WO2022264980A1 - 絶縁モジュール - Google Patents

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light
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昌彦 有村
智一郎 外山
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ローム株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to insulation modules.
  • Patent Document 1 discloses an optocoupler comprising an optical transmitter, an optical receiver, a transparent encapsulant encapsulating the optical transmitter and the optical receiver, and an opaque encapsulant encapsulating the transparent encapsulant. disclosed.
  • An insulation module includes a light-emitting element, a light-receiving element that receives light from the light-emitting element, a first die pad on which the light-emitting element is mounted, and provided in parallel with the first die pad, a second die pad on which a light-receiving element is mounted; a transparent resin covering at least both the light-emitting element and the light-receiving element; and a reflecting member made of a material that covers at least the transparent resin and reflects the light from the light-emitting element.
  • a sealing resin that seals the reflective member together with the transparent resin and is made of a material having a light-shielding property, wherein at least one of the reflective member and the transparent resin is the light emitting element Contains inorganic particles that absorb or reflect light from the
  • the amount of light received by the light receiving element can be adjusted.
  • FIG. 1 is a perspective view of the insulation module of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the internal structure of the insulation module of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the insulation module of FIG. 2 taken along line 3--3.
  • 4 is a partially enlarged view of the insulation module of FIG. 3.
  • FIG. 5 is an enlarged view of a light emitting element and its periphery in the insulation module of FIG. 4.
  • FIG. 6 is an enlarged view of a part of the light receiving element and its surroundings in the insulation module of FIG. 4.
  • FIG. FIG. 7 is an enlarged view of a light-emitting element, a light-receiving element, and their surroundings in the insulation module of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of a part of the sealing resin of the insulation module of FIG. 1.
  • FIG. 9 is an enlarged plan view of a part of the sealing resin of the insulation module of FIG. 1, different from that of FIG. 8.
  • FIG. 10 is a circuit diagram schematically showing the electrical configuration of the insulation module of FIG. 1.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of part of the insulation module of the second embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of part of the insulation module of the third embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of part of the insulation module of the fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of part of the insulation module of the fifth embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of part of the insulation module of the sixth embodiment.
  • FIG. 16 is a plan view schematically showing the internal structure of the insulation module of the seventh embodiment. 17 is a cross-sectional view of the isolation module of FIG. 16 taken along line 17--17. 18 is a cross-sectional view of the isolation module of FIG. 16 taken along line 18--18. 19 is a circuit diagram schematically showing the electrical configuration of the insulation module of FIG. 16.
  • FIG. 20 is a plan view schematically showing the internal structure of the insulation module of the eighth embodiment. 21 is a cross-sectional view of the insulation module of FIG.
  • FIG. 20 taken along line 21--21.
  • 22 is a cross-sectional view of the insulation module of FIG. 20 taken along line 22--22.
  • 23 is a circuit diagram schematically showing the electrical configuration of the insulation module of FIG. 20.
  • FIG. FIG. 24 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of the insulation module of the modification.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a part of the insulation module of the modified example.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a part of the insulation module of the modified example.
  • FIG. 27 is a plan view schematically showing the internal structure of the insulation module of the modification.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of part of a light receiving element in an insulation module of a modification.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view of part of the light receiving element in the insulation module of the modification.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of part of a light receiving element in an insulation module of a modification.
  • FIG. 1 to 3 show the overall configuration of the insulation module 10.
  • FIG. 4 to 9 show enlarged portions of the insulation module 10.
  • FIG. 10 shows the electrical configuration of the insulation module 10. As shown in FIG.
  • the insulation module 10 is used for a gate driver that applies a drive voltage signal to the gates of switching elements. As shown in FIGS. 1 and 2, the insulation module 10 has a package structure of DIP (Dual In-line Package).
  • the insulation module 10 includes a rectangular sealing resin 80 and a plurality of terminals 41 and 51 projecting from the sealing resin 80 .
  • the insulation voltage of the insulation module 10 is, for example, 3500 Vrms or more and 7500 Vrms or less. However, the specific numerical value of the dielectric strength voltage of the insulation module 10 is not limited to this and is arbitrary.
  • the encapsulating resin 80 is made of an insulating material with light shielding properties.
  • An example of an insulating material is epoxy resin.
  • the sealing resin 80 is made of black epoxy resin.
  • the sealing resin 80 has a resin main surface 80s, a resin rear surface 80r, and first to fourth resin side surfaces 81-84.
  • the thickness direction of the sealing resin 80 is defined as the z-direction, and two mutually orthogonal directions among the directions orthogonal to the z-direction are defined as the x-direction and the y-direction, respectively.
  • the resin main surface 80s and the resin rear surface 80r constitute both end surfaces of the sealing resin 80 in the thickness direction (z direction). Both the resin main surface 80s and the resin rear surface 80r are formed in a rectangular shape when viewed from the z direction.
  • the shape of both the resin main surface 80s and the resin rear surface 80r viewed from the z-direction is a rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction. Note that the z-direction can also be said to be the "height direction of the insulation module".
  • the first resin side surface 81 and the second resin side surface 82 form both end surfaces in the x direction. Both the first resin side surface 81 and the second resin side surface 82 extend along the y direction when viewed from the z direction.
  • a plurality of (four in this embodiment) terminals 41A to 41D are provided on the first resin side surface 81, and a plurality of (four in this embodiment) terminals 51A to 51D are provided on the second resin side surface 82.
  • there is A plurality of terminals 41A to 41D protrude from the first resin side surface 81. As shown in FIG. A plurality of terminals 51A to 51D protrude from the second resin side surface .
  • the plurality of terminals 41A to 41D and the plurality of terminals 51A to 51D are arranged side by side at intervals in the x direction.
  • the x direction can also be said to be the direction in which the terminals 41A to 41D and the terminals 51A to 51D are arranged.
  • the plurality of terminals 51A-51D have the same shape as the plurality of terminals 41A-41D.
  • the third resin side surface 83 and the fourth resin side surface 84 constitute both end surfaces in the y direction. Both the third resin side surface 83 and the fourth resin side surface 84 are side surfaces on which the plurality of terminals 41A to 41D and 51A to 51D are not provided. Both the third resin side surface 83 and the fourth resin side surface 84 extend along the x direction when viewed from the z direction.
  • each of the terminals 41A to 41D and 51A to 51D have the same shape. More specifically, as shown in FIG. 1, each of the terminals 41A to 41D has a first portion extending in the x direction from the first resin side surface 81, a bent portion bent downward from the first portion, and a and a second portion extending so as to incline downward with distance from the sealing resin 80 .
  • the second portion has a wide portion with a relatively wide width and a narrow portion with a relatively narrow width.
  • the wide portion is a portion of the second portion that is continuous with the bent portion and has the same width as the first portion.
  • the narrow portion constitutes the tip portion of each of the terminals 41A to 41D.
  • the length of the wide portion in the direction in which the second portion extends is shorter than the length of the narrow portion. In other words, the length of the narrow portion in the direction in which the second portion extends is longer than the length of the wide portion.
  • the plurality of terminals 41A to 41D and 51A to 51D constitute external terminals that are inserted into through holes provided in the wiring board (not shown) when the insulation module 10 is mounted on the wiring board (not shown).
  • the narrow portions of the second portions of the terminals 41A to 41D and 51A to 51D are joined by a conductive joining material such as solder, Ag (silver) paste, etc. while being inserted into the through holes of the wiring board. be done. Thereby, the insulation module 10 is electrically connected to the wiring board.
  • Each resin side surface 81-84 has a first side surface 85 and a second side surface 86.
  • the first side surface 85 is continuous with the second side surface 86 .
  • the first side surface 85 is arranged closer to the resin main surface 80s than the resin back surface 80r in the z-direction.
  • the second side surface 86 is arranged closer to the resin rear surface 80r than the resin main surface 80s in the z-direction.
  • the first side surface 85 of the first resin side surface 81 and the first side surface 85 of the second resin side surface 82 are inclined so as to approach each other in the x direction toward the resin main surface 80s.
  • the side surface 86 and the second side surface 86 of the second resin side surface 82 are inclined so as to approach each other in the x direction toward the resin back surface 80r.
  • a first side surface 85 (not shown) of the third resin side surface 83 and a first side surface 85 of the fourth resin side surface 84 are inclined toward each other in the y direction toward the resin main surface 80s.
  • a second side surface 86 (not shown) of 83 and a second side surface 86 of the fourth resin side surface 84 are inclined so as to approach each other in the y direction toward the resin back surface 80r.
  • the length in the z direction of the first side surface 85 of each of the resin side surfaces 81 to 84 is longer than the length of the second side surface 86 of each of the resin side surfaces 81 to 84 in the z direction.
  • the four terminals 41A to 41D protrude from between the first side surface 85 and the second side surface 86 of the first resin side surface 81 respectively.
  • the four terminals 41A-41D are arranged apart from each other in the y direction.
  • Each of the terminals 41A to 41D protrudes from a portion of the first resin side surface 81 closer to the resin back surface 80r than the center of the sealing resin 80 in the z direction.
  • the four terminals 51A to 51D protrude from between the first side surface 85 and the second side surface 86 of the second resin side surface 82 respectively.
  • the four terminals 51A to 51D are arranged apart from each other in the y direction.
  • Each of the terminals 51A to 51D protrudes from a portion of the second resin side surface 82 closer to the resin back surface 80r than the center of the sealing resin 80 in the z direction.
  • FIG. 2 is a plan view of the insulation module 10 showing the internal structure of the insulation module 10.
  • the sealing resin 80 is indicated by a chain double-dashed line for convenience.
  • the transparent resin 60 and the reflecting member 70 which will be described later, are omitted.
  • the insulation module 10 includes a light emitting element 20, a light receiving element 30, a first lead frame 40, and a second lead frame 50.
  • a photocoupler is composed of the light emitting element 20 and the light receiving element 30 .
  • the light emitting element 20 is mounted on the first lead frame 40 .
  • the first lead frame 40 includes first lead frames 40A to 40D as four first lead frames.
  • the first lead frames 40A to 40D are arranged near the first resin side surface 81 with respect to the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the first lead frames 40A to 40D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the first lead frame 40A is arranged closer to the third resin side surface 83 than the first lead frames 40B to 40D.
  • the first lead frame 40A includes terminals 41A.
  • the terminal 41A is a portion of the first lead frame 40A protruding from the first resin side surface 81 to the outside of the sealing resin 80 .
  • the inner leads 42A which are portions of the first lead frame 40A provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • the tip of the inner lead 42A is located closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • a through hole 43A is provided in a portion near the tip of the inner lead 42A.
  • the shape of the through-hole 43A viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 43A.
  • the sealing resin 80 in the through hole 43A can prevent the first lead frame 40A from moving with respect to the sealing resin 80 in the direction orthogonal to the z direction.
  • a protrusion 44A extending toward the third resin side surface 83 is provided at the tip of the inner lead 42A.
  • the protrusion 44A extends along the y direction.
  • the tip of the projection 44A is provided at a position separated from the third resin side surface 83 in the y direction. That is, the protrusion 44A is not exposed from the third resin side surface 83.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the protrusion 44A in the x direction. Therefore, it is possible to prevent the first lead frame 40A from moving in the x direction with respect to the sealing resin 80 by the projection 44A.
  • the first lead frame 40B is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the first lead frame 40A.
  • the first lead frame 40B includes terminals 41B. That is, the terminal 41B is a portion of the first lead frame 40B protruding from the first resin side surface 81 to the outside of the sealing resin 80 .
  • the inner leads 42B which are portions of the first lead frame 40B provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • the tip of the inner lead 42B is located closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the length of the inner lead 42B in the x direction is longer than the length of the inner lead 42A in the x direction.
  • the inner lead 42B includes a first lead portion 42BA and a second lead portion 42BB.
  • the first lead portion 42BA is a portion continuous with the terminal 41B and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 43B is provided in a portion of the first lead portion 42BA near the second lead portion 42BB.
  • the shape of the through-hole 43B viewed from the z-direction is a rectangular shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction.
  • the length of the short side of the through hole 43B is equal to the length of the short side of the through hole 43A, and the length of the long side of the through hole 43B is longer than the length of the long side of the through hole 43A.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 43B.
  • the sealing resin 80 in the through hole 43B can suppress the movement of the first lead frame 40A with respect to the sealing resin 80 in the direction perpendicular to the z direction.
  • the second lead portion 42BB is a portion including the tip of the inner lead 42B.
  • the second lead portion 42BB is arranged to be shifted toward the inner lead 42A with respect to the first lead portion 42BA in the y-direction.
  • a recess 44B is provided in a portion near the tip of the inner lead 42B.
  • the depression 44B is depressed toward the third resin side surface 83 from the edge near the fourth resin side surface 84 among the y direction end edges of the first lead portion 42BA.
  • the second lead portion 42BB protrudes from the first lead portion 42BA toward the inner lead 42A when viewed in the z direction.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the second lead portion 42BB in the x direction. Therefore, the movement of the first lead frame 40B in the x direction with respect to the sealing resin 80 can be suppressed by the second lead portion 42BB.
  • the second lead portion 42BB has a portion closer to the second resin side surface 82 than the inner lead 42A of the first lead frame 40A in the x direction.
  • the shape of the second lead portion 42BB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction.
  • the first lead frame 40C is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the first lead frame 40B.
  • the first lead frame 40C includes terminals 41C. That is, the terminal 41C is a portion of the first lead frame 40C protruding from the first resin side surface 81 to the outside of the sealing resin 80 .
  • Inner leads 42C which are portions of the first lead frame 40C provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • Inner lead 42C includes lead portion 42CA and die pad portion 42CB.
  • the die pad portion 42CB corresponds to the "first die pad”.
  • the lead portion 42CA is a portion continuous with the terminal 41C and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 43C is provided in a portion of the lead portion 42CA near the die pad portion 42CB.
  • the shape of the through-hole 43C viewed from the z-direction is the same as the shape of the through-hole 43B viewed from the z-direction.
  • the area of the through hole 43C viewed from the z direction is the same as the area of the through hole 43B viewed from the z direction.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 43C. The sealing resin 80 in the through hole 43C can suppress the movement of the first lead frame 40C with respect to the sealing resin 80 in the direction orthogonal to the z direction.
  • the die pad portion 42CB is provided at a position aligned with the second lead portion 42BB of the first lead frame 40B in the x direction and separated from the second lead portion 42BB in the y direction.
  • the end portion closer to the second lead portion 42BB enters the recess 44B of the second lead portion 42BB. That is, the die pad portion 42CB is arranged so that a part thereof overlaps the lead portion 42BA when viewed in the x direction.
  • the shape of the die pad portion 42CB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the length of the die pad portion 42CB in the y direction is longer than the length of the lead portion 42CA in the y direction.
  • the die pad portion 42CB protrudes on both sides in the y direction with respect to the lead portion 42CA.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the die pad portion 42CB in the x direction. Therefore, the die pad portion 42CB can suppress the movement of the first lead frame 40C in the x direction with respect to the sealing resin 80 .
  • the die pad portion 42CB has a recess 44C.
  • the recessed portion 44C is provided at one of the y-direction end portions of the die pad portion 42CB that is closer to the second lead portion 42BB.
  • the recess 44C opens toward the second lead portion 42BB.
  • the concave portion 44C is provided closer to the lead portion 42CA than the center of the die pad portion 42CB in the x direction.
  • the first lead frame 40D is arranged closer to the fourth resin side surface 84 than the first lead frames 40A to 40C.
  • the first lead frame 40D includes terminals 41D. That is, the terminal 41D is a portion of the first lead frame 40D protruding from the first resin side surface 81 to the outside of the sealing resin 80. As shown in FIG.
  • Inner leads 42D which are portions of the first lead frame 40D provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • the tip of the inner lead 42D is located closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • a through hole 43D is provided in a portion near the tip of the inner lead 42D.
  • the shape of the through-hole 43D viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 43D. The sealing resin 80 in the through hole 43D can prevent the first lead frame 40D from moving with respect to the sealing resin 80 in the direction orthogonal to the z direction.
  • a protrusion 44D extending toward the third resin side surface 83 is provided at the tip of the inner lead 42D.
  • the protrusion 44D extends along the y direction.
  • the tip of the protrusion 44D is provided at a position separated from the fourth resin side surface 84 in the y direction. That is, the projection 44D is not exposed from the fourth resin side surface 84.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the projection 44D in the x direction. Therefore, it is possible to prevent the first lead frame 40D from moving in the x direction with respect to the sealing resin 80 by the projection 44D.
  • the first lead frame 40D when viewed from the z direction, has a shape that is symmetrical to the first lead frame 40A with respect to a straight line extending along the x direction at the center of the sealing resin 80 in the y direction. have.
  • the light emitting element 20 is mounted on the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C. More specifically, the light emitting element 20 is arranged at the end portion closer to the second resin side surface 82 among both end portions in the x direction of the die pad portion 42CB. The light emitting element 20 is arranged closer to the second lead portion 42BB of the first lead frame 40B than the lead portion 42CA in the die pad portion 42CB in the y direction. The light emitting element 20 is arranged at a position overlapping the recess 44C of the die pad portion 42CB when viewed from the x direction.
  • the light emitting element 20 is arranged in the center of the sealing resin 80 in the y direction when viewed from the z direction. Further, the light emitting element 20 is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the light emitting element 20 viewed from the z direction is rectangular. In this embodiment, the shape of the light emitting element 20 viewed from the z direction is a square.
  • Wires WA are bonding wires formed by, for example, a wire bonding apparatus (not shown).
  • the wire WA is made of a conductive material such as Cu, Al (aluminum), Au (gold), Ag, or the like.
  • the wire WA is made of a material containing Au.
  • Second lead frame 50 includes second lead frames 50A to 50D as four second lead frames.
  • the second lead frames 50A to 50D are arranged closer to the second resin side surface 82 with respect to the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frames 50A to 50D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frame 50A is arranged closer to the third resin side surface 83 than the second lead frames 50B to 50D.
  • the second lead frame 50A includes terminals 51A.
  • the terminal 51A is a portion of the second lead frame 50A protruding outside the sealing resin 80 from the second resin side surface 82 .
  • the terminal 51A is arranged at a position overlapping the terminal 41A when viewed in the x direction.
  • Inner leads 52A which are portions of the second lead frame 50A provided in the sealing resin 80, include lead portions 52AA and die pad portions 52AB.
  • the die pad portion 52AB corresponds to the "second die pad”.
  • the lead portion 52AA When viewed from the z-direction, the lead portion 52AA has a first portion extending along the x-direction from the second resin side surface 82, and is inclined toward the fourth resin side surface 84 from the first portion toward the first resin side surface 81. and a third portion extending from the second portion in the x direction and continuing to the die pad portion 52AB.
  • a through hole 53A is provided in the lead portion 52AA.
  • 53 A of through-holes are formed over the 1st part and the 2nd part. More specifically, the through hole 53A is formed from a portion of the first portion closer to the second portion to a portion of the second portion closer to the third portion.
  • the through hole 53A has a first through portion extending in the x direction and an inclination from the third resin side surface 83 toward the fourth resin side surface 84 from the second resin side surface 82 toward the first resin side surface 81. and a second penetrating portion extending to.
  • the first penetrating portion is provided in the first portion of the lead portion 52AA, and the second penetrating portion is provided in the second portion of the lead portion 52AA.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 53A.
  • the sealing resin 80 in the through hole 53A can prevent the second lead frame 50A from moving with respect to the sealing resin 80 in the direction perpendicular to the z direction.
  • the fourth resin Both of the second edges closer to the side surface 84 are inclined toward the fourth resin side surface 84 as they approach the die pad portion 52AB.
  • the inclination angle of the second edge of the third portion with respect to the x direction is greater than the inclination angle of the first edge of the third portion with respect to the x direction. Therefore, when viewed from the z direction, the third portion is tapered such that the width dimension of the third portion (dimension in the y direction) increases toward the die pad portion 52AB.
  • both the inclination angle of the first edge of the third portion with respect to the x direction and the inclination angle of the second edge of the third portion with respect to the x direction are smaller than the inclination angle of the second portion with respect to the x direction.
  • the die pad portion 52AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the lead portion 52AA in the x direction.
  • the die pad portion 52AB is arranged in the center of the sealing resin 80 in the y direction when viewed from the z direction.
  • the shape of the die pad portion 52AB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the die pad portion 52AB is arranged at a position facing both the first lead frames 40B and 40C in the x direction. That is, the die pad portion 52AB extends in the y direction so as to face both the first lead frames 40B and 40C in the x direction. Therefore, the y-direction length of the die pad portion 52AB is longer than the y-direction length of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C.
  • the die pad portion 52AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than both the first lead frames 40B and 40C.
  • the die pad portion 52AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the edge closer to the first resin side surface 81 is closer to the second resin side surface 82 of the x-direction edges of the first lead frames 40B and 40C. It is positioned closer to the center of the sealing resin 80 in the x direction than the closer edge. That is, the die pad portion 52AB is arranged closer to the center of the sealing resin 80 in the x direction than the die pad portion 42CB.
  • a recess 54A is provided in the die pad portion 52AB.
  • the recess 54A is provided at an end of the die pad portion 52AB near the second resin side surface 82 and near the fourth resin side surface 84. As shown in FIG.
  • the depression 54A opens toward both the second resin side surface 82 and the fourth resin side surface 84. As shown in FIG.
  • a hanging lead 55A is provided on the die pad portion 52AB.
  • the suspension lead 55A extends along the x direction toward the second resin side surface 82 from the edge closer to the second resin side surface 82 out of both x direction edges of the die pad portion 52AB.
  • the suspension lead 55A is provided at the center of the die pad portion 52AB in the y direction. It can be said that the suspension lead 55A is provided at the center of the sealing resin 80 in the y direction when viewed from the z direction.
  • the suspension lead 55A is exposed from the second resin side surface 82. As shown in FIG.
  • the second lead frame 50B is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the second lead frame 50A.
  • the second lead frame 50B includes terminals 51B. That is, the terminal 51B is a portion of the second lead frame 50B protruding from the second resin side surface 82 to the outside of the sealing resin 80 .
  • the terminal 51B is arranged at a position overlapping the terminal 41B when viewed in the x direction.
  • Inner leads 52B which are portions of the second lead frame 50B provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • the tip of the inner lead 52B is positioned closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction. More specifically, the tip of the inner lead 52B is positioned closer to the second resin side surface 82 than the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A.
  • the end portion near the lead portion 52AA of the second lead frame 50A has an inclined portion that inclines toward the fourth resin side surface 84 toward the tip of the inner lead 52B. ing. As shown in FIG. 2, the inner lead 52B is tapered toward its tip.
  • a through hole 53B is provided in a portion near the tip of the inner lead 52B.
  • the shape of the through-hole 53B when viewed from the z-direction is formed into a substantially trapezoidal shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction, tapering toward the tip of the inner lead 52B.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 53B. The sealing resin 80 in the through hole 53B can suppress the movement of the second lead frame 50B with respect to the sealing resin 80 in the direction perpendicular to the z direction.
  • a portion of the inner lead 52B spaced from the second resin side surface 82 in the x direction is provided with a protruding portion 54B that protrudes in the y direction from a portion closer to the second resin side surface 82 than that portion.
  • the protruding portion 54B protrudes to the side opposite to the lead portion 52AA.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the protruding portion 54B in the x direction. Therefore, the movement of the second lead frame 50B in the x direction with respect to the sealing resin 80 can be suppressed.
  • the second lead frame 50C is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the second lead frame 50B. More specifically, the second lead frame 50C is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the suspension leads 55A of the second lead frame 50A. In other words, the suspension lead 55A is spaced from both the second lead frames 50B and 50C in the y direction between the second lead frames 50B and 50C. In this embodiment, the suspension lead 55A is arranged in the center of the terminal 51B and the terminal 51C in the y direction on the second resin side surface 82 .
  • the second lead frame 50C includes terminals 51C.
  • the terminal 51C is a portion of the second lead frame 50C protruding outside the sealing resin 80 from the second resin side surface 82 .
  • the terminal 51C is arranged at a position overlapping the terminal 41C when viewed in the x direction.
  • Inner leads 52C which are portions of the second lead frame 50C provided in the sealing resin 80, extend in the x direction.
  • the tip of the inner lead 52C is located closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction. More specifically, the tip of the inner lead 52C is positioned closer to the second resin side surface 82 than the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A.
  • a through hole 53C is provided in a portion near the tip of the inner lead 52C.
  • the shape of the through-hole 53C viewed from the z-direction is a rectangular shape with long sides in the x-direction and short sides in the y-direction.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 53C. The sealing resin 80 in the through hole 53C can suppress the movement of the second lead frame 50C with respect to the sealing resin 80 in the direction orthogonal to the z direction.
  • a protrusion 54C extending toward the third resin side surface 83 is provided at the tip of the inner lead 52C.
  • the projection 54C extends along the y direction.
  • the sealing resin 80 exists on both sides of the projection 54C in the x direction. Therefore, it is possible to prevent the second lead frame 50C from moving in the x direction with respect to the sealing resin 80 by the projection 54C.
  • the second lead frame 50D is arranged near the fourth resin side surface 84 with respect to the second lead frame 50C.
  • the second lead frame 50D includes terminals 51D. That is, the terminal 51D is a portion of the second lead frame 50D protruding from the second resin side surface 82 to the outside of the sealing resin 80 . In this embodiment, the terminal 51D is arranged at a position overlapping the terminal 41D when viewed in the x direction.
  • the inner lead 52D which is the portion of the second lead frame 50D provided in the sealing resin 80, has a first portion extending in the x direction and a third resin side surface 83 extending from the first portion toward the first resin side surface 81. and a third portion extending from the second portion toward the recess 54A of the die pad portion 52AB.
  • a through hole 53D is provided in the inner lead 52D.
  • a through hole 53D is formed over the first portion and the second portion. More specifically, the through hole 53D is formed from a portion of the first portion closer to the second portion to a portion of the second portion closer to the third portion.
  • the through hole 53D has a first through portion extending in the x direction and an inclination from the fourth resin side surface 84 toward the third resin side surface 83 as it goes from the second resin side surface 82 to the first resin side surface 81. and a second penetrating portion extending to.
  • the first penetrating portion is provided in the first portion of the inner lead 52D
  • the second penetrating portion is provided in the second portion of the inner lead 52D.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 53D.
  • the sealing resin 80 in the through hole 53D can prevent the second lead frame 50D from moving with respect to the sealing resin 80 in the direction perpendicular to the z direction.
  • the third portion enters the recess 54A of the die pad portion 52AB.
  • the third portion has a portion closer to the first resin side surface 81 than the second lead frames 50B and 50C in the x direction.
  • the third portion is arranged at a position overlapping the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C when viewed in the x direction.
  • the first edge closer to the third resin side surface 83 extends along the x-direction when viewed from the z-direction.
  • the second edge closer to the fourth resin side surface 84 is inclined toward the third resin side surface 83 as it approaches the die pad portion 52AB. . Therefore, when viewed from the z-direction, the third portion is formed so that the width dimension of the third portion (dimension in the y-direction) of the third portion decreases toward the die pad portion 52AB.
  • both the angles of inclination of the second edge with respect to the x-direction are smaller than the angles of inclination of the second portion with respect to the x-direction.
  • the light receiving element 30 is mounted on the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A. More specifically, the light-receiving element 30 is arranged near the end portion closer to the second resin side surface 82 among both end portions in the x direction of the die pad portion 52AB. The light receiving element 30 is arranged in the center of the die pad portion 52AB in the y direction. The light receiving element 30 is arranged at a position overlapping the second lead frames 50B and 50C when viewed in the x direction. The light receiving element 30 is arranged closer to the third resin side surface 83 than the second lead frame 50D in the y direction. On the other hand, when viewed in the y direction, the light receiving element 30 is arranged at a position overlapping the third portion of the second lead frame 50D.
  • the light receiving element 30 When viewed from the z direction, the light receiving element 30 is arranged in the center of the sealing resin 80 in the y direction. Therefore, the light receiving element 30 is arranged at a position overlapping the light emitting element 20 when viewed from the x direction. It can also be said that the light receiving element 30 is arranged to face the light emitting element 20 in the x direction. Further, the light receiving element 30 is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the light receiving element 30 viewed from the z direction is rectangular.
  • the shape of the light receiving element 30 viewed from the z direction is a rectangular shape with short sides in the x direction and long sides in the y direction.
  • the light receiving element 30 is configured to receive light from the light emitting element 20 .
  • the light receiving element 30 includes a first semiconductor region that receives light from the light emitting element 20 and a second semiconductor region that generates a signal based on the received light.
  • a photoelectric conversion element is provided in the first semiconductor region. Photodiodes, for example, are used as photoelectric conversion elements.
  • the second semiconductor region is formed by, for example, LSI (Large Scale Integration).
  • the light-receiving element 30 of this embodiment is an element in which the function of receiving light from the light-emitting element 20 and the function of generating a signal from the received light are integrated.
  • the first semiconductor region and the second semiconductor region are formed side by side in the x-direction.
  • the first semiconductor region is formed in a portion of the light receiving element 30 closer to the light emitting element 20 when viewed from the z direction.
  • the second semiconductor region is formed in a portion of the light receiving element 30 near the second lead frames 50B and 50C.
  • the area of the first semiconductor region viewed in the z-direction is smaller than the area of the second semiconductor region viewed in the z-direction.
  • the x-direction dimension of the first semiconductor region is smaller than the x-direction dimension of the second semiconductor region.
  • the first semiconductor region of the light receiving element 30 forms a light receiving surface 33 when viewed from the z direction.
  • the area of the light receiving element 30 viewed from the z direction is larger than the area of the light emitting element 20 viewed from the z direction.
  • the area of the light-receiving element 30 viewed from the z-direction is at least twice the area of the light-emitting element 20 viewed from the z-direction, preferably at least 5 times.
  • the area of the light receiving element 30 viewed from the z direction is about ten times the area of the light emitting element 20 viewed from the z direction.
  • the light receiving element 30 is connected to the second lead frames 50A-50D by wires WB1-WB4, respectively.
  • Wires WB1 to WB4 are bonding wires formed, for example, by a wire bonding apparatus (not shown), like wires WA.
  • the wires WB1 to WB4 are made of a conductive material (Au in this embodiment) like the wires WA.
  • two wires WB1 connect the second semiconductor region of the light receiving element 30 and the third portion of the lead portion 52AA of the second lead frame 50A.
  • One wire WB2 connects the second semiconductor region of the light-receiving element 30 and the portion of the inner lead 52B of the second lead frame 50B on the tip side of the through hole 53B.
  • the two wires WB3 connect the second semiconductor region of the light receiving element 30 and the portion of the inner lead 52C of the second lead frame 50C that is closer to the tip than the through hole 53C.
  • Two wires WB4 connect the second semiconductor region of the light receiving element 30 and the third portion of the inner lead 52D of the second lead frame 50D. These wires WB1 to WB4 are connected to the outer periphery of the second semiconductor region of the light receiving element 30 when viewed from the z direction.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional structure of the insulation module 10.
  • FIG. FIG. 4 mainly shows an enlarged structure inside a reflecting member 70, which will be described later, of the cross-sectional structure of the insulation module 10.
  • FIG. 5 mainly shows the light-emitting element 20 and its surrounding structure in the cross-sectional structure of the insulation module 10 in an enlarged manner.
  • FIG. 6 mainly shows a portion of the light receiving element 30 and its surrounding structure in the cross-sectional structure of the insulation module 10 in an enlarged manner.
  • FIG. 7 is a schematic plan view in which the transparent resin 60 and the reflecting member 70 are added to FIG. 2 and the reflecting member 70 and its periphery are enlarged. In addition, in FIG. 3, for the sake of convenience, some of the terminals 41 and 51 are omitted.
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C extends so as to be slightly inclined from the first resin side surface 81 toward the second resin side surface 82 toward the resin back surface 80r. ing.
  • the inclination angle of the die pad portion 42CB with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction is, for example, 1° or more and 2° or less. Note that the inclination angle of the die pad portion 42CB with respect to the horizontal direction is not limited to this, and may be, for example, greater than 0° and equal to or less than 10°.
  • the inclination angles of the die pad portion 42CB with respect to the horizontal direction are 2° to 3°, 3° to 4°, 4° to 5°, 5° to 6°, 6° to 7°, and 7°. ° or more and 8° or less.
  • the die pad section 42CB has a pad front surface 42s and a pad rear surface 42r facing opposite sides in the thickness direction of the die pad section 42CB.
  • the pad surface 42s is a surface forming a mounting surface on which the light emitting element 20 is mounted. That is, in this embodiment, the pad surface 42s corresponds to the "mounting surface of the first die pad".
  • the pad surface 42s faces the same side as the resin main surface 80s of the sealing resin 80 .
  • the pad rear surface 42r faces the same side as the resin rear surface 80r of the sealing resin 80.
  • the pad back surface 42r is spaced apart from the resin back surface 80r in the z direction. That is, the pad rear surface 42r is not exposed from the resin rear surface 80r.
  • the die pad section 42CB has a main metal layer 45C and a plated layer 46C formed on the outer surface of the main metal layer 45C.
  • the main metal layer 45C is made of a metal material containing Cu, for example.
  • the plated layer 46C is made of a material containing Ni (nickel), Cr (chromium), or the like. As shown in FIG. 5, the plated layer 46C is sufficiently thin compared to the main metal layer 45C.
  • the light emitting element 20 has an element main surface 20s and an element rear surface 20r facing opposite sides in the thickness direction.
  • the element main surface 20s faces the same side as the pad surface 42s, and the element rear surface 20r faces the same side as the pad rear surface 42r (see FIG. 3).
  • a first electrode 21 is provided on the element main surface 20s.
  • the first electrode 21 is provided, for example, at the center of both the x direction and the y direction of the element main surface 20s.
  • a second electrode 22 is provided on the element rear surface 20r.
  • the second electrode 22 is provided, for example, over the entire element back surface 20r.
  • the element main surface 20s constitutes a "light emitting surface".
  • the light emitting element 20 is bonded to the pad surface 42s of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C with a conductive bonding material 90 (see FIG. 5).
  • the light emitting element 20 is bonded to the die pad section 42CB by die bonding the light emitting element 20 to the die pad section 42CB using the conductive bonding material 90 .
  • the conductive bonding material 90 is interposed between the pad surface 42 s of the die pad portion 42 CB and the element back surface 20 r of the light emitting element 20 .
  • the conductive bonding material 90 corresponds to the "first bonding material".
  • the conductive bonding material 90 is made of a material that reflects light from the light emitting element 20P, for example.
  • the conductive bonding material 90 is made of a conductive material such as solder or Ag (silver) paste. Solder and Ag paste reflect light.
  • the conductive bonding material 90 includes a first bonding region 91 interposed between the element back surface 20r of the light emitting element 20 and the pad surface 42s of the die pad portion 42CB, and a region protruding from the light emitting element 20 when viewed in the z direction. and a second bonding region 92 bonded to the outer surface of the light emitting element 20 .
  • the second bonding region 92 is provided so that the thickness of the second bonding region 92 decreases as the distance from the light emitting element 20 increases from the bonding portion with the outer surface of the light emitting element 20 .
  • the second bonding region 92 is formed over the entire circumference of the light emitting element 20 when viewed from the z direction.
  • the surface 92s of the second bonding region 92 is curved such that the center of curvature CF is located above the surface 92s, that is, the center of curvature CF is located on the opposite side of the surface 92s from the die pad portion 42CB in the z direction. It is The curvature of a region of the surface 92 s of the second bonding region 92 adjacent to the light emitting element 20 is greater than the curvature of a region of the surface 92 s of the second bonding region 92 far from the light emitting element 20 .
  • the height HS of the portion of the second junction region 92 in contact with the outer surface of the light emitting element 20 is 1/2 or less of the height H1 of the light emitting element 20 .
  • the height HS is less than half the height H1.
  • the height HS is defined by the height from the pad surface 42s of the die pad portion 42CB of the portion of the second bonding region 92 in contact with the outer surface of the light emitting element 20 . That is, it can be said that the height HS is the thickness of the portion of the second junction region 92 that is in contact with the outer surface of the light emitting element 20 .
  • the height H1 is defined by the distance between the pad surface 42s of the die pad portion 42CB and the element main surface 20s of the light emitting element 20 in the z direction.
  • the light emitting element 20 is electrically connected to the first lead frames 40B and 40C.
  • the first electrode 21 of the light emitting element 20 is electrically connected to the first lead frame 40B via the wire WA.
  • the second electrode 22 of the light emitting element 20 is electrically connected to the first lead frame 40C through the conductive bonding material 90.
  • the first electrode 21 is a cathode electrode and the second electrode 22 is an anode electrode. Therefore, as shown in FIG. 2, the terminal 41C constitutes an anode terminal and the terminal 41B constitutes a cathode terminal.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A is slightly inclined from the second resin side surface 82 toward the first resin side surface 81 toward the resin back surface 80r. It extends like That is, it can be said that both the die pad portion 52AB and the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C are inclined toward the resin back surface 80r as they approach each other.
  • the inclination angle of the die pad portion 52AB with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z direction is, for example, 1° or more and 2° or less.
  • the inclination angle of the die pad portion 52AB with respect to the horizontal direction is not limited to this, and may be, for example, greater than 0° and equal to or less than 10°.
  • the inclination angles of the die pad portion 52AB with respect to the horizontal direction are 2° to 3°, 3° to 4°, 4° to 5°, 5° to 6°, 6° to 7°, and 7°. ° or more and 8° or less.
  • the die pad portion 52AB has a pad front surface 52s and a pad rear surface 52r facing opposite sides in the thickness direction of the die pad portion 52AB.
  • the pad surface 52s is a surface forming a mounting surface on which the light receiving element 30 is mounted. That is, in this embodiment, the pad surface 52s corresponds to the "mounting surface of the second die pad".
  • the pad surface 52s faces the same side as the pad surface 42s of the die pad portion 42CB.
  • the pad rear surface 52r faces the same side as the pad rear surface 42r of the die pad portion 42CB.
  • the pad back surface 52r is arranged apart from the resin back surface 80r in the z-direction. That is, the pad rear surface 52r is not exposed from the resin rear surface 80r.
  • the die pad portion 52AB has a main metal layer 56A and a plated layer 57A formed on the outer surface of the main metal layer 56A.
  • the main metal layer 56A is made of a metal material containing Cu, for example.
  • the plated layer 57A is made of a material containing Ni, Cr, or the like. As shown in FIG. 6, the plating layer 57A is sufficiently thin compared to the main metal layer 56A.
  • a protrusion 58A is provided at one of the x-direction end portions of the die pad portion 52AB that is closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 2).
  • the projection 58A extends upward. More specifically, the protrusion 58A is composed of a main metal layer 56A and a plating layer 57A. The thickness of the plating layer 57A in the protrusion 58A is thinner than the thickness of the portion of the plating layer 57A that constitutes the pad surface 52s.
  • the height of the portion of the protrusion 58A formed by the main metal layer 56A is equal to the thickness of the portion of the plating layer 57A forming the pad surface 52s.
  • the difference between the height of the portion of the protrusion 58A formed by the main metal layer 56A and the thickness of the portion of the plating layer 57A forming the pad surface 52s is formed by the main metal layer 56A of the protrusion 58A, for example.
  • the height of the portion of the protrusion 58A formed by the main metal layer 56A is equal to the thickness of the portion of the plating layer 57A forming the pad surface 52s.
  • the light receiving element 30 is bonded to the pad surface 52s of the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A with a conductive bonding material 100 (see FIG. 6).
  • the conductive bonding material 100 is interposed between the pad surface 52s of the die pad portion 52AB and the element back surface 30r of the light receiving element 30. As shown in FIG. Here, in the present embodiment, the conductive bonding material 100 corresponds to the "second bonding material".
  • the conductive bonding material 100 is made of a material that reflects light from the light emitting element 20P, for example.
  • the conductive bonding material 100 is made of a conductive material such as solder or Ag paste.
  • the conductive bonding material 100 includes a first bonding region 101 interposed between the element back surface 30r of the light receiving element 30 and the pad surface 52s of the die pad portion 52AB, and a region protruding from the light receiving element 30 when viewed in the z direction. and a second bonding region 102 bonded to the outer surface of the light receiving element 30 .
  • the second bonding region 102 is provided so that the thickness of the second bonding region 102 becomes thinner as the distance from the light receiving element 30 increases from the bonding portion with the outer surface of the light receiving element 30 .
  • the second bonding region 102 is formed over the entire circumference of the light receiving element 30 when viewed from the z direction.
  • the surface 102s of the second bonding region 102 is curved such that the center of curvature CG is located above the surface 102s, that is, the center of curvature CG is located on the opposite side of the surface 102s from the die pad portion 52AB in the z direction. It is The curvature of a region of the surface 102 s of the second bonding region 102 adjacent to the light receiving element 30 is greater than the curvature of a region far from the light receiving element 30 of the surface 102 s of the second bonding region 102 .
  • the height HT of the portion of the second junction region 102 in contact with the outer surface of the light receiving element 30 is less than or equal to half the height H2 of the light receiving element 30 (see FIG. 4). In this embodiment, the height HT is less than half the height H2.
  • the height HT is defined by the height from the pad surface 52s of the die pad portion 52AB of the portion of the second bonding region 102 in contact with the outer surface of the light receiving element 30 . That is, it can be said that the height HT is the thickness of the portion of the second junction region 102 that is in contact with the outer side surface of the light receiving element 30 .
  • the height H2 is defined by the distance between the pad surface 52s of the die pad portion 52AB and the element main surface 30s of the light receiving element 30 in the z direction.
  • the light-receiving element 30 is arranged near the end portion closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 2) among both end portions in the x direction of the die pad portion 52AB.
  • the second bonding region 102 provided at the end portion closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 2) of the both end portions of the die pad portion 52AB in the x direction is separated from the die pad portion 52AB by the protrusion 58A. Protruding toward the resin side surface 81 is suppressed.
  • the thickness of the light emitting element 20 (the dimension of the light emitting element 20 in the z direction) is thinner than the thickness of the light receiving element 30 (the dimension of the light receiving element 30 in the thickness direction of the die pad portion 52AB).
  • the z-direction position of the pad surface 42s of the die pad portion 42CB and the z-direction position of the pad surface 52s of the die pad portion 52AB are substantially aligned with each other. Therefore, the height H2 of the light receiving element 30 is higher than the height H1 of the light emitting element 20.
  • the insulation module 10 includes a transparent resin 60 and a reflecting member 70.
  • the transparent resin 60 is made of a resin material through which light from the light emitting element 20 can pass. Transparent epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, or the like, for example, is used as the transparent resin 60 .
  • the transparent resin 60 is formed by potting, for example.
  • the transparent resin 60 covers at least both the light emitting element 20 and the light receiving element 30. More specifically, the transparent resin 60 covers the entire light-emitting element 20 and partially covers the light-receiving element 30 when viewed in the z-direction.
  • the transparent resin 60 covers a portion closer to the light emitting element 20 than the center of the light receiving element 30 in the x direction.
  • the transparent resin 60 covers the first semiconductor region of the light receiving element 30 . That is, the transparent resin 60 covers the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 .
  • the transparent resin 60 does not cover the second semiconductor region of the light receiving element 30 . Therefore, the wires WB1 to WB4 connected to the light receiving element 30 are arranged outside the transparent resin 60, respectively. Each of the wires WB1-WB4 is arranged inside the reflecting member 70. As shown in FIG.
  • the transparent resin 60 covers most of the die pad section 42CB including the light emitting element 20 in the x direction. More specifically, the transparent resin 60 covers a portion of the die pad portion 42CB on the opposite side of the light emitting element 20 from the light receiving element 30 in the x direction. In the present embodiment, the transparent resin 60 covers a portion closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 3) than the center of the die pad portion 42CB in the x direction. Therefore, part of one wire WA connected to the light emitting element 20 is arranged inside the transparent resin 60 . The remaining portion of one wire WA is arranged outside the transparent resin 60 , that is, inside the reflecting member 70 . In other words, the wire WA is provided from the transparent resin 60 to the reflecting member 70 .
  • the transparent resin 60 is also provided in a portion between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction.
  • the transparent resin 60 is also provided in a portion between the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A in the x direction.
  • the lower end surface 64 of the transparent resin 60 is provided so as to be at the same position in the z direction as the pad rear surface 42r of the die pad section 42CB.
  • the transparent resin 60 is formed between the side surface of the die pad portion 42CB that is closer to the die pad portion 52AB among both side surfaces of the die pad portion 42CB in the x direction and the side surface of the die pad portion 52AB that is closer to the die pad portion 42CB among both side surfaces of the die pad portion 52AB in the x direction. in contact with both.
  • the lower end surface 64 of the transparent resin 60 is formed in a straight line extending in the x direction.
  • the transparent resin 60 covers the light emitting element 20 and the pad surface 42s of the die pad portion 42CB. It is in contact with the junction area 92 . Further, as shown in FIG. 6, the transparent resin 60 covers the first semiconductor region of the light receiving element 30 and the portion of the die pad portion 52AB closer to the die pad portion 42CB than the light receiving element 30. Therefore, the transparent resin 60 is conductive. It is in contact with a portion closer to the light emitting element 20 than the light receiving element 30 in the second bonding region 102 , which is a portion of the bonding material 100 protruding from the light receiving element 30 .
  • the transparent resin 60 covers the entire first semiconductor region of the light receiving element 30 in the y direction when viewed from the z direction. That is, the y-direction dimension of the portion of the transparent resin 60 that covers the light receiving element 30 is larger than the y-direction dimension of the light receiving element 30 when viewed from the z direction.
  • the transparent resin 60 has a first end 61 closer to the light emitting element 20 in the x direction and a second end 61 closer to the light receiving element 30 in the x direction. It has an end portion 62 and an upwardly convex curved surface 63 .
  • the first end 61 is provided on the side opposite to the light receiving element 30 with respect to the light emitting element 20 in the x direction.
  • the first end portion 61 is provided at a position separated from the light emitting element 20 in the x direction. More specifically, the first end 61 is provided at a position separated from the conductive bonding material 90 in the x direction.
  • the first end portion 61 is provided at a position closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 3) than the center of the die pad portion 42CB in the x direction. Therefore, the transparent resin 60 is also provided on the side opposite to the light receiving element 30 with respect to the light emitting element 20 in the x direction.
  • the first end portion 61 has a first portion 61a extending in the z direction and an inclination toward the light emitting element 20 in the z direction from the first portion 61a. and a second portion 61b.
  • the first portion 61a is formed to rise from the pad surface 42s of the die pad portion 42CB.
  • the second portion 61 b is a portion that connects the first portion 61 a and the curved surface 63 .
  • the distance between the first portion 61a of the first end 61 and the light emitting element 20 in the x direction is longer than the length of the light emitting element 20 in the x direction.
  • the distance between the conductive bonding material 90 and the first portion 61a in the x direction is longer than the length of the light emitting element 20 in the x direction.
  • the second end 62 is provided at a position overlapping the second semiconductor region of the light receiving element 30 when viewed from the z direction.
  • the second end portion 62 is provided at a position adjacent to the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 in the x direction. Therefore, the transparent resin 60 is not provided in the portion of the second semiconductor region of the light receiving element 30 on the side opposite to the light receiving surface 33 with respect to the second end portion 62 .
  • the transparent resin 60 is provided so as to cover the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 .
  • the second end portion 62 has a first portion 62a extending in the z-direction and an inclination toward the light-emitting element 20 in the z-direction from the first portion 62a. and a second portion 62b.
  • the first portion 62a is formed to rise from the pad surface 52s of the die pad portion 52AB.
  • the second portion 62 b is a portion that connects the first portion 62 a and the curved surface 63 .
  • the z-direction position of the second end portion 62 provided on the light receiving element 30 is higher than the z-direction position of the first end portion 61 provided on the die pad portion 42CB. It is in.
  • the curved surface 63 is formed so as to connect the first end 61 and the second end 62 .
  • the curved surface 63 is provided above both the element main surface 20 s of the light emitting element 20 and the element main surface 30 s of the light receiving element 30 .
  • the curved shape of the curved surface 63 is not a uniform curved shape. Specifically, the radius of curvature of the portion of the curved surface 63 closer to the first end 61 is smaller than the radius of curvature of the portion of the curved surface 63 closer to the second end 62 . Therefore, the uppermost position of the curved surface 63, that is, the position where the curved surface 63 bends downward (hereinafter referred to as an inflection position CP) is located from the center of the curved surface 63 in the x direction. are also closer to the first end 61 . The inflection position CP is positioned closer to the light emitting element 20 than the light receiving element 30 in the x direction.
  • the thickness of the transparent resin 60 at the portion of the curved surface 63 that overlaps with the light emitting element 20 when viewed from the z direction is the thickness of the light receiving element 20 from the first end far from the light receiving element 30 among both ends of the light emitting element 20 in the x direction. It thickens towards the second end closer to 30 . That is, the portion of the curved surface 63 that overlaps the light emitting element 20 when viewed in the z direction is curved upward from the first end to the second end of the light emitting element 20 .
  • the thickness of the transparent resin 60 at the portion of the curved surface 63 overlapping the light emitting element 20 when viewed from the z direction is defined by the distance between the element main surface 20s of the light emitting element 20 and the curved surface 63 in the z direction. be.
  • the thickness of the transparent resin 60 at the portion of the curved surface 63 that overlaps the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 when viewed from the z-direction becomes thinner toward the second end 62 . That is, the portion of the curved surface 63 that overlaps with the light receiving surface 33 when viewed in the z direction is curved downward toward the second end 62 . Therefore, the light reflected by the portion of the curved surface 63 that overlaps the light receiving surface 33 when viewed from the z direction is likely to enter the light receiving surface 33 .
  • the thickness of the transparent resin 60 at the portion of the curved surface 63 overlapping the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 when viewed from the z direction is the distance between the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 and the curved surface 63 in the z direction.
  • the transparent resin 60 contains inorganic particles 65 that absorb or reflect light from the light emitting element 20 .
  • An example of the inorganic particles 65 is a filler.
  • the inorganic particles 65 are arranged all over the transparent resin 60 .
  • the content of the inorganic particles 65 in the transparent resin 60 can be arbitrarily changed.
  • the content of inorganic particles 65 in transparent resin 60 is set, for example, so that light receiving element 30 can receive light from light emitting element 20 within a predetermined range.
  • the cross-sectional shape of the inorganic particles 65 may be elliptical or circular.
  • the inorganic particles 65 may include multiple types of inorganic particles having different cross-sectional shapes.
  • the inorganic particles 65 may include first inorganic particles having a first cross-sectional shape and second inorganic particles having a second cross-sectional shape different from the first cross-sectional shape.
  • the inorganic particles 65 may have the same size. Moreover, the inorganic particles 65 may include a plurality of types of inorganic particles having different sizes. In one example, inorganic particles 65 may include first inorganic particles having a first size and second inorganic particles having a second size different from the first size.
  • the inorganic particles 65 may contain multiple types of inorganic particles of different materials.
  • the inorganic particles 65 may include first inorganic particles made of a first material and second inorganic particles made of a second material different from the first material.
  • the inorganic particles 65 of this embodiment are composed of inorganic particles having the same size, the same cross-sectional shape, and the same material.
  • the inorganic particles 65 may include a plurality of types of inorganic particles having a combination of a plurality of cross-sectional shapes, a plurality of sizes, and a plurality of materials.
  • the color of the inorganic particles 65 may be black, which mainly absorbs light, or white, which mainly reflects light.
  • the reflective member 70 is made of a material that reflects the light from the light emitting element 20 .
  • Reflecting member 70 is made of, for example, a white resin material.
  • An example of this resin material is a white epoxy resin.
  • the refractive index of the reflecting member 70 and the refractive index of the transparent resin 60 are different from each other.
  • the reflecting member 70 does not contain inorganic particles that absorb or reflect the light from the light emitting element 20 .
  • Reflective member 70 is formed by potting, for example.
  • the reflective member 70 covers at least the transparent resin 60 . That is, the reflecting member 70 covers all of the first end portion 61 , the second end portion 62 , the curved surface 63 and the lower end surface 64 of the transparent resin 60 . Reflective member 70 covers the second semiconductor region of light receiving element 30 . Therefore, it can be said that the reflecting member 70 covers both the light emitting element 20 and the light receiving element 30 .
  • the reflecting member 70 is the first resin side surface in the x direction of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C. It covers the entire die pad portion 42CB except for the side surface near 81 .
  • the reflecting member 70 enters the recess 44C of the die pad portion 42CB.
  • the reflecting member 70 covers the entire die pad portion 52AB of the second lead frame 50A. Also, the reflecting member 70 partially covers the suspension lead 55A.
  • the reflecting member 70 in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane, includes, as both ends in the x direction, a first end 71 closer to the light emitting element 20 in the x direction, and a second end 72 closer to the light receiving element 30 in the x direction.
  • the reflecting member 70 also has an upward curved surface 73 that is convex upward and a downward curved surface 74 that is convex downward.
  • the reflecting member 70 has an upper portion 75 positioned above the die pad portions 42CB and 52AB of the reflecting member 70 and a lower portion 76 positioned below the die pad portions 42CB and 52AB of the reflecting member 70. have.
  • Upper portion 75 includes upper curved surface 73 and lower portion 76 includes lower curved surface 74 .
  • the first end portion 71 constitutes the end portion of the upper curved surface 73 and the lower curved surface 74 closer to the light emitting element 20 in the x direction.
  • the first end portion 71 is provided at the end portion closer to the first resin side surface 81 (see FIG. 3) of the x-direction end portions of the die pad portion 42CB. In other words, the first end portion 71 is spaced from the light emitting element 20 toward the first resin side surface 81 .
  • a transparent resin 60 is interposed between the first end portion 71 and the light emitting element 20 .
  • the second end portion 72 constitutes the end portion of the upper curved surface 73 and the lower curved surface 74 closer to the light receiving element 30 in the x direction.
  • the second end portion 72 is provided closer to the second resin side surface 82 (see FIG. 3) than the die pad portion 52AB in the x direction. In other words, the second end portion 72 is spaced from the light receiving element 30 toward the second resin side surface 82 .
  • the transparent resin 60 is not interposed between the second end portion 72 and the light receiving element 30, and only the reflecting member 70 is provided.
  • the second end portion 72 is provided at a portion closer to the die pad portion 52AB than the center of the suspension lead 55A in the x direction.
  • the upper curved surface 73 is a curved surface that covers the die pad portions 42CB and 52AB, the light emitting element 20, and the light receiving element 30 from above. It has three curved surfaces 73c.
  • the first curved surface 73a corresponds to the "first end curved surface”
  • the second curved surface 73b corresponds to the "second end curved surface”
  • the third curved surface 73c It corresponds to the "intermediate curved surface”.
  • the first curved surface 73a is provided at a position opposite to the light receiving element 30 with respect to the light emitting element 20 in the x direction.
  • the first curved surface 73 a is a curved surface forming the first end portion 71 .
  • the first curved surface 73a has a curved shape such that the center of curvature CA thereof is located on the opposite side of the first curved surface 73a from the die pad section 42CB. ing.
  • the center of curvature CA is located above the die pad portion 42CB and outside the reflecting member 70 . Therefore, in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane, the first curved surface 73 a is a curved surface that is convex downward and toward the light emitting element 20 .
  • the second curved surface 73b is provided at a position opposite to the light emitting element 20 with respect to the light receiving element 30 in the x direction.
  • the second curved surface 73 b is a curved surface forming the second end portion 72 .
  • the second curved surface 73b has a curved shape such that the center of curvature CB of the second curved surface 73b is located on the opposite side of the second curved surface 73b from the die pad portion 52AB. ing.
  • the center of curvature CB is located above the die pad portion 52AB and outside the reflecting member 70 . Therefore, in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane, the second curved surface 73b is a curved surface that protrudes downward and toward the light receiving element 30 .
  • the distance between the first end 71 of the reflecting member 70 and the first end 61 of the transparent resin 60 in the x direction is It is smaller than the distance between the two ends 62 in the x direction. Therefore, since the upper curved surface 73 is more susceptible to the curved surface 63 of the transparent resin 60 at the first end 71 than at the second end 72, the pad surface 42s of the die pad portion 42CB at the first curved surface 73a rises steeper than the rise from the pad surface 52s of the die pad portion 52AB on the second curved surface 73b.
  • the second curved surface 73b can have a shape that gently rises from the pad surface 52s of the die pad portion 52AB.
  • the third curved surface 73c is provided between the first curved surface 73a and the second curved surface 73b, and is formed to connect the first curved surface 73a and the second curved surface 73b.
  • the third curved surface 73c has a curved shape such that the center of curvature CC thereof is located closer to the die pad portions 42CB and 52AB than the third curved surface 73c.
  • the center of curvature CC is located below the die pad portions 42CB and 52AB.
  • the center of curvature CC is positioned below the reflecting member 70 . Therefore, in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane, the third curved surface 73c is a curved surface that is convex upward.
  • the third curved surface 73c may be formed by combining curved surfaces having a plurality of curvatures.
  • the inflection position CQ which is the highest point of the third curved surface 73c, is located closer to the light receiving element 30 than the light emitting element 20 in the x direction.
  • the inflection position CQ is positioned closer to the light receiving element 30 than the inflection position CP of the curved surface 63 of the transparent resin 60 when viewed from the z direction.
  • the inflection position CP of the curved surface 63 of the transparent resin 60 is positioned closer to the light emitting element 20 than the inflection position CQ of the third curved surface 73c of the reflecting member 70 is.
  • the radius of curvature of the third curved surface 73 c is larger than the radius of curvature of the curved surface 63 of the transparent resin 60 . Therefore, the thickness of the upper portion 75 of the reflecting member 70 increases from the inflection position CP of the curved surface 63 toward the first end portion 71 . It can also be said that the thickness of the upper portion 75 of the reflecting member 70 decreases upward from the first end portion 71 . Also, the thickness of the upper portion 75 of the reflecting member 70 increases from the inflection position CP of the curved surface 63 toward the second end portion 72 .
  • the thickness of the upper portion 75 of the reflecting member 70 is said to decrease from a portion of the upper portion 75 closer to the second end 62 than the inflection position CP of the curved surface 63 toward the inflection position CP of the curved surface 63 .
  • the thickness of the upper portion 75 is defined by the distance between the curved surface 63 and the third curved surface 73c in the direction along the radius of curvature of the curved surface 63, for example.
  • the upper portion 75 of the reflecting member 70 covers the light emitting element 20 and the light receiving element 30 by covering the transparent resin 60 from the outside. That is, the upper portion 75 has portions overlapping the light emitting element 20 and the light receiving element 30 when viewed from the z direction.
  • the upper portion 75 (reflecting member 70) has a light emitting side facing portion 75A and a light receiving side facing portion 75B.
  • the light emitting side facing portion 75A is a portion of the upper portion 75 that faces the element main surface 20s (light emitting surface) of the light emitting element 20 with a gap therebetween in the direction (z direction) perpendicular to the element main surface 20s.
  • the light-receiving side facing portion 75B is a portion of the upper portion 75 that faces the light-receiving surface 33 of the light-receiving element 30 with a gap therebetween in the direction perpendicular to the light-receiving surface 33 .
  • Both the light emitting side facing portion 75A and the light receiving side facing portion 75B are provided between the first curved surface 73a and the second curved surface 73b in the x direction. That is, both the light emitting side facing portion 75A and the light receiving side facing portion 75B include the third curved surface 73c.
  • the light emitting side facing portion 75A is provided closer to the inflection position CP of the curved surface 63 than the light receiving side facing portion 75B. Therefore, it can be said that the light emitting side facing portion 75A is formed to be thinner than the light receiving side facing portion 75B.
  • a lower portion 76 of the reflecting member 70 is in contact with the pad rear surface 42 r of the die pad portion 42 CB, the pad rear surface 52 r of the die pad portion 52 AB, and the lower end surface 64 of the transparent resin 60 . That is, the lower portion 76 covers the die pad portions 42CB and 52AB from the pad rear surfaces 42r and 52r. In other words, the lower portion 76 covers the surface of the die pad portions 42CB and 52AB opposite to the surface on which the light emitting element 20 and the light receiving element 30 are mounted.
  • the thickness of the lower portion 76 decreases from the center of the lower portion 76 in the x direction toward the first end portion 71 . Also, the thickness of the lower portion 76 decreases from the center of the lower portion 76 in the x direction toward the second end portion 72 .
  • the lower portion 76 of the reflecting member 70 corresponds to the "pad cover portion".
  • the lower curved surface 74 is a curved surface that covers the die pad portions 42CB and 52AB, the light emitting element 20, and the light receiving element 30 from below.
  • the radius of curvature of the lower curved surface 74 is greater than each radius of curvature of the upper curved surface 73 .
  • the center of curvature CE of the lower curved surface 74 is located above both the die pad portions 42CB and 52AB.
  • a center of curvature CE of the lower curved surface 74 is located above both the light emitting element 20 and the light receiving element 30 .
  • a center of curvature CE of the lower curved surface 74 is located above the transparent resin 60 .
  • a center of curvature CE of the lower curved surface 74 is located above the reflecting member 70 .
  • the inflection position CR which is the lowest point of the lower curved surface 74, is provided substantially at the center of the reflecting member 70 in the x direction. Therefore, the inflection position CR is positioned closer to the light receiving element 30 than the light emitting element 20 in the x direction.
  • a lower portion 76 of the reflecting member 70 is provided so as to be thinner than the upper portion 75 .
  • the maximum thickness of the lower portion 76 is thinner than the maximum distance between the third curved surface 73c of the upper portion 75 and the die pad portion 52AB in the z direction.
  • the maximum thickness of the lower portion 76 is defined by the distance between the pad back surface 52r of the die pad portion 52AB and the inflection position CR in the z direction.
  • the maximum distance between the third curved surface 73c and the die pad portion 52AB in the z direction is defined by the distance between the pad surface 52s of the die pad portion 52AB and the inflection position CQ of the third curved surface 73c.
  • the boundary surface between the transparent resin 60 and the reflective member 70 serves as a reflective surface that reflects light.
  • the reflecting surfaces include an upper reflecting surface located above the die pad portions 42CB and 52AB, and a lower reflecting surface located on the same side as the pad back surfaces 42r and 52r of the die pad portions 42CB and 52AB.
  • the upper reflecting surface includes the first portion 61a and the second portion 61b of the first end portion 61 of the transparent resin 60, the first portion 62a and the second portion 62b of the second end portion 62, the curved surface 63, and the lower end surface 64. have the same shape.
  • the lower reflecting surface has the same shape as the lower end surface 64 of the transparent resin 60 .
  • the insulating module 10 has a reflecting surface that reflects light even in areas other than the boundary surface between the transparent resin 60 and the reflecting member 70 .
  • the pad surfaces 42s, 52s of the die pad portions 42CB, 52AB, the end surfaces of the x-direction end surfaces of the die pad portions 42CB, 52AB located in the transparent resin 60, and the surfaces 92s of the conductive bonding materials 90, 100 , 102s are reflecting surfaces that reflect light.
  • the light emitted from the light emitting element 20 is reflected at the portion of the curved surface 63 corresponding to the light emitting side facing portion 75A, which is the portion overlapping the light emitting element 20 when viewed from the z direction.
  • the light-emitting side facing portion 75A is formed so that the light from the light-emitting element 20 is not totally reflected. That is, when the light from the light emitting element 20 is irradiated to the light emitting side facing portion 75A, part of the light irradiated to the light emitting side facing portion 75A is reflected, and the remaining light passes through the reflecting member 70. do. Light traveling through the reflecting member 70 is absorbed by the sealing resin 80 .
  • the material of the reflective member 70 and the material of the transparent resin 60 are selected such that the refractive index of the reflective member 70 is greater than the refractive index of the transparent resin 60 .
  • epoxy resin has a refractive index of 1.55 to 1.61
  • silicone resin has a refractive index of about 1.57
  • acrylic resin has a refractive index of about 1.49. Therefore, for example, when reflecting member 70 is made of epoxy resin and transparent resin 60 is made of acrylic resin, light from light emitting element 20 is not totally reflected at light emitting side facing portion 75A.
  • the light emitting side facing portion 75A is formed so that the angle with respect to the light from the light emitting element 20 is smaller than the critical angle. Therefore, the light from the light emitting element 20 is not totally reflected at the light emitting side facing portion 75A.
  • the light reflected by the curved surface 63 is reflected in the lower end surface 64 of the transparent resin 60, the pad surfaces 42s and 52s of the die pad portions 42CB and 52AB, and the x-direction end surfaces of the die pad portions 42CB and 52AB located in the transparent resin 60. and the conductive bonding materials 90 and 100 . Then, the lower end surface 64 of the transparent resin 60, the pad surfaces 42s and 52s of the die pad portions 42CB and 52AB, the end surfaces of the x-direction end surfaces of the die pad portions 42CB and 52AB which are located in the transparent resin 60, and the conductive bonding.
  • Light reflected at material 90, 100 is reflected again at curved surface 63, or is reflected again at first portion 61a and second portion 61b of first end 61 and first portion 62a and second portion 62a of second end 62. reflected at 62b. In this way, the light emitted from the light emitting element 20 is reflected one or more times and enters the light receiving element 30 .
  • the transparent resin 60 contains inorganic particles 65 that absorb light
  • part of the light emitted from the light emitting element 20 is absorbed by the inorganic particles 65 as it travels through the transparent resin 60 . Therefore, the light emitted from the light emitting element 20 enters the light receiving element 30 in a weakened state.
  • the inorganic particles 65 that reflect light are contained in the transparent resin 60
  • part of the light emitted from the light emitting element 20 is reflected by the inorganic particles 65 when traveling through the transparent resin 60 .
  • not all of the light incident on the inorganic particles 65 is reflected, and part of the light is absorbed by the inorganic particles 65 . Therefore, the light emitted from the light emitting element 20 enters the light receiving element 30 in a weakened state.
  • FIG. 8 is a plan view of the insulation module 10 showing the terminals 41A to 41D and part of the sealing resin 80
  • FIG. 9 is a plan view of the insulation module 10 showing the terminals 51A to 51D and part of the sealing resin 80. It is a diagram.
  • an uneven portion 87 is provided on the first resin side surface 81 of the sealing resin 80 at a portion between terminals adjacent in the y direction among the plurality of terminals 41A to 41D. .
  • the uneven portion 87 is formed between the first resin side surface 81 between the terminals 41A and 41B in the y direction and the first resin side surface 81 between the terminals 41B and 41C in the y direction. and a portion of the first resin side surface 81 between the terminal 41C and the terminal 41D in the y direction.
  • any two terminals among the terminals 41A to 41D correspond to the "first terminal" and the "second terminal".
  • the uneven portion 87 is formed over the entire first resin side surface 81 in the z direction.
  • Each concave-convex portion 87 is composed of a first resin side surface 81 and a concave portion 87 a recessed from the first resin side surface 81 .
  • Each concave-convex portion 87 has, for example, a plurality of (three in this embodiment) concave portions 87a.
  • Each recess 87a is provided so as to penetrate the sealing resin 80 in the z direction.
  • the bottom surface of each recess 87a is formed parallel to the first side surface 85 and the second side surface 86 of the first resin side surface 81 (see FIG. 3).
  • each recess 87a corresponding to the first side surface 85 extends so as to be inclined outward from the sealing resin 80 in the x direction from the resin main surface 80s toward the resin rear surface 80r.
  • a portion of the bottom surface of each concave portion 87a corresponding to the second side surface 86 extends so as to be inclined outward from the sealing resin 80 in the x direction from the resin back surface 80r (see FIG. 3) toward the resin main surface 80s. ing.
  • an uneven portion 88 is provided in a portion between terminals adjacent to each other in the y direction among the plurality of terminals 51A to 51D.
  • the uneven portion 88 is formed between the second resin side surface 82 between the terminals 51A and 51B in the y direction and the second resin side surface 82 between the terminals 51B and 51C in the y direction. and a portion of the second resin side surface 82 between the terminal 51C and the terminal 51D in the y direction.
  • the terminal 51B corresponds to the "first terminal”
  • the terminal 51C corresponds to the "second terminal".
  • the uneven portion 88 is formed over the entire second resin side surface 82 in the z direction.
  • Each uneven portion 88 is composed of a second resin side surface 82 and a recessed portion 88 a recessed from the second resin side surface 82 .
  • Each concave-convex portion 88 has, for example, a plurality of concave portions 88a.
  • the concave-convex portion 88 provided between the terminals 51A and 51B in the y direction has three concave portions 88a.
  • the concave-convex portion 88 provided between the terminal 51B and the terminal 51C in the y direction has two concave portions 88a.
  • the concave-convex portion 88 provided between the terminal 51C and the terminal 51D in the y direction has three concave portions 88a.
  • Each recess 88a is provided so as to penetrate the sealing resin 80 in the z direction.
  • the bottom surface of each recess 88 a is formed parallel to the first side surface 85 and the second side surface 86 of the second resin side surface 82 . That is, the portion of the bottom surface of each recess 88a corresponding to the first side surface 85 extends so as to be inclined outward from the sealing resin 80 in the x direction from the resin main surface 80s toward the resin rear surface 80r.
  • a portion of the bottom surface of each recess 88a corresponding to the second side surface 86 extends so as to be inclined outward from the sealing resin 80 in the x-direction from the resin rear surface 80r toward the resin main surface 80s.
  • the two concave portions 88a of the uneven portion 88 provided between the terminals 51B and 51C in the y direction are the portion between the terminal 51B and the suspension lead 55A in the y direction and the y direction between the suspension lead 55A and the terminal 51C. It is distributed in the part between the directions.
  • the bottom surfaces of the recesses 87a and 88a may be formed so as to extend along the z direction. Further, the number of concave portions 87a, 88a of each uneven portion 87, 88 can be changed arbitrarily. Each uneven portion 87, 88 may have at least one recessed portion 87a, 88a. Further, the concave-convex portion 87 may have a convex portion that protrudes from the first resin side surface 81 instead of the concave portion 87a. The concave-convex portion 88 may have a convex portion that protrudes from the second resin side surface 82 instead of the concave portion 88a.
  • FIG. 10 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of the insulation module 10 and the connection configuration between the insulation module 10 and the inverter circuit 500, respectively.
  • the inverter circuit 500 has a first switching element 501 and a second switching element 502 connected in series.
  • Each switching element 501, 502 is, for example, a power transistor.
  • power transistors include IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) and MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors).
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistors
  • MOSFETs Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors
  • the insulation module 10 applies a drive voltage signal to the gate of the first switching element 501 .
  • the insulation module 10 is a gate driver that drives the first switching element 501 .
  • the positive terminal of the control power supply 503 is electrically connected to the terminal 51D of the insulation module 10.
  • the terminal 51A of the insulation module 10 is electrically connected to the negative electrode of the control power supply 503 .
  • the insulation module 10 includes a light-emitting diode 20A, a light-receiving diode 30A, and a control circuit 110.
  • the light emitting element 20 includes a light emitting diode 20A.
  • Light receiving element 30 includes a light receiving diode 30A and a control circuit 110 .
  • the light-emitting diode 20A includes the first electrode 21 (cathode electrode) and the second electrode 22 (anode electrode) of the light-emitting element 20 .
  • the first electrode 21 of the light emitting diode 20A is electrically connected to the terminal 41B, and the second electrode 22 is electrically connected to the terminal 41C.
  • terminals 41A and 41D constitute unconnected terminals that are not electrically connected to light emitting element 20, light receiving element 30, and control circuit 110.
  • the light-receiving diode 30A is electrically connected to the control circuit 110 and insulated from the light-emitting element 20 .
  • the light emitting element 20 is insulated from the control circuit 110 .
  • the control circuit 110 is electrically connected to the terminals 51A to 51D.
  • the terminals 41A-41D and the terminals 51A-51D are insulated by the photocoupler composed of the light-emitting element 20 (light-emitting diode 20A) and the light-receiving element 30 (light-receiving diode 30A).
  • the light receiving diode 30A has a first electrode 31 and a second electrode 32 .
  • the first electrode 31 is an anode electrode and the second electrode 32 is a cathode electrode. Both the first electrode 31 and the second electrode 32 are electrically connected to the control circuit 110 .
  • the control circuit 110 has a Schmidt trigger 111 , a UVLO (Under Voltage Lock Out) section 112 , a comparator 113 and an output section 114 .
  • the control circuit 110 generates an output signal based on the voltage change of the light receiving element 30 caused by the light receiving element 30 receiving the light from the light emitting element 20 .
  • the Schmidt trigger 111 is electrically connected to both the first electrode 31 and the second electrode 32 of the light receiving element 30 . Also, the Schmitt trigger 111 is electrically connected to the terminals 51D and 51A. That is, the Schmitt trigger 111 is powered by the control power supply 503 . Schmitt trigger 111 transmits the voltage of light receiving element 30 to comparator 113 and output section 114 . A predetermined hysteresis is given to the threshold voltage of the Schmitt trigger 111 . With such a configuration, resistance to noise can be enhanced.
  • the UVLO section 112 is electrically connected to the terminals 51D and 51B. That is, the UVLO unit 112 is electrically connected between the control power supply 503 and between the source of the first switching element 501 and the drain of the second switching element 502, respectively. UVLO unit 112 stops the operation of control circuit 110 to suppress the occurrence of malfunction when the voltage of control power supply 503 falls below the threshold voltage.
  • the comparator 113 is electrically connected to the Schmitt trigger 111 and the UVLO section 112 on the input side, and electrically connected to the output section 114 on the output side. Comparator 113 generates a control signal for controlling output section 114 based on a comparison between the signal from Schmitt trigger 111 and the signal from UVLO section 112 . Comparator 113 outputs the generated control signal to output section 114 .
  • the output section 114 has a first switching element 114a and a second switching element 114b connected in series.
  • a p-type MOSFET is used for the first switching element 114a
  • an n-type MOSFET is used for the second switching element 114b.
  • the output section 114 is configured as a complementary MOS (CMOS).
  • CMOS complementary MOS
  • the comparator 113 is electrically connected to the first switching element 114a of the output section 114 on the output side.
  • the source of the first switching element 114a is electrically connected to the terminal 51D.
  • the source of the second switching element 114b is electrically connected to the terminal 51A.
  • a node N between the drain of the first switching element 114a and the drain of the second switching element 114b is electrically connected to the terminal 51C.
  • a gate of the first switching element 114 a is electrically connected to the comparator 113 . That is, the control signal from the comparator 113 is applied to the gate of the first switching element 114a.
  • the gate of the second switching element 114b is electrically connected to the Schmitt trigger 111. That is, the signal from the Schmitt trigger 111 is applied to the gate of the second switching element 114b.
  • the output unit 114 generates a drive voltage signal based on the ON/OFF operation of the first switching element 114a based on the control signal of the comparator 113 and the ON/OFF operation of the second switching element 114b based on the signal from the Schmitt trigger 111.
  • the output section 114 applies the drive voltage signal to the gate of the switching element 501 .
  • the transparent resin 60 contains inorganic particles 65 that absorb or reflect the light from the light emitting elements 20 . Accordingly, when the light from the light emitting element 20 travels through the transparent resin 60 , the light is weakened by the inorganic particles 65 . As a result, the amount of light received by the light receiving element 30 can be reduced, and an increase in the processing load of the control circuit of the light receiving element 30 can be suppressed.
  • the insulation module 10 the amount of light received by the light receiving element 30 from the light emitting element 20 is suppressed from being excessively reduced by, for example, reducing the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction. ing. That is, in the insulation module 10, the amount of light received by the light receiving element 30 from the light emitting element 20 is adjusted within a predetermined range. Thereby, the insulation module 10 can realize stable operation of the first switching element 501 .
  • the insulation module 10 includes the light-emitting element 20, the light-receiving element 30 that receives light from the light-emitting element 20, the die pad section 42CB on which the light-emitting element 20 is mounted, and the die pad section 42CB.
  • the die pad portion 52AB on which the light receiving element 30 is mounted, the transparent resin 60 that covers at least both the light emitting element 20 and the light receiving element 30, and the material that covers at least the transparent resin 60 and reflects the light from the light emitting element 20 are formed.
  • the transparent resin 60 contains inorganic particles 65 that absorb or reflect light from the light emitting element 20 .
  • the light from the light emitting element 20 travels through the transparent resin 60 , the light from the light emitting element 20 is weakened by the inorganic particles 65 . As a result, the light from the light-emitting element 20 enters the light-receiving element 30 in a weakened state, so the amount of light received by the light-receiving element 30 can be reduced.
  • the reflecting member 70 has a light emitting side facing portion 75A that faces the element main surface 20s (light emitting surface) of the light emitting element 20 with a gap in the direction (z direction) perpendicular to the element main surface 20s (light emitting surface). have.
  • the angle of the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 in the light emitting side facing portion 75A is smaller than the critical angle.
  • the light emitted upward from the element main surface 20s of the light emitting element 20 is not totally reflected at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 in the light emitting side facing portion 75A.
  • the light from the light-emitting element 20 enters the light-receiving element 30 in a weakened state, so the amount of light received by the light-receiving element 30 can be reduced.
  • the refractive index of the reflecting member 70 may be higher than the refractive index of the transparent resin 60 . According to this configuration, the light from the light emitting element 20 is not totally reflected at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 . Therefore, the amount of light received by the light receiving element 30 from the light emitting element 20 can be reduced.
  • the reflecting member 70 has a light-receiving side facing portion 75B that faces the light-receiving surface 33 of the light-receiving element 30 with a gap therebetween in the direction perpendicular to the light-receiving surface 33 of the light-receiving element 30 .
  • the light emitting side facing portion 75A is formed to be thinner than the light receiving side facing portion 75B.
  • the thickness of the light emitting side facing portion 75A to which the light from the light emitting element 20 is likely to irradiate the temperature of the light emitting side facing portion 75A rises due to the light from the light emitting element 20.
  • the effect on the reflecting member 70 and the sealing resin 80 due to the difference in thermal expansion between the light emitting side facing portion 75A and the sealing resin 80 can be reduced.
  • the sealing resin 80 includes a first resin side surface 81 provided with a plurality of terminals 41A to 41D and a second resin side surface 82 provided with a plurality of terminals 51A to 51D.
  • Concavo-convex portions 87 are provided in portions of the first resin side surface 81 between terminals adjacent to each other in the y direction among the plurality of terminals 41A to 41D.
  • Concavo-convex portions 88 are provided in portions of the second resin side surface 82 between terminals adjacent to each other in the y direction among the plurality of terminals 51A to 51D.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A includes suspension leads 55A.
  • the suspension lead 55A is exposed from a portion of the second resin side surface 82 between the terminal 51B and the terminal 51C.
  • Concavo-convex portions 88 are provided on both the portion between the terminal 51B and the suspension lead 55A and the portion between the terminal 51C and the suspension lead 55A on the second resin side surface 82 .
  • both the creepage distance between the terminal 51B and the suspension lead 55A and the creepage distance between the terminal 51C and the suspension lead 55A can be increased. Therefore, both the insulation between the terminal 51B and the suspension lead 55A and the insulation between the terminal 51C and the suspension lead 55A can be improved.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A is formed longer than the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C.
  • the distance between the die pad portion 52AB and the die pad portion 42CB in the x direction is shorter than the length of the die pad portion 42CB in the x direction.
  • the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction can be shortened. That is, the distance of the optical path for the light emitted from the light emitting element 20 to enter the light receiving element 30 can be shortened. Therefore, the amount of light received by the light receiving element 30 can be increased.
  • the transparent resin 60 covers the entire light emitting element 20 and partially covers the light receiving element 30 .
  • a transparent resin 60 covers the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 .
  • a first end portion 61 of the transparent resin 60 is provided at a position adjacent to the light receiving surface 33 in the x direction.
  • the light traveling through the transparent resin may reach a portion other than the light receiving surface 33 of the light receiving element 30, or a portion closer to the second resin side surface 82 than the light receiving element 30. may be incident.
  • the transparent resin 60 is configured to cover the light receiving surface 33 and the position adjacent to the light receiving surface 33 , so that the light traveling through the transparent resin 60 reaches the light receiving element 30 . It is possible to prevent light from entering a portion other than the light receiving surface 33 and a portion closer to the second resin side surface 82 than the light receiving element 30 . Therefore, light traveling through the transparent resin 60 is more likely to enter the light receiving surface 33 .
  • the conductive bonding material 90 that bonds the light emitting element 20 and the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C is formed so as to protrude from the light emitting element 20 when viewed from the z direction.
  • a conductive bonding material 100 that bonds the light receiving element 30 and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A is formed so as to protrude from the light receiving element 30 when viewed in the z direction.
  • Both the conductive bonding materials 90 and 100 are made of a material that reflects light from the light emitting element 20 .
  • the portion (second bonding region 102 ) When the light from the light emitting element 20 is reflected by the portion (second bonding region 102 ), the reflected light may enter the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 . As a result, the amount of light received by the light receiving element 30 from the light emitting element 20 can be increased.
  • the light-receiving element 30 is bonded by the conductive bonding material 100 to the end portion closer to the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C of the x-direction end portions of the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A. It is A projection 58A that protrudes in a vertical direction from the pad surface 52s of the die pad portion 52AB is provided at the end portion of the die pad portion 52AB that is closer to the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C among the x-direction end portions of the die pad portion 52AB. ing.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A is inclined from the second resin side surface 82 toward the first resin side surface 81 toward the resin rear surface 80r. According to this configuration, the height positions of the terminals 51A to 51D protruding from the second resin side surface 82 of the sealing resin 80 are aligned with the height positions of the predetermined standard, and the thick inorganic particles 65 are arranged in the transparent resin. 60 can be enclosed. That is, even if the volume of the transparent resin 60 is increased by encapsulating the inorganic particles 65 in the transparent resin 60, the die pad portion 52AB is inclined with respect to the horizontal direction, so that a space corresponding to the increased volume can be secured. .
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C is inclined from the first resin side surface 81 toward the second resin side surface 82 toward the resin rear surface 80r. According to this configuration, the height positions of the terminals 41A to 41D protruding from the first resin side surface 81 of the sealing resin 80 are aligned with the height positions of the predetermined standard, and the thick inorganic particles 65 are arranged in the transparent resin. 60 can be enclosed. That is, even if the volume of the transparent resin 60 is increased by encapsulating the inorganic particles 65 in the transparent resin 60, the die pad portion 42CB is inclined with respect to the horizontal direction, so that a space corresponding to the increased volume can be secured. .
  • the insulation module 10 of this embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in the configuration of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 .
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the transparent resin 60 does not contain inorganic particles 65 (see FIG. 4). Further, as shown in FIG. 11, the shapes of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 of this embodiment are the same as the shapes of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 of the first embodiment.
  • the reflecting member 70 includes inorganic particles 77 that reflect the light from the light emitting element 20, unlike the first embodiment.
  • An example of the inorganic particles 77 is a filler.
  • the inorganic particles 77 are arranged all over the reflecting member 70 .
  • the content of the inorganic particles 77 in the reflecting member 70 can be arbitrarily changed.
  • the content of inorganic particles 77 in reflecting member 70 is set, for example, so that light receiving element 30 can receive light from light emitting element 20 within a predetermined range.
  • the reflecting member 70 and the transparent resin 60 are configured so that the light from the light emitting element 20 is not totally reflected at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 .
  • the light from the light emitting element 20 is not totally reflected at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 , part of the light is transmitted through the reflecting member 70 .
  • the inorganic particles 77 are included in the reflecting member 70 , the light traveling through the reflecting member 70 is reflected by the inorganic particles 77 .
  • the light in the reflecting member 70 may be reflected by the inorganic particles 77 and enter the light receiving element 30 .
  • Reflective member 70 includes inorganic particles 77 that absorb or reflect light from light emitting element 20 . According to this configuration, when the light from the light emitting element 20 is refracted at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 and travels through the reflecting member 70 , the light traveling through the reflecting member 70 is In some cases, the light is reflected by the inorganic particles 77 inside and enters the light receiving element 30 . This makes it easier for the light from the light emitting element 20 to enter the light receiving element 30, so that the amount of light received by the light receiving element 30 can be increased.
  • the insulation module 10 of the present embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in the shape of the die pad portion 42CB and the relative positions of the light emitting element 20 and the light receiving element 30.
  • FIG. the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the distance between the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A in the x direction is larger than in the first embodiment. It's becoming The arrangement position of the light emitting element 20 with respect to the die pad section 42CB and the arrangement position of the light receiving element 30 with respect to the die pad section 52AB are the same as in the first embodiment. For this reason, in this embodiment, the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction is larger than in the first embodiment.
  • the die pad section 52AB is formed longer than the die pad section 42CB in the x direction, which is the arrangement direction of the die pad sections 42CB and 52AB.
  • the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction is greater than the length of the die pad portion 42AB in the x direction.
  • the x-direction length of the die pad portion 42CB is, for example, the x-direction length of the die pad portion 42CB at the center of the die pad portion 42CB in the y direction.
  • the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction is smaller than the length of the die pad portion 52AB in the x direction.
  • the x-direction length of the die pad portion 52AB is, for example, the x-direction length of the die pad portion 52AB at the center of the die pad portion 52AB in the y direction.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A is formed longer than the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C.
  • the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction is longer than the length of the die pad portion 42CB in the x direction.
  • the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction is increased. That is, the distance of the optical path for the light emitted from the light emitting element 20 to enter the light receiving element 30 becomes longer. Therefore, the amount of light received by the light receiving element 30 can be reduced.
  • the insulation module 10 of the present embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in the shapes of both the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A.
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the x-direction length of the die pad portion 42CB of the present embodiment is greater than the x-direction length of the die pad portion 42CB of the first embodiment.
  • the x-direction length of the die pad portion 52AB is greater than the x-direction length of the die pad portion 52AB in the first embodiment.
  • the die pad portion 52AB is formed longer than the die pad portion 42CB in the x direction, which is the arrangement direction of the die pad portions 42CB and 52AB.
  • the x-direction length of the die pad portion 42CB is, for example, the x-direction length of the die pad portion 42CB at the center of the die pad portion 42CB in the y direction.
  • the x-direction length of the die pad portion 52AB is, for example, the x-direction length of the die pad portion 52AB at the y-direction center of the die pad portion 52AB.
  • the die pad portion 42CB among both ends of the die pad portion 42CB in the x direction, the end portion closer to the die pad portion 52AB and among both ends of the die pad portion 52AB in the x direction, the die pad portion 42CB and extend close to each other. Therefore, in the present embodiment, the distance between the die pad section 42CB and the die pad section 52AB in the x direction is smaller than the length of the die pad section 42CB in the x direction. It can also be said that the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction is smaller than the length of the light receiving element 30 in the x direction.
  • the positions of the light emitting element 20 and the light receiving element 30 with respect to the sealing resin 80 are the same as in the first embodiment.
  • the light emitting element 20 is arranged on the far side from the die pad portion 52AB with respect to the end portion closer to the die pad portion 52AB among the x-direction end portions of the die pad portion 42CB. That is, of the x-direction end portions of the die pad portion 42CB, the end portion closer to the die pad portion 52AB is positioned closer to the die pad portion 52AB than the second bonding region 92 of the conductive bonding material 90 is.
  • the light receiving element 30 is arranged on the far side from the die pad portion 42CB with respect to the end portion closer to the die pad portion 42CB among the both end portions of the die pad portion 52AB in the x direction. That is, of the x-direction end portions of the die pad portion 52AB, the end portion closer to the die pad portion 42CB is positioned closer to the die pad portion 42CB than the second bonding region 102 of the conductive bonding material 100 is.
  • the die pad portion 42CB is provided with the protruding portion 47 that protrudes from the conductive bonding material 90 toward the die pad portion 52AB.
  • the die pad portion 52AB is provided with a protruding portion 59 that protrudes from the conductive bonding material 100 toward the die pad portion 42CB.
  • the projection 58A may be omitted from the die pad portion 52AB.
  • the protruding portions 47 and 59 are in contact with the transparent resin 60 .
  • the protruding portion 47 corresponds to the "first protruding portion”
  • the protruding portion 59 corresponds to the "second protruding portion”.
  • the length in the x direction of the protruding portion 47 of the die pad portion 42CB is longer than the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction.
  • the length in the x direction of the protruding portion 47 is longer than the length in the x direction of the region adjacent to the protruding portion 47 in the second bonding region 92 of the conductive bonding material 90 .
  • the length of the protrusion 47 in the x direction is longer than the length of the light emitting element 20 in the x direction.
  • the length in the x direction of the protruding portion 59 of the die pad portion 52AB is longer than the length in the x direction of the region adjacent to the protruding portion 59 in the second bonding region 102 of the conductive bonding material 100 in the x direction.
  • the length of the protruding portion 59 of the die pad portion 52AB in the x direction is longer than the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction.
  • the length of the protruding portion 59 in the x direction may be equal to the length of the protruding portion 47 in the x direction.
  • the x-direction length of protruding portion 59 is, for example, within 10% of the x-direction length of protruding portion 59, the x-direction length of protruding portion 59 It can be said that it is equal to the length of the protrusion 47 in the x direction.
  • each protruding portion 47, 59 in the x direction is arbitrary.
  • the amount of light reflected by each of the protruding portions 47 and 59 may be adjusted by adjusting the length of each of the protruding portions 47 and 59 in the x direction.
  • the length in the x direction of each of the overhanging portions 47 and 59 may be set by testing or the like so that the amount of light received by the light receiving element 30 is within a predetermined range.
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C has a protruding portion 47 extending from the conductive bonding material 90 toward the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A.
  • the die pad portion 52AB has a protruding portion 59 extending from the conductive bonding material 100 toward the die pad portion 42CB.
  • the light reflected at the interface between the transparent resin 60 and the reflecting member 70 can be reflected at the projecting portions 47 and 59 of the die pad portions 42CB and 52AB. Since the reflectance of the die pad portions 42CB and 52AB made of metal material is higher than that of, for example, a resin material, the light incident on the die pad portions 42CB and 52AB can be efficiently reflected. Thereby, the amount of light received by the light receiving element 30 can be increased.
  • the insulation module 10 of this embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in the shape of the lower end surface 64 of the transparent resin 60 .
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • an uneven portion 120 is provided at the boundary between the lower end surface 64 of the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 .
  • the uneven portion 120 is provided at the boundary between the transparent resin 60 and the reflecting member 70 interposed between the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A in the x direction. It can also be said.
  • the uneven portion 120 may be provided on at least part of the boundary between the lower end surface 64 of the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 . In this embodiment, the uneven portion 120 is formed over the entire boundary between the lower end surface 64 of the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 in the x direction.
  • the transparent resin 60 forming the lower end surface 64 is provided below the pad rear surface 42r of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the pad rear surface 52r of the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A. have a part.
  • the lower portion 76 has a portion provided above the pad back surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB.
  • the uneven portion 120 is provided over the entire transparent resin 60 in, for example, the y direction.
  • corrugation part 120 can be changed arbitrarily.
  • An uneven portion 120 is provided at the boundary between the lower end surface 64 of the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 . According to this configuration, since the creepage distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB can be increased by the uneven portion 120, it is possible to improve the withstand voltage between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB. can.
  • the insulation module 10 of the fifth embodiment can be modified, for example, as follows.
  • the uneven portion 120 is provided so that the lower portion 76 is above the pad rear surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB, but the present invention is not limited to this.
  • the lower portion 76 is formed at the same position in the z-direction as the pad back surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB so that the transparent resin 60 is located below the pad back surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB.
  • An uneven portion 120 may be provided.
  • the uneven portion 120 is provided so that the transparent resin 60 is below the pad rear surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB, but the present invention is not limited to this.
  • the lower end surface 64 of the transparent resin 60 is formed at the same position in the z-direction as the pad rear surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB, and the lower portion 76 is positioned above the pad rear surfaces 42r, 52r of the die pad portions 42CB, 52AB.
  • Concavo-convex part 120 may be provided so that it may be located.
  • the formation range of the uneven portion 120 can be arbitrarily changed.
  • the uneven portion 120 may be provided on a portion of the lower end surface 64 of the transparent resin 60 in the x direction, that is, a portion of the interface between the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 in the x direction.
  • the uneven portion 120 may be provided on at least part of the interface between the transparent resin 60 and the lower portion 76 of the reflecting member 70 in the x direction.
  • FIG. 10 An insulation module 10 according to the sixth embodiment will be described with reference to FIG.
  • the insulation module 10 of this embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in the shape of the first lead frame 40C.
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the position of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C in the z direction is positioned higher than in the first embodiment. Therefore, the position of the light emitting element 20 in the z direction is positioned higher than in the first embodiment.
  • the die pad portion 42CB is formed such that the z-direction position of the element main surface 20s of the light emitting element 20 is the same as the z-direction position of the element main surface 30s of the light receiving element 30 or higher than the z-direction position of the element main surface 30s. is set in the z-direction.
  • the position of the light emitting surface (element main surface 20s) of the light emitting element 20 in the z direction is the same as the position of the light receiving surface 33 (element main surface 30s) of the light receiving element 30 in the z direction, or the position of the light receiving surface 33 in the z direction is the same.
  • the position of the die pad portion 42CB in the z direction is set so as to be higher than the position.
  • the z-direction position of the die pad portion 42CB is set such that the z-direction position of the element main surface 20s of the light emitting element 20 is higher than the z-direction position of the element main surface 30s of the light receiving element 30. ing.
  • the pad rear surface 42r of the die pad portion 42CB is located above the pad rear surface 52r of the die pad portion 52AB in the z-direction.
  • the die pad portion 42CB is arranged such that the pad back surface 42r thereof is at the same position as the pad surface 52s of the die pad portion 52AB in the z direction.
  • the lead portion 42CA (see FIG. 2) of the inner lead 42C of the first lead frame 40C is bent upward and connected to the die pad portion 42CB. Therefore, the position of the terminal 41C (see FIG. 2) in the z direction is the same as in the first embodiment.
  • the shape of the transparent resin 60 is changed as the position of the die pad portion 42CB in the z direction is changed upward. Specifically, the first end 61 of the transparent resin 60 is positioned higher than in the first embodiment. A lower end surface 64 of the transparent resin 60 is inclined upward from the die pad portion 52AB toward the die pad portion 42CB.
  • the shape of the reflecting member 70 is changed in accordance with the upward change in the z-direction position of the die pad portion 42CB. Specifically, the first end 71 of the reflecting member 70 is positioned higher than in the first embodiment. Also, the lower portion 76 of the reflecting member 70 has a portion formed along the lower end surface 64 of the transparent resin 60 . That is, the lower portion 76 has a portion that slopes upward from the pad back surface 52r of the die pad portion 52AB toward the die pad portion 42CB from the die pad portion 52AB.
  • the height position of the element main surface 20s constituting the light emitting surface of the light emitting element 20 is higher than the height position of the element main surface 30s including the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 . According to this configuration, by changing the relative position in the z direction between the element main surface 20s of the light emitting element 20 and the element main surface 30s of the light receiving element 30, the amount of light received by the light receiving element 30 from the light from the light emitting element 20 can be changed. can be adjusted.
  • the insulation module 10 of the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 16 to 19.
  • FIG. The insulation module 10 of this embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in that two light emitting elements 20 and two light receiving elements 30 are provided.
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the x direction corresponds to the "second direction” and the y direction corresponds to the "first direction”.
  • FIG. 16 is a plan view schematically showing the internal configuration of the insulation module 10 of this embodiment.
  • 17 is a cross-sectional view of insulation module 10 of FIG. 16 taken along line 17--17.
  • 18 is a cross-sectional view of insulation module 10 of FIG. 16 taken along line 18--18.
  • the insulation module 10 includes a first lead frame 140, a second lead frame 150, a first light emitting element 20P and a second light emitting element 20Q, a first light receiving element 30P and a second light receiving element 30Q. and have.
  • a first photocoupler is composed of the first light emitting element 20P and the first light receiving element 30P
  • a second photocoupler is composed of the second light emitting element 20Q and the second light receiving element 30Q.
  • the lead frames 140, 150 are made of the same material as the lead frames 40, 50 of the first embodiment, for example. Further, each lead frame 140, 150 has a plating layer, for example, like each lead frame 40, 50 of the first embodiment.
  • the first lead frame 140 includes first lead frames 140A to 140D as four first lead frames.
  • the first light emitting element 20P is mounted on the first lead frame 140A
  • the second light emitting element 20Q is mounted on the first lead frame 140D.
  • the first lead frames 140A to 140D are arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the first lead frames 140A to 140D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the first lead frames 140A-140D include terminals 141A-141D, like the terminals 41A-41D of the first lead frames 40A-40D of the first embodiment.
  • the layout of the terminals 141A-141D is the same as the layout of the terminals 41A-41D.
  • the first lead frames 140A-140D have inner leads 142A-142D, like the first lead frames 40A-40D of the first embodiment.
  • Inner lead 142A of first lead frame 140A includes lead portion 142AA and die pad portion 142AB.
  • the die pad portion 142AB corresponds to the "first light emitting die pad”.
  • the lead portion 142AA is a portion continuous with the terminal 141A and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 143A is provided in the lead portion 142AA.
  • the die pad portion 142AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the lead portion 142AA in the x direction. In this embodiment, the die pad portion 142AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the die pad portion 142AB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the die pad portion 142AB extends in the y direction toward the fourth resin side surface 84 from the lead portion 142AA when viewed in the z direction.
  • the die pad portion 142AB is arranged to face the first lead frame 140B in the x direction.
  • the inner lead 142B of the first lead frame 140B is arranged closer to the first resin side surface 81 than the die pad portion 142AB.
  • the die pad portion 142AB is formed so as to be inclined with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction, similarly to the die pad portion 42CB of the first embodiment.
  • the die pad section 142AB has a pad surface 142As and a pad rear surface 142Ar (see FIG. 17) facing the opposite side of the pad surface 142As in the z direction.
  • the pad front surface 142As faces the same side as the resin main surface 80s (see FIG. 17) of the sealing resin 80, and the pad rear surface 142Ar faces the same side as the resin rear surface 80r (see FIG. 17).
  • the inner lead 142B of the first lead frame 140B is a portion continuous with the terminal 141B and extends in the x direction.
  • a through hole 143B is provided in the inner lead 142B.
  • the inner lead 142C of the first lead frame 140C is a portion continuous with the terminal 141C and extends in the x direction.
  • a through hole 143C is provided in the inner lead 142C.
  • the inner lead 142D of the first lead frame 140D includes a lead portion 142DA and a die pad portion 142DB.
  • the die pad portion 142DB corresponds to the "second die pad for light emission”.
  • the lead portion 142DA is a portion continuous with the terminal 141D and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 143D is provided in the lead portion 142DA.
  • the die pad portion 142DB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the lead portion 142DA in the x direction.
  • the die pad portion 142DB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the die pad portion 142DB viewed from the z direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x direction and long sides in the y direction.
  • the die pad portion 142DB extends in the y direction toward the third resin side surface 83 from the lead portion 142DA when viewed in the z direction.
  • the die pad portion 142DB is arranged to face the inner lead 142C in the x direction, and is arranged closer to the second resin side surface 82 than the inner lead 142C.
  • the die pad portion 142DB is formed so as to be inclined with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction, like the die pad portion 42CB of the first embodiment.
  • the die pad portion 142DB has a pad front surface 142Ds and a pad rear surface 142Dr (see FIG. 17) facing the opposite side of the pad front surface 142Ds in the z direction.
  • the pad front surface 142Ds faces the same side as the resin main surface 80s of the sealing resin 80, and the pad rear surface 142Dr faces the same side as the resin rear surface 80r.
  • the first light emitting element 20P is mounted on the die pad portion 142AB of the first lead frame 140A.
  • the first light emitting element 20P is arranged at the center in the x direction and the center in the y direction of the die pad portion 142AB.
  • the first light emitting element 20P is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the third resin side surface 83 than the center of the sealing resin 80 in the y direction. It is
  • the first light emitting element 20P emits light of a first wavelength.
  • An example of light of the first wavelength is light of wavelengths including infrared.
  • the first light emitting element 20P emits light upward like the light emitting element 20 of the first embodiment.
  • the shape and size of the first light emitting element 20P are the same as those of the light emitting element 20 of the first embodiment.
  • the first light emitting element 20P has an element main surface 20Ps and an element rear surface 20Pr facing the opposite side of the element main surface 20Ps in the z direction.
  • the element main surface 20Ps faces the same side as the pad surface 142As of the die pad section 142AB, and the element rear surface 20Pr faces the same side as the pad rear surface 142Ar of the die pad section 142AB.
  • the first light emitting element 20P has a first electrode 21P and a second electrode 22P.
  • the first electrode 21P is provided on the element main surface 20Ps
  • the second electrode 22P is provided on the element rear surface 20Pr.
  • the first electrode 21P is provided, for example, at the center of both the x-direction and the y-direction of the element main surface 20Ps.
  • the second electrode 22P is provided, for example, over the entire element back surface 20Pr.
  • the first light emitting element 20P is bonded to the pad surface 142As of the die pad section 142AB with a conductive bonding material 90P such as solder or Ag paste.
  • the bonding mode between the conductive bonding material 90P and the first light emitting element 20P is the same as the bonding mode between the conductive bonding material 90 and the light emitting element 20 in the first embodiment.
  • the conductive bonding material 90P corresponds to the "first bonding material".
  • the conductive bonding material 90P has a first bonding area 91P and a second bonding area 92P, like the conductive bonding material 90 of the first embodiment.
  • the shape of the second bonding region 92 ⁇ /b>P is the same as the shape of the second bonding region 92 of the conductive bonding material 90 .
  • the first light emitting element 20P is electrically connected to the first lead frames 140A and 140B. Specifically, as shown in FIG. 16, the first electrode 21P of the first light emitting element 20P is electrically connected to the first lead frame 140B via the wire WC1. A wire WC1 connects the first electrode 21P and the inner lead 142B of the first lead frame 140B. The wire WC1 is connected to the inner lead 142B on the distal end side of the through hole 143B. As shown in FIG. 17, the second electrode 22P of the first light emitting element 20P is electrically connected to the first lead frame 140A via the conductive bonding material 90P. In one example, the first electrode 21P is a cathode electrode and the second electrode 22P is an anode electrode. Therefore, as shown in FIG. 16, the terminal 141A constitutes a cathode terminal and the terminal 141B constitutes an anode terminal.
  • the second light emitting element 20Q is mounted on the die pad portion 142DB of the first lead frame 140D.
  • the second light emitting element 20Q is arranged at the center in the x direction and the center in the y direction of the die pad portion 142DB.
  • the second light emitting element 20Q is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the fourth resin side surface 84 than the center of the sealing resin 80 in the y direction. It is
  • the second light emitting element 20Q emits light of a second wavelength different from the first wavelength of the first light emitting element 20P.
  • An example of light of the second wavelength is light of wavelengths including red.
  • the second light emitting element 20Q emits light upward like the light emitting element 20 of the first embodiment.
  • the shape and size of the first light emitting element 20P are equal to the shape and size of the second light emitting element 20Q.
  • the light of the first wavelength from the first light emitting element 20P and the light of the second wavelength from the second light emitting element 20Q can be changed arbitrarily.
  • both the first light emitting element 20P and the second light emitting element 20Q may be configured to emit visible light.
  • the first light emitting element 20P may be configured to emit light of wavelengths including blue
  • the second light emitting element 20Q may be configured to emit light of wavelengths including red.
  • the light of the first wavelength from the first light emitting element 20P and the light of the second wavelength from the second light emitting element 20Q are lights having different wavelengths, but the present invention is not limited to this.
  • the first light emitting element 20P and the second light emitting element 20Q may be configured to emit light of the same wavelength. In one example, both the first light emitting element 20P and the second light emitting element 20Q are configured to emit light including red wavelengths. In another example, both the first light emitting element 20P and the second light emitting element 20Q are configured to emit light of wavelengths including infrared rays.
  • the second light emitting element 20Q has an element main surface 20Qs and an element rear surface 20Qr, like the first light emitting element 20P.
  • the element main surface 20Qs faces the same side as the pad surface 142Ds of the die pad section 142DB, and the element rear surface 20Qr faces the same side as the pad rear surface 142Dr of the die pad section 142DB.
  • the second light emitting element 20Q has a first electrode 21Q and a second electrode 22Q.
  • the element main surface 20Qs is provided with the first electrode 21Q
  • the element rear surface 20Qr is provided with the second electrode 22Q.
  • the second light emitting element 20Q is bonded to the pad surface 142Ds of the die pad section 142DB with a conductive bonding material 90Q such as solder or Ag paste.
  • a conductive bonding material 90Q such as solder or Ag paste.
  • the conductive bonding material 90Q corresponds to the "first bonding material”.
  • the conductive bonding material 90Q has a first bonding area 91Q and a second bonding area 92Q, similar to the conductive bonding material 90P.
  • the shape of the second bonding region 92Q is the same as the shape of the second bonding region 92P of the conductive bonding material 90P.
  • the second light emitting element 20Q is electrically connected to the first lead frames 140C and 140D.
  • the first electrode 21Q of the second light emitting element 20Q is electrically connected to the first lead frame 140C via the wire WC2.
  • a wire WC2 connects the first electrode 21Q and the inner lead 142C of the first lead frame 140C.
  • the wire WC2 is connected to the tip side of the inner lead 142C with respect to the through hole 143C.
  • the second electrode 22Q of the second light emitting element 20Q is electrically connected to the first lead frame 140D via the conductive bonding material 90Q.
  • the first electrode 21Q is a cathode electrode and the second electrode 22Q is an anode electrode. Therefore, as shown in FIG. 16, the terminal 141C constitutes a cathode terminal and the terminal 141D constitutes an anode terminal.
  • the wires WC1 and WC2 are bonding wires formed, for example, by a wire bonding device (not shown).
  • Wires WC1 and WC2 are made of a conductive material such as Cu, Al, Au, Ag, or the like.
  • the wires WC1 and WC2 are each made of a material containing Au.
  • the second lead frame 150 includes second lead frames 150A to 150D as four second lead frames.
  • the second lead frames 150A to 150D are arranged closer to the second resin side surface 82 with respect to the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frames 150A to 150D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frames 150A-150D include terminals 151A-151D, like the terminals 51A-51D of the second lead frames 50A-50D of the first embodiment.
  • the layout of the terminals 151A-151D is the same as the layout of the terminals 51A-51D.
  • the second lead frames 150A-150D have inner leads 152A-152D, like the second lead frames 50A-50D of the first embodiment.
  • Inner lead 152A of second lead frame 150A includes lead portion 152AA and die pad portion 152AB.
  • the die pad portion 152AB corresponds to the "second die pad”.
  • the lead portion 152AA is a portion continuous with the terminal 151D and extends from the second resin side surface 82 in the x direction.
  • a through hole 153A is provided in the lead portion 152AA.
  • the shape of the through hole 153A viewed from the z direction is a rectangular shape with long sides in the x direction and short sides in the y direction.
  • a sealing resin 80 is filled in the through hole 153A. The sealing resin 80 in the through hole 153A can prevent the second lead frame 150D from moving with respect to the sealing resin 80 in the direction perpendicular to the z direction.
  • the die pad portion 152AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the lead portion 152AA in the x direction. In this embodiment, the die pad portion 152AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the die pad portion 152AB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the die pad portion 152AB extends in the y direction from the tip portion of the lead portion 152AA toward the fourth resin side surface 84 when viewed in the z direction.
  • the die pad section 152AB When viewed from the z-direction, the die pad section 152AB is arranged to face both the die pad section 142AB of the first lead frame 140A and the die pad section 142DB of the first lead frame 140D in the x direction. Therefore, it can be said that the x direction is the direction in which the die pad portions 152AB and 142AB (142DB) are arranged.
  • the area of the die pad portion 152AB viewed from the z direction is larger than both the areas of the die pad portions 142AB and 142DB viewed from the z direction.
  • the die pad portion 152AB is formed longer than the die pad portions 142AB and 142DB in the x direction.
  • the die pad portion 152AB is arranged to face the second lead frames 150B to 150D in the x direction.
  • the die pad portion 152AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the second lead frames 150B to 150D in the x direction.
  • the die pad portion 152AB is formed so as to be inclined with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction, like the die pad portion 52AB of the first embodiment.
  • the die pad section 152AB has a pad front surface 152As and a pad back surface 152Ar facing the opposite side of the pad front surface 152As in the z direction.
  • the pad surface 152As faces the same side as the resin main surface 80s of the sealing resin 80, and the pad rear surface 152Ar faces the same side as the resin rear surface 80r.
  • the inner lead 152B of the second lead frame 150B is a portion continuous with the terminal 151B and extends in the x direction.
  • a through hole 153B is provided in the inner lead 152B.
  • the inner lead 152C of the second lead frame 150C is a portion continuous with the terminal 151C and extends in the x direction.
  • a through hole 153C is provided in the inner lead 152C.
  • Inner lead 152D of second lead frame 150D includes lead portion 152DA and wire connection portion 152DB.
  • the lead portion 152DA is a portion continuous with the terminal 151D and extends from the second resin side surface 82 in the x direction.
  • a through hole 153D is provided in the lead portion 152DA.
  • the wire connection portion 152DB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the lead portion 152DA in the x direction. In this embodiment, the wire connection portion 152DB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the wire connection portion 152DB extends in the y direction from the tip portion of the lead portion 152DA toward the third resin side surface 83 when viewed in the z direction.
  • the tip of the wire connecting portion 152DB is located closer to the third resin side surface 83 than the center of the sealing resin 80 in the y direction, and faces the lead portion 152AA in the y direction.
  • the wire connection portion 152DB is arranged to face the inner leads 152B and 152C in the x direction, and is arranged closer to the second resin side surface 82 than the inner leads 152B and 152C.
  • the wire connection portion 152DB is arranged to face the die pad portion 152AB in the x direction, and is arranged closer to the first resin side surface 81 than the die pad portion 152AB. That is, the wire connection portion 152DB is arranged between the inner leads 152B, 152C and the die pad portion 152AB in the x direction.
  • both the first light receiving element 30P and the second light receiving element 30Q are mounted on the die pad portion 152AB of the second lead frame 150A.
  • the first light receiving element 30P and the second light receiving element 30Q are aligned in the x direction and spaced apart from each other in the y direction.
  • the first light receiving element 30P is arranged closer to the third resin side surface 83 than the center of the die pad portion 152AB in the y direction
  • the second light receiving element 30Q is arranged closer to the fourth resin than the center of the die pad portion 152AB in the y direction. It is arranged near the side surface 84 .
  • the first light receiving element 30P is arranged to face the first light emitting element 20P in the x direction.
  • the first light receiving element 30P is configured to receive light (light of the first wavelength) from the first light emitting element 20P.
  • the shape and size of the first light receiving element 30P are the same as the shape and size of the light receiving element 30 of the first embodiment.
  • the first light receiving element 30P includes a first semiconductor region that receives light from the first light emitting element 20P and a second semiconductor region that generates a signal based on the received light.
  • the first semiconductor region is formed by, for example, a photodiode.
  • the second semiconductor region is formed by LSI, for example.
  • the first light-receiving element 30P like the light-receiving element 30 of the first embodiment, integrates the function of receiving light from the first light-emitting element 20P and the function of generating a signal from the received light. element.
  • the first semiconductor region is formed in a portion of the first light receiving element 30P closer to the first light emitting element 20P.
  • the second semiconductor region is formed in a portion of the first light receiving element 30P closer to the second lead frame 150B.
  • the area of the first semiconductor region viewed in the z-direction is smaller than the area of the second semiconductor region viewed in the z-direction.
  • the x-direction dimension of the first semiconductor region is smaller than the x-direction dimension of the second semiconductor region.
  • the first light-receiving element 30P has an element main surface 30Ps and an element rear surface 30Pr facing the opposite side of the element main surface 30Ps in the z-direction.
  • the element main surface 30Ps faces the same side as the pad surface 152As of the die pad portion 152AB, and the element rear surface 30Pr faces the same side as the pad rear surface 152Ar of the die pad portion 152AB.
  • a light receiving surface 33P is formed in the first semiconductor region of the element main surface 30Ps.
  • the first light receiving element 30P is bonded to the pad surface 152As of the die pad portion 152AB with a conductive bonding material 100P such as solder or Ag paste.
  • a conductive bonding material 100P such as solder or Ag paste.
  • the conductive bonding material 100P corresponds to the "second bonding material”.
  • the conductive bonding material 100P has a first bonding region 101P interposed between the element rear surface 30Pr of the first light receiving element 30P and the pad surface 152As of the die pad portion 152AB, and protrudes from the first light receiving element 30P when viewed from the z direction. and a second bonding region 102P that is a region and is bonded to the outer side surface of the first light receiving element 30P.
  • the second junction region 102P is provided so that the thickness of the second junction region 102P becomes thinner as the distance from the junction with the outer surface of the first light receiving element 30P increases from the first light receiving element 30P.
  • the second bonding region 102P is formed over the entire circumference of the first light receiving element 30P when viewed from the z direction.
  • the first light receiving element 30P is electrically connected to the second lead frames 150A, 150B, 150D. Specifically, as shown in FIG. 16, first light receiving element 30P is electrically connected to second lead frame 150D via, for example, one wire WD1.
  • One wire WD1 connects the first light receiving element 30P and the wire connecting portion 152DB of the second lead frame 150D.
  • One wire WD1 is connected to one of the y-direction end portions of the wire connection portion 152DB that is closer to the lead portion 152AA.
  • the first light receiving element 30P is electrically connected to the second lead frame 150B via, for example, one wire WD2.
  • One wire WD2 connects the first light receiving element 30P and the inner lead 152B of the second lead frame 150B.
  • One wire WD2 is connected to the inner lead 152B closer to the tip than the through hole 153B.
  • the first light receiving element 30P is electrically connected to the die pad portion 152AB of the second lead frame 150A by a conductive bond
  • the second light receiving element 30Q is arranged to face the second light emitting element 20Q in the x direction.
  • the second light receiving element 30Q is configured to receive light (light of the second wavelength) from the second light emitting element 20Q.
  • the shape of the second light receiving element 30Q viewed from the z direction is the same as the shape of the first light receiving element 30P viewed from the z direction.
  • the second light receiving element 30Q includes a first semiconductor region that receives light from the second light emitting element 20Q and a second semiconductor region that generates a signal based on the received light.
  • the first semiconductor region is formed by, for example, a photodiode.
  • the second semiconductor region is formed by LSI, for example.
  • the second light receiving element 30Q is an element in which the function of receiving light from the second light emitting element 20Q and the function of generating a signal from the received light are integrated.
  • the first semiconductor region is formed in a portion of the second light receiving element 30Q closer to the second light emitting element 20Q.
  • the second semiconductor region is formed in a portion of the second light receiving element 30Q near the second lead frame 150C.
  • the area of the first semiconductor region viewed in the z-direction is smaller than the area of the second semiconductor region viewed in the z-direction.
  • the x-direction dimension of the first semiconductor region is smaller than the x-direction dimension of the second semiconductor region.
  • the area relationship between the second light receiving element 30Q and the second light emitting element 20Q is the same as the area relationship between the first light receiving element 30P and the first light emitting element 20P.
  • the second light receiving element 30Q has an element main surface 30Qs and an element rear surface 30Qr like the first light receiving element 30P.
  • the element main surface 30Qs faces the same side as the pad surface 152As of the die pad portion 152AB, and the element rear surface 30Qr faces the same side as the pad rear surface 152Ar of the die pad portion 152AB.
  • a light receiving surface 33Q is formed in the first semiconductor region of the element main surface 30Qs.
  • the second light receiving element 30Q is bonded to the pad surface 152As of the die pad portion 152AB with a conductive bonding material 100Q such as solder or Ag paste.
  • a conductive bonding material 100Q such as solder or Ag paste.
  • the conductive bonding material 100Q corresponds to the "second bonding material”.
  • the conductive bonding material 100Q like the conductive bonding material 100P, has a first bonding region 101Q and a second bonding region 102Q.
  • the shape of the second bonding region 102Q is the same as the shape of the second bonding region 102P.
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to the second lead frames 150A, 150C and 150D. Specifically, as shown in FIG. 16, the second light receiving element 30Q is electrically connected to the second lead frame 150C via one wire WD3, for example. A wire WD3 connects the second light receiving element 30Q and the inner lead 152C of the second lead frame 150C. The wire WD3 is connected to the inner lead 152C closer to the tip than the through hole 153C. Also, the second light receiving element 30Q is electrically connected to the second lead frame 150D via, for example, two wires WD4. Each wire WD4 connects the second light receiving element 30Q and the wire connection portion 152DB of the second lead frame 150D.
  • Each wire WD4 is connected to a portion of the wire connection portion 152DB that overlaps the second lead frame 150C when viewed in the x direction.
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to the die pad portion 152AB of the second lead frame 150A by a conductive bonding material 100Q.
  • wires WD1 to WD4 are bonding wires formed, for example, by a wire bonding apparatus (not shown).
  • Wires WD1 to WD4 are made of a conductive material such as Cu, Al, Au, Ag, or the like.
  • the wires WD1-WD4 are made of a material containing Au.
  • the insulation module 10 includes a first transparent resin 60P and a second transparent resin 60Q, a first reflecting member 70P and a second reflecting member 70Q, and a sealing resin 80.
  • the transparent resins 60P and 60Q are indicated by dashed lines
  • the reflecting members 70P and 70Q are indicated by dashed lines.
  • the first transparent resin 60P covers at least both the first light emitting element 20P and the first light receiving element 30P. More specifically, the first transparent resin 60P covers the entire first light emitting element 20P and partially covers the first light receiving element 30P when viewed from the z direction.
  • the first transparent resin 60P covers a portion closer to the first light emitting element 20P than the center of the first light receiving element 30P in the x direction.
  • the first transparent resin 60P covers the first semiconductor region of the first light receiving element 30P. That is, the first transparent resin 60P does not cover the second semiconductor region of the first light receiving element 30P. Therefore, the wires WD1 and WD2 connected to the first light receiving element 30P are arranged outside the first transparent resin 60P. Each wire WD1, WD2 is arranged inside the first reflecting member 70P.
  • the first transparent resin 60P covers the entire first light emitting element 20P, part of the wire WC1 connected to the first light emitting element 20P is arranged inside the first transparent resin 60P.
  • the rest of the wire WC1 is arranged outside the first transparent resin 60P, that is, inside the first reflecting member 70P. That is, the wire WC1 is provided from the first transparent resin 60P to the first reflecting member 70P.
  • the portion of the wire WC1 that is connected to the first lead frame 140B is arranged outside the first reflecting member 70P, that is, inside the sealing resin 80. As shown in FIG.
  • the first transparent resin 60P is in contact with the second bonding area 92P of the conductive bonding material 90P.
  • the first transparent resin 60P like the transparent resin 60, is in contact with the second bonding region 102P of the conductive bonding material 100P.
  • the first transparent resin 60P is made of an insulating resin that transmits light from the first light emitting element 20P.
  • the first transparent resin 60P is made of an insulating resin that blocks light from the second light emitting element 20Q.
  • the first transparent resin 60P is formed by potting, for example.
  • the first reflecting member 70P is covered together with the first transparent resin 60P.
  • the first reflecting member 70P covers the first light emitting element 20P, the die pad portion 142AB, the first light receiving element 30P, the die pad portion 152AB, and the first transparent resin 60P.
  • the material of the first reflecting member 70P is, for example, the same as the transparent resin 60 of the first embodiment.
  • the relationship between the refractive indices of the first reflecting member 70P and the first transparent resin 60P is the same as the relationship between the refractive indices of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 in the first embodiment.
  • the shape of the first transparent resin 60P in the cross-sectional structure of the first transparent resin 60P cut along the xz plane is the shape of the transparent resin 60 in the cross-sectional structure of the transparent resin 60 cut along the xz plane (Fig. 4).
  • the shape of the first reflecting member 70P in the cross-sectional structure of the first reflecting member 70P cut along the xz plane is the same as the shape of the reflecting member 70P in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane.
  • the second transparent resin 60Q covers at least both the second light emitting element 20Q and the second light receiving element 30Q. More specifically, the second transparent resin 60Q covers the entire second light emitting element 20Q and partially covers the second light receiving element 30Q when viewed in the z direction. Since the manner in which the second light receiving element 30Q is covered with the second transparent resin 60Q is the same as the manner in which the first light receiving element 30P is covered with the first transparent resin 60P, detailed description thereof will be omitted. Further, the relationship between the second transparent resin 60Q and the wires WC2, WD3, WD4 is the same as the relationship between the first transparent resin 60P and the wires WC1, WD1, WD2, so detailed description thereof will be omitted. Also, the relationship between the second transparent resin 60Q and the conductive bonding materials 90Q and 100Q is the same as the relationship between the first transparent resin 60P and the conductive bonding materials 90P and 100P, so detailed description thereof will be omitted.
  • the second transparent resin 60Q is made of an insulating resin that transmits light from the second light emitting element 20Q.
  • the second transparent resin 60Q is made of an insulating resin that blocks light from the first light emitting element 20P.
  • the second transparent resin 60Q is formed by potting, for example.
  • the second reflecting member 70Q is covered with the second transparent resin 60Q.
  • the second reflecting member 70Q covers the second light emitting element 20Q, the die pad portion 142DB, the second light receiving element 30Q, the die pad portion 152AB, and the second transparent resin 60Q.
  • the shape of the second transparent resin 60Q is the same as the shape of the first transparent resin 60P, and the shape of the second reflecting member 70Q is the same as the first reflecting member 70P.
  • the material of the second reflecting member 70Q is the same as the material of the first reflecting member 70P.
  • the relationship between the refractive indices of the second reflecting member 70Q and the second transparent resin 60Q is the same as the relationship between the refractive indices of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 in the first embodiment.
  • the interface between the first transparent resin 60P and the first reflecting member 70P is configured so that the light emitted from the first light emitting element 20P is not totally reflected.
  • the interface between the second transparent resin 60Q and the second reflecting member 70Q is configured so that the light emitted from the second light emitting element 20Q is not totally reflected.
  • both the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q contain inorganic particles 65, as in the first embodiment.
  • the inorganic particles 65 are the same as in the first embodiment.
  • the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q are aligned in the x direction and spaced apart from each other in the y direction.
  • a sealing resin 80 is interposed between the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q. That is, the sealing resin 80 has a separation wall portion 89 that separates the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q.
  • the separation wall portion 89 is formed over both the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q in the z-direction. That is, the separation wall portion 89 is provided so as to penetrate in the y direction between the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q in the x direction. Also, the separation wall portion 89 is formed over both the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q in the x-direction.
  • FIG. 19 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of the insulation module 10 and the connection configuration between the insulation module 10 and the inverter circuit 500, respectively.
  • the inverter circuit 500 of this embodiment is a full-bridge inverter circuit, and includes a first inverter circuit 510 and a second inverter circuit 520 connected in parallel with the first inverter circuit 510 .
  • the first inverter circuit 510 has a first switching element 511 and a second switching element 512 connected in series with each other.
  • the second inverter circuit 520 has a first switching element 521 and a second switching element 522 connected in series.
  • the first switching elements 511 and 521 are for example the same as the first switching element 501 of the first embodiment, and the second switching elements 512 and 522 are for example the same as the second switching element 502 of the first embodiment.
  • the insulation module 10 applies drive voltage signals to the gate of the first switching element 511 and the gate of the first switching element 521, respectively. That is, the insulation module 10 is a gate driver that drives the first switching elements 511 and 521 .
  • the positive terminal of the control power supply 503 is electrically connected to the terminal 151D of the insulation module 10.
  • a terminal 151A of the insulation module 10 is electrically connected to both the source of the first switching element 511 of the first inverter circuit 510 and the source of the first switching element 521 of the second inverter circuit 520 .
  • the insulation module 10 includes a first light-emitting diode 20AP, a second light-emitting diode 20AQ, a first light-receiving diode 30AP, a second light-receiving diode 30AQ, a first control circuit 130A, and a second control circuit. It has a circuit 130B.
  • the first light emitting diode 20AP includes a first electrode 21P (cathode electrode) and a second electrode 22P (anode electrode) of the first light emitting element 20P.
  • a first electrode 21P of the first light emitting diode 20AP is electrically connected to the terminal 141C, and a second electrode 22P is electrically connected to the terminal 141D.
  • the first light-receiving diode 30AP is a diode that receives light from the first light-emitting diode 20AP.
  • the first light receiving diode 30AP is electrically connected to the first control circuit 130A and insulated from the first light emitting diode 20AP. In other words, the first light emitting diode 20AP is insulated from the first control circuit 130A.
  • the first light receiving diode 30AP has a first electrode 31P and a second electrode 32P.
  • the first electrode 31P is a cathode electrode and the second electrode 32P is an anode electrode. Both the first electrode 31P and the second electrode 32P are electrically connected to the first control circuit 130A.
  • the first control circuit 130A has a first Schmitt trigger 131A and a first output section 132A.
  • the first control circuit 130A generates an output signal based on the voltage change of the first light receiving diode 30AP caused by the first light receiving diode 30AP receiving light from the first light emitting diode 20AP.
  • the first Schmidt trigger 131A is electrically connected to both the first electrode 31P and the second electrode 32P of the first light receiving diode 30AP. Also, the first Schmitt trigger 131A is electrically connected to the terminals 151A and 151D. In other words, the first Schmitt trigger 131A is powered by the control power supply 503 . The first Schmitt trigger 131A transfers the voltage of the first light receiving diode 30AP to the first output section 132A. A predetermined hysteresis is given to the threshold voltage of the first Schmitt trigger 131A. With such a configuration, resistance to noise can be enhanced.
  • the first output section 132A has a first switching element 132Aa and a second switching element 132Ab connected in series.
  • a p-type MOSFET is used for the first switching element 132Aa
  • an n-type MOSFET is used for the second switching element 132Ab.
  • the source of the first switching element 132Aa is electrically connected to the terminal 151D.
  • the source of the second switching element 132Ab is electrically connected to the terminal 151A.
  • a node N between the drain of the first switching element 132Aa and the drain of the second switching element 132Ab is electrically connected to the terminal 151C.
  • Both the gate of the first switching element 132Aa and the gate of the second switching element 132Ab are electrically connected to the first Schmitt trigger 131A. That is, the signal from the first Schmitt trigger 131A is applied to both the gate of the first switching element 132Aa and the gate of the second switching element 132Ab.
  • the first output section 132A generates an output signal by complementarily turning on and off the first switching element 132Aa and the second switching element 132Ab based on the signal of the first Schmitt trigger 131A.
  • the first output section 132A outputs the output signal through the terminal 151C.
  • the second light emitting diode 20AQ includes a first electrode 21Q (cathode electrode) and a second electrode 22Q (anode electrode) of the second light emitting element 20Q.
  • a first electrode 21Q of the second light emitting diode 20AQ is electrically connected to the terminal 141B, and a second electrode 22Q is electrically connected to the terminal 141A.
  • the second light receiving diode 30AQ is a diode that receives light from the second light emitting diode 20AQ.
  • the second light receiving diode 30AQ is electrically connected to the second control circuit 130B and insulated from the second light emitting diode 20AQ. In other words, the second light emitting diode 20AQ is insulated from the second control circuit 130B.
  • the second light receiving diode 30AQ has a first electrode 31Q and a second electrode 32Q.
  • the first electrode 31Q is a cathode electrode and the second electrode 32Q is an anode electrode. Both the first electrode 31Q and the second electrode 32Q are electrically connected to the second control circuit 130B.
  • the second control circuit 130B has a second Schmitt trigger 131B and a second output section 132B.
  • the second control circuit 130B generates a drive voltage signal based on the voltage change of the second light receiving diode 30AQ caused by the second light receiving diode 30AQ receiving the light from the second light emitting diode 20AQ.
  • the second Schmitt trigger 131B is electrically connected to both the first electrode 31Q and the second electrode 32Q of the second light receiving diode 30AQ. Also, the second Schmitt trigger 131B is electrically connected to terminals 151A and 151D. In other words, the second Schmitt trigger 131B is powered by the control power supply 503 . The second Schmitt trigger 131B transfers the voltage of the second light receiving diode 30AQ to the second output section 132B. A predetermined hysteresis is given to the threshold voltage of the second Schmitt trigger 131B. With such a configuration, resistance to noise can be enhanced.
  • the second output section 132B has a first switching element 132Ba and a second switching element 132Bb that are connected in series with each other.
  • a p-type MOSFET is used for the first switching element 132Ba
  • an n-type MOSFET is used for the second switching element 132Bb.
  • the electrical connection mode of the first switching element 132Ba and the second switching element 132Bb is the same as the electrical connection mode of the first switching element 132Aa and the second switching element 132Ab, so detailed description thereof is omitted. do.
  • the terminals 141A to 141D are connected to a first photocoupler composed of a first light emitting diode 20AP (first light emitting element 20P) and a first light receiving diode 30AP (first light receiving element 30P), and a second light emitting diode It is insulated from the terminals 151A to 151D by a second photocoupler composed of 20AQ (second light emitting element 20Q) and a second light receiving diode 30AQ (second light receiving element 30Q).
  • the terminals 141A and 141B are electrically connected via the second light emitting diode 20AQ
  • the terminals 141C and 141D are electrically connected via the first light emitting diode 20AP.
  • terminals 141A, 141B and terminals 141C, 141C are not electrically connected.
  • the insulation module 10 includes a first photocoupler composed of a first light emitting element 20P and a first light receiving element 30P, and a second photocoupler composed of a second light emitting element 20Q and a second light receiving element 30Q. and have.
  • Each light emitting element 20P, 20Q is electrically connected to the first lead frame 140
  • each light receiving element 30P, 30Q is electrically connected to the second lead frame 150. As shown in FIG.
  • both the signal communicated by the first photocoupler and the signal communicated by the second photocoupler are transmitted from the first lead frame 140 toward the second lead frame 150 . That is, the insulation module 10 can output two types of signals in the same transmission direction.
  • the insulation module 10 includes a first transparent resin 60P covering the first light emitting element 20P and the first light receiving element 30P, a first reflecting member 70P covering the first transparent resin 60P, a second light emitting element 20Q and A second transparent resin 60Q covering the second light receiving element 30Q and a second reflecting member 70Q covering the second transparent resin 60Q are provided.
  • the sealing resin 80 seals both the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q, and has a separation wall portion 89 separating the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q.
  • the separation wall 89 blocks the light. Therefore, it is possible to suppress the light from the first light emitting element 20P from entering the second light receiving element 30Q. Moreover, even if the light from the second light emitting element 20Q passes through both the second transparent resin 60Q and the second reflecting member 70Q, the light is blocked by the separation wall portion 89 . Therefore, it is possible to suppress the light from the second light emitting element 20Q from entering the first light receiving element 30P.
  • the first light emitting element 20P is an element that emits light of a first wavelength
  • the second light emitting element 20Q is an element that emits light of a second wavelength different from the first wavelength.
  • the first transparent resin 60P is made of a resin material that transmits light of the first wavelength but does not transmit light of the second wavelength.
  • the second transparent resin 60Q is made of a resin material that transmits light of the second wavelength but does not transmit light of the first wavelength.
  • the light of the first wavelength is suppressed from advancing into the second transparent resin 60Q, so it is possible to suppress the light from the first light emitting element 20P from entering the second light receiving element 30Q. . Accordingly, it is possible to suppress the light of the first wavelength from being received by the second light receiving element 30Q. Since the light of the second wavelength is suppressed from advancing into the first transparent resin 60P, it is possible to suppress the light from the second light emitting element 20Q from entering the first light receiving element 30P. Accordingly, it is possible to prevent the first light receiving element 30P from receiving light of the second wavelength.
  • the insulation module 10 of the eighth embodiment will be described with reference to FIGS. 20 to 23.
  • FIG. The insulation module 10 of this embodiment differs from the insulation module 10 of the first embodiment mainly in that two light emitting elements 20 and two light receiving elements 30 are provided.
  • the same reference numerals are given to the components common to the insulation module 10 of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 20 is a plan view schematically showing the internal configuration of the insulation module 10 of this embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the insulation module 10 of FIG. 20 taken along line 21--21.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of insulation module 10 of FIG. 20 taken along line 22--22.
  • the insulation module 10 includes a first lead frame 240, a second lead frame 250, a first light emitting element 20P and a second light emitting element 20Q, a first light receiving element 30P and a second light receiving element 30Q. and have.
  • the configuration of each of the light receiving elements 30P and 30Q of this embodiment is the same as that of the seventh embodiment.
  • each of the light emitting elements 20P and 20Q of this embodiment differs from the configuration of the seventh embodiment in the formation positions of the first electrodes 21P and 21Q and the second electrodes 22P and 22Q. More specifically, in this embodiment, as shown in FIG. 21, the first electrode 21P of the first light emitting element 20P is provided on the element rear surface 20Pr, and the second electrode 22P is provided on the element main surface 20Ps. . As shown in FIG. 22, the first electrode 21Q of the second light emitting element 20Q is provided on the element rear surface 20Qr, and the second electrode 22Q is provided on the element main surface 20Qs.
  • the lead frames 240, 250 are made of the same material as the lead frames 40, 50 of the first embodiment, for example.
  • Each lead frame 240, 250 has a main metal layer and a plating layer, for example, like the lead frames 40, 50 of the first embodiment.
  • the first lead frame 240 includes first lead frames 240A to 240D as four first lead frames.
  • Second lead frame 250 includes second lead frames 250A-250D as four second lead frames.
  • the first lead frames 240A to 240D are arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the first lead frames 240A to 240D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frames 250A to 250D are arranged closer to the second resin side surface 82 with respect to the center of the sealing resin 80 in the x direction when viewed from the z direction.
  • the second lead frames 250A to 250D are arranged apart from each other in the y direction when viewed from the z direction.
  • the first light emitting element 20P is mounted on the first lead frame 240A, and the second light emitting element 20Q is mounted on the second lead frame 250A.
  • the first light receiving element 30P is mounted on the second lead frame 250A, and the second light receiving element 30Q is mounted on the first lead frame 240A.
  • the first lead frames 240A-240D include terminals 241A-241D, similar to the terminals 41A-41D of the first lead frames 40A-40D of the first embodiment.
  • the arrangement of the terminals 241A-241D is the same as the arrangement of the terminals 41A-41D.
  • the first lead frames 240A-240D have inner leads 242A-242D, like the first lead frames 40A-40D of the first embodiment.
  • the inner lead 242A of the first lead frame 240A includes a lead portion 242AA and a die pad portion 242AB.
  • the die pad portion 242AB corresponds to the "first light emitting/receiving die pad”.
  • the lead portion 242AA is a portion continuous with the terminal 241A and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 243A is provided in the lead portion 242AA.
  • the die pad portion 242AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the lead portion 242AA in the x direction. In this embodiment, the die pad portion 242AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the die pad portion 242AB extends in the y direction from the tip portion of the lead portion 242AA toward the fourth resin side surface 84 when viewed in the z direction.
  • the die pad portion 242AB is formed over most of the sealing resin 80 in the y direction.
  • the die pad portion 242AB is formed so as to be inclined with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction, like the die pad portion 42CB of the first embodiment.
  • the dimension in the x direction of the second portion of the die pad portion 242AB closer to the fourth resin side surface 84 than the center in the y direction is that of the first portion of the die pad portion 242AB closer to the third resin side surface 83 than the center in the y direction. larger than the dimension in the x-direction.
  • the second portion protrudes toward the second resin side surface 82 in the x direction with respect to the first portion.
  • the die pad section 242AB has a pad surface 242As and a pad back surface 242Ar (see FIG. 21) facing the opposite side of the pad surface 242As in the z direction.
  • the pad surface 242As faces the same side as the resin main surface 80s of the sealing resin 80, and the pad rear surface 242Ar faces the same side as the resin rear surface 80r (see FIG. 21).
  • the inner lead 242B of the first lead frame 240B is a portion continuous with the terminal 241B and extends in the x direction.
  • the inner lead 242B is arranged to face the die pad portion 242AB in the x direction, and is arranged closer to the first resin side surface 81 than the die pad portion 242AB. In other words, the die pad portion 242AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the inner lead 242B.
  • the length of the inner lead 242B in the x direction is shorter than the length of the lead portion 242AA in the x direction.
  • a through hole 243B is provided in the inner lead 242B.
  • the inner lead 242C of the first lead frame 240C is a portion continuous with the terminal 241C and extends in the x direction.
  • the inner lead 242C is arranged to face the die pad portion 242AB in the x direction, and is arranged closer to the first resin side surface 81 than the die pad portion 242AB. In other words, the die pad portion 242AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the inner lead 242C.
  • the length of the inner lead 242C in the x direction is shorter than the length of the lead portion 242AA in the x direction.
  • the x-direction length of the inner lead 242C is equal to the x-direction length of the inner lead 242B.
  • a through hole 243C is provided in the inner lead 242C.
  • the inner lead 242D of the first lead frame 240D includes a lead portion 242DA and a wire connection portion 242DB.
  • the lead portion 242DA is a portion continuous with the terminal 241D and extends from the first resin side surface 81 in the x direction.
  • a through hole 243D is provided in the lead portion 242DA.
  • the wire connection portion 242DB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the lead portion 242DA in the x direction.
  • the wire connection portion 242DB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the wire connection portion 242DB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the wire connection portion 242DB extends in the y direction from the tip portion of the lead portion 242DA toward the third resin side surface 83 when viewed in the z direction.
  • the wire connection portion 242DB is arranged to face the inner lead 242C of the first lead frame 240C in the y direction, and is arranged closer to the second resin side surface 82 than the inner lead 242C.
  • the tip of the wire connecting portion 242DB is positioned closer to the third resin side surface 83 than the inner lead 242C, and is positioned closer to the fourth resin side surface 84 than the inner lead 242B.
  • the length of the wire connecting portion 242DB in the y direction can be changed arbitrarily.
  • the tip of the wire connecting portion 242DB may be located closer to the fourth resin side surface 84 than the inner lead 242C.
  • both the first light emitting element 20P and the second light receiving element 30Q are mounted on the die pad portion 242AB of the first lead frame 240A.
  • the first light emitting element 20P is arranged in a portion (first portion) closer to the third resin side surface 83 than the center of the die pad portion 242AB in the y direction.
  • the first light emitting element 20P is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the third resin side surface 83 than the center of the sealing resin 80 in the y direction.
  • the second light receiving element 30Q is arranged in a portion (second portion) closer to the fourth resin side surface 84 than the center of the die pad portion 242AB in the y direction.
  • the second light receiving element 30Q is arranged closer to the first resin side surface 81 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the fourth resin side surface 84 than the center of the sealing resin 80 in the y direction.
  • the first light emitting element 20P is arranged at a position overlapping the second light receiving element 30Q.
  • the first light emitting element 20P is bonded to the pad surface 242As of the die pad section 242AB with a conductive bonding material 90P such as solder or Ag paste.
  • a conductive bonding material 90P such as solder or Ag paste.
  • the bonding mode between the first light emitting element 20P and the die pad portion 242AB by the conductive bonding material 90P is the same as in the seventh embodiment.
  • the conductive bonding material 90P corresponds to the "first bonding material".
  • the second light receiving element 30Q is bonded to the pad surface 242As of the die pad section 242AB with a conductive bonding material 100Q such as solder or Ag paste.
  • a conductive bonding material 100Q such as solder or Ag paste.
  • the bonding mode between the second light receiving element 30Q and the die pad portion 242AB by the conductive bonding material 100Q is the same as in the seventh embodiment.
  • the conductive bonding material 100Q corresponds to the "second bonding material".
  • the first light emitting element 20P is electrically connected to each of the first lead frame 240A and the second light receiving element 30Q.
  • the second electrode 22P of the first light emitting element 20P is electrically connected to the second light receiving element 30Q via the wire WE1.
  • the wire WE1 connects the second electrode 22P and the end of the second light receiving element 30Q in the y direction that is closer to the first light emitting element 20P.
  • the first electrode 21P of the first light emitting element 20P is electrically connected to the first lead frame 240A via the conductive bonding material 90P.
  • the first electrode 21P is an anode electrode and the second electrode 22P is a cathode electrode.
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to each of the first lead frames 240A to 240D. Specifically, as shown in FIG. 20, the second light receiving element 30Q is electrically connected to each of the first lead frames 240B-240D via wires WE2-WE4.
  • the wire WE2 is connected to the tip portion of the inner lead 242B of the first lead frame 240B rather than the through hole 243B.
  • the wire WE3 is connected to the tip portion of the inner lead 242C of the first lead frame 240C rather than the through hole 243C.
  • the wire WE4 is connected to the end closer to the lead portion 242DA among both ends in the y direction of the wire connection portion 242DB of the first lead frame 240D.
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to the first lead frame 240A via the conductive bonding material 100Q.
  • the wires WE1 to WE4 are bonding wires formed, for example, by a wire bonding apparatus (not shown).
  • the wires WE1-WE4 are made of a conductive material such as Cu, Al, Au, Ag, or the like. In this embodiment, the wires WE1-WE4 are each made of a material containing Au.
  • the second lead frames 250A-250D include terminals 251A-251D, similar to the terminals 51A-51D of the second lead frames 50A-50D of the first embodiment.
  • the arrangement of the terminals 251A-251D is the same as the arrangement of the terminals 51A-51D.
  • the second lead frames 250A-250D have inner leads 252A-252D, like the second lead frames 50A-50D of the first embodiment.
  • Inner lead 252A of second lead frame 250A includes lead portion 252AA and die pad portion 252AB.
  • the die pad portion 252AB corresponds to the "second light emitting/receiving die pad”.
  • the lead portion 252AA is a portion continuous with the terminal 251A and extends from the second resin side surface 82 in the x direction.
  • a through hole 253A is provided in the lead portion 252AA.
  • the die pad portion 252AB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the lead portion 252AA in the x direction. In this embodiment, the die pad portion 252AB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the die pad portion 252AB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the die pad portion 252AB extends in the y direction from the tip portion of the lead portion 252AA toward the fourth resin side surface 84 when viewed in the z direction.
  • the die pad portion 252AB is formed over most of the sealing resin 80 in the y direction.
  • the die pad portion 252AB is formed so as to be inclined with respect to the direction (horizontal direction) perpendicular to the z-direction, like the die pad portion 52AB of the first embodiment.
  • the dimension in the x direction of the second portion of the die pad portion 252AB closer to the third resin side surface 83 than the center in the y direction is that of the first portion of the die pad portion 252AB closer to the fourth resin side surface 84 than the center in the y direction. larger than the dimension in the x-direction.
  • the second portion protrudes toward the first resin side surface 81 in the x direction with respect to the first portion.
  • the die pad portion 252AB When viewed from the z direction, the die pad portion 252AB is arranged to face the die pad portion 242AB of the first lead frame 240A in the x direction. Therefore, it can be said that the x direction is the direction in which the die pad portions 252AB and 242AB are arranged. In this embodiment, the area of the die pad portion 252AB viewed from the z direction is equal to the area of the die pad portion 242AB viewed from the z direction.
  • the die pad portion 252AB is arranged to face the inner lead 252D of the second lead frame 250D in the x direction, and is arranged closer to the first resin side surface 81 than the inner leads 252B to 252D.
  • the die pad section 252AB has a pad front surface 252As and a pad back surface 252Ar facing the opposite side of the pad front surface 252As in the z direction.
  • the pad surface 252As faces the same side as the resin main surface 80s of the sealing resin 80, and the pad rear surface 252Ar faces the same side as the resin rear surface 80r.
  • the inner lead 252B of the second lead frame 250B is a portion continuous with the terminal 251B and extends in the x direction.
  • the length of the inner lead 252B in the x direction is shorter than the length of the lead portion 252AA in the x direction.
  • the inner lead 252B is arranged to face the die pad portion 252AB in the x direction, and is arranged closer to the second resin side surface 82 than the die pad portion 252AB.
  • a through hole 253B is provided in the inner lead 252B.
  • the inner lead 252C of the second lead frame 250C is a portion continuous with the terminal 251C and extends in the x direction. When viewed from the z-direction, the inner lead 252C has the same shape as the inner lead 252B.
  • the inner lead 252C is arranged to face the die pad portion 252AB in the x direction, and is arranged closer to the second resin side surface 82 than the die pad portion 252AB.
  • a through hole 253C is provided in the inner lead 252C.
  • Inner lead 252D of second lead frame 250D includes lead portion 252DA and wire connection portion 252DB.
  • the lead portion 252DA is a portion continuous with the terminal 251D and extends from the second resin side surface 82 in the x direction.
  • a through hole 253D is provided in the lead portion 252DA.
  • the wire connection portion 252DB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the lead portion 252DA in the x direction. In this embodiment, the wire connection portion 252DB is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction.
  • the shape of the wire connection portion 252DB viewed from the z-direction is a substantially rectangular shape with short sides in the x-direction and long sides in the y-direction.
  • the wire connection portion 252DB extends in the y direction toward the third resin side surface 83 from the lead portion 252DA when viewed from the z direction.
  • the wire connection portion 252DB is arranged to face the die pad portion 252AB in the x direction.
  • the tip of the wire connecting portion 252DB is positioned closer to the third resin side surface 83 than the inner lead 252B, and faces the lead portion 252AA in the y direction. That is, the wire connection portion 252DB is arranged to face the inner leads 252B and 252C in the x direction.
  • the wire connection portion 252DB is arranged closer to the first resin side surface 81 than the inner leads 252B and 252C in the x direction. Therefore, it can be said that the wire connection portion 252DB is arranged between the die pad portion 252AB and the inner leads 252B and 252C in the x direction.
  • the length of the wire connecting portion 252DB in the y direction can be changed arbitrarily.
  • the tip of the wire connection portion 252DB may be located closer to the fourth resin side surface 84 than the inner lead 252B.
  • both the first light receiving element 30P and the second light emitting element 20Q are mounted on the die pad portion 252AB of the second lead frame 250A.
  • the first light receiving element 30P is mounted on a portion (first portion) closer to the third resin side surface 83 than the center of the die pad portion 252AB in the y direction
  • the second light emitting element 20Q is mounted on the die pad portion 252AB in the y direction.
  • the second light emitting element 20Q is arranged at a position overlapping the first light receiving element 30P.
  • the first light receiving element 30P When viewed from the z direction, the first light receiving element 30P is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the third resin side surface 83 than the center of the sealing resin 80 in the y direction. It is The first light receiving element 30P is arranged to face the first light emitting element 20P in the x direction.
  • the second light emitting element 20Q When viewed from the z direction, the second light emitting element 20Q is arranged closer to the second resin side surface 82 than the center of the sealing resin 80 in the x direction and closer to the fourth resin side surface 84 than the center of the sealing resin 80 in the y direction. It is The second light emitting element 20Q is arranged to face the second light receiving element 30Q in the x direction.
  • the first light receiving element 30P is bonded to the pad surface 252As of the die pad section 252AB with a conductive bonding material 100P such as solder or Ag paste.
  • the second light emitting element 20Q is bonded to the pad surface 252As of the die pad section 252AB with a conductive bonding material 90Q such as solder or Ag paste.
  • the conductive bonding material 100P corresponds to the "second bonding material”
  • the conductive bonding material 90Q corresponds to the "first bonding material”.
  • the second light emitting element 20Q is electrically connected to the second lead frame 250A and the first light receiving element 30P.
  • the second electrode 22Q of the second light emitting element 20Q is electrically connected to the first light receiving element 30P via the wire WF1.
  • the wire WF1 connects the second electrode 22Q and the end of the first light receiving element 30P in the y direction that is closer to the second light emitting element 20Q.
  • the first electrode 21Q of the second light emitting element 20Q is electrically connected to the second lead frame 250A through the conductive bonding material 90Q.
  • the first electrode 21Q is an anode electrode and the second electrode 22Q is a cathode electrode.
  • the first light receiving element 30P is electrically connected to the second lead frames 250A-250D. Specifically, as shown in FIG. 20, first light receiving element 30P is electrically connected to second lead frames 250A-250C via wires WF2-WF4, for example.
  • the wire WF2 is connected to the end closer to the lead portion 252AA among both ends in the y direction of the wire connection portion 252DB of the second lead frame 250D.
  • the wire WF3 is connected to the tip portion of the inner lead 252B of the second lead frame 250B rather than the through hole 253B.
  • the wire WF4 is connected to the tip portion of the inner lead 252C of the second lead frame 250C rather than the through hole 253C.
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to the second lead frame 250A through the conductive bonding material 100Q.
  • These wires WF1 to WF4 are bonding wires formed by a wire bonding device (not shown), for example. be.
  • Wires WF1 to WF4 are made of a conductive material such as Cu, Al, Au, Ag, or the like. In this embodiment, the wires WF1-WF4 are made of a material containing Au.
  • the insulation module 10 includes a first transparent resin 60P and a second transparent resin 60Q, a first reflecting member 70P and a second reflecting member 70Q, and a sealing resin 80.
  • the first transparent resin 60P covers at least both the first light emitting element 20P and the first light receiving element 30P. More specifically, the first transparent resin 60P covers the entire first light emitting element 20P and partially covers the first light receiving element 30P when viewed from the z direction.
  • the first transparent resin 60P covers a portion closer to the first light emitting element 20P than the center of the first light receiving element 30P in the x direction.
  • the first transparent resin 60P covers the first semiconductor region of the first light receiving element 30P. That is, the first transparent resin 60P does not cover the second semiconductor region of the first light receiving element 30P. Therefore, the wires WF1 to WF4 connected to the first light receiving element 30P are arranged outside the first transparent resin 60P.
  • Each wire WF2 is arranged within the first reflecting member 70P.
  • a part of each wire WF3, WF4 is arranged inside the first reflecting member 70P, and the remaining part is arranged outside the first reflecting member 70P, that is, inside the sealing resin 80.
  • the wire WF1 is arranged over the first reflecting member 70P, the sealing resin 80, the second reflecting member 70Q, and the second transparent resin 60Q.
  • the first transparent resin 60P covers the entire first light emitting element 20P, part of the wire WE1 connected to the first light emitting element 20P is arranged inside the first transparent resin 60P.
  • the rest of the wire WE1 is arranged outside the first transparent resin 60P, that is, inside the first reflecting member 70P. That is, the wire WE1 is provided from the first transparent resin 60P to the first reflecting member 70P. More specifically, the wire WE1 is arranged over the first transparent resin 60P, the first reflecting member 70P, the sealing resin 80, and the second reflecting member 70Q.
  • the first transparent resin 60P is in contact with the second bonding area 92P of the conductive bonding material 90P.
  • the first transparent resin 60P like the transparent resin 60, is in contact with the second bonding region 102P of the conductive bonding material 100P.
  • the material of the first transparent resin 60P is made of a material that transmits light from the first light emitting element 20P.
  • the material of the first transparent resin 60P is formed of a material that blocks light from the second light emitting element 20Q.
  • the first reflecting member 70P is covered together with the first transparent resin 60P.
  • the first reflecting member 70P covers the first light emitting element 20P, part of the die pad portion 242AB, the first light receiving element 30P, part of the die pad portion 252AB, and the first transparent resin 60P.
  • the material of the first reflecting member 70P is, for example, the same as the transparent resin 60 of the first embodiment.
  • the relationship between the refractive indices of the first reflecting member 70P and the first transparent resin 60P is the same as the relationship between the refractive indices of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 in the first embodiment.
  • the shape of the first transparent resin 60P in the cross-sectional structure of the first transparent resin 60P cut along the xz plane is the shape of the transparent resin 60 in the cross-sectional structure of the transparent resin 60 cut along the xz plane (Fig. 4).
  • the shape of the first reflecting member 70P in the cross-sectional structure of the first reflecting member 70P cut along the xz plane is the same as the shape of the reflecting member 70P in the cross-sectional structure of the reflecting member 70 cut along the xz plane.
  • the second transparent resin 60Q covers at least both the second light emitting element 20Q and the second light receiving element 30Q. More specifically, the second transparent resin 60Q covers the entire second light emitting element 20Q and partially covers the second light receiving element 30Q when viewed in the z direction. Since the manner in which the second light receiving element 30Q is covered with the second transparent resin 60Q is the same as the manner in which the first light receiving element 30P is covered with the first transparent resin 60P, detailed description thereof will be omitted. Further, the relationship between the second transparent resin 60Q and the wires WE1 to WE4 and WF1 to WF4 is the same as the relationship between the first transparent resin 60P and the wires WE1 to WE4 and WF1 to WF4, so detailed description thereof will be omitted. . Also, the relationship between the second transparent resin 60Q and the conductive bonding materials 90Q and 100Q is the same as the relationship between the first transparent resin 60P and the conductive bonding materials 90P and 100P, so detailed description thereof will be omitted.
  • the material of the second transparent resin 60Q is made of a material that transmits light from the second light emitting element 20Q.
  • the material of the second transparent resin 60Q is formed of a material that blocks light from the first light emitting element 20P.
  • the second reflecting member 70Q is covered with the second transparent resin 60Q.
  • the second reflecting member 70Q covers the second light emitting element 20Q, part of the die pad portion 242AB, the second light receiving element 30Q, part of the die pad portion 252AB, and the second transparent resin 60Q.
  • the shape of the second transparent resin 60Q is the same as the shape of the first transparent resin 60P, and the shape of the second reflecting member 70Q is the same as the first reflecting member 70P.
  • the material of the second reflecting member 70Q is the same as the material of the first reflecting member 70P.
  • the relationship between the refractive indices of the second reflecting member 70Q and the second transparent resin 60Q is the same as the relationship between the refractive indices of the transparent resin 60 and the reflecting member 70 in the first embodiment.
  • the interface between the first transparent resin 60P and the first reflecting member 70P is configured so that the light emitted from the first light emitting element 20P is not totally reflected.
  • the interface between the second transparent resin 60Q and the second reflecting member 70Q is configured so that the light emitted from the second light emitting element 20Q is not totally reflected.
  • the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q are arranged apart from each other in the y direction.
  • the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q have overlapping portions and non-overlapping portions.
  • the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q are partially displaced in the x direction.
  • the first transparent resin 60P is shifted toward the first resin side surface 81 with respect to the second transparent resin 60Q.
  • the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q are aligned with each other in the x direction and are spaced apart from each other in the y direction.
  • a sealing resin 80 is interposed between the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q. That is, the sealing resin 80 has a separation wall portion 89 that separates the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q.
  • the separation wall portion 89 is formed over both the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q in the z-direction. Also, the separation wall portion 89 is formed over both the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q in the x-direction.
  • FIG. 23 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of insulation module 10 and the connection configuration between insulation module 10 and inverter circuit 500 .
  • the inverter circuit 500 of this embodiment has the same circuit configuration as that of the first embodiment.
  • the positive terminal of the control power supply 503 is electrically connected to the terminal 251A of the insulation module 10 .
  • Terminal 251D of insulation module 10 is electrically connected between the source of first switching element 501 and the drain of second switching element 502 .
  • the insulation module 10 includes a first light-emitting diode 20AP, a second light-emitting diode 20AQ, a first light-receiving diode 30AP, a second light-receiving diode 30AQ, a first control circuit 230A, and a second control circuit. It has a circuit 230B.
  • the configurations of the light emitting diodes 20AP and 20AQ and the light receiving diodes 30AP and 30AQ are the same as those of the seventh embodiment.
  • the first light emitting diode 20AP is connected to terminals 241A and 241D. Specifically, the first electrode 21P (cathode electrode) of the first light emitting diode 20AP is electrically connected to the terminal 241A, and the second electrode 22P (anode electrode) is electrically connected to the terminal 241D.
  • a control power supply 504 is electrically connected to the terminal 241A.
  • a control power supply 504 supplies a drive voltage to the first light emitting diode 20AP and the first control circuit 230A.
  • the first light receiving diode 30AP is electrically connected to the second control circuit 230B and insulated from the first light emitting diode 20AP.
  • the first light emitting diode 20AP is insulated from the second control circuit 230B.
  • the second light emitting diode 20AQ is electrically connected to the second control circuit 230B.
  • Both the first electrode 31P (anode electrode) and the second electrode 32P (cathode electrode) of the first light receiving diode 30AP are electrically connected to the second control circuit 230B.
  • the first control circuit 230A is electrically connected to the terminals 241A-241D.
  • the second light emitting diode 20AQ is connected to terminals 251A and 251D. Specifically, the first electrode 21Q (cathode electrode) of the second light emitting diode 20AQ is electrically connected to the terminal 251A, and the second electrode 22Q (anode electrode) is electrically connected to the terminal 251D.
  • a control power supply 503 is electrically connected to the terminal 251D.
  • a control power supply 503 supplies a drive voltage to the second light emitting diode 20AQ and the second control circuit 230B.
  • the second light receiving diode 30AQ is electrically connected to the first control circuit 230A and insulated from the second light emitting diode 20AQ.
  • the second light emitting diode 20AQ is insulated from the first control circuit 230A.
  • the first light emitting diode 20AP is electrically connected to the first control circuit 230A.
  • Both the first electrode 31Q (anode electrode) and the second electrode 32Q (cathode electrode) of the second light receiving diode 30AQ are electrically connected to the first control circuit 230A.
  • the second control circuit 230B is electrically connected to the terminals 251A-251D.
  • the first light-emitting diode 20AP and the first light-receiving diode 30AP constitute terminals 251A-251D, that is, a first photocoupler that transmits signals from the inverter circuit 500 to the terminals 241A-241D.
  • the second light-emitting diode 20AQ and the second light-receiving diode 30AQ constitute a second photocoupler that transmits signals from the terminals 241A-241D to the terminals 251A-251D. That is, the insulation module 10 of this embodiment is configured to transmit signals in both directions. Terminals 241A-241D and terminals 251A-251D are insulated by a first photocoupler and a second photocoupler.
  • the first control circuit 230A has a first Schmitt trigger 231A, a first output 232A, a first current source 233A and a first driver 234A.
  • the first current source 233A and the first driver 234A constitute a driving section for driving the second light emitting diode 20AQ.
  • the configurations of the first Schmidt trigger 231A and the first output section 232A are the same as those of the seventh embodiment.
  • the manner of connection between the first Schmidt trigger 231A and the first light receiving diode 30AP and the manner of connection between the first Schmidt trigger 231A and the first output section 232A are the same as in the seventh embodiment.
  • the first output section 232A is connected to the terminals 241A, 241C, and 241D. That is, the first control circuit 230A is connected to the terminals 241A, 241C, and 241D instead of the terminals 251B to 251D to which the inverter circuit 500 is electrically connected.
  • 232 A of 1st output parts have the 1st switching element 232Aa and the 2nd switching element 232Ab which comprise CMOS similarly to 7th Embodiment.
  • the first current source 233A is electrically connected to the terminal 241D and the second electrode 22P of the first light emitting diode 20AP. Thereby, a constant current can be supplied from the terminal 241D to the first light emitting diode 20AP.
  • the first driver 234A is electrically connected to both the first current source 233A and the terminal 241B.
  • the first driver 234A is a circuit that controls current supply to the first light emitting diode 20AP. That is, the first driver 234A controls current supply to the first light emitting diode 20AP based on the control signal supplied to the terminal 241B from the outside of the insulation module 10. FIG. In one example, when the control signal is input to the first driver 234A, the first driver 234A supplies current to the first light emitting diode 20AP. On the other hand, when the control signal is not input to the first driver 234A, the first driver 234A does not supply current to the first light emitting diode 20AP.
  • the second control circuit 230B has a second Schmitt trigger 231B, a second output section 232B, a second current source 233B, and a second driver 234B.
  • the second current source 233B and the second driver 234B constitute a driving section for driving the second light emitting diode 20AQ.
  • the configurations of the second Schmidt trigger 231B and the second output section 232B are the same as those of the seventh embodiment.
  • the aspect is the same as that of the seventh embodiment.
  • the second output section 232B has a first switching element 232Ba and a second switching element 232Bb that constitute CMOS, as in the seventh embodiment.
  • the second current source 233B is electrically connected to the terminal 251D and the second electrode 22Q of the second light emitting diode 20AQ. Thereby, a constant current can be supplied from the terminal 251D to the second light emitting diode 20AQ.
  • the second driver 234B is electrically connected to both the second current source 233B and the terminal 251C.
  • the second driver 234B is a circuit that controls current supply to the second light emitting diode 20AQ. That is, the second driver 234B controls current supply to the second light emitting diode 20AQ based on the control signal supplied to the terminal 251C from the outside of the insulation module 10. FIG. In one example, when the control signal is input to the second driver 234B, the second driver 234B supplies current to the second light emitting diode 20AQ. On the other hand, when the control signal is not input to the second driver 234B, the second driver 234B does not supply current to the second light emitting diode 20AQ.
  • the terminal 251C is electrically connected to a detection circuit 505 that detects the voltage between the source of the first switching element 501 and the drain of the second switching element 502 of the inverter circuit 500 .
  • the detection circuit 505 supplies an abnormal signal as a control signal to the terminal 251C.
  • detection circuit 505 provides an abnormal signal to terminal 251C when the voltage between the source of first switching element 501 and the drain of second switching element 502 is higher than a preset threshold. It is configured.
  • the terminals 241A to 241D are connected to a first photocoupler composed of a first light emitting diode 20AP (first light emitting element 20P) and a first light receiving diode 30AP (first light receiving element 30P), and a second light emitting diode It is insulated from the terminals 251A to 251D by a second photocoupler composed of 20AQ (second light emitting element 20Q) and a second light receiving diode 30AQ (second light receiving element 30Q).
  • the first control circuit 230A may have a current limiting resistor instead of the first current source 233A.
  • the second control circuit 230B may have a current limiting resistor instead of the second current source 233B.
  • the first driver 234A and the first current source 233A may be omitted from the first control circuit 230A.
  • the first electrode 21P of the first light emitting diode 20AP is electrically connected to the terminal 241A
  • the second electrode 22P is electrically connected to the terminal 241D.
  • the second driver 234B and the second current source 233B may be omitted from the second control circuit 230B.
  • the first electrode 21Q of the second light emitting diode 20AQ is electrically connected to the terminal 251A
  • the second electrode 22Q is electrically connected to the terminal 251D.
  • the insulation module 10 includes a first photocoupler composed of a first light emitting element 20P and a first light receiving element 30P, and a second photocoupler composed of a second light emitting element 20Q and a second light receiving element 30Q. and have.
  • the first light emitting element 20P is electrically connected to the first lead frame 240
  • the second light emitting element 20Q is electrically connected to the second lead frame 250.
  • the first light receiving element 30P is electrically connected to the second lead frame 250
  • the second light receiving element 30Q is electrically connected to the first lead frame 240.
  • the first photocoupler transmits signals from the first lead frame 240 to the second lead frame 250
  • the second photocoupler transmits signals from the second lead frame 250 to the first lead frame 240 . to communicate.
  • the isolation module 10 can transmit signals in both directions.
  • each of the above-described embodiments is an example of a form that the insulation module related to the present disclosure can take, and is not intended to limit the form.
  • the insulation module related to the present disclosure may take forms different from those illustrated in the above embodiments.
  • One example is a form in which a part of the configuration of each of the above embodiments is replaced, changed, or omitted, or a form in which a new configuration is added to each of the above embodiments.
  • each of the following modifications can be combined with each other as long as they are not technically inconsistent.
  • the same reference numerals as those in each of the above-described embodiments are attached to the portions common to each of the above-described embodiments, and the description thereof is omitted.
  • the first to seventh embodiments can be combined with each other.
  • the first to sixth and eighth embodiments can be combined with each other.
  • the refractive index of the reflecting member 70 is smaller than the refractive index of the transparent resin 60, and the angle of the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 in the light emitting side facing portion 75A of the reflecting member 70 may be configured to be greater than or equal to the critical angle.
  • the light emitted from the light emitting element 20 is totally reflected at the interface between the reflecting member 70 and the transparent resin 60 in the light emitting side facing portion 75A.
  • the light from the light-emitting element 20 is not weakened by reflection, so that the decrease in the amount of light received by the light-receiving element 30 from the light-emitting element 20 can be suppressed.
  • at least one of the first reflecting member 70P and the first transparent resin 60P and the second reflecting member 70Q and the second transparent resin 60Q in the seventh and eighth embodiments also has the reflecting member 70 and the transparent resin 60 described above. You can change it like
  • the refractive index of the reflecting member 70 and the refractive index of the transparent resin 60 may be equal to each other.
  • the reflecting member 70 is made of a material having the same refractive index as the transparent resin 60 .
  • the refractive index of the first reflecting member 70P and the refractive index of the first transparent resin 60P may be equal to each other, or the refractive index of the second reflecting member 70Q and the refractive index of the second transparent resin may be the same.
  • the refractive indices of 60Q and 60Q may be equal to each other.
  • the inorganic particles 65 may be omitted from the transparent resin 60 .
  • the inorganic particles 65 may be omitted from the first transparent resin 60P.
  • the inorganic particles 65 may be omitted from the second transparent resin 60Q.
  • the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q do not contain the inorganic particles 65, and at least one of the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q contains the inorganic particles 77. It may be a configuration containing.
  • At least one of the first transparent resin 60P and the first reflecting member 70P may contain inorganic particles that absorb or reflect the light from the first light emitting element 20P. At least one of the second transparent resin 60Q and the second reflecting member 70Q may contain inorganic particles that absorb or reflect the light from the second light emitting element 20Q.
  • the shapes of the reflecting member 70, the first reflecting member 70P, and the second reflecting member 70Q can be arbitrarily changed.
  • the light emitting side facing portion 75A of the reflecting member 70 may be formed to have a thickness greater than or equal to the light receiving side facing portion 75B.
  • At least one of the conductive bonding materials 90 (90P, 90Q) and 100 (100P, 100Q) may be made of, for example, a transparent conductive material or a light-absorbing conductive material. That is, at least one of the conductive bonding materials 90 (90P, 90Q) and 100 (100P, 100Q) may be made of a material that does not reflect light from the light emitting elements 20 (20P, 20Q).
  • the materials forming the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q can be arbitrarily changed.
  • the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q may be made of the same material. That is, both the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q are configured to be able to transmit both the light of the first wavelength from the first light emitting element 20P and the light of the second wavelength from the second light emitting element 20Q. good too.
  • the insulation module 10 uses both the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q instead of the first reflecting member 70P and the second reflecting member 70Q.
  • the reflecting member 70 is interposed between the first transparent resin 60P and the second transparent resin 60Q in the y direction. That is, the reflecting member 70 separates the transparent resin covering the first light emitting element 20P and the first light receiving element 30P from the transparent resin covering the second light emitting element 20Q and the second light receiving element 30Q.
  • the separation wall portion 89 of the sealing resin 80 is omitted.
  • the reflecting member 70 covers the entire light receiving element 30, but the present invention is not limited to this.
  • the reflecting member 70 may be provided so as to partially cover the second semiconductor region of the light receiving element 30 .
  • the volume of the reflecting member 70 may be made smaller than in the first to sixth embodiments.
  • the lower portion 76 may be omitted from the reflecting member 70, the first reflecting member 70P, and the second reflecting member 70Q.
  • the insulation module 10 may be configured so that the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 is shortened.
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C and the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A extend close to each other in the x-direction like the fourth embodiment. .
  • the light-emitting element 20 is bonded to the die pad portion 42CB with a conductive bonding material 90 at the end portion closer to the die pad portion 52AB in the x-direction.
  • the light-receiving element 30 is bonded with a conductive bonding material 100 to the end portion closer to the die pad portion 42CB of the x-direction end portions of the die pad portion 52AB. Therefore, in the illustrated example, the distance between the light-emitting element 20 and the light-receiving element 30 in the x direction is shorter than in the first embodiment.
  • the inorganic particles 65 may be omitted from the transparent resin 60 in the example shown in FIG. Further, the configuration may be changed so that the reflecting member 70 contains the inorganic particles 77 .
  • the distance between the light emitting element 20 and the light receiving element 30 in the x direction can be shortened. That is, the distance of the optical path for the light emitted from the light emitting element 20 to enter the light receiving element 30 can be shortened. Therefore, the amount of light received by the light receiving element 30 can be increased.
  • a plate-like member 300 having both translucent and insulating properties may be provided between the die pad section 42CB and the die pad section 52AB in the x direction.
  • the plate member 300 extends in the z direction with the x direction, which is the direction in which the die pad portions 42CB and 52AB are arranged, as the thickness direction.
  • the plate member 300 extends above the pad surfaces 42s, 52s of the die pad portions 42CB, 52AB.
  • the plate-shaped member 300 is arranged so that its upper end surface is at the same position as the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 in the z direction.
  • the plate member 300 does not protrude above the light receiving surface 33 of the light receiving element 30 .
  • the plate member 300 penetrates the lower portion 76 of the reflecting member 70 in the z-direction.
  • a portion of the plate member 300 below the lower end surface 64 of the transparent resin 60 has a longer length in the z direction than a portion above the lower end surface 64 of the transparent resin 60 in the z direction.
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C may be arranged such that its thickness direction is the z direction. That is, the die pad portion 42CB may be arranged so as to extend in a direction orthogonal to the z-direction.
  • the die pad portions 142AB and 142DB of the seventh embodiment and the die pad portion 242AB of the eighth embodiment can also be changed in the same manner.
  • the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A may be arranged such that its thickness direction is the z direction. That is, the die pad portion 52AB may be arranged so as to extend in a direction perpendicular to the z direction.
  • the die pad portion 152AB of the seventh embodiment and the die pad portion 252AB of the eighth embodiment can also be changed in the same manner.
  • the projection 58A of the die pad portion 52AB is provided on the edge closer to the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A among both edges in the x direction of the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C. may be provided with similar projections.
  • the projection 58A may be omitted from the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A.
  • the arrangement position of the suspension lead 55A provided in the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A can be changed arbitrarily.
  • the suspension lead 55A extends in the y direction from the end closer to the fourth resin side surface 84 out of the y direction end portions of the die pad portion 52AB toward the fourth resin side surface 84. may be In this case, the suspension lead 55A is exposed from the fourth resin side surface 84.
  • FIG. 27 the suspension lead 55A extends in the y direction from the end closer to the fourth resin side surface 84 out of the y direction end portions of the die pad portion 52AB toward the fourth resin side surface 84.
  • the fourth resin side surface 84 which is the resin side surface from which the suspension lead 55A is pulled out from the die pad portion 52AB, corresponds to the "suspension lead surface"
  • the first resin side surface 81 and the second resin side surface 82 correspond to the "terminal surface”. Yes.
  • the suspension lead 55A is not exposed from between the terminals 51B and 51C in the y direction on the second resin side surface 82, the number of unevenness of the uneven portion 88 between the terminals 51B and 51C is can be increased. Therefore, the insulation between the terminal 51B and the terminal 51C can be improved.
  • the die pad portion 42CB of the first lead frame 40C may be formed longer than the die pad portion 52AB of the second lead frame 50A in the x direction. That is, the die pad portion on which the light emitting element is mounted may be formed longer than the die pad portion on which the light receiving element is mounted in the x direction. In this case, the distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction may be shorter than the length of the die pad portion 52AB in the x direction. The distance between the die pad portion 42CB and the die pad portion 52AB in the x direction can be arbitrarily changed, and may be equal to or greater than the length of the die pad portion 52AB in the x direction.
  • the uneven portion 87 on the first resin side surface 81 between the terminals 41A and 41B, the uneven portion 87 on the portion between the terminals 41B and 41C, and the terminal 41C and the uneven portion 87 between the terminal 41D and the terminal 41D may be omitted.
  • the uneven portion 88 on the second resin side surface 82 between the terminals 51A and 51B, the uneven portion 88 on the portion between the terminal 51B and the suspension lead 55A, and the suspension At least one of the uneven portion 88 between the lead 55A and the terminal 51C and the uneven portion 88 between the terminal 51C and the terminal 51D may be omitted.
  • the first to sixth embodiments may have a driver and a current source as in the eighth embodiment.
  • a current source is provided between the terminal 41C and the light emitting diode 20A.
  • a driver is provided, for example, to connect the terminal 41D and the current source. Thereby, the current supplied to the light emitting diode 20A is controlled according to the signal input to the terminal 41D.
  • the second driver 234B and the second current source 233B that drive the first light emitting diode 20AP, the first driver 234A that drives the second light emitting diode 20AQ and the and a first current source 233A.
  • FIG. 28 shows a first modification of the first light receiving element 30P
  • FIG. 29 shows a second modification of the first light receiving element 30P
  • FIG. 30 shows a third modification of the first light receiving element 30P.
  • 4 shows an example configuration.
  • 28 to 30 show cross-sectional structures near the element main surface 30Ps of the first light receiving element 30P.
  • 28 to 30 show enlarged sectional structures of the photoelectric conversion element 35PA and its periphery in the element main surface 30Ps of the first light receiving element 30P.
  • the cross-sectional structure of the control circuit 35PB and its periphery in the element main surface 30Ps of the first light receiving element 30P is the same in the first to third modifications. Therefore, in the second modification and the third modification, the same reference numerals are given to the configurations common to the first modification, and the description thereof is omitted.
  • the first light receiving element 30P of the first modified example includes a semiconductor substrate 34P, an insulating wiring layer 35PC formed on a surface 34Ps of the semiconductor substrate 34P, and an insulating wiring layer 35PC laminated on the insulating wiring layer 35PC.
  • the semiconductor substrate 34P constitutes the element rear surface 30Pr (see FIG. 22) of the first light receiving element 30P. That is, the back surface (not shown) of the semiconductor substrate 34P facing the opposite side to the front surface 34Ps constitutes the element back surface 30Pr.
  • a substrate formed of a material containing Si (silicon), for example, is used as the semiconductor substrate 34P.
  • a photoelectric conversion element 35PA is provided in the first semiconductor region 34PA of the semiconductor substrate 34P.
  • a control circuit 35PB is provided in the second semiconductor region 34PB of the semiconductor substrate 34P. Control circuit 35PB is a circuit that receives a signal from photoelectric conversion element 35PA, for example.
  • the insulating wiring layer 35PC includes wiring that electrically connects the photoelectric conversion element 35PA and the control circuit 35PB.
  • the insulating wiring layer 35PC is formed so as to overlap both the photoelectric conversion element 35PA and the control circuit 35PB when viewed from the z direction.
  • the insulating layer 36P is laminated on the photoelectric conversion element 35PA and the control circuit 35PB. That is, the insulating layer 36P is provided over both the first semiconductor region 34PA and the second semiconductor region 34PB of the semiconductor substrate 34P. In the first modified example, the insulating layer 36P is formed over the entire insulating wiring layer 35PC.
  • the insulating layer 36P includes a first insulating portion 36PA formed on the photoelectric conversion element 35PA and a second insulating portion 36PB formed on the control circuit 35PB. It can also be said that the first insulating portion 36PA is a portion corresponding to the first semiconductor region 34PA, and the second insulating portion 36PB is a portion corresponding to the second semiconductor region 34PB.
  • a surface 36Ps of the insulating layer 36P forms an element main surface 30Ps. A portion of the surface 36Ps of the insulating layer 36P that corresponds to the first insulating portion 36PA constitutes a light receiving surface 33P.
  • the insulating layer 36P includes a plurality of insulating films 37PA to 37PE stacked together in the z direction, a plurality of wiring layers 38PA to 38PE provided in the insulating films 37PA to 37PE, and vias connecting these wiring layers 38PA to 38PE. 39PA to 39PD.
  • a plurality of wiring layers 38PA-38PE and vias 39PA-39PD are provided in the second insulating portion 36PB.
  • the plurality of wiring layers 38PA-38PE and vias 39PA-39PD are not provided in the first insulating portion 36PA.
  • the multiple wiring layers 38PA to 38PE provided in the second insulating portion 36PB correspond to the "first wiring layer".
  • each insulating film 37PA to 37PE is an interlayer insulating film, and is formed of silicon oxide (SiO 2 ), for example.
  • the plurality of wiring layers 38PA to 38PE are layers in which wirings connected to the control circuit 35PB are mainly formed, and are provided in the second insulating portion 36PB of the insulating layer 36P. In other words, the wiring layers 38PA to 38PE are not provided in the first insulating portion 36PA of the insulating layer 36P. In the illustrated example, the wiring layers 38PA to 38PE are arranged so as to overlap each other when viewed from the z direction. Each wiring layer 38PA to 38PE is made of a metal material such as Al, Ti (titanium).
  • the wiring layer 38PA is embedded in the insulating film 37PA.
  • Wiring layer 38PA is electrically connected to, for example, semiconductor substrate 34P.
  • the wiring layer 38PB is embedded in the insulating film 37PB.
  • the wiring layer 38PA and the wiring layer 38PB are connected by a plurality of vias 39PA. Each via 39PA is embedded in the insulating film 37PA and extends in the z direction.
  • the wiring layer 38PC is embedded in the insulating film 37PC.
  • the wiring layer 38PB and the wiring layer 38PC are connected by a plurality of vias 39PB.
  • Each via 39PB is embedded in the insulating film 37PB and extends in the z direction.
  • the wiring layer 38PD is embedded in the insulating film 37PD.
  • the wiring layer 38PC and the wiring layer 38PD are connected by a plurality of vias 39PC.
  • Each via 39PC is embedded in the insulating film 37PC and extends in the z direction.
  • the wiring layer 38PE is embedded in the insulating film 37PE.
  • the wiring layer 38PD and the wiring layer 38PE are connected by a plurality of vias 39PD.
  • Each via 39PD is embedded in the insulating film 37PD and extends in the z direction.
  • the plurality of wiring layers 38PA to 38PE are provided corresponding to the plurality of insulating films 37PA to 37PE, but the present invention is not limited to this.
  • the second insulating portion 36PB may have an insulating film on which no wiring layer is provided.
  • the configuration of the second insulating portion 36PB can be similarly changed in the second modification and the third modification.
  • wiring layers 38PA to 38PE may be provided in the first insulating portion 36PA.
  • the photoelectric conversion element 35PA has a region protruding from the wiring layers 38PA to 38PE when viewed in the z direction.
  • the photoelectric conversion element 35PA By adjusting the area of each of the wiring layers 38PA to 38PE provided on the photoelectric conversion element 35PA (hereinafter simply referred to as the area of each wiring layer 38PA to 38PE) when viewed from the z-direction, the photoelectric conversion element 35PA can be adjusted.
  • the amount of light received may be adjusted. That is, when designing the insulation module 10, the areas of the wiring layers 38PA to 38PE are set so that the amount of light received by the photoelectric conversion element 35PA is within a preset range. In one example, in the z direction, after the light reflected by the reflecting member 70 enters the insulating layer 36, the percentage of light entering the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by the wiring layers 38PA to 38PE is 60%.
  • Each area of each of the wiring layers 38PA to 38PE is set so as to be 70% or less.
  • the ratio of light incident on the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by each of the wiring layers 38PA to 38PE is not limited to 60% or more and 70% or less, for example 30% or more and 40% or less, or 40% or more and 50% or less. , 50% to 60%, 70% to 80%, 80% to 90%, and the like. In this way, the ratio of the light that enters the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by each wiring layer 38PA to 38PE is determined by adjusting the wiring pattern of each wiring layer 38PA to 38PE according to the characteristics of the photoelectric conversion element 35PA. adjusted accordingly.
  • a wiring layer is also provided in the first insulating portion 36PA corresponding to the first semiconductor region 34PA in the insulating layer 36P.
  • the wiring layers provided in the first insulating portion 36PA differ in the number of layers from the wiring layers 38PA to 38PE of the second insulating portion 36PB. More specifically, the first insulating portion 36PA and the second insulating portion 36PB have the same number of layers of insulating films (insulating films 37PA to 37PE). On the other hand, the number of wiring layers of the first insulating portion 36PA is smaller than the number of layers (wiring layers 38PA to 38PE) of the second insulating portion 36PB (see FIG. 28).
  • the first insulating portion 36PA has at least one insulating film on which no wiring layer is formed.
  • the first insulating portion 36PA does not have the wiring layers 38PB and 38PD. Therefore, in the first insulating portion 36PA, the insulating films 37PB and 37PD become insulating films in which no wiring layer is formed.
  • the via 39PA connects the wiring layer 38PA and the wiring layer 38PC, and the via 39PC connects the wiring layer 38PC and the wiring layer 38PE.
  • the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE of the first insulating portion 36PA correspond to the "second wiring layer”
  • the wiring layers 38PA to 38PE of the second insulating portion 36PB correspond to the "first wiring layer.” ” is supported.
  • the first light receiving element 30P of the second modified example at least one first wiring layer is formed in the second insulating portion 36PB, and a wiring layer is formed in the first insulating portion 36PA. It can also be said that there is at least one layer that is not covered.
  • a plurality of first wiring layers are formed in the second insulating portion 36PB, and the first insulating portion 36PA has fewer wiring layers than the second insulating portion 36PB. It can also be said that a number of second wiring layers are formed.
  • the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE in the first insulating portion 36PA are provided at positions overlapping the photoelectric conversion element 35PA when viewed from the z direction.
  • the photoelectric conversion element 35PA has regions protruding from the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE when viewed in the z direction.
  • Insulating films 37PA to 37PE are provided on regions of the photoelectric conversion element 35PA protruding from the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE.
  • the photoelectric The amount of light received by the conversion element 35PA may be adjusted. That is, when designing the insulation module 10, the areas of the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE are set so that the amount of light received by the photoelectric conversion element 35PA is within a preset range. In one example, in the z-direction, the light reflected by the reflecting member 70 enters the insulating layer 36 and then enters the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE.
  • each wiring layer 38PA, 38PC, and 38PE is set so as to be 60% or more and 70% or less.
  • the ratio of light incident on the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by each of the wiring layers 38PA, 38PC, and 38PE is not limited to 60% or more and 70% or less. % or less, 50% or more and 60% or less, 70% or more and 80% or less, 80% or more and 90% or less, or the like. In this way, the proportion of light that enters the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by each wiring layer 38PA, 38PC, 38PE is adjusted according to the characteristics of the photoelectric conversion element 35PA. It is appropriately adjusted by adjusting the wiring pattern.
  • the number of wiring layers electrically connected to the control circuit 35PB is smaller in the first insulating portion 36PA into which the light from the first light emitting element 20P is incident than in the second insulating portion 36PB. It is possible to eliminate malfunction of the control circuit 35PB caused by rushing light or the like when the amount of light from the first light emitting element 20P is large. Further, by adjusting the area of each wiring layer 38PA, 38PC, 38PE, light enters the photoelectric conversion element 35PA without being reflected by each wiring layer 38PA, 38PC, 38PE in accordance with the characteristics of the photoelectric conversion element 35PA. You can adjust the percentage of light.
  • a resin layer 200 is provided on the insulating layer 36P. That is, the resin layer 200 is formed on the surface 36Ps of the insulating layer 36P. In the third modification, the resin layer 200 is formed over the entire surface 36Ps of the insulating layer 36P. That is, the surface 200s of the resin layer 200 constitutes the element main surface 30Ps of the first light receiving element 30P.
  • the resin layer 200 has insulating properties and is made of a resin material that selectively absorbs or blocks infrared rays.
  • the resin layer 200 corresponds to the "infrared cut layer".
  • the resin layer 200 is formed, for example, by coating the surface 36Ps of the insulating layer 36P.
  • the resin layer 200 is made of, for example, a resin material having a lower light transmittance than the first transparent resin 60P.
  • the resin layer 200 is made of a material having a lower light transmittance than, for example, the first reflecting member 70P.
  • the insulating layer 36P is made of a material that transmits infrared rays.
  • the material of the insulating layer 36P is not limited to this, and is arbitrary.
  • the formation range of the resin layer 200 on the surface 36Ps of the insulating layer 36P can be arbitrarily changed.
  • the resin layer 200 may be formed only on a region of the surface 36Ps of the insulating layer 36P corresponding to the first insulating portion 36PA.
  • the thickness of the resin layer 200 can be changed arbitrarily. In one example, the thickness of the resin layer 200 may be thicker than the thickness of the insulating layer 36P. In another example, the thickness of the resin layer 200 may be thinner than the thickness of the insulating layer 36P.
  • the resin layer 200 absorbs or blocks infrared light, the light from the first light emitting element 20P is weakened by the resin layer 200 and supplied to the first light receiving element 30P. Therefore, the amount of light received by the first light receiving element 30P from the first light emitting element 20P can be reduced. Since the second light receiving element 30Q has the same configuration as the first light receiving element 30P, the above effect can be obtained.
  • the signal processing method in the light receiving element 30 (30P, 30Q) can be arbitrarily changed. An example thereof will be described using the circuit configuration of the insulation module 10 of FIG. As shown in FIG. 19, a signal composed of a plurality of pulses is input from the first light receiving element 30P to the first control circuit 130A.
  • the first control circuit 130A outputs a drive voltage signal as an output signal to the gate of the first switching element 511 based on a portion of the plurality of pulses excluding the first pulse.
  • the signal composed of a plurality of pulses is a pulse with a predetermined pulse period. For example, the interval between a first signal made up of a plurality of pulses and a second signal made up of a plurality of pulses transmitted after the first signal is longer than the pulse period.
  • on as used in this disclosure includes the meanings of “on” and “above” unless the context clearly indicates otherwise.
  • the expression “A is formed on B” means that in the above embodiments A can be placed directly on B with A contacting B, but as a variant, A is formed on B without contacting B. It is intended that it can be placed above the That is, the term “on” does not exclude structures in which other members are formed between A and B.
  • references herein to "at least one of A and B” should be understood to mean “A only, or B only, or both A and B.”
  • Appendix Technical ideas that can be grasped from the present disclosure are described below. It should be noted that, for the purpose of understanding and not for the purpose of limitation, components described in the appendix are labeled with corresponding components in the embodiments. The reference numerals are provided as examples to aid understanding, and the components described in each appendix should not be limited to the components indicated by the reference numerals.
  • (Appendix A1) a light emitting element (20); a light receiving element (30) for receiving light from the light emitting element (20); a first die pad (42CB) on which the light emitting element (20) is mounted; a second die pad (52AB) provided in parallel with the first die pad (42CB) and having the light receiving element (30) mounted thereon; a transparent resin (60) covering at least both the light emitting element (20) and the light receiving element (30); a reflecting member (70) made of a material that covers at least the transparent resin (60) and reflects light from the light emitting element (20); A sealing resin (80) that seals the reflecting member (70) together with the transparent resin (60) and is formed of a light-shielding material, At least one of the reflecting member (70) and the transparent resin (60) contains inorganic particles (65) that absorb or reflect light from the light emitting element (20).
  • Appendix A3 The insulation module according to Appendix A2, wherein the reflecting member (70) has a higher refractive index than the transparent resin (60).
  • the light emitting element (20) has a light emitting surface (20s)
  • the reflecting member (70) has a light-emitting side facing portion (75A) facing the light-emitting surface (20s) with a gap in a direction perpendicular to the light-emitting surface (20s),
  • the insulation module according to Appendix A2 wherein an angle of an interface between the reflecting member (70) and the transparent resin (60) in the light emitting side facing portion (75A) is smaller than a critical angle.
  • the light emitting element (20) has a light emitting surface (20s)
  • the reflecting member (70) has a light-emitting side facing portion (75A) facing the light-emitting surface (20s) with a gap in a direction perpendicular to the light-emitting surface (20s),
  • the light receiving element (30) has a light receiving surface (33)
  • the reflecting member (70) has a light-emitting side facing portion (75A) facing the light-emitting surface (33) with a gap in the direction perpendicular to the light-emitting surface (20s), and the light-receiving surface (33).
  • a light-receiving side facing portion (75B) facing the light-receiving surface (33) with a gap in a direction perpendicular to the light-receiving surface (33);
  • the light emitting element (20) is bonded to the mounting surface (42s) of the first die pad (42CB) with a first bonding material (90)
  • the light receiving element (30) is bonded to the mounting surface (52s) of the second die pad (52AB) with a second bonding material (100)
  • the first bonding material (90) is formed to protrude from the light emitting element (20) when viewed from a direction perpendicular to the mounting surface (42s) of the first die pad (42CB)
  • the second bonding material (100) is formed so as to protrude from the light receiving element (30) when viewed from a direction perpendicular to the mounting surface (52s) of the second die pad (52AB)
  • at least one of the first bonding material (90) and the second bonding material (100) is made of a material that reflects light from the light emitting element (20); Isolation module as described.
  • the light emitting element (20) is bonded to the mounting surface (42s) of the first die pad (42CB) with a first bonding material (90)
  • the light receiving element (30) is bonded to the mounting surface (52s) of the second die pad (52AB) with a second bonding material (100)
  • the first bonding material (90) is formed to protrude from the light emitting element (20) when viewed from a direction perpendicular to the mounting surface (42s) of the first die pad (42CB)
  • the second bonding material (100) is formed so as to protrude from the light receiving element (30) when viewed from a direction perpendicular to the mounting surface (52s) of the second die pad (52AB)
  • the first die pad (42CB) has a first protrusion (47) extending toward the second die pad (52AB) from the first bonding material (90)
  • the second die pad (52AB) has a second protruding portion (59) extending toward the first die pad (42C
  • the reflecting member (70) covers the surface of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB) opposite to the surface on which the light emitting element (20) and the light receiving element (30) are mounted. Having a pad cover portion (76) for covering, At least part of an interface (64) between the pad cover portion (76) and the transparent resin (60) has an uneven portion (120).
  • the insulation module according to any one of Appendices A1 to A9. .
  • the reflecting member (70) is a first end curved surface (73a) provided near the first die pad (42CB) among both ends in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB); A second end curved surface (73b) provided near the second die pad (52AB) and an intermediate curved surface connecting the first end curved surface (73a) and the second end curved surface (73b) (73c) and
  • the first end curved surface (73a) has a curved shape in which the center of curvature is located on the opposite side of the first die pad (42CB) with respect to the first end curved surface (73a).
  • the second end curved surface (73b) has a curved shape such that the center of curvature is located on the opposite side of the second die pad (52AB) with respect to the second end curved surface (73b).
  • the intermediate curved surface (73c) has a curved shape such that the center of curvature thereof is located closer to the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB) than the intermediate curved surface (73c).
  • the sealing resin (80) includes a resin side surface (81/82) on which a plurality of terminals (41A to 41D/51A to 51D) are arranged, Concavo-convex portions (87/88) are provided in portions between first terminals and second terminals of the plurality of terminals (41A to 41D/51A to 51D) on the resin side surface (81/82).
  • An insulation module according to any one of the appendices A1-A11.
  • the second die pad (52AB) includes suspension leads (55A), The suspension lead (55A) is exposed from a portion between the first terminal and the second terminal on the resin side surface (82), The portion between the first terminal (51B) and the suspension lead (55A) as the second terminal on the resin side surface (82), and the second terminal (51C) and the portion as the first terminal
  • the second die pad (52AB) includes suspension leads (55A),
  • the resin side surface is a surface different from the terminal surface (81/82) on which the plurality of terminals (41A to 41D/51A to 51D) are provided and the terminal surface (81/82), Suspended lead surface (84) from which (55A) is brought out.
  • the second die pad (52AB) is longer than the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB),
  • the distance between the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction) is longer than the length of the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction)
  • the second die pad (52AB) is longer than the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB),
  • the distance between the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction) is shorter than the length of the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction).
  • Appendix A17 The insulating module according to any one of Appendices A1 to A16, wherein the transparent resin (60) covers the entire light emitting element (20) and partially covers the light receiving element (30).
  • the light-receiving element (30) is located in the first die pad (42CB) among both end portions of the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB). is joined to the first end closer to the through a joining material (90), At the edge of the first end of the second die pad (52AB) near the first die pad (42CB), there is a Insulation module according to Appendix A1, provided with projecting protrusions (58A).
  • the light receiving element includes a first light receiving element (30P) and a second light receiving element (30Q)
  • the light emitting element includes a first light emitting element (20P) and a second light emitting element (20Q)
  • a first photocoupler is composed of the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P)
  • a second photocoupler is composed of the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q)
  • the transparent resin is a first transparent resin (60P) covering the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P); a second transparent resin (60Q) covering the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q)
  • the reflecting member is a first reflecting member (70P) covering the first transparent resin (60P); and a second reflecting member (70Q) covering the second transparent resin (60Q),
  • the sealing resin (80) seals both the first reflecting member (70P) and the second reflecting member (70Q).
  • the insulation module according to any one of append
  • the light receiving element includes a first light receiving element (30P) and a second light receiving element (30Q)
  • the light emitting element includes a first light emitting element (20P) and a second light emitting element (20Q)
  • a first photocoupler is composed of the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P)
  • a second photocoupler is composed of the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q)
  • the transparent resin is a first transparent resin (60P) covering the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P); a second transparent resin (60Q) covering the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q)
  • the first light emitting element (20P) is an element that emits light of a first wavelength
  • the second light emitting element (20Q) is an element that emits light of a second wavelength different from the first wavelength
  • the first transparent resin (60P) is made of a resin material that transmits the light of the first wavelength and does not transmit the light
  • the first die pad includes a first light emitting die pad (142AB) and a second light emitting die pad (142DB) spaced apart from each other;
  • the first light emitting element (20P) is mounted on the first light emitting die pad (142AB)
  • the second light emitting element (20Q) is mounted on the second light emitting die pad (142DB)
  • the insulation module according to any one of Appendices A18 to A20, wherein both the first light receiving element (30P) and the second light receiving element (30Q) are mounted on the second die pad (152AB).
  • the first die pad for light emission (142AB) and the second die pad for light emission (142DB) are arranged side by side in a first direction (y direction), In plan view, the first die pad for light emission (142AB), the second die pad for light emission (142DB), and the second die pad (152AB) are arranged in a second direction ( x direction), The insulation module according to Appendix A22, wherein the first light receiving element (30P) and the second light receiving element (30Q) are arranged apart from each other in the first direction (y direction).
  • At least one of the second reflecting member (70Q) and the second transparent resin (60Q) contains inorganic particles (65/77) that absorb or reflect light from the second light emitting element (20Q). Isolation module as described.
  • the sealing resin (80) seals both the first reflecting member (70P) and the second reflecting member (70Q).
  • At least one of the reflecting member (70) and the second transparent resin (60Q) contains inorganic particles (65/77) that absorb or reflect light from the second light emitting element (20Q). isolation module.
  • the first die pad (42CB) is longer than the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB),
  • the distance between the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction) is shorter than the length of the second die pad (52AB) in the arrangement direction (x direction).
  • the sealing resin (80) has a resin main surface (80s) which is closer to the light emitting element (20P) than the light receiving element (30P) in the thickness direction (z direction) of the sealing resin (80). ) and a resin back surface (80r) that is a surface closer to the light receiving element (30P) with respect to the light emitting element (20P),
  • the second die pad (52AB) extends toward the first die pad (42CB) toward the resin rear surface (80r) with respect to a horizontal direction perpendicular to the thickness direction (z direction) of the sealing resin (80).
  • the first die pad (42CB) extends toward the second die pad (52AB) toward the resin rear surface (80r) with respect to a horizontal direction perpendicular to the thickness direction (z direction) of the sealing resin (80).
  • the isolation module of Appendix A30 configured to slope toward.
  • (Appendix B1) a light emitting element (20); a light receiving element (30) for receiving light from the light emitting element (20); a first die pad (42CB) on which the light emitting element (20) is mounted; a second die pad (52AB) provided in parallel with the first die pad (42CB) and having the light receiving element (30) mounted thereon; a transparent resin (60) covering at least both the light emitting element (20) and the light receiving element (30); a reflecting member (70) made of a material that covers at least the transparent resin (60) and reflects light from the light emitting element (20); A sealing resin (80) that seals the reflecting member (70) together with the transparent resin (60) and is formed of a light-shielding material, The height position of the light emitting surface (20s) of the light emitting element (20) is equal to or higher than the height position of the light receiving surface (33) of the light receiving element (30). High isolation module.
  • (Appendix B2) a light emitting element (20); a light receiving element (30) for receiving light from the light emitting element (20); a first die pad (42CB) on which the light emitting element (20) is mounted via a first bonding material (90); a second die pad (52AB) provided in parallel with the first die pad (42CB) and having the light receiving element (30) mounted thereon via a second bonding material (100); a transparent resin (60) covering at least both the light emitting element (20) and the light receiving element (30); a reflecting member (70) made of a material that covers at least the transparent resin (60) and reflects light from the light emitting element (20); A sealing resin (80) that seals the reflecting member (70) together with the transparent resin (60) and is formed of a light-shielding material,
  • the second die pad (52AB) is formed longer than the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction) of the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB), The first
  • the light emitting element (20) is mounted on one of both ends of the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction), which is closer to the second die pad (52AB),
  • the light-receiving element (30) is mounted on one of both ends of the second die pad (52AB) that is closer to the first die pad (42CB) in the arrangement direction (x direction). isolation module.
  • the first die pad (42CB) has a first protrusion (47) protruding toward the second die pad (52AB) with respect to the first bonding material (90) in the arrangement direction (x direction),
  • the second die pad (52AB) has a second protruding portion (59) protruding toward the first die pad (42CB) with respect to the second bonding material (100) in the arrangement direction (x direction).
  • (Appendix C1) a light emitting element (20); a light receiving element (30) for receiving light from the light emitting element (20); a first die pad (42CB) on which the light emitting element (20) is mounted; a second die pad (52AB) provided in parallel with the first die pad (42CB) and having the light receiving element (30) mounted thereon; a transparent resin (60) covering at least both the light emitting element (20) and the light receiving element (30); a reflecting member (70) made of a material that covers at least the transparent resin (60) and reflects light from the light emitting element (20); A sealing resin (80) that seals the reflecting member (70) together with the transparent resin (60) and is formed of a light-shielding material,
  • the sealing resin (80) includes a resin side surface (81/82) on which a plurality of terminals (41A to 41D/51A to 51D) are arranged, An uneven portion (87/88) is provided between the first terminal and the second terminal of the plurality of terminals (41
  • the second die pad (52AB) includes suspension leads (55A), The suspension lead (55A) is exposed from a portion between the first terminal and the second terminal on the resin side surface (82), The portion between the first terminal (51B) and the suspension lead (55A) as the second terminal on the resin side surface (82), and the second terminal (51C) and the portion as the first terminal
  • the second die pad (52AB) includes suspension leads (55A),
  • the resin side surface is a surface different from the terminal surface (81/82) on which the plurality of terminals (41A to 41D/51A to 51D) are provided and the terminal surface (81/82), A suspension lead surface (84) from which (55A) is brought out.
  • Appendix C4 Any one of Appendices C1 to C3, wherein the uneven portion (87/88) is formed over the entire side surface of the resin (81/82/84) in the thickness direction (z direction) of the sealing resin (80) 1.
  • (Appendix C5) a light emitting element (20); a light receiving element (30) for receiving light from the light emitting element (20); a first die pad (42CB) on which the light emitting element (20) is mounted; a second die pad (52AB) provided in parallel with the first die pad (42CB) and having the light receiving element (30) mounted thereon; a transparent resin (60) covering at least both the light emitting element (20) and the light receiving element (30); a reflecting member (70) made of a material that covers at least the transparent resin (60) and reflects light from the light emitting element (20); A sealing resin (80) that seals the reflecting member (70) together with the transparent resin (60) and is formed of a light-shielding material, The transparent resin (60) is interposed between the first die pad (42CB) and the second die pad (52AB), An uneven portion (120) is provided at a boundary portion between the transparent resin (60) and the reflecting member (70) interposed between the first die pad (42CB) and the second
  • (Appendix D1) a first light emitting element (20P) and a second light emitting element (20Q); a first light receiving element (30P) that receives light from the first light emitting element (20P), and a second light receiving element (30Q) that receives light from the second light emitting element (20Q); a first light emitting/receiving die pad (242AB) on which both the first light emitting element (20P) and the second light receiving element (30Q) are mounted; a second light emitting/receiving die pad (252AB) provided in parallel with the first light emitting/receiving die pad (242AB) on which both the second light emitting element (20Q) and the first light receiving element (30P) are mounted; a first transparent resin (60P) covering at least both the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P); a second transparent resin (60Q) covering at least both the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q); a first reflecting member (70P) made of a material that covers
  • (Appendix D2) a first light emitting element (20P) and a second light emitting element (20Q); a first light receiving element (30P) that receives light from the first light emitting element (20P), and a second light receiving element (30Q) that receives light from the second light emitting element (20Q); a first light emitting/receiving die pad (242AB) on which both the first light emitting element (20P) and the second light receiving element (30Q) are mounted; a second light emitting/receiving die pad (252AB) provided in parallel with the first light emitting/receiving die pad (242AB) on which both the second light emitting element (20Q) and the first light receiving element (30P) are mounted; a first transparent resin (60P) covering at least both the first light emitting element (20P) and the first light receiving element (30P); A second transparent resin (60Q) that covers at least both the second light emitting element (20Q) and the second light receiving element (30Q),
  • the first light emitting element (20P) is an element that emit
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA); An insulating layer (36P) laminated on the photoelectric conversion element (35PA) and the control circuit (35PB),
  • the light receiving element (30) is a photoelectric conversion element (35PA); a control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (
  • the light emitting element (20) is a photoelectric conversion element (35PA); A control circuit (35PB) that receives a signal from the photoelectric conversion element (35PA), When the light-receiving element (30) receives a signal composed of a plurality of pulses from the light-emitting element (20).

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Abstract

絶縁モジュール（１０）は、発光素子（２０）と、発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、少なくとも発光素子（２０）および受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、少なくとも透明樹脂（６０）を覆うとともに発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、透明樹脂（６０）ごと反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備えている。反射部材（７０）および透明樹脂（６０）の少なくとも一方は、発光素子（２０）からの光を吸収または反射する無機物粒子を含む。

Description

絶縁モジュール
　本開示は、絶縁モジュールに関する。
　絶縁モジュールとして、フォトカプラといった光学系の絶縁モジュールが知られている。たとえば特許文献１には、光送信器と、光受信器と、光送信器および光受信器を封入する透明な封入剤と、透明な封入剤を封入する不透明な封入剤と、を備えるオプトカプラが開示されている。
特開２０１３－１２０９４０号公報
　ところで、このような絶縁モジュールは未だ改善の余地がある。
　本開示の一態様における絶縁モジュールは、発光素子と、前記発光素子からの光を受光する受光素子と、前記発光素子が搭載された第１ダイパッドと、前記第１ダイパッドと並んで設けられ、前記受光素子が搭載された第２ダイパッドと、少なくとも前記発光素子および前記受光素子の双方を覆う透明樹脂と、少なくとも前記透明樹脂を覆うとともに前記発光素子からの光を反射する材料によって形成された反射部材と、前記透明樹脂ごと前記反射部材を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂と、を備え、前記反射部材および前記透明樹脂の少なくとも一方は、前記発光素子からの光を吸収または反射する無機物粒子を含む。
　上記絶縁モジュールによれば、受光素子の受光量を調整できる。
図１は、第１実施形態の絶縁モジュールの斜視図である。 図２は、図１の絶縁モジュールの内部構造を模式的に示す平面図である。 図３は、図２の絶縁モジュールを３－３線で切った断面図である。 図４は、図３の絶縁モジュールの一部拡大図である。 図５は、図４の絶縁モジュールにおける発光素子およびその周辺の拡大図である。 図６は、図４の絶縁モジュールにおける受光素子の一部およびその周辺の拡大図である。 図７は、図２の絶縁モジュールにおける発光素子および受光素子、ならびにそれら周辺の拡大図である。 図８は、図１の絶縁モジュールの封止樹脂の一部を拡大した平面図である。 図９は、図１の絶縁モジュールの封止樹脂の図８とは別の一部を拡大した平面図である。 図１０は、図１の絶縁モジュールの電気的構成を模式的に示す回路図である。 図１１は、第２実施形態の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図１２は、第３実施形態の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図１３は、第４実施形態の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図１４は、第５実施形態の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図１５は、第６実施形態の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図１６は、第７実施形態の絶縁モジュールについて、その内部構造を模式的に示す平面図である。 図１７は、図１６の絶縁モジュールを１７－１７線で切った断面図である。 図１８は、図１６の絶縁モジュールを１８－１８線で切った断面図である。 図１９は、図１６の絶縁モジュールの電気的構成を模式的に示す回路図である。 図２０は、第８実施形態の絶縁モジュールについて、その内部構造を模式的に示す平面図である。 図２１は、図２０の絶縁モジュールを２１－２１線で切った断面図である。 図２２は、図２０の絶縁モジュールを２２－２２線で切った断面図である。 図２３は、図２０の絶縁モジュールの電気的構成を模式的に示す回路図である。 図２４は、変更例の絶縁モジュールについて、その内部構造を模式的に示す断面図である。 図２５は、変更例の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図２６は、変更例の絶縁モジュールについて、絶縁モジュールの一部の断面構造を示す断面図である。 図２７は、変更例の絶縁モジュールについて、その内部構造を模式的に示す平面図である。 図２８は、変更例の絶縁モジュールについて、受光素子の一部の断面図である。 図２９は、変更例の絶縁モジュールについて、受光素子の一部の断面図である。 図３０は、変更例の絶縁モジュールについて、受光素子の一部の断面図である。
　以下、絶縁モジュールの実施形態について図面を参照しつつ説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
　［第１実施形態］
　図１～図１０を参照して、第１実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。
　図１～図３は絶縁モジュール１０の全体の構成を示している。図４～図９は絶縁モジュール１０の一部を拡大して示している。図１０は、絶縁モジュール１０の電気的構成を示している。
　絶縁モジュール１０は、スイッチング素子のゲートに駆動電圧信号を印加するゲートドライバに用いられている。図１および図２に示すように、絶縁モジュール１０のパッケージ構造はＤＩＰ（Dual In-line Package）である。絶縁モジュール１０は、矩形状の封止樹脂８０と、封止樹脂８０から突出した複数の端子４１，５１と、を備えている。絶縁モジュール１０の絶縁耐圧は、たとえば３５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。ただし、絶縁モジュール１０の絶縁耐圧の具体的な数値はこれに限られず任意である。
　封止樹脂８０は、遮光性を有する絶縁性材料によって形成されている。絶縁性材料の一例は、エポキシ樹脂である。本実施形態では、封止樹脂８０は、黒色のエポキシ樹脂によって形成されている。図１および図２に示すように、封止樹脂８０は、樹脂主面８０ｓ、樹脂裏面８０ｒ、および第１～第４樹脂側面８１～８４を有している。以下の説明において、封止樹脂８０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とする。
　樹脂主面８０ｓおよび樹脂裏面８０ｒは、封止樹脂８０の厚さ方向（ｚ方向）の両端面を構成している。ｚ方向から視て、樹脂主面８０ｓおよび樹脂裏面８０ｒの双方は、矩形状に形成されている。本実施形態では、ｚ方向から視た樹脂主面８０ｓおよび樹脂裏面８０ｒの双方の形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる矩形状である。なお、ｚ方向は、「絶縁モジュールの高さ方向」であるともいえる。
　第１樹脂側面８１および第２樹脂側面８２は、ｘ方向の両端面を構成している。第１樹脂側面８１および第２樹脂側面８２の双方は、ｚ方向から視て、ｙ方向に沿って延びている。第１樹脂側面８１には複数（本実施形態では４つ）の端子４１Ａ～４１Ｄが設けられ、第２樹脂側面８２には複数（本実施形態では４つ）の端子５１Ａ～５１Ｄが設けられている。複数の端子４１Ａ～４１Ｄは、第１樹脂側面８１から突出している。複数の端子５１Ａ～５１Ｄは、第２樹脂側面８２から突出している。このため、ｚ方向から視て、複数の端子４１Ａ～４１Ｄと複数の端子５１Ａ～５１Ｄとは、ｘ方向において間隔をあけて並べて配置されているといえる。つまり、ｘ方向は、複数の端子４１Ａ～４１Ｄと、複数の端子５１Ａ～５１Ｄとの配列方向であるともいえる。図１および図２に示すとおり、複数の端子５１Ａ～５１Ｄは、複数の端子４１Ａ～４１Ｄと同一形状である。
　第３樹脂側面８３および第４樹脂側面８４は、ｙ方向の両端面を構成している。第３樹脂側面８３および第４樹脂側面８４の双方は、複数の端子４１Ａ～４１Ｄ，５１Ａ～５１Ｄが設けられていない側面である。第３樹脂側面８３および第４樹脂側面８４の双方は、ｚ方向から視て、ｘ方向に沿って延びている。
　本実施形態では、各端子４１Ａ～４１Ｄ，５１Ａ～５１Ｄは互いに同じ形状である。より詳細には、図１に示すように、各端子４１Ａ～４１Ｄは第１樹脂側面８１からｘ方向に延びる第１部分と、第１部分から下方に向けて折り曲げられる屈曲部と、ｘ方向において封止樹脂８０から離れるにつれて下方に傾斜するように延びる第２部分と、を有している。第２部分は、幅が比較的広い幅広部と幅が比較的狭い幅狭部とを有している。幅広部は、第２部分のうち屈曲部と連続する部分であり、第１部分の幅と同じ広さである。幅狭部は、各端子４１Ａ～４１Ｄの先端部を構成する。第２部分が延びる方向における幅広部の長さは、幅狭部の長さよりも短い。換言すると、第２部分が延びる方向における幅狭部の長さは、幅広部の長さよりも長い。
　複数の端子４１Ａ～４１Ｄ，５１Ａ～５１Ｄは、絶縁モジュール１０がたとえば配線基板（図示略）に実装される場合、配線基板に設けられた貫通孔に挿入される外部端子を構成している。各端子４１Ａ～４１Ｄ，５１Ａ～５１Ｄにおける第２部分の幅狭部は、配線基板の貫通孔に挿入された状態で、たとえばはんだ、Ａｇ（銀）ペースト等によって形成された導電性接合材によって接合される。これにより、絶縁モジュール１０は、配線基板と電気的に接続される。
　各樹脂側面８１～８４は、第１側面８５および第２側面８６を有している。第１側面８５は第２側面８６に連続している。第１側面８５は、ｚ方向において樹脂裏面８０ｒよりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。第２側面８６は、ｚ方向において樹脂主面８０ｓよりも樹脂裏面８０ｒの近くに配置されている。第１樹脂側面８１の第１側面８５および第２樹脂側面８２の第１側面８５は、樹脂主面８０ｓに向かうにつれてｘ方向において互いに近づくように傾斜しており、第１樹脂側面８１の第２側面８６および第２樹脂側面８２の第２側面８６は、樹脂裏面８０ｒに向かうにつれてｘ方向において互いに近づくように傾斜している。第３樹脂側面８３の第１側面８５（図示略）および第４樹脂側面８４の第１側面８５は、樹脂主面８０ｓに向かうにつれてｙ方向において互いに近づくように傾斜しており、第３樹脂側面８３の第２側面８６（図示略）および第４樹脂側面８４の第２側面８６は、樹脂裏面８０ｒに向かうにつれてｙ方向において互いに近づくように傾斜している。本実施形態では、各樹脂側面８１～８４の第１側面８５のｚ方向の長さは、各樹脂側面８１～８４の第２側面８６のｚ方向の長さよりも長い。
　４つの端子４１Ａ～４１Ｄはそれぞれ、第１樹脂側面８１の第１側面８５と第２側面８６との間から突出している。４つの端子４１Ａ～４１Ｄは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。各端子４１Ａ～４１Ｄは、第１樹脂側面８１のうち封止樹脂８０のｚ方向の中央よりも樹脂裏面８０ｒ寄りの部分から突出している。
　４つの端子５１Ａ～５１Ｄはそれぞれ、第２樹脂側面８２の第１側面８５と第２側面８６との間から突出している。４つの端子５１Ａ～５１Ｄは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。各端子５１Ａ～５１Ｄは、第２樹脂側面８２のうち封止樹脂８０のｚ方向の中央よりも樹脂裏面８０ｒ寄りの部分から突出している。
　次に、封止樹脂８０内の構造について説明する。
　図２は、絶縁モジュール１０の内部構造を示す絶縁モジュール１０の平面図である。図２では、便宜上、封止樹脂８０を二点鎖線で示している。また、図２では、説明の便宜上、後述する透明樹脂６０および反射部材７０を省略して示している。
　図２に示すように、絶縁モジュール１０は、発光素子２０と、受光素子３０と、第１リードフレーム４０と、第２リードフレーム５０と、を備えている。発光素子２０および受光素子３０からフォトカプラが構成されている。
　発光素子２０は、第１リードフレーム４０に搭載されている。第１リードフレーム４０は、４つの第１リードフレームとして、第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄを含む。第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第１樹脂側面８１寄りに配置されている。第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。
　第１リードフレーム４０Ａは、第１リードフレーム４０Ｂ～４０Ｄに対して第３樹脂側面８３寄りに配置されている。第１リードフレーム４０Ａは、端子４１Ａを含む。つまり、端子４１Ａは、第１リードフレーム４０Ａのうち第１樹脂側面８１から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。
　第１リードフレーム４０Ａのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード４２Ａは、ｘ方向に延びている。インナーリード４２Ａの先端は、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに位置している。インナーリード４２Ａのうち先端寄りの部分には、貫通孔４３Ａが設けられている。ｚ方向から視た貫通孔４３Ａの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる略矩形状である。貫通孔４３Ａには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔４３Ａ内の封止樹脂８０によって第１リードフレーム４０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　インナーリード４２Ａの先端には、第３樹脂側面８３に向けて延びる突起４４Ａが設けられている。本実施形態では、突起４４Ａは、ｙ方向に沿って延びている。突起４４Ａの先端は、第３樹脂側面８３に対してｙ方向に離間した位置に設けられている。つまり、突起４４Ａは、第３樹脂側面８３から露出していない。突起４４Ａのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、突起４４Ａによって第１リードフレーム４０Ａが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　第１リードフレーム４０Ｂは、第１リードフレーム４０Ａに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。第１リードフレーム４０Ｂは、端子４１Ｂを含む。つまり、端子４１Ｂは、第１リードフレーム４０Ｂのうち第１樹脂側面８１から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。
　第１リードフレーム４０Ｂのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード４２Ｂは、ｘ方向に延びている。インナーリード４２Ｂの先端は、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに位置している。インナーリード４２Ｂのｘ方向の長さは、インナーリード４２Ａのｘ方向の長さよりも長い。インナーリード４２Ｂは、第１リード部４２ＢＡおよび第２リード部４２ＢＢを含む。
　第１リード部４２ＢＡは、端子４１Ｂと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。第１リード部４２ＢＡのうち第２リード部４２ＢＢ寄りの部分には、貫通孔４３Ｂが設けられている。ｚ方向から視た貫通孔４３Ｂの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。本実施形態では、貫通孔４３Ｂの短辺の長さは貫通孔４３Ａの短辺の長さと等しく、貫通孔４３Ｂの長辺の長さは貫通孔４３Ａの長辺の長さよりも長い。貫通孔４３Ｂには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔４３Ｂ内の封止樹脂８０によって第１リードフレーム４０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第２リード部４２ＢＢは、インナーリード４２Ｂの先端を含む部分である。ｚ方向から視て、第２リード部４２ＢＢは、ｙ方向において第１リード部４２ＢＡに対してインナーリード４２Ａ寄りにずれて配置されている。このため、インナーリード４２Ｂのうち先端寄りの部分には、窪み４４Ｂが設けられている。窪み４４Ｂは、第１リード部４２ＢＡのｙ方向の両端縁のうち第４樹脂側面８４の近くの端縁から第３樹脂側面８３に向けて窪んでいる。また、第２リード部４２ＢＢは、ｚ方向から視て、第１リード部４２ＢＡに対してインナーリード４２Ａに向けてはみ出しているともいえる。第２リード部４２ＢＢのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、第２リード部４２ＢＢによって第１リードフレーム４０Ｂが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　第２リード部４２ＢＢは、ｘ方向において第１リードフレーム４０Ａのインナーリード４２Ａよりも第２樹脂側面８２寄りの部分を有している。ｚ方向から視た第２リード部４２ＢＢの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる略矩形状である。
　第１リードフレーム４０Ｃは、第１リードフレーム４０Ｂに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。第１リードフレーム４０Ｃは、端子４１Ｃを含む。つまり、端子４１Ｃは、第１リードフレーム４０Ｃのうち第１樹脂側面８１から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。
　第１リードフレーム４０Ｃのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード４２Ｃは、ｘ方向に延びている。インナーリード４２Ｃは、リード部４２ＣＡおよびダイパッド部４２ＣＢを含む。本実施形態では、ダイパッド部４２ＣＢは「第１ダイパッド」に対応している。
　リード部４２ＣＡは、端子４１Ｃと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。リード部４２ＣＡのうちダイパッド部４２ＣＢ寄りの部分には、貫通孔４３Ｃが設けられている。本実施形態では、ｚ方向から視た貫通孔４３Ｃの形状は、ｚ方向から視た貫通孔４３Ｂの形状と同じである。またｚ方向から視た貫通孔４３Ｃの面積は、ｚ方向から視た貫通孔４３Ｂの面積と同じである。貫通孔４３Ｃには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔４３Ｃ内の封止樹脂８０によって第１リードフレーム４０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部４２ＣＢは、ｘ方向において第１リードフレーム４０Ｂの第２リード部４２ＢＢと揃った位置かつ第２リード部４２ＢＢに対してｙ方向に離間した位置に設けられている。ダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の両端部のうち第２リード部４２ＢＢに近い方の端部は、第２リード部４２ＢＢの窪み４４Ｂに入り込んでいる。つまり、ダイパッド部４２ＣＢは、その一部がｘ方向から視てリード部４２ＢＡと重なるように配置されている。
　ｚ方向から視たダイパッド部４２ＣＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の長さは、リード部４２ＣＡのｙ方向の長さよりも長い。図２に示すとおり、ダイパッド部４２ＣＢは、リード部４２ＣＡに対してｙ方向の両側にはみ出している。ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、ダイパッド部４２ＣＢによって第１リードフレーム４０Ｃが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部４２ＣＢは、凹部４４Ｃを有している。凹部４４Ｃは、ダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の両端部のうち第２リード部４２ＢＢに近い方の端部に設けられている。凹部４４Ｃは、第２リード部４２ＢＢに向けて開口している。凹部４４Ｃは、ｘ方向においてダイパッド部４２ＣＢの中央よりもリード部４２ＣＡ寄りに設けられている。
　第１リードフレーム４０Ｄは、第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｃに対して第４樹脂側面８４寄りに配置されている。第１リードフレーム４０Ｄは、端子４１Ｄを含む。つまり、端子４１Ｄは、第１リードフレーム４０Ｄのうち第１樹脂側面８１から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。
　第１リードフレーム４０Ｄのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード４２Ｄは、ｘ方向に延びている。インナーリード４２Ｄの先端は、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに位置している。インナーリード４２Ｄのうち先端寄りの部分には、貫通孔４３Ｄが設けられている。ｚ方向から視た貫通孔４３Ｄの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる略矩形状である。貫通孔４３Ｄには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔４３Ｄ内の封止樹脂８０によって第１リードフレーム４０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向と直交する方向に移動することを抑制できる。
　インナーリード４２Ｄの先端には、第３樹脂側面８３に向けて延びる突起４４Ｄが設けられている。本実施形態では、突起４４Ｄは、ｙ方向に沿って延びている。突起４４Ｄの先端は、第４樹脂側面８４に対してｙ方向に離間した位置に設けられている。つまり、突起４４Ｄは、第４樹脂側面８４から露出していない。突起４４Ｄのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、突起４４Ｄによって第１リードフレーム４０Ｄが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　図２に示すとおり、ｚ方向から視て、第１リードフレーム４０Ｄは、封止樹脂８０のｙ方向の中央においてｘ方向に沿って延びる直線に対して第１リードフレーム４０Ａと線対称となる形状を有している。
　図２に示すように、発光素子２０は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢに搭載されている。より詳細には、発光素子２０は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうち第２樹脂側面８２に近い方の端部に配置されている。発光素子２０は、ｙ方向においてダイパッド部４２ＣＢのうちリード部４２ＣＡよりも第１リードフレーム４０Ｂの第２リード部４２ＢＢ寄りに配置されている。ｘ方向から視て、発光素子２０は、ダイパッド部４２ＣＢの凹部４４Ｃと重なる位置に配置されている。
　ｚ方向から視て、発光素子２０は、封止樹脂８０のｙ方向の中央に配置されている。また、発光素子２０は、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ｚ方向から視た発光素子２０の形状は矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視た発光素子２０の形状は正方形である。
　発光素子２０は、ワイヤＷＡによって第１リードフレーム４０Ｂの第２リード部４２ＢＢに接続されている。ワイヤＷＡは、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＡは、たとえばＣｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ等の導電材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷＡはＡｕを含む材料によって形成されている。
　受光素子３０は、第２リードフレーム５０に搭載されている。第２リードフレーム５０は、４つの第２リードフレームとして、第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄを含む。第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第２樹脂側面８２寄りに配置されている。第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。
　第２リードフレーム５０Ａは、第２リードフレーム５０Ｂ～５０Ｄに対して第３樹脂側面８３寄りに配置されている。第２リードフレーム５０Ａは、端子５１Ａを含む。つまり、端子５１Ａは、第２リードフレーム５０Ａのうち第２樹脂側面８２から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。本実施形態では、端子５１Ａは、ｘ方向から視て、端子４１Ａと重なる位置に配置されている。
　第２リードフレーム５０Ａのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード５２Ａは、リード部５２ＡＡおよびダイパッド部５２ＡＢを含む。本実施形態では、ダイパッド部５２ＡＢは「第２ダイパッド」に対応している。
　ｚ方向から視て、リード部５２ＡＡは、第２樹脂側面８２からｘ方向に沿って延びる第１部分と、第１部分から第１樹脂側面８１に向かうにつれて第４樹脂側面８４に向けて傾斜するように延びる第２部分と、第２部分からｘ方向に向けて延びるとともにダイパッド部５２ＡＢに連続する第３部分と、を有している。
　リード部５２ＡＡには、貫通孔５３Ａが設けられている。貫通孔５３Ａは、第１部分および第２部分にわたり形成されている。より詳細には、貫通孔５３Ａは、第１部分のうち第２部分寄りの部分から第２部分のうち第３部分寄りの部分までにわたり形成されている。ｚ方向から視て、貫通孔５３Ａは、ｘ方向に延びる第１貫通部分と、第２樹脂側面８２から第１樹脂側面８１に向かうにつれて第３樹脂側面８３から第４樹脂側面８４に向けて傾斜するように延びる第２貫通部分と、を有している。第１貫通部分はリード部５２ＡＡの第１部分に設けられ、第２貫通部分はリード部５２ＡＡの第２部分に設けられている。貫通孔５３Ａには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔５３Ａ内の封止樹脂８０によって第２リードフレーム５０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　本実施形態では、ｚ方向から視て、第３部分のｘ方向の両端縁のうち第３樹脂側面８３に近い方の第１端縁および第３部分のｘ方向の両端縁のうち第４樹脂側面８４に近い方の第２端縁の双方は、ダイパッド部５２ＡＢに近づくにつれて第４樹脂側面８４に向けて傾斜している。第３部分の第２端縁のｘ方向に対する傾斜角度は、第３部分の第１端縁のｘ方向に対する傾斜角度よりも大きい。このため、ｚ方向から視て、第３部分は、ダイパッド部５２ＡＢに向かうにつれて第３部分の幅寸法（第３部分のｙ方向の寸法）が大きくなるテーパ状に形成されている。また、第３部分の第１端縁のｘ方向に対する傾斜角度および第３部分の第２端縁のｘ方向に対する傾斜角度の双方は、第２部分のｘ方向に対する傾斜角度よりも小さい。
　ダイパッド部５２ＡＢは、ｘ方向においてリード部５２ＡＡよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部５２ＡＢは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｙ方向の中央に配置されている。ｚ方向から視たダイパッド部５２ＡＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部５２ＡＢは、ｘ方向において第１リードフレーム４０Ｂ，４０Ｃの双方と対向する位置に配置されている。つまり、ダイパッド部５２ＡＢは、ｘ方向において第１リードフレーム４０Ｂ，４０Ｃの双方と対向するように、ｙ方向に延びている。このため、ダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の長さは、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の長さよりも長い。
　ダイパッド部５２ＡＢは、第１リードフレーム４０Ｂ，４０Ｃの双方よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ダイパッド部５２ＡＢは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端縁のうち第１樹脂側面８１に近い方の端縁は、第１リードフレーム４０Ｂ，４０Ｃのｘ方向の両端縁のうち第２樹脂側面８２に近い方の端縁よりも封止樹脂８０のｘ方向の中央の近くに位置している。つまり、ダイパッド部５２ＡＢは、ダイパッド部４２ＣＢよりも封止樹脂８０のｘ方向の中央寄りに配置されている。
　ダイパッド部５２ＡＢには、窪み５４Ａが設けられている。窪み５４Ａは、ダイパッド部５２ＡＢのうち第２樹脂側面８２寄りかつ第４樹脂側面８４寄りの端部に設けられている。窪み５４Ａは、第２樹脂側面８２および第４樹脂側面８４の双方に向けて開口している。
　ダイパッド部５２ＡＢには、吊りリード５５Ａが設けられている。吊りリード５５Ａは、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端縁のうち第２樹脂側面８２に近い方の端縁から第２樹脂側面８２に向けてｘ方向に沿って延びている。本実施形態では、吊りリード５５Ａは、ダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の中央に設けられている。吊りリード５５Ａは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｙ方向の中央に設けられているともいえる。吊りリード５５Ａは、第２樹脂側面８２から露出している。
　第２リードフレーム５０Ｂは、第２リードフレーム５０Ａに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。第２リードフレーム５０Ｂは、端子５１Ｂを含む。つまり、端子５１Ｂは、第２リードフレーム５０Ｂのうち第２樹脂側面８２から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。本実施形態では、端子５１Ｂは、ｘ方向から視て、端子４１Ｂと重なる位置に配置されている。
　第２リードフレーム５０Ｂのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード５２Ｂは、ｘ方向に延びている。インナーリード５２Ｂの先端は、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに位置している。より詳細には、インナーリード５２Ｂの先端は、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢよりも第２樹脂側面８２寄りに位置している。インナーリード５２Ｂのｙ方向の両端部のうち第２リードフレーム５０Ａのリード部５２ＡＡの近くの端部は、インナーリード５２Ｂの先端に向かうにつれて第４樹脂側面８４に向けて傾斜する傾斜部を有している。図２に示すとおり、インナーリード５２Ｂは、その先端に向かうにつれて先細るように形成されている。
　インナーリード５２Ｂのうち先端寄りの部分には、貫通孔５３Ｂが設けられている。ｚ方向から視た貫通孔５３Ｂの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となり、かつインナーリード５２Ｂの先端に向かうにつれて先細る略台形状に形成されている。貫通孔５３Ｂには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔５３Ｂ内の封止樹脂８０によって第２リードフレーム５０Ｂが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　インナーリード５２Ｂのうち第２樹脂側面８２からｘ方向に離間した箇所では、その箇所よりも第２樹脂側面８２寄りの部分よりもｙ方向にはみ出すはみ出し部５４Ｂが設けられている。はみ出し部５４Ｂは、リード部５２ＡＡとは反対側にはみ出している。はみ出し部５４Ｂのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、第２リードフレーム５０Ｂが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム５０Ｃは、第２リードフレーム５０Ｂに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。より詳細には、第２リードフレーム５０Ｃは、第２リードフレーム５０Ａの吊りリード５５Ａに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。換言すると、吊りリード５５Ａは、第２リードフレーム５０Ｂと第２リードフレーム５０Ｃとのｙ方向の間において第２リードフレーム５０Ｂ，５０Ｃの双方から間をあけて配置されている。本実施形態では、吊りリード５５Ａは、第２樹脂側面８２において端子５１Ｂと端子５１Ｃとのｙ方向の中央に配置されている。
　第２リードフレーム５０Ｃは、端子５１Ｃを含む。つまり、端子５１Ｃは、第２リードフレーム５０Ｃのうち第２樹脂側面８２から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。本実施形態では、端子５１Ｃは、ｘ方向から視て、端子４１Ｃと重なる位置に配置されている。
　第２リードフレーム５０Ｃのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード５２Ｃは、ｘ方向に延びている。インナーリード５２Ｃの先端は、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに位置している。より詳細には、インナーリード５２Ｃの先端は、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢよりも第２樹脂側面８２寄りに位置している。
　インナーリード５２Ｃのうち先端寄りの部分には、貫通孔５３Ｃが設けられている。ｚ方向から視た貫通孔５３Ｃの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。貫通孔５３Ｃには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔５３Ｃ内の封止樹脂８０によって第２リードフレーム５０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　インナーリード５２Ｃの先端には、第３樹脂側面８３に向けて延びる突起５４Ｃが設けられている。本実施形態では、突起５４Ｃは、ｙ方向に沿って延びている。突起５４Ｃのｘ方向の両側には封止樹脂８０が存在している。このため、突起５４Ｃによって第２リードフレーム５０Ｃが封止樹脂８０に対してｘ方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム５０Ｄは、第２リードフレーム５０Ｃに対して第４樹脂側面８４の近くに配置されている。第２リードフレーム５０Ｄは、端子５１Ｄを含む。つまり、端子５１Ｄは、第２リードフレーム５０Ｄのうち第２樹脂側面８２から封止樹脂８０の外部に突出した部分である。本実施形態では、端子５１Ｄは、ｘ方向から視て、端子４１Ｄと重なる位置に配置されている。
　第２リードフレーム５０Ｄのうち封止樹脂８０内に設けられた部分であるインナーリード５２Ｄは、ｘ方向に延びる第１部分と、第１部分から第１樹脂側面８１に向かうにつれて第３樹脂側面８３に向けて傾斜して延びる第２部分と、第２部分からダイパッド部５２ＡＢの窪み５４Ａに向けて延びる第３部分と、を有している。
　インナーリード５２Ｄには、貫通孔５３Ｄが設けられている。貫通孔５３Ｄは、第１部分および第２部分にわたり形成されている。より詳細には、貫通孔５３Ｄは、第１部分のうち第２部分寄りの部分から第２部分のうち第３部分寄りの部分までにわたり形成されている。ｚ方向から視て、貫通孔５３Ｄは、ｘ方向に延びる第１貫通部分と、第２樹脂側面８２から第１樹脂側面８１に向かうにつれて第４樹脂側面８４から第３樹脂側面８３に向けて傾斜するように延びる第２貫通部分と、を有している。第１貫通部分はインナーリード５２Ｄの第１部分に設けられ、第２貫通部分はインナーリード５２Ｄの第２部分に設けられている。貫通孔５３Ｄには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔５３Ｄ内の封止樹脂８０によって第２リードフレーム５０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第３部分は、ダイパッド部５２ＡＢの窪み５４Ａに入り込んでいる。第３部分は、ｘ方向において、第２リードフレーム５０Ｂ，５０Ｃよりも第１樹脂側面８１寄りの部分を有している。ｘ方向から視て、第３部分は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢと重なる位置に配置されている。
　本実施形態では、ｚ方向から視て、第３部分のｘ方向の両端縁のうち第３樹脂側面８３に近い方の第１端縁は、ｘ方向に沿って延びている。ｚ方向から視て、第３部分のｘ方向の両端縁のうち第４樹脂側面８４に近い方の第２端縁は、ダイパッド部５２ＡＢに近づくにつれて第３樹脂側面８３に向けて傾斜している。このため、ｚ方向から視て、第３部分は、ダイパッド部５２ＡＢに向かうにつれて第３部分の幅寸法（第３部分のｙ方向の寸法）が小さくなるように形成されている。また、第２端縁のｘ方向に対する傾斜角度の双方は、第２部分のｘ方向に対する傾斜角度よりも小さい。
　図２に示すように、受光素子３０は、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢに搭載されている。より詳細には、受光素子３０は、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第２樹脂側面８２に近い方の端部寄りに配置されている。受光素子３０は、ダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の中央に配置されている。受光素子３０は、ｘ方向から視て、第２リードフレーム５０Ｂ，５０Ｃと重なる位置に配置されている。受光素子３０は、ｙ方向において第２リードフレーム５０Ｄよりも第３樹脂側面８３寄りに配置されている。一方、ｙ方向から視て、受光素子３０は、第２リードフレーム５０Ｄの第３部分と重なる位置に配置されている。
　ｚ方向から視て、受光素子３０は、封止樹脂８０のｙ方向の中央に配置されている。このため、ｘ方向から視て、受光素子３０は、発光素子２０と重なる位置に配置されている。受光素子３０は、ｘ方向において発光素子２０と対向配置されているともいえる。また、受光素子３０は、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。
　ｚ方向から視た受光素子３０の形状は矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視た受光素子３０の形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる矩形状である。受光素子３０は、発光素子２０から光を受光できるように構成されている。受光素子３０は、発光素子２０からの光を受光する第１半導体領域と、受光した光に基づいて信号を生成する第２半導体領域と、を含む。第１半導体領域には、光電変換素子が設けられている。光電変換素子としては、たとえばフォトダイオードが用いられている。第２半導体領域は、たとえばＬＳＩ（Large Scale Integration）によって形成されている。つまり、本実施形態の受光素子３０は、発光素子２０からの光を受光する機能と、受光した光から信号を生成する機能とが一体化された素子である。ｚ方向から視て、第１半導体領域および第２半導体領域は、ｘ方向において並んで形成されている。ｚ方向から視て、第１半導体領域は、受光素子３０のうち発光素子２０寄りの部分に形成されている。第２半導体領域は、受光素子３０のうち第２リードフレーム５０Ｂ，５０Ｃ寄りの部分に形成されている。ｚ方向から視た第１半導体領域の面積は、ｚ方向から視た第２半導体領域の面積よりも小さい。ｚ方向から視て、第１半導体領域のｘ方向の寸法は、第２半導体領域のｘ方向の寸法よりも小さい。ｚ方向から視て、受光素子３０のうち第１半導体領域は、受光面３３を形成している。
　ｚ方向から視た受光素子３０の面積は、ｚ方向から視た発光素子２０の面積よりも大きい。一例では、ｚ方向から視た受光素子３０の面積は、ｚ方向から視た発光素子２０の面積の２倍以上であり、好ましくは５倍以上である。本実施形態では、ｚ方向から視た受光素子３０の面積は、ｚ方向から視た発光素子２０の面積の１０倍程度である。
　受光素子３０は、ワイヤＷＢ１～ＷＢ４によって第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄにそれぞれ接続されている。ワイヤＷＢ１～ＷＢ４は、ワイヤＷＡと同様に、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＢ１～ＷＢ４は、ワイヤＷＡと同様に導電材料（本実施形態ではＡｕ）によって形成されている。本実施形態では、２本のワイヤＷＢ１は、受光素子３０の第２半導体領域と第２リードフレーム５０Ａのリード部５２ＡＡの第３部分とを接続している。１本のワイヤＷＢ２は、受光素子３０の第２半導体領域と第２リードフレーム５０Ｂのインナーリード５２Ｂのうち貫通孔５３Ｂよりも先端側の部分とを接続している。２本のワイヤＷＢ３は、受光素子３０の第２半導体領域と第２リードフレーム５０Ｃのインナーリード５２Ｃのうち貫通孔５３Ｃよりも先端側の部分とを接続している。２本のワイヤＷＢ４は、受光素子３０の第２半導体領域と第２リードフレーム５０Ｄのインナーリード５２Ｄの第３部分とを接続している。これらワイヤＷＢ１～ＷＢ４は、ｚ方向から視て、受光素子３０の第２半導体領域の外周部に接続されている。
　図３は、絶縁モジュール１０の断面構造を示している。図４は、絶縁モジュール１０の断面構造のうち後述する反射部材７０内の構造を主に拡大して示している。図５は、絶縁モジュール１０の断面構造のうち主に発光素子２０およびその周囲の構造を拡大して示している。図６は、絶縁モジュール１０の断面構造のうち主に受光素子３０の一部およびその周囲の構造を拡大して示している。図７は、図２に透明樹脂６０および反射部材７０を追加し、反射部材７０およびその周辺を拡大した模式的な平面図である。なお、図３では、便宜上、端子４１，５１の一部を省略して示している。
　図３に示すように、本実施形態では、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢは、第１樹脂側面８１から第２樹脂側面８２に向かうにつれて樹脂裏面８０ｒに向けて僅かに傾斜するように延びている。ダイパッド部４２ＣＢのｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対する傾斜角度は、たとえば１°以上２°以下である。なお、ダイパッド部４２ＣＢの水平方向に対する傾斜角度は、これに限られず、たとえば０°よりも大きく１０°以下であればよい。また、ダイパッド部４２ＣＢの水平方向に対する傾斜角度は、２°以上３°以下、３°以上４°以下、４°以上５°以下、５°以上６°以下、６°以上７°以下、および７°以上８°以下のいずれかであってもよい。
　ダイパッド部４２ＣＢは、ダイパッド部４２ＣＢの厚さ方向において互いに反対側を向くパッド表面４２ｓおよびパッド裏面４２ｒを有している。
　パッド表面４２ｓは、発光素子２０を搭載する搭載面を構成する面である。つまり、本実施形態では、パッド表面４２ｓは「第１ダイパッドの搭載面」に対応している。パッド表面４２ｓは、封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓと同じ側を向いている。
　パッド裏面４２ｒは、封止樹脂８０の樹脂裏面８０ｒと同じ側を向いている。パッド裏面４２ｒは、ｚ方向において樹脂裏面８０ｒから離間して配置されている。つまり、パッド裏面４２ｒは、樹脂裏面８０ｒから露出していない。
　図５に示すように、ダイパッド部４２ＣＢは、主金属層４５Ｃと、主金属層４５Ｃの外表面に形成されためっき層４６Ｃと、を有している。主金属層４５Ｃは、たとえばＣｕを含む金属材料によって形成されている。めっき層４６Ｃは、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）等を含む材料によって形成されている。図５に示すとおり、めっき層４６Ｃは、主金属層４５Ｃと比較して十分に薄い。
　発光素子２０は、その厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面２０ｓおよび素子裏面２０ｒを有している。素子主面２０ｓはパッド表面４２ｓと同じ側を向き、素子裏面２０ｒはパッド裏面４２ｒ（図３参照）と同じ側を向いている。
　素子主面２０ｓには、第１電極２１が設けられている。第１電極２１は、たとえば素子主面２０ｓのｘ方向およびｙ方向の双方の中央に設けられている。素子裏面２０ｒには、第２電極２２が設けられている。第２電極２２は、たとえば素子裏面２０ｒの全体にわたり設けられている。本実施形態では、素子主面２０ｓは「発光面」を構成している。
　発光素子２０は、導電性接合材９０（図５参照）によって第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓに接合されている。一例では、導電性接合材９０を用いて、発光素子２０はダイパッド部４２ＣＢにダイボンディングされることによって、ダイパッド部４２ＣＢに発光素子２０が接合されている。導電性接合材９０は、ダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓと発光素子２０の素子裏面２０ｒとの間に介在している。ここで、本実施形態では、導電性接合材９０は「第１接合材」に対応している。
　導電性接合材９０は、たとえば発光素子２０Ｐからの光を反射する材料によって形成されている。導電性接合材９０は、はんだ、Ａｇ（銀）ペースト等の導電性を有する材料によって形成されている。なお、はんだおよびＡｇペーストは、光を反射する。
　導電性接合材９０は、発光素子２０の素子裏面２０ｒとダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓとの間に介在する第１接合領域９１と、ｚ方向から視て発光素子２０からはみ出した領域であって発光素子２０の外側面と接合された第２接合領域９２と、を有している。
　第２接合領域９２は、発光素子２０の外側面との接合部分から発光素子２０から離れるにつれて、第２接合領域９２の厚さが薄くなるように設けられている。第２接合領域９２は、ｚ方向から視て、発光素子２０の全周にわたり形成されている。
　第２接合領域９２の表面９２ｓは、曲率中心ＣＦが表面９２ｓに対して上方、つまり曲率中心ＣＦがｚ方向において表面９２ｓに対してダイパッド部４２ＣＢとは反対側に位置するように湾曲状に形成されている。第２接合領域９２の表面９２ｓのうち発光素子２０に隣接する領域の曲率は、第２接合領域９２の表面９２ｓのうち発光素子２０から遠い領域の曲率よりも大きい。
　第２接合領域９２のうち発光素子２０の外側面と接する部分の高さＨＳは、発光素子２０の高さＨ１の１／２以下である。本実施形態では、高さＨＳは、高さＨ１の１／２よりも小さい。ここで、高さＨＳは、第２接合領域９２のうち発光素子２０の外側面と接する部分のダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓからの高さによって規定される。つまり、高さＨＳは、第２接合領域９２のうち発光素子２０の外側面と接する部分の厚さであるともいえる。また、高さＨ１は、ダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓと発光素子２０の素子主面２０ｓとのｚ方向の間の距離によって規定される。
　図２に示すように、発光素子２０は、第１リードフレーム４０Ｂ，４０Ｃと電気的に接続されている。具体的には、発光素子２０の第１電極２１はワイヤＷＡを介して第１リードフレーム４０Ｂに電気的に接続されている。図５に示すように、発光素子２０の第２電極２２は導電性接合材９０を介して第１リードフレーム４０Ｃに電気的に接続されている。一例では、第１電極２１はカソード電極であり、第２電極２２はアノード電極である。このため、図２に示すように、端子４１Ｃはアノード端子を構成し、端子４１Ｂはカソード端子を構成している。
　図３および図４に示すように、本実施形態では、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、第２樹脂側面８２から第１樹脂側面８１に向かうにつれて樹脂裏面８０ｒに向けて僅かに傾斜するように延びている。つまり、ダイパッド部５２ＡＢおよび第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢの双方は、互いに近づくにつれて樹脂裏面８０ｒに向けて傾斜しているともいえる。ダイパッド部５２ＡＢのｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対する傾斜角度は、たとえば１°以上２°以下である。なお、ダイパッド部５２ＡＢの水平方向に対する傾斜角度は、これに限られず、たとえば０°よりも大きく１０°以下であればよい。また、ダイパッド部５２ＡＢの水平方向に対する傾斜角度は、２°以上３°以下、３°以上４°以下、４°以上５°以下、５°以上６°以下、６°以上７°以下、および７°以上８°以下のいずれかであってもよい。
　ダイパッド部５２ＡＢは、ダイパッド部５２ＡＢの厚さ方向において互いに反対側を向くパッド表面５２ｓおよびパッド裏面５２ｒを有している。
　パッド表面５２ｓは、受光素子３０を搭載する搭載面を構成する面である。つまり、本実施形態では、パッド表面５２ｓは「第２ダイパッドの搭載面」に対応している。パッド表面５２ｓは、ダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓと同じ側を向いている。
　パッド裏面５２ｒは、ダイパッド部４２ＣＢのパッド裏面４２ｒと同じ側を向いている。パッド裏面５２ｒは、ｚ方向において樹脂裏面８０ｒから離間して配置されている。つまり、パッド裏面５２ｒは、樹脂裏面８０ｒから露出していない。
　図６に示すように、ダイパッド部５２ＡＢは、主金属層５６Ａと、主金属層５６Ａの外表面に形成されためっき層５７Ａと、を有している。主金属層５６Ａは、たとえばＣｕを含む金属材料によって形成されている。めっき層５７Ａは、Ｎｉ、Ｃｒ等を含む材料によって形成されている。図６に示すとおり、めっき層５７Ａは、主金属層５６Ａと比較して十分に薄い。
　ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第１樹脂側面８１（図２参照）に近い方の端部には、突起５８Ａが設けられている。突起５８Ａは、上方に向けて延びている。より詳細には、突起５８Ａは、主金属層５６Ａおよびめっき層５７Ａから構成されている。突起５８Ａにおけるめっき層５７Ａの厚さは、めっき層５７Ａのうちパッド表面５２ｓを構成する部分の厚さよりも薄い。
　突起５８Ａのうち主金属層５６Ａによって形成される部分の高さは、めっき層５７Ａのうちパッド表面５２ｓを構成する部分の厚さと等しい。ここで、突起５８Ａのうち主金属層５６Ａによって形成される部分の高さとめっき層５７Ａのうちパッド表面５２ｓを構成する部分の厚さとの差がたとえば突起５８Ａのうち主金属層５６Ａによって形成される部分の高さの２０％以内であれば、突起５８Ａのうち主金属層５６Ａによって形成される部分の高さがめっき層５７Ａのうちパッド表面５２ｓを構成する部分の厚さと等しいといえる。
　図２～図４に示すように、受光素子３０は、導電性接合材１００（図６参照）によって第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓに接合されている。
　図６に示すように、導電性接合材１００は、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓと受光素子３０の素子裏面３０ｒとの間に介在している。ここで、本実施形態では、導電性接合材１００は「第２接合材」に対応している。
　導電性接合材１００は、たとえば発光素子２０Ｐからの光を反射する材料によって形成されている。導電性接合材１００は、はんだ、Ａｇペースト等の導電性を有する材料によって形成されている。
　導電性接合材１００は、受光素子３０の素子裏面３０ｒとダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓとの間に介在する第１接合領域１０１と、ｚ方向から視て受光素子３０からはみ出した領域であって受光素子３０の外側面と接合された第２接合領域１０２と、を有している。
　第２接合領域１０２は、受光素子３０の外側面との接合部分から受光素子３０から離れるにつれて、第２接合領域１０２の厚さが薄くなるように設けられている。第２接合領域１０２は、ｚ方向から視て、受光素子３０の全周にわたり形成されている。
　第２接合領域１０２の表面１０２ｓは、曲率中心ＣＧが表面１０２ｓに対して上方、つまり曲率中心ＣＧがｚ方向において表面１０２ｓに対してダイパッド部５２ＡＢとは反対側に位置するように湾曲状に形成されている。第２接合領域１０２の表面１０２ｓのうち受光素子３０に隣接する領域の曲率は、第２接合領域１０２の表面１０２ｓのうち受光素子３０から遠い領域の曲率よりも大きい。
　第２接合領域１０２のうち受光素子３０の外側面と接する部分の高さＨＴは、受光素子３０の高さＨ２（図４参照）の１／２以下である。本実施形態では、高さＨＴは、高さＨ２の１／２よりも小さい。ここで、高さＨＴは、第２接合領域１０２のうち受光素子３０の外側面と接する部分のダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓからの高さによって規定される。つまり、高さＨＴは、第２接合領域１０２のうち受光素子３０の外側面と接する部分の厚さであるともいえる。また、高さＨ２は、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓと受光素子３０の素子主面３０ｓとのｚ方向の間の距離によって規定される。
　受光素子３０はダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第１樹脂側面８１（図２参照）に近い方の端部寄りに配置されている。ここで、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第１樹脂側面８１（図２参照）に近い方の端部に設けられた第２接合領域１０２は、突起５８Ａによってダイパッド部５２ＡＢから第１樹脂側面８１に向かってはみ出すことが抑制される。
　図４に示すように、発光素子２０の厚さ（発光素子２０のｚ方向の寸法）は、受光素子３０の厚さ（ダイパッド部５２ＡＢの厚さ方向における受光素子３０の寸法）よりも薄い。ダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓのｚ方向の位置と、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓのｚ方向の位置とは、互いに概ね揃っている。このため、受光素子３０の高さＨ２は、発光素子２０の高さＨ１よりも高い。つまり、受光素子３０の受光面３３は、発光素子２０の素子主面２０ｓ（発光面）よりも上方に位置している。
　図３および図４に示すように、絶縁モジュール１０は、透明樹脂６０および反射部材７０を備えている。
　透明樹脂６０は、発光素子２０からの光が透過可能な樹脂材料によって形成されている。透明樹脂６０は、たとえば透明なエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等が用いられている。透明樹脂６０は、たとえばポッティング加工によって形成されている。
　透明樹脂６０は、少なくとも発光素子２０および受光素子３０の双方を覆っている。より詳細には、透明樹脂６０は、ｚ方向から視て、発光素子２０の全体を覆う一方、受光素子３０の一部を覆っている。
　透明樹脂６０は、受光素子３０のｘ方向の中央よりも発光素子２０寄りの部分を覆っている。本実施形態では、透明樹脂６０は、受光素子３０のうち第１半導体領域を覆っている。つまり、透明樹脂６０は、受光素子３０の受光面３３を覆っている。一方、図７に示すように、透明樹脂６０は、受光素子３０のうち第２半導体領域を覆っていない。このため、受光素子３０に接続されたワイヤＷＢ１～ＷＢ４はそれぞれ、透明樹脂６０よりも外側に配置されている。各ワイヤＷＢ１～ＷＢ４は、反射部材７０内に配置されている。
　透明樹脂６０は、ｘ方向において発光素子２０を含めてダイパッド部４２ＣＢの大部分を覆っている。より詳細には、透明樹脂６０は、ダイパッド部４２ＣＢのうち発光素子２０に対して受光素子３０とはｘ方向において反対側の部分を覆っている。本実施形態では、透明樹脂６０は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１（図３参照）寄りの部分まで覆っている。このため、発光素子２０に接続された１本のワイヤＷＡの一部は、透明樹脂６０内に配置されている。１本のワイヤＷＡの残りの部分は、透明樹脂６０よりも外側、すなわち反射部材７０内に配置されている。つまり、ワイヤＷＡは、透明樹脂６０から反射部材７０までにわたり設けられている。
　透明樹脂６０は、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の部分にも設けられている。透明樹脂６０は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢと第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の部分にも設けられている。本実施形態では、透明樹脂６０の下端面６４は、ダイパッド部４２ＣＢのパッド裏面４２ｒとｚ方向において同じ位置となるように設けられている。このため、透明樹脂６０は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両側面のうちダイパッド部５２ＡＢに近い方の側面と、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両側面のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の側面との双方と接している。本実施形態では、透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、透明樹脂６０の下端面６４は、ｘ方向に延びる直線状に形成されている。
　図５に示すように、透明樹脂６０は発光素子２０およびダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓを覆っているため、透明樹脂６０は導電性接合材９０のうち発光素子２０からはみ出した部分である第２接合領域９２と接している。また、図６に示すように、透明樹脂６０は受光素子３０の第１半導体領域およびダイパッド部５２ＡＢのうち受光素子３０よりもダイパッド部４２ＣＢ寄りの部分を覆っているため、透明樹脂６０は導電性接合材１００における受光素子３０からはみ出した部分である第２接合領域１０２のうち受光素子３０よりも発光素子２０寄りの部分と接している。
　図７示すように、透明樹脂６０は、ｚ方向から視て、受光素子３０の第１半導体領域のｙ方向の全体にわたり覆っている。つまり、ｚ方向から視て、透明樹脂６０のうち受光素子３０を覆う部分のｙ方向の寸法は、受光素子３０のｙ方向の寸法よりも大きい。
　図４に示すように、透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、透明樹脂６０は、ｘ方向において発光素子２０寄りの第１端部６１と、ｘ方向において受光素子３０寄りの第２端部６２と、上方に向けて凸状となる湾曲面６３と、を有している。
　第１端部６１は、ｘ方向において発光素子２０に対して受光素子３０とは反対側に設けられている。第１端部６１は、発光素子２０に対してｘ方向において離間した位置に設けられている。より詳細には、第１端部６１は、導電性接合材９０に対してｘ方向において離間した位置に設けられている。本実施形態では、第１端部６１は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１（図３参照）寄りの位置に設けられている。このため、透明樹脂６０は、ｘ方向において発光素子２０に対して受光素子３０とは反対側にも設けられている。
　透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、第１端部６１は、ｚ方向に延びる第１部分６１ａと、第１部分６１ａからｚ方向に向かうにつれて発光素子２０に近づく方向に向けて傾斜する第２部分６１ｂと、を有している。第１部分６１ａは、ダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓから立ち上がるように形成されている。第２部分６１ｂは、第１部分６１ａと湾曲面６３とを繋ぐ部分である。
　第１端部６１の第１部分６１ａと発光素子２０とのｘ方向の間の距離は、発光素子２０のｘ方向の長さよりも長い。導電性接合材９０と第１部分６１ａとのｘ方向の間の距離は、発光素子２０のｘ方向の長さよりも長い。
　第２端部６２は、ｚ方向から視て、受光素子３０のうち第２半導体領域と重なる位置に設けられている。換言すると、第２端部６２は、受光素子３０の受光面３３とｘ方向において隣り合う位置に設けられている。このため、透明樹脂６０は、受光素子３０の第２半導体領域のうち第２端部６２よりも受光面３３とは反対側の部分に設けられていない。透明樹脂６０は、受光素子３０の受光面３３を覆うように設けられている。
　透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、第２端部６２は、ｚ方向に延びる第１部分６２ａと、第１部分６２ａからｚ方向に向かうにつれて発光素子２０に近づく方向に向けて傾斜する第２部分６２ｂと、を有している。第１部分６２ａは、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓから立ち上がるように形成されている。第２部分６２ｂは、第１部分６２ａと湾曲面６３とを繋ぐ部分である。図３および図４に示すとおり、受光素子３０上に設けられた第２端部６２のｚ方向の位置は、ダイパッド部４２ＣＢ上に設けられた第１端部６１のｚ方向の位置よりも上方にある。
　透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、湾曲面６３は、第１端部６１と第２端部６２とを繋ぐように形成されている。湾曲面６３は、発光素子２０の素子主面２０ｓおよび受光素子３０の素子主面３０ｓの双方よりも上方に設けられている。
　第２端部６２が第１端部６１よりも上方にあるので、湾曲面６３の湾曲形状は、一様な湾曲形状ではない。具体的には、湾曲面６３のうち第１端部６１寄りの部分の曲率半径が湾曲面６３のうち第２端部６２寄りの部分の曲率半径よりも小さくなっている。このため、湾曲面６３のうち最も上方となる位置、つまり湾曲面６３が上方から下方に向かい変曲する位置（以下、変曲位置ＣＰ）は、ｘ方向において湾曲面６３のｘ方向の中央よりも第１端部６１寄りになっている。変曲位置ＣＰは、ｘ方向において受光素子３０よりも発光素子２０寄りに位置している。
　ｚ方向から視て湾曲面６３のうち発光素子２０と重なる部分における透明樹脂６０の厚さは、発光素子２０のｘ方向の両端部のうち受光素子３０から遠い方の第１端部から受光素子３０に近い方の第２端部に向かうにつれて厚くなる。つまり、ｚ方向から視て湾曲面６３のうち発光素子２０と重なる部分は、発光素子２０の第１端部から第２端部に向かうにつれて上方に向けて湾曲している。このため、発光素子２０からの光が湾曲面６３のうち発光素子２０と重なる部分において反射したとき、反射した光は、受光素子３０に入射しやすくなる。なお、ｚ方向から視て湾曲面６３のうち発光素子２０と重なる部分における透明樹脂６０の厚さは、ｚ方向における発光素子２０の素子主面２０ｓと湾曲面６３との間の距離によって規定される。
　ｚ方向から視て、湾曲面６３のうち受光素子３０の受光面３３と重なる部分における透明樹脂６０の厚さは、第２端部６２に向かうにつれて薄くなる。つまり、ｚ方向から視て湾曲面６３のうち受光面３３と重なる部分は、第２端部６２に向かうにつれて下方に向けて湾曲している。このため、ｚ方向から視て湾曲面６３のうち受光面３３と重なる部分において反射した光は、受光面３３に入射しやすくなる。なお、ｚ方向から視て湾曲面６３のうち受光素子３０の受光面３３と重なる部分における透明樹脂６０の厚さは、ｚ方向における受光素子３０の受光面３３と湾曲面６３との間の距離によって規定される。
　図４に示すように、透明樹脂６０は、発光素子２０からの光を吸収または反射する無機物粒子６５を含む。無機物粒子６５の一例はフィラーである。無機物粒子６５は、透明樹脂６０の全体にわたり配置されている。
　なお、透明樹脂６０における無機物粒子６５の含有量は任意に変更可能である。透明樹脂６０における無機物粒子６５の含有量は、たとえば受光素子３０が発光素子２０からの光を所定範囲内の光量で受光できるように設定される。
　ここで、無機物粒子６５の断面形状は、楕円形であってもよいし、円形であってもよい。無機物粒子６５は、互いに異なる断面形状の複数種類の無機物粒子を含んでいてもよい。一例では、無機物粒子６５は、第１の断面形状を有する第１無機物粒子と、第１の断面形状とは異なる第２の断面形状を有する第２無機物粒子と、を含んでいてもよい。
　無機物粒子６５は、互いに同一の大きさであってもよい。また無機物粒子６５は、互いに異なる大きさを有する複数種類の無機物粒子を含んでいてもよい。一例では、無機物粒子６５は、第１の大きさを有する第１無機物粒子と、第１の大きさとは異なる第２の大きさを有する第２無機物粒子と、を含んでいてもよい。
　無機物粒子６５は、互いに異なる材質の複数種類の無機物粒子を含んでいてもよい。一例では、無機物粒子６５は、第１材料によって形成された第１無機物粒子と、第１材料とは異なる第２材料によって形成された第２無機物粒子と、を含んでいてもよい。
　本実施形態の無機物粒子６５は、互いに同一の大きさ、互いに同一の断面形状、および互いに同一の材質を有する無機物粒子によって構成されている。
　なお、無機物粒子６５は、複数種類の断面形状、複数種類の大きさ、および複数種類の材質の組み合わせからなる複数種類の無機物粒子を含んでいてもよい。無機物粒子６５の色は、光を主に吸収する黒色であってもよいし、光を主に反射する白色であってもよい。
　反射部材７０は、発光素子２０からの光を反射する材料によって形成されている。反射部材７０は、たとえば白色の樹脂材料によって形成されている。この樹脂材料の一例は、白色のエポキシ樹脂である。反射部材７０の屈折率と透明樹脂６０の屈折率とは互いに異なっている。本実施形態では、反射部材７０には、発光素子２０からの光を吸収または反射する無機物粒子が含まれていない。反射部材７０は、たとえばポッティング加工によって形成されている。
　反射部材７０は、少なくとも透明樹脂６０を覆っている。つまり、反射部材７０は、透明樹脂６０の第１端部６１、第２端部６２、湾曲面６３、および下端面６４の全てにわたり覆っている。反射部材７０は、受光素子３０の第２半導体領域を覆っている。このため、反射部材７０は、発光素子２０および受光素子３０の双方を覆っているともいえる。
　図３および図４に示すように、透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、反射部材７０は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのうちダイパッド部４２ＣＢにおけるｘ方向の第１樹脂側面８１寄りの側面を除くダイパッド部４２ＣＢの全体を覆っている。反射部材７０は、ダイパッド部４２ＣＢの凹部４４Ｃに入り込んでいる。
　透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造において、反射部材７０は、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢの全体を覆っている。また反射部材７０は、吊りリード５５Ａの一部を覆っている。
　図３および図４に示すように、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、反射部材７０は、ｘ方向の両端部として、ｘ方向において発光素子２０寄りの第１端部７１と、ｘ方向において受光素子３０寄りの第２端部７２と、を有している。また、反射部材７０は、上方に向けて凸状となる上方湾曲面７３と、下方に向けて凸状となる下方湾曲面７４と、を有している。また、反射部材７０は、反射部材７０のうちダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢよりも上方に位置する上方部分７５と、反射部材７０のうちダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢよりも下方に位置する下方部分７６と、を有している。上方部分７５は上方湾曲面７３を含み、下方部分７６は下方湾曲面７４を含む。
　第１端部７１は、上方湾曲面７３および下方湾曲面７４のうちｘ方向における発光素子２０寄りの端部を構成している。第１端部７１は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうち第１樹脂側面８１（図３参照）に近い方の端部に設けられている。つまり、第１端部７１は、発光素子２０に対して第１樹脂側面８１寄りに間隔をあけて設けられている。第１端部７１と発光素子２０との間には、透明樹脂６０が介在している。
　第２端部７２は、上方湾曲面７３および下方湾曲面７４のうちｘ方向における受光素子３０寄りの端部を構成している。第２端部７２は、ｘ方向においてダイパッド部５２ＡＢよりも第２樹脂側面８２（図３参照）の近くに設けられている。つまり、第２端部７２は、受光素子３０に対して第２樹脂側面８２寄りに間隔をあけて設けられている。第２端部７２と受光素子３０との間には、透明樹脂６０が介在しておらず、反射部材７０のみが設けられている。第２端部７２は、吊りリード５５Ａのｘ方向の中央よりもダイパッド部５２ＡＢ寄りの部分に設けられている。
　図４に示すように、上方湾曲面７３は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢ、発光素子２０、および受光素子３０を上方から覆う湾曲面であり、第１湾曲面７３ａ、第２湾曲面７３ｂ、および第３湾曲面７３ｃを有している。ここで、本実施形態では、第１湾曲面７３ａは「第１端部湾曲面」に対応し、第２湾曲面７３ｂは「第２端部湾曲面」に対応し、第３湾曲面７３ｃは「中間湾曲面」に対応している。
　第１湾曲面７３ａは、ｘ方向において発光素子２０に対して受光素子３０とは反対側の位置に設けられている。第１湾曲面７３ａは、第１端部７１を構成する湾曲面である。反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第１湾曲面７３ａは、その曲率中心ＣＡが第１湾曲面７３ａに対してダイパッド部４２ＣＢとは反対側に位置するような湾曲形状を有している。本実施形態では、曲率中心ＣＡは、ダイパッド部４２ＣＢよりも上方かつ反射部材７０の外部に位置している。このため、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第１湾曲面７３ａは、下方かつ発光素子２０に向けて凸状となる湾曲面となる。
　第２湾曲面７３ｂは、ｘ方向において受光素子３０に対して発光素子２０とは反対側の位置に設けられている。第２湾曲面７３ｂは、第２端部７２を構成する湾曲面である。反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第２湾曲面７３ｂは、その曲率中心ＣＢが第２湾曲面７３ｂに対してダイパッド部５２ＡＢとは反対側に位置するような湾曲形状を有している。本実施形態では、曲率中心ＣＢは、ダイパッド部５２ＡＢよりも上方かつ反射部材７０の外部に位置している。このため、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第２湾曲面７３ｂは、下方かつ受光素子３０に向けて凸状となる湾曲面となる。
　図４に示すとおり、反射部材７０の第１端部７１と透明樹脂６０の第１端部６１とのｘ方向の間の距離は、反射部材７０の第２端部７２と透明樹脂６０の第２端部６２とのｘ方向の間の距離よりも小さい。このため、上方湾曲面７３は、第２端部７２よりも第１端部７１において透明樹脂６０の湾曲面６３の影響を受けやすいので、第１湾曲面７３ａにおけるダイパッド部４２ＣＢのパッド表面４２ｓからの立ち上がり度合が、第２湾曲面７３ｂにおけるダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓからの立ち上がり度合よりも急峻になる。換言すると、第２端部７２における上方湾曲面７３は、湾曲面６３の影響を受けにくいため、第２湾曲面７３ｂは、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓから緩やかに立ち上げる形状とすることができる。
　第３湾曲面７３ｃは、第１湾曲面７３ａと第２湾曲面７３ｂとの間に設けられ、第１湾曲面７３ａと第２湾曲面７３ｂとを繋ぐように形成されている。第３湾曲面７３ｃは、その曲率中心ＣＣが第３湾曲面７３ｃに対してダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢ寄りに位置するような湾曲形状を有している。本実施形態では、曲率中心ＣＣは、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢよりも下方に位置している。曲率中心ＣＣは、反射部材７０よりも下方に位置している。このため、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第３湾曲面７３ｃは、上方に向けて凸状となる湾曲面となる。なお、第３湾曲面７３ｃは、複数の曲率を有する湾曲面の組み合わせによって形成されていてもよい。
　反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、第３湾曲面７３ｃの最上点となる変曲位置ＣＱは、ｘ方向において発光素子２０よりも受光素子３０寄りに位置している。変曲位置ＣＱは、ｚ方向から視て、透明樹脂６０の湾曲面６３の変曲位置ＣＰよりも受光素子３０寄りに位置している。換言すると、透明樹脂６０の湾曲面６３の変曲位置ＣＰは、反射部材７０の第３湾曲面７３ｃの変曲位置ＣＱよりも発光素子２０寄りに位置している。
　第３湾曲面７３ｃの曲率半径は、透明樹脂６０の湾曲面６３の曲率半径よりも大きい。このため、反射部材７０の上方部分７５の厚さは、湾曲面６３の変曲位置ＣＰから第１端部７１に向かうにつれて厚くなる。反射部材７０の上方部分７５の厚さは、第１端部７１から上方に向かうにつれて薄くなるともいえる。また、反射部材７０の上方部分７５の厚さは、湾曲面６３の変曲位置ＣＰから第２端部７２に向かうにつれて厚くなる。反射部材７０の上方部分７５の厚さは、上方部分７５のうち湾曲面６３の変曲位置ＣＰよりも第２端部６２寄りの部分から湾曲面６３の変曲位置ＣＰに向かうにつれて薄くなるともいえる。ここで、上方部分７５の厚さは、たとえば湾曲面６３の曲率半径に沿う方向における湾曲面６３と第３湾曲面７３ｃとの間の距離によって規定される。
　反射部材７０の上方部分７５は、透明樹脂６０を外側から覆うことによって発光素子２０および受光素子３０を覆っている。つまり、ｚ方向から視て、上方部分７５は、発光素子２０および受光素子３０と重なる部分を有している。上方部分７５（反射部材７０）は、発光側対向部７５Ａと受光側対向部７５Ｂとを有している。発光側対向部７５Ａは、上方部分７５のうち発光素子２０の素子主面２０ｓ（発光面）に対して垂直な方向（ｚ方向）において素子主面２０ｓと隙間をあけて対向する部分である。受光側対向部７５Ｂは、上方部分７５のうち受光素子３０の受光面３３に対して垂直な方向において受光面３３と隙間をあけて対向する部分である。発光側対向部７５Ａおよび受光側対向部７５Ｂの双方は、第１湾曲面７３ａと第２湾曲面７３ｂとのｘ方向の間に設けられている。つまり、発光側対向部７５Ａおよび受光側対向部７５Ｂの双方は、第３湾曲面７３ｃを含む。
　図４に示すとおり、発光側対向部７５Ａは、受光側対向部７５Ｂと比較して、湾曲面６３の変曲位置ＣＰの近くに設けられている。このため、発光側対向部７５Ａは、受光側対向部７５Ｂよりも薄くなるように形成されているともいえる。
　反射部材７０の下方部分７６は、ダイパッド部４２ＣＢのパッド裏面４２ｒ、ダイパッド部５２ＡＢのパッド裏面５２ｒ、および透明樹脂６０の下端面６４と接している。つまり、下方部分７６は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢをパッド裏面４２ｒ，５２ｒから覆っている。換言すると、下方部分７６は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのうち発光素子２０および受光素子３０が搭載される面とは反対側の面を覆っている。下方部分７６の厚さは、下方部分７６のｘ方向の中央から第１端部７１に向かうにつれて薄くなる。また下方部分７６の厚さは、下方部分７６のｘ方向の中央から第２端部７２に向かうにつれて薄くなる。ここで、本実施形態では、反射部材７０の下方部分７６は、「パッドカバー部」に対応している。
　下方湾曲面７４は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢ、発光素子２０、および受光素子３０を下方から覆う湾曲面である。下方湾曲面７４の曲率半径は、上方湾曲面７３の各曲率半径よりも大きい。下方湾曲面７４の曲率中心ＣＥは、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢの双方よりも上方に位置している。下方湾曲面７４の曲率中心ＣＥは、発光素子２０および受光素子３０の双方よりも上方に位置している。下方湾曲面７４の曲率中心ＣＥは、透明樹脂６０よりも上方に位置している。下方湾曲面７４の曲率中心ＣＥは、反射部材７０よりも上方に位置している。
　反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造において、下方湾曲面７４の最下点となる変曲位置ＣＲは、反射部材７０のｘ方向の略中央に設けられている。このため、変曲位置ＣＲは、ｘ方向において発光素子２０よりも受光素子３０寄りに位置している。
　反射部材７０の下方部分７６は、上方部分７５よりも薄くなるように設けられている。下方部分７６の最大厚さは、上方部分７５の第３湾曲面７３ｃとダイパッド部５２ＡＢとのｚ方向の間の最大距離よりも薄い。ここで、下方部分７６の最大厚さは、ダイパッド部５２ＡＢのパッド裏面５２ｒと変曲位置ＣＲとのｚ方向の間の距離によって規定される。第３湾曲面７３ｃとダイパッド部５２ＡＢとのｚ方向の間の最大距離は、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓと第３湾曲面７３ｃの変曲位置ＣＱとの間の距離によって規定される。
　反射部材７０が発光素子２０からの光を反射する材料によって形成されているため、透明樹脂６０と反射部材７０との境界となる面は、光を反射する反射面となる。この反射面は、ダイパッド部４２ＣＢおよびダイパッド部５２ＡＢよりも上方に位置する上側反射面と、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒと同じ側に位置する下側反射面と、を含む。上側反射面は、透明樹脂６０の第１端部６１の第１部分６１ａおよび第２部分６１ｂ、第２端部６２の第１部分６２ａおよび第２部分６２ｂ、湾曲面６３、および下端面６４と同じ形状となる。下側反射面は、透明樹脂６０の下端面６４と同じ形状となる。
　また、絶縁モジュール１０は、透明樹脂６０と反射部材７０との境界となる面以外でも光を反射する反射面を有している。一例では、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド表面４２ｓ，５２ｓ、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのｘ方向の両端面のうち透明樹脂６０内に位置する方の端面、および導電性接合材９０，１００の表面９２ｓ，１０２ｓ（図５および図６参照）は、光を反射する反射面となる。
　このため、発光素子２０から出射した光は、湾曲面６３のうちｚ方向から視て発光素子２０と重なる部分である発光側対向部７５Ａに対応する部分において反射する。本実施形態では、発光側対向部７５Ａは、発光素子２０からの光が全反射しないように形成されている。つまり、発光素子２０からの光が発光側対向部７５Ａに照射された場合、発光側対向部７５Ａに照射された光のうち一部の光が反射し、残りの光が反射部材７０内を通過する。反射部材７０内を進行する光は、封止樹脂８０によって吸収される。
　一例では、反射部材７０の屈折率が透明樹脂６０の屈折率よりも大きくなるように、反射部材７０の材料および透明樹脂６０の材料が選択される。一例では、エポキシ樹脂の屈折率は１．５５以上１．６１以下であり、シリコーン樹脂の屈折率は約１．５７であり、アクリル樹脂の屈折率は約１．４９である。このため、たとえば反射部材７０がエポキシ樹脂によって形成され、透明樹脂６０がアクリル樹脂によって形成された場合、発光側対向部７５Ａにおいて発光素子２０からの光が全反射しない。
　また、反射部材７０の屈折率が透明樹脂６０の屈折率よりも小さい場合であっても、発光素子２０からの光に対して臨界角よりも小さくなるように発光側対向部７５Ａが形成されていれば、発光側対向部７５Ａにおいて発光素子２０からの光が全反射しない。
　湾曲面６３において反射した光は、透明樹脂６０の下端面６４、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド表面４２ｓ，５２ｓ、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのｘ方向の両端面のうち透明樹脂６０内に位置する方の端面、および導電性接合材９０，１００において反射する。そして、透明樹脂６０の下端面６４、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド表面４２ｓ，５２ｓ、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのｘ方向の両端面のうち透明樹脂６０内に位置する方の端面、および導電性接合材９０，１００において反射した光は、湾曲面６３において再び反射したり、第１端部６１の第１部分６１ａおよび第２部分６１ｂ、ならびに第２端部６２の第１部分６２ａおよび第２部分６２ｂにおいて反射したりする。このように、発光素子２０から出射した光は、１回または複数回にわたり反射して受光素子３０に入射する。
　ここで、透明樹脂６０に光を吸収する無機物粒子６５が含まれている場合、発光素子２０から出射した光の一部は、透明樹脂６０内を進行するときに無機物粒子６５によって吸収される。このため、発光素子２０から出射した光は、弱められた状態で受光素子３０に入射される。また、透明樹脂６０に光を反射する無機物粒子６５が含まれている場合、発光素子２０から出射した光の一部は、透明樹脂６０内を進行するときに無機物粒子６５によって反射される。一方、無機物粒子６５に入射した光は、その全てが反射されるわけではなく、一部が無機物粒子６５に吸収される。このため、発光素子２０から出射した光は、弱められた状態で受光素子３０に入射される。
　次に、図８および図９を参照して、封止樹脂８０における各端子４１Ａ～４１Ｄ間の構造および各端子５１Ａ～５１Ｄ間の構造のそれぞれについて説明する。図８は各端子４１Ａ～４１Ｄおよび封止樹脂８０の一部を示す絶縁モジュール１０の平面図であり、図９は各端子５１Ａ～５１Ｄおよび封止樹脂８０の一部を示す絶縁モジュール１０の平面図である。
　図１および図８に示すように、封止樹脂８０の第１樹脂側面８１において複数の端子４１Ａ～４１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子の間の部分には、凹凸部８７が設けられている。具体的には、凹凸部８７は、第１樹脂側面８１のうち端子４１Ａと端子４１Ｂとのｙ方向の間の部分と、第１樹脂側面８１のうち端子４１Ｂと端子４１Ｃとのｙ方向の間の部分と、第１樹脂側面８１のうち端子４１Ｃと端子４１Ｄとのｙ方向の間の部分とのそれぞれに設けられている。ここで、本実施形態では、端子４１Ａ～４１Ｄのうち任意の２つの端子が「第１端子」および「第２端子」に対応している。
　凹凸部８７は、第１樹脂側面８１のｚ方向の全体にわたり形成されている。各凹凸部８７は、第１樹脂側面８１と、第１樹脂側面８１から凹む凹部８７ａとから構成されている。各凹凸部８７は、たとえば複数（本実施形態では３つ）の凹部８７ａを有している。各凹部８７ａは、封止樹脂８０をｚ方向に貫通するように設けられている。本実施形態では、各凹部８７ａの底面は、第１樹脂側面８１の第１側面８５および第２側面８６（図３参照）と平行となるように形成されている。つまり、各凹部８７ａの底面のうち第１側面８５に対応する部分は、樹脂主面８０ｓから樹脂裏面８０ｒに向かうにつれてｘ方向において封止樹脂８０の外方に向かい傾斜するように延びている。各凹部８７ａの底面のうち第２側面８６に対応する部分は、樹脂裏面８０ｒ（図３参照）から樹脂主面８０ｓに向かうにつれてｘ方向において封止樹脂８０の外方に向かい傾斜するように延びている。
　図９に示すように、封止樹脂８０の第２樹脂側面８２において複数の端子５１Ａ～５１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子の間の部分には、凹凸部８８が設けられている。具体的には、凹凸部８８は、第２樹脂側面８２のうち端子５１Ａと端子５１Ｂとのｙ方向の間の部分と、第２樹脂側面８２のうち端子５１Ｂと端子５１Ｃとのｙ方向の間の部分と、第２樹脂側面８２のうち端子５１Ｃと端子５１Ｄとのｙ方向の間の部分とのそれぞれに設けられている。ここで、本実施形態では、複数の端子５１Ａ～５１Ｄのうち端子５１Ｂが「第１端子」に対応し、端子５１Ｃが「第２端子」に対応する。
　凹凸部８８は、第２樹脂側面８２のｚ方向の全体にわたり形成されている。各凹凸部８８は、第２樹脂側面８２と、第２樹脂側面８２から凹む凹部８８ａとから構成されている。各凹凸部８８は、たとえば複数の凹部８８ａを有している。本実施形態では、端子５１Ａと端子５１Ｂとのｙ方向の間に設けられた凹凸部８８は、３つの凹部８８ａを有している。端子５１Ｂと端子５１Ｃとのｙ方向の間に設けられた凹凸部８８は、２つの凹部８８ａを有している。端子５１Ｃと端子５１Ｄとのｙ方向の間に設けられた凹凸部８８は、３つの凹部８８ａを有している。
　各凹部８８ａは、封止樹脂８０をｚ方向に貫通するように設けられている。本実施形態では、各凹部８８ａの底面は、第２樹脂側面８２の第１側面８５および第２側面８６と平行となるように形成されている。つまり、各凹部８８ａの底面のうち第１側面８５に対応する部分は、樹脂主面８０ｓから樹脂裏面８０ｒに向かうにつれてｘ方向において封止樹脂８０の外方に向かい傾斜するように延びている。各凹部８８ａの底面のうち第２側面８６に対応する部分は、樹脂裏面８０ｒから樹脂主面８０ｓに向かうにつれてｘ方向において封止樹脂８０の外方に向かい傾斜するように延びている。
　端子５１Ｂと端子５１Ｃとのｙ方向の間に設けられた凹凸部８８の２つの凹部８８ａは、端子５１Ｂと吊りリード５５Ａとのｙ方向の間の部分と、吊りリード５５Ａと端子５１Ｃとのｙ方向の間の部分とに分散して設けられている。
　なお、各凹部８７ａ，８８ａの底面は、ｚ方向に沿って延びるように形成されていてもよい。また、各凹凸部８７，８８の凹部８７ａ，８８ａの個数は任意に変更可能である。各凹凸部８７，８８は、少なくとも１つの凹部８７ａ，８８ａを有していればよい。また、凹凸部８７は、凹部８７ａに代えて、第１樹脂側面８１から突出する凸部を有していてもよい。凹凸部８８は、凹部８８ａに代えて、第２樹脂側面８２から突出する凸部を有していてもよい。
　（電気的構成）
　次に、絶縁モジュール１０の電気的構成について説明する。図１０は、絶縁モジュール１０の回路構成、および絶縁モジュール１０とインバータ回路５００との接続構成をそれぞれ簡略的に示す回路図である。
　図１０に示すように、インバータ回路５００は、互いに直列に接続された第１スイッチング素子５０１および第２スイッチング素子５０２を有している。各スイッチング素子５０１，５０２はたとえばパワートランジスタである。パワートランジスタの一例としては、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）が挙げられる。本実施形態では、各スイッチング素子５０１，５０２にはＭＯＳＦＥＴが用いられている。
　本実施形態では、絶縁モジュール１０は、第１スイッチング素子５０１のゲートに駆動電圧信号を印加する。つまり、絶縁モジュール１０は、第１スイッチング素子５０１を駆動させるゲートドライバである。
　絶縁モジュール１０の端子５１Ｄには、制御電源５０３の正極が電気的に接続されている。絶縁モジュール１０の端子５１Ａは、制御電源５０３の負極が電気的に接続されている。
　絶縁モジュール１０は、発光用ダイオード２０Ａと、受光用ダイオード３０Ａと、制御回路１１０と、を備えている。発光素子２０は、発光用ダイオード２０Ａを含む。受光素子３０は、受光用ダイオード３０Ａと制御回路１１０とを含む。
　発光用ダイオード２０Ａは、発光素子２０の第１電極２１（カソード電極）および第２電極２２（アノード電極）を含む。発光用ダイオード２０Ａの第１電極２１は端子４１Ｂに電気的に接続され、第２電極２２は端子４１Ｃに電気的に接続されている。図示された例においては、端子４１Ａ，４１Ｄは、発光素子２０、受光素子３０、および制御回路１１０と電気的に接続されていない未接続端子を構成している。つまり、端子４１Ｂおよび端子４１Ｃは発光素子２０を介して電気的に接続されており、端子４１Ａ，４１Ｄは端子４１Ｂ，４１Ｃと電気的に接続されていない。
　受光用ダイオード３０Ａは、制御回路１１０と電気的に接続されている一方、発光素子２０と絶縁されている。換言すると、発光素子２０は、制御回路１１０と絶縁されている。また、制御回路１１０は、端子５１Ａ～５１Ｄと電気的に接続されている。このように、端子４１Ａ～４１Ｄと端子５１Ａ～５１Ｄとは、発光素子２０（発光用ダイオード２０Ａ）および受光素子３０（受光用ダイオード３０Ａ）からなるフォトカプラによって絶縁されている。
　受光用ダイオード３０Ａは、第１電極３１および第２電極３２を有している。一例では、第１電極３１はアノード電極であり、第２電極３２はカソード電極である。第１電極３１および第２電極３２の双方は、制御回路１１０に電気的に接続されている。
　制御回路１１０は、シュミットトリガ１１１と、ＵＶＬＯ（Under Voltage Lock Out）部１１２と、比較器１１３と、出力部１１４と、を有している。制御回路１１０は、受光素子３０が発光素子２０からの光を受光したことにともなう受光素子３０の電圧の変化に基づいて出力信号を生成する。
　シュミットトリガ１１１は、受光素子３０の第１電極３１および第２電極３２の双方と電気的に接続されている。また、シュミットトリガ１１１は、端子５１Ｄ，５１Ａと電気的に接続されている。つまり、シュミットトリガ１１１は、制御電源５０３から電力が供給される。シュミットトリガ１１１は、受光素子３０の電圧を比較器１１３および出力部１１４に伝達する。なお、シュミットトリガ１１１のしきい値電圧には、所定のヒステリシスが与えられている。このような構成とすることによって、ノイズに対する耐性を高めることができる。
　ＵＶＬＯ部１１２は、端子５１Ｄ，５１Ｂと電気的に接続されている。つまり、ＵＶＬＯ部１１２は、制御電源５０３と、第１スイッチング素子５０１のソースと第２スイッチング素子５０２のドレインとの間とにそれぞれ電気的に接続されている。ＵＶＬＯ部１１２は、制御電源５０３の電圧がしきい値電圧を下回るときに制御回路１１０の動作を停止して誤動作の発生を抑制する。
　比較器１１３は、入力側においてシュミットトリガ１１１とＵＶＬＯ部１１２とに電気的に接続され、出力側において出力部１１４と電気的に接続されている。比較器１１３は、シュミットトリガ１１１からの信号とＵＶＬＯ部１１２からの信号との比較に基づいて出力部１１４を制御する制御信号を生成する。比較器１１３は、生成した制御信号を出力部１１４に出力する。
　出力部１１４は、互いに直列に接続された第１スイッチング素子１１４ａおよび第２スイッチング素子１１４ｂを有している。図１０に示される例においては、第１スイッチング素子１１４ａはｐ型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、第２スイッチング素子１１４ｂはｎ型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。このように、本実施形態では、出力部１１４は、相補型ＭＯＳ（Complementary MOS：ＣＭＯＳ）として構成されている。比較器１１３は、出力側において出力部１１４の第１スイッチング素子１１４ａに電気的に接続されている。
　第１スイッチング素子１１４ａのソースは端子５１Ｄと電気的に接続されている。第２スイッチング素子１１４ｂのソースは端子５１Ａと電気的に接続されている。第１スイッチング素子１１４ａのドレインと第２スイッチング素子１１４ｂのドレインとの間のノードＮは端子５１Ｃに電気的に接続されている。
　第１スイッチング素子１１４ａのゲートは、比較器１１３と電気的に接続されている。つまり、第１スイッチング素子１１４ａのゲートには、比較器１１３からの制御信号が印加される。
　第２スイッチング素子１１４ｂのゲートは、シュミットトリガ１１１と電気的に接続されている。つまり、第２スイッチング素子１１４ｂのゲートには、シュミットトリガ１１１からの信号が印加される。
　出力部１１４は、比較器１１３の制御信号に基づく第１スイッチング素子１１４ａのオンオフ動作と、シュミットトリガ１１１からの信号に基づく第２スイッチング素子１１４ｂのオンオフ動作とに基づいて駆動電圧信号を生成する。出力部１１４は、駆動電圧信号をスイッチング素子５０１のゲートに印加する。
　（作用）
　本実施形態の絶縁モジュール１０の作用について説明する。
　受光素子３０は、受光量が過度に多いと受光素子３０の第２半導体領域における制御回路（ＬＳＩ）の処理負荷が大きくなり、制御回路の動作速度の低下を招くおそれがある。制御回路の動作速度が低下すると、所望のタイミングで駆動電圧信号をインバータ回路５００の第１スイッチング素子５０１のゲートに供給できないおそれがある。
　この点、本実施形態の絶縁モジュール１０では、透明樹脂６０は、発光素子２０からの光を吸収または反射する無機物粒子６５を含んでいる。これにより、発光素子２０からの光が透明樹脂６０を進行するとき、無機物粒子６５によって光が弱められる。このため、受光素子３０の受光量を減らすことができるため、受光素子３０の制御回路の処理負荷が大きくなることを抑制できる。
　一方、受光素子３０は、発光素子２０からの光の受光量が過度に少ないと、発光素子２０からの光を受光したにもかかわらず駆動電圧信号を生成できないおそれがある。このため、絶縁モジュール１０では、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離を小さくする等によって受光素子３０における発光素子２０からの光の受光量が過度に少なくなることを抑制している。つまり、絶縁モジュール１０では、受光素子３０における発光素子２０からの光の受光量が所定の範囲内となるように調整されている。これにより、絶縁モジュール１０は、第１スイッチング素子５０１の安定した動作を実現できる。
　（第１実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）絶縁モジュール１０は、発光素子２０と、発光素子２０からの光を受光する受光素子３０と、発光素子２０が搭載されたダイパッド部４２ＣＢと、ダイパッド部４２ＣＢと並んで設けられ、受光素子３０が搭載されたダイパッド部５２ＡＢと、少なくとも発光素子２０および受光素子３０の双方を覆う透明樹脂６０と、少なくとも透明樹脂６０を覆うとともに発光素子２０からの光を反射する材料によって形成された反射部材７０と、透明樹脂６０ごと反射部材７０を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂８０と、を備えている。透明樹脂６０は、発光素子２０からの光を吸収または反射する無機物粒子６５を含んでいる。
　この構成によれば、発光素子２０から出射した光が透明樹脂６０内を進行するときに無機物粒子６５によって発光素子２０からの光が弱められる。これにより、発光素子２０からの光が弱められた状態で受光素子３０に入射するため、受光素子３０の受光量を減らすことができる。
　（１－２）反射部材７０は、発光素子２０の素子主面２０ｓ（発光面）に対して垂直な方向（ｚ方向）において素子主面２０ｓと隙間をあけて対向する発光側対向部７５Ａを有している。発光側対向部７５Ａにおける反射部材７０と透明樹脂６０との界面の角度は、臨界角よりも小さい。
　この構成によれば、発光素子２０の素子主面２０ｓから上方に向けて出射した光は、発光側対向部７５Ａにおける反射部材７０と透明樹脂６０との界面において全反射しない。これにより、発光素子２０からの光が弱められた状態で受光素子３０に入射するため、受光素子３０の受光量を減らすことができる。
　（１－３）反射部材７０の屈折率は、透明樹脂６０の屈折率よりも大きくてもよい。
　この構成によれば、反射部材７０と透明樹脂６０との界面において、発光素子２０からの光が全反射しない。このため、受光素子３０における発光素子２０からの光の受光量を低減できる。
　（１－４）反射部材７０は、受光素子３０の受光面３３に対して垂直な方向において受光面３３と隙間をあけて対向する受光側対向部７５Ｂを有している。発光側対向部７５Ａは、受光側対向部７５Ｂよりも厚さが薄くなるように形成されている。
　この構成によれば、発光素子２０からの光が照射されやすい発光側対向部７５Ａの厚さを薄くすることによって、発光素子２０からの光に起因して発光側対向部７５Ａの温度が上昇しても、発光側対向部７５Ａと封止樹脂８０との熱膨張の差による反射部材７０および封止樹脂８０への影響を低減できる。
　（１－５）封止樹脂８０は、複数の端子４１Ａ～４１Ｄが設けられた第１樹脂側面８１と、複数の端子５１Ａ～５１Ｄが設けられた第２樹脂側面８２と、を含んでいる。第１樹脂側面８１のうち複数の端子４１Ａ～４１Ｄにおけるｙ方向に隣り合う端子間の部分には凹凸部８７が設けられている。第２樹脂側面８２のうち複数の端子５１Ａ～５１Ｄにおけるｙ方向に隣り合う端子間の部分には凹凸部８８が設けられている。
　この構成によれば、複数の端子４１Ａ～４１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子間の沿面距離を大きくすることができる。また複数の端子５１Ａ～５１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子間の沿面距離を大きくすることができる。したがって、複数の端子４１Ａ～４１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子間の絶縁性を高めることができ、複数の端子５１Ａ～５１Ｄのうちｙ方向に隣り合う端子間の絶縁性を高めることができる。
　（１－６）第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、吊りリード５５Ａを含んでいる。吊りリード５５Ａは、第２樹脂側面８２における端子５１Ｂと端子５１Ｃとの間の部分から露出している。第２樹脂側面８２における端子５１Ｂと吊りリード５５Ａとの間の部分、および、端子５１Ｃと吊りリード５５Ａとの間の部分の双方には、凹凸部８８が設けられている。
　この構成によれば、端子５１Ｂと吊りリード５５Ａとの間の沿面距離と、端子５１Ｃと吊りリード５５Ａとの間の沿面距離の双方を大きくすることができる。したがって、端子５１Ｂと吊りリード５５Ａとの間の絶縁性と、端子５１Ｃと吊りリード５５Ａとの間の絶縁性の双方を高めることができる。
　（１－７）ｘ方向において、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢよりも長く形成されている。ｘ方向におけるダイパッド部５２ＡＢとダイパッド部４２ＣＢとの間の距離は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さよりも短い。
　この構成によれば、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離を短くできる。つまり、発光素子２０から出射した光が受光素子３０に入射するまでの光路の距離が短くできる。したがって、受光素子３０の受光量を増やすことができる。
　（１－８）透明樹脂６０は、発光素子２０の全体を覆う一方、受光素子３０の一部を覆っている。透明樹脂６０は、受光素子３０の受光面３３を覆っている。透明樹脂６０の第１端部６１は、受光面３３とｘ方向に隣り合う位置に設けられている。
　この構成によれば、受光素子３０に接続されたワイヤＷＢ１～ＷＢ４が透明樹脂６０の外部に配置されているため、透明樹脂６０内を進行する光がワイヤＷＢ１～ＷＢ４に反射することを抑制できる。
　また、透明樹脂が受光素子３０の全体を覆うような構成では、透明樹脂内を進行する光が受光素子３０の受光面３３以外の部分、受光素子３０よりも第２樹脂側面８２寄りの部分に入射する場合がある。
　この点、本実施形態では、透明樹脂６０は、受光面３３と、受光面３３と隣り合う位置とを覆うように構成されているため、透明樹脂６０内を進行する光が受光素子３０のうち受光面３３以外の部分、および、受光素子３０よりも第２樹脂側面８２寄りの部分に入射することを抑制できる。したがって、透明樹脂６０内を進行する光は、受光面３３に入射しやすくなる。
　（１－９）発光素子２０と第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢとを接合する導電性接合材９０は、ｚ方向から視て発光素子２０からはみ出すように形成されている。受光素子３０と第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢとを接合する導電性接合材１００は、ｚ方向から視て受光素子３０からはみ出すように形成されている。導電性接合材９０，１００はともに発光素子２０からの光を反射する材料によって形成されている。
　この構成によれば、導電性接合材９０のうちｚ方向から視て発光素子２０からはみ出す部分（第２接合領域９２）と、導電性接合材１００のうちｚ方向から視て受光素子３０からはみ出す部分（第２接合領域１０２）とに発光素子２０からの光が反射することによって、反射した光が受光素子３０の受光面３３に入射する場合がある。これにより、受光素子３０における発光素子２０からの光の受光量を増やすことができる。
　（１－１０）受光素子３０は、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部に導電性接合材１００によって接合されている。ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうち第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部には、ダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓから垂直な方向に向けて突出する突起５８Ａが設けられている。
　この構成によれば、突起５８Ａによって導電性接合材１００が堰き止められるため、導電性接合材１００がダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端縁のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の端縁からはみ出すことを抑制できる。
　（１－１１）第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、第２樹脂側面８２から第１樹脂側面８１に向かうにつれて樹脂裏面８０ｒに向けて傾斜している。
　この構成によれば、封止樹脂８０の第２樹脂側面８２から突出する端子５１Ａ～５１Ｄの高さ位置を予め規定された規格の高さ位置に合わせるとともに、厚みのある無機物粒子６５を透明樹脂６０に封入することができる。つまり、無機物粒子６５を透明樹脂６０に封入することによって、透明樹脂６０の体積が増加したとしても、ダイパッド部５２ＡＢが水平方向に対して傾斜することによって、その体積の増加分のスペースを確保できる。
　（１－１２）第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢは、第１樹脂側面８１から第２樹脂側面８２に向かうにつれて樹脂裏面８０ｒに向けて傾斜している。
　この構成によれば、封止樹脂８０の第１樹脂側面８１から突出する端子４１Ａ～４１Ｄの高さ位置を予め規定された規格の高さ位置に合わせるとともに、厚みのある無機物粒子６５を透明樹脂６０に封入することができる。つまり、無機物粒子６５を透明樹脂６０に封入することによって、透明樹脂６０の体積が増加したとしても、ダイパッド部４２ＣＢが水平方向に対して傾斜することによって、その体積の増加分のスペースを確保できる。
　［第２実施形態］
　図１１を参照して、第２実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、透明樹脂６０と反射部材７０との構成が主に異なる。なお、以降の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図１１に示すように、透明樹脂６０には、第１実施形態とは異なり、無機物粒子６５（図４参照）が含まれていない。また、図１１に示すとおり、本実施形態の透明樹脂６０および反射部材７０の形状は、第１実施形態の透明樹脂６０および反射部材７０の形状と同じである。
　反射部材７０は、第１実施形態とは異なり、発光素子２０からの光を反射する無機物粒子７７を含む。無機物粒子７７の一例はフィラーである。無機物粒子７７は、反射部材７０の全体にわたり配置されている。
　なお、反射部材７０における無機物粒子７７の含有量は任意に変更可能である。反射部材７０における無機物粒子７７の含有量は、たとえば受光素子３０が発光素子２０からの光を所定範囲内の光量で受光できるように設定される。
　本実施形態についても第１実施形態と同様に、反射部材７０と透明樹脂６０との境界面において発光素子２０からの光が全反射しないように反射部材７０および透明樹脂６０が構成されている。
　発光素子２０からの光が反射部材７０と透明樹脂６０との境界面において全反射しない場合、光の一部が反射部材７０内を透過する。ここで、反射部材７０内に無機物粒子７７が含まれることによって、反射部材７０内を進行する光が無機物粒子７７によって反射する。これにより、反射部材７０内の光が無機物粒子７７によって反射して受光素子３０に入射する場合がある。
　（第２実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（２－１）反射部材７０は、発光素子２０からの光を吸収または反射する無機物粒子７７を含む。
　この構成によれば、発光素子２０からの光のうち反射部材７０と透明樹脂６０との境界面において屈折して反射部材７０内を進行する場合、反射部材７０内を進行する光は反射部材７０内の無機物粒子７７によって反射して受光素子３０に入射する場合がある。これにより、発光素子２０からの光が受光素子３０に入りやすくなるため、受光素子３０の受光量を増やすことができる。
　［第３実施形態］
　図１２を参照して、第３実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、ダイパッド部４２ＣＢの形状と、発光素子２０と受光素子３０との相対位置とが主に異なる。なお、以降の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図１２に示すように、本実施形態では、第１実施形態と比較して、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢと第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離が大きくなっている。ダイパッド部４２ＣＢに対する発光素子２０の配置位置およびダイパッド部５２ＡＢに対する受光素子３０の配置位置は第１実施形態と同様である。このため、本実施形態では、第１実施形態と比較して、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離が大きくなっている。
　また、第１実施形態と同様に、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢの配列方向であるｘ方向において、ダイパッド部５２ＡＢは、ダイパッド部４２ＣＢよりも長く形成されている。ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、ダイパッド部４２ＡＢのｘ方向の長さよりも大きい。ここで、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さは、たとえばダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の中央におけるダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さである。一方、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さよりも小さい。ここで、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さは、たとえばダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の中央におけるダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さである。
　（第３実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（３－１）ｘ方向において、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢよりも長く形成されている。ｘ方向におけるダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとの間の距離は、ｘ方向におけるダイパッド部４２ＣＢの長さよりも長い。
　この構成によれば、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離が長くなる。つまり、発光素子２０から出射した光が受光素子３０に入射するまでの光路の距離が長くなる。したがって、受光素子３０の受光量を減らすことができる。
　［第４実施形態］
　図１３を参照して、第４実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢおよび第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢの双方の形状が主に異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図１３に示すように、本実施形態のダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さは、第１実施形態のダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さよりも大きい。ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さは、第１実施形態のダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さよりも大きい。ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢの配列方向であるｘ方向において、ダイパッド部５２ＡＢは、ダイパッド部４２ＣＢよりも長く形成されている。ここで、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さは、たとえばダイパッド部４２ＣＢのｙ方向の中央におけるダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さである。ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さは、たとえばダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の中央におけるダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さである。
　本実施形態では、第１実施形態と比較して、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部５２ＡＢに近い方の端部と、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部とが互いに接近するように延びている。このため、本実施形態では、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の長さよりも小さい。ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、受光素子３０のｘ方向の長さよりも小さいともいえる。
　本実施形態では、封止樹脂８０に対する発光素子２０および受光素子３０の位置は、第１実施形態と同様である。このため、発光素子２０は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部５２ＡＢに近い方の端部に対してダイパッド部５２ＡＢから遠い側に配置されている。つまり、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部５２ＡＢに近い方の端部は、導電性接合材９０の第２接合領域９２よりもダイパッド部５２ＡＢに近い側に位置している。また、受光素子３０は、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部に対してダイパッド部４２ＣＢから遠い側に配置されている。つまり、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部は、導電性接合材１００の第２接合領域１０２よりもダイパッド部４２ＣＢに近い側に位置している。このように、ダイパッド部４２ＣＢは、導電性接合材９０よりもダイパッド部５２ＡＢに向けてはみ出すはみ出し部４７が設けられている。ダイパッド部５２ＡＢは、導電性接合材１００よりもダイパッド部４２ＣＢに向けてはみ出すはみ出し部５９が設けられている。この場合、ダイパッド部５２ＡＢから突起５８Ａを省略してもよい。はみ出し部４７，５９は、透明樹脂６０と接している。ここで、本実施形態では、はみ出し部４７は「第１はみ出し部」に対応し、はみ出し部５９は「第２はみ出し部」に対応している。
　本実施形態では、ダイパッド部４２ＣＢのはみ出し部４７のｘ方向の長さは、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離よりも長い。はみ出し部４７のｘ方向の長さは、導電性接合材９０の第２接合領域９２のうちはみ出し部４７とｘ方向に隣り合う領域のｘ方向の長さよりも長い。はみ出し部４７のｘ方向の長さは、発光素子２０のｘ方向の長さよりも長い。
　ダイパッド部５２ＡＢのはみ出し部５９のｘ方向の長さは、導電性接合材１００の第２接合領域１０２のうちはみ出し部５９とｘ方向に隣り合う領域のｘ方向の長さよりも長い。ダイパッド部５２ＡＢのはみ出し部５９のｘ方向の長さは、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離よりも長い。はみ出し部５９のｘ方向の長さは、はみ出し部４７のｘ方向の長さと等しくてもよい。ここで、はみ出し部５９のｘ方向の長さとはみ出し部４７のｘ方向の長さとの差がたとえばはみ出し部５９のｘ方向の長さの１０％以内であれば、はみ出し部５９のｘ方向の長さがはみ出し部４７のｘ方向の長さと等しいといえる。
　なお、各はみ出し部４７，５９のｘ方向の長さは任意である。各はみ出し部４７，５９のｘ方向の長さを調整することによって、各はみ出し部４７，５９において反射する光量を調整してもよい。つまり、試験等によって、受光素子３０の受光量が所定範囲内となるように、各はみ出し部４７，５９のｘ方向の長さを設定してもよい。
　（第４実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（４－１）第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢは、導電性接合材９０よりも第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢに向けて延びるはみ出し部４７を有している。ダイパッド部５２ＡＢは、導電性接合材１００よりもダイパッド部４２ＣＢに向けて延びるはみ出し部５９を有している。
　この構成によれば、透明樹脂６０と反射部材７０との界面において反射した光を、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのはみ出し部４７，５９において反射することができる。金属材料からなるダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢの反射率は、たとえば樹脂材料と比較して高いため、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢに入射した光を効率的に反射することができる。これにより、受光素子３０の受光量を増やすことができる。
　［第５実施形態］
　図１４を参照して、第５実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、透明樹脂６０の下端面６４の形状が主に異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図１４に示すように、本実施形態では、透明樹脂６０の下端面６４と反射部材７０の下方部分７６との境界に凹凸部１２０が設けられている。凹凸部１２０は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢと第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の部分に介在する透明樹脂６０と反射部材７０との境界に設けられているともいえる。凹凸部１２０は、透明樹脂６０の下端面６４と反射部材７０の下方部分７６との境界の少なくとも一部に設けられていればよい。本実施形態では、凹凸部１２０は、透明樹脂６０の下端面６４と反射部材７０の下方部分７６との境界のｘ方向の全体にわたり形成されている。
　本実施形態では、下端面６４を構成する透明樹脂６０は、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのパッド裏面４２ｒおよび第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢのパッド裏面５２ｒよりも下方に設けられた部分を有している。また、下方部分７６は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒよりも上方に設けられた部分を有している。凹凸部１２０は、たとえばｙ方向において透明樹脂６０の全体にわたり設けられている。なお、凹凸部１２０の凹凸の個数は任意に変更可能である。
　（第５実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（５－１）透明樹脂６０の下端面６４と反射部材７０の下方部分７６との境界には、凹凸部１２０が設けられている。
　この構成によれば、凹凸部１２０によってダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとの間の沿面距離を大きくすることができるため、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとの間の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　（第５実施形態の変更例）
　第５実施形態の絶縁モジュール１０は、たとえば以下のように変更することができる。
　・本実施形態では、下方部分７６がダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒよりも上方となるように凹凸部１２０が設けられていたが、これに限られない。たとえば、下方部分７６はダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒとｚ方向において同じ位置に形成され、透明樹脂６０がダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒよりも下方に位置するように凹凸部１２０が設けられていてもよい。
　・本実施形態では、透明樹脂６０がダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒよりも下方となるように凹凸部１２０が設けられていたが、これに限られない。たとえば、透明樹脂６０の下端面６４はダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒとｚ方向において同じ位置に形成され、下方部分７６がダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド裏面４２ｒ，５２ｒよりも上方に位置するように凹凸部１２０が設けられていてもよい。
　なお、第５実施形態および各変更例において、凹凸部１２０の形成範囲は任意に変更可能である。一例では、凹凸部１２０は、透明樹脂６０の下端面６４のｘ方向の一部、すなわち透明樹脂６０と反射部材７０の下方部分７６との界面のｘ方向の一部に設けられていてもよい。要するに、凹凸部１２０は、透明樹脂６０と反射部材７０の下方部分７６との界面のｘ方向の少なくとも一部に設けられていればよい。
　［第６実施形態］
　図１５を参照して、第６実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、第１リードフレーム４０Ｃの形状が主に異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図１５に示すように、本実施形態では、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が第１実施形態よりも上方に位置している。このため、発光素子２０のｚ方向の位置が第１実施形態よりも上方に位置している。発光素子２０の素子主面２０ｓのｚ方向の位置が受光素子３０の素子主面３０ｓのｚ方向の位置と同じ位置または素子主面３０ｓのｚ方向の位置よりも上方となるようにダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が設定されている。換言すると、発光素子２０の発光面（素子主面２０ｓ）のｚ方向の位置が受光素子３０の受光面３３（素子主面３０ｓ）のｚ方向の位置と同じ位置または受光面３３のｚ方向の位置よりも高くなるようにダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が設定されている。本実施形態では、発光素子２０の素子主面２０ｓのｚ方向の位置が受光素子３０の素子主面３０ｓのｚ方向の位置よりも上方となるようにダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が設定されている。ダイパッド部４２ＣＢのパッド裏面４２ｒは、ｚ方向においてダイパッド部５２ＡＢのパッド裏面５２ｒよりも上方に位置している。本実施形態では、ダイパッド部４２ＣＢは、そのパッド裏面４２ｒがｚ方向においてダイパッド部５２ＡＢのパッド表面５２ｓと同じ位置となるように配置されている。
　図示していないが、第１リードフレーム４０Ｃのインナーリード４２Ｃにおけるリード部４２ＣＡ（図２参照）は、上方に屈曲してダイパッド部４２ＣＢに接続されている。このため、端子４１Ｃ（図２参照）のｚ方向の位置は、第１実施形態と同じである。
　透明樹脂６０の形状は、ダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が上方に変更されたことにともない、変更されている。具体的には、透明樹脂６０の第１端部６１は、第１実施形態よりも上方に位置している。また透明樹脂６０の下端面６４は、ダイパッド部５２ＡＢからダイパッド部４２ＣＢに向かうにつれて上方に向けて傾斜している。
　反射部材７０の形状は、ダイパッド部４２ＣＢのｚ方向の位置が上方に変更されたことにともない、変更されている。具体的には、反射部材７０の第１端部７１は、第１実施形態よりも上方に位置している。また反射部材７０の下方部分７６は、透明樹脂６０の下端面６４に沿って形成された部分を有している。すなわち下方部分７６は、ダイパッド部５２ＡＢからダイパッド部４２ＣＢに向かうにつれてダイパッド部５２ＡＢのパッド裏面５２ｒよりも上方に向けて傾斜する部分を有している。
　（第６実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（６－１）発光素子２０の発光面を構成する素子主面２０ｓの高さ位置は、受光素子３０の受光面３３を含む素子主面３０ｓの高さ位置よりも高い。
　この構成によれば、発光素子２０の素子主面２０ｓと受光素子３０の素子主面３０ｓとのｚ方向における相対位置を変更することによって、発光素子２０からの光による受光素子３０の受光量を調整することができる。
　［第７実施形態］
　図１６～図１９を参照して、第６実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、発光素子２０および受光素子３０がそれぞれ２個設けられた点が主に異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。また、本実施形態では、ｘ方向は「第２方向」に対応し、ｙ方向は「第１方向」に対応している。
　図１６は、本実施形態の絶縁モジュール１０の内部構成を模式的に示す平面図である。図１７は、図１６の絶縁モジュール１０の１７－１７線で切った断面図である。図１８は、図１６の絶縁モジュール１０の１８－１８線で切った断面図である。
　図１６に示すように、絶縁モジュール１０は、第１リードフレーム１４０と、第２リードフレーム１５０と、第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑと、第１受光素子３０Ｐおよび第２受光素子３０Ｑと、を備えている。第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐから第１フォトカプラが構成され、第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑから第２フォトカプラが構成されている。
　各リードフレーム１４０，１５０は、たとえば第１実施形態の各リードフレーム４０，５０と同じ材料によって形成されている。また、各リードフレーム１４０，１５０は、たとえば第１実施形態の各リードフレーム４０，５０と同様に、めっき層を有している。
　第１リードフレーム１４０は、４つの第１リードフレームとして、第１リードフレーム１４０Ａ～１４０Ｄを含む。第１発光素子２０Ｐは第１リードフレーム１４０Ａに搭載されており、第２発光素子２０Ｑは第１リードフレーム１４０Ｄに搭載されている。第１リードフレーム１４０Ａ～１４０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第１樹脂側面８１寄りに配置されている。第１リードフレーム１４０Ａ～１４０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。
　第１リードフレーム１４０Ａ～１４０Ｄは、第１実施形態の第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄの端子４１Ａ～４１Ｄと同様に、端子１４１Ａ～１４１Ｄを含む。端子１４１Ａ～１４１Ｄの配列態様は、端子４１Ａ～４１Ｄの配列態様と同じである。
　第１リードフレーム１４０Ａ～１４０Ｄは、第１実施形態の第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄと同様に、インナーリード１４２Ａ～１４２Ｄを有している。
　第１リードフレーム１４０Ａのインナーリード１４２Ａは、リード部１４２ＡＡおよびダイパッド部１４２ＡＢを含む。ここで、本実施形態では、ダイパッド部１４２ＡＢは「第１発光用ダイパッド」に対応している。
　リード部１４２ＡＡは、端子１４１Ａと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。リード部１４２ＡＡには、貫通孔１４３Ａが設けられている。貫通孔１４３Ａ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム１４０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向と直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部１４２ＡＢは、ｘ方向においてリード部１４２ＡＡよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部１４２ＡＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ｚ方向から視たダイパッド部１４２ＡＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部１４２ＡＢは、ｚ方向から視て、リード部１４２ＡＡよりも第４樹脂側面８４に向けてｙ方向に延びている。
　ダイパッド部１４２ＡＢは、第１リードフレーム１４０Ｂとｘ方向において対向配置されている。第１リードフレーム１４０Ｂのインナーリード１４２Ｂは、ダイパッド部１４２ＡＢよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ダイパッド部１４２ＡＢは、第１実施形態のダイパッド部４２ＣＢと同様に、ｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対して傾くように形成されている。
　ダイパッド部１４２ＡＢは、パッド表面１４２Ａｓと、ｚ方向においてパッド表面１４２Ａｓと反対側を向くパッド裏面１４２Ａｒ（図１７参照）と、を有している。パッド表面１４２Ａｓは封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓ（図１７参照）と同じ側を向き、パッド裏面１４２Ａｒは樹脂裏面８０ｒ（図１７参照）と同じ側を向いている。
　第１リードフレーム１４０Ｂのインナーリード１４２Ｂは、端子１４１Ｂと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。インナーリード１４２Ｂには貫通孔１４３Ｂが設けられている。第１実施形態と同様に、貫通孔１４３Ｂ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム１４０Ｂが封止樹脂８０に対してｚ方向と直交する方向に移動することを抑制できる。
　第１リードフレーム１４０Ｃのインナーリード１４２Ｃは、端子１４１Ｃと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。インナーリード１４２Ｃには、貫通孔１４３Ｃが設けられている。貫通孔１４３Ｃ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム１４０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第１リードフレーム１４０Ｄのインナーリード１４２Ｄは、リード部１４２ＤＡおよびダイパッド部１４２ＤＢを含む。ここで、本実施形態では、ダイパッド部１４２ＤＢは「第２発光用ダイパッド」に対応している。
　リード部１４２ＤＡは、端子１４１Ｄと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。リード部１４２ＤＡには、貫通孔１４３Ｄが設けられている。貫通孔１４３Ｄ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム１４０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部１４２ＤＢは、ｘ方向においてリード部１４２ＤＡよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部１４２ＤＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ｚ方向から視たダイパッド部１４２ＤＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部１４２ＤＢは、ｚ方向から視て、リード部１４２ＤＡよりも第３樹脂側面８３に向けてｙ方向に延びている。ダイパッド部１４２ＤＢは、ｘ方向においてインナーリード１４２Ｃと対向配置されており、インナーリード１４２Ｃよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ダイパッド部１４２ＤＢは、第１実施形態のダイパッド部４２ＣＢと同様に、ｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対して傾くように形成されている。
　ダイパッド部１４２ＤＢは、パッド表面１４２Ｄｓと、ｚ方向においてパッド表面１４２Ｄｓと反対側を向くパッド裏面１４２Ｄｒ（図１７参照）と、を有している。パッド表面１４２Ｄｓは封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓと同じ側を向き、パッド裏面１４２Ｄｒは樹脂裏面８０ｒと同じ側を向いている。
　図１６に示すように、第１発光素子２０Ｐは、第１リードフレーム１４０Ａのダイパッド部１４２ＡＢに搭載されている。本実施形態では、第１発光素子２０Ｐは、ダイパッド部１４２ＡＢのｘ方向の中央かつｙ方向の中央に配置されている。ｚ方向から視て、第１発光素子２０Ｐは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りに配置されている。
　第１発光素子２０Ｐは、第１波長の光を出射する。第１波長の光の一例は、赤外線を含む波長の光である。第１発光素子２０Ｐは、第１実施形態の発光素子２０と同様に上方に向けて光を出射する。第１発光素子２０Ｐの形状およびサイズは第１実施形態の発光素子２０と同様である。
　図１７に示すように、第１発光素子２０Ｐは、素子主面２０Ｐｓと、ｚ方向において素子主面２０Ｐｓと反対側を向く素子裏面２０Ｐｒを有している。素子主面２０Ｐｓはダイパッド部１４２ＡＢのパッド表面１４２Ａｓと同じ側を向き、素子裏面２０Ｐｒはダイパッド部１４２ＡＢのパッド裏面１４２Ａｒと同じ側を向いている。
　第１発光素子２０Ｐは、第１電極２１Ｐおよび第２電極２２Ｐを有している。本実施形態では、第１電極２１Ｐは素子主面２０Ｐｓに設けられ、第２電極２２Ｐは素子裏面２０Ｐｒに設けられている。第１電極２１Ｐは、たとえば素子主面２０Ｐｓのｘ方向およびｙ方向の双方の中央に設けられている。第２電極２２Ｐは、たとえば素子裏面２０Ｐｒの全体にわたり設けられている。
　図１７に示すように、第１発光素子２０Ｐは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材９０Ｐによってダイパッド部１４２ＡＢのパッド表面１４２Ａｓに接合されている。導電性接合材９０Ｐと第１発光素子２０Ｐとの接合態様は、第１実施形態の導電性接合材９０と発光素子２０との接合態様と同様である。ここで、本実施形態では、導電性接合材９０Ｐは「第１接合材」に対応している。
　導電性接合材９０Ｐは、第１実施形態の導電性接合材９０と同様に、第１接合領域９１Ｐおよび第２接合領域９２Ｐを有している。第２接合領域９２Ｐの形状は、導電性接合材９０の第２接合領域９２の形状と同様である。
　第１発光素子２０Ｐは、第１リードフレーム１４０Ａ，１４０Ｂと電気的に接続されている。具体的には、図１６に示すように、第１発光素子２０Ｐの第１電極２１ＰはワイヤＷＣ１を介して第１リードフレーム１４０Ｂに電気的に接続されている。ワイヤＷＣ１は、第１電極２１Ｐと、第１リードフレーム１４０Ｂのインナーリード１４２Ｂとを接続している。ワイヤＷＣ１は、インナーリード１４２Ｂのうち貫通孔１４３Ｂよりも先端側に接続されている。図１７に示すように、第１発光素子２０Ｐの第２電極２２Ｐは導電性接合材９０Ｐを介して第１リードフレーム１４０Ａに電気的に接続されている。一例では、第１電極２１Ｐはカソード電極であり、第２電極２２Ｐはアノード電極である。このため、図１６に示すように、端子１４１Ａはカソード端子を構成し、端子１４１Ｂはアノード端子を構成している。
　第２発光素子２０Ｑは、第１リードフレーム１４０Ｄのダイパッド部１４２ＤＢに搭載されている。本実施形態では、第２発光素子２０Ｑは、ダイパッド部１４２ＤＢのｘ方向の中央かつｙ方向の中央に配置されている。ｚ方向から視て、第２発光素子２０Ｑは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りに配置されている。
　第２発光素子２０Ｑは、第１発光素子２０Ｐの第１波長とは異なる第２波長の光を出射する。第２波長の光の一例は、赤色を含む波長の光である。第２発光素子２０Ｑは、第１実施形態の発光素子２０と同様に上方に向けて光を出射する。本実施形態では、第１発光素子２０Ｐの形状およびサイズは、第２発光素子２０Ｑの形状およびサイズと等しい。
　なお、第１発光素子２０Ｐの第１波長の光および第２発光素子２０Ｑの第２波長の光はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑともに可視光を出射するように構成されていてもよい。たとえば、第１発光素子２０Ｐは、青色を含む波長の光を出射するように構成され、第２発光素子２０Ｑは、赤色を含む波長の光を出射するように構成されていてもよい。また、本実施形態では、第１発光素子２０Ｐの第１波長の光と第２発光素子２０Ｑの第２波長の光は互いに波長が異なる光であったが、これに限られない。第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑは、同じ波長の光を出射するように構成されていてもよい。一例では、第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑはともに、赤色の波長を含む光を出射するように構成されている。また別の一例では、第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑはともに、赤外線を含む波長の光を出射するように構成されている。
　図１７に示すように、第２発光素子２０Ｑは、第１発光素子２０Ｐと同様に、素子主面２０Ｑｓおよび素子裏面２０Ｑｒを有している。素子主面２０Ｑｓはダイパッド部１４２ＤＢのパッド表面１４２Ｄｓと同じ側を向き、素子裏面２０Ｑｒはダイパッド部１４２ＤＢのパッド裏面１４２Ｄｒと同じ側を向いている。また第１発光素子２０Ｐと同様に、第２発光素子２０Ｑは、第１電極２１Ｑおよび第２電極２２Ｑを有している。そして第１発光素子２０Ｐと同様に、素子主面２０Ｑｓには第１電極２１Ｑが設けられ、素子裏面２０Ｑｒには第２電極２２Ｑが設けられている。
　図１７に示すように、第２発光素子２０Ｑは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材９０Ｑによってダイパッド部１４２ＤＢのパッド表面１４２Ｄｓに接合されている。ここで、本実施形態では、導電性接合材９０Ｑは「第１接合材」に対応している。
　導電性接合材９０Ｑは、導電性接合材９０Ｐと同様に、第１接合領域９１Ｑおよび第２接合領域９２Ｑを有している。第２接合領域９２Ｑの形状は、導電性接合材９０Ｐの第２接合領域９２Ｐの形状と同じである。
　第２発光素子２０Ｑは、第１リードフレーム１４０Ｃ，１４０Ｄと電気的に接続されている。具体的には、図１６に示すように、第２発光素子２０Ｑの第１電極２１ＱはワイヤＷＣ２を介して第１リードフレーム１４０Ｃに電気的に接続されている。ワイヤＷＣ２は、第１電極２１Ｑと、第１リードフレーム１４０Ｃのインナーリード１４２Ｃとを接続している。ワイヤＷＣ２は、インナーリード１４２Ｃのうち貫通孔１４３Ｃよりも先端側に接続されている。図１７に示すように、第２発光素子２０Ｑの第２電極２２Ｑは導電性接合材９０Ｑを介して第１リードフレーム１４０Ｄに電気的に接続されている。一例では、第１電極２１Ｑはカソード電極であり、第２電極２２Ｑはアノード電極である。このため、図１６に示すように、端子１４１Ｃはカソード端子を構成し、端子１４１Ｄはアノード端子を構成している。
　ワイヤＷＣ１，ＷＣ２は、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＣ１，ＷＣ２は、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の導電材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷＣ１，ＷＣ２はそれぞれ、Ａｕを含む材料によって形成されている。
　図１６に示すように、第２リードフレーム１５０は、４つの第２リードフレームとして、第２リードフレーム１５０Ａ～１５０Ｄを含む。第２リードフレーム１５０Ａ～１５０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第２樹脂側面８２寄りに配置されている。第２リードフレーム１５０Ａ～１５０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。
　第２リードフレーム１５０Ａ～１５０Ｄは、第１実施形態の第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄの端子５１Ａ～５１Ｄと同様に、端子１５１Ａ～１５１Ｄを含む。端子１５１Ａ～１５１Ｄの配列態様は、端子５１Ａ～５１Ｄの配列態様と同じである。
　第２リードフレーム１５０Ａ～１５０Ｄは、第１実施形態の第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄと同様に、インナーリード１５２Ａ～１５２Ｄを有している。
　第２リードフレーム１５０Ａのインナーリード１５２Ａは、リード部１５２ＡＡおよびダイパッド部１５２ＡＢを含む。本実施形態では、ダイパッド部１５２ＡＢは「第２ダイパッド」に対応している。
　リード部１５２ＡＡは、端子１５１Ｄと連続する部分であり、第２樹脂側面８２からｘ方向に延びている。リード部１５２ＡＡには、貫通孔１５３Ａが設けられている。本実施形態では、ｚ方向から視た貫通孔１５３Ａの形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。貫通孔１５３Ａには、封止樹脂８０が充填されている。貫通孔１５３Ａ内の封止樹脂８０によって第２リードフレーム１５０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部１５２ＡＢは、ｘ方向においてリード部１５２ＡＡよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部１５２ＡＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ｚ方向から視たダイパッド部１５２ＡＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部１５２ＡＢは、ｚ方向から視て、リード部１５２ＡＡの先端部から第４樹脂側面８４に向けてｙ方向に延びている。
　ｚ方向から視て、ダイパッド部１５２ＡＢは、第１リードフレーム１４０Ａのダイパッド部１４２ＡＢおよび第１リードフレーム１４０Ｄのダイパッド部１４２ＤＢの双方とｘ方向において対向配置されている。このため、ｘ方向は、ダイパッド部１５２ＡＢ，１４２ＡＢ（１４２ＤＢ）の配列方向であるともいえる。ｚ方向から視たダイパッド部１５２ＡＢの面積は、ｚ方向から視たダイパッド部１４２ＡＢの面積およびダイパッド部１４２ＤＢの面積の双方よりも大きい。ｘ方向において、ダイパッド部１５２ＡＢはダイパッド部１４２ＡＢ，１４２ＤＢよりも長く形成されている。
　図１６に示すとおり、ダイパッド部１５２ＡＢは、ｘ方向において第２リードフレーム１５０Ｂ～１５０Ｄと対向配置されている。ダイパッド部１５２ＡＢは、ｘ方向において第２リードフレーム１５０Ｂ～１５０Ｄよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ダイパッド部１５２ＡＢは、第１実施形態のダイパッド部５２ＡＢと同様に、ｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対して傾くように形成されている。
　図１８に示すように、ダイパッド部１５２ＡＢは、パッド表面１５２Ａｓと、ｚ方向においてパッド表面１５２Ａｓと反対側を向くパッド裏面１５２Ａｒと、を有している。パッド表面１５２Ａｓは封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓと同じ側を向き、パッド裏面１５２Ａｒは樹脂裏面８０ｒと同じ側を向いている。
　第２リードフレーム１５０Ｂのインナーリード１５２Ｂは、端子１５１Ｂと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。
　インナーリード１５２Ｂには、貫通孔１５３Ｂが設けられている。貫通孔１５３Ｂに封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム１５０Ｂが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム１５０Ｃのインナーリード１５２Ｃは、端子１５１Ｃと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。
　インナーリード１５２Ｃには、貫通孔１５３Ｃが設けられている。貫通孔１５３Ｃ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム１５０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム１５０Ｄのインナーリード１５２Ｄは、リード部１５２ＤＡおよびワイヤ接続部１５２ＤＢを含む。
　リード部１５２ＤＡは、端子１５１Ｄと連続する部分であり、第２樹脂側面８２からｘ方向に延びている。リード部１５２ＤＡには、貫通孔１５３Ｄが設けられている。貫通孔１５３Ｄ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム１５０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ワイヤ接続部１５２ＤＢは、ｘ方向においてリード部１５２ＤＡよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。本実施形態では、ワイヤ接続部１５２ＤＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ワイヤ接続部１５２ＤＢは、ｚ方向から視て、リード部１５２ＤＡの先端部から第３樹脂側面８３に向けてｙ方向に延びている。ワイヤ接続部１５２ＤＢの先端部は、封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りに位置し、ｙ方向においてリード部１５２ＡＡと対向している。
　ワイヤ接続部１５２ＤＢは、ｘ方向においてインナーリード１５２Ｂ，１５２Ｃと対向配置されており、インナーリード１５２Ｂ，１５２Ｃよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。また、ワイヤ接続部１５２ＤＢは、ｘ方向においてダイパッド部１５２ＡＢと対向配置されており、ダイパッド部１５２ＡＢよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。つまり、ワイヤ接続部１５２ＤＢは、ｘ方向においてインナーリード１５２Ｂ，１５２Ｃとダイパッド部１５２ＡＢとの間に配置されている。
　図１６に示すように、第１受光素子３０Ｐおよび第２受光素子３０Ｑの双方は、第２リードフレーム１５０Ａのダイパッド部１５２ＡＢに搭載されている。ｚ方向から視て、第１受光素子３０Ｐおよび第２受光素子３０Ｑは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、第１受光素子３０Ｐはダイパッド部１５２ＡＢのｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りに配置され、第２受光素子３０Ｑはダイパッド部１５２ＡＢのｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りに配置されている。
　第１受光素子３０Ｐは、ｘ方向において第１発光素子２０Ｐと対向配置されている。第１受光素子３０Ｐは、第１発光素子２０Ｐからの光（第１波長の光）を受光できるように構成されている。一例では、第１受光素子３０Ｐの形状およびサイズは、第１実施形態の受光素子３０の形状およびサイズと同じである。第１受光素子３０Ｐは、第１発光素子２０Ｐからの光を受光する第１半導体領域と、受光した光に基づいて信号を生成する第２半導体領域と、を含む。第１半導体領域は、たとえばフォトダイオードによって形成されている。第２半導体領域は、たとえばＬＳＩによって形成されている。つまり、第１受光素子３０Ｐは、第１実施形態の受光素子３０と同様に、第１発光素子２０Ｐからの光を受光する機能と、受光した光から信号を生成する機能とが一体化された素子である。ｚ方向から視て、第１半導体領域は、第１受光素子３０Ｐのうち第１発光素子２０Ｐ寄りの部分に形成されている。第２半導体領域は、第１受光素子３０Ｐのうち第２リードフレーム１５０Ｂ寄りの部分に形成されている。ｚ方向から視た第１半導体領域の面積は、ｚ方向から視た第２半導体領域の面積よりも小さい。ｚ方向から視て、第１半導体領域のｘ方向の寸法は、第２半導体領域のｘ方向の寸法よりも小さい。
　第１受光素子３０Ｐは、素子主面３０Ｐｓと、ｚ方向において素子主面３０Ｐｓと反対側を向く素子裏面３０Ｐｒを有している。素子主面３０Ｐｓはダイパッド部１５２ＡＢのパッド表面１５２Ａｓと同じ側を向き、素子裏面３０Ｐｒはダイパッド部１５２ＡＢのパッド裏面１５２Ａｒと同じ側を向いている。素子主面３０Ｐｓのうち第１半導体領域には、受光面３３Ｐが形成されている。
　図１８に示すように、第１受光素子３０Ｐは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材１００Ｐによってダイパッド部１５２ＡＢのパッド表面１５２Ａｓに接合されている。ここで、本実施形態では、導電性接合材１００Ｐは「第２接合材」に対応している。
　導電性接合材１００Ｐは、第１受光素子３０Ｐの素子裏面３０Ｐｒとダイパッド部１５２ＡＢのパッド表面１５２Ａｓとの間に介在する第１接合領域１０１Ｐと、ｚ方向から視て第１受光素子３０Ｐからはみ出した領域であって第１受光素子３０Ｐの外側面と接合された第２接合領域１０２Ｐと、を有している。
　第２接合領域１０２Ｐは、第１受光素子３０Ｐの外側面との接合部分から第１受光素子３０Ｐから離れるにつれて、第２接合領域１０２Ｐの厚さが薄くなるように設けられている。第２接合領域１０２Ｐは、ｚ方向から視て、第１受光素子３０Ｐの全周にわたり形成されている。
　第１受光素子３０Ｐは、第２リードフレーム１５０Ａ，１５０Ｂ，１５０Ｄと電気的に接続されている。具体的には、図１６に示すように、第１受光素子３０Ｐはたとえば１本のワイヤＷＤ１を介して第２リードフレーム１５０Ｄに電気的に接続されている。１本のワイヤＷＤ１は、第１受光素子３０Ｐと、第２リードフレーム１５０Ｄのワイヤ接続部１５２ＤＢとを接続している。１本のワイヤＷＤ１は、ワイヤ接続部１５２ＤＢのｙ方向の両端部のうちリード部１５２ＡＡに近い方の端部に接続されている。また、第１受光素子３０Ｐはたとえば１本のワイヤＷＤ２を介して第２リードフレーム１５０Ｂに電気的に接続されている。１本のワイヤＷＤ２は、第１受光素子３０Ｐと、第２リードフレーム１５０Ｂのインナーリード１５２Ｂとを接続している。１本のワイヤＷＤ２は、インナーリード１５２Ｂのうち貫通孔１５３Ｂよりも先端寄りに接続されている。第１受光素子３０Ｐは、導電性接合材１００Ｐによって第２リードフレーム１５０Ａのダイパッド部１５２ＡＢに電気的に接続されている。
　第２受光素子３０Ｑは、ｘ方向において第２発光素子２０Ｑと対向配置されている。第２受光素子３０Ｑは、第２発光素子２０Ｑからの光（第２波長の光）を受光できるように構成されている。本実施形態では、ｚ方向から視た第２受光素子３０Ｑの形状は、ｚ方向から視た第１受光素子３０Ｐの形状と同じである。第２受光素子３０Ｑは、第２発光素子２０Ｑからの光を受光する第１半導体領域と、受光した光に基づいて信号を生成する第２半導体領域と、を含む。第１半導体領域は、たとえばフォトダイオードによって形成されている。第２半導体領域は、たとえばＬＳＩによって形成されている。つまり、第２受光素子３０Ｑは、第１受光素子３０Ｐと同様に、第２発光素子２０Ｑからの光を受光する機能と、受光した光から信号を生成する機能とが一体化された素子である。ｚ方向から視て、第１半導体領域は、第２受光素子３０Ｑのうち第２発光素子２０Ｑ寄りの部分に形成されている。第２半導体領域は、第２受光素子３０Ｑのうち第２リードフレーム１５０Ｃ寄りの部分に形成されている。ｚ方向から視た第１半導体領域の面積は、ｚ方向から視た第２半導体領域の面積よりも小さい。ｚ方向から視て、第１半導体領域のｘ方向の寸法は、第２半導体領域のｘ方向の寸法よりも小さい。第２受光素子３０Ｑと第２発光素子２０Ｑとの面積の関係は、第１受光素子３０Ｐと第１発光素子２０Ｐとの面積の関係と同様である。
　第２受光素子３０Ｑは、第１受光素子３０Ｐと同様に、素子主面３０Ｑｓおよび素子裏面３０Ｑｒを有している。素子主面３０Ｑｓはダイパッド部１５２ＡＢのパッド表面１５２Ａｓと同じ側を向き、素子裏面３０Ｑｒはダイパッド部１５２ＡＢのパッド裏面１５２Ａｒと同じ側を向いている。素子主面３０Ｑｓのうち第１半導体領域には、受光面３３Ｑが形成されている。
　図１８に示すように、第２受光素子３０Ｑは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材１００Ｑによってダイパッド部１５２ＡＢのパッド表面１５２Ａｓに接合されている。ここで、本実施形態では、導電性接合材１００Ｑは「第２接合材」に対応している。
　導電性接合材１００Ｑは、導電性接合材１００Ｐと同様に、第１接合領域１０１Ｑおよび第２接合領域１０２Ｑと、を有している。第２接合領域１０２Ｑの形状は、第２接合領域１０２Ｐの形状と同じである。
　第２受光素子３０Ｑは、第２リードフレーム１５０Ａ，１５０Ｃ，１５０Ｄと電気的に接続されている。具体的には、図１６に示すように、第２受光素子３０Ｑは、たとえば１本のワイヤＷＤ３を介して第２リードフレーム１５０Ｃに電気的に接続されている。ワイヤＷＤ３は、第２受光素子３０Ｑと、第２リードフレーム１５０Ｃのインナーリード１５２Ｃとを接続している。ワイヤＷＤ３は、インナーリード１５２Ｃのうち貫通孔１５３Ｃよりも先端寄りに接続されている。また、第２受光素子３０Ｑはたとえば２本のワイヤＷＤ４を介して第２リードフレーム１５０Ｄに電気的に接続されている。各ワイヤＷＤ４は、第２受光素子３０Ｑと、第２リードフレーム１５０Ｄのワイヤ接続部１５２ＤＢとを接続している。各ワイヤＷＤ４は、ワイヤ接続部１５２ＤＢのうちｘ方向から視て第２リードフレーム１５０Ｃと重なる部分に接続されている。第２受光素子３０Ｑは、導電性接合材１００Ｑによって第２リードフレーム１５０Ａのダイパッド部１５２ＡＢに電気的に接続されている。
　なお、これらワイヤＷＤ１～ＷＤ４は、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＤ１～ＷＤ４は、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の導電材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷＤ１～ＷＤ４は、Ａｕを含む材料によって形成されている。
　図１６に示すように、絶縁モジュール１０は、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑと、第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑと、封止樹脂８０と、を備えている。なお、図面を見やすくするため、各透明樹脂６０Ｐ，６０Ｑを破線で示し、各反射部材７０Ｐ，７０Ｑを一点鎖線で示している。
　第１透明樹脂６０Ｐは、少なくとも第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐの双方を覆っている。より詳細には、第１透明樹脂６０Ｐは、ｚ方向から視て、第１発光素子２０Ｐの全体を覆う一方、第１受光素子３０Ｐの一部を覆っている。
　第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのｘ方向の中央よりも第１発光素子２０Ｐ寄りの部分を覆っている。本実施形態では、第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのうち第１半導体領域を覆っている。つまり、第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのうち第２半導体領域を覆っていない。このため、第１受光素子３０Ｐに接続された複数のワイヤＷＤ１，ＷＤ２はそれぞれ、第１透明樹脂６０Ｐよりも外側に配置されている。各ワイヤＷＤ１，ＷＤ２は、第１反射部材７０Ｐ内に配置されている。
　また、第１透明樹脂６０Ｐは、第１発光素子２０Ｐの全体を覆っているため、第１発光素子２０Ｐに接続されたワイヤＷＣ１の一部は、第１透明樹脂６０Ｐ内に配置されている。ワイヤＷＣ１の残りの部分は、第１透明樹脂６０Ｐよりも外側、すなわち第１反射部材７０Ｐ内に配置されている。つまり、ワイヤＷＣ１は、第１透明樹脂６０Ｐから第１反射部材７０Ｐまでにわたり設けられている。なお、本実施形態では、ワイヤＷＣ１のうち第１リードフレーム１４０Ｂに接続される部分は、第１反射部材７０Ｐよりも外側、すなわち封止樹脂８０内に配置されている。
　図１６に示すように、第１透明樹脂６０Ｐは、透明樹脂６０と同様に、導電性接合材９０Ｐの第２接合領域９２Ｐと接している。図１７に示すように、第１透明樹脂６０Ｐは、透明樹脂６０と同様に、導電性接合材１００Ｐの第２接合領域１０２Ｐと接している。
　第１透明樹脂６０Ｐは、第１発光素子２０Ｐからの光を透過する絶縁性樹脂によって形成されている。好ましくは、第１透明樹脂６０Ｐは、第２発光素子２０Ｑからの光を遮光する絶縁性樹脂によって形成されている。第１透明樹脂６０Ｐは、たとえばポッティング加工によって形成されている。
　第１反射部材７０Ｐは、第１透明樹脂６０Ｐごと覆っている。本実施形態では、第１反射部材７０Ｐは、第１発光素子２０Ｐ、ダイパッド部１４２ＡＢ、第１受光素子３０Ｐ、ダイパッド部１５２ＡＢ、および第１透明樹脂６０Ｐを覆っている。第１反射部材７０Ｐの材料は、たとえば第１実施形態の透明樹脂６０と同じである。また第１反射部材７０Ｐおよび第１透明樹脂６０Ｐとの屈折率の関係は、第１実施形態の透明樹脂６０と反射部材７０との屈折率との関係と同じである。
　なお、図示していないが、第１透明樹脂６０Ｐをｘｚ平面で切った断面構造における第１透明樹脂６０Ｐの形状は、透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造における透明樹脂６０の形状（図４参照）と同じである。第１反射部材７０Ｐをｘｚ平面で切った断面構造における第１反射部材７０Ｐの形状は、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造における反射部材７０Ｐの形状と同じである。
　第２透明樹脂６０Ｑは、少なくとも第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑの双方を覆っている。より詳細には、第２透明樹脂６０Ｑは、ｚ方向から視て、第２発光素子２０Ｑの全体を覆う一方、第２受光素子３０Ｑの一部を覆っている。第２透明樹脂６０Ｑによって第２受光素子３０Ｑを覆う態様は、第１透明樹脂６０Ｐによって第１受光素子３０Ｐを覆う態様と同じであるため、その詳細な説明を省略する。また第２透明樹脂６０ＱとワイヤＷＣ２，ＷＤ３，ＷＤ４との関係は、第１透明樹脂６０ＰとワイヤＷＣ１，ＷＤ１，ＷＤ２との関係と同じであるため、その詳細な説明を省略する。また第２透明樹脂６０Ｑと導電性接合材９０Ｑ，１００Ｑとの関係は、第１透明樹脂６０Ｐと導電性接合材９０Ｐ，１００Ｐとの関係と同じであるため、その詳細な説明を省略する。
　第２透明樹脂６０Ｑは、第２発光素子２０Ｑからの光を透過する絶縁性樹脂によって形成されている。好ましくは、第２透明樹脂６０Ｑは、第１発光素子２０Ｐからの光を遮光する絶縁性樹脂によって形成されている。第２透明樹脂６０Ｑは、たとえばポッティング加工によって形成されている。
　第２反射部材７０Ｑは、第２透明樹脂６０Ｑごと覆っている。本実施形態では、第２反射部材７０Ｑは、第２発光素子２０Ｑ、ダイパッド部１４２ＤＢ、第２受光素子３０Ｑ、ダイパッド部１５２ＡＢ、および第２透明樹脂６０Ｑを覆っている。
　なお、第２透明樹脂６０Ｑの形状は第１透明樹脂６０Ｐの形状と同じであり、第２反射部材７０Ｑの形状は第１反射部材７０Ｐと同じである。また、第２反射部材７０Ｑの材料は、第１反射部材７０Ｐの材料と同じである。また第２反射部材７０Ｑおよび第２透明樹脂６０Ｑとの屈折率の関係は、第１実施形態の透明樹脂６０と反射部材７０との屈折率との関係と同じである。本実施形態では、第１実施形態と同様に、第１透明樹脂６０Ｐと第１反射部材７０Ｐとの境界面において、第１発光素子２０Ｐから出射した光が全反射しないように構成されている。また第２透明樹脂６０Ｑと第２反射部材７０Ｑとの境界面において、第２発光素子２０Ｑから出射した光が全反射しないように構成されている。
　本実施形態では、第１実施形態と同様に、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑの双方は、無機物粒子６５を含んでいる。無機物粒子６５については第１実施形態と同様である。
　図１６～図１８に示すとおり、第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとの間には、封止樹脂８０が介在している。つまり、封止樹脂８０は、第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとを分離する分離壁部８９を有している。分離壁部８９は、ｚ方向において第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの双方の全体にわたり形成されている。つまり、分離壁部８９は、第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとのｘ方向の間をｙ方向に貫通するように設けられている。また、分離壁部８９は、ｘ方向において第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの双方の全体にわたり形成されている。
　（電気的構成）
　次に、絶縁モジュール１０の電気的構成について説明する。図１９は、絶縁モジュール１０の回路構成、および絶縁モジュール１０とインバータ回路５００との接続構成をそれぞれ簡略的に示す回路図である。
　本実施形態のインバータ回路５００は、フルブリッジ型のインバータ回路であり、第１インバータ回路５１０と、第１インバータ回路５１０と並列に接続された第２インバータ回路５２０と、を備えている。第１インバータ回路５１０は、互いに直列に接続された第１スイッチング素子５１１および第２スイッチング素子５１２を有している。第２インバータ回路５２０は、互いに直列に接続された第１スイッチング素子５２１および第２スイッチング素子５２２を有している。第１スイッチング素子５１１，５２１はたとえば第１実施形態の第１スイッチング素子５０１と同じであり、第２スイッチング素子５１２，５２２はたとえば第１実施形態の第２スイッチング素子５０２と同じである。
　本実施形態では、絶縁モジュール１０は、第１スイッチング素子５１１のゲートおよび第１スイッチング素子５２１のゲートにそれぞれ駆動電圧信号を印加する。つまり、絶縁モジュール１０は、第１スイッチング素子５１１，５２１を駆動させるゲートドライバである。
　絶縁モジュール１０の端子１５１Ｄには、制御電源５０３の正極が電気的に接続されている。絶縁モジュール１０の端子１５１Ａは、第１インバータ回路５１０の第１スイッチング素子５１１のソースと、第２インバータ回路５２０の第１スイッチング素子５２１のソースとの双方に電気的に接続されている。
　図１９に示すように、絶縁モジュール１０は、第１発光用ダイオード２０ＡＰ、第２発光用ダイオード２０ＡＱ、第１受光用ダイオード３０ＡＰ、第２受光用ダイオード３０ＡＱ、第１制御回路１３０Ａ、および第２制御回路１３０Ｂを有している。
　第１発光用ダイオード２０ＡＰは、第１発光素子２０Ｐの第１電極２１Ｐ（カソード電極）および第２電極２２Ｐ（アノード電極）を含む。第１発光用ダイオード２０ＡＰの第１電極２１Ｐは端子１４１Ｃに電気的に接続され、第２電極２２Ｐは端子１４１Ｄに電気的に接続されている。
　第１受光用ダイオード３０ＡＰは、第１発光用ダイオード２０ＡＰからの光を受光するダイオードである。第１受光用ダイオード３０ＡＰは第１制御回路１３０Ａと電気的に接続されている一方、第１発光用ダイオード２０ＡＰと絶縁されている。換言すると、第１発光用ダイオード２０ＡＰは、第１制御回路１３０Ａと絶縁されている。第１受光用ダイオード３０ＡＰは、第１電極３１Ｐおよび第２電極３２Ｐを有している。一例では、第１電極３１Ｐはカソード電極であり、第２電極３２Ｐはアノード電極である。第１電極３１Ｐおよび第２電極３２Ｐの双方は、第１制御回路１３０Ａに電気的に接続されている。
　第１制御回路１３０Ａは、第１シュミットトリガ１３１Ａおよび第１出力部１３２Ａを有している。第１制御回路１３０Ａは、第１受光用ダイオード３０ＡＰが第１発光用ダイオード２０ＡＰからの光を受光したことにともなう第１受光用ダイオード３０ＡＰの電圧の変化に基づいて出力信号を生成する。
　第１シュミットトリガ１３１Ａは、第１受光用ダイオード３０ＡＰの第１電極３１Ｐおよび第２電極３２Ｐの双方と電気的に接続されている。また、第１シュミットトリガ１３１Ａは、端子１５１Ａ，１５１Ｄと電気的に接続されている。つまり、第１シュミットトリガ１３１Ａは、制御電源５０３から電力が供給される。第１シュミットトリガ１３１Ａは、第１受光用ダイオード３０ＡＰの電圧を第１出力部１３２Ａに伝達する。なお、第１シュミットトリガ１３１Ａのしきい値電圧には、所定のヒステリシスが与えられている。このような構成とすることによって、ノイズに対する耐性を高めることができる。
　第１出力部１３２Ａは、互いに直列に接続された第１スイッチング素子１３２Ａａおよび第２スイッチング素子１３２Ａｂを有している。図１９に示される例においては、第１スイッチング素子１３２Ａａはｐ型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、第２スイッチング素子１３２Ａｂはｎ型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。
　第１スイッチング素子１３２Ａａのソースは端子１５１Ｄと電気的に接続されている。第２スイッチング素子１３２Ａｂのソースは端子１５１Ａと電気的に接続されている。第１スイッチング素子１３２Ａａのドレインと第２スイッチング素子１３２Ａｂのドレインとの間のノードＮは端子１５１Ｃに電気的に接続されている。
　第１スイッチング素子１３２Ａａのゲートおよび第２スイッチング素子１３２Ａｂのゲートの双方は、第１シュミットトリガ１３１Ａと電気的に接続されている。つまり、第１スイッチング素子１３２Ａａのゲートおよび第２スイッチング素子１３２Ａｂのゲートの双方には、第１シュミットトリガ１３１Ａからの信号が印加される。
　第１出力部１３２Ａは、第１シュミットトリガ１３１Ａの信号に基づいて第１スイッチング素子１３２Ａａおよび第２スイッチング素子１３２Ａｂが相補的にオンオフ動作することによって出力信号を生成する。第１出力部１３２Ａは、出力信号を端子１５１Ｃを通じて出力する。
　第２発光用ダイオード２０ＡＱは、第２発光素子２０Ｑの第１電極２１Ｑ（カソード電極）および第２電極２２Ｑ（アノード電極）を含む。第２発光用ダイオード２０ＡＱの第１電極２１Ｑは端子１４１Ｂに電気的に接続され、第２電極２２Ｑは端子１４１Ａに電気的に接続されている。
　第２受光用ダイオード３０ＡＱは、第２発光用ダイオード２０ＡＱからの光を受光するダイオードである。第２受光用ダイオード３０ＡＱは第２制御回路１３０Ｂと電気的に接続されている一方、第２発光用ダイオード２０ＡＱと絶縁されている。換言すると、第２発光用ダイオード２０ＡＱは、第２制御回路１３０Ｂと絶縁されている。第２受光用ダイオード３０ＡＱは、第１電極３１Ｑおよび第２電極３２Ｑを有している。一例では、第１電極３１Ｑはカソード電極であり、第２電極３２Ｑはアノード電極である。第１電極３１Ｑおよび第２電極３２Ｑの双方は、第２制御回路１３０Ｂに電気的に接続されている。
　第２制御回路１３０Ｂは、第２シュミットトリガ１３１Ｂおよび第２出力部１３２Ｂを有している。第２制御回路１３０Ｂは、第２受光用ダイオード３０ＡＱが第２発光用ダイオード２０ＡＱからの光を受光したことにともなう第２受光用ダイオード３０ＡＱの電圧の変化に基づいて駆動電圧信号を生成する。
　第２シュミットトリガ１３１Ｂは、第２受光用ダイオード３０ＡＱの第１電極３１Ｑおよび第２電極３２Ｑの双方と電気的に接続されている。また、第２シュミットトリガ１３１Ｂは、端子１５１Ａ，１５１Ｄと電気的に接続されている。つまり、第２シュミットトリガ１３１Ｂは、制御電源５０３から電力が供給される。第２シュミットトリガ１３１Ｂは、第２受光用ダイオード３０ＡＱの電圧を第２出力部１３２Ｂに伝達する。なお、第２シュミットトリガ１３１Ｂのしきい値電圧には、所定のヒステリシスが与えられている。このような構成とすることによって、ノイズに対する耐性を高めることができる。
　第２出力部１３２Ｂは、互いに直列に接続された第１スイッチング素子１３２Ｂａおよび第２スイッチング素子１３２Ｂｂを有している。図１９に示される例においては、第１スイッチング素子１３２Ｂａはｐ型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、第２スイッチング素子１３２Ｂｂはｎ型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。なお、第１スイッチング素子１３２Ｂａおよび第２スイッチング素子１３２Ｂｂの電気的な接続態様は、第１スイッチング素子１３２Ａａおよび第２スイッチング素子１３２Ａｂの電気的な接続態様と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
　このように、端子１４１Ａ～１４１Ｄは、第１発光用ダイオード２０ＡＰ（第１発光素子２０Ｐ）および第１受光用ダイオード３０ＡＰ（第１受光素子３０Ｐ）からなる第１フォトカプラと、第２発光用ダイオード２０ＡＱ（第２発光素子２０Ｑ）および第２受光用ダイオード３０ＡＱ（第２受光素子３０Ｑ）からなる第２フォトカプラとによって、端子１５１Ａ～１５１Ｄと絶縁されている。端子１４１Ａおよび端子１４１Ｂは第２発光用ダイオード２０ＡＱを介して電気的に接続され、端子１４１Ｃおよび端子１４１Ｄは第１発光用ダイオード２０ＡＰを介して電気的に接続されている。一方、端子１４１Ａ，１４１Ｂと端子１４１Ｃ，１４１Ｃとは電気的に接続されていない。
　（第７実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（７－１）絶縁モジュール１０は、第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐによって構成される第１フォトカプラと、第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑによって構成される第２フォトカプラと、を備えている。各発光素子２０Ｐ，２０Ｑは第１リードフレーム１４０に電気的に接続されており、各受光素子３０Ｐ，３０Ｑは第２リードフレーム１５０に電気的に接続されている。
　この構成によれば、第１フォトカプラによって通信される信号および第２フォトカプラによって通信される信号はともに、第１リードフレーム１４０から第２リードフレーム１５０に向けて伝達される。つまり、絶縁モジュール１０は、同一の伝達方向において２種類の信号を出力することができる。
　（７－２）絶縁モジュール１０は、第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐを覆う第１透明樹脂６０Ｐと、第１透明樹脂６０Ｐを覆う第１反射部材７０Ｐと、第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑを覆う第２透明樹脂６０Ｑと、第２透明樹脂６０Ｑを覆う第２反射部材７０Ｑと、を備えている。封止樹脂８０は、第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの双方を封止するものであり、第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとを分離する分離壁部８９を有している。
　この構成によれば、第１発光素子２０Ｐからの光が第１透明樹脂６０Ｐおよび第１反射部材７０Ｐの双方を透過したとしても分離壁部８９によって遮光される。このため、第１発光素子２０Ｐからの光が第２受光素子３０Ｑに入射することを抑制できる。また、第２発光素子２０Ｑからの光が第２透明樹脂６０Ｑおよび第２反射部材７０Ｑの双方を透過したとしても分離壁部８９によって遮光される。このため、第２発光素子２０Ｑからの光が第１受光素子３０Ｐに入射することを抑制できる。
　（７－３）第１発光素子２０Ｐは第１波長の光を出射する素子であり、第２発光素子２０Ｑは第１波長とは異なる第２波長の光を出射する素子である。第１透明樹脂６０Ｐは、第１波長の光を透過しかつ第２波長の光を透過しない樹脂材料によって構成されている。第２透明樹脂６０Ｑは、第２波長の光を透過しかつ第１波長の光を透過しない樹脂材料によって構成されている。
　この構成によれば、第１波長の光が第２透明樹脂６０Ｑ内に進行することが抑制されるため、第１発光素子２０Ｐからの光が第２受光素子３０Ｑに入射されることを抑制できる。これにより、第２受光素子３０Ｑが第１波長の光を受光することを抑制できる。第２波長の光が第１透明樹脂６０Ｐ内に進行することが抑制されるため、第２発光素子２０Ｑからの光が第１受光素子３０Ｐに入射されることを抑制できる。これにより、第１受光素子３０Ｐが第２波長の光を受光することを抑制できる。
　［第８実施形態］
　図２０～図２３を参照して、第８実施形態の絶縁モジュール１０について説明する。本実施形態の絶縁モジュール１０では、第１実施形態の絶縁モジュール１０と比較して、発光素子２０および受光素子３０がそれぞれ２個設けられた点が主に異なる。なお、以下の説明において、第１実施形態の絶縁モジュール１０と共通する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図２０は、本実施形態の絶縁モジュール１０の内部構成を模式的に示す平面図である。図２１は、図２０の絶縁モジュール１０の２１－２１線で切った断面図である。図２２は、図２０の絶縁モジュール１０の２２－２２線で切った断面図である。
　図２０に示すように、絶縁モジュール１０は、第１リードフレーム２４０と、第２リードフレーム２５０と、第１発光素子２０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑと、第１受光素子３０Ｐおよび第２受光素子３０Ｑと、を備えている。なお、本実施形態の各受光素子３０Ｐ，３０Ｑの構成は、第７実施形態の構成と同じである。
　また、本実施形態の各発光素子２０Ｐ，２０Ｑの構成は、第７実施形態の構成とは第１電極２１Ｐ，２１Ｑおよび第２電極２２Ｐ，２２Ｑの形成位置が異なる。より詳細には、本実施形態においては、図２１に示すように、第１発光素子２０Ｐの第１電極２１Ｐは素子裏面２０Ｐｒに設けられ、第２電極２２Ｐは素子主面２０Ｐｓに設けられている。図２２に示すように、第２発光素子２０Ｑの第１電極２１Ｑは素子裏面２０Ｑｒに設けられ、第２電極２２Ｑは素子主面２０Ｑｓに設けられている。
　各リードフレーム２４０，２５０は、たとえば第１実施形態の各リードフレーム４０，５０と同じ材料によって形成されている。また、各リードフレーム２４０，２５０は、たとえば第１実施形態の各リードフレーム４０，５０と同様に、主金属層およびめっき層を有している。
　第１リードフレーム２４０は、４つの第１リードフレームとして、第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄを含む。第２リードフレーム２５０は、４つの第２リードフレームとして、第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄを含む。第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第１樹脂側面８１寄りに配置されている。第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄは、ｚ方向から視て、封止樹脂８０のｘ方向の中央に対して第２樹脂側面８２寄りに配置されている。第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄは、ｚ方向から視て、ｙ方向において互いに離間して配列されている。第１発光素子２０Ｐは第１リードフレーム２４０Ａに搭載されており、第２発光素子２０Ｑは第２リードフレーム２５０Ａに搭載されている。第１受光素子３０Ｐは第２リードフレーム２５０Ａに搭載されており、第２受光素子３０Ｑは第１リードフレーム２４０Ａに搭載されている。
　まず、第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄの構成について説明する。
　第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄは、第１実施形態の第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄの端子４１Ａ～４１Ｄと同様に、端子２４１Ａ～２４１Ｄを含む。端子２４１Ａ～２４１Ｄの配列態様は、端子４１Ａ～４１Ｄの配列態様と同じである。
　第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄは、第１実施形態の第１リードフレーム４０Ａ～４０Ｄと同様に、インナーリード２４２Ａ～２４２Ｄを有している。
　第１リードフレーム２４０Ａのインナーリード２４２Ａは、リード部２４２ＡＡおよびダイパッド部２４２ＡＢを含む。ここで、本実施形態では、ダイパッド部２４２ＡＢは「第１受発光ダイパッド」に対応している。
　リード部２４２ＡＡは、端子２４１Ａと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。リード部２４２ＡＡには、貫通孔２４３Ａが設けられている。貫通孔２４３Ａ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム２４０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部２４２ＡＢは、ｘ方向においてリード部２４２ＡＡよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部２４２ＡＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ダイパッド部２４２ＡＢは、ｚ方向から視て、リード部２４２ＡＡの先端部から第４樹脂側面８４に向けてｙ方向に延びている。ダイパッド部２４２ＡＢは、ｙ方向において封止樹脂８０の大部分にわたり形成されている。ダイパッド部２４２ＡＢは、第１実施形態のダイパッド部４２ＣＢと同様に、ｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対して傾くように形成されている。
　ダイパッド部２４２ＡＢのうちｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りの第２部分のｘ方向の寸法は、ダイパッド部２４２ＡＢのうちｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りの第１部分のｘ方向の寸法よりも大きい。本実施形態では、第２部分は、第１部分に対してｘ方向において第２樹脂側面８２寄りに突出している。
　ダイパッド部２４２ＡＢは、パッド表面２４２Ａｓと、ｚ方向においてパッド表面２４２Ａｓと反対側を向くパッド裏面２４２Ａｒ（図２１参照）と、を有している。パッド表面２４２Ａｓは封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓと同じ側を向き、パッド裏面２４２Ａｒは樹脂裏面８０ｒ（図２１参照）と同じ側を向いている。
　第１リードフレーム２４０Ｂのインナーリード２４２Ｂは、端子２４１Ｂと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。インナーリード２４２Ｂは、ｘ方向においてダイパッド部２４２ＡＢと対向配置されており、ダイパッド部２４２ＡＢよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。換言すると、ダイパッド部２４２ＡＢは、インナーリード２４２Ｂよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。インナーリード２４２Ｂのｘ方向の長さは、リード部２４２ＡＡのｘ方向の長さよりも短い。
　インナーリード２４２Ｂには、貫通孔２４３Ｂが設けられている。貫通孔２４３Ｂ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム２４０Ｂが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第１リードフレーム２４０Ｃのインナーリード２４２Ｃは、端子２４１Ｃと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。インナーリード２４２Ｃは、ｘ方向においてダイパッド部２４２ＡＢと対向配置されており、ダイパッド部２４２ＡＢよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。換言すると、ダイパッド部２４２ＡＢは、インナーリード２４２Ｃよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。インナーリード２４２Ｃのｘ方向の長さは、リード部２４２ＡＡのｘ方向の長さよりも短い。インナーリード２４２Ｃのｘ方向の長さは、インナーリード２４２Ｂのｘ方向の長さと等しい。
　インナーリード２４２Ｃには、貫通孔２４３Ｃが設けられている。貫通孔２４３Ｃ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム２４０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第１リードフレーム２４０Ｄのインナーリード２４２Ｄは、リード部２４２ＤＡおよびワイヤ接続部２４２ＤＢを含む。
　リード部２４２ＤＡは、端子２４１Ｄと連続する部分であり、第１樹脂側面８１からｘ方向に延びている。リード部２４２ＤＡには、貫通孔２４３Ｄが設けられている。貫通孔２４３Ｄ内に封止樹脂８０が充填されることによって第１リードフレーム２４０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ワイヤ接続部２４２ＤＢは、ｘ方向においてリード部２４２ＤＡよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。本実施形態では、ワイヤ接続部２４２ＤＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。ｚ方向から視たワイヤ接続部２４２ＤＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ワイヤ接続部２４２ＤＢは、ｚ方向から視て、リード部２４２ＤＡの先端部から第３樹脂側面８３に向けてｙ方向に延びている。ワイヤ接続部２４２ＤＢは、ｙ方向において第１リードフレーム２４０Ｃのインナーリード２４２Ｃと対向配置されており、インナーリード２４２Ｃよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ワイヤ接続部２４２ＤＢの先端は、インナーリード２４２Ｃよりも第３樹脂側面８３寄りに位置する一方、インナーリード２４２Ｂよりも第４樹脂側面８４寄りに位置している。
　なお、ワイヤ接続部２４２ＤＢのｙ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、ワイヤ接続部２４２ＤＢの先端は、インナーリード２４２Ｃよりも第４樹脂側面８４寄りに位置していてもよい。
　図２０に示すように、第１発光素子２０Ｐおよび第２受光素子３０Ｑの双方は、第１リードフレーム２４０Ａのダイパッド部２４２ＡＢに搭載されている。本実施形態では、第１発光素子２０Ｐは、ダイパッド部２４２ＡＢのｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りの部分（第１部分）に配置されている。ｚ方向から視て、第１発光素子２０Ｐは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りに配置されている。第２受光素子３０Ｑは、ダイパッド部２４２ＡＢのｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りの部分（第２部分）に配置されている。ｚ方向から視て、第２受光素子３０Ｑは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第１樹脂側面８１寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りに配置されている。ｙ方向から視て、第１発光素子２０Ｐは、第２受光素子３０Ｑと重なる位置に配置されている。
　図２１に示すように、第１発光素子２０Ｐは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材９０Ｐによってダイパッド部２４２ＡＢのパッド表面２４２Ａｓに接合されている。導電性接合材９０Ｐによる第１発光素子２０Ｐとダイパッド部２４２ＡＢとの接合態様は第７実施形態と同様である。ここで、本実施形態では、導電性接合材９０Ｐは「第１接合材」に対応している。
　図２１に示すように、第２受光素子３０Ｑは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材１００Ｑによってダイパッド部２４２ＡＢのパッド表面２４２Ａｓに接合されている。導電性接合材１００Ｑによる第２受光素子３０Ｑとダイパッド部２４２ＡＢとの接合態様は第７実施形態と同様である。ここで、本実施形態では、導電性接合材１００Ｑは「第２接合材」に対応している。
　第１発光素子２０Ｐは、第１リードフレーム２４０Ａおよび第２受光素子３０Ｑのそれぞれと電気的に接続されている。具体的には、図２０に示すように、第１発光素子２０Ｐの第２電極２２ＰはワイヤＷＥ１を介して第２受光素子３０Ｑと電気的に接続されている。ワイヤＷＥ１は、第２電極２２Ｐと、第２受光素子３０Ｑのｙ方向の両端部のうち第１発光素子２０Ｐに近い方の端部とを接続している。図２１に示すように、第１発光素子２０Ｐの第１電極２１Ｐは導電性接合材９０Ｐを介して第１リードフレーム２４０Ａに電気的に接続されている。本実施形態においては、第１電極２１Ｐはアノード電極であり、第２電極２２Ｐはカソード電極である。
　第２受光素子３０Ｑは、第１リードフレーム２４０Ａ～２４０Ｄのそれぞれと電気的に接続されている。具体的には、図２０に示すように、第２受光素子３０Ｑは、ワイヤＷＥ２～ＷＥ４を介して第１リードフレーム２４０Ｂ～２４０Ｄのそれぞれと電気的に接続されている。ワイヤＷＥ２は、第１リードフレーム２４０Ｂのインナーリード２４２Ｂのうち貫通孔２４３Ｂよりも先端部に接続されている。ワイヤＷＥ３は、第１リードフレーム２４０Ｃのインナーリード２４２Ｃのうち貫通孔２４３Ｃよりも先端部に接続されている。ワイヤＷＥ４は、第１リードフレーム２４０Ｄのワイヤ接続部２４２ＤＢのｙ方向の両端部のうちリード部２４２ＤＡに近い方の端部に接続されている。また、第２受光素子３０Ｑは、導電性接合材１００Ｑを介して第１リードフレーム２４０Ａに電気的に接続されている。ワイヤＷＥ１～ＷＥ４は、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＥ１～ＷＥ４は、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の導電材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷＥ１～ＷＥ４はそれぞれ、Ａｕを含む材料によって形成されている。
　次に、第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄについて説明する。
　図２０に示すように、第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄは、第１実施形態の第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄの端子５１Ａ～５１Ｄと同様に、端子２５１Ａ～２５１Ｄを含む。端子２５１Ａ～２５１Ｄの配列態様は、端子５１Ａ～５１Ｄの配列態様と同じである。
　第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄは、第１実施形態の第２リードフレーム５０Ａ～５０Ｄと同様に、インナーリード２５２Ａ～２５２Ｄを有している。
　第２リードフレーム２５０Ａのインナーリード２５２Ａは、リード部２５２ＡＡおよびダイパッド部２５２ＡＢを含む。ここで、本実施形態では、ダイパッド部２５２ＡＢは「第２受発光ダイパッド」に対応している。
　リード部２５２ＡＡは、端子２５１Ａと連続する部分であり、第２樹脂側面８２からｘ方向に延びている。リード部２５２ＡＡには、貫通孔２５３Ａが設けられている。貫通孔２５３Ａ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム２５０Ａが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ダイパッド部２５２ＡＢは、ｘ方向においてリード部２５２ＡＡよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。本実施形態では、ダイパッド部２５２ＡＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ｚ方向から視たダイパッド部２５２ＡＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ダイパッド部２５２ＡＢは、ｚ方向から視て、リード部２５２ＡＡの先端部から第４樹脂側面８４に向けてｙ方向に延びている。ダイパッド部２５２ＡＢは、ｙ方向において封止樹脂８０の大部分にわたり形成されている。ダイパッド部２５２ＡＢは、第１実施形態のダイパッド部５２ＡＢと同様に、ｚ方向に対して垂直な方向（水平方向）に対して傾くように形成されている。
　ダイパッド部２５２ＡＢのうちｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りの第２部分のｘ方向の寸法は、ダイパッド部２５２ＡＢのうちｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りの第１部分のｘ方向の寸法よりも大きい。本実施形態では、第２部分は、第１部分に対してｘ方向において第１樹脂側面８１寄りに突出している。
　ｚ方向から視て、ダイパッド部２５２ＡＢは、第１リードフレーム２４０Ａのダイパッド部２４２ＡＢとｘ方向において対向配置されている。このため、ｘ方向は、ダイパッド部２５２ＡＢ，２４２ＡＢの配列方向であるともいえる。本実施形態では、ｚ方向から視たダイパッド部２５２ＡＢの面積は、ｚ方向から視たダイパッド部２４２ＡＢの面積と等しい。
　ダイパッド部２５２ＡＢは、ｘ方向において第２リードフレーム２５０Ｄのインナーリード２５２Ｄと対向配置されており、インナーリード２５２Ｂ～２５２Ｄよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。
　図２２に示すように、ダイパッド部２５２ＡＢは、パッド表面２５２Ａｓと、ｚ方向においてパッド表面２５２Ａｓと反対側を向くパッド裏面２５２Ａｒと、を有している。パッド表面２５２Ａｓは封止樹脂８０の樹脂主面８０ｓと同じ側を向き、パッド裏面２５２Ａｒは樹脂裏面８０ｒと同じ側を向いている。
　図２０に示すように、第２リードフレーム２５０Ｂのインナーリード２５２Ｂは、端子２５１Ｂと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。インナーリード２５２Ｂのｘ方向の長さは、リード部２５２ＡＡのｘ方向の長さよりも短い。インナーリード２５２Ｂは、ｘ方向においてダイパッド部２５２ＡＢと対向配置されており、ダイパッド部２５２ＡＢよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。
　インナーリード２５２Ｂには、貫通孔２５３Ｂが設けられている。貫通孔２５３Ｂ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム２５０Ｂが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム２５０Ｃのインナーリード２５２Ｃは、端子２５１Ｃと連続する部分であり、ｘ方向に延びている。ｚ方向から視て、インナーリード２５２Ｃの形状は、インナーリード２５２Ｂの形状と同じである。インナーリード２５２Ｃは、ｘ方向においてダイパッド部２５２ＡＢと対向配置されており、ダイパッド部２５２ＡＢよりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。
　インナーリード２５２Ｃには、貫通孔２５３Ｃが設けられている。貫通孔２５３Ｃ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム２５０Ｃが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　第２リードフレーム２５０Ｄのインナーリード２５２Ｄは、リード部２５２ＤＡおよびワイヤ接続部２５２ＤＢを含む。
　リード部２５２ＤＡは、端子２５１Ｄと連続する部分であり、第２樹脂側面８２からｘ方向に延びている。リード部２５２ＤＡには、貫通孔２５３Ｄが設けられている。貫通孔２５３Ｄ内に封止樹脂８０が充填されることによって第２リードフレーム２５０Ｄが封止樹脂８０に対してｚ方向に直交する方向に移動することを抑制できる。
　ワイヤ接続部２５２ＤＢは、ｘ方向においてリード部２５２ＤＡよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。本実施形態では、ワイヤ接続部２５２ＤＢは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りに配置されている。ｚ方向から視たワイヤ接続部２５２ＤＢの形状は、ｘ方向が短辺となり、ｙ方向が長辺となる略矩形状である。ワイヤ接続部２５２ＤＢは、ｚ方向から視て、リード部２５２ＤＡよりも第３樹脂側面８３に向けてｙ方向に延びている。
　ワイヤ接続部２５２ＤＢは、ｘ方向においてダイパッド部２５２ＡＢと対向配置されている。ワイヤ接続部２５２ＤＢの先端部は、インナーリード２５２Ｂよりも第３樹脂側面８３寄りに位置しており、リード部２５２ＡＡとｙ方向において対向している。つまり、ワイヤ接続部２５２ＤＢは、インナーリード２５２Ｂ，２５２Ｃとｘ方向において対向配置されている。ワイヤ接続部２５２ＤＢは、ｘ方向においてインナーリード２５２Ｂ，２５２Ｃよりも第１樹脂側面８１寄りに配置されている。このため、ワイヤ接続部２５２ＤＢは、ダイパッド部２５２ＡＢとインナーリード２５２Ｂ，２５２Ｃとのｘ方向の間に配置されているともいえる。なお、ワイヤ接続部２５２ＤＢのｙ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、ワイヤ接続部２５２ＤＢの先端は、インナーリード２５２Ｂよりも第４樹脂側面８４寄りに位置していてもよい。
　図２０に示すように、第１受光素子３０Ｐおよび第２発光素子２０Ｑの双方は、第２リードフレーム２５０Ａのダイパッド部２５２ＡＢに搭載されている。本実施形態では、第１受光素子３０Ｐはダイパッド部２５２ＡＢのｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りの部分（第１部分）に搭載され、第２発光素子２０Ｑはダイパッド部２５２ＡＢのｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りの部分（第２部分）に搭載されている。ｙ方向から視て、第２発光素子２０Ｑは、第１受光素子３０Ｐと重なる位置に配置されている。
　ｚ方向から視て、第１受光素子３０Ｐは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第３樹脂側面８３寄りに配置されている。第１受光素子３０Ｐは、ｘ方向において第１発光素子２０Ｐと対向配置されている。ｚ方向から視て、第２発光素子２０Ｑは、封止樹脂８０のｘ方向の中央よりも第２樹脂側面８２寄りかつ封止樹脂８０のｙ方向の中央よりも第４樹脂側面８４寄りに配置されている。第２発光素子２０Ｑは、ｘ方向において第２受光素子３０Ｑと対向配置されている。
　図２２に示すように、第１受光素子３０Ｐは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材１００Ｐによってダイパッド部２５２ＡＢのパッド表面２５２Ａｓに接合されている。第２発光素子２０Ｑは、はんだ、Ａｇペースト等の導電性接合材９０Ｑによってダイパッド部２５２ＡＢのパッド表面２５２Ａｓに接合されている。ここで、本実施形態では、導電性接合材１００Ｐは「第２接合材」に対応し、導電性接合材９０Ｑは「第１接合材」に対応している。
　第２発光素子２０Ｑは、第２リードフレーム２５０Ａおよび第１受光素子３０Ｐと電気的に接続されている。具体的には、図２０に示すように、第２発光素子２０Ｑの第２電極２２ＱはワイヤＷＦ１を介して第１受光素子３０Ｐに電気的に接続されている。ワイヤＷＦ１は、第２電極２２Ｑと、第１受光素子３０Ｐのｙ方向の両端部のうち第２発光素子２０Ｑに近い方の端部とを接続している。図２２に示すように、第２発光素子２０Ｑの第１電極２１Ｑは導電性接合材９０Ｑを介して第２リードフレーム２５０Ａに電気的に接続されている。本実施形態においては、第１電極２１Ｑはアノード電極であり、第２電極２２Ｑはカソード電極である。
　第１受光素子３０Ｐは、第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｄと電気的に接続されている。具体的には、図２０に示すように、第１受光素子３０ＰはたとえばワイヤＷＦ２～ＷＦ４を介して第２リードフレーム２５０Ａ～２５０Ｃに電気的に接続されている。ワイヤＷＦ２は、第２リードフレーム２５０Ｄのワイヤ接続部２５２ＤＢのｙ方向の両端部のうちリード部２５２ＡＡに近い方の端部に接続されている。ワイヤＷＦ３は、第２リードフレーム２５０Ｂのインナーリード２５２Ｂのうち貫通孔２５３Ｂよりも先端部に接続されている。ワイヤＷＦ４は、第２リードフレーム２５０Ｃのインナーリード２５２Ｃのうち貫通孔２５３Ｃよりも先端部に接続されている。第２受光素子３０Ｑは、導電性接合材１００Ｑを介して第２リードフレーム２５０Ａに電気的に接続されているこれらワイヤＷＦ１～ＷＦ４は、たとえばワイヤボンディング装置（図示略）によって形成されたボンディングワイヤである。ワイヤＷＦ１～ＷＦ４は、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の導電材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷＦ１～ＷＦ４は、Ａｕを含む材料によって形成されている。
　図２０に示すように、絶縁モジュール１０は、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑと、第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑと、封止樹脂８０と、を備えている。
　第１透明樹脂６０Ｐは、少なくとも第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐの双方を覆っている。より詳細には、第１透明樹脂６０Ｐは、ｚ方向から視て、第１発光素子２０Ｐの全体を覆う一方、第１受光素子３０Ｐの一部を覆っている。
　第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのｘ方向の中央よりも第１発光素子２０Ｐ寄りの部分を覆っている。本実施形態では、第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのうち第１半導体領域を覆っている。つまり、第１透明樹脂６０Ｐは、第１受光素子３０Ｐのうち第２半導体領域を覆っていない。このため、第１受光素子３０Ｐに接続された複数のワイヤＷＦ１～ＷＦ４はそれぞれ、第１透明樹脂６０Ｐよりも外側に配置されている。各ワイヤＷＦ２は、第１反射部材７０Ｐ内に配置されている。また各ワイヤＷＦ３，ＷＦ４の一部は第１反射部材７０Ｐ内に配置されており、残りの部分は第１反射部材７０Ｐよりも外側、すなわち封止樹脂８０内に配置されている。ワイヤＷＦ１は、第１反射部材７０Ｐ、封止樹脂８０、第２反射部材７０Ｑ、および第２透明樹脂６０Ｑにわたり配置されている。
　また、第１透明樹脂６０Ｐは、第１発光素子２０Ｐの全体を覆っているため、第１発光素子２０Ｐに接続されたワイヤＷＥ１の一部は、第１透明樹脂６０Ｐ内に配置されている。ワイヤＷＥ１の残りの部分は、第１透明樹脂６０Ｐよりも外側、すなわち第１反射部材７０Ｐ内に配置されている。つまり、ワイヤＷＥ１は、第１透明樹脂６０Ｐから第１反射部材７０Ｐまでにわたり設けられている。より詳細には、ワイヤＷＥ１は、第１透明樹脂６０Ｐ、第１反射部材７０Ｐ、封止樹脂８０、および第２反射部材７０Ｑにわたり配置されている。
　図２１に示すように、第１透明樹脂６０Ｐは、透明樹脂６０と同様に、導電性接合材９０Ｐの第２接合領域９２Ｐと接している。図２２に示すように、第１透明樹脂６０Ｐは、透明樹脂６０と同様に、導電性接合材１００Ｐの第２接合領域１０２Ｐと接している。
　第１透明樹脂６０Ｐの材料は、第１発光素子２０Ｐからの光を透過する材料によって形成されている。好ましくは、第１透明樹脂６０Ｐの材料は、第２発光素子２０Ｑからの光を遮光する材料によって形成されている。
　第１反射部材７０Ｐは、第１透明樹脂６０Ｐごと覆っている。本実施形態では、第１反射部材７０Ｐは、第１発光素子２０Ｐ、ダイパッド部２４２ＡＢの一部、第１受光素子３０Ｐ、ダイパッド部２５２ＡＢの一部、および第１透明樹脂６０Ｐを覆っている。第１反射部材７０Ｐの材料は、たとえば第１実施形態の透明樹脂６０と同じである。また第１反射部材７０Ｐおよび第１透明樹脂６０Ｐとの屈折率の関係は、第１実施形態の透明樹脂６０と反射部材７０との屈折率との関係と同じである。
　なお、図示していないが、第１透明樹脂６０Ｐをｘｚ平面で切った断面構造における第１透明樹脂６０Ｐの形状は、透明樹脂６０をｘｚ平面で切った断面構造における透明樹脂６０の形状（図４参照）と同じである。第１反射部材７０Ｐをｘｚ平面で切った断面構造における第１反射部材７０Ｐの形状は、反射部材７０をｘｚ平面で切った断面構造における反射部材７０Ｐの形状と同じである。
　第２透明樹脂６０Ｑは、少なくとも第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑの双方を覆っている。より詳細には、第２透明樹脂６０Ｑは、ｚ方向から視て、第２発光素子２０Ｑの全体を覆う一方、第２受光素子３０Ｑの一部を覆っている。第２透明樹脂６０Ｑによって第２受光素子３０Ｑを覆う態様は、第１透明樹脂６０Ｐによって第１受光素子３０Ｐを覆う態様と同じであるため、その詳細な説明を省略する。また第２透明樹脂６０ＱとワイヤＷＥ１～ＷＥ４，ＷＦ１～ＷＦ４との関係は、第１透明樹脂６０ＰとワイヤＷＥ１～ＷＥ４，ＷＦ１～ＷＦ４との関係と同じであるため、その詳細な説明を省略する。また第２透明樹脂６０Ｑと導電性接合材９０Ｑ，１００Ｑとの関係は、第１透明樹脂６０Ｐと導電性接合材９０Ｐ，１００Ｐとの関係と同じであるため、その詳細な説明を省略する。
　第２透明樹脂６０Ｑの材料は、第２発光素子２０Ｑからの光を透過する材料によって形成されている。好ましくは、第２透明樹脂６０Ｑの材料は、第１発光素子２０Ｐからの光を遮光する材料によって形成されている。
　第２反射部材７０Ｑは、第２透明樹脂６０Ｑごと覆っている。本実施形態では、第２反射部材７０Ｑは、第２発光素子２０Ｑ、ダイパッド部２４２ＡＢの一部、第２受光素子３０Ｑ、ダイパッド部２５２ＡＢの一部、および第２透明樹脂６０Ｑを覆っている。
　なお、第２透明樹脂６０Ｑの形状は第１透明樹脂６０Ｐの形状と同じであり、第２反射部材７０Ｑの形状は第１反射部材７０Ｐと同じである。また、第２反射部材７０Ｑの材料は、第１反射部材７０Ｐの材料と同じである。また第２反射部材７０Ｑおよび第２透明樹脂６０Ｑとの屈折率の関係は、第１実施形態の透明樹脂６０と反射部材７０との屈折率との関係と同じである。本実施形態では、第１実施形態と同様に、第１透明樹脂６０Ｐと第１反射部材７０Ｐとの境界面において、第１発光素子２０Ｐから出射した光が全反射しないように構成されている。また第２透明樹脂６０Ｑと第２反射部材７０Ｑとの境界面において、第２発光素子２０Ｑから出射した光が全反射しないように構成されている。
　図２０～図２２に示すとおり、第１透明樹脂６０Ｐと第２透明樹脂６０Ｑとは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。ｙ方向から視て、第１透明樹脂６０Ｐと第２透明樹脂６０Ｑとは互いに重なる部分と、互いに重ならない部分とを有している。つまり、第１透明樹脂６０Ｐと第２透明樹脂６０Ｑとは、その一部においてｘ方向にずれて配置されている。第１透明樹脂６０Ｐは、第２透明樹脂６０Ｑに対して第１樹脂側面８１寄りにずれている。
　第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとの間には、封止樹脂８０が介在している。つまり、封止樹脂８０は、第１反射部材７０Ｐと第２反射部材７０Ｑとを分離する分離壁部８９を有している。分離壁部８９は、ｚ方向において第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの双方の全体にわたり形成されている。また、分離壁部８９は、ｘ方向において第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの双方の全体にわたり形成されている。
　（電気的構成）
　次に、絶縁モジュール１０の電気的構成について説明する。図２３は、絶縁モジュール１０の回路構成、および絶縁モジュール１０とインバータ回路５００との接続構成をそれぞれ簡略的に示す回路図である。本実施形態のインバータ回路５００は、第１実施形態と同様の回路構成である。
　絶縁モジュール１０の端子２５１Ａには、制御電源５０３の正極が電気的に接続されている。絶縁モジュール１０の端子２５１Ｄは、第１スイッチング素子５０１のソースと第２スイッチング素子５０２のドレインとの間に電気的に接続されている。
　図２３に示すように、絶縁モジュール１０は、第１発光用ダイオード２０ＡＰ、第２発光用ダイオード２０ＡＱ、第１受光用ダイオード３０ＡＰ、第２受光用ダイオード３０ＡＱ、第１制御回路２３０Ａ、および第２制御回路２３０Ｂを有している。各発光用ダイオード２０ＡＰ，２０ＡＱおよび各受光用ダイオード３０ＡＰ，３０ＡＱの構成は、第７実施形態と同様である。
　第１発光用ダイオード２０ＡＰは端子２４１Ａ，２４１Ｄに接続されている。具体的には、第１発光用ダイオード２０ＡＰの第１電極２１Ｐ（カソード電極）は端子２４１Ａに電気的に接続され、第２電極２２Ｐ（アノード電極）は端子２４１Ｄに電気的に接続されている。端子２４１Ａには、制御電源５０４が電気的に接続されている。制御電源５０４は、第１発光用ダイオード２０ＡＰおよび第１制御回路２３０Ａに駆動電圧を供給する。
　第１受光用ダイオード３０ＡＰは第２制御回路２３０Ｂと電気的に接続されている一方、第１発光用ダイオード２０ＡＰと絶縁されている。換言すると、第１発光用ダイオード２０ＡＰは、第２制御回路２３０Ｂと絶縁されている。一方、第２発光用ダイオード２０ＡＱは、第２制御回路２３０Ｂと電気的に接続されている。第１受光用ダイオード３０ＡＰの第１電極３１Ｐ（アノード電極）および第２電極３２Ｐ（カソード電極）の双方は、第２制御回路２３０Ｂに電気的に接続されている。第１制御回路２３０Ａは、端子２４１Ａ～２４１Ｄに電気的に接続されている。
　第２発光用ダイオード２０ＡＱは端子２５１Ａ，２５１Ｄに接続されている。具体的には、第２発光用ダイオード２０ＡＱの第１電極２１Ｑ（カソード電極）は端子２５１Ａに電気的に接続され、第２電極２２Ｑ（アノード電極）は端子２５１Ｄに電気的に接続されている。端子２５１Ｄには、制御電源５０３が電気的に接続されている。制御電源５０３は、第２発光用ダイオード２０ＡＱおよび第２制御回路２３０Ｂに駆動電圧を供給する。
　第２受光用ダイオード３０ＡＱは第１制御回路２３０Ａと電気的に接続されている一方、第２発光用ダイオード２０ＡＱと絶縁されている。換言すると、第２発光用ダイオード２０ＡＱは、第１制御回路２３０Ａと絶縁されている。一方、第１発光用ダイオード２０ＡＰは、第１制御回路２３０Ａと電気的に接続されている。第２受光用ダイオード３０ＡＱの第１電極３１Ｑ（アノード電極）および第２電極３２Ｑ（カソード電極）の双方は、第１制御回路２３０Ａに電気的に接続されている。第２制御回路２３０Ｂは、端子２５１Ａ～２５１Ｄに電気的に接続されている。
　このように、第１発光用ダイオード２０ＡＰおよび第１受光用ダイオード３０ＡＰは、端子２５１Ａ～２５１Ｄ、つまりインバータ回路５００から端子２４１Ａ～２４１Ｄに信号を伝達する第１フォトカプラを構成している。第２発光用ダイオード２０ＡＱおよび第２受光用ダイオード３０ＡＱは、端子２４１Ａ～２４１Ｄから端子２５１Ａ～２５１Ｄに信号を伝達する第２フォトカプラを構成している。つまり、本実施形態の絶縁モジュール１０は、信号を双方向に伝達するように構成されている。端子２４１Ａ～２４１Ｄと端子２５１Ａ～２５１Ｄとは、第１フォトカプラおよび第２フォトカプラによって絶縁されている。
　次に、各制御回路２３０Ａ，２３０Ｂの構成について説明する。
　第１制御回路２３０Ａは、第１シュミットトリガ２３１Ａ、第１出力部２３２Ａ、第１電流源２３３Ａ、および第１ドライバ２３４Ａを有している。第１電流源２３３Ａおよび第１ドライバ２３４Ａによって第２発光用ダイオード２０ＡＱを駆動させる駆動部を構成している。
　第１シュミットトリガ２３１Ａおよび第１出力部２３２Ａの構成は、第７実施形態と同様である。第１シュミットトリガ２３１Ａと第１受光用ダイオード３０ＡＰとの接続態様と、第１シュミットトリガ２３１Ａと第１出力部２３２Ａとの接続態様とは、第７実施形態と同様である。一方、第１出力部２３２Ａが端子２４１Ａ，２４１Ｃ，２４１Ｄに接続する点は、第７実施形態とは異なる。つまり、第１制御回路２３０Ａは、インバータ回路５００が電気的に接続される端子２５１Ｂ～２５１Ｄではなく、端子２４１Ａ，２４１Ｃ，２４１Ｄに接続されている。第１出力部２３２Ａは、第７実施形態と同様に、ＣＭＯＳを構成する第１スイッチング素子２３２Ａａおよび第２スイッチング素子２３２Ａｂを有している。
　第１電流源２３３Ａは、端子２４１Ｄと第１発光用ダイオード２０ＡＰの第２電極２２Ｐとに電気的に接続されている。これにより、端子２４１Ｄから第１発光用ダイオード２０ＡＰに一定の電流を供給できる。
　第１ドライバ２３４Ａは、第１電流源２３３Ａと端子２４１Ｂとの双方に電気的に接続されている。第１ドライバ２３４Ａは、第１発光用ダイオード２０ＡＰへの電流の供給を制御する回路である。つまり、絶縁モジュール１０の外部から端子２４１Ｂに供給された制御信号に基づいて第１ドライバ２３４Ａは、第１発光用ダイオード２０ＡＰへの電流の供給を制御する。一例では、制御信号が第１ドライバ２３４Ａに入力されたとき、第１ドライバ２３４Ａは、第１発光用ダイオード２０ＡＰに電流を供給する。一方、制御信号が第１ドライバ２３４Ａに入力されていないとき、第１ドライバ２３４Ａは、第１発光用ダイオード２０ＡＰに電流を供給しない。
　第２制御回路２３０Ｂは、第２シュミットトリガ２３１Ｂ、第２出力部２３２Ｂ、第２電流源２３３Ｂ、および第２ドライバ２３４Ｂを有している。第２電流源２３３Ｂおよび第２ドライバ２３４Ｂによって第２発光用ダイオード２０ＡＱを駆動させる駆動部を構成している。
　第２シュミットトリガ２３１Ｂおよび第２出力部２３２Ｂの構成は、第７実施形態と同様である。第２シュミットトリガ２３１Ｂと第１受光用ダイオード３０ＡＰとの接続態様と、第２シュミットトリガ２３１Ｂと第２出力部２３２Ｂとの接続態様と、第２出力部２３２Ｂと端子２５１Ａ，２５１Ｂ，２５１Ｄとの接続態様は、第７実施形態と同様である。第２出力部２３２Ｂは、第７実施形態と同様に、ＣＭＯＳを構成する第１スイッチング素子２３２Ｂａおよび第２スイッチング素子２３２Ｂｂを有している。
　第２電流源２３３Ｂは、端子２５１Ｄと第２発光用ダイオード２０ＡＱの第２電極２２Ｑとに電気的に接続されている。これにより、端子２５１Ｄから第２発光用ダイオード２０ＡＱに一定の電流を供給できる。
　第２ドライバ２３４Ｂは、第２電流源２３３Ｂと端子２５１Ｃとの双方に電気的に接続されている。第２ドライバ２３４Ｂは、第２発光用ダイオード２０ＡＱへの電流の供給を制御する回路である。つまり、絶縁モジュール１０の外部から端子２５１Ｃに供給された制御信号に基づいて第２ドライバ２３４Ｂは、第２発光用ダイオード２０ＡＱへの電流の供給を制御する。一例では、制御信号が第２ドライバ２３４Ｂに入力されたとき、第２ドライバ２３４Ｂは、第２発光用ダイオード２０ＡＱに電流を供給する。一方、制御信号が第２ドライバ２３４Ｂに入力されていないとき、第２ドライバ２３４Ｂは、第２発光用ダイオード２０ＡＱに電流を供給しない。
　本実施形態では、端子２５１Ｃには、インバータ回路５００の第１スイッチング素子５０１のソースと第２スイッチング素子５０２のドレインとの間の電圧を検出する検出回路５０５が電気的に接続されている。検出回路５０５は、第１スイッチング素子５０１のソースと第２スイッチング素子５０２のドレインとの間の電圧が過度に高い電圧を検出した場合、制御信号として異常信号を端子２５１Ｃに供給する。一例では、検出回路５０５は、第１スイッチング素子５０１のソースと第２スイッチング素子５０２のドレインとの間の電圧が予め設定されたしきい値よりも高くなると異常信号を端子２５１Ｃに供給するように構成されている。
　このように、端子２４１Ａ～２４１Ｄは、第１発光用ダイオード２０ＡＰ（第１発光素子２０Ｐ）および第１受光用ダイオード３０ＡＰ（第１受光素子３０Ｐ）からなる第１フォトカプラと、第２発光用ダイオード２０ＡＱ（第２発光素子２０Ｑ）および第２受光用ダイオード３０ＡＱ（第２受光素子３０Ｑ）からなる第２フォトカプラとによって、端子２５１Ａ～２５１Ｄと絶縁されている。
　なお、本実施形態の絶縁モジュール１０について、第１制御回路２３０Ａは、第１電流源２３３Ａに代えて、電流制限抵抗を有していてもよい。第２制御回路２３０Ｂは、第２電流源２３３Ｂに代えて、電流制限抵抗を有していてもよい。
　また、第１制御回路２３０Ａから第１ドライバ２３４Ａおよび第１電流源２３３Ａを省略してもよい。この場合、第１発光用ダイオード２０ＡＰの第１電極２１Ｐは端子２４１Ａに電気的に接続され、第２電極２２Ｐは端子２４１Ｄに電気的に接続される。第２制御回路２３０Ｂから第２ドライバ２３４Ｂおよび第２電流源２３３Ｂを省略してもよい。この場合、第２発光用ダイオード２０ＡＱの第１電極２１Ｑは端子２５１Ａに電気的に接続され、第２電極２２Ｑは端子２５１Ｄに電気的に接続される。
　（第８実施形態の効果）
　本実施形態の絶縁モジュール１０によれば、第１実施形態の効果および第７実施形態の（７－２），（７－３）の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（８－１）絶縁モジュール１０は、第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐによって構成される第１フォトカプラと、第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑによって構成される第２フォトカプラと、を備えている。第１発光素子２０Ｐは第１リードフレーム２４０に電気的に接続されており、第２発光素子２０Ｑは第２リードフレーム２５０に電気的に接続されている。第１受光素子３０Ｐは第２リードフレーム２５０に電気的に接続されており、第２受光素子３０Ｑは第１リードフレーム２４０に電気的に接続されている。
　この構成によれば、第１フォトカプラは第１リードフレーム２４０から第２リードフレーム２５０に向けて信号を伝達し、第２フォトカプラは第２リードフレーム２５０から第１リードフレーム２４０に向けて信号を伝達する。このように、絶縁モジュール１０は、双方向に信号を伝達することができる。
　［変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する絶縁モジュールが取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する絶縁モジュールは、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは省略した形態、または上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記各実施形態に共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付してその説明を省略する。
　・第１～第７実施形態は、互いに組み合わせることができる。
　・第１～第６，第８実施形態は、互いに組み合わせることができる。
　・第１～第６実施形態において、反射部材７０の屈折率が透明樹脂６０の屈折率よりも小さくなり、反射部材７０の発光側対向部７５Ａにおける反射部材７０と透明樹脂６０との界面の角度が臨界角以上となるように構成されていてもよい。
　この構成によれば、発光素子２０から出射する光が発光側対向部７５Ａにおける反射部材７０と透明樹脂６０との界面で全反射する。これにより、反射によって発光素子２０からの光が弱められないため、受光素子３０における発光素子２０からの光の受光量の低下を抑制できる。なお、第７および第８実施形態の第１反射部材７０Ｐおよび第１透明樹脂６０Ｐと、第２反射部材７０Ｑおよび第２透明樹脂６０Ｑとの少なくとも一方についても、上述の反射部材７０および透明樹脂６０のように変更してもよい。
　・第１～第６実施形態において、反射部材７０の屈折率と透明樹脂６０の屈折率とが互いに等しくてもよい。たとえば、反射部材７０は、透明樹脂６０の屈折率と同じ屈折率となる材料によって形成される。なお、第７および第８実施形態において、第１反射部材７０Ｐの屈折率と第１透明樹脂６０Ｐの屈折率とが互いに等しくてもよいし、第２反射部材７０Ｑの屈折率と第２透明樹脂６０Ｑの屈折率とが互いに等しくてもよい。
　・第１、第３～第６実施形態において、透明樹脂６０から無機物粒子６５を省略してもよい。
　・第７および第８実施形態において、第１透明樹脂６０Ｐから無機物粒子６５を省略してもよい。第２透明樹脂６０Ｑから無機物粒子６５を省略してもよい。
　・第７および第８実施形態において、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑは無機物粒子６５を含んでおらず、第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑの少なくとも一方が無機物粒子７７を含んでいる構成であってもよい。
　・第７および第８実施形態において、第１透明樹脂６０Ｐおよび第１反射部材７０Ｐの少なくとも一方が第１発光素子２０Ｐからの光を吸収または反射する無機物粒子を含んでいてもよい。また、第２透明樹脂６０Ｑおよび第２反射部材７０Ｑの少なくとも一方が第２発光素子２０Ｑからの光を吸収または反射する無機物粒子を含んでいてもよい。
　・各実施形態において、反射部材７０、第１反射部材７０Ｐ、および第２反射部材７０Ｑの形状は任意に変更可能である。一例では、反射部材７０の発光側対向部７５Ａが受光側対向部７５Ｂの厚さ以上に形成されていてもよい。
　・各実施形態において、導電性接合材９０（９０Ｐ，９０Ｑ），１００（１００Ｐ，１００Ｑ）の少なくとも一方は、たとえば透明な導電材料または光を吸収する導電材料によって構成されていてもよい。つまり、導電性接合材９０（９０Ｐ，９０Ｑ），１００（１００Ｐ，１００Ｑ）の少なくとも一方は、発光素子２０（２０Ｐ，２０Ｑ）からの光を反射しない材料によって形成されていてもよい。
　・第７および第８実施形態において、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑを構成する材料は任意に変更可能である。一例では、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑは、互いに同じ材料によって形成されていてもよい。つまり、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑの双方は、第１発光素子２０Ｐの第１波長の光および第２発光素子２０Ｑの第２波長の光の双方を透過可能に構成されていてもよい。
　・第７および第８実施形態において、図２４に示すように、絶縁モジュール１０は、第１反射部材７０Ｐおよび第２反射部材７０Ｑに代えて、第１透明樹脂６０Ｐおよび第２透明樹脂６０Ｑの双方を覆う反射部材７０を備えていてもよい。反射部材７０は、第１透明樹脂６０Ｐと第２透明樹脂６０Ｑとのｙ方向の間に介在している。つまり、反射部材７０によって、第１発光素子２０Ｐおよび第１受光素子３０Ｐを覆う透明樹脂と、第２発光素子２０Ｑおよび第２受光素子３０Ｑを覆う透明樹脂とを分離している。図示された例においては、封止樹脂８０の分離壁部８９が省略されている。
　・第１～第６実施形態では、反射部材７０は、受光素子３０の全体を覆っていたが、これに限られない。反射部材７０は、受光素子３０の第２半導体領域の一部を覆うように設けられてもよい。つまり、第１～第６実施形態と比較して、反射部材７０の体積を小さくしてもよい。これにより、反射部材７０と封止樹脂８０との熱膨張の差による反射部材７０および封止樹脂８０への影響を低減できる。
　・各実施形態において、反射部材７０、第１反射部材７０Ｐ、および第２反射部材７０Ｑから下方部分７６を省略してもよい。
　・第１～第６実施形態において、絶縁モジュール１０は、発光素子２０と受光素子３０との間の距離を短くするように構成されていてもよい。一例では、図２５に示すように、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢおよび第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、たとえば第４実施形態のようにｘ方向において互いに接近するように延びている。発光素子２０は、ダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部５２ＡＢに近い方の端部において導電性接合材９０によって接合されている。受光素子３０は、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の両端部のうちダイパッド部４２ＣＢに近い方の端部において導電性接合材１００によって接合されている。このため、図示された例においては、第１実施形態と比較して、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離を短くなる。なお、図２５に示す例において、透明樹脂６０から無機物粒子６５を省略してもよい。また、反射部材７０が無機物粒子７７を含む構成に変更してもよい。
　この構成によれば、発光素子２０と受光素子３０とのｘ方向の間の距離を短くできる。つまり、発光素子２０から出射した光が受光素子３０に入射するまでの光路の距離が短くできる。したがって、受光素子３０の受光量を増やすことができる。
　・図２５の変更例において、図２６に示すように、透光性および絶縁性の双方を有する板状部材３００をダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間に設けてもよい。板状部材３００は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢの配列方向であるｘ方向を厚さ方向としてｚ方向に延びている。図示された例においては、板状部材３００は、ダイパッド部４２ＣＢ，５２ＡＢのパッド表面４２ｓ，５２ｓよりも上方に延びている。板状部材３００は、その上端面が受光素子３０の受光面３３とｚ方向において同じ位置となるように配置されている。板状部材３００は、受光素子３０の受光面３３よりも上方に突出しないことが好ましい。図示された例においては、板状部材３００は、反射部材７０の下方部分７６をｚ方向に貫通している。板状部材３００のうち透明樹脂６０の下端面６４よりも下方の部分のｚ方向の長さは、透明樹脂６０の下端面６４よりも上方の部分のｚ方向の長さよりも長い。
　この構成によれば、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間における沿面距離を延ばすことができる。したがって、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとの間の絶縁性を高めることができる。
　・第１～第６実施形態において、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢは、その厚さ方向がｚ方向となるように配置されていてもよい。つまり、ダイパッド部４２ＣＢは、ｚ方向に直交する方向に延びるように配置されていてもよい。なお、第７実施形態のダイパッド部１４２ＡＢ，１４２ＤＢおよび第８実施形態のダイパッド部２４２ＡＢについても同様に変更できる。
　・第１～第６実施形態において、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢは、その厚さ方向がｚ方向となるように配置されていてもよい。つまり、ダイパッド部５２ＡＢは、ｚ方向に直交する方向に延びるように配置されていてもよい。なお、第７実施形態のダイパッド部１５２ＡＢおよび第８実施形態のダイパッド部２５２ＡＢについても同様に変更できる。
　・第１～第６実施形態において、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢのｘ方向の両端縁のうち第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢに近い方の端縁に、ダイパッド部５２ＡＢの突起５８Ａと同様の突起が設けられていてもよい。
　・第１～第６実施形態において、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢから突起５８Ａを省略してもよい。
　・第１～第６実施形態において、第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢに設けられた吊りリード５５Ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、図２７に示すように、吊りリード５５Ａは、ダイパッド部５２ＡＢのｙ方向の両端部のうち第４樹脂側面８４に近い方の端部から第４樹脂側面８４に向けてｙ方向に延びていてもよい。この場合、吊りリード５５Ａは、第４樹脂側面８４から露出している。ここで、吊りリード５５Ａがダイパッド部５２ＡＢから引き出された樹脂側面である第４樹脂側面８４は「吊りリード面」に対応し、第１樹脂側面８１および第２樹脂側面８２は「端子面」に対応している。
　この構成によれば、第２樹脂側面８２のうち端子５１Ｂと端子５１Ｃとのｙ方向の間から吊りリード５５Ａが露出しないため、端子５１Ｂと端子５１Ｃとの間の凹凸部８８の凹凸の数を増やすことができる。このため、端子５１Ｂと端子５１Ｃとの間の絶縁性を高めることができる。
　・第１～第６実施形態において、第１リードフレーム４０Ｃのダイパッド部４２ＣＢは、ｘ方向において第２リードフレーム５０Ａのダイパッド部５２ＡＢよりも長く形成されていてもよい。つまり、発光素子が搭載されるダイパッド部は、ｘ方向において受光素子が搭載されるダイパッド部よりも長く形成されていてもよい。この場合、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さよりも短くてもよい。なお、ダイパッド部４２ＣＢとダイパッド部５２ＡＢとのｘ方向の間の距離は、任意に変更可能であり、ダイパッド部５２ＡＢのｘ方向の長さ以上であってもよい。
　・第１～第６実施形態において、第１樹脂側面８１における端子４１Ａと端子４１Ｂとの間の部分の凹凸部８７と、端子４１Ｂと端子４１Ｃとの間の部分の凹凸部８７と、端子４１Ｃと端子４１Ｄとの間の部分の凹凸部８７との少なくとも１つを省略してもよい。
　・第１～第６実施形態において、第２樹脂側面８２における端子５１Ａと端子５１Ｂとの間の部分の凹凸部８８と、端子５１Ｂと吊りリード５５Ａとの間の部分の凹凸部８８と、吊りリード５５Ａと端子５１Ｃとの間の部分の凹凸部８８と、端子５１Ｃと端子５１Ｄとの間の部分の凹凸部８８との少なくとも１つを省略してもよい。
　・第７および第８実施形態において、第１樹脂側面８１における端子１４１Ａ（２４１Ａ）と端子１４１Ｂ（２４１Ｂ）との間の部分と、端子１４１Ｂ（２４１Ｂ）と端子１４１Ｃ（２４１Ｃ）との間の部分と、端子１４１Ｃ（２４１Ｃ）と端子１４１Ｄ（２４１Ｄ）との間の部分との少なくとも１つに凹凸部８７を設けてもよい。
　・第７および第８実施形態において、第２樹脂側面８２における端子１５１Ａ（２５１Ａ）と端子１５１Ｂ（２５１Ｂ）との間の部分と、端子１５１Ｂ（２５１Ｂ）と端子１５１Ｃ（２５１Ｃ）との間の部分と、端子１５１Ｃ（２５１Ｃ）と端子１５１Ｄ（２５１Ｄ）との間の部分との少なくとも１つに凹凸部８８を設けてもよい。
　・第１～第６実施形態において、第８実施形態のようにドライバおよび電流源を有していてもよい。電流源は、端子４１Ｃと発光用ダイオード２０Ａとの間に設けられる。ドライバは、たとえば端子４１Ｄと電流源とを接続するように設けられる。これにより、端子４１Ｄに入力される信号に応じて発光用ダイオード２０Ａに供給される電流が制御される。
　・第７実施形態において、第８実施形態のように、第１発光用ダイオード２０ＡＰを駆動する第２ドライバ２３４Ｂおよび第２電流源２３３Ｂと、第２発光用ダイオード２０ＡＱを駆動する第１ドライバ２３４Ａおよび第１電流源２３３Ａと、を有していてもよい。
　（受光素子の構成）
　・上記各実施形態において、受光素子３０、第１受光素子３０Ｐ、および第２受光素子３０Ｑの構成はそれぞれ任意に変更可能である。たとえば、図２８は第１受光素子３０Ｐの第１変更例の構成を示し、図２９は第１受光素子３０Ｐの第２変更例の構成を示し、図３０は第１受光素子３０Ｐの第３変更例の構成を示している。図２８～図３０は、第１受光素子３０Ｐの素子主面３０Ｐｓ付近の断面構造を示している。図２８～図３０では、第１受光素子３０Ｐの素子主面３０Ｐｓのうち光電変換素子３５ＰＡおよびその周辺の断面構造を拡大して示している。第１受光素子３０Ｐの素子主面３０Ｐｓのうち制御回路３５ＰＢおよびその周辺の断面構造は、第１変更例～第３変更例において互いに同じである。このため、第２変更例および第３変更例において第１変更例と共通する構成は同一符号を付してその説明を省略する。
　図２８に示すように、第１変更例の第１受光素子３０Ｐは、半導体基板３４Ｐと、半導体基板３４Ｐの表面３４Ｐｓに形成された絶縁配線層３５ＰＣと、絶縁配線層３５ＰＣ上に積層された絶縁層３６Ｐと、を備えている。
　半導体基板３４Ｐは、第１受光素子３０Ｐの素子裏面３０Ｐｒ（図２２参照）を構成するものである。すなわち、半導体基板３４Ｐのうち表面３４Ｐｓとは反対側を向く裏面（図示略）は、素子裏面３０Ｐｒを構成している。半導体基板３４Ｐは、たとえばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成された基板が用いられている。半導体基板３４Ｐのうち第１半導体領域３４ＰＡには、光電変換素子３５ＰＡが設けられている。半導体基板３４Ｐのうち第２半導体領域３４ＰＢには、制御回路３５ＰＢが設けられている。制御回路３５ＰＢは、たとえば光電変換素子３５ＰＡからの信号を受信する回路である。
　絶縁配線層３５ＰＣは、光電変換素子３５ＰＡと制御回路３５ＰＢとを電気的に接続する配線を含む。絶縁配線層３５ＰＣは、ｚ方向から視て、光電変換素子３５ＰＡと制御回路３５ＰＢとの双方に重なるように形成されている。
　絶縁層３６Ｐは、光電変換素子３５ＰＡおよび制御回路３５ＰＢの上に積層されている。つまり、絶縁層３６Ｐは、半導体基板３４Ｐの第１半導体領域３４ＰＡおよび第２半導体領域３４ＰＢの双方にわたり設けられている。第１変更例では、絶縁層３６Ｐは、絶縁配線層３５ＰＣ上の全体にわたり形成されている。
　絶縁層３６Ｐは、光電変換素子３５ＰＡ上に形成された第１絶縁部３６ＰＡと、制御回路３５ＰＢ上に形成された第２絶縁部３６ＰＢと、を含む。第１絶縁部３６ＰＡは第１半導体領域３４ＰＡに対応する部分であり、第２絶縁部３６ＰＢは第２半導体領域３４ＰＢに対応する部分であるともいえる。絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓは、素子主面３０Ｐｓを構成している。絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓのうち第１絶縁部３６ＰＡに対応する部分は、受光面３３Ｐを構成している。
　絶縁層３６Ｐは、ｚ方向において互いに積層された複数の絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥと、絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥ内に設けられた複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥと、これら配線層３８ＰＡ～３８ＰＥを接続するビア３９ＰＡ～３９ＰＤと、を有している。第１変更例では、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥおよびビア３９ＰＡ～３９ＰＤは、第２絶縁部３６ＰＢに設けられている。換言すると、第１変更例では、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥおよびビア３９ＰＡ～３９ＰＤは、第１絶縁部３６ＰＡに設けられていない。ここで、第１変更例では、第２絶縁部３６ＰＢに設けられた複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは「第１配線層」に対応している。
　図２８に示すとおり、複数の絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥは、この順に絶縁配線層３５ＰＣ上に積層されている。各絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥは層間絶縁膜であり、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって形成されている。
　第１変更例では、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは、制御回路３５ＰＢに接続される配線が主に形成される層であり、絶縁層３６Ｐのうち第２絶縁部３６ＰＢに設けられている。換言すると、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは、絶縁層３６Ｐのうち第１絶縁部３６ＰＡには設けられていない。図示された例においては、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは、ｚ方向から視て互いに重なるように配置されている。各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは、Ａｌ、Ｔｉ（チタン）等の金属材料によって形成されている。
　配線層３８ＰＡは、絶縁膜３７ＰＡに埋め込まれている。配線層３８ＰＡはたとえば半導体基板３４Ｐと電気的に接続されている。
　配線層３８ＰＢは、絶縁膜３７ＰＢに埋め込まれている。配線層３８ＰＡと配線層３８ＰＢとは複数のビア３９ＰＡによって接続されている。各ビア３９ＰＡは、絶縁膜３７ＰＡに埋め込まれており、ｚ方向に延びている。
　配線層３８ＰＣは、絶縁膜３７ＰＣに埋め込まれている。配線層３８ＰＢと配線層３８ＰＣとは複数のビア３９ＰＢによって接続されている。各ビア３９ＰＢは、絶縁膜３７ＰＢに埋め込まれており、ｚ方向に延びている。
　配線層３８ＰＤは、絶縁膜３７ＰＤに埋め込まれている。配線層３８ＰＣと配線層３８ＰＤとは複数のビア３９ＰＣによって接続されている。各ビア３９ＰＣは、絶縁膜３７ＰＣに埋め込まれており、ｚ方向に延びている。
　配線層３８ＰＥは、絶縁膜３７ＰＥに埋め込まれている。配線層３８ＰＤと配線層３８ＰＥとは複数のビア３９ＰＤによって接続されている。各ビア３９ＰＤは、絶縁膜３７ＰＤに埋め込まれており、ｚ方向に延びている。
　なお、第１変更例では、複数の配線層３８ＰＡ～３８ＰＥが複数の絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥに対応して設けられていたが、これに限られない。第２絶縁部３６ＰＢは、配線層が設けられていない絶縁膜を有していてもよい。また、第２変更例および第３変更例についても第２絶縁部３６ＰＢの構成を同様に変更できる。
　また、第１変更例において、第１絶縁部３６ＰＡに配線層３８ＰＡ～３８ＰＥが設けられていてもよい。この場合、光電変換素子３５ＰＡは、ｚ方向から視て、配線層３８ＰＡ～３８ＰＥからはみ出した領域を有している。
　ｚ方向から視て、光電変換素子３５ＰＡ上に設けられた各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥの各層の面積（以下、単に各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥの面積という）を調整することによって、光電変換素子３５ＰＡの受光量を調整してもよい。すなわち、絶縁モジュール１０の設計時において、光電変換素子３５ＰＡの受光量が予め設定された範囲内となるように、各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥの面積を設定する。一例では、ｚ方向において、反射部材７０によって反射された光が絶縁層３６に突入した後、各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する光の割合が６０％以上７０％以下となるように各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥのそれぞれの面積が設定される。ここで、各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する割合は、６０％以上７０％以下に限られず、たとえば３０％以上４０％以下、４０％以上５０％以下、５０％以上６０％以下、７０％以上８０％以下、８０％以上９０％以下等であってもよい。このように、各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する光の割合は、光電変換素子３５ＰＡの特性等に合わせて各配線層３８ＰＡ～３８ＰＥの配線パターンを調整することによって適宜調整される。
　図２９に示すように、第２変更例の第１受光素子３０Ｐでは、絶縁層３６Ｐのうち第１半導体領域３４ＰＡに対応する第１絶縁部３６ＰＡにも配線層が設けられている。一方、第１絶縁部３６ＰＡに設けられた配線層は、第２絶縁部３６ＰＢの配線層３８ＰＡ～３８ＰＥと層数が異なる。より詳細には、第１絶縁部３６ＰＡおよび第２絶縁部３６ＰＢでは、絶縁膜の積層数（絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥ）が互いに等しい。一方、第１絶縁部３６ＰＡの配線層の層数は、第２絶縁部３６ＰＢ（図２８参照）の層数（配線層３８ＰＡ～３８ＰＥ）よりも少なくなる。つまり、第１絶縁部３６ＰＡは、配線層が形成されていない絶縁膜を少なくとも１つ有している。第２変更例では、第１絶縁部３６ＰＡは、配線層３８ＰＢ，３８ＰＤを有していない。このため、第１絶縁部３６ＰＡにおいて、絶縁膜３７ＰＢ，３７ＰＤは、配線層が形成されていない絶縁膜となる。第２変更例では、ビア３９ＰＡが配線層３８ＰＡと配線層３８ＰＣとを接続し、ビア３９ＰＣが配線層３８ＰＣと配線層３８ＰＥとを接続している。ここで、第２変更例では、第１絶縁部３６ＰＡの配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥは「第２配線層」に対応し、第２絶縁部３６ＰＢの配線層３８ＰＡ～３８ＰＥは「第１配線層」に対応している。
　このように、第２変更例の第１受光素子３０Ｐでは、第２絶縁部３６ＰＢには、少なくとも１つの第１配線層が形成されており、第１絶縁部３６ＰＡには、配線層が形成されていない層が少なくとも１つ設けられているともいえる。また、第２変更例の第１受光素子３０Ｐでは、第２絶縁部３６ＰＢには、複数の第１配線層が形成されており、第１絶縁部３６ＰＡには、第２絶縁部３６ＰＢよりも少ない数の第２配線層が形成されているともいえる。
　第１絶縁部３６ＰＡにおける配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥは、ｚ方向から視て、光電変換素子３５ＰＡと重なる位置に設けられている。第２変更例では、光電変換素子３５ＰＡは、ｚ方向から視て、配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥからはみ出した領域を有している。光電変換素子３５ＰＡのうち配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥからはみ出した領域上には、絶縁膜３７ＰＡ～３７ＰＥが設けられている。
　ｚ方向から視て、光電変換素子３５ＰＡ上に設けられた各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥの各層の面積（以下、単に各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥの面積という）を調整することによって、光電変換素子３５ＰＡの受光量を調整してもよい。すなわち、絶縁モジュール１０の設計時において、光電変換素子３５ＰＡの受光量が予め設定された範囲内となるように、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥの面積を設定する。一例では、ｚ方向において、反射部材７０によって反射された光が絶縁層３６に突入した後、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する光の割合が６０％以上７０％以下となるように各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥのそれぞれの面積が設定される。ここで、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する割合は、６０％以上７０％以下に限られず、たとえば３０％以上４０％以下、４０％以上５０％以下、５０％以上６０％以下、７０％以上８０％以下、８０％以上９０％以下等であってもよい。このように、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する光の割合は、光電変換素子３５ＰＡの特性等に合わせて各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥの配線パターンを調整することによって適宜調整される。
　この構成によれば、第１発光素子２０Ｐからの光が入射される第１絶縁部３６ＰＡに、制御回路３５ＰＢに電気的に接続される配線層の数が第２絶縁部３６ＰＢよりも少ないため、第１発光素子２０Ｐからの光量が多い場合の突入光などにより起因する制御回路３５ＰＢの誤動作をなくすことができる。また、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥの面積を調整することによって、光電変換素子３５ＰＡの特性に合わせて、各配線層３８ＰＡ，３８ＰＣ，３８ＰＥによって反射することなく、光電変換素子３５ＰＡに入光する光の割合を調整することができる。
　図３０に示すように、第３変更例の第１受光素子３０Ｐでは、絶縁層３６Ｐ上に樹脂層２００が設けられている。つまり、樹脂層２００は、絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓに形成されている。第３変更例では、樹脂層２００は、絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓの全体にわたり形成されている。つまり、樹脂層２００の表面２００ｓは、第１受光素子３０Ｐの素子主面３０Ｐｓを構成している。
　樹脂層２００は、絶縁性を有しており、赤外線を選択的に吸収または遮断する樹脂材料によって形成されている。ここで、第３変更例では、樹脂層２００は「赤外線カット層」に対応している。樹脂層２００は、たとえば絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓに塗布することによって形成されている。樹脂層２００は、たとえば第１透明樹脂６０Ｐよりも透光率が低い樹脂材料によって形成されている。樹脂層２００は、たとえば第１反射部材７０Ｐよりも透光率が低い材料によって形成されている。また、絶縁層３６Ｐは、赤外線を透過する材料によって形成されている。なお、絶縁層３６Ｐの材料はこれに限られず、任意である。
　なお、絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓにおける樹脂層２００の形成範囲は任意に変更可能である。一例では、樹脂層２００は、絶縁層３６Ｐの表面３６Ｐｓのうち第１絶縁部３６ＰＡに対応する領域のみに形成されていてもよい。
　また、樹脂層２００の厚さは任意に変更可能である。一例では、樹脂層２００の厚さは、絶縁層３６Ｐの厚さよりも厚くてもよい。また別の一例では、樹脂層２００の厚さは、絶縁層３６Ｐの厚さよりも薄くてもよい。
　この構成によれば、樹脂層２００が赤外線を吸収または遮断するため、第１発光素子２０Ｐからの光が樹脂層２００によって弱められた状態で第１受光素子３０Ｐに供給される。このため、第１受光素子３０Ｐによる第１発光素子２０Ｐからの光の受光量を低減することができる。なお、第２受光素子３０Ｑは、第１受光素子３０Ｐと同様の構成であるため、上述の効果が得られる。
　・上記各実施形態において、受光素子３０（３０Ｐ，３０Ｑ）における信号処理方法は任意に変更可能である。その一例について、図１９の絶縁モジュール１０の回路構成を用いて説明する。図１９に示すように、第１制御回路１３０Ａには、第１受光素子３０Ｐから複数のパルスによって構成された信号が入力される。第１制御回路１３０Ａは、複数のパルスのうち最初のパルスを除いた部分に基づいて出力信号としての駆動電圧信号を第１スイッチング素子５１１のゲートに出力する。ここで、複数のパルスによって構成された信号は、所定のパルス周期のパルスである。たとえば、複数のパルスによって構成された第１信号と、第１信号の後に伝達される、複数のパルスによって構成された第２信号との間隔は、パルス周期よりも長い。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、上記各実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。
　本明細書における記述「Ａ及びＢの少なくとも１つ」は、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡとＢの両方」を意味するものとして理解されたい。
　［付記］
　本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
　（付記Ａ１）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記反射部材（７０）および前記透明樹脂（６０）の少なくとも一方は、前記発光素子（２０）からの光を吸収または反射する無機物粒子（６５）を含む
　絶縁モジュール（１０）。
　（付記Ａ２）
　前記反射部材（７０）の屈折率と前記透明樹脂（６０）の屈折率とが互いに異なっている
　付記Ａ１に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ３）
　前記反射部材（７０）の屈折率は、前記透明樹脂（６０）の屈折率よりも大きい
　付記Ａ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ４）
　前記発光素子（２０）は、発光面（２０ｓ）を有し、
　前記反射部材（７０）は、前記発光面（２０ｓ）に対して垂直な方向において前記発光面（２０ｓ）と隙間をあけて対向する発光側対向部（７５Ａ）を有し、
　前記発光側対向部（７５Ａ）における前記反射部材（７０）と前記透明樹脂（６０）との界面の角度は、臨界角よりも小さい
　付記Ａ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ５）
　前記反射部材（７０）の屈折率は、前記透明樹脂（６０）の屈折率よりも小さい
　付記Ａ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ６）
　前記発光素子（２０）は、発光面（２０ｓ）を有し、
　前記反射部材（７０）は、前記発光面（２０ｓ）に対して垂直な方向において前記発光面（２０ｓ）と隙間をあけて対向する発光側対向部（７５Ａ）を有し、
　前記発光側対向部（７５Ａ）における前記反射部材（７０）と前記透明樹脂（６０）との界面の角度は、臨界角以上である
　付記Ａ５に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ７）
　前記受光素子（３０）は、受光面（３３）を有し、
　前記反射部材（７０）は、前記発光面（２０ｓ）に対して垂直な方向において前記発光面（３３）と隙間をあけて対向する発光側対向部（７５Ａ）と、前記受光面（３３）に対して垂直な方向において前記受光面（３３）と隙間をあけて対向する受光側対向部（７５Ｂ）と、を有し、
　前記発光側対向部（７５Ａ）は、前記受光側対向部（７５Ｂ）よりも厚さが薄くなるように形成されている
　付記Ａ１に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ８）
　前記発光素子（２０）は、第１接合材（９０）によって前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の搭載面（４２ｓ）に接合されており、
　前記受光素子（３０）は、第２接合材（１００）によって前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の搭載面（５２ｓ）に接合されており、
　前記第１接合材（９０）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の搭載面（４２ｓ）に対して垂直な方向から視て、前記発光素子（２０）からはみ出すように形成され、
　前記第２接合材（１００）は、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の搭載面（５２ｓ）に対して垂直な方向から視て、前記受光素子（３０）からはみ出すように形成され、
　前記第１接合材（９０）および前記第２接合材（１００）の少なくとも一方は、前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成されている
　付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ９）
　前記発光素子（２０）は、第１接合材（９０）によって前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の搭載面（４２ｓ）に接合されており、
　前記受光素子（３０）は、第２接合材（１００）によって前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の搭載面（５２ｓ）に接合されており、
　前記第１接合材（９０）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の搭載面（４２ｓ）に対して垂直な方向から視て、前記発光素子（２０）からはみ出すように形成され、
　前記第２接合材（１００）は、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の搭載面（５２ｓ）に対して垂直な方向から視て、前記受光素子（３０）からはみ出すように形成され、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）は、前記第１接合材（９０）よりも前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）に向けて延びる第１はみ出し部（４７）を有し、
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記第２接合材（１００）よりも前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）に向けて延びる第２はみ出し部（５９）を有している
　付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１０）
　前記反射部材（７０）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）のうち前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）が搭載される面とは反対側の面を覆うパッドカバー部（７６）を有し、
　前記パッドカバー部（７６）と前記透明樹脂（６０）との界面（６４）の少なくとも一部は、凹凸部（１２０）を有している
　付記Ａ１～Ａ９のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１１）
　前記反射部材（７０）は、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の配列方向（ｘ方向）の両端部のうち前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）寄りに設けられた第１端部湾曲面（７３ａ）と、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）寄りに設けられた第２端部湾曲面（７３ｂ）と、前記第１端部湾曲面（７３ａ）と前記第２端部湾曲面（７３ｂ）とを繋ぐ中間湾曲面（７３ｃ）と、を有し、
　前記第１端部湾曲面（７３ａ）は、その曲率中心が前記第１端部湾曲面（７３ａ）に対して前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）とは反対側に位置するような湾曲形状を有し、
　前記第２端部湾曲面（７３ｂ）は、その曲率中心が前記第２端部湾曲面（７３ｂ）に対して前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）とは反対側に位置するような湾曲形状を有し、
　前記中間湾曲面（７３ｃ）は、その曲率中心が前記中間湾曲面（７３ｃ）に対して前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）寄りに位置するような湾曲形状を有する
　付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１２）
　前記封止樹脂（８０）は、複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）が配列されて設けられた樹脂側面（８１／８２）を含み、
　前記樹脂側面（８１／８２）における前記複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）のうち第１端子と第２端子との間の部分には凹凸部（８７／８８）が設けられている
　付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１３）
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、吊りリード（５５Ａ）を含み、
　前記吊りリード（５５Ａ）は、前記樹脂側面（８２）における前記第１端子と前記第２端子との間の部分から露出しており、
　前記樹脂側面（８２）における前記第１端子（５１Ｂ）と前記第２端子としての前記吊りリード（５５Ａ）との間の部分、および、前記第２端子（５１Ｃ）と前記第１端子としての前記吊りリード（５５Ａ）との間の部分の少なくとも一方には、前記凹凸部（８８）が設けられている
　付記Ａ１２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１４）
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、吊りリード（５５Ａ）を含み、
　前記樹脂側面は、前記複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）が設けられている端子面（８１／８２）と、前記端子面（８１／８２）とは異なる面であって前記吊りリード（５５Ａ）が引き出されている吊りリード面（８４）と、を含む
　付記Ａ１２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１５）
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の配列方向（ｘ方向）において、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）よりも長く形成されており、
　前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間の距離は、前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の長さよりも長い
　付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１６）
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の配列方向（ｘ方向）において、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）よりも長く形成されており、
　前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間の距離は、前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の長さよりも短い
　付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１７）
　前記透明樹脂（６０）は、前記発光素子（２０）の全体を覆う一方、前記受光素子（３０）の一部を覆っている
　付記Ａ１～Ａ１６のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１８）
　前記受光素子（３０）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の配列方向（ｘ方向）における前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の両端部のうち前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）に近い方の第１端部に接合材（９０）を介して接合されており、
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の前記第１端部のうち前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の近くの端縁には、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の搭載面（５２ｓ）から垂直な方向に向けて突出する突起（５８Ａ）が設けられている
　付記Ａ１に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ１９）
　前記受光素子は、第１受光素子（３０Ｐ）および第２受光素子（３０Ｑ）を含み、
　前記発光素子は、第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）を含み、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）から第１フォトカプラが構成され、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）から第２フォトカプラが構成され、
　前記透明樹脂は、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、を含み、
　前記反射部材は、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）を覆う第１反射部材（７０Ｐ）と、
　前記第２透明樹脂（６０Ｑ）を覆う第２反射部材（７０Ｑ）と、を含み、
　前記封止樹脂（８０）は、前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）の双方を封止するものであり、前記第１反射部材（７０Ｐ）と前記第２反射部材（７０Ｑ）とを分離する分離壁部（８９）を有する
　付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２０）
　前記受光素子は、第１受光素子（３０Ｐ）および第２受光素子（３０Ｑ）を含み、
　前記発光素子は、第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）を含み、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）から第１フォトカプラが構成され、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）から第２フォトカプラが構成され、
　前記透明樹脂は、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、を含み、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）は、第１波長の光を出射する素子であり、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）は、前記第１波長とは異なる第２波長の光を出射する素子であり、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）は、前記第１波長の光を透過しかつ前記第２波長の光を透過しない樹脂材料によって形成され、
　前記第２透明樹脂（６０Ｑ）は、前記第２波長の光を透過しかつ前記第１波長の光を透過しない樹脂材料によって形成されている
　付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２１）
　前記反射部材（７０）は、前記第１透明樹脂（６０Ｐ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）の双方を覆っている
　付記Ａ１９に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２２）
　前記第１ダイパッドは、互いに離間して配置された第１発光用ダイパッド（１４２ＡＢ）および第２発光用ダイパッド（１４２ＤＢ）を含み、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）は前記第１発光用ダイパッド（１４２ＡＢ）に搭載され、
　前記第２発光素子（２０Ｑ）は前記第２発光用ダイパッド（１４２ＤＢ）に搭載され、
　前記第１受光素子（３０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方は前記第２ダイパッド（１５２ＡＢ）に搭載されている
　付記Ａ１８～Ａ２０のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２３）
　前記第１発光用ダイパッド（１４２ＡＢ）および前記第２発光用ダイパッド（１４２ＤＢ）は、第１方向（ｙ方向）において並んで設けられており、
　平面視において、前記第１発光用ダイパッド（１４２ＡＢ）および前記第２発光用ダイパッド（１４２ＤＢ）と、前記第２ダイパッド（１５２ＡＢ）とは、前記第１方向（ｙ方向）と直交する第２方向（ｘ方向）に並んで設けられ、
　前記第１受光素子（３０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）は、前記第１方向（ｙ方向）において互いに離間して配列されている
　付記Ａ２２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２４）
　第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を受光する第１受光素子（３０Ｐ）、および、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を受光する第２受光素子（３０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方が搭載された第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と、
　前記第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と並んで設けられ、前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方が搭載された第２受発光ダイパッド（２５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、
　少なくとも前記第１透明樹脂（６０Ｐ）を覆うとともに前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を反射する材料によって形成された第１反射部材（７０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２透明樹脂（６０Ｑ）を覆うとともに前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を反射する材料によって形成された第２反射部材（７０Ｑ）と、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）ごと前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第１透明樹脂（６０Ｐ）の少なくとも一方は、前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を吸収または反射する無機物粒子（６５／７７）を含む
　絶縁モジュール。
　（付記Ａ２５）
　前記第２反射部材（７０Ｑ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）の少なくとも一方は、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を吸収または反射する無機物粒子（６５／７７）を含む
　付記Ａ２４に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２６）
　前記封止樹脂（８０）は、前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）の双方を封止するものであり、前記第１反射部材（７０Ｐ）と前記第２反射部材（７０Ｑ）とを分離する分離壁部（８９）を有する
　付記Ａ２４またはＡ２５に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２７）
　第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を受光する第１受光素子（３０Ｐ）、および、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を受光する第２受光素子（３０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方が搭載された第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と、
　前記第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と並んで設けられ、前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方が搭載された第２受発光ダイパッド（２５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、
　少なくとも前記第１透明樹脂（６０Ｐ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）の双方を覆うとともに前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光および前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光をそれぞれ反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記反射部材（７０）および前記第１透明樹脂（６０Ｐ）の少なくとも一方は、前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を吸収または散乱する無機物粒子（６５／７７）を含む
　絶縁モジュール。
　（付記Ａ２８）
　前記反射部材（７０）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）の少なくとも一方は、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を吸収または反射する無機物粒子（６５／７７）を含む
　付記Ａ２７に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ２９）
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）および前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の配列方向（ｘ方向）において、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）は、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）よりも長く形成されており、
　前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間の距離は、前記配列方向（ｘ方向）における前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の長さよりも短い
　付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ３０）
　前記封止樹脂（８０）は、前記封止樹脂（８０）の厚さ方向（ｚ方向）において前記受光素子（３０Ｐ）に対して前記発光素子（２０Ｐ）寄りの面となる樹脂主面（８０ｓ）と、前記発光素子（２０Ｐ）に対して前記受光素子（３０Ｐ）寄りの面となる樹脂裏面（８０ｒ）と、を有し、
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）に向かうにつれて前記封止樹脂（８０）の厚さ方向（ｚ方向）に対して直交する水平方向に対して前記樹脂裏面（８０ｒ）に向けて傾斜するように構成されている
　付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ａ３１）
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）は、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）に向かうにつれて前記封止樹脂（８０）の厚さ方向（ｚ方向）に対して直交する水平方向に対して前記樹脂裏面（８０ｒ）に向けて傾斜するように構成されている
　付記Ａ３０に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｂ１）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記発光素子（２０）の発光面（２０ｓ）の高さ位置は、前記受光素子（３０）の受光面（３３）の高さ位置と等しい、または前記受光面（３３）の高さ位置よりも高い
　絶縁モジュール。
　（付記Ｂ２）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が第１接合材（９０）を介して搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が第２接合材（１００）を介して搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との配列方向（ｘ方向）において、前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）よりも長く形成されており、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）は、前記第１接合材（９０）よりも前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）に向けて延びており、
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記第２接合材（１００）よりも前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）に向けて延びており、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間の距離は、前記配列方向（ｘ方向）における前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の長さよりも短い
　絶縁モジュール。
　（付記Ｂ３）
　前記発光素子（２０）は、前記配列方向（ｘ方向）において前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）の両端部のうち前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）に近い方の端部に搭載されており、
　前記受光素子（３０）は、前記配列方向（ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）の両端部のうち前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）に近い方の端部に搭載されている
　付記Ｂ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｂ４）
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）は、前記配列方向（ｘ方向）において前記第１接合材（９０）に対して前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）寄りにはみ出す第１はみ出し部（４７）を有し、
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、前記配列方向（ｘ方向）において前記第２接合材（１００）に対して前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）寄りにはみ出す第２はみ出し部（５９）を有している
　付記Ｂ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｃ１）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記封止樹脂（８０）は、複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）が配列されて設けられた樹脂側面（８１／８２）を含み、
　前記樹脂側面（８１／８２）における前記複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）のうち前記第１端子と前記第２端子との間の部分には凹凸部（８７／８８）が設けられている
　絶縁モジュール。
　（付記Ｃ２）
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、吊りリード（５５Ａ）を含み、
　前記吊りリード（５５Ａ）は、前記樹脂側面（８２）における前記第１端子と前記第２端子との間の部分から露出しており、
　前記樹脂側面（８２）における前記第１端子（５１Ｂ）と前記第２端子としての前記吊りリード（５５Ａ）との間の部分、および、前記第２端子（５１Ｃ）と前記第１端子としての前記吊りリード（５５Ａ）との間の部分の少なくとも一方には、前記凹凸部（８８）が設けられている
　付記Ｃ１に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｃ３）
　前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）は、吊りリード（５５Ａ）を含み、
　前記樹脂側面は、前記複数の端子（４１Ａ～４１Ｄ／５１Ａ～５１Ｄ）が設けられている端子面（８１／８２）と、前記端子面（８１／８２）とは異なる面であって前記吊りリード（５５Ａ）が引き出されている吊りリード面（８４）と、を含む
　付記Ｃ１に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｃ４）
　前記凹凸部（８７／８８）は、前記封止樹脂（８０）の厚さ方向（ｚ方向）において前記樹脂側面（８１／８２／８４）の全体にわたり形成されている
　付記Ｃ１～Ｃ３のいずれか１つに記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｃ５）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記透明樹脂（６０）は、前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間に介在しており、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と前記第２ダイパッド（５２ＡＢ）との間に介在した前記透明樹脂（６０）と前記反射部材（７０）との境界部分には、凹凸部（１２０）が設けられている
　絶縁モジュール。
　（付記Ｃ６）
　前記透明樹脂（６０）は、無機物粒子（６５）を含む
　付記Ｃ５に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｃ７）
　前記反射部材（７０）は、無機物粒子（７７）を含む
　付記Ｃ５またはＣ６に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｄ１）
　第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を受光する第１受光素子（３０Ｐ）、および、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を受光する第２受光素子（３０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方が搭載された第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と、
　前記第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と並んで設けられ、前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方が搭載された第２受発光ダイパッド（２５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、
　少なくとも前記第１透明樹脂（６０Ｐ）を覆うとともに前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を反射する材料によって形成された第１反射部材（７０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２透明樹脂（６０Ｑ）を覆うとともに前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を反射する材料によって形成された第２反射部材（７０Ｑ）と、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）および前記第２透明樹脂（６０Ｑ）ごと前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記封止樹脂（８０）は、前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）の双方を封止するものであり、前記第１反射部材（７０Ｐ）と前記第２反射部材（８０Ｑ）とを分離する分離壁部（８９）を有する
　絶縁モジュール。
　（付記Ｄ２）
　第１発光素子（２０Ｐ）および第２発光素子（２０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を受光する第１受光素子（３０Ｐ）、および、前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を受光する第２受光素子（３０Ｑ）と、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方が搭載された第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と、
　前記第１受発光ダイパッド（２４２ＡＢ）と並んで設けられ、前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方が搭載された第２受発光ダイパッド（２５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記第１発光素子（２０Ｐ）および前記第１受光素子（３０Ｐ）の双方を覆う第１透明樹脂（６０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２発光素子（２０Ｑ）および前記第２受光素子（３０Ｑ）の双方を覆う第２透明樹脂（６０Ｑ）と、を備え、
　前記第１発光素子（２０Ｐ）は、第１波長の光を出射する素子であり、
　前記第２発光素子（３０Ｐ）は、前記第１波長とは異なる第２波長の光を出射する素子であり、
　前記第１透明樹脂（６０Ｐ）は、前記第１波長の光を透過しかつ前記第２波長の光を透過しない樹脂材料によって形成され、
　前記第２透明樹脂（６０Ｑ）は、前記第２波長の光を透過しかつ前記第１波長の光を透過しない樹脂材料によって形成されている
　絶縁モジュール。
　（付記Ｄ３）
　少なくとも前記第１透明樹脂（６０Ｐ）を覆うとともに前記第１発光素子（２０Ｐ）からの光を反射する材料によって形成された第１反射部材（７０Ｐ）と、
　少なくとも前記第２透明樹脂（６０Ｑ）を覆うとともに前記第２発光素子（２０Ｑ）からの光を反射する材料によって形成された第２反射部材（７０Ｑ）と、を備える
　付記Ｄ２に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｄ４）
　前記封止樹脂（８０）は、前記第１反射部材（７０Ｐ）および前記第２反射部材（７０Ｑ）の双方を封止するものであり、前記第１反射部材（７０Ｐ）と前記第２反射部材（７０Ｑ）とを分離する分離壁部（８９）を有する
　付記Ｄ３に記載の絶縁モジュール。
　（付記Ｅ１）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記受光素子（３０）は、
　光電変換素子（３５ＰＡ）と、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）からの信号を受信する制御回路（３５ＰＢ）と、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）および前記制御回路（３５ＰＢ）の上に積層される絶縁層（３６Ｐ）と、を備え、
　前記絶縁層（３６Ｐ）は、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）上に形成された第１絶縁部（３６ＰＡ）と、
　前記制御回路（３５ＰＢ）上に形成された第２絶縁部（３６ＰＢ）と、を含み、
　前記第２絶縁部（３６ＰＢ）には、少なくとも１つの第１配線層が形成されており、
　前記第１絶縁部（３６ＰＡ）には、配線層が形成されていない層が少なくとも１つ設けられている
　絶縁モジュール。
　（付記Ｅ２）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記受光素子（３０）は、
　光電変換素子（３５ＰＡ）と、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）からの信号を受信する制御回路（３５ＰＢ）と、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）および前記制御回路（３５ＰＢ）の上に積層される絶縁層（３６Ｐ）と、を備え、
　前記絶縁層（３６Ｐ）は、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）上に形成された第１絶縁部（３６ＰＡ）と、
　前記制御回路（３５ＰＢ）上に形成された第２絶縁部（３６ＰＢ）と、を含み、
　前記第２絶縁部（３６ＰＢ）には、複数の第１配線層が形成されており、
　前記第１絶縁部（３６ＰＡ）には、前記第２絶縁部（３６ＰＢ）よりも少ない数の第２配線層が形成されている
　絶縁モジュール。
　（付記Ｅ３）
　発光素子（２０）と、
　前記発光素子（２０）からの光を受光する受光素子（３０）と、
　前記発光素子（２０）が搭載された第１ダイパッド（４２ＣＢ）と、
　前記第１ダイパッド（４２ＣＢ）と並んで設けられ、前記受光素子（３０）が搭載された第２ダイパッド（５２ＡＢ）と、
　少なくとも前記発光素子（２０）および前記受光素子（３０）の双方を覆う透明樹脂（６０）と、
　少なくとも前記透明樹脂（６０）を覆うとともに前記発光素子（２０）からの光を反射する材料によって形成された反射部材（７０）と、
　前記透明樹脂（６０）ごと前記反射部材（７０）を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂（８０）と、を備え、
　前記受光素子（３０）は、
　光電変換素子（３５ＰＡ）と、
　前記光電変換素子（３５ＰＡ）からの信号を受信する制御回路（３５ＰＢ）と、を備え、
　前記制御回路（３５ＰＢ／１３０Ａ）は、前記受光素子（３０）が前記発光素子（２０）から複数のパルスによって構成された信号が入力される場合、前記複数のパルスのうち最初のパルスを除いた部分に基づいて出力信号を出力する
　絶縁モジュール。
　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲および付記を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
　１０…絶縁モジュール
　２０…発光素子
　２０Ｐ…第１発光素子
　２０Ｑ…第２発光素子
　２０Ａ…発光用ダイオード
　２０ＡＰ…第１発光用ダイオード
　２０ＡＱ…第２発光用ダイオード
　２０ｓ，２０Ｐｓ，２０Ｑｓ…素子主面
　２０ｒ，２０Ｐｒ，２０Ｑｒ…素子裏面
　２１，２１Ｐ，２１Ｑ…第１電極
　２２，２２Ｐ，２２Ｑ…第２電極
　３０…受光素子
　３０Ｐ…第１受光素子
　３０Ｑ…第２受光素子
　３０Ａ…受光用ダイオード
　３０ＡＰ…第１受光用ダイオード
　３０ＡＱ…第２受光用ダイオード
　３０ｓ，３０Ｐｓ，３０Ｑｓ…素子主面
　３０ｒ，３０Ｐｒ，３０Ｑｒ…素子裏面
　３１，３１Ｐ，３１Ｑ…第１電極
　３２，３２Ｐ，３２Ｑ…第２電極
　３３，３３Ｐ，３３Ｑ…受光面
　３４Ｐ…半導体基板
　３４Ｐｓ…表面
　３４ＰＡ…第１半導体領域
　３４ＰＢ…第２半導体領域
　３５ＰＡ…光電変換素子
　３５ＰＢ…制御回路
　３５ＰＣ…絶縁配線層
　３６Ｐ…絶縁層
　３６ＰＡ…第１絶縁部
　３６ＰＢ…第２絶縁部
　３７ＰＡ～３７ＰＥ…絶縁膜
　３８ＰＡ～３８ＰＥ…配線膜
　３９ＰＡ～３９ＰＤ…ビア
　４０，４０Ａ～４０Ｄ…第１リードフレーム
　４１Ａ～４１Ｄ…端子
　４２Ａ～４２Ｄ…インナーリード
　４２ＢＡ…第１リード部
　４２ＢＢ…第２リード部
　４２ＣＡ…リード部
　４２ＣＢ…ダイパッド部（第１ダイパッド）
　４２ｓ…パッド主面
　４２ｒ…パッド裏面
　４３Ａ～４３Ｄ…貫通孔
　４４Ａ…突起
　４４Ｂ…窪み
　４４Ｃ…凹部
　４４Ｄ…突起
　４５Ｃ…主金属層
　４６Ｃ…めっき層
　４７…はみ出し部（第１はみ出し部）
　５０，５０Ａ～５０Ｄ…第２リードフレーム
　５１Ａ～５１Ｄ…端子
　５２Ａ～５２Ｄ…インナーリード
　５３Ａ～５３Ｄ…貫通孔
　５２ＡＡ…リード部
　５２ＡＢ…ダイパッド部（第２ダイパッド）
　５２ｓ…パッド主面
　５２ｒ…パッド裏面
　５４Ａ…窪み
　５４Ｂ…はみ出し部
　５４Ｃ…突起
　５５Ａ…吊りリード
　５６Ａ…主金属層
　５７Ａ…めっき層
　５８Ａ…突起
　５９…はみ出し部（第２はみ出し部）
　６０…透明樹脂
　６０Ｐ…第１透明樹脂
　６０Ｑ…第２透明樹脂
　６１…第１端部
　６１ａ…第１部分
　６１ｂ…第２部分
　６２…第２端部
　６２ａ…第１部分
　６２ｂ…第２部分
　６３…湾曲面
　６４…下端面
　６５…無機物粒子
　７０…反射部材
　７０Ｐ…第１反射部材
　７０Ｑ…第２反射部材
　７１…第１端部
　７２…第２端部
　７３…上方湾曲面
　７３ａ…第１湾曲面（第１端部湾曲面）
　７３ｂ…第２湾曲面（第２端部湾曲面）
　７３ｃ…第３湾曲面（中間湾曲面）
　７３ｄ…第４湾曲面
　７４…下方湾曲面
　７５…下方部分
　７５Ａ…発光側対向部
　７５Ｂ…受光側対向部
　７６…上方部分
　７７…無機物粒子
　８０…封止樹脂
　８０ｓ…樹脂表面
　８０ｒ…樹脂裏面
　８１…第１樹脂側面
　８２…第２樹脂側面
　８３…第３樹脂側面
　８４…第４樹脂側面
　８５…第１側面
　８６…第２側面
　８７…凹凸部
　８７ａ…凹部
　８８…凹凸部
　８８ａ…凹部
　８９…分離壁部
　９０…導電性接合材（第１接合材）
　１００…導電性接合材（第２接合材）
　９１，１０１…第１接合領域
　９２，１０２…第２接合領域
　９２ｓ，１０２ｓ…表面
　１１０…制御回路
　１１１…シュミットトリガ
　１１２…ＵＶＬＯ部
　１１３…比較器
　１１４…出力部
　１１４ａ，１３２Ａａ，１３２Ｂａ…第１スイッチング素子
　１１４ｂ，１３２Ａｂ，１３２Ｂｂ…第２スイッチング素子
　１２０…凹凸部
　１３０Ａ…第１制御回路
　１３１Ａ…第１シュミットトリガ
　１３２Ａ…第１出力部
　１３０Ｂ…第２制御回路
　１３１Ｂ…第２シュミットトリガ
　１３２Ｂ…第２出力部
　１４０，１４０Ａ～１４０Ｄ…第１リードフレーム
　１５０，１５０Ａ～１５０Ｄ…第２リードフレーム
　１４１Ａ～１４１Ｄ…端子
　１４２Ａ～１４２Ｄ…インナーリード
　１４２ＡＡ…リード部
　１４２ＡＢ…ダイパッド部（第１発光用ダイパッド）
　１４２Ａｓ…パッド主面
　１４２Ａｒ…パッド裏面
　１４２ＤＡ…リード部
　１４２ＤＢ…ダイパッド部（第２発光用ダイパッド）
　１４２Ｄｓ…パッド主面
　１４２Ｄｒ…パッド裏面
　１４３Ａ～１４３Ｄ…貫通孔
　１５０，１５０Ａ～１５０Ｄ…第２リードフレーム
　１５１Ａ～１５１Ｄ…端子
　１５２Ａ～１５２Ｄ…インナーリード
　１５３Ａ～１５３Ｄ…貫通孔
　１５２ＡＡ…リード部
　１５２ＡＢ…ワイヤ接続部
　１５２ＤＡ…リード部
　１５２ＤＢ…ダイパッド部（第２受光用ダイパッド）
　２００…樹脂層
　２００…表面
　２３０Ａ…第１制御回路
　２３１Ａ…第１シュミットトリガ
　２３２Ａ…第１出力部
　２３２Ａａ，２３２Ｂａ…第１スイッチング素子
　２３２Ａｂ，２３２Ｂｂ…第２スイッチング素子
　２３３Ａ…第１電流源
　２３４Ａ…第１ドライバ
　２３０Ｂ…第２制御回路
　２３１Ｂ…第２シュミットトリガ
　２３２Ｂ…第２出力部
　２３３Ｂ…第２電流源
　２３４Ｂ…第２ドライバ
　２４０，２４０Ａ～２４０Ｄ…第１リードフレーム
　２５０，２５０Ａ～２５０Ｄ…第２リードフレーム
　２４１Ａ～２４１Ｄ…端子
　２４２Ａ～２４２Ｄ…インナーリード
　２４２ＡＡ…リード部
　２４２ＡＢ…ダイパッド部（第１受発光用ダイパッド）
　２４２ＤＡ…リード部
　２４２ＤＢ…ワイヤ接続部
　２４３Ａ～２４３Ｄ…貫通孔
　２５０，２５０Ａ～２５０Ｄ…第２リードフレーム
　２５１Ａ～２５１Ｄ…端子
　２５２Ａ～２５２Ｄ…インナーリード
　２５３Ａ～２５３Ｄ…貫通孔
　２５２ＡＡ…リード部
　２５２ＡＢ…ダイパッド部（第２受発光用ダイパッド）
　２５２Ａｓ…パッド表面
　２５２Ａｒ…パッド裏面
　２５２ＤＡ…リード部
　２５２ＤＢ…ワイヤ接続部
　３００…板状部材
　５００…インバータ回路
　５０１…第１スイッチング素子
　５０２…第２スイッチング素子
　５０３，５０４…制御電源
　５０５…検出回路
　５１０…第１インバータ回路
　５１１…第１スイッチング素子
　５１２…第２スイッチング素子
　５２０…第２インバータ回路
　５２１…第１スイッチング素子
　５２２…第２スイッチング素子
　ＷＡ１，ＷＡ２，ＷＢ１～ＷＢ４，ＷＣ１，ＷＣ２，ＷＤ１～ＷＤ５，ＷＥ１～ＷＥ４，ＷＦ１～ＷＦ４…ワイヤ
　ＣＰ，ＣＱ，ＣＲ…変曲位置
　ＣＡ～ＣＧ…曲率中心

Claims (20)

  1. 　発光素子と、
    　前記発光素子からの光を受光する受光素子と、
    　前記発光素子が搭載された第１ダイパッドと、
    　前記第１ダイパッドと並んで設けられ、前記受光素子が搭載された第２ダイパッドと、
    　少なくとも前記発光素子および前記受光素子の双方を覆う透明樹脂と、
    　少なくとも前記透明樹脂を覆うとともに前記発光素子からの光を反射する材料によって形成された反射部材と、
    　前記透明樹脂ごと前記反射部材を封止するものであって、遮光性を有する材料によって形成された封止樹脂と、
    を備え、
    　前記反射部材および前記透明樹脂の少なくとも一方は、前記発光素子からの光を吸収または反射する無機物粒子を含む
    　絶縁モジュール。
  2. 　前記反射部材の屈折率と前記透明樹脂の屈折率とが互いに異なっている
    　請求項１に記載の絶縁モジュール。
  3. 　前記反射部材の屈折率は、前記透明樹脂の屈折率よりも大きい
    　請求項２に記載の絶縁モジュール。
  4. 　前記発光素子は、発光面を有し、
    　前記反射部材は、前記発光面に対して垂直な方向において前記発光面と隙間をあけて対向する発光側対向部を有し、
    　前記発光側対向部における前記反射部材と前記透明樹脂との界面の角度は、臨界角よりも小さい
    　請求項２に記載の絶縁モジュール。
  5. 　前記反射部材の屈折率は、前記透明樹脂の屈折率よりも小さい
    　請求項２に記載の絶縁モジュール。
  6. 　前記発光素子は、発光面を有し、
    　前記反射部材は、前記発光面に対して垂直な方向において前記発光面と隙間をあけて対向する発光側対向部を有し、
    　前記発光側対向部における前記反射部材と前記透明樹脂との界面の角度は、臨界角以上である
    　請求項５に記載の絶縁モジュール。
  7. 　前記発光素子は、発光面を有し、
    　前記受光素子は、受光面を有し、
    　前記反射部材は、前記発光面に対して垂直な方向において前記発光面と隙間をあけて対向する発光側対向部と、前記受光面に対して垂直な方向において前記受光面と隙間をあけて対向する受光側対向部と、を有し、
    　前記発光側対向部は、前記受光側対向部よりも厚さが薄くなるように形成されている
    　請求項１に記載の絶縁モジュール。
  8. 　前記発光素子は、第１接合材によって前記第１ダイパッドの搭載面に接合されており、
    　前記受光素子は、第２接合材によって前記第２ダイパッドの搭載面に接合されており、
    　前記第１接合材は、前記第１ダイパッドの搭載面に対して垂直な方向から視て、前記発光素子からはみ出すように形成され、
    　前記第２接合材は、前記第２ダイパッドの搭載面に対して垂直な方向から視て、前記受光素子からはみ出すように形成され、
    　前記第１接合材および前記第２接合材の少なくとも一方は、前記発光素子からの光を反射する材料によって形成されている
    　請求項１～７のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  9. 　前記発光素子は、第１接合材によって前記第１ダイパッドの搭載面に接合されており、
    　前記受光素子は、第２接合材によって前記第２ダイパッドの搭載面に接合されており、
    　前記第１接合材は、前記第１ダイパッドの搭載面に対して垂直な方向から視て、前記発光素子からはみ出すように形成され、
    　前記第２接合材は、前記第２ダイパッドの搭載面に対して垂直な方向から視て、前記受光素子からはみ出すように形成され、
    　前記第１ダイパッドは、前記第１接合材よりも前記第２ダイパッドに向けて延びる第１はみ出し部を有し、
    　前記第２ダイパッドは、前記第２接合材よりも前記第１ダイパッドに向けて延びる第２はみ出し部を有している
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  10. 　前記反射部材は、前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドのうち前記発光素子および前記受光素子が搭載される面とは反対側の面を覆うパッドカバー部を有し、
    　前記パッドカバー部と前記透明樹脂との界面の少なくとも一部は、凹凸部を有している
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  11. 　前記反射部材は、
    　前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドの配列方向の両端部のうち前記第１ダイパッド寄りに設けられた第１端部湾曲面と、前記第２ダイパッド寄りに設けられた第２端部湾曲面と、前記第１端部湾曲面と前記第２端部湾曲面とを繋ぐ中間湾曲面と、
    を有し、
    　前記第１端部湾曲面は、その曲率中心が前記第１端部湾曲面に対して前記第１ダイパッドとは反対側に位置するような湾曲形状を有し、
    　前記第２端部湾曲面は、その曲率中心が前記第２端部湾曲面に対して前記第２ダイパッドとは反対側に位置するような湾曲形状を有し、
    　前記中間湾曲面は、その曲率中心が前記中間湾曲面に対して前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッド寄りに位置するような湾曲形状を有する
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  12. 　前記封止樹脂は、複数の端子が配列されて設けられた樹脂側面を含み、
    　前記樹脂側面における前記複数の端子のうち第１端子と第２端子との間の部分には凹凸部が設けられている
    　請求項１～１１のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  13. 　前記第２ダイパッドは、吊りリードを含み、
    　前記吊りリードは、前記樹脂側面における前記第１端子と前記第２端子との間の部分から露出しており、
    　前記樹脂側面における前記第１端子と前記吊りリードとの間の部分、および、前記第２端子と前記吊りリードとの間の部分の少なくとも一方には、前記凹凸部が設けられている
    　請求項１２に記載の絶縁モジュール。
  14. 　前記第２ダイパッドは、吊りリードを含み、
    　前記樹脂側面は、前記複数の端子が設けられている端子面と、前記端子面とは異なる面であって前記吊りリードが引き出されている吊りリード面と、を含む
    　請求項１２に記載の絶縁モジュール。
  15. 　前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドの配列方向において、前記第２ダイパッドは、前記第１ダイパッドよりも長く形成されており、
    　前記配列方向における前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとの間の距離は、前記配列方向における前記第１ダイパッドの長さよりも長い
    　請求項１～１４のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  16. 　前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドの配列方向において、前記第２ダイパッドは、前記第１ダイパッドよりも長く形成されており、
    　前記配列方向における前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとの間の距離は、前記配列方向における前記第１ダイパッドの長さよりも短い
    　請求項１～１４のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  17. 　前記透明樹脂は、前記発光素子の全体を覆う一方、前記受光素子の一部を覆っている
    　請求項１～１６のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  18. 　前記受光素子は、前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドの配列方向における前記第２ダイパッドの両端部のうち前記第１ダイパッドに近い方の第１端部に接合材を介して接合されており、
    　前記第２ダイパッドの前記第１端部のうち前記第１ダイパッドの近くの端縁には、前記第２ダイパッドの搭載面から垂直な方向に向けて突出する突起が設けられている
    　請求項１に記載の絶縁モジュール。
  19. 　前記受光素子は、第１受光素子および第２受光素子を含み、
    　前記発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
    　前記第１発光素子および前記第１受光素子から第１フォトカプラが構成され、
    　前記第２発光素子および前記第２受光素子から第２フォトカプラが構成され、
    　前記透明樹脂は、
    　前記第１発光素子および前記第１受光素子を覆う第１透明樹脂と、
    　前記第２発光素子および前記第２受光素子を覆う第２透明樹脂と、
    を含み、
    　前記反射部材は、
    　前記第１透明樹脂を覆う第１反射部材と、
    　前記第２透明樹脂を覆う第２反射部材と、
    を含み、
    　前記封止樹脂は、前記第１反射部材および前記第２反射部材の双方を封止するものであり、前記第１反射部材と前記第２反射部材とを分離する分離壁部を有する
    　請求項１～１８のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
  20. 　前記受光素子は、第１受光素子および第２受光素子を含み、
    　前記発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
    　前記第１発光素子および前記第１受光素子から第１フォトカプラが構成され、
    　前記第２発光素子および前記第２受光素子から第２フォトカプラが構成され、
    　前記透明樹脂は、
    　前記第１発光素子および前記第１受光素子を覆う第１透明樹脂と、
    　前記第２発光素子および前記第２受光素子を覆う第２透明樹脂と、
    を含み、
    　前記第１発光素子は、第１波長の光を出射する素子であり、
    　前記第２発光素子は、前記第１波長とは異なる第２波長の光を出射する素子であり、
    　前記第１透明樹脂は、前記第１波長の光を透過しかつ前記第２波長の光を透過しない樹脂材料によって形成され、
    　前記第２透明樹脂は、前記第２波長の光を透過しかつ前記第１波長の光を透過しない樹脂材料によって形成されている
    　請求項１～１８のいずれか一項に記載の絶縁モジュール。
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