WO2023008234A1

WO2023008234A1 - デバイス構造体及びその製造方法

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Publication number: WO2023008234A1
Application number: PCT/JP2022/027878
Authority: WO
Inventors: 幹文柏木
Original assignee: 日本ゼオン株式会社
Priority date: 2021-07-30
Filing date: 2022-07-15
Publication date: 2023-02-02
Also published as: JPWO2023008234A1; TW202313347A; CN117501807A; KR20240040680A

Abstract

基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物と、前記素子部を封止する封止層と、を含む、デバイス構造体であって、前記封止層が、前記素子部に対し、有機封止層及び無機封止層がこの順で積層された構造を有し、前記無機封止層が、窒化ケイ素を含み、前記有機封止層が、熱可塑性エラストマーを含み、かつ、ジブチルエーテルに対する溶解試験における、前記有機封止層の残膜率が９０％以上である、デバイス構造体。前記封止層が、前記素子部上に設けられた第一封止層と、前記第一封止層上に設けられた、２層以上の第二封止層及び２層以上の第三封止層とを含み、前記第二封止層及び前記第三封止層が交互に積層された構造を有し、前記第二封止層が、前記無機封止層であり、前記第三封止層が前記有機封止層であることが好ましい。

Description

デバイス構造体及びその製造方法

　本発明は、デバイス構造体及びその製造方法に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス装置及びフレキシブルタッチセンサ等のデバイスでは、デバイス内への水分の侵入を抑制する構成要素を設けることが求められる場合がある。例えば有機エレクトロルミネッセンス装置は、ガラス板等の基材と、この基材上に設けられた電極層及び発光層を含む素子部とを備えうる。素子部に含まれる材料には、水分の侵入によって劣化しうるものがある。そこで、素子部への水分の侵入を抑制するために、素子部を封止する封止層を形成することがある。

　多くのデバイスにおいて、封止層は、有機材料で形成された有機封止層と無機材料で形成された無機封止層とを備える（特許文献１）。従来、有機封止層は、大気圧下で形成されることが一般的であった。また、無機封止層は、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法によって、真空環境下で形成されることが多かった。

　しかし、特許文献１に記載のような真空環境下でのプロセスは、無機封止層の形成装置が大型化及び複雑化するので、高コストの原因となっていた。特に、プラズマを用いるプラズマＣＶＤ法等のプロセスでは、プラズマダスト等の粒子が発生し、この粒子が素子部の劣化の原因となりえた。

　このような背景から、大気圧下で無機封止層を形成できる技術の開発が求められている。この要求に応えるため、近年、ポリシラザン化合物を用いて、窒化ケイ素を含む無機封止層を大気圧下で形成する方法が開発されている（特許文献２及び非特許文献１）。

特開２０１８－１４７８１２号公報特開２０１５－２０２６２０号公報

Ｌｉｎａ　Ｓｕｎ、Ｋａｈｏ　Ｕｅｍｕｒａ、Ｔａｔｓｕｈｉｒｏ　Ｔａｋａｈａｓｈｉ、Ｔｓｕｋａｓａ　Ｙｏｓｈｉｄａ、Ｙｏｓｈｉｙｕｋｉ　Ｓｕｚｕｒｉ、「Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　ｉｎ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｂａｓｅｄ　Ｈｙｂｒｉｄ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ｆｏｒ　Ｈｉｇｈ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ」、ＡＣＳ　Ａｐｐｌ．　Ｍａｔｅｒ．　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ、１１、４３４２５－４３４３２（２０１９）

　窒化ケイ素を含む無機封止層及び有機封止層を備える封止層は、高温高湿環境下における封止性能の向上が要求されている。本発明は、上記実情に鑑みてなされた発明であり、窒化ケイ素を含み、高温高湿環境下における封止性能が良好な封止層を備えるデバイス構造体及び前記のデバイス構造体を容易に形成できる製造方法を提供すること目的とする。

　本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討したところ以下の知見を得た。ポリシラザン化合物を含む液状組成物を用いて無機封止層を形成するに際し、ジブチルエーテルはポリシラザン化合物への影響が少ないといった理由から好適に用いられる溶媒の一つである。しかしながら、ジブチルエーテルは、熱可塑性エラストマーを含む有機封止層に対しダメージを与えやすいことを知見した。この課題に対し、本発明者は、有機封止層に真空紫外線を照射することにより、有機封止層のジブチルエーテル耐性が向上させることができることを知見した。本発明はこのような知見に基づきなされた発明であり、以下のものを含む。

　［１］　基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物と、前記素子部を封止する封止層と、を含む、デバイス構造体であって、前記封止層が、前記素子部に対し、有機封止層及び無機封止層がこの順で積層された構造を有し、前記無機封止層が、窒化ケイ素を含み、前記有機封止層が、熱可塑性エラストマーを含み、かつ、ジブチルエーテルに対する溶解試験における、前記有機封止層の残膜率が９０％以上である、デバイス構造体。
　［２］　前記封止層が、前記素子部上に設けられた第一封止層と、前記第一封止層上に設けられた、２層以上の第二封止層及び２層以上の第三封止層とを含み、前記第二封止層及び前記第三封止層が交互に積層された構造を有し、前記第二封止層が、前記無機封止層であり、前記第三封止層が前記有機封止層である、［１］に記載のデバイス構造体。
　［３］　前記第一封止層が、前記有機封止層、またはシリコーンを含むシリコーン封止層である、［１］または［２］に記載のデバイス構造体。
　［４］　前記熱可塑性エラストマーが、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体、及び、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物、からなる群より選ばれる１種類以上である、［１］～［３］のいずれか一項に記載のデバイス構造体。
　［５］　前記水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体が、非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合及び芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の両方を水素化した構造を有する、［４］に記載のデバイス構造体。
　［６］　前記第有機封止層が、水分吸着剤及び紫外線吸収剤からなる群より選ばれる１種類以上を含む、［１］～［５］までのいずれか一項に記載のデバイス構造体。
　［７］　前記封止層に含まれる各構成層の厚みが、３００ｎｍ以下である、［１］～［６］のいずれか一項に記載のデバイス構造体。
　［８］　前記素子部が、有機エレクトロルミネッセンス素子部である、［１］～［７］のいずれか一項に記載のデバイス構造体。
　［９］　基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物を用意する工程（ａ）と、前記素子部を封止する封止層を形成する工程（ｂ）と、を含む、デバイス構造体の製造方法であって、前記封止層を形成する工程（ｂ）が、有機封止層を形成する工程（ｂ１）と、工程（ｂ１）後に無機封止層を形成する工程（ｂ２）とを含み、前記工程（ｂ１）が、熱可塑性エラストマーを含む有機中間層を形成する工程（ｂ１－１）と、前記有機中間層に対し真空紫外線を照射して、前記有機封止層を得る工程（ｂ１－２）と、を含み、前記工程（ｂ２）が、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を用いて中間体層を形成する工程（ｂ２－１）と、前記中間体層に紫外線を照射して、窒化ケイ素を含む無機封止層を得る工程（ｂ２－２）と、を含む、デバイス構造体の製造方法。
　［１０］　前記工程（ｂ）の前記液状組成物が前記溶媒としてジブチルエーテルを含む、［９］に記載のデバイス構造体の製造方法。
　［１１］　前記工程（ｂ１－２）が、前記有機中間層に対し、不活性ガス雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－１）と、前記工程（ｂ１－２－１）後の前記有機中間層に対し、不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－２）と、を含む、［９］または［１０］に記載のデバイス構造体の製造方法。
　［１２］　前記工程（ｂ）が、第一封止層を形成する工程（ｂ３）、前記第一封止層上に設けられる前記無機封止層としての第二封止層を形成する工程（ｂ４）、及び前記第二封止層上に設けられる前記有機封止層としての第三封止層を形成する工程（ｂ５）とを有し、前記工程（ｂ４）及び前記工程（ｂ５）を少なくとも２回以上交互に行う工程を含み、前記工程（ｂ４）が、前記工程（ｂ２）であり、前記工程（ｂ５）が、前記工程（ｂ１）である、［９］～［１１］のいずれか一項に記載のデバイス構造体の製造方法。
　［１３］　前記工程（ｂ３）が、前記工程（ｂ１）であり、前記有機封止層としての前記第一封止層を形成する工程である、［１２］に記載のデバイス構造体の製造方法。

　本発明によれば、窒化ケイ素を含み、高温高湿環境下における封止性能が良好な封止層を備えるデバイス構造体及び前記のデバイス構造体を容易に形成できる製造方法を提供できる。

図１は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体を模式的に示す断面図である。図２は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の工程（ａ）で用意される複層物を模式的に示す断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の工程（ｂ）において、被層物上に、素子部を封止する第一封止層が形成された様子を模式的に示す断面図である。図４は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の工程（ｂ）において、被層物上に、無機封止層としての第二封止層が形成された様子を模式的に示す断面図である。図５は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の工程（ｂ）において、被層物上に、有機封止層としての第三封止層が形成された様子を模式的に示す断面図である。図６は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の工程（ｂ）において、被層物上に、無機封止層としての第二封止層及び有機封止層としての第三封止層が交互に形成された様子を模式的に示す断面図である。図７は、実施例及び比較例の顕微鏡観察の結果を示す表を示す図である。図８は、実施例及び比較例のシュリンケージの変化を示すグラフを示す図である。

　以下、実施形態及び例示物を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、下記に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本願の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

　以下の説明において、別に断らない限り、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」、「メタクリル」及びこれらの組み合わせを包含する用語である。例えば、「（メタ）アクリル酸アルキルエステル」はアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、又はこれらの混合物を包含する。

　以下の説明において「溶媒」の文言により示されるものは、説明の便宜上、溶液における媒体のみならず、固形物をその中に分散させる分散媒をも包含する。

　［Ｉ．デバイス構造体］
　本発明の一実施形態に係るデバイス構造体は、基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物と、前記素子部を封止する封止層と、を含む、デバイス構造体であって、前記封止層が、前記素子部に対し、有機封止層及び無機封止層がこの順で積層された構造を有し、前記無機封止層が、窒化ケイ素を含み、前記有機封止層が、熱可塑性エラストマーを含み、かつ、ジブチルエーテルに対する溶解試験における、前記有機封止層の残膜率が９０％以上である。

　図１は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体を模式的に示す断面図である。デバイス構造体１０は、基材１１０、及び、基材１１０上に設けられた素子部１２０を備える複層物１００と、素子部１２０を封止する封止層２００と、を含む。封止層２００は、素子部１２０に対し、有機封止層２１０及び無機封止層２２０がこの順で積層された構造を有する。無機封止層２２０は、窒化ケイ素を含む。有機封止層２１０は、熱可塑性エラストマーを含み、かつ、ジブチルエーテルに対する溶解試験における、有機封止層２１０の残膜率が９０％以上である。

　図１に示すデバイス構造体１０においては、封止層２００が、素子部１２０上に設けられた第一封止層２０１と、第一封止層２０１上に設けられた、３層の第二封止層２０２及び３層の第三封止層２０３とを含み、第二封止層２０２及び第三封止層２０３が交互に積層された構造を有し、第二封止層２０２が、無機封止層２２０であり、第三封止層２０３が有機封止層２１０である例を示している。また、第一封止層２０１が、シリコーン封止層２３０である例を示している。

　ここで、ジブチルエーテルは、ポリシラザン化合物を用いた無機封止層の形成方法において、ポリシラザン化合物への反応性が小さいことから、ポリシラザン化合物の好ましい溶媒の一つである。一方で、ジブチルエーテルは熱可塑性エラストマーを溶解する場合がある。そのため、有機封止層上に無機封止層を積層させて封止層を形成するに際し、ポリシラザン化合物及びジブチルエーテルを含む液状組成物を有機封止層上に塗工した場合、有機封止層がジブチルエーテルにより劣化してしまい、封止層全体として十分な封止性能が得られない場合がある。これに対し、本実施態様に係るデバイス構造体は、ジブチルエーテルへの溶解試験に対する、有機封止層の残膜率が高いことから、有機封止層のジブチルエーテル耐性が高い。そのため、前述の液状組成物を有機封止層に塗工した場合も、有機封止層がジブチルエーテルにより劣化することを抑制することができる。よって、有機封止層及び無機封止層が良好な状態で積層された封止層とすることができるため、高温高湿環境下における封止性能を良好にすることができる。

　［１．被層物］
　被層物１０は、基材と、基材上に形成された素子部とを含む。
　基材１１０としては、デバイス構造体を構成しうるものを適宜採用しうる。基材１１０の例としては、ガラス板、樹脂製の板、及び樹脂製のフィルムが挙げられる。基材は、１の層のみを備えていてもよく、複数の層を備えていてもよい。例えば、樹脂のフィルムと、その表面に設けられたバリア層とを含む基材１１０を用いてもよい。

　素子部１２０としては、デバイス構造体を構成しうるものを適宜採用しうる。通常、素子部１２０は、１又は２以上の導体層を含む。用語「導体層」により示される層には、層内の電子の移動によりその機能を発現する各種の層が包含される。よって、用語「導体層」には、例えば、金属等の導電性の高い層のみならず、比較的導電性の低い発光層等の有機薄層も包含されうる。本実施形態に係るデバイス構造体では、通常、この導体層の水分による劣化を抑制するために、封止層が形成される。

　導体層の例としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子部を構成する電極層、発光層及びこれらの組み合わせ；並びに、タッチパネルを構成するパターン状の配線；などが挙げられる。導体層は、基材１１０上に広い面積を占めて設けられていてもよい。また、導体層は、基材１１０上の配線及びその他の構造物のように、帯状の形状、細線状の形状、矩形の形状、ドット状の形状等の任意の表面形状をもって設けられていてもよい。

　素子部１２０が備える導体層の数は、１でもよく、２以上でもよい。素子部１２０が２以上の層を備える場合、それらの層は重ならずに並んだ状態であってもよく、それらの層の一部又は全部が重なった状態であってもよい。

　素子部１２０は、当該素子部１２０の内部又は表面に、導体層以外の部材を含んでいてもよい。このような部材としては、例えば、素子部１２０の機械的な構造を維持する部材などが挙げられる。この部材の具体例としては、液晶セル、有機エレクトロルミネッセンス素子等の表示素子の構成部材が挙げられる。

　図１では、素子部１２０として、第一電極層１２１、発光層１２２及び第二電極層１２３を厚み方向においてこの順に備える有機エレクトロルミネッセンス素子部を例に示して説明する。第一電極層１２１、発光層１２２及び第二電極層１２３はいずれも導体層であり、通常、第一電極層１２１及び第二電極層１２３から電圧を印加されることにより発光層１２２が光を生じうる。発光層１２２の材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、及びポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。また、発光層１２２は、複数の発光色が異なる層の積層体、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有していてもよい。さらに、素子部１２０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、等電位面形成層、電荷発生層等の機能層（図示せず。）を備えていてもよい。

　複層物１００は、例えば、基材１１０上に素子部１２０を形成することを含む製造方法によって、製造できる。素子部１２０の形成方法としては、例えば、スパッタリング、蒸着等の方法によって、基材１１０上に導体層を形成する方法が挙げられる。

　［２．封止層］
　封止層２００は、素子部１２０に対し、有機封止層２１０及び無機封止層２２０がこの順で積層された構造を有する。封止層２００は素子部１２０の少なくとも一部を封止するように設けられる層であり、好ましくは、素子部１２０の全部または大部分を封止するように設けられる。本実施形態においては、素子部の基材１１０の面に接していない部分の全体を封止するように封止部が形成される例を示して説明する。

　［２．１．封止層の層構造］
　封止層において、有機封止層と無機封止層とは、通常、有機封止層と無機封止層との間に他の層を介さずに直接積層される。封止層が、２層以上の有機封止層と２層以上の無機封止層とが交互に積層された多層構造である場合は、多層構造中に、１層の有機封止層及び１層の無機封止層が直接積層された構造を少なくとも含む。本実施形態においては、多層構造に含まれる有機封止層及び無機封止層が、それぞれ直接積層されていることが好ましい。

　２層以上の有機封止層と２層以上の無機封止層とが交互に積層された多層構造である場合、有機封止層と無機封止層との数は同数であってもよく、図示はしないが、有機封止層が無機封止層より１層多くてもよく、有機封止層が無機封止層より１層少なくてもよい。有機封止層の数は、例えば、２層以上であり、好ましくは３層以上であり、好ましくは１０層以下である。無機封止層の数は、例えば、２層以上であり、好ましくは３層以上であり、好ましくは１０層以下である。

　封止層の具体的な層構造は、デバイス構造体に応じて適宜選択し得る。例えば、図１に示すように、封止層２００は、素子部１２０に対し、第一封止層２０１、第二封止層２０２及び第三封止層２０３がこの順で積層された構造をとりうる。この場合、封止層２００は、例えば、無機封止層２２０としての第二封止層２０２と、有機封止層２１０としての第三封止層２０３とを有しうる。無機封止層２２０としての第二封止層２０２と、有機封止層２１０としての第三封止層２０３とを有する場合、２層以上の第二封止層２０２及び２層以上の第三封止層２０３とを有し、第二封止層２０２及び第三封止層２０３が交互に積層された構造を有することが好ましい。封止層２００の封止性能を高くすることができるからである。

　図１に示すように、封止層が、素子部に対し、第一封止層、第二封止層及び第三封止層がこの順で積層された構造を有する場合、第一封止層は、例えば、有機封止層としうる。また、第一封止層は、例えば、シリコーン封止層としうる。窒化ケイ素を含む無機封止層は高温高湿環境下における応力が高くなりやすい傾向に駆ることからクラックが生じやすい。そのため、第二封止層が無機封止層である場合、第一封止層として有機封止層またはシリコーン封止層を用いた場合、無機封止層の応力を吸収してクラックの発生を抑制することができる。第一封止層は、素子部を直接的に封止しうることから、素子部の種類に応じて、第一封止層の形成時における素子部への影響を考慮して、材料を選択することが好ましい。

　封止層が取り得る層構造としては、上述した層構造以外にも、例えば、素子部に対し、有機封止層及び無機封止層がこの順で積層された２層構造、及び素子部に対し、有機封止層、無機封止層及び有機封止層がこの順で積層された３層構造を挙げることができる。

　［２．２．有機封止層］
　有機封止層は、熱可塑性エラストマーを含む層である。また、有機封止層は、ジブチルエーテルに対する溶解試験における、残膜率が９０％以上である。

　ジブチルエーテルに対する溶解試験における、有機封止層の残膜率は以下の測定方法により得られる値である。まず、有機封止層をデバイス構造体の表面に露出させ、ジブチルエーテルに６０秒間浸漬させる。その後、自然乾燥させる。ジブチルエーテルへの浸漬前の有機封止層の厚みをＴ１とし、ジブチルエーテルへ浸漬させた後、自然乾燥させた有機封止層の厚みをＴ２とし、厚みＴ１に対するＴ２の割合を、残膜率とする。

　有機封止層の残膜率は、９０％以上であり、好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９８％以上であり、理想的には１００％である。

　有機封止層は、無機封止層よりも素子部側に形成される層である。有機封止層はジブチルエーテルに対する耐性が高いことから、無機封止層をポリシラザン化合物及びジブチルエーテルを含む液状組成物を用いて形成する場合、有機封止層へのダメージを抑制することができる。また、有機封止層は、素子部の表面に直接形成されていてもよく、素子部の表面に他の層を介して形成されていてもよい。有機封止層が、素子部の表面に直接形成されている場合、有機封止層は素子部を直接的に封止できる。ここで、層による素子部の封止が「直接的」とは、その層と素子部との間に他の層がないことをいう。

　［２．２．１．有機封止層の材料］
　（熱可塑性エラストマー）
　熱可塑性エラストマーとは、常温ではゴムの特性を示し、高温では可塑化されて成形加工が可能となる材料をいう。このような熱可塑性エラストマーは、小さい力の負荷では伸びも破断も生じにくい特性を有する。具体的には、熱可塑性エラストマーは、２３℃において、ヤング率０．００１～１ＧＰａ、及び引張伸び（破断伸度）１００～１０００％の値を示しうる。熱可塑性エラストマーはまた、４０℃以上２００℃以下の高い温度範囲において、貯蔵弾性率が急激に低下して損失正接ｔａｎδ（損失弾性率／貯蔵弾性率）がピークを持つか、１を超える値を示し、軟化しうる。ヤング率及び引張伸びは、ＪＩＳ　Ｋ７１１３に則り測定しうる。また、損失正接ｔａｎδは市販の動的粘弾性測定装置により測定しうる。

　熱可塑性エラストマーは、一般に、残留溶媒を含まないか、含むとしてもその量は少ない。よって、熱可塑性エラストマーは、アウトガスが少ないという利点、及び、架橋処理等を伴わない簡略な工程で封止を行いうるという利点を有する。

　熱可塑性エラストマーとして、重合体を用いうる。熱可塑性エラストマーとして用いうる重合体の例としては、エチレン－プロピレン共重合体などのエチレン－α－オレフィン共重合体；エチレン－α－オレフィン－ポリエン共重合体；エチレン－メチルメタクリレート、エチレン－ブチルアクリレート共重合体などの、エチレンと不飽和カルボン酸エステルとの共重合体；エチレン－酢酸ビニル共重合体などの、エチレンと脂肪酸ビニルとの共重合体；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸アルキルエステルの重合体；ポリブタジエン、ポリイソプレン、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ブタジエン－イソプレン共重合体、ブタジエン－（メタ）アクリル酸アルキルエステル共重合体、ブタジエン－（メタ）アクリル酸アルキルエステル－アクリロニトリル共重合体、ブタジエン－（メタ）アクリル酸アルキルエステル－アクリロニトリル－スチレン共重合体などの、ジエン系共重合体；ブチレン－イソプレン共重合体；スチレン－ブタジエンランダム共重合体、スチレン－イソプレンランダム共重合体、スチレン－ブタジエンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体などの、芳香族ビニル化合物－共役ジエン共重合体；水素化スチレン－ブタジエンランダム共重合体、水素化スチレン－イソプレンランダム共重合体、水素化スチレン－ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、水素化スチレン－イソプレンブロック共重合体、水素化スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体などの、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエン共重合体；低結晶性ポリブタジエン；スチレングラフトエチレン－プロピレンエラストマー；熱可塑性ポリエステルエラストマー；エチレン系アイオノマー；を挙げることができる。熱可塑性エラストマーは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　熱可塑性エラストマーとしては、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体が、本発明の所望の効果を得るためには好ましい。水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体とは、芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の水素化物を表す。即ち、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体は、芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合、芳香属性の炭素－炭素結合、又はこれらの両方の、一部又は全部を水素化して得られる構造を有する重合体を表す。ただし、前記の水素化物は、その製造方法によっては限定されない。

　芳香族ビニル化合物としては、スチレン及びその誘導体；ビニルナフタレン及びその誘導体；が好ましい。工業的な入手の容易さから、スチレンを用いることが特に好ましい。他方、共役ジエンとしては、鎖状共役ジエン（直鎖状共役ジエン、分岐鎖状共役ジエン）が好ましい。共役ジエンの好ましい例としては、１，３－ブタジエン、イソプレン（２－メチル－１,３－ブタジエン）、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエンが挙げられる。これらの中でも、工業的な入手の容易さから１，３－ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。

　全芳香族ビニル単量体単位が芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の全体に占める質量分率をｗＡとし、全共役ジエン単量体単位が芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の全体に占める質量分率をｗＢとした場合、ｗＡとｗＢとの比（ｗＡ／ｗＢ）は、特定の範囲にあることが好ましい。具体的には、前記の比（ｗＡ／ｗＢ）は、好ましくは２０／８０以上、より好ましくは３０／７０以上であり、好ましくは６０／４０以下、より好ましくは５５／４５以下である。前記の比ｗＡ／ｗＢが前記範囲の下限値以上である場合、有機封止層の耐熱性を向上させることができる。また、上限値以下である場合、有機封止層の柔軟性を高めることができる。また、前記比（ｗＡ／ｗＢ）を前記範囲内とした場合、有機封止層がゴム弾性を持つ温度範囲を広げることができるので、デバイス構造体が柔軟性を持つ温度範囲を広げることができる。

　芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体としては、スチレン－ブタジエンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、及びこれらの混合物から選ばれる重合体が好ましい。これらのより具体的な例としては、特開平２－１３３４０６号公報、特開平２－３０５８１４号公報、特開平３－７２５１２号公報、特開平３－７４４０９号公報、及び国際公開第２０１５／０９９０７９号などの技術文献に記載されているものが挙げられる。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の水素化率は、好ましくは９０％以上、より好ましくは９７％以上、特に好ましくは９９％以上である。水素化率が高いほど、有機封止層の耐熱性及び耐光性を良好にできる。水素化物の水素化率は、1Ｈ－ＮＭＲによる測定により求めることができる。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の水素化率は、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上である。非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の水素化率が高い場合、有機封止層の耐光性及び耐酸化性を更に高くできる。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の水素化率は、好ましくは９０％以上、より好ましくは９３％以上、特に好ましくは９５％以上である。芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の水素化率が高い場合、水素化物のガラス転移温度が高くなるので、有機封止層の耐熱性を効果的に高めることができる。さらに、有機封止層の光弾性係数を下げて、レターデーションの発現を低減することができる。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体は、非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合及び芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の両方を水素化した構造を有することが特に好ましい。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体の特に好ましいブロックの形態は、共役ジエン重合体水素化物のブロック［Ｂ］の両端に芳香族ビニル重合体水素化物のブロック［Ａ］が結合したトリブロック共重合体；重合体ブロック［Ａ］の両端に重合体ブロック［Ｂ］が結合し、さらに、該両重合体ブロック［Ｂ］の他端にそれぞれ重合体ブロック［Ａ］が結合したペンタブロック共重合体である。特に、［Ａ］－［Ｂ］－［Ａ］のトリブロック共重合体であることが、製造が容易であり且つ熱可塑性エラストマーとしての物性を所望の範囲とすることができるため、特に好ましい。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体は、例えば、国際公開第２０１５／０９９０７９号、特開２０１６－２０４２１７号公報に記載の方法で製造できる。

　また、熱可塑性エラストマーとしては、ケイ素原子含有極性基を有する重合体を用いてもよい。このような重合体としては、例えば、熱可塑性エラストマーとして用いうる重合体として例示した重合体の、ケイ素原子含有極性基による変性物が挙げられる。ケイ素含有極性基を有する重合体を熱可塑性エラストマーとして採用した場合、有機封止層と他の部材との密着力を向上させることができる。

　以下、前記の変性物を得る反応に用いる重合体を、適宜「反応前重合体」ということがある。前記の変性物は、例えば、反応前重合体と、単量体としてのケイ素原子含有極性基を有する化合物とのグラフト重合により得られる構造を有しうる。ただし、変性物は、その製造方法によっては限定されない。

　ケイ素原子含有極性基としては、アルコキシシリル基が好ましい。ケイ素原子含有極性基としてアルコキシシリル基を有する化合物としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、ｐ－スチリルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、及び２－ノルボルネン－５－イルトリメトキシシランなどの、エチレン性不飽和シラン化合物が挙げられる。

　反応前重合体とケイ素原子含有極性基を有する化合物とを反応させることにより、反応前重合体にケイ素原子含有極性基を導入し、ケイ素原子含有極性基を有する変性物を得ることができる。ケイ素原子含有極性基としてアルコキシシリル基を導入する場合、アルコキシシリル基の導入量は、反応前重合体１００重量部に対し、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、更に好ましくは０．３重量部以上であり、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下、更に好ましくは３重量部以下である。アルコキシシリル基の導入量が前記範囲に収まる場合、水分で分解されたアルコキシシリル基同士の架橋度が過剰に高くなることを抑制できるので、接着性を高く維持できる。アルコキシシリル基の導入に用いるアルコキシシリル基を有する物質、及び変性方法の例としては、国際公開第２０１５／０９９０７９号に記載されているものが挙げられる。

　極性基の導入量は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにて計測しうる。また、極性基の導入量の計測の際、導入量が少ない場合は、積算回数を増やして計測しうる。

　上述した熱可塑性エラストマーの中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点では、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体、及び、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物、からなる群より選ばれる１種類以上が好ましい。中でも、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物が特に好ましい。

　水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物の中でも、ケイ素原子含有極性基としてアルコキシシリル基を導入した変性物が好ましい。一般に、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体等の反応前重合体に、極性基としてアルコキシシリル基を導入することは、シラン変性と呼ばれることがある。シラン変性に際しては、反応前重合体にアルコキシシリル基を直接結合させてもよく、例えばアルキレン基などの２価の有機基を介して結合させてもよい。以下、反応前重合体のシラン変性により得られた重合体を「シラン変性物」ともいう。

　よって、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物としては、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のシラン変性物が好ましい。中でも、水素化スチレン－ブタジエンブロック共重合体のシラン変性物、水素化スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体のシラン変性物、水素化スチレン－イソプレンブロック共重合体のシラン変性物、及び水素化スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体のシラン変性物からなる群より選ばれる１種類以上のシラン変性物が特に好ましい。

　熱可塑性エラストマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、好ましくは２０，０００以上、より好ましくは３０，０００以上、更に好ましくは３５，０００以上であり、好ましくは２００，０００以下、より好ましくは１００，０００以下、更に好ましくは７０，０００以下である。熱可塑性エラストマーの重量平均分子量は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算の値で測定しうる。また、熱可塑性エラストマーの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは４以下、より好ましくは３以下、更に好ましくは２以下であり、好ましくは１以上である。熱可塑性エラストマーの重量平均分子量Ｍｗ及び分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが前記の範囲にある場合、有機封止層の機械強度及び耐熱性を向上させることができる。

　熱可塑性エラストマーのガラス転移温度は、特に限定されないが、好ましくは４０℃以上、より好ましくは７０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下、更に好ましくは１６０℃以下である。また、熱可塑性エラストマーとしてブロック共重合体を含むものを用いた場合には、それぞれの重合体ブロックの重量比率を変えてガラス転移温度を調整することにより、有機封止層の接着性と可撓性とのバランスを取ることができる。樹脂のガラス転移温度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、１０℃／分で昇温して測定しうる。

　（任意の成分）
　有機封止層は、熱可塑性エラストマーに加えて、任意の成分をさらに含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、吸湿性粒子及び紫外線吸収剤を挙げることができる。

　吸湿性粒子とは、２０℃、９０％ＲＨにおいて２４時間静置した場合の重量変化率が高い粒子を表す。前記の重量変化率の具体的な範囲は、通常３％以上、好ましくは１０％以上、より好ましくは１５％以上である。重量変化率の上限に特段の制限は無いが、例えば１００％以下でありうる。このように高い吸湿性を有する吸湿性粒子は、少量で水分を多く吸湿できるので、水分が封止層を透過することを効果的に抑制できる。その結果、熱可塑性エラストマーが有するゴムの特性が阻害されず有利である。

　吸湿性粒子の重量変化率は、下記の式（Ｋ１）によって計算しうる。下記の式（Ｋ１）において、Ｗ１は、２０℃９０％Ｒｈの環境に静置する前の粒子の重量を表し、Ｗ２は、２０℃９０％Ｒｈの環境に２４時間静置した後の粒子の重量を表す。
　重量変化率（％）＝（（Ｗ２－Ｗ１）／Ｗ１）×１００　（Ｋ１）

　吸湿性粒子が含有する材料の例としては、塩基性吸湿材及び酸性吸湿材が挙げられる。塩基性吸湿材としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びアルミニウムを含有する化合物（酸化物、水酸化物、塩など）であってケイ素を含まない化合物（例えば、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、水酸化アルミニウム、ハイドロタルサイト等）；特開２００５－２９８５９８号公報に記載の有機金属化合物；金属酸化物を含有するクレイ；などが挙げられる。また、酸性吸湿材としては、例えば、ケイ素を含む無機化合物（例えば、シリカゲル、ナノポーラスシリカ、ゼオライト）が挙げられる。

　吸湿性粒子の材料としては、ゼオライト及びハイドロタルサイトからなる群より選択される１種類以上の物質が好ましい。中でもゼオライトは、一般に、特に高い吸湿能力を有する。具体的には、ゼオライトは、２０℃９０％ＲＨにおいて２４時間静置した場合に、１０％～３０％といった高い重量変化率を容易に実現できる。また、ゼオライトは、乾燥によって水を放出するので、再利用が可能である。吸湿性粒子の材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　吸湿性粒子の一次粒子径は、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上であり、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下である。吸湿性粒子の一次粒子径とは、一次粒子の数平均粒子径を表す。吸湿性粒子の一次粒子径は、溶媒に分散させた分散液の状態で、動的光散乱法による粒子径測定装置によって測定できる。動的光散乱法によって吸湿性粒子の一次粒子径を測定ができない場合、電子顕微鏡を用いた観察により一次粒子径を測定してもよい。具体的には、以下の方法により測定できる。電子顕微鏡を用いた観察により、５０個の一次粒子のそれぞれについて、粒子の短軸と長軸との和を求め、得られた和を２で割って粒子それぞれの粒子径を測定する。そうして測定した５０個の一次粒子の粒子径の算術平均値を、一次粒子径としうる。電子顕微鏡を用いた観察により一次粒子径を求める場合、有機封止層の断面における粒子を観察してもよい。

　吸湿性粒子の測定波長５８９ｎｍにおける屈折率は、好ましくは１．２以上、３．０以下である。このような屈折率を有する吸湿性粒子を用いた場合、有機封止層のヘイズを小さくして、透明性に優れる封止層を実現できる。

　有機封止層における吸湿性粒子の割合は、特に限定されず、所望の性質が得られる範囲に調整しうる。具体的な範囲としては、有機封止層における吸湿性粒子の割合が、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは６０重量％以下、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。吸湿性粒子の割合が上記下限値以上であることにより、有機封止層の水分侵入抑制効果を高めることができる。また、吸湿性粒子の割合が上記上限値以下であることにより、有機封止層の透明性を高くできる。

　紫外線吸収剤の例としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、トアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、アクリロニトリル系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、アゾメチン系紫外線吸収剤、インドール系紫外線吸収剤、ナフタルイミド系紫外線吸収剤、フタロシアニン系紫外線吸収剤等の、有機紫外線吸収剤が挙げられる。本実施形態においては、中でも、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤及びトリアジン系紫外線吸収剤からなる群から選択される１種以上を含むことが好ましい。

　ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤は、分子内にベンゾトリアゾール構造を含む。ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の例としては、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フ　ェノール］、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－ｐ－クレゾール、及び２－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノールが挙げられる。ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の市販品の例としては、ＡＤＥＫＡ社製「アデカスタブＬＡ－３１」、「アデカスタブＬＡ－３２」、「アデカスタブＬＡ－３６」が挙げられる。

　トリアジン系紫外線吸収剤は、分子内にトリアジン構造を含む。トリアジン系紫外線吸収剤として、分子内に１，３，５－トリアジン構造を含む化合物が好ましい。トリアジン系紫外線吸収剤の例としては、２，４，６－トリス（２－ヒドロキシ－３－メチル－４－ヘキシルオキシフェニル）－１，３，５－トリアジン、２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン―２－イル）－５－（２－（２－エチルヘキサノイロキシ）エトキシ）フェノール、及び２，４－ジフェニル－６－（２－ヒドロキシ－４－ヘキルオキシフェニル）－１，３，５－トリアジンが挙げられる。トリアジン系紫外線吸収剤の市販品の例としては、ＡＤＥＫＡ社製「アデカスタブＬＡ－Ｆ７０」、「アデカスタブＬＡ－４６」、及びＢＡＳＦジャパン社製「チヌビン１５７７」が挙げられる。紫外線吸収剤の別の具体例としては、特開２０１７－１５４４０１号公報に記載された紫外線吸収剤が挙げられる。

　樹脂組成物が含んでいてもよい任意の成分として、前記の吸湿性粒子及び紫外線吸収剤以外にも、例えば、分散剤、可塑剤、光安定剤、酸化防止剤、滑剤、無機フィラーなどが挙げられる。これら任意の成分の種類、特性及び量については、例えば、国際公開第２０１９／２２０８９６号に記載のものを採用しうる。

　任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　［２．２．２．有機封止層の物性］
　有機封止層の厚みは、好ましくは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは８０ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１５０μｍ以下である。有機封止層の厚みが前記下限値以上である場合、水分の浸入を効率的に抑制できる。また、有機封止層の厚みが前記上限値以下である場合、デバイス構造体の厚みの低減が可能である。ここでの有機封止層の厚みとは、有機封止層の１層当たりの厚みをいう。

　有機封止層のヘイズは、好ましくは０．５％以下、より好ましくは０．１５％以下、特に好ましくは０．０５％以下である。ヘイズが上記範囲以下である場合、有機封止層の透明性を高くしうるので、有機エレクトロルミネッセンス装置及びフレキシブルタッチセンンサ等のデバイス構造体における、光の透過が求められる箇所において好適に用いることができる。ヘイズは、濁度計を用いることにより測定しうる。

　［２．３．無機封止層］
　無機封止層は、窒化ケイ素を含む層である。無機封止層は、窒化ケイ素以外にも、例えば、酸化ケイ素、及び酸窒化ケイ素を含んでいてもよい。

このような無機封止層は、ポリシラザン化合物を用いて形成しうる。より具体的には、後述する［ＩＩ．デバイス構造体の製造方法］の項目で説明する形成方法を用いることにより形成することができる。

　無機封止層の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。無機封止層の厚みが前記下限値以上である場合、水分の浸入を効率的に抑制できる。また、無機封止層の厚みが前記上限値以下である場合、デバイス構造体の厚みの低減が可能である。ここでの無機封止層の厚みとは、無機封止層の１層当たりの厚みをいう。

　［２．４．シリコーン封止層］
　本実施形態に係る封止層は、前記の有機封止層及び無機封止層以外に、例えば、シリコーン封止層を有していてもよい。シリコーン封止層は、例えば、主骨格が結合エネルギーの高いＳｉ－Ｏ結合からなるシロキサンを有する化合物を含み、より具体的には、オルガノポリシロキサンを含む。オルガノポリシロキサンとしては、例えば、ジメチルポリシロキサンが挙げられる。また、シリコーン封止層はシリコーンゴム（シリコーンエラストマー）であることが好ましい。シリコーン封止層の厚みは、好ましくは、１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは８０ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。

　［２．５．封止層］
　封止層全体の厚みは、デバイス構造体の封止層として所望の封止性能を発揮しうる範囲で適宜調整される。封止層全体の厚みは、好ましくは０．７μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。本実施形態に係る封止層は、前記の有機封止層及び無機封止層が積層された構造を有することにより、薄い厚みで良好な封止性能を発揮することができる。

　封止層を構成する各構成層の厚みは、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｎ以下であることが好ましい。また、各構成層の厚みの下限値は、例えば１ｎｍ以上としうる。

　［３．デバイス構造体］
　上述した実施形態のように素子部１２０として有機エレクトロルミネッセンス素子部を備えるデバイス構造体１０は、例えば、表示装置、照明装置等の装置として用いうる。しかし、デバイス構造体は、これらの装置に限定されない。デバイス構造体には、素子部を備える広範な装置、及び、その装置の一部を構成する組立体が含まれうる。中でも、上述したデバイス構造体の封止層は、透明性に優れるので、デバイス構造体としては、各種の光学デバイス、および光学デバイスの一部を構成する組立体が好ましい。光学デバイスの例としては、液晶表示装置、タッチパネル、並びに表示装置及び光源装置としての有機エレクトロルミネッセンス装置が挙げられる。特に、フレキシブルという有機エレクトロルミネッセンス素子部の優れた特性を活用して、デバイス構造体は、フレキシブルな光学デバイスとして用いることが好ましい。

　［ＩＩ．デバイス構造体の製造方法］
　本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法は、基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物を用意する工程（ａ）と、前記素子部を封止する封止層を形成する工程（ｂ）と、を含む、デバイス構造体の製造方法であって、前記封止層を形成する工程（ｂ）が、有機封止層を形成する工程（ｂ１）と、工程（ｂ１）後に無機封止層を形成する工程（ｂ２）とを含み、前記工程（ｂ１）が、熱可塑性エラストマーを含む有機中間層を形成する工程（ｂ１－１）と、前記有機中間層に対し真空紫外線を照射して、前記有機封止層を得る工程（ｂ１－２）と、を含み、前記工程（ｂ２）が、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を用いて中間体層を形成する工程（ｂ２－１）と、前記中間体層に紫外線を照射して、窒化ケイ素を含む無機封止層を得る工程（ｂ２－２）と、を含む。

　図２～図６は、本発明の一実施形態に係るデバイス構造体の製造方法の様子を示す断面図である。図２～図６においては、封止層２００を形成する工程（ｂ）において、素子部１２０に対し、第一封止層２０１、第二封止層２０２、第三封止層２０３、第二封止層２０２及び第三封止層２０３がこの順で積層された封止層２００を形成する例を示している。この例におけるデバイス構造体１０の製造方法では、図２に示すように、基材１１０、及び、基材１１０に設けられた素子部１２０を備える複層物１００を用意する（工程（ａ））。次に、図３に示すように、素子部１２０に対し、第一封止層２０１を形成する（工程（ｂ３））。図３においては、第一封止層２０１としてシリコーン封止層２３０を形成する例を示している。次に、図４に示すように、第一封止層２０１上に無機封止層２２０としての第二封止層２０２を形成する（工程（ｂ４））。次に、図５に示すように、第二封止層２０２上に、有機封止層２１０としての第三封止層２０３を形成する（工程（ｂ５）。次に図６に示すように、前記工程（ｂ４）及び前記工程（ｂ５）をさらに繰り返すことにより、封止層２００を形成する。

　本実施形態に係るデバイス構造体の製造方法は、工程（ｂ１）において、有機中間層に対し真空紫外線を照射することにより、有機封止層に対しポリシラザン化合物の溶媒に対する耐性を向上させることができる。したがって、有機封止層上に無機封止層を形成するに際し、ポリシラザン化合物の溶媒による有機封止層の劣化を抑制することができ、封止性能が良好な封止層を形成することができる。

　本発明者は、有機封止層に真空紫外線を照射することにより、ポリシラザン化合物の溶媒に対する耐性を向上させることができる理由について、以下のように推測する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記の仕組みによって制限されない。

　有機封止層上にポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を塗工した場合、有機封止層中に溶媒が浸透することにより、ダメージが生じることが推測される。これに対し、有機封止層に対し真空紫外線を照射することにより、有機封止層の表面が緻密化され、溶媒を浸透しにくくなることから、ダメージが抑制されると推測される。

　［１．工程（ａ）：被層物の用意］
　工程（ａ）は、被層物を用意する工程である。被層物は自ら製造することにより用意してもよく、他者から購入することにより用意してもよい。被層物については、上述した［Ｉ．デバイス構造体　１．被層物］の項目で説明した内容と同様とする。

　［２．工程（ｂ）：封止層の形成］
　封止層を形成する工程（ｂ）は、有機封止層を形成する工程（ｂ１）と、工程（ｂ１）後に、無機封止層を形成する工程（ｂ２）とを含む。工程（ｂ）においては、少なくとも工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）をこの順で行う工程を含む。封止層は、２層以上の有機封止層及び２層以上の無機封止層を交互に積層させた構造を有することが好ましいことから、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）は２回以上繰り返されることが好ましい。この場合、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）がこの順で繰り返されてもよく、工程（ｂ２）及び工程（ｂ１）がこの順で繰り返されてもよい。

　［２．１．工程（ｂ１）：有機封止層の形成］
　有機封止層を形成する工程は、熱可塑性エラストマーを含む有機中間層を形成する工程（ｂ１－１）と、前記有機中間層に対し真空紫外線を照射して、前記有機封止層を得る工程（ｂ１－２）と、を含む。

　［２．１．１．工程（ｂ１－１）：有機中間層の形成］
　工程（ｂ１－１）は、熱可塑性エラストマーを含む有機中間層を形成する工程である。有機中間層は、熱可塑性エラストマーを含む樹脂組成物の層であり、真空紫外線を照射される前段階で得られる層である。

　有機中間層の形成方法は、熱可塑性エラストマー及び溶媒を含む樹脂組成物の層を形成した後、樹脂組成物の層を乾燥させることで有機中間層を得る工程であることが好ましい。以下、樹脂組成物に含まれる溶媒を、無機封止層の形成時に用いられる溶媒と区別するため、「第一溶媒」と呼ぶことがある。

　樹脂組成物は、熱可塑性エラストマー及び第一溶媒を含む。樹脂組成物は、任意の成分を含むことが好ましい。熱可塑性エラストマー及び任意の成分については、上述した［Ｉ．デバイス構造体　２．封止層　２．２．有機封止層］の項目で説明した内容と同様とする。

　第一溶媒としては、熱可塑性エラストマーを溶解又は分散しうる溶媒を用いうる。また、第一溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。中でも、封止対象としての素子部は一般に水分に対する耐久性が低いことから、第一溶媒としては非水溶媒を用いることが好ましい。さらには、素子部へのダメージを抑制する観点、及び、水分の浸入を効果的に抑制する観点では、第一溶媒として非極性溶媒を用いることが好ましい。

　非極性溶媒としては、例えば、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘキサン、トルエン、ベンゼン、キシレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン、トリメチルベンゼン、シクロオクタン、シクロデカン、オクタン（例、ノルマルオクタン）、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、及びシクロドデカン等の有機溶媒が挙げられる。

　第一溶媒の全量１００重量％にする非極性溶媒の量は、好ましくは９５重量％以上、より好ましくは９９重量％以上、更に好ましくは９９．９重量％以上であり、理想的には１００重量％である。

　第一溶媒は、高い沸点を有する高沸点溶媒を含むことが好ましい。高沸点溶媒の１ａｔｍ（１．０１３２５×１０^５Ｐａ）における沸点は、好ましくは９０℃以上、より好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１２５℃以上、更に好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは１７５℃以上である。第一溶媒が高沸点溶媒を含む場合、第一溶媒を含む樹脂組成物の層としての有機中間層を乾燥して得られる有機封止層の表面にムラが形成されることを抑制して、面状を平滑にできる。また、通常、インクジェット印刷法を用いた樹脂組成物の塗工の際のノズル詰まりを抑制できる。高沸点溶媒の１ａｔｍにおける沸点の上限は、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２５０℃以下である。高沸点溶媒の沸点が前記範囲の上限値以下である場合、有機中間層の乾燥を容易に行うことができる。

　第一溶媒の全量１００重量％に対して、高沸点溶媒の量は、好ましくは１０重量%以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは８０重量％以上であり、通常１００重量％以下である。

　樹脂組成物は、液状の組成物であることが好ましい。液状の樹脂組成物を用いることにより、塗工法によって簡単に有機中間層を形成できる。この液状の樹脂組成物の粘度は、好ましくは１ｃＰ以上、より好ましくは２ｃＰ以上、特に好ましくは３ｃＰ以上であり、好ましくは５０００ｃＰ以下、より好ましくは１０００ｃＰ以下、更に好ましくは５００ｃＰ以下、更に好ましくは５０ｃＰ以下、更に好ましくは３０ｃＰ以下、特に好ましくは２０ｃＰ以下である。樹脂組成物の粘度が前記範囲の下限値上である場合、有機中間層の厚みを調整しやすく、所望の厚みを有する有機封止層を簡単に形成できる。また、樹脂組成物の粘度が前記範囲の上限値以下である場合、塗工法による有機中間層の形成を容易に行うことができる。特に、粘度が５０ｃＰ以下である場合には、インクジェット印刷による有機中間層の形成が可能である。粘度の測定は、音叉型振動式粘度計（例えば株式会社エー・アンド・デイ製の音叉型振動式粘度計ＳＶ－１０）を用いて、測定温度２５℃±２℃で行いうる。

　樹脂組成物に含まれる固形分の割合は、特に限定されず、粘度等の特性を所望の範囲に収められるように適切に調整されることが好ましい。具体的には、樹脂組成物の全量１００重量％に対する固形分の量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上であり、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下であり、さらに好ましくは２０重量％以下ある。

　有機中間層の形成方法としては、熱可塑性エラストマー及び第一溶媒を含む前記の樹脂組成物を用意し、樹脂組成物を塗工することを含む方法によって行うことが好ましい。これにより、有機中間層を容易に形成できる。

　塗工法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。中でも、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法が好ましく、インクジェット印刷法が特に好ましい。

　樹脂組成物の層は、第一溶媒を含む場合、樹脂組成物を塗工した後、乾燥させて第一溶媒を除去する。樹脂組成物の層の乾燥方法としては、例えば、自然乾燥法、加熱乾燥法、減圧乾燥法、及び減圧加熱乾燥法などが挙げられる。単に室温で短時間放置することにより自然乾燥が達成される場合は、具体的な乾燥のための操作は不要となりうる。しかし、通常は、樹脂組成物の層は多くの第一溶媒を含みうるので、加熱、減圧等の操作によって乾燥を促進することが好ましい。樹脂組成物の層を乾燥させることにより、樹脂組成物の層から第一溶媒が除去されて、樹脂組成物の固形分で形成された有機中間層が得られる。

　［２．１．２．工程（ｂ１－２）：真空紫外線の照射］
　工程（ｂ１－２）は、前記有機中間層に対し真空紫外線を照射して、前記有機封止層を得る工程である。工程（ｂ１－２）を行うことにより、有機封止層のジブチルエーテル耐性を向上させることができる。

　真空紫外線としては、波長１００ｎｍ～２００ｎｍの光を用い得る。真空紫外線の光源としては、例えば希ガスエキシマランプが挙げられる。中でも、Ｘｅエキシマランプは、波長の短い１７２ｎｍの紫外線を単一波長で放射することから、発光効率に優れる。

　真空紫外線の照射条件としては、所望の有機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。本実施形態においては、前記有機中間層に対し、不活性ガス雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－１）と、前記工程（ｂ１－２－１）後の前記有機中間層に対し、不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－２）と、を含む照射条件とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で真空紫外線を照射した場合、有機封止層の表面に対し溶媒耐性を付与することができる反面、溶媒に対する濡れ性が低下する傾向にあり、液状組成物をはじきやすくなる傾向にある。そのため、不活性ガス雰囲気下で真空紫外線を照射し、溶媒耐性を付与した後、不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下で真空紫外線を照射して、有機封止層の表面の一部を改質し、溶媒への塗工性を向上させることが好ましい。

　工程（ｂ１－２－１）における「不活性ガス雰囲気下」とは、不活性ガスのみが存在する雰囲気だけでなく、不活性ガス及び微量な酸素を含む雰囲気を含む。不活性ガス雰囲気下における前記雰囲気の具体的な酸素濃度は、好ましくは５００ｐｐｍ以上、より好ましくは１０００ｐｐｍ以上であり、好ましくは１００００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０００ｐｐｍ以下である。前記の単位「ｐｐｍ」は、質量基準である。

　不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等が挙げられ、中でも窒素が好ましい。また、不活性ガスは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。不活性ガスを用いる場合、例えば、不活性ガスが給気及び排気される処理室において紫外線照射を行ってもよい。この際、雰囲気中の酸素濃度を調整するために、処理室に導入する酸素ガス及び不活性ガスの流量を調整してもよい。

　不活性ガス雰囲気下における真空紫外線の照射強度は、所望の有機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと照射強度は、好ましくは３０ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは４０ｍＷ／ｃｍ^２以上、さらに好ましくは５０ｍＷｃｍ^２以上、好ましくは、１００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは８０ｍＷ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは６０ｍＷ／ｃｍ^２以下である。

　不活性ガス雰囲気下における真空紫外線の照射時間は、所望の有機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと、照射時間は、好ましくは、１００秒間以上、より好ましくは１５０秒間以上、好ましくは３００秒間以下、より好ましくは２５０秒間以下であることが好ましい。

　工程（ｂ１－２－２）における「不活性ガス及び酸素の混合雰囲気」とは、不活性ガスと酸素とを含む雰囲気である。酸素濃度としては、有機封止層の表面の溶媒に対する濡れ性を変化させることができる程度に調整しうる。具体的な酸素濃度は、好ましくは、１％以上であり、より好ましくは３％以上であり、好ましくは２０％以下であり、より好ましくは１０％以下である。前記の単位「％」は質量基準である。

　また、不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下における真空紫外線の照射強度は、所望の有機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと照射強度は、好ましくは３０ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは４０ｍＷ／ｃｍ^２以上、さらに好ましくは５０ｍＷｃｍ^２以上、好ましくは、１００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは８０ｍＷ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは６０ｍＷ／ｃｍ^２以下である。

　不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下における真空紫外線の照射時間は、所望の有機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと、好ましくは、１００秒間以上、より好ましくは１５０秒間以上、好ましくは３００秒間以下、より好ましくは２５０秒間以下であることが好ましい。

　工程（ｂ１－２）における真空紫外線の照射強度及び照射時間といった照射条件は、例えば、真空紫外線の照射前後における有機中間層（有機封止層）のＦＴ－ＩＲスペクトルのＣ－Ｈ伸縮由来のピーク強度の減少量により調整することもできる。具体的には、真空紫外線の照射前の有機中間層のＦＴ－ＩＲスペクトルのＣ－Ｈ伸縮由来のピーク強度をＩ１とし、真空紫外線照射後の有機中間層のＦＴ－ＩＲスペクトルのＣ－Ｈ伸縮由来のピーク強度をＩ２としたとき、Ｉ１に対するＩ２の割合（Ｉ２／Ｉ１）が、５０％以下となる照射条件とすることが好ましい。また、Ｉ２／Ｉ１が、２０％以上照射条件とすることが好ましい。Ｉ２／Ｉ１が上記範囲である場合、ジブチルエーテル耐性が良好な有機封止層を得られやすいからである。ＦＴ－ＩＲスペクトルのＣ－Ｈ伸縮由来のピークは、例えば、２９６０ｃｍ^－１～２８５０ｃｍ^－１の範囲で観察される。

　［２．２．工程（ｂ２）：無機封止層の形成］
　無機封止層を形成する工程（ｂ２）は、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を用いて中間体層を形成する工程（ｂ２－１）と、前記中間体層に紫外線を照射して、窒化ケイ素を含む無機封止層を得る工程（ｂ２－２）と、を含む。無機封止層は、有機封止層上に形成されることから、素子部を間接的に封止できる。封止層が２層以上の無機封止層を有する場合、例えば、素子部上に直接無機封止層を形成してもよい。

　［２．２．１．工程（ｂ２－１）：中間体層の形成］
　工程（ｂ２）は、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を用いて中間体層を形成する工程（ｂ２－１）を含む。中間体層はポリシラザン化合物を含む層である。

　前記のポリシラザン化合物を含む中間体層の形成は、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を塗工することを含む方法によって行うことが好ましい。この方法によれば、中間体層を容易に形成できる。

　ポリシラザン化合物は、珪素－窒素結合を有するポリマーである。ポリシラザン化合物としては、例えば、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４及び両方の中間固溶体ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等のセラミックの前駆体として用いられうるポリシラザン化合物を用いてもよい。

　好ましいポリシラザン化合物としては、例えば、下記式（１）で表される繰り返し単位を含有する化合物が挙げられる。

　式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子及び１価の有機基からなる群より選ばれる１種類以上の基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アルケニル基等の脂肪族炭化水素基；シクロアルキル基等の脂環式炭化水素基；アリール基等の芳香族炭化水素基；アルキルシリル基；アルキルアミノ基；アルコキシ基；などが挙げられる。式（１）で表されるポリシラザン化合物としては、特開平８－１１２８７９号公報に記載のものを用いてもよい。

　中でも、封止能力に優れる無機封止層を得る観点から、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子が好ましい。繰り返し単位中のＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３のいずれもが水素原子であるポリシラザン化合物は、パーヒドロポリシラザンと呼ばれることがある。パーヒドロポリシラザンの数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、６００～２０００程度でありうる（ポリスチレン換算）。

　好ましい別のポリシラザン化合物としては、例えば、式（１）で表される繰り返し単位を含有するポリシラザン化合物にケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（特開平５－２３８８２７号公報）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（特開平６－１２２８５２号公報）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（特開平６－２４０２０８号公報）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（特開平６－２９９１１８号公報）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（特開平６－３０６３２９号公報）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（特開平７－１９６９８６号公報）、等が挙げられる。

　ポリシラザン化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。例えば、パーヒドロポリシラザンと、パーヒドロポリシラザンのＳｉ原子に結合する水素原子の一部がアルキル基等の有機基で置換されたオルガノポリシラザンとを、組み合わせて用いてもよい。パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンとを組み合わせて用いる場合、第二封止層の靱性を高めることができるので、クラックの抑制が可能である。特に、メチル基によって置換されたオルガノポリシラザンをパーヒドロポリシラザンと組み合わせて用いる場合、靱性を顕著に高めることができる。

　また、パーヒドロポリシラザンのみをポリシラザン化合物として用いてもよい。パーヒドロポリシラザンのみを用いて形成された無機封止層は、特にクラックを生じ易い傾向にある。本実施形態においては、そのようにクラックが生じ易い無機封止層を形成した場合でも、有機封止層と組み合わせることにより、クラックを抑制できる。

　ポリシラザン化合物は、一般に、液体又は固体の化合物でありうる。このようなポリシラザン化合物は、市販品を用いてもよい。

　液状組成物は、通常、溶媒を含む。以下、中間体層の形成に用いられる溶媒を、有機中間層の形成に用いられる第一溶媒と区別するため、「第二溶媒」と呼ぶことがある。第二溶媒としては、ジブチルエーテルを含む溶媒であることが好ましい。第二溶媒中のジブチルエーテルの含有量は、好ましくは、５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上である。工程（ｂ１）においては、真空紫外線を照射することにより、有機封止層のジブチルエーテル耐性を高くすることができるため、第二溶媒としてジブチルエーテルを含むことにより、本実施形態による効果を高く発揮することができるからである。

　また、第二溶媒としては、第二溶媒の溶解試験における有機封止層の残膜率が９０％以上となるような溶媒を用いてもよい。第二溶媒を選択するため、本実施形態においては、第二溶媒に対する溶解試験における、前記有機封止層の残膜率が９０％以上となる第二溶媒を選択する工程（ｂ２－３）を有していてもよい。第二溶媒の選択においては、例えば、シリコン基板等の支持基板上に、工程（ｂ１）と同様の条件により有機封止層を形成したサンプルを準備し、真空紫外線を照射した後、上述したジブチルエーテルの溶解試験と同様の条件で、第二溶媒へサンプルを浸漬して乾燥させ、浸漬前後の有機封止層の厚みから、残膜率を算出し、残膜率が９０％以上となる溶媒を第二溶媒として選択しうる。真空紫外線の照射条件は、例えば、温度２３～２５℃で湿度５０～６０％の環境下で、不活性ガス雰囲気下（例えば窒素雰囲気下）において、真空紫外線（ＶＵＶ（１７２ｎｍ））を照度３０ｍＷ／ｃｍ^２で３分間照射するといった条件としうる。

　第二溶媒の例としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒；ハロゲン化炭化水素溶媒；脂肪族エーテル溶媒、脂環式エーテル溶媒等の、エーテル溶媒；が挙げられる。具体例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素溶媒；塩化メチレン、トリコロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；が挙げられる。第二溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　液状組成物における第二溶媒の量は、液状組成物中のポリシラザン化合物の濃度を適切な範囲に収められるように調整することが好ましい。具体的な範囲を挙げると、液状組成物の全量１００重量％に対して、ポリシラザン化合物の量は、好ましくは０．２重量％～３５重量％である。

　液状組成物は、ポリシラザン化合物及び第二溶媒以外の任意の成分を含んでいてもよい。

　液状組成物の塗工方法は、特に制限は無い。塗工方法の例としては、有機中間層の形成に用いた樹脂組成物の塗工方法と同じ方法を用いてもよい。このような塗工により、液状組成物の層としての中間体層を大気圧環境下で形成できる。

　中間体層は、第二溶媒を含むことから、工程（ｂ２－１）は、中間体層を乾燥する工程（ｂ２－４）を含んでいてもよい。乾燥は、工程（ｂ２－２）と同時に行ってもよいが、工程（ｂ２－２）の前に行うことが好ましい。乾燥により、中間体層から第二溶媒を除去できる。

　中間体層の乾燥は、酸素濃度が低い雰囲気において行うことが好ましい。前記の雰囲気の酸素濃度は、具体的には、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。このように酸素濃度が低い雰囲気で乾燥を行うことにより、中間体層に酸素が取り込まれることを抑制できる。よって、工程（ｂ２－２）で照射される紫外線が酸素によって吸収されることを抑制できるので、ポリシラザン化合物の反応を安定して進行させることができる。

　酸素濃度が低い雰囲気下での乾燥を行う観点から、中間体層の乾燥は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等が挙げられ、中でも窒素が好ましい。また、不活性ガスは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。不活性ガスを用いる場合、例えば、不活性ガスが給気及び排気される乾燥室において乾燥を行ってもよい。また、乾燥に際して、加熱を行ってもよい。

　［２．２．２．工程（ｂ２－２）：中間体層への紫外線の照射］
　工程（ｂ２）は、工程（ｂ２－１）で中間体層を得た後で、その中間体層に紫外線を照射する工程（ｂ２－２）を含む。中間体層に紫外線が照射されることで、中間体層に含まれるポリシラザン化合物が反応して、窒化ケイ素を含む無機封止層が得られる。

　紫外線としては、波長１ｎｍ～３８０ｎｍの光を用いうる。中でも、波長１００ｎｍ～２００ｎｍの真空紫外線を用いることが好ましい。真空紫外線を照射することにより、ポリシラザン化合物の改質反応を短時間で進行させることができるので、紫外線による素子部及び有機封止層へのダメージを抑制できる。真空紫外線の光源については前記［２．１．２．工程（ｂ１－２）：真空紫外線の照射］の項目で説明した内容と同様とする。

　紫外線の照射強度は、所望の無機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと、照射強度は、好ましくは１０ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは１００ｍＷ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは３００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは２００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。中でも、工程（ｂ２－２）は、１００ｍＷ／ｃｍ^２～２００ｍＷ／ｃｍ^２の最大照射強度での紫外線照射を１回以上含むことが好ましい。このような照射強度での紫外線の照射によれば、ポリシラザン化合物の改質反応を短時間で進行させたり、素子部及び有機封止層への紫外線によるダメージを抑制したりできる。

　紫外線の照射時間は、所望の無機封止層が得られる範囲に適切に調整できる。具体的な範囲を示すと、照射時間は、好ましくは０．１秒以上、より好ましくは０．５秒以上であり、好ましくは１０分間以下、より好ましくは３分以下、更に好ましくは１分以下である。このような照射時間での紫外線の照射によれば、ポリシラザン化合物の改質反応を充分に進行させて、封止能力のバラツキを低減したり、素子部及び有機封止層への紫外線によるダメージを抑制したりできる。

　前記の紫外線の照射は、酸素濃度が低い雰囲気において行うことが好ましい。前記雰囲気の具体的な酸素濃度は、好ましくは５００ｐｐｍ以上、より好ましくは１０００ｐｐｍ以上であり、好ましくは１００００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０００ｐｐｍ以下である。前記の単位「ｐｐｍ」は、質量基準である。紫外線を照射する雰囲気の酸素濃度が前記範囲にある場合、ポリシラザン化合物の改質反応を効果的に促進することができ、また、得られる無機封止層の封止能力を良好にできる。

　酸素濃度が低い雰囲気下での紫外線照射を行う観点から、中間体層への紫外線照射は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスの種類及び不活性ガス雰囲気下における紫外線の照射条件については、前記の［２．１．２．工程（ｂ１－２）：真空紫外線の照射］の項で説明した内容と同様とすることができる。

　［２．３．工程（ｃ）：シリコーン封止層の形成］
　本実施形態においては、シリコーン封止層を形成する工程を有していてもよい。シリコーン封止層の形成方法としては、例えば、ポリシラザン化合物を含む層を形成した後、紫外線を照射する方法を挙げることができる。紫外線の照射条件については、例えば、前記の［２．２．２．工程（ｂ２－２）：中間体層への紫外線の照射］で説明した中間体層への紫外線の照射条件と同様とすることができる。

　［３．変形例］
　本実施形態に係るデバイス構造体の製造方法は、工程（ｂ）において、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）をこの順で行う工程を有していれば、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）の繰り返し回数及び工程数については限定されず、所望の封止層の層構造に合わせて適宜調整しうる。

　このような工程としては、例えば、前記工程（ｂ）が、第一封止層を形成する工程（ｂ３）、前記第一封止層上に設けられる前記無機封止層としての第二封止層を形成する工程（ｂ４）、及び前記第二封止層上に設けられる前記有機封止層としての第三封止層を形成する工程（ｂ５）とを有し、前記工程（ｂ４）及び前記工程（ｂ５）を少なくとも２回以上交互に行う工程を含み、前記工程（ｂ４）が、前記工程（ｂ２）であり、前記工程（ｂ５）が、前記工程（ｂ１）である、といった工程が挙げられる。

　２層以上の有機封止層及び２層以上の無機封止層を形成する場合、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）は同じ回数で行ってもよく、工程（ｂ１）が工程（ｂ２）よりも多くてもよく、工程（ｂ１）が工程（ｂ２）よりも少なくてもよい。

　上述した図２～図６においては、第一封止層としてシリコーン封止層を形成する例について説明したが、例えば、第一封止層として有機封止層を形成してもよい。

　また、図示はしないが、例えば、素子部上に有機封止層を形成した後、無機封止層を形成し２層構造の封止層を形成してもよい。

　例えば、デバイス構造体の製造方法は、任意の層を形成する工程を含んでいてもよい。よって、デバイス構造体の製造方法は、素子部と封止層との間に任意の層を形成する工程を含んでいてもよい。また、デバイス構造体の製造方法は、封止部を覆う任意の層を形成する工程を含んでいてもよい。具体例を挙げると、デバイス構造体が、有機エレクトロルミネッセンス素子部を備える表示装置である場合、そのデバイス構造体の製造方法は、封止層上に、必要に応じて接着剤を介して、円偏光板の層を設ける工程を含んでいてもよい。

　上述した製造方法は、有機封止層２１０を形成する工程（ｂ１）、及び、無機封止層２２０を形成する工程（ｂ２）のいずれの操作をも、大気圧環境下において行うことができる。よって、大型且つ複雑な製造設備が不要であるので、低コストでデバイス構造体１０の製造が可能である。また、特に、有機中間層及び中間体層の形成を塗工法で行う場合には、ウェットプロセスでの層形成が可能であるので、プラズマダスト等の粒子による素子部の劣化を抑制できる。

　以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

　以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。

［評価方法］
　〔樹脂のヤング率、引張伸び及びｔａｎδ〕
　樹脂の２３℃におけるヤング率及び引張伸びは、ＪＩＳ　Ｋ７１１３に則り測定した。４０℃以上２００℃以下における樹脂の損失正接ｔａｎδ（損失弾性率／貯蔵弾性率）は、フィルム状にしてから幅１０ｍｍ×長さ２０ｍｍの試験片を切り出し日立ハイテクサイエンス社製の動的粘弾性測定装置ＤＭＳ６１００を用い測定した。

　〔高温高湿環境下における封止性能評価〕
　前記のデバイス構造体を、温度６０℃、湿度９０％ＲＨの試験環境で静置した。０時間後、２４．５時間後、１３８時間後、２１０時間後、２８４．５時間後に、顕微鏡にて発光面を観察し変色部の有無を観察した。また、０時間後、２４．５時間後、１３８時間後、２１０時間後、２８４．５時間後、及び５００時間後のシュリンケージを測定した。シュリンケージとは、初期発光部の端部から、所定時間経過後の非発光部の長さを測定した値である。

［製造例１：水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物の製造］
　（Ｐ１－１．水素化ブロック共重合体の製造）
　芳香族ビニル化合物としてスチレンを用い、鎖状共役ジエン化合物としてイソプレンを用いて、重合体ブロック［Ｂ］の両端に重合体ブロック［Ａ］が結合したトリブロック構造を有する、ブロック共重合体の水素化物（水素化ブロック共重合体）を、以下の手順により製造した。

　内部が充分に窒素置換された、攪拌装置を備えた反応器に、脱水シクロヘキサン２５６部、脱水スチレン２５．０部、及びｎ－ジブチルエーテル０．６１５部を入れ、６０℃で攪拌しながらｎ－ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）１．３５部を加えて重合を開始させ、さらに、攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。この時点での重合転化率は９９．５％であった（重合転化率は、ガスクロマトグラフィーにより測定した。以下にて同じ。）。

　次に、脱水イソプレン５０．０部を加え、同温度で３０分攪拌を続けた。この時点での重合転化率は９９％であった。
　その後、更に、脱水スチレンを２５．０部加え、同温度で６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。
　次いで、反応液にイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させて、ブロック共重合体を含む溶液（ｉ）を得た。
　得られた溶液（ｉ）中のブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，９００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０３であった（テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算の値で測定。以下同じ）。

　次に、溶液（ｉ）を攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、溶液（ｉ）に水素化触媒としてシリカ－アルミナ担持型ニッケル触媒（Ｅ２２Ｕ、ニッケル担持量６０％；日揮化学工業社製）４．０部及び脱水シクロヘキサン３５０部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度１７０℃、圧力４．５ＭＰａにて６時間水素化反応を行なうことによりブロック共重合体を水素化して、ブロック共重合体の水素化物（ｉｉ）を含む溶液（ｉｉｉ）を得た。溶液（ｉｉｉ）中の水素化物（ｉｉ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５，１００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０４であった。

　水素化反応の終了後、溶液（ｉｉｉ）をろ過して水素化触媒を除去した。その後、ろ過された溶液（ｉｉｉ）に、リン系酸化防止剤である６－〔３－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロポキシ〕－２，４，８，１０－テトラキス－ｔ－ブチルジベンゾ〔ｄ，ｆ〕〔１．３．２〕ジオキサフォスフェピン（住友化学社製「スミライザー（登録商標）ＧＰ」。以下、「酸化防止剤Ａ」という。）０．１部を溶解したキシレン溶液１．０部を添加して溶解させ、溶液（ｉｖ）を得た。

　次いで、溶液（ｉｖ）を、ゼータプラス（登録商標）フィルター３０Ｈ（キュノー社製、孔径０．５μｍ～１μｍ）にて濾過し、更に別の金属ファイバー製フィルター（孔径０．４μｍ、ニチダイ社製）にて順次濾過して微小な固形分を除去した。ろ過された溶液（ｉｖ）から、円筒型濃縮乾燥器（製品名「コントロ」、日立製作所社製）を用いて、温度２６０℃、圧力０．００１ＭＰａ以下で、溶媒であるシクロヘキサン、キシレン及びその他の揮発成分を除去した。そして、前記の濃縮乾燥器に直結したダイから、固形分を溶融状態でストランド状に押出し、冷却し、ペレタイザーでカットして、ブロック共重合体の水素化物及び酸化防止剤Ａを含有する、ペレット（ｖ）８５部を得た。得られたペレット（ｖ）中のブロック共重合体の水素化物（水素化ブロック共重合体）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０８であった。また、¹Ｈ－ＮＭＲにより測定した水素化率は９９．９％であった。

　（Ｐ１－２．水素化ブロック共重合体のシラン変性物の製造）
　前記の工程（Ｐ１－１）で得られたペレット（ｖ）１００部に対して、ビニルトリメトキシシラン２．０部及びジ－ｔ－ブチルパーオキサイド０．２部を添加し、混合物を得た。この混合物を、二軸押出し機を用いて、バレル温度２１０℃、滞留時間８０秒～９０秒で混練した。混練された混合物を押し出し、ペレタイザーでカットして、水素化ブロック共重合体のシラン変性物のペレット（ｖｉ）を得た。このペレット（ｖｉ）からフィルム状の試験片を作製し、ガラス転移温度Ｔｇを動的粘弾性測定装置のｔａｎδピークで評価したところ、１２４℃であった。またこのペレット（ｖｉ）の４０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδのピーク値は１．３であった。このペレット（ｖｉ）の、２３℃におけるヤング率は０．５ＧＰａであり、引張伸びは５５０％であった。また、このペレット（ｖｉ）のアッベ屈折計により測定した屈折率（ｎ１）は１．５０であった。

［製造例２：有機封止層形成用の樹脂組成物の製造］
　（Ｐ２－１．吸湿性粒子分散液の製造）
　一次粒子の数平均粒子径５０ｎｍのゼオライト粒子（屈折率１．５）１０ｇ、塩基性吸着基をもつ分散剤（水酸基含有カルボン酸エステル、商品名「ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ１０８」、ビックケミー社製）４ｇ、及びシクロヘキサン４６ｇを、ビーズミルにて混合し、分散させた。この操作により、１７％のゼオライト分散液１を調製した。

　（Ｐ２－２．重合体溶液の製造）
　製造例１で得たペレット（ｖｉ）２８ｇ及び可塑剤（脂肪族炭化水素重合体を含む可塑剤、製品名「日石ポリブテンＬＶ-１００」、新日本石油株式会社製、屈折率１．５０、数平均分子量５００）１２ｇを、シクロヘキサン６０ｇに混合し、溶解させた。この操作により、固形分４０％の重合体溶液１を調製した。

　（Ｐ２－３．樹脂組成物の製造）
　前記の工程（Ｐ２－１）で得たゼオライト分散液１を６０ｇ、及び、前記の工程（Ｐ２－２）で得た重合体溶液１を１００ｇ、混合して、樹脂組成物としての樹脂溶液１を得た。得られた樹脂溶液１の粘度を測定した。粘度の測定には、エー・アンド・デイ社製の音叉型振動式粘度計「ＳＶ－１０」を用いた。測定は、サンプル容器の基準線の間に樹脂溶液１の液面がくるように容器を満たし、振動子を規定の位置まで樹脂溶液中に入れて行った。また、この測定は、２５℃±２℃の環境下で行った。その結果、樹脂溶液１の粘度は４００ｃＰであった。

［製造例３：シリコーン封止層（ＰＤＭＳ層）の液状組成物の製造］
　信越化学製のＸ－３４－４１８４－Ａ、Ｘ－３４－４１８４－Ｂ、及びＤ５　ＫＦ－９９５を重量比でＸ－３４－４１８４－Ａ：Ｘ－３４－４１８４－Ｂ：Ｄ５　ＫＦ－９９５＝１：１：１６となるように混合した溶液を混合し、ＰＤＭＳ層用の液状組成物を調製した。

［製造例４：無機封止層用の液状組成物の準備］
　信越化学社製のＰＨＰＳ　Ｘ－４５－８５０（２０ｗｔ％ジブチルエーテル溶液）及びジブチルエーテル（ＤＢＥ）を重量比でＰＨＰＳ　Ｘ－４５－８５０：ＤＢＥ＝１：１となるように混合し、液状組成物を準備した。

［製造例５：有機エレクトロルミネッセンス素子部を備える複層物の製造］
　縦４０ｍｍ×横４０ｍｍのガラス基材を用意した。ガラス基材上に、厚み１００ｎｍの透明電極層、厚み１０ｎｍのホール輸送層、厚み２０ｎｍの黄色発光層、厚み１５ｎｍの電子輸送層、厚み１ｎｍの電子注入層、及び厚み１００ｎｍの反射電極層を、この順に形成した。

　ホール輸送層から電子輸送層までは、全て有機材料により形成した。透明電極層から反射電極層までの各層を形成した材料は、それぞれ下記の通りであった。
　・透明電極層；錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）
　・ホール輸送層；４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）
　・黄色発光層；ルブレン１．５重量％添加　α－ＮＰＤ
　・電子輸送層；フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ）
　・電子注入層；フッ化リチウム（ＬｉＦ）
　・反射電極層；Ａｌ

　透明電極層の形成は、ＩＴＯターゲットを用いた反応性スパッタリング法にて行った。
　また、ホール輸送層から反射電極層までの形成は、透明電極層を既に形成した基材を真空蒸着装置内に設置し、上記のホール輸送層から反射電極層までの材料を抵抗加熱式により順次蒸着させることにより行なった。

　以上の操作により、ガラス基材；並びに、透明電極層、ホール輸送層、黄色発光層、電子輸送層、電子注入層及び反射電極層をこの順に備える有機エレクトロルミネッセンス素子部；を備える複層物を得た。

　［実施例］
　製造例５で作製した被層物の有機エレクトロルミネッセンス素子部を覆うように、製造例３で得られたＰＤＭＳ層用の液状組成物をスピンコート法（条件：滴下量１ｍＬ、回転数６０００ｒｐｍ、３０秒）によって塗工して乾燥させた後、ＵＶ（３６５ｎｍ）を１２ｍＷ/ｃｍ^２で２００秒照射してＰＤＭＳ層を硬化させた。その後、ＰＤＭＳ層に対し、Ｎ_２雰囲気下で、ＶＵＶ（１７２ｎｍ）を５５ｍＷ/ｃｍ^２で１３０秒照射した。以上の手順により、厚みが約１７０ｎｍのＰＤＭＳ層（第一封止層）を得た。

　次に、製造例４の無機封止層用の液状組成物をスピンコート法（条件：滴下量１ｍＬ、回転数６０００ｒｐｍ、３０秒）によって塗工して乾燥した後、Ｎ_２雰囲気下でＶＵＶ（１７２ｎｍ）を５５ｍＷ/ｃｍ^２で２２０秒間照射した。以上の手順により、厚みが１３０ｎｍの無機封止層（第二封止層）を得た。この工程は、工程（ｂ２）に該当する。

　次に、製造例２で得られた樹脂組成物をスピンコート法（条件：滴下量１ｍＬ、回転数６０００ｒｐｍ、６０秒）によって塗工して乾燥させて有機中間層を形成した。次に有機中間層に対し、Ｎ_２雰囲気下でＶＵＶ（１７２ｎｍ）を５５ｍＷ/ｃｍ^２で２２０秒間照射した。その後、系内のＯ_２濃度が５％になるまで酸素を導入して、Ｎ_２及びＯ_２混合雰囲気下で、ＶＵＶ（１７２ｎｍ）を５５ｍＷ/ｃｍ^２で２２０秒間照射した。以下の手順により、厚み１００ｎｍの有機封止層（第三封止層）を得た。この工程は、工程（ｂ１）に該当する。

　さらに、工程（ｂ２）及び工程（ｂ１）を繰り返し、図１に示す７層構造を有する封止層を作製した。以上の手順によりデバイス構造体を得た。

　また、製造例２で得られた樹脂組成物を、シリコン基板上に塗工して、第三封止層と同様にして有機封止層を形成し、Ｎ_２雰囲気下において、２３℃～２５℃、湿度５０％～６０％の環境下でＶＵＶ（１７２ｎｍ）を照度３０ｍＷ／ｃｍ^２で３分間照射後、サンプルを得た。得られたサンプル有機封止層の厚みＴ１を測定した後、ジブチルエーテルに６０秒間浸漬させた後、自然乾燥させた。自然乾燥後のサンプルにおける有機封止層の厚みＴ２を測定した。Ｔ１及びＴ２の測定値から、ジブチルエーテルへの溶解試験に対する、有機封止層の残膜率を算出したところ、９７％であった。

［比較例］
　実施例と同様に、被層物の有機エレクトロルミネッセンス素子部上にＰＤＭＳ層及び無機封止層を作製した。次に、第１層目のＰＤＭＳ層と同様の手順を繰り返すことにより、第２層目の無機封止層上に、３層目のＰＤＭＳ層を形成した。その後、第２層目の無機封止層及び第１層目のＰＤＭＳ層と同様の手順により、さらに２層ずつ無機封止層及びＰＤＭＳ層を交互に積層させて、７層構造を有する封止層を作製した。以上の手順によりデバイス構造体を得た。

［結果］
　高温高湿環境下における封止性能評価における発光面の写真を図７に示し、時間経過に対するシュリンケージの数値変化を表すグラフを図８に示す。図７及び８に示すように、本実施形態に係る有機封止層及び無機封止層を含む実施例は、２８４．５時間経過した後も発光面に変色部が確認されず、シュリンケージの変化も少なく、良好な封止性能を示すことが確認された。一方、比較例においては、１３８時間経過後から徐々に変色点の増加が確認され、シュリンケージも大きくなることが確認された。

［参考例］
　製造例２で得られた樹脂組成物をシリコン基板上に塗布し、１００℃で１分間加熱して厚み１２０ｎｍの有機層を形成した。窒素雰囲気下において、ＶＵＶ（１７２ｎｍ）を照度３０ｍＷ／ｃｍ^２で有機層に照射し、照射前後におけるＦＴ－ＩＲスペクトルを測定したところ、２９２５ｃｍ^－１にあるピーク強度が、ＶＵＶの照射前後で減少することが確認された。また、照射時間を調整し、ＶＵＶ照射前のピーク強度をＩ１とし、照射後のピーク強度をＩ２としたときの、Ｉ１に対するＩ２の割合と、ジブチルエーテル溶解試験における残膜率との相関関係を調べたところ、Ｉ２／Ｉ１が５０％以下である有機層は、残膜率が９０％以上となることが確認された。ＦＴ―ＩＲスペクトルにおいて、２９２５ｃｍ^－１にあるピークは、Ｃ－Ｈ伸縮振動由来のピークである。

　参考例において、ＶＵＶ照射時間と残膜率とは、以下の結果となった。
　・照射時間１分間、残膜率８０％
　・照射時間３分間、残膜率９７％
　・照射時間５分間、残膜率１００％

　１０　デバイス構造体
　１００　複層物
　１１０　基材
　１２０　素子部
　１２１　第一電極層
　１２２　発光層
　１２３　第二電極層
　２００　封止層
　２０１　第一封止層
　２０２　第二封止層
　２０３　第三封止層
　２１０　有機封止層
　２２０　無機封止層
　２３０　シリコーン封止層

Claims

　基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物と、前記素子部を封止する封止層と、を含む、デバイス構造体であって、
　前記封止層が、前記素子部に対し、有機封止層及び無機封止層がこの順で積層された構造を有し、
　前記無機封止層が、窒化ケイ素を含み、
　前記有機封止層が、熱可塑性エラストマーを含み、かつ、
　ジブチルエーテルに対する溶解試験における、前記有機封止層の残膜率が９０％以上である、デバイス構造体。
　前記封止層が、前記素子部上に設けられた第一封止層と、前記第一封止層上に設けられた、２層以上の第二封止層及び２層以上の第三封止層とを含み、前記第二封止層及び前記第三封止層が交互に積層された構造を有し、
　前記第二封止層が、前記無機封止層であり、前記第三封止層が前記有機封止層である、請求項１に記載のデバイス構造体。
　前記第一封止層が、前記有機封止層、またはシリコーンを含むシリコーン封止層である、請求項１または２に記載のデバイス構造体。
　前記熱可塑性エラストマーが、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体、及び、水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体のケイ素原子含有極性基による変性物、からなる群より選ばれる１種類以上である、請求項１または２に記載のデバイス構造体。
　前記水素化芳香族ビニル化合物－共役ジエンブロック共重合体が、非芳香族性の炭素－炭素不飽和結合及び芳香族性の炭素－炭素不飽和結合の両方を水素化した構造を有する、請求項４に記載のデバイス構造体。
　前記第有機封止層が、水分吸着剤及び紫外線吸収剤からなる群より選ばれる１種類以上を含む、請求項１または２に記載のデバイス構造体。
　前記封止層に含まれる各構成層の厚みが、３００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のデバイス構造体。
　前記素子部が、有機エレクトロルミネッセンス素子部である、請求項１または２に記載のデバイス構造体。
　基材、及び、前記基材上に設けられた素子部を備える複層物を用意する工程（ａ）と、
　前記素子部を封止する封止層を形成する工程（ｂ）と、を含む、デバイス構造体の製造方法であって、
　前記封止層を形成する工程（ｂ）が、有機封止層を形成する工程（ｂ１）と、工程（ｂ１）後に無機封止層を形成する工程（ｂ２）とを含み、
　前記工程（ｂ１）が、熱可塑性エラストマーを含む有機中間層を形成する工程（ｂ１－１）と、前記有機中間層に対し真空紫外線を照射して、前記有機封止層を得る工程（ｂ１－２）と、を含み、
　前記工程（ｂ２）が、ポリシラザン化合物及び溶媒を含む液状組成物を用いて中間体層を形成する工程（ｂ２－１）と、前記中間体層に紫外線を照射して、窒化ケイ素を含む無機封止層を得る工程（ｂ２－２）と、を含む、デバイス構造体の製造方法。
　前記工程（ｂ）の前記液状組成物が前記溶媒としてジブチルエーテルを含む、請求項９に記載のデバイス構造体の製造方法。
　前記工程（ｂ１－２）が、前記有機中間層に対し、不活性ガス雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－１）と、前記工程（ｂ１－２－１）後の前記有機中間層に対し、不活性ガス及び酸素の混合雰囲気下で真空紫外線を照射する工程（ｂ１－２－２）と、を含む、請求項９または１０に記載のデバイス構造体の製造方法。
　前記工程（ｂ）が、第一封止層を形成する工程（ｂ３）、前記第一封止層上に設けられる前記無機封止層としての第二封止層を形成する工程（ｂ４）、及び前記第二封止層上に設けられる前記有機封止層としての第三封止層を形成する工程（ｂ５）とを有し、前記工程（ｂ４）及び前記工程（ｂ５）を少なくとも２回以上交互に行う工程を含み、
　前記工程（ｂ４）が、前記工程（ｂ２）であり、
　前記工程（ｂ５）が、前記工程（ｂ１）である、請求項９または１０に記載のデバイス構造体の製造方法。
　前記工程（ｂ３）が、前記工程（ｂ１）であり、前記有機封止層としての前記第一封止層を形成する工程である、請求項１２に記載のデバイス構造体の製造方法。