WO2022162489A1 - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

湿式法で発光層を形成する際、発光素子として隔壁の近傍における液だまりが低減された表示装置を提供する。 第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた隔壁と、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、陰極と、を有し、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第１の領域における高さが第２の領域における高さより大きい、表示装置である。

Description

表示装置及びその作製方法

本発明の一態様は、表示装置及びその作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本明細書等で開示する本発明の一態様のより具体的な技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置を一例として挙げることができ、これらの駆動方法、またはこれらの作製方法も一例として挙げることができる。

有機ＥＬを備えた表示装置の作製方法として、発光性材料を含む溶液を滴下させ、溶液から溶媒を揮発させることで発光層を形成するインクジェット法があり、インクジェット法により発光層を形成し、溶液に対する焼成工程を不要とする方法が知られている（特許文献１参照）。

特開２００４−８７４６５号公報

上記特許文献１の図３（Ａ）には各画素を絶縁体で区分けされた領域に溶液が滴下される様子が記載され、滴下直後の液だまりが示されている。このような液だまりにおいて溶媒が蒸発するため、塗布工程を利用すれば焼成工程を不要にできることが上記特許文献１に開示される。

しかしながら焼成工程を不要にすることは難しく、減圧雰囲気で焼成すると液だまりは、絶縁体、つまり隔壁の近傍に残ってしまう。当該液だまりにより発光面積の中央に電流が集中し、電流密度が不均一になるため、本発明者らは液だまりを抑制することが高精細な表示装置を提供する上で重要であると考えた。

上記を鑑み本発明の一態様は、インクジェット法等を含む湿式法により形成された表示装置であって、液だまりが縮小された構成及びその作製方法を提供する。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等（本明細書等と記す）の記載から、自ずと明らかとなるものであり、本明細書等の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

上記課題を鑑み本発明の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた隔壁と、隔壁の第１の開口部に位置し、かつ第１の陽極と重なる第１の発光層と、隔壁の第２の開口部に位置し、かつ第２の陽極と重なる第２の発光層と、隔壁の第３の開口部に位置し、かつ第３の陽極と重なる第３の発光層と、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第１の領域における高さが第２の領域における高さより大きい、表示装置である。

本発明の別の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた隔壁と、隔壁の第１の開口部に位置し、かつ第１の陽極と重なる第１の発光層と、隔壁の第２の開口部に位置し、かつ第２の陽極と重なる第２の発光層と、隔壁の第３の開口部に位置し、かつ第３の陽極と重なる第３の発光層と、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第２の領域における高さが第１の領域における高さより大きい、表示装置である。

本発明の別の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた隔壁と、隔壁の第１の開口部に位置し、かつ第１の陽極と重なる第１の発光層と、隔壁の第２の開口部に位置し、かつ第２の陽極と重なる第２の発光層と、隔壁の第３の開口部に位置し、かつ第３の陽極と重なる第３の発光層と、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第１の領域における高さは、第２の領域における高さより大きく、隔壁は第１の領域において積層構造を有する、表示装置である。

本発明の別の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた隔壁と、隔壁の第１の開口部に位置し、かつ第１の陽極と重なる第１の発光層と、隔壁の第２の開口部に位置し、かつ第２の陽極と重なる第２の発光層と、隔壁の第３の開口部に位置し、かつ第３の陽極と重なる第３の発光層と、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第２の領域における高さは、第１の領域における高さより大きく、隔壁は第２の領域において積層構造を有する、表示装置である。

本発明の一態様において、積層構造を有する隔壁は、無機材料を有する第１の隔壁と、第１の隔壁上に位置する有機材料を有する第２の隔壁を有すると好ましい。

本発明の一態様において正孔注入層と隔壁との間に正孔輸送層が設けられると好ましい。

本発明の一態様において、正孔注入層はモリブデン酸化物を有すると好ましい。

本発明の一態様において、第１の陽極乃至第３の陽極の端部はそれぞれテーパー形状を有すると好ましい。

本発明の別の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した第３の陽極と、を形成し、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって、正孔注入層を形成し、正孔注入層上に、第１の陽極と重なる第１の開口部、第２の陽極と重なる第２の開口部、及び第３の陽極と重なる第３の開口部を有する隔壁を形成し、第１の開口部に位置する第１の発光層、第２の開口部に位置する第２の発光層、又は第３の開口部に位置する第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成し、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって、陰極を形成する表示装置の作製方法であって、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第１の領域における高さが第２の領域における高さより大きく、第１の領域に沿うように移動しながら、第１の発光層及び第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成する、表示装置の作製方法である。

本発明の別の一態様は、第１の陽極と、第１の陽極とＸ方向に隣接した第２の陽極と、第１の陽極とＹ方向に隣接した第３の陽極と、を形成し、第１の陽極乃至第３の陽極にわたって、正孔注入層を形成し、正孔注入層上に、第１の陽極と重なる第１の開口部、第２の陽極と重なる第２の開口部、及び第３の陽極と重なる第３の開口部を有する隔壁を形成し、第１の開口部に位置する第１の発光層、第２の開口部に位置する第２の発光層、又は第３の開口部に位置する第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成し、第１の発光層乃至第３の発光層にわたって、陰極を形成する表示装置の作製方法であって、隔壁は、上面視において第１の陽極と第３の陽極との間に位置し、且つＸ方向に延在した第１の領域と、第１の陽極と第２の陽極との間に位置し、且つＹ方向に延在した第２の領域とを有し、断面視において第２の領域における高さが第１の領域における高さより大きく、第２の領域に沿うように移動しながら、第１の発光層及び第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成する、表示装置の作製方法である。

本発明の一態様において、正孔注入層上に、正孔輸送層を形成し、正孔輸送層上に、隔壁を形成すると好ましい。

本発明の一態様によれば、液だまりを抑制した表示装置及びその作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、本明細書等の記載から、自ずと明らかとなるものであり、本明細書等の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、本発明の一態様の画素領域を説明する斜視図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の一態様の画素領域を説明する断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、本発明の一態様の画素領域を説明する断面図である。
図４は、本発明の一態様の画素領域の作製方法を説明する断面図である。
図５は、本発明の一態様の画素領域を説明する斜視図である。
図６は、本発明の一態様の画素領域を説明する斜視図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の一態様の画素領域を説明する断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、本発明の一態様の画素領域を説明する断面図である。
図９は、本発明の一態様の画素領域の作製方法を説明する断面図である。
図１０は、本発明の一態様の画素領域を説明する斜視図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄ２は、本発明の一態様の発光素子を説明する断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｄは、本発明の一態様の画素回路を説明する回路図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｄは、本発明の一態様の画素回路を説明する回路図である。
図１４は、本発明の一態様の画素回路の駆動方法を説明する図である。
図１５は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１８Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２１Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

本明細書等に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロック図を用いて説明することがあるが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書等において、トランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書等において、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書等において、トランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、又は上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、又は上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書等において、トランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書等において、接続とは電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、または伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書等において、回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電層が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書等において接続とは、このような、一の導電層が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

本明細書等において、トランジスタの第１の電極及び第２の電極を用いて説明することがあるが、第１の電極及び第２の電極の一方がソース電極の場合、他方はドレイン電極を指す。

本明細書等において、発光素子は一対の電極間に有機化合物を有する層（有機化合物層と記す）を挟持した構造を有する。一対の電極の一方は陽極であり、一対の電極の他方は陰極であり、有機化合物層は機能層であり、機能層の一つは発光層である。機能層が積層体をなし、少なくとも発光層を有した構造を発光ユニットと記すことがある。また本明細書等において、発光素子を発光デバイスと記すことがある。

本明細書等においてメタルマスク、またはファインメタルマスク（ＦＭＭ）を用いない発光デバイスをメタルマスクレス（ＭＭＬ）構造を有する発光デバイスと記す場合がある。

本明細書等において各色の発光素子（たとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ））において、発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と記す場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光素子を白色発光素子と呼ぶ場合がある。なお、白色発光素子は、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置とすることができる。

本明細書等において、発光素子は、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造は、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは１以上の発光層を有する。シングル構造において、白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合も同様である。

タンデム構造は、一対の電極間に２以上の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を有する。白色発光を得るには、２以上の発光ユニットそれぞれの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造において、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

また、上述の白色発光素子（シングル構造及びタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光素子とを比較した場合、ＳＢＳ構造の発光素子は、白色発光素子よりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光素子を用いると好適である。一方で、白色発光素子は、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光素子よりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

次に実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について説明する。表示装置は発光素子を有し、当該発光素子は、正孔注入性材料を有する正孔注入層、正孔輸送性材料を有する正孔輸送層、発光材料を有する発光層、電子輸送性材料を有する電子輸送層、または電子注入性材料を有する電子注入層等を有する。本発明の一態様では、上記のいずれの層も湿式法で作製することができる。本実施の形態では、主に発光層を湿式法で作製する場合を説明する。

湿式法は、所定の機能を有する材料を溶媒に溶解させる、または溶媒に分散させる処理により液化して液状組成物を得て、液状組成物を塗布する方法である。塗布した後は乾燥または硬化工程を経て固体化または薄膜化する。液状組成物を溶液と記すことがある。湿式法として、代表的にはスピンコート法、インクジェット法、キャスト法、印刷法、ディスペンス法、又はスプレイ法等がある。

本発明の一態様である表示装置は、隔壁の高さ等にも特徴がある。さらに本発明の一形態である表示装置として、隔壁の下方に正孔注入層が位置する構成例１と、隔壁の下方に正孔注入層及び正孔輸送層が位置する構成例２を説明する。

＜構成例１＞
図１に表示装置の斜視図例、図２Ａ乃至図３Ｃに表示装置の断面図例、図４に発光層の作製例、図５に図１とは異なる表示装置の斜視図例を示す。

図１に示すように、表示装置は発光素子が設けられた画素領域１００を有し、その他駆動回路領域などを有する。画素領域１００は複数の画素を有し、さらに画素は複数の副画素を有する。画素はフルカラー表示が可能な最小単位であって、フルカラー表示を赤色、緑色、及び青色で達成する場合、上面視（平面視と記すこともある）において複数の副画素の一は赤色発光素子の発光領域に対応し、他は緑色発光素子の発光領域に対応し、他は青色発光素子の発光領域に対応することができる。

図１では図示しないが、各副画素では、各発光素子と電気的に接続されたトランジスタも位置しており、トランジスタを用いて上記発光素子を制御することができる。このような構造を有する表示装置を、アクティブマトリックス型表示装置と呼び、本発明の一態様である構成例１等を適用することができる。勿論、本発明の一態様である構成例１等は、パッシブマトリックス型の表示装置にも適用することができる。

なお画素領域１００の構成を説明するにあたり、図１に示すようにＸ方向と、Ｘ方向と交差するＹ方向とを用いる場合がある。たとえばＸ方向はゲート信号が供給される配線と沿う方向とし、Ｙ方向はソース信号が供給される配線と沿う方向とする。

図１の画素領域１００に、絶縁膜１０１、陽極１０２、正孔注入層１０４、隔壁１１０、発光層１１５等を示す。隔壁１１０は、第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙが含まれ、隔壁１１０において第２の領域１１０ｙの上面は第１の領域１１０ｘの上面より高いことが特徴である。発光層１１５は、発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂが含まれ、例えば発光層１１５ｒは赤色発光素子が有する発光層、発光層１１５ｇは緑色発光素子が有する発光層、発光層１１５ｂは青色発光素子が有する発光層に対応させることができる。

＜絶縁膜１０１＞
上述したトランジスタ上には、図１に示すように絶縁膜１０１が設けられる。上記絶縁膜は後に形成される陽極等に対する被形成面となる。そのため絶縁膜１０１は当該被形成面が平坦になるように有機材料を用いて形成するとよい。また絶縁膜１０１はトランジスタへ、不純物等が侵入しないように保護膜として機能させるために無機材料を用いて形成するとよい。絶縁膜１０１が平坦性を有し、かつ保護膜として機能するには、少なくとも無機材料を有する第１の絶縁膜と、当該第１の絶縁膜上に位置する有機材料を有する第２の絶縁膜とを有する積層構造とするとよい。

有機材料としてポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等の有機樹脂を用いて、絶縁膜１０１を形成するとよい。なお、上記材料にランタン（Ｌａ）、窒素、ジルコニウム（Ｚｒ）などの不純物元素を添加した材料を用いてもよい。

無機材料として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一以上含む、絶縁膜１０１を形成するとよい。なお、上記材料にランタン（Ｌａ）、窒素、ジルコニウム（Ｚｒ）などの不純物元素を添加した材料を用いてもよい。

＜陽極１０２＞
絶縁膜１０１上に、陽極１０２を形成する。陽極１０２は絶縁膜１０１に設けられたコンタクトホール等を介してトランジスタと電気的に接続される。コンタクトホールとは、絶縁膜に形成された開口であって、絶縁膜より下に位置した配線層（下層配線層と記す）が、絶縁膜より上に位置した配線層（上層配線層と記す）と電気的に接続することを可能にする。電気的に接続するために、下層配線層は開口から露出した領域を有し、上層配線層は断面視における開口の中に位置する領域を有する。

陽極１０２は、上記トランジスタにより信号、例えば所定の電位が与えられる。そのため陽極１０２は、各副画素で独立するように加工されている。独立するように加工されたことを分断と記すことがある。また当該加工をパターニングと記すことがある。さらにトランジスタと電気的に接続された陽極１０２は画素電極と記すこともある。

陽極１０２には仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、陽極１０２はＩＴＯ膜（インジウムと錫と酸素を有する膜であり、インジウム錫酸化物膜と記す）、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、または窒化チタン膜を有する。また陽極１０２はクロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ａｌ膜、Ａｇ膜若しくはＰｔ膜などの単層膜を有する。また陽極１０２は積層構造を用いることができ、例えば窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層構造、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層積層構造等を用いることができる。なお、積層構造は、陽極として機能させつつ、配線としての抵抗を低くすることができ、さらには他の層と良好なオーミックコンタクトをとることができるという効果を奏する。陽極１０２全体の膜厚は、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下となるようにすると好ましい。

陽極１０２側から発光素子の光を取り出す表示装置の場合、陽極１０２は透光性を備えた透明電極を有する。透明電極は、透光性を有する材料を用いるか、非透光性を有する材料を用いる場合には薄膜化する。透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。すなわち陽極１０２には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である透明電極を用いるとよい。

陽極１０２の上面形状は限定されないが、図１では矩形状を示し、当該矩形状の短辺がＸ方向に沿い、当該矩形状の長辺がＹ方向に沿うように配置する。

図１に示す画素領域１００の一点鎖線ＡＢにおける断面図を、図２Ａ及び図２Ｂに示す。陽極１０２の断面形状は限定されないが、図２Ａ及び図２Ｂでは陽極１０２の端部がテーパー形状を有する場合を示す。

また図１に示す画素領域１００の一点鎖線ＣＤにおける断面図を、図３Ａ乃至図３Ｃに示す。図３Ａ乃至図３Ｃにおいても陽極１０２の端部はテーパー形状を有する。

なお陽極１０２の端部のテーパー形状として、図２Ａ乃至図３Ｃでは上辺が下辺より短くなる形状を示したが、これ以外に、下辺が上辺より短くなる逆テーパー形状を適用してもよい。勿論陽極１０２の端部はテーパー形状でなく、上辺と下辺が概ね同じとなる切り立った形状（断面視において、端部が垂直な形状、または端部が概略垂直な形状）を有してもよい。

なお上記テーパー形状とは、陽極１０２が徐々に薄膜化していく領域が含まれる。上記テーパー形状により、陽極１０２上に形成される薄膜の切断等を抑制できる。

上記薄膜化した領域を有する陽極は抵抗が徐々に高くなる場合がある。すなわち陽極１０２にはテーパー形状に応じた抵抗の高い領域が含まれる。当該抵抗の高い領域を有する陽極はトランジスタから供給される信号、具体的には電圧が印加されにくい領域とも考えられる。

＜正孔注入層１０４＞
図１乃至図３Ｃに示すように、陽極１０２上に正孔注入層１０４を形成する。正孔注入層１０４は陽極１０２上に形成するため、切断されにくく好ましい。正孔注入層１０４は陽極１０２のように各副画素で区分けせず、画素領域１００全体に形成する。すなわち正孔注入層１０４は複数の陽極にわたって形成され、各副画素で共通化できる。各副画素で共通化できる層を共通層と記す。当該正孔注入層１０４は湿式法又は蒸着法により形成することができ、当該正孔注入層１０４を共通層とすることで副画素毎に塗り分ける工程が不要となる。

正孔注入層１０４は陽極１０２のテーパー形状の領域と重なる領域を有する。上述したとおり、陽極１０２のテーパー形状をなす領域は抵抗が高いため、当該抵抗が高い領域と重なる部分において正孔注入層１０４は陽極１０２から正孔が注入されにくい、又は正孔が注入されなくなる。正孔注入層１０４が上記部分を有することで、隣接した発光素子間でのクロストークを抑制することができる。クロストークとは、駆動していない副画素へ隣接した副画素が有するトランジスタからの信号が伝達されてしまうことである。クロストークの抑制は、隣接した発光素子が異色となる場合に特に望まれる。

上記逆テーパー形状及び切り立った形状を有する陽極１０２上に、正孔注入層１０４を形成する場合、当該正孔注入層１０４が切断さるため、上記クロストークは抑制される。

このように正孔注入層１０４等を陽極１０２に沿って設けた構成による効果はクロストークの抑制があげられる。

後述するが、正孔注入層１０４上に正孔輸送層を設けてもよい。

＜隔壁１１０＞
本実施の形態では、発光層を湿式法、たとえばインクジェット法で塗り分けるため、溶液を滴下する区画が必要である。当該区画は絶縁物によって設けることが可能となり、このような絶縁物を隔壁、土手、又はバンクと記すことがある。

図１乃至図３Ｃでは正孔注入層１０４上に隔壁１１０を形成し、隔壁１１０を用いて副画素、つまり発光領域を区画する。各副画素を区画した隔壁１１０は、図１に示すように画素領域１００の上面視において格子形状となる。当該隔壁１１０は、図２Ａ乃至図３Ｃに示すように画素領域１００の断面図では、副画素、つまり発光領域に対応して開口部１１２を有する。上面視において、開口部１１２からは正孔注入層１０４が露出し、少なくとも露出された正孔注入層１０４と重なるように発光層１１５ｒ等の出発材料を含む溶液を滴下することができる。

発光層１１５ｒ等の出発材料を含む溶液を滴下する前に、正孔輸送層の出発材料を含む溶液Ｘを滴下してもよい。溶液Ｘを滴下した後、焼成工程等を経て溶液Ｘから溶媒を除去し、さらに硬化させて正孔輸送層を得ることができる。

また図２Ａは第２の領域１１０ｙの上端部が角部を有し、図２Ｂは第２の領域１１０ｙの上端部が丸部を有する。図３Ａは第１の領域１１０ｘの上端部が角部を有し、図３Ｂは第１の領域１１０ｘの上端部が丸部を有する。さらに図３Ｃは第１の領域１１０ｘの上端部が丸部を有し、かつ発光層１１５ｒが第１の領域１１０ｘ上面にも設けられた構成を有する。発光層１１５ｒが有する発光材料、つまり出発材料が有する発光材料等については後述する。

図２Ａ乃至図３Ｃに示すように画素領域１００の断面図において、隔壁１１０の端部はテーパー形状を有するとよい。たとえば、隔壁１１０の下端部を、上端部より長くすることでテーパー形状を備えることができる。さらに、隔壁１１０は上端部より下端部が短い逆テーパー形状を備えることもできる。隔壁１１０の端部がテーパー形状を備えることで、インクジェット装置からの溶液が目的の発光素子の区画内に滴下されるため、隣接の異色発光素子間で混在されにくい。

なお上記テーパー形状とは、隔壁１１０が徐々に薄膜化していく領域を有する形状が含まれる。上記テーパー形状を有する隔壁１１０上に形成された薄膜は切断等を抑制できる。

なお隔壁１１０の端部のテーパー形状は、図２Ａ乃至図３Ｃに示した上辺が下辺より短くなる形状があるが、これ以外に、隔壁１１０の端部を下辺が上辺より短くなる逆テーパー形状とすることもできる。勿論隔壁１１０の端部はテーパー形状でなく、上辺と下辺が概ね同じとなる切り立った形状（断面視において、端部が垂直な形状、または端部が概略垂直な形状）を有してもよい。

隔壁１１０は無機材料の単層構造若しくは積層構造、有機材料の単層構造若しくは積層構造、又は無機材料及び有機材料の積層構造を有する。無機材料及び有機材料の積層構造の場合、無機材料及び有機材料の一方が下層、他方が上層に位置する。

無機材料として酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一以上含む、隔壁１１０を形成するとよい。なお、上記材料にランタン（Ｌａ）、窒素、ジルコニウム（Ｚｒ）などの不純物元素を添加した材料を用いてもよい。無機材料で形成された隔壁１１０は図２Ａ及び図３Ａのように上端部に角部を有することができる。

有機材料として、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等の有機樹脂を用いて、隔壁１１０を形成するとよい。なお、上記材料にランタン（Ｌａ）、窒素、ジルコニウム（Ｚｒ）などの不純物元素を添加した材料を用いてもよい。有機材料で形成された隔壁１１０は図２Ｂ、図３Ｂ及び図３Ｃのように上端部に丸部を有する。丸部を有することは、上端部が曲率を持つ、又は上端部が丸みを帯びると記すことがある。

隔壁１１０は下端部も丸みを帯びるとよい。図示しないが、有機材料としてネガ型の感光性樹脂又はポジ型の感光性樹脂を用いると、隔壁１１０の上端部及び下端部が丸みを帯びることができる。

＜隔壁１１０の高さ＞
隔壁１１０はＸ方向に沿うように延在した第１の領域１１０ｘと、Ｙ方向に沿うように延在した第２の領域１１０ｙとを有する。画素領域１００の断面視において、第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとは高さが異なる。

図１乃至図３Ｃには第２の領域１１０ｙが第１の領域１１０ｘより隔壁１１０の最上面の位置が高い場合を示す。本実施の形態では隔壁１１０の最上面の位置を比較しているため、第１の領域１１０ｘの膜厚と、第２の領域１１０ｙの膜厚はどちらが大きくてもよい。また図１に示すように、隔壁１１０の最上面が最も高い箇所は第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとの交差部である。

隔壁１１０が、第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとで高さが異なる構成は、隔壁１１０を被形成面としたインクジェット法に好適である。図４では発光層をインクジェット法で溶液を塗り分ける様子を示すが、最上面の位置が高い第２の領域１１０ｙに沿うようにインクジェット装置のノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを移動させることができ好ましい。

図４ではノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを示し、各ノズルから異なる発光層の出発材料を含む溶液が滴下される様子を説明したが、ノズルから同じ発光層の出発材料を含む溶液が滴下されてもよい。この場合、第２の領域１１０ｙに沿うように同色の発光素子を形成することができ、量産性が高いと考えられる。

図４は図２Ａに対応した、上端部が角部を有し、端部がテーパー形状を有する隔壁１１０を示したが、隔壁１１０は図２Ｂに示した上端部が丸部を有し、端部がテーパー形状を有してもよく、その他の形状であってもよい。

インクジェット装置は最上面の位置が高い領域の隔壁１１０に沿って移動させると好ましい。すなわち、隔壁の第１の領域１１０ｘの最上面を、隔壁の第２の領域１１０ｙの最上面より高くして、インクジェット装置を第１の領域１１０ｘに沿うように移動させてもよい。

図１に示したが、第２の領域１１０ｙは異色の発光素子間に配置されている。すなわち、第２の領域１１０ｙは異色の発光素子が形成される副画素間に配置されたものである。このように配置された第２の領域１１０ｙにより、ノズルから吐出された溶液が副画素間で混色しないといった効果も奏することができる。

第１の領域１１０ｘは配置しなくとも、混色を防ぐことは可能であるが、溶液は滴下した瞬間から乾燥が始まり凝集してしまい、当該凝集を制御することは難しい。上記凝集を防止するために、第１の領域１１０ｘが副画素ごとに配置されていると好ましい。すなわち、上記混色しないためには、第２の領域１１０ｙに加えて第１の領域１１０ｘが配置されると好ましく、ノズルから吐出された溶液は、目的の発光領域に留まることができる。

＜第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法１＞
図１に示す第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法について説明する。まず第２の領域１１０ｙのみを帯状に形成する。隔壁１１０の材料から選択して第２の領域１１０ｙを形成することができる。たとえば感光性のポリイミドを用いることにする。ポリイミドの前駆体を、画素領域１００全体に塗布し、乾燥させる。フォトレジストなどを用いて、第２の領域１１０ｙとしたい領域と重なるようにマスクを配置する。または第２の領域１１０ｙ以外と重なるようにマスクを配置する。当該マスクを用いて、露光及び現像を行うと、第２の領域１１０ｙに対応してポリイミドが配置される。その後、必要に応じてイミド化させる。このようにして第２の領域１１０ｙを得ることができる。

次に、第２の領域１１０ｙと同じ材料を用いて、第１の領域１１０ｘを帯状に形成する。具体的には上記第２の領域１１０ｙに関する工程と同様の工程を経て第１の領域１１０ｘを得ることができる。

第２の領域１１０ｙ及び第１の領域１１０ｘはともに帯状に形成するためマスクの配置が容易となる。なお、第２の領域１１０ｙの高さを大きくするために、第２の領域１１０ｙを形成する際は、第１の領域１１０ｘを帯状に形成する際よりも、前駆体の量を多くする。第２の領域１１０ｙは第１の領域１１０ｘの１．５倍以上３倍以下の高さを有するとよい。また互いの交差部では両者のポリイミドが積層されるため、最上面が最も高くなる。交差部の高さを制御する場合は、第１の領域１１０ｘを形成する際のマスクの位置を変更して、当該交差部に第１の領域１１０ｘに対応したポリイミドを形成しないようにする。

このようにして図１に示すような、第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙを得ることができる。

＜第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法２＞
図１に示す第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法について説明する。再掲するが隔壁１１０は無機材料を有する下側隔壁と有機材料を有する上側隔壁等の積層構造を用いることができる。たとえば下側隔壁となる無機材料を先に画素領域１００全体に成膜し、その上に上側隔壁となる有機材料を形成する。この積層構造を第２の領域１１０ｙに適用させる。そして、無機材料のみ又は有機材料のみを第１の領域１１０ｘに適用させる。このようにして第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙを得ることもできる。

なお、上側隔壁は、下側隔壁の加工用のマスクとして用いることができる。そのため断面視において、上側隔壁の端部と、下側隔壁の端部は一致又は概略一致させることができる。または上側隔壁の端部は、無機材料を有する下側隔壁の端部より内側に位置することができる。

また上側隔壁を下側隔壁の加工用のマスクとして用いない場合、上側隔壁の端部は、無機材料を有する下側隔壁の端部より外側に位置することもできる。

＜発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ＞
隔壁１１０を形成した後、図１乃至図４に示すように正孔注入層１０４上に発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂを塗り分けて形成する。当該塗り分けた構造は、ＳＢＳ構造の発光素子に対応する。発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの発光色は、フルカラー表示の代表である赤色、緑色及び青色に対応させる。

再掲するが、図３Ｃに示すように、発光層１１５ｒは第１の領域１１０ｘ上に形成されてもよい。ノズルから溶液が連続的に吐出される場合等は、発光層１１５ｒは第１の領域１１０ｘ上に形成されやすい。発光層１１５ｇ、及び発光層１１５ｂでも同様である。

再掲するが湿式法には、スピンコート法、インクジェット法、キャスト法、印刷法、ディスペンス法、又はスプレイ法などがある。少なくとも発光層を湿式法で形成することにより、生産性を向上させることができる。表示装置がフレキシブル性を備えた場合、少なくとも発光層を湿式法で形成した構成は柔軟性が高く好適である。

湿式法に用いられる溶液の溶媒としては、例えば、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、メチルアニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、グリセリン、ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒、イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒、などを挙げることができる。また、溶媒は、一または複数で用いることができる。

インクジェット法により形成される発光層の出発材料は、高分子材料（ポリマー系発光性有機材料と記すこともある）を有するとよい。すなわち、インクジェット法により滴下される溶液を得るために、上記の溶媒と混合しやすい高分子材料を用いると好ましい。

＜インクジェット装置について＞
図４に示すようにインクジェット装置はノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを有する。ノズル１１９は、ノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂが含まれ、ノズル１１９に設けられた開口から溶液が吐出される当該開口径（ノズル径とも称す）は数μｍ以上数十μｍ以下を有する。ノズルを有する部分をヘッドと呼ぶことがある。溶液を滴下するためにヘッドには溶液噴射の制御部が設けられ、たとえば圧電素子（ピエゾ素子）等を有する。圧力素子で、ノズルに接続したインクタンクの容積を変化させて溶液を滴下することができる。一滴の量はノズル径に従って、数ｐｌ以上数十ｐｌ以下となることが多い。溶液１ｐｌは一辺が１０μｍ程度の立方体を形成する量と考えることができる。

溶液はノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂから間欠的に滴下してもよい。間欠的に滴下する場合、溶液を液滴と記すことがある。また溶液はノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂから線状に連続して滴下してもよい。間欠的に滴下する場合、及び連続して滴下する場合のいずれにおいても、隔壁１１０上に溶液が塗布されることがある。

発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂを、湿式法等を用いて形成すると、図２Ａ乃至図３Ｃに示すように隔壁１１０の近傍に液だまりが生じる。図２Ａ乃至図３Ｃには発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂにそれぞれ対応した、第１の液だまり１１８ｒ、第２の液だまり１１８ｇ、第３の液だまり１１８ｂを示す。各液だまりは点線の円で囲んだ領域に確認できる。

液だまりは、湿式法で吐出された溶液から溶媒を除去するために行われる、常圧雰囲気又は減圧雰囲気での乾燥工程が要因で生じる。特に減圧雰囲気での乾燥工程で、溶液の表面張力を駆動力として、溶質が外に集まる現象により液だまりが生じてしまう。液だまりは隔壁１１０の内側周辺（たとえば図２Ａ乃至図３Ｂで丸点線を付した領域）で発光層が中心部よりも厚くなった部分といえる。当該液だまりにより発光面積の中央に電流が集中し、電流密度が不均一になるため、液だまり部分は小さいほどよい。

本発明の一態様では、隔壁１１０を正孔注入層１０４上に形成するため、正孔注入層１０４を湿式法で形成した場合であっても、正孔注入層１０４の液だまりがない。すなわち本発明の一態様では、湿式法で形成された発光層に対応した微小な液だまりとなる。このような本発明の一態様により、液だまり部分が小さく、高精細な画素領域１００を有する表示装置を提供できる。

図５には、図１に示した画素領域１００と第１の領域１１０ｘが第２の領域１１０ｙよりも高い点で異なった隔壁１１０を示す。第２の領域１１０ｙは同色の発光層エリアに溶液を滴下させることができ、かつ混色を防止できるような高さを有し、第１の領域１１０ｘはそれよりも高い。図５では、同色発光層同士においても、第１の領域１１０ｘにより区分けが十分になされる。そのため、同色発光層同士において、隣接した発光素子間でのクロストークを防止できる。

再掲するが、正孔注入層１０４と発光層１１５との間に正孔輸送層を設けてもよい。

また発光層１１５を形成した後は、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を設けて発光素子が完成する。電子輸送層、電子注入層、及び陰極は画素領域１００全体に形成することができる。すなわち各画素で共通化された電子輸送層、電子注入層、又は陰極は共通層である。電子輸送層、電子注入層、及び陰極は湿式法又は蒸着法により形成することができる。共通層とする場合、湿式法としてスピンコート法を用いるとよい。

＜構成例２＞
上述した構成例１とは異なり、正孔注入層１０４上に正孔輸送層１０５を形成する構成例２について説明する。図６に表示装置の斜視図例、図７Ａ乃至図８Ｃに表示装置の断面図例、図９に発光層の作製例、図１０に図６とは異なる表示装置の斜視図例を示す。

図６に示すように、表示装置は画素領域１００を有し、その他駆動回路領域などを有する。図６の画素領域１００に、絶縁膜１０１、陽極１０２、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、隔壁１１０、発光層１１５等を示す。隔壁１１０は、第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙが含まれ、隔壁１１０において第２の領域１１０ｙの上面は第１の領域１１０ｘの上面より高いことが特徴である。発光層１１５は、発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂが含まれ、例えば発光層１１５ｒは赤色発光素子が有する発光層、発光層１１５ｇは緑色発光素子が有する発光層、発光層１１５ｂは青色発光素子が有する発光層に対応させることができる。画素領域１００の構成は、構成例１と同様な部分があり、同様の場合は説明を省略する。

＜絶縁膜１０１＞
上述したトランジスタ上には、図６に示すように絶縁膜１０１が設けられる。上記絶縁膜は構成例１の＜絶縁膜１０１＞と同様な構成を有することができ、当該構成等は構成例１の＜絶縁膜１０１＞で説明したとおりである。そのため、構成例２では絶縁膜１０１の詳細な説明を省略する。

＜陽極１０２＞
絶縁膜１０１上に、陽極１０２を有する。上記陽極は構成例１の＜陽極１０２＞と同様な構成を有することができ、当該構成等は構成例１の＜陽極１０２＞で説明したとおりである。そのため、構成例２では陽極１０２の詳細な説明を省略する。

図６に示す画素領域１００の一点鎖線ＡＢにおける断面図を、図７Ａ及び図７Ｂに示す。陽極１０２の断面形状は限定されないが、図７Ａ及び図７Ｂでは陽極１０２の端部がテーパー形状を有する場合を示す。

また図６に示す画素領域１００の一点鎖線ＣＤにおける断面図を、図８Ａ乃至図８Ｃに示す。図８Ａ乃至図８Ｃにおいても陽極１０２の端部はテーパー形状を有する。

なお陽極１０２の端部のテーパー形状として、図７Ａ乃至図８Ｃでは上辺が下辺より短くなる形状を示したが、これ以外に、下辺が上辺より短くなる逆テーパー形状を適用してもよい。勿論陽極１０２の端部はテーパー形状でなく、上辺と下辺が概ね同じとなる切り立った形状（断面視において、端部が垂直な形状、または端部が概略垂直な形状）を有してもよい。

上記テーパー形状により、陽極１０２上に形成される薄膜の切断等を抑制できる。

上記薄膜化した領域を有する陽極は抵抗が徐々に高くなる場合がある。すなわち陽極１０２にはテーパー形状に応じた抵抗の高い領域が含まれる。当該抵抗の高い領域を有する陽極はトランジスタから供給される信号、具体的には電圧が印加されにくい領域とも考えられる。

＜正孔注入層１０４＞
図６乃至図８Ｃに示すように、陽極１０２上に正孔注入層１０４を形成する。上記正孔注入層は構成例１の＜正孔注入層１０４＞と同様な構成を有することができ、当該構成等は構成例１の＜正孔注入層１０４＞で説明したとおりである。そのため、構成例２では正孔注入層１０４の詳細な説明を省略する。

＜正孔輸送層１０５＞
図６乃至図８Ｃに示すように、構成例２では正孔注入層１０４上に正孔輸送層１０５を形成する。正孔輸送層１０５は陽極１０２のように各画素で区分けすることなく、画素領域１００全体に形成する。すなわち正孔輸送層１０５は複数の陽極にわたって形成され、各画素で共通化できる。再掲するが、各副画素で共通化できる層を共通層と記す。正孔輸送層１０５は湿式法又は蒸着法により形成することができ、正孔輸送層１０５を共通層とすることで副画素毎に塗り分ける工程が不要となる。

正孔輸送層１０５は陽極１０２のテーパー形状の領域と重なる領域を有する。上述したとおり、陽極１０２においてテーパー形状をなす領域は抵抗が高いため、当該抵抗が高い領域と重なる部分において正孔輸送層１０５は正孔を輸送しづらい、又は正孔が輸送できなくなる。正孔輸送層１０５が上記領域を有することで、隣接した異色の発光素子間でのクロストークを抑制することができる。

構成例１で述べたが、抵抗が高い領域と重なる部分において正孔注入層１０４は陽極１０２から正孔が注入されにくい、又は正孔が注入されなくなる。このような正孔注入層１０４を上記正孔輸送層１０５と共に設けたことで、隣接した異色の発光素子間でのクロストークを一層抑制することができる。

上記逆テーパー形状及び切り立った形状を有する陽極１０２上に、正孔輸送層１０５を形成する場合、当該正孔輸送層１０５が切断されることにより、上記クロストークは抑制される。

このように正孔輸送層１０５等を陽極１０２に沿って設けた構成による効果はクロストークの抑制があげられる。

＜隔壁１１０＞
本実施の形態では、発光層を湿式法、たとえばインクジェット法で塗り分けるため、溶液を滴下する区画が必要である。当該区画は絶縁物によって設けることが可能となり、このような絶縁物を隔壁、土手、又はバンクと記すことがある。

図６乃至図８Ｃでは正孔輸送層１０５上に隔壁１１０を形成し、隔壁１１０を用いて副画素、つまり発光領域を区画する。上記隔壁１１０は構成例１の＜隔壁１１０＞と同様な構成を有することができ、当該構成等は構成例１の＜隔壁１１０＞で説明したとおりである。そのため、構成例２では隔壁１１０の詳細な説明を省略する。

＜隔壁１１０の高さ＞
隔壁１１０はＸ方向に沿うように延在した第１の領域１１０ｘと、Ｙ方向に沿うように延在した第２の領域１１０ｙとを有する。画素領域１００の断面視において、第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとは高さが異なる。

図６乃至図８Ｃには第２の領域１１０ｙが第１の領域１１０ｘより隔壁１１０の最上面の位置が高い場合を示す。本実施の形態では隔壁１１０の最上面の位置を比較しているため、第１の領域１１０ｘの膜厚と、第２の領域１１０ｙの膜厚はどちらが大きくてもよい。また図６に示すように、隔壁１１０の最上面が最も高い箇所は第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとの交差部である。

隔壁１１０が、第１の領域１１０ｘと第２の領域１１０ｙとで高さが異なる構成は、隔壁１１０を被形成面としたインクジェット法に好適である。図９では発光層をインクジェット法で溶液を塗り分ける様子を示すが、最上面の位置が高い第２の領域１１０ｙに沿うようにインクジェット装置のノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを移動させることができ好ましい。

図９ではノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを示し、各ノズルから異なる発光層の出発材料を含む溶液が滴下される様子を説明したが、ノズルからは同じ発光層の出発材料を含む溶液が滴下されてもよい。この場合、第２の領域１１０ｙに沿うように同色の発光素子を形成することができ、量産性が高いと考えられる。

図９は図７Ａに対応した、上端部が角部を有し、端部がテーパー形状を有する隔壁１１０を示したが、隔壁１１０は図７Ｂに示した上端部が丸部を有し、端部がテーパー形状を有してもよく、その他の形状のであってもよい。
図９では最上面の位置が高い領域の隔壁１１０に沿ってインクジェット装置を移動させることができる。

インクジェット装置は最上面の位置が高い領域の隔壁１１０に沿って移動させると好ましい。すなわち、隔壁の第１の領域１１０ｘの最上面を、隔壁の第２の領域１１０ｙの最上面より高くして、インクジェット装置を第１の領域１１０ｘに沿うように移動させてもよい。

図６に示したが、第２の領域１１０ｙは異色の発光素子間に配置されている。すなわち、第２の領域１１０ｙは異色の発光素子に対応した副画素間に配置されたものである。このように配置された第２の領域１１０ｙにより、ノズルから吐出された溶液が副画素間で混色しないといった効果も奏することができる。

第１の領域１１０ｘは配置しなくとも、混色を防ぐことは可能であるが、溶液は滴下した瞬間から乾燥が始まり凝集してしまい、当該凝集を制御することは難しい。上記凝集を防止するために、第１の領域１１０ｘが副画素ごとに配置されていると好ましい。すなわち、上記混色しないためには、第２の領域１１０ｙに加えて第１の領域１１０ｘが配置されると好ましく、ノズルから吐出された溶液は、目的の発光領域に留まることができる。

＜第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法３＞
図６に示す第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法は、構成例１の＜第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法１＞及び＜第１の領域１１０ｘ及び第２の領域１１０ｙの作製方法２＞と同様な方法とすることができ、当該方法等の詳細な説明を省略する。

＜発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ＞
隔壁１１０を形成した後、図６乃至図９に示すように正孔輸送層１０５上に発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂを塗り分けて形成する。当該塗り分けた構造は、ＳＢＳ構造の発光素子に対応する。発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂの発光色は、フルカラー表示の代表である赤色、緑色及び青色に対応させる。

発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂは湿式法により形成する。湿式法等については、構成例１の＜発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ＞で説明した具体的な方法及び材料と同様な方法又は構成とすることができ、当該方法又は構成等は構成例１の＜発光層１１５ｒ、１１５ｇ、１１５ｂ＞で説明したとおりである、そのため、構成例２では詳細な説明を省略する。

再掲するが、図８Ｃに示すように、発光層１１５ｒは第１の領域１１０ｘ上に形成されてもよい。ノズルから溶液が連続的に吐出される場合等は、発光層１１５ｒは第１の領域１１０ｘ上に形成されやすい。発光層１１５ｇ、及び発光層１１５ｂでも同様である。

＜インクジェット装置について＞
図９に示すようにインクジェット装置はノズル１１９ｒ、１１９ｇ、１１９ｂを有する。インクジェット装置等については、構成例１の＜インクジェット装置について＞で説明した構成と同様な構成とすることができ、構成例１の＜インクジェット装置について＞で説明したとおりである、そのため、構成例２では＜インクジェット装置について＞とした詳細な説明を省略する。

発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂを、湿式法等を用いて形成すると、図７Ａ乃至図８Ｃに示すように隔壁１１０の近傍に液だまりが生じる。図７Ａ乃至図８Ｃでは発光層１１５ｒ、発光層１１５ｇ、発光層１１５ｂにそれぞれ対応して、第１の液だまり１１８ｒ、第２の液だまり１１８ｇ、第３の液だまり１１８ｂを示す。

液だまりは、湿式法で吐出された溶液から溶媒を除去するために行われる、常圧雰囲気又は減圧雰囲気での乾燥工程が要因で生じる。特に減圧雰囲気での乾燥工程で、溶液の表面張力を駆動力として、溶質が外に集まる現象により液だまりが生じてしまう。液だまりは隔壁１１０の内側周辺（たとえば図７Ａ乃至図８Ｂで丸点線を付した領域）で発光層が中心部よりも厚くなった部分といえる。当該液だまりにより発光面積の中央に電流が集中し、電流密度が不均一になるため液だまり部分は小さいほどよい。

本発明の一態様では、隔壁１１０を正孔輸送層１０５上に形成するため、正孔輸送層１０５を湿式法で形成した場合であっても、正孔輸送層の液だまりがない。すなわち本発明の一態様では、湿式法で形成された発光層に対応した微小な液だまりとなる。このような本発明の一態様により、液だまり部分が小さく、高精細な画素領域１００を有する表示装置を提供できる。

図１０には、図６に示した隔壁１１０と第１の領域１１０ｘが第２の領域１１０ｙよりも高い点で異なった隔壁１１０を示す。第２の領域１１０ｙは同色の発光層エリアに溶液を滴下させることができ、かつ混色を防止できるような高さを有し、第１の領域１１０ｘはそれよりも高い。図１０では、同色発光層同士においても、第１の領域１１０ｘにより区分けが十分になされる。そのため、同色発光層同士において、隣り合う画素間でのクロストークを防止できる。

また発光層１１５を形成した後は、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を設けて発光素子が完成する。電子輸送層、電子注入層、及び陰極は画素領域１００全体に形成することができる。すなわち各画素で電子輸送層、電子注入層、及び陰極は共通層である。電子輸送層、電子注入層、及び陰極は湿式法又は蒸着法により形成することができる。共通層とする場合、湿式法としてスピンコート法を用いるとよい。

本実施の形態で説明した内容は、他の実施の形態と組み合わせて用いることが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子について説明する。

＜発光素子の構成例＞
図１１Ａに示すように、発光素子２０は、一対の電極（下部電極６７２、上部電極６８８）の間に、発光ユニット６８６を有する。発光ユニット６８６は、下部電極６７２から順に、層４４３０、発光層４４２１、及び層４４２０などの複数の機能層を有する。本発明の一態様では、湿式法で形成する機能層に対して隔壁１１０を位置させる。たとえば発光層４４２１を湿式法で形成する場合、発光層４４２１の区画のために層４４３０上に隔壁１１０を設ける。図示しないが隔壁１１０は上記実施の形態で述べた高さの異なる第１の領域及び第２の領域を有する。

発光層４４２１は、例えば発光材料を有する機能層を用いればよい。

層４４２０及び層４４３０について説明する。例えば、上記実施の形態のように、下部電極６７２を陽極とし、上部電極６８８を陰極とした場合、下部電極６７２上に位置する層４４３０は、正孔注入層および正孔輸送層等が下部電極から順に積層した構造を用いればよい。なお層４４３０は正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一の場合もある。また、層４４２０は、電子注入層および電子輸送層等が上部電極から順に積層した構造を用いればよい。また、層４４２０は電子注入層及び電子輸送層のいずれか一の場合もある。

また、上記実施の形態とは異なるが、下部電極６７２を陰極とし、上部電極６８８を陽極とすることもできる。この場合、下部電極６７２上に位置する層４４３０は、電子注入層および電子輸送層等が下部電極から順に積層した構造を用いればよい。層４４３０は電子注入層及び電子輸送層のいずれか一の場合もある。また、層４４２０は、正孔注入層および正孔輸送層等が上部電極から順に積層した構造を用いればよい。層４４３０は正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一の場合もある。

なお、下部電極６７２は蒸着法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法で形成することができる。また上部電極６８８は蒸着法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法で形成することができる。また層４４３０は湿式法又は蒸着法で形成することができる。また層４４２０は湿式法又は蒸着法で形成することができる。

図１１Ａにおいて、層４４３０上に隔壁１１０を形成し、上面視にて当該隔壁１１０から露出された層４４３０上に発光層４４２１をインクジェット法等の湿式法で形成する。また層４４２０及び上部電極６８８は共通層とすることができ、図１１Ａのように層４４２０及び上部電極６８８は隔壁１１０を乗り越えて形成されるとよい。共通層を厚膜化すると隔壁１１０を乗り越えることができ好ましい。共通層の厚膜化に制約が生じる場合は、発光層４４２１を厚膜化してもよい。この場合、例えば発光層の膜厚を隔壁１１０の高さに対して、２／３倍以上１未満となるようにインクジェット装置から滴下する溶液の量を調整するとよい。

次に図１１Ａをより具体化した構成を図１１Ｂに示す。図１１Ｂに示す発光素子２０は、下部電極６７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４２１と、発光層４４２１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の上部電極６８８と、を有し、湿式法で形成する層に対して隔壁１１０を位置させる。たとえば発光層４４２１を湿式法で形成する場合、発光層４４２１の区画のために層４４３０−２上に隔壁１１０を設ける。図示しないが隔壁１１０は上記実施の形態で述べた高さの異なる第１の領域及び第２の領域を有する。

例えば、上記実施の形態のように、下部電極６７２を陽極とし、上部電極６８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。

また、上記実施の形態とは異なるが、下部電極６７２を陰極とし、上部電極６８８を陽極することもできる。この場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。

このような層構造とすることで、発光層４４２１に効率よくキャリア（正孔及び電子）を注入し、発光層４４２１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。なお、発光層４４２１と下部電極６７２の間に含まれる層および発光層４４２１と上部電極６８８の間に含まれる層はこれらに限られず、適宜キャリアブロック層、励起子ブロック層などを備えていても良い。また、キャリアに対する輸送機能とキャリアに対する注入機能の両方を備えた層を用いても良い。

なお、下部電極６７２は蒸着法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法で形成することができる。また上部電極６８８は蒸着法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法で形成することができる。また層４４３０−１は湿式法又は蒸着法で形成することができる。また層４４３０−２は湿式法又は蒸着法で形成することができる。また層４４２０−１は湿式法又は蒸着法で形成することができる。また層４４２０−２は湿式法又は蒸着法で形成することができる。

図１１Ｂにおいて、層４４３０−２上に隔壁１１０を形成し、上面視にて当該隔壁１１０から露出された層４４３０−２上に発光層４４２１をインクジェット法等の湿式法で形成する。層４４２０−１、層４４２０−２及び上部電極６８８は共通層とすることができ、図１１Ｂのように層４４２０−１、層４４２０−２及び上部電極６８８は隔壁１１０を乗り越えて形成されるとよい。共通層を厚膜化すると隔壁１１０を乗り越えることができ好ましい。共通層の厚膜化に制約が生じる場合は、発光層４４２１を厚膜化してもよい。この場合、たとえば発光層の膜厚を隔壁１１０の高さに対して、２／３倍以上１未満となるようにインクジェット装置から滴下する溶液の量を調整するとよい。

次に、図１１Ａ及び図１１Ｂの変形例を図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２に示す。図１１Ｃ１では層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（第１の発光層４４１１、第２の発光層４４１２、及び第３の発光層４４１３）が設けられている。図１１Ｃ２では層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（第１の発光層４４１１、及び第２の発光層４４１２）が設けられている。

図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２においても湿式法で形成する層に対して隔壁１１０を位置させる。たとえば層４４３０上に隔壁１１０を形成することで、図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２の複数の発光層のいずれか一又は二以上、具体的にはすべての発光層を湿式法で形成することができる。図示しないが隔壁１１０は上記実施の形態で述べた高さの異なる第１の領域及び第２の領域を有する。

図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２の複数の発光層に含まれる発光材料は、同じ色の発光物質又は異なる色の発光物質を選択することができる。同じ色の発光物質を選択する場合、駆動電圧が高くなる代わりに、駆動電流を低減することが可能となるため、高輝度化及び長寿命化の面で有利である。図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２において、同じ色の発光物質として青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ）と発光素子ごとに塗り分けることにより、フルカラー表示を可能にする。

異なる色の発光物質を選択する場合、補色の関係となるように発光物質を選択すると白色発光を呈する発光素子を得ることができる。例えば図１１Ｃ１において、第１の発光層４４１１の発光色と第３の発光層４４１３の発光色を同じとし、当該発光色と、第２の発光層４４１２の発光色が補色の関係となるように発光物質を用いることで、発光素子２０から白色発光を得ることができる。また例えば図１１Ｃ２において、第１の発光層４４１１の発光色と第２の発光層４４１２の発光色が補色の関係となるように発光物質を用いることで、発光素子２０から白色発光を得ることができる。白色発光を呈する場合であって、フルカラー表示を行いたいとき、カラーフィルタまたは色変換層を用いて例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ）などの所望の色を得る方法がある。

図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２では発光層が３層及び２層積層した構成を示したが、４層以上であっても構わない。

図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２において、隔壁１１０から露出した層４４３０上に第１の発光層４４１１をインクジェット法等の湿式法で形成する。下部電極６７２及び上部電極６８８は蒸着法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法で形成することができる。層４４３０、及び層４４２０は湿式法又は蒸着法で形成することができる。このうち層４４２０及び上部電極６８８は複数の発光素子間で共通化でき、共通層と記す。共通層は画素領域全体に形成する。共通層は隔壁１１０を乗り越えて形成されるが、隔壁１１０で切断させない場合は、共通層を厚膜化するとよい。厚膜化に制限が生じる場合は、第１の発光層４４１１、第２の発光層４４１２又は第３の発光層４４１３の膜厚を隔壁１１０の高さに対して、２／３倍以上１未満となるようにインクジェット装置から滴下する溶液の量を調整するとよい。

なお、図１１Ｃ１及び図１１Ｃ２における層４４２０と、層４４３０とは、図１１Ｂに示すように２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

次に、図１１Ｃ２の変形例を図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２に示す。図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２ともに発光ユニットを積層した構成例である。図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２は、第１の発光ユニット６８６ａ及び第２の発光ユニット６８６ｂを有し、その間に中間層６９０を有する構成で共通し、図１１Ｄ２では中間層として、中間層６９０ａ、及び中間層６９０ｂの積層構造を有する。第１の発光ユニット６８６ａは層４４３０−１、第１の発光層４４１１、及び層４４２０−１を有する。また第２の発光ユニット６８６ｂは層４４３０−２、第２の発光層４４１２、及び層４４２０−２を有する。各層のうち湿式法で形成する層に対して隔壁１１０を位置させる。たとえば第１の発光層４４１１及び第２の発光層４４１２を湿式法で形成する場合、第１の発光層４４１１及び第２の発光層４４１２の区画のために隔壁１１０を設ける。図示しないが隔壁１１０は上記実施の形態で述べた高さの異なる第１の領域及び第２の領域を有する。

層４４２０−１及び層４４３０−１はそれぞれ、層４４２０及び層４４３０と同様な機能層である。層４４２０−２及び層４４３０−２はそれぞれ、層４４２０及び層４４３０と同様な機能層である。

図１１Ｄ１に示す中間層６９０は、層４４２０−１と同様な材料にドーパント材料を有し、かつ層４４３０−２と同様な材料にアクセプタ材料を有する。

図１１Ｄ２に示す中間層６９０ａは、層４４２０−１と同様な材料にドーパント材料を有する層であり、中間層６９０ｂは層４４３０−２と同様な材料にアクセプタ材料を有する層である。

図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２において、図１１Ｃ２と同様に、複数の発光層に含まれる発光材料は、同じ色の発光物質又は異なる色の発光物質を選択することができる。同じ色の発光物質を選択する場合、駆動電圧が高くなる代わりに、駆動電流を低減することが可能となるため、高輝度化及び長寿命化の面で有利である。異なる色の発光物質を選択する場合、補色の関係となるように発光物質を選択すると白色発光を呈する発光素子を得ることができる。

図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２において、図１１Ｃ２と同様に、白色発光を呈する場合であって、フルカラー表示を行いたいとき、カラーフィルタまたは色変換層を用いて例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ）などの所望の色を得る方法がある。

図１１Ｄ１及び図１１Ｄ２において、図１１Ｃ２と同様に、発光素子ごとに、発光色（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ））を塗り分けることにより、フルカラー表示を可能にする。

図１１に示した発光素子２０にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。マイクロキャビティ構造は発光色ごとに上部電極６８８と下部電極６７２との光学的距離、具体的には距離が異なった構成を有する。

上部電極６８８と下部電極６７２との光学的距離を異ならせるため、下部電極６７２の厚みを異ならせるとよい。下部電極６７２の厚みを異ならせる場合であって、下部電極６７２が、第１の導電膜と第１の導電膜上の第２の導電膜との積層構造を有するときは、第２の導電膜の膜厚を異ならせる方がマイクロキャビティ構造を付与しやすい。

ここで、発光素子が有する各機能層の材料例を説明する。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層である。具体的には、フタロシアニン系の錯体化合物、芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によって形成することができる。

また、正孔注入層はアクセプタ性を有する物質により形成しても良い。アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する有機化合物を用いることができる。特に、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）のように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましい。

アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、又はマンガン酸化物等を用いることができる。上記の中でも、モリブデン酸化物は大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。さらに、錫酸化物、インジウム酸化物、又はチタン酸化物を用いてもよい。アクセプタ性を有する物質は電極間に電圧を印加することにより、隣接する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から電子を引き抜くことができる。

また、正孔注入層は、上記アクセプタ性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを含む複合材料により形成しても良い。複合材料に用いる正孔輸送性を有する材料としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、又は高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料は、縮合芳香族炭化水素環、またはπ電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、又はナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、又はチオフェン骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、若しくはジベンゾチオフェン環又はそれらに芳香環または複素芳香環がさらに縮合した環が好ましい。また、正孔輸送性を有する材料としては、その他芳香族アミン化合物を用いることができる。

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、正孔輸送性材料として用いることができる。正孔輸送性材料としては、具体的にはπ電子過剰型複素芳香族化合物、または芳香族アミン等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、又はチオフェン骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、若しくはジベンゾチオフェン環、又はそれらに芳香環または複素芳香環がさらに縮合した環が好ましい。

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも電子輸送性材料として用いることができる。このような電子輸送性材料としては、金属錯体およびπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物などが好ましい。具体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、又はその他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。特に、ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、又はピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。中でも、ジアジン（ピリミジン、若しくはピラジンなど）、又はトリアジン骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物もしくは錯体を用いることができる。電子注入層の材料としては、エレクトライドまたは電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたものを用いることもできる。

また、上述の電子注入層としては、電子輸送性を有する材料を用いてもよい。例えば、非共通電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、若しくはピリダジン環）、又はトリアジン環の少なくとも一つを有する化合物、例えば４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、又は２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）などを用いることができる。

発光層は、発光材料（発光物質とも記す）を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、又は赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料、又は量子ドット材料などを用いることができる。

蛍光材料としては、公知の材料を用いることができるが、青色蛍光材料としては、特に複素芳香族ジアミン化合物または縮合芳香族ジアミン化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、又はナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率、信頼性に優れているため好ましい。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、カルベン骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリジン骨格、キノリン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、又は希土類金属錯体等が挙げられる。

ＴＡＤＦ材料としては、フラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリン、またはπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物等を用いることができる。

π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、又はピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格はいずれも、安定で信頼性が良好なためＴＡＤＦ材料として好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、およびベンゾチエノピラジン骨格はいずれもアクセプタ性が高く、信頼性が良好なためＴＡＤＦ材料として好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格はいずれも、安定で信頼性が良好なため、ＴＡＤＦ材料が当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、又は３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。

なお、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環を両方有する場合、少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格又はπ電子過剰型骨格を用いることができる。π電子過剰型骨格としては、芳香族アミン骨格、又はフェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格としては、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基若しくはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、又はスルホン骨格等を用いることができる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、又はアシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、上述の正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または両方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、正孔輸送性材料と、電子輸送性材料と、を有することが好ましい。正孔輸送性材料と、電子輸送性材料とは、励起錯体を形成しやすい組み合わせである。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光素子の高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

本発明の一態様では、発光層をインクジェット法等の湿式法により作製するが、上述の各種材料を溶媒に溶解または分散させた溶液を用いることができる。この場合、溶媒に種々の有機溶剤を用いることが出来る。また、所望の機能を有するポリマー材料、低分子材料、又はデンドリマーなどの材料を混合し、そのまま、または溶媒に分散もしくは溶解したものを溶液として用いることができる。

なお、発光層をポリマーで構成したい場合、成膜したいポリマー材料のモノマーを一または複数混合した溶液を成膜面に吐出し、加熱又はエネルギー光照射等により架橋または縮合、重合、配位、塩などの結合を形成することで所望の膜を形成してもよい。

なお、上記溶液には、界面活性又は粘度調整用の物質など、その他の機能を有する有機化合物が含まれていてもよい。

ポリマー材料としては、共役ポリマー、非共役ポリマー、ペンダントタイプポリマー、又は染料ブレンドタイプポリマーなどを用いることができる。共役ポリマーとしては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）；ＰＰＶ）、ポリアルキルチオフェン誘導体（（ｐｏｌｙ（３−ａｌｋｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）；ＰＡＴ）、ポリパラフェニレン誘導体（ｐｏｌｙ（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）；ＰＰＰ系）、ポリフルオレン誘導体（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉａｌｋｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）；ＰＤＡＦ）、又はこれらの共重合体などが挙げられる。ペンダントタイプのポリマーとしてビニルポリマーが挙げられ、例えばポリビニルカルバゾール誘導体（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ；ＰＶＫ）などがある。

また、上記溶媒に用いることが出来る有機溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エタノール、メタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、クロロホルム、メチレンクロライド、四塩化炭素、酢酸エチル、ヘキサン、又はシクロヘキサン等種々の有機溶剤を用いることが出来る。特に、ベンゼン、トルエン、キシレン、又はメシチレン等の低極性なベンゼン誘導体を用いることで、好適な濃度の溶液を作ることができ、また、溶液中に含まれる材料が酸化などにより劣化することを防止できるため好ましい。また、作製後の膜の均一性又は膜厚の均一性などを考慮すると沸点が１００℃以上であることが好ましく、トルエン、キシレン、又はメシチレンが更に好ましい。

＜層４４３０の材料＞
なお、本発明の一態様では、発光層以外に、層４４３０を湿式法により形成しても良い。層４４３０は共通層とすることができるため、湿式法としてはスピンコート法を用いるとよい。具体的には、下部電極６７２を形成した後、スピンコート法などによりパターニングを行うことなく、層４４３０を形成することができる。

下部電極６７２が陽極である場合、層４４３０には上記正孔輸送性の高い骨格とアクセプタ性を示す材料が同時に含まれていることが好ましい。層４４３０を湿式法により作製する場合、当該アクセプタ性を示す材料としては、スルホン酸化合物、フッ素化合物、トリフルオロ酢酸化合物、プロピオン酸化合物、または金属酸化物などを挙げることができる。

層４４３０を湿式法により作製する際、モノマーを混合した溶液を塗布する場合は、当該モノマーとして、二級アミンとアリールスルホン酸とを用いることが好ましい。

二級アミンとしては、置換又は無置換の炭素数６以上１４以下のアリール基、置換又は無置換の炭素数６以上１２以下のπ電子過剰型ヘテロアリール基を用いることができる。アリール基として例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、又はアントリル基などを用いることができ、フェニル基であると溶解性が良好で安価になるため好ましい。ヘテロアリール基としてはカルバゾール骨格、ピロール骨格、チオフェン骨格、フラン骨格、又はイミダゾール骨格などを用いることができる。またアリールアミン又はヘテロアリールアミンを介する結合は複数有していると膜質が向上し好ましく、オリゴマー又はポリマーとなっていても良い。また複数アミンを有する場合、そのアミンの一部が三級アミンであってもよく、二級アミンの割合が三級アミンの割合よりも多い方が好ましい。アミンの数は１０００以下、より好ましくは１０以下、分子量は１０万以下が好ましい。またフッ素が置換されていると、フッ素が置換された化合物との相溶性が向上し、好ましい。

二級アミンとしては例えば下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物が好ましい。

ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ａｒ^１１乃至Ａｒ^１３の１以上は水素を表し、Ａｒ^１４乃至Ａｒ^１７は置換または無置換の炭素数６以上１４以下の芳香族環を表し、Ａｒ^１４乃至Ａｒ^１７は置換または無置換の炭素数６以上１４以下の芳香族環を表す。炭素数６以上１４以下の芳香族環としてはベンゼン環、ビスベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、又はアントラセン環などを用いることができる。なお、Ａｒ^１２とＡｒ^１６、Ａｒ^１４とＡｒ^１６、Ａｒ^１１とＡｒ^１４、Ａｒ^１４とＡｒ^１５、Ａｒ^１５とＡｒ^１７、Ａｒ^１３とＡｒ^１７は互いに結合して環を形成していてもよい。また、ｐは０以上１０００以下の整数を表し、好ましくは０以上３以下である。なお、上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の分子量は１０万以下であることが好ましい。

三級アミンとしては例えば下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物が好ましい。

ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ａｒ^２１乃至Ａｒ^２３は置換または無置換の炭素数６以上１４以下のアリール基を表し、これらは互いに結合し、環を形成していても良い。また、Ａｒ^２１乃至Ａｒ^２３が置換基を有する場合、当該置換基はジアリールアミノ基又はカルバゾリル基が複数連結した基であってもよい。またエーテル結合、スルフィド結合、アミンを介する結合を有していてもよく、複数のアリール基を有する場合にこれらの結合を介すると、有機溶剤への溶解性が向上し、好ましい。また置換基としてアルキル基を有する場合も、エーテル結合、スルフィド結合、アミンを介して結合しても良い。

二級アミンの具体的な例としては、下記構造式（Ａｍ２−１）乃至構造式（Ａｍ２−３２）で表される有機化合物を用いることが好ましい。下記構造式（Ａｍ２−１）乃至構造式（Ａｍ２−３２）で表される有機化合物はＮＨ基を有する。

アミン化合物はスルホン酸化合物と混合して、溶液に用いることができる。スルホン酸化合物と混合すると、キャリアが発生しやすく、導電性が向上する。スルホン酸化合物と混合することをｐドーピングと記すことがある。アミン化合物として二級アミンを用いると、混合したスルホン酸化合物との脱水反応などにより結合を形成することができるため、好ましい。アミン化合物と混合する化合物がフッ化物である場合、アミン化合物として上記構造式（Ａｍ２−１）、（Ａｍ２−２２）乃至（Ａｍ２−２８）、又は（Ａｍ２−３１）の様にフッ化物を用いると、相溶性が向上し、好ましい。

なお、二級アミンの代わりにチオフェン誘導体を用いても良い。チオフェン誘導体の具体的な例としては、下記構造式（Ｔ−１）乃至構造式（Ｔ−４）で表されるような有機化合物、又はポリチオフェン又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）が好ましい。チオフェン誘導体はスルホン酸化合物と混合することにより、キャリアが発生しやすく、導電性が向上する。スルホン酸化合物と混合することをｐドーピングと記すことがある。

スルホン酸化合物はアクセプタ性を示す材料である。スルホン酸化合物としてアリールスルホン酸が挙げられる。アリールスルホン酸としては、スルホ基を有すればよく、スルホン酸、スルホン酸塩、アルコキシスルホン酸、ハロゲン化スルホン酸、又はスルホン酸アニオンを用いることができる。これらスルホ基は複数有していてもよい。またアリールスルホン酸が有するアリール基としては、置換又は無置換の炭素数６以上１６以下のアリール基を用いることができる。アリール基として例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、アントリル基、又はピレニル基を用いることができ、特にナフチル基は有機溶剤への溶解性と輸送性が良く、好ましい。またアリールスルホン酸は、複数アリール基を有していてもよい。またアリールスルホン酸は、フッ素が置換されたアリール基を有すると、ＬＵＭＯ準位が深く（マイナスに大きく）調節することができ、好ましい。またアリールスルホン酸は、エーテル結合、スルフィド結合、又はアミンを介する結合を有していてもよく、複数アリール基を有する場合にこれらの結合を介すると、有機溶剤への溶解性が向上し、好ましい。またアリールスルホン酸は、置換基としてアルキル基を有する場合も、エーテル結合、スルフィド結合、又はアミンを介して結合しても良い。またアリールスルホン酸は、ポリマーに置換していても良い。ポリマーとしてはポリエチレン、ナイロン、ポリスチレン、又はポリフルオレニレンを用いることができるが、ポリスチレン又はポリフルオレニレンは導電性がよく、好ましい。

アリールスルホン酸を有する化合物（アリールスルホン酸化合物）の具体的な例としては、例えば、下記構造式（Ｓ−１）乃至構造式（Ｓ−１５）で表される有機化合物が好ましい。ポリ（４−スチレンスルホン酸）（ＰＳＳ）などのスルホ基をもつポリマーも用いることができる。アリールスルホン酸化合物を用いることで、ＨＯＭＯの浅い電子供与体（アミン化合物、カルバゾール化合物、又はチオフェン化合物など）からの電子を受容することができ、電子供与体と混合することで電極からのホール注入又はホール輸送性を持たせることができる。アリールスルホン酸化合物をフッ素化合物とすることで、よりＬＵＭＯ準位を深く（よりマイナスのエネルギー準位をもつ）調節することができる。

上記二級アミンとスルホン酸化合物とを混合した溶液には、さらに三級アミンを混合してもよい。三級アミンは二級アミンよりも電気化学的、光科学的に安定で、混合すると正孔輸送性が良好となる。当該三級アミンとしては、例えば、下記構造式（Ａｍ３−１）乃至構造式（Ａｍ３−７）で表される有機化合物が好ましい。溶液には、三級アミンの他に、正孔輸送性を有する材料を適宜混合してもよい。

アリールスルホン酸化合物の他に、電子受容体としてテトラシアノキノジメタン化合物などシアノ化合物を用いることもできる。具体的には、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）又はジピラジノ［２，３−ｆ：２′，３′−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ６）などがあげられる。

なお、上記モノマーを混合した溶液には、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン化合物またはフェニルトリメトキシシラン化合物のいずれかまたは両方が含まれていると湿式で成膜した場合に濡れ性が向上するため好ましい。

二級アミンまたはチオフェンなどの電子供与体とアリールスルホン酸の少なくとも二つのモノマーを含む溶液を用いて湿式法により成膜された層を、ＴｏＦ−ＳＩＭＳにより測定すると、ネガティブモードの結果においてｍ／ｚ＝８０付近にシグナルが観測される。ｍ／ｚ＝８０はアリールスルホン酸におけるＳＯ_３陰イオンに由来するシグナルである。一方で、上記層はアミンモノマーに由来するシグナルは観測されにくい。そして当該層を有する発光素子が十分な発光を呈すると、当該層が十分な正孔輸送能を備えているという証拠になる。発光可能な発光素子において、上記シグナル等の分析結果が出た場合、当該層は十分な正孔輸送性を有することがわかり、正孔輸送能を担うアミン等の骨格が観測されないということは、上記モノマー同士が結合して高分子化合物の膜となっていることが示唆される。上記のような分析結果は、当該層が湿式法により形成されたことを意味する。

なお、上記構造式（Ｓ−１）または（Ｓ−２）で表されるスルホン酸化合物はスルホ基が多く、アミン化合物と三次元に結合を形成することができ、膜質が安定しやすいため好ましい。当該アリールスルホン酸化合物を用いて作製された層は、上記ｍ／ｚ＝８０のシグナルに加えて、ネガティブモードにおいてｍ／ｚ＝９０１のシグナルが観測される。またプロダクトイオンとしてｍ／ｚ＝３２８のシグナルも観察される。

＜発光材料＞
なお、本発明の一態様の発光素子においては、下記構造式で表されるイリジウム錯体を発光材料として用いることが好ましい。下記イリジウム錯体は、アルキル基を有するため、有機溶剤に溶けやすく、溶液を調整しやすく好ましい。

なお、上記構造式で表されるイリジウム錯体を含む発光層をＴｏＦ−ＳＩＭＳによって測定すると、ポジティブモードの結果において、ｍ／ｚ＝１６７６またはプロダクトイオンであるｍ／ｚ＝１１８１、ｍ／ｚ＝６８５にシグナルが現れることがわかっている。

図１１Ｄ１のように中間層が一層の場合、中間層にはアクセプタ材料とドナー材料とが含まれた有機化合物層を用いればよい。

図１１Ｄ２のように中間層が二層の場合、中間層はアクセプタ材料が含まれた有機化合物層と、ドナー材料が含まれた有機化合物層とを有するとよい。

アクセプタ材料を含む有機化合物層は上述の正孔注入層又は正孔輸送層を構成することができる材料として挙げた複合材料を用いて形成することが好ましい。

アクセプタ材料は、ＬＵＭＯ準位の値とＨＯＭＯ準位の値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。たとえば有機のアクセプタ材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、又はヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基又はシアノ基）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。なお、有機のアクセプタ材料の中でも特にＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、アクセプタ性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基又はシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。

ドナー材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。上記化合物としてアルカリ金属化合物には、酸化リチウム等の酸化物又はハロゲン化物が挙げられ、さらにアルカリ金属化合物は、炭酸リチウム又は炭酸セシウム等の炭酸塩も含まれる。また上記化合物としてアルカリ土類金属化合物には、酸化物、ハロゲン化物、又は炭酸塩が含まれ、さらに希土類金属の化合物として酸化物、ハロゲン化物、又は炭酸塩が含まれる。

ドナー材料を含む有機化合物層は、上述の電子輸送層または電子注入層を構成する材料と同様の材料を用いて形成することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書等に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な、画素回路の構成例、及び駆動方法例について説明する。

〔画素回路の構成例〕
図１２Ａに示す画素回路ＰＩＸ１は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、容量Ｃ１、及び発光素子ＥＬを有する。また、画素回路ＰＩＸ１には、配線ＳＬ、配線ＧＬ、配線ＡＬ、及び配線ＣＬが電気的に接続されている。

トランジスタＭ１は、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと、他方がトランジスタＭ２のゲート、及び容量Ｃ１の一方の電極と、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタＭ２は、ソース及びドレインの一方が配線ＡＬと、他方が発光素子ＥＬのアノードと、それぞれ電気的に接続されている。容量Ｃ１は、他方の電極が発光素子ＥＬのアノードと電気的に接続されている。発光素子ＥＬは、カソードが配線ＣＬと電気的に接続されている。

トランジスタＭ１は、選択トランジスタとも呼ぶことができ、画素の選択・非選択を制御するためのスイッチとして機能する。トランジスタＭ２は、駆動トランジスタとも呼ぶことができ、発光素子ＥＬに流れる電流を制御する機能を有する。容量Ｃ１は保持容量として機能し、トランジスタＭ２のゲート電位を保持する機能を有する。容量Ｃ１は、ＭＩＭ容量などの容量素子を適用してもよいし、配線間の容量、またはトランジスタのゲート容量などを容量Ｃ１として用いてもよい。

配線ＳＬには、ソース信号が供給される。配線ＳＬは、トランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層と同じ導電層を用いて形成することができる。配線ＧＬには、ゲート信号が供給される。配線ＧＬは、トランジスタのゲートとして機能する導電層と同じ導電層を用いて形成することができる。配線ＡＬと配線ＣＬには、それぞれ定電位が供給される。

発光素子ＥＬのアノード側を高電位に、カソード側をアノード側よりも低電位にすることができ、アノードを陽極、カソードを陰極に対応させることができる。

図１２Ｂに示す画素回路ＰＩＸ２は、画素回路ＰＩＸ１に、トランジスタＭ３を追加した構成である。また画素回路ＰＩＸ２には、配線Ｖ０が電気的に接続されている。

トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が発光素子ＥＬのアノードと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。

配線Ｖ０は、画素回路ＰＩＸ２にデータを書き込む際に定電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ３のゲート−ソース間電圧のばらつきを抑制することができる。

図１２Ｃに示す画素回路ＰＩＸ３は、上記画素回路ＰＩＸ１のトランジスタＭ１及びトランジスタＭ２に、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用した場合の例である。また、図１２Ｄに示す画素回路ＰＩＸ４は、画素回路ＰＩＸ２に一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用した場合の例である。これにより、トランジスタが流すことのできる電流を増大させることができる。なお、ここでは全てのトランジスタに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用したが、これに限られない。また、一対のゲートを有し、且つこれらが異なる配線と電気的に接続されるトランジスタを適用してもよい。例えば、ゲートの一方とソースとが電気的に接続されたトランジスタを用いることで、信頼性を高めることができる。

図１３Ａに示す画素回路ＰＩＸ５は、上記ＰＩＸ２に、トランジスタＭ４を追加した構成である。また、画素回路ＰＩＸ５には、３本のゲート線として機能する配線（配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、及び配線ＧＬ３）が電気的に接続されている。

トランジスタＭ４は、ゲートが配線ＧＬ３と、ソース及びドレインの一方がトランジスタＭ２のゲートと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。また、トランジスタＭ１のゲートが配線ＧＬ１と、トランジスタＭ３のゲートが配線ＧＬ２と、それぞれ電気的に接続されている。配線Ｖ０は、配線ＡＬと交差するように配置されることがある。

トランジスタＭ３とトランジスタＭ４を同時に導通状態とさせることで、トランジスタＭ２のソースとゲートが同電位となり、トランジスタＭ２を非導通状態とすることができる。これにより、発光素子ＥＬに流れる電流を強制的に遮断することができる。このような画素回路は、表示期間と消灯期間を交互に設ける表示方法を用いる場合に適している。

図１３Ｂに示す画素回路ＰＩＸ６は、上記画素回路ＰＩＸ５に容量Ｃ２を追加した場合の例である。容量Ｃ２は保持容量として機能する。

図１３Ｃに示す画素回路ＰＩＸ７、及び図１３Ｄに示す画素回路ＰＩＸ８は、それぞれ上記画素回路ＰＩＸ５または画素回路ＰＩＸ６に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、トランジスタＭ４には、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタが適用され、トランジスタＭ２には、一方のゲートがソースと電気的に接続されたトランジスタが適用されている。

〔駆動方法例〕
以下では、画素回路ＰＩＸ５が適用された表示装置の駆動方法の一例について説明する。なお、画素回路ＰＩＸ６、ＰＩＸ７、及びＰＩＸ８についても、同様の駆動方法を適用できる。

図１４に、画素回路ＰＩＸ５が適用された表示装置の駆動方法にかかるタイミングチャートを示す。ここでは、ｋ行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ］、配線ＧＬ２［ｋ］及び配線ＧＬ３［ｋ］、並びにｋ＋１行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ＋１］、配線ＧＬ２［ｋ＋１］、配線ＧＬ３［ｋ＋１］の電位の推移を示している。また、図１４には、ソース線として機能する配線ＳＬに与えられる信号のタイミングを示している。

ここでは、一水平期間を点灯期間と、消灯期間と、に分けて表示する駆動方法の例を示している。また、ｋ行目の水平期間と、ｋ＋１行目の水平期間とは、ゲート線の選択期間だけずれている。

ｋ行目の点灯期間において、まず配線ＧＬ１［ｋ］及び配線ＧＬ２［ｋ］にハイレベル電位が与えられ、配線ＳＬにソース信号が与えられる。これにより、トランジスタＭ１とトランジスタＭ３が導通状態となり、配線ＳＬからトランジスタＭ２のゲートにソース信号に対応する電位が書き込まれる。その後、配線ＧＬ１［ｋ］及び配線ＧＬ２［ｋ］にローレベル電位が与えられることで、トランジスタＭ１とトランジスタＭ３が非導通状態となり、トランジスタＭ２のゲート電位が保持される。

続いて、ｋ＋１行目の点灯期間に遷移し、上記と同様の動作によりデータが書き込まれる。

続いて、消灯期間について説明する。ｋ行目の消灯期間において、配線ＧＬ２［ｋ］と配線ＧＬ３［ｋ］にハイレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ３とトランジスタＭ４が導通状態となるため、トランジスタＭ２のソースとゲートに同電位が供給されることで、トランジスタＭ２にはほとんど電流が流れなくなる。これにより、発光素子ＥＬが消灯する。ｋ行目に位置する全ての画素が消灯することになる。ｋ行目の画素は、次の点灯期間まで消灯状態が維持される。

続いて、ｋ＋１行目の消灯期間に遷移し、上記と同様にｋ＋１行目の画素全てが消灯状態となる。

このように、一水平期間中ずっと点灯しているのではなく、一水平期間中に消灯期間を設ける駆動方法をデューティ駆動とも呼ぶことができる。デューティ駆動を用いることで、動画を表示する際の残像現象を低減することができるため、動画表示性能の高い表示装置を実現できる。特にＶＲ機器などでは、残像を低減することで、いわゆるＶＲ酔いを軽減することができる。

デューティ駆動において、一水平期間に対する点灯期間の割合を、デューティ比と呼ぶことができる。例えばデューティ比が５０％のとき、点灯期間と消灯期間が同じ長さであることを意味する。なお、デューティ比は自由に設定することが可能であり、例えば０％より高く、１００％以下の範囲で適宜調整することができる。

以上が、駆動方法例についての説明である。

本実施の形態で説明した内容は、他の実施の形態と組み合わせて用いることが可能である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、スマートフォン、腕時計型端末、タブレット端末、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置４００Ａ］
図１５に、表示装置４００Ａの斜視図を示し、図１６Ａに、表示装置４００Ａの断面図を示す。

表示装置４００Ａは、基板４５２と基板４５１とが貼り合わされた構成を有する。図１５では、基板４５２を破線で明示している。

表示装置４００Ａは、表示部４６２、回路４６４、配線４６５等を有する。図１５では表示装置４００ＡにＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図１５に示す構成は、表示装置４００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ４７２を介して外部から配線４６５に入力されるか、またはＩＣ４７３から配線４６５に入力される。

図１５では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板４５１にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置４００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１６Ａに、表示装置４００Ａの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図１６Ａに示す表示装置４００Ａは、基板４５１と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子４３０ａ、緑色の光を発する発光素子４３０ｂ、及び、青色の光を発する発光素子４３０ｃ等を有する。

発光素子４３０ａ、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃには、実施の形態１乃至３で例示した発光素子を適用することができる。

ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの組み合わせ、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３つの組み合わせなどが挙げられる。表示装置の画素が副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４つの組み合わせ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４つの組み合わせなどが挙げられる。画素はフルカラー表示が可能な最小単位として３つ以上の副画素を有することができる。

保護層４１６と基板４５２は接着層４４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１６Ａでは、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填されており、中空封止構造が適用されている。接着層４４２は、発光素子と重ねて設けられていてもよい。また、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３を、接着層４４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃは、画素電極と正孔注入層４３１との間に光学調整層を有する。発光素子４３０ａは光学調整層４２６ａを有し、発光素子４３０ｂは光学調整層４２６ｂを有し、発光素子４３０ｃは光学調整層４２６ｃを有する。発光素子の詳細は実施の形態１乃至３を参照できる。

画素電極４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

画素電極及び光学調整層の端部は、正孔注入層４３１を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。絶縁層４２１の開口部に設けられた発光層、及び絶縁層４２１上には、電子輸送層及び電子注入層を有する層４３５が設けられ、層４３５上には対向電極４１８が設けられている。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極４１８は可視光を透過する材料を含む。

発光素子が発する光は、基板４５２側に射出される。基板４５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

なお、絶縁層４２１は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造であってもよい。絶縁層４２１として、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造を設ける場合、無機絶縁膜を下層とすることが好ましい。本発明の一態様の表示装置においては、絶縁層４２１は正孔注入層４３１上に設けられるため、無機絶縁膜を正孔注入層４３１側に設けることで、有機絶縁膜形成に有機溶剤を用いる場合に懸念される正孔注入層４３１への悪影響を、抑制することが可能となる。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板４５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板４５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置４００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置４００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置４００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

図１６Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

基板４５１の、基板４５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層４６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板４５２の基板４５１側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板４５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

発光素子を覆う保護層４１６を設けることで、発光素子に水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。

表示装置４００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層４１６とが互いに接することが好ましい。特に、絶縁層２１５が有する無機絶縁膜と保護層４１６が有する無機絶縁膜とが互いに接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

図１６Ｂに、保護層４１６が３層構造である例を示す。図１６Ｂにおいて、保護層４１６は、発光素子４３０ｃ上の無機絶縁層４１６ａと、無機絶縁層４１６ａ上の有機絶縁層４１６ｂと、有機絶縁層４１６ｂ上の無機絶縁層４１６ｃと、を有する。

無機絶縁層４１６ａの端部と無機絶縁層４１６ｃの端部は、有機絶縁層４１６ｂの端部よりも外側に延在し、互いに接している。そして、無機絶縁層４１６ａは、絶縁層２１４（有機絶縁層）の開口を介して、絶縁層２１５（無機絶縁層）と接する。これにより、絶縁層２１５と保護層４１６とで、発光素子を囲うことができるため、発光素子の信頼性を高めることができる。

このように、保護層４１６は、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造であってもよい。このとき、有機絶縁膜の端部よりも無機絶縁膜の端部を外側に延在させることが好ましい。

基板４５１及び基板４５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５１及び基板４５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板４５１または基板４５２として偏光板を用いてもよい。

基板４５１及び基板４５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４５１及び基板４５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

［表示装置４００Ｂ］
図１７に、表示装置４００Ｂの断面図を示す。表示装置４００Ｂの斜視図は表示装置４００Ａ（図１５）と同様である。図１７には、表示装置４００Ｂの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、及び、表示部４６２の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。なお、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略することがある。

表示装置４００Ｂは、基板４５２と基板４５１とが貼り合わされた構成を有する。

表示装置４００Ｂは、表示部４６２、回路４６４、配線４６５等を有する。そのため、図１７に示す表示装置４００Ｂは、表示装置４００Ｂ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ４７２を介して外部から配線４６５に入力されるか、またはＩＣ４７３から配線４６５に入力される。

表示モジュールは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板４５１にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置４００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１７に、表示装置４００Ｂの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図１７に示す表示装置４００Ｂは、基板４５１と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子４３０ａ、緑色の光を発する発光素子４３０ｂ、及び、青色の光を発する発光素子４３０ｃ等を有する。

発光素子４３０ａ、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃには、実施の形態１乃至３で例示した発光素子を適用することができる。

ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。

保護層４１６と基板４５２は接着層４４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１７では、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填されており、中空封止構造が適用されている。接着層４４２は、発光素子と重ねて設けられていてもよい。また、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５１に囲まれた空間４４３を、接着層４４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃは、画素電極と正孔注入層４３１との間に光学調整層を有する。発光素子４３０ａは光学調整層４２６ａを有し、発光素子４３０ｂは光学調整層４２６ｂを有し、発光素子４３０ｃは光学調整層４２６ｃを有する。発光素子の詳細は実施の形態１乃至３を参照できる。

画素電極４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

画素電極及び光学調整層の端部は、正孔注入層４３１を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。絶縁層４２１の開口部に設けられた発光層、及び絶縁層４２１上には、電子輸送層及び電子注入層を有する層４３５が設けられ、層４３５上には対向電極４１８が設けられている。画素電極は可視光を透過する材料を含み、対向電極４１８は可視光を反射する材料を含む。

発光素子が発する光は、基板４５４側に射出される。基板４５４には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

なお、絶縁層４２１は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造であってもよい。絶縁層４２１として、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造を設ける場合、無機絶縁膜を下層とすることが好ましい。本発明の一態様の表示装置においては、絶縁層４２１は正孔注入層４３１上に設けられるため、無機絶縁膜を正孔注入層４３１側に設けることで、有機絶縁膜形成に有機溶剤を用いる場合に懸念される正孔注入層４３１への悪影響を、抑制することが可能となる。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板４５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板４５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置４００Ｂの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ｂの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置４００Ｂの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置４００Ｂの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

図１７に示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置４００Ｂの信頼性を高めることができる。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

基板４５１の、基板４５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層４６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板４５２の基板４５１側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板４５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

発光素子を覆う保護層４１６を設けることで、発光素子に水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。

表示装置４００Ｂの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層４１６とが互いに接することが好ましい。特に、絶縁層２１５が有する無機絶縁膜と保護層４１６が有する無機絶縁膜とが互いに接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置４００Ｂの信頼性を高めることができる。

表示装置４００Ｂは、図１６Ｂで示した表示装置４００Ａと同様に、保護層４１６は、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造であってもよい。このとき、有機絶縁膜の端部よりも無機絶縁膜の端部を外側に延在させることが好ましい。

基板４５１及び基板４５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５１及び基板４５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板４５１または基板４５２として偏光板を用いてもよい。

基板４５１及び基板４５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４５１及び基板４５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

［表示装置４００Ｃ］
図１８Ａに、表示装置４００Ｃの断面図を示す。表示装置４００Ｃの斜視図は表示装置４００Ａ（図１５）と同様である。図１８Ａには、表示装置４００Ｃの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、及び、表示部４６２の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。図１８Ａでは、表示部４６２のうち、特に、緑色の光を発する発光素子４３０ｂと青色の光を発する発光素子４３０ｃを含む領域を切断したときの断面の一例を示す。なお、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略することがある。

図１８Ａに示す表示装置４００Ｃは、基板４５３と基板４５４の間に、トランジスタ２０２、トランジスタ２１０、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃ等を有する。

基板４５４と保護層４１６とは接着層４４２を介して接着されている。接着層４４２は、発光素子４３０ｂ及び発光素子４３０ｃそれぞれと重ねて設けられており、表示装置４００Ｃには、固体封止構造が適用されている。

基板４５３と絶縁層２１２とは接着層４５５によって貼り合わされている。

表示装置４００Ｃの作製方法としては、まず、絶縁層２１２、各トランジスタ、各発光素子等が設けられた作製基板と、遮光層４１７が設けられた基板４５４と、を接着層４４２によって貼り合わせる。そして、作製基板を剥離し露出した面に基板４５３を貼ることで、作製基板上に形成した各構成要素を、基板４５３に転置する。基板４５３及び基板４５４は、それぞれ、可撓性を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ｃの可撓性を高めることができる。

絶縁層２１２には、それぞれ、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

画素電極は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２１０が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２２ｂは、絶縁層２１５及び絶縁層２２５に設けられた開口を介して、低抵抗領域２３１ｎと接続される。トランジスタ２１０は、発光素子の駆動を制御する機能を有する。

画素電極４１１は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２１０が有する導電層２２２ｂと接続されている。

画素電極４１１の端部は、正孔注入層４３１を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。絶縁層４２１の開口部に設けられた発光層、及び絶縁層４２１上には、電子輸送層及び電子注入層を有する層４３５が設けられ、層４３５上には対向電極４１８が設けられている。画素電極４１１は可視光を反射する材料を含み、対向電極４１８は可視光を透過する材料を含む。

発光素子４３０ｂ、４３０ｃが発する光は、基板４５４側に射出される。基板４５４には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

基板４５３の、基板４５４が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得ることができる。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

トランジスタ２０２及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。

導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

図１８Ａでは、絶縁層２２５が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。

一方、図１８Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１８Ｂに示す構造を作製できる。図１８Ｂでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

［表示装置４００Ｄ］
図１９Ａに、表示装置４００Ｄの断面図を示す。表示装置４００Ｄの斜視図は表示装置４００Ａ（図１５）と同様であり、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略する。具体的には、表示装置４００Ｄは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ａと異なり、その他の構成は表示装置４００Ａと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

表示装置４００Ｄは正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有するため、画素電極及び光学調整層の端部は、正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。

なお、絶縁層４２１は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造であってもよい。絶縁層４２１として、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造を設ける場合、無機絶縁膜を下層とすることが好ましい。本発明の一態様の表示装置においては、絶縁層４２１は正孔輸送層４３２上に設けられるため、無機絶縁膜を正孔輸送層４３２側に設けることで、有機絶縁膜形成に有機溶剤を用いる場合に懸念される正孔輸送層４３２への悪影響を、抑制することが可能となる。

図１９Ｂに、保護層４１６が３層構造である例を示す。再掲するが表示装置４００Ｄは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ａと異なり、その他の構成は表示装置４００Ａと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

［表示装置４００Ｅ］
図２０に、表示装置４００Ｅの断面図を示す。表示装置４００Ｅの斜視図は表示装置４００Ａ（図１５）と同様であり、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略する。具体的には、表示装置４００Ｄは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ａと異なり、その他の構成は表示装置４００Ａと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

さらに、表示装置４００Ｅは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ｂと異なり、その他の構成は表示装置４００Ｂと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

表示装置４００Ｅは正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有するため、画素電極の端部は、正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。

なお、絶縁層４２１は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造であってもよい。絶縁層４２１として、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造を設ける場合、無機絶縁膜を下層とすることが好ましい。本発明の一態様の表示装置においては、絶縁層４２１は正孔輸送層４３２上に設けられるため、無機絶縁膜を正孔輸送層４３２側に設けることで、有機絶縁膜形成に有機溶剤を用いる場合に懸念される正孔輸送層４３２への悪影響を、抑制することが可能となる。

［表示装置４００Ｆ］
図２１Ａに、表示装置４００Ｆの断面図を示す。表示装置４００Ｆの斜視図は表示装置４００Ａ（図１５）と同様であり、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略する。具体的には、表示装置４００Ｄは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ａと異なり、その他の構成は表示装置４００Ａと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

さらに、表示装置４００Ｆは、正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有する構成で表示装置４００Ｃと異なり、その他の構成は表示装置４００Ｃと同様であり、同様な部分の説明は省略する。

表示装置４００Ｆは正孔注入層４３１上に正孔輸送層４３２を有するため、画素電極４１１の端部は、正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２を介して、絶縁層４２１によって覆われている。正孔注入層４３１及び正孔輸送層４３２は、表示部４６２の全面に設けられていてもよく、副画素の領域ごとに区切られていてもよい。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書等に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

また、金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。

また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。

ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタンなどから選ばれた一種、または複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。

また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること、などによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、または非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書等に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図２２乃至図２５を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化、高解像度化、大型化のそれぞれが容易である。したがって、本発明の一態様の表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

また、本発明の一態様の表示装置は、低いコストで作製できるため、電子機器の製造コストを低減することができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。また、ウェアラブル機器としては、ＳＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器も挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度または高い精細度を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。

本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像及び情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図２２Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２２Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイ（可撓性を有する表示装置）を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図２３Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２３Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２３Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２３Ｃ及び図２３Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

図２３Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図２３Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図２３Ｃ及び図２３Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図２３Ｃ及び図２３Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図２４Ａは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。

カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていてもよい。

カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。

筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。

ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。

筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。

ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。

カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。

図２４Ｂは、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。

ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。

ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球またはまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。

また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能、使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能などを有していてもよい。

表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２４Ｃ乃至図２４Ｅは、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。

使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。

表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の表示装置は、極めて高い精細度を実現することも可能である。例えば、図２４Ｅのようにレンズ８３０５を用いて表示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。

図２４Ｆは、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ８４００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８４００は、一対の筐体８４０１と、装着部８４０２と、緩衝部材８４０３と、を有する。一対の筐体８４０１内には、それぞれ、表示部８４０４及びレンズ８４０５が設けられる。一対の表示部８４０４に互いに異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うことができる。

使用者は、レンズ８４０５を通して表示部８４０４を視認することができる。レンズ８４０５はピント調整機構を有し、使用者の視力に応じて位置を調整することができる。表示部８４０４は、正方形または横長の長方形であることが好ましい。これにより、臨場感を高めることができる。

装着部８４０２は、使用者の顔のサイズに応じて調整でき、かつ、ずれ落ちることのないよう、可塑性及び弾性を有することが好ましい。また、装着部８４０２の一部は、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していることが好ましい。これにより、別途イヤフォン、スピーカなどの音響機器を必要とせず、装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。なお、筐体８４０１内に、無線通信により音声データを出力する機能を有していてもよい。

装着部８４０２と緩衝部材８４０３は、使用者の顔（額、頬など）に接触する部分である。緩衝部材８４０３が使用者の顔と密着することにより、光漏れを防ぐことができ、より没入感を高めることができる。緩衝部材８４０３は、使用者がヘッドマウントディスプレイ８４００を装着した際に使用者の顔に密着するよう、柔らかな素材を用いることが好ましい。例えばゴム、シリコーンゴム、ウレタン、スポンジなどの素材を用いることができる。また、スポンジ等の表面を布、革（天然皮革または合成皮革）、などで覆ったものを用いると、使用者の顔と緩衝部材８４０３との間に隙間が生じにくく光漏れを好適に防ぐことができる。また、このような素材を用いると、肌触りが良いことに加え、寒い季節などに装着した際に、使用者に冷たさを感じさせないため好ましい。緩衝部材８４０３または装着部８４０２などの、使用者の肌に触れる部材は、取り外し可能な構成とすると、クリーニングまたは交換が容易となるため好ましい。

図２５Ａ乃至図２５Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図２５Ａ乃至図２５Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２５Ａ乃至図２５Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図２５Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２５Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メール、ＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

図２５Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図２５Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させることによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図２５Ｄ乃至図２５Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２５Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２５Ｆは折り畳んだ状態、図２５Ｅは図２５Ｄと図２５Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書等に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

ＡＢ：線、ＡＬ：配線、ＣＤ：線、ＣＬ：配線、ＧＬ：配線、ＩＣ：表示装置、ＳＬ：配線、２０：発光素子、１００：画素領域、１０１：絶縁膜、１０２：陽極、１０４：正孔注入層、１０５：正孔輸送層、１１０ｘ：第１の領域、１１０ｙ：第２の領域、１１０：隔壁、１１５ｂ：発光層、１１５ｇ：発光層、１１５ｒ：発光層、１１８ｂ：第３の液だまり、１１８ｇ：第２の液だまり、１１８ｒ：第１の液だまり、１１９：ノズル、２０１：トランジスタ、２０２：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４２：接続層、４００Ａ：表示装置、４００Ｂ：表示装置、４００Ｃ：表示装置、４００Ｄ：表示装置、４００Ｅ：表示装置、４００Ｆ：表示装置、４１１ａ：画素電極、４１１ｂ：画素電極、４１１ｃ：画素電極、４１１：画素電極、４１６ａ：無機絶縁層、４１６ｂ：有機絶縁層、４１６ｃ：無機絶縁層、４１６：保護層、４１７：遮光層、４１８：対向電極、４２１：絶縁層、４２６ａ：光学調整層、４２６ｂ：光学調整層、４２６ｃ：光学調整層、４３０ａ：発光素子、４３０ｂ：発光素子、４３０ｃ：発光素子、４３１：正孔注入層、４３２：正孔輸送層、４３５：層、４４２：接着層、４４３：空間、４５１：基板、４５２：基板、４５３：基板、４５４：基板、４５５：接着層、４６２：表示部、４６４：回路、４６５：配線、４６６：導電層、４７２：ＦＰＣ、４７３：ＩＣ、６７２：下部電極、６８６ａ：第１の発光ユニット、６８６ｂ：第２の発光ユニット、６８６：発光ユニット、６８８：上部電極、６９０ａ：中間層、６９０ｂ：中間層、６９０：中間層、４４１１：第１の発光層、４４１２：第２の発光層、４４１３：第３の発光層、４４２０：層、４４３０：層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、８０００：カメラ、８００１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０４：固定具、８３０５：レンズ、８４００：ヘッドマウントディスプレイ、８４０１：筐体、８４０２：装着部、８４０３：緩衝部材、８４０４：表示部、８４０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (11)

1. 　第１の陽極と、
   　前記第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、
   　前記第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、
   　前記正孔注入層上に設けられた隔壁と、
   　前記隔壁の第１の開口部に位置し、かつ前記第１の陽極と重なる第１の発光層と、
   　前記隔壁の第２の開口部に位置し、かつ前記第２の陽極と重なる第２の発光層と、
   　前記隔壁の第３の開口部に位置し、かつ前記第３の陽極と重なる第３の発光層と、
   　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、
   　前記隔壁は、
   　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
   　断面視において前記第１の領域における高さが前記第２の領域における高さより大きい、
   　表示装置。
2. 　第１の陽極と、
   　前記第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、
   　前記第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、
   　前記正孔注入層上に設けられた隔壁と、
   　前記隔壁の第１の開口部に位置し、かつ前記第１の陽極と重なる第１の発光層と、
   　前記隔壁の第２の開口部に位置し、かつ前記第２の陽極と重なる第２の発光層と、
   　前記隔壁の第３の開口部に位置し、かつ前記第３の陽極と重なる第３の発光層と、
   　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、
   　前記隔壁は、
   　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
   　断面視において前記第２の領域における高さが前記第１の領域における高さより大きい、
   　表示装置。
3. 　第１の陽極と、
   　前記第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、
   　前記第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、
   　前記正孔注入層上に設けられた隔壁と、
   　前記隔壁の第１の開口部に位置し、かつ前記第１の陽極と重なる第１の発光層と、
   　前記隔壁の第２の開口部に位置し、かつ前記第２の陽極と重なる第２の発光層と、
   　前記隔壁の第３の開口部に位置し、かつ前記第３の陽極と重なる第３の発光層と、
   　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、
   　前記隔壁は、
   　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
   　断面視において前記第１の領域における高さは、前記第２の領域における高さより大きく、
   　前記隔壁は前記第１の領域において積層構造を有する、
   　表示装置。
4. 　第１の陽極と、
   　前記第１の陽極とＸ方向に隣接した、第２の陽極と、
   　前記第１の陽極とＹ方向に隣接した、第３の陽極と、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって設けられた、正孔注入層と、
   　前記正孔注入層上に設けられた隔壁と、
   　前記隔壁の第１の開口部に位置し、かつ前記第１の陽極と重なる第１の発光層と、
   　前記隔壁の第２の開口部に位置し、かつ前記第２の陽極と重なる第２の発光層と、
   　前記隔壁の第３の開口部に位置し、かつ前記第３の陽極と重なる第３の発光層と、
   　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって設けられた、陰極と、を有し、
   　前記隔壁は、
   　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
   　断面視において前記第２の領域における高さは、前記第１の領域における高さより大きく、
   　前記隔壁は前記第２の領域において積層構造を有する、
   　表示装置。
5. 　請求項３又は請求項４において、
   　前記積層構造を有する隔壁は、無機材料を有する第１の隔壁と、前記第１の隔壁上に位置する有機材料を有する第２の隔壁を有する、表示装置。
6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   　前記正孔注入層と前記隔壁との間に正孔輸送層が設けられた、
   　表示装置。
7. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   　前記正孔注入層はモリブデン酸化物を有する、
   　表示装置。
8. 　請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極の端部はそれぞれテーパー形状を有する、
   　表示装置。
9. 　第１の陽極と、前記第１の陽極とＸ方向に隣接した第２の陽極と、前記第１の陽極とＹ方向に隣接した第３の陽極と、を形成し、
   　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって、正孔注入層を形成し、
   　前記正孔注入層上に、前記第１の陽極と重なる第１の開口部、前記第２の陽極と重なる第２の開口部、及び前記第３の陽極と重なる第３の開口部を有する隔壁を形成し、
   　前記第１の開口部に位置する第１の発光層、前記第２の開口部に位置する第２の発光層、又は前記第３の開口部に位置する第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成し、
   　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって、陰極を形成する表示装置の作製方法であって、
   　前記隔壁は、
   　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
   　断面視において前記第１の領域における高さが前記第２の領域における高さより大きく、
   　前記第１の領域に沿うように移動しながら、前記第１の発光層及び前記第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成する、
   　表示装置の作製方法。
10. 　第１の陽極と、前記第１の陽極とＸ方向に隣接した第２の陽極と、前記第１の陽極とＹ方向に隣接した第３の陽極と、を形成し、
    　前記第１の陽極乃至前記第３の陽極にわたって、正孔注入層を形成し、
    　前記正孔注入層上に、前記第１の陽極と重なる第１の開口部、前記第２の陽極と重なる第２の開口部、及び前記第３の陽極と重なる第３の開口部を有する隔壁を形成し、
    　前記第１の開口部に位置する第１の発光層、前記第２の開口部に位置する第２の発光層、又は前記第３の開口部に位置する第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成し、
    　前記第１の発光層乃至前記第３の発光層にわたって、陰極を形成する表示装置の作製方法であって、
    　前記隔壁は、
    　上面視において前記第１の陽極と前記第３の陽極との間に位置し、且つ前記Ｘ方向に延在した第１の領域と、前記第１の陽極と前記第２の陽極との間に位置し、且つ前記Ｙ方向に延在した第２の領域とを有し、
    　断面視において前記第２の領域における高さが前記第１の領域における高さより大きく、
    　前記第２の領域に沿うように移動しながら、前記第１の発光層及び前記第３の発光層のいずれか一をインクジェット法により形成する、
    　表示装置の作製方法。
11. 　請求項９又は請求項１０において、
    　前記正孔注入層上に、正孔輸送層を形成し、
    　前記正孔輸送層上に、前記隔壁を形成する、
    　表示装置の作製方法。

Images