WO2024057876A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2024057876A1
WO2024057876A1 PCT/JP2023/030657 JP2023030657W WO2024057876A1 WO 2024057876 A1 WO2024057876 A1 WO 2024057876A1 JP 2023030657 W JP2023030657 W JP 2023030657W WO 2024057876 A1 WO2024057876 A1 WO 2024057876A1
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WO
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width
lead
main
semiconductor device
root
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/030657
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢一 吉持
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor element using a nitride semiconductor.
  • the semiconductor element disclosed in this document includes an element body made of a semiconductor, and a nitride semiconductor layer and an electrode laminated on the main surface side of the element body.
  • the electrodes include a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode arranged on the nitride semiconductor layer.
  • This semiconductor device is configured as a GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) device.
  • GaN-HEMT High Electron Mobility Transistor
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over the conventional semiconductor device. Particularly, in view of the above-mentioned circumstances, an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can alleviate current concentration in a conduction path.
  • a semiconductor device A1 provided by one aspect of the present disclosure includes a plurality of leads, a semiconductor element, and a sealing resin that covers at least a portion of the plurality of leads and the semiconductor element.
  • the plurality of leads include a first lead.
  • the semiconductor element includes a main surface of the device facing one side in the thickness direction, a back surface of the device facing the other side, and a plurality of first electrodes arranged along a first direction intersecting the thickness direction on the main surface of the device. and has.
  • the first lead includes a first main portion and a plurality of first leads extending from the first main portion in the thickness direction and a second direction intersecting the first direction, and arranged along the first direction. including branches.
  • the first branch portion has a first root portion connected to the first main portion, and a first connecting portion electrically connected to the first electrode.
  • a first width, which is a width in the first direction, of a tip of the first connecting portion is narrower than a second width, which is a width in the first direction, of a boundary between the first root portion and the first main portion. .
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a partial plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a rear view of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a left side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a right side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG. 1.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG.
  • FIG. 12 is a partially enlarged plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a partially enlarged plan view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a partially enlarged plan view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 15 is a partially enlarged plan view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a partially enlarged plan view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a partially enlarged plan view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 16 is a plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 16.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG. 16.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a first modification of the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a second modification of the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • a thing A is formed on a thing B and "a thing A is formed on a thing B” mean “a thing A is formed on a thing B” unless otherwise specified.
  • "something A is placed on something B” and “something A is placed on something B” mean "something A is placed on something B” unless otherwise specified.
  • a certain surface A faces (one side or the other side of) the direction B is not limited to the case where the angle of the surface A with respect to the direction B is 90 degrees; Including cases where it is tilted to the opposite direction.
  • First embodiment: 1 to 12 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A1 of this embodiment includes a plurality of leads 1 to 6, a semiconductor element 7, a wire 99, and a sealing resin 8.
  • the semiconductor device A1 is for switching current by being mounted on a substrate, for example, but the specific use of the semiconductor device A1 is not limited in any way.
  • the thickness direction of the present disclosure is defined as the thickness direction z.
  • One side in the thickness direction z is referred to as the z1 side, and the side opposite to the z1 side in the z direction is referred to as the z2 side.
  • one direction perpendicular to the thickness direction z is defined as a first direction x.
  • One side in the first direction x is called the x1 side, and the side opposite to the x1 side is called the x2 side.
  • a direction perpendicular to the thickness direction z and the first direction x is defined as a second direction y.
  • One side in the second direction y is defined as the y1 side
  • the side opposite to the y1 side is defined as the y2 side.
  • the plurality of leads 1 to 6 are used to appropriately achieve the function of supporting the semiconductor element 7, the function of forming a conductive path to the semiconductor element 7, and the like.
  • the plurality of leads 1 to 6 are made of metal such as copper (Cu), nickel (Ni), iron (Fe), or the like.
  • the plurality of leads 1 to 6 are formed, for example, by subjecting a metal plate material to a process selected from punching, bending, etching, or the like. Further, a plating layer made of silver (Ag), Ni, gold (Au), etc. may be provided at appropriate locations on each of the plurality of leads 1 to 6, if necessary.
  • the plurality of leads 1 to 6 will be described as a first lead 1, a second lead 2, a third lead 3, a fourth lead 4, a fifth lead 5, and an island lead 6. That is, the plurality of leads 1 to 6 include a first lead 1, a second lead 2, a third lead 3, a fourth lead 4, a fifth lead 5, and an island lead 6. Note that, as described later, in this embodiment, the fourth lead 4 and the island lead 6 are connected to each other. Depending on the conduction form of each of the leads 1 to 6, they may be configured as separate pieces, or any of the leads may be connected to each other.
  • first lead 1 and the second lead 2 are formed by punching and bending a metal plate material
  • third lead 3, fourth lead 4, fifth lead 5, and island lead 6 are formed by punching and bending a metal plate material.
  • An example will be explained in which a metal plate material is formed by etching.
  • the island lead 6 has a main surface 601, a back surface 602, a thick part 61, a thin part 62, and a plurality of extension parts 63.
  • the main surface 601 is a surface facing the z1 side in the z direction, and in the illustrated example, is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • the island lead 6 may have, for example, a recess or a groove recessed from the main surface 601 as appropriate.
  • the back surface 602 is a surface facing the z2 side in the z direction, and faces the opposite side to the main surface 601. In the illustrated example, back surface 602 is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • a plating layer made of Ni, titanium (Ti), or the like may be provided on the back surface 602 as appropriate.
  • the thick portion 61 is a portion where the main surface 601 and the back surface 602 overlap when viewed in the z direction, and in the illustrated example, is a rectangular portion when viewed in the z direction. Note that the shape of the thick portion 61 is not limited at all.
  • the thickness of the thick portion 61 in the z direction is the distance between the main surface 601 and the back surface 602.
  • the thin portion 62 is a portion that overlaps with the main surface 601 when viewed in the z direction but does not overlap with the back surface 602. In the illustrated example, the thin portion 62 extends from the thick portion 61 to both sides in the x direction and both sides in the y direction when viewed in the z direction. It is connected in such a way that it extends to.
  • the thickness of the thin portion 62 in the z direction is smaller than the distance between the main surface 601 and the back surface 602.
  • the thickness of the thick portion 61 and the thickness of the thin portion 62 are not limited at all.
  • the thickness of the thick portion 61 is approximately 0.2 mm to 0.5 mm
  • the thickness of the thin portion 62 is approximately 0.1 mm to 0.4 mm.
  • the portion of the thin portion 62 that extends from the thick portion 61 toward the y1 side in the y direction is larger than the portion that extends toward the y2 side.
  • the plurality of extending portions 63 are portions extending from the end of the thin wall portion 62. In the illustrated example, the plurality of extending portions 63 extend from the thin portion 62 to both sides in the x direction.
  • the number of extension parts 63 is not limited at all, and may be plural or one. In the illustrated example, two extending portions 63 are provided on the x1 side in the x direction, and two extending portions 63 are provided on the x2 side.
  • the extending portion 63 has an end surface 631.
  • the end surface 631 is a surface facing away from the thin wall portion 62 in the x direction, in other words, a surface facing outward in the x direction.
  • the illustrated end surface 631 is a surface perpendicular to the x direction.
  • the positions in the x direction of the two end surfaces 631 located on the x1 side in the x direction are the same (or substantially the same). Moreover, the positions in the x direction of the two end surfaces 631 located on the x2 side in the x direction are the same (or substantially the same).
  • the first lead 1 As shown in FIGS. 1, 7, and 8 to 12, the first lead 1 is arranged on the z1 side in the z direction relative to the third lead 3, fourth lead 4, fifth lead 5, and island lead 6. ing.
  • the first lead 1 of this embodiment includes a first main portion 11 , a plurality of first branch portions 12 , a first extension portion 13 , a third extension portion 14 , and a first standing portion 15 .
  • the first main portion 11 is a plate-shaped portion along the xy plane, and in the illustrated example, has a substantially rectangular shape with the x direction as the longitudinal direction.
  • the first main portion 11 in the illustrated example has a through hole 111 .
  • the through hole 111 penetrates the first main portion 11 in the z direction.
  • the number of through holes 111 is not limited, and may be one or more.
  • the first main portion 11 has two through holes 111.
  • the shape of the through hole 111 is not limited at all, and a circular shape, an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, etc. are appropriately selected.
  • the through hole 111 has an elliptical shape with the x direction as the longitudinal direction when viewed in the z direction.
  • the plurality of first branch parts 12 extend from the first main part 11 to the y2 side in the y direction.
  • the number of first branch parts 12 is not limited at all, and in the illustrated example, three first branch parts 12 are provided.
  • the plurality of first branch parts 12 are arranged side by side in the x direction.
  • the first branch portion 12 has a first connecting portion 121 and a first root portion 122 .
  • the first connecting portion 121 is a portion located on the y2 side in the y direction with respect to the first main portion 11.
  • the first connecting portion 121 is located closer to the z2 side than the first main portion 11 in the z direction.
  • the shape of the first connecting portion 121 is not limited at all, and in the illustrated example, it has a shape whose longitudinal direction is the y direction when viewed in the z direction.
  • the first connection portion 121 is perpendicular to the z direction.
  • the first root portion 122 is located between the first connecting portion 121 and the first main portion 11 and is connected to the first connecting portion 121 and the first main portion 11.
  • the first root portion 122 approaches the semiconductor element 7 in the z direction (located on the z2 side) as it goes from the first main portion 11 to the first connection portion 121 in the y direction (from the y1 side to the y2 side). is inclined to.
  • the three first branch portions 12 include first branch portions 12 that have different lengths in the y direction.
  • the first branch 12 located closest to the x2 side in the x direction has a shorter length in the y direction than the other first branches 12.
  • the first branch portion 12 located closest to the x2 side in the x direction is located close to a third electrode 73 and a wire 99, which will be described later.
  • the plurality of first branch parts 12 may have the same length.
  • the first width W11 which is the width in the first direction It is narrower than the second width W12, which is the width in the first direction x.
  • the first connecting portion 121 of this example has a shape in which the width in the first direction x decreases from the tip on the y2 side toward the first root portion 122 in the y direction. This first connecting portion 121 is configured only by the first tapered portion of the present disclosure.
  • the third width W13 which is the width in the first direction x of the boundary between the first root portion 122 and the first connection portion 121, is smaller than the second width W12.
  • the width of the first root portion 122 in the first direction x increases from the first connecting portion 121 side (y2 side) to the first main portion 11 side (y1 side) in the y direction. It has a tapered shape that increases in size.
  • the first branch portion 12 in the illustrated example has a tapered shape in which the width in the first direction x increases as it goes from the y2 side to the y1 side in the y direction. That is, the first connecting portion 121 and the first root portion 122 have a continuous tapered shape when viewed in the z direction.
  • the first extending portion 13 is a portion extending from the first main portion 11.
  • the first extending portion 13 extends from the end of the first main portion 11 on the x1 side in the x direction toward the x1 side.
  • the first extending portion 13 has a first end surface 131 .
  • the first end surface 131 is a surface facing the opposite side from the first main portion 11 in the x direction, in other words, a surface facing the x1 side which is the outside in the x direction.
  • the illustrated first end surface 131 is a surface perpendicular to the x direction.
  • the position of the first end surface 131 in the x direction is the same (or substantially the same) as the position in the x direction of the plurality of end surfaces 631 located on the x1 side in the x direction.
  • the third extending portion 14 is a portion extending from the first main portion 11.
  • the third extending portion 14 extends from the end of the first main portion 11 on the x2 side in the x direction toward the x2 side.
  • the third extending portion 14 has a third end surface 141.
  • the third end surface 141 is a surface facing the opposite side from the first main portion 11 in the x direction, in other words, a surface facing the x2 side which is the outside in the x direction.
  • the illustrated third end surface 141 is a surface perpendicular to the x direction. Further, the position of the third end surface 141 in the x direction is the same (or substantially the same) as the position in the x direction of the plurality of end surfaces 631 located on the x2 side in the x direction.
  • the first standing portion 15 is connected to an end portion of the first main portion 11 on the y1 side in the y direction, which is opposite to the first branch portion 12.
  • the first upright portion 15 extends from the first main portion 11 toward the z2 side in the z direction.
  • the shape of the first upright portion 15 is not limited in any way, and in the illustrated example, it has a rectangular shape with the x direction as the longitudinal direction. In the illustrated example, the center of the first upright portion 15 in the x direction is the same (or substantially the same) as the center of the first main portion 11 in the x direction.
  • the z2 side tip of the first upright portion 15 of the first lead 1 in the z direction is electrically connected to the third lead 3 via the fourth conductive joint 94.
  • the fourth conductive joint 94 is made of, for example, solder, Ag paste material, Ag sintered material, Cu sintered material, or the like.
  • 2nd lead 2 As shown in FIGS. 1, 7, and 8 to 12, the second lead 2 is arranged on the z1 side in the z direction relative to the third lead 3, fourth lead 4, fifth lead 5, and island lead 6. ing. Further, the second lead 2 is arranged on the y2 side in the y direction with respect to the first lead 1.
  • the second lead 2 of this embodiment includes a second main portion 21, a plurality of second branch portions 22, a second extension portion 23, a fourth extension portion 24, a second upright portion 25, and a connecting portion 29. are doing.
  • the second main portion 21 is a plate-shaped portion along the xy plane, and in the illustrated example, has a substantially rectangular shape with the x direction as the longitudinal direction.
  • the first main portion 11 and the second main portion 21 are arranged on opposite sides of each other in the y direction with the semiconductor element 7 as a reference.
  • the second main portion 21 in the illustrated example has a through hole 211 .
  • the through hole 211 penetrates the second main portion 21 in the z direction.
  • the number of through holes 211 is not limited, and may be one or more.
  • the second main portion 21 has two through holes 211 .
  • the shape of the through hole 211 is not limited at all, and a circular shape, an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, etc.
  • the through hole 211 has an elliptical shape with the x direction as the longitudinal direction when viewed in the z direction.
  • the second main part 21 is arranged at the same (or substantially the same) position as the first main part 11 in the z direction.
  • the plurality of second branch portions 22 extend from the second main portion 21 toward the y1 side in the y direction.
  • the number of second branch parts 22 is not limited at all, and in the illustrated example, two second branch parts 22 are provided.
  • the plurality of second branch parts 22 are arranged side by side in the x direction.
  • the second branch portion 22 has a second connecting portion 221 and a second root portion 222 .
  • the second connecting portion 221 is a portion located on the y1 side in the y direction with respect to the second main portion 21.
  • the second connecting portion 221 is located closer to the z2 side than the second main portion 21 in the z direction.
  • the shape of the second connecting portion 221 is not limited at all, and in the illustrated example, it has a shape whose longitudinal direction is the y direction when viewed in the z direction.
  • the second connection portion 221 is perpendicular to the z direction.
  • the second root portion 222 is located between the second connection portion 221 and the second main portion 21 and is connected to the second connection portion 221 and the second main portion 21 .
  • the second root portion 222 approaches the semiconductor element 7 in the z direction (located on the z2 side) as it goes from the second main portion 21 to the second connection portion 221 in the y direction (as it goes from the y2 side to the y1 side). is inclined to.
  • the lengths of the two second branch portions 22 in the y direction are equal.
  • the plurality of second branch portions 22 may have different lengths in the y direction.
  • the fourth width W21 which is the width in the first direction It is narrower than the fifth width W22, which is the width in the first direction x.
  • the second connecting portion 221 of this example has a shape in which the width in the first direction x decreases from the tip on the y1 side toward the second root portion 222 in the y direction. This second connecting portion 221 is configured only by the second tapered portion of the present disclosure.
  • the sixth width W23 which is the width in the first direction x of the boundary between the second root portion 222 and the second connecting portion 221, is smaller than the fifth width W22.
  • the width of the second root portion 222 in the first direction x increases from the second connecting portion 221 side (y1 side) to the second main portion 21 side (y2 side) in the y direction. It has a tapered shape that increases in size.
  • the second branch portion 22 in the illustrated example has a tapered shape in which the width in the first direction x increases as it goes from the y1 side to the y2 side in the y direction. That is, the second connecting portion 221 and the second root portion 222 have a continuous tapered shape when viewed in the z direction.
  • the second extending portion 23 is a portion extending from the second main portion 21.
  • the second extending portion 23 extends from the end of the second main portion 21 on the x1 side in the x direction toward the x1 side.
  • the second extending portion 23 has a second end surface 231 .
  • the second end surface 231 is a surface facing the opposite side from the second main portion 21 in the x direction, in other words, a surface facing the x1 side which is the outside in the x direction.
  • the illustrated second end surface 231 is a surface perpendicular to the x direction.
  • the position of the second end surface 231 in the x direction is the same (or substantially the same) as the first end surface 131 and the end surface 631 located on the x1 side in the x direction.
  • the fourth extending portion 24 is connected to the second main portion 21 via a connecting portion 29.
  • the connecting portion 29 has a smaller dimension in the y direction than the second main portion 21 and the fourth extending portion 24 .
  • the fourth extending portion 24 in the present disclosure is not limited to a configuration in which it is directly connected to the second main portion 21, but includes a configuration in which it is connected to the second main portion 21 via another portion. The same applies to the second extending portion 23 in this respect.
  • the above-mentioned first extension part 13 and third extension part 14 are not limited to a structure in which they are directly connected to the first main part 11, but are also in a structure in which they are connected to the first main part 11 through other parts. including.
  • the fourth extending portion 24 extends along the y direction.
  • the fourth extending portion 24 has a fourth end surface 241 .
  • the fourth end surface 241 is a surface facing opposite to the second main portion 21 in the y direction, in other words, a surface facing the y2 side, which is the outside in the y direction.
  • the illustrated fourth end surface 241 is a surface perpendicular to the y direction.
  • the second upright portion 25 is connected to the end of the second main portion 21 on the y2 side in the y direction, which is opposite to the second branch portion 22.
  • the second upright portion 25 extends from the second main portion 21 toward the z2 side in the z direction.
  • the shape of the second upright portion 25 is not limited at all, and in the illustrated example, it has a rectangular shape with the x direction as the longitudinal direction. In the illustrated example, the center of the second upright portion 25 in the x direction is the same (or substantially the same) as the center of the second main portion 21 in the x direction.
  • the tip of the second upright portion 25 of the second lead 2 on the z2 side in the z direction is electrically connected to the fourth lead 4 via the fifth conductive joint 95.
  • the fifth conductive joint 95 is, for example, solder.
  • the third lead 3 is arranged apart from the island lead 6 on the y1 side in the y direction.
  • the center of the third lead 3 in the x direction is the same (or substantially the same) as the center of the island lead 6 in the x direction.
  • the third lead 3 has a main surface 301, a back surface 302, a thick part 31, a thin part 32, and a plurality of extension parts 33.
  • the main surface 301 is a surface facing the z1 side in the z direction, and in the illustrated example, is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • the third lead 3 may have, for example, a recess or a groove recessed from the main surface 301 as appropriate.
  • the first upright portion 15 described above is joined to the main surface 301 via the fourth conductive joint 94 .
  • the back surface 302 is a surface facing the z2 side in the z direction, and faces the opposite side to the main surface 301.
  • back surface 302 is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • a plating layer made of Ni, Ti, etc. may be provided on the back surface 302 as appropriate.
  • the main surface 301 is at the same (or substantially the same) position as the main surface 601 in the z direction
  • the back surface 302 is at the same (or substantially the same) position as the back surface 602.
  • the thick portion 31 is a portion where the main surface 301 and the back surface 302 overlap when viewed in the z direction.
  • the thick portion 31 is a rectangular portion whose longitudinal direction is the x direction when viewed in the z direction. Note that the shape of the thick portion 31 is not limited at all.
  • the thickness of the thick portion 31 in the z direction is the distance between the main surface 301 and the back surface 302.
  • the thin portion 32 is a portion that overlaps the main surface 301 and does not overlap the back surface 302 when viewed in the z direction.
  • the thin portion 32 is connected to the thick portion 31 so as to extend from the thick portion 31 to both sides in the x direction and to the y2 side in the y direction.
  • the thin portion 32 has a portion connected to the thick portion 31 so as to extend toward the y1 side in the y direction when viewed in the z direction, and this portion is sandwiched between the extending portions 33 in the x direction.
  • the thickness of the thin portion 32 in the z direction is smaller than the distance between the main surface 301 and the back surface 302.
  • the thickness of the thick portion 31 and the thickness of the thin portion 32 are not limited at all. In this embodiment, the thickness of the thick portion 31 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thick portion 61, and the thickness of the thin portion 32 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thin portion 62. ).
  • the plurality of extending portions 33 are portions extending from the end of the thick portion 31. In the illustrated example, the plurality of extending portions 33 extend from the thick portion 31 toward the y1 side in the y direction.
  • the number of extension parts 33 is not limited at all, and may be plural or one. In the illustrated example, four extensions 33 are provided.
  • the extending portion 33 has an end surface 331.
  • the end surface 331 is a surface facing the opposite side from the thick portion 31 in the y direction, in other words, a surface facing the y1 side, which is the outside in the y direction.
  • the illustrated end surface 331 is a surface perpendicular to the y direction. The positions of the plurality of end surfaces 331 in the y direction are the same (or substantially the same).
  • the fourth lead 4 is arranged on the y2 side of the island lead 6 in the y direction. Further, the center of the fourth lead 4 in the x direction is located on the x1 side in the x direction from the center of the island lead 6 in the x direction. In the semiconductor device A1, the fourth lead 4 and the island lead 6 are connected by a relay portion 49. Unlike this configuration, the fourth lead 4 may be separated from the island lead 6. As shown in FIGS. 1 to 3 and 8 to 10, the fourth lead 4 has a main surface 401, a back surface 402, a thick part 41, a thin part 42, and a plurality of extension parts 43.
  • the main surface 401 is a surface facing the z1 side in the z direction, and in the illustrated example, is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • the fourth lead 4 may have, for example, a recess or a groove recessed from the main surface 401 as appropriate.
  • the aforementioned second standing portion 25 is joined to the main surface 401 via the fifth conductive joining portion 95 .
  • the back surface 402 is a surface facing the z2 side in the z direction, and faces the opposite side to the main surface 401.
  • back surface 402 is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • a plating layer made of Ni, Ti, etc. may be provided on the back surface 402 as appropriate.
  • the main surface 401 is at the same (or substantially the same) position as the main surface 601 in the z direction
  • the back surface 402 is at the same (or substantially the same) position as the back surface 602.
  • the thick portion 41 is a portion where the main surface 401 and the back surface 402 overlap when viewed in the z direction.
  • the thick portion 41 is a rectangular portion whose longitudinal direction is the x direction when viewed in the z direction. Note that the shape of the thick portion 41 is not limited at all.
  • the thickness of the thick portion 41 in the z direction is the distance between the main surface 401 and the back surface 402. In this embodiment, the dimension of the thick portion 41 in the x direction is smaller than the dimension of the thick portion 31 in the x direction.
  • the thin portion 42 is a portion that overlaps the main surface 401 and does not overlap the back surface 402 when viewed in the z direction.
  • the thin portion 42 is connected to the thick portion 41 so as to extend from the thick portion 41 to both sides in the x direction and to the y1 side in the y direction. Further, the thin wall portion 42 has a portion extending from the thick wall portion 41 toward the y2 side in the y direction when viewed in the z direction, and this portion is sandwiched between the extending portions 43 in the x direction.
  • the thickness of the thin portion 42 in the z direction is smaller than the distance between the main surface 401 and the back surface 402.
  • the thickness of the thick portion 41 and the thickness of the thin portion 42 are not limited at all. In this embodiment, the thickness of the thick portion 41 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thick portion 61, and the thickness of the thin portion 42 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thin portion 62. ).
  • the plurality of extending portions 43 are portions extending from the end of the thick portion 41.
  • the plurality of extending portions 43 extend from the thick portion 41 toward the y2 side in the y direction.
  • the number of extension parts 43 is not limited at all, and may be plural or one.
  • three extensions 43 are provided. The positions of these three extensions 43 in the x direction are the same (or approximately the same) as the positions in the x direction of the three extensions 33 located on the x1 side in the x direction among the plurality of extensions 33. .
  • the extending portion 43 has an end surface 431.
  • the end surface 431 is a surface facing away from the thick portion 41 in the y direction, in other words, a surface facing the y2 side, which is the outside in the y direction.
  • the illustrated end surface 431 is a surface perpendicular to the y direction.
  • the positions of the plurality of end surfaces 431 in the y direction are the same (or substantially the same). Further, the positions of the plurality of end surfaces 431 in the y direction are the same (or substantially the same) as the fourth end surface 241.
  • the fifth lead 5 is arranged on the y2 side of the island lead 6 in the y direction. Further, the center of the fifth lead 5 in the x direction is located on the x2 side in the x direction from the center of the island lead 6 in the x direction. The fifth lead 5 is arranged on the x2 side in the x direction with respect to the fourth lead 4. As shown in FIGS. 1 to 3 and FIG. 10, the fifth lead 5 has a main surface 501, a back surface 502, a thick portion 51, a thin portion 52, and an extending portion 53.
  • the main surface 501 is a surface facing the z1 side in the z direction, and in the illustrated example, is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • the fifth lead 5 may have, for example, a recess or a groove recessed from the main surface 501 as appropriate.
  • a wire 99 is bonded to the main surface 501 .
  • the back surface 502 is a surface facing the z2 side in the z direction, and faces the opposite side to the main surface 501.
  • back surface 502 is a smooth surface that is perpendicular to the z direction.
  • a plating layer made of Ni, Ti, etc. may be provided on the back surface 502 as appropriate.
  • the main surface 501 is at the same (or substantially the same) position as the main surface 601 in the z direction
  • the back surface 502 is at the same (or substantially the same) position as the back surface 602.
  • the thick portion 51 is a portion where the main surface 501 and the back surface 502 overlap when viewed in the z direction.
  • the thick portion 51 is a rectangular portion when viewed in the z direction.
  • the shape of the thick portion 51 is not limited at all.
  • the thickness of the thick portion 51 in the z direction is the distance between the main surface 501 and the back surface 502.
  • the dimension of the thick portion 51 in the x direction is smaller than the dimension of the thick portion 31 and the thick portion 41 in the x direction.
  • the thin portion 32 is a portion that overlaps the main surface 301 and does not overlap the back surface 302 when viewed in the z direction.
  • the thin portion 32 is connected to the thick portion 51 so as to extend from the thick portion 51 to both sides in the x direction and to the y1 side in the y direction.
  • the thickness of the thin portion 52 in the z direction is smaller than the distance between the main surface 501 and the back surface 502.
  • the thickness of the thick portion 51 and the thickness of the thin portion 52 are not limited at all. In this embodiment, the thickness of the thick portion 51 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thick portion 61, and the thickness of the thin portion 52 is the same (or approximately the same) as the thickness of the thin portion 62. ).
  • the extending portion 53 is a portion extending from the end of the thick portion 51. In the illustrated example, the extending portion 53 extends from the thick portion 51 toward the y2 side in the y direction.
  • the number of extension parts 53 is not limited at all, and may be plural or one. In the illustrated example, one extension 53 is provided.
  • the position of the extension part 53 in the x direction is the same (or substantially the same) as the position in the x direction of the extension part 33 located closest to the x2 side in the x direction among the plurality of extension parts 33.
  • the extending portion 53 has an end surface 531.
  • the end surface 531 is a surface facing opposite to the thick portion 51 in the y direction, in other words, a surface facing the y2 side, which is the outside in the y direction.
  • the illustrated end surface 531 is a surface perpendicular to the y direction. Further, the position of the end surface 531 in the y direction is the same (or substantially the same) as the fourth end surface 241 and the plurality of end surfaces 431.
  • the semiconductor element 7 is an element that performs the electrical functions of the semiconductor device A1.
  • the specific configuration of the semiconductor element 7 is not limited at all, and in this embodiment, the semiconductor element 7 is a transistor using a nitride semiconductor, and more specifically, a GaN-transistor using gallium nitride (GaN). It is a HEMT (High Electron Mobility Transistor) element.
  • the semiconductor element 7 is not limited to one using a nitride semiconductor, and may also use other semiconductors such as silicon (Si) and silicon carbide (SiC).
  • the semiconductor element 7 is not limited to a HEMT, and may be other transistors such as a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) and an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
  • MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
  • IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • the semiconductor element 7 is mounted on the thick portion 61 of the island lead 6. As shown in FIGS. 1, 2, and 8 to 12, the semiconductor element 7 includes an element body 70, a plurality of first electrodes 71, a plurality of second electrodes 72, and a third electrode 73.
  • the element body 70 is, for example, a portion in which a substrate layer, a buffer layer, and a nitride layer (all not shown) are laminated.
  • the element body 70 has an element main surface 701 and an element back surface 702.
  • the element main surface 701 is a surface facing the z1 side in the z direction.
  • the element back surface 702 is a surface facing the z2 side in the z direction, and faces the opposite side to the element main surface 701.
  • the back surface 702 of the element is provided with a metal layer. As shown in FIGS. 12 to 14, this metal layer and the main surface 601 of the island lead 6 are joined by a first conductive joint 91. As shown in FIGS.
  • the first conductive joint 91 is made of, for example, solder, Ag paste material, Ag sintered material, Cu sintered material, or the like.
  • the above-described metal layer is provided for bonding by the first conductive bonding portion 91, a configuration may be adopted in which the metal layer is not provided.
  • the metal layer may have the same potential as, for example, the second electrode 72 and the like.
  • the semiconductor element 7 is disposed at a position overlapping a portion of the thick portion 61 and a portion of the thin portion 62 of the island lead 6 when viewed in the z direction.
  • a plurality of first electrodes 71, a plurality of second electrodes 72, and a third electrode 73 are arranged on the element main surface 701.
  • the numbers of the plurality of first electrodes 71 and the plurality of second electrodes 72 are not limited at all. In the illustrated example, three first electrodes 71 and two second electrodes 72 are provided.
  • the number of the plurality of first electrodes 71 and the number of the plurality of first branch parts 12 are the same, and the number of the plurality of second electrodes 72 and the number of the plurality of second branch parts 22 are the same.
  • the first electrode 71 is an electrode that functions as a drain electrode.
  • the second electrode 72 is an electrode that functions as a source electrode.
  • the plurality of first electrodes 71 and the plurality of second electrodes 72 are arranged alternately in the x direction.
  • the shapes of the first electrode 71 and the second electrode 72 are not limited at all, and in the illustrated example, they have a shape whose longitudinal direction is in the y direction, and more specifically, a tapered shape.
  • FIG. 1, FIG. 2, FIG. 8, and FIGS. They are individually electrically connected via conductive joints 92 .
  • the second conductive joint 92 is made of, for example, solder, Ag paste material, Ag sintered material, Cu sintered material, or the like.
  • FIG. 1, FIG. 2, FIG. 9, FIG. 11, and FIG. They are individually electrically connected via conductive joints 93.
  • the third conductive joint 93 is made of, for example, solder, Ag paste material, Ag sintered material, Cu sintered material, or the like.
  • the third electrode 73 is an electrode that functions as a gate electrode.
  • the number of third electrodes 73 is not limited, and may be one or more. In the illustrated example, one third electrode 73 is provided.
  • the third electrode 73 is arranged, for example, at one of the four corners of the element main surface 701, and in the illustrated example, it is arranged near the corner of the element main surface 701 on the x2 side in the x direction and the y2 side in the y direction. has been done. Further, the third electrode 73 is arranged on the y2 side in the y direction with respect to the first electrode 71 on the x2 side in the x direction of the two first electrodes 71.
  • a wire 99 is connected to the third electrode 73 and electrically connected to the fifth lead 5 via the wire 99. Note that instead of the wire 99, a conductive member made of a metal plate material may be used to conduct the third electrode 73 and the fifth lead 5.
  • the sealing resin 8 covers a portion of each of the plurality of leads 1 to 6, the semiconductor element 7, and the wire 99, and is made of an insulating material such as epoxy resin. As shown in FIGS. 1 to 11, the sealing resin 8 has a first surface 81, a second surface 82, a third surface 83, a fourth surface 84, a fifth surface 85, and a sixth surface 86. , has a rectangular parallelepiped shape.
  • the first surface 81 is a surface facing the z1 side in the z direction. In the illustrated example, the first surface 81 is a plane perpendicular to the z direction.
  • the second surface 82 is a surface facing the z2 side in the z direction. In the illustrated example, the second surface 82 is a plane perpendicular to the z direction.
  • the third surface 83 is a surface facing the y1 side in the y direction. In the illustrated example, the third surface 83 is a plane perpendicular to the y direction.
  • the fourth surface 84 is a surface facing the y2 side in the y direction. In the illustrated example, the fourth surface 84 is a plane perpendicular to the y direction.
  • the fifth surface 85 is a surface facing the x1 side in the x direction. In the illustrated example, the fifth surface 85 is a plane perpendicular to the x direction.
  • the sixth surface 86 is a surface facing the x2 side in the x direction. In the illustrated example, the sixth surface 86 is a plane perpendicular to the x direction.
  • the back surface 602 of the island lead 6, the back surface 302 of the third lead 3, the back surface 402 of the fourth lead 4, and the back surface 502 of the fifth lead 5 are exposed on the z2 side in the z direction.
  • the second surface 82, the back surface 602 of the island lead 6, the back surface 302 of the third lead 3, the back surface 402 of the fourth lead 4, and the back surface 502 of the fifth lead 5 are flush with each other.
  • all or any of the back surface 602 of the island lead 6, the back surface 302 of the third lead 3, the back surface 402 of the fourth lead 4, and the back surface 502 of the fifth lead 5 may protrude slightly from the second surface 82. good.
  • a plurality of end surfaces 331 of the third lead 3 are exposed on the y1 side in the y direction.
  • the third surface 83 and the plurality of end surfaces 331 of the third lead 3 are flush with each other. However, all or any of the plurality of end surfaces 331 may slightly protrude from the third surface 83.
  • the fourth end surface 241 of the second lead 2, the plurality of end surfaces 431 of the fourth lead 4, and the end surface 531 of the fifth lead 5 are exposed on the y2 side in the y direction.
  • the fourth surface 84, the fourth end surface 241 of the second lead 2, the plurality of end surfaces 431 of the fourth lead 4, and the end surface 531 of the fifth lead 5 are flush with each other.
  • all or any of the fourth end surface 241 of the second lead 2, the plurality of end surfaces 431 of the fourth lead 4, and the end surface 531 of the fifth lead 5 may protrude slightly from the fourth surface 84.
  • the first end surface 131 of the first lead 1, the second end surface 231 of the second lead 2, and the plurality of end surfaces 631 of the island lead 6 are exposed on the x1 side in the x direction.
  • the fifth surface 85, the first end surface 131 of the first lead 1, the second end surface 231 of the second lead 2, and the plurality of end surfaces 631 of the island lead 6 are flush with each other. However, all or any of the first end surface 131 of the first lead 1, the second end surface 231 of the second lead 2, and the plurality of end surfaces 631 of the island lead 6 may protrude slightly from the fifth surface 85.
  • the third end surface 141 of the first lead 1 and the plurality of end surfaces 631 of the island leads 6 are exposed on the x2 side in the x direction.
  • the sixth surface 86, the third end surface 141 of the first lead 1, and the plurality of end surfaces 631 of the island lead 6 are flush with each other.
  • all or any of the third end surface 141 of the first lead 1 and the plurality of end surfaces 631 of the island lead 6 may protrude slightly from the sixth surface 86.
  • the semiconductor device A1 is mounted on a circuit board (not shown) or the like using the back surface 302, back surface 402, and back surface 502 exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8 as mounting terminals. That is, in the semiconductor device A1, the mounting surface is the z2 side opposite to the z1 side, which is the side toward which the element main surface 701 of the semiconductor element 7 faces in the z direction. Further, the back surface 602 is used as a heat dissipation surface for dissipating heat from the semiconductor element 7.
  • the first width W11 of the first branch portion 12 is narrower than the second width W12.
  • the first connecting portion 121 is electrically connected to the first electrode 71 . Therefore, a current flows in the first branch portion 12 in the y direction. This current increases toward the first main portion 11 in the y direction.
  • the first branch portion 12, which is a current conduction path, has a larger width on the side where the first main portion 11 is located in the y direction. Therefore, current concentration on the current path can be alleviated.
  • the first branch portion 12 is in a cantilevered state with one side supported by the first main portion 11.
  • the tip of the first branch part 12 is positioned on the z2 side in the thickness direction z.
  • the entire first branch portion 12 may bend.
  • the second width W12 is larger than the first width W11, it is possible to suppress the bending of the first branch portion 12, and it is possible to more appropriately manufacture the semiconductor device A1. .
  • the first connecting portion 121 has a tapered shape in which the width in the first direction x increases toward the first root portion 122 in the y direction. Such a shape is preferable for alleviating current concentration. Further, in this example, the entire first connecting portion 121 has a tapered shape. Such a configuration is preferable because it alleviates current concentration.
  • the first root portion 122 has a tapered shape. This can further promote mitigation of current concentration and suppression of deflection.
  • the fourth width W21 of the second branch portion 22 is narrower than the fifth width W22.
  • the second connection portion 221 is electrically connected to the second electrode 72 . Therefore, a current flows in the second branch portion 22 in the y direction. This current increases toward the first main portion 11 in the y direction.
  • the second branch portion 22, which is the current conduction path has a larger width on the side where the first main portion 11 is located in the y direction. Therefore, current concentration on the current path can be alleviated.
  • the second branch portion 22 is in a cantilevered state with one side supported by the first main portion 11.
  • the tip of the second branch portion 22 is positioned on the z2 side in the thickness direction z.
  • the entire second branch portion 22 may bend.
  • the fifth width W22 is larger than the fourth width W21, it is possible to suppress the bending of the second branch portion 22, and the semiconductor device A1 can be manufactured more appropriately. .
  • the second connecting portion 221 has a tapered shape in which the width in the first direction x increases toward the first root portion 122 in the y direction. Such a shape is preferable for alleviating current concentration. Further, in this example, the entire second connecting portion 221 has a tapered shape. Such a configuration is preferable because it alleviates current concentration.
  • first root portion 122 has a tapered shape. This can further promote mitigation of current concentration and suppression of deflection.
  • FIG. 13 shows a first modification of the semiconductor device A1.
  • the configurations of the first branch portion 12 and the second branch portion 22 are different from the semiconductor device A1.
  • the second width W12 and the third width W13 of the first branch portion 12 are equal. That is, the first root portion 122 has a shape with a constant width in the first direction x. Further, the fifth width W22 and the sixth width W23 of the second branch portion 22 are equal. That is, the second root portion 222 has a shape with a constant width in the first direction x.
  • the first branch portion 12 and the first extension portion 13 are not limited to a tapered configuration as a whole.
  • FIG. 14 shows a second modification of the semiconductor device A1.
  • the configurations of the first branch portion 12 and the second branch portion 22 are different from those of the above-mentioned example.
  • first root portion 122 and the second root portion 222 both have a shape with a constant width in the first direction x.
  • the first connecting portion 121 includes a first tapered portion 1211 and a first equal width portion 1212.
  • the first tapered portion 1211 has a shape in which the width in the first direction x increases from the tip on the y2 side toward the first root portion 122 side (y1 side).
  • the first equal width portion 1212 is interposed between the first tapered portion 1211 and the first root portion 122.
  • the first equal width portion 1212 has a constant width in the first direction x. In the illustrated example, the width of the first equal width portion 1212 in the first direction x is the same as (or approximately equal to) the width of the first root portion 122 in the first direction same).
  • the first length L11 which is the length of the first tapered part 1211 in the y direction, is longer than the second length L12, which is the length of the first equal width part 1212 in the y direction.
  • the second connecting portion 221 includes a second tapered portion 2211 and a second equal width portion 2212.
  • the second tapered portion 2211 has a shape in which the width in the first direction x increases from the tip on the y1 side toward the second root portion 222 side (y2 side).
  • the second equal width portion 2212 is interposed between the second tapered portion 2211 and the second root portion 222.
  • the second equal width portion 2212 has a constant width in the first direction x.
  • the width of the second equal width portion 2212 in the first direction x is the same as (or approximately) the width of the second root portion 222 in the first direction same).
  • the third length L21 which is the length of the second tapered portion 2211 in the y direction, is longer than the fourth length L22, which is the length of the second equal width portion 2212 in the y direction.
  • the first connecting portion 121 and the first root portion 122 are not limited to a configuration consisting only of a tapered portion.
  • FIG. 15 shows a third modification of the semiconductor device A1.
  • the configurations of the first branch portion 12 and the second branch portion 22 are different from those of the above-mentioned example.
  • the first root portion 122 of this modification includes a first wide portion 1221 and a second narrow portion 1222.
  • the first wide portion 1221 has a larger width in the first direction x than the second narrow portion 1222 and is interposed between the second narrow portion 1222 and the first main portion 11 .
  • the second narrow portion 1222 is interposed between the first wide portion 1221 and the first connecting portion 121 .
  • the width of the first wide portion 1221 in the first direction x is the second width W12
  • the width of the second narrow portion 1222 in the first direction x is the third width W13. There is.
  • the first wide portion 1221 does not overlap the first electrode 71 when viewed in the thickness direction z.
  • the second root portion 222 of this modification includes a first wide portion 2221 and a second narrow portion 2222.
  • the first wide portion 2221 has a larger width in the first direction x than the second narrow portion 2222 and is interposed between the second narrow portion 2222 and the second main portion 21 .
  • the second narrow portion 2222 is interposed between the first wide portion 2221 and the second connecting portion 221.
  • the width of the first wide portion 2221 in the first direction x is the fifth width W22
  • the width of the second narrow portion 2222 in the first direction x is the sixth width W23.
  • the first wide portion 2221 does not overlap the second electrode 72 when viewed in the thickness direction z.
  • the shapes of the first root portion 122 and the second root portion 222 are not limited at all.
  • the first wide part 1221 does not overlap with the first electrode 71 and the first wide part 2221 does not overlap with the second electrode 72 when viewed in the thickness direction z, the first wide part 1221 and the first wide part 1221 do not overlap with the second electrode 72. Insulation between the first electrode 71 and the first wide portion 2221 and the second electrode 72 can be more reliably ensured.
  • Second embodiment 16 to 18 show a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A2 of this embodiment includes a first lead 1, a second lead 2, a fifth lead 5, a semiconductor element 7, and a sealing resin 8.
  • the semiconductor element 7 of this embodiment is arranged with the element main surface 701 facing the z2 side in the z direction and the element back surface 702 facing the z1 side in the z direction.
  • the plurality of first electrodes 71, the plurality of second electrodes 72, and the third electrodes 73 are constituted by a plurality of metal bumps.
  • the plurality of first electrodes 71 are made up of a plurality of metal bumps (two or three in the figure) arranged in the y direction.
  • a plurality of sets (three sets) of first electrodes 71 are arranged in the first direction x.
  • the plurality of second electrodes 72 are made up of a plurality of metal bumps (three in the figure) arranged in the y direction.
  • a plurality of sets (two sets) of second electrodes 72 are arranged in the first direction x.
  • the plurality of sets of first electrodes 71 and the plurality of sets of second electrodes 72 are arranged alternately in the first direction x.
  • the first lead 1 has a main surface 101 and a back surface 102.
  • the main surface 101 is a surface facing the z1 side in the z direction, and faces the element main surface 701 of the semiconductor element 7 .
  • the back surface 102 is a surface facing the z2 side in the z direction, and is exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8.
  • the thickness of the first lead 1 in the z direction is constant.
  • the second lead 2 has a main surface 201 and a back surface 202.
  • the main surface 201 is a surface facing the z1 side in the z direction, and faces the element main surface 701 of the semiconductor element 7 .
  • the back surface 202 is a surface facing the z2 side in the z direction, and is exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8.
  • the thickness of the second lead 2 in the z direction is constant.
  • the shapes of the plurality of first branch portions 12 of the first lead 1 and the plurality of second branch portions 22 of the second lead 2 when viewed in the z direction are, for example, similar to the plurality of first branch portions 12 and the plurality of second branch portions 22 of the semiconductor device A1 described above. This is similar to the second branch 22 of.
  • the plurality of first branch parts 12 and the plurality of second branch parts 22 may have the shapes in the semiconductor devices A11, A12, A13, or may have other shapes.
  • the plurality of first branch parts 12 and the plurality of second branch parts 22 are located on the z2 side in the z direction with respect to the semiconductor element 7.
  • the plurality of first branch parts 12 are individually electrically connected to the plurality of sets of first electrodes 71 via second conductive joints 92.
  • the plurality of second branch parts 22 are electrically connected to the plurality of sets of second electrodes 72 via third conductive joints 93.
  • the fifth lead 5 has a third connecting portion 55.
  • a third electrode 73 is electrically connected to the third connection portion 55 by a conductive connection portion (not shown).
  • One surface of the fifth lead 5 is exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8.
  • the semiconductor device A2 of this embodiment has a structure in which the semiconductor element 7 is flip-chip bonded to the first lead 1, the second lead 2, and the third lead 3.
  • the back surface 102 of the first lead 1, the back surface 202 of the second lead 2, and one surface (the surface exposed from the second surface 82) of the fifth lead 5 are used when the semiconductor device A2 is mounted on a circuit board (not shown) or the like. It is used as a mounting terminal when mounting.
  • the bonding form between the first lead 1 and the second lead 2 and the semiconductor element 7 is not limited at all.
  • FIG. 19 shows a first modification of the semiconductor device A2.
  • the first branch portion 12 of the first lead 1 is thinner than the first main portion 11.
  • the first branch portion 12 is not exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8 to the z2 side in the z direction.
  • the second branch portion 22 of the second lead 2 is thinner than the second main portion 21 .
  • the second branch portion 22 is not exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8 to the z2 side in the z direction.
  • Such first leads 1 and second leads 2 can be formed, for example, by etching a metal plate material from both sides in the z direction.
  • the first lead 1 and the second lead 2 may have a configuration in which the thickness is not constant.
  • FIG. 20 shows a second modification of the semiconductor device A2.
  • the semiconductor device A22 of this modification has a configuration in which the first branch portion 12 of the first lead 1 is located closer to the z1 side than the first main portion 11 in the z direction.
  • the first branch portion 12 is not exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8 to the z2 side in the z direction.
  • the first main portion 11 and the first branch portion 12 have the same (or substantially the same) thickness in the thickness direction z.
  • the second branch portion 22 is located closer to the z1 side in the z direction than the second main portion 21.
  • the second branch portion 22 is not exposed from the second surface 82 of the sealing resin 8 to the z2 side in the z direction.
  • the second main portion 21 and the second branch portion 22 have the same (or substantially the same) thickness in the thickness direction z.
  • Such first and second leads 2 can be formed, for example, by bending a metal plate material.
  • the first lead 1 and the second lead 2 may be bent in the thickness direction z.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in design in various ways.
  • the present disclosure includes the embodiments described in the appendix below.
  • the plurality of leads include a first lead
  • the semiconductor element includes a main surface of the device facing one side in the thickness direction, a back surface of the device facing the other side, and a plurality of first electrodes arranged along a first direction intersecting the thickness direction on the main surface of the device.
  • the first lead includes a first main portion and a plurality of first leads extending from the first main portion in the thickness direction and a second direction intersecting the first direction, and arranged along the first direction.
  • the first branch portion has a first root portion connected to the first main portion, and a first connection portion electrically connected to the first electrode, A first width, which is a width in the first direction, of a tip of the first connecting portion is narrower than a second width, which is a width in the first direction, of a boundary between the first root portion and the first main portion.
  • semiconductor devices Appendix 2. The semiconductor device according to appendix 1, wherein the first connection portion includes a first tapered portion whose width in the first direction increases from the tip toward the first root. Appendix 3. The semiconductor device according to appendix 2, wherein the first connection portion includes only the first tapered portion. Appendix 4.
  • the semiconductor device wherein the first connection portion includes a first equal width portion interposed between the first tapered portion and the first root portion.
  • Appendix 5 The semiconductor according to appendix 4, wherein a first length of the first tapered portion in the second direction is longer than a second length of the first uniform width portion in the second direction.
  • Device. Appendix 6.
  • Appendix 7. The semiconductor according to supplementary note 1, wherein a third width, which is a width in the first direction of a boundary between the first root portion and the first connection portion, is smaller than the second width and larger than the first width.
  • the first root portion includes a first wide portion and a first narrow portion
  • the plurality of leads include a second lead,
  • the semiconductor element includes a plurality of second electrodes arranged along the first direction on the main surface of the element, The plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are arranged alternately in the first direction,
  • the second lead includes a second main portion located on the opposite side in the second direction from the first main portion across the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes when viewed in the thickness direction.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary Notes 1 to 8.
  • Appendix 10 The semiconductor device according to appendix 9, wherein the second connecting portion includes a second tapered portion whose width in the first direction increases from the tip toward the second root. Appendix 11.
  • Appendix 12. The semiconductor device according to appendix 10, wherein the second connection portion includes a second equal width portion interposed between the second tapered portion and the second root portion.
  • Appendix 13. The semiconductor according to appendix 12, wherein a third length of the second tapered portion in the second direction is longer than a fourth length of the second uniform width portion in the second direction.
  • Device Appendix 14.
  • a sixth width which is a width in the first direction of a boundary between the second root portion and the second connection portion, is smaller than the fifth width and larger than the fourth width.
  • the second root portion includes a second wide portion and a second narrow portion, The semiconductor according to appendix 15, wherein the second wide part is wider in the first direction than the second narrow part, and is interposed between the second narrow part and the second main part.

Abstract

半導体装置は、複数のリードと、半導体素子と、封止樹脂と、を備えており、第１リードは、第１主部と、前記第１主部から第２方向に延び且つ第１方向に沿って配列された複数の第１枝部とを含み、前記第１枝部は、前記第１主部に繋がる第１根元部と、第１電極に導通接合された第１接続部と、を有し、前記第１接続部の先端の前記第１方向の幅である第１幅は、前記第１根元部と前記第１主部との境界の前記第１方向の幅である第２幅よりも狭い。

Description

半導体装置
　本発明は、半導体装置に関する。
　窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体（以下では、「窒化物半導体」と記載する場合がある）を用いた半導体素子が開発されている。特許文献１には、窒化物半導体を用いた半導体素子が開示されている。同文献に開示された半導体素子は、半導体からなる素子本体と、素子本体の主面側に積層された窒化物半導体層および電極とを備えている。電極には、窒化物半導体層上に配置されるソース電極、ドレイン電極およびゲート電極が含まれている。この半導体素子は、ＧａＮ－ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）素子として構成されている。
特開２０１８－８２０１１号公報
　半導体素子に流れる電流が大きくなるほど、半導体素子に接続された導通経路における電流集中が生じやすくなることが懸念される。
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、導通経路の電流集中を緩和することが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の一の側面によって提供される半導体装置Ａ１は、複数のリードと、半導体素子と、前記複数のリードの少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備える。前記複数のリードは、第１リードを含む。前記半導体素子は、厚さ方向一方側を向く素子主面および他方側を向く素子裏面と、前記素子主面において前記厚さ方向と交差する第１方向に沿って配列された複数の第１電極と、を有する。前記第１リードは、第１主部と、当該第１主部から前記厚さ方向および前記第１方向と交差する第２方向に延び且つ前記第１方向に沿って配列された複数の第１枝部とを含む。前記第１枝部は、前記第１主部に繋がる第１根元部と、前記第１電極に導通接合された第１接続部と、を有する。前記第１接続部の先端の前記第１方向の幅である第１幅は、前記第１根元部と前記第１主部との境界の前記第１方向の幅である第２幅よりも狭い。
　上記構成によれば、導通経路の電流集中を緩和することができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分平面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す背面図である。 図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す左側面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す右側面図である。 図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図１のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大平面図である。 図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す部分拡大平面図である。 図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す部分拡大平面図である。 図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第３変形例を示す部分拡大平面図である。 図１６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す断面図である。 図２０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す断面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、複数のリード１～６、半導体素子７、ワイヤ９９および封止樹脂８を備えている。半導体装置Ａ１は、たとえば基板に実装されることにより、電流のスイッチングを行うためのものであるが、半導体装置Ａ１の具体的な用途等は、何ら限定されない。
　これらの図において、本開示の厚さ方向を厚さ方向ｚと定義する。厚さ方向ｚの一方側をｚ１側、ｚ方向のｚ１側とは反対側をｚ２側と称する。また、厚さ方向ｚと直交する一方向を第１方向ｘと定義する。第１方向ｘの一方側をｘ１側、ｘ１側とは反対側をｘ２側と称する。また、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘと直交する方向を第２方向ｙと定義する。第２方向ｙの一方側をｙ１側、ｙ１側とは反対側をｙ２側と定義する。
　リード１～６：
　複数のリード１～６は、半導体素子７を支持する機能、半導体素子７に導通する導通経路を構成する機能等を適宜達成するためのものである。複数のリード１～６は、たとえば銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ）等の金属からなる。複数のリード１～６は、たとえば、金属板材料に、打ち抜き、折り曲げ、あるいはエッチング等から選択された加工が施されることによって、形成される。また、複数のリード１～６の各々の適所には、必要に応じて、銀（Ａｇ），Ｎｉ，金（Ａｕ）等からなるめっき層を設けてもよい。
　本実施形態においては、複数のリード１～６を、第１リード１、第２リード２、第３リード３、第４リード４、第５リード５およびアイランドリード６として説明する。すなわち、複数のリード１～６は、第１リード１、第２リード２、第３リード３、第４リード４、第５リード５およびアイランドリード６を含む。なお、後述のように、本実施形態においては、第４リード４とアイランドリード６とが互いに連結された構成とされている。各リード１～６の導通形態等によって、互いに別体の個片として構成されていてもよいし、いずれかのリード同士が互いに連結された構成であってもよい。また、以降においては、第１リード１および第２リード２は、金属板材料を打ち抜く加工および折り曲げる加工によって形成され、第３リード３、第４リード４、第５リード５およびアイランドリード６は、金属板材料をエッチングする加工によって形成された場合を例に説明する。
　アイランドリード６：
　図１～図３および図８～図１１に示すように、アイランドリード６は、主面６０１、裏面６０２、厚肉部６１、薄肉部６２および複数の延出部６３を有する。主面６０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、アイランドリード６は、たとえば、主面６０１から凹む凹部または溝等を適宜有していてもよい。裏面６０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、主面６０１とは反対側を向いている。図示された例においては、裏面６０２は、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、裏面６０２に、Ｎｉ，チタン（Ｔｉ）等からなるめっき層を適宜設けてもよい。
　厚肉部６１は、ｚ方向に視て主面６０１と裏面６０２とが重なる部分であり、図示された例においては、ｚ方向に視て矩形状の部分である。なお、厚肉部６１の形状は何ら限定されない。厚肉部６１のｚ方向の厚さは、主面６０１と裏面６０２との距離となる。薄肉部６２は、ｚ方向に視て主面６０１と重なり、裏面６０２とは重ならない部分であり、図示された例においては、ｚ方向に視て厚肉部６１からｘ方向両側およびｙ方向両側に延出するように繋がっている。薄肉部６２のｚ方向の厚さは、主面６０１と裏面６０２との距離よりも小さい。厚肉部６１の厚さと、薄肉部６２の厚さとは、何ら限定されない。その一例を挙げると、厚肉部６１の厚さが０．２ｍｍ～０．５ｍｍ程度であり、薄肉部６２の厚さが０．１ｍｍ～０．４ｍｍである。図示された例においては、薄肉部６２は、厚肉部６１からｙ方向のｙ１側に延出する部分の方が、ｙ２側に延出する部分よりも大きい。
　複数の延出部６３は、薄肉部６２の端部から延出した部分である。図示された例においては、複数の延出部６３は、薄肉部６２からｘ方向の両側に延出している。延出部６３の個数は何ら限定されず、複数でもよいし、１つでもよい。図示された例においては、ｘ方向のｘ１側に２つの延出部６３が設けられており、ｘ２側に２つの延出部６３が設けられている。延出部６３は、端面６３１を有する。端面６３１は、ｘ方向において薄肉部６２とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｘ方向において外側を向く面である。図示された端面６３１は、ｘ方向に直角な面である。ｘ方向のｘ１側に位置する２つの端面６３１のｘ方向における位置は、同じ（あるいは略同じ）である。また、ｘ方向のｘ２側に位置する２つの端面６３１のｘ方向における位置は、同じ（あるいは略同じ）である。
　第１リード１：
　図１、図７および図８～図１２に示すように、第１リード１は、第３リード３、第４リード４、第５リード５およびアイランドリード６よりもｚ方向のｚ１側に配置されている。本実施形態の第１リード１は、第１主部１１、複数の第１枝部１２、第１延出部１３、第３延出部１４および第１起立部１５を有している。
　第１主部１１は、ｘｙ平面に沿った板状部分であり、図示された例においては、ｘ方向を長手方向とする略矩形状である。図示された例の第１主部１１は、貫通孔１１１を有する。貫通孔１１１は、第１主部１１をｚ方向に貫通している。貫通孔１１１の個数は限定されず、１つでも複数でもよい。図示された例においては、第１主部１１は、２つの貫通孔１１１を有する。貫通孔１１１の形状は何ら限定されず、円形、楕円形、矩形、多角形等が適宜選択される。図示された例においては、貫通孔１１１は、ｚ方向に視てｘ方向を長手方向とする楕円形状である。
　複数の第１枝部１２は、第１主部１１からｙ方向のｙ２側に延出している。第１枝部１２の個数は何ら限定されず、図示された例においては、３つの第１枝部１２が設けられている。複数の第１枝部１２は、ｘ方向に並んで配置されている。第１枝部１２は、第１接続部１２１および第１根元部１２２を有する。
　第１接続部１２１は、第１主部１１に対してｙ方向のｙ２側に位置する部分である。第１接続部１２１は、ｚ方向において第１主部１１よりもｚ２側に位置している。第１接続部１２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に視て、ｙ方向を長手方向とする形状である。第１接続部１２１は、ｚ方向に対して直角である。
　第１根元部１２２は、第１接続部１２１と第１主部１１との間に位置しており、第１接続部１２１および第１主部１１に繋がっている。第１根元部１２２は、ｙ方向において第１主部１１から第１接続部１２１に向かうほど（ｙ１側からｙ２側に向かうほど）ｚ方向において半導体素子７に近づく（ｚ２側に位置する）ように傾斜している。
　図示された例では、３つの第１枝部１２は、互いにのｙ方向の長さが異なる第１枝部１２を含んでいる。ｘ方向の最もｘ２側に位置する第１枝部１２の方が、他の第１枝部１２よりもｙ方向長さが短い。ｘ方向の最もｘ２側に位置する第１枝部１２は、後述の第３電極７３およびワイヤ９９に近い位置に配置されている。ただし、複数の第１枝部１２は、互いの長さが等しいものであってもよい。
　図１２に示すように、第１接続部１２１のｙ方向のｙ２側の先端の第１方向ｘにおける幅である第１幅Ｗ１１は、第１根元部１２２と第１主部１１との境界の第１方向ｘの幅である第２幅Ｗ１２よりも狭い。本例の第１接続部１２１は、ｙ方向においてｙ２側の先端から第１根元部１２２に向かうほど第１方向ｘの幅が小さくなる形状である。この第１接続部１２１は、本開示の第１テーパ部のみによって構成されている。
　また、図示された例においては、第１根元部１２２と第１接続部１２１との境界の第１方向ｘの幅である第３幅Ｗ１３は、第２幅Ｗ１２よりも小さい。図示された例においては、第１根元部１２２は、ｙ方向において第１接続部１２１の側（ｙ２側）から第１主部１１の側（ｙ１側）に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。また、図示された例の第１枝部１２は、全体としてｙ方向のｙ２側からｙ１側に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。すなわち、第１接続部１２１と第１根元部１２２とは、ｚ方向に視て連続したテーパ形状を呈している。
　第１延出部１３は、第１主部１１から延出した部分である。第１延出部１３は、第１主部１１のｘ方向におけるｘ１側の端部からｘ１側に延出している。第１延出部１３は、第１端面１３１を有する。第１端面１３１は、ｘ方向において第１主部１１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｘ方向において外側であるｘ１側を向く面である。図示された第１端面１３１は、ｘ方向に直角な面である。第１端面１３１のｘ方向における位置は、ｘ方向のｘ１側に位置する複数の端面６３１のｘ方向における位置と同じ（あるいは略同じ）である。
　第３延出部１４は、第１主部１１から延出した部分である。第３延出部１４は、第１主部１１のｘ方向におけるｘ２側の端部からｘ２側に延出している。第３延出部１４は、第３端面１４１を有する。第３端面１４１は、ｘ方向において第１主部１１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｘ方向において外側であるｘ２側を向く面である。図示された第３端面１４１は、ｘ方向に直角な面である。また、第３端面１４１のｘ方向における位置は、ｘ方向のｘ２側に位置する複数の端面６３１のｘ方向における位置と同じ（あるいは略同じ）である。
　第１起立部１５は、第１主部１１に対して第１枝部１２とは反対側のｙ方向のｙ１側の端部に繋がっている。第１起立部１５は、第１主部１１からｚ方向のｚ２側に延びている。第１起立部１５の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向を長手方向とする矩形状である。図示された例においては、第１起立部１５のｘ方向における中心は、第１主部１１のｘ方向における中心と同じ（あるいは略同じ）である。
　図８～図１０に示すように、第１リード１の第１起立部１５のｚ方向のｚ２側先端は、第４導電性接合部９４を介して第３リード３に導通接合されている。第４導電性接合部９４は、たとえばはんだ、Ａｇペースト材、Ａｇ焼結材、Ｃｕ焼結材等である。
　第２リード２：
　図１、図７および図８～図１２に示すように、第２リード２は、第３リード３、第４リード４、第５リード５およびアイランドリード６よりもｚ方向のｚ１側に配置されている。また、第２リード２は、第１リード１に対してｙ方向のｙ２側に配置されている。本実施形態の第２リード２は、第２主部２１、複数の第２枝部２２、第２延出部２３、第４延出部２４、第２起立部２５、および連結部２９を有している。
　第２主部２１は、ｘｙ平面に沿った板状部分であり、図示された例においては、ｘ方向を長手方向とする略矩形状である。第１主部１１と第２主部２１とは、半導体素子７を基準に、ｙ方向において互いに反対側に配置される。図示された例の第２主部２１は、貫通孔２１１を有する。貫通孔２１１は、第２主部２１をｚ方向に貫通している。貫通孔２１１の個数は限定されず、１つでも複数でもよい。図示された例においては、第２主部２１は、２つの貫通孔２１１を有する。貫通孔２１１の形状は何ら限定されず、円形、楕円形、矩形、多角形等が適宜選択される。図示された例においては、貫通孔２１１は、ｚ方向に視てｘ方向を長手方向とする楕円形状である。本実施形態においては、第２主部２１は、ｚ方向において第１主部１１と同じ（あるいは略同じ）位置に配置されている。
　複数の第２枝部２２は、第２主部２１からｙ方向のｙ１側に延出している。第２枝部２２の個数は何ら限定されず、図示された例においては、２つの第２枝部２２が設けられている。複数の第２枝部２２は、ｘ方向に並んで配置されている。第２枝部２２は、第２接続部２２１および第２根元部２２２を有する。
　第２接続部２２１は、第２主部２１に対してｙ方向のｙ１側に位置する部分である。第２接続部２２１は、ｚ方向において第２主部２１よりもｚ２側に位置している。第２接続部２２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に視て、ｙ方向を長手方向とする形状である。第２接続部２２１は、ｚ方向に対して直角である。
　第２根元部２２２は、第２接続部２２１と第２主部２１との間に位置しており、第２接続部２２１および第２主部２１に繋がっている。第２根元部２２２は、ｙ方向において第２主部２１から第２接続部２２１に向かうほど（ｙ２側からｙ１側に向かうほど）ｚ方向において半導体素子７に近づく（ｚ２側に位置する）ように傾斜している。
　図示された例では、２つの第２枝部２２のｙ方向の長さは等しい。ただし、複数の第２枝部２２は、互いのｙ方向の長さが異なっていてもよい。
　図１２に示すように、第２接続部２２１のｙ方向のｙ１側の先端の第１方向ｘにおける幅である第４幅Ｗ２１は、第２根元部２２２と第２主部２１との境界の第１方向ｘの幅である第５幅Ｗ２２よりも狭い。本例の第２接続部２２１は、ｙ方向においてｙ１側の先端から第２根元部２２２に向かうほど第１方向ｘの幅が小さくなる形状である。この第２接続部２２１は、本開示の第２テーパ部のみによって構成されている。
　また、図示された例においては、第２根元部２２２と第２接続部２２１との境界の第１方向ｘの幅である第６幅Ｗ２３は、第５幅Ｗ２２よりも小さい。図示された例においては、第２根元部２２２は、ｙ方向において第２接続部２２１の側（ｙ１側）から第２主部２１の側（ｙ２側）に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。また、図示された例の第２枝部２２は、全体としてｙ方向のｙ１側からｙ２側に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。すなわち、第２接続部２２１と第２根元部２２２とは、ｚ方向に視て連続したテーパ形状を呈している。
　第２延出部２３は、第２主部２１から延出した部分である。第２延出部２３は、第２主部２１のｘ方向におけるｘ１側の端部からｘ１側に延出している。第２延出部２３は、第２端面２３１を有する。第２端面２３１は、ｘ方向において第２主部２１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｘ方向において外側であるｘ１側を向く面である。図示された第２端面２３１は、ｘ方向に直角な面である。第２端面２３１のｘ方向における位置は、第１端面１３１およびｘ方向のｘ１側に位置する端面６３１と同じ（あるいは略同じ）である。
　第４延出部２４は、連結部２９を介して第２主部２１に連結されている。連結部２９は、ｙ方向の寸法が、第２主部２１および第４延出部２４よりも小さい。このように、本開示における第４延出部２４は、第２主部２１に直接繋がった構成に限定されず、他の部位を介して第２主部２１に連結された構成を含む。この点は、第２延出部２３も同様である。また、上述の第１延出部１３および第３延出部１４も、第１主部１１に直接繋がった構成に限定されず、他の部位を介して第１主部１１に連結された構成を含む。第４延出部２４は、ｙ方向に沿って延出している。第４延出部２４は、第４端面２４１を有する。第４端面２４１は、ｙ方向において第２主部２１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｙ方向において外側であるｙ２側を向く面である。図示された第４端面２４１は、ｙ方向に直角な面である。
　第２起立部２５は、第２主部２１に対して第２枝部２２とは反対側のｙ方向のｙ２側の端部に繋がっている。第２起立部２５は、第２主部２１からｚ方向のｚ２側に延びている。第２起立部２５の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向を長手方向とする矩形状である。図示された例においては、第２起立部２５のｘ方向における中心は、第２主部２１のｘ方向における中心と同じ（あるいは略同じ）である。
　図８～図１０に示すように、第２リード２の第２起立部２５のｚ方向のｚ２側先端は、第５導電性接合部９５を介して第４リード４に導通接合されている。第５導電性接合部９５は、たとえばはんだである。
　第３リード３：
　図１～図３に示すように、第３リード３は、アイランドリード６に対して、ｙ方向のｙ１側に離間して配置されている。第３リード３のｘ方向における中心は、アイランドリード６のｘ方向における中心と、ｘ方向における位置が同じ（あるいは略同じ）である。図１～図３および図８～図１０に示すように、第３リード３は、主面３０１、裏面３０２、厚肉部３１、薄肉部３２および複数の延出部３３を有している。
　主面３０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、第３リード３は、たとえば、主面３０１から凹む凹部または溝等を適宜有していてもよい。先述の第１起立部１５は、第４導電性接合部９４を介して当該主面３０１に接合されている。裏面３０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、主面３０１とは反対側を向いている。図示された例においては、裏面３０２は、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、裏面３０２に、Ｎｉ，Ｔｉ等からなるめっき層を適宜設けてもよい。本実施形態においては、主面３０１は、ｚ方向において主面６０１と同じ（あるいは略同じ）位置にあり、裏面３０２は、裏面６０２と同じ（あるいは略同じ）位置にある。
　厚肉部３１は、ｚ方向に視て主面３０１と裏面３０２とが重なる部分である。図示された例においては、厚肉部３１は、ｚ方向に視てｘ方向を長手方向とする矩形状の部分である。なお、厚肉部３１の形状は何ら限定されない。厚肉部３１のｚ方向の厚さは、主面３０１と裏面３０２との距離となる。薄肉部３２は、ｚ方向に視て主面３０１と重なり、裏面３０２とは重ならない部分である。図示された例においては、薄肉部３２は、ｚ方向に視て厚肉部３１からｘ方向両側およびｙ方向のｙ２側に延出するように繋がっている。また、薄肉部３２は、ｚ方向に視て厚肉部３１からｙ方向のｙ１側に延出するように繋がる部位があり、この部位は、ｘ方向において延出部３３に挟まれている。薄肉部３２のｚ方向の厚さは、主面３０１と裏面３０２との距離よりも小さい。厚肉部３１の厚さと、薄肉部３２の厚さとは、何ら限定されない。本実施形態においては、厚肉部３１の厚さは、厚肉部６１の厚さと同じ（あるいは略同じ）であり、薄肉部３２の厚さは、薄肉部６２の厚さと同じ（あるいは略同じ）である。
　複数の延出部３３は、厚肉部３１の端部から延出した部分である。図示された例においては、複数の延出部３３は、厚肉部３１からｙ方向のｙ１側に延出している。延出部３３の個数は何ら限定されず、複数でもよいし、１つでもよい。図示された例においては、４つの延出部３３が設けられている。延出部３３は、端面３３１を有する。端面３３１は、ｙ方向において厚肉部３１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｙ方向において外側であるｙ１側を向く面である。図示された端面３３１は、ｙ方向に直角な面である。複数の端面３３１のｙ方向における位置は、同じ（あるいは略同じ）である。
　第４リード４：
　図１～図３に示すように、第４リード４は、アイランドリード６に対して、ｙ方向のｙ２側に配置されている。また、第４リード４のｘ方向における中心は、アイランドリード６のｘ方向における中心よりもｘ方向のｘ１側に位置している。半導体装置Ａ１では、第４リード４とアイランドリード６とは、中継部４９によって連結される。この構成と異なり、第４リード４は、アイランドリード６から分離していてもよい。図１～３および図８～図１０に示すように、第４リード４は、主面４０１、裏面４０２、厚肉部４１、薄肉部４２および複数の延出部４３を有している。
　主面４０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、第４リード４は、たとえば、主面４０１から凹む凹部または溝等を適宜有していてもよい。先述の第２起立部２５は、第５導電性接合部９５を介して、当該主面４０１に接合されている。裏面４０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、主面４０１とは反対側を向いている。図示された例においては、裏面４０２は、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、裏面４０２に、Ｎｉ，Ｔｉ等からなるめっき層を適宜設けてもよい。本実施形態においては、主面４０１は、ｚ方向において主面６０１と同じ（あるいは略同じ）位置にあり、裏面４０２は、裏面６０２と同じ（あるいは略同じ）位置にある。
　厚肉部４１は、ｚ方向に視て主面４０１と裏面４０２とが重なる部分である。図示された例においては、厚肉部４１は、ｚ方向に視てｘ方向を長手方向とする矩形状の部分である。なお、厚肉部４１の形状は何ら限定されない。厚肉部４１のｚ方向の厚さは、主面４０１と裏面４０２との距離となる。本実施形態においては、厚肉部４１のｘ方向の寸法は、厚肉部３１のｘ方向の寸法よりも小さい。薄肉部４２は、ｚ方向に視て主面４０１と重なり、裏面４０２とは重ならない部分である。図示された例においては、薄肉部４２は、ｚ方向に視て厚肉部４１からｘ方向両側およびｙ方向のｙ１側に延出するように繋がっている。また、薄肉部４２は、ｚ方向に視て厚肉部４１からｙ方向のｙ２側に延出するように繋がる部位があり、この部位は、ｘ方向において延出部４３に挟まれている。薄肉部４２のｚ方向の厚さは、主面４０１と裏面４０２との距離よりも小さい。厚肉部４１の厚さと、薄肉部４２の厚さとは、何ら限定されない。本実施形態においては、厚肉部４１の厚さは、厚肉部６１の厚さと同じ（あるいは略同じ）であり、薄肉部４２の厚さは、薄肉部６２の厚さと同じ（あるいは略同じ）である。
　複数の延出部４３は、厚肉部４１の端部から延出した部分である。図示された例においては、複数の延出部４３は、厚肉部４１からｙ方向のｙ２側に延出している。延出部４３の個数は何ら限定されず、複数でもよいし、１つでもよい。図示された例においては、３つの延出部４３が設けられている。これら３つの延出部４３のｘ方向における位置は、複数の延出部３３のうちｘ方向においてｘ１側に位置する３つの延出部３３のｘ方向における位置と同じ（あるいは略同じ）である。延出部４３は、端面４３１を有する。端面４３１は、ｙ方向において厚肉部４１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｙ方向において外側であるｙ２側を向く面である。図示された端面４３１は、ｙ方向に直角な面である。複数の端面４３１のｙ方向における位置は、互いに同じ（あるいは略同じ）である。また、複数の端面４３１のｙ方向における位置は、第４端面２４１と同じ（あるいは略同じ）である。
　第５リード５：
　図１～図３に示すように、第５リード５は、アイランドリード６に対して、ｙ方向のｙ２側に配置されている。また、第５リード５のｘ方向における中心は、アイランドリード６のｘ方向における中心よりもｘ方向のｘ２側に位置している。第５リード５は、第４リード４に対してｘ方向のｘ２側に配置されている。図１～図３および図１０に示すように、第５リード５は、主面５０１、裏面５０２、厚肉部５１、薄肉部５２および延出部５３を有している。
　主面５０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、第５リード５は、たとえば、主面５０１から凹む凹部または溝等を適宜有していてもよい。主面５０１には、ワイヤ９９が接合されている。裏面５０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、主面５０１とは反対側を向いている。図示された例においては、裏面５０２は、ｚ方向に対して直角である平滑な面である。なお、裏面５０２に、Ｎｉ，Ｔｉ等からなるめっき層を適宜設けてもよい。本実施形態においては、主面５０１は、ｚ方向において主面６０１と同じ（あるいは略同じ）位置にあり、裏面５０２は、裏面６０２と同じ（あるいは略同じ）位置にある。
　厚肉部５１は、ｚ方向に視て主面５０１と裏面５０２とが重なる部分である。図示された例においては、厚肉部５１は、ｚ方向に視て矩形状の部分である。なお、厚肉部５１の形状は何ら限定されない。厚肉部５１のｚ方向の厚さは、主面５０１と裏面５０２との距離となる。本実施形態においては、厚肉部５１のｘ方向の寸法は、厚肉部３１および厚肉部４１のｘ方向の寸法よりも小さい。薄肉部３２は、ｚ方向に視て主面３０１と重なり、裏面３０２とは重ならない部分である。図示された例においては、薄肉部３２は、ｚ方向に視て厚肉部５１からｘ方向両側およびｙ方向のｙ１側に延出するように繋がっている。薄肉部５２のｚ方向の厚さは、主面５０１と裏面５０２との距離よりも小さい。厚肉部５１の厚さと、薄肉部５２の厚さとは、何ら限定されない。本実施形態においては、厚肉部５１の厚さは、厚肉部６１の厚さと同じ（あるいは略同じ）であり、薄肉部５２の厚さは、薄肉部６２の厚さと同じ（あるいは略同じ）である。
　延出部５３は、厚肉部５１の端部から延出した部分である。図示された例においては、延出部５３は、厚肉部５１からｙ方向のｙ２側に延出している。延出部５３の個数は何ら限定されず、複数でもよいし、１つでもよい。図示された例においては、１つの延出部５３が設けられている。延出部５３のｘ方向における位置は、複数の延出部３３のうちｘ方向において最もｘ２側に位置する延出部３３のｘ方向における位置と同じ（あるいは略同じ）である。延出部５３は、端面５３１を有する。端面５３１は、ｙ方向において厚肉部５１とは反対側を向く面であり、言い換えると、ｙ方向において外側であるｙ２側を向く面である。図示された端面５３１は、ｙ方向に直角な面である。また、端面５３１のｙ方向における位置は、第４端面２４１および複数の端面４３１と同じ（あるいは略同じ）である。
　半導体素子７：
　半導体素子７は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子７の具体的構成は何ら限定されず、本実施形態においては、半導体素子７は、窒化物半導体を用いたトランジスタであり、より具体的には、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたＧａＮ－ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）素子である。半導体素子７は、窒化物半導体を用いたものに限定されず、ケイ素（Ｓｉ）および炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの他の半導体を用いてもよい。また、半導体素子７は、ＨＥＭＴに限定されず、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）およびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のトランジスタでもよい。半導体素子７は、アイランドリード６の厚肉部６１に搭載されている。図１、図２および図８～図１２に示すように、半導体素子７は、素子本体７０、複数の第１電極７１、複数の第２電極７２および第３電極７３を有する。
　素子本体７０は、たとえば、基板層、バッファ層および窒化物層（いずれも図示略）が積層された部位である。素子本体７０は、素子主面７０１および素子裏面７０２を有する。素子主面７０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面である。素子裏面７０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、素子主面７０１とは反対側を向いている。図示された例においては、素子裏面７０２には、金属層が設けられている。図１２～図１４に示すように、この金属層とアイランドリード６の主面６０１とが、第１導電性接合部９１によって接合されている。第１導電性接合部９１は、たとえばはんだ、Ａｇペースト材、Ａｇ焼結材、Ｃｕ焼結材等である。上述の金属層は、第１導電性接合部９１による接合のために設けられているが、当該金属層を設けない構成であってもよい。あるいは、当該金属層がたとえば第２電極７２等と同電位とされた構成であってもよい。図示された例においては、半導体素子７は、ｚ方向に視てアイランドリード６の厚肉部６１の一部と薄肉部６２との一部とに重なる位置に配置されている。
　複数の第１電極７１、複数の第２電極７２および第３電極７３は、素子主面７０１上に配置されている。複数の第１電極７１および複数の第２電極７２の個数は、何ら限定されない。図示された例においては、３つの第１電極７１と２つの第２電極７２とが設けられている。複数の第１電極７１の数と、複数の第１枝部１２の個数とは同じであり、複数の第２電極７２の個数と、複数の第２枝部２２の個数とは同じである。第１電極７１は、ドレイン電極として機能する電極である。第２電極７２は、ソース電極として機能する電極である。複数の第１電極７１と複数の第２電極７２とは、ｘ方向において交互に配列されている。第１電極７１および第２電極７２の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｙ方向を長手方向とする形状であり、より具体的には、テーパ形状である。
　図１、図２、図８および図１０～図１２に示すように、複数の第１電極７１には、第１リード１の複数の第１枝部１２の第１接続部１２１が、第２導電性接合部９２を介して個別に導通接合されている。第２導電性接合部９２は、たとえばはんだ、Ａｇペースト材、Ａｇ焼結材、Ｃｕ焼結材等である。図１、図２、図９、図１１および図１２に示すように、複数の第２電極７２には、第２リード２の複数の第２枝部２２の第２接続部２２１が、第３導電性接合部９３を介して個別に導通接合されている。第３導電性接合部９３は、たとえばはんだ、Ａｇペースト材、Ａｇ焼結材、Ｃｕ焼結材等である。
　第３電極７３は、ゲート電極として機能する電極である。第３電極７３の個数は限定されず、１つでも複数でもよい。図示された例においては、１つの第３電極７３が設けられている。第３電極７３は、たとえば素子主面７０１の四隅のいずれかに配置され、図示された例では、素子主面７０１のうちの、ｘ方向のｘ２側かつｙ方向のｙ２側の角付近に配置されている。また、第３電極７３は、２つの第１電極７１のうちのｘ方向のｘ２側の第１電極７１に対して、ｙ方向のｙ２側に配置されている。第３電極７３には、ワイヤ９９が接合され、ワイヤ９９を介して、第５リード５に導通する。なお、ワイヤ９９に代えて、金属板材料からなる導通部材を用いて第３電極７３と第５リード５とを導通させてもよい。
　封止樹脂８：
　封止樹脂８は、複数のリード１～６各々の一部、半導体素子７およびワイヤ９９を覆うものであり、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる。図１～図１１に示すように、封止樹脂８は、第１面８１、第２面８２、第３面８３、第４面８４、第５面８５および第６面８６を有しており、直方体形状とされている。
　第１面８１は、ｚ方向においてｚ１側を向く面である。図示された例においては、第１面８１は、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面８２は、ｚ方向においてｚ２側を向く面である。図示された例においては、第２面８２は、ｚ方向に対して直角な平面である。第３面８３は、ｙ方向においてｙ１側を向く面である。図示された例においては、第３面８３は、ｙ方向に対して直角な平面である。第４面８４は、ｙ方向においてｙ２側を向く面である。図示された例においては、第４面８４は、ｙ方向に対して直角な平面である。第５面８５は、ｘ方向においてｘ１側を向く面である。図示された例においては、第５面８５は、ｘ方向に対して直角な平面である。第６面８６は、ｘ方向においてｘ２側を向く面である。図示された例においては、第６面８６は、ｘ方向に対して直角な平面である。
　第２面８２から、アイランドリード６の裏面６０２、第３リード３の裏面３０２、第４リード４の裏面４０２および第５リード５の裏面５０２がｚ方向のｚ２側に露出している。第２面８２、アイランドリード６の裏面６０２、第３リード３の裏面３０２、第４リード４の裏面４０２および第５リード５の裏面５０２は、互いに面一である。ただし、アイランドリード６の裏面６０２、第３リード３の裏面３０２、第４リード４の裏面４０２および第５リード５の裏面５０２のすべてまたはいずれかは、第２面８２からわずかに突出していてもよい。
　第３面８３からは、第３リード３の複数の端面３３１がｙ方向のｙ１側に露出している。第３面８３および第３リード３の複数の端面３３１は、互いに面一である。ただし、複数の端面３３１のすべてまたはいずれかは、第３面８３からわずかに突出していてもよい。
　第４面８４からは、第２リード２の第４端面２４１、第４リード４の複数の端面４３１および第５リード５の端面５３１がｙ方向のｙ２側に露出している。第４面８４、第２リード２の第４端面２４１、第４リード４の複数の端面４３１および第５リード５の端面５３１は、互いに面一である。ただし、第２リード２の第４端面２４１、第４リード４の複数の端面４３１および第５リード５の端面５３１のすべてまたはいずれかは、第４面８４からわずかに突出していてもよい。
　第５面８５からは、第１リード１の第１端面１３１、第２リード２の第２端面２３１およびアイランドリード６の複数の端面６３１がｘ方向のｘ１側に露出している。第５面８５、第１リード１の第１端面１３１、第２リード２の第２端面２３１およびアイランドリード６の複数の端面６３１は、互いに面一である。ただし、第１リード１の第１端面１３１、第２リード２の第２端面２３１およびアイランドリード６の複数の端面６３１のすべてまたはいずれかは、第５面８５からわずかに突出していてもよい。
　第６面８６からは、第１リード１の第３端面１４１およびアイランドリード６の複数の端面６３１がｘ方向のｘ２側に露出している。第６面８６、第１リード１の第３端面１４１およびアイランドリード６の複数の端面６３１は、互いに面一である。ただし、第１リード１の第３端面１４１およびアイランドリード６の複数の端面６３１のすべてまたはいずれかは、第６面８６からわずかに突出していてもよい。
　半導体装置Ａ１は、封止樹脂８の第２面８２から露出した裏面３０２、裏面４０２および裏面５０２を実装端子として、回路基板（図示略）等に実装される。すなわち、半導体装置Ａ１は、ｚ方向において半導体素子７の素子主面７０１が向く側であるｚ１側とは反対側のｚ２側が実装面となっている。また、裏面６０２は、半導体素子７からの熱を放熱するための放熱面として用いられる。
　次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
　本実施形態によれば、図１２に示すように、第１枝部１２の第１幅Ｗ１１は第２幅Ｗ１２よりも狭い。第１接続部１２１は、第１電極７１に導通接合されている。このため、第１枝部１２には、ｙ方向に電流が流れる。この電流は、ｙ方向において第１主部１１に向かうほど大きくなる。この電流の導通経路である第１枝部１２は、ｙ方向において第１主部１１が位置する側の幅が大きい。このため、電流経路の電流集中を緩和することができる。
　また、半導体装置Ａ１の製造工程においては、第１枝部１２が、第１主部１１に片側が支持された片持ち梁の状態となる。第１枝部１２のｙ方向の長さが長くなったり、厚さ方向ｚの厚さが薄くなったりすると、第１枝部１２の先端が厚さ方向ｚのｚ２側に位置するように、第１枝部１２の全体が撓むことが懸念される。本実施形態においては、第２幅Ｗ１２が第１幅Ｗ１１よりも大きいことにより、第１枝部１２の撓みを抑制することが可能であり、半導体装置Ａ１の製造をより適切に行うことができる。
　第１接続部１２１は、ｙ方向において第１根元部１２２に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。このような形状は、電流集中の緩和に好ましい。また、本例においては、第１接続部１２１の全体がテーパ形状である。このような構成は、電流集中の緩和により好ましい。
　また、第１根元部１２２が、テーパ形状となっている。これにより、電流集中の緩和および撓みの抑制をさらに促進することができる。第２枝部２２の第４幅Ｗ２１は第５幅Ｗ２２よりも狭い。第２接続部２２１は、第２電極７２に導通接合されている。このため、第２枝部２２には、ｙ方向に電流が流れる。この電流は、ｙ方向において第１主部１１に向かうほど大きくなる。この電流の導通経路である第２枝部２２は、ｙ方向において第１主部１１が位置する側の幅が大きい。このため、電流経路の電流集中を緩和することができる。
　また、半導体装置Ａ１の製造工程においては、第２枝部２２が、第１主部１１に片側が支持された片持ち梁の状態となる。第２枝部２２のｙ方向の長さが長くなったり、厚さ方向ｚの厚さが薄くなったりすると、第２枝部２２の先端が厚さ方向ｚのｚ２側に位置するように、第２枝部２２の全体が撓むことが懸念される。本実施形態においては、第５幅Ｗ２２が第４幅Ｗ２１よりも大きいことにより、第２枝部２２の撓みを抑制することが可能であり、半導体装置Ａ１の製造をより適切に行うことができる。
　第２接続部２２１は、ｙ方向において第１根元部１２２に向かうほど第１方向ｘの幅が大きくなるテーパ形状である。このような形状は、電流集中の緩和に好ましい。また、本例においては、第２接続部２２１の全体がテーパ形状である。このような構成は、電流集中の緩和により好ましい。
　また、第１根元部１２２が、テーパ形状となっている。これにより、電流集中の緩和および撓みの抑制をさらに促進することができる。
　図１３～図２０は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　第１実施形態　第１変形例：
　図１３は、半導体装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１においては、第１枝部１２および第２枝部２２の構成が、半導体装置Ａ１と異なっている。
　本変形例においては、第１枝部１２の第２幅Ｗ１２と第３幅Ｗ１３とが、等しい。すなわち、第１根元部１２２は、第１方向ｘの幅が一定の形状である。また、第２枝部２２の第５幅Ｗ２２と第６幅Ｗ２３とが、等しい。すなわち、第２根元部２２２は、第１方向ｘの幅が一定の形状である。
　本変形例によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１枝部１２および第１延出部１３は、全体がテーパ形状の構成に限定されない。
　第１実施形態　第２変形例：
　図１４は、半導体装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、第１枝部１２および第２枝部２２の構成が、上述の例と異なっている。
　本変形例においては、第１根元部１２２および第２根元部２２２は、いずれも第１方向ｘの幅が一定の形状である。
　第１接続部１２１は、第１テーパ部１２１１および第１等幅部１２１２を含む。
　第１テーパ部１２１１は、第１方向ｘの幅がｙ２側の先端から第１根元部１２２側（ｙ１側）に向かうほど大きくなる形状である。第１等幅部１２１２は、第１テーパ部１２１１と第１根元部１２２との間に介在している。第１等幅部１２１２は、第１方向ｘの幅が一定である。図示された例においては、第１等幅部１２１２の第１方向ｘの幅は、第１根元部１２２の第１方向ｘの幅（第２幅Ｗ１２、第３幅Ｗ１３）と同じ（あるいは略同じ）である。第１テーパ部１２１１のｙ方向の長さである第１長さＬ１１は、第１等幅部１２１２のｙ方向の長さである第２長さＬ１２よりも長い。
　第２接続部２２１は、第２テーパ部２２１１および第２等幅部２２１２を含む。
　第２テーパ部２２１１は、第１方向ｘの幅がｙ１側の先端から第２根元部２２２側（ｙ２側）に向かうほど大きくなる形状である。第２等幅部２２１２は、第２テーパ部２２１１と第２根元部２２２との間に介在している。第２等幅部２２１２は、第１方向ｘの幅が一定である。図示された例においては、第２等幅部２２１２の第１方向ｘの幅は、第２根元部２２２の第１方向ｘの幅（第５幅Ｗ２２、第６幅Ｗ２３）と同じ（あるいは略同じ）である。第２テーパ部２２１１のｙ方向の長さである第３長さＬ２１は、第２等幅部２２１２のｙ方向の長さである第４長さＬ２２よりも長い。
　本変形例によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１接続部１２１および第１根元部１２２は、テーパ部のみからなる構成に限定されない。
　第１実施形態　第３変形例：
　図１５は、半導体装置Ａ１の第３変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１３においては、第１枝部１２および第２枝部２２の構成が、上述の例と異なっている。
　本変形例の第１根元部１２２は、第１広幅部１２２１および第２狭幅部１２２２を含む。第１広幅部１２２１は、第２狭幅部１２２２よりも第１方向ｘの幅が大きく、且つ第２狭幅部１２２２と第１主部１１との間に介在する。第２狭幅部１２２２は、第１広幅部１２２１と第１接続部１２１との間に介在している。図示された例においては、第１広幅部１２２１の第１方向ｘの幅が第２幅Ｗ１２となっており、第２狭幅部１２２２の第１方向ｘの幅が第３幅Ｗ１３となっている。厚さ方向ｚに視て、第１広幅部１２２１は、第１電極７１とは重なっていない。
　本変形例の第２根元部２２２は、第１広幅部２２２１および第２狭幅部２２２２を含む。第１広幅部２２２１は、第２狭幅部２２２２よりも第１方向ｘの幅が大きく、且つ第２狭幅部２２２２と第２主部２１との間に介在する。第２狭幅部２２２２は、第１広幅部２２２１と第２接続部２２１との間に介在している。図示された例においては、第１広幅部２２２１の第１方向ｘの幅が第５幅Ｗ２２となっており、第２狭幅部２２２２の第１方向ｘの幅が第６幅Ｗ２３となっている。厚さ方向ｚに視て、第１広幅部２２２１は、第２電極７２とは重なっていない。
　本変形例によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１根元部１２２および第２根元部２２２の形状は、何ら限定されない。第１広幅部１２２１および第１広幅部２２２１を有することにより、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制をさらに促進することができる。また、厚さ方向ｚに視て、第１広幅部１２２１が第１電極７１と重ならず、第１広幅部２２２１が第２電極７２と重ならない構成であれば、第１広幅部１２２１と第１電極７１の絶縁、および第１広幅部２２２１と第２電極７２との絶縁を、より確実に確保することができる。
　第２実施形態：
　図１６～図１８は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、第１リード１、第２リード２、第５リード５、半導体素子７および封止樹脂８を備えている。
　本実施形態の半導体素子７は、素子主面７０１がｚ方向のｚ２側を向き、素子裏面７０２がｚ方向のｚ１側を向く姿勢で配置されている。複数の第１電極７１、複数の第２電極７２および第３電極７３は、複数の金属バンプによって構成されている。複数の第１電極７１は、ｙ方向に配列された複数の金属バンプ（図中においては、２つまたは３つ）が組みをなしている。複数組（３組）の第１電極７１が、第１方向ｘに配列されている。複数の第２電極７２は、ｙ方向に配列された複数の金属バンプ（図中においては、３つ）が組みをなしている。複数組（２組）の第２電極７２が、第１方向ｘに配列されている。複数組の第１電極７１と複数組の第２電極７２とは、第１方向ｘにおいて交互に配置されている。
　第１リード１は、主面１０１および裏面１０２を有する。主面１０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、半導体素子７の素子主面７０１と対向している。裏面１０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、封止樹脂８の第２面８２から露出している。本例においては、第１リード１のｚ方向の厚さは一定である。
　第２リード２は、主面２０１および裏面２０２を有する。主面２０１は、ｚ方向のｚ１側を向く面であり、半導体素子７の素子主面７０１と対向している。裏面２０２は、ｚ方向のｚ２側を向く面であり、封止樹脂８の第２面８２から露出している。本例においては、第２リード２のｚ方向の厚さは一定である。
　第１リード１の複数の第１枝部１２および第２リード２の複数の第２枝部２２のｚ方向に視た形状は、たとえば上述の半導体装置Ａ１における複数の第１枝部１２および複数の第２枝部２２と同様である。ただし、複数の第１枝部１２および複数の第２枝部２２は、半導体装置Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３における形状であってもよく、さらに、他の形状であってもよい。複数の第１枝部１２および複数の第２枝部２２は、半導体素子７に対してｚ方向のｚ２側に位置している。
　複数の第１枝部１２は、複数組の第１電極７１に第２導電性接合部９２を介して個別に導通接合されている。複数の第２枝部２２は、複数組の第２電極７２に第３導電性接合部９３を介して導通接合されている。
　第５リード５は、第３接続部５５を有する。第３接続部５５には、図示しない導電性接合部によって第３電極７３が導通接合されている。第５リード５の片面は、封止樹脂８の第２面８２から露出している。
　本実施形態の半導体装置Ａ２は、半導体素子７が、第１リード１、第２リード２および第３リード３にフリップチップ接合された構成である。また、第１リード１の裏面１０２、第２リード２の裏面２０２と第５リード５の片面（第２面８２から露出した面）が、半導体装置Ａ２を回路基板（図示略）等に実装される際に、実装端子として用いられる。
　本実施形態によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本実施形態から理解されるように、第１リード１および第２リード２と半導体素子７との接合形態は、何ら限定されない。
　第２実施形態　第１変形例：
　図１９は、半導体装置Ａ２の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ２１は、第１リード１において、第１枝部１２が、第１主部１１よりも薄い構成である。第１枝部１２は、封止樹脂８の第２面８２からｚ方向のｚ２側に露出していない。また、第２リード２において第２枝部２２が、第２主部２１よりも薄い構成である。第２枝部２２は、封止樹脂８の第２面８２からｚ方向のｚ２側に露出していない。このような第１リード１および第２リード２は、たとえば金属板材料をｚ方向の両側からエッチングすることによって形成可能である。
　本変形例によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１リード１および第２リード２は、厚さが一定ではない構成であってもよい。
　第２実施形態　第２変形例：
　図２０は、半導体装置Ａ２の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ２２は、第１リード１において、第１枝部１２が、第１主部１１よりもｚ方向のｚ１側に位置している構成である。第１枝部１２は、封止樹脂８の第２面８２からｚ方向のｚ２側に露出していない。第１主部１１と第１枝部１２とは、厚さ方向ｚの厚さが同じ（あるいは略同じ）である。また、第２リード２において、第２枝部２２が、第２主部２１よりもｚ方向のｚ１側に位置している構成である。第２枝部２２は、封止樹脂８の第２面８２からｚ方向のｚ２側に露出していない。第２主部２１と第２枝部２２とは、厚さ方向ｚの厚さが同じ同じ（あるいは略同じ）である。このような１および第２リード２は、たとえば金属板材料に折り曲げ加工を施すことによって形成可能である。
　本変形例によっても、電流経路の電流集中を緩和すること、および製造工程における第１枝部１２および第２枝部２２の撓みの抑制を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１リード１および第２リード２は、厚さ方向ｚにおいて屈曲した構成であってもよい。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　複数のリードと、
　半導体素子と、
　前記複数のリードの少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備えており、
　前記複数のリードは、第１リードを含み、
　前記半導体素子は、厚さ方向一方側を向く素子主面および他方側を向く素子裏面と、前記素子主面において前記厚さ方向と交差する第１方向に沿って配列された複数の第１電極と、を有し、
　前記第１リードは、第１主部と、当該第１主部から前記厚さ方向および前記第１方向と交差する第２方向に延び且つ前記第１方向に沿って配列された複数の第１枝部とを含み、
　前記第１枝部は、前記第１主部に繋がる第１根元部と、前記第１電極に導通接合された第１接続部と、を有し、
　前記第１接続部の先端の前記第１方向の幅である第１幅は、前記第１根元部と前記第１主部との境界の前記第１方向の幅である第２幅よりも狭い、半導体装置。
　付記２．
　前記第１接続部は、前記先端から前記第１根元部に向かうほど前記第１方向の幅が大きくなる第１テーパ部を含む、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１接続部は、前記第１テーパ部のみを含む、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１接続部は、前記第１テーパ部と前記第１根元部との間に介在する第１等幅部を含む、付記２に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記第１テーパ部の前記第２方向の長さである第１長さは、前記第１等幅部の前記第２方向の長さである第２長さよりも長い、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１根元部と前記第１接続部との境界の前記第１方向の幅である第３幅は、前記第２幅と同じである、付記１に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第１根元部と前記第１接続部との境界の前記第１方向の幅である第３幅は、前記第２幅より小さく、且つ前記第１幅よりも大きい、付記１に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１根元部は、第１広幅部および第１狭幅部を含み、
　前記第１広幅部は、前記第１狭幅部よりも前記第１方向の幅が広く、且つ前記第１狭幅部と前記第１主部との間に介在する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記複数のリードは、第２リードを含み、
　前記半導体素子は、前記素子主面において前記第１方向に沿って配列された複数の第２電極と、を有し、
　前記複数の第１電極と前記複数の第２電極とは、前記第１方向において交互に配置されており、
　前記第２リードは、前記厚さ方向に視て前記複数の第１電極および前記複数の第２電極を挟んで前記第１主部とは前記第２方向において反対側に位置する第２主部、当該第２主部から前記第２方向に延び且つ前記第１方向に沿って配列された複数の第２枝部とを含み、
　前記第２枝部は、前記第２主部に繋がる第２根元部と、前記第２電極に導通接合された第２接続部と、を有し、
　前記第２接続部の先端の前記第１方向の幅である第４幅は、前記第２根元部と前記第２主部との境界の前記第１方向の幅である第５幅よりも狭い、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第２接続部は、前記先端から前記第２根元部に向かうほど前記第１方向の幅が大きくなる第２テーパ部を含む、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第２接続部は、前記第２テーパ部のみを含む、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第２接続部は、前記第２テーパ部と前記第２根元部との間に介在する第２等幅部を含む、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第２テーパ部の前記第２方向の長さである第３長さは、前記第２等幅部の前記第２方向の長さである第４長さよりも長い、付記１２に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第２根元部と前記第２接続部との境界の前記第１方向の幅である第６幅は、前記第５幅と同じである、付記９に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記第２根元部と前記第２接続部との境界の前記第１方向の幅である第６幅は、前記第５幅より小さく、且つ前記第４幅よりも大きい、付記９に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記第２根元部は、第２広幅部および第２狭幅部を含み、
　前記第２広幅部は、前記第２狭幅部よりも前記第１方向の幅が広く、且つ前記第２狭幅部と前記第２主部との間に介在する、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記半導体素子は、ＧａＮ－ＨＥＭＴ素子である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２，Ａ２１，Ａ２２：半導体装置
１：第１リード　　　２：第２リード
３：第３リード　　　４：第４リード
５：第５リード　　　６：アイランドリード
７：半導体素子　　　８：封止樹脂
１１：第１主部　　　１２：第１枝部
１３：第１延出部　　　１４：第３延出部
１５：第１起立部　　　２１：第２主部
２２：第２枝部　　　２３：第２延出部
２４：第４延出部　　　２５：第２起立部
２９：連結部　　　３１：厚肉部
３２：薄肉部　　　３３：延出部
４１：厚肉部　　　４２：薄肉部
４３：延出部　　　４９：中継部
５１：厚肉部　　　５２：薄肉部
５３：延出部　　　５５：第３接続部
６１：厚肉部　　　６２：薄肉部
６３：延出部　　　７０：素子本体
７１：第１電極　　　７２：第２電極
７３：第３電極　　　８１：第１面
８２：第２面　　　８３：第３面
８４：第４面　　　８５：第５面
８６：第６面　　　９１：第１導電性接合部
９２：第２導電性接合部　　　９３：第３導電性接合部
９４：第４導電性接合部　　　９５：第５導電性接合部
９９：ワイヤ　　　１０１：主面
１０２：裏面　　　１１１：貫通孔
１２１：第１接続部　　　１２２：第１根元部
１３１：第１端面　　　１４１：第３端面
２０１：主面　　　２０２：裏面
２１１：貫通孔　　　２２１：第２接続部
２２２：第２根元部　　　２３１：第２端面
２４１：第４端面　　　３０１：主面
３０２：裏面　　　３３１：端面
４０１：主面　　　４０２：裏面
４３１：端面　　　５０１：主面
５０２：裏面　　　５３１：端面
６０１：主面　　　６０２：裏面
６３１：端面　　　７０１：素子主面
７０２：素子裏面　　　１２１１：第１テーパ部
１２１２：第１等幅部　　　１２２１：第１広幅部
１２２２：第２狭幅部　　　２２１１：第２テーパ部
２２１２：第２等幅部　　　２２２１：第１広幅部
２２２２：第２狭幅部　　　Ｗ１１：第１幅
Ｗ１２：第２幅　　　Ｗ１３：第３幅
Ｗ２１：第４幅　　　Ｗ２２：第５幅
Ｗ２３：第６幅　　　ｘ：第１方向
ｙ：第２方向　　　ｚ：厚さ方向

Claims (17)

  1. 　複数のリードと、
    　半導体素子と、
    　前記複数のリードの少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備えており、
    　前記複数のリードは、第１リードを含み、
    　前記半導体素子は、厚さ方向一方側を向く素子主面および他方側を向く素子裏面と、前記素子主面において前記厚さ方向と交差する第１方向に沿って配列された複数の第１電極と、を有し、
    　前記第１リードは、第１主部と、当該第１主部から前記厚さ方向および前記第１方向と交差する第２方向に延び且つ前記第１方向に沿って配列された複数の第１枝部とを含み、
    　前記第１枝部は、前記第１主部に繋がる第１根元部と、前記第１電極に導通接合された第１接続部と、を有し、
    　前記第１接続部の先端の前記第１方向の幅である第１幅は、前記第１根元部と前記第１主部との境界の前記第１方向の幅である第２幅よりも狭い、半導体装置。
  2. 　前記第１接続部は、前記先端から前記第１根元部に向かうほど前記第１方向の幅が大きくなる第１テーパ部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１接続部は、前記第１テーパ部のみを含む、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１接続部は、前記第１テーパ部と前記第１根元部との間に介在する第１等幅部を含む、請求項２に記載の半導体装置。
  5. 　前記第１テーパ部の前記第２方向の長さである第１長さは、前記第１等幅部の前記第２方向の長さである第２長さよりも長い、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１根元部と前記第１接続部との境界の前記第１方向の幅である第３幅は、前記第２幅と同じである、請求項１に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１根元部と前記第１接続部との境界の前記第１方向の幅である第３幅は、前記第２幅より小さく、且つ前記第１幅よりも大きい、請求項１に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１根元部は、第１広幅部および第１狭幅部を含み、
    　前記第１広幅部は、前記第１狭幅部よりも前記第１方向の幅が広く、且つ前記第１狭幅部と前記第１主部との間に介在する、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記複数のリードは、第２リードを含み、
    　前記半導体素子は、前記素子主面において前記第１方向に沿って配列された複数の第２電極と、を有し、
    　前記複数の第１電極と前記複数の第２電極とは、前記第１方向において交互に配置されており、
    　前記第２リードは、前記厚さ方向に視て前記複数の第１電極および前記複数の第２電極を挟んで前記第１主部とは前記第２方向において反対側に位置する第２主部、当該第２主部から前記第２方向に延び且つ前記第１方向に沿って配列された複数の第２枝部とを含み、
    　前記第２枝部は、前記第２主部に繋がる第２根元部と、前記第２電極に導通接合された第２接続部と、を有し、
    　前記第２接続部の先端の前記第１方向の幅である第４幅は、前記第２根元部と前記第２主部との境界の前記第１方向の幅である第５幅よりも狭い、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記第２接続部は、前記先端から前記第２根元部に向かうほど前記第１方向の幅が大きくなる第２テーパ部を含む、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記第２接続部は、前記第２テーパ部のみを含む、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記第２接続部は、前記第２テーパ部と前記第２根元部との間に介在する第２等幅部を含む、請求項１０に記載の半導体装置。
  13. 　前記第２テーパ部の前記第２方向の長さである第３長さは、前記第２等幅部の前記第２方向の長さである第４長さよりも長い、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記第２根元部と前記第２接続部との境界の前記第１方向の幅である第６幅は、前記第５幅と同じである、請求項９に記載の半導体装置。
  15. 　前記第２根元部と前記第２接続部との境界の前記第１方向の幅である第６幅は、前記第５幅より小さく、且つ前記第４幅よりも大きい、請求項９に記載の半導体装置。
  16. 　前記第２根元部は、第２広幅部および第２狭幅部を含み、
    　前記第２広幅部は、前記第２狭幅部よりも前記第１方向の幅が広く、且つ前記第２狭幅部と前記第２主部との間に介在する、請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記半導体素子は、ＧａＮ－ＨＥＭＴ素子である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
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