WO2022172372A1

WO2022172372A1 - Ｍｅｍｓ素子、光走査装置、測距装置およびｍｅｍｓ素子の製造方法

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Publication number: WO2022172372A1
Application number: PCT/JP2021/005040
Authority: WO
Inventors: 裕介白柳
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2021-02-10
Filing date: 2021-02-10
Publication date: 2022-08-18
Also published as: JPWO2022172372A1; DE112021007048T5; CN116888065A

Abstract

ＭＥＭＳ素子である光走査装置（１）は、順に積層された第１絶縁層（３４）、第１半導体層（３１）、第２絶縁層（３２）、および第２半導体層（３３）と、第１絶縁層（３４）と第１半導体層（３１）との界面に形成された第１不純物領域（１６）と、第１半導体層（３１）と第２絶縁層（３２）との界面に形成されている第２不純物領域（１７）と、第１絶縁層（３４）上に距離を隔てて配置されている第１配線部分（３９Ａ）および第２配線部分（３９Ｂ）とを備える。第１不純物領域（１６）および第２不純物領域（１７）は、第１配線部分（３９Ａ）および第２配線部分（３９Ｂ）の間に電気的に並列に接続されている。

Description

ＭＥＭＳ素子、光走査装置、測距装置およびＭＥＭＳ素子の製造方法

　本開示は、ＭＥＭＳ素子、光走査装置、測距装置およびＭＥＭＳ素子の製造方法に関する。

　圧力センサ、光走査装置（光スキャナ）、加速度センサ、ジャイロセンサ、振動発電素子、超音波センサ、赤外線センサ等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）素子が知られている。一般的に、ＭＥＭＳ素子は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いて製造されている。ＳＯＩ基板は、シリコンの支持基板（支持層）上に酸化膜を介在させてシリコン層（活性層）が形成された基板である。

　ＭＥＭＳ素子では、配線の物性が変化するケースが知られている。例えば、光走査装置は、一般的に、光を反射する反射体と、その反射体を支持する支持体と、反射体と支持体とを接続する駆動梁と、反射体を駆動梁の軸周りに回転駆動させるための駆動部とで構成されている。駆動部として、電磁駆動式、静電駆動式、または圧電駆動式の駆動部が知られている。いずれの駆動方式においても、駆動梁には、反射体に配置された第１導電部と支持体に配置された第２導電部とを接続するための配線が配置されている。そのため、例えば反射体が比較的広い振れ角で駆動されると、駆動梁上の配線に比較的大きな応力が加えられ、その物性が変化する。

　特開２０１０－９８９０５号公報には、駆動梁上に形成されかつ複数に分断された配線パターンの各々を、駆動梁を構成する半導体材料に不純物を拡散させて成る補助導体部としての拡散導通部で電気的に接続した、プレーナ型アクチュエータが開示されている。

特開２０１０－９８９０５号公報

　しかしながら、一般的に、拡散導通部のシート抵抗値は、シリサイドまたはメタルで構成された配線部のシート抵抗値よりも高い。そのため、拡散導通部に高電流が流れる場合、拡散導通部での発熱が懸念される。

　本開示の主たる目的は、物性変化が抑制されながらもシート抵抗値が比較的低い配線部を備えるＭＥＭＳ素子、光走査装置、および測距装置を提供することにある。

　本開示に係るＭＥＭＳ素子は、順に積層された第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層と、第１絶縁層と活性層との界面、活性層と第２絶縁層との界面、および第２絶縁層と支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層の積層方向に距離を隔てて配置されている第１不純物領域および第２不純物領域と、第１絶縁層上に距離を隔てて配置されている第１導電部および第２導電部とを備える。第１不純物領域および第２不純物領域は、第１導電部および第２導電部の間に電気的に並列に接続されている。

　本開示に係る光走査装置は、反射面を有する反射体と、反射体と距離を隔てて配置された支持体と、反射体と支持体とを接続する駆動梁と、支持体に対して、駆動梁を軸として、反射体を捻じれ駆動させる駆動部とを備える。駆動部は、反射体に配置された第１導電部と、支持体に配置された第２導電部と、少なくとも駆動梁に配置されており、かつ第１導電部と第２導電部との間を接続する配線部とを含む。駆動梁は、順に積層された第１絶縁層、半導体層、および第２絶縁層と、第１絶縁層と半導体層との界面に形成されている第１不純物領域と、半導体層と第２絶縁層との界面に形成されている第２不純物領域とを含む。第１不純物領域および第２不純物領域は、配線部の少なくとも一部を構成しており、第１導電部および第２導電部の間に電気的に並列に接続されている。

　本開示に係るＭＥＭＳ素子の製造方法は、順に積層された第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層と、第１絶縁層と活性層との界面、活性層と第２絶縁層との界面、および第２絶縁層と支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層の積層方向に距離を隔てて配置されている第１不純物領域および第２不純物領域とを含むＳＯＩ基板を準備する工程と、第１絶縁層上に配置されており、かつ第１不純物領域および第２不純物領域の各々と接続されている第１導電部と、第１絶縁層上に第１導電部と距離を隔てて配置されており、かつ第１不純物領域および第２不純物領域の各々を介して第１導電部と接続されている第２導電部とを形成する工程とを備える。ＳＯＩ基板を準備する工程は、活性層の第１面に第２不純物領域を形成する工程と、第２不純物領域が形成された第１面および支持層の第２面の少なくともいずれかの上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介して活性層と支持層とを貼り合わせる工程とを含む。

　本発明によれば、物性変化が抑制されながらもシート抵抗値が低い配線を備えるＭＥＭＳ素子、光走査装置、および測距装置を提供できる。

実施の形態１に係る光走査装置を示す斜視図である。図１に示される光走査装置の平面図である。図２に示される断面線ＩＩＩａ－ＩＩＩａ、断面線ＩＩＩｂ－ＩＩＩｂ、および断面線ＩＩＩｃ－ＩＩＩｃのそれぞれにおける断面図を合わせて示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の一工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態１に係る光走査装置の製造方法の、図１５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置を示す斜視図である。図１７に示される光走査装置の平面図である。図１８に示す断面線ＸＩＸａ－ＸＩＸａ、断面線ＸＩＸｂ－ＸＩＸｂ、断面線ＸＩＸｃ－ＸＩＸｃ、ＸＩＸｄ－ＸＩＸｄ、および断面線ＸＩＸｅ－ＸＩＸｅのそれぞれにおける断面図を合わせて示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の一工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図２９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図３０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態２に係る光走査装置の製造方法の、図３１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。実施の形態３に係る、光走査装置を適用した測距装置を、車両に搭載した模式図である。同実施の形態において、測距装置の構造を模式的に示す図である。

　以下、図面を参照して、本開示の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

　実施の形態１．
　＜光走査装置１の構成＞
　実施の形態１に係るＭＥＭＳ素子の一例として、光走査装置１について説明する。図１に示されるように、光走査装置１は、ＭＥＭＳミラーとしての反射体２と、支持体３と、複数（例えば２つ）の駆動梁４と、駆動部５とを備えている。実施の形態１に係る光走査装置１では、反射体２が１つの軸周りに駆動する。

　反射体２は、反射膜４５の反射面４５ａを有する。反射面４５ａは、例えば反射体２において表出している。走査される光に対する反射面４５ａの反射率は、当該光に対する反射体２の他の表面（例えば後述する第４絶縁層３６の表面）の反射率よりも高い。

　図２に示されるように、平面視において、支持体３は、反射体２と距離を隔てて配置されている。平面視において、支持体３は、例えば反射体２を取り囲むように配置されている。光走査装置１を平面視するとは、図２に示されるように反射面４５ａに垂直な方向の反射面４５ａが向いている側から光走査装置１を視ることをいう。

　各駆動梁４は、反射体２と支持体３とを接続する。平面視において、各駆動梁４は、第１方向において反射体２を挟むように配置されている。各駆動梁４の第１方向の一端は、反射体２に接続されている。各駆動梁４の第１方向の他端は、支持体３に接続されている。

　駆動部５は、例えば電磁駆動式の駆動部である。駆動部５は、支持体３に対して、駆動梁４を軸として、反射体２を捻じれ駆動させる。駆動部５は、反射体２に配置された第１導電部としての第１配線部分３９Ａ、第３配線部分３９Ｃ、および第２配線３７と、支持体３に配置された第２導電部としての第２配線部分３９Ｂおよび電極パッド４４ａ，４４ｂと、各駆動梁４に配置されており、かつ第１導電部と第２導電部との間を電気的に接続する配線部としての複数組（例えば２組）の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、一対の磁石６とを含む。

　複数組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、反射体２、支持体３、および１つの駆動梁４Ａに配置された第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、反射体２、支持体３、および他の１つの駆動梁４Ｂに配置された第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７とを含む。平面視において、各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１方向に沿って直線状に配置されている。各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の第１方向の一端は、反射体２に配置されている。各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の第１方向の他端は、支持体３に配置されている。各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、各駆動梁４Ａ，４Ｂに渡されている。

　図２に示されるように、平面視において、第１配線部分３９Ａは、反射体２の外周縁に沿ってコイル状に配置されている。なお、図１では、第１配線３９の図示が簡略化されている。平面視において、第１配線部分３９Ａの一端は、第１配線部分３９Ａの他端よりも内側（反射膜４５側）に配置されている。

　図２に示されるように、第１配線部分３９Ａの一端は、反射体２のうち１つの駆動梁４Ａと接続されている部分において、第２配線３７、および第３配線部分３９Ｃを介して、第１組の第１不純物領域１６の一端と電気的に接続されている。さらに、第１配線部分３９Ａの一端は、反射体２のうち１つの駆動梁４Ａと接続されている部分において、第２配線３７、第３配線部分３９Ｃ、およびプラグ３８Ａを介して、第１組の第２不純物領域１７の一端と電気的に接続されている。

　図２に示されるように、第１配線部分３９Ａの他端は、反射体２のうち他の１つの駆動梁４Ｂと接続されている部分において、第２組の第１不純物領域１６の一端と電気的に接続されている。さらに、第１配線部分３９Ａの他端は、反射体２のうち他の１つの駆動梁４Ｂと接続されている部分において、プラグ３８Ｂを介して、第２組の第２不純物領域１７の一端と電気的に接続されている。

　言い換えると、第１配線部分３９Ａの他端と第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々との接続構造は、第１配線部分３９Ａの一端と第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々との接続構造と基本的に同様の構成を備えている。第１配線部分３９Ａの他端と第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々との接続構造は、第１配線部分３９Ａの他端と第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々とが跨ぎ配線としての第２配線３７を介さずに電気的に接続されている点で、第１配線部分３９Ａの一端と第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々との接続構造とは異なる。

　図２に示されるように、１つの第２配線部分３９Ｂの一端は、支持体３のうち１つの駆動梁４Ａと接続されている部分において、第１組の第１不純物領域１６の他端と電気的に接続されている。さらに、当該１つの第２配線部分３９Ｂの一端は、支持体３のうち１つの駆動梁４Ａと接続されている部分において、プラグ３８Ｃを介して、第１組の第２不純物領域１７の他端と電気的に接続されている。当該１つの第２配線部分３９Ｂの他端は、電極パッド４４ａと電気的に接続されている。

　図２に示されるように、他の１つの第２配線部分３９Ｂの一端は、支持体３のうち他の１つの駆動梁４Ｂと接続されている部分において、第２組の第１不純物領域１６の他端と電気的に接続されている。さらに、当該他の１つの第２配線部分３９Ｂの一端は、支持体３のうち他の１つの駆動梁４Ｂと接続されている部分において、プラグ３８Ｃを介して、第２組の第２不純物領域１７の他端と電気的に接続されている。当該他の１つの第２配線部分３９Ｂの他端は、電極パッド４４ｂと電気的に接続されている。

　各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１配線部分３９Ａと第２配線部分３９Ｂとの間に電気的に並列に接続されている。駆動梁４Ａに渡された第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１配線部分３９Ａの一端と１つの第２配線部分３９Ｂの一端との間に電気的に並列に接続されている。駆動梁４Ｂに渡された第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１配線部分３９Ａの他端と他の１つの第２配線部分３９Ｂの一端との間に電気的に並列に接続されている。

　第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々は、任意の方法によってドーパントが注入、拡散された第１半導体層３１の一部領域である。ドーパントを拡散する方法は、例えば、任意のマスクパターンを用いたイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷した後に高温でアニールする方法、またはシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜をマスクとする気相拡散法などである。第１配線部分３９Ａと第２配線部分３９Ｂとは、各組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみによって電気的に接続されている。

　第１配線部分３９Ａ、第２配線部分３９Ｂ、および第３配線部分３９Ｃは、例えば第１配線３９として同一工程により形成されている。

　電極パッド４４ａ、４４ｂは、外部電源（図示せず）と電気的に接続される。光走査装置１では、電極パッド４４ａ、１つの第２配線部分３９Ｂ、第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、第３配線部分３９Ｃ、第２配線３７、第１配線部分３９Ａ、第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、他の１つの第２配線部分３９Ｂ、ならびに電極パッド４４ｂが、この記載順に電気的に接続されている。

　平面視において、一対の磁石６は、反射体２および支持体３を挟み込むように配置されている。

　反射体２は、第１配線部分３９Ａに流れる電流と一対の磁石６の磁力線との作用に基づくローレンツ力によって、各駆動梁４を軸として捻じれ駆動（回転）する。

　次に、図３を参照して、光走査装置１の断面構造を説明する。図３において、領域８１は図２に示される断面線ＩＩＩａ－ＩＩＩａから視た反射体２の断面領域であり、領域８２は図２に示される断面線ＩＩＩｂ－ＩＩＩｂから視た駆動梁４の断面領域であり、領域８３は図２に示される断面線ＩＩＩｃ－ＩＩＩｃから視た支持体３の断面領域である。

　図３に示されるように、反射体２、支持体３、および各駆動梁４の各々は、順に積層された第１絶縁層３４、第１半導体層３１（活性層）、第２絶縁層３２（ＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｏｘｉｄｅ）層）と、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７とを含む。以下では、第１絶縁層３４、第１半導体層３１、および第２絶縁層３２が積層した方向を、単に積層方向とよぶ。

　図３に示されるように、反射体２および支持体３の少なくとも一部は、第２半導体層３３（支持層）をさらに含む。第１半導体層３１、第２絶縁層３２、第２半導体層３３、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、後述するＳＯＩ基板５１（図４参照）から形成されている。言い換えると、反射体２、支持体３、および各駆動梁４Ａ，４Ｂの全体、ならびに駆動部５の一部は、ＳＯＩ基板から形成されている。

　図３に示されるように、反射体２、支持体３、および各駆動梁４の各々において、第１不純物領域１６は、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面に形成されており、第２不純物領域１７は、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面に形成されている。第１不純物領域１６は、第１半導体層３１の表面から、当該表面に垂直な方向（上記積層方向）において裏面側に広がった領域である。第２不純物領域１７は、第１半導体層３１の裏面から、当該裏面に垂直な方向において表面側に広がった領域である。

　平面視において、第１不純物領域１６の全体は、例えば第２不純物領域１７の一部と重なるように配置されている。第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の延在方向（第１方向）に垂直な方向（第２方向）の幅は、各駆動梁４の第２方向の幅の５０％以上であり、好ましくは７０％以上である。

　なお、平面視において、第１不純物領域１６の少なくとも一部が、第２不純物領域１７の少なくとも一部と重なるように配置されていてもよい。平面視において、第１不純物領域１６の一部が、第２不純物領域１７の全体と重なるように配置されていてもよい。

　第１半導体層３１は、例えば第１導電型を有している。第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々は、第１導電型とは異なる第２導電型を有している。好ましくは、第１不純物領域１６の不純物濃度、および第２不純物領域１７の不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である。

　第１半導体層３１の厚みの下限値、ならびに第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の深さの上限値は、第１不純物領域１６と第２不純物領域１７との間でのパンチスルーを抑制する観点で設定される。第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の深さの下限値は、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各シート抵抗値を十分に低くする観点で設定される。第１半導体層３１の厚みは、１０μｍ以上１２０μｍ以下である。ここでの第１半導体層３１の厚みは、第１不純物領域１６と第２不純物領域１７との間の上記積層方向の距離である。第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の深さは、例えば１μｍ以上２μｍ以下である。

　第１不純物領域１６の深さは、第１半導体層３１の表面に垂直な方向での不純物濃度プロファイルにおいて最大不純物濃度の１／１０の不純物濃度を示す位置と第１半導体層３１の表面との間の距離である。第２不純物領域１７の深さは、第１半導体層３１の裏面に垂直な方向での不純物濃度プロファイルにおいて最大不純物濃度の１／１０の不純物濃度を示す位置と第１半導体層３１の裏面との間の距離である。

　図３に示されるように、領域８１では、第１絶縁層３４上に、第２配線３７、第３絶縁層３５、第１配線３９の第１配線部分３９Ａ、第３配線部分３９Ｃ、第４絶縁層３６、および反射膜４５が形成されている。領域８１では、第１半導体層３１および第１絶縁層３４内に、プラグ３８Ａが形成されている。

　図３に示されるように、第２配線３７は、第３絶縁層３５に覆われている。第２配線３７は、第１配線部分３９Ａの一端と、第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各一端との間を電気的に接続している。第２配線３７は、いわゆる跨ぎ配線である。平面視において、第２配線３７は、第１配線部分３９Ａの一端と重なる部分と、第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各一端と重なる部分と、両部分間に渡されておりかつ第１配線部分３９Ａの一端よりも外側に配置されている第１配線部分３９Ａの他の一部分と重なる部分とを有している。

　図３に示されるように、第１配線部分３９Ａおよび第３配線部分３９Ｃは、第３絶縁層３５上に形成されている。第１配線部分３９Ａの一端は、第３絶縁層３５を貫通して第２配線３７に達するコンタクトホール４３（図１１参照）を埋め込むように形成されており、第２配線３７と電気的に接続されている。第３配線部分３９Ｃの一部は、第３絶縁層３５を貫通して第２配線３７に達するコンタクトホールを埋め込むように形成されており、第２配線３７と電気的に接続されている。第３配線部分３９Ｃの他の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通して第１組の第１不純物領域１６に達するコンタクトホール４１（図１１参照）を埋め込むように形成されており、第１組の第１不純物領域１６と電気的に接続されている。第３配線部分３９Ｃのさらに他の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通してプラグ３８Ａに達するコンタクトホール４２（図１１参照）を埋め込むように形成されており、プラグ３８Ａを介して第１組の第２不純物領域１７と電気的に接続されている。

　プラグ３８Ａは、第１半導体層３１および第１絶縁層３４を貫通するビアホール４０を埋め込むように形成されている。プラグ３８Ａは、上記積層方向において第１組の第２不純物領域１７のうち第１不純物領域１６と重ならない部分と接続されている。

　第１配線部分３９Ａの他端の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通して第２組の第１不純物領域１６に達するコンタクトホール４１を埋め込むように形成されており、第２組の第１不純物領域１６と電気的に接続されている。第１配線部分３９Ａの他端の他の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通してプラグ３８Ｂに達するコンタクトホール４２を埋め込むように形成されており、プラグ３８Ｂを介して第２組の第２不純物領域１７と電気的に接続されている。

　プラグ３８Ｂは、第１半導体層３１および第１絶縁層３４を貫通するビアホール４０を埋め込むように形成されている。プラグ３８Ｂは、上記積層方向において第２組の第２不純物領域１７のうち第１不純物領域１６と重ならない部分と接続されている。

　領域８１において、第４絶縁層３６は、第１配線部分３９Ａを覆っている。反射膜４５は、第４絶縁層３６上に形成されている。領域８１において、第２絶縁層３２上には、リブ４７が形成されている。

　領域８２では、第１絶縁層３４上に、第３絶縁層３５、および第４絶縁層３６が形成されている。領域８２では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみが導電層として形成されており、第１絶縁層３４および第２絶縁層３２上に導電層が配置されていない。

　領域８３では、第１絶縁層３４上に、第３絶縁層３５、第１配線３９の第２配線部分３９Ｂ、電極パッド４４ａ，４４ｂ、および第４絶縁層３６が形成されている。第２配線部分３９Ｂは、第３絶縁層３５上に形成されている。領域８３では、第１半導体層３１および第１絶縁層３４内に、プラグ３８Ｃが形成されている。

　領域８３において、第２配線部分３９Ｂの一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通して第１不純物領域１６に達するコンタクトホール４１を埋め込むように形成されており、第１不純物領域１６と電気的に接続されている。第２配線部分３９Ｂの他の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通してプラグ３８Ｃに達するコンタクトホール４２を埋め込むように形成されており、プラグ３８Ｃを介して第２不純物領域１７と電気的に接続されている。

　プラグ３８Ｃは、第１半導体層３１および第１絶縁層３４を貫通するビアホール４０を埋め込むように形成されている。平面視において、プラグ３８Ｃは、第２不純物領域１７において第１不純物領域１６と重ならない部分と接続されている。

　反射体２および支持体３において、各ビアホール４０のうち第１半導体層３１を貫通している部分（第２ビアホール）の内周面（ビアホール４０内に露出している第１半導体層３１の内周面）には、第１コンタクト領域２０が形成されている。第１コンタクト領域２０は、ビアホールの内周面から、当該内周面に垂直な方向（上記積層方向に垂直な方向）に広がった領域である。第１コンタクト領域２０は、第２導電型を有している。第１コンタクト領域２０は、第１半導体層３１とｐ－ｎ接合していることにより、プラグ３８Ａまたはプラグ３８Ｂと第１半導体層３１とを電気的に分離（ｐ－ｎ接合分離）している。第１コンタクト領域２０は、第２不純物領域１７と電気的に接続されている。好ましくは、第１コンタクト領域２０に含まれるドーパントは、第２不純物領域１７に含まれるドーパントと同一である。

　平面視において、第１組の第１不純物領域１６のうち第３配線部分３９Ｃと重なる部分、ならびに、第１組および第２組の各第１不純物領域１６のうち第２配線部分３９Ｂと重なる部分には、第２コンタクト領域２１が形成されている。第２コンタクト領域２１は、第１半導体層３１の表面（第１半導体層３１と第１絶縁層３４との界面）から、表面に垂直な方向に広がった領域である。第２コンタクト領域２１は、第２導電型を有している。第２コンタクト領域２１は、第１不純物領域１６と電気的に接続されている。

　第１コンタクト領域２０および第２コンタクト領域２１の各々は、ドーパントが第１半導体層３１に任意の方法によって拡散された領域である。ドーパントを拡散する方法は、例えば、任意のマスクパターンを用いたイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷した後に高温でアニールする方法、または各ビアホールが形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとする気相拡散法などである。

　＜光走査装置１の製造方法＞
　次に、光走査装置１の製造方法の一例を説明する。図４に示されるように、まず、第１シリコン基板１１および第２シリコン基板１２を準備する。

　第１シリコン基板１１は、第１導電型を有している。第１シリコン基板１１の裏面には、第２導電型を有する第２不純物領域１７が形成されている。第２不純物領域１７は、例えばレジストマスクを用いたイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷した後に高温でアニールする方法、または各ビアホールが形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとする気相拡散法などによって、形成されている。好ましくは、第２不純物領域１７の不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である。例えば、第１導電型がＮ型であり、第２導電型がＰ型である。この場合、第２不純物領域１７には、Ｓｉに対してＰ型のドーパントとなる任意の元素が拡散していればよいが、例えばホウ素（Ｂ）が拡散している。なお、第１導電型がＰ型であり、第２導電型がＮ型であってもよい。

　第１シリコン基板１１の全面上には、第１接合膜１３が形成されている。第２シリコン基板１２の全面上には、第２接合膜１４が形成されている。第１接合膜１３および第２接合膜１４は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）である。第１接合膜１３および第２接合膜１４の各々には、アライメントマーク１５が形成されている。各アライメントマーク１５は、次工程において第１シリコン基板１１と第２シリコン基板１２とを接合するときに、第１シリコン基板１１と第２シリコン基板１２との相対的な位置を合わせるためのアライメントマークである。第１接合膜１３に形成されたアライメントマーク１５は、例えば第１シリコン基板１１の裏面上の第１接合膜１３にトレンチとして形成されている。第２接合膜１４に形成されたアライメントマーク１５は、例えば第２シリコン基板１２の表面上の第２接合膜１４にトレンチとして形成されている。なお、各アライメントマーク１５は、第１シリコン基板１１または第２シリコン基板１２にトレンチとして形成されていてもよい。

　次に、図５に示されるように、第１シリコン基板１１と第２シリコン基板１２とを第１接合膜１３および第２接合膜１４を介して接合する。

　具体的には、まず第１シリコン基板１１の上記裏面と第２シリコン基板１２の上記表面とが向かい合い、アライメントマーク１５同士が重なるように、第１シリコン基板１１および第２シリコン基板１２が互いに位置決めされる。次に、第１シリコン基板１１の裏面上の第１接合膜１３と、第２シリコン基板１２の表面上の第２接合膜１４とが、常温で加圧されて接合される。次に、接合強度を高めるために、接合体を加熱する。加熱温度は、例えば６００℃以上である。これにより、第１接合膜１３および第２接合膜１４から、第２絶縁層３２が形成される。

　さらに、第１シリコン基板１１の表面側に位置する一部が研磨される。これにより、第１シリコン基板１１から、第１半導体層３１が形成される。第２シリコン基板１２から、第２半導体層３３が形成される。なお、第２シリコン基板１２の裏面側に位置する一部がさらに研磨されてもよい。

　第１半導体層３１の厚みは、上述のように、例えば１０μｍ以上１２０μｍ以下である。第２半導体層３３の厚みは、後工程でのＳＯＩ基板５１のハンドリング性を考慮して適宜選択され得るが、例えば３００μｍ以上７５０μｍ以下である。第２絶縁層３２の厚みは、例えば０．１μｍ以上３．０μｍ以下である。

　次に、第１半導体層３１の表面側に第１不純物領域１６を形成する。第１不純物領域１６は、例えばレジストマスクを用いたイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷する方法、または各ビアホールが形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとする気相拡散法などによって、形成される。その後、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々のドーパントを拡散させるためのアニール処理が行われる。アニール処理の条件は、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の深さが１μｍ以上となるように、設定される。アニール処理の温度は、例えば８００℃以上である。

　第１不純物領域１６は、第２不純物領域１７と同様に、第２導電型を有している。第１不純物領域１６には、Ｓｉに対してＰ型のドーパントとなる任意の元素が拡散していればよいが、例えばホウ素（Ｂ）が拡散している。

　さらに、第１半導体層３１の表面上に、第１絶縁層３４を形成する。第１絶縁層３４を形成する方法は、熱酸化法である。第１絶縁層３４は、熱酸化膜である。第１絶縁層３４の厚みは、例えば０．０５μｍ以上１．００μｍ以下である。

　このようにして、図６に示されるＳＯＩ基板５１が形成される。ＳＯＩ基板５１は、反射体２を形成するための領域８１と、駆動梁４を形成するための領域８２と、支持体３を形成するための領域８３とを含む。

　次に、図７に示されるように、第１絶縁層３４から第２不純物領域１７に達する複数のビアホール４０が形成される。各ビアホール４０は、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを配置するためのスルーホールである。ビアホール４０を形成する方法は、ケミカルドライエッチング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｄｒｙ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、高密度プラズマ（Ｈｉｇｈ　Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング、深掘り反応性イオンエッチング（Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ）法などのドライエッチング法である。

　第１絶縁層３４をエッチングする際のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。第１半導体層３１をエッチングする際のエッチングマスクは、例えばレジストマスクまたは第１絶縁層３４である。

　次に、図８に示されるように、各ビアホール４０のうち第１半導体層３１を貫通している部分の内周面（ビアホール４０内に露出している第１半導体層３１の内周面）から、当該内周面に垂直な方向に広がった第１コンタクト領域２０を形成する。第１コンタクト領域２０は、第２導電型を有する。好ましくは、第１コンタクト領域２０に含まれるドーパントは、第２不純物領域１７に含まれるドーパントと同一である。

　第１コンタクト領域２０は、例えばビアホール４０が形成された第１絶縁層３４をマスクとするイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷した後に高温でアニールする方法、またはビアホール４０が形成された第１絶縁層３４をマスクとする気相拡散法などによって、形成される。

　次に、図９に示されるように、各ビアホール４０の内部を埋め込むプラグ３８Ａ、プラグ３８Ｂ（図９に図示されない）、およびプラグ３８Ｃを形成する。具体的には、まず、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを構成する導電性材料を成膜し、当該導電性材料によって各ビアホール４０の内部を埋め込む。次に、第１絶縁層３４をマスクとして、ドライエッチングプロセスによるエッチバックを行い、導電性膜を平坦化してプラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを形成する。

　プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えばチタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）の少なくともいずれかを含む。プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃは、例えば、Ｔｉ層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、およびＷ層が順に積層した積層体である。プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを構成する材料は、例えばポリシリコンを含んでいてもよい。プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを構成する導電性材料を成膜する方法は、例えばスパッタリング法、またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法である。

　次に、図１０に示されるように、第１絶縁層３４上に第２配線３７を形成する。さらに第１絶縁層３４、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ、および第２配線３７上に、第３絶縁層３５を形成する。具体的には、第１絶縁層３４、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ上に、第２配線３７を構成する導電性材料を成膜する。次に、ドライエッチングプロセスによって導電性材料から成る膜をパターニングし、第２配線３７を形成する。次に、第２配線３７を覆うように、第３絶縁層３５を成膜する。

　第２配線３７を構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えばポリシリコンおよび金属シリサイドの少なくともいずれかを含む。上記ポリシリコンは、例えば高濃度のリン（Ｐ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれかを含む。上記金属シリサイドは、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）、およびチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）から成る群から選択される少なくとも１つを含む。第２配線３７の厚みは、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。

　第２配線３７を構成する導電性材料を成膜する方法は、例えばＣＶＤ法である。上記ドライエッチングプロセスは、上述したドライエッチング法から適宜選択され得るが、例えばＲＩＥである。上記ドライエッチング時のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。

　第３絶縁層３５は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、リンが添加されたシリコン酸化膜（ＰＳＧ：Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）、ボロンが添加されたシリコン酸化膜（ＢＳＧ：Ｂｏｒｏｎ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）、ボロンとリンとが添加されたシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ：Ｂｏｒｏｎ　Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ膜（Ｔｅｔｒａ　ＥｔｈＯｘｙ　Ｓｉｌａｎｅ）、ＳＯＧ膜（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、およびシリコン窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）から成る群から選択される少なくとも１つを含む。第３絶縁層３５の厚みは、例えば０．５μｍ以上３．０μｍ以下である。

　第３絶縁層３５を成膜する方法は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、または塗布法である。ＣＶＤ法は、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、またはプラズマ励起ＣＶＤ法である。

　次に、図１１に示されるように、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通するコンタクトホール４１と、第３絶縁層３５を貫通するコンタクトホール４２，４３とを形成する。さらに、第１不純物領域１６に第２コンタクト領域２１を形成する。

　各コンタクトホール４１，４２，４３は、第１配線部分３９Ａ、第２配線部分３９Ｂまたは第３配線部分３９Ｃを、第１不純物領域１６またはプラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃに電気的に接続するためのスルーホールである。コンタクトホール４１，４２，４３を形成する方法は、上述したドライエッチング法から適宜選択され得るが、例えばＲＩＥである。

　第３絶縁層３５および第１絶縁層３４をエッチングする際のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。

　第２コンタクト領域２１は、第２導電型を有する。第２コンタクト領域２１は、例えばコンタクトホール４２が形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとするイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷した後に高温でアニールする方法、またはコンタクトホール４２が形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとする気相拡散法などによって、形成される。

　次に、図１２に示されるように、第３絶縁層３５上に、第１配線３９を形成する。具体的には、まず第１配線３９を構成する導電性材料を、各コンタクトホール４１，４２，４３を埋め込むように成膜する。次に、ドライエッチングプロセスまたはウエットエッチングプロセスによって導電性材料から成る膜をパターニングし、第１配線３９を形成する。

　第１配線３９を構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えば、Ｔｉ、アルミニウム（Ａｌ）、および銅（Ｃｕ）の少なくともいずれかを含む。第１配線３９は、例えば、第３絶縁層３５、第２配線３７、および第２コンタクト領域２１等の下地に対して高い密着性を有する材料から成る第１層、高い電気伝導性を有する材料から成る第２層、および高い耐腐食性を有する材料からなる第３層が順に積層した積層体である。第１層は、例えばＴｉ層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、またはこれらの積層体である。第２層は、例えばＡｌ層、Ａｌのシリサイド（ＡｌＳｉ）層、ＡｌとＣｕとの合金（ＡｌＣｕ）層、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層、もしくはＣｕ層、またはこれらの群から選択される少なくとも２層の積層体である。第３層は、例えばＴｉ層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、またはこれらの積層体である。

　第１配線３９を構成する導電性材料を成膜する方法は、例えばスパッタリング法またはメッキ法である。上記ドライエッチングプロセスは、上述したドライエッチング法から適宜選択され得るが、例えばＲＩＥである。上記ウエットエッチングプロセスは、第１配線３９を構成する材料に応じて選択されたエッチャント溶液が用いられる。上記ドライエッチングまたは上記ウエットエッチング時のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。

　次に、図１３に示されるように、第４絶縁層３６を形成する。具体的には、まず第４絶縁層３６を構成する絶縁性材料を第１配線３９を覆うように成膜する。次に、ドライエッチングプロセスによって絶縁性材料から成る膜をパターニングし、第４絶縁層３６を形成する。第４絶縁層３６は、例えばＳｉＯ₂膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、およびＳｉ₃Ｎ₄膜から成る群から選択される少なくとも１つを含む。第４絶縁層３６の厚みは、例えば０．０５μｍ以上１μｍ以下である。

　第４絶縁層３６を成膜する方法は、例えばプラズマ励起ＣＶＤ法、スパッタリング法、または塗布法である。上記ドライエッチングプロセスは、上述したドライエッチング法から適宜選択され得るが、例えばＲＩＥである。上記ドライエッチング時のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。

　このようにして、ＳＯＩ基板５１上に、駆動部５が形成される。
　次に、図１４に示されるように、領域８１の第４絶縁層３６上に、反射膜４５を形成する。具体的には、反射膜４５を構成する材料を第４絶縁層３６上に成膜する。次に、ドライエッチングプロセスまたはウエットエッチングプロセスによって反射膜４５を構成する材料から成る膜をパターニングし、反射膜４５を形成する。

　反射膜４５を構成する材料は、走査される光に対して高い反射率を示す材料を含む。走査される光が赤外線の場合、反射膜４５を構成する材料は金（Ａｕ）を含む。好ましくは、反射膜４５は、下地である第４絶縁層３６に対して高い密着性を有する材料からなる密着層と、走査される光に対して高い反射率を示す材料から成る反射層との積層体である。反射膜４５は、例えば、クロム（Ｃｒ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、およびＡｕ膜が順に積層した積層体、またはＴｉ膜、白金（Ｐｔ）膜、およびＡｕ膜が順に積層した積層体である。反射膜４５を成膜する方法は、例えばスパッタリング法または真空蒸着法である。

　上記ドライエッチングプロセスは、上述したドライエッチング法から適宜選択され得るが、例えばＲＩＥである。上記ドライエッチング時のエッチングマスクは、例えばレジストマスクである。レジストマスクは、写真製版により形成される。

　次に、図１５に示されるように、ドライエッチングプロセスにより、第４絶縁層３６、第３絶縁層３５、第１絶縁層３４、第１半導体層３１、および第２絶縁層３２をパターニングする。具体的には、写真製版によりエッチングマスクを形成した後、第４絶縁層３６、第３絶縁層３５、第１絶縁層３４、第１半導体層３１、および第２絶縁層３２に、順次ドライエッチングプロセスを施す。これにより、第２半導体層３３の一部が表面側にも露出する。

　ドライエッチングプロセスは、上述したドライエッチング法から適宜選択され得る。第１半導体層３１に対するドライエッチングプロセスは、Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ法である。Ｄｅｅｐ－ＲＩＥが施された後の第１半導体層３１には、側壁面４６が形成される。第１半導体層３１の厚さ方向に沿った断面において、側壁面４６は、スキャロップ形状を有している。側壁面４６を平坦化するために、第２絶縁層３２にドライエッチングプロセスを施す前に、側壁面４６に対してＣＤＥ処理を施してもよい。

　次に、図１６に示されるように、写真製版によりエッチングマスクを形成した後、ドライエッチングプロセスにより、第２半導体層３３をパターニングする。これにより、ＳＯＩ基板５１から、反射体２、支持体３、および複数の駆動梁４を含む構造体が形成される。

　第２半導体層３３に対するドライエッチングプロセスは、Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ法である。反射体２の剛性を高めるために、反射体２の第２絶縁層３２上にはリブ４７が形成される。

　なお、ＳＯＩ基板５１には、反射体２、支持体３、および複数の駆動梁４を含む構造体が複数個形成され、各構造体間はダイシングラインとして残されている第１半導体層３１を介して接続されている。

　また、本工程では、第２半導体層３３の裏面側に対する研磨処理等、第２半導体層３３の厚みを減じる処理をさらに施してもよい。本工程よりも前工程での第２半導体層３３の厚みは、ＳＯＩ基板５１のハンドリング性を考慮して選択されている。本工程後の第２半導体層３３の厚みは、光走査装置１の駆動特性を考慮して選択され得るが、例えば１００μｍ以上３００μｍ以下である。

　次に、反射体２、支持体３、および複数の駆動梁４を含む構造体を、ＳＯＩ基板５１からチップとして取り出す。具体的には、例えばステルスレーザダイシングまたはブレードダイシングによって、ダインシングラインに沿って第１半導体層３１をダイシングすることにより、反射体２、支持体３および駆動梁４を含む構造体が光走査装置１として取り出される。このようにして、図１～図３に示される光走査装置１が製造される。

　＜作用効果＞
　駆動梁上に導電層が形成されている光走査装置において、反射体が比較的広い振れ角で駆動された場合、導電層には比較的大きな応力が印加されるため、導電層の物性が変化（劣化）しやすい。特に、反射体が比較的広い振れ角で連続駆動される場合、導電層内にストレスマイグレーションによるボイド（欠陥）が形成される。

　光走査装置１では、駆動梁４Ａ，４Ｂが、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面に形成された第１不純物領域１６と、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面に形成された第２不純物領域１７とを含む。第１不純物領域１６および第２不純物領域１７が、第１導電部としての第１配線部分３９Ａ、第３配線部分３９Ｃ、および第２配線３７と、第２導電部としての第２配線部分３９Ｂおよび電極パッド４４ａ，４４ｂとの間を電気的に接続している。

　そのため、光走査装置１では、第１導電部と第２導電部との間を電気的に接続するための導電層が駆動梁４Ａ，４Ｂ上に不要とされる。光走査装置１の反射体２が比較的広い振れ角で駆動された場合にも、駆動梁４Ａ，４Ｂの各々に渡された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の物性変化は、駆動梁上に導電層が形成されている光走査装置の反射体が同様に駆動された場合の当該導電層の物性変化と比べて、抑制され得る。

　さらに、光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７が、第１導電部と第２導電部との間に電気的に並列に接続されている。そのため、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各シート抵抗値の合成値は、例えば第１不純物領域１６のみが第１導電部と第２導電部との間を電気的に接続している場合の第１不純物領域１６のシート抵抗値と比べて、低減されている。

　つまり、光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７が、物性変化が抑制されながらもシート抵抗値が低い配線部として作用する。

　特に、光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、積層方向に重なるように配置されている。この場合、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の第２方向の幅は、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７が積層方向に重ならないように配置されている場合のそれらと比べて、広くなり得る。その結果、光走査装置１の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各シート抵抗値の合成値は、駆動梁上に導電層が形成されている光走査装置での導電層のシート抵抗値に対して、同等以下に低減され得る。

　また、光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７がＳＯＩ基板５１の異なる面に形成されているため、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７がＳＯＩ基板５１の同一面に形成される場合と比べて、平面視における第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のレイアウトの自由度が向上している。

　光走査装置１は、第１ヒアホールまたは第２ビアホールとしてのビアホール４０の内周面に形成された第１コンタクト領域２０をさらに備える。第１コンタクト領域２０は、第２不純物領域１７と同様に、第２導電型を有する。

　そのため、第１コンタクト領域２０は、第１半導体層３１とｐ－ｎ接合していることにより、プラグ３８Ａまたはプラグ３８Ｂと第１半導体層３１とを電気的に分離（ｐ－ｎ接合分離）している。

　さらに、第１コンタクト領域２０は、第２不純物領域１７と電気的に接続されている。そのため、第２不純物領域１７と、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃおよび第１コンタクト領域２０とのコンタクト抵抗は、第１コンタクト領域２０を備えない場合と比べて、低減されている。

　光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である。このようにすれば、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各シート抵抗値の合成値は十分に低くなり、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７での発熱量を十分に抑制できる。

　光走査装置１では、第１半導体層３１の積層方向の厚さは、１０μｍ以上である。このようにすれば、第１不純物領域１６と第２不純物領域１７との間でのパンチスルーを十分に抑制できる。

　光走査装置１では、駆動梁４Ａ，４Ｂの第１絶縁層３４および第２絶縁層３２上には、導電層が配置されていない。そのため、光走査装置１では、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７に加えて導電層が駆動梁４Ａ，４Ｂ上に形成されている場合と比べて、導電層の物性変化に伴う反射体２の駆動特性の変化が抑制されている。

　＜変形例＞
　実施の形態１に係る光走査装置１では、第１不純物領域１６が第１半導体層３１と第１絶縁層３４との界面に形成されており、第２不純物領域１７が第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面に形成されているが、これに限られるものではない。第１不純物領域１６は、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面、および第２絶縁層３２と第２半導体層３３との界面のいずれかに形成されていればよい。第２不純物領域１７は、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面、および第２絶縁層３２と第２半導体層３３との界面のうち、第１不純物領域１６が形成されている界面を除くいずれかに形成されていればよい。

　実施の形態１に係る光走査装置１は、第２絶縁層３２と第２半導体層３３との界面に形成されており、かつ積層方向に第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と重なるように配置されている第３不純物領域をさらに備えていてもよい。第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域は、第１導電部および第２導電部の間に電気的に並列に接続されている。このような光走査装置では、第１導電部および第２導電部の間が光走査装置１よりも低抵抗に接続される。

　実施の形態２．
　図１７～図１９に示されるように、実施の形態２に係る光走査装置１０は、実施の形態１に係る光走査装置１と基本的に同様の構成を備え同様の効果を奏するが、２つの軸周りに駆動される反射体６２を備えている点で、光走査装置１とは異なる。光走査装置１０は、支持体として第１支持体６６および第２支持体６３を備え、駆動梁として複数（例えば２つ）の第１駆動梁６４および複数（例えば２つ）の第２駆動梁６５を備え、さらに駆動部として第１駆動部６７および第２駆動部６８を備える。

　光走査装置１０は、複数（例えば４組）の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、複数（例えば２組）の第３不純物領域１８とを含む。複数の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、反射体６２、第１支持体６６、および第１駆動梁６４Ａに配置された第１組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、反射体６２、第１支持体６６、および第１駆動梁６４Ｂに配置された第２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、第１支持体６６、第２支持体６３、および第２駆動梁６５Ａに配置された第３組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、第１支持体６６、第２支持体６３、および第２駆動梁６５Ｂに配置された第４組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７とを含む。複数の第３不純物領域１８は、第１支持体６６、第２支持体６３、および第２駆動梁６５Ａに配置された第３不純物領域１８と、第１支持体６６、第２支持体６３、および第２駆動梁６５Ｂに配置された第３不純物領域１８とを含む。

　平面視において、各第３不純物領域１８は、第１方向に沿って直線状に配置されている。各組の第３不純物領域１８の第１方向の一端は、第１支持体６６に配置されている。各組の第３不純物領域１８の第１方向の他端は、第２支持体６３に配置されている。
平面視において、第３不純物領域１８の一部は、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の全体と重なるように配置されている。なお、光走査装置１０において、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の構成については、光走査装置１と共通するので、これらの説明は繰返さない。

　平面視において、第１支持体６６および第２支持体６３は、反射体６２を囲むように配置されている。平面視において、第２支持体６３は、第１支持体６６よりも外側に配置されている。第２配線部分３９Ｂは、第２支持体６３に配置されている。

　各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂは、反射体６２と第１支持体６６とを接続している。各第２駆動梁６５，６５Ｂは、第１支持体６６と第２支持体６３とを接続する。平面視において、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂは、第２方向において反射体６２を挟むように配置されている。平面視において、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂは、第２方向と直交する第１方向において反射体６２を挟むように配置されている。各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂの第２方向の一端は、反射体６２に接続されている。各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂの第１方向の他端は、第１支持体６６に接続されている。各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの第１方向の一端は、第１支持体６６に接続されている。各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの第１方向の他端は、第２支持体６３に接続されている。

　第１駆動部６７および第２駆動部６８は、例えば電磁駆動式の駆動部である。第１駆動部６７は、第１支持体６６に対して、第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂを軸として、反射体６２を捻じれ駆動させる。第２駆動部６８は、第２支持体６３に対して、第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂを軸として、反射体６２、第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂおよび第１支持体６６を一体として捻じれ駆動させる。

　第１駆動部６７は、反射体６２に配置された第１導電部としての第４配線部分７１Ａ、第５配線部分７２Ａ、および第６配線部分７１Ｂと、第２支持体６３に配置された第２導電部としての第７配線部分７１Ｃ１，７１Ｃ２および電極パッド４８ａ，４８ｂと、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂに渡されている第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂに渡されている第３不純物領域１８と、第１支持体６６に配置されている第８配線部分７１Ｄ１，７１Ｄ２、第９配線部分７１Ｅ１，７１Ｅ２、および第１０配線部分７２Ｂ１，７２Ｂ２と、一対の磁石６９とを含む。

　第１駆動部６７では、電極パッド４８ａ、第７配線部分７１Ｃ１、第２駆動梁６５Ａに配置された第３不純物領域１８、第９配線部分７１Ｅ、第１０配線部分７２Ｂ１、第８配線部分７１Ｄ１、第２駆動梁６５Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、第６配線部分７１Ｂ、第５配線部分７２Ａ、および第４配線部分７１Ａの一端が、順に電気的に接続されている。さらに、第１駆動部６７では、第４配線部分７１Ａの他端、第２駆動梁６５Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、第８配線部分７１Ｄ２、第１０配線部分７２Ｂ２、第９配線部分７１Ｅ２、第２駆動梁６５Ｂに配置された第３不純物領域１８、第７配線部分７１Ｃ２、および電極パッド４８ｂが、順に電気的に接続されている。

　第１駆動梁６４Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第８配線部分７１Ｄ１および第６配線部分７１Ｂの間に電気的に並列に接続されている。第１駆動梁６４Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第４配線部分７１Ａの他端および第８配線部分７１Ｄ２の間に電気的に並列に接続されている。

　第８配線部分７１Ｄ１および第６配線部分７１Ｂは、第１駆動梁６４Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみを介して電気的に接続されている。第４配線部分７１Ａの他端および第８配線部分７１Ｄ２は、第１駆動梁６４Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみを介して電気的に接続されている。

　第２駆動部６８は、第１支持体６６に配置された第３導電部としての第１１配線部分７３Ａ、第１２配線部分７４、および第１３配線部分７３Ｂと、第２支持体６３に配置された第４導電部としての第１４配線部分７３Ｃ１，７３Ｃ２および電極パッド４９ａ，４９ｂと、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂに渡されている第１不純物領域１６および第２不純物領域１７と、一対の磁石６９とを含む。

　第２駆動部６８では、電極パッド４９ａ、第１４配線部分７３Ｃ１、第２駆動梁６５Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、第１１配線部分７３Ａ、第１２配線部分７４、第１３配線部分７３Ｂ、第２駆動梁６５Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７、第１４配線部分７３Ｃ２、および電極パッド４９ｂが、順に電気的に接続されている。

　電極パッド４８ａ，４８Ｂは、第１外部電源（図示せず）と電気的に接続される。電極パッド４９ａ，４９Ｂは、第１外部電源とは異なる第２外部電源（図示せず）と電気的に接続される。

　第２駆動梁６５Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１４配線部分７３Ｃ１および第１１配線部分７３Ａの一端の間に電気的に並列に接続されている。第２駆動梁６５Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１３配線部分７３Ｂおよび第１４配線部分７３Ｃ２の間に電気的に並列に接続されている。第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々に配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々に配置された第３不純物領域１８と電気的に分離されている。両者が電気的に分離されているとは、両者に異なる電位が与えられるように両者が配置されていることを意味する。

　第１４配線部分７３Ｃ１および第１１配線部分７３Ａの一端は、第２駆動梁６５Ａに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみを介して電気的に接続されている。第１３配線部分７３Ｂおよび第１４配線部分７３Ｃ２は、第２駆動梁６５Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７のみを介して電気的に接続されている。

　第４配線部分７１Ａ、第６配線部分７１Ｂ、第７配線部分７１Ｃ１，７１Ｃ２、第８配線部分７１Ｄ１，７１Ｄ２、第９配線部分７１Ｅ１，７１Ｅ２は、例えば同一工程により形成されている。第４配線部分７１Ａ、第６配線部分７１Ｂ、第７配線部分７１Ｃ１，７１Ｃ２、第８配線部分７１Ｄ１，７１Ｄ２、および第９配線部分７１Ｅ１，７１Ｅ２を総称して、第３配線７１とよぶ。第３配線７１は、第３絶縁層３５上に配置されている。

　第５配線部分７２Ａおよび第１０配線部分７２Ｂ１，７２Ｂ２は、例えば同一工程により形成されている。第５配線部分７２Ａおよび第１０配線部分７２Ｂ１，７２Ｂ２を総称して、第４配線７２とよぶ。第４配線７２は、第１絶縁層３４上に配置されており、かつ第３絶縁層３５に覆われている。

　第１１配線部分７３Ａ、第１３配線部分７３Ｂ、および第１４配線部分７３Ｃ１，７３Ｃ２は、例えば同一工程により形成されている。第１１配線部分７３Ａ、第１３配線部分７３Ｂ、および第１４配線部分７３Ｃ１，７３Ｃ２を総称して、第５配線７３とよぶ。第５配線７３は、第３絶縁層３５上に配置されている。第１２配線部分７４は、第１絶縁層３４上に配置されており、かつ第３絶縁層３５に覆われている。

　第２駆動部６８は、光走査装置１の駆動部５と基本的に同様の構成を備えている。第５配線７３、第１２配線部分７４、２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７間の接続構造は、光走査装置１の第１配線３９、第２配線３７、２組の第１不純物領域１６および第２不純物領域１７間の接続構造と同様である。

　第１駆動部６７は、光走査装置１の駆動部５と基本的に同様の構成を備えているが、以下の点で駆動部５とは異なる。第３配線７１は、光走査装置１の第１配線３９と基本的に同様の構成を備えているが、以下の点で第１配線３９とは異なる。第４配線７２は、光走査装置１の第２配線３７と基本的に同様の構成を備えているが、以下の点で第２配線３７とは異なる。

　図１８に示されるように、第４配線部分７１Ａの一端は、反射体６２のうち第１駆動梁６４Ａと接続されている部分において、第５配線部分７２Ａ、および第６配線部分７１Ｂを介して、第１駆動梁６４Ａに配置された第１不純物領域１６の一端と電気的に接続されている。さらに、第４配線部分７１Ａの一端は、反射体６２のうち第１駆動梁６４Ａと接続されている部分において、第５配線部分７２Ａ、第６配線部分７１Ｂ、およびプラグ３８Ａを介して、第１駆動梁６４Ａに配置された第２不純物領域１７の一端と電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第４配線部分７１Ａの他端は、反射体６２のうち第１駆動梁６４Ｂと接続されている部分において、第１駆動梁６４Ｂに渡されている第１不純物領域１６の一端と電気的に接続されている。さらに、第４配線部分７１Ａの他端は、反射体６２のうち第１駆動梁６４Ｂと接続されている部分において、プラグ３８Ｂを介して、第１駆動梁６４Ｂに渡されている第２不純物領域１７の一端と電気的に接続されている。

　平面視において、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂに渡されている第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第１方向に沿って直線状に配置されている。平面視において、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂに渡されている第１不純物領域１６および第２不純物領域１７は、第２方向に沿って直線状に配置されている。

　図１８に示されるように、第８配線部分７１Ｄ１の一端は、第１支持体６６のうち第１駆動梁６４Ａと接続されている部分において、第１駆動梁６４Ａに渡されている第１不純物領域１６の他端と電気的に接続されている。さらに、第８配線部分７１Ｄ１の一端は、第１支持体６６のうち第１駆動梁６４Ａと接続されている部分において、プラグ３８Ｃを介して、第１駆動梁６４Ａに渡されている第２不純物領域１７の他端と電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第８配線部分７１Ｄ１の他端は、第１０配線部分７２Ｂ１、および第９配線部分７１Ｅ１、およびプラグ３８Ｄを介して、第２駆動梁６５Ａに渡されている第３不純物領域１８の一端と電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第８配線部分７１Ｄ２の一端は、第１支持体６６のうち第１駆動梁６４Ｂと接続されている部分において、第１駆動梁６４Ｂに渡されている第１不純物領域１６の他端と電気的に接続されている。さらに、第８配線部分７１Ｄ２の一端は、第１支持体６６のうち第１駆動梁６４Ｂと接続されている部分において、プラグ３８Ｃを介して、第１駆動梁６４Ｂに渡されている第２不純物領域１７の他端と電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第８配線部分７１Ｄ２の他端は、第１０配線部分７２Ｂ２、および第９配線部分７１Ｅ２、およびプラグ３８Ｄを介して、第２駆動梁６５Ｂに渡されている第３不純物領域１８の一端と電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第７配線部分７１Ｃ１の一端は、支持体３のうち第２駆動梁６５Ａと接続されている部分において、プラグ３８Ｄを介して、第２駆動梁６５Ａに渡された第３不純物領域１８の他端と電気的に接続されている。第７配線部分７１Ｃ１の他端は、電極パッド４８ａと電気的に接続されている。

　図１８に示されるように、第７配線部分７１Ｃ２の一端は、支持体３のうち第２駆動梁６５Ｂと接続されている部分において、プラグ３８Ｄを介して、第２駆動梁６５Ｂに渡された第３不純物領域１８の他端と電気的に接続されている。第７配線部分７１Ｃ２の他端は、電極パッド４８ｂと電気的に接続されている。

　第３不純物領域１８は、任意の方法によってドーパントが注入、拡散された第２半導体層３３の一部領域である。

　一対の磁石６９は、第１方向に対向して配置されている。一対の磁石７０は、第２方向に対向して配置されている。

　反射体６２は、第４配線部分７１Ａに流れる電流と一対の磁石６９の磁力線との作用に基づくローレンツ力によって、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂを軸として捻じれ駆動（回転）するとともに、第１１配線部分７３Ａに流れる電流と一対の磁石７０の磁力線との作用に基づくローレンツ力によって、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂを軸として捻じれ駆動（回転）する。

　次に、図１９を参照して、光走査装置１の断面構造を説明する。図１９において、領域９１は図１８に示される断面線ＸＩＸａ－ＸＩＸａから視た反射体６２の断面領域であり、領域９２は図１８に示される断面線ＸＩＸｂ－ＸＩＸｂから視た第１駆動梁６４Ａの断面領域であり、領域９３は図１８に示される断面線ＸＩＸｃ－ＸＩＸｃから視た第２駆動梁６５Ａの断面領域であり、領域９４は図１８に示される断面線ＸＩＸｄ－ＸＩＸｄから視た第１支持体６６の断面領域であり、領域９５は図１８に示される断面線ＸＩＸｅ－ＸＩＸｅから視た第２支持体６３の断面領域である。

　図１９に示されるように、反射体６２、第１支持体６６、第２支持体６３、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂ、および各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々は、順に積層された第１絶縁層３４、第１半導体層３１（活性層）、第２絶縁層３２（ＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｏｘｉｄｅ）層）と、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７とを含む。

　第１支持体６６、第２支持体６３、および各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々は、第２半導体層３３（支持層）と、第３不純物領域１８とをさらに含む。反射体６２および各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂの各々は、第３不純物領域１８を含まない。

　第１半導体層３１、第２絶縁層３２、第２半導体層３３、第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域１８は、後述するＳＯＩ基板５１（図２１参照）から形成されている。言い換えると、反射体６２、第１支持体６６、第２支持体６３、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂ、各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂ、第１駆動部６７および第２駆動部６８の各一部は、ＳＯＩ基板から形成されている。

　図１９に示されるように、反射体６２、第１支持体６６、第２支持体６３、各第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂ、および各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々において、第１不純物領域１６は、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面に形成されており、第２不純物領域１７は、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面に形成されている。

　図１９に示されるように、第１支持体６６、第２支持体６３、および各第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々において、第３不純物領域１８は、第２絶縁層３２と第２半導体層３３との界面に形成されている。

　第３不純物領域１８は、第２半導体層３３の表面から、当該表面に垂直な方向において裏面側に広がった領域である。

　平面視において、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々の全体は、第３不純物領域１８の一部と重なるように配置されている。なお、平面視において、第１不純物領域１６の少なくとも一部が、第３不純物領域１８の少なくとも一部と重なるように配置されていてもよい。

　第１半導体層３１および第２半導体層３３は、例えば第１導電型を有している。第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域１８の各々は、第１導電型とは異なる第２導電型を有している。好ましくは、第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域１８の各不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である。

　図１９に示されるように、領域９１，９２は、図３に示される光走査装置１の領域８１，９２と同様の構成を有している。第４配線部分７１Ａおよび第６配線部分７１Ｂは、第３絶縁層３５上に形成されており、かつ第４絶縁層３６に覆われている。第５配線部分７２Ａは、第１絶縁層３４上に形成されており、かつ第３絶縁層３５に覆われている。

　領域９３では、第２絶縁層３２上に第２半導体層３３および第３不純物領域１８が形成されている。領域９３では、第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域１８のみが導電層として形成されており、第１絶縁層３４および第２半導体層３３上には導電層が配置されていない。

　領域９４では、第１絶縁層３４上に、第３絶縁層３５、第１１配線部分７３Ａ、第９配線部分７１Ｅ１、第８配線部分７１Ｄ１、および第４絶縁層３６が形成されている。領域９４では、第１半導体層３１、第１絶縁層３４、および第２絶縁層３２内に、プラグ３８Ｄが形成されている。

　領域９４において、第９配線部分７１Ｅ１の一部は、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通してプラグ３８Ｄに達するコンタクトホール５３を埋め込むように形成されており、プラグ３８Ｃを介して第２不純物領域１７と電気的に接続されている。

　プラグ３８Ｄは、第１半導体層３１、第１絶縁層３４、および第２絶縁層３２を貫通するビアホール５３を埋め込むように形成されている。平面視において、プラグ３８Ｄは、第３不純物領域１８において第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々と重ならない部分と接続されている。

　反射体６２および支持体３において、各ビアホール５３のうち第１半導体層３１を貫通している部分の内周面には、第３コンタクト領域２２が形成されている。第３コンタクト領域２２は、第１コンタクト領域２０と基本的に同様の構成を有している。第３コンタクト領域２２は、ビアホールの内周面から、当該内周面に垂直な方向に広がった領域である。第３コンタクト領域２２は、第２導電型を有している。第３コンタクト領域２２は、第１半導体層３１とｐ－ｎ接合していることにより、プラグ３８Ｄと第１半導体層３１とを電気的に分離（ｐ－ｎ接合分離）している。第３コンタクト領域２２は、第３不純物領域１８と電気的に接続されている。

　平面視において、第３不純物領域１８のうちプラグ３８Ｄと接続されている部分には、第４コンタクト領域２３が形成されている。第４コンタクト領域２３は、第２コンタクト領域２１と基本的に同様の構成を有している。第４コンタクト領域２３は、第２半導体層３３の表面（第２半導体層３３と第２絶縁層３２との界面）から、表面に垂直な方向に広がった領域である。第４コンタクト領域２３は、第２導電型を有している。第４コンタクト領域２３は、第３不純物領域１８と電気的に接続されている。

　＜光走査装置１０の製造方法＞
　次に、光走査装置１０の製造方法の一例を説明する。以下では、光走査装置１０の製造方法について、光走査装置１の製造方法との相違点のみを説明する。

　図２０に示されるように、まず、第１シリコン基板１１および第２シリコン基板１２を準備する。第２シリコン基板１２は、第１導電型を有している。第２シリコン基板１２の表面には、第２導電型を有する第３不純物領域１８が形成されている。第３不純物領域１８は、例えばレジストマスクを用いたイオン注入しもしくはドーパントペーストをスクリーン印刷する方法、または各ビアホールが形成された第１絶縁層３４および第３絶縁層３５をマスクとする気相拡散法などによって、形成されている。好ましくは、第３不純物領域１８の不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である。例えば、第１導電型がＮ型であり、第２導電型がＰ型である。この場合、第３不純物領域１８には、Ｓｉに対してＰ型のドーパントとなる任意の元素が拡散していればよいが、例えばホウ素（Ｂ）が拡散している。なお、第１導電型がＰ型であり、第２導電型がＮ型であってもよい。

　次に、図２１に示されるように、第１シリコン基板１１と第２シリコン基板１２とを第１接合膜１３および第２接合膜１４を介して接合する。さらに、第１シリコン基板１１の表面側に位置する一部が研磨される。これにより、第１シリコン基板１１から、第１半導体層３１が形成される。第２シリコン基板１２から、第２半導体層３３が形成される。

　次に、図２２に示されるように、第１半導体層３１の表面側に第１不純物領域１６を形成する。さらに、第１半導体層３１の表面上に、第１絶縁層３４を形成する。

　このようにして、図２２に示されるＳＯＩ基板５２が形成される。ＳＯＩ基板５２は、反射体６２を形成するための領域９１と、第１駆動梁６４Ａを形成するための領域９２と、第２駆動梁６５Ａを形成するための領域９３と、第１支持体６６を形成するための領域９４と、第２支持体６３を形成するための領域９５とを含む。

　次に、図２３に示されるように、第１絶縁層３４から第２不純物領域１７に達する複数のビアホール４０と、第１絶縁層３４から第３不純物領域１８に達する複数のビアホール５３とが形成される。各ビアホール４０および各ビアホール５３は、例えば１つのエッチングプロセスにより同時に形成される。各ビアホール４０は、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを配置するためのスルーホールであり、各ビアホール５３は、プラグ３８Ｄを配置するためのスルーホールである。

　次に、図２４に示されるように、第１コンタクト領域２０、第３コンタクト領域２２、および第４コンタクト領域２３を形成する。第１コンタクト領域２０、第３コンタクト領域２２、および第４コンタクト領域２３は、例えば１つの注入・拡散プロセスにより同時に形成される。

　次に、図２５に示されるように、各ビアホール４０の内部を埋め込むプラグ３８Ａ、プラグ３８Ｂ（図２５に図示されない）、およびプラグ３８Ｃと、各ビアホール５３を埋め込むプラグ３８Ｄを形成する。プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ，３８Ｄは、例えば１つの成膜プロセスと、１つのドライエッチングプロセスとにより、同時に形成される。

　プラグ３８Ｄを構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えばチタン（Ｔｉ）およびタングステン（Ｗ）の少なくともいずれかを含む。プラグ３８Ｄは、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃと同様に、例えば、Ｔｉ層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、およびＷ層が順に積層した積層体である。プラグ３８Ｄを構成する材料は、例えばポリシリコンを含んでいてもよい。

　次に、図２６に示されるように、第１絶縁層３４上に第４配線７２および第１２配線部分７４（図２６に図示されない）を形成する。さらに第１絶縁層３４、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ，３８Ｄ、第４配線７２、および第１２配線部分７４上に、第３絶縁層３５を形成する。具体的には、第１絶縁層３４、プラグ３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ，３８Ｄ上に、第４配線７２および第１２配線部分７４を構成する導電性材料を成膜する。次に、ドライエッチングプロセスによって導電性材料から成る膜をパターニングし、第４配線７２および第１２配線部分７４を形成する。次に、第４配線７２および第１２配線部分７４を覆うように、第３絶縁層３５を成膜する。

　第４配線７２および第１２配線部分７４は、光走査装置１の第２配線３７と同様に形成され得る。第４配線７２および第１２配線部分７４を構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えばポリシリコンおよび金属シリサイドの少なくともいずれかを含む。上記ポリシリコンは、例えば高濃度のリン（Ｐ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれかを含む。上記金属シリサイドは、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）、およびチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）から成る群から選択される少なくとも１つを含む。第４配線７２および第１２配線部分７４の厚みは、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。

　次に、図２７に示されるように、第３絶縁層３５および第１絶縁層３４を貫通するコンタクトホール４１と、第３絶縁層３５を貫通するコンタクトホール４２，４３、およびビアホール５３とを形成する。さらに、第１不純物領域１６に第２コンタクト領域２１を形成する。

　ビアホール５３は、第９配線部分７１Ｅ１をプラグ３８Ｄに電気的に接続するためのスルーホールである。ビアホール５３は、例えばコンタクトホール４１，４２，４３と同一のドライエッチングプロセスにより同時に形成される。

　次に、図２８に示されるように、第３絶縁層３５上に、第３配線７１を形成する。第３配線７１は、光走査装置１の第１配線３９と同様に形成され得る。第３配線７１を構成する材料は、任意の導電性材料であればよいが、例えば、Ｔｉ、アルミニウム（Ａｌ）、および銅（Ｃｕ）の少なくともいずれかを含む。第３配線７１は、例えば、第３絶縁層３５、第４配線７２、および第２コンタクト領域２１等の下地に対して高い密着性を有する材料から成る第１層、高い電気伝導性を有する材料から成る第２層、および高い耐腐食性を有する材料からなる第３層が順に積層した積層体である。

　次に、図２９に示されるように、第４絶縁層３６を形成する。
　このようにして、ＳＯＩ基板５２上に、第１駆動部６７および第２駆動部６８（図１７参照）が形成される。

　次に、図３０に示されるように、領域９１の第４絶縁層３６上に、反射膜４５を形成する。

　次に、図３１に示されるように、ドライエッチングプロセスにより、第４絶縁層３６、第３絶縁層３５、第１絶縁層３４、第１半導体層３１、および第２絶縁層３２をパターニングする。

　次に、図３２に示されるように、写真製版によりエッチングマスクを形成した後、ドライエッチングプロセスにより、第２半導体層３３をパターニングする。これにより、ＳＯＩ基板５２から、反射体６２、第１支持体６６、第２支持体６３、複数の第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂ、および複数の第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂを含む構造体が形成される。

　反射体６２および第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの剛性を高めるために、反射体６２および第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各第２絶縁層３２上にはリブ４７が形成される。

　次に、反射体６２、第１支持体６６、第２支持体６３、複数の第１駆動梁６４Ａ，６４Ｂ、および複数の第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂを含む構造体を含む構造体を、ＳＯＩ基板５２からチップとして取り出す。このようにして、図１７～図１９に示される光走査装置１が製造される。

　光走査装置１０でも、光走査装置１と同様に、第１不純物領域１６および第２不純物領域１７が、第１導電部と第２導電部との間に電気的に並列に接続されている。そのため、光走査装置１０は、光走査装置１と同様の効果を奏することができる。

　さらに、光走査装置１０では、第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂに配置された第３不純物領域１８が、第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂに配置された第１不純物領域１６および第２不純物領域１７の各々と電気的に分離されているため、前者を第１駆動部６７の一部として、後者を第２駆動部６８の一部として構成することにより、反射体６２を２つの軸周りに駆動し得る。

　＜変形例＞
　実施の形態２に係る光走査装置１０の第２駆動梁６５Ａ，６５Ｂの各々は、第３不純物領域１８に加え、第３不純物領域１８と積層方向に距離を隔てて配置された第４不純物領域をさらに含んでいてもよい。第３不純物領域１８および第４不純物領域は、第１駆動部６７において、第１導電部と第２導電部との間に電気的に並列に接続されていてもよい。この場合、第４不純物領域は、例えば、第２半導体層３３の裏面と当該裏面上に形成された第５絶縁層との界面に形成されていてもよい。

　実施の形態１，２に係る光走査装置１，１０は、電磁駆動式の駆動部５、または第１駆動部６７および第２駆動部６８に代えて、圧電駆動型または静電駆動型の駆動部を備えていてもよい。

　圧電駆動方式の駆動部は、各駆動梁の一部分に配置された圧電膜と、各駆動梁の他の部分に配置されておりかつ圧電膜と電気的に接続された第１不純物領域および第２不純物領域とを含む。第１不純物領域および第２不純物領域は、第１絶縁層３４と第１半導体層３１との界面、第１半導体層３１と第２絶縁層３２との界面、および第２絶縁層３２と第２半導体層３３との界面のいずれかに形成されている。

　圧電膜は、電気信号を応力に変換する機能を有しており、各駆動梁の表面に形成されている。圧電膜として、たとえば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等が適用される。圧電膜に電圧を印可することで膜応力が発生し、逆圧電効果によって駆動梁が変形する。駆動梁が変形することで反射体が駆動する。

　静電駆動方式の駆動部は、固定櫛歯電極と、可動櫛歯電極と、少なくとも可動櫛歯電極と電気的に接続された第１不純物領域および第２不純物領域とを含む。光走査装置１において、固定櫛歯電極は支持体３に形成され、可動櫛歯電極は反射体２に形成される。また、光走査装置１０において、固定櫛歯電極は第１支持体６６および第２支持体６３の各々に形成され、可動櫛歯電極は反射体６２および第１支持体６６の各々に形成される。固定櫛歯電極に印可される電圧と可動櫛歯電極に印可される電圧とによって生じる電荷の静電力によって、各駆動梁を軸として反射体が捻じれ駆動する。

　実施の形態１，２に係る光走査装置１，１０は、本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子の一例である。本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子は、圧力センサ素子、赤外線センサ素子などにも適用され得る。この場合、第１不純物領域１６、第２不純物領域１７、および第３不純物領域１８は、圧電素子と電気的に接続される配線部、または赤外線域に感度を有する光電素子（受光素子）もしくは熱電素子と電気的に接続される配線部の少なくとも一部を構成する。

　実施の形態３．
　ここでは、各実施の形態において説明した光走査装置１，１０を適用した測距装置について説明する。

　測距装置は、光源から対象物に向けて光を照射し、その対象物によって反射された光を受光することによって、光源から対象物までの距離を測定する装置である。対象物によって反射された光は戻り光と呼ばれる。

　近年、自動車の自動運転においては、たとえば、レーザ光を使用した測距装置が適用されている。測距装置では、レーザ光を照射した際に、反射光が受光されるか否かによって、障害物の有無が検出される。また、測距装置では、レーザ光の発光タイミングと反射光の受光タイミングとの時間差に基づいて、障害物までの距離が算出される。

　以下、実施の形態３に係る測距装置について説明する。図３３に、測距装置１０１を搭載した車両１１７を模式的に示す。図３３に示すように、測距装置１０１は、たとえば、車両１１７の前面に設置される。測距装置１０１は、前方の対象物１１９を検出する。測距装置１０１は、車両１１７から対象物１１９までの距離を算出する。対象物１１９とは、たとえば、他の車両、自転車または歩行者等である。測距装置１０１では、出射光１２１を出射し、対象物１１９からの反射光１２５（図３４参照）が検出される。測距装置１０１では、検出された反射光１２５に基づいて距離画像が生成される。

　（測距装置の全体構成）
　図３４に、測距装置１０１の構成を模式的に示す。測距装置１０１は、複数の光源１０３、レンズ１２３、ミラー１０５（出射側）、ミラー１２７（受光側）、受光部１０７および制御部１０９を備えている。ミラー１０５として、たとえば、実施の形態１等において説明した光走査装置１が適用されている。これらの光学系は、筐体１１１内に収容されている。筐体１１１には、窓１１３が設けられている。以下、各部について、具体的に説明する。

　（光源）
　光源１０３は、光１１５を出射する。光源１０３は、たとえば、レーザ光源等である。測距装置１０１では、複数の光源１０３を備えることができる。図３４では、２つの光源１０３が示されているが、一つの光源でもよい。

　（光）
　光１１５は、光源１０３から出射されたレーザ光である。レーザ光の波長は、たとえば、８７０ｎｍ～１５００ｎｍ程度である。

　（レンズ）
　レンズ１２３は、光源１０３から出射された光１１５の配光を変える。配光とは、光源から各方向に出射される光の空間的分布をいう。レンズ１２３は、測距装置１０１から出射される出射光１２１が平行光となるように配光を変える。レンズ１２３は、たとえば、凸レンズ、シリンドリカルレンズまたはトロイダルレンズ等である。レンズ１２３としては、２枚以上の複数枚のレンズを用いてもよい。なお、測距装置１０１から出射光１２１が平行光として出射されるのであれば、レンズ１２３は省いてもよい。

　（ミラー）
　ミラー１０５は、実施の形態１または２に係る光走査装置１，１０の反射体２，６２の反射面４５ａ（図１，１７参照）である。ミラー１０５は、光源１０３から出射され、レンズ１２３を透過した光１１５を反射する。ミラー１０５で反射された光１１５は、出射光１２１として、測距装置１０１から出射される。

　ミラー１０５となる反射面４５ａを有する反射体２，６２は、各駆動梁４，６４，６５を軸として捻じれ駆動（回転）する（図１，１７参照）。捻じれ駆動は往復動作である。ミラー１０５の捻じれ駆動によって、出射光１２１は、二次元に走査されることになる。複数の光源１０３から出射された光１１５は、ミラー１０５によって、それぞれ異なる方向に反射される。

　（出射光）
　出射光１２１は、測距装置１０１から出射されるレーザ光である。出射光１２１には、複数の光源１０３から出射されてミラー１０５で反射した光１１５を含む。出射光１２１は、平行光とされる。出射光１２１のビームが最も絞られたビームウエストは、たとえば、６０ｍ先に設定される。出射光１２１は、パルス光である。パルス幅は、たとえば、１ｎｓ～１０ｎｓである。出射光１２１は、対象物１１９に照射される。

　（反射光）
　反射光１２５は、出射光１２１が対象物１１９に照射されて、対象物１１９において反射した光のうち、対象物１１９から測距装置１０１へ向かって進む光（成分）である。

　（受光部）
　受光部１０７は、光を検知する。受光部１０７は、たとえば、光を検出する受光素子を備えている。受光素子は、たとえば、フォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオード等である。受光部１０７では、対象物１１９から測距装置１０１へ向かって進み、ミラー１０５およびミラー１２７において反射した反射光１２５が検知される。

　なお、ミラー１０５において反射した反射光１２５は、光源１０３に向かって進むため、受光部１０７を光源１０３の近傍に配置してもよい。ミラー１２７を配置することで、受光部１０７を光源１０３から離れた位置に配置することができる。受光部１０７には、反射光１２５を集光するレンズ（図示せず）を配置してもよい。

　（ミラー）
　ミラー１２７は、ミラー１０５において反射された反射光１２５を受光部１０７へ向けて反射する。ミラー１２７は、光源１０３から出射された光１１５が通過するように、たとえば、中心に貫通穴が形成された態様のミラーが望ましい。また、ミラー１２７として、光源１０３から出射された光１１５の光路から外れた位置に配置した１枚または複数枚のミラーでもよい。さらに、ミラー１２７として、照射された光の一部を透過し、一部を反射する、ハーフミラーまたはビームスプリッターでもよい。また、ミラー１２７として、集光機能を備えていてもよい。

　（制御部）
　制御部１０９は、光源１０３、ミラー１０５、受光部１０７を含む測距装置１０１の動作を制御する。制御部１０９は、光源１０３から出射する、たとえば、パルス状の光１１５の出射タイミングを制御するとともに、その出射タイミングを検知する。制御部１０９は、ミラー１０５の駆動を制御するとともに、ミラー１０５の傾き角度および法線の角度を検知する。制御部１０９は、受光部１０７の受光状況を検知する。

　（筐体）
　筐体１１１は、測距装置１０１の光学系を収容した外装箱である。筐体１１１の内部には、複数の光源１０３、ミラー１０５および受光部１０７等を含む光学系が収容されている。筐体１１１は、遮光性を有している。筐体１１１の内側は、迷光を吸収するために黒色であることが望ましい。筐体１１１には、出射光１２１と反射光１２５とが通り抜ける窓１１３が設けられている。

　（窓）
　窓１１３は開口であり、出射光１２１は窓１１３から対象物１１９へ向けて出射される。反射光１２５は窓１１３から筐体１１１内に入射する。窓１１３は、筐体１１１の外部からの光を遮蔽することが望ましい。窓１１３には、透過させる光の波長に対応した波長特性を有する窓材が装着されている。窓材として、光１１５を透過する波長特性を有する窓材が装着されている。

　なお、出射光１２１の光路と反射光１２５の光路とが異なる光学系とし、窓１１３として、出射光１２１用の窓と、反射光１２５用の窓との複数の窓を設けるようにしてもよい。窓１１３として、光の集光機能を備えるようにしてもよいし、光の発散機能を備えるようにしてもよい。

　（測距装置の動作）
　次に、測距装置１０１の動作の一例について説明する。図３４に示すように、光源１０３から出射した光１１５は、レンズ１２３において配光が変更される。レンズ１２３を透過した光１１５は、たとえば、平行光になる。平行光となった光１１５は、ミラー１２７を透過するか、ミラー１２７に設けられた貫通穴（図示せず）を通り抜けて、ミラー１０５において反射される。

　ミラー１０５で反射された光１１５は、出射光１２１として、測距装置１０１から対象物１１９へ向けて出射される。ここで、ミラー１０５は、光走査装置１，１０（図１，１７参照）の反射体２，６２であり、光１１５は、反射体２，６２の捻じれ駆動によって二次元または三次元に走査される。二次元または三次元に走査された光１１５は、出射光１２１として窓１１３から対象物１１９へ向けて出射される。

　対象物１１９に照射された出射光１２１は、対象物１１９において反射される。反射された反射光のうち、一部の反射光１２５は、窓１１３から測距装置１０１の筐体１１１内に入射する。筐体１１１内に入射した反射光１２５は、ミラー１０５で反射し、さらに、ミラー１２７で反射して受光部１０７に入射する。受光部１０７では、入射した反射光１２５が検知される。制御部１０９では、光源１０３から光１１５が出射されてから受光部１０７に検知されるまでの時間が計測される。制御部１０９では、計測された時間に基づいて、車両１１７から対象物１１９までの距離が算出される。

　制御部１０９では、捻じれ駆動するミラー１０５（反射体２，６２）の法線の方向を検出する。この場合には、たとえば、ミラー１０５の捻じれ駆動の周期を検知するセンサを用いることができる。また、制御部１０９は、ミラー１０５の駆動信号から法線の方向を検出することができる。制御部１０９では、光源１０３の位置とミラー１０５の法線の方向とに基づいて、出射光１２１の出射方向が算出される。

　制御部１０９では、出射光１２１の出射方向と対象物１１９までの距離とに基づいて、車両１１７に対して対象物１１９が位置する方向と距離とが算出される。制御部１０９では、時々刻々走査されている出射光１２１と検知される反射光１２５とに基づいて、車両１１７に対して対象物１１９が位置する方向と距離とが算出されることで、距離画像が取得される。

　なお、上述した測距装置１０１では、出射光１２１の光学系と反射光１２５の光学系とを同じ光学系としたが、反射光１２５の光学系を、出射光１２１の光学系とは別の光学系としてもよい。このような光学系であっても、出射光１２１と検知される反射光１２５とに基づいて対象物までの距離を算出することができる。さらに、時々刻々走査されている出射光１２１と検知される反射光１２５とに基づいて、対象物１１９を含む測距装置１０１（車両１１７）の周辺の距離画像を取得することができる。

　今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本開示は上記で説明した範囲ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１，１０　光走査装置、２，６２　反射体、３　支持体、４，４Ａ，４Ｂ，６４，６４Ａ，６４Ｂ，６５，６５Ａ，６５Ｂ　駆動梁、５　駆動部、６，６９，７０　磁石、１１　第１シリコン基板、１２　第２シリコン基板、１３　第１接合膜、１４　第２接合膜、１５　アライメントマーク、１６　第１不純物領域、１７　第２不純物領域、１８　第３不純物領域、２０　第１コンタクト領域、２１　第２コンタクト領域、２２　第３コンタクト領域、２３　第４コンタクト領域、３１　第１半導体層、３２　第２絶縁層、３３　第２半導体層、３４　第１絶縁層、３５　第３絶縁層、３６　第４絶縁層、３７　第２配線、３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ，３８Ｄ　プラグ、３９　第１配線、３９Ａ　第１配線部分、３９Ｂ　第２配線部分、３９Ｃ　第３配線部分、４０，５３　ビアホール、４１，４２，４３，４４，５３　コンタクトホール、４４ａ，４４ｂ，４８Ｂ，４８ａ，４８ｂ，４９Ｂ，４９ａ，４９ｂ　電極パッド、４５　反射膜、４５ａ　反射面、４６　側壁面、４７　リブ、５１，５２　ＳＯＩ基板、６３　第２支持体、６６　第１支持体、６７　第１駆動部、６８　第２駆動部、７１　第３配線、７１Ａ　第４配線部分、７１Ｂ　第６配線部分、７１Ｃ１，７１Ｃ２　第７配線部分、７１Ｄ１，７１Ｄ２　第８配線部分、７１Ｅ１，７１Ｅ，７１Ｅ２　第９配線部分、７２　第４配線、７２Ａ　第５配線部分、７２Ｂ２，７２Ｂ１　第１０配線部分、７３　第５配線、７３Ａ　第１１配線部分、７３Ｂ　第１３配線部分、７３Ｃ１，７３Ｃ２　第１４配線部分、７４　第１２配線部分、１０１　測距装置、１０３　光源、１０５，１２７　ミラー、１０７　受光部、１０９　制御部、１１１　筐体、１１３　窓、１１５　光、１１７　車両、１１９　対象物、１２１　出射光、１２３　レンズ、１２５　反射光。

Claims

　順に積層された第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層と、
　前記第１絶縁層と前記活性層との界面、前記活性層と前記第２絶縁層との界面、および前記第２絶縁層と前記支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ前記第１絶縁層、前記活性層、前記第２絶縁層、および前記支持層の積層方向に距離を隔てて配置されている第１不純物領域および第２不純物領域と、
　前記第１絶縁層上に距離を隔てて配置されている第１導電部および第２導電部とを備え、
　前記第１不純物領域および前記第２不純物領域は、前記第１導電部および前記第２導電部の間に電気的に並列に接続されている、ＭＥＭＳ素子。
　前記第１不純物領域および前記第２不純物領域は、前記積層方向に重なるように配置されている、請求項１に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記第１絶縁層と前記活性層との界面、前記活性層と前記第２絶縁層との界面、および前記第２絶縁層と前記支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ前記積層方向に前記第１不純物領域および前記第２不純物領域と重なるように配置されている第３不純物領域をさらに備え、
　前記第１不純物領域、前記第２不純物領域、および前記第３不純物領域は、前記第１導電部および前記第２導電部の間に電気的に並列に接続されている、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記第１絶縁層と前記活性層との界面、前記活性層と前記第２絶縁層との界面、および前記第２絶縁層と前記支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ前記積層方向に前記第１不純物領域および前記第２不純物領域と重なるように配置されている第４不純物領域をさらに備え、
　前記第４不純物領域は、前記第１不純物領域、前記第２不純物領域、前記第１導電部、および前記第２導電部とは電気的に分離されている、請求項１～３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記活性層には、前記第１導電部と前記第２不純物領域とを接続するための第１ビアホールと、前記第２導電部と前記第２不純物領域とを接続するための第２ビアホールとが形成されており、
　前記活性層は、第１導電型を有し、
　前記第２不純物領域は、前記第１導電型とは異なる第２導電型を有し、
　前記第１ビアホールおよび前記第２ビアホールの各内周面に形成されており、かつ前記第２導電型を有するコンタクト領域をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記第１不純物領域の不純物濃度、および前記第２不純物領域の不純物濃度は、１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記活性層の前記積層方向の厚さは、１０μｍ以上である、請求項１～６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記第１絶縁層、前記活性層、前記第２絶縁層、および前記第１導電部を含み、前記第１絶縁層上に前記第１導電部と並んで配置された反射面を有する反射体と、
　前記第１絶縁層、前記活性層、前記第２絶縁層、および前記第２導電部を含み、前記反射体と距離を隔てて配置された支持体と、
　前記第１絶縁層、前記活性層、前記第２絶縁層、前記第１不純物領域、および前記第２不純物領域の各々の残部を含み、前記反射体と前記支持体とを接続する駆動梁とを備える、請求項１～７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ素子。
　前記駆動梁の前記第１絶縁層および前記第２絶縁層上には、導電層が配置されていない、請求項８に記載のＭＥＭＳ素子。
　反射面を有する反射体と、
　前記反射体と距離を隔てて配置された支持体と、
　前記反射体と前記支持体とを接続する駆動梁と、
　前記支持体に対して、前記駆動梁を軸として、前記反射体を捻じれ駆動させる駆動部とを備え、
　前記駆動部は、前記反射体に配置された第１導電部と、前記支持体に配置された第２導電部と、少なくとも前記駆動梁に配置されており、かつ前記第１導電部と前記第２導電部との間を接続する配線部とを含み、
　前記駆動梁は、
　　順に積層された第１絶縁層、半導体層、および第２絶縁層と、
　　前記第１絶縁層と前記半導体層との界面に形成されている第１不純物領域と、
　　前記半導体層と前記第２絶縁層との界面に形成されている第２不純物領域とを含み、
　前記第１不純物領域および前記第２不純物領域は、前記配線部の少なくとも一部を構成しており、前記第１導電部および前記第２導電部の間に電気的に並列に接続されている、光走査装置。
　前記反射体、前記支持体、および前記駆動梁の各々は、
　前記第２絶縁層に対して前記半導体層とは反対側に配置され、かつ前記第２絶縁層と接する支持層と、
　前記第２絶縁層と前記支持層との界面に形成された第３不純物領域をさらに含み、
　前記配線部は、前記第３不純物領域をさらに含み、
　前記第１不純物領域、前記第２不純物領域、および前記第３不純物領域は、前記第１導電部および前記第２導電部の間に電気的に並列に接続されている、請求項１０に記載の光走査装置。
　前記支持体は、
　　平面視において前記反射体を囲むように配置されている第１支持体と、
　　平面視において前記第１支持体よりも外側に配置されており、前記第２導電部が配置された第２支持体とを含み、
　前記駆動梁は、
　　前記反射体と前記第１支持体とを接続する第１駆動梁と、
　　前記第１支持体と前記第２支持体とを接続する第２駆動梁とを含み、
　前記駆動部は、前記第１駆動梁を軸として、前記反射体を捻じれ駆動させる第１駆動部と、前記第２駆動梁を軸として、前記反射体および前記第１支持体を捻じれ駆動させる第２駆動部とを含み、
　前記第１駆動部は、前記反射体に配置された前記第１導電部と、前記第２支持体に配置された前記第２導電部と、少なくとも前記第１駆動梁および前記第２駆動梁の各々に配置されており、かつ前記第１導電部と前記第２導電部との間を接続する第１配線部とを含み、
　前記第２駆動部は、前記第１支持体に配置された第３導電部と、前記第２支持体に配置された第４導電部と、少なくとも前記第２駆動梁に配置されており、かつ前記第３導電部と前記第４導電部との間を接続する第２配線部とを含み、
　前記反射体、前記第１駆動梁、前記第１支持体、前記第２駆動梁、および前記第２支持体の各々は、前記第１絶縁層、前記第１不純物領域、前記半導体層、前記第２不純物領域、および前記第２絶縁層を含み、
　前記第１支持体、前記第２駆動梁、および前記第２支持体の各々は、
　　前記第２絶縁層に対して前記半導体層とは反対側に配置され、かつ前記第２絶縁層と接する支持層と、
　　前記第２絶縁層と前記支持層との界面に形成された第４不純物領域をさらに含み、
　前記第４不純物領域は、前記第１不純物領域、前記第２不純物領域、前記第１導電部、および前記第２導電部とは電気的に分離されており、
　前記第１配線部は、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域を含み、
　前記第２配線部は、前記第４不純物領域を含む、請求項１０に記載の光走査装置。
　前記駆動梁の前記第１絶縁層および前記第２絶縁層上には、導電層が配置されていない、請求項１０～１２のいずれか１項に記載の光走査装置。
　請求項１０～１３のいずれか１項に記載の光走査装置を適用した測距装置であって、
　前記光走査装置に向けて光を出射する光源と、
　対象物に向けて前記光を反射する前記光走査装置と、
　前記対象物において反射した前記光を検出する光検出器と、
　前記光走査装置の動作の制御を含む制御部とを備える、測距装置。
　順に積層された第１絶縁層、活性層、第２絶縁層、および支持層と、前記第１絶縁層と前記活性層との界面、前記活性層と前記第２絶縁層との界面、および前記第２絶縁層と前記支持層との界面のいずれかに形成されており、かつ前記第１絶縁層、前記活性層、前記第２絶縁層、および前記支持層の積層方向に距離を隔てて配置されている第１不純物領域および第２不純物領域とを含むＳＯＩ基板を準備する工程と、
　前記第１絶縁層上に配置されており、かつ前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の各々と接続されている第１導電部と、前記第１絶縁層上に前記第１導電部と距離を隔てて配置されており、かつ前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の各々を介して前記第１導電部と接続されている第２導電部とを形成する工程とを備え、
　前記ＳＯＩ基板を準備する工程は、
　　前記活性層の第１面に前記第２不純物領域を形成する工程と、
　　前記第２不純物領域が形成された前記第１面および前記支持層の第２面の少なくともいずれかの上に、絶縁膜を形成する工程と、
　　前記絶縁膜を介して前記活性層と前記支持層とを貼り合わせる工程とを含む、ＭＥＭＳ素子の製造方法。