WO2023054070A1

WO2023054070A1 - 感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法

Info

Publication number: WO2023054070A1
Application number: PCT/JP2022/035028
Authority: WO
Inventors: 慶山本; 直紘丹呉; 三千紘白川
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2022-09-20
Publication date: 2023-04-06
Also published as: TW202323816A; KR20240045350A

Abstract

所定のＬＷＲを示す感光性組成物かどうかを容易に検定できる感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法の提供。感光性組成物の検定方法は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂、及び、光酸発生剤を含む基準感光性組成物を用いて基材１上にレジスト膜を形成し、基材１上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、基材１上のレジスト膜が除去された基材１上の欠陥の数を測定して、基準データを取得する工程１と、基準感光性組成物に含まれる成分と同じ種類の成分を含む測定用感光性組成物を用いて基材２上にレジスト膜を形成し、基材２上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、基材２上のレジスト膜が除去された基材２上の欠陥の数を測定して、測定データを取得する工程２と、基準データと前記測定データとを比較して、許容範囲内であるかどうかを判定する工程３と、を有し、処理液が所定の成分を含む。

Description

感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法

　本発明は、光酸発生剤、及び、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂を含む感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法に関する。

　従来、ＩＣ（Integrated Circuit、集積回路）及びＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit、大規模集積回路）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、感光性組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域又はクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、更にＡｒＦエキシマレーザー光、及びＫｒＦエキシマレーザー光にというように短波長化の傾向が見られる。更には、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet、極紫外線）光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。
　例えば、特許文献１には、ＡｒＦエキシマレーザー光、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーに用いられる光酸発生剤を含むレジスト組成物が開示されている。

特開２０２０－１２６１４３号公報

　感光性組成物は、製造ロット間での性能差が少ないことが望ましい。このため、従来、感光性組成物を製造する際には、いずれの製造ロットでも、他の製造ロットと同じような性能を示す感光性組成物を製造することを試みていた。その際、新たに製造した感光性組成物が、先の製造ロットの感光性組成物と同様の性能を示すかどうかを判定するために、レジストパターンを形成して、そのＬＷＲ（Line Width Roughness）を測定する場合があった。
　一方で、ＬＷＲを測定するためには、上述のようにレジスト膜を形成した後、レジストパターンを形成する必要がある。このようにＬＷＲを測定するには手順が煩雑であり、より簡便に、所定のＬＷＲを示す感光性組成物であるかどうかの判定ができる方法が望まれていた。
　本発明の課題は、所定のＬＷＲを示す感光性組成物かどうかを容易に検定できる感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法を提供することにある。

　本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

（１）　酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂、及び、光酸発生剤を含む基準感光性組成物を用いて基材１上にレジスト膜を形成し、基材１上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、基材１上のレジスト膜が除去された基材１上の欠陥の数を測定して、基準データを取得する工程１と、
　基準感光性組成物に含まれる成分と同じ種類の成分を含む測定用感光性組成物を用いて基材２上にレジスト膜を形成し、基材２上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、基材２上のレジスト膜が除去された基材２上の欠陥の数を測定して、測定データを取得する工程２と、
　基準データと測定データとを比較して、許容範囲内であるかどうかを判定する工程３と、を有し、
　処理液は、芳香族炭化水素と、有機溶剤と、金属Ｘとを含み、
　芳香族炭化水素の含有量が、処理液の全質量に対して、１質量％以下であり、
　有機溶剤が、芳香族炭化水素を含まず、かつ、脂肪族炭化水素を含み、
　金属Ｘが、Ａｌ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、
　金属Ｘの含有量に対する芳香族炭化水素の含有量の質量比が５．０×１０^４～２．０×１０^１０である、感光性組成物の検定方法。
（２）　工程３において、測定データが許容範囲を外れる場合、測定用感光性組成物の成分調整を実施する、請求項１に記載の感光性組成物の検定方法。
（３）　工程１及び工程２において、基材１上のレジスト膜及び前記基材２上のレジスト膜が、それぞれ、レジスト膜を形成後、レジスト膜にパターン露光を施し、露光されたレジスト膜である、（１）又は（２）に記載の感光性組成物の検定方法。
（４）　工程１及び工程２におけるパターン露光は、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、及び極端紫外線のうち、いずれかを用いる、（３）に記載の感光性組成物の検定方法。
（５）　基材１上のレジスト膜が除去された基材１上の欠陥の数及び基材２上のレジスト膜が除去された前記基材２上の欠陥の数は、それぞれ、欠陥検査装置を用いて測定する、（１）～（４）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（６）　酸分解性樹脂は、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含む、（１）～（５）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（７）　脂肪族炭化水素が、ウンデカンであり、
　有機溶剤が、更に酢酸ブチルを含む、（１）～（６）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（８）　ウンデカンの含有量に対する、酢酸ブチルの含有量の比が、６５／３５～９９／１である、（７）に記載の感光性組成物の検定方法。
（９）　ウンデカンの含有量に対する、酢酸ブチルの含有量の比が、９０／１０である、（８）に記載の感光性組成物の検定方法。
（１０）　酸分解性樹脂が、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有するモノマー由来の繰り返し単位を有し、
　モノマーは、全て、後述する式（１）で表される、処理液に対するハンセン溶解度パラメータに基づく溶解指標（Ｒ）が２．０～５．０（ＭＰａ）^１／２であり、かつ、
　モノマーの少なくとも１種は、酸脱離前後の溶解指標差（△Ｒ）が、４．０（ＭＰａ）^１／２以上である、（１）～（９）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（１１）　基準データにおいて、基材１上の欠陥の数が、０．０００１～１０個／ｃｍ^２である、（１）～（１０）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（１２）　芳香族炭化水素の含有量が、処理液の全質量に対して、１質量％以下である、（１）～（１１）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法。
（１３）　（１）～（１２）のいずれかに記載の感光性組成物の検定方法を含む、感光性組成物の製造方法。

　本発明によれば、所定のＬＷＲを示す感光性組成物かどうかを容易に検定できる感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法を提供できる。

本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の第１の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の基準データの取得方法の第１の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の測定データの取得方法の第１の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の基準データの取得方法の第２の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の測定データの取得方法の第２の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の第２の例を示すフローチャートである。本発明の実施形態の感光性組成物の製造方法の一例を示すフローチャートである。

　以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法を詳細に説明する。
　なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
　なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
　また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。

　本明細書中における基（原子団）の表記について、本発明の趣旨に反しない限り、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
　置換基は、特に断らない限り、１価の置換基が好ましい。
　本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Electron Beam）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
　本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、及びＸ線等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
　本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。また、上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。

　本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。
　本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）装置（東ソー社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ　ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Refractive Index Detector））によるポリスチレン換算値として定義される。

　本明細書において酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。

　ソフトウェアパッケージ１：Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)。

　一方で、ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。この具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、水溶液中におけるＨ^＋解離自由エネルギーを計算することで算出する手法が挙げられる。Ｈ^＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算することができるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。

　本明細書中のｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。
　また、本明細書中のｐＫａは、上述した通り「水溶液中でのｐＫａ」を指すが、水溶液中でのｐＫａが算出できない場合には、「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶液中でのｐＫａ」を採用するものとする。

　本明細書において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

　本発明者らは、同じ種類の成分を含む２つの感光性組成物に対して、所定の処理液を使用することにより、欠陥の数の所定のデータ同士を比較すれば、ＬＷＲの性能に関しても同定程度の性能を示す感光性組成物であるかどうかの判定ができることを知見した。
　具体的には、脂肪族炭化水素を含み、芳香族炭化水素／金属不純物が所定の範囲である処理液を使用すると、上述のような欠陥の数同士の差と、ＬＷＲ同士の差との相関関係があることを見出した。つまり、欠陥の数同士が同程度である場合、ＬＷＲの性能も同程度になるのに対して、欠陥の数同士が異なる場合に、ＬＷＲの性能も異なることを見出した。
　同じ種類の成分を含む２つの感光性組成物に対して、従来の処理液を用いた場合、欠陥の数の結果の振れ幅が大きく、かつ、ＬＷＲの結果の振れ幅も大きい。
　これに対して、同じ種類の成分を含む２つの感光性組成物に対して、本発明の処理液を用いた場合、欠陥の数の結果の振れ幅、及び、ＬＷＲの結果の振れ幅がともに小さく、欠陥の数の結果を比較すれば、ＬＷＲも同程度の性能を示すことを見出した。
　以下、感光性組成物の検定方法について、具体的に説明する。

［感光性組成物の検定方法の第１の例］
　図１は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の第１の例を示すフローチャートである。図２は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の基準データの取得方法の第１の例を示すフローチャートであり、図３は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の測定データの取得方法の第１の例を示すフローチャートである。

　感光性組成物の検定方法の第１の例は、図１に示すように、基準データを取得する工程１（ステップＳ１０）と、測定データを取得する工程２（ステップＳ１２）と、基準データと測定データとを比較して、許容範囲内であるかどうかを判定する工程３（ステップＳ１４）とを有する。
　工程３（ステップＳ１４）において、許容範囲内である場合、所定のＬＷＲを示す感光性組成物であると判定される。
　一方、工程３（ステップＳ１４）において、許容範囲を外れる場合、所定のＬＷＲを示さない感光性組成物と判定される。
　このように、感光性組成物の検定方法では、所定のＬＷＲ（Line Width Roughness）を示す感光性組成物かどうかを容易に検定できる。

　基準データを取得する工程１（ステップＳ１０）は、以下に示す工程を有する。
　図２に示す工程１（ステップＳ１０）は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂、及び、光酸発生剤を含む基準感光性組成物を用いて基材上にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。
　基材は、特に限定されるものではなく、シリコン基板等の半導体基板が用いられる。基板は、事前に洗浄され、基板上の異物が除去されていることが好ましい。基板上の異物の大きさに制限はないが、例えば、２０ｎｍ以上のものが挙げられる。
　レジスト膜の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコーターを用いて形成される。レジスト膜の形成では、基準感光性組成物を基材上の塗布した後、基準感光性組成物の塗膜に対して、プリベーク処理を実施してもよい。
　次に、処理液を用いて基材上のレジスト膜を除去する（ステップＳ２２）。レジスト膜を除去する方法は、処理液を用いれば、特に限定されるものではなく、処理液を霧状にしてレジスト膜に塗布して除去してもよく、処理液中にレジスト膜を浸漬させて除去してもよい。
　なお、本工程で使用される各種材料については、後段で詳述する。

　次に、レジスト膜が除去された基材上の欠陥の数を、例えば、欠陥検査装置を用いて測定する（ステップＳ２４）。欠陥の数を測定して、基準データを取得する（ステップＳ１０）。
　なお、基準データにおいて、欠陥の数は、基材上の欠陥の総数でもよく、また、欠陥の数を基材の表面積で割った値、すなわち、単位面積当たりの欠陥の数を基準データとしてもよい。この場合、基準データは、例えば、個／ｃｍ^２で表される。欠陥の数は、例えば、０．０００１～１０個／ｃｍ^２が好ましく、０．０００５～５個／ｃｍ^２がより好ましく、０．００１～１個／ｃｍ^２がさらに好ましい。
　ここで、レジスト膜が除去された基材上の欠陥とは、基材上に残存したパーティクル、残渣などの異物である。これらの欠陥となる成分は、主に、レジスト膜に含まれる。より具体的には、基材上にレジスト膜を形成した際に、レジスト膜中の欠陥となり得る成分が基材上に吸着し、処理液によりレジスト膜を除去した後も、基材上に残存することにより欠陥となる。
　また、欠陥の数の測定は、公知方法により実施できるが、例えば、ＵＶｉｓｉｏｎ５（ＡＭＡＴ社製）を用いて欠陥の数を測定できる。

　測定データを取得する工程２（ステップＳ１２）は、以下に示す工程を有する。
　図３に示す工程２（ステップＳ１２）は、基準感光性組成物に含まれる成分と同じ種類の成分を含む測定用感光性組成物を用いて基材上にレジスト膜を形成する（ステップＳ３０）。
　基材は、上述のステップＳ２０にて説明した通りである。レジスト膜の形成方法は、上述のステップＳ２０で説明した通りである。
　次に、処理液を用いて基材上のレジスト膜を除去する（ステップＳ３２）。レジスト膜は、上述のステップＳ２２と同様にして除去する。
　次に、レジスト膜が除去された基材上の欠陥の数を、欠陥検査装置を用いて測定する（ステップＳ３４）。欠陥の数は、ステップＳ２４と同様にして測定する。
　以上の方法により、欠陥の数を測定して、測定データを取得する（ステップＳ１２）。
　なお、測定データは、基準データと同じく、欠陥の数は基材上の欠陥の総数でもよく、また、欠陥の数を基材上の面積で割った値、すなわち、単位面積当たりの欠陥の数を測定データとしてもよい。この場合、測定データは、例えば、個／ｃｍ^２で表される。

　ステップＳ１４（工程３）で、基準データと測定データとを比較するため、基準データと測定データとはデータ形式を同じとする。データ形式を同じとすることにより、容易に比較できる。
　上述のようにステップＳ１４（工程３）では、基準データと測定データとを比較して、許容範囲内であるかどうかを判定している。許容範囲は、例えば、用途等に応じて適宜設定されるものである。許容範囲は、例えば、（測定データ）／（基準データ）で表される比γで規定される。比γは、例えば、０．９≦γ≦１．１である。また、上記比γ以外にも、（基準データ）±（過去の測定実績などから設定された任意の基準幅）以内を許容範囲とすることもできる。

　図４は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の基準データの取得方法の第２の例を示すフローチャートであり、図５は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の測定データの取得方法の第２の例を示すフローチャートである。
　なお、図４及び図５において、図２及び図３と同一工程について、その詳細な説明は省略する。
　基準データの取得方法の第２の例及び測定データの取得方法の第２の例は、上述の基準データの取得方法の第１の例及び測定データの取得方法の第１の例に比して、レジスト膜をパターン露光している点が異なる。

　基準データの取得方法の第２の例では、図４に示すように、レジスト膜の形成（ステップＳ２０）後に、レジスト膜にパターン露光を施す（ステップＳ２１）。ステップＳ２１の後に、レジスト膜を除去する（ステップＳ２２）。その後、レジスト膜が除去された基材上の欠陥の数を、欠陥検査装置を用いて測定し（ステップＳ２４）、基準データを取得する（ステップＳ１０）。
　測定データの取得方法の第２の例では、図５に示すように、レジスト膜の形成（ステップＳ３０）後に、レジスト膜にパターン露光を施す（ステップＳ３１）。ステップＳ３１の後に、レジスト膜を除去する（ステップＳ３２）。その後、レジスト膜が除去された基材上の欠陥の数を、欠陥検査装置を用いて測定し（ステップＳ３４）、測定データを取得する（ステップＳ１２）。
　このように、レジスト膜にパターン露光を施して、基準データ及び測定データを取得することもできる。

　ステップＳ２１及びステップＳ３１におけるパターン露光は、露光パターン及び露光条件が同じ条件であることが好ましい。また、パターン露光は、感光性組成物に応じた波長の光により露光される。例えば、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、及び極端紫外線（ＥＵＶ）のうち、いずれかが用いられる。
　ステップＳ２１及びステップＳ３１におけるパターン露光のパターンは、特に限定されるものではなく、例えば、孤立レジストパターン、ドット状のパターン又はラインアンドスペースである。
　感光性組成物がポジ型の場合、パターン露光のパターンとして、ホール及びトレンチ等、露光された箇所が現像によりなくなるパターンが用いられる。
　感光性組成物がネガ型の場合、パターン露光のパターンとして、ドット及びライン等、露光された箇所が現像により残るパターンが用いられる。

［感光性組成物の検定方法の第２の例］
　図６は本発明の実施形態の感光性組成物の検定方法の第２の例を示すフローチャートである。なお、図６に示す感光性組成物の検定方法の第２の例において、上述の感光性組成物の検定方法の第１の例の工程と同一工程についての詳細な説明は省略する。
　感光性組成物の検定方法の第２の例は、上述の感光性組成物の検定方法の第１の例に比して、ステップＳ１４（工程３）において、基準データと測定データとを比較した際、測定データが許容範囲を外れる場合、測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ１６）を実施する点が異なる。
　一方、ステップＳ１４（工程３）において、測定データが許容範囲内であれば、成分調整は実施しない。
　なお、ステップＳ１４（工程３）において、測定データが許容範囲内になる迄、測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ１６）を繰り返し実施してもよい。
　測定用感光性組成物は、基準感光性組成物に含まれる成分と同じ成分を含む。ステップＳ１６において、測定用感光性組成物の成分調整を実施する場合、例えば、光酸発生剤、及び酸分解性樹脂のうち、少なくとも一方の量を調整する。測定データの基準データとの比較で、測定データの方が多い場合、測定データの方が少ない場合等、測定データと基準データとの違いと、測定データと基準データとの差の程度に応じて、成分調整の際に、調整する成分と、その調整量を予め設定しておいてもよい。

［感光性組成物の製造方法の一例］
　図７は本発明の実施形態の感光性組成物の製造方法の一例を示すフローチャートである。上述の感光性組成物の検定方法を、感光性組成物の製造方法に利用することができる。
　なお、図７に示す感光性組成物の製造方法において、上述の感光性組成物の検定方法の第１の例の工程と同一工程についての詳細な説明は省略する。
　感光性組成物の製造方法は、感光性組成物の検定方法の第１の例に比して、以下の点が異なる。感光性組成物の製造方法では、ステップＳ１４（工程３）において、基準データと測定データとを比較した際、測定データが許容範囲内である場合、測定用感光性組成物を合格品とする工程（ステップＳ４０）を有する。なお、合格品を感光性組成物の製品とする。
　一方、ステップＳ１４（工程３）において、基準データと測定データとを比較した際、測定データが許容範囲を外れる場合、測定用感光性組成物を不合格品とする工程（ステップＳ４２）を有する。なお、不合格品は製品としない。

　感光性組成物の製造方法では、不合格品（ステップＳ４２）とされた測定用感光性組成物について、測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ４４）を実施してもよい。
　測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ４４）は、上述の感光性組成物の検定方法の第２の例の測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ１６）と同様の工程であるため、その詳細な説明は省略する。感光性組成物の製造方法でも、測定データが許容範囲内になる迄、測定用感光性組成物の成分調整（ステップＳ１６）を繰り返し実施してもよい。

　以上の説明において、比較、及び判定は、例えば、コンピューターに各種の数値が入力されて、許容範囲等と比較され、許容範囲等に基づいて判定される。このように比較、及び判定は、例えば、コンピューターにより実行される。

　本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の感光性組成物の検定方法及び感光性組成物の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。
　以下、上記検定方法で用いられる材料について詳述する。

［処理液］
　処理液は、芳香族炭化水素と、芳香族炭化水素以外の有機溶剤と、金属Ｘとを含み、有機溶剤が、脂肪族炭化水素を含み、金属Ｘが、Ａｌ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、金属Ｘの含有量に対する芳香族炭化水素の含有量の質量比が５．０×１０^４～２．０×１０^１０である。
　以下、処理液に含まれる成分について詳述する。

＜芳香族炭化水素＞
　処理液は、芳香族炭化水素を含む。
　「芳香族炭化水素」とは、水素原子及び炭素原子のみからなり、かつ、芳香環を有する炭化水素を意味する。芳香族炭化水素は、有機溶剤に含まれない。
　芳香族炭化水素の含有量は、処理液の全質量に対して、１質量％以下が好ましく、１～１００００質量ｐｐｍがより好ましく、５～１００００質量ｐｐｍが更に好ましく、５０～１００００質量ｐｐｍが特に好ましい。なお、芳香族炭化水素が２種以上の芳香族炭化水素を含む場合、２種以上の芳香族炭化水素の合計含有量が上記範囲であることが好ましい。

　芳香族炭化水素の炭素数は、６～３０が好ましく、６～２０がより好ましく、１０～１２が更に好ましい。
　芳香族炭化水素が有する芳香環は、単環及び多環のいずれであってもよい。
　芳香族炭化水素が有する芳香環の環員数は、６～１２が好ましく、６～８がより好ましく、６が更に好ましい。
　芳香族炭化水素が有する芳香環は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基及びそれらを組み合わせた基が挙げられる。上記アルキル基及び上記アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。上記アルキル基及び上記アルケニル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　芳香族炭化水素が有する芳香環としては、例えば、置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいナフタレン環及び置換基を有していてもよいアントラセン環が挙げられ、置換基を有していてもよいベンゼン環が好ましい。
　換言すると、芳香族炭化水素としては、置換基を有していてもよいベンゼンが好ましい。

　芳香族炭化水素は、Ｃ_１０Ｈ_１４、Ｃ_１１Ｈ_１６及びＣ_１０Ｈ_１２からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　また、芳香族炭化水素としては、式（ｃ）で表される化合物も好ましい。

　式（ｃ）中、Ｒ^ｃは、置換基を表す。ｃは、０～６の整数を表す。

　Ｒ^ｃは、置換基を表す。
　Ｒ^ｃで表される置換基としては、アルキル基又はアルケニル基が好ましい。
　上記アルキル基及び上記アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
　上記アルキル基及び上記アルケニル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　Ｒ^ｃが複数存在する場合、Ｒ^ｃ同士は同一又は異なっていてもよく、Ｒ^ｃ同士は互いに結合して環を形成してもよい。
　また、Ｒ^ｃ（Ｒ^ｃが複数存在する場合、複数のＲ^ｃの一部又は全部）と、式（ｃ）中のベンゼン環とが縮合して縮合環を形成してもよい。

　ｃは、０～６の整数を表す。
　ｃは、１～５の整数が好ましく、１～４の整数がより好ましい。

　芳香族炭化水素の分子量は、５０以上が好ましく、１００以上がより好ましく、１２０以上が更に好ましい。上限は、１０００以下が好ましく、３００以下がより好ましく、１５０以下が更に好ましい。

　芳香族炭化水素としては、例えば、１，２，４，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ、１－ｅｔｈｙｌ－３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ、１，２，３，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ及び１－ｅｔｈｙｌ－２，４－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ等のＣ_１０Ｈ_１４；１－ｍｅｔｈｙｌ－４－（１－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ）－ｂｅｎｚｅｎｅ及び（１－ｍｅｔｈｙｌｂｕｔｙｌ）－ｂｅｎｚｅｎｅ等のＣ_１１Ｈ_１６；１－ｍｅｔｈｙｌ－２－（２－ｐｒｏｐｅｎｙｌ）－ｂｅｎｚｅｎｅ及び１，２，３，４－ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ－ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ等のＣ_１０Ｈ_１２が挙げられる。
　芳香族炭化水素としては、１，２，４，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ、１－ｅｔｈｙｌ－３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ、１，２，３，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ、１－ｍｅｔｈｙｌ－４－（１－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐｙｌ）－ｂｅｎｚｅｎｅ及びＣ_１０Ｈ_１２が好ましく、１－ｅｔｈｙｌ－３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ又は１，２，３，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅがより好ましい。

　芳香族炭化水素は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　処理液は、２種以上の芳香族炭化水素を含むことが好ましく、３種以上の芳香族炭化水素を含むことがより好ましく、３～８種の芳香族炭化水素を含むことが更に好ましく、３～４種の芳香族炭化水素を含むことが特に好ましい。
　芳香族炭化水素の含有量の測定方法としては、例えば、後述する有機溶剤の含有量の測定方法が挙げられる。
　芳香族炭化水素の含有量の調整方法としては、例えば、各種成分を構成する原料として芳香族炭化水素の含有量が少ない原料を選択する方法、装置内をテフロン（登録商標）でライニング等してコンタミネーションを抑制した条件下で蒸留する方法及び芳香族炭化水素を添加する方法が挙げられる。

＜有機溶剤＞
　処理液は、上述した芳香族炭化水素以外の有機溶剤を含む。つまり、本明細書において、芳香族炭化水素は、上記有機溶剤に含まれない。

≪脂肪族炭化水素≫
　有機溶剤は、脂肪族炭化水素を含む。
　「脂肪族炭化水素」とは、水素原子及び炭素原子のみからなり、かつ、芳香環を有さない炭化水素を意味する。
　脂肪族炭化水素は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（単環又は多環）のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。また、脂肪族炭化水素は、飽和脂肪族炭化水素及び不飽和脂肪族炭化水素のいずれであってもよい。
　脂肪族炭化水素の炭素数は、２以上の場合が多く、５以上が好ましく、１０以上がより好ましい。上限は、３０以下が好ましく、２０以下がより好ましく、１５以下が更に好ましく、１３以下が特に好ましい。具体的には、脂肪族炭化水素の炭素数は、１１が好ましい。

　脂肪族炭化水素としては、例えば、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、メチルデカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプラデカン、２，２，４－トリメチルペンタン及び２，２，３－トリメチルヘキサンが挙げられる。
　脂肪族炭化水素は、炭素数５以上（好ましくは炭素数２０以下）の脂肪族炭化水素を含むことが好ましく、炭素数１０以上（好ましくは炭素数１３以下）の脂肪族炭化水素を含むことがより好ましく、デカン、ウンデカン、ドデカン及びメチルデカンからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが更に好ましく、ウンデカンを含むことが特に好ましい。

　脂肪族炭化水素の含有量は、処理液の全質量に対して、０．８質量％以上１００質量％未満が好ましく、１～５０質量％がより好ましく、３～３０質量％が更に好ましく、８～１８質量％が特に好ましい。
　脂肪族炭化水素の含有量は、有機溶剤の全質量に対して、０．８質量％以上１００質量％以下が好ましく、１～１００質量％がより好ましく、２～１００質量％が更に好ましく、２～５０質量％が更により好ましく、３～３０質量％が特に好ましく、８～１８質量％が最も好ましい。

≪エステル系溶剤≫
　有機溶剤は、更にエステル系溶剤を含むことが好ましい。
　エステル系溶剤は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（単環又は多環）のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。
　エステル系溶剤の炭素数は、２以上の場合が多く、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、６以上が更に好ましい。上限は、２０以下の場合が多く、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、７以下が特に好ましい。具体的には、エステル系の炭素数は、６が好ましい。

　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ヘキシル、酢酸メトキシブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、イソ酪酸エチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル及びプロピオン酸イソブチルが挙げられる。
　エステル系溶剤は、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸エチル及び酢酸ヘキシルからなる群から選択される少なくとも1つを含むことが好ましく、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸エチル及び酢酸ヘキシルからなる群から選択される少なくとも1つを含むことがより好ましく、酢酸ブチルを含むことが更に好ましい。

　エステル系溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、１０質量％以上１００質量％未満が好ましく、６０～９９質量％がより好ましく、６０～９５質量％が更に好ましく、８０～９０質量％が特に好ましい。
　エステル系溶剤の含有量は、有機溶剤の全質量に対して、１０質量％以上１００質量％未満が好ましく、６０～９９質量％がより好ましく、６０～９５質量％が更に好ましく、８０～９０質量％が特に好ましい。

　有機溶剤は、脂肪族炭化水素及びエステル系溶剤を含むことが好ましく、脂肪族炭化水素及びエステル系溶剤のみからなることがより好ましい。脂肪族炭化水素としては、ウンデカン、ドデカン、及びデカンからなる群から選択される少なくとも１つを含み、エステル系溶剤としては、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸エチル及び酢酸ヘキシルからなる群から選択される少なくとも1つを含むことがより好ましい。なかでも、有機溶剤が、ウンデカン及び酢酸ブチルのみからなることが特に好ましい。
　有機溶剤が脂肪族炭化水素及びエステル系溶剤を含む場合、脂肪族炭化水素の含有量に対するエステル系溶剤の含有量（エステル系溶剤の含有量／脂肪族炭化水素の含有量）の比は、６５／３５～９９／１が好ましく、８５／１５～９５／５がより好ましく、９０／１０が更に好ましい。
　脂肪族炭化水素及びエステル系溶剤の合計含有量は、処理液の全質量に対して、１０質量％以上１００質量％未満が好ましく、８０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、９５質量％以上１００質量％未満が更に好ましい。
　脂肪族炭化水素及びエステル系溶剤の合計含有量は、有機溶剤の全質量に対して、１０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９５～１００質量％が更に好ましく、９９～１００質量％が特に好ましい。

≪その他溶剤≫
　有機溶剤は、上記以外に、その他溶剤を含んでいてもよい。
　その他溶剤としては、例えば、ケトン系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤が挙げられる。

　有機溶剤は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　有機溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９８質量％以上が更に好ましい。上限は、処理液の全質量に対して、１００質量％未満の場合が多い。
　有機溶剤の含有量の測定方法としては、例えば、ＧＣ（ガスクロマトグラフ法）及びＧＣ－ＭＳ（ガスクロマトグラフ質量分析法）を用いる方法が挙げられる。

＜金属Ｘ＞
　処理液は、金属Ｘを含む。
　金属Ｘは、Ａｌ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属である。処理液は、Ａｌ、Ｆｅ及びＮｉの全ての金属を含むことが好ましい。
　上記金属Ｘは、処理液中においてイオン状態で存在していてもよいし、０価で存在していてもよい。０価で存在する場合、粒子状で存在していてもよい。

　金属Ｘは、１種単独又は２種以上で用いてもよい。
　金属Ｘの含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１～３０００質量ｐｐｔが好ましく、０．１～２５００質量ｐｐｔがより好ましく、０．１～２０００質量ｐｐｔが更に好ましい。なお、処理液が２種以上の金属を含む場合、２種以上の金属の合計含有量が上記範囲であることが好ましい。
　また、金属Ｘ中のＡｌ、Ｆｅ及びＮｉのうち少なくとも１種の含有量が、処理液の全質量に対して、０．１～２０００質量ｐｐｔが好ましい。

　金属Ｘの含有量に対する芳香族炭化水素の含有量の質量比（芳香族炭化水素の含有量／金属Ｘの含有量）が、５．０×１０^４～２．０×１０^１０であり、３．０×１０^５～１．０×１０^９が好ましく、３．０×１０^５～２．５×１０^８がより好ましい。
　金属Ｘの含有量の測定方法としては、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ（ＩＣＰ質量分析法）等の公知の測定方法が挙げられる。
　上記金属Ｘの含有量の調整方法としては、例えば、上記フィルタを用いてろ過する方法、各種成分を構成する原料として金属Ｘの含有量が少ない原料を選択する方法、装置内をテフロン（登録商標）でライニング等してコンタミネーションを抑制した条件下で蒸留する方法及び金属Ｘ又は金属Ｘを含む化合物を添加する方法が挙げられる。

［基準感光性組成物、測定用感光性組成物］
　基準感光性組成物は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂、及び、光酸発生剤を含む。
　また、測定用感光性組成物は、上述した基準感光性組成物と同じ種類の成分を含む。同じ種類の成分を含むとは、同じ構造の成分を含むこと意味し、その含有量は異なっていてもよい。なお、繰り返し単位を含む樹脂に関しては、その繰り返し単位を構成する種類が同じであればよく、各繰り返し単位の含有量は異なっていてもよい。
　より具体的には、酸分解性樹脂に関しては、基準感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂中の繰り返し単位の種類と、測定用感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂中の繰り返し単位の種類とが同じであればよく、基準感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂中の各繰り返し単位の含有量と、測定用感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂中の各繰り返し単位の含有量とは異なっていてもよい。また、基準感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂の含有量と、測定用感光性組成物に含まれる酸分解性樹脂中の含有量とは異なっていてもよい。
　また、光酸発生剤に関しては、基準感光性組成物に含まれる光酸発生剤と、測定用感光性組成物に含まれる光酸発生剤とが同一の構造の化合物であればよく、基準感光性組成物に含まれる光酸発生剤の含有量と、測定用感光性組成物に含まれる光酸発生剤の含有量とは、異なっていてもよい。従って、例えば、基準感光性組成物が光酸発生剤Ｘ、及び、特定の繰り返し単位Ａ及び特定の繰り返し単位Ｂを含む酸分解性樹脂を含む場合に、測定用感光性組成物も光酸発生剤Ｘ、及び、特定の繰り返し単位Ａ及び特定の繰り返し単位Ｂを含む酸分解性樹脂を含むことになる。
　更に、基準感光性組成物が光酸発生剤、及び、酸分解性樹脂以外の他の成分を含む場合、測定用感光性組成物も同じ種類の他の成分（例えば、酸拡散制御剤）を含む。例えば、基準感光性組成物が酸拡散制御剤Ｚを含む場合、測定用感光性組成物も基準感光性組成物に含まれる酸拡散制御剤Ｚと同一の構造の酸拡散制御剤Ｚを含み、その含有量は異なっていてもよい。なお、他の成分として、繰り返し単位を含む樹脂が用いられる場合、上記酸分解性樹脂と同様に、基準感光性組成物に含まれる樹脂の繰り返し単位の種類と、測定用感光性組成物に含まれる樹脂の繰り返し単位の種類とが同じであればよく、繰り返し単位の含有量及び樹脂の含有量は異なっていてもよい。
　なお、測定用感光性組成物は、基準感光性組成物とは製造時期が異なる、ロット違いの組成物である場合が多い。
　以下、各成分について詳述する。

＜酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂＞
　基準感光性組成物は、酸の作用により分解して極性基を生じる基（以下、単に「酸分解性基」ともいう。）を有する酸分解性樹脂（以下、単に「樹脂（Ａ）」ともいう。）を含む。
　酸分解性樹脂の詳細は後段で詳述するが、酸分解性樹脂の好適態様の一つとして、酸分解性樹脂が、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有するモノマー由来の繰り返し単位を有し、上記モノマーは、全て、後述する式（１）で表される、処理液に対するハンセン溶解度パラメータに基づく溶解指標（Ｒ）が２．０～５．０（ＭＰａ）^１／２であり、かつ、モノマーの少なくとも１種は、酸脱離前後の溶解指標（Ｒ）の差（ΔＲ）が、４．０（ＭＰａ）^１／２以上である態様が挙げられる。
　以下では、まず、上記特性について説明する。

　所望の特性を備える樹脂を特定するための一例として、ハンセン溶解度パラメータ（Ｈａｎｓｅｎｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙｐａｒａｍｅｔｅｒｓ）を利用できる。
　ハンセン溶解度パラメータは、物質の溶解度を３つの成分（分散項δｄ，極性項δｐ，水素結合項δｈ）に分割し、３次元空間に表したものである。分散項δｄは分散力による効果、極性項δｐは双極子間力による効果、水素結合項δｈは水素結合力の効果を示す。
　ハンセン溶解度パラメータの定義と計算は、ＣｈａｒｌｅｓＭ．Ｈａｎｓｅｎ著、ＨａｎｓｅｎＳｏｌｕｂｉｌｉｔｙＰａｒａｍｅｔｅｒｓ：ＡＵｓｅｒｓＨａｎｄｂｏｏｋ（ＣＲＣプレス，２００７年）に記載されている。また、コンピュータソフトウエアＨａｎｓｅｎＳｏｌｕｂｉｌｉｔｙＰａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎＰｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ）を用いることにより、文献値等が知られていない化合物に関しても、その化学構造から簡便にハンセン溶解度パラメータを推算することができる。本発明においては、ＨＳＰｉＰバージョン４．１を用いて、推算値を用いることにより、モノマーの分散項δｄ、極性項δｐ、水素結合項δｈを求める。データベースに登録されている溶剤及びモノマーに関しては、その値を使用する。

　一般に、特定の樹脂を構成するモノマーのハンセン溶解度パラメータは、その樹脂を構成するモノマーのサンプルを、ハンセン溶解度パラメータが確定している数多くの異なる溶媒に溶解させて溶解度を測る溶解度試験によって決定され得る。具体的には、上記溶解度試験に用いた溶媒のうち、その樹脂を構成するモノマーを溶解した溶媒の３次元上の点をすべて球の内側に内包し、溶解しない溶媒の点は球の外側になるような球（溶解度球）を探し出し、その球の中心座標をその樹脂を構成するモノマーのハンセン溶解度パラメータとする。
　例えば、樹脂を構成するモノマーのハンセン溶解度パラメータの測定に用いられなかったある別の溶媒のハンセン溶解度パラメータが（δｄ、δｐ、δｈ）であった場合、その座標で示される点が樹脂を構成するモノマーの溶解度球の内側に内包されれば、その溶媒は、樹脂を構成するモノマーを溶解すると考えられる。一方、その座標点が樹脂を構成するモノマーの溶解度球の外側にあれば、この溶媒は上記樹脂を構成するモノマーを溶解することができないと考えられる。

　本発明においては、上記ハンセン溶解度パラメータを利用して、処理液を基準として、つまり、処理液のハンセン溶解度パラメータである座標を基準として、そこから一定の距離にある構造単位（又はモノマー）が、適度に処理液に溶解するものとして、そのような構造単位からなる樹脂（Ａ）を使用することができる。
　すなわち、処理液のハンセン溶解度パラメータの分散項をδｄ２（ＭＰａ）^１／２、極性項をδｐ２（ＭＰａ）^１／２及び水素結合項をδｈ２（ＭＰａ）^１／２とし、ハンセン溶解度パラメータに基づく、式（１）で示される、処理液からの溶解パラメータ距離Ｒを、上記樹脂を構成する構造単位を誘導するモノマーそれぞれの溶解指標とする（以下、溶解指標（Ｒ）という場合がある。）。
式（１）　Ｒ＝（４（δｄ１－δｄ２）^２＋（δｐ１－δｐ２）^２＋（δｈ１―δｈ２）^２）^１／２
　δｄ１は、上記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける分散項を表す。
　δｐ１は、上記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける極性項を表す。
　δｈ１は、上記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける水素結合項を表す。
　δｄ２は、上記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける分散項を表す。
　δｐ２は、上記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける極性項を表す。
　δｈ２は、上記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける水素結合項を表す。
　なお、処理液のδｄ２、δｐ２、又は、δｈ２は、処理液に含まれる溶媒成分（例えば、芳香族炭化水素、有機溶剤）のδｄ２、δｐ２、又は、δｈ２に、溶媒成分の含有率を乗じて合算した数値として求める。

　樹脂（Ａ）において、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有するモノマーの全ては、溶解指標（Ｒ）が２．０～５．０（ＭＰａ）^１／２であることが好ましく、３．１～４．９（ＭＰａ）^１／２であることがより好ましく、３．２～４．９（ＭＰａ）^１／２であることが更に好ましい。
　樹脂（Ａ）に含まれる構造単位の少なくとも１種は、酸脱離前後の溶解指標（Ｒ）の差（溶解指標差（△Ｒ））が、４．０（ＭＰａ）^１／２以上の酸の作用により分解して極性基を生じる基を有するモノマーから誘導される構造単位であることが好ましい。
　上記ΔＲの上限は特に制限されないが、１０（ＭＰａ）^１／２以下の場合が多い。

　以下、酸分解性樹脂に含まれる繰り返し単位について詳述する。

≪酸分解性基を有する繰り返し単位（Ａ－ａ）≫
　樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位（Ａ－ａ）（以下、「繰り返し単位（Ａ－ａ）」ともいう。）を有することが好ましい。
　酸分解性基は、酸の作用により分解して極性基を生じる基であり、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有することが好ましい。繰り返し単位（Ａ－ａ）を有する樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。

　極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びに、アルコール性水酸基等が挙げられる。
　なかでも、極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又は、スルホン酸基が好ましい。

　酸の作用により脱離する脱離基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
　式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
　式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
　式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

　式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環若しくは多環）、アルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアリール基（単環若しくは多環）を表す。なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
　式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３で表されるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、及び、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有しているのも好ましい。

　式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。
　なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　また、後述する酸分解性基を有する繰り返し単位においては、Ｒ_３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ_３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｒ_３６～Ｒ_３８で表される１価の有機基、及び、Ｒ_３７とＲ_３８とが互いに結合して形成される環は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有しているのも好ましい。

　式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。

　ここで、Ｌ_１及びＬ_２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
　Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
　アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　なお、Ｌ_１及びＬ_２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
　Ｑ、Ｍ、及びＬ_１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
　パターンの微細化の点では、Ｌ_２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基又はアダマンタン基が挙げられる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｌ_１及びＬ_２で表される、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びこれらを組み合わせた基は、更に、置換基として、フッ素原子又はヨウ素原子を有しているのも好ましい。また、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、フッ素原子及びヨウ素原子以外に、酸素原子等のヘテロ原子が含まれている（つまり、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっている）のも好ましい。
　また、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ｑで表されるヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、及びこれらを組み合わせた基において、ヘテロ原子としては、フッ素原子、ヨウ素原子及び酸素原子からなる群から選択されるヘテロ原子であるのも好ましい。

　式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、例えば、ＥＵＶ露光用レジスト組成物である場合、Ａｒで表される芳香環基、並びに、Ｒｎで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基は、置換基としてフッ素原子及びヨウ素原子を有しているのも好ましい。

　酸分解性がより向上する点で、極性基を保護する脱離基において極性基（又はその残基）に非芳香族環が直接結合している場合、上記非芳香族環中の、上記極性基（又はその残基）と直接結合している環員原子に隣接する環員原子は、置換基としてフッ素原子等のハロゲン原子を有さないのも好ましい。

　酸の作用により脱離する脱離基は、他にも、３－メチル－２－シクロペンテニル基のような置換基（アルキル基等）を有する２－シクロペンテニル基、及び１，１，４，４－テトラメチルシクロヘキシル基のような置換基（アルキル基等）を有するシクロヘキシル基でもよい。

　繰り返し単位（Ａ－ａ）としては、式（Ａ）で表される繰り返し単位も好ましい。

　Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表し、Ｒ_１は水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ_２は酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。
　なお、式（Ａ）で表される繰り返し単位の好適な一態様として、Ｌ_１、Ｒ_１、及びＲ_２のうち少なくとも１つは、フッ素原子又はヨウ素原子を有する態様も挙げられる。
　Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表す。フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい炭化水素基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等）、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。なかでも、Ｌ_１としては、－ＣＯ－、アリーレン基、又は－アリーレン基－フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキレン基－が好ましく、－ＣＯ－、アリーレン基、又は－アリーレン基－フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキレン基－がより好ましい。
　アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
　アルキレン基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
　アルキレン基がフッ素原子又はヨウ素原子を有する場合、アルキレン基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、２以上が好ましく、２～１０がより好ましく、３～６が更に好ましい。

　Ｒ_１は、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子が有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表す。
　アルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
　フッ素原子又はヨウ素原子を有するアルキル基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、１以上が好ましく、１～５がより好ましく、１～３が更に好ましい。
　上記アルキル基は、ハロゲン原子以外の酸素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。

　Ｒ_２は、酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基としては、上述した式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表され且つフッ素原子又はヨウ素原子を有する脱離基が挙げられ、好適態様も同じである。

　繰り返し単位（Ａ－ａ）としては、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位も好ましい。

　一般式（ＡＩ）において、
　Ｘａ_１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｔは、単結合、又は、２価の連結基を表す。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状、又は、分岐鎖状）、シクロアルキル基（単環、又は、多環）、アリール基、又は、アルケニル基を表す。ただし、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状、又は、分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、シクロアルキル基（単環もしくは多環）を形成してもよい。

　Ｘａ_１により表される、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基又は－ＣＨ_２－Ｒ_１１で表される基が挙げられる。Ｒ_１１は、ハロゲン原子（フッ素原子等）、水酸基又は１価の有機基を表し、例えば、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルキル基、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアシル基、及び、ハロゲン原子が置換していてもよい炭素数５以下のアルコキシ基が挙げられ、炭素数３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｘａ_１としては、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又は、ヒドロキシメチル基が好ましい。

　Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－基、及び、－Ｏ－Ｒｔ－基等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。
　Ｔは、単結合又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－基が好ましい。Ｔが－ＣＯＯ－Ｒｔ－基を表す場合、Ｒｔは、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ_２－基、－（ＣＨ_２）_２－基、又は、－（ＣＨ_２）_３－基がより好ましい。

　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基が好ましく、その他にも、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。なかでも、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が挙げられる。
　Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、フェニル基が挙げられる。
　一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

　上記各基が置換基を有する場合、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）等が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。

　一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位としては、好ましくは、酸分解性（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル系繰り返し単位（Ｘａ_１が水素原子又はメチル基を表し、かつ、Ｔが単結合を表す繰り返し単位）である。

　樹脂（Ａ）は、繰り返し単位（Ａ－ａ）を１種単独で有していてもよく、２種以上を有していてもよい。
　繰り返し単位（Ａ－ａ）の含有量（２種以上の繰り返し単位（Ａ－ａ）が存在する場合は合計含有量）は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、１５～８０モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましい。

　樹脂（Ａ）は、繰り返し単位（Ａ－ａ）として、下記一般式（Ａ－ＶＩＩＩ）～（Ａ－ＸＩＩ）で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも１つの繰り返し単位を有することが好ましい。

　一般式（Ａ－ＶＩＩＩ）中、Ｒ_５は、ｔｅｒｔ－ブチル基、－ＣＯ－Ｏ－（ｔｅｒｔ－ブチル）基を表す。
　一般式（Ａ－ＩＸ）中、Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び、アルケニル基等が挙げられる。
　一般式（Ａ－Ｘ）中、ｐは、１又は２を表す。
　一般式（Ａ－Ｘ）～（Ａ－ＸＩＩ）中、Ｒ_８は、水素原子又は炭素数１～３のアルキル基を表し、Ｒ_９は、炭素数１～３のアルキル基を表す。
　一般式（Ａ－ＸＩＩ）中、Ｒ_１０は、炭素数１～３のアルキル基又はアダマンチル基を表す。

≪酸基を有する繰り返し単位（Ａ－１）≫
　樹脂（Ａ）は、酸基を有する繰り返し単位（Ａ－１）を有してもよい。
　酸基としては、ｐＫａが１３以下の酸基が好ましい。上記酸基の酸解離定数としては、１３以下が好ましく、３～１３がより好ましく、５～１０が更に好ましい。
　樹脂（Ａ）が、ｐＫａが１３以下の酸基を有する場合、樹脂（Ａ）中における酸基の含有量は特に制限されないが、０．２～６．０ｍｍｏｌ／ｇの場合が多い。なかでも、０．８～６．０ｍｍｏｌ／ｇが好ましく、１．２～５．０ｍｍｏｌ／ｇがより好ましく、１．６～４．０ｍｍｏｌ／ｇが更に好ましい。酸基の含有量が上記範囲内であれば、現像が良好に進行し、形成されるパターン形状により優れ、解像性にもより優れる。
　酸基としては、例えば、カルボキシル基、水酸基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、スルホン酸基、スルホンアミド基、又はイソプロパノール基等が好ましい。
　また、上記ヘキサフルオロイソプロパノール基は、フッ素原子の１つ以上（好ましくは１～２つ）が、フッ素原子以外の基（アルコキシカルボニル基等）で置換されてもよい。このように形成された－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－も、酸基として好ましい。また、フッ素原子の１つ以上がフッ素原子以外の基に置換されて、－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－を含む環を形成してもよい。
　酸基を有する繰り返し単位（Ａ－１）は、上述の酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有する繰り返し単位、及び後述するラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位（Ａ－２）とは異なる繰り返し単位が好ましい。
　酸基を有する繰り返し単位は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい。

　酸基を有する繰り返し単位としては、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位が好ましく、式（Ｙ）で表される繰り返し単位がより好ましい。

　式（Ｙ）中、Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
　Ｌは、単結合又は酸素原子を有する２価の連結基を表す。Ｌは単結合であることが好ましい。
　Ｒは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基を表し、複数個ある場合には同じであっても異なっていてもよい。複数のＲを有する場合、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒとしては、水素原子が好ましい。
　ａは１～３の整数を表す。
　ｂは０～（５－ａ）の整数を表す。

　以下、酸基を有する繰り返し単位を以下に例示する。式中、ａは１又は２を表す。

　酸基を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１８－１８９７５８号公報の段落００８９～０１００に記載のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位も好適に使用できる。

　樹脂（Ａ）が酸基を有する繰り返し単位（Ａ－１）を含む場合、この樹脂（Ａ）を含む基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用として好ましい。このような態様の場合、樹脂（Ａ）中の酸基を有する繰り返し単位の含有量としては、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、３０～９０モル％が好ましく、３５～６０モル％がより好ましい。

≪ラクトン構造、スルトン構造、カーボネート構造、及びヒドロキシアダマンタン構造からなる群より選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（Ａ－２）≫
　樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、カーボネート構造、スルトン構造、及びヒドロキシアダマンタン構造からなる群より選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（Ａ－２）を有していてもよい。

　ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位におけるラクトン構造又はスルトン構造は、特に制限されないが、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましく、５～７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、又は５～７員環スルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものがより好ましい。
　ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、国際公開２０１６／１３６３５４号の段落００９４～０１０７に記載の繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）は、カーボネート構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。カーボネート構造は、環状炭酸エステル構造であることが好ましい。
　カーボネート構造を有する繰り返し単位としては、国際公開２０１９／０５４３１１号の段落０１０６～０１０８に記載の繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）は、ヒドロキシアダマンタン構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。ヒドロキシアダマンタン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）で表される繰り返し単位が挙げられる。

　一般式（ＡＩＩａ）中、Ｒ_１ｃは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃは、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基を表す。但し、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃのうちの少なくとも１つは、水酸基を表す。Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃのうちの１つ又は２つが水酸基で、残りが水素原子であることが好ましい。

≪フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位≫
　樹脂（Ａ）は、フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　フッ素原子又はヨウ素原子を有する繰り返し単位としては、特開２０１９－０４５８６４号の段落００８０～００８１に記載の繰り返し単位が挙げられる。

≪光酸発生基を有する繰り返し単位≫
　樹脂（Ａ）は、上記以外の繰り返し単位として、放射線の照射により酸を発生する基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　光酸発生基を有する繰り返し単位としては、特開２０１９－０４５８６４号の段落００９２～００９６に記載の繰り返し単位が挙げられる。

≪アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位≫
　樹脂（Ａ）は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
　アルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基）が挙げられ、カルボキシル基が好ましい。樹脂（Ａ）がアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、又は、連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位が挙げられる。なお、連結基は、単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸又はメタクリル酸による繰り返し単位が好ましい。

≪酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位≫
　樹脂（Ａ）は、更に、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を有してもよい。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位は、脂環炭化水素構造を有することが好ましい。

　酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位としては、例えば、米国特許出願公開第２０１６／００２６０８３号明細書の段落０２３６～０２３７に記載された繰り返し単位、及び、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０４３３に記載された繰り返し単位が挙げられる。

　樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液滴性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、及び、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。

≪樹脂（Ａ）の特性≫
　樹脂（Ａ）としては、繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート系モノマーに由来する繰り返し単位で構成されていてもよい。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系モノマーに由来するもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系モノマーに由来するもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系モノマー及びアクリレート系モノマーに由来するもののいずれの樹脂でも用いることができる。アクリレート系モノマーに由来する繰り返し単位が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して５０モル％以下であることが好ましい。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物がフッ化アルゴン（ＡｒＦ）露光用であるとき、ＡｒＦ光の透過性の観点から、樹脂（Ａ）は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、芳香族基を有する繰り返し単位が、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して５モル％以下であることが好ましく、３モル％以下であることがより好ましく、理想的には０モル％、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。
　また、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物がＡｒＦ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましく、また、フッ素原子及び珪素原子のいずれも含まないことが好ましい。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物がフッ化クリプトン（ＫｒＦ）露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は芳香族炭化水素基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。
　フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、上述の酸基を有する繰り返し単位（Ａ－１）として例示した繰り返し単位、及び、ヒドロキシスチレン（メタ）アクリレート由来の繰り返し単位が挙げられる。
　また、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用、又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有する繰り返し単位を有することも好ましい。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用、又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）に含まれる芳香族炭化水素基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、３０～１００モル％が好ましく、３５～１００モル％がより好ましい。

　樹脂（Ａ）は、常法（例えばラジカル重合）に従って合成できる。
　樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～２００，０００が好ましく、３，０００～２０，０００がより好ましく、５，０００～１５，０００が更に好ましい。樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）を、１，０００～２００，０００とすることにより、耐熱性及びドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、更に、現像性の劣化、及び、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。なお、樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、上述のＧＰＣ法により測定されたポリスチレン換算値である。
　樹脂（Ａ）の分散度（分子量分布）は、通常１～５であり、１～３が好ましく、１．１～２．０がより好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及び、レジスト形状が優れ、更に、パターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物において、樹脂（Ａ）の含有量は、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の全固形分に対して、５０～９９．９質量％が好ましく、６０～９９．０質量％がより好ましい。
　また、樹脂（Ａ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

＜光酸発生剤＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、光酸発生剤（Ｂ）を含む。光酸発生剤（Ｂ）は、放射線の照射により酸を発生する化合物であれば特に制限されない。
　光酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
　光酸発生剤（Ｂ）が、低分子化合物の形態である場合、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが更に好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
　光酸発生剤（Ｂ）は、低分子化合物の形態であることが好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）としては、公知のものであれば特に制限されないが、放射線の照射により、有機酸を発生する化合物が好ましく、分子中にフッ素原子又はヨウ素原子を有する光酸発生剤がより好ましい。
　上記有機酸として、例えば、スルホン酸（脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、及び、カンファースルホン酸等）、カルボン酸（脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、及び、アラルキルカルボン酸等）、カルボニルスルホニルイミド酸、ビス（アルキルスルホニル）イミド酸、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチド酸等が挙げられる。

　光酸発生剤（Ｂ）より発生する酸の体積は特に制限されないが、露光で発生した酸の非露光部への拡散を抑制し、解像性を良好にする点から、２４０Å^３以上が好ましく、３０５Å^３以上がより好ましく、３５０Å^３以上が更に好ましく、４００Å^３以上が特に好ましい。なお、感度又は塗布溶剤への溶解性の点から、光酸発生剤（Ｂ）より発生する酸の体積は、１５００Å^３以下が好ましく、１０００Å^３以下がより好ましく、７００Å^３以下が更に好ましい。
　上記体積の値は、富士通株式会社製の「ＷｉｎＭＯＰＡＣ」を用いて求める。上記体積の値の計算にあたっては、まず、各例に係る酸の化学構造を入力し、次に、この構造を初期構造としてＭＭ（Molecular Mechanics）３法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定し、その後、これら最安定立体配座についてＰＭ（Parameterized Model number）３法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸の「accessible volume」を計算できる。

　光酸発生剤（Ｂ）より発生する酸の構造は特に制限されないが、酸の拡散を抑制し、解像性を良好にする点で、光酸発生剤（Ｂ）より発生する酸と樹脂（Ａ）との間の相互作用が強いことが好ましい。この点から、光酸発生剤（Ｂ）より発生する酸が有機酸である場合、例えば、スルホン酸基、カルボン酸基、カルボニルスルホニルイミド酸基、ビススルホニルイミド酸基、及び、トリススルホニルメチド酸基等の有機酸基、以外に、更に極性基を有することが好ましい。
　極性基としては、例えば、エーテル基、エステル基、アミド基、アシル基、スルホ基、スルホニルオキシ基、スルホンアミド基、チオエーテル基、チオエステル基、ウレア基、カーボネート基、カーバメート基、ヒドロキシル基、及び、メルカプト基が挙げられる。
　発生する酸が有する極性基の数は特に制限されず、１個以上であることが好ましく、２個以上であることがより好ましい。ただし、過剰な現像を抑制する観点から、極性基の数は、６個未満であることが好ましく、４個未満であることがより好ましい。

　なかでも、光酸発生剤（Ｂ）は、アニオン部及びカチオン部からなる光酸発生剤であることが好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）としては、特開２０１９－０４５８６４号の段落０１４４～０１７３に記載の光酸発生剤が挙げられる。

　光酸発生剤（Ｂ）の含有量は特に制限されないが、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の全固形分に対して、５～５０質量％が好ましく、５～４０質量％がより好ましく、５～３５質量％が更に好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。光酸発生剤（Ｂ）を２種以上併用する場合は、その合計量が上記範囲内であることが好ましい。

＜酸拡散制御剤（Ｃ）＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、酸拡散制御剤（Ｃ）を含んでいてもよい。
　酸拡散制御剤（Ｃ）は、露光時に光酸発生剤（Ｂ）等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用する。酸拡散制御剤（Ｃ）としては、例えば、塩基性化合物（ＣＡ）、放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＣＢ）、光酸発生剤（Ｂ）に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＣＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＣＤ）、及び、カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＣＥ）等が使用できる。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落［０６２７］～［０６６４］、米国特許出願公開第２０１５／０００４５４４号明細書の段落［００９５］～［０１８７］、米国特許出願公開第２０１６／０２３７１９０号明細書の段落［０４０３］～［０４２３］、及び、米国特許出願公開第２０１６／０２７４４５８号明細書の段落［０２５９］～［０３２８］に開示された公知の化合物を、酸拡散制御剤（Ｃ）として好適に使用できる。

　塩基性化合物（ＣＡ）としては、特開２０１９－０４５８６４号の段落０１８８～０２０８に記載の繰り返し単位が挙げられる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物では、光酸発生剤（Ｂ）に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＣＣ）を酸拡散制御剤（Ｃ）として使用できる。
　光酸発生剤（Ｂ）と、光酸発生剤（Ｂ）から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により光酸発生剤（Ｂ）から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散を制御できる。

　光酸発生剤（Ｂ）に対して相対的に弱酸となるオニウム塩としては、特開２０１９－０７０６７６号の段落０２２６～０２３３に記載のオニウム塩が挙げられる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物に酸拡散制御剤（Ｃ）が含まれる場合、酸拡散制御剤（Ｃ）の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の全固形分に対して、０．１～１０．０質量％が好ましく、０．１～５．０質量％がより好ましい。
　酸拡散制御剤（Ｃ）は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。酸拡散制御剤（Ｃ）を２種以上併用する場合は、その合計量が上記範囲内であることが好ましい。

＜疎水性樹脂（Ｅ）＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、疎水性樹脂（Ｅ）として、上記樹脂（Ａ）とは異なる疎水性の樹脂を含んでいてもよい。
　疎水性樹脂（Ｅ）は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
　疎水性樹脂（Ｅ）を添加することの効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制等が挙げられる。

　疎水性樹脂（Ｅ）は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“珪素原子”、及び、“樹脂の側鎖部分に含まれるＣＨ_３部分構造”のいずれか１種以上を有することが好ましく、２種以上を有することがより好ましい。また、疎水性樹脂（Ｅ）は、炭素数５以上の炭化水素基を有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。

　疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及び／又は珪素原子を含む場合、疎水性樹脂における上記フッ素原子及び／又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。

　疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を有している場合、フッ素原子を有する部分構造としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基が好ましい。
　フッ素原子を有するアルキル基（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～４）は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、及び、ナフチル基等のアリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の例としては、米国特許出願公開第２０１２／０２５１９４８号明細書の段落０５１９に例示されたものが挙げられる。

　また、上記したように、疎水性樹脂（Ｅ）は、側鎖部分にＣＨ_３部分構造を有することも好ましい。
　ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するＣＨ_３部分構造は、エチル基、及び、プロピル基等を有するＣＨ_３部分構造を含む。
　一方、疎水性樹脂（Ｅ）の主鎖に直接結合しているメチル基（例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα－メチル基）は、主鎖の影響により疎水性樹脂（Ｅ）の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるＣＨ_３部分構造に含まれないものとする。

　疎水性樹脂（Ｅ）に関しては、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［０３４８］～［０４１５］の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　疎水性樹脂（Ｅ）としては、特開２０１１－２４８０１９号公報、特開２０１０－１７５８５９号公報、及び、特開２０１２－０３２５４４号公報に記載された樹脂も、好ましく用いることができる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物が疎水性樹脂（Ｅ）を含む場合、疎水性樹脂（Ｅ）の含有量は、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１５質量％がより好ましい。

＜溶剤（Ｆ）＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、溶剤（Ｆ）を含んでいてもよい。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物がＥＵＶ露光用の感放射線性樹脂組成物である場合、溶剤（Ｆ）は、（Ｆ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、並びに、（Ｆ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及び、アルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。この場合の溶剤は、成分（Ｆ１）及び（Ｆ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。
　成分（Ｆ１）及び（Ｆ２）の少なくとも１つを含んでいる溶剤は、上述した樹脂（Ａ）と組み合わせて用いると、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の塗布性が向上すると共に、現像欠陥の数の少ないパターンが形成可能となるため、好ましい。

　また、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物がＡｒＦ用の感放射線性樹脂組成物である場合、溶剤（Ｆ）としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を含んでいてもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及び、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。

　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物中の溶剤（Ｆ）の含有量は、固形分濃度が０．５～４０質量％となるように定めることが好ましい。
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の一態様としては、固形分濃度が１０質量％以上であるのも好ましい。

＜界面活性剤（Ｈ）＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、界面活性剤（Ｈ）を含んでいてもよい。界面活性剤（Ｈ）を含むことにより、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成できる。
　界面活性剤（Ｈ）としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
　フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。
　また、界面活性剤（Ｈ）は、上記に示すような公知の界面活性剤の他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤（Ｈ）として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２－９０９９１号公報に記載された方法によって合成できる。

　これら界面活性剤（Ｈ）は、１種を単独で用いてもよく、又は、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　界面活性剤（Ｈ）の含有量は、基準感光性組成物及び測定用感光性組成物の全固形分に対して、０．０００１～２質量％が好ましく、０．０００５～１質量％がより好ましい。

＜その他の添加剤＞
　基準感光性組成物及び測定用感光性組成物は、架橋剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び／又は、現像液に対する溶解性を促進させる化合物を更に含んでいてもよい。

　以下に実施例を挙げて本発明の特徴を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。

［組成物の調製］
　以下の表１に記載の成分を混合して、各組成物を調製した。
　表１中の「含有量（質量％）」欄は、組成物中の全固形分に対する各成分の含有量を表す。組成物の固形分濃度は、いずれも１．５質量％であった。
　表１中のＲは、酸分解性樹脂に含まれる繰り返し単位を構成する酸分解性基を有するモノマーの溶解指標（Ｒ）、及び、酸脱離前後の溶解指標差（△Ｒ）を表す。なお、Ｒ_Ｂ及びΔＲ_Ｂはそれぞれ、以下式Ｂで表されるモノマーの溶解指数（Ｒ）及び酸脱離前後の溶解指標差（△Ｒ）を表す。また、Ｒ_Ｃ及びΔＲ_Ｃはそれぞれ、以下式Ｃで表されるモノマーの溶解指数（Ｒ）及び酸脱離前後の溶解指標差（△Ｒ）を表す。

　酸分解性樹脂Ａ－１及びＡ－２は、以下式で表されるモノマーをラジカル重合して得られる樹脂であり、各モノマー由来の繰り返し単位を有する樹脂である。各繰り返し単位の含有量、分子量、及び、分散度を表２に示す。

　Ｂ―１：以下に示す光酸発生剤

　Ｃ―１：以下に示す酸拡散制御剤

Ｆ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｆ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｆ－３：γ－ブチロラクトン
Ｆ－４：２－ヘプタノン

［処理液の調製］
　下記表に示す成分及び含有量になるように混合して、実施例及び比較例の処理液を調製した。
　金属Ｘの含有量は、フィルタに調製した処理液を所定の含有量になるまで通液又は金属Ｘを添加することで調整した。また、各処理液中の水の含有量は、各処理液の全質量に対して、２０～１０００質量ｐｐｍになるように調整した。各種成分の含有量は、仕込量から算出したか、又は、上述した各種成分の含有量の測定方法を用いて測定した。
　なお、各処理液において、有機溶剤の含有量は、後述する表に記される成分及び水以外の残部に該当する。

〔脂肪族炭化水素〕
・ウンデカン

〔エステル系溶剤〕
・酢酸ブチル

〔芳香族炭化水素〕
・Ｃ１：　　１－ｅｔｈｙｌ－３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｃ_１０Ｈ_１４）
・Ｃ２：　　１，２，３，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｃ_１０Ｈ_１４）
・Ｃ３：　　（１－ｍｅｔｈｙｌｂｕｔｙｌ）－ｂｅｎｚｅｎｅ（Ｃ_１１Ｈ_１６）
・Ｃ４：　　１，２，３，４－ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ－ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ（Ｃ_１０Ｈ_１２）

　以下の表３中、各記載は以下を示す。
　「有機溶剤」の「含有量（ａ）」の欄は、有機溶剤の全質量を１００としたときの脂肪族炭化水素の含有質量を示す。
　「有機溶剤」の「含有量（ｂ）」の欄は、有機溶剤の全質量を１００としたときのエステル系溶剤の含有量の含有質量を示す。
　よって、例えば、処理液１は、脂肪族炭化水素とエステル系溶剤との質量比が１０：９０である。
　「芳香族炭化水素」の「total」の欄は、処理液の全質量に対する芳香族炭化水素Ｃ１～Ｃ４の合計含有量を示す。
　「芳香族炭化水素」の「Ｃ１」～「Ｃ４」の欄は、処理液の全質量に対する芳香族炭化水素Ｃ１～Ｃ４のそれぞれの含有量（質量ｐｐｍ）を示す。
　「金属Ｘ」の「total」の欄は、処理液の全質量に対するＦｅ、Ｎｉ及びＡｌの合計含有量（質量ｐｐｔ）を示す。
　「金属Ｘ」の「Ｆｅ」、「Ｎｉ」及び「Ａｌ」の欄は、処理液の全質量に対するＦｅ、Ｎｉ及びＡｌのそれぞれの含有量（質量ｐｐｔ）を示す。
　「（ｃ）／（ｅ）」の欄は、金属Ｘの含有量（Ｆｅ、Ｎｉ及びＡｌの合計含有量）に対する芳香族炭化水素の含有量（上記芳香族炭化水素Ｃ１～Ｃ４の合計含有量）の質量比（芳香族炭化水素の含有量／金属Ｘの含有量（Ｆｅ、Ｎｉ及びＡｌの合計含有量））を示す。また、「Ｅ＋ｎ」は「×１０^ｎ」を示し、「Ｅ－ｎ」は「×１０^－ｎ」を示す。ｎは、０以上の整数を表す。具体的には、「１．２Ｅ＋０６」は、「１．２×１０^６」を示す。なお、上記「Ｅ＋ｎ」及び上記「Ｅ－ｎ」については、他の欄においても同義である。

［実施例１］
＜試験１＞
（試験１－１）
　１２インチシリコンウエハ上に、下層膜形成用組成物ＡＬ－４１２（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下層膜を形成した。その上に、上記で調製した組成物１を塗布して、９０℃で６０秒間ベーク（ＰＢ）を行い、膜厚３５ｎｍのレジスト膜を形成した。これにより、レジスト膜を有するシリコンウエハを作製した。なお、上記操作を２回繰り返し、レジスト膜を有するシリコンウエハを２枚作製した。
　得られた１枚のレジスト膜を有するシリコンウエハ上のレジスト膜と処理液１とを接触させて、レジスト膜を除去し、レジスト膜が除去されたシリコンウエハ上の欠陥の数をＵＶｉｓｉｏｎ５（ＡＭＡＴ社製）を用いて測定した。欠陥の数は１００個／ウエハであった。
　もう１枚のレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、ＥＵＶ露光装置（ＡＳＭＬ社製、ＮＸＥ－３４００、ＮＡ０．３３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いてパターン照射を行った。なお、レチクルとしては、ラインサイズ＝２０ｎｍであり、かつ、ライン：スペース＝１：１であるフォトマスクを用いた。その後、１００℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）した後、処理液１で３０秒間パドルして現像し、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、ピッチ４０ｎｍのラインアンドスペースパターンを得た。
　得られたパターンからＬＷＲを測定したところ、３．０ｎｍであった。

（試験１－２）
　次に、レジスト組成物１を用いて、上記と同様の操作をもう１回繰り返した。具体的には、１２インチシリコンウエハ上に、下層膜形成用組成物ＡＬ－４１２（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下層膜を形成した。その上に、上記で調製した組成物１を塗布して、９０℃で６０秒間ベーク（ＰＢ）を行い、膜厚３５ｎｍのレジスト膜を形成した。これにより、レジスト膜を有するシリコンウエハを作製した。なお、上記操作を２回繰り返し、レジスト膜を有するシリコンウエハを２枚作製した。
　得られた１枚のレジスト膜を有するシリコンウエハ上のレジスト膜と処理液１とを接触させて、レジスト膜を除去し、レジスト膜が除去されたシリコンウエハ上の欠陥の数をＵＶｉｓｉｏｎ５（ＡＭＡＴ社製）を用いて測定した。欠陥の数は１０５個／ウエハであった。
　もう１枚のレジスト膜を有するシリコンウエハに対して、ＥＵＶ露光装置（ＡＳＭＬ社製ＥＵＶスキャナーＮＸＥ３３００（ＮＡ０．３３）、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いてパターン照射を行った。なお、レチクルとしては、ラインサイズ＝２０ｎｍであり、かつ、ライン：スペース＝１：１であるフォトマスクを用いた。その後、１００℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）した後、処理液１で３０秒間パドルして現像し、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウエハを回転させることにより、ピッチ４０ｎｍのラインアンドスペースパターンを得た。
　得られたパターンからＬＷＲを測定したところ、３．１ｎｍであった。

　上記結果において、組成物１を用いて形成されたレジスト膜を処理液１で除去する操作を行った後の欠陥の数の測定を２回実施したが、１回目の欠陥の数は１００個／ウエハであり、２回目の欠陥の数は１０５個／ウエハであり、両者の結果はほぼ同じであり、欠陥の数の比（２回目の欠陥の数／１回目の欠陥の数）は１．０５であった。また、１回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は３．０ｎｍであり、２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は３．１ｎｍであり、両者の結果はほぼ同じであり、ＬＷＲの差は０．１ｎｍであった。

＜試験２＞
　上記＜試験１＞の（試験１－２）で用いられた組成物１の代わりに組成物２を用いた以外は、＜試験１＞と同様の手順にて、評価を行った。
　組成物１を用いて形成されたレジスト膜を処理液１で除去する操作を行った後の欠陥の数は１００個／ウエハであり、組成物２を用いて形成されたレジスト膜を処理液１で除去する操作を行った後の欠陥の数は１２０個／ウエハであり、欠陥の数の比（２回目の欠陥の数／１回目の欠陥の数）は１．２０と、上記＜試験１＞の場合と比べて大きかった。
　また、組成物１を用いた１回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は３．０ｎｍであり、組成物２を用いた２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は３．６ｎｍであり、ＬＷＲの差は０．６ｎｍと、上記＜試験１＞の場合と比べて大きかった。

　上記＜試験１＞及び＜試験２＞の結果より、欠陥の数の比が小さい場合には、ＬＷＲの差も小さく、欠陥の数の比が大きい場合には、ＬＷＲの差も大きいことが確認された。この結果より、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが実証された。
　上記結果に基づけば、例えば、欠陥の数の比が０．９～１．１の場合を許容範囲に設定して、上記＜試験１＞の（試験１－２）で用いられた組成物１の代わりに別の感光性組成物の検定を行い、欠陥の数の比が上記許容範囲内であれば、ＬＷＲの結果もレジスト組成物１と同定のＬＷＲの結果を示すと判断できる。

［実施例２］
　処理液１のかわりに処理液２を用いた以外は、実施例１と同様の手順で実験を行った。結果を表４に示すが、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが実証された。
［実施例３］
　処理液１のかわりに処理液５を用いた以外は、実施例１と同様の手順で実験を行った。結果を表４に示すが、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが実証された。
［実施例４］
　処理液１のかわりに処理液６を用いた以外は、実施例１と同様の手順で実験を行った。結果を表４に示すが、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが実証された。

［比較例１］
　処理液１のかわりに処理液３を用いて、上記［実施例１］の＜試験２＞と同様の手順の実験を行ったところ、表４に示すように、組成物２を用いて形成されたレジスト膜を処理液３で除去する操作を行った後の欠陥の数は１０５個／ウエハであり、組成物２を用いた２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は４．０ｎｍであった。
　表４に示すように、この比較例１においては、欠陥の数の比（２回目の欠陥の数／１回目の欠陥の数）が１．０５と近接しているにも関わらず、組成物１を用いた１回目のパターン形成を行った際のＬＷＲと組成物２を用いた２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲとの差が１．０ｎｍと大きく、欠陥の数とＬＷＲの差との間に関連性が無かった。
　この結果より、所定の処理液ではない場合、感光性組成物の検定ができないことが確認された。

［比較例２］
　処理液１のかわりに処理液４を用いて、上記［実施例１］の＜試験２＞と同様の手順の実験を行ったところ、表４に示すように、組成物２を用いて形成されたレジスト膜を処理液３で除去する操作を行った後の欠陥の数は９７個／ウエハであり、組成物２を用いた２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲの結果は４．２ｎｍであった。
　表４に示すように、この比較例２においては、欠陥の数の比（２回目の欠陥の数／１回目の欠陥の数）が０．９７と近接しているにも関わらず、組成物１を用いた１回目のパターン形成を行った際のＬＷＲと組成物２を用いた２回目のパターン形成を行った際のＬＷＲとの差が１．２ｎｍと大きく、欠陥の数とＬＷＲの差との間に関連性が無かった。
　この結果より、所定の処理液ではない場合、感光性組成物の検定ができないことが確認された。

　表４中、「相関」欄は、欠陥の数とＬＷＲの差との間に関連性がある場合（相関性がある場合）を「有」、ない場合を「無」とする。

　上記表４に示すように、本発明の検定方法では、所望の効果が得られることが確認された。

　また、実施例１において、ウンデカンと酢酸ブチルとの質量比が５：９５である以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、ウンデカンと酢酸ブチルとの質量比が１５：８５である以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、ウンデカンと酢酸ブチルとの質量比が４０：６０である以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、ウンデカンと酢酸ブチルとの質量比が６０：４０である以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。

　また、実施例１において、ウンデカンをデカンに変えた以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、ウンデカンをドデカンに変えた以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、酢酸ブチルを酢酸イソアミルに変えた以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例１において、酢酸ブチルをギ酸イソアミルに変えた以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、実施例２において、ウンデカンをデカンに変えた以外は処理液２と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、比較例１において、ウンデカンをデカンに変えた以外は処理液３と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、比較例２において、ウンデカンをデカンに変えた以外は処理液４と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、実施例２において、ウンデカンをドデカンに変えた以外は処理液２と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、比較例１において、ウンデカンをドデカンに変えた以外は処理液３と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、比較例２において、ウンデカンをドデカンに変えた以外は処理液４と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、実施例２において、酢酸ブチルを酢酸アミルに変えた以外は処理液２と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、比較例１において、酢酸ブチルを酢酸アミルに変えた以外は処理液３と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、比較例２において、酢酸ブチルを酢酸アミルに変えた以外は処理液４と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、実施例２において、酢酸ブチルをギ酸イソアミルに変えた以外は処理液２と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　また、比較例１において、酢酸ブチルをギ酸イソアミルに変えた以外は処理液３と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。
　また、比較例２において、酢酸ブチルをギ酸イソアミルに変えた以外は処理液４と同様の組成の処理液を用いた場合にも、比較例２と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と関連性が無かったことが確認された。

　また、実施例１において、金属Ｘの含有量に対する芳香族炭化水素の含有量の質量比が５．０×１０^７である以外は処理液１と同様の組成の処理液を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。

　実施例１において、酸分解性樹脂Ａ－１の代わりに酸分解性樹脂Ａ－３（下記参照）を用いた以外は組成物１と同様の組成の組成物を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。
　下記表５に、酸分解性樹脂Ａ－３の各繰り返し単位の含有量、分子量、分散度、並びに、酸分解性基を有するモノマーの溶解指標（Ｒ）及び溶解指標差（ΔＲ）を、それぞれ示す。

　実施例１において、酸分解性樹脂Ａ－１の代わりに、酸分解性樹脂Ａ－１と酸分解性樹脂Ａ－３とを質量比７：３で用いた以外は組成物１と同様の組成の組成物を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。

　実施例１において、光酸発生剤Ｂ－１の代わりに光酸発生剤Ｂ－２（下記参照）を用いた以外は組成物１と同様の組成の組成物を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。

　実施例１において、光酸発生剤Ｂ－１の代わりに光酸発生剤Ｂ－１と光酸発生剤Ｂ－２とを質量比１：１で用いた以外は組成物１と同様の組成の組成物を用いた場合にも、実施例１と同様に、欠陥の数が、ＬＷＲの評価結果と密接に関連していることが確認された。

　Ｓ１０、Ｓ１２、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２４　ステップ
　Ｓ３０、Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３４、Ｓ４０、Ｓ２２、Ｓ２４　ステップ
　Ｓ４０、Ｓ４２、Ｓ４４　ステップ

Claims

　酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する酸分解性樹脂、及び、光酸発生剤を含む基準感光性組成物を用いて基材１上にレジスト膜を形成し、前記基材１上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、前記基材１上のレジスト膜が除去された前記基材１上の欠陥の数を測定して、基準データを取得する工程１と、
　前記基準感光性組成物に含まれる成分と同じ種類の成分を含む測定用感光性組成物を用いて基材２上にレジスト膜を形成し、前記基材２上のレジスト膜を処理液を用いて除去し、前記基材２上のレジスト膜が除去された前記基材２上の欠陥の数を測定して、測定データを取得する工程２と、
　前記基準データと前記測定データとを比較して、許容範囲内であるかどうかを判定する工程３と、を有し、
　前記処理液は、芳香族炭化水素と、有機溶剤と、金属Ｘとを含み、
　前記有機溶剤が、前記芳香族炭化水素を含まず、かつ、脂肪族炭化水素を含み、
　前記金属Ｘが、Ａｌ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、
　前記金属Ｘの含有量に対する前記芳香族炭化水素の含有量の質量比が５．０×１０^４～２．０×１０^１０である、感光性組成物の検定方法。
　前記工程３において、前記測定データが許容範囲を外れる場合、前記測定用感光性組成物の成分調整を実施する、請求項１に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記工程１及び前記工程２において、前記基材１上のレジスト膜及び前記基材２上のレジスト膜が、それぞれ、レジスト膜を形成後、レジスト膜にパターン露光を施し、露光されたレジスト膜である、請求項１又は２に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記工程１及び前記工程２における前記パターン露光は、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、及び極端紫外線のうち、いずれかを用いる、請求項３に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記基材１上のレジスト膜が除去された前記基材１上の欠陥の数及び前記基材２上のレジスト膜が除去された前記基材２上の欠陥の数は、それぞれ、欠陥検査装置を用いて測定する、請求項１～４のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記酸分解性樹脂は、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記脂肪族炭化水素が、ウンデカンであり、
　前記有機溶剤が、更に酢酸ブチルを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記ウンデカンの含有量に対する、前記酢酸ブチルの含有量の比が、６５／３５～９９／１である、請求項７に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記ウンデカンの含有量に対する、前記酢酸ブチルの含有量の比が、９０／１０である、請求項８に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記酸分解性樹脂が、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有するモノマー由来の繰り返し単位を有し、
　前記モノマーは、全て、式（１）で表される、前記処理液に対するハンセン溶解度パラメータに基づく溶解指標（Ｒ）が２．０～５．０（ＭＰａ）^１／２であり、かつ、
　前記モノマーの少なくとも１種は、酸脱離前後の溶解指標差（△Ｒ）が、４．０（ＭＰａ）^１／２以上である、請求項１～９のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
式（１）　Ｒ＝（４（δｄ１－δｄ２）^２＋（δｐ１－δｐ２）^２＋（δｈ１―δｈ２）^２）^１／２
　δｄ１は、前記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける分散項を表す。
　δｐ１は、前記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける極性項を表す。
　δｈ１は、前記モノマーのハンセン溶解度パラメータにおける水素結合項を表す。
　δｄ２は、前記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける分散項を表す。
　δｐ２は、前記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける極性項を表す。
　δｈ２は、前記処理液のハンセン溶解度パラメータにおける水素結合項を表す。
　前記基準データにおいて、前記基材１上の欠陥の数が、０．０００１～１０個／ｃｍ^２である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
　前記芳香族炭化水素の含有量が、処理液の全質量に対して、１質量％以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法。
　請求項１～１２のいずれか１項に記載の感光性組成物の検定方法を含む、感光性組成物の製造方法。