WO2023092594A1 - 发光基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 347
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 84
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 84
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
Definitions
- the second aspect of the embodiments of the present application provides a method for preparing a light-emitting substrate, the preparation method comprising:
- Fig. 3 is a top view of a transfer substrate provided by an exemplary embodiment of the present application.
- the embodiment of the present application provides a method for preparing a light-emitting substrate.
- the preparation method of the light-emitting substrate includes steps 110 to 140 as follows.
- a boss 20 may be disposed in the second central area 1011, and the second central area 1011 may be opposite to the focal point of the field lens. If the heights of the bosses 20 arranged in the same second annular region 1012 are equal, the distances between the plurality of dissociation layers 30 arranged in the same second annular region 1012 and the focal point of the field lens are substantially equal, acting on The laser energy of the dissociation layers 30 in the same second annular region 1012 is substantially equal, and the dissociation layers 30 in the same second annular region 1012 can all be dissociated under the action of the laser.
- the distance from the support column 50 disposed on the short side of the surface of the light emitting unit 60 away from the binding terminal 61 to the center of the surface is greater than or equal to three times the length of the long side of the surface. one-third; the distance from the support column 50 set on the long side of the light-emitting unit 60 away from the surface of the binding terminal 61 to the center of the surface is greater than or equal to one-third of the length of the short side of the surface one.
- step 130 a substrate is provided, and the substrate faces a surface of the light emitting unit away from the substrate body.
- the edge of the orthographic projection of the dissociation layer on the substrate body is located at the spot of the laser light on the within the edge of the orthographic projection on the substrate body.
- step 140 after the dissociation layer 30 is dissociated, the light-emitting unit 60 and the adhesive layer 40 are both separated from the boss, and the supporting pillars 50, the adhesive layer 40 and the light-emitting unit 60 are transferred to the substrate 70 together, and In the corresponding first target area 701 and second target area 101, the adhesive layer 40 and the light emitting unit 60 in the second central area 1011 are transferred to the first central area 7011, and the adhesive layer in the second annular area 1012 40 and the light emitting unit 60 are transferred into the corresponding first annular region 7012 .
- the light-emitting substrate 200 as shown in FIG. 7 and FIG. 8 can be obtained. As shown in FIG. 7 and FIG.
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Abstract
一种发光基板（200）及其制备方法、显示装置。发光基板（200）包括衬底（70）、位于衬底（70）上的多个发光单元（60）及多个支撑柱（50）。支撑柱（50）位于发光单元（60）背离衬底（70）的表面；各发光单元（60）背离衬底（70）的表面分别设有支撑柱（50），各支撑柱（50）的高度相等；同一发光单元（60）的表面设置的支撑柱（50）关于表面的对称轴对称分布。显示装置包括发光基板（200）。
Description
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法、显示装置。
Mini-LED是在小间距LED基础上衍生出来的一种新型LED显示技术，也被称为亚毫米发光二极管。它的晶粒尺寸大约在50μm到300μm间，即介于传统LED和Micro LED之间。由于其具有较好的显示效果以及轻薄体验，同时具有较高的对比度、寿命长等优势，因此在显示领域使用趋势明显。
发明内容
本申请实施例的第一方面，提供了一种发光基板。所述发光基板包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个发光单元；
多个支撑柱，位于所述发光单元背离所述衬底的表面；各所述发光单元背离所述衬底的表面分别设有所述支撑柱，各所述支撑柱的高度相等；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布。
在一个实施例中，所述支撑柱与所述发光单元的边缘的最小距离大于3μm。
在一个实施例中，所述发光单元背离所述衬底的表面呈矩形，所述发光单元背离所述衬底的表面的四个角处分别设有一个所述支撑柱。
在一个实施例中，所述发光单元背离所述衬底的表面呈矩形，所述发光单元背离所述衬底的表面的相对两侧边分别设有一个长条形的所述支撑 柱，且所述表面的相对两侧设置的所述支撑柱对称。
在一个实施例中，所述发光单元背离所述衬底的表面的短边一侧设置的支撑柱到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的长边长度的三分之一；和/或，所述发光单元背离所述衬底的表面的长边一侧设置的支撑柱到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的短边长度的三分之一。
在一个实施例中，所述支撑柱背离所述衬底的一侧设有第一斜面；所述发光单元发出的光线通过所述支撑柱入射至相邻所述支撑柱之间的介质时光线的最大出射角为第一夹角，所述第一斜面与所述衬底之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。
在一个实施例中，所述发光基板还包括位于各所述发光单元背离所述衬底一侧的粘结层；所述衬底的表面包括至少一个第一目标区域；由所述第一目标区域的中心至边缘，所述粘结层的高度逐渐增大。
在一个实施例中，所述第一目标区域包括第一中心区域及位于所述第一中心区域周侧的多个第一环形区域，同一所述第一环形区域内设置的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离相等；相邻两个所述第一环形区域内，位于外侧的第一环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离大于位于内侧的第一环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离。
在一个实施例中，任相邻两个所述第一环形区域内的所述粘结层的高度差相等。
在一个实施例中，所述粘结层背离所述衬底的一侧设有第二斜面，所述发光单元发出的光线通过所述粘结层入射至相邻所述粘结层之间的介质时光线的最大出射角为第三夹角，所述第二斜面与所述衬底朝向所述粘结层的表面之间的夹角为第四夹角，所述第四夹角大于或等于所述第三夹角。
本申请实施例的第二方面，提供了一种发光基板的制备方法，所述制 备方法包括：
提供转移基板；所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体一侧的多个解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；
在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；各所述发光单元朝向所述基板本体的表面分别设有支撑柱，各所述支撑柱分别与所述基板本体相抵；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布；
提供衬底，所述衬底朝向所述发光单元背离所述基板本体的表面；
采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述转移基板脱离，并转移到所述衬底上。
在一个实施例中，所述基板本体的表面包括至少一个第二目标区域，所述第二目标区域内设有多个所述解离层；所述转移基板还设有位于所述基板本体与各所述解离层之间的凸台；由所述第二目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小。
在一个实施例中，所述第二目标区域包括第二中心区域及位于所述第二中心区域周侧的多个第二环形区域，同一所述第二环形区域内设置的所述凸台的高度相等；相邻两个所述第二环形区域内，位于外侧的第二环形区域内的所述凸台的高度大于位于内侧的第二环形区域内的所述凸台的高度。
在一个实施例中，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，包括：
采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧；所述场镜的面积与所述第二目标区域的大小基本相等。
在一个实施例中，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧时，所述解离层在所述基板本体上的正投影的边缘位于所述激光的光斑在 所述基板本体上的正投影的边缘内。
在一个实施例中，各所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离相等。
在一个实施例中，所述解离层的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。
在一个实施例中，所述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元之前，所述支撑柱的高度与所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离的差值范围为0.5um～1.5um；
所述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元后，所述支撑柱被压缩，所述支撑柱背离所述发光单元的表面与所述基板本体相抵。
在一个实施例中，所述解离层的厚度小于1mm。
本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的发光基板。
本申请实施例提供的发光基板及其制备方法、显示装置，由于发光单元背离基板本体的表面设有支撑柱，在发光基板的制备过程中，将发光单元设置在粘结层上后，支撑柱与基板本体相抵，支撑柱可支撑发光单元；由于同一发光单元表面设置的支撑柱关于发光单元背离基板本体的表面对称分布，则支撑柱对发光单元的支撑力分布比较均匀，可防止发光单元通过粘结层粘结在转移基板上后因受力不均匀而相对于解离层发生倾斜或偏移，进而避免因发光单元相对于解离层发生倾斜或偏移时导致发光单元转移到衬底上后，发光单元的位置相对于预定绑定位置发生偏移，可提升发光单元的转移良率，提升发光基板的良率。
图1是本申请一示例性实施例提供的发光基板的制备方法的流程图；
图2是本申请一示例性实施例提供的转移基板的局部剖视图；
图3是本申请一示例性实施例提供的转移基板的俯视图；
图4是本申请一示例性实施例提供的发光基板的制备过程中的中间结构的结构示意图；
图5是本申请一示例性实施例提供的发光单元的俯视图；
图6是本申请另一示例性实施例提供的发光单元的俯视图；
图7是本申请一示例性实施例提供的发光基板的局部剖视图；
图8是本申请一示例性实施例提供的发光基板的局部俯视图；
图9是本申请另一示例性实施例提供的发光基板的局部剖视图。
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各 种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种发光基板及其制备方法、显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的发光基板及其制备方法、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种发光基板的制备方法。参见图1，所述发光基板的制备方法包括如下步骤110至步骤140。
在步骤110中，提供转移基板；所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体一侧的多个解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层。
在步骤120中，在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；各所述发光单元朝向所述基板本体的表面分别设有支撑柱，各所述支撑柱分别与所述基板本体相抵；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布。
在步骤130中，提供衬底，所述衬底朝向所述发光单元背离所述基板本体的表面。
在步骤140中，采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述转移基板脱离，并转移到所述衬底上。
本申请实施例提供的发光基板的制备方法，由于发光单元背离基板本体的表面设有支撑柱，且发光单元设置在粘结层上后，支撑柱与基板本体相抵，则支撑柱可支撑发光单元；由于同一发光单元表面设置的支撑柱关于发 光单元背离基板本体的表面对称分布，则支撑柱对发光单元的支撑力分布比较均匀，可防止发光单元通过粘结层粘结在转移基板上后因受力不均匀而相对于解离层发生倾斜或偏移，进而避免因发光单元相对于解离层发生倾斜或偏移时导致发光单元转移到衬底上后，发光单元的位置相对于预定绑定位置发生偏移，可提升发光单元的转移良率，提升发光基板的良率。
下面将对发光基板的制备方法的各步骤进行具体介绍。
在步骤110中，提供转移基板；所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体一侧的多个解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层。
图2及图3为步骤110中提供的转移基板100的结构示意图。如图2及图3所示，所述转移基板100包括基板本体10、位于所述基板本体10上的多个解离层30、以及位于各所述解离层30背离所述基板本体10一侧的粘结层40。
在一个实施例中，如图2及图3所示，所述基板本体10的表面包括至少一个第二目标区域101，所述第二目标区域101内设有多个所述解离层30。所述转移基板100还设有位于所述基板本体10与各所述解离层30之间的凸台20，各第二目标区域101内分别设有多个凸台20。由所述第二目标区域101的中心至边缘，所述凸台20的高度逐渐减小。
激光在入射至转移基板前，先通过场镜，场镜对激光进行聚焦，并控制激光束的作用面积。经过场镜后的激光束穿过基板本体并作用在解离层上，激光的能量达到解离层解离需要的能量时，解离层解离。通过场镜后的激光的作用面并不是平面，而是带有一定曲率的曲面。激光与场镜的焦点的距离越大，激光的能量越小，激光与场镜的距离达到一定距离时，作用在解离层上的激光能量较小，解离层可能存在解离的风险。
本申请实施例中，由第二目标区域101的中心至边缘，凸台20的高度 逐渐减小，则通过场镜聚焦的激光穿过基板本体10入射至解离层30时，各凸台20上设置的解离层30与场镜的焦点之间的距离差别较小，可避免位于第二目标区域101中心处的凸台20上设置的解离层30与场镜的焦点之间的距离较大，导致解离层30无法顺利解离的问题，保证各发光单元均被转移到衬底上，提升制备得到的发光基板的良率。
在一个实施例中，所述第二目标区域101包括第二中心区域1011及位于所述第二中心区域1011周侧的多个第二环形区域1012，同一所述第二环形区域1012内设置的所述凸台20的高度相等；相邻两个所述第二环形区域1012内，位于外侧的第二环形区域1012内的所述凸台20的高度、大于位于内侧的第二环形区域1012内的所述凸台20的高度。其中，同一第二环形区域1012内设置的凸台20的高度相等指的是，同一第二环形区域1012内设置的多个凸台20的高度基本相等，该多个凸台20的高度可相等，或者该多个凸台20的高度差很小。
第二中心区域1011内可设置一个凸台20，第二中心区域1011可与场镜的焦点相对。同一所述第二环形区域1012内设置的所述凸台20的高度相等，则同一第二环形区域1012内设置的多个解离层30与场镜的焦点之间的距离基本相等，作用在同一第二环形区域1012内的解离层30的激光能量基本相等，同一第二环形区域1012内的解离层30在激光的作用下均能被解离。
在一些实施例中，激光的能力范围为10μm，也即是在基板本体的表面上，第二目标区域101的边缘与第二目标区域101的中心的最大距离为10μm时，激光可使得第二中心区域内的所有解离层30均能发生解离。在一个示例性实施例中，第二目标区域101可包括四个第二环形区域1012，第二中心区域1011外接圆的直径可为2mm，四个第二环形区域1012的外侧边缘外接圆的直径分别为4mm、6mm、8mm、10mm。在其他实施例中，第二目标区域101包括的第二环形区域1012的数量可不同于四个。
在一个实施例中，任相邻两个所述第二环形区域1012内的所述凸台20 的高度差相等。如此设置，不同第二环形区域1012内的凸台的高度是逐渐变化的，有助于使各第二环形区域1012内的解离层30与场镜的焦点之间的距离差别较小，进一步避免作用在某个解离层30的能量较小而无法解离的问题。在一些实施例中，相邻第二环形区域1012内的凸台的高度差为1μm。第二目标区域内凸台的最大高度可为10μm，也即是第二中心区域1011内的凸台20的高度为10μm；第二目标区域101包括四个第二环形区域1012时，从第二目标区域101的中心至边缘，第二环形区域1012内的凸台的高度可依次为9μm、8μm、7μm、6μm。
在一个实施例中，各凸台20上设置的解离层30的厚度大致相同。
在一个实施例中，所述解离层30的厚度小于1mm。如此设置，可防止解离层30的厚度太大，作用在解离层30上的激光不能使解离层30发生解离，而影响发光单元向衬底的转移。在一些实施例中，各解离层30的厚度约为300nm。
在一个实施例中，各所述粘结层40背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的距离相等。其中，相等指的是大致相等，各粘结层40背离基板本体10的表面到所述基板本体10的距离相等，或者各粘结层40背离基板本体10的表面到所述基板本体10的距离的差值很小。如此设置，在步骤120中在各粘结层背离基板本体的表面设置的发光单元与基板本体的距离基本相等，则在将发光单元转移到衬底上时，各发光单元与衬底的距离大致相等，更有利于发光单元的批量转移。
在一个实施例中，所述粘结层40的厚度范围为1μm～20μm。也即是，转移基板的多个粘结层40中，厚度最大的粘结层40的厚度可为20μm，厚度最小的粘结层40的厚度可为1μm。由于任相邻两个第二环形区域1012内的凸台20的高度差相等，则任相邻两个第二环形区域1012内的粘结层40的厚度差与任相邻两个第二环形区域1012内的凸台的高度差相等。例如，相邻两个第二环形区域1012内的粘结层的厚度差为1μm，且第二目标区域的第二中 心区域内的粘结层的高度为7μm时，由第二目标区域101的中心至边缘，第二环形区域1012内的粘结层的厚度依次为8μm、9μm、10μm、11μm。
在一个实施例中，所述解离层30的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。如此设置，解离层30在解离的过程中，解离层对发光单元的表面的作用力分布比较均匀，可防止发光单元发生倾斜或偏离，保证发光基板上发光单元的绑定精度较高。在一些实施例中，解离层30的横截面呈圆形、矩形或者正多边形等。
在一个实施例中，所述粘结层40的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。解离层30在解离的过程中，解离层通过粘结层40对发光单元施加作用力，粘结层40的横截面呈轴对称图形或中心对称图形时，可使得解离层30解离过程中通过粘结层40对发光单元施加的作用力分布比较均匀，可防止发光单元发生倾斜或偏离，保证发光基板上绑定的发光单元的绑定精度较高。在一些实施例中，粘结层40的横截面呈圆形、正方形或者正多边形等。
在一个实施例中，所述凸台20在所述基板本体10上的正投影的边缘位于对应的所述解离层30在所述基板本体10上的正投影的边缘外。也即是，凸台20的面积大于解离层30的面积。激光作用在解离层30时，激光的光斑入射至凸台20的表面中心位置处，通过设置凸台20在基板本体10上的正投影的边缘位于对应的解离层30在基板本体10上的正投影的边缘外，可防止激光的光斑相对于解离层30发生偏移，而导致解离层30无法有效解离的情况。
在一些实施例中，所述凸台20上设置的解离层30的边缘各处位置与该凸台的边缘之间的距离大于3μm。如此可有效防止激光的光斑相对于解离层30发生偏移，保证解离层30的解离效果。
在一个实施例中，转移基板100可通过如下步骤形成：
首先，在基板本体上形成凸台。
在一个实施例中，基板本体的材料可以是玻璃，凸台的材料可以是树脂。可通过在基板本体上涂覆树脂膜层，通过对树脂膜层进行梯度曝光形成不同高度的多个凸台。在其他实施例中，基板本体与凸台可以一体成型。
随后，在凸台背离所述基板本体的表面依次形成解离层和粘结层。
在一个实施例中，可采用旋涂工艺在凸台上依次形成解离层和粘结层。可首先旋涂解离材料得到解离膜层，之后旋涂粘结材料得到粘结膜层，再对解离膜层及粘结膜层进行图形化处理，得到解离层和粘结层。旋涂粘结材料得到的粘结膜层的厚度较大，粘结膜层背离基板本体的表面的各处到基板本体的距离大致相等，由于粘结膜层背离基板本体的表面的各处到基板本体的距离大致相等，则在对粘结膜层进行图形化处理得到的多个粘结层中，各粘结层40背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的距离相等。
在步骤120中，在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；各所述发光单元朝向所述基板本体的表面分别设有支撑柱，各所述支撑柱分别与所述基板本体相抵；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布。
通过该步骤可得到如图4所示的中间结构。如图4所示，一个粘结层40上设置一个发光单元60，发光单元60朝向基板本体10的表面的面积大于粘结层40的面积。发光单元60背离基板本体10的表面设有绑定端子61，发光单元60转移到衬底上后，发光单元60通过绑定端子61绑定在衬底上；发光单元60朝向基板本体10的表面设有支撑柱50。
在一个实施例中，所述支撑柱50与所述发光单元60的边缘的最小距离大于3μm。如此设置，可避免支撑柱50与发光单元60的边缘之间的距离太小，导致工艺制备难度大。在一些实施例中，所述支撑柱50与所述发光单元60的边缘的各处位置的最小距离可为3.5μm、4μm等。
在一个实施例中，如图5所示，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面也即是发光单元60设置支撑柱50的表面呈矩形，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面的四个角处分别设有一个所述支撑柱50。如此设置，发光单元60背离绑定端子61的表面设置的四个支撑柱50分别关于该表面的两条对称轴均对称分布，支撑柱50对发光单元的支撑力均匀分布。
在一个实施例中，如图6所示，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面也即是发光单元60设置支撑柱50的表面呈矩形，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面的相对两侧边分别设有一个长条形的所述支撑柱50，且所述表面的相对两侧设置的所述支撑柱50对称。发光单元60背离绑定端子61的表面设置的两个长条形的支撑柱50分别关于该表面的两条对称轴均对称分布，支撑柱50对发光单元的支撑力均匀分布。图6所示的实施例中，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面中设置支撑柱50的两侧为短边所在的两侧。在其他实施例中，所述发光单元背离所述绑定端子61的表面中设置支撑柱50的两侧也可以是长边所在的两侧。
在一些实施例中，所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面的短边一侧设置的支撑柱50到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的长边长度的三分之一；所述发光单元60背离所述绑定端子61的表面的长边一侧设置的支撑柱50到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的短边长度的三分之一。如此设置，可避免支撑柱50与发光单元60的表面的中心之间的距离太小，而导致支撑柱50对发光单元60的表面的支撑力集中在发光单元60的表面中心处，发光单元60易发生倾斜，可保证支撑柱50对发光单元的有效支撑，防止发光单元60倾斜或偏移。
在一个实施例中，所述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元的步骤120之前，所述支撑柱50的高度与所述粘结层40背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的距离的差值范围为0.5um～1.5um。所述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单 元的步骤120之后，所述支撑柱50被压缩，所述支撑柱50背离所述发光单元60的表面与所述基板本体10相抵。在将发光单元设置在粘结层上后，发光单元对支撑结构施加的作用力会使支撑结构压缩，通过设置支撑柱50的高度与粘结层40背离基板本体10的表面到基板本体10的距离的差值范围为0.5um～1.5um，可使得支撑结构压缩后的高度与粘结层40背离基板本体10的表面到基板本体10的距离相等，如此可保证支撑柱对发光单元的支撑效果，更有助于防止发光单元相对于粘结层发生倾斜或偏移。
在一些实施例中，所述支撑柱50的材料可为无粘性的树脂材料或亚克力体系材料，支撑柱50有一定的压缩性。
在一个实施例中，所述发光单元60为mini LED，或者发光单元60为micro LED。
在步骤130中，提供衬底，所述衬底朝向所述发光单元背离所述基板本体的表面。
在一个实施例中，衬底可以为塑料基板、硅基板、陶瓷基板、玻璃基板、石英基板等任意适当的基板，本申请实施例对衬底的材料不作限制。
如图7所示，所述衬底70的表面设有至少一个第一目标区域701，第一目标区域701包括第一中心区域7011及位于所述第一中心区域7011周侧的多个第一环形区域7012。
衬底70朝向基板本体10时，基板本体10的第二目标区域101与衬底70的第一目标区域701可一一对应；且第二目标区域101与对应的第一目标区域701的大小相等。基板本体10的第二目标区域101与对应的第一目标区域701中，第二中心区域1011的大小与第一中心区域7011的大小可相同，第二环形区域1012的数量与第一环形区域7012的数量相同，且可一一对应，第二环形区域1012的大小与对应的第一环形区域7012的大小相同。
在步骤140中，采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所 述激光穿过所述基板本体作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述转移基板脱离，并转移到所述衬底上。
在一个实施例中，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧的步骤，包括：采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧；所述场镜的面积与所述第二目标区域的大小基本相等。场镜对激光进行聚焦，并控制激光束的作用面积。通过设置场镜的面积与第二目标区域的大小基本相等，可保证激光入射至第二目标区域内时，激光可作用在第二目标区域内的各解离层上，使第二目标区域内的粘结层上设置的发光单元全部解离。
在一个实施例中，场镜在基板本体上的正投影与第二目标区域大致重合。
在一个实施例中，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧时，所述解离层在所述基板本体上的正投影的边缘位于所述激光的光斑在所述基板本体上的正投影的边缘内。如此设置，可保证激光的能量作用在解离层上，保证解离层的解离良率。
在步骤140中，解离层30解离后，发光单元60及粘结层40均与凸台脱离，则支撑柱50、粘结层40与发光单元60一起被转移到衬底70上，且对应的第一目标区域701与第二目标区域101中，第二中心区域1011内的粘结层40与发光单元60被转移到第一中心区域7011内，第二环形区域1012内的粘结层40与发光单元60被转移到对应的第一环形区域7012内。通过步骤140可得到如图7及图8所示的发光基板200。如图7及图8所示，所述发光基板200包括衬底70、位于所述衬底70一侧的多个发光单元60、以及位于各所述发光单元60背离所述衬底70一侧的粘结层40及支撑柱50。
在一个实施例中，由基板本体10的第二目标区域101的中心至边缘，粘结层40的高度逐渐减小时，粘结层40与发光单元被转移到衬底70上得到 的发光基板中，由发光基板200的第一目标区域701的中心至边缘，所述粘结层40的高度逐渐增大。
在一个实施例中，相邻两个所述第一环形区域7012内，位于外侧的第一环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离、大于位于内侧的第一环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离；任相邻两个所述第一环形区域7012内的所述粘结层40的高度差相等。
在一个实施例中，在步骤140之后，所述发光基板的制备方法还包括：在支撑柱50背离衬底70的一侧形成第一斜面51，以得到如图9所示的发光基板，且所述发光单元60发出的光线通过所述支撑柱50入射至相邻所述支撑柱50之间的介质时光线的最大出射角为第一夹角，所述第一斜面51与所述衬底70之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。通过设置第二夹角大于第一夹角，有利于发光单元60发出的光线从支撑柱50出射，进而提升发光单元的出光效率，提升发光基板的出光量。
在一个实施例中，在步骤140之后，所述发光基板的制备方法还包括：在粘结层40背离衬底70的一侧形成第二斜面401，以得到如图9所示的发光基板，且所述发光单元60发出的光线通过所述粘结层40入射至相邻所述粘结层40之间的介质时所述光线的最大出射角为第三夹角，所述第二斜面401与所述衬底70之间的夹角为第四夹角，所述第四夹角大于或等于所述第三夹角。通过设置第四夹角大于第三夹角，有利于发光单元60发出的光线从粘结层40出射，进而提升发光单元的出光效率，提升发光基板的出光量。
在一个实施例中，在步骤140之后，所述发光基板的制备方法还包括：进行封胶，形成覆盖粘结层40、支撑柱50、发光单元60以及露出的衬底70的透明材料层。透明材料层背离衬底的表面可大致齐平。
本申请实施例还提供了一种发光基板。如图7至图9所示，所述发光 基板包括衬底70、位于所述衬底70上的多个发光单元60及多个支撑柱50。所述支撑柱50位于所述发光单元60背离所述衬底70的表面，各所述发光单元60背离所述衬底70的表面分别设有所述支撑柱50，各所述支撑柱50的高度相等。同一所述发光单元60的表面设置的所述支撑柱50关于所述表面的对称轴对称分布。
在一个实施例中，所述支撑柱50与所述发光单元60的边缘的最小距离大于3μm。
在一个实施例中，如图5所示，所述发光单元60背离所衬底70的表面呈矩形，所述发光单元60背离所述衬底70的表面的四个角处分别设有一个所述支撑柱50。
在一个实施例中，如图6所示，所述发光单元60背离所衬底70的表面呈矩形，所述发光单元60背离所述衬底70的表面的相对两侧边分别设有一个长条形的所述支撑柱50，且所述表面的相对两侧设置的所述支撑柱50对称。
在一个实施例中，所述发光单元60背离所述衬底70的表面的短边一侧设置的支撑柱50到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的长边长度的三分之一。
在一个实施例中，所述发光单元60背离所述衬底70的表面的长边一侧设置的支撑柱50到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的短边长度的三分之一。
在一个实施例中，如图9所示，所述支撑柱50背离所述衬底70的一侧设有第一斜面51；所述发光单元60发出的光线通过所述支撑柱50入射至相邻所述支撑柱50之间的介质时光线的最大出射角为第一夹角，所述第一斜面51与所述衬底70之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。
在一个实施例中，如图7所示，所述发光基板200还包括位于各所述发光单元60背离所述衬底70一侧的粘结层40；所述衬底70的表面包括至少一个第一目标区域701；由所述第一目标区域701的中心至边缘，所述粘结层40的高度逐渐增大。粘结层40可位于发光单元的表面中心处，支撑柱50可位于粘结层40的周侧。
在一个实施例中，所述第一目标区域701包括第一中心区域7011及位于所述第一中心区域7011周侧的多个第一环形区域7012，同一所述第一环形区域7012内设置的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离相等；相邻两个所述第一环形区域7012内，位于外侧的第一环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离、大于位于内侧的第一环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离。
在一个实施例中，任相邻两个所述第一环形区域7012内的所述粘结层40的高度差相等。
在一个实施例中，所述粘结层40背离所述衬底70的一侧设有第二斜面401，所述发光单元60发出的光线通过所述粘结层40入射至相邻所述粘结层40之间的介质时光线的最大出射角为第三夹角，所述第二斜面401与所述衬底70朝向所述粘结层40的表面之间的夹角为第四夹角，所述第四夹角大于或等于所述第三夹角。
本申请实施例提供的发光基板与发光基板的制备方法属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，在此不再进行赘述。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置上述任一实施例所述的发光基板。
在一个实施例中，发光基板作为背光源，显示装置可以为液晶显示装置，其包括液晶显示面板，发光基板设置在液晶显示面板的非显示侧。
在另一实施例中，所述显示装置中的发光基板作为显示基板使用。发光基板作为显示基板使用时，每一发光元件作为一个子像素。
显示装置可以为任意适当的显示装置，包括但不限于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (20)
- 一种发光基板，其特征在于，所述发光基板包括：衬底；位于所述衬底上的多个发光单元；多个支撑柱，位于所述发光单元背离所述衬底的表面；各所述发光单元背离所述衬底的表面分别设有所述支撑柱，各所述支撑柱的高度相等；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱与所述发光单元的边缘的最小距离大于3μm。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元背离所述衬底的表面呈矩形，所述发光单元背离所述衬底的表面的四个角处分别设有一个所述支撑柱。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元背离所述衬底的表面呈矩形，所述发光单元背离所述衬底的表面的相对两侧边分别设有一个长条形的所述支撑柱，且所述表面的相对两侧设置的所述支撑柱对称。
- 根据权利要求2或3所述的发光基板，其特征在于，所述发光单元背离所述衬底的表面的短边一侧设置的支撑柱到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的长边长度的三分之一；和/或，所述发光单元背离所述衬底的表面的长边一侧设置的支撑柱到所述表面的中心的距离大于或等于所述表面的短边长度的三分之一。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱背离所述衬底的一侧设有第一斜面；所述发光单元发出的光线通过所述支撑柱入射至相邻所述支撑柱之间的介质时光线的最大出射角为第一夹角，所述第一斜面与所述衬底之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或 等于所述第一夹角。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板还包括位于各所述发光单元背离所述衬底一侧的粘结层；所述衬底的表面包括至少一个第一目标区域；由所述第一目标区域的中心至边缘，所述粘结层的高度逐渐增大。
- 根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述第一目标区域包括第一中心区域及位于所述第一中心区域周侧的多个第一环形区域，同一所述第一环形区域内设置的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离相等；相邻两个所述第一环形区域内，位于外侧的第一环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离大于位于内侧的第一环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离。
- 根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，任相邻两个所述第一环形区域内的所述粘结层的高度差相等。
- 根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述粘结层背离所述衬底的一侧设有第二斜面，所述发光单元发出的光线通过所述粘结层入射至相邻所述粘结层之间的介质时光线的最大出射角为第三夹角，所述第二斜面与所述衬底朝向所述粘结层的表面之间的夹角为第四夹角，所述第四夹角大于或等于所述第三夹角。
- 一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供转移基板；所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体一侧的多个解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；各所述发光单元朝向所述基板本体的表面分别设有支撑柱，各所述支撑柱分别与所述基板本体相抵；同一所述发光单元的表面设置的所述支撑柱关于所述表面的对称轴对称分布；提供衬底，所述衬底朝向所述发光单元背离所述基板本体的表面；采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述转移基板脱离，并转移到所述衬底上。
- 根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述基板本体的表面包括至少一个第二目标区域，所述第二目标区域内设有多个所述解离层；所述转移基板还设有位于所述基板本体与各所述解离层之间的凸台；由所述第二目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小。
- 根据权利要求12所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述第二目标区域包括第二中心区域及位于所述第二中心区域周侧的多个第二环形区域，同一所述第二环形区域内设置的所述凸台的高度相等；相邻两个所述第二环形区域内，位于外侧的第二环形区域内的所述凸台的高度大于位于内侧的第二环形区域内的所述凸台的高度。
- 根据权利要求12所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，包括：采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧；所述场镜的面积与所述第二目标区域的大小基本相等。
- 根据权利要求14所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述采用激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧时，所述解离层在所述基板本体上的正投影的边缘位于所述激光的光斑在所述基板本体上的正投影的边缘内。
- 根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，各所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离相等。
- 根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述解离层的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。
- 根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所 述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元之前，所述支撑柱的高度与所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离的差值范围为0.5um～1.5um；所述在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元后，所述支撑柱被压缩，所述支撑柱背离所述发光单元的表面与所述基板本体相抵。
- 根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述解离层的厚度小于1mm。
- 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一项所述的发光基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/134120 WO2023092594A1 (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
| CN202180003665.6A CN116783691A (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/134120 WO2023092594A1 (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2023092594A1 true WO2023092594A1 (zh) | 2023-06-01 |
Family
ID=86538779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/134120 WO2023092594A1 (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116783691A (zh) |
| WO (1) | WO2023092594A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2021
- 2021-11-29 WO PCT/CN2021/134120 patent/WO2023092594A1/zh active Application Filing
- 2021-11-29 CN CN202180003665.6A patent/CN116783691A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116783691A (zh) | 2023-09-19 |
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