WO2022201649A1 - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022201649A1
WO2022201649A1 PCT/JP2021/044820 JP2021044820W WO2022201649A1 WO 2022201649 A1 WO2022201649 A1 WO 2022201649A1 JP 2021044820 W JP2021044820 W JP 2021044820W WO 2022201649 A1 WO2022201649 A1 WO 2022201649A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
workpiece
adsorbent
grindstone
grinding
work
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/044820
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正 村里
Original Assignee
株式会社東京精密
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東京精密 filed Critical 株式会社東京精密
Priority to US18/281,941 priority Critical patent/US20240149391A1/en
Priority to KR1020237029466A priority patent/KR20230135672A/ko
Priority to CN202180096261.6A priority patent/CN117083151A/zh
Publication of WO2022201649A1 publication Critical patent/WO2022201649A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • the present invention relates to a processing device for planar processing of a work.
  • workpieces such as silicon wafers (hereinafter referred to as "workpieces") into thin, flat planes.
  • Patent Document 1 discloses a grinding device that grinds a rectangular workpiece to a predetermined thickness by bringing a rotating grindstone into contact with the upper surface of a rectangular workpiece held on a chuck table.
  • non-circular workpieces In the case of infeed processing of workpieces with shapes other than circular or with an orientation flat (hereinafter collectively referred to as "non-circular workpieces"), the contact between the grindstone and the workpiece at every predetermined rotation of the chuck table The area is not constant, and in areas where the contact area is relatively large, the amount of grinding of the work tends to be small, and in areas where the contact area is relatively small, the amount of grinding of the work tends to be large. That is, there is a problem that the thickness of the work varies depending on the size of the contact area between the grindstone and the work during processing, and the work cannot be finished to a desired thickness.
  • a processing apparatus for planarizing a workpiece with a grindstone, comprising: a suction body capable of holding the workpiece by suction; and an attachment that is made of a material that is more difficult to cut than the adsorbent and is capable of coming into contact with the whetstone during self-grinding of the adsorbent.
  • the thickness of the adsorbent after self-grinding in the region where the grindstone contacts the adsorbent and the attachment is equal to the thickness of the adsorbent in the region where the grindstone contacts the adsorbent so as to offset the variation in the thickness of the workpiece after planarization. Since it is thicker than the adsorbent after self-grinding, it is possible to reduce variations in the thickness of the workpiece after planarization.
  • the present invention can reduce variations in the thickness of a workpiece after plane machining due to the accuracy of the fixed surface of the workpiece, the accuracy of attaching the machining tool, or the shape of the workpiece.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a chuck table; 3A is a plan view of the chuck table of FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the schematic diagram which shows the mode of self-grinding.
  • the top view which compared the contact area of the workpiece
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the thickness of the workpiece after planarization at two locations shown in FIG. 5 ; The top view which shows the positional relationship of the attachment with respect to an adsorption body.
  • FIG. 10A is a plan view of the chuck table of FIG. 9, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • drawings may exaggerate by enlarging and exaggerating characteristic parts in order to make the features easier to understand, and the dimensional ratios, etc. of the constituent elements may not necessarily be the same as the actual ones.
  • hatching of some components may be omitted in order to facilitate understanding of the cross-sectional structure of the components.
  • expressions indicating directions such as up and down, left and right are not absolute, and are appropriate when each component is in the posture depicted in the drawing. In some cases, it should be changed and interpreted according to changes in posture.
  • the processing device 1 performs grinding processing on the workpiece W. As shown in FIG. 1 , the processing device 1 includes a processing section 2 and a holding section 3 .
  • the processing section 2 includes a grindstone 21 , a grindstone spindle 22 and an infeed mechanism 23 .
  • the grindstone 21 is, for example, a cup-shaped grindstone and attached to the lower end of the grindstone spindle 22 .
  • the grindstone spindle 22 is rotatable around the rotary shaft 2a, and the grindstone 21 and the grindstone spindle 22 are configured to be integrally rotatable.
  • the infeed mechanism 23 raises and lowers the grindstone spindle 22 in the vertical direction.
  • the infeed mechanism 23 has a known configuration, and is composed of, for example, a plurality of linear guides that guide the movement direction of the grindstone spindle 22 and a ball screw slider mechanism that moves the grindstone spindle 22 up and down.
  • the infeed mechanism 23 is interposed between the grindstone spindle 22 and the column 24 .
  • the holding unit 3 includes a chuck table 31 and a chuck spindle 32.
  • the chuck table 31 has an adsorbent 33 made of a porous material such as alumina on its upper surface, and a dense body 34 in which the adsorbent 33 is embedded substantially in the center.
  • the chuck table 31 has a conduit (not shown) extending through the inside to the surface.
  • the pipeline is connected to a vacuum source, a compressed air source, or a water supply source via a rotary joint (not shown).
  • a vacuum source When the vacuum source is activated, a negative pressure is generated between the work W placed on the attracting body 33 and the upper surface (attracting surface 33a) of the attracting body 33, and the work W is attracted and held on the attracting surface 33a.
  • the compressed air source or the water supply source is activated, the adsorption between the workpiece W and the adsorbent 33 is released.
  • the adsorbent 33 is formed in a shape corresponding to the workpiece W which is rectangular in plan view.
  • the chuck spindle 32 is configured to rotationally drive the chuck table 31 around the rotary shaft 3a.
  • a drive source for the chuck spindle 32 may be, for example, a servomotor.
  • annular recess 35 is formed in the chuck table 31 so as to surround the attracting body 33 .
  • a plurality of bolt holes 36 are formed in the bottom of the annular recess 35 .
  • the annular recess 35 does not need to be formed on the entire circumference of the adsorbent 33, and may be locally formed within a range where an attachment 37, which will be described later, can be attached.
  • An attachment 37 is attached to the annular recess 35 .
  • the attachment 37 is arranged along the radial direction of the chuck table 31 as viewed from above so as to close the space between the four corners of the attracting body 33 and the outer edge of the chuck table 31 .
  • the attachment 37 may be made of a difficult-to-cut material having hardness higher than that of the adsorbent 33, and is made of the same material as the dense body 34, for example.
  • FIG. 3B when the attachment 37 is attached to the chuck table 31, the suction surface 33a and the upper surface (contact surface 37a) of the attachment 37 are substantially flush with each other.
  • a bolt hole 38 is formed through the attachment 37 from above and below.
  • the attachment 37 is detachably fastened to the chuck table 31 via bolts 39 .
  • the corners of the contact surface 37a are preferably chamfered in order to suppress chipping by the grindstone 21. As shown in FIG.
  • the operation of the processing device 1 is controlled by a control unit (not shown).
  • the control unit controls each of the constituent elements that constitute the processing apparatus 1 .
  • the control unit is composed of, for example, a CPU, a memory, and the like.
  • the functions of the control unit may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.
  • self-grinding refers to a process in which the whetstone 21 is brought close to the chuck table 31 by the infeed mechanism 23, and the whetstone 21 grinds the suction surface 33a of the suction body 33.
  • Self-grinding is performed as appropriate to maintain the desired shape of the attracting surface 33a, and is generally performed prior to planarization of the workpiece W when the chuck table 31 is replaced.
  • the processing apparatus 1 When the processing apparatus 1 performs planar processing of the workpiece W by bringing the processing surface of the grindstone 21 into parallel contact with the surface to be processed of the non-circular workpiece W, the processing amount (grinding amount) of the workpiece W is within the plane. may not be stable. The reason for this will be described below with reference to FIG.
  • the work W having a square shape in plan view will be described below as an example, the shape of the work W is not limited to this.
  • a comparison of the contact area A2 between the work W and the grindstone 21 when contacting through the center of the side of the work W and the rotation center O reveals that the contact area A1 is about twice as wide as the contact area A2. I understand.
  • the workpiece W after processing decreases. thicken. That is, when comparing the thicknesses of the work W after grinding in the contact areas A1 and A2, as shown in FIG. 6, the work W in the contact area A2 is formed thicker than the work W in the contact area A1. For example, in the case of a 280 mm square workpiece W, the end P2 of the contact area A2 is ground to be approximately 4 ⁇ m thinner than the end P1 of the contact area A1.
  • the self-grinding amount is adjusted within the suction body 33 so as to offset the change in the thickness of the work W according to the change in the contact area between the work W and the grindstone 21 during planarization. It is increased or decreased locally.
  • the attachment 37 is arranged on the outer periphery of the adsorbent 33 in the first processing region R1.
  • the first processing region R1 is set in a fan shape with a central angle of ⁇ 15 degrees centered on the diagonal line of the adsorbent 33, and the second processing region R2 is set to the adjacent first processing region R1. It was set in a substantially fan shape with a central angle of 60 degrees between.
  • the sizes of the machining regions R1 and R2 may be appropriately changed according to the machining conditions of the workpiece W and the like.
  • the attachment 37 is made of a material that is more difficult to cut than the suction body 33, as shown in FIG. , the amount of grinding of the adsorbent 33 in the second processing region R2 is smaller than that of the adsorbent 33 in the second processing region R2, so the adsorbent 33 in the first processing region R1 is ground thick locally.
  • the difference in the amount of grinding between the first processing region R1 and the second processing region R2 during planar processing is the thickness of the first processing region R1 and the second processing region R2 in the adsorbent 33. This is offset by the difference, and variations in the thickness of the workpiece W after planarization are reduced.
  • the shape of the attracting body 33 and the attachment 37 is not limited to those described above. As shown in (b), the adsorbent 33 may be formed in a circular shape when viewed from the top, and the attachment 37 may be formed to have an annular sector shape when viewed from the top.
  • the processing apparatus 1 is a processing apparatus 1 that performs planar processing on the work W with the grindstone 21, and includes the suction body 33 capable of holding the work W by suction, and the suction body 33 on the outer peripheral side of the suction body 33. and an attachment 37 that is provided, is made of a material that is harder to grind than the adsorbent 33, and is capable of contacting the grindstone 21 during self-grinding for grinding the adsorbent 33.
  • the thickness of the work W after processing is uneven due to the contact area between the grindstone 21 and the work W changing according to the rotation angle of the chuck table 31. so that the thickness of the adsorbent 33 after self-grinding in the first processing region R1 where the grindstone 21 contacts the adsorbent 33 and the attachment 37 is the second processing region where the grindstone 21 contacts the adsorbent 33 Since it is thicker than the thickness of the adsorbent 33 after self-grinding in R2, it is possible to reduce variations in the thickness of the workpiece W after planarization.
  • the processing apparatus 1 is configured such that the attachment 37 is detachably provided on the chuck table 31 that accommodates the attracting body 33 .
  • the shape of the adsorbent 33 after self-grinding can be changed according to the shape of the workpiece W and processing conditions.
  • the processing apparatus 1 is configured such that the workpiece W is formed in a non-circular shape.
  • Reference Signs List 1 processing device 2: processing unit 21: grindstone 22: grindstone spindle 23: infeed mechanism 24: column 3: holding unit 31: chuck table 32: chuck spindle 33: adsorption body 33a: adsorption surface 34: dense body 35: annular Recess 36: bolt hole 37 (dense body): attachment 37a: contact surface 38: bolt hole 39 (of attachment): bolt R1: first machining area R2: second machining area W: workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】ワークを所望の厚みに平面加工する加工装置を提供する。 【解決部】加工装置１は、非円形状のワークＷを砥石２１で平面加工する加工装置１であって、ワークＷを吸着保持可能な吸着体３３と、吸着体３３の外周側に設けられ、吸着体３３より難削材で構成され、吸着体３３を研削するセルフグラインドの際に砥石２１に接触可能なアタッチメント３７と、を備えている。

Description

加工装置
　本発明は、ワークを平面加工する加工装置に関するものである。
　半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ワーク（以下、「ワーク」という）を薄く平坦に平面加工する加工装置が知られている。
　特許文献１には、チャックテーブルに保持された矩形ワークの上面に回転する砥石を接触させ、矩形ワークを所定厚みに研削する研削装置が開示されている。
特許第５２３０９８２号公報
　しかしながら、ワークを平面加工する場合、ワークの固定面精度や砥石等の加工工具の取付精度の影響により、加工後のワークに厚みバラつきが生じる虞がある。このような厚みバラつきを解消するために、従来では、ワークの固定面や加工工具を組み付けし直したり調整する必要があった。
　さらに、円形を除く形状のワークやオリフラが設けられたワーク（以下、総称して「非円形状のワーク」という）をインフィード加工する場合、チャックテーブルの所定回転毎における砥石とワークとの接触面積は一定ではなく、接触面積が比較的広い領域では、ワークの研削量は少なくなり、接触面積が比較的狭い領域では、ワークの研削量は大きくなりがちである。すなわち、加工中における砥石とワークとの接触面積の大小に応じて、ワークの厚みがばらつき、ワークを所望の厚みに仕上げられないという問題があった。
　そこで、ワークを所望の厚みに平面加工するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、ワークを砥石で平面加工する加工装置であって、前記ワークを吸着保持可能な吸着体と、前記吸着体の外周側に設けられ、前記吸着体より難削材で構成され、前記吸着体を研削するセルフグラインドの際に前記砥石に接触可能なアタッチメントと、を備えている。
　この構成によれば、平面加工後のワークの厚みバラつきを相殺するように、砥石が吸着体及びアタッチメントに接触する領域におけるセルフグラインド後の吸着体の厚みが、砥石が吸着体に接触する領域におけるセルフグラインド後の吸着体の厚みより厚くなるため、平面加工後のワークの厚みバラつきを軽減することができる。
　本発明は、ワークの固定面精度、加工工具の取り付け精度又はワークの形状に起因する平面加工後のワークの厚みバラつきを軽減することができる。
本発明の一実施形態に係る加工装置を示す模式図。 チャックテーブルを示す斜視図。 図２のチャックテーブルを示す図であり、（a）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ－Ａ断面図。 セルフグラインドの様子を示す模式図。 ワーク内の２箇所におけるワークと砥石との接触面積を比較した平面図。 図５に示す２箇所における平面加工後のワークの厚みを示す模式図。 吸着体に対するアタッチメントの位置関係を示す平面図。 （a）は、吸着体内の２箇所におけるセルフグラインド後の厚みを示す模式図であり、（ｂ）は、ワーク内の２箇所における平面加工後の厚みを示す模式図。 本発明の変形例に係る加工装置に適用されるチャックテーブルを示す斜視図。 図９のチャックテーブルを示す図であり、（a）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ－Ｂ断面図。
　本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
　また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
　また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
　また、本実施形態において、上下や左右等の方向を示す表現は、絶対的なものではなく、各構成要素が図面に描かれている姿勢である場合に適切であるが、その姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。
　加工装置１は、ワークＷに対して研削加工を行うものである。図１に示すように、加工装置１は、加工部２と、保持部３と、を備えている。
　加工部２は、砥石２１と、砥石スピンドル２２と、インフィード機構２３と、を備えている。
　砥石２１は、例えばカップ型砥石であり、砥石スピンドル２２の下端に取り付けられている。
　砥石スピンドル２２は、回転軸２ａ回りに回転可能であり、砥石２１及び砥石スピンドル２２が、一体となって回転可能に構成されている。
　インフィード機構２３は、砥石スピンドル２２を垂直方向に昇降させる。インフィード機構２３は、公知の構成であり、例えば、砥石スピンドル２２の移動方向を案内する複数のリニアガイドと、砥石スピンドル２２を昇降させるボールネジスライダ機構と、で構成されている。インフィード機構２３は、砥石スピンドル２２とコラム２４との間に介装されている。
　保持部３は、チャックテーブル３１と、チャックスピンドル３２と、を備えている。
　チャックテーブル３１は、上面にアルミナ等の多孔質材料からなる吸着体３３と、吸着体３３を略中央に埋設する緻密体３４と、を備えている。
　チャックテーブル３１は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、吸着体３３に載置されたワークＷと吸着体３３の上面（吸着面３３ａ）との間に負圧が生じて、ワークＷが吸着面３３ａに吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ワークＷと吸着体３３との吸着が解除される。
　吸着体３３は、平面から視て矩形状のワークＷに応じた形状に形成されている。
　チャックスピンドル３２は、回転軸３ａ回りにチャックテーブル３１を回転駆動するように構成されている。チャックスピンドル３２の駆動源は、例えばサーボモータ等が考えられる。
　図２に示すように、チャックテーブル３１には、吸着体３３を囲繞するように環状凹部３５が形成されている。環状凹部３５の底部には、複数のボルト孔３６が形成されている。なお、環状凹部３５は、吸着体３３の全周に形成される必要はなく、後述するアタッチメント３７が取り付けられ得る範囲に局所的に形成されていても構わない。
　環状凹部３５には、アタッチメント３７が取り付けられる。具体的には、図３（ａ）に示すように、アタッチメント３７は、平面から視てチャックテーブル３１の径方向に沿って吸着体３３の四隅とチャックテーブル３１の外縁との間を塞ぐように設けられる。アタッチメント３７は、吸着体３３より高硬度の難削材であれば良く、例えば緻密体３４と同様の材料から成る。また、図３（ｂ）に示すように、アタッチメント３７がチャックテーブル３１に取り付けられた状態において、吸着面３３ａとアタッチメント３７の上面（接触面３７ａ）とは略面一である。
　アタッチメント３７には、上下を貫通して形成されたボルト孔３８が形成されている。アタッチメント３７は、ボルト３９を介してチャックテーブル３１に着脱自在に締結されている。なお、接触面３７ａの角は、砥石２１によるチッピングを抑制するために面取りされているのが好ましい。
　加工装置１の動作は、図示しない制御部によって制御される。制御部は、加工装置１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御部は、例えば、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、制御部の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
　次に、加工装置１のセルフグラインドについて、図面に基づいて説明する。
　セルフグラインドとは、図４に示すように、インフィード機構２３で砥石２１をチャックテーブル３１に接近させて、砥石２１で吸着体３３の吸着面３３ａを研削する工程をいう。セルフグラインドは、吸着面３３ａを所望の形状に維持するために適宜行うものであり、チャックテーブル３１を交換した際にワークＷの平面加工に先行して行われるのが一般的である。
　加工装置１が、非円形状のワークＷの被加工面に対して砥石２１の加工面を平行に接触させてワークＷを平面加工する場合に、ワークＷの加工量（研削量）が面内で安定しないことがある。以下、その理由について、図５に基づいて説明する。なお、以下では、平面視で正方形状のワークＷを例に説明するが、ワークＷの形状はこれに限定されるものではない。
　図５に示すように、砥石２１の加工面がワークＷの角及びチャックテーブル３１の回転中心Ｏを通るように接触する場合のワークＷと砥石２１との接触領域Ａ１と、砥石２１の加工面がワークＷの辺の中央及び回転中心Ｏを通るように接触する場合のワークＷと砥石２１との接触領域Ａ２とを比較すると、接触領域Ａ１は、接触領域Ａ２より約２倍程度広いことが分かる。
　そして、砥石２１をワークＷに全面に亘って一様に接触させた場合、ワークＷと砥石２１との接触面積が大きくなるにしたがい、ワークＷの研削量が減少して加工後のワークＷが厚くなる。すなわち、接触領域Ａ１、Ａ２における研削後のワークＷの厚みを比較すると、図６に示すように、接触領域Ａ２内のワークＷは、接触領域Ａ１内のワークＷより厚く形成される。例えば、２８０ｍｍ角のワークＷの場合、接触領域Ａ２の端部Ｐ２では、接触領域Ａ１の端部Ｐ１より約４μｍほど薄く研削される。
　そこで、加工装置１では、平面加工の際にワークＷ及び砥石２１が接触する接触面積の変化に応じたワークＷの厚みの変化を相殺するように、セルフグラインドの研削量を吸着体３３内で局所的に増減させている。
　具体的には、図７に示すように、平面加工の際にワークＷの研削量が相対的に小さい第１の加工領域Ｒ１及びワークＷの研削量が相対的に大きい第２の加工領域Ｒ２を仮定し、第１の加工領域Ｒ１において吸着体３３の外周にアタッチメント３７を配置する。
　本実施形態では、第１の加工領域Ｒ１を、吸着体３３の対角線を中心にして中心角±１５度の扇形状に設定し、第２の加工領域Ｒ２を、隣り合う第１の加工領域Ｒ１の間に中心角６０度の略扇状に設定した。なお、各加工領域Ｒ１、Ｒ２の大きさは、ワークＷの加工条件等に応じて適宜変更して構わない。
　そして、アタッチメント３７が吸着体３３より難削材で構成されていることにより、図８（ａ）に示すように、セルフグラインド時の第１の加工領域Ｒ１内での吸着体３３の研削量が、第２の加工領域Ｒ２内での吸着体３３の研削量より少ないため、第１の加工領域Ｒ１内の吸着体３３が局所的に厚く研削される。
　そして、ワークＷが平面加工されると、図８（ｂ）に示すように、平面加工時の第１の加工領域Ｒ１内でのワークＷの研削量が、第２の加工領域Ｒ２内でのワークＷの研削量より少ないため、第１の加工領域Ｒ１内のワークＷが、第２の加工領域Ｒ２内のワークＷより厚く加工される。
　このようにして、平面加工時における第１の加工領域Ｒ１及び第２の加工領域Ｒ２の研削量の差が、吸着体３３内の第１の加工領域Ｒ１及び第２の加工領域Ｒ２の厚みの差により相殺されて、平面加工後のワークＷの厚みバラツキが軽減される。
　なお、吸着体３３及びアタッチメント３７は上述した形状に限定されるものではなく、例えば、チャックテーブル３１が、オリフラＯＦが形成されたワークＷを吸着保持する場合、図９、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、吸着体３３が、平面から視て円形状に形成され、アタッチメント３７が、平面から視て環状扇形状に形成されているものであっても構わない。
　このようにして、本実施形態に係る加工装置１は、ワークＷを砥石２１で平面加工する加工装置１であって、ワークＷを吸着保持可能な吸着体３３と、吸着体３３の外周側に設けられ、吸着体３３より難削材で構成され、吸着体３３を研削するセルフグラインドの際に砥石２１に接触可能なアタッチメント３７と、を備えている構成とした。
　この構成によれば、砥石２１がワークＷを平面加工する場合に砥石２１とワークＷとの接触面積がチャックテーブル３１の回転角に応じて変化することに起因する加工後のワークＷの厚みバラつきを相殺するように、砥石２１が吸着体３３及びアタッチメント３７に接触する第１の加工領域Ｒ１におけるセルフグラインド後の吸着体３３の厚みが、砥石２１が吸着体３３に接触する第２の加工領域Ｒ２におけるセルフグラインド後の吸着体３３の厚みより厚くなるため、平面加工後のワークＷの厚みバラつきを軽減することができる。
　また、本実施形態に係る加工装置１は、アタッチメント３７が、吸着体３３を収容するチャックテーブル３１に着脱自在に設けられている構成とした。
　この構成によれば、吸着体３３に対するアタッチメント３７の位置を変更可能なため、ワークＷの形状や加工条件に応じてセルフグラインド後の吸着体３３の形状を変更することができる。
　また、本実施形態に係る加工装置１は、ワークＷが、非円形状に形成されている構成とした。
　この構成によれば、ワークＷの形状に起因する平面加工後のワークＷの厚みバラつきを軽減することができる。
　また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。また、上述した実施形態及び各変形例は、互いに組み合わせても構わない。
１　　：加工装置
２　　：加工部
２１　：砥石
２２　：砥石スピンドル
２３　：インフィード機構
２４　：コラム
３　　：保持部
３１　：チャックテーブル
３２　：チャックスピンドル
３３　：吸着体
３３ａ：吸着面
３４　：緻密体
３５　：環状凹部
３６　：（緻密体の）ボルト孔
３７　：アタッチメント
３７ａ：接触面
３８　：（アタッチメントの）ボルト孔
３９　：ボルト
Ｒ１　：第１の加工領域
Ｒ２　：第２の加工領域
Ｗ　　：ワーク

Claims (3)

  1. 　ワークを砥石で平面加工する加工装置であって、
    　前記ワークを吸着保持可能な吸着体と、
    　前記吸着体の外周側に設けられ、前記吸着体より難削材で構成され、前記吸着体を研削するセルフグラインドの際に前記砥石に接触可能なアタッチメントと、
    を備えていることを特徴とする加工装置。
  2. 　前記アタッチメントは、前記吸着体を収容するチャックテーブルに着脱自在に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の加工装置。
  3. 　前記ワークは、非円形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の加工装置。
PCT/JP2021/044820 2021-03-23 2021-12-07 加工装置 WO2022201649A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/281,941 US20240149391A1 (en) 2021-03-23 2021-12-07 Processing apparatus
KR1020237029466A KR20230135672A (ko) 2021-03-23 2021-12-07 가공 장치
CN202180096261.6A CN117083151A (zh) 2021-03-23 2021-12-07 加工装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-048841 2021-03-23
JP2021048841A JP2022147551A (ja) 2021-03-23 2021-03-23 加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022201649A1 true WO2022201649A1 (ja) 2022-09-29

Family

ID=83395299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/044820 WO2022201649A1 (ja) 2021-03-23 2021-12-07 加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240149391A1 (ja)
JP (1) JP2022147551A (ja)
KR (1) KR20230135672A (ja)
CN (1) CN117083151A (ja)
WO (1) WO2022201649A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015131354A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 株式会社ディスコ チャックテーブル及び研削装置
JP2021044330A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558221Y2 (ja) 1975-08-27 1980-02-23

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015131354A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 株式会社ディスコ チャックテーブル及び研削装置
JP2021044330A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117083151A (zh) 2023-11-17
KR20230135672A (ko) 2023-09-25
JP2022147551A (ja) 2022-10-06
US20240149391A1 (en) 2024-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6459524B2 (ja) 複合研削盤および研削方法
KR101672076B1 (ko) 웨이퍼의 면취 가공 방법, 웨이퍼의 면취 가공 장치 및 숫돌 각도 조정용 지그
JP5112703B2 (ja) ウェーハ面取り加工方法およびその装置
JP2023025122A (ja) 研削装置
JP5033066B2 (ja) ワーク外周部の研磨装置および研磨方法
JP7472368B2 (ja) 基板加工装置
JPH09168953A (ja) 半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置
WO2022201649A1 (ja) 加工装置
US20010053661A1 (en) Apparatus and method for ELID grinding a large-diameter workpiece to produce a mirror surface finish
JP7158702B2 (ja) 面取り研削装置
JP2000317835A (ja) 半導体の平坦化加工方法および装置
JP2004050345A (ja) 薄板状ワーク外周部加工装置
JP2007044853A (ja) ウェーハ面取り方法及びウェーハ面取り装置
JP2007061978A (ja) ウェーハ面取り砥石のツルーイング方法及びウェーハ面取り装置
US20220339753A1 (en) Processing method
JP2004243422A (ja) 外周研削合体ホイル
JP2000158306A (ja) 両面研削装置
JP2003291069A (ja) 研削盤用の砥石及びこの砥石を使用する研削方法
JP7228438B2 (ja) 基板加工装置
JP7317441B2 (ja) 面取り加工装置
US20230321680A1 (en) Processing apparatus
JP7253953B2 (ja) 基板加工装置
JP2021133428A (ja) 平面研削装置
JP2003103462A (ja) ２個の砥石台を有する研削盤におけるツルーイング装置
TW202322978A (zh) 修整工具及修整方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21931957

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237029466

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18281941

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180096261.6

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21931957

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1