WO2023100659A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023100659A1
WO2023100659A1 PCT/JP2022/042573 JP2022042573W WO2023100659A1 WO 2023100659 A1 WO2023100659 A1 WO 2023100659A1 JP 2022042573 W JP2022042573 W JP 2022042573W WO 2023100659 A1 WO2023100659 A1 WO 2023100659A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead
semiconductor device
thickness direction
resin
resin surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/042573
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
僚太郎 柿▲崎▼
泰正 糟谷
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • This semiconductor device includes first to third leads, a semiconductor device, and a sealing resin.
  • the first lead includes a first pad having a pad main surface and a pad back surface.
  • a semiconductor element is mounted on the main surface of the pad.
  • the sealing resin is in contact with the main surface of the pad and covers the semiconductor element.
  • the first, second and third leads have first, second and third terminals extending in the same direction, respectively.
  • the semiconductor device is mounted on the circuit board by inserting the first terminal, the second terminal, and the third terminal through the through holes of the circuit board or the like.
  • an insulating sheet is provided between the rear surface of the pad and the heat sink.
  • the semiconductor device is required to be surface-mounted on the circuit board, for example, in addition to the mounting form in which the terminal portion is inserted through the circuit board.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional semiconductor devices.
  • one object of the present disclosure is to provide a surface-mountable semiconductor device.
  • a semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a semiconductor element, first leads, second leads, and sealing resin.
  • the first lead includes a die pad portion having a first lead main surface on which the semiconductor element is mounted facing one thickness direction side and a first lead back surface facing the thickness direction other side, and a first terminal portion. ,including.
  • the second lead is spaced apart from the first lead.
  • the sealing resin has a first resin surface facing one side in the thickness direction and a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and covers the semiconductor element and part of the die pad section. .
  • the rear surface of the first lead is exposed from the second resin surface.
  • the second lead includes a second pad portion electrically connected to the semiconductor element, and a second terminal portion connected to the second pad portion.
  • the second terminal portion includes a fourth portion connected to the second pad portion, and a fifth portion positioned on one side in the thickness direction with respect to the fourth portion and used for mounting.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 3 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 4 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 5 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 7 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. FIG. 8 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 9 is a side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 10 is a fragmentary plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 11 is a bottom view of essential parts showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 11.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 11.
  • FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view showing how the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure is used.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view showing a usage state of the first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 18 is a perspective view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. FIG. 20 is a perspective view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • 22 is a perspective view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 23 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 25 is a side view showing a sixth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 26 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 27 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 30 is a perspective view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 31 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 32 is a perspective view showing a modification of the semiconductor device according to the sixth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present disclosure
  • FIG. 34 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present disclosure;
  • a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
  • ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
  • ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
  • ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
  • First embodiment: 1 to 15 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • a semiconductor device A10 of this embodiment includes a conduction member 10, a semiconductor element 20, and a sealing resin 40.
  • the z-direction is an example of the "thickness direction”
  • the x-direction is an example of the "first direction”
  • the y-direction is an example of the "second direction.”
  • the conductive member 10 is a member that constitutes a conductive path to the semiconductor element 20 .
  • the conducting member 10 of this embodiment includes a first lead 11, a second lead 12, and a third lead 13. As shown in FIG.
  • the material of first lead 11, second lead 12 and third lead 13 is not limited at all, and includes copper (Cu) or a copper alloy, for example.
  • appropriate portions of the first lead 11, the second lead 12, and the third lead 13 may be plated with silver (Ag), nickel (Ni), bell (Sn), or the like.
  • first lead 11 has die pad portion 111 and first terminal portion 112 .
  • the die pad portion 111 has a first lead main surface 1111 and a first lead rear surface 1112 .
  • the first lead main surface 1111 is a surface facing one side in the z direction.
  • the first lead back surface 1112 is a surface facing the other side in the z direction.
  • a semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 .
  • the die pad portion 111 of this embodiment further has a first lead side surface 1113 and a first intermediate surface 1114 .
  • the first lead side surface 1113 is located between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the z direction, and faces one side in the x direction.
  • the first intermediate surface 1114 is positioned between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the z direction, and faces the other side in the z direction (the same side as the first lead back surface 1112). be.
  • the shape of the die pad portion 111 is not limited at all. In the illustrated example, the die pad portion 111 has a rectangular shape when viewed in the z direction. Also, the shapes of the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 are not limited at all, and in the illustrated example, they are rectangular when viewed in the z direction.
  • the first terminal portion 112 has a first portion 1121 , two second portions 1122 and two third portions 1123 .
  • the first portion 1121 is connected to the die pad portion 111, extends from the die pad portion 111 to one side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example. In this embodiment, the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
  • the first terminal portion 112 of this embodiment has only one first portion 1121 .
  • the shape of the first part 1121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the first portion 1121 is separated from the first lead back surface 1112 in the z-direction, and is in contact with the first lead main surface 1111 in the illustrated example.
  • the surface of the first portion 1121 on one side in the z direction is flush with the first lead main surface 1111 .
  • the two second parts 1122 are located on one side of the first part 1121 in the z direction.
  • the two second parts 1122 are used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the two third parts 1123 are interposed between the first part 1121 and the two second parts 1122 .
  • the third portion 1123 extends from the first portion 1121 to one side in the z direction.
  • the third portion 1123 is inclined with respect to the z-direction so as to extend outward from the first portion 1121 in the y-direction.
  • the shape of the third part 1123 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the y direction.
  • the two second parts 1122 extend outward in the y direction from the two third parts 1123 . Also, the two second parts 1122 are parallel to the y direction. The two second portions 1122 do not protrude from the two third portions 1123 to one side in the x direction. In the illustrated example, the two second parts 1122 and the two third parts 1123 have the same position in the x-direction.
  • Second lead 12 The second lead 12 is arranged apart from the first lead 11 .
  • the second lead 12 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction, and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction.
  • the second lead 12 has a second pad portion 121 and a plurality of second terminal portions 122 .
  • the second pad portion 121 has a second lead main surface 1211 and a second lead rear surface 1212 .
  • the second lead main surface 1211 is a surface facing one side in the z direction.
  • the second lead back surface 1212 is a surface facing the other side in the z direction.
  • the back surface 1212 of the second lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20, which will be described later.
  • the second lead back surface 1212 and the first electrode 201 are joined, for example, through solder.
  • the second lead back surface 1212 and the first electrode 201 may be bonded via silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
  • the shape of the second pad portion 121 is not limited at all. In the illustrated example, as shown in FIG.
  • the second pad portion 121 has a body portion 121a, a joint portion 121b and a connecting portion 121c.
  • the body portion 121a has a long rectangular shape with the y direction as the longitudinal direction, and a plurality of second terminal portions 122 are connected to the main body portion 121a.
  • the joint portion 121b has a rectangular shape and is conductively joined to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
  • the connecting portion 121c has a rectangular shape and is connected to the main body portion 121a and the joint portion 121b. In the present embodiment, the joint portion 121b is positioned on the other side in the z direction from the main body portion 121a.
  • the second pad section 121 is smaller than the die pad section 111 when viewed in the z direction. Also, the second pad portion 121 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the first terminal portion 112 .
  • the plurality of second terminal portions 122 are arranged side by side in the y direction.
  • the second terminal portion 122 has a fourth portion 1221 , a fifth portion 1222 and a sixth portion 1223 .
  • the fourth portion 1221 is connected to the second pad portion 121, extends from the second pad portion 121 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the shape of the fourth part 1221 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the fifth part 1222 is located on one side of the fourth part 1221 in the z direction.
  • the fifth part 1222 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the fifth portion 1222 has a shape extending along the x direction.
  • the sixth part 1223 is interposed between the fourth part 1221 and the fifth part 1222 .
  • the sixth portion 1223 extends from the fourth portion 1221 to one side in the z direction.
  • the sixth portion 1223 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
  • the shape of the sixth portion 1223 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the third lead 13 is arranged apart from the first lead 11 and the second lead 12 .
  • the third lead 13 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction. Also, the third lead 13 is aligned with the second lead 12 in the y direction.
  • the third lead 13 has a third pad portion 131 and a third terminal portion 132 .
  • the third pad portion 131 has a third lead main surface 1311 and a third lead back surface 1312 .
  • the third lead main surface 1311 is a surface facing one side in the z direction.
  • the third lead back surface 1312 is a surface facing the other side in the z direction.
  • the back surface 1312 of the third lead is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20, which will be described later.
  • the third lead back surface 1312 and the third electrode 203 are joined, for example, via solder.
  • the back surface 1312 of the third lead and the third electrode 203 may be bonded via silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
  • the shape of the third pad portion 131 is not limited at all. In the illustrated example, as shown in FIG.
  • the third pad portion 131 has a body portion 131a, a joint portion 131b and a connecting portion 131c.
  • the body portion 131a has a rectangular shape and is connected to the third terminal portion 132 .
  • the joint portion 131b has a rectangular shape and is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 .
  • the connecting portion 131c has a long rectangular shape and is connected to the main body portion 131a and the joint portion 131b. In this embodiment, the connecting portion 131c extends obliquely in the x direction.
  • the joint portion 131b is positioned on the other side in the z direction from the main body portion 131a.
  • the third pad portion 131 is smaller than the second pad portion 121 when viewed in the z direction.
  • the third pad portion 131 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the second pad portion 121 .
  • the third terminal portion 132 has a seventh portion 1321 , an eighth portion 1322 and a ninth portion 1323 .
  • the seventh portion 1321 is connected to the third pad portion 131, extends from the third pad portion 131 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the shape of the seventh part 1321 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the eighth part 1322 is located on one side of the seventh part 1321 in the z direction.
  • the eighth part 1322 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the eighth portion 1322 has a shape extending along the x direction.
  • the ninth part 1323 is interposed between the seventh part 1321 and the eighth part 1322 .
  • the ninth portion 1323 extends from the seventh portion 1321 to one side in the z direction.
  • the ninth portion 1323 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
  • the shape of the ninth portion 1323 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • Semiconductor device 20 The semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111, as shown in FIGS.
  • the semiconductor element 20 is an n-channel type vertical MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • Semiconductor device 20 is not limited to a MOSFET.
  • the semiconductor element 20 may be another transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
  • the semiconductor element 20 may be a diode.
  • the semiconductor element 20 has a semiconductor layer 205 , a first electrode 201 , a second electrode 202 and a third electrode 203 .
  • the semiconductor layer 205 includes a compound semiconductor substrate.
  • the main material of compound semiconductor substrates is silicon carbide (SiC).
  • silicon (Si) may be used as the main material of the compound semiconductor substrate.
  • the first electrode 201 is provided on the side (one side) facing the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
  • the first electrode 201 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 20 .
  • the second electrode 202 is provided on the side opposite to the first electrode 201 in the z direction.
  • the second electrode 202 faces the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 .
  • the second electrode 202 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 20 .
  • the second electrode 202 is electrically connected to the first lead main surface 1111 via the bonding layer 29 .
  • the bonding layer 29 is, for example, solder, silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
  • the third electrode 203 is provided on the same side as the first electrode 201 in the z-direction and is positioned away from the first electrode 201 .
  • the third electrode 203 corresponds to the gate electrode of the semiconductor element 20 . Viewed in the z-direction, the area of the third electrode 203 is smaller than the area of the first electrode 201 .
  • the first terminal portion 112 of the first lead 11 is the drain terminal
  • the second terminal portion 122 of the second lead 12 is the source terminal
  • the third terminal portion 132 of the third lead 13 is the drain terminal. is the gate terminal.
  • Sealing resin 40 covers the semiconductor element 20 and part of the first leads 11, the second leads 12 and the third leads 13, as shown in FIGS.
  • the sealing resin 40 has electrical insulation.
  • Sealing resin 40 is made of a material containing, for example, black epoxy resin.
  • the sealing resin 40 has a first resin surface 41 , a second resin surface 42 , a third resin surface 43 , a fourth resin surface 44 , a fifth resin surface 45 and a sixth resin surface 46 .
  • the first resin surface 41 faces the same side (one side) as the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
  • the second resin surface 42 faces the opposite side (the other side) of the first resin surface 41 in the z direction.
  • the first lead rear surface 1112 of the die pad portion 111 of the first lead 11 is exposed from the second resin surface 42 .
  • the second resin surface 42 and the first lead back surface 1112 are flush with each other.
  • the first lead back surface 1112 is separated from the third resin surface 43 in the x direction.
  • the third resin surface 43 faces one side in the x direction.
  • the first portion 1121 of the first terminal portion 112 of the first lead 11 passes through the third resin surface 43 .
  • only one first portion 1121 penetrates the third resin surface 43 .
  • the first portion 1121 is separated from the second resin surface 42 in the z direction.
  • the fourth resin surface 44 faces the opposite side (the other side) of the third resin surface 43 in the x direction.
  • the fourth portion 1221 of the plurality of second terminal portions 122 of the second lead 12 and the seventh portion 1321 of the third terminal portion 132 of the third lead 13 pass through the fourth resin surface 44. are doing. Also, the fourth portion 1221 and the seventh portion 1321 are separated from the second resin surface 42 in the z direction.
  • the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 are surfaces facing opposite to each other in the y direction.
  • the sealing resin 40 has grooves 49 .
  • the groove 49 is recessed from the second resin surface 42 in the z direction and extends along the y direction.
  • the groove 49 reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the sealing resin 40 has two recesses 47 .
  • One recessed portion 47 is recessed from the first resin surface 41 and the fifth resin surface 45 .
  • the other recess 47 is recessed from 41 and sixth resin surface 46 .
  • a portion of the first lead main surface 1111 is exposed from the recess 47 .
  • FIG. 15 shows the state of use of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A10 is surface-mounted on the circuit board 92 . That is, the second portion 1122 of the first terminal portion 112, the fifth portion 1222 of the second terminal portion 122, and the eighth portion 1322 of the third terminal portion 132 are connected by solder 921, for example, to the wiring pattern (illustrated) of the circuit board 92. abbreviation).
  • a heat sink 91 is arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead of the die pad section 111 .
  • a sheet material 919 is arranged between the first lead back surface 1112 and the heat sink 91 .
  • Sheet material 919 is, for example, an insulating sheet.
  • the first lead back surface 1112 is exposed from the second resin surface 42 .
  • a heat sink 91 can be arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead.
  • the second portion 1122 is located on one side in the z direction relative to the first portion 1121 .
  • the semiconductor device A10 can be surface-mounted on the circuit board 92 or the like using the second portion 1122 .
  • the first lead back surface 1112 is separated from the third resin surface 43 in the x direction.
  • the first portion 1121 is separated from the second resin surface 42 in the z direction. Therefore, part of the sealing resin 40 exists between the back surface 1112 of the first lead and the first portion 1121 . Thereby, the first lead 11 can be held more firmly by the sealing resin 40 .
  • the back surface 1212 of the second lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
  • the back surface 1312 of the third lead is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 . Therefore, compared to the case where the second lead 12 (third lead 13) and the first electrode 201 (third electrode 203) are conductively connected via a bonding wire, a larger current can flow. .
  • the semiconductor device A10 has can reduce the number of parts.
  • the first terminal portion 112 has a third portion 1123 . Thereby, the second part 1122 can be supported more reliably.
  • the third part 1123 is parallel to the yz plane. Therefore, the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
  • the first terminal portion 112 has two second portions 1122 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A10 can be increased.
  • the two second parts 1122 extend outward in the x direction from the third part 1123 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A10 can be further increased.
  • the size of the first portion 1121 in the y direction is smaller than the size of the die pad portion 111 in the y direction. Thereby, the holding force of the first lead 11 by the sealing resin 40 can be further enhanced.
  • the second part 1122 does not protrude from the third part 1123 in the x direction. Thereby, the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
  • the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
  • the heat can be transferred over a wider range in the x and y directions. Therefore, the heat from the semiconductor element 20 can be radiated to the heat sink 91 or the like by the wider area of the back surface 1112 of the first lead, and the heat radiation efficiency can be improved.
  • the surface of the first portion 1121 on one side in the z direction is flush with the first lead main surface 1111 . This makes it possible to increase the distance from the first portion 1121 to the second resin surface 42 in the z-direction, and to further increase the holding force of the sealing resin 40 for the first leads 11 .
  • a groove 49 is formed in the sealing resin 40 .
  • creepage distance the distance along the surface of the sealing resin 40 from the back surface 1112 of the first lead to the second lead 12 (fourth portion 1221) and the third lead 13 (seventh portion 1321) (hereinafter referred to as creepage distance) is can be extended.
  • First embodiment First modification 16 and 17 show a first modification of the semiconductor device A10.
  • the relationship between the second portion 1122, the fifth portion 1222 and the eighth portion 1322, and the first resin surface 41 is different from the example described above.
  • the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 are located on the other side in the z direction (the side to which the first lead back surface 1112 faces) from the first resin surface 41.
  • the surfaces of the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 facing one side in the z direction are separated from the first resin surface 41 by a distance Gz.
  • the semiconductor device A11 can be surface-mounted, and the same effect as the semiconductor device A10 can be obtained.
  • the first resin surface 41 protrudes from the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 toward one side in the z direction by a distance Gz. Therefore, in the state of use of the semiconductor device A11 shown in FIG. 17, when the heat sink 91 is pressed against the semiconductor device A11, the first resin surface 41 is likely to come into contact with the circuit board 92 . Thereby, the force applied from the heat sink 91 can be suppressed from acting on the first lead 11 , the second lead 12 and the third lead 13 and the semiconductor element 20 .
  • First Embodiment Second Modification 18 and 19 show a second modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A12 of this modified example two grooves 49 are provided in the sealing resin 40 .
  • Each groove 49 extends in the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 . Also, the two grooves 49 are spaced apart in the x direction.
  • the semiconductor device A12 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained. Also, by having two grooves 49, the creepage distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be further extended. As understood from this modified example, the number of grooves 49 is not limited at all.
  • First Embodiment Third Modification 20 and 21 show a third modification of the semiconductor device A10.
  • a convex portion 48 is provided on the sealing resin 40 .
  • the convex portion 48 protrudes from the second resin surface 42 to the other side in the z direction.
  • the protrusion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the convex portion 48 is arranged at the other end of the sealing resin 40 in the x direction and is in contact with the fourth resin surface 44 .
  • the semiconductor device A13 can be surface-mounted. Moreover, by having the convex portion 48, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be extended.
  • First Embodiment Fourth Modification 22 and 23 show a fourth modification of the semiconductor device A10.
  • two protrusions 48 are provided in the sealing resin 40 .
  • Each projection 48 protrudes from the second resin surface 42 to the other side in the z direction.
  • Each convex portion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the two protrusions 48 are arranged apart from each other with the first lead back surface 1112 interposed therebetween in the x direction.
  • One protrusion 48 is in contact with the fourth resin surface 44 .
  • the other convex portion 48 is in contact with the third resin surface 43 .
  • the semiconductor device A14 can be surface-mounted. Moreover, by having the two protrusions 48, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be further extended. As understood from this modified example, the number of protrusions 48 is not limited at all.
  • FIG. 24 shows a fifth modification of the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 40 does not have the convex portion 48 and the groove 49 described above. This modification also allows the semiconductor device A15 to be surface-mounted. Further, as understood from this modified example, the sealing resin 40 may be configured without the projections 48 and the grooves 49 .
  • FIG. 25 shows a sixth modification of the semiconductor device A10.
  • two second portions 1122 extend inward in the x direction from two third portions 1123 .
  • This modification also allows the semiconductor device A16 to be surface-mounted.
  • the shape of the second portion 1122 is not limited at all.
  • FIG. 26 shows a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A20 of this embodiment differs from that of the first embodiment in that a fourth lead 14 is further provided.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment.
  • each part of said 1st Embodiment and each modification may be combined arbitrarily.
  • the fourth lead 14 is arranged between the second lead 12 and the third lead 13 in the y direction.
  • the fourth lead 14 is arranged apart from the first lead 11 , the second lead 12 and the third lead 13 .
  • the fourth lead 14 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction, and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction.
  • the fourth lead 14 has a fourth pad portion 141 and a fourth terminal portion 142 .
  • the fourth pad portion 141 has a fourth lead main surface 1411 and a fourth lead rear surface 1412 .
  • the fourth lead main surface 1411 is a surface facing one side in the z direction.
  • the fourth lead back surface 1412 is a surface facing the other side in the z direction.
  • the back surface 1412 of the fourth lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
  • the shape of the fourth terminal portion 142 is not limited at all, it has the same shape as the third terminal portion 132 .
  • a fourth terminal portion 142 of the fourth lead 14 is a source sense terminal.
  • the semiconductor device A20 can be surface-mounted.
  • the fourth lead 14 may be arranged on the opposite side of the second lead 12 from the third lead 13 in the y direction.
  • FIG. 27 shows a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A30 of this embodiment differs from that of the first embodiment in the mode of conduction between the third lead 13 and the semiconductor element 20.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first and second embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the third pad portion 131 of the third lead 13 does not extend to the position overlapping the die pad portion 111 in the z direction, and includes portions corresponding to the joint portion 131b and the connecting portion 131c in the first embodiment. do not have.
  • the semiconductor device A30 further includes a connection member 32 .
  • the connection member 32 is, for example, a bonding wire, and is electrically connected to the third lead main surface 1311 of the third pad portion 131 of the third lead 13 and the third electrode 203 of the semiconductor element 20 .
  • the material of the connection member 32 is not limited at all, and includes gold (Au), for example.
  • the number of connection members 32 is not limited at all, and a plurality of connection members 32 may be provided.
  • the connection member 32 may be a metal plate (clip) containing metal such as aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), or the like.
  • the semiconductor device A30 can be surface-mounted. Further, as understood from the present embodiment, the specific form of conduction between the third lead 13 and the semiconductor element 20 is not limited at all. Instead of connecting the third lead 13 and the semiconductor element 20 with the connection member 32, the second lead 12 and the semiconductor element 20 may be connected with a connection member.
  • FIG. 28 shows a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A40 of this embodiment differs from the embodiment described above in the shapes of the second lead 12 and the third lead 13 .
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to third embodiments and modifications may be arbitrarily combined.
  • the position of the fourth portion 1221 of the second terminal portion 122 in the z-direction is the same as that of the first portion 1121 of the first terminal portion 112 of the first lead 11 . Therefore, the first penetration position of the third resin surface 43 by the first part 1121 and the second penetration position of the fourth resin surface 44 by the fourth part 1221 are at the same position in the z direction.
  • the position of the body portion 121 a of the second pad portion 121 in the z direction is the same as that of the first portion 1121 of the first terminal portion 112 .
  • the connecting portion 121c has a surface that is inclined with respect to the xy plane so that as it proceeds from the main body portion 121a to one side in the x direction, it proceeds to one side in the z direction.
  • the third lead 13 is similar to the second lead 12, the seventh portion 1321 is at the same position as the first portion 1121 in the z direction, and the connecting portion 131c is inclined in the same manner as the connecting portion 121c. have a face.
  • the semiconductor device A40 can be surface-mounted. Further, according to the present embodiment, the first penetration position of the first part 1121 through the third resin surface 43 and the second penetration position of the fourth part 1221 through the fourth resin surface 44 can be the same position in the z direction. .
  • FIG. 29 shows a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A50 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first lead 11 .
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fourth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the die pad portion 111 and the first portion 1121 have the same size in the z direction.
  • the first lead 11 has a connecting portion 113 .
  • the connecting portion 113 connects the die pad portion 111 and the first portion 1121 of the first terminal portion 112 .
  • only one first portion 1121 penetrates the third resin surface 43 .
  • the position in the z direction of the first lead main surface 1111 and the position in the z direction of the surface of the first portion 1121 facing one side in the z direction are different from each other.
  • the first penetration position of the first part 1121 through the third resin surface 43 and the second penetration position of the fourth part 1221 through the fourth resin surface 44 are at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A50 can be surface-mounted. Also, as understood from this embodiment, the relationship between the size of the die pad portion 111 in the z direction and the size of the first portion 1121 in the z direction is not limited at all.
  • Sixth embodiment 30-31 show a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A60 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first terminal portion 112 .
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fifth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the first lead 11 of this embodiment has a plurality of first terminal portions 112 .
  • the plurality of first terminal portions 112 are arranged side by side in the y direction.
  • Each first terminal portion 112 has a first portion 1121, a second portion 1122 and a third portion 1123, respectively.
  • the first part 1121 is connected to the die pad part 111.
  • the first portion 1121 extends from the first lead side surface 1113 of the die pad portion 111 to one side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the first part 1121 penetrates through the third resin surface 43 .
  • the shape of the first part 1121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the second part 1122 is located on one side of the first part 1121 in the z direction.
  • the second part 1122 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the second portion 1122 has a shape extending along the x direction.
  • the third part 1123 is interposed between the first part 1121 and the second part 1122.
  • the third portion 1123 extends from the first portion 1121 to one side in the z direction.
  • the third portion 1123 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
  • the shape of the third part 1123 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the semiconductor device A60 can be surface-mounted. Furthermore, the first lead 11 has a plurality of first terminal portions 112 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A60 can be increased. As understood from this embodiment, the configuration of the first terminal portion 112 is not limited at all.
  • FIG. 32 shows a modification of the semiconductor device A60.
  • the first lead back surface 1112 has a portion protruding to one side in the x direction from the third resin surface 43 when viewed in the z direction. That is, in this modified example, not the first portion 1121 but the die pad portion 111 penetrates the third resin surface 43 .
  • the semiconductor device A61 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained. Further, since the first lead back surface 1112 has a portion that protrudes from the third resin surface 43 to one side in the x direction, it is possible to increase the area of the first lead back surface 1112 facing the heat sink 91 . Therefore, the heat dissipation efficiency from the semiconductor device A61 to the heat sink 91 can be enhanced.
  • FIG. 33 shows a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A70 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132.
  • FIG. The configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to sixth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the first terminal portion 112 has a first portion 1121 that does not penetrate the third resin surface 43, a third portion 1123 that extends in the sealing resin 40 in the z direction, and a second portion 1122 that extends in the z direction. 1 is exposed from the resin surface 41 .
  • the fourth portion 1221 does not penetrate the fourth resin surface 44
  • the sixth portion 1223 extends in the sealing resin 40 in the z-direction
  • the fifth portion 1222 extends through the first resin surface 41.
  • the third terminal portion 132 has a seventh portion 1321 that does not penetrate the fourth resin surface 44, a ninth portion 1323 that extends in the sealing resin 40 in the z direction, and an eighth portion 1322 are exposed from the first resin surface 41 .
  • the semiconductor device A70 can be surface-mounted. Furthermore, compared to the case where the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132 penetrate the third resin surface 43 or the fourth resin surface 44 and protrude in the x direction, the semiconductor device A70 is The mounting area (dimension in the x direction) can be reduced. As understood from this embodiment, the configurations of the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132 are not limited at all.
  • FIG. 34 shows a modification of the semiconductor device A70.
  • the sealing resin 40 has a recessed region 411 .
  • the recessed area 411 is an area recessed in the z direction from the first resin surface 41 .
  • the concave region 411 is located between the second part 1122 and the fifth part 1222 and the eighth part 1322 in the x-direction.
  • the recessed region 411 is gently recessed toward the other side in the z direction as it proceeds from the vicinity of the second portion 1122 toward the other side in the x direction, It is a concave portion gently recessed to the other side in the z direction as it advances to the side.
  • the concave region 411 is formed so as not to affect the second pad portion 121 , the third pad portion 131 and the semiconductor element 20 .
  • the semiconductor device A71 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained.
  • the sealing resin 40 has the recessed region 411, the distance (creeping distance) along the surface of the sealing resin 40 from the second portion 1122 to the fifth portion 1222 and the eighth portion 1322 is extended. be able to.
  • the concave region 411 is not limited to the case where there is only one gentle concave portion as in this modified example.
  • the recessed region 411 may have multiple recesses.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in various ways.
  • the present disclosure includes embodiments set forth in the following appendices.
  • Appendix 1 a semiconductor element;
  • a first lead including: a first terminal portion; and, a second lead spaced apart from the first lead; a sealing resin having a first resin surface facing one side in the thickness direction and a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and covering the semiconductor element and part of the die pad section; prepared, the rear surface of the first lead is exposed from the second resin surface, the second lead includes a second pad portion electrically connected to the semiconductor element, and a second terminal portion connected to the second pad portion, The second terminal portion includes a fourth portion connected to the second pad portion, and a fifth portion located on one side in the thickness direction with respect to the fourth portion and used for mounting. semiconductor device.
  • the semiconductor device according to appendix 1 wherein the sealing resin has a third resin surface facing one side in a first direction perpendicular to the thickness direction, and a fourth resin surface facing the other side in the first direction.
  • the first terminal portion includes a first portion connected to the die pad portion, a second portion located on one side in the thickness direction with respect to the first portion and used for mounting, the first portion and the first terminal portion. 3.
  • Appendix 4 The first part penetrates the third resin surface and is separated from the second resin surface in the thickness direction,
  • the semiconductor device according to any one of appendices 4 to 7, wherein the surface of the first portion on one side in the thickness direction is flush with the main surface of the first lead.
  • the second terminal portion includes a sixth portion interposed between the fourth portion and the fifth portion, The third part and the sixth part extend in the thickness direction within the sealing resin, The semiconductor device according to appendix 3, wherein the second portion and the fifth portion are exposed from the first resin surface.
  • Appendix 10. 10 The semiconductor device according to appendix 9, wherein the sealing resin has a recess recessed in the thickness direction from the first resin surface between the second part and the fifth part in the first direction. Appendix 11.
  • the third lead spaced apart from the first lead and the second lead; the third lead includes a third pad portion and a third terminal portion connected to the third pad portion; The third terminal portion includes a seventh portion connected to the third pad portion, an eighth portion located on one side in the thickness direction of the seventh portion and used for mounting, and the seventh portion.
  • A10, A11, A12, A13, A14 semiconductor devices A15, A16, A20, A30, A40: semiconductor devices A50, A60, A61, A70, A71: semiconductor device 10: conductive member 11: first lead 12: second lead 13: Third lead 14: Fourth lead 20: Semiconductor element 29: Bonding layer 32: Connection member 40: Sealing resin 41: First resin surface 42: Second resin surface 43: Third resin surface 44: Fourth resin Surface 45: Fifth resin surface 46: Sixth resin surface 47: Concave portion 48: Convex portion 49: Groove 91: Heat sink 92: Circuit board 111: Die pad portion 112: First terminal portion 113: Connecting portion 121: Second pad portion 121a: main body portion 121b: joint portion 121c: connection portion 131: third pad portion 131a: main body portion 131b: joint portion 131c: connection portion 132: third terminal portion 141: fourth pad portion 142: fourth terminal portion 201: First electrode 202: Second electrode 203: Third electrode 205:

Landscapes

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Abstract

半導体装置は、半導体素子と、第１リードと、第２リードと、封止樹脂とを備える。前記第１リードは、ダイパッド部および第１端子部を含み、前記ダイパッド部は、厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第１リード裏面を有する。前記封止樹脂は、前記厚さ方向一方側を向く第１樹脂面および前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面を有する。前記封止樹脂は、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う。前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出する。前記第２リードは、前記半導体素子に導通接合された第２パッド部と、前記第２パッド部につながる第２端子部とを備える。前記第２端子部は、前記第２パッド部につながる第４部と、前記第４部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第５部とを備えている。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。この半導体装置は、第１～第３リードと、半導体装置と、封止樹脂とを備える。第１リードは、パッド主面およびパッド裏面を有する第１パッドを含む。半導体素子は、パッド主面の上に搭載されている。封止樹脂は、パッド主面に接し、かつ半導体素子を覆う。第１リード、第２リードおよび第３リードは、同一方向に延びる第１端子、第２端子および第３端子をそれぞれ有する。第１端子、第２端子および第３端子が、回路基板等の貫通孔に挿通されることにより、この半導体装置が回路基板に実装される。また、この半導体装置が、ヒートシンクに取り付けられる場合、パッド裏面とヒートシンクとの間に、たとえば絶縁シートが設けられる。
特開２０１７－１７４９５１号公報
　半導体装置は、回路基板に端子部を挿通させる実装形態の他に、たとえば回路基板に面実装される形態が求められる場合がある。
　本開示は、従来よりも改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、面実装可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、第１リードと、第２リードと、封止樹脂とを備える。前記第１リードは、厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部と、を含む。前記第２リードは、前記第１リードから離間して配置されている。前記封止樹脂は、前記厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う。前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出する。前記第２リードは、前記半導体素子に導通接合された第２パッド部と、前記第２パッド部につながる第２端子部と、を備える。前記第２端子部は、前記第２パッド部につながる第４部と、前記第４部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第５部と、を備えている。
　上記構成によれば、たとえば、面実装可能な半導体装置を提供することが可能となる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。 図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。 図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部底面図である。 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図１１のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図１１のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の使用状態を示す断面図である。 図１６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す断面図である。 図１７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例の使用状態を示す断面図である。 図１８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す斜視図である。 図１９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す断面図である。 図２０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第３変形例を示す斜視図である。 図２１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第３変形例を示す断面図である。 図２２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第４変形例を示す斜視図である。 図２３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第４変形例を示す断面図である。 図２４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第５変形例を示す断面図である。 図２５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第６変形例を示す側面図である。 図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図２８は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図２９は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図３０は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図３１は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図３２は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置の変形例を示す斜視図である。 図３３は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図３４は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、導通部材１０、半導体素子２０、および封止樹脂４０を備える。これらの図において、ｚ方向は、「厚さ方向」の一例であり、ｘ方向は、「第１方向」の一例であり、ｙ方向は、「第２方向」の一例である。
　導通部材１０：
　導通部材１０は、半導体素子２０への導通経路を構成する部材である。本実施形態の導通部材１０は、第１リード１１、第２リード１２、および第３リード１３を含む。第１リード１１、第２リード１２、および第３リード１３の材質は何ら限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）または銅合金を含む。また、第１リード１１、第２リード１２、および第３リード１３の適所には、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、鈴（Ｓｎ）等のめっきが施されていてもよい。
　第１リード１１：
　図１～図１４に示すように、第１リード１１は、ダイパッド部１１１および第１端子部１１２を有する。ダイパッド部１１１は、第１リード主面１１１１および第１リード裏面１１１２を有する。第１リード主面１１１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第１リード裏面１１１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第１リード主面１１１１には、半導体素子２０が搭載されている。
　本実施形態のダイパッド部１１１は、第１リード側面１１１３および第１中間面１１１４をさらに有する。第１リード側面１１１３は、ｚ方向において第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、ｘ方向の一方側を向く面である。第１中間面１１１４は、ｚ方向において第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、ｚ方向の他方側（第１リード裏面１１１２と同じ側）を向く面である。
　ダイパッド部１１１の形状は、何ら限定されない。図示された例においては、ダイパッド部１１１は、ｚ方向に見て矩形状である。また、第１リード主面１１１１および第１リード裏面１１１２の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。
　第１端子部１１２は、第１部１１２１、２つの第２部１１２２および２つの第３部１１２３を有する。第１部１１２１は、ダイパッド部１１１に繋がっており、ダイパッド部１１１からｘ方向の一方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。本実施形態においては、ダイパッド部１１１は、第１部１１２１よりもｚ方向の大きさが大きい。本実施形態の第１端子部１１２は、１つのみの第１部１１２１を有する。第１部１１２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。第１部１１２１は、ｚ方向において第１リード裏面１１１２から離れており、図示された例においては、第１リード主面１１１１と接している。第１部１１２１のｚ方向一方側の面は、第１リード主面１１１１と面一である。
　２つの第２部１１２２は、第１部１１２１に対してｚ方向の一方側に位置している。２つの第２部１１２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。
　２つの第３部１１２３は、第１部１１２１と２つの第２部１１２２との間に介在している。第３部１１２３は、第１部１１２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第３部１１２３は、第１部１１２１からｙ方向の外側に延出するようにｚ方向に対して傾いている。第３部１１２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｙ方向に見て矩形状である。
　本実施形態においては、２つの第２部１１２２は、２つの第３部１１２３からｙ方向の外側に延出している。また、２つの第２部１１２２は、ｙ方向に対して平行である。２つの第２部１１２２は、２つの第３部１１２３からｘ方向の一方側にはみ出さない。図示された例においては、２つの第２部１１２２と２つの第３部１１２３とは、ｘ方向における位置が同じである。
　第２リード１２：
　第２リード１２は、第１リード１１から離間して配置されている。第２リード１２は、ダイパッド部１１１のｚ方向一方側に位置し、第１リード１１の第１端子部１１２に対してｘ方向の他方側に位置している。第２リード１２は、第２パッド部１２１および複数の第２端子部１２２を有する。
　第２パッド部１２１は、第２リード主面１２１１および第２リード裏面１２１２を有する。第２リード主面１２１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第２リード裏面１２１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第２リード裏面１２１２は、半導体素子２０の後述する第１電極２０１に導通接合されている。第２リード裏面１２１２と第１電極２０１とは、たとえばはんだを介して接合される。なお、第２リード裏面１２１２と第１電極２０１とは、銀（Ａｇ）ペーストまたは焼成銀等を介して接合されてもよい。第２パッド部１２１の形状は何ら限定されない。図示された例においては、図１１に示すように、第２パッド部１２１は、本体部１２１ａ、接合部１２１ｂおよび連結部１２１ｃを有する。本体部１２１ａは、ｙ方向を長手方向とする長矩形状であり、複数の第２端子部１２２がつながっている。接合部１２１ｂは、矩形状であり、半導体素子２０の第１電極２０１に導通接合されている。連結部１２１ｃは、矩形状であり、本体部１２１ａおよび接合部１２１ｂにつながっている。本実施形態では、接合部１２１ｂは、本体部１２１ａよりｚ方向他方側に位置する。また、ｚ方向に見て、第２パッド部１２１は、ダイパッド部１１１よりも小さい。また、第２パッド部１２１は、ダイパッド部１１１よりもｚ方向の大きさが小さく、第１端子部１１２と同じである。
　複数の第２端子部１２２は、ｙ方向に並んで配置されている。第２端子部１２２は、第４部１２２１、第５部１２２２および第６部１２２３を有する。
　第４部１２２１は、第２パッド部１２１に繋がっており、第２パッド部１２１からｘ方向の他方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第４部１２２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。
　第５部１２２２は、第４部１２２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第５部１２２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第５部１２２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。
　第６部１２２３は、第４部１２２１と第５部１２２２との間に介在している。第６部１２２３は、第４部１２２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第６部１２２３は、ｚ方向（ｙｚ平面）に対して傾いている。第６部１２２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。
　第３リード１３：
　第３リード１３は、第１リード１１および第２リード１２から離間して配置されている。第３リード１３は、ダイパッド部１１１のｚ方向一方側に位置し、第１リード１１の第１端子部１１２に対してｘ方向の他方側に位置している。また、第３リード１３は、ｙ方向において第２リード１２と並んでいる。第３リード１３は、第３パッド部１３１および第３端子部１３２を有する。
　第３パッド部１３１は、第３リード主面１３１１および第３リード裏面１３１２を有する。第３リード主面１３１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第３リード裏面１３１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第３リード裏面１３１２は、半導体素子２０の後述する第３電極２０３に導通接合されている。第３リード裏面１３１２と第３電極２０３とは、たとえばはんだを介して接合される。なお、第３リード裏面１３１２と第３電極２０３とは、銀（Ａｇ）ペーストまたは焼成銀等を介して接合されてもよい。第３パッド部１３１の形状は何ら限定されない。図示された例においては、図１１に示すように、第３パッド部１３１は、本体部１３１ａ、接合部１３１ｂおよび連結部１３１ｃを有する。本体部１３１ａは、矩形状であり、第３端子部１３２がつながっている。接合部１３１ｂは、矩形状であり、半導体素子２０の第３電極２０３に導通接合されている。連結部１３１ｃは、長矩形状であり、本体部１３１ａおよび接合部１３１ｂにつながっている。本実施形態では、連結部１３１ｃは、ｘ方向に傾斜して延びている。また、接合部１３１ｂは、本体部１３１ａよりｚ方向他方側に位置する。また、ｚ方向に見て、第３パッド部１３１は、第２パッド部１２１よりも小さい。また、第３パッド部１３１は、ダイパッド部１１１よりもｚ方向の大きさが小さく、第２パッド部１２１と同じである。
　第３端子部１３２は、第７部１３２１、第８部１３２２および第９部１３２３を有する。
　第７部１３２１は、第３パッド部１３１に繋がっており、第３パッド部１３１からｘ方向の他方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第７部１３２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。
　第８部１３２２は、第７部１３２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第８部１３２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第８部１３２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。
　第９部１３２３は、第７部１３２１と第８部１３２２との間に介在している。第９部１３２３は、第７部１３２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第９部１３２３は、ｚ方向（ｙｚ平面）に対して傾いている。第９部１３２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。
　半導体素子２０：
　半導体素子２０は、図５および図１１～図１４に示すように、ダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に搭載されている。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子２０は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。半導体素子２０は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。半導体素子２０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のトランジスタでもよい。さらに半導体素子２０は、ダイオードでもよい。半導体素子２０は、半導体層２０５、第１電極２０１、第２電極２０２および第３電極２０３を有する。
　半導体層２０５は、化合物半導体基板を含む。化合物半導体基板の主材料は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）である。この他、化合物半導体基板の主材料として、ケイ素（Ｓｉ）を用いてもよい。
　第１電極２０１は、ｚ方向において第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１が向く側（一方側）に設けられている。第１電極２０１は、半導体素子２０のソース電極に相当する。
　第２電極２０２は、ｚ方向において第１電極２０１とは反対側に設けられている。第２電極２０２は、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に対向している。第２電極２０２は、半導体素子２０のドレイン電極に相当する。本実施形態においては、第２電極２０２は、接合層２９を介して第１リード主面１１１１に導通接合されている。接合層２９は、たとえば、はんだ、銀（Ａｇ）ペースト、焼成銀等である。
　第３電極２０３は、ｚ方向において第１電極２０１と同じ側に設けられ、かつ第１電極２０１から離れて位置する。第３電極２０３は、半導体素子２０のゲート電極に相当する。ｚ方向に見て、第３電極２０３の面積は、第１電極２０１の面積よりも小である。
　本実施形態においては、第１リード１１の第１端子部１１２は、ドレイン端子であり、第２リード１２の第２端子部１２２は、ソース端子であり、第３リード１３の第３端子部１３２は、ゲート端子である。
　封止樹脂４０：
　封止樹脂４０は、図１～図１４に示すように、半導体素子２０と、第１リード１１、第２リード１２および第３リード１３の一部ずつとを覆っている。封止樹脂４０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂４０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂４０は、第１樹脂面４１、第２樹脂面４２、第３樹脂面４３、第４樹脂面４４、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６を有する。
　第１樹脂面４１は、ｚ方向において第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じ側（一方側）を向く。第２樹脂面４２は、ｚ方向において第１樹脂面４１とは反対側（他方側）を向く。第２樹脂面４２から、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２が露出している。第２樹脂面４２と第１リード裏面１１１２とは、互いに面一である。第１リード裏面１１１２は、ｘ方向において第３樹脂面４３から離れている。
　第３樹脂面４３は、ｘ方向の一方側を向いている。第１リード１１の第１端子部１１２の第１部１１２１は、第３樹脂面４３を貫通している。本実施形態においては、１つのみの第１部１１２１が、第３樹脂面４３を貫通している。また、第１部１１２１は、ｚ方向において第２樹脂面４２から離れている。
　第４樹脂面４４は、ｘ方向において第３樹脂面４３とは反対側（他方側）を向いている。本実施形態においては、第２リード１２の複数の第２端子部１２２の第４部１２２１、および、第３リード１３の第３端子部１３２の第７部１３２１が、第４樹脂面４４を貫通している。また、第４部１２２１および第７部１３２１は、ｚ方向において第２樹脂面４２から離れている。
　第５樹脂面４５および第６樹脂面４６は、ｙ方向において互いに反対側を向く面である。
　図７に示すように、第１リード１１の第１端子部１１２の２つの第２部１１２２のｙ方向端部は、ｙ方向において封止樹脂４０の第５樹脂面４５および第６樹脂面４６とほぼ同じ位置にある。２つの第２部１１２２は、ｙ方向において第５樹脂面４５および第６樹脂面４６からは、はみ出していない。
　図示された例においては、封止樹脂４０は、溝４９を有する。溝４９は、第２樹脂面４２からｚ方向に凹んでおり、ｙ方向に沿って延びている。溝４９は、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。
　また、図示された例においては、封止樹脂４０は、２つの凹部４７を有している。一方の凹部４７は、第１樹脂面４１および第５樹脂面４５から凹んでいる。他方の凹部４７は、４１および第６樹脂面４６から凹んでいる。凹部４７からは、第１リード主面１１１１の一部が露出している。
　図１５は、半導体装置Ａ１０の使用状態を示している。本使用例においては、半導体装置Ａ１０は、回路基板９２に面実装されている。すなわち、第１端子部１１２の第２部１１２２、第２端子部１２２の第５部１２２２、および第３端子部１３２の第８部１３２２が、たとえばはんだ９２１によって、回路基板９２の配線パターン（図示略）に導通接合されている。また、ダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２には、ヒートシンク９１が対向配置されている。図示された例においては、第１リード裏面１１１２とヒートシンク９１との間に、シート材９１９が配置されている。シート材９１９は、たとえば絶縁シートである。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用について説明する。
　図１５に示すように、第１リード裏面１１１２は、第２樹脂面４２から露出している。これにより、第１リード裏面１１１２には、たとえばヒートシンク９１を対向配置させることが可能である。また、第２部１１２２は、第１部１１２１よりもｚ方向の一方側に位置している。これにより、第２部１１２２を用いて半導体装置Ａ１０を回路基板９２等に面実装することが可能である。また、第１リード裏面１１１２は、ｘ方向において第３樹脂面４３から離れている。また、第１部１１２１は、ｚ方向において第２樹脂面４２から離れている。このため、第１リード裏面１１１２と第１部１１２１との間には、封止樹脂４０の一部が存在する。これにより、封止樹脂４０によって第１リード１１をより強固に保持することができる。
　第２リード裏面１２１２は、半導体素子２０の第１電極２０１に導通接合されている。また、第３リード裏面１３１２は、半導体素子２０の第３電極２０３に導通接合されている。したがって、第２リード１２（第３リード１３）と第１電極２０１（第３電極２０３）とがボンディングワイヤを介して導通接続される場合と比較して、より大きな電流を流すことが可能である。また、第２リード１２（第３リード１３）と第１電極２０１（第３電極２０３）とが金属板（クリップ）を介して導通接続される場合と比較して、半導体装置Ａ１０を構成するための部品数を削減できる。
　第１端子部１１２は、第３部１１２３を有する。これにより、第２部１１２２をより確実に支持することができる。
　第３部１１２３は、ｙｚ平面に対して平行である。したがって、半導体装置Ａ１０のｘ方向寸法を縮小することができる。
　第１端子部１１２は、２つの第２部１１２２を有する。これにより、半導体装置Ａ１０の実装強度を高めることができる。
　２つの第２部１１２２は、第３部１１２３からｘ方向の外側に延出している。これにより、半導体装置Ａ１０の実装強度をさらに高めることができる。
　第１部１１２１のｙ方向の大きさは、ダイパッド部１１１のｙ方向の大きさよりも小さい。これにより、封止樹脂４０による第１リード１１の保持力をさらに高めることができる。
　第２部１１２２は、ｘ方向において第３部１１２３からはみ出さない。これにより、半導体装置Ａ１０のｘ方向寸法を縮小することができる。
　ダイパッド部１１１は、第１部１１２１よりもｚ方向の大きさが大きい。これにより、半導体素子２０から第１リード裏面１１１２へと熱が伝わる過程で、ｘ方向およびｙ方向において、熱をより広い範囲に伝えることが可能である。したがって、第１リード裏面１１１２のより広い領域によって、半導体素子２０からの熱をヒートシンク９１等に放熱することが可能であり、放熱効率を高めることができる。
　第１部１１２１のｚ方向一方側の面は、第１リード主面１１１１と面一である。これにより、ｚ方向における第１部１１２１から第２樹脂面４２までの距離を大きくすることが可能であり、封止樹脂４０による第１リード１１の保持力をさらに高めることができる。
　封止樹脂４０には、溝４９が形成されている。これにより、第１リード裏面１１１２から第２リード１２（第４部１２２１）および第３リード１３（第７部１３２１）までの、封止樹脂４０の表面に沿った距離（以下、沿面距離）を延長することができる。
　図１６～図３４は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　第１実施形態　第１変形例：
　図１６および図１７は、半導体装置Ａ１０の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１は、第２部１１２２、第５部１２２２および第８部１３２２と、第１樹脂面４１との関係が、上述した例と異なっている。
　本変形例においては、第２部１１２２、第５部１２２２および第８部１３２２は、第１樹脂面４１よりもｚ方向の他方側（第１リード裏面１１１２が向く側）に位置している。第２部１１２２、第５部１２２２および第８部１３２２のｚ方向の一方側を向く面と第１樹脂面４１とは、距離Ｇｚだけ離れている。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１１を面実装可能であり、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。また、第１樹脂面４１は、第２部１１２２、第５部１２２２および第８部１３２２よりもｚ方向の一方側に距離Ｇｚだけ突出している。このため、図１７に示す半導体装置Ａ１１の使用状態においては、半導体装置Ａ１１にヒートシンク９１が押し付けられると、第１樹脂面４１が、回路基板９２と当接しやすい。これにより、ヒートシンク９１から加えられた力が、第１リード１１、第２リード１２および第３リード１３や半導体素子２０に作用することを抑制することができる。
　第１実施形態　第２変形例：
　図１８および図１９は、半導体装置Ａ１０の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、封止樹脂４０に２つの溝４９が設けられている。
　各溝４９は、ｙ方向に延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。また、２つの溝４９は、ｘ方向に離れて配置されている。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１２を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、２つの溝４９を有することにより、第１リード裏面１１１２と第２端子部１２２および第３端子部１３２との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、溝４９の個数は何ら限定されない。
　第１実施形態　第３変形例：
　図２０および図２１は、半導体装置Ａ１０の第３変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１３においては、封止樹脂４０に凸部４８が設けられている。
　凸部４８は、第２樹脂面４２からｚ方向の他方側に突出している。凸部４８は、ｙ方向に沿って延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。図示された例においては、凸部４８は、封止樹脂４０のｘ方向の他方側端に配置されており、第４樹脂面４４に接している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１３を面実装可能である。また、凸部４８を有することにより、第１リード裏面１１１２と第２端子部１２２および第３端子部１３２との沿面距離を延長することができる。
　第１実施形態　第４変形例：
　図２２および図２３は、半導体装置Ａ１０の第４変形例を示している。本変形例のＡ１４においては、封止樹脂４０に２つの凸部４８が設けられている。
　各凸部４８は、いずれも第２樹脂面４２からｚ方向の他方側に突出している。各凸部４８は、ｙ方向に沿って延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。２つの凸部４８は、ｘ方向において第１リード裏面１１１２を挟んで互いに離れて配置されている。一方の凸部４８は、第４樹脂面４４に接している。他方の凸部４８は、第３樹脂面４３に接している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１４を面実装可能である。また、２つの凸部４８を有することにより、第１リード裏面１１１２と第２端子部１２２および第３端子部１３２との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、凸部４８の個数は何ら限定されない。
　第１実施形態　第５変形例：
　図２４は、半導体装置Ａ１０の第５変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１５においては、封止樹脂４０が上述の凸部４８および溝４９を有していない。本変形例によっても、半導体装置Ａ１５を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、封止樹脂４０は、凸部４８および溝４９を有さない構成であってもよい。
　第１実施形態　第６変形例：
　図２５は、半導体装置Ａ１０の第６変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１６においては、２つの第２部１１２２が、２つの第３部１１２３からｘ方向の内側に延出している。本変形例によっても、半導体装置Ａ１６を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、第２部１１２２の形状等は何ら限定されない。
　第２実施形態：
　図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第４リード１４をさらに備えている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態においては、ｙ方向における第２リード１２と第３リード１３との間に、第４リード１４が配置されている。第４リード１４は、第１リード１１、第２リード１２および第３リード１３から離間して配置されている。第４リード１４は、ダイパッド部１１１のｚ方向一方側に位置し、第１リード１１の第１端子部１１２に対してｘ方向の他方側に位置している。第４リード１４は、第４パッド部１４１および第４端子部１４２を有する。
　第４パッド部１４１の形状は何ら限定されないが、第３パッド部１３１と同様の形状である。第４パッド部１４１は、第４リード主面１４１１および第４リード裏面１４１２を有する。第４リード主面１４１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第４リード裏面１４１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第４リード裏面１４１２は、半導体素子２０の第１電極２０１に導通接合されている。第４端子部１４２の形状は何ら限定されないが、第３端子部１３２と同様の形状である。第４リード１４の第４端子部１４２は、ソースセンス端子である。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ２０を面実装可能である。なお、第４リード１４は、ｙ方向において、第２リード１２に対して第３リード１３とは反対側に配置されてもよい。
　第３実施形態：
　図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３０は、第３リード１３と半導体素子２０との導通形態が第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、第３リード１３の第３パッド部１３１は、ｚ方向においてダイパッド部１１１に重なる位置まで延びておらず、第１実施形態における接合部１３１ｂおよび連結部１３１ｃに相当する部分を含まない。また、半導体装置Ａ３０は、接続部材３２をさらに備えている。接続部材３２は、たとえばボンディングワイヤであって、第３リード１３の第３パッド部１３１の第３リード主面１３１１と、半導体素子２０の第３電極２０３とに導通接合されている。接続部材３２の材質は何ら限定されず、たとえば金（Ａｕ）を含んでいる。なお、接続部材３２の本数は何ら限定されず、複数の接続部材３２を備えていてもよい。また、接続部材３２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属を含む金属板（クリップ）であってもよい。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ３０を面実装可能である。また、本実施形態から理解されるように、第３リード１３と半導体素子２０との具体的な導通形態は何ら限定されない。なお、第３リード１３と半導体素子２０とを接続部材３２で接続する代わりに、第２リード１２と半導体素子２０とを接続部材で接続してもよい。
　第４実施形態：
　図２８は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ４０は、第２リード１２および第３リード１３の形状が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態の第２リード１２において、第２端子部１２２の第４部１２２１は、ｚ方向における位置が、第１リード１１の第１端子部１１２の第１部１１２１と同じである。したがって、第１部１１２１による第３樹脂面４３の第１貫通位置と、第４部１２２１による第４樹脂面４４の第２貫通位置とは、ｚ方向において同じ位置にある。第２パッド部１２１の本体部１２１ａのｚ方向における位置は、第１端子部１１２の第１部１１２１と同じである。したがって、連結部１２１ｃは、本体部１２１ａからｘ方向一方側に進むにつれてｚ方向一方側に進むように、ｘｙ平面に対して傾斜した面を有している。図示されていないが、第３リード１３も第２リード１２と同様であり、第７部１３２１がｚ方向において第１部１１２１と同じ位置であり、連結部１３１ｃが連結部１２１ｃと同様に傾斜した面を有している。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ４０を面実装可能である。また、本実施形態によると、第１部１１２１による第３樹脂面４３の第１貫通位置と、第４部１２２１による第４樹脂面４４の第２貫通位置とを、ｚ方向において同じ位置にできる。
　第５実施形態：
　図２９は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ５０は、第１リード１１の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態の第１リード１１は、ダイパッド部１１１と第１部１１２１とのｚ方向における大きさが同じである。また、第１リード１１は、連結部１１３を有する。連結部１１３は、ダイパッド部１１１と第１端子部１１２の第１部１１２１とを連結している。本実施形態においても、１つのみの第１部１１２１が第３樹脂面４３を貫通している。本実施形態においては、第１リード主面１１１１のｚ方向における位置と、第１部１１２１のｚ方向の一方側を向く面のｚ方向における位置とは、互いに異なっている。また、本実施形態では、第１部１１２１による第３樹脂面４３の第１貫通位置と、第４部１２２１による第４樹脂面４４の第２貫通位置とは、ｚ方向において同じ位置にある。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ５０を面実装可能である。また、本実施形態から理解されるように、ダイパッド部１１１のｚ方向における大きさと、第１部１１２１のｚ方向における大きさとの関係は、何ら限定されない。
　第６実施形態：
　図３０～図３１は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ６０は、第１端子部１１２の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態の第１リード１１は、複数の第１端子部１１２を有している。複数の第１端子部１１２は、ｙ方向に並んで配置されている。各第１端子部１１２は、それぞれが、第１部１１２１、第２部１１２２および第３部１１２３を有する。
　第１部１１２１は、ダイパッド部１１１に繋がっている。第１部１１２１は、ダイパッド部１１１の第１リード側面１１１３からｘ方向の一方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第１部１１２１は、第３樹脂面４３を貫通している。第１部１１２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。
　第２部１１２２は、第１部１１２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第２部１１２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第２部１１２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。
　第３部１１２３は、第１部１１２１と第２部１１２２との間に介在している。第３部１１２３は、第１部１１２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第３部１１２３は、ｚ方向（ｙｚ平面）に対して傾いている。第３部１１２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ６０を面実装可能である。さらに、第１リード１１は、複数の第１端子部１１２を有している。これにより、半導体装置Ａ６０の実装強度を高めることができる。本実施形態から理解されるように、第１端子部１１２の構成は、何ら限定されない。
　第６実施形態　変形例：
　図３２は、半導体装置Ａ６０の変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ６１においては、第１リード裏面１１１２がｚ方向に見て第３樹脂面４３よりもｘ方向の一方側にはみ出す部分を有する。つまり、本変形例では、第１部１１２１ではなく、ダイパッド部１１１が第３樹脂面４３を貫通している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ６１を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、第１リード裏面１１１２が第３樹脂面４３よりもｘ方向の一方側にはみ出す部分を有することにより、ヒートシンク９１と対向する第１リード裏面１１１２の面積を拡大することが可能である。したがって、半導体装置Ａ６１からヒートシンク９１への放熱効率を高めることができる。
　第７実施形態：
　図３３は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ７０は、第１端子部１１２、第２端子部１２２および第３端子部１３２の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態においては、第１端子部１１２は、第１部１１２１が第３樹脂面４３を貫通せず、第３部１１２３が封止樹脂４０内をｚ方向に延び、第２部１１２２が第１樹脂面４１から露出している。また、第２端子部１２２は、第４部１２２１が第４樹脂面４４を貫通せず、第６部１２２３が封止樹脂４０内をｚ方向に延び、第５部１２２２が第１樹脂面４１から露出している。また、図に表れていないが、第３端子部１３２は、第７部１３２１が第４樹脂面４４を貫通せず、第９部１３２３が封止樹脂４０内をｚ方向に延び、第８部１３２２が第１樹脂面４１から露出している。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ７０を面実装可能である。さらに、第１端子部１１２、第２端子部１２２および第３端子部１３２が第３樹脂面４３または第４樹脂面４４を貫通してｘ方向に突出する場合と比較して、半導体装置Ａ７０の実装面積（ｘ方向の寸法）を小さくできる。本実施形態から理解されるように、第１端子部１１２、第２端子部１２２および第３端子部１３２の構成は、何ら限定されない。
　第７実施形態　変形例：
　図３４は、半導体装置Ａ７０の変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ７１においては、封止樹脂４０が凹形状領域４１１を有している。凹形状領域４１１は、第１樹脂面４１からｚ方向に凹む領域である。凹形状領域４１１は、ｘ方向における第２部１１２２と第５部１２２２および第８部１３２２との間に位置する。本変形例では、凹形状領域４１１は、第２部１１２２の近辺からｘ方向他方側に進むにしたがって緩やかにｚ方向他方側に凹み、第５部１２２２および第８部１３２２の近辺からｘ方向一方側に進むにしたがって緩やかにｚ方向他方側に凹む凹部である。凹形状領域４１１は、第２パッド部１２１、第３パッド部１３１および半導体素子２０に影響を及ぼさないように形成されている。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ７１を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、封止樹脂４０が凹形状領域４１１を有することで、第２部１１２２から第５部１２２２および第８部１３２２までの、封止樹脂４０の表面に沿った距離（沿面距離）を延長することができる。なお、凹形状領域４１１は、本変形例のように、緩やかな凹部が１つだけある場合に限定されない。凹形状領域４１１は、複数の凹部を有してもよい。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と、
　厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部と、を含む第１リードと、
　前記第１リードから離間して配置された第２リードと、
　前記厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備え、
　前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出し、
　前記第２リードは、前記半導体素子に導通接合された第２パッド部と、前記第２パッド部につながる第２端子部と、を備え、
　前記第２端子部は、前記第２パッド部につながる第４部と、前記第４部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第５部と、を備えている、半導体装置。
　付記２．
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向と直交する第１方向一方側を向く第３樹脂面と、前記第１方向他方側を向く第４樹脂面と、を有する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１端子部は、前記ダイパッド部につながる第１部と、前記第１部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第２部と、前記第１部と前記第２部との間に介在する第３部と、を備えている、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１部は、前記第３樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第２樹脂面から離れており、
　前記第４部は、前記第４樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第２樹脂面から離れている、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記第２部は、前記第３部から前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向外側に延出している、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１部による前記第３樹脂面の第１貫通位置と、前記第４部による前記第４樹脂面の第２貫通位置とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記４または５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第２部の前記厚さ方向一方側を向く面、および、前記第５部の前記厚さ方向一方側を向く面は、前記第１樹脂面より、前記厚さ方向他方側に位置する、付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記ダイパッド部は、前記第１端子部の前記第１部よりも、前記厚さ方向の大きさが大きく、
　前記第１部の前記厚さ方向一方側の面は、前記第１リード主面と面一である、付記４ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第２端子部は、前記第４部と前記第５部との間に介在する第６部を備えており、
　前記第３部および前記第６部は、前記封止樹脂内を前記厚さ方向に延び、
　前記第２部および前記第５部は、前記第１樹脂面から露出している、付記３に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記封止樹脂は、前記第１方向における前記第２部と前記第５部との間において、前記第１樹脂面から前記厚さ方向に凹む凹部を有する、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第１リードおよび前記第２リードから離間して配置された第３リードをさらに備え、
　前記第３リードは、第３パッド部と、前記第３パッド部につながる第３端子部と、を備え、
　前記第３端子部は、前記第３パッド部につながる第７部と、前記第７部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第８部と、前記第７部と前記第８部との間に介在する第９部と、を備えている、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第３パッド部は、前記半導体素子に導通接合されている、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第３パッド部と前記半導体素子とに導通接合された接続部材をさらに備えている、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記封止樹脂は、前記第２樹脂面から前記厚さ方向に凹む溝を有する、付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記封止樹脂は、前記第２樹脂面から前記厚さ方向に突出する凸部を有する、付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４：半導体装置
Ａ１５，Ａ１６，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０：半導体装置
Ａ５０，Ａ６０，Ａ６１，Ａ７０，Ａ７１：半導体装置
１０：導通部材　　　１１：第１リード
１２：第２リード　　　１３：第３リード
１４：第４リード　　　２０：半導体素子
２９：接合層　　　３２：接続部材
４０：封止樹脂　　　４１：第１樹脂面
４２：第２樹脂面　　　４３：第３樹脂面
４４：第４樹脂面　　　４５：第５樹脂面
４６：第６樹脂面　　　４７：凹部
４８：凸部　　　４９：溝
９１：ヒートシンク　　　９２：回路基板
１１１：ダイパッド部　　　１１２：第１端子部
１１３：連結部　　　１２１：第２パッド部
１２１ａ：本体部　　　１２１ｂ：接合部
１２１ｃ：連結部　　　１３１：第３パッド部
１３１ａ：本体部　　　１３１ｂ：接合部
１３１ｃ：連結部　　　１３２：第３端子部
１４１：第４パッド部　　　１４２：第４端子部
２０１：第１電極　　　２０２：第２電極
２０３：第３電極　　　２０５：半導体層
４１１：凹形状領域　　　９１９：シート材
９２１：はんだ　　　１１１１：第１リード主面
１１１２：第１リード裏面　　　１１１３：第１リード側面
１１１４：第１中間面　　　１１２１：第１部
１１２２：第２部　　　１１２３：第３部
１２１１：第２リード主面　　　１２１２：第２リード裏面
１２２１：第４部　　　１２２２：第５部
１２２３：第６部　　　１３１１：第３リード主面
１３１２：第３リード裏面　　　１３２１：第７部
１３２２：第８部　　　１３２３：第９部
１４１１：第４リード主面　　　１４１２：第４リード裏面

Claims (15)

  1. 　半導体素子と、
    　厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第１リード裏面を有するダイパッド部と、第１端子部と、を含む第１リードと、
    　前記第１リードから離間して配置された第２リードと、
    　前記厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記第１リード裏面は、前記第２樹脂面から露出し、
    　前記第２リードは、前記半導体素子に導通接合された第２パッド部と、前記第２パッド部につながる第２端子部と、を備え、
    　前記第２端子部は、前記第２パッド部につながる第４部と、前記第４部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第５部と、を備えている、半導体装置。
  2. 　前記封止樹脂は、前記厚さ方向と直交する第１方向一方側を向く第３樹脂面と、前記第１方向他方側を向く第４樹脂面と、を有する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１端子部は、前記ダイパッド部につながる第１部と、前記第１部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第２部と、前記第１部と前記第２部との間に介在する第３部と、を備えている、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１部は、前記第３樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第２樹脂面から離れており、
    　前記第４部は、前記第４樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第２樹脂面から離れている、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記第２部は、前記第３部から前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向外側に延出している、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１部による前記第３樹脂面の第１貫通位置と、前記第４部による前記第４樹脂面の第２貫通位置とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第２部の前記厚さ方向一方側を向く面、および、前記第５部の前記厚さ方向一方側を向く面は、前記第１樹脂面より、前記厚さ方向他方側に位置する、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記ダイパッド部は、前記第１端子部の前記第１部よりも、前記厚さ方向の大きさが大きく、
    　前記第１部の前記厚さ方向一方側の面は、前記第１リード主面と面一である、請求項４ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 　前記第２端子部は、前記第４部と前記第５部との間に介在する第６部を備えており、
    　前記第３部および前記第６部は、前記封止樹脂内を前記厚さ方向に延び、
    　前記第２部および前記第５部は、前記第１樹脂面から露出している、請求項３に記載の半導体装置。
  10. 　前記封止樹脂は、前記第１方向における前記第２部と前記第５部との間において、前記第１樹脂面から前記厚さ方向に凹む凹部を有する、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１リードおよび前記第２リードから離間して配置された第３リードをさらに備え、
    　前記第３リードは、第３パッド部と、前記第３パッド部につながる第３端子部と、を備え、
    　前記第３端子部は、前記第３パッド部につながる第７部と、前記第７部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第８部と、前記第７部と前記第８部との間に介在する第９部と、を備えている、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記第３パッド部は、前記半導体素子に導通接合されている、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記第３パッド部と前記半導体素子とに導通接合された接続部材をさらに備えている、請求項１１に記載の半導体装置。
  14. 　前記封止樹脂は、前記第２樹脂面から前記厚さ方向に凹む溝を有する、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
  15. 　前記封止樹脂は、前記第２樹脂面から前記厚さ方向に突出する凸部を有する、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09312367A (ja) * 1996-05-23 1997-12-02 Mitsubishi Electric Corp 高周波半導体装置
JP2011082535A (ja) * 2010-11-15 2011-04-21 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US20180061745A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor Chip Package Having a Repeating Footprint Pattern
JP2019192751A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 ローム株式会社 半導体装置
WO2020059751A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 ローム株式会社 半導体装置
JP2020107637A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09312367A (ja) * 1996-05-23 1997-12-02 Mitsubishi Electric Corp 高周波半導体装置
JP2011082535A (ja) * 2010-11-15 2011-04-21 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US20180061745A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor Chip Package Having a Repeating Footprint Pattern
JP2019192751A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 ローム株式会社 半導体装置
WO2020059751A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 ローム株式会社 半導体装置
JP2020107637A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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