WO2023008534A1

WO2023008534A1 - 基板積層体、イメージセンサ、及び基板積層体の製造方法

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Publication number: WO2023008534A1
Application number: PCT/JP2022/029177
Authority: WO
Inventors: 歩小川; 健太黒田; 大希木下; 悠太齋藤
Original assignee: 株式会社カネカ
Priority date: 2021-07-30
Filing date: 2022-07-28
Publication date: 2023-02-02
Also published as: JPWO2023008534A1

Abstract

基板積層体（１０）は、第１基板（１１）、第２基板（１２）、及び第１基板（１１）と第２基板（１２）との間に介在する硬化物層（１３）を有する。硬化物層（１３）は、パターン化されており、かつ第１基板（１１）側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層（１４）、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層（１５）をこの順に有する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。

Description

基板積層体、イメージセンサ、及び基板積層体の製造方法

　本発明は、基板積層体、イメージセンサ、及び基板積層体の製造方法に関する。

　ＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサ等のイメージセンサは、デジタルカメラやスマートフォン等に使用されており、近年では、自動車や工場の監視カメラの普及に伴い使用量が増大するとともに、小型化・高精細化がますます要求されてきている。

　イメージセンサを構成する基板積層体は、例えば、受光素子を有する半導体素子基板とガラス基板とが、パターン化された層を介して貼り合わされた中空構造を有する。中空構造を有する基板積層体は、例えば、以下の手順で得られる。

　まず、第１基板（例えばガラス基板）の一方の面に感光性組成物を塗布することにより、第１基板上に塗膜を形成する。次いで、フォトマスクを通して塗膜に光を照射することにより、塗膜において、半硬化状態の感光性組成物から構成される露光部と、非露光部とを形成する。次いで、現像液で非露光部を第１基板上から除去することにより、第１基板上にパターン化された半硬化状態の塗膜（以下、「パターン膜」と記載することがある）を形成する。次いで、パターン膜が形成された第１基板と、第２基板（例えば半導体素子基板）とを、パターン膜を介して貼り合わせた後、パターン膜を硬化させて、第１基板と第２基板とを接着する。以上の工程を経て、中空構造を有する基板積層体が得られる。

　イメージセンサの小型化が進むと、撮像時に基板積層体端部での反射光や散乱光が中空構造内の撮像エリアに侵入し、フレアやゴースト等の撮像エラーの原因となる場合がある。この問題を解決するため、ガラス基板上に遮光膜を形成することで、上記反射光や散乱光が中空構造内の撮像エリアに侵入することを抑制する手法が取られている。遮光膜の形成方法としては金属蒸着法が一般的であるが、金属蒸着法はコストがかさむため、安価な黒色樹脂を用いて作製した遮光膜も報告されている（例えば、特許文献１参照）。

米国特許第１０３１２２７６号明細書

　黒色樹脂を用いて遮光膜を形成する方法としては、寸法精度の向上を目的として、微細加工が可能なフォトリソグラフィーが採用されている。しかしながら、本発明者らの検討により、黒色樹脂を用いてフォトリソグラフィーにより遮光膜を形成すると、黒色樹脂中の着色剤に由来する異物が撮像面に残存するといった問題がしばしば発生することが判明した。上記異物は、撮像時の映り込みなどの撮像エラーの原因となり得る。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、着色剤由来の異物の付着を抑制できる基板積層体及びその製造方法、並びに当該基板積層体を有するイメージセンサを提供することである。

＜本発明の態様＞
　本発明には、以下の態様が含まれる。

［１］第１基板上に塗膜を形成する工程Ｓａと、
　フォトマスクを通して前記塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを前記第１基板上に形成する工程Ｓｂと、
　現像液で前記非露光部を前記第１基板上から除去することにより、前記第１基板上にパターン化された前記塗膜を形成する工程Ｓｃと、
　前記第１基板と第２基板とをパターン化された前記塗膜を介して接着する工程Ｓｄ１と
を備える基板積層体の製造方法であって、
　前記半硬化状態の露光部は、前記第１基板側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体の製造方法。

［２］前記第２基板は、半導体素子基板と枠材とを有し、
　前記工程Ｓｄ１において、前記第１基板と前記枠材とをパターン化された前記塗膜を介して接着する、前記［１］に記載の基板積層体の製造方法。

［３］前記工程Ｓｄ１において、パターン化された前記塗膜を加熱して、前記半硬化状態の第１現像性組成物及び前記半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させた後、硬化後の前記塗膜と前記第２基板とを接着剤により接着する、前記［１］又は［２］に記載の基板積層体の製造方法。

［４］前記工程Ｓｄ１において、前記第１基板と前記第２基板とを、半硬化状態でパターン化された前記塗膜を介して積層することにより積層物を形成した後、前記積層物を加熱して前記塗膜を更に硬化させることにより、前記第１基板と前記第２基板とを接着する、前記［１］又は［２］に記載の基板積層体の製造方法。

［５］第１基板上に塗膜を形成する工程Ｓａと、
　フォトマスクを通して前記塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを前記第１基板上に形成する工程Ｓｂと、
　現像液で前記非露光部を前記第１基板上から除去することにより、前記第１基板上にパターン化された前記塗膜を形成する工程Ｓｃと、
　前記第１基板のパターン化された前記塗膜が形成された側とは反対側の面と、第２基板とを接着剤により接着する工程Ｓｄ２と
を備える基板積層体の製造方法であって、
　前記半硬化状態の露光部は、前記第１基板側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体の製造方法。

［６］前記第２基板は、半導体素子基板と枠材とを有し、
　前記工程Ｓｄ２において、前記第１基板と前記枠材とを前記接着剤により接着する、前記［５］に記載の基板積層体の製造方法。

［７］前記工程Ｓａにおいて、前記第１基板上に前記第１現像性組成物を塗布した後、前記第１現像性組成物から構成される第１膜上に前記第２現像性組成物を塗布することにより、前記第１膜と、前記第２現像性組成物から構成される第２膜とを含む前記塗膜を形成する、前記［１］～［６］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［８］前記塗膜は、第３現像性組成物から構成される第３膜を更に含み、
　前記第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記工程Ｓａにおいて、前記第２膜の前記第１膜側とは反対側の面に前記第３現像性組成物を塗布する、前記［７］に記載の基板積層体の製造方法。

［９］前記工程Ｓａにおいて、前記第１基板上に前記第１現像性組成物を塗布し、前記第１現像性組成物から構成される第１膜に活性エネルギー線を照射し、活性エネルギー線を照射した後の前記第１膜上に前記第２現像性組成物を塗布することにより、前記第１膜と、前記第２現像性組成物から構成される第２膜とを含む前記塗膜を形成する、前記［１］～［６］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１０］前記塗膜は、第３現像性組成物から構成される第３膜を更に含み、
　前記第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記工程Ｓａにおいて、前記第２膜の前記第１膜側とは反対側の面に前記第３現像性組成物を塗布する、前記［９］に記載の基板積層体の製造方法。

［１１］前記第１現像性組成物及び前記第２現像性組成物は、アルカリ可溶性を有する、前記［１］～［１０］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１２］前記第１基板は、ガラス基板である、前記［１］～［１１］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１３］前記第１硬化性化合物は、カチオン重合性又はラジカル重合性を有する、前記［１］～［１２］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１４］前記第２硬化性化合物は、カチオン重合性又はラジカル重合性を有する、前記［１］～［１３］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１５］前記第２光重合開始剤は、光カチオン重合開始剤であり、
　前記光カチオン重合開始剤は、ナフタルイミド構造及びオキシムスルホネート構造からなる群より選択される１種以上の構造を有する、前記［１］～［１４］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１６］前記第２現像性組成物は、増感剤を更に含む、前記［１］～［１５］のいずれか一つに記載の基板積層体の製造方法。

［１７］第１基板、第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する硬化物層を有する基板積層体であって、
　前記硬化物層は、パターン化されており、かつ前記第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体。

［１８］前記硬化物層と前記第２基板とを接着する接着剤層を更に有する、前記［１７］に記載の基板積層体。

［１９］第１基板、第２基板、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着剤層、及び前記第１基板の前記第２基板側とは反対側の面に配置された硬化物層を有する基板積層体であって、
　前記硬化物層は、パターン化されており、かつ前記第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体。

［２０］前記［１７］～［１９］のいずれか一つに記載の基板積層体を含む、イメージセンサ。

　本発明によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる基板積層体及びその製造方法、並びに当該基板積層体を有するイメージセンサを提供できる。

本発明に係る基板積層体の一例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の他の例を示す断面図である。本発明に係る基板積層体の一例を製造する際における、硬化物層形成後の第１基板を示す平面図である。本発明に係る基板積層体の一例を製造する際における、硬化物層形成後かつ個片化後の第１基板を示す平面図である。Ａ、Ｂ及びＣは、本発明に係る基板積層体の製造方法の一例を示す工程別断面図である。Ａ、Ｂ及びＣは、本発明に係る基板積層体の製造方法の一例を示す工程別断面図である。Ａ、Ｂ及びＣは、本発明に係る基板積層体の製造方法の一例を示す工程別断面図である。Ａ、Ｂ及びＣは、本発明に係る基板積層体の製造方法の他の例を示す工程別断面図である。Ａ、Ｂ及びＣは、本発明に係る基板積層体の製造方法の他の例を示す工程別断面図である。

　以下、本発明の好適な実施形態について詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、本明細書中に記載された学術文献及び特許文献の全てが、本明細書中において参考として援用される。

　まず、本明細書中で使用される用語について説明する。「光重合開始剤」とは、活性エネルギー線を照射することによって活性種（詳しくは、ラジカル、カチオン、アニオン等）を発生する化合物をさす。「光カチオン重合開始剤」とは、活性エネルギー線を照射することによって、活性種としてカチオン（酸）を発生する化合物をさす。「光ラジカル重合開始剤」とは、活性エネルギー線を照射することによって、活性種としてラジカルを発生する化合物をさす。活性エネルギー線としては、可視光線、紫外線、赤外線、電子線、Ｘ線、α線、β線、γ線等が挙げられる。

　「カチオン重合性基」とは、カチオンの存在下で連鎖的に重合反応を起こす官能基をさす。「ラジカル重合性基」とは、ラジカル重合可能な不飽和結合を有する官能基をさす。「アルカリ可溶性基」とは、アルカリと相互作用、又はアルカリと反応することにより、アルカリ性溶液に対する溶解性を高める官能基をさす。「現像性組成物」とは、アルカリ可溶性基を有する化合物及び有機溶剤に可溶な化合物からなる群より選択される１種以上を含む組成物をさす。「現像性組成物がアルカリ可溶性を有する」とは、現像性組成物がアルカリ可溶性基を有する化合物を含むことを意味する。「現像性組成物が有機溶剤可溶性を有する」とは、現像性組成物が有機溶剤に可溶な化合物を含むことを意味する。「増感剤」とは、露光感度を向上させる化合物をさす。「脂環式エポキシ基」とは、脂環式構造を構成する炭素原子のうち、隣接する２個の炭素原子に酸素原子１個が結合して形成される官能基をさし、例えば、３，４－エポキシシクロヘキシル基等が挙げられる。「ポリシロキサン化合物」は、シロキサン単位（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を構成要素とするポリシロキサン構造を有する化合物である。ポリシロキサン構造としては、鎖状ポリシロキサン構造（具体的には、直鎖状ポリシロキサン構造、分枝鎖状ポリシロキサン構造等）、及び環状ポリシロキサン構造が挙げられる。「エポキシ系接着剤」とは、エポキシ基を有する化合物（例えば、１分子中に少なくとも２つのエポキシ基を含有する化合物）を主剤として含む接着剤をさす。「半硬化状態」とは、その後の工程（例えば、加熱工程）によって硬化度を更に高めることが可能な状態をいう。「固形分」とは組成物中の不揮発成分であり、「固形分全量」とは、組成物の構成成分から溶媒を除外した全量を意味する。

　基板積層体を構成する各層の「厚み」は、基板積層体を厚み方向に切断した断面の電子顕微鏡画像から無作為に測定箇所を１０箇所選択し、選択した１０箇所の測定箇所の厚みを測定して得られた１０個の測定値の算術平均値である。

　材料の「主成分」は、何ら規定していなければ、質量基準で、その材料に最も多く含まれる成分を意味する。

　「アルキル基」、「アルケニル基」、「アルキニル基」、「アルコキシ基」、「アシル基」、「アルキルチオ基」及び「ハロゲン化アルキル基」は、いずれも、直鎖状であってもよく、分枝鎖状であってもよい。「ハロゲン原子」としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。「有機基（より具体的には、アリール基等）が置換基（より具体的には、アルキル基等）で置換されていてもよい」とは、有機基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。

　以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰り返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。また、アクリル及びメタクリルを包括的に「（メタ）アクリル」と総称する場合がある。また、アクリレート及びメタクリレートを包括的に「（メタ）アクリレート」と総称する場合がある。また、アクリロイル及びメタクリロイルを包括的に「（メタ）アクリロイル」と総称する場合がある。

　本明細書に例示の成分や官能基等は、特記しない限り、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　以下の説明において参照する図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の大きさ、個数、形状等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合がある。また、説明の都合上、後に説明する図面において、先に説明した図面と同一構成部分については、同一符号を付して、その説明を省略する場合がある。

＜第１実施形態：基板積層体＞
　本発明の第１実施形態に係る基板積層体（以下、「基板積層体Ｌ１」と記載することがある）は、第１基板、第２基板、及び第１基板と第２基板との間に介在する硬化物層を有する。硬化物層は、パターン化されており、かつ第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。

　なお、本明細書において「第１現像性組成物が着色剤を含まない」とは、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層中の着色剤の量が、第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層中の着色剤１００質量部に対して、０．１質量部未満（好ましくは０．０１質量部未満、より好ましくは０．００１質量部未満、更に好ましくは０．０００１質量部未満）であることを意味する。

　基板積層体Ｌ１によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる。その理由は、以下のように推測される。

　基板積層体Ｌ１は、後述する第３実施形態に係る製造方法により製造することができる。よって、基板積層体Ｌ１を製造する際、第１基板上に、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１膜を形成した後、この第１膜上に、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２膜を形成することができる。これにより、着色剤を含む第２現像性組成物と第１基板との接触を抑制できる。更に、後述する第３実施形態に係る製造方法の工程Ｓｃにおいて、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２非露光層を除去した後、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１非露光層を除去できるため、現像時においてパターン間に着色剤が残存することを抑制できる。これらのことから、基板積層体Ｌ１によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる。

［基板積層体Ｌ１の構成］
　以下、基板積層体Ｌ１の構成例について、適宜図面を参照しながら説明する。図１は、基板積層体Ｌ１の一例を示す断面図である。図１に示す基板積層体１０は、第１基板１１、第２基板１２、及び第１基板１１と第２基板１２との間に介在する硬化物層１３を有する。硬化物層１３は、パターン化されており、かつ第１基板１１側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層１４、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層１５をこの順に有する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。

　また、基板積層体１０は、硬化物層１３と第２基板１２とを接着する接着剤層１６を更に備える。図１に示す例では、第２層１５と第２基板１２とが接着剤層１６で接着されている。接着剤層１６を有する基板積層体１０は、第１基板１１と第２基板１２と硬化物層１３と接着剤層１６とで囲まれた中空部Ｚへの異物の混入を抑制できる。その理由は、以下のように推測される。

　基板積層体１０を製造する際、後述する工程Ｓｄ１において、半硬化状態の第１現像性組成物及び半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させた後、硬化させた後の塗膜（硬化後の塗膜）と第２基板１２とを接着剤で接着することができる。上記硬化後の塗膜は、半硬化状態の塗膜に比べてタック性が低く、異物が比較的付着しにくい。よって、基板積層体１０は、第１基板１１と第２基板１２とを接着する際、中空部Ｚへの異物の混入を抑制できる。

　基板積層体１０では、第２層１５が着色剤を含む第２現像性組成物の硬化物から構成されている。このため、第２層１５を、例えば、フレアやゴーストを抑制するための遮光性の隔壁として用いることができる。第２層１５を遮光性の隔壁として用いる場合、例えば、硬化物層１３及び接着剤層１６は、第２基板１２に設けられた受光素子（図示せず）を囲うように設けられる。

　第１層１４と第２層１５との界面は、明確に特定可能であってもよく、明確に特定できなくてもよい。第１層１４と第２層１５との界面が明確に特定できない場合、第１層１４と第２層１５との間に第１現像性組成物の硬化物と第２現像性組成物の硬化物とが混在した中間層（図示せず）が存在していてもよい。その場合、硬化物層１３は、第１層１４と中間層と第２層１５とから構成される。

　基板積層体１０において、中空部Ｚは、密閉された空間であってもよい。基板積層体１０がイメージセンサを構成し、かつ中空部Ｚが密閉された空間である場合、硬化物層１３及び接着剤層１６が、有効画素領域への湿気やダストの進入を防ぐ隔壁として機能する。なお、図１に示す基板積層体１０では、硬化物層１３の幅（図１中、左右方向の長さ）と、接着剤層１６の幅とが、ほぼ同じであるが、本発明では、硬化物層の幅と接着剤層の幅とが異なっていてもよい。

　第２層１５の遮光性の指標としては、第２層１５の光線透過率を使用することができる。フレア抑制の観点から、第２層１５の厚みが５０μｍの場合、第２層１５の波長３００～４００ｎｍの光の最大透過率は、１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、０．１％以下であることが更に好ましい。同様に、フレア抑制の観点から、第２層１５の厚みが５０μｍの場合、第２層１５の光学濃度（ＯＤ）は、０．８以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましく、３．０以上であることが更に好ましい。第２層１５の波長３００～４００ｎｍの光の最大透過率及び第２層１５の光学濃度は、例えば、第２層１５中の着色剤の量を変更することにより調整できる。

［基板積層体Ｌ１の要素］
　次に、基板積層体Ｌ１の要素について説明する。

（第１基板１１及び第２基板１２）
　第１基板１１及び第２基板１２としては、例えば、シリコンウェハー、ガラス基板、樹脂基板（透明樹脂基板等）、セラミック基板、半導体素子基板等が挙げられる。半導体素子基板としては、例えばセンサ基板（より具体的には、イメージセンサ基板等）等が挙げられる。第１基板１１と第２基板１２とは、同種の基板であってもよく、互いに異なる種類の基板であってもよい。第１基板１１及び第２基板１２のいずれか一方が透明基板（より具体的には、ガラス基板、透明樹脂基板等）である場合、基板積層体Ｌ１を光学部品の構成部材に適用できる。特に、第１基板１１及び第２基板１２のうち、一方が透明基板であり、もう一方が半導体素子基板である基板積層体Ｌ１は、イメージセンサに好適である。

　第１基板１１としてガラス基板を用いると、ガラス基板に着色剤由来の異物が付着することを抑制できる。これにより、基板積層体Ｌ１をイメージセンサに適用した際において、撮像時の異物の映り込みを抑制できる。

　第１基板１１及び第２基板１２の厚みは、例えば、それぞれ５０μｍ以上２０００μｍ以下である。第１基板１１及び第２基板１２のうちの一方が半導体素子基板である場合、半導体素子基板の厚みは、例えば５０μｍ以上８００μｍ以下である。第１基板１１及び第２基板１２の厚みは、同じであっても、異なっていてもよい。

（第１層１４）
　第１層１４は、第１現像性組成物の硬化物から構成される。第１層１４の材料となる第１現像性組成物の詳細は後述する。第１層１４の厚み（高さ）は、例えば０．００１μｍ以上１００μｍ以下である。着色剤由来の異物の付着をより抑制するためには、第１層１４の厚みは、０．００５μｍ以上であることが好ましく、０．０１μｍ以上であることがより好ましく、０．１μｍ以上であることが更に好ましく、１μｍ以上であることが更により好ましく、２μｍ以上であることが特に好ましい。また、第２層１５を遮光性の隔壁として用いてフレアやゴーストを効果的に抑制するためには、第１層１４の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、９μｍ以下であることが更に好ましく、８μｍ以下であることが更により好ましく、７μｍ以下であることが特に好ましく、６μｍ以下又は５μｍ以下であってもよい。

　第１層１４の幅は、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下である。

（第２層１５）
　第２層１５は、第２現像性組成物の硬化物から構成される。第２層１５の材料となる第２現像性組成物の詳細は後述する。第２層１５の厚み（高さ）は、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第２層１５を遮光性の隔壁として用いてフレアやゴーストを効果的に抑制するためには、第２層１５の厚みは、０．１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが更に好ましく、１５μｍ以上であることが更により好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。第２層１５のパターニングの容易性の観点から、第２層１５の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることが更に好ましい。第２層１５の材料である第２現像性組成物には着色剤が含まれるが、第２層１５の厚みを５０μｍ以下にする場合は、パターニング性を妨げることなく第２層１５を形成できる。

　第２層１５の幅は、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下である。

（接着剤層１６）
　接着剤層１６は、接着剤の硬化物から構成される。接着剤層１６の材料となる接着剤としては、例えば、熱硬化型接着剤（より詳しくは、エポキシ系接着剤等）、紫外線硬化型接着剤（より詳しくは、アクリル系接着剤等）等が挙げられる。なお、「アクリル系接着剤」とは、（メタ）アクリル酸若しくはその誘導体（より具体的には、（メタ）アクリル酸エステル等）、又は（メタ）アクリル酸若しくはその誘導体の重合体を主成分とする接着剤を意味する。

　基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、接着剤層１６の材料となる接着剤としては、エポキシ系接着剤が好ましい。接着剤層１６の材料となる接着剤としてエポキシ系接着剤を使用する場合、基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、エポキシ系接着剤の主剤としては、エポキシ基を２個以上有する芳香族エポキシ化合物が好ましく、ビスフェノール系ジグリシジルエーテル（より具体的には、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル等）がより好ましく、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルが更に好ましい。

　接着剤層１６の材料となる接着剤としてエポキシ系接着剤を使用する場合、基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、エポキシ系接着剤の硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤が好ましい。

　基板間の接着性に更に優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、接着剤層１６の材料となる接着剤としては、ビスフェノール系ジグリシジルエーテルを主剤として含み、かつイミダゾール系硬化剤を硬化剤として含むエポキシ系接着剤が好ましく、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルを主剤として含み、かつイミダゾール系硬化剤を硬化剤として含むエポキシ系接着剤がより好ましい。この場合、エポキシ系接着剤中の主剤と硬化剤の質量比（主剤／硬化剤）は、例えば１００／１以上１００／１０以下である。

　基板間の接着性に優れつつ、冷熱衝撃試験で評価される信頼性に優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、接着剤層１６の厚み（高さ）は、０．０１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上１２０μｍ以下であることが更に好ましい。接着剤層１６の幅は、第２層１５の幅に応じて適宜変更可能であるが、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下である。冷熱衝撃試験で評価される信頼性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、第２層１５の幅を１００％としたときの接着剤層１６の幅は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、１００％以上、１１０％以上又は１２０％以上であってもよい。

［第１現像性組成物］
　次に、第１層１４の材料となる第１現像性組成物について説明する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。また、第１現像性組成物は、第１硬化性化合物及び第１光重合開始剤以外の成分（他の成分）を含んでいてもよい。ただし、耐熱性に優れる第１層１４を形成しつつ、基板間の接着性に優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、第１硬化性化合物及び第１光重合開始剤の合計含有率が、第１現像性組成物の固形分全量に対して、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが更により好ましい。

　上記他の成分としては、反応性希釈剤、架橋剤、塩基性化合物、増感剤、接着性改良剤、熱可塑性樹脂、充填材、酸化防止剤、ラジカル禁止剤、高分子分散剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、イオントラップ剤（アンチモン－ビスマス等）、チクソ性付与剤、粘着性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、熱安定化剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤、溶媒等が挙げられる。

　第１硬化性化合物は、例えば、カチオン重合性及び／又はラジカル重合性を有する。即ち、第１硬化性化合物は、例えば、カチオン重合性基及びラジカル重合性基からなる群より選択される１種以上の基（以下、「重合性基」と記載することがある）を有する。基板間の接着性に優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、第１硬化性化合物は、カチオン重合性基を有することが好ましく、カチオン重合性基及びラジカル重合性基の双方を有することがより好ましい。

　第１硬化性化合物は、１分子中に複数個の重合性基を有することが好ましい。第１硬化性化合物が１分子中に複数個の重合性基を有する場合、架橋密度の高い第１層１４が得られ、その結果、第１層１４の耐熱性が向上する傾向がある。複数個の重合性基は、同種でもよく、２種以上の異なる官能基でもよい。また、第１現像性組成物は、第１硬化性化合物を１種類のみ含んでいてもよく、複数種の第１硬化性化合物を含んでいてもよい。

　また、第１現像性組成物は、カチオン重合性基を有する第１硬化性化合物、及びラジカル重合性基を有する第１硬化性化合物の両方を有していてもよい。

　上記カチオン重合性基としては、例えば、エポキシ基、ビニルエーテル基、オキセタニル基、及びアルコキシシリル基が挙げられる。第１現像性組成物の保存安定性の観点から、上記カチオン重合性基としては、グリシジル基、脂環式エポキシ基及びオキセタニル基からなる群より選択される１種以上が好ましく、グリシジル基及び脂環式エポキシ基からなる群より選択される１種以上がより好ましい。中でも脂環式エポキシ基は、光カチオン重合性に優れるため、特に好ましい。

　第１現像性組成物が、グリシジル基及び脂環式エポキシ基からなる群より選択される１種以上を有する第１硬化性化合物を含有する場合、上述した第１基板１１がガラス基板であることが好ましい。グリシジル基及び脂環式エポキシ基は、いずれもガラス基板の表面に対する結合性が良好であるため、第１現像性組成物が、グリシジル基及び脂環式エポキシ基からなる群より選択される１種以上を有する第１硬化性化合物を含有し、かつ第１基板１１がガラス基板である場合、基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得ることができる。

　また、第１現像性組成物が、グリシジル基及び脂環式エポキシ基からなる群より選択される１種以上を有する第１硬化性化合物を含有する場合、基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、接着剤層１６の材料となる接着剤としてエポキシ系接着剤を使用することが好ましい。

　上記カチオン重合性基を有する第１硬化性化合物としては、カチオン重合性基を有するポリシロキサン化合物、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、２，２’－ビス（４－グリシジルオキシシクロヘキシル）プロパン、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）－５，５－スピロ－（３，４－エポキシシクロヘキサン）－１，３－ジオキサン、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシル）アジペート、１，２－シクロプロパンジカルボン酸ビスグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、３－エチル－３－（フェノキシメチル）オキセタン、４，５－エポキシシクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸ジ２－エチルヘキシル（新日本理化社製「サンソサイザー（登録商標）Ｅ－ＰＳ」）、３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル社製「セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ」）、ε－カプロラクトン変性３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル社製「セロキサイド（登録商標）２０８１」）等が挙げられる。

　第１硬化性化合物として、１分子中に１個のカチオン重合性基を有する硬化性化合物（例えば、４，５－エポキシシクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸ジ２－エチルヘキシル等）を使用すると、架橋密度が低下し、その結果、第１層１４の柔軟性が高まる。よって、冷熱衝撃試験で評価される信頼性に優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、第１現像性組成物が、第１硬化性化合物として、１分子中に１個のカチオン重合性基を有する硬化性化合物を含むことが好ましく、１分子中に１個の脂環式エポキシ基を有する硬化性化合物を含むことがより好ましい。

　上記ラジカル重合性基としては、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基等が挙げられる。第１硬化性化合物は、ラジカル重合性基として、アクリロイル基及びメタクリロイル基の一方のみを有していてもよく、双方を有していてもよい。中でもアクリロイル基は、光ラジカル重合性に優れるため、特に好ましい。

　上記ラジカル重合性基を有する第１硬化性化合物としては、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物、イソアミルアクリレート、ラウリルアクリレート、オクチルアクリレート、デシルアクリレート、イソステアリルアクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシトリプロピレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート（より具体的には、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート等）、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、グリセリンプロポキシトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　第１現像性組成物は、アルカリ可溶性基を有する化合物及び有機溶剤に可溶な化合物からなる群より選択される１種以上を含む。上記アルカリ可溶性基を有する化合物としては、例えば、アルカリ可溶性基を有するポリシロキサン化合物、フェノール性水酸基を有する樹脂（例えば、フェノール性水酸基を有するノボラック系樹脂等）、カルボキシ基を有する樹脂（例えば、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体等）、酸性基を有するエポキシアクリレート系化合物等が挙げられる。上記有機溶剤に可溶な化合物としては、特に限定されないが、後述する成分（Ａ）等が挙げられる。パターニングの際、現像液としてアルカリ性現像液を使用した方が、有機溶剤現像液を使用するよりもパターニング性に優れる傾向があるため、第１現像性組成物は、アルカリ可溶性基を有する化合物を含むことが好ましい。なお、第１現像性組成物は、アルカリ可溶性を有し、かつ有機溶剤可溶性を有していてもよい。

　パターニング性に優れつつ第１層１４の耐熱性を高めることができる上、基板間の密着性及び冷熱衝撃試験による信頼性を高めるためには、第１現像性組成物が、第１硬化性化合物として、重合性基とアルカリ可溶性基とを１分子中に有するポリシロキサン化合物（以下、「成分（Ａ）」と記載することがある）を含有することが好ましい。

　成分（Ａ）としては、１分子中に重合性基（カチオン重合性基及びラジカル重合性基からなる群より選択される１種以上の基）とアルカリ可溶性基とを有するポリシロキサン化合物である限り、特に限定されない。成分（Ａ）は、１分子中に複数個の重合性基を有することが好ましい。成分（Ａ）が１分子中に複数個の重合性基を有する場合、架橋密度の高い第１層１４が得られ、その結果、第１層１４の耐熱性がより向上する傾向がある。複数個の重合性基は、同種でもよく、２種以上の異なる官能基でもよい。また、成分（Ａ）は、１分子中に複数個のアルカリ可溶性基を有することが好ましい。成分（Ａ）が１分子中に複数個のアルカリ可溶性基を有する場合、現像時に非露光部の除去性が高くなるため、現像性がより向上する傾向がある。複数個のアルカリ可溶性基は、同種でもよく、２種以上の異なる官能基でもよい。

　成分（Ａ）は、鎖状ポリシロキサン構造を有していてもよく、環状ポリシロキサン構造を有していてもよい。耐熱性により優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）が、環状ポリシロキサン構造を有することが好ましい。また、成分（Ａ）が環状ポリシロキサン構造を有していると、第１現像性組成物の製膜性及び現像性が高くなる傾向がある。

　成分（Ａ）は、主鎖にポリシロキサン構造を有していてもよく、側鎖にポリシロキサン構造を有していてもよい。耐熱性により優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）が、主鎖にポリシロキサン構造を有することが好ましい。耐熱性に更に優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）が、主鎖に環状ポリシロキサン構造を有することが好ましい。

　環状ポリシロキサン構造は、単環構造でもよく、多環構造でもよい。多環構造は多面体構造でもよい。環を構成するシロキサン単位のうち、Ｔ単位（ＸＳｉＯ_３／２）又はＱ単位（ＳｉＯ_４／２）の含有率が高いほど、得られる第１層１４は、硬度が高くなり、耐熱性に優れる傾向がある。一方、Ｍ単位（Ｘ_３ＳｉＯ_１／２）又はＤ単位（Ｘ_２ＳｉＯ_２／２）の含有率が高いほど、得られる第１層１４は、より柔軟であり、かつ残留応力を低減できる傾向がある。

　成分（Ａ）が主鎖にポリシロキサン構造を有するポリマーである場合、当該ポリマーの重量平均分子量は、１００００以上５００００以下であることが好ましく、２００００以上４００００以下であることがより好ましい。重量平均分子量が１００００以上である場合、得られる第１層１４の耐熱性がより向上する傾向がある。一方、重量平均分子量が５００００以下である場合、現像性がより向上する傾向がある。

　成分（Ａ）が有する重合性基の例としては、上述した第１硬化性化合物が有する重合性基として挙げた例（詳しくは、カチオン重合性基の例及びラジカル重合性基の例）と同じであり、好ましい例についても同じである。

　成分（Ａ）が有するアルカリ可溶性基としては、下記化学式（Ｘ１）で表される１価の有機基（以下、「Ｘ１基」と記載することがある）、下記化学式（Ｘ２）で表される２価の有機基（以下、「Ｘ２基」と記載することがある）、フェノール性水酸基、及びカルボキシ基からなる群より選択される１種以上が好ましい。なお、Ｘ１基は、Ｎ－モノ置換イソシアヌル酸由来の１価の有機基である。また、Ｘ２基は、Ｎ，Ｎ’－ジ置換イソシアヌル酸由来の２価の有機基である。

　耐熱性により優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）が有するアルカリ可溶性基としては、Ｘ１基及びＸ２基からなる群より選択される１種以上が好ましい。

　重合性基をポリシロキサン化合物中へ導入する方法は特に限定されないが、化学的に安定なケイ素－炭素結合（Ｓｉ－Ｃ結合）によって重合性基をポリシロキサン化合物中へ導入できることから、ヒドロシリル化反応を用いる方法が好ましい。換言すれば、成分（Ａ）は、ヒドロシリル化反応により有機変性され、ケイ素－炭素結合を介して重合性基が導入されたポリシロキサン化合物であることが好ましい。アルカリ可溶性基も、ヒドロシリル化反応により、ケイ素－炭素結合を介してポリシロキサン化合物に導入されていることが好ましい。

　成分（Ａ）は、例えば、下記の化合物（α）、化合物（β）及び化合物（γ）を出発物質とするヒドロシリル化反応により得られる。
・化合物（α）：１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基（ヒドロシリル基）を有するポリシロキサン化合物
・化合物（β）：１分子中に、ＳｉＨ基との反応性を有する炭素－炭素二重結合と、重合性基とを有する化合物
・化合物（γ）：１分子中に、ＳｉＨ基との反応性を有する炭素－炭素二重結合と、アルカリ可溶性基とを有する化合物

（化合物（α））
　化合物（α）は、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物であり、例えば、国際公開第９６／１５１９４号に記載の化合物で、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有するもの等が使用できる。化合物（α）の具体例としては、直鎖構造を有するヒドロシリル基含有ポリシロキサン、分子末端にヒドロシリル基を有するポリシロキサン、ヒドロシリル基を有する環状ポリシロキサン（以下、単に「環状ポリシロキサン」と記載することがある）等が挙げられる。環状ポリシロキサンは、多環構造を有していてもよく、多環構造は多面体構造であってもよい。耐熱性及び機械強度の高い第１層１４を形成するためには、化合物（α）として、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を有する環状ポリシロキサンを用いることが好ましい。化合物（α）は、好ましくは１分子中に３個以上のＳｉＨ基を有する環状ポリシロキサンである。耐熱性及び耐光性の観点から、Ｓｉ原子上に存在する基は、水素原子及びメチル基のいずれかであることが好ましい。

　直鎖構造を有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンとしては、ジメチルシロキサン単位とメチルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチルシロキシ単位との共重合体、ジフェニルシロキサン単位とメチルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチルシロキシ単位との共重合体、メチルフェニルシロキサン単位とメチルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチルシロキシ単位との共重合体、並びにジメチルハイドロジェンシリル基によって末端が封鎖されたポリシロキサン等が例示される。

　分子末端にヒドロシリル基を有するポリシロキサンとしては、ジメチルハイドロジェンシリル基によって末端が封鎖されたポリシロキサン、並びにジメチルハイドロジェンシロキサン単位（Ｈ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位）と、ＳｉＯ_２単位、ＳｉＯ_３／２単位及びＳｉＯ単位からなる群より選択される１種以上のシロキサン単位とからなるポリシロキサン等が例示される。

　環状ポリシロキサンは、例えば下記一般式（Ｉ）で表される。

　一般式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、炭素原子数１以上２０以下の１価の有機基を表し、ｍは２以上１０以上の整数を表し、ｎは０以上１０以下の整数を表す。ヒドロシリル化反応を容易に行うためには、ｍが３以上であることが好ましい。ヒドロシリル化反応を容易に行うためには、ｍ＋ｎが３以上１２以下であることが好ましい。ヒドロシリル化反応をより容易に行うためには、ｎが０であることが好ましい。

　Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、Ｃ、Ｈ及びＯからなる群より選択される元素により構成される有機基が好ましい。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の例としては、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、オキシアルキル基、アリール基等が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基；シクロヘキシル基、ノルボルニル基等の環状アルキル基；又はフェニル基が好ましい。環状ポリシロキサンの入手容易性の観点から、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、炭素原子数１以上６以下の鎖状アルキル基、又はフェニル基が好ましい。ヒドロシリル化反応を容易に行うためには、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、鎖状アルキル基が好ましく、炭素原子数１以上６以下の鎖状アルキル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。

　一般式（Ｉ）で表される環状ポリシロキサンとしては、１，３，５，７－テトラハイドロジェン－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、１－プロピル－３，５，７－トリハイドロジェン－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５－ジハイドロジェン－３，７－ジヘキシル－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５－トリハイドロジェン－１，３，５－トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７，９－ペンタハイドロジェン－１，３，５，７，９－ペンタメチルシクロペンタシロキサン、及び１，３，５，７，９，１１－ヘキサハイドロジェン－１，３，５，７，９，１１－ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン等が例示される。中でも、入手容易性及びＳｉＨ基の反応性の観点から、１，３，５，７－テトラハイドロジェン－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン（一般式（Ｉ）において、ｍ＝４、ｎ＝０であり、Ｒ^１がメチル基である化合物）が好ましい。

　化合物（α）は、公知の合成方法により得られる。例えば、一般式（Ｉ）で表される環状ポリシロキサンは、国際公開第９６／１５１９４号等に記載の方法により合成できる。多面体骨格を有する環状ポリシロキサンは、例えば、特開２００４－３５９９３３号公報、特開２００４－１４３４４９号公報、特開２００６－２６９４０２号公報等に記載の方法により合成できる。また、化合物（α）として、市販のポリシロキサン化合物を用いてもよい。

　第１現像性組成物の現像性を高めつつ、耐熱性により優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）における化合物（α）由来の構造単位の含有率は、成分（Ａ）１００質量％に対して、１０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４５質量％以下であることがより好ましい。

（化合物（β））
　化合物（β）は、１分子中に、ＳｉＨ基（ヒドロシリル基）との反応性を有する炭素－炭素二重結合と、重合性基とを有する化合物であり、ポリシロキサン化合物に重合性基を導入するための化合物である。化合物（β）における重合性基は、前述の成分（Ａ）が有する重合性基と同じであり、好ましい態様も同じである。

　ＳｉＨ基との反応性を有する炭素－炭素二重結合を含む基（以下、単に「アルケニル基」と記載することがある）としては、例えば、ビニル基、アリル基、メタリル基、アリルオキシ基（－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、２－アリルフェニル基、３－アリルフェニル基、４－アリルフェニル基、２－（アリルオキシ）フェニル基、３－（アリルオキシ）フェニル基、４－（アリルオキシ）フェニル基、２－（アリルオキシ）エチル基、２，２－ビス（アリルオキシメチル）ブチル基、３－アリルオキシ－２，２－ビス（アリルオキシメチル）プロピル基、ビニルエーテル基等が挙げられる。ＳｉＨ基との反応性の観点から、化合物（β）は、アルケニル基として、ビニル基、アリル基及びアリルオキシ基からなる群より選択される１種以上を有することが好ましく、ビニル基及びアリル基からなる群より選択される１種以上を有することがより好ましい。

　カチオン重合性基を導入するための化合物（β）の具体例としては、１－ビニル－３，４－エポキシシクロヘキサン、アリルグリシジルエーテル、アリルオキセタニルエーテル、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。カチオン重合における反応性の観点から、化合物（β）としては、脂環式エポキシ基及びグリシジル基からなる群より選択される１種以上の官能基を有する化合物が好ましく、脂環式エポキシ基を有する化合物がより好ましい。カチオン重合における反応性をより高めるためには、化合物（β）としては、アリルグリシジルエーテル及び１－ビニル－３，４－エポキシシクロヘキサンからなる群より選択される１種以上の化合物が好ましく、１－ビニル－３，４－エポキシシクロヘキサンがより好ましい。

　ラジカル重合性基を導入するための化合物（β）の具体例としては、ビニルアクリレート、ビニルメタクリレート、アリルアクリレート、アリルメタクリレート、２－ブテニルアクリレート、２－ブテニルメタクリレート等が挙げられる。ラジカル重合における反応性の観点から、化合物（β）としては、ビニルアクリレート及びアリルアクリレートからなる群より選択される１種以上が好ましく、アリルアクリレートがより好ましい。

　第１現像性組成物の現像性を高めつつ、耐熱性により優れる第１層１４を形成するためには、成分（Ａ）における化合物（β）由来の構造単位の含有率は、成分（Ａ）１００質量％に対して、２０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、２２質量％以上４５質量％以下であることがより好ましい。

（化合物（γ））
　化合物（γ）は、１分子中に、ＳｉＨ基との反応性を有する炭素－炭素二重結合と、アルカリ可溶性基とを有する化合物であり、ポリシロキサン化合物にアルカリ可溶性基を導入するための化合物である。化合物（γ）におけるアルカリ可溶性基は、前述の成分（Ａ）が有するアルカリ可溶性基と同じであり、好ましい態様も同じである。

　化合物（γ）は、ＳｉＨ基との反応性を有する炭素－炭素二重結合を含む基（アルケニル基）を有する。化合物（γ）が有するアルケニル基の例としては、前述の化合物（β）が有するアルケニル基として例示したものと同じアルケニル基が挙げられ、好ましい態様も同じである。すなわち、化合物（γ）は、アルケニル基として、ビニル基、アリル基及びアリルオキシ基からなる群より選択される１種以上を有することが好ましく、ビニル基及びアリル基からなる群より選択される１種以上を有することがより好ましい。

　化合物（γ）は、１分子中に２個以上のアルケニル基を有していてもよい。化合物（γ）が１分子中に複数個のアルケニル基を含む場合は、ヒドロシリル化反応により複数個の化合物（α）を架橋できるため、得られる硬化物の架橋密度が高くなり、硬化物の耐熱性が向上する傾向がある。

　化合物（γ）の具体例としては、ジアリルイソシアヌレート、モノアリルイソシアヌレート、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ、ビニルフェノール、アリルフェノール、ブテン酸、ペンテン酸、ヘキセン酸、へプテン酸、ウンデシレン酸等が挙げられる。

　現像性により優れる第１現像性組成物を得るためには、化合物（γ）としては、ジアリルイソシアヌレート、モノアリルイソシアヌレート及び２，２’－ジアリルビスフェノールＡからなる群より選択される１種以上が好ましく、ジアリルイソシアヌレート及びモノアリルイソシアヌレートからなる群より選択される１種以上がより好ましい。化合物（γ）としてモノアリルイソシアヌレートを使用すると、アルカリ可溶性基としてＸ１基を有する成分（Ａ）が得られる。また、化合物（γ）としてジアリルイソシアヌレートを使用すると、アルカリ可溶性基としてＸ２基を有する成分（Ａ）が得られる。

　現像性により優れる第１現像性組成物を得るためには、成分（Ａ）における化合物（γ）由来の構造単位の含有率は、成分（Ａ）１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。

（他の出発物質）
　ヒドロシリル化反応において、上記の化合物（α）、化合物（β）及び化合物（γ）に加えて、他の出発物質を用いてもよい。例えば、他の出発物質として、上記の化合物（β）及び化合物（γ）とは異なるアルケニル基含有化合物（以下、「他のアルケニル基含有化合物」と記載することがある）を用いてもよい。

　耐熱性により優れる第１層１４を得るためには、他のアルケニル基含有化合物として、１分子中に２個以上のアルケニル基を有する化合物（以下、「化合物（δ）」と記載することがある）を用いることが好ましい。化合物（δ）を用いれば、ヒドロシリル化反応の際、架橋点が増えるため、得られる第１層１４の耐熱性がより向上する傾向がある。

　化合物（δ）の具体例としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、１，１，２，２－テトラアリロキシエタン、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルモノベンジルイソシアヌレート、ジアリルモノメチルイソシアヌレート、１，２，４－トリビニルシクロヘキサン、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、１，３－ジイソプロペニルベンゼン、１，４－ジイソプロペニルベンゼン、１，３－ビス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３－ビス（ビニルオキシ）アダマンタン、１，３，５－トリス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３，５－トリス（ビニルオキシ）アダマンタン、ジシクロペンタジエン、ビニルシクロへキセン、１，５－ヘキサジエン、１，９－デカジエン、ジアリルエーテル、及びこれらのオリゴマーが挙げられる。

　得られる第１層１４の耐熱性を更に向上させるためには、化合物（δ）としては、トリアリルイソシアヌレート及びジアリルモノメチルイソシアヌレートからなる群より選択される１種以上が好ましく、ジアリルモノメチルイソシアヌレートがより好ましい。

　得られる第１層１４の耐熱性を更に向上させつつアルカリ現像性を高めるためには、成分（Ａ）における化合物（δ）由来の構造単位の含有率は、成分（Ａ）１００質量％に対して、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、８質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。

（ヒドロシリル化反応）
　成分（Ａ）を得るためのヒドロシリル化反応の順序及び方法は特に限定されない。例えば、上述した化合物（α）、化合物（β）、化合物（γ）、及び必要に応じて任意成分である他の出発物質を用いて、国際公開第２００９／０７５２３３号に記載の方法に準じたヒドロシリル化反応により、成分（Ａ）が得られる。上述した化合物（α）、化合物（β）、化合物（γ）、及び必要に応じて任意成分である他の出発物質を用いて得られる成分（Ａ）は、例えば、１分子中に複数個の重合性基と複数個のアルカリ可溶性基とを有し、かつ主鎖にポリシロキサン構造を有するポリマーである。

　ヒドロシリル化反応における各化合物の割合は特に限定されないが、出発物質のアルケニル基の総物質量ＡとＳｉＨ基の総物質量Ｂとが、１≦Ｂ／Ａ≦３０を満たすことが好ましく、１≦Ｂ／Ａ≦１０を満たすことがより好ましい。

　ヒドロシリル化反応には、塩化白金酸、白金－オレフィン錯体、白金－ビニルシロキサン錯体等のヒドロシリル化触媒を用いてもよい。ヒドロシリル化触媒と助触媒とを併用してもよい。ヒドロシリル化触媒の添加量（物質量）は特に限定されないが、出発物質に含まれるアルケニル基の総物質量に対して、好ましくは１０^－８倍以上１０^－１倍以下、より好ましくは１０^－６倍以上１０^－２倍以下である。

　ヒドロシリル化の反応温度は適宜に設定すればよく、好ましくは３０℃以上２００℃以下、より好ましくは５０℃以上１５０℃以下である。ヒドロシリル化反応における気相部の酸素濃度は３体積％以下が好ましい。ヒドロシリル化反応促進の観点からは、気相部には０．１体積％以上３体積％以下の酸素が含まれていてもよい。

　ヒドロシリル化反応には、溶媒を使用してもよい。溶媒としては、１種単独溶媒、又は２種以上を混合した混合溶媒が使用できる。溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒等を使用できる。反応後の留去が容易であることから、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、又はクロロホルムが好ましい。ヒドロシリル化反応においては、必要に応じて、ゲル化抑制剤を用いてもよい。

　基板間の接着性により優れる基板積層体Ｌ１を得るためには、第１現像性組成物における第１硬化性化合物の含有率は、第１現像性組成物の固形分全量に対して、２０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。

　次に、第１光重合開始剤について説明する。第１光重合開始剤としては、第１硬化性化合物が有する重合性基に応じて適宜選択することができる。即ち、第１硬化性化合物がカチオン重合性を有する場合は、第１光重合開始剤として光カチオン重合開始剤が使用され、第１硬化性化合物がラジカル重合性を有する場合、第１光重合開始剤として光ラジカル重合開始剤が使用される。

　上記光カチオン重合開始剤としては、ナフタルイミド構造及びオキシムスルホネート構造からなる群より選択される１種以上の構造を有する光カチオン重合開始剤、カルボン酸エステル系化合物、オニウム塩系化合物等が挙げられる。パターニングの容易性の観点から、光カチオン重合開始剤としては、ナフタルイミド構造及びオキシムスルホネート構造からなる群より選択される１種以上の構造を有する光カチオン重合開始剤が好ましく、ナフタルイミド構造を有する光カチオン重合開始剤がより好ましい。

　光感度の観点から、ナフタルイミド構造としては、下記一般式（ＩＩ）で表される構造が好ましい。また、光感度の観点から、ナフタルイミド構造を有する光カチオン重合開始剤としては、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＩ）中、Ｒ^１１～Ｒ^１６は、それぞれ独立に、水素原子；ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１以上１４以下のアルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数３以上１２以下のシクロアルキル基；又はハロゲン原子若しくは炭素原子数３以上２０以下の複素環基で置換されていてもよい炭素原子数４以上１８以下のアルコキシ基を表し、Ｒ^１７は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１以上１８以下のアルキル基；ハロゲン原子、炭素原子数１以上１４以下のアルキル基、炭素原子数３以上１２以下のシクロアルキル基若しくは炭素原子数２以上４以下のアシル基で置換されていてもよい炭素原子数６以上２０以下のアリール基；又はハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数３以上１２以下のシクロアルキル基を表す。

　溶媒への溶解性を高めつつ、活性エネルギー線照射時の酸の発生率を高めるためには、Ｒ^１１～Ｒ^１６で表される置換基の炭素原子数は、１以上１４以下が好ましく、３以上８以下がより好ましい。

　一般式（ＩＩ）で表されるナフタルイミド構造を有する光カチオン重合開始剤の具体例としては、ＡＤＥＫＡ社製ＳＰ－０８２、ＳＰ－６０６、ＳＰ－６０１、ＳＰ－６１３、ＳＰ－１０３等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

　光感度の観点から、オキシムスルホネート構造としては、下記一般式（ＩＩＩ）で表される構造が好ましい。また、光感度の観点から、オキシムスルホネート構造を有する光カチオン重合開始剤としては、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基若しくは炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数６以上３０以下のアリール基；ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１以上１４以下のアルキル基；炭素原子数３以上１２以下のシクロアルキル基；ハロゲン原子若しくは炭素原子数３以上２０以下の複素環基で置換されていてもよい炭素原子数４以上１８以下のアルコキシ基；又はハロゲン原子、炭素原子数３以上１２以下のシクロアルキル基若しくは炭素原子数３以上２０以下の複素環基で置換されていてもよい炭素原子数４以上１８以下のアルキルチオ基を表し、Ｒ^２１及びＲ^２２は、互いに結合して炭素原子数２以上８以下の複素環を形成してもよく、Ｒ^２３は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数１以上２０以下のアルキル基；炭素原子２以上２０以下のアルケニル基；炭素原子数２以上２０以下のアルキニル基；ハロゲン原子；ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数３以上２０以下のシクロアルキル基；ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数３以上２０以下のシクロアルケニル基；ハロゲン原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素原子数１以上４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数３以上２０以下の複素環基；又はハロゲン原子、炭素原子数１以上１４以下のアルキル基若しくは炭素原子数１以上１４以下のハロゲン化アルキル基で置換されていてもよい炭素原子数６以上２０以下のアリール基を表す。

　一般式（ＩＩＩ）中のＲ^２１及びＲ^２２の一方が置換されたアリール基である場合、一般式（ＩＩＩ）で表される構造を有する光カチオン重合開始剤は、一般式（ＩＩＩ）中の上記「置換されたアリール基」以外の部分構造を２つ有していてもよい。この場合、光カチオン重合開始剤は、２つの上記部分構造が、芳香環を含む２価の有機基で連結された構造を有する。

　一般式（ＩＩＩ）で表されるオキシムスルホネート構造を有する光カチオン重合開始剤の具体例としては、ＢＡＳＦ社製Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＰＡＧ１０３、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＰＡＧ１２１、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＰＡＧ２０３、ＣＧＩ７２５、ＣＧＩ１９０７等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

　上記オニウム塩系化合物としては、スルホニウム塩系化合物及びヨードニウム塩系化合物が挙げられる。

　光カチオン重合開始剤を、発生する酸の酸強度が強いものから順に並べると、ＳｂＦ_６ ^－を陰イオンとして含む化合物、Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４ ^－を陰イオンとして含む化合物、ＰＦ_６ ^－を陰イオンとして含む化合物、ＣＦ_３ＳＯ_３ ^－を陰イオンとして含む化合物、ＨＳＯ_４ ^－を陰イオンとして含む化合物となる。発生する酸の酸強度が強い光カチオン重合開始剤を使用すると、残膜率が高くなる傾向がある。光カチオン重合開始剤から発生する酸のｐＫａは、好ましくは３未満、より好ましくは１未満である。

　スルホニウム塩系化合物が有する陽イオンとしては、例えば、下記化学式（ＩＶ）で表される陽イオンが挙げられる。

　スルホニウム塩系化合物（スルホニウム塩系光カチオン重合開始剤）の市販品としては、例えば、フルオロアルキルフルオロホスフェート（陰イオン）と、化学式（ＩＶ）で表される陽イオンとを含む光カチオン重合開始剤（サンアプロ社製「ＣＰＩ－２１０Ｓ」）が挙げられる。

　上記光ラジカル重合開始剤の具体例としては、アセトフェノン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α－ジケトン系化合物、ビイミダゾール系化合物、多核キノン系化合物、トリアジン系化合物、オキシムエステル系化合物、チタノセン系化合物、キサントン系化合物、チオキサントン系化合物、ケタール系化合物、アゾ系化合物、過酸化物、２，３－ジアルキルジオン系化合物、ジスルフィド系化合物、フルオロアミン系化合物等が挙げられる。現像時の膜減りを抑制するためには、光ラジカル重合開始剤としては、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、及びオキシムエステル系化合物からなる群より選択される１種以上が好ましく、オキシムエステル系化合物がより好ましい。

　オキシムエステル系化合物としては、例えば、１，２－オクタンジオン１－［４－（フェニルチオ）－２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、エタノン１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１－（Ｏ－アセチルオキシム）等が挙げられる。

　第１現像性組成物における第１光重合開始剤の含有量は、特に制限はない。硬化速度及び硬化物の物性バランスの観点から、第１光重合開始剤の含有量は、第１硬化性化合物１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。

　次に、第１現像性組成物が含有してもよい他の成分（第１硬化性化合物及び第１光重合開始剤以外の成分）について説明する。

（溶媒）
　第１現像性組成物は、溶媒を含有してもよい。例えば、上述の第１硬化性化合物及び第１光重合開始剤、並びに必要に応じて使用する後述の他の成分を、溶媒中に溶解又は分散させることにより、第１現像性組成物が得られる。

　溶媒の具体例としては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコール系溶媒；イソ酪酸イソブチル等のエステル系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。第１現像性組成物の塗布性（製膜安定性）の観点から、溶媒としては、グリコール系溶媒が好ましく、プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタートがより好ましい。

　第１現像性組成物の塗布性（製膜安定性）の観点から、溶媒の量は、第１硬化性化合物１００質量部に対して、１０質量部以上１００質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上８０質量部以下であることがより好ましい。

（増感剤）
　第１現像性組成物は、増感剤を含有してもよい。増感剤を用いることにより、パターニング性が向上する。増感剤としては、アントラセン系化合物が好ましい。アントラセン系化合物の具体例としては、アントラセン、２－エチル－９，１０－ジメトキシアントラセン、９，１０－ジメチルアントラセン、９，１０－ジブトキシアントラセン、９，１０－ジプロポキシアントラセン、９，１０－ジエトキシアントラセン、１，４－ジメトキシアントラセン、９－メチルアントラセン、２－エチルアントラセン、２－ｔ－ブチルアントラセン、２，６－ジ－ｔ－ブチルアントラセン、９，１０－ジフェニル－２，６－ジ－ｔ－ブチルアントラセン等が挙げられる。中でも、第１現像性組成物との相溶性の観点から、９，１０－ジブトキシアントラセン、９，１０－ジプロポキシアントラセン、９，１０－ジエトキシアントラセンが好ましい。

　第１現像性組成物における増感剤の含有量は、特に制限はないが、硬化性及び硬化物の物性バランスの観点から、第１硬化性化合物１００質量部に対して、０．０１質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、０．１質量部以上１５質量部以下であることがより好ましい。

［第２現像性組成物］
　次に、第２層１５の材料となる第２現像性組成物について説明する。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。第２硬化性化合物としては、上述した第１硬化性化合物の例として挙げた硬化性化合物を使用できる。また、第２光重合開始剤としては、上述した第１光重合開始剤の例として挙げた光重合開始剤を使用できる。第２現像性組成物の第２硬化性化合物及び第２光重合性開始剤は、それぞれ第１現像性組成物の第１硬化性化合物及び第１光重合性開始剤と同種であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。また、第２現像性組成物中の第２硬化性化合物の含有率及び第２光重合性開始剤の含有率は、それぞれ第１現像性組成物中の第１硬化性化合物の含有率及び第１光重合性開始剤の含有率と同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。

（着色剤）
　第２現像性組成物は、着色剤を含有する。第２現像性組成物が着色剤を含有することにより、着色された第２層１５が得られる。着色剤としては、有機顔料、無機顔料、染料等が挙げられる。耐熱性及び着色性の観点から、着色剤としては、顔料が好ましい。遮光性を有する黒色隔壁（黒色リブ材）等の黒色の着色パターンを形成する場合は、着色剤として黒色顔料を用いることが好ましいが、それに限定するものではない。また黒色以外の着色パターンとして、赤色パターン、黄色パターン、青色パターン等の着色パターンも用途に応じて用いられる。

　可視光領域の波長を広く吸収する黒色有機顔料としては、アントラキノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料（ペリレンブラック）、アゾ系黒色顔料、ラクタム系黒色顔料（ラクタムブラック）等が挙げられる。２種以上の有彩色の顔料を、得られる混合物が黒色となるように、すなわち可視光領域の波長の光を広く吸収するように配合した混色有機顔料を用いてもよい。効率よく光透過率を低減するために、混色有機顔料としては、青色顔料及び紫色顔料からなる群より選択される１種以上を含む顔料が好ましい。

　無機顔料の例としては、複合金属酸化物顔料、カーボンブラック、黒色低次酸窒化チタン、酸化チタン（より具体的には、チタンブラック等）、硫酸バリウム、硫酸鉛、黄色鉛、ベンガラ、群青、紺青、酸化クロム、アンチモン白、硫化亜鉛、亜鉛、マンガン紫、コバルト紫、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。染料としては、アゾ系化合物、アントラキノン系化合物、ペリレン系化合物、ペリノン系化合物、フタロシアニン系化合物、カルボニウム系化合物、インジゴイド系化合物等が挙げられる。

　黒色以外の着色パターンを得るために用いられる顔料としては、赤、橙、黄、緑、青、紫、シアニン、マゼンダ等の有彩色の顔料を用いることができる。

　第２層１５の耐熱性をより高めるためには、着色剤として無機顔料を用いることが好ましく、カーボンブラックを用いることがより好ましい。無機顔料は耐熱性に優れ、加熱による分解が起こりにくい。耐熱性に更に優れる第２層１５を得るためには、着色剤のうちの無機顔料の割合が、６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、７５質量％以上であることが更に好ましい。

　現像性に優れつつ、遮光性及び耐熱性により優れる第２層１５を形成できる第２現像性組成物を得るためには、着色剤の量が、第２現像性組成物の固形分全量に対して、０．００５質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以上５０質量％以下であることが更に好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下であることが更により好ましい。また、着色剤の量が、第２現像性組成物の固形分全量に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であれば、着色剤由来の異物の付着をより抑制しつつ、遮光性及び基板間の接着強度を高めることができる。

　第２現像性組成物のその他の点（上述した内容以外の点）については、上述した［第１現像性組成物］の項で説明した内容と同様である。

［基板積層体Ｌ１の他の構成例］
　次に、基板積層体Ｌ１の他の構成例について図２～図６を参照しながら説明する。図２～図６は、いずれも基板積層体Ｌ１の他の構成例を示す断面図である。

　図２に示す基板積層体２０では、第２層１５が第２基板１２に直接接着している。つまり、基板積層体２０は、上述した接着剤層１６（図１参照）を備えていない。基板積層体２０のその他の点については、上述した基板積層体１０と同様である。基板積層体２０は、接着剤層１６を設ける工程が不要になるため、製造工程の簡略化が可能となる。

　図３に示す基板積層体３０では、第２基板１２が、半導体素子基板３１と枠材３２とを有する。枠材３２と第１基板１１とは、硬化物層１３及び接着剤層１６を介して接着している。つまり、基板積層体３０では、第１基板１１、硬化物層１３、接着剤層１６、枠材３２及び半導体素子基板３１が、この順に積層されている。枠材３２の材料としては、エポキシ樹脂やセラミック等を用いることができる。枠材３２の厚み（高さ）は、例えば３０μｍ以上３００００μｍ以下である。枠材３２を用いると、中空部Ｚが広くなるため、例えば、中空部Ｚにインターポーザー（図示せず）等を容易に配置できる。枠材３２は、半導体素子基板３１と接着剤であらかじめ接着されていてもよいし、半導体素子基板３１上にモールド成形等で成形されていてもよい。基板積層体３０のその他の点については、上述した基板積層体１０と同様である。

　図４に示す基板積層体４０では、枠材３２が凹状の構造体である。そして、半導体素子基板３１が枠材３２の凹部内に接した状態で、半導体素子基板３１と枠材３２とが一体化されている。基板積層体４０のその他の点については、上述した基板積層体３０と同様である。

　図５に示す基板積層体５０では、接着剤層１６の一部が、第１基板１１と枠材３２との間に配置されている。基板積層体５０のその他の点については、上述した基板積層体３０と同様である。

　図６に示す基板積層体６０では、硬化物層１３が、第１基板１１側から、第１層１４、第２層１５、及び第３現像性組成物の硬化物から構成される第３層６１をこの順に有する。また、基板積層体６０では、第３層６１と第２基板１２とが接着剤層１６を介して接着されている。第３層６１の厚み（高さ）は、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。なお、「第３現像性組成物が着色剤を含まない」とは、第３現像性組成物の硬化物から構成される第３層６１中の着色剤の量が、第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層１５中の着色剤１００質量部に対して０．１質量部未満（好ましくは０．０１質量部未満、より好ましくは０．００１質量部未満、更に好ましくは０．０００１質量部未満）であることを意味する。

　第３硬化性化合物としては、上述した第１硬化性化合物の例として挙げた硬化性化合物を使用できる。また、第３光重合開始剤としては、上述した第１光重合開始剤の例として挙げた光重合開始剤を使用できる。第３現像性組成物の第３硬化性化合物及び第３光重合性開始剤は、それぞれ第１現像性組成物の第１硬化性化合物及び第１光重合性開始剤と同種であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。また、第３現像性組成物中の第３硬化性化合物の含有率及び第３光重合性開始剤の含有率は、それぞれ第１現像性組成物中の第１硬化性化合物の含有率及び第１光重合性開始剤の含有率と同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。第３現像性組成物のその他の点（上述した内容以外の点）については、上述した［第１現像性組成物］の項で説明した内容と同様である。

　第３層６１の構成材料である第３現像性組成物は着色剤を含有しないため、第３層６１を形成する際のパターニング性が、第２層１５を形成する際のパターニング性に比べ、良好となる。よって、第３層６１は、比較的容易に厚みを大きくすることができる。このように基板積層体６０では、硬化物層１３が第３層６１を有するため、硬化物層１３の厚みを比較的容易に大きくすることができる。硬化物層１３の厚みが大きいと、例えば、硬化物層１３の周囲に封止樹脂層（図示せず）を容易に形成できる。

　基板積層体６０のその他の点については、上述した基板積層体１０と同様である。

＜第２実施形態：基板積層体＞
　次に、本発明の第２実施形態に係る基板積層体について説明する。本発明の第２実施形態に係る基板積層体（以下、「基板積層体Ｌ２」と記載することがある）は、第１基板、第２基板、第１基板と第２基板とを接着する接着剤層、及び第１基板の第２基板側とは反対側の面に配置された硬化物層を有する。硬化物層は、パターン化されており、かつ第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。第２実施形態における第１現像性組成物及び第２現像性組成物の詳細は、それぞれ上述した第１実施形態における第１現像性組成物及び第２現像性組成物の詳細と同じであるため、それらの説明は省略する。また、基板積層体Ｌ２の第１基板、第２基板、接着剤層、硬化物層、第１層及び第２層の詳細は、それぞれ上述した基板積層体Ｌ１の第１基板、第２基板、接着剤層、硬化物層、第１層及び第２層の詳細と同じであるため、それらの説明は省略する。

　基板積層体Ｌ２は、後述する第４実施形態に係る製造方法により製造することができる。よって、基板積層体Ｌ２を製造する際、第１基板上に、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１膜を形成した後、この第１膜上に、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２膜を形成することができる。これにより、着色剤を含む第２現像性組成物と第１基板との接触を抑制できる。更に、後述する第４実施形態に係る製造方法の工程Ｓｃにおいて、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２非露光層を除去した後、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１非露光層を除去できるため、現像時においてパターン間に着色剤が残存することを抑制できる。これらのことから、基板積層体Ｌ２によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる。

［基板積層体Ｌ２の構成］
　以下、基板積層体Ｌ２の構成例について、適宜図面を参照しながら説明する。図７は、基板積層体Ｌ２の一例を示す断面図である。図７に示す基板積層体７０は、第１基板１１、第２基板１２、第１基板１１と第２基板１２とを接着する接着剤層１６、及び第１基板１１の第２基板１２側とは反対側の面に配置された硬化物層１３を有する。硬化物層１３は、パターン化されており、かつ第１基板１１側から、第１層１４及び第２層１５をこの順に有する。基板積層体７０をイメージセンサに適用する場合、接着剤層１６は、第２基板１２に設けられた受光素子（図示せず）を囲うように設けられる。

　基板積層体７０では、第２層１５が着色剤を含む第２現像性組成物の硬化物から構成されている。このため、第２層１５を、例えば、フレアやゴーストを抑制するための遮光膜として用いることができる。基板積層体７０をイメージセンサに適用する場合、例えば、基板積層体７０を第１基板１１（例えばガラス基板）側から平面視した際に、硬化物層１３が第２基板１２に設けられた受光素子（図示せず）を囲うように設けられる。

［基板積層体Ｌ２の他の構成例］
　次に、基板積層体Ｌ２の他の構成例について図８を参照しながら説明する。図８に示す基板積層体８０では、硬化物層１３が、第１基板１１側から、第１層１４、第２層１５、及び第３現像性組成物の硬化物から構成される第３層６１をこの順に有する。第３層６１の厚み（高さ）は、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。なお、「第３現像性組成物が着色剤を含まない」とは、第３現像性組成物の硬化物から構成される第３層６１中の着色剤の量が、第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層１５中の着色剤１００質量部に対して０．１質量部未満（好ましくは０．０１質量部未満、より好ましくは０．００１質量部未満、更に好ましくは０．０００１質量部未満）であることを意味する。

　第３硬化性化合物としては、上述した第１実施形態における第１硬化性化合物の例として挙げた硬化性化合物を使用できる。また、第３光重合開始剤としては、上述した第１実施形態における第１光重合開始剤の例として挙げた光重合開始剤を使用できる。第３現像性組成物の第３硬化性化合物及び第３光重合性開始剤は、それぞれ第１層１４の構成材料である第１現像性組成物の第１硬化性化合物及び第１光重合性開始剤と同種であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。また、第３現像性組成物中の第３硬化性化合物の含有率及び第３光重合性開始剤の含有率は、それぞれ第１層１４の構成材料である第１現像性組成物中の第１硬化性化合物の含有率及び第１光重合性開始剤の含有率と同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。第３現像性組成物のその他の点（上述した内容以外の点）については、上述した第１実施形態における［第１現像性組成物］の項で説明した内容と同様である。

　第３層６１の構成材料である第３現像性組成物は着色剤を含有しないため、第３層６１を形成する際のパターニング性が、第２層１５を形成する際のパターニング性に比べ、良好となる。よって、第３層６１は、比較的容易に厚みを大きくすることができる。このように基板積層体８０では、硬化物層１３が第３層６１を有するため、硬化物層１３の厚みを比較的容易に大きくすることができる。硬化物層１３の厚みが大きいと、例えば、硬化物層１３の周囲に封止樹脂層（図示せず）を容易に形成できる。基板積層体８０のその他の点については、上述した基板積層体７０と同様である。

　基板積層体Ｌ２のその他の点（上述した内容以外の点）については、上述した＜第１実施形態：基板積層体＞の項で説明した内容と同様である。

＜基板積層体Ｌ１及び基板積層体Ｌ２の用途＞
　基板積層体Ｌ１及び基板積層体Ｌ２は、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）を構成する部材として用いられる。好ましくは、基板積層体Ｌ１及び基板積層体Ｌ２は、イメージセンサ、加速度センサ、圧力センサ等のセンサを構成する部材として用いられる。

　基板積層体Ｌ１又は基板積層体Ｌ２をイメージセンサに適用した場合、基板積層体Ｌ１又は基板積層体Ｌ２を有するイメージセンサは、着色剤由来の異物の付着を抑制できるため、撮像時の映り込みなどの撮像エラーの発生を抑制できる。基板積層体Ｌ１又は基板積層体Ｌ２を有するイメージセンサは、例えば、第１基板１１及び第２基板１２のうち、一方が透明基板であり、もう一方が半導体素子基板（イメージセンサ基板）である。

＜第３実施形態：基板積層体の製造方法＞
　次に、本発明の第３実施形態に係る基板積層体の製造方法（以下、「製造方法Ｍ１」と記載することがある）について、適宜図面を参照しながら説明する。製造方法Ｍ１は、上述した第１実施形態に係る基板積層体（基板積層体Ｌ１）の好適な製造方法である。以下の説明において、第１実施形態と重複する内容については、その説明を省略する場合がある。

　製造方法Ｍ１は、工程Ｓａと、工程Ｓｂと、工程Ｓｃと、工程Ｓｄ１とを備える。工程Ｓａでは、第１基板上に塗膜を形成する。工程Ｓｂでは、フォトマスクを通して塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを第１基板上に形成する。工程Ｓｃでは、現像液で非露光部を第１基板上から除去することにより、第１基板上にパターン化された塗膜（以下、「パターン膜」と記載することがある）を形成する。工程Ｓｄ１では、第１基板と第２基板とをパターン膜を介して接着する。なお、工程Ｓｄ１における上記パターン膜には、半硬化状態でパターン化された塗膜と、半硬化状態でパターン化された塗膜を更に硬化した後の膜（パターン化された塗膜の硬化物から構成される硬化物層）の二通りの膜が含まれる。

　工程Ｓｂで形成される半硬化状態の露光部は、第１基板側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層をこの順に有する。第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物である。第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である。

　製造方法Ｍ１では、第１基板上に、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１膜を形成した後、この第１膜上に、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２膜を形成することができる。これにより、着色剤を含む第２現像性組成物と第１基板との接触を抑制できる。更に、工程Ｓｃにおいて、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２非露光層を除去した後、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１非露光層を除去できるため、現像時においてパターン間に着色剤が残存することを抑制できる。これらのことから、製造方法Ｍ１によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる。

　以下、製造方法Ｍ１の一例が備える各工程について、適宜図面を参照しながら説明する。参照する図９は、製造方法Ｍ１により基板積層体を製造する際における、硬化物層形成後の第１基板の一例を示す平面図である。参照する図１０は、製造方法Ｍ１により基板積層体を製造する際における、硬化物層形成後かつ個片化後の第１基板の一例を示す平面図である。参照する図１１Ａ～Ｃ、図１２Ａ～Ｃ及び図１３Ａ～Ｃは、製造方法Ｍ１の一例を示す工程別断面図である。

　製造方法Ｍ１の一例では、まず、大判の第１基板１１上に、硬化物層１３を、四角筒状に多数パターン化した状態で形成する（図９）。なお、硬化物層１３のパターンは、図９に示すパターンに限定されず、目的とする形状に合わせて設計すればよく、例えば、格子状等の形状であってもよい。また、硬化物層１３のパターン数は、特に限定されず、少なくとも１つのパターンが形成されていればよい。図９に示すパターン化された硬化物層１３は、以下で詳述する工程により形成できる。

［工程Ｓａ］
　以下、工程Ｓａの第１の方法について説明する。第１の方法では、大判の第１基板１１の一方の面に第１現像性組成物を塗布することにより、第１基板１１の一方の面に第１現像性組成物から構成される第１膜２０１を形成する（図１１Ａ）。この際の塗布方法は、特に限定されず、例えば、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、印刷法、バーコート法等の一般的な塗布方法を使用できる。第１の方法では、第１膜２０１を加熱して、第１膜２０１中の溶媒の少なくとも一部を除去してもよい。第１膜２０１の加熱温度は、適宜設定され得るが、好ましくは６０℃以上２００℃以下であり、より好ましくは８０℃以上１５０℃以下である。

　第１膜２０１の厚み（加熱工程を設ける場合は、加熱後の第１膜２０１の厚み）は、例えば０．００１μｍ以上１００μｍ以下である。着色剤由来の異物の付着をより抑制するためには、第１膜２０１の厚みは、０．００５μｍ以上であることが好ましく、０．０１μｍ以上であることがより好ましく、０．１μｍ以上であることが更に好ましく、１μｍ以上であることが更により好ましく、２μｍ以上であることが特に好ましい。また、上述した第２層１５を遮光性の隔壁として用いてフレアやゴーストを効果的に抑制するためには、第１膜２０１の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、９μｍ以下であることが更に好ましく、８μｍ以下であることが更により好ましく、７μｍ以下であることが特に好ましく、６μｍ以下又は５μｍ以下であってもよい。

　次いで、第１膜２０１上に第２現像性組成物を塗布することにより、第１膜２０１上に、第２現像性組成物から構成される第２膜２０２を形成する（図１１Ｂ）。これにより、図１１Ｂに示すように、第１膜２０１と第２膜２０２とを含む塗膜２００を形成する。第２現像性組成物を塗布する際の塗布方法は、特に限定されず、例えば、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、印刷法、バーコート法等の一般的な塗布方法を使用できる。第１の方法では、第２膜２０２を加熱して、第２膜２０２中の溶媒の少なくとも一部を除去してもよい。第２膜２０２の加熱温度は、適宜設定され得るが、好ましくは６０℃以上２００℃以下であり、より好ましくは８０℃以上１５０℃以下である。

　第２膜２０２の厚み（加熱工程を設ける場合は、加熱後の第２膜２０２の厚み）は、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。上述した第２層１５を遮光性の隔壁として用いてフレアやゴーストを効果的に抑制するためには、第２膜２０２の厚みは、０．１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが更に好ましく、１５μｍ以上であることが更により好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。第２膜２０２のパターニングの容易性の観点から、第２膜２０２の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることが更に好ましい。

　第１基板１１上への異物の付着をより抑制するためには、第１基板１１上の第２膜２０２が形成される領域のほぼ全面が第１膜２０１で覆われていることが好ましく、第１基板１１上の第２膜２０２が形成される領域全面が第１膜２０１で覆われていることがより好ましい。なお「ほぼ全面が第１膜２０１で覆われている」とは、第１基板１１上の第２膜２０２が形成される領域のうち、面積割合で９０％以上（好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上）の領域が第１膜２０１で覆われていることを意味する。

　なお、工程Ｓａにおける塗膜２００の形成方法は、上述した第１の方法に限定されない。例えば、工程Ｓａにおいて、以下に示す第２の方法を採用してもよい。第２の方法では、まず、工程Ｓａにおいて、第１基板１１上に第１現像性組成物を塗布し、この第１現像性組成物から構成される第１膜２０１に、フォトマスク３００（図１１Ｃ参照）を通して、又はフォトマスク３００を通さずに、活性エネルギー線Ｅ（図１１Ｃ参照）を照射する。フォトマスク３００を通して活性エネルギー線Ｅを照射する場合、活性エネルギー線Ｅの照射条件の好ましい範囲は、例えば後述する工程Ｓｂと同じ範囲である。また、フォトマスク３００を通さずに活性エネルギー線Ｅを照射する場合、後述する工程Ｓｃにおいて現像液で非露光部３０６（図１１Ｃ参照）を除去できる程度の照射条件で活性エネルギー線Ｅを照射することが好ましい。また、第２の方法では、活性エネルギー線Ｅを照射した後の第１膜２０１上に第２現像性組成物を塗布することにより、活性エネルギー線Ｅを照射した後の第１膜２０１と、第２現像性組成物から構成される第２膜２０２とを含む塗膜２００を形成する。第２の方法のその他の点（上述した内容以外の点）については、例えば上述した第１の方法と同様である。

［工程Ｓｂ］
　工程Ｓｂでは、フォトマスク３００を通して塗膜２００に活性エネルギー線Ｅを照射することにより、塗膜２００において、半硬化状態の現像性組成物から構成される露光部３０３と、非露光部３０６とを形成する（図１１Ｃ）。フォトマスク３００の露光部３０３に対応する位置には、透光領域３００ａが形成されている。これにより、透光領域３００ａの下部に位置する塗膜２００（露光部３０３）のみが露光され、光硬化反応が進行する。半硬化状態の露光部３０３は、第１基板１１側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層３０１、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層３０２をこの順に有する。また、非露光部３０６は、第１基板１１側から、第１現像性組成物から構成される第１非露光層３０４、及び第２現像性組成物から構成される第２非露光層３０５をこの順に有する。露光の際の積算露光量は、特に制限されないが、好ましくは１ｍＪ／ｃｍ^２以上５００００ｍＪ／ｃｍ^２以下であり、より好ましくは１ｍＪ／ｃｍ^２以上２００００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。工程Ｓｂで照射する活性エネルギー線Ｅの波長は、例えば、２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲である。活性エネルギー線Ｅの光源としては、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、発光ダイオード等が挙げられる。活性エネルギー線Ｅの照射時間は、好ましくは１秒以上３０００秒以下であり、より好ましくは１秒以上１０００秒以下である。

　工程Ｓｂの後、工程Ｓｃの前に、活性エネルギー線Ｅを照射した後の塗膜２００を加熱してもよい。この際の加熱温度は、適宜設定され得るが、好ましくは６０℃以上２００℃以下であり、より好ましくは８０℃以上１５０℃以下である。

［工程Ｓｃ］
　工程Ｓｃでは、現像液で非露光部３０６を第１基板１１上から除去する（現像する）ことにより、第１基板１１上に、半硬化状態でパターン化された塗膜（パターン膜３１０）を形成する（図１２Ａ）。工程Ｓｃで用いる現象液としては、アルカリ性現象液及び有機溶剤現像液からなる群より選択される１種以上を使用できる。第１非露光層３０４を除去する現象液、及び第２非露光層３０５を除去する現象液は、同種の現像液であっても、互いに異なる種類の現像液であってもよい。生産性の観点からは、第１非露光層３０４を除去する現象液、及び第２非露光層３０５を除去する現象液が同種の現像液であることが好ましい。

　アルカリ性現象液は、例えば、アルカリ成分を含む水溶液である。アルカリ成分としては、アルカリ有機成分及びアルカリ無機成分が挙げられる。アルカリ有機成分としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリン等が挙げられる。アルカリ無機成分としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム等が挙げられる。露光部３０３と非露光部３０６とのコントラストを高めるためには、アルカリ性現象液におけるアルカリ成分の濃度は、２５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることが更に好ましい。アルカリ性現像液で非露光部３０６を第１基板１１上から除去する方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法又はパドル法により塗膜２００にアルカリ性現像液を接触させて、非露光部３０６を溶解及び除去する方法が挙げられる。

　有機溶剤現像液としては、非露光部３０６を第１基板１１上から除去し、パターン化された露光部３０３（パターン膜３１０）を第１基板１１上に残すことができる溶剤であれば、いずれを使用してもよい。有機溶剤現像液としては、例えば、アセトン、酢酸エチル、炭素原子数１～４のアルコキシ基を有するアルコキシエタノール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，１，１－トリクロロエタン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、γ－ブチロラクトン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタート等が挙げられる。有機溶剤現像液には、界面活性剤、消泡剤等を少量添加してもよく、引火防止の目的で１体積％以上３０体積％以下の範囲で水を添加することもできる。有機溶剤現像液で非露光部３０６を第１基板１１上から除去する方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法又はパドル法により塗膜２００に有機溶剤現像液を接触させて、非露光部３０６を溶解及び除去する方法が挙げられる。

　工程Ｓｃでは、現象液を塗膜２００に接触させた後に、塗膜２００を水洗してもよい。塗膜２００を水洗する場合、水洗後に、塗膜２００の表面の水分を圧縮空気で除去することが好ましい。

［工程Ｓｄ１］
　工程Ｓｄ１では、まず、工程Ｓｃで形成されたパターン膜３１０を加熱して、半硬化状態の第１現像性組成物及び半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させることにより、パターン化された塗膜２００の硬化物から構成される硬化物層１３（硬化後の塗膜２００）を得る（図１２Ｂ）。硬化物層１３は、第１基板１１側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層１４、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層１５をこの順に有する。このようにして、図９に示すような、大判の第１基板１１上に、パターン化された硬化物層１３が多数形成される。工程Ｓｄ１でパターン膜３１０を加熱する温度としては、好ましくは８０℃以上３５０℃以下であり、より好ましくは１５０℃以上２５０℃以下である。

　工程Ｓｄ１において、第１基板１１と第２基板１２とを接着する前に半硬化状態の第１現像性組成物及び半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させる方法（以下、「接着前硬化法」と記載することがある）を採用すると、上述したように異物の混入を抑制できる。このため、接着前硬化法により得られた基板積層体Ｌ１によれば、冷熱衝撃試験において異物に起因するクラックの発生を抑制できる。

　また、工程Ｓｄ１において、半硬化状態の第１現像性組成物及び半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させると、第１基板１１と第２基板１２とを接着する際に中空部Ｚに放出されるアウトガスの量を低減できる。なお、基板積層体Ｌ１がイメージセンサを構成している場合では、中空部Ｚに放出されるアウトガスの量が過度に増えると、イメージセンサとしての機能が低下する場合がある。

　上記接着前硬化法によりパターン化された硬化物から構成される硬化物層１３を得た後、大判の第１基板１１と硬化物層１３との積層物を、図９及び図１２Ｃの分割線１００に沿ってダイシングすることにより、図１０に示す個片化された積層物（以下、「第１積層物」と記載することがある）を得る。次いで、第１積層物の第２層１５と第２基板１２とを接着剤により接着する。具体的には、まず、図１３Ａに示すように、第２層１５上にシリンジ等で接着剤を塗布して、接着剤層１６を形成する。なお、図１３Ａでは、第２層１５の第１基板１１側とは反対側の面（端面）に接着剤を塗布する例を示したが、本発明はこれに限定されず、第２基板１２に接着剤を塗布してもよく、第２層１５及び第２基板１２の双方に接着剤を塗布してもよい。また、接着剤の塗布方法についても、シリンジで塗布する方法に限定されず、例えば、スクリーン印刷法やスタンプ法等で接着剤を塗布してもよい。

　次いで、第２層１５と、第２基板１２とを、接着剤層１６を介して貼り合わせる（図１３Ｂ）。次いで、接着剤層１６を硬化させて、第２層１５と第２基板１２とを接着することにより、図１３Ｃに示す基板積層体１０が得られる。接着剤層１６を硬化させる方法は、接着剤層１６を構成する接着剤の種類により適宜選択すればよい。接着剤層１６を硬化させる方法の具体例としては、加熱による硬化方法、紫外線照射による硬化方法等が挙げられる。

　なお、上述した方法では、第１積層物と第２基板１２とを接着剤により接着したが、本発明は、上記方法には限定されない。例えば、図１２Ｃに示す工程においてダイシングしないで、大判の第１基板１１と硬化物層１３との積層物と、大判の第２基板１２とを、接着剤層１６を介して貼り合わせてもよい。この場合、接着剤層１６を介して貼り合わせた後、ダイシングすることにより、個片化された基板積層体Ｌ１が得られる。

［製造方法Ｍ１の他の例］
　次に、製造方法Ｍ１の他の例として、基板積層体２０の製造方法について説明する。基板積層体２０の製造方法は、上述した図１２Ａに示す工程までは、上記製造方法（基板積層体１０の製造方法）と同じである。よって、以下では、図１２Ａよりも後の工程（工程Ｓｄ１）のみを説明する。

　基板積層体２０を製造する際の工程Ｓｄ１では、まず、図１２Ａに示す、大判の第１基板１１とパターン膜３１０との積層物を、ダイシングすることにより、図１４Ａに示す個片化された積層物（以下、「第２積層物」と記載することがある）を得る。次いで、第２積層物の第２半硬化層３０２に第２基板１２を貼り合わせる。これにより、図１４Ｂに示すように、第１基板１１と第２基板１２とがパターン膜３１０を介して積層された積層物（以下、「第３積層物」と記載することがある）を得る。次いで、第３積層物を加熱して半硬化状態のパターン膜３１０を更に硬化させることにより、第１基板１１と第２基板１２とを、パターン膜３１０の硬化物から構成される硬化物層１３（パターン化された硬化物層１３）を介して接着する（図１４Ｃ）。第３積層物を加熱する工程では、第３積層物に対して、例えば０．０５ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の範囲で荷重をかけながら加熱してもよい。第３積層物を加熱する温度は、例えば６０℃以上３００℃以下である。以上の工程を経て、図１４Ｃに示す基板積層体２０が得られる。

　以上、製造方法Ｍ１の具体例について説明したが、本発明に係る基板積層体の製造方法は、上記具体例には限定されない。例えば、本発明に係る基板積層体の製造方法では、半導体素子基板と枠材とを有する第２基板を用いてもよい。この場合、工程Ｓｄ１において、第１基板と枠材とをパターン膜を介して接着することにより、例えば、上述した基板積層体３０（図３参照）、基板積層体４０（図４参照）又は基板積層体５０（図５参照）を製造することができる。また、本発明に係る基板積層体の製造方法では、工程Ｓａにおいて、第２膜の第１膜側とは反対側の面に第３現像性組成物を塗布することにより、第３膜を形成してもよい。この場合、工程Ｓｂで活性エネルギー線が照射される塗膜は、第１基板側から、第１膜、第２膜及び第３膜をこの順に有する。第３膜の厚みは、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第１膜、第２膜及び第３膜を有する塗膜を形成した後、工程Ｓｂ、工程Ｓｃ及び工程Ｓｄ１を実施することにより、例えば、上述した基板積層体６０（図６参照）を製造することができる。

＜第４実施形態：基板積層体の製造方法＞
　次に、本発明の第４実施形態に係る基板積層体の製造方法（以下、「製造方法Ｍ２」と記載することがある）について、適宜図面を参照しながら説明する。製造方法Ｍ２は、上述した第２実施形態に係る基板積層体（基板積層体Ｌ２）の好適な製造方法である。以下の説明において、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態と重複する内容については、その説明を省略する場合がある。

　製造方法Ｍ２は、工程Ｓａと、工程Ｓｂと、工程Ｓｃと、工程Ｓｄ２とを備える。工程Ｓａでは、第１基板上に塗膜を形成する。工程Ｓｂでは、フォトマスクを通して塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを第１基板上に形成する。工程Ｓｃでは、現像液で非露光部を第１基板上から除去することにより、第１基板上にパターン化された塗膜（以下、「パターン膜」と記載することがある）を形成する。工程Ｓｄ２では、第１基板のパターン膜が形成された側とは反対側の面と、第２基板とを接着剤により接着する。なお、工程Ｓｄ２における上記パターン膜には、半硬化状態でパターン化された塗膜と、半硬化状態でパターン化された塗膜を更に硬化した後の膜（パターン化された塗膜の硬化物から構成される硬化物層）の二通りの膜が含まれる。

　製造方法Ｍ２では、第１基板上に、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１膜を形成した後、この第１膜上に、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２膜を形成することができる。これにより、着色剤を含む第２現像性組成物と第１基板との接触を抑制できる。更に、工程Ｓｃにおいて、着色剤を含む第２現像性組成物から構成される第２非露光層を除去した後、着色剤を含まない第１現像性組成物から構成される第１非露光層を除去できるため、現像時においてパターン間に着色剤が残存することを抑制できる。これらのことから、製造方法Ｍ２によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる。

　以下、製造方法Ｍ２の一例が備える各工程について、適宜図面を参照しながら説明する。参照する図１５Ａ～Ｃは、製造方法Ｍ２の一例を示す工程別断面図である。以下で説明する製造方法Ｍ２の一例は、上述した図１２Ｃに示す工程までは、上記製造方法（基板積層体１０の製造方法）と同じである。よって、以下では、図１２Ｃよりも後の工程（工程Ｓｄ２）のみを説明する。

　製造方法Ｍ２の一例では、図１５Ａに示すように、第２基板１２上にシリンジ等で接着剤を塗布して、接着剤層１６を形成する。なお、図１５Ａでは、第２基板１２上に接着剤を塗布する例を示したが、本発明はこれに限定されず、第１基板１１に接着剤を塗布してもよく、第１基板１１及び第２基板１２の双方に接着剤を塗布してもよい。また、接着剤の塗布方法についても、シリンジで塗布する方法に限定されず、例えば、スクリーン印刷法やスタンプ法等で接着剤を塗布してもよい。

　次いで、図１２Ｃにおいて個片化された積層物（第１積層物）の第１基板１１と、第２基板１２とを、接着剤層１６を介して貼り合わせる（図１５Ｂ）。この際、第１基板１１の硬化物層１３（パターン化された塗膜の硬化物から構成される硬化物層）が形成された側とは反対側の面と、第２基板１２とを貼り合わせる。次いで、接着剤層１６を硬化させて、第１基板１１と第２基板１２とを接着することにより、図１５Ｃに示す基板積層体７０が得られる。接着剤層１６を硬化させる方法は、接着剤層１６を構成する接着剤の種類により適宜選択すればよい。接着剤層１６を硬化させる方法の具体例としては、加熱による硬化方法、紫外線照射による硬化方法等が挙げられる。

　以上、製造方法Ｍ２の具体例について説明したが、本発明に係る基板積層体の製造方法は、上記具体例には限定されない。例えば、図１５Ａに示す工程において、半導体素子基板と枠材とを有する第２基板を用いてもよい。この場合、工程Ｓｄ２において、第１基板と枠材とを、接着剤を用いて接着することにより、遮光膜及び枠材を有する基板積層体が得られる。また、製造方法Ｍ２の工程Ｓａにおいて、第２膜の第１膜側とは反対側の面に第３現像性組成物を塗布することにより、第３膜を形成してもよい。この場合、工程Ｓｂで活性エネルギー線が照射される塗膜は、第１基板側から、第１膜、第２膜及び第３膜をこの順に有する。第３膜の厚みは、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。第１膜、第２膜及び第３膜を有する塗膜を形成した後、工程Ｓｂ、工程Ｓｃ及び工程Ｓｄ２を実施することにより、例えば、上述した基板積層体８０（図８参照）を製造することができる。

　製造方法Ｍ２のその他の点（上述した内容以外の点）については、上述した＜第３実施形態：基板積層体の製造方法＞の項で説明した内容と同様である。

＜製造方法Ｍ１及び製造方法Ｍ２の好ましい態様＞
　着色剤由来の異物の付着を更に抑制しつつ、フレアやゴーストを更に抑制するためには、製造方法Ｍ１及び製造方法Ｍ２は、下記条件１を満たすことが好ましい。また、着色剤由来の異物の付着を更に抑制しつつ、フレアやゴーストを更に抑制できる上、冷熱衝撃試験で評価される信頼性に優れる基板積層体を得るためには、製造方法Ｍ１及び製造方法Ｍ２は、下記条件２を満たすことが好ましく、下記条件３を満たすことがより好ましい。
　条件１：第１現像性組成物から構成される第１膜の厚み（加熱工程を設ける場合は、加熱後の第１膜の厚み）が、２μｍ以上９μｍ以下である。
　条件２：上記条件１を満たし、かつ第２現像性組成物が、第２硬化性化合物として、１分子中に複数個のカチオン重合性基を有する成分（Ａ）と、１分子中に１個のカチオン重合性基を有する化合物とを有する。
　条件３：上記条件２を満たし、かつ上記１分子中に１個のカチオン重合性基を有する化合物の量が、上記１分子中に複数個のカチオン重合性基を有する成分（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部以上３０質量部以下である。

　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。

＜硬化性化合物（ポリシロキサン化合物）の合成＞
　以下、硬化性化合物Ｐ１及びＰ２の合成方法について説明する。なお、硬化性化合物Ｐ１及びＰ２の重量平均分子量は、東ソー社製「ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ」（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ　ＧＰＣ　ＫＤ－８０６Ｍ（２本）、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＡＷＭ－Ｈ（２本））を用い、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを溶媒として、流速１．０ｍＬ／分で測定したクロマトグラムから、標準ポリスチレン換算により算出した。

［硬化性化合物Ｐ１の合成］
　ジアリルイソシアヌレート４０ｇとジアリルモノメチルイソシアヌレート２９ｇと１，４－ジオキサン２６４ｇとの混合物に、白金－ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（ユミコアプレシャスメタルズ・ジャパン社製「Ｐｔ－ＶＴＳＣ－３Ｘ」、白金を３質量％含有する溶液）１４３μＬを加えて溶液Ｓ１を得た。また、別途、１，３，５，７－テトラハイドロジェン－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン８８ｇをトルエン１７６ｇに溶解させて溶液Ｓ２を得た。

　そして、酸素を３体積％含有する窒素雰囲気下、溶液Ｓ２を温度１０５℃に加熱した状態で、溶液Ｓ２に溶液Ｓ１を３時間かけて滴下し、滴下終了後、温度１０５℃に保持しつつ３０分間攪拌して、溶液Ｓ３を得た。なお、得られた溶液Ｓ３に含まれる化合物のアルケニル基の反応率を、^１Ｈ－ＮＭＲで測定したところ、当該反応率は９５％以上であった。

　また、別途、１－ビニル－３，４－エポキシシクロヘキサン６２ｇをトルエン６２ｇに溶解させて溶液Ｓ４を得た。

　そして、酸素を３体積％含有する窒素雰囲気下、溶液Ｓ３を温度１０５℃に加熱した状態で、溶液Ｓ３に溶液Ｓ４を１時間かけて滴下し、滴下終了後、温度１０５℃に保持しつつ３０分間攪拌して、溶液Ｓ５を得た。なお、得られた溶液Ｓ５に含まれる化合物のアルケニル基の反応率を、^１Ｈ－ＮＭＲで測定したところ、当該反応率は９５％以上であった。

　次いで、溶液Ｓ５を冷却した後、溶液Ｓ５から溶媒（トルエン、キシレン及び１，４－ジオキサン）を減圧留去し、固形分を得た。次いで、得られた固形分にプロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタート（以下、「ＰＧＭＥＡ」と記載する）を加えて、硬化性化合物Ｐ１を含む溶液ＳＰ１（硬化性化合物Ｐ１の濃度：７０質量％）を得た。硬化性化合物Ｐ１は、１分子中に複数個のカチオン重合性基（具体的には脂環式エポキシ基）と複数個のアルカリ可溶性基（具体的にはＸ２基）とを有し、かつ主鎖に環状ポリシロキサン構造を有するポリシロキサン化合物（重量平均分子量３００００のポリマー）であった。

［硬化性化合物Ｐ２の合成］
　１－ビニル－３，４－エポキシシクロヘキサン６２ｇの代わりにアリルアクリレート６２ｇを用いたこと以外は、上記［硬化性化合物Ｐ１の合成］と同じ手順で、硬化性化合物Ｐ２を含む溶液ＳＰ２（硬化性化合物Ｐ２の濃度：７０質量％）を得た。硬化性化合物Ｐ２は、１分子中に複数個のラジカル重合性基（具体的にはアクリロイル基）と複数個のアルカリ可溶性基（具体的にはＸ２基）とを有し、かつ主鎖に環状ポリシロキサン構造を有するポリシロキサン化合物（重量平均分子量２８０００のポリマー）であった。

＜他の材料の準備＞
　現像性組成物の材料として、溶液ＳＰ１、溶液ＳＰ２及びＰＧＭＥＡ以外に、以下の材料を準備した。
・１分子中に２個の脂環式エポキシ基を有する硬化性化合物である３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル社製「セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ」、以下、「２０２１Ｐ」と記載する）
・１分子中に１個の脂環式エポキシ基を有する硬化性化合物である４，５－エポキシシクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸ジ２－エチルヘキシル（新日本理化社製「サンソサイザー（登録商標）Ｅ－ＰＳ」、以下、「Ｅ－ＰＳ」と記載する）
・１分子中に３個のアクリロイル基を有する硬化性化合物であるトリメチロールプロパントリアクリレート（新中村化学工業社製「Ａ－ＴＭＰＴ」、以下、「Ａ－ＴＭＰＴ」と記載する）
・ナフタルイミド構造を有する光カチオン重合開始剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＳＰ－６０６」、以下、「ＳＰ－６０６」と記載する）
・光カチオン重合開始剤であるスルホニウム塩系化合物（サンアプロ社製「ＣＰＩ－２１０Ｓ」、以下、「ＣＰＩ－２１０Ｓ」と記載する）
・増感剤である９，１０－ジプロポキシアントラセン（川崎化成工業社製、以下、「９，１０－ＤＰＡ」と記載する）
・酸性基を有するエポキシアクリレート系化合物（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＣＣＲ－１２９１Ｈ」、以下、「１２９１Ｈ」と記載する）
・光ラジカル重合開始剤であるオキシムエステル系化合物（ＢＡＳＦジャパン社製「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＯＸＥ０２」、以下、「ＯＸＥ０２」と記載する）
・着色剤であるカーボンブラック（三菱ケミカル社製「ＭＡ１００」、以下、「ＭＡ１００」と記載する）

＜現像性組成物の調製＞
　表１及び表２に記載の材料を、表１及び表２に記載の配合量で配合し、実施例及び比較例で使用する現像性組成物ＤＰ１～ＤＰ１５をそれぞれ得た。なお、硬化性化合物Ｐ１及び硬化性化合物Ｐ２を配合する際は、それぞれ溶液ＳＰ１及び溶液ＳＰ２として配合した。また、表１及び表２において、現像性組成物ＤＰ１～ＤＰ４、ＤＰ６～ＤＰ１１及びＤＰ１３～ＤＰ１５のＰＧＭＥＡの配合量には、溶液ＳＰ１又は溶液ＳＰ２中のＰＧＭＥＡの量も含まれる。また、表１及び表２において、「Ｐ１」及び「Ｐ２」は、それぞれ硬化性化合物Ｐ１及び硬化性化合物Ｐ２を意味する。また、表１及び表２において、「－」は、当該材料を配合しなかったことを意味する。

＜基板積層体の作製＞
　以下、実施例１～１５及び比較例１～１１の基板積層体（詳しくは、密閉された中空部を有する中空構造体）の作製方法について、それぞれ説明する。

［実施例１］
（試料１の作製）
　第１基板としてのガラス基板上に、スピンコーターにより第１現像性組成物としての現像性組成物ＤＰ１を塗布し、ガラス基板上に現像性組成物ＤＰ１から構成される第１膜が形成された第１の積層体を得た。次いで、温度１２０℃に加熱したホットプレート上で、第１の積層体を５分間加熱した。次いで、加熱後の第１膜上に、スピンコーターにより第２現像性組成物としての現像性組成物ＤＰ６を塗布し、第１膜上に、現像性組成物ＤＰ６から構成される第２膜を形成した。これにより、ガラス基板上に、第１膜及び第２膜がこの順に形成された第２の積層体を得た。次いで、温度１２０℃に加熱したホットプレート上で、第２の積層体を５分間加熱し、ガラス基板上に、第１膜（厚み：４μｍ）と第２膜（厚み：２０μｍ）とを含む塗膜を形成した。

　次いで、手動露光機（大日本科研社製「ＭＡ－１３００」、ランプ：高圧水銀ランプ）を用いて、格子状にラインパターンが形成されたフォトマスク（縦方向：ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍ、横方向：ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍ）を通して、積算露光量１００００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、加熱後の第２の積層体の塗膜に光を照射することにより、塗膜を露光（詳しくは、ソフトコンタクト露光）した。

　次いで、温度１２０℃に加熱したホットプレート上で、露光後の第２の積層体を１０分間加熱した。次いで、加熱後の第２の積層体を、温度２５℃の雰囲気下で１分間放置した後、アルカリ性現像液としてのＴＭＡＨ水溶液（ＴＭＡＨの濃度：２．３８質量％）に６０秒間浸漬した。次いで、アルカリ性現像液に浸漬した第２の積層体を、３０秒間水洗した後、表面の水分を圧縮空気で除去した。これにより、格子状にパターン化された半硬化状態の塗膜（パターン膜）を形成した。

　次いで、温度２３０℃に加熱したホットプレート上で、水分が除去された第２の積層体を３０分間加熱して、パターン膜（露光部）を硬化させることにより、ガラス基板上にパターン化された硬化物層（格子状にパターン化された塗膜が硬化した層）を有する試料１を得た。硬化物層は、ガラス基板側から、現像性組成物ＤＰ１の硬化物から構成される第１層（厚み：４μｍ）、及び現像性組成物ＤＰ６の硬化物から構成される第２層（厚み：２０μｍ）をこの順に有していた。

（試料２の作製）
　試料１をダイシング装置で切断し、１２ｍｍ×１２ｍｍの大きさに個片化された試料２を得た。試料２は、試料１を個片化した試料である。

（基板積層体の作製）
　試料２と、第２基板としてのシリコンウェハー（大きさ：１２ｍｍ×１２ｍｍ）とをエポキシ系接着剤を介して積層させることにより、第３の積層体を得た。なお、積層の際には、硬化物層とシリコンウェハーとの間にエポキシ系接着剤が介在するように積層した。また、使用したエポキシ系接着剤は、主剤としてビスフェノールＡジグリシジルエーテルを含み、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤を含み、かつ主剤と硬化剤の質量比（主剤／硬化剤）が１００／３である熱硬化型接着剤であった。

　次いで、第３の積層体を温度２００℃のオーブン中で２時間加熱することにより、実施例１の基板積層体を得た。実施例１の基板積層体は、ガラス基板と、硬化物層と、接着剤の硬化物から構成される接着剤層（厚み：１００μｍ）と、シリコンウェハーとがこの順で積層された構造を有する基板積層体であった。

［実施例２～８］
　第１現像性組成物及び第２現像性組成物として、後述する表３に記載の現像性組成物を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法で実施例２～８の基板積層体をそれぞれ得た。

［実施例９］
　アルカリ性現像液の代わりに有機溶剤現像液（ＰＧＭＥＡ）を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法で実施例９の基板積層体を得た。

［実施例１０］
　ガラス基板上に第１膜及び第２膜を形成した後、露光前に、以下に示す第３膜形成工程を実施したこと以外は、実施例１と同じ方法で実施例１０の基板積層体を得た。

（第３膜形成工程）
　第２膜上に、スピンコーターにより第３現像性組成物としての現像性組成物ＤＰ１４を塗布し、第２膜上に、現像性組成物ＤＰ１４から構成される第３膜を形成した。次いで、温度１２０℃に加熱したホットプレート上で、得られた積層物を５分間加熱し、ガラス基板上に、第１膜（厚み：４μｍ）と第２膜（厚み：２０μｍ）と第３膜（厚み：４６μｍ）とを含む塗膜を形成した。

［実施例１１］
　現像性組成物ＤＰ１４の代わりに現像性組成物ＤＰ１５を用いたこと以外は、実施例１０と同じ方法で実施例１１の基板積層体を得た。

［実施例１２～１５］
　加熱後かつ露光前の第２の積層体中の第１膜の厚みが、後述する表４に記載の厚みとなるように第１現像性組成物の塗工量を調整したこと以外は、実施例１と同じ方法で実施例１２～１５の基板積層体をそれぞれ得た。

［比較例１］
　ガラス基板上に、第１膜を形成せずに、直接第２膜を形成したこと以外は、実施例１と同じ方法で比較例１の基板積層体を得た。

［比較例２～８］
　第２現像性組成物として、後述する表５及び表６に記載の現像性組成物を用いたこと以外は、比較例１と同じ方法で比較例２～８の基板積層体をそれぞれ得た。

［比較例９］
　アルカリ性現像液の代わりに有機溶剤現像液（ＰＧＭＥＡ）を用いたこと以外は、比較例１と同じ方法で比較例９の基板積層体を得た。

［比較例１０］
　ガラス基板上に第２膜を形成した後、露光前に、以下に示す第３膜形成工程を実施したこと以外は、比較例１と同じ方法で比較例１０の基板積層体を得た。

（第３膜形成工程）
　第２膜上に、スピンコーターにより第３現像性組成物としての現像性組成物ＤＰ１４を塗布し、第２膜上に、現像性組成物ＤＰ１４から構成される第３膜を形成した。次いで、温度１２０℃に加熱したホットプレート上で、得られた積層物を５分間加熱し、ガラス基板上に、第２膜（厚み：２０μｍ）と第３膜（厚み：４６μｍ）とを含む塗膜を形成した。

［比較例１１］
　現像性組成物ＤＰ１４の代わりに現像性組成物ＤＰ１５を用いたこと以外は、比較例１０と同じ方法で比較例１１の基板積層体を得た。

＜物性の測定方法及び評価方法＞
　次に、各種物性の測定方法及び評価方法について説明する。

［異物の有無］
　３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製「ＬＥＸＴ（登録商標）ＯＬＳ４０００」）を用いて、試料２の硬化物層のパターン間を倍率１００倍で観察し、ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍのパターン領域のスペース部における着色剤由来の異物の有無を確認した。そして、下記基準により、異物の有無について判定した。判定がＡ又はＢの場合、「着色剤由来の異物の付着を抑制できている」と評価した。一方、判定がＣの場合、「着色剤由来の異物の付着を抑制できていない」と評価した。
　Ａ：最大径２５μｍ以上の異物が確認されなかった。
　Ｂ：最大径２５μｍ以上の異物が確認されたが、その異物の個数は５個以下であった。
　Ｃ：最大径２５μｍ以上の異物が６個以上確認された。

［パターニング性］
　３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス社製「ＬＥＸＴ（登録商標）ＯＬＳ４０００」）及び触針式表面形状測定器（Ｖｅｅｃｏ社製「Ｄｅｋｔａｋ（登録商標）１５０」）を用いて、試料１のパターン膜のパターン形状を観察し、下記基準に従って評価した。
　Ａ：ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍのパターン領域において残渣及び剥離のいずれも生じていなかった。
　Ｂ：ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍのパターン領域において残渣及び剥離のいずれか一方が生じたが、ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍのパターン領域では残渣及び剥離のいずれも生じていなかった。
　Ｃ：上記Ａ及びＢ以外

［光学濃度］
　透過濃度計（Ｘ－ｒｉｔｅ社製「３６１Ｔ」）を用いて、試料１の光学濃度（ＯＤ）を測定した。実施例１、２及び５～１５並びに比較例１、２及び５～１１では、光学濃度が２．７であった。実施例３及び比較例３では、光学濃度が４．０であった。実施例４及び比較例４では、光学濃度が０．５であった。

［ダイシェア強度］
　ダイシェア試験機（Ｎｏｒｄｓｏｎ　ＤＡＧＥ社製「ＳＥＲＩＥＳ４０００」）を用いて、基板積層体に剪断力（詳しくは、ガラス基板とシリコンウェハーとに剪断力）を加えて、基板積層体からシリコンウェハーが剥離する際の荷重を測定した。そして、荷重の最大値をダイシェア強度とした。なお、ダイシェア強度は、ＭＩＬ　ＳＴＤ　８８３に準拠し、シェア高さ５０μｍかつシェアスピード８０μｍ／秒の条件で測定した。

［冷熱衝撃試験１（試料２の冷熱衝撃試験）］
　各実施例及び各比較例について、基板積層体を作製するための試料２を５つ準備し、それぞれヒートショック試験装置（日立グローバルライフソリューションズ社製「ＥＳ－５７Ｌ」）を用いて冷熱衝撃試験を実施した。冷熱衝撃試験は、試料２を、－５５℃の雰囲気下で３０分保持した後、１２５℃の雰囲気下で３０分保持する操作を１サイクルとして、１０００サイクル行った。そして、５００サイクル終了時及び１０００サイクル終了時に、光学顕微鏡により試料２をガラス基板側から観察し、下記基準に従って評価した。なお、試料２の冷熱衝撃試験（冷熱衝撃試験１）は、後述する基板積層体の冷熱衝撃試験（冷熱衝撃試験２）に比べ、ガラス基板と硬化物層との熱膨張係数の違いが顕在化するため、より厳しい条件で信頼性を評価できる。
　Ａ：５００サイクル終了時及び１０００サイクル終了時において、５つの試料２のいずれにも欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されなかった。
　Ｂ：１０００サイクル終了時に、５つの試料２のいずれかに欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されたが、５００サイクル終了時には、５つの試料２のいずれにも欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されなかった。
　Ｃ：上記Ａ及びＢ以外

［冷熱衝撃試験２（基板積層体の冷熱衝撃試験）］
　各実施例及び各比較例について、基板積層体を５つ準備し、それぞれヒートショック試験装置（日立グローバルライフソリューションズ社製「ＥＳ－５７Ｌ」）を用いて冷熱衝撃試験を実施した。冷熱衝撃試験は、基板積層体を、－５５℃の雰囲気下で３０分保持した後、１２５℃の雰囲気下で３０分保持する操作を１サイクルとして、２０００サイクル行った。そして、１０００サイクル終了時及び２０００サイクル終了時に、光学顕微鏡により基板積層体をガラス基板側から観察し、下記基準に従って評価した。
　Ａ：１０００サイクル終了時及び２０００サイクル終了時において、５つの基板積層体のいずれにも欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されなかった。
　Ｂ：２０００サイクル終了時に、５つの基板積層体のいずれかに欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されたが、１０００サイクル終了時には、５つの基板積層体のいずれにも欠陥（クラック及び剥離のうちの少なくとも１つ）が確認されなかった。
　Ｃ：上記Ａ及びＢ以外

［ベイリンググレア指数］
　試料２と、イメージセンサ基板と、エポキシ系接着剤とを用いてカメラモジュールを作製した。使用したエポキシ系接着剤は、主剤としてビスフェノールＡジグリシジルエーテルを含み、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤を含み、かつ主剤と硬化剤の質量比（主剤／硬化剤）が１００／３である熱硬化型接着剤であった。得られたカメラモジュールを測定用試料として、ベイリンググレア評価装置（壺坂電機社製「ＬＦＭ－１０００」）を用いてベイリンググレア指数を測定した。なお、ベイリンググレア指数（単位：％）は、式「ベイリンググレア指数＝１００×黒体の輝度／白体の輝度」から得られる。そして、下記に示す基準試料について、ベイリンググレア評価装置（壺坂電機社製「ＬＦＭ－１０００」）を用いて得られたベイリンググレア指数を１００％として、測定用試料のベイリンググレア指数を規格化した。規格化した値（以下、「規格化ＢＧ指数」と記載する）を、フレア発生を抑制できる性能の指標とした。規格化ＢＧ指数が小さいほど、フレア発生を抑制できる性能が高いと評価した。規格化ＢＧ指数は、好ましくは９５％以下であり、より好ましくは９０％以下であり、更に好ましくは８８％以下である。

（基準試料）
　試料２の代わりにガラス基板を用いたこと以外は、上記測定用試料の作製方法と同じ方法でカメラモジュールを作製し、当該カメラモジュールを基準試料とした。

　実施例１～１５及び比較例１～１１について、第１現像性組成物の種類、第２現像性組成物の種類、第３現像性組成物の種類、第１膜の厚み、現像液の種類、異物の有無、パターニング性、ダイシェア強度、冷熱衝撃試験１の評価結果、冷熱衝撃試験２の評価結果及び規格化ＢＧ指数を、表３～表６にそれぞれ示す。なお、表５及び表６において、第１現像性組成物の種類の欄の「－」は、第１膜を形成しなかったことを意味する。表３～表６において、第３現像性組成物の種類の欄の「－」は、第３膜を形成しなかったことを意味する。表３～表６において、「ＡＬＫ」はアルカリ性現像液を意味する。表４及び表６において、「ＯＲＧ」は有機溶剤現像液を意味する。

　実施例１～１５の基板積層体では、硬化物層が、ガラス基板側から、着色剤を含まない現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び着色剤を含む現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有していた。表３及び表４に示すように、実施例１～１５では、異物の有無の判定結果がＡ又はＢであった。よって、実施例１～１５は、着色剤由来の異物の付着を抑制できていた。

　比較例１～１１の基板積層体では、着色剤を含む現像性組成物の硬化物から構成される層がガラス基板上に直接形成されていた。表５及び表６に示すように、比較例１～１１では、異物の有無の判定結果がＣであった。よって、比較例１～１１は、着色剤由来の異物の付着を抑制できていなかった。

　以上の結果から、本発明によれば、着色剤由来の異物の付着を抑制できる基板積層体を提供できることが示された。

１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０　基板積層体
１１　第１基板
１２　第２基板
１３　硬化物層
１４　第１層
１５　第２層
１６　接着剤層
３１　半導体素子基板
３２　枠材
２００　塗膜
２０１　第１膜
２０２　第２膜
３００　フォトマスク
３０１　第１半硬化層
３０２　第２半硬化層
３０３　露光部
３０６　非露光部

Claims

　第１基板上に塗膜を形成する工程Ｓａと、
　フォトマスクを通して前記塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを前記第１基板上に形成する工程Ｓｂと、
　現像液で前記非露光部を前記第１基板上から除去することにより、前記第１基板上にパターン化された前記塗膜を形成する工程Ｓｃと、
　前記第１基板と第２基板とをパターン化された前記塗膜を介して接着する工程Ｓｄ１と
を備える基板積層体の製造方法であって、
　前記半硬化状態の露光部は、前記第１基板側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体の製造方法。
　前記第２基板は、半導体素子基板と枠材とを有し、
　前記工程Ｓｄ１において、前記第１基板と前記枠材とをパターン化された前記塗膜を介して接着する、請求項１に記載の基板積層体の製造方法。
　前記工程Ｓｄ１において、パターン化された前記塗膜を加熱して、前記半硬化状態の第１現像性組成物及び前記半硬化状態の第２現像性組成物を更に硬化させた後、硬化後の前記塗膜と前記第２基板とを接着剤により接着する、請求項１又は２に記載の基板積層体の製造方法。
　前記工程Ｓｄ１において、前記第１基板と前記第２基板とを、半硬化状態でパターン化された前記塗膜を介して積層することにより積層物を形成した後、前記積層物を加熱して前記塗膜を更に硬化させることにより、前記第１基板と前記第２基板とを接着する、請求項１又は２に記載の基板積層体の製造方法。
　第１基板上に塗膜を形成する工程Ｓａと、
　フォトマスクを通して前記塗膜に活性エネルギー線を照射することにより、半硬化状態の露光部と、非露光部とを前記第１基板上に形成する工程Ｓｂと、
　現像液で前記非露光部を前記第１基板上から除去することにより、前記第１基板上にパターン化された前記塗膜を形成する工程Ｓｃと、
　前記第１基板のパターン化された前記塗膜が形成された側とは反対側の面と、第２基板とを接着剤により接着する工程Ｓｄ２と
を備える基板積層体の製造方法であって、
　前記半硬化状態の露光部は、前記第１基板側から、半硬化状態の第１現像性組成物から構成される第１半硬化層、及び半硬化状態の第２現像性組成物から構成される第２半硬化層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体の製造方法。
　前記第２基板は、半導体素子基板と枠材とを有し、
　前記工程Ｓｄ２において、前記第１基板と前記枠材とを前記接着剤により接着する、請求項５に記載の基板積層体の製造方法。
　前記工程Ｓａにおいて、前記第１基板上に前記第１現像性組成物を塗布した後、前記第１現像性組成物から構成される第１膜上に前記第２現像性組成物を塗布することにより、前記第１膜と、前記第２現像性組成物から構成される第２膜とを含む前記塗膜を形成する、請求項１又は５に記載の基板積層体の製造方法。
　前記塗膜は、第３現像性組成物から構成される第３膜を更に含み、
　前記第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記工程Ｓａにおいて、前記第２膜の前記第１膜側とは反対側の面に前記第３現像性組成物を塗布する、請求項７に記載の基板積層体の製造方法。
　前記工程Ｓａにおいて、前記第１基板上に前記第１現像性組成物を塗布し、前記第１現像性組成物から構成される第１膜に活性エネルギー線を照射し、活性エネルギー線を照射した後の前記第１膜上に前記第２現像性組成物を塗布することにより、前記第１膜と、前記第２現像性組成物から構成される第２膜とを含む前記塗膜を形成する、請求項１又は５に記載の基板積層体の製造方法。
　前記塗膜は、第３現像性組成物から構成される第３膜を更に含み、
　前記第３現像性組成物は、重合性を有する第３硬化性化合物と、第３光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記工程Ｓａにおいて、前記第２膜の前記第１膜側とは反対側の面に前記第３現像性組成物を塗布する、請求項９に記載の基板積層体の製造方法。
　前記第１現像性組成物及び前記第２現像性組成物は、アルカリ可溶性を有し、
　前記第１硬化性化合物及び前記第２硬化性化合物のうちの少なくとも一方は、カチオン重合性又はラジカル重合性を有する、請求項１又は５に記載の基板積層体の製造方法。
　前記第２光重合開始剤は、光カチオン重合開始剤であり、
　前記光カチオン重合開始剤は、ナフタルイミド構造及びオキシムスルホネート構造からなる群より選択される１種以上の構造を有する、請求項１又は５に記載の基板積層体の製造方法。
　第１基板、第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する硬化物層を有する基板積層体であって、
　前記硬化物層は、パターン化されており、かつ前記第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体。
　前記硬化物層と前記第２基板とを接着する接着剤層を更に有する、請求項１３に記載の基板積層体。
　第１基板、第２基板、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着剤層、及び前記第１基板の前記第２基板側とは反対側の面に配置された硬化物層を有する基板積層体であって、
　前記硬化物層は、パターン化されており、かつ前記第１基板側から、第１現像性組成物の硬化物から構成される第１層、及び第２現像性組成物の硬化物から構成される第２層をこの順に有し、
　前記第１現像性組成物は、重合性を有する第１硬化性化合物と、第１光重合開始剤とを含み、かつ着色剤を含まない現像性組成物であり、
　前記第２現像性組成物は、重合性を有する第２硬化性化合物と、第２光重合開始剤と、着色剤とを含む現像性組成物である、基板積層体。
　請求項１３又は１５に記載の基板積層体を含む、イメージセンサ。