同士を電気的に接続するための接続電極として機能する。つまり、第２電極２２は、配線として機能する。第２電極２２と複数の熱電変換素子３０とは、半田によって接合される。具体的には、図３に示すように、第２電極２２の下に熱電変換素子３０が配置されており、第２電極２２は、熱電変換素子３０の上電極３２と接合されている。
　図５に示すように、第２電極２２は、複数に分割されている。第２電極２２は、少なくとも第１方向であるＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間２４を有するように複数に分割されている。本実施の形態において、第２電極２２は、第１基板１０の第１電極１２と同様に、第１方向であるＸ方向と第１方向に直交する第２方向であるＹ方向（列方向）との両方向に沿って延在する隙間２４を有するように複数に分割されているが、第１基板１０の第１電極１２とは異なり、第２電極２２は、行方向に延在する複数の行電極２２ａのみを含むように分割されている。つまり、第１基板１０の第１電極１２は、行電極１２ａ及び列電極１２ｂによって構成されていたが、第２基板２０の第２電極２２は、行電極及び列電極のうち行電極２２ａのみで構成されている。
　行電極２２ａは、行列状に配列された複数の熱電変換素子３０のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子３０に接合された電極であり、Ｘ方向（行方向）に延在している。本実施の形態において、行電極２２ａは、２つの熱電変換素子３０に接合されている。つまり、行電極２２ａの下には、隣り合う２つの熱電変換素子３０が配置されている。具体的には、図３に示すように、行電極２２ａの下には、Ｘ方向（行方向）に沿って隣り合う１つのｐ型熱電変換素子３０Ｐと１つのｎ型熱電変換素子３０Ｎとが半田実装されている。
　このように、行電極２２ａは、第１の行と第１の行の隣りの第２の行（つまり隣り合う２つの行）に跨る架橋電極である。なお、複数の行電極２２ａには、熱電変換素子３０が接合されていない行電極２２ａが含まれていてもよい。また、第２電極２２は、第１基板１０の第１電極１２と同様に、複数の行電極２２ａと複数の列電極とを含むように分割されていてもよい。
　行電極２２ａは、いずれも略矩形状に形成されている。また、複数の行電極２２ａの各々は、互いに同じ幅である。
　図５に示すように、本実施の形態において、複数の行電極２２ａは、第２樹脂薄膜２１の第１面２１ａに敷き詰められるように形成されている。具体的には、図２に示すように、１３行×６列の行列状に配列された７８個の熱電変換素子３０において、図２中の上から下に向かって、１行目、２行目、・・・、１３行目とし、左から右に向かって、１列目、２列目、・・・、６列目とすると、図５の（ｂ）に示すように、１行目～６列目の各行には、３つの行電極２２ａが形成されている。具体的には、各行において、１列目及び２列目に跨る行電極２２ａと、３列目及び４列目に跨る行電極２２ａと、５列目及び６列目に跨る行電極２２ａとが形成されている。
　第２電極２２は、銅またはアルミニウムなどの金属材料によって構成された金属層である。本実施の形態において、第２電極２２は、銅によって構成された銅電極である。また、第２電極２２は、薄膜状に形成された薄膜電極である。第２電極２２の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下である。また、第２電極２２の厚みは、第１基板１０の第１電極１２の厚みと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　第２金属膜２３は、第２樹脂薄膜２１の第２面２１ｂである内側の面に形成された外装電極である。したがって、第２金属膜２３は、外部に露出している。
　第２金属膜２３は、第１基板１０の第１金属膜１３と同様に、電気的に浮いた状態（フローティング状態）になっている。つまり、第２金属膜２３には電圧が印加されておらず、第２金属膜２３には、熱電変換素子３０を動作させるための電流が流れない。
　図５に示すように、第２金属膜２３は、複数に分割されている。本実施の形態において、第２金属膜２３は、第１方向であるＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間２５を有するように複数に分割されている。本実施の形態において、第２金属膜２３は、Ｘ方向（行方向）のみに沿って延在する隙間２５を有するように複数に分割されている。したがって、第２金属膜２３は、行方向に延在する複数の行金属膜２３ａのみによって構成されている。第２基板２０の平面視において、第２金属膜２３の隙間２５は、第２電極２２の隙間２４と重なっている。また、第２金属膜２３の隙間２５の幅は、第２電極２２の隙間２４の幅と異なっているが、同じであってもよい。
　複数の行金属膜２３ａは、平面視において、行列状に配列された複数の熱電変換素子３０のうち同じ行に位置する複数の熱電変換素子３０に対向する位置に形成されている。したがって、第２基板２０の平面視において、第２金属膜２３の行金属膜２３ａは、第２電極２２の行電極２２ａと重なる位置に形成されている。本実施の形態において、第２金属膜２３の行金属膜２３ａの幅と第２電極２２の行電極２２ａの幅とは異なっているが、同じであってもよい。
　第２金属膜２３は、銅またはアルミニウムなどの金属材料によって構成された金属層である。本実施の形態において、第２金属膜２３は、銅によって構成されている。また、第２金属膜２３は、薄膜状に形成された銅薄膜である。第２金属膜２３の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下である。また、第２金属膜２３の厚みは、第１基板１０の第１金属膜１３の厚みと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　このように、第２基板２０は、第２樹脂薄膜２１の両面に第２電極２２及び第２金属膜２３の金属層が形成された３層構造になっている。つまり、第２基板２０は、内装電極である第２電極２２と外装電極である第２金属膜２３とからなる電極群を有する。
　なお、第２電極２２と第２金属膜２３とは、同じ金属材料を用いて形成されていてもよいし、異なる金属材料で形成されていてもよい。第２基板２０は、第２樹脂薄膜２１の両面にベタ膜である金属箔が形成された両面基板に対してエッチングなどを施して金属箔を所定の形状にパターニングすることで作製することができる。
　また、第２電極２２の厚みと第２金属膜２３の厚みとは、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じである方がよい。第２電極２２の厚みと第２金属膜２３の厚みとを等しくすることで、第２電極２２と第２金属膜２３との熱膨張時の応力差によって第２基板２０が反ることなどを抑制することができる。
　そして、本実施の形態における熱電変換モジュール１では、図５に示すように、第２基板２０の第２樹脂薄膜２１に、スリット２１ｃが形成されている。スリット２１ｃは、第２電極２２の隙間２４に位置している。つまり、スリット２１ｃは、第２樹脂薄膜２１における第２電極２２の隙間２４に形成されている。具体的には、隙間２４によって第２電極２２が複数の行電極２２ａに分割されているので、スリット２１ｃは、隣り合う２つの行電極２２ａの間に形成されている。本実施の形態において、第２電極２２の隙間２４は第２金属膜２３の隙間２５と重なっているので、スリット２１ｃは、第２電極２２の隙間２４に位置しているとともに、第２金属膜２３の隙間２５にも位置している。
　スリット２１ｃは、第１方向であるＸ方向（行方向）に沿って延在している。本実施の形態において、スリット２１ｃは、Ｘ方向（行方向）及びＹ方向（列方向）のうちＸ方向のみに沿って延在している。スリット２１ｃは、隣り合う２つの行を区分する区分線（行間線）上に沿って平面視形状が長方形の第２樹脂薄膜２１の幅を分断するようにして形成されている。したがって、第２樹脂薄膜２１は、スリット２１ｃによって分割された複数の分割領域を有する。本実施の形態において、スリット２１ｃは、１２本形成されており、第２樹脂薄膜２１は、１２本のスリット２１ｃによって分割された１３個の分割領域を有する。
　スリット２１ｃの幅（スリット幅）は、特に制限されるものではないが、熱電変換モジュール１の性能効率の観点から複数の熱電変換素子３０を密に配列することが望ましいので、スリット２１ｃの幅は、狭い方がよい。スリット２１ｃの幅が広くなりすぎると、スリット２１ｃを介して隣り合う２つの熱電変換素子３０同士の間隔も広くなってしまい、熱電変換モジュール１の温度の均一性などが損なわれてしまうおそれがある。また、熱電変換モジュール１を設置する際に第２基板２０の変形しやすさの観点からも、スリット２１ｃの幅は、狭い方がよい。一方、第２樹脂薄膜２１又は第２基板２０の加工性及び取扱い性の観点から、スリット２１ｃの幅は、一定の値以上であるとよい。一例として、スリット２１ｃの幅（スリット幅）は、０．０５ｍｍ以上である。
　また、第２樹脂薄膜２１は、スリット２１ｃによって分割された分割領域同士を繋げる繋ぎ部２１ｄを有する。繋ぎ部２１ｄは、分割された分割領域同士を連結する連結部として機能する。繋ぎ部２１ｄは、複数の分割領域のうち隣り合う２つの分割領域を繋げている。具体的には、複数の分割領域は、隣り合う２つの分割領域が２つの繋ぎ部２１ｄで連続して連結されている。この場合、隣り合う２つの分割領域のＸ方向の両端部の各々が繋ぎ部２１ｄによって連結されている。本実施の形態では、第２樹脂薄膜２１は、１３個の分割領域に分割されているので、１３個の分割領域は、２４個の繋ぎ部２１ｄで連結されている。
　このように繋ぎ部２１ｄを設けることで、第２樹脂薄膜２１がスリット２１ｃによって複数の分割領域に分断されていても、複数の分割領域がバラバラになることなく互いに連結することになる。つまり、複数の分割領域が繋ぎ部２１ｄで連結された一体の第２樹脂薄膜２１にすることができ、第２樹脂薄膜２１を一枚の基材として扱うことができる。これにより、第２樹脂薄膜２１を容易に取り扱うことができるので、熱電変換モジュール１の組立を容易に行うことができる。
　図３に示すように、本実施の形態において、繋ぎ部２１ｄは、スリット２１ｃの伸長方向の延長線上において、第１基板１０の外形線から外方にはみ出している。具体的には、繋ぎ部２１ｄは、第１基板１０の外郭線となる第１樹脂薄膜１１の外郭線から外方にはみ出している。また、繋ぎ部２１ｄは、繋ぎ部２１ｄを除いたときの長方形の第２樹脂薄膜２１の長辺から外方に突出させている。このように、繋ぎ部２１ｄを外方に突出させることで、繋ぎ部２１ｄの長さをスリット２１ｃの幅より長くすることができる。
　図５及び図６に示すように、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形は、平面視において、円弧を有する形状である。具体的には、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形は、流線形状であるとよく、本実施の形態では、半円弧である。また、繋ぎ部２１ｄの幅は、一定であり、０．２ｍｍ以上であるとよい。繋ぎ部２１ｄの幅を０．２ｍｍ以上にすることで、第２樹脂薄膜２１が変形した際に破断することを効果的に抑制することができる。また、第２樹脂薄膜２１又は第２基板２０の加工性及び取扱い性の観点からも、繋ぎ部２１ｄの幅は０．２ｍｍ以上であるとよい。なお、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形は、矩形状であってもよい。つまり、繋ぎ部２１ｄは、角部を有する角張った形状などであってもよい。
　以上のように構成される熱電変換モジュール１では、ｐ型熱電変換素子３０Ｐとｎ型熱電変換素子３０Ｎとからなる直列回路に直流電流を流すことで、ペルチェ効果によって吸熱及び放熱を行うことができる。
　ここで、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１の作用効果について、比較例の熱電変換モジュール１Ｘと比較して説明する。図７は、比較例の熱電変換モジュール１Ｘの斜視図である。図８は、比較例の熱電変換モジュール１Ｘにおいて、第２基板２０Ｘを省略した状態を示す図である。
　図７及び図８に示すように、比較例の熱電変換モジュール１Ｘは、第１基板１０Ｘと、第２基板２０Ｘと、第１基板１０Ｘと第２基板２０Ｘとの間に配置された複数の熱電変換素子３０とを備える。
　第１基板１０Ｘは、ポリイミド樹脂からなる第１樹脂薄膜１１と、第１樹脂薄膜１１の内面に設けられた第１電極１２Ｘと、第１樹脂薄膜１１の外面に設けられた第１金属膜（不図示）とを有する。
　第２基板２０Ｘは、ポリイミド樹脂からなる第２樹脂薄膜２１Ｘと、第２樹脂薄膜２１Ｘの内面に設けられた第２電極（不図示）と、第２樹脂薄膜２１Ｘの外面に設けられた第２金属膜２３Ｘとを有する。
　第１基板１０Ｘと第２基板２０Ｘとの間の複数の熱電変換素子３０は、直列回路を構成するように、第１基板１０Ｘの第１電極１２Ｘと第２基板２０Ｘの第２電極とに半田接合されている。
　比較例の熱電変換モジュール１Ｘは、第２基板２０Ｘの第２樹脂薄膜２１Ｘに、上記のようなスリット２１ｃ及び繋ぎ部２１ｄが形成されていない。また、第２基板２０Ｘの第２金属膜２３Ｘは、複数に分割されておらず、一枚のべた膜になっている。なお、第１基板１０Ｘの第１電極１２Ｘは、複数の行電極と複数の列電極とに分割されているが、列電極には、上記のような切り欠き部１２ｂ１が形成されていない。
　このような構成の比較例の熱電変換モジュール１Ｘでは、曲面状の設置面に熱電変換モジュール１Ｘを設置しようとしても、熱電変換モジュール１Ｘを設置面に沿って変形させることが難しい。
　具体的には、比較例の熱電変換モジュール１Ｘは、複数のリジッドな熱電変換素子３０の両端面と第１基板１０Ｘの第１電極１２Ｘ及び第２基板２０Ｘの第２電極とが半田によって接合されている。このため、例えば第１基板１０Ｘの外面を凸状湾曲面の設置面に対面させて熱電変換モジュール１Ｘを設置する場合には、内側に位置する第１基板１０Ｘが設置面に沿って曲がったときに外側に位置する第２基板２０Ｘが第１基板１０Ｘの曲がりに追従して伸び広がる必要があるが、ポリイミド樹脂で形成された第１樹脂薄膜１１及び第２樹脂薄膜２１Ｘは伸縮性に欠けるので、第１基板１０Ｘの外面と設置面とが密着するように熱電変換モジュール１Ｘを変形させることが難しい。
　この際、強引に熱電変換モジュール１Ｘを曲げようとすると、熱電変換素子３０、又は、第１基板１０Ｘの第１電極１２Ｘや第２基板２０Ｘの第２電極と熱電変換素子３０との半田接合部に、過度の応力負荷がかかってしまい、熱電変換素子３０が破損したり半田接合部が損傷したりするおそれがある。熱電変換素子３０が破損したり半田接合部が損傷したりすると、熱電変換モジュール１Ｘとしての熱電変換機能が損なわれることになる。具体的には、ペルチェ効果又はゼーベック効果を利用した熱電変換の変換効率が低下してしまう。
　これに対して、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１では、第１基板１０の第１電極１２が、少なくともＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間１４を有するように複数に分割されているとともに、第２基板２０の第２電極２２が、少なくともＸ方向（行方向）に沿って延在する隙間２４を有するように複数に分割されている。そして、第２基板２０の第２樹脂薄膜２１には、第２電極２２の隙間２４に位置し且つＸ方向（行方向）に沿って延在するスリット２１ｃが形成されており、第２樹脂薄膜２１は、スリット２１ｃによって分割された分割領域同士を繋げる繋ぎ部２１ｄを有する。
　この構成により、熱電変換素子３０に過度の応力負荷をかけることなく、また、第１基板１０の第１電極１２や第２基板２０の第２電極２２と熱電変換素子３０との半田接合部に過度の応力負荷をかけることなく、熱電変換モジュール１を容易に変形させることができる。特に、第２樹脂薄膜２１のスリット２１ｃは、少なくともＸ方向（行方向）に沿って延在しているので、少なくともＸ方向（行方向）に直交するＹ方向（列方向）に熱電変換モジュール１を容易に変形させることができる。つまり、特定の一方向のみに変形しやすい熱電変換モジュール１を実現することができる。これにより、湾曲状などの平面以外の設置面に熱電変換モジュール１を設置する場合に、設置面に沿うように熱電変換モジュール１を容易に変形させることができるので、熱電変換モジュール１と設置面とを密着させることができる。
　例えば、図９に示すように、外面が凸状湾曲面である設置対象物２に、熱電変換モジュール１を設置することができる。このときの熱電変換モジュール１の挙動を以下説明する。図９は、実施の形態に係る熱電変換モジュール１の設置例を示す側面図である。図９において、（ａ）は、変形させる前の熱電変換モジュール１の状態を示しており、（ｂ）は、熱電変換モジュール１を変形させて設置対象物２に設置した状態を示している。設置対象物２は、熱電変換モジュール１を取り付けるための取付部材であり、例えば、外面が凸状湾曲面である銅ブロックなどの金属体からなる放熱器又は円筒状のパイプなどである。
　図９では、熱電変換モジュール１の第１基板１０の外面（第１金属膜１３の表面）を設置対象物２の凸状湾曲面（設置面）に対面させて熱電変換モジュール１を変形させて熱電変換モジュール１を設置対象物２に設置する場合を示している。つまり、第１基板１０の外面（第１金属膜１３の表面）が、設置面に接触する接触面となる。また、第２基板２０の外面（第２金属膜２３の外面）が作用面であり、例えば温冷する面である。
　図９の（ａ）の状態の熱電変換モジュール１を、図９の（ｂ）に示すように、第１基板１０を設置対象物２の凸状湾曲面に向けて設置対象物２に押し付ける。このとき、第１基板１０の第１電極１２が隙間１４によって複数に分割されているので、内側に位置する第１基板１０が凸状湾曲面に沿ってＸＺ平面の面内方向に折れ曲がるように湾曲していく。これにより、第１基板１０は、設置対象物２の凸状湾曲面に沿って変形することになる。
　一方、外側に位置する第２基板２０は、熱電変換素子３０の高さに起因する熱電変換モジュール１の厚み方向の曲げの内外径差によって第１基板１０の曲がりに追従して伸び広がることになるが、本実施の形態の熱電変換モジュール１では、第２基板２０の第２樹脂薄膜２１にスリット２１ｃが形成されているので、第１基板１０の曲がりに追従してスリット２１ｃが広がっていくことになる。
　このとき、第２基板２０の第２樹脂薄膜２１には繋ぎ部２１ｄが設けられているので、熱電変換モジュール１の厚み方向の曲げの内外径差によって、繋ぎ部２１ｄが変形しながらスリット２１ｃが広がっていくことになる。これにより、第２基板２０は、ＸＺ平面の面内方向に少しずつ折れ曲がるように変形していくことになる。なお、繋ぎ部２１ｄは、第２樹脂薄膜２１の一部であり樹脂材料によって構成されているので変形しやすくなっている。このため、第２基板２０は、スリット２１ｃの隙間が広がりやすい構造になっている。
　このように、第２基板２０では、繋ぎ部２１ｄが変形しながらスリット２１ｃが広がっていくので、リジッドな熱電変換素子３０に過度の応力負荷がかからない。また、第１電極１２及び第２電極２２と熱電変換素子３０との半田接合部にも過度の応力負荷がかからない。このため、熱電変換モジュール１の熱電変換機能を損なわせることなく、熱電変換モジュール１を設置対象物２の設置面に沿うように変形させることができる。これにより、熱電変換モジュール１の第１基板１０と設置対象物２の設置面とを容易に密着させることができる。
　なお、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１は、外側に位置する第２基板２０の第２樹脂薄膜２１にスリット２１ｃが形成されているので、熱電変換モジュール１を変形させて設置面に設置したときに、広がったスリット２１ｃから熱電変換モジュール１の内部に水分が浸入するおそれがある。そこで、図１０に示すように、熱電変換モジュール１を設置面に設置した後に、スリット２１ｃを閉塞するようにシール部材５０を設けてもよい。例えば、スリット２１ｃを閉塞するように熱電変換モジュール１の内部にシール部材５０を充填するとよい。シール部材５０としては、絶縁性樹脂材料からなるガスケットを用いることができる。このように、変形した熱電変換モジュール１にシール部材５０を設けることで、スリット２１ｃから熱電変換モジュール１の内部に水分が浸入することを抑制できる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第１基板１０は、第１樹脂薄膜１１の他方の面側に設けられた第１金属膜１３を有し、第１金属膜１３は、Ｘ方向（行方向）に沿って延在する隙間１５を有するように複数に分割されている。
　この構成により、第１樹脂薄膜１１の内面に設けられた第１電極１２が隙間１４によって複数に分割されているだけではなく、第１樹脂薄膜１１の外面に設けられた第１金属膜１３も隙間１５によって複数に分割されることになる。しかも、第１電極１２に形成された隙間１４と第１金属膜１３に形成された隙間１５とは、同じ方向に沿って延在している。つまり、第１樹脂薄膜１１の両面の金属層である第１電極１２と第１金属膜１３とは、いずれも熱電変換モジュール１が曲がる方向に複数に分割されている。これにより、熱電変換素子３０及び半田接合部に過度の応力負荷をかけることなく第１基板１０が容易に変形することになるので、熱電変換機能を損なわせることなく熱電変換モジュール１を設置面に沿って容易に変形させることができる。
　しかも、第１電極１２の隙間１４と第１金属膜１３の隙間１５とは、同じ方向に沿って延在しているだけではなく、平面視において重なる位置に存在している。つまり、第１樹脂薄膜１１を隔てて隙間１４と隙間１５との位置を合わせている。
　この構成により、第１基板１０は、変形する際に、柔軟な第１樹脂薄膜１１のみが変形することになる。これにより、第１基板１０は、設置面の形状に沿ってさらに変形しやすくなる。また、第１樹脂薄膜１１のみが変形することで第１電極１２があまり変形しないので、熱電変換素子３０と第１電極１２との半田接合部に過度の応力負荷が生じることをより軽減することができる。
　なお、第１樹脂薄膜１１の両面に金属層として第１電極１２及び第１金属膜１３が存在することで、第１基板１０の剛性を高くすることができる。つまり、変形しやすく且つ高い剛性を有する第１基板１０にすることができる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第１基板１０の第１金属膜１３は、Ｘ方向（行方向）のみに沿って延在する隙間１５を有するように複数に分割されている。
　この構成により、分割された第１金属膜１３（行金属膜１３ａ）そのものを変形させることなく、第１基板１０をＹ方向（列方向）に容易に変形させることができる。これにより、特定の一方向のみに熱電変換モジュール１を容易に変形させることができる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第１基板１０の第１電極１２は、複数の熱電変換素子３０のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子３０を接合する行電極１２ａと、複数の熱電変換素子３０のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子３０を接合する列電極１２ｂとを含む。このうち、列電極１２ｂは、当該列電極１２ｂに接合された２つ以上の熱電変換素子３０のうち列方向に隣り合う２つの熱電変換素子３０を区分する区分線に沿って形成された切り欠き部１２ｂ１を有する。
　このように、行電極１２ａ及び列電極１２ｂのうち、曲げ方向となるＹ方向に延在する列電極１２ｂに切り欠き部１２ｂ１を設けることで、切り欠き部１２ｂ１を曲げの起点とすることができる。つまり、切り欠き部１２ｂ１で局所的に曲がりやすくすることができる。これにより、熱電変換素子３０と第１電極１２との半田接合部に過度の応力負荷がかかることを効果的に抑制することができる。
　なお、列電極１２ｂに切り欠き部１２ｂ１を設けることで、切り欠き部１２ｂ１付近で第１基板１０が曲がりやすくなる。このため、切り欠き部１２ｂ１のＸ方向の長さとしては、長くした方が列電極１２ｂの一部を細くできるので第１基板１０が曲がりやすくなる。一方、切り欠き部１２ｂ１のＸ方向の長さが長くなりすぎると、列電極１２ｂの一部が狭くなって、この狭くなった部分が電気抵抗の高い電流制限部となる。このため、切り欠き部１２ｂ１のＸ方向の長さが長くなりすぎると、許容電流が小さくなって熱電変換モジュール１への投入電流に制限がかかることになる。このため、２つの切り欠き部１２ｂ１のＸ方向の長さの合計としては、列電極１２ｂの幅の１／２以下であるとよい。なお、１つの列電極１２ｂに切り欠き部１２ｂ１を１つのみ設ける場合は、１つの切り欠き部１２ｂ１のＸ方向の長さは、列電極１２ｂの幅の１／２以下であるとよい。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第２基板２０は、第２樹脂薄膜２１の他方の面側に設けられた第２金属膜２３を有し、第２金属膜２３は、Ｘ方向（行方向）に沿って延在する隙間２５を有するように複数に分割されている。
　この構成により、第２樹脂薄膜２１の内面に設けられた第２電極２２が隙間２４によって複数に分割されているだけではなく、第２樹脂薄膜２１の外面に設けられた第２金属膜２３も隙間２５によって複数に分割されることになる。しかも、第２電極２２に形成された隙間２４と第２金属膜２３に形成された隙間２５とは、同じ方向に沿って延在している。つまり、第２樹脂薄膜２１の両面の金属層である第２電極２２と第２金属膜２３とは、いずれも熱電変換モジュール１が曲がる方向に複数に分割されている。これにより、繋ぎ部２１ｄが変形しながらスリット２１ｃが広がって第２基板２０が曲がる際に、熱電変換素子３０及び半田接合部に過度の応力負荷をかけることなく第２基板２０が容易に変形することになる。したがって、熱電変換機能を損なわせることなく熱電変換モジュール１を設置面に沿って容易に変形させることができる。
　しかも、第２電極２２の隙間２４と第２金属膜２３の隙間２５とは、同じ方向に沿って延在しているだけではなく、平面視において重なる位置に存在している。つまり、第２樹脂薄膜２１を隔てて隙間２４と隙間２５との位置を合わせている。
　この構成により、第２基板２０は、変形する際に、柔軟な第２樹脂薄膜２１のみが変形することになる。これにより、第１基板１０が設置面に沿って変形したときに、第２基板２０は、第１基板１０の変形に追従して変形しやすくなる。また、第２樹脂薄膜２１のみが変形することで第２電極２２があまり変形しないので、熱電変換素子３０と第２電極２２との半田接合部に過度の応力負荷が生じることをより軽減することができる。
　なお、第２樹脂薄膜２１の両面に金属層として第２電極２２及び第２金属膜２３が存在することで、第２基板２０の剛性を高くすることができる。つまり、変形しやすく且つ高い剛性を有する第２基板２０にすることができる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第２基板２０の第２金属膜２３は、Ｘ方向（行方向）のみに沿って延在する隙間２５を有するように複数に分割されている。
　この構成により、分割された第２金属膜２３（行金属膜２３ａ）そのものを変形させることなく、第２基板２０をＹ方向（列方向）に容易に変形させることができる。これにより、特定の一方向に熱電変換モジュール１をさらに容易に変形させることができる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、第２樹脂薄膜２１に設けられた繋ぎ部２１ｄは、第１基板１０の外郭線から外方にはみ出している。
　仮に、繋ぎ部２１ｄが第１基板１０の外郭線から外方にはみ出していない場合（例えば繋ぎ部２１ｄの長さがスリット２１ｃの幅と同じ場合）、第２基板２０が曲がる際にスリット２１ｃが大きく広がったときに、繋ぎ部２１ｄを構成する第２樹脂薄膜２１の伸縮特性を超えると、繋ぎ部２１ｄが破断してしまうおそれがある。これに対して、繋ぎ部２１ｄを第１基板１０の外郭線から外方にはみ出すことで、繋ぎ部２１ｄの長さをスリット２１ｃの幅よりも大きくすることができるので、第２基板２０が曲がる際にスリット２１ｃが大きく広がったとしても、繋ぎ部２１ｄが破断することを抑制することができる。したがって、第２基板２０の曲げ度合によるスリット２１ｃの必要な広がりを考慮して繋ぎ部２１ｄのサイズ設計を行うことで、熱電変換素子３０及び半田接合部に過度の応力負荷をかけることなく、熱電変換モジュール１を設置面に容易に沿わせることができる。
　なお、繋ぎ部２１ｄの長さは、第２基板２０が変形したときの伸長サイズ以上であるとよい。例えば、設置対象物２の設置面が曲面である場合、繋ぎ部２１ｄの長さは、設置面の曲面のサイズと、熱電変換モジュール１の厚さ（Ｚ方向寸法）と、第１基板１０の第１電極１２の隙間１４の幅とによって算出することができる。
　また、本実施の形態に係る熱電変換モジュール１において、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形は、平面視において、円弧を有する形状である。
　繋ぎ部２１ｄの外形及び内形が角部を有する形状であってもよいが、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形が角部を有する角張った形状であると、第２基板２０が変形する際にその角部を起点にして繋ぎ部２１ｄが破断しやすくなる。これに対して、繋ぎ部２１ｄの外形及び内形が円弧を有する形状であることで、第２基板２０が変形したときに繋ぎ部２１ｄが破断することを効果的に抑制することができる。
　（変形例）
　以上、本開示に係る熱電変換モジュール１について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、上記実施の形態において、第２基板２０の第２樹脂薄膜２１に形成されたスリット２１ｃは、Ｘ方向及びＹ方向のうちＸ方向のみに沿って延在していたが、これに限らない。具体的には、図１１に示される第２基板２０Ａのように、第２樹脂薄膜２１Ａに形成されたスリット２１ｃＡは、Ｘ方向及びＹ方向の両方向に沿って形成されていてもよい。具体的には、図１１において、スリット２１ｃＡは、Ｘ方向に延在する部分の一部から部分的にＹ方向に延在するように形成されている。なお、この場合、第２金属膜２３の隙間２５Ａも、スリット２１ｃＡが形成された位置に合わせて、Ｘ方向に沿って延在しているだけではなく、Ｙ方向にも延在している。図示しないが、第２電極２２の隙間２４も、スリット２１ｃＡが形成された位置に合わせて、Ｘ方向に沿って延在しているだけではなく、Ｙ方向にも延在している。このように、第２樹脂薄膜２１に形成されたスリット２１ｃをＸ方向に加えてＹ方向にも延在させることで、熱電変換モジュールがＹ方向に変形する際にＸ方向にも変形させることができる。つまり、特定の一方向に変形する熱電変換モジュールではあるが、特定の一方向に交差する方向にも変形可能な熱電変換モジュールを実現することができる。したがって、設置面が人の腕などのように、外径が変化する凸状湾曲面などである場合（つまり設置面が３次元状に湾曲するような立体的な面であるような場合）であっても、熱電変換モジュールを設置面に容易に密着させることができる。なお、本変形例に係る熱電変換モジュールは、特定の一方向の曲げ度合いの方が、特定の一方向に交差する方向の曲げ度合いよりも大きい。つまり、特定の一方向の方が特定の一方向に交差する方向よりも変形しやすい構造になっており、熱電変換モジュールの変形は、特定の一方向の方が支配的になっている。
　また、上記実施の形態において、第１基板１０は第１金属膜１３を有するとともに第２基板２０は第２金属膜２３を有していたが、これに限らない。具体的には、第１基板１０は、第１金属膜１３を有していなくてもよいし、第２基板２０は、第２金属膜２３を有していなくてもよい。
　その他、上記実施の形態に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
　本開示の熱電変換モジュールは、冷却が必要な製品などをはじめとして、種々の製品に広く適用することができる。
　１　熱電変換モジュール
　２　設置対象物
　１０　第１基板
　１１　第１樹脂薄膜
　１１ａ　第１面
　１１ｂ　第２面
　１２　第１電極
　１２ａ　行電極
　１２ｂ　列電極
　１２ｂ１　切り欠き部
　１３　第１金属膜
　１３ａ　行金属膜
　１４、１５　隙間
　２０、２０Ａ　第２基板
　２１、２１Ａ　第２樹脂薄膜
　２１ａ　第１面
　２１ｂ　第２面
　２１ｃ、２１ｃＡ　スリット
　２１ｄ　繋ぎ部
　２２　第２電極
　２２ａ　行電極
　２３　第２金属膜
　２３ａ　行金属膜
　２４、２５、２５Ａ　隙間
　３０　熱電変換素子
　３０Ｐ　ｐ型熱電変換素子
　３０Ｎ　ｎ型熱電変換素子
　３１　下電極
　３２　上電極
　４０　リード線
　５０　シール部材

Claims (10)

  1. 　第１樹脂薄膜と前記第１樹脂薄膜の一方の面側に設けられた第１電極とを有する第１基板と、
    　第２樹脂薄膜と前記第２樹脂薄膜の一方の面側に設けられた第２電極とを有する第２基板と、
    　前記第１基板と前記第２基板との間に行列状に配置された複数の熱電変換素子と、を備え、
    　前記第１基板は、前記第１電極が前記複数の熱電変換素子側となるように配置され、
    　前記第２基板は、前記第２電極が前記複数の熱電変換素子側となるように配置され、
    　前記複数の熱電変換素子は、前記第１電極及び前記第２電極に接合されており、
    　前記第１電極は、少なくとも第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されており、
    　前記第２電極は、少なくとも前記第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されており、
    　前記第２樹脂薄膜には、前記第２電極の隙間に位置し且つ前記第１方向に沿って延在するスリットが形成されており、
    　前記第２樹脂薄膜は、前記スリットによって分割された分割領域同士を繋げる繋ぎ部を有する、
    　熱電変換モジュール。
  2. 　前記第１基板は、前記第１樹脂薄膜の他方の面側に設けられた第１金属膜を有し、
    　前記第１金属膜は、前記第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されている、
    　請求項１に記載の熱電変換モジュール。
  3. 　前記第１金属膜は、前記第１方向のみに沿って延在する隙間を有するように複数に分割されている、
    　請求項２に記載の熱電変換モジュール。
  4. 　前記第１電極の前記隙間と前記第１金属膜の前記隙間とは、平面視において重なる位置に存在している、
    　請求項２又は３に記載の熱電変換モジュール。
  5. 　前記第１電極は、前記複数の熱電変換素子のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子に接合された行電極と、前記複数の熱電変換素子のうち同じ列に位置する２つ以上の熱電変換素子に接合された列電極とを含み、
    　前記列電極は、当該列電極に接合された前記２つ以上の熱電変換素子のうち列方向に隣り合う２つの熱電変換素子を区分する区分線に沿って形成された切り欠き部を有する、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の熱電変換モジュール。
  6. 　前記第２基板は、前記第２樹脂薄膜の他方の面側に設けられた第２金属膜を有し、
    　前記第２金属膜は、前記第１方向に沿って延在する隙間を有するように複数に分割されている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の熱電変換モジュール。
  7. 　前記第２金属膜は、前記第１方向のみに沿って延在する隙間を有するように複数に分割されている、
    　請求項６に記載の熱電変換モジュール。
  8. 　前記第２電極の前記隙間と前記第２金属膜の前記隙間とは、平面視において重なる位置に存在している、
    　請求項６に記載の熱電変換モジュール。
  9. 　前記繋ぎ部は、前記第１基板の外郭線から外方にはみ出している、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の熱電変換モジュール。
  10. 　前記繋ぎ部の外形及び内形は、平面視において、円弧を有する形状である、
    　請求項９に記載の熱電変換モジュール。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005507157A (ja) * 2001-07-12 2005-03-10 フェロテック（ユーエスエー）コーポレイション 薄膜基板を有する熱電モジュール
US20090025770A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 John Lofy Segmented thermoelectric device
JP2016207995A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社Ｅサーモジェンテック 熱電変換モジュールとその製造方法、ならびに熱電発電システムとその製造方法
JP2020145375A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 三菱電機株式会社 熱電モジュールおよびその製造方法
JP2021513216A (ja) * 2018-02-01 2021-05-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 熱電装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005507157A (ja) * 2001-07-12 2005-03-10 フェロテック（ユーエスエー）コーポレイション 薄膜基板を有する熱電モジュール
US20090025770A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 John Lofy Segmented thermoelectric device
JP2016207995A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社Ｅサーモジェンテック 熱電変換モジュールとその製造方法、ならびに熱電発電システムとその製造方法
JP2021513216A (ja) * 2018-02-01 2021-05-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 熱電装置
JP2020145375A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 三菱電機株式会社 熱電モジュールおよびその製造方法

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