JP2001111098A - 光結合素子およびその製造方法 - Google Patents
光結合素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光結合素子をＰＣカードに搭載可能な２ｍｍ
以下の厚みとし、かつ回路基板への実装面積の縮小化を
図る。 【解決手段】 平板状に形成された遮光性樹脂部１１の
周側部に電極となる端子部２１、２１・・・が形成され
るとともに、遮光性樹脂部１１の上に発光素子３と受光
素子４とが搭載され、これら発光素子３および受光素子
４と端子部２１、２１・・・とがＡｕ線５にてワイヤボ
ンドされ、これら発光素子３および受光素子４がＡｕ線
５も含めて透光性の低応力樹脂６にて被覆され、さら
に、低応力樹脂６の全体が遮光性樹脂１２にて被覆され
ている。
以下の厚みとし、かつ回路基板への実装面積の縮小化を
図る。 【解決手段】 平板状に形成された遮光性樹脂部１１の
周側部に電極となる端子部２１、２１・・・が形成され
るとともに、遮光性樹脂部１１の上に発光素子３と受光
素子４とが搭載され、これら発光素子３および受光素子
４と端子部２１、２１・・・とがＡｕ線５にてワイヤボ
ンドされ、これら発光素子３および受光素子４がＡｕ線
５も含めて透光性の低応力樹脂６にて被覆され、さら
に、低応力樹脂６の全体が遮光性樹脂１２にて被覆され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光結合素子および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光結合素子の構造の一例を、図８
および図９に示す。図８は対抗型、図９は反射型であ
る。
および図９に示す。図８は対抗型、図９は反射型であ
る。
【０００３】すなわち、図８に示す対抗型の光結合素子
は、同一水平面において左右方向に延設された左右のリ
ードフレーム８１、８２の上下に対抗する対抗先端部８
１ａ、８２ａに、発光素子８３と受光素子８４とが対抗
して配置されている。そして、この対抗先端部８１ａ、
８２ａ間に、光路を確保するための透光性のシリコン樹
脂８５が充填されており、このシリコン樹脂８５および
左右のリードフレーム８１、８２を含む全体が、遮光性
のエポキシ樹脂８６にて被覆された構造となっている。
は、同一水平面において左右方向に延設された左右のリ
ードフレーム８１、８２の上下に対抗する対抗先端部８
１ａ、８２ａに、発光素子８３と受光素子８４とが対抗
して配置されている。そして、この対抗先端部８１ａ、
８２ａ間に、光路を確保するための透光性のシリコン樹
脂８５が充填されており、このシリコン樹脂８５および
左右のリードフレーム８１、８２を含む全体が、遮光性
のエポキシ樹脂８６にて被覆された構造となっている。
【０００４】また、図９に示す反射型の光結合素子は、
先端を突き合わすようにして、同一水平面において左右
方向に延設された左右のリードフレーム９１、９２の各
先端部９１ａ、９２ａに、発光素子９３と受光素子９４
とが上方に向けて配置され、この発光素子９３と受光素
子９４とを含むリードフレーム９１、９２の先端部全体
が、反射光路を確保するための表面処理された透光性の
シリコン樹脂９５によって被覆されている。そして、こ
のシリコン樹脂９５の全体が、遮光性のエポキシ樹脂９
６にて被覆された構造となっている。
先端を突き合わすようにして、同一水平面において左右
方向に延設された左右のリードフレーム９１、９２の各
先端部９１ａ、９２ａに、発光素子９３と受光素子９４
とが上方に向けて配置され、この発光素子９３と受光素
子９４とを含むリードフレーム９１、９２の先端部全体
が、反射光路を確保するための表面処理された透光性の
シリコン樹脂９５によって被覆されている。そして、こ
のシリコン樹脂９５の全体が、遮光性のエポキシ樹脂９
６にて被覆された構造となっている。
【０００５】従来の光結合素子は、図８および図９に示
すように、リードフレーム８１、８２、９1 、９２の下
部にも遮光性のエポキシ樹脂８６、９６があるため、全
体の厚みを２ｍｍ以下にするためには、図８に示す対抗
型では、発光素子８３と受光素子８４との距離を短くす
る必要がある。また、図９に示す反射型では、透光性の
シリコン樹脂９５の高さを低くするか、若しくは遮光性
のエポキシ樹脂９６を薄くする必要がある。
すように、リードフレーム８１、８２、９1 、９２の下
部にも遮光性のエポキシ樹脂８６、９６があるため、全
体の厚みを２ｍｍ以下にするためには、図８に示す対抗
型では、発光素子８３と受光素子８４との距離を短くす
る必要がある。また、図９に示す反射型では、透光性の
シリコン樹脂９５の高さを低くするか、若しくは遮光性
のエポキシ樹脂９６を薄くする必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、対抗型
において、発光素子８３と受光素子８４との距離を短く
すると、絶縁耐圧が低くなるといった問題を生じる。ま
た、反射型において、透光性のシリコン樹脂９５の高さ
を低くすると、ＣＴＲ（電流伝達比）が低くなり、遮光
性のエポキシ樹脂を薄くすると、外乱光を通し誤作動す
るといった問題を生じる。また、対抗型および反射型の
いずれにおいても、リードフレーム８１、８２、９1 、
９２が、光結合素子本体（すなわち、エポキシ樹脂８
６、９６）の側面から左右に延設する形で設けられてい
るので、このリードフレーム８１、８２、９1 、９２を
下方に屈曲して図示しない回路基板に実際するときの実
装面積が大きくなるといった問題もある。
において、発光素子８３と受光素子８４との距離を短く
すると、絶縁耐圧が低くなるといった問題を生じる。ま
た、反射型において、透光性のシリコン樹脂９５の高さ
を低くすると、ＣＴＲ（電流伝達比）が低くなり、遮光
性のエポキシ樹脂を薄くすると、外乱光を通し誤作動す
るといった問題を生じる。また、対抗型および反射型の
いずれにおいても、リードフレーム８１、８２、９1 、
９２が、光結合素子本体（すなわち、エポキシ樹脂８
６、９６）の側面から左右に延設する形で設けられてい
るので、このリードフレーム８１、８２、９1 、９２を
下方に屈曲して図示しない回路基板に実際するときの実
装面積が大きくなるといった問題もある。
【０００７】本発明はかかる問題点を解決すべく創案さ
れたもので、その目的は、光結合素子をＰＣカードに搭
載可能な２ｍｍ以下の厚みにできる構造にするととも
に、回路基板への実装面積の縮小化を図った光結合素子
およびその製造方法を提供することにある。
れたもので、その目的は、光結合素子をＰＣカードに搭
載可能な２ｍｍ以下の厚みにできる構造にするととも
に、回路基板への実装面積の縮小化を図った光結合素子
およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の光結合素子は、平板状に形成された遮光性
樹脂の周側部に電極となる端子部が形成されるととも
に、前記遮光性樹脂の上に発光素子と受光素子とが搭載
され、これら発光素子および受光素子と前記端子部とが
電気的に接続されていることを特徴とする。また、前記
遮光性樹脂および前記端子部の上面および下面がほぼ面
一に形成されていることを特徴とする。すなわち、従来
は端子部の下側まであった遮光性樹脂が、本発明では端
子部の下側にはなく、面一の構造となっている。従っ
て、その分、全体の厚みを薄くすることができる。ま
た、端子部の下側に遮光性樹脂がないので、端子部の下
面を回路基板に直接接触させて実装することができる。
つまり、端子部を左右に延設する必要がないので、その
分実装面積を小さくすることができる。
め、本発明の光結合素子は、平板状に形成された遮光性
樹脂の周側部に電極となる端子部が形成されるととも
に、前記遮光性樹脂の上に発光素子と受光素子とが搭載
され、これら発光素子および受光素子と前記端子部とが
電気的に接続されていることを特徴とする。また、前記
遮光性樹脂および前記端子部の上面および下面がほぼ面
一に形成されていることを特徴とする。すなわち、従来
は端子部の下側まであった遮光性樹脂が、本発明では端
子部の下側にはなく、面一の構造となっている。従っ
て、その分、全体の厚みを薄くすることができる。ま
た、端子部の下側に遮光性樹脂がないので、端子部の下
面を回路基板に直接接触させて実装することができる。
つまり、端子部を左右に延設する必要がないので、その
分実装面積を小さくすることができる。
【０００９】また、本発明の光結合素子は、発光素子お
よび受光素子が透光性の低応力樹脂にて被覆され、さら
に、低応力樹脂の全体が遮光性樹脂にて被覆されている
ことを特徴とする。
よび受光素子が透光性の低応力樹脂にて被覆され、さら
に、低応力樹脂の全体が遮光性樹脂にて被覆されている
ことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の光結合素子の製造方法は、
平板フレームの上面に発光素子および受光素子を搭載す
る搭載工程と、搭載した発光素子および受光素子と、前
記平板フレームの端子部となる部分とをそれぞれ導線に
て接続する接続工程と、発光素子、受光素子および導線
を含み、かつ前記平板フレームの端子部となる部分まで
含むように透光性の低応力樹脂にて被覆する第１の被覆
工程と、前記端子部となる部分を除いて前記平板フレー
ムを除去する除去工程と、少なくとも前記端子部となる
部分の下面を除いて、前記発光素子および受光素子の底
面と前記低応力樹脂部とを遮光性樹脂にて被覆する第２
の被覆工程と、を備えたことを特徴とする。このような
製造方法によって、ＰＣカードに搭載可能な２ｍｍ以下
の厚みの光結合素子を製造することができる。また、回
路基板への実装面積の少ない光結合素子を製造すること
ができる。
平板フレームの上面に発光素子および受光素子を搭載す
る搭載工程と、搭載した発光素子および受光素子と、前
記平板フレームの端子部となる部分とをそれぞれ導線に
て接続する接続工程と、発光素子、受光素子および導線
を含み、かつ前記平板フレームの端子部となる部分まで
含むように透光性の低応力樹脂にて被覆する第１の被覆
工程と、前記端子部となる部分を除いて前記平板フレー
ムを除去する除去工程と、少なくとも前記端子部となる
部分の下面を除いて、前記発光素子および受光素子の底
面と前記低応力樹脂部とを遮光性樹脂にて被覆する第２
の被覆工程と、を備えたことを特徴とする。このような
製造方法によって、ＰＣカードに搭載可能な２ｍｍ以下
の厚みの光結合素子を製造することができる。また、回
路基板への実装面積の少ない光結合素子を製造すること
ができる。
【００１１】また、本発明の光結合素子の製造方法で
は、端子部となる部分が厚く、その他の部分が薄く形成
されている平板フレームを用いて光結合素子を製造す
る。これにより、端子部となる部分を除いて平板フレー
ムを除去する除去工程では、不要なフレーム部分を確実
にかつ短時間に除去することができる。
は、端子部となる部分が厚く、その他の部分が薄く形成
されている平板フレームを用いて光結合素子を製造す
る。これにより、端子部となる部分を除いて平板フレー
ムを除去する除去工程では、不要なフレーム部分を確実
にかつ短時間に除去することができる。
【００１２】また、本発明の光結合素子の製造方法で
は、除去工程は、端子部となる部分の下面をレジストに
てマスキングし、このマスキングした下面側よりエッチ
ングする。これにより、不要なフレーム部分を確実に除
去することができる。
は、除去工程は、端子部となる部分の下面をレジストに
てマスキングし、このマスキングした下面側よりエッチ
ングする。これにより、不要なフレーム部分を確実に除
去することができる。
【００１３】また、本発明の光結合素子の製造方法で
は、搭載工程は、平板フレームの上面に発光素子および
受光素子をエポキシ樹脂にて接着するとともに、その接
着の際、エポキシ樹脂が発光素子および受光素子の底面
からはみ出すように広げて接着する。これにより、除去
工程においてエッチング液が発光素子および受光素子の
表面に回り込むことを防止することができる。
は、搭載工程は、平板フレームの上面に発光素子および
受光素子をエポキシ樹脂にて接着するとともに、その接
着の際、エポキシ樹脂が発光素子および受光素子の底面
からはみ出すように広げて接着する。これにより、除去
工程においてエッチング液が発光素子および受光素子の
表面に回り込むことを防止することができる。
【００１４】また、本発明の光結合素子の製造方法で
は、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上金
型の内面に密着し、下面を下金型の内面に密着するよう
にして、上金型と下金型とを閉じた後、金型内に遮光性
樹脂を流し込んで成形する。これにより、遮光性樹脂が
端子部となる部分の下面に流れ込むことを防止すること
ができる。つまり、回路基板に実装する面を確保するこ
とができる。
は、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上金
型の内面に密着し、下面を下金型の内面に密着するよう
にして、上金型と下金型とを閉じた後、金型内に遮光性
樹脂を流し込んで成形する。これにより、遮光性樹脂が
端子部となる部分の下面に流れ込むことを防止すること
ができる。つまり、回路基板に実装する面を確保するこ
とができる。
【００１５】また、本発明の光結合素子の製造方法で
は、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上金
型の内面に密着し、下面を下金型の内面に添設されたシ
ート部材に密着するようにして、上金型と下金型とを閉
じた後、金型内に遮光性樹脂を流し込んで成形する。こ
れにより、遮光性樹脂が端子部となる部分の下面に流れ
込むことを確実に防止することができる。つまり、回路
基板に実装する面を確保することができる。
は、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上金
型の内面に密着し、下面を下金型の内面に添設されたシ
ート部材に密着するようにして、上金型と下金型とを閉
じた後、金型内に遮光性樹脂を流し込んで成形する。こ
れにより、遮光性樹脂が端子部となる部分の下面に流れ
込むことを確実に防止することができる。つまり、回路
基板に実装する面を確保することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１７】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の光結合素
子の構造を、内部を透視した状態で示す正面図および平
面図である。
子の構造を、内部を透視した状態で示す正面図および平
面図である。
【００１８】本実施の形態の光結合素子は、平板状に形
成された遮光性樹脂部１１の周側の４隅部に、電極とな
る端子部２１、２１、・・・がそれぞれ形成され、遮光
性樹脂部１１の上面に、発光素子３と受光素子４とが搭
載されている。そして、これら発光素子３および受光素
子４のそれぞれと、対抗する端子部２１、２１、・・・
とがＡｕワイヤ５にてそれぞれ接続されている。このと
き、平板状の遮光性樹脂部１１および各端子部２１、２
１、・・・の上面および下面は、ほぼ面一となるように
形成されている。
成された遮光性樹脂部１１の周側の４隅部に、電極とな
る端子部２１、２１、・・・がそれぞれ形成され、遮光
性樹脂部１１の上面に、発光素子３と受光素子４とが搭
載されている。そして、これら発光素子３および受光素
子４のそれぞれと、対抗する端子部２１、２１、・・・
とがＡｕワイヤ５にてそれぞれ接続されている。このと
き、平板状の遮光性樹脂部１１および各端子部２１、２
１、・・・の上面および下面は、ほぼ面一となるように
形成されている。
【００１９】また、遮光性樹脂部１１の上面に搭載され
た発光素子３および受光素子４は、Ａｕワイヤ５も含め
て、表面処理された透光性の低応力樹脂部（シリコーン
樹脂含有エポキシ樹脂等）６にて被覆されており、さら
に、低応力樹脂部６の全体が遮光性樹脂部１２にて被覆
された構造となっている。
た発光素子３および受光素子４は、Ａｕワイヤ５も含め
て、表面処理された透光性の低応力樹脂部（シリコーン
樹脂含有エポキシ樹脂等）６にて被覆されており、さら
に、低応力樹脂部６の全体が遮光性樹脂部１２にて被覆
された構造となっている。
【００２０】つまり、本実施の形態の光結合素子は、遮
光性樹脂部１１および端子部２１、２１、・・・の上面
および下面がほぼ面一に形成されており、端子部２１、
２１、・・・の下部に遮光性樹脂部１１がない構造とな
っている。つまり、その分厚みが薄くなっており、ＰＣ
カードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みに形成可能な構造
となっている。
光性樹脂部１１および端子部２１、２１、・・・の上面
および下面がほぼ面一に形成されており、端子部２１、
２１、・・・の下部に遮光性樹脂部１１がない構造とな
っている。つまり、その分厚みが薄くなっており、ＰＣ
カードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みに形成可能な構造
となっている。
【００２１】次に、上記構造の光結合素子の製造方法に
ついて、図２ないし図７に示す各工程図を参照して説明
する。ただし、図２は搭載工程を示しており、（ａ）は
正面図、（ｂ）は一部拡大図、（ｃ）は同平面図であ
る。また、図３は接続工程および第１の被覆工程を示し
ており、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は同平面
図である。また、図４および図５は除去工程を示してお
り、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は同平面図で
ある。また、図６および図７は第２の被覆工程を示して
いる。ただし、図６および図７では、上金型３１および
下金型３２を断面で示している。
ついて、図２ないし図７に示す各工程図を参照して説明
する。ただし、図２は搭載工程を示しており、（ａ）は
正面図、（ｂ）は一部拡大図、（ｃ）は同平面図であ
る。また、図３は接続工程および第１の被覆工程を示し
ており、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は同平面
図である。また、図４および図５は除去工程を示してお
り、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は同平面図で
ある。また、図６および図７は第２の被覆工程を示して
いる。ただし、図６および図７では、上金型３１および
下金型３２を断面で示している。
【００２２】搭載工程では、銅合金材質の平板フレーム
２の上面に発光素子３および受光素子４を搭載する（図
２参照）。ここで、平板フレーム２は、電極となる端子
部２１、２１、・・・が厚く、その他の部分２２が薄く
形成されている。つまり、発光素子３および受光素子４
を搭載する部分２２が薄くなっている。これは、後述す
る除去工程を考慮したものである。また、発光素子３お
よび受光素子４は、平板フレーム２の上面にエポキシ樹
脂７にて接着する。その際、エポキシ樹脂７が発光素子
３および受光素子４の底面からはみ出すように広げて接
着する。これは、後述する除去工程を考慮したものであ
る。つまり、除去工程において、エッチング液が発光素
子３および受光素子４の表面に回り込むことを防止する
ためである。
２の上面に発光素子３および受光素子４を搭載する（図
２参照）。ここで、平板フレーム２は、電極となる端子
部２１、２１、・・・が厚く、その他の部分２２が薄く
形成されている。つまり、発光素子３および受光素子４
を搭載する部分２２が薄くなっている。これは、後述す
る除去工程を考慮したものである。また、発光素子３お
よび受光素子４は、平板フレーム２の上面にエポキシ樹
脂７にて接着する。その際、エポキシ樹脂７が発光素子
３および受光素子４の底面からはみ出すように広げて接
着する。これは、後述する除去工程を考慮したものであ
る。つまり、除去工程において、エッチング液が発光素
子３および受光素子４の表面に回り込むことを防止する
ためである。
【００２３】次の接続工程では、平板フレーム２に搭載
した発光素子３および受光素子４と、それぞれに対応す
る平板フレーム２の端子部２１、２１、・・・とを、そ
れぞれＡｕ線（導線）５にてワイヤボンドする（図２参
照）。
した発光素子３および受光素子４と、それぞれに対応す
る平板フレーム２の端子部２１、２１、・・・とを、そ
れぞれＡｕ線（導線）５にてワイヤボンドする（図２参
照）。
【００２４】次の第１の被覆工程では、平板フレーム２
に搭載された発光素子３、受光素子４およびＡｕ線５の
全体を、表面処理された透光性の低応力樹脂（低応力樹
脂部）６にて被覆する（図３参照）。このとき、低応力
樹脂部６は、平板フレーム２の各端子部２１、２１、・
・・の一部まで含むように形成する。低応力樹脂として
は、シリコーン樹脂含有エポキシ樹脂等がある。
に搭載された発光素子３、受光素子４およびＡｕ線５の
全体を、表面処理された透光性の低応力樹脂（低応力樹
脂部）６にて被覆する（図３参照）。このとき、低応力
樹脂部６は、平板フレーム２の各端子部２１、２１、・
・・の一部まで含むように形成する。低応力樹脂として
は、シリコーン樹脂含有エポキシ樹脂等がある。
【００２５】次の除去工程では、各端子部２１、２１、
・・・の下面をレジスト８にてマスキングし（図４参
照）、このマスキングした下面側よりエッチングして、
各端子部２１、２１、・・・以外の平板フレーム２（す
なわち、薄く形成されている部分２２）を除去した後、
レジスト８を取り除く（図５参照）。すなわち、この時
点では、発光素子３および受光素子４の下面側のフレー
ム部分２２が完全に除去され、発光素子３および受光素
子４と端子部２１、２１、・・・とが、低応力樹脂部６
にて一体的に保持された状態となっている。また、この
除去工程では、平板フレーム２が銅合金材質によって形
成されており、かつ除去する部分２２が薄く形成されて
いるので、エッチング処理を確実かつ短時間に行うこと
ができる。さらに、この除去工程では、エポキシ樹脂７
が発光素子３および受光素子４の底面からはみ出すよう
に広げて接着されているため、平板フレーム２２の不要
部分２２を除去後に、エッチング液が発光素子３および
受光素子４の表面に回り込むことがない。
・・・の下面をレジスト８にてマスキングし（図４参
照）、このマスキングした下面側よりエッチングして、
各端子部２１、２１、・・・以外の平板フレーム２（す
なわち、薄く形成されている部分２２）を除去した後、
レジスト８を取り除く（図５参照）。すなわち、この時
点では、発光素子３および受光素子４の下面側のフレー
ム部分２２が完全に除去され、発光素子３および受光素
子４と端子部２１、２１、・・・とが、低応力樹脂部６
にて一体的に保持された状態となっている。また、この
除去工程では、平板フレーム２が銅合金材質によって形
成されており、かつ除去する部分２２が薄く形成されて
いるので、エッチング処理を確実かつ短時間に行うこと
ができる。さらに、この除去工程では、エポキシ樹脂７
が発光素子３および受光素子４の底面からはみ出すよう
に広げて接着されているため、平板フレーム２２の不要
部分２２を除去後に、エッチング液が発光素子３および
受光素子４の表面に回り込むことがない。
【００２６】次の第２の被覆工程では、各端子部２１、
２１、・・・の上面を、上金型３１の対向する部分の内
面３１ａに密着し、各端子２１、２１、・・・の下面
を、下金型３２の内面に添設されたシート部材４１を介
して密着するようにして、上金型３１と下金型３２とを
閉じた後、金型内に遮光性樹脂１（１１、１２）を流し
込み、成形する（図６参照）。このように、下金型３２
の内面にシート部材４１を添設することで、このシート
部材４１が各端子部２１、２１、・・・の下面に密着す
るので、遮光性樹脂１が各端子部２１、２１・・・、の
下面に流れ込むことを防止することができる。つまり、
図示しない回路基板に実装する面（各端子部２１、２
１、・・・の下面）を確保することができる。
２１、・・・の上面を、上金型３１の対向する部分の内
面３１ａに密着し、各端子２１、２１、・・・の下面
を、下金型３２の内面に添設されたシート部材４１を介
して密着するようにして、上金型３１と下金型３２とを
閉じた後、金型内に遮光性樹脂１（１１、１２）を流し
込み、成形する（図６参照）。このように、下金型３２
の内面にシート部材４１を添設することで、このシート
部材４１が各端子部２１、２１、・・・の下面に密着す
るので、遮光性樹脂１が各端子部２１、２１・・・、の
下面に流れ込むことを防止することができる。つまり、
図示しない回路基板に実装する面（各端子部２１、２
１、・・・の下面）を確保することができる。
【００２７】この後、金型を開いて光結合素子（この状
態では複数個が連接されている）を取り出し、各端子部
２１、２１、・・・を適当なところで切断（切断工程）
すると、図１に示す構造の光結合素子が完成する。
態では複数個が連接されている）を取り出し、各端子部
２１、２１、・・・を適当なところで切断（切断工程）
すると、図１に示す構造の光結合素子が完成する。
【００２８】なお、図７は、第２の被覆工程の他の実施
の形態を示している。すなわち、上金型３１の内面およ
び下金型３２の内面であって、各端子部２１、２１、・
・・の切断部分となる箇所に楔状突起部３１ｂ、３２ｂ
をそれぞれ形成したものである。
の形態を示している。すなわち、上金型３１の内面およ
び下金型３２の内面であって、各端子部２１、２１、・
・・の切断部分となる箇所に楔状突起部３１ｂ、３２ｂ
をそれぞれ形成したものである。
【００２９】すなわち、各端子部２１、２１、・・・の
上面を、上金型３１の対向する部分の内面３１ａに密着
し、各端子２１、２１・・・の下面を、下金型３２の対
向する部分の内面に密着するようにして、上金型３１と
下金型３２とを閉じると、上金型３１に形成された楔状
突起部３１ｂが各端子部２１、２１、・・・の上面を潰
し込むように押圧し、下金型３２に形成された楔状突起
部３２ｂが各端子部２１、２１、・・・の下面を潰し込
むように押圧する。これにより、金型内に遮光性樹脂１
を流し込んだとき、遮光性樹脂１が各端子部２１、２
１、・・・の下面に流れ込むことを防止することができ
る。つまり、図示しない回路基板に実装する面（各端子
部２１、２１、・・・の下面）を確保することができ
る。
上面を、上金型３１の対向する部分の内面３１ａに密着
し、各端子２１、２１・・・の下面を、下金型３２の対
向する部分の内面に密着するようにして、上金型３１と
下金型３２とを閉じると、上金型３１に形成された楔状
突起部３１ｂが各端子部２１、２１、・・・の上面を潰
し込むように押圧し、下金型３２に形成された楔状突起
部３２ｂが各端子部２１、２１、・・・の下面を潰し込
むように押圧する。これにより、金型内に遮光性樹脂１
を流し込んだとき、遮光性樹脂１が各端子部２１、２
１、・・・の下面に流れ込むことを防止することができ
る。つまり、図示しない回路基板に実装する面（各端子
部２１、２１、・・・の下面）を確保することができ
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明の光結合素子によれば、従来は端
子部の下側まであった遮光性樹脂が、本発明では端子部
の下側にはなく、面一の構造となっているので、その
分、全体の厚みを薄くすることができる。つまり、ＰＣ
カードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みにすることができ
る。また、端子部の下側に遮光性樹脂がないので、端子
部の下面を回路基板に直接接触させて実装することがで
きる。つまり、端子部を左右に延設する必要がないの
で、その分実装面積を小さくすることができる。
子部の下側まであった遮光性樹脂が、本発明では端子部
の下側にはなく、面一の構造となっているので、その
分、全体の厚みを薄くすることができる。つまり、ＰＣ
カードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みにすることができ
る。また、端子部の下側に遮光性樹脂がないので、端子
部の下面を回路基板に直接接触させて実装することがで
きる。つまり、端子部を左右に延設する必要がないの
で、その分実装面積を小さくすることができる。
【００３１】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、ＰＣカードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みの光結
合素子を製造することができる。また、回路基板への実
装面積の少ない光結合素子を製造することができる。
れば、ＰＣカードに搭載可能な２ｍｍ以下の厚みの光結
合素子を製造することができる。また、回路基板への実
装面積の少ない光結合素子を製造することができる。
【００３２】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、端子部となる部分が厚く、その他の部分が薄く形
成されている平板フレームを用いて光結合素子を製造す
るので、端子部となる部分を除いて平板フレームを除去
する除去工程では、不要なフレーム部分を確実にかつ短
時間に除去することができる。
れば、端子部となる部分が厚く、その他の部分が薄く形
成されている平板フレームを用いて光結合素子を製造す
るので、端子部となる部分を除いて平板フレームを除去
する除去工程では、不要なフレーム部分を確実にかつ短
時間に除去することができる。
【００３３】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、除去工程は、端子部となる部分の下面をレジスト
にてマスキングし、このマスキングした下面側よりエッ
チングするので、不要なフレーム部分を確実に除去する
ことができる。
れば、除去工程は、端子部となる部分の下面をレジスト
にてマスキングし、このマスキングした下面側よりエッ
チングするので、不要なフレーム部分を確実に除去する
ことができる。
【００３４】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、搭載工程は、平板フレームの上面に発光素子およ
び受光素子をエポキシ樹脂にて接着するとともに、その
接着の際、エポキシ樹脂が発光素子および受光素子の底
面からはみ出すように広げて接着するので、除去工程に
おいてエッチング液が発光素子および受光素子の表面に
回り込むことを防止することができる。
れば、搭載工程は、平板フレームの上面に発光素子およ
び受光素子をエポキシ樹脂にて接着するとともに、その
接着の際、エポキシ樹脂が発光素子および受光素子の底
面からはみ出すように広げて接着するので、除去工程に
おいてエッチング液が発光素子および受光素子の表面に
回り込むことを防止することができる。
【００３５】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上
金型の内面に密着し、下面を下金型の内面に密着するよ
うにして、上金型と下金型とを閉じた後、金型内に遮光
性樹脂を流し込んで成形するので、遮光性樹脂が端子部
となる部分の下面に流れ込むことを防止することができ
る。つまり、回路基板に実装する面を確保することがで
きる。
れば、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上
金型の内面に密着し、下面を下金型の内面に密着するよ
うにして、上金型と下金型とを閉じた後、金型内に遮光
性樹脂を流し込んで成形するので、遮光性樹脂が端子部
となる部分の下面に流れ込むことを防止することができ
る。つまり、回路基板に実装する面を確保することがで
きる。
【００３６】また、本発明の光結合素子の製造方法によ
れば、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上
金型の内面に密着し、下面を下金型の内面に添設された
シート部材に密着するようにして、上金型と下金型とを
閉じた後、金型内に遮光性樹脂を流し込んで成形するの
で、遮光性樹脂が端子部となる部分の下面に流れ込むこ
とを確実に防止することができる。つまり、回路基板に
実装する面を確保することができる。
れば、第２の被覆工程は、端子部となる部分の上面を上
金型の内面に密着し、下面を下金型の内面に添設された
シート部材に密着するようにして、上金型と下金型とを
閉じた後、金型内に遮光性樹脂を流し込んで成形するの
で、遮光性樹脂が端子部となる部分の下面に流れ込むこ
とを確実に防止することができる。つまり、回路基板に
実装する面を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の光結合素子の構造を示す断面
図、（ｂ）は本発明の光結合素子の構造を示す平面図で
ある。
図、（ｂ）は本発明の光結合素子の構造を示す平面図で
ある。
【図２】本発明の製造方法の搭載工程を示しており、
（ａ）は正面図、（ｂ）は一部拡大図、（ｃ）は同平面
図である。
（ａ）は正面図、（ｂ）は一部拡大図、（ｃ）は同平面
図である。
【図３】本発明の製造方法の接続工程および第１の被覆
工程を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、
（ｂ）は同平面図である。
工程を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、
（ｂ）は同平面図である。
【図４】本発明の製造方法の除去工程（レジスト工程）
を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は
同平面図である。
を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、（ｂ）は
同平面図である。
【図５】本発明の製造方法の除去工程（エッチング工
程）を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、
（ｂ）は同平面図である。
程）を示しており、（ａ）は一部拡大した正面図、
（ｂ）は同平面図である。
【図６】本発明の製造方法の第２の被覆工程を示してお
り、（ａ）は断面で示す金型を閉じる前の状態を示す正
面図、（ｂ）は断面で示す金型を閉じた状態を示す正面
図である。
り、（ａ）は断面で示す金型を閉じる前の状態を示す正
面図、（ｂ）は断面で示す金型を閉じた状態を示す正面
図である。
【図７】第２の被覆工程の他の実施の形態を示してお
り、（ａ）は断面で示す金型を閉じる前の状態を示す正
面図、（ｂ）は断面で示す金型を閉じた状態を示す正面
図である。
り、（ａ）は断面で示す金型を閉じる前の状態を示す正
面図、（ｂ）は断面で示す金型を閉じた状態を示す正面
図である。
【図８】従来の対抗型光結合素子の構造の一例を示す正
面図である。
面図である。
【図９】従来の反射型光結合素子の構造の一例を示す正
面図である。
面図である。
１ 遮光性樹脂 ２ 平板フレーム ３ 発光素子 ４ 受光素子 ５ Ａｕワイヤ（導線） ６ 低応力樹脂（低応力樹脂部） ７ エポキシ樹脂 ８ レジスト １１、１２ 遮光性樹脂部 ２１ 端子部 ３１ 上金型 ３１ｂ、３２ｂ 楔状突起部 ３２ 下金型 ４１ シート部材
Claims (9)
- 【請求項１】 平板状に形成された遮光性樹脂の周側部
に電極となる端子部が形成されるとともに、前記遮光性
樹脂の上に発光素子と受光素子とが搭載され、これら発
光素子および受光素子と前記端子部とが電気的に接続さ
れていることを特徴とする光結合素子。 - 【請求項２】 前記遮光性樹脂および前記端子部の上面
および下面がほぼ面一に形成されている請求項１に記載
の光結合素子。 - 【請求項３】 前記発光素子および受光素子が透光性の
低応力樹脂にて被覆され、さらに、低応力樹脂の全体が
遮光性樹脂にて被覆されている請求項１または２に記載
の光結合素子。 - 【請求項４】 平板フレームの上面に発光素子および受
光素子を搭載する搭載工程と、 搭載した発光素子および受光素子と、前記平板フレーム
の端子部となる部分とをそれぞれ導線にて接続する接続
工程と、 発光素子、受光素子および導線を含み、かつ前記平板フ
レームの端子部となる部分まで含むように透光性の低応
力樹脂にて被覆する第１の被覆工程と、 前記端子部となる部分を除いて前記平板フレームを除去
する除去工程と、 少なくとも前記端子部となる部分の下面を除いて、前記
発光素子および受光素子の底面と前記低応力樹脂部とを
遮光性樹脂にて被覆する第２の被覆工程と、を備えたこ
とを特徴とする光結合素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記平板フレームは、端子部となる部分
が厚く、その他の部分が薄く形成されている請求項４に
記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記除去工程は、端子部となる部分の下
面をレジストにてマスキングし、このマスキングした下
面側よりエッチングする請求項４または５に記載の光結
合素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記搭載工程は、平板フレームの上面に
発光素子および受光素子をエポキシ樹脂にて接着すると
ともに、その接着の際、エポキシ樹脂が発光素子および
受光素子の底面からはみ出すように広げて接着する請求
項４に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の被覆工程は、前記端子部とな
る部分の上面を上金型の内面に密着し、下面を下金型の
内面に密着するようにして、上金型と下金型とを閉じた
後、金型内に遮光性樹脂を流し込んで成形する請求項４
に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の被覆工程は、前記端子部とな
る部分の上面を上金型の内面に密着し、下面を下金型の
内面に添設されたシート部材に密着するようにして、上
金型と下金型とを閉じた後、金型内に遮光性樹脂を流し
込んで成形する請求項４に記載の光結合素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28338699A JP3745174B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 光結合素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28338699A JP3745174B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 光結合素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111098A true JP2001111098A (ja) | 2001-04-20 |
| JP3745174B2 JP3745174B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=17664856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28338699A Expired - Fee Related JP3745174B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 光結合素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3745174B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022264980A1 (ja) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | ローム株式会社 | 絶縁モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6416800B2 (ja) | 2016-01-26 | 2018-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28338699A patent/JP3745174B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3745174B2 (ja) | 2006-02-15 |
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