WO2022138373A1

WO2022138373A1 - 高周波回路及び高周波モジュール

Info

Publication number: WO2022138373A1
Application number: PCT/JP2021/046256
Authority: WO
Inventors: 農史小野; 聡田中; 弘嗣森
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-12-21
Filing date: 2021-12-15
Publication date: 2022-06-30
Also published as: US20230336204A1

Abstract

高周波回路（１）は、第１高周波回路（１１）と、第２高周波回路（１２）と、アンテナ接続端子（１００）に接続される第１端子（５１１）、第１高周波回路（１１）に接続される第２端子（５１２）、及び、第２高周波回路（１２）に接続される第３端子（５１３）を有するスイッチ回路（５１）と、を備え、第１高周波回路（１１）は、第１パワークラスに対応する電力増幅回路（２１）と、電力増幅回路（２１）に接続され、バンドＡを含む通過帯域を有する送信フィルタ回路（６１Ｔ）と、を備え、第２高周波回路（１２）は、第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスに対応する電力増幅回路（２２）と、電力増幅回路（２２）に接続され、バンドＡを含む通過帯域を有する送信フィルタ回路（６２Ｔ）と、を備える。

Description

高周波回路及び高周波モジュール

　本発明は、高周波回路及び高周波モジュールに関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンドモジュールを構成する回路部品の数が増大している。例えば、特許文献１には、電力増幅器、スイッチ及びフィルタ等がパッケージ化されたフロントエンドモジュールが開示されている。

　また、３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）では、主に車両通信システム又は固定無線アクセス（ＦＷＡ：Fixed Wireless Access）のために、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラス（例えばパワークラス１、１．５、２等）に関する議論が行われている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書

　しかしながら、上記従来の技術では、所定の周波数バンドが複数のパワークラスで用いられる場合に、複数のパワークラスの一部において信号品質及び／又は電力効率が劣化する場合がある。

　そこで、本発明は、所定の周波数バンドで複数のパワークラスが用いられる場合に、複数のパワークラスにおける信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる高周波回路及び高周波モジュールを提供する。

　本発明の一態様に係る高周波回路は、第１高周波回路と、第２高周波回路と、アンテナ接続端子に接続される第１端子、第１高周波回路に接続される第２端子、及び、第２高周波回路に接続される第３端子を有する第１スイッチ回路と、を備え、第１高周波回路は、第１パワークラスに対応する第１電力増幅回路と、第１電力増幅回路に接続され、第１バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、を備え、第２高周波回路は、第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスに対応する第２電力増幅回路と、第２電力増幅回路に接続され、第１バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、を備える。

　本発明の一態様に係る高周波回路によれば、所定の周波数バンドで複数のパワークラスが用いられる場合に、複数のパワークラスにおける信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。

図１は、実施の形態１に係る高周波回路及び通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態１に係る第１高周波モジュールの平面図である。図３は、実施の形態１に係る第１高周波モジュールの断面図である。図４は、実施の形態１に係る第２高周波モジュールの平面図である。図５は、実施の形態１に係る第２高周波モジュールの断面図である。図６は、実施の形態２に係る高周波回路及び通信装置の回路構成図である。図７は、変形例１に係る電力増幅回路の回路構成図である。図８は、変形例２に係る電力増幅回路の回路構成図である。図９は、変形例３に係る電力増幅回路及び送信フィルタ回路の回路構成図である。図１０は、変形例４に係る電力増幅回路及び送信フィルタ回路の回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「直接接続される」とは、他の回路素子を介さずに接続端子及び／又は配線導体で直接接続されることを意味する。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列に接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に接続されることを含む。

　本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板と接触した状態で基板上に配置されることに加えて、基板と接触せずに基板の上方に配置されること（例えば、部品が、基板上に配置された他の部品上に積層されること）、及び、部品の一部又は全部が基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　（実施の形態１）
　［１．１　高周波回路１及び通信装置５の回路構成］
　実施の形態１に係る高周波回路１及びそれを備える通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波回路１及び通信装置５の回路構成図である。

　［１．１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。

　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の内部構成については後述する。

　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続されている。アンテナ２は、高周波回路１から高周波信号を受信して外部に出力し、外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ回路及び増幅回路等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波回路１に構成されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波回路１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２とＢＢＩＣ４とは、必須の構成要素ではない。

　［１．１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、第１高周波回路１１と、第２高周波回路１２と、スイッチ回路５１及び５２と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１と、高周波出力端子１２１及び１２２と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、高周波回路１の外部でアンテナ２に接続されている。

　高周波入力端子１１１は、高周波回路１の外部からバンドＡの送信信号を受けるための入力端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１１は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続されている。

　高周波出力端子１２１及び１２２の各々は、高周波回路１の外部にバンドＡの受信信号を提供するための出力端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２１及び１２２は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続されている。

　スイッチ回路５１は、第１スイッチ回路の一例であり、アンテナ接続端子１００と第１高周波回路１１及び第２高周波回路１２との間に接続されている。スイッチ回路５１は、例えばＳＰＤＴ（Single-Pole Double-Throw）型のスイッチを用いて構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５１は、端子５１１～５１３を有する。端子５１１は、第１端子の一例であり、アンテナ接続端子１００に接続されている。端子５１２は、第２端子の一例であり、第１高周波回路１１に接続されている。端子５１３は、第３端子の一例であり、第２高周波回路１２に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１を端子５１２及び５１３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５１は、アンテナ接続端子１００の接続を第１高周波回路１１及び第２高周波回路１２の間で切り替えることができる。具体的には、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５１は、端子５１１を端子５１２に接続する。一方、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５１は、端子５１１を端子５１３に接続する。

　バンドＡは、第１バンドの一例であり、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドである。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。

　バンドＡとしては、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１、Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ１２、並びに、５ＧＮＲのためのｎ４１及びｎ７１のいずれかを用いることができるが、これに限定されない。

　スイッチ回路５２は、第２スイッチ回路の一例であり、高周波入力端子１１１と第１高周波回路１１及び第２高周波回路１２との間に接続されている。スイッチ回路５２は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチを用いて構成され、ＲＦインスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５２は、端子５２１～５２３を有する。端子５２１は、第４端子の一例であり、高周波入力端子１１１に接続されている。端子５２２は、第５端子の一例であり、第１高周波回路１１に接続されている。端子５２３は、第６端子の一例であり、第２高周波回路１２に接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１を端子５２２及び５２３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ回路５２は、高周波入力端子１１１の接続を第１高周波回路１１及び第２高周波回路１２の間で切り替えることができる。具体的には、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５２は、端子５２１を端子５２２に接続する。一方、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５２は、端子５２１を端子５２３に接続する。

　第１高周波回路１１は、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１及び高周波出力端子１２１との間に接続される。第１高周波回路１１は、電力増幅回路２１と、低雑音増幅回路２３と、デュプレクサ回路６１と、を備える。

　電力増幅回路２１は、第１電力増幅回路の一例であり、第１パワークラスに対応している。つまり、電力増幅回路２１は、第１パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまでバンドＡの送信信号を増幅することができる。第１パワークラスは、例えばパワークラス３を含む。また、第１パワークラスは、パワークラス２を含んでもよい。電力増幅回路２１は、高周波入力端子１１１と送信フィルタ回路６１Ｔとの間に接続される。具体的には、電力増幅回路２１の入力端は、スイッチ回路５２を介して高周波入力端子１１１に接続される。一方、電力増幅回路２１の出力端は、送信フィルタ回路６１Ｔに接続される。

　なお、パワークラスとは、最大出力パワーなどで定義される端末の出力パワーの分類であり、パワークラスの値が小さいほど高いパワーの出力に対応することを示す。例えば、３ＧＰＰでは、パワークラス１の最大出力パワーは３１ｄＢｍであり、パワークラス１．５の最大出力パワーは２９ｄＢｍであり、パワークラス２の最大出力パワーは２６ｄＢｍであり、パワークラス３の最大出力パワーは２３ｄＢｍである。

　端末の最大出力パワーは、端末のアンテナ端における出力パワーで定義される。端末の最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ等によって定義された方法で行われる。例えば、図１において、アンテナ２における放射パワーを測定することで最大出力パワーが測定される。なお、放射パワーの測定の代わりに、アンテナ２の近傍に端子を設けて、その端子に計測器（例えばスペクトルアナライザなど）を接続することで、アンテナ２の出力パワーを測定することもできる。

　また、電力増幅回路が対応するパワークラスは、電力増幅回路の最大出力パワーにより特定することができる。例えば、パワークラス１に対応する電力増幅回路の最大出力パワーは３１ｄＢｍよりも大きい。一般的に、最大出力パワーが高いほど電力増幅回路のサイズが増大する。したがって、２つの電力増幅回路のサイズを比較することで、２つの電力増幅回路が対応するパワークラスの相対的な比較を行うことができる場合もある。

　低雑音増幅回路２３は、バンドＡの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅回路２３の入力端は、受信フィルタ回路６１Ｒに接続され、低雑音増幅回路２３の出力端は、高周波出力端子１２１に接続されている。

　デュプレクサ回路６１は、バンドＡの高周波信号を通過させることができる。デュプレクサ回路６１は、バンドＡの送信信号と受信信号とを、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）方式で伝送する。デュプレクサ回路６１は、送信フィルタ回路６１Ｔ及び受信フィルタ回路６１Ｒを含む。

　送信フィルタ回路６１Ｔ（Ａ－Ｔｘ）は、第１フィルタ回路の一例であり、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。また、送信フィルタ回路６１Ｔは、第１パワークラスに対応する耐電力性を有する。これにより、送信フィルタ回路６１Ｔは、第１パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーを有するバンドＡの送信信号を通過させることができる。

　フィルタの耐電力性は、フィルタの通過帯域内の入力信号をフィルタに入力したときに所定条件を満たす出力信号を得ることが可能な入力信号の最大パワーを測定することで得ることができる。

　送信フィルタ回路６１Ｔは、電力増幅回路２１とアンテナ接続端子１００との間に接続される。具体的には、送信フィルタ回路６１Ｔの入力端は、電力増幅回路２１の出力端に接続される。一方、送信フィルタ回路６１Ｔの出力端は、スイッチ回路５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。

　受信フィルタ回路６１Ｒ（Ａ－Ｒｘ）は、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、受信フィルタ回路６１Ｒは、バンドＡの受信信号を通過させることができる。受信フィルタ回路６１Ｒは、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅回路２３との間に接続される。具体的には、受信フィルタ回路６１Ｒの入力端は、スイッチ回路５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。一方、受信フィルタ回路６１Ｒの出力端は、低雑音増幅回路２３の入力端に接続される。

　第２高周波回路１２は、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１及び高周波出力端子１２２との間に接続される。第２高周波回路１２は、電力増幅回路２２と、低雑音増幅回路２４と、デュプレクサ回路６２と、を備える。

　電力増幅回路２２は、第２電力増幅回路の一例であり、第２パワークラスに対応している。つまり、電力増幅回路２２は、第２パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまでバンドＡの送信信号を増幅することができる。第２パワークラスの最大出力パワーは、第１パワークラスの最大出力パワーよりも大きい。第２パワークラスは、例えばパワークラス１及び１．５を含む。また、第２パワークラスは、パワークラス２を含んでもよい。

　電力増幅回路２２は、高周波入力端子１１１と送信フィルタ回路６２Ｔとの間に接続される。具体的には、電力増幅回路２２の入力端は、スイッチ回路５２を介して高周波入力端子１１１に接続される。一方、電力増幅回路２２の出力端は、送信フィルタ回路６２Ｔに接続される。

　低雑音増幅回路２４は、バンドＡの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅回路２４の入力端は、受信フィルタ回路６２Ｒに接続され、低雑音増幅回路２４の出力端は、高周波出力端子１２２に接続されている。

　デュプレクサ回路６２は、バンドＡの高周波信号を通過させることができる。デュプレクサ回路６２は、バンドＡの送信信号と受信信号とを、ＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ回路６２は、送信フィルタ回路６２Ｔ及び受信フィルタ回路６２Ｒを含む。

　送信フィルタ回路６２Ｔ（Ａ－Ｔｘ）は、第２フィルタ回路の一例であり、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。また、送信フィルタ回路６２Ｔは、第２パワークラスに対応する耐電力性を有する。つまり、送信フィルタ回路６２Ｔは、送信フィルタ回路６１Ｔよりも高い耐電力性を有する。これにより、送信フィルタ回路６２Ｔは、第２パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーを有するバンドＡの送信信号を通過させることができる。

　送信フィルタ回路６２Ｔは、電力増幅回路２２とアンテナ接続端子１００との間に接続される。具体的には、送信フィルタ回路６２Ｔの入力端は、電力増幅回路２２の出力端に接続される。一方、送信フィルタ回路６２Ｔの出力端は、スイッチ回路５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。

　受信フィルタ回路６２Ｒ（Ａ－Ｒｘ）は、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、受信フィルタ回路６２Ｒは、バンドＡの受信信号を通過させることができる。受信フィルタ回路６２Ｒは、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅回路２４との間に接続される。具体的には、受信フィルタ回路６２Ｒの入力端は、スイッチ回路５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。一方、受信フィルタ回路６１Ｒの出力端は、低雑音増幅回路２４の入力端に接続される。

　高周波回路１は、２つのモジュール（第１高周波モジュール１Ａ及び第２高周波モジュール１Ｂ）に分かれて実装されている。具体的には、第１高周波モジュール１Ａには、スイッチ回路５１及び５２と第１高周波回路１１とが実装され、第２高周波モジュール１Ｂには、第２高周波回路１２が実装されている。

　第１高周波モジュール１Ａは、スイッチ回路５２を介して高周波入力端子１１１に接続される出力端子１３１Ａと、スイッチ回路５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される入出力端子１３２Ａと、を備える。また、第２高周波モジュール１Ｂは、電力増幅回路２１の入力端に接続された入力端子１３１Ｂと、デュプレクサ回路６２に接続された入出力端子１３２Ｂと、を備える。

　第１高周波モジュール１Ａの出力端子１３１Ａは、バンドＡの送信信号を第１高周波モジュール１Ａの外部に供給するための出力端子である。出力端子１３１Ａは、第２高周波モジュール１Ｂの入力端子１３１Ｂに接続されている。

　第２高周波モジュール１Ｂの入力端子１３１Ｂは、バンドＡの送信信号を第２高周波モジュール１Ｂの外部から受けるための入力端子である。入力端子１３１Ｂは、第１高周波モジュール１Ａの出力端子１３１Ａに接続されている。

　第２高周波モジュール１Ｂの入出力端子１３２Ｂは、第２パワークラスに対応するバンドＡの送信信号を第２高周波モジュール１Ｂの外部に供給するための出力端子であり、かつ、バンドＡの受信信号を第２高周波モジュール１Ｂの外部から受けるための入力端子である。入出力端子１３２Ｂは、第１高周波モジュール１Ａの入出力端子１３２Ａに接続されている。

　第１高周波モジュール１Ａの入出力端子１３２Ａは、第２パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまで増幅されたバンドＡの送信信号を第１高周波モジュール１Ａの外部から受けるための入力端子であり、かつ、バンドＡの受信信号を第１高周波モジュール１Ａの外部に供給するための出力端子である。入出力端子１３２Ａは、第２高周波モジュール１Ｂの入出力端子１３２Ｂに接続されている。

　なお、図１に表された回路のうちの１以上の回路は、高周波回路１に含まれなくてもよい。例えば、スイッチ回路５２は、高周波回路１に含まれなくてもよい。この場合、スイッチ回路５２は、ＲＦＩＣ３に含まれ、第２高周波モジュール１Ｂの入力端子１３１Ｂは、ＲＦＩＣ３に接続されてもよい。また、低雑音増幅回路２３及び／又は２４は、高周波回路１に含まれなくてもよく、受信フィルタ回路６１Ｒ及び／又は６２Ｒも、高周波回路１に含まれなくてもよい。

　［１．２　高周波モジュールの部品配置］
　次に、以上のように構成された高周波回路１が実装された第１高周波モジュール１Ａ及び第２高周波モジュール１Ｂの部品配置について図面を参照しながら説明する。

　［１．２．１　第１高周波モジュール１Ａの部品配置］
　まず、第１高周波モジュール１Ａの部品配置の一例について、図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。

　図２は、実施の形態１に係る第１高周波モジュール１Ａの平面図である。図３は、実施の形態１に係る第１高周波モジュール１Ａの断面図である。図３における第１高周波モジュール１Ａの断面は、図２のｉｉｉ－ｉｉｉ線における断面である。

　第１高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路に加えて、さらに、モジュール基板９１Ａと、樹脂部材９２Ａと、シールド電極層９３Ａと、複数の外部接続端子１５０Ａと、を備える。なお、図２では、樹脂部材９２Ａ及びシールド電極層９３Ａの図示が省略されている。さらに、図２及び図３では、一部を除いて、モジュール基板９１Ａに配置された複数の部品を接続する配線及び電極の図示が省略されている。

　モジュール基板９１Ａは、互いに対向する主面９１１Ａ及び９１２Ａを有する。本実施の形態では、モジュール基板９１Ａは、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１Ａの形状はこれに限定されない。モジュール基板９１Ａとしては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９１１Ａには、電力増幅回路２１と、低雑音増幅回路２３と、スイッチ回路５１及び５２と、デュプレクサ回路６１と、が配置されている。主面９１１Ａ及び主面９１１Ａ上の部品は、樹脂部材９２Ａで覆われている。

　電力増幅回路２１は、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で構成されている。ＨＢＴは、半導体材料を用いて製造されている。半導体材料としては、例えばシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を用いることができるが、これに限定されない。

　低雑音増幅回路２３は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。これにより、低雑音増幅回路２３を安価に製造することが可能となる。なお、低雑音増幅回路２３は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な低雑音増幅回路２３を実現することができる。

　スイッチ回路５１及び５２は、例えば直列接続された複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などによって構成されている。ＭＯＳＦＥＴの直列接続の段数は、必要な耐電圧に応じて決定されればよく、特に限定されない。

　デュプレクサ回路６１は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体共振フィルタのいずれを用いて構成されてもよく、さらには、これらには限定されない。

　樹脂部材９２Ａは、主面９１１Ａ及び主面９１１Ａ上の部品を覆っている。樹脂部材９２Ａは、主面９１１Ａ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材９２Ａは、第１高周波モジュール１Ａに含まれなくてもよい。

　シールド電極層９３Ａは、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜であり、樹脂部材９２Ａの上面及び側面と、モジュール基板９１Ａの側面と、を覆うように形成されている。シールド電極層９３Ａは、グランド電位に設定され、外来ノイズが第１高周波モジュール１Ａを構成する部品に侵入することを抑制する。

　主面９１２Ａには、複数の外部接続端子１５０Ａが配置されている。複数の外部接続端子１５０Ａは、図１に示したアンテナ接続端子１００、高周波入力端子１１１、高周波出力端子１２１、出力端子１３１Ａ、及び、入出力端子１３２Ａに加えて、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０Ａの各々は、第１高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接合される。複数の外部接続端子１５０Ａとしては、例えばバンプ電極を用いることができるが、これに限定されない。

　［１．２．２　第２高周波モジュール１Ｂの部品配置］
　次に、第２高周波モジュール１Ｂの部品配置の一例について、図４及び図５を参照しながら具体的に説明する。

　図４は、実施の形態１に係る第２高周波モジュール１Ｂの平面図である。図５は、実施の形態１に係る第２高周波モジュール１Ｂの断面図である。図５における第２高周波モジュール１Ｂの断面は、図４のｖ－ｖ線における断面である。

　第２高周波モジュール１Ｂは、図１に示された回路に加えて、さらに、モジュール基板９１Ｂと、樹脂部材９２Ｂと、シールド電極層９３Ｂと、複数の外部接続端子１５０Ｂと、を備える。なお、図４では、樹脂部材９２Ｂ及びシールド電極層９３Ｂの図示が省略されている。さらに、図４及び図５では、一部を除いて、モジュール基板９１Ｂに配置された複数の部品を接続する配線及び電極の図示が省略されている。

　モジュール基板９１Ｂは、互いに対向する主面９１１Ｂ及び９１２Ｂを有する。本実施の形態では、モジュール基板９１Ｂは、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１Ｂの形状はこれに限定されない。モジュール基板９１Ｂとしては、ＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９１１Ｂには、電力増幅回路２２と、低雑音増幅回路２４と、デュプレクサ回路６２と、が配置されている。主面９１１Ｂ及び主面９１１Ｂ上の部品は、樹脂部材９２Ｂで覆われている。

　電力増幅回路２２は、例えば、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）、ＭＥＳＦＥＴ（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor）、又は、ＨＢＴで構成されている。ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ及びＨＢＴは、半導体材料を用いて製造されている。半導体材料としては、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることができるが、これに限定されない。なお、本実施の形態では、電力増幅回路２２は、電力増幅回路２１よりもサイズが大きく、より大きな最大出力パワーを実現することができる。

　低雑音増幅回路２４は、例えば、ＣＭＯＳを用いて構成され、具体的にはＳＯＩプロセスにより製造されてもよい。これにより、低雑音増幅回路２４を安価に製造することが可能となる。なお、低雑音増幅回路２４は、ガリウムヒ素、シリコンゲルマニウム及び窒化ガリウムのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な低雑音増幅回路２４を実現することができる。

　デュプレクサ回路６２は、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体共振フィルタのいずれを用いて構成されてもよく、さらには、これらには限定されない。なお、送信フィルタ回路６２Ｔは、送信フィルタ回路６１Ｔよりも高い耐電力性を実現するために、ＢＡＷフィルタ又は誘電体共振フィルタを用いて構成されてもよい。

　樹脂部材９２Ｂは、主面９１１Ｂ及び主面９１１Ｂ上の部品を覆っている。樹脂部材９２Ｂは、主面９１１Ｂ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材９２Ｂは、第２高周波モジュール１Ｂに含まれなくてもよい。

　シールド電極層９３Ｂは、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜であり、樹脂部材９２Ｂの上面及び側面と、モジュール基板９１Ｂの側面と、を覆うように形成されている。シールド電極層９３Ｂは、グランド電位に設定され、外来ノイズが第２高周波モジュール１Ｂを構成する部品に侵入することを抑制する。

　主面９１２Ｂには、複数の外部接続端子１５０Ｂが配置されている。複数の外部接続端子１５０Ｂは、図１に示した高周波出力端子１２２、入力端子１３１Ｂ、及び、入出力端子１３２Ｂに加えて、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０Ｂの各々は、第２高周波モジュール１Ｂのｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接合される。複数の外部接続端子１５０Ｂとしては、例えばバンプ電極を用いることができるが、これに限定されない。

　なお、図２～図５に示す部品の配置及び形状は、一例であり、これに限定されない。例えば、第１高周波モジュール１Ａに含まれる複数の部品のうちの一部又は全部は、モジュール基板９１Ａの主面９１２Ａに配置されてもよい。この場合、主面９１２Ａ及び主面９１２Ａ上の部品は樹脂部材で覆われてもよい。

　［１．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、第１高周波回路１１と、第２高周波回路１２と、アンテナ接続端子１００に接続される第１端子５１１、第１高周波回路１１に接続される第２端子５１２、及び、第２高周波回路１２に接続される第３端子５１３を有するスイッチ回路５１と、を備え、第１高周波回路１１は、第１パワークラスに対応する電力増幅回路２１と、電力増幅回路２１に接続され、バンドＡを含む通過帯域を有する送信フィルタ回路６１Ｔと、を備え、第２高周波回路１２は、第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスに対応する電力増幅回路２２と、電力増幅回路２２に接続され、バンドＡを含む通過帯域を有する送信フィルタ回路６２Ｔと、を備える。

　これによれば、第１パワークラスに対応する電力増幅回路２１と第２パワークラスに対応する電力増幅回路２２とが含まれるので、第１パワークラス及び第２パワークラスにそれぞれ適した特性を有する電力増幅回路２１及び２２を用いてバンドＡの信号を増幅することができる。また、電力増幅回路２１に送信フィルタ回路６１Ｔが接続され、電力増幅回路２２に送信フィルタ回路６２Ｔが接続されるので、第１パワークラス及び第２パワークラスにそれぞれ適した特性を有する送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔを用いることができる。したがって、バンドＡに適用されるパワークラスに応じて、当該パワークラスに適した特性を有する電力増幅回路及び送信フィルタ回路の組み合わせを用いることができ、第１パワークラス又は第２パワークラスの一方又は両方における信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、送信フィルタ回路６２Ｔは、送信フィルタ回路６１Ｔよりも高い耐電力性を有してもよい。

　これによれば、第１パワークラスの高周波信号が通過する送信フィルタ回路６１Ｔの耐電力性よりも、第２パワークラスの高周波信号が通過する送信フィルタ回路６２Ｔの耐電力性を高くすることができ、第１パワークラス及び第２パワークラスにそれぞれ適した特性を有する送信フィルタ回路６１Ｔ及び６２Ｔを用いることができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、送信フィルタ回路６１Ｔは、ＳＡＷフィルタで構成され、送信フィルタ回路６２Ｔは、ＢＡＷフィルタ、又は、誘電体共振フィルタで構成されてもよい。

　これによれば、高い耐電力性を実現可能なＢＡＷフィルタ又は誘電体共振フィルタで送信フィルタ回路６２Ｔを構成することで送信フィルタ回路６２Ｔの耐電力性を高くすることができる。一方、高い耐電力性が要求されない送信フィルタ回路６１ＴをＳＡＷフィルタで構成することで低コストを実現することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、電力増幅回路２１は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成され、電力増幅回路２２は、窒化ガリウムトランジスタで構成されてもよい。

　これによれば、高い出力パワーが要求される電力増幅回路２２を窒化ガリウムトランジスタで構成することで、電力効率の改善及びサイズの縮小を実現することができる。また、高い出力パワーが要求されない電力増幅回路２１をヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成することで、低コストを実現することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、スイッチ回路５１は、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に端子５１１を端子５１２に接続し、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に端子５１１を端子５１３に接続してもよい。

　これによれば、バンドＡに適用されるパワークラスによって送信信号の経路を切り替えることができる。したがって、バンドＡに適用されるパワークラスに応じて、当該パワークラスに適した特性を有する電力増幅回路及び送信フィルタ回路の組み合わせを選択することができ、第１パワークラス又は第２パワークラスの一方又は両方における信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１は、バンドＡの送信信号を外部から受けるための高周波入力端子１１１に接続される端子５２１、電力増幅回路２１に接続される端子５２２、及び、電力増幅回路２２に接続される端子５２３を有するスイッチ回路５２を備えてもよい。

　これによれば、バンドＡの送信信号を１つの高周波入力端子１１１で受けることができ、高周波回路１とＲＦＩＣ３との間で入出力端子数を削減することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、スイッチ回路５２は、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に、端子５２１を端子５２２に接続し、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に、端子５２１を端子５２３に接続してもよい。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、バンドＡは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１、Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ１２、並びに、５ＧＮＲのためのｎ４１及びｎ７１のいずれかであってもよい。

　これによれば、パワークラス１及び／又は１．５の採用が検討されているＬＴＥのためのＢａｎｄ４１、Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ１２、並びに、５ＧＮＲのためのｎ４１及びｎ７１において、信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１パワークラスは、パワークラス２又は３であり、第２パワークラスは、パワークラス１又は１．５であってもよい。

　これによれば、３ＧＰＰによるパワークラスの分類に適用することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１高周波回路１１は、モジュール基板９１Ａに実装され、第２高周波回路１２は、モジュール基板９１Ｂに実装されてもよい。

　これによれば、第１高周波回路１１と第２高周波回路１２とを別基板に実装することができる。したがって、第２高周波回路１２に含まれる電力増幅回路２２が発する熱の第１高周波回路１１へ影響を低減することができ、熱によって第１高周波回路１１の電気特性が劣化することを抑制することができる。また、第１高周波回路１１が分離されることで、第２高周波回路１２の放熱も容易となり、第２高周波回路１２の電気特性の劣化も抑制することができる。

　また、本実施の形態に係る高周波回路１において、スイッチ回路５１は、モジュール基板９１Ａに実装されてもよい。

　これによれば、スイッチ回路５１を第２高周波回路１２と別基板に実装することができ、熱によるスイッチ回路５１の電気特性の劣化を抑制することができる。

　本実施の形態に係る第１高周波モジュール１Ａは、モジュール基板９１Ａと、モジュール基板９１Ａに配置され、バンドＡの送信信号を外部から受けるための高周波入力端子１１１と、モジュール基板９１Ａに配置され、高周波入力端子１１１に接続され、第１パワークラスに対応する電力増幅回路２１と、モジュール基板９１Ａに配置され、電力増幅回路２１に接続される送信フィルタ回路６１Ｔと、モジュール基板９１Ａに配置され、第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまで増幅されたバンドＡの送信信号を外部から受けるための入出力端子１３２Ａと、モジュール基板９１Ａに配置され、アンテナ接続端子１００に接続される端子５１１、送信フィルタ回路６１Ｔに接続される端子５１２及び入出力端子１３２Ａに接続される端子５１３を有するスイッチ回路５１と、を備える。

　これによれば、第１高周波回路１１及びスイッチ回路５１を１つのモジュールとして実装することができ、上記高周波回路１の効果と同様の効果を奏することができる。

　また、本実施の形態に係る第１高周波モジュール１Ａにおいて、スイッチ回路５１は、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に、端子５１１を端子５１２に接続し、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に、端子５１１を端子５１３に接続してもよい。

　これによれば、バンドＡに適用されるパワークラスによって送信信号の経路を切り替えることができる。したがって、バンドＡに適用されるパワークラスに応じて、第１高周波モジュール１Ａ内で送信信号を増幅するか、第１高周波モジュール１Ａ外で送信信号を増幅するかを選択することができ、第１パワークラス又は第２パワークラスの一方又は両方における信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、バンドＡに加えて、バンドＢの信号を送受信可能な点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に、本実施の形態について図面を参照しながら説明する。

　［２．１　高周波回路１Ｃ及び通信装置５Ｃの回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１Ｃ及び通信装置５Ｃの回路構成について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施の形態２に係る高周波回路１Ｃ及び通信装置５Ｃの回路構成図である。

　［２．１．１　通信装置５Ｃの回路構成］
　本実施の形態に係る通信装置５Ｃは、図６に示すように、高周波回路１Ｃと、アンテナ２ａ及び２ｂと、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。

　アンテナ２ａ及び２ｂは、高周波回路１Ｃのアンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続されている。アンテナ２ａ及び２ｂの各々は、高周波回路１Ｃから高周波信号を受信して外部に出力し、外部から高周波信号を受信して高周波回路１Ｃへ出力する。

　［２．１．２　高周波回路１Ｃの回路構成］
　次に、高周波回路１Ｃの回路構成について説明する。図６に示すように、高周波回路１Ｃは、第１高周波回路１１と、第２高周波回路１２と、第３高周波回路１３と、スイッチ回路５１Ｃ及び５２と、アンテナ接続端子１０１及び１０２、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１～１２３と、を備える。

　スイッチ回路５１Ｃは、第１スイッチ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０１及び１０２と第１高周波回路１１、第２高周波回路１２及び第３高周波回路１３との間に接続されている。スイッチ回路５１Ｃは、例えばマルチ接続型のスイッチを用いて構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合もある。

　スイッチ回路５１Ｃは、端子５１１～５１３に加えて、端子５１４及び５１５を有する。端子５１４は、第７端子の一例であり、第３高周波回路１３に接続されている。端子５１１及び５１５は、アンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続されている。

　この接続構成において、スイッチ回路５１Ｃは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１及び５１５を端子５１２～５１４に接続することができる。つまり、スイッチ回路５１Ｃは、第１高周波回路１１、第２高周波回路１２及び第３高周波回路１３をアンテナ接続端子１０１及び１０２に接続することができる。具体的には、バンドＡが第１パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５１Ｃは、端子５１１又は５１５を端子５１２に接続する。一方、バンドＡが第２パワークラスで用いられる場合に、スイッチ回路５１Ｃは、端子５１１又は５１５を端子５１３に接続する。また、バンドＢが用いられる場合に、スイッチ回路５１Ｃは、端子５１１又は５１５を端子５１４に接続する。なお、バンドＡ及びＢは、同時使用が許容されてもよい。

　第３高周波回路１３は、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１２及び高周波出力端子１２３との間に接続される。第３高周波回路１３は、電力増幅回路２５と、低雑音増幅回路２６と、デュプレクサ回路６３と、を備える。

　電力増幅回路２５は、第３電力増幅回路の一例であり、第１パワークラスに対応している。つまり、電力増幅回路２５は、第１パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまでバンドＢの送信信号を増幅することができる。電力増幅回路２５は、高周波入力端子１１２と送信フィルタ回路６３Ｔとの間に接続される。具体的には、電力増幅回路２５の入力端は、高周波入力端子１１２に接続される。一方、電力増幅回路２５の出力端は、送信フィルタ回路６３Ｔに接続される。

　低雑音増幅回路２６は、バンドＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅回路２６の入力端は、受信フィルタ回路６３Ｒに接続され、低雑音増幅回路２６の出力端は、高周波出力端子１２１に接続されている。

　デュプレクサ回路６３は、バンドＢの高周波信号を通過させることができる。デュプレクサ回路６３は、バンドＢの送信信号と受信信号とを、ＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ回路６３は、送信フィルタ回路６３Ｔ及び受信フィルタ回路６３Ｒを含む。

　バンドＡとしては、５ＧＮＲのためのｎ４１を用いることができる。バンドＢとしては、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ６６、Ｂａｎｄ１２及びＢａｎｄ２５のいずれかを用いることができる。この場合、バンドＡ及びＢの同時送信が許容される。

　送信フィルタ回路６３Ｔ（Ｂ－Ｔｘ）は、第３フィルタ回路の一例であり、バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、送信フィルタ回路６３Ｔは、バンドＢの送信信号を通過させることができる。送信フィルタ回路６３Ｔは、電力増幅回路２５とアンテナ接続端子１００との間に接続される。具体的には、送信フィルタ回路６３Ｔの入力端は、電力増幅回路２５の出力端に接続される。一方、送信フィルタ回路６３Ｔの出力端は、スイッチ回路５１Ｃを介してアンテナ接続端子１００に接続される。

　受信フィルタ回路６３Ｒ（Ｂ－Ｒｘ）は、バンドＢのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。これにより、受信フィルタ回路６３Ｒは、バンドＢの受信信号を通過させることができる。受信フィルタ回路６３Ｒは、アンテナ接続端子１００と低雑音増幅回路２４との間に接続される。具体的には、受信フィルタ回路６３Ｒの入力端は、スイッチ回路５１Ｃを介してアンテナ接続端子１００に接続される。一方、受信フィルタ回路６１Ｒの出力端は、低雑音増幅回路２６の入力端に接続される。

　高周波回路１Ｃは、２つの第１高周波モジュール１ＡＣ及び第２高周波モジュール１Ｂに分かれて実装されている。具体的には、第１高周波モジュール１ＡＣには、スイッチ回路５１Ｃ及び５２と第１高周波回路１１と第３高周波回路１３とが実装され、第２高周波モジュール１Ｂには、第２高周波回路１２が実装されている。

　［２．２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃは、第３高周波回路１３を備え、第３高周波回路１３は、電力増幅回路２５と、電力増幅回路２５に接続され、バンドＢを含む通過帯域を有する送信フィルタ回路６３Ｔと、を備え、スイッチ回路５１Ｃは、第３高周波回路１３に接続される端子５１４を有する。

　これによれば、高周波回路１Ｃは、バンドＡに加えてバンドＢの信号の送信に対応することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃにおいて、バンドＡは、５ＧＮＲのためのｎ４１であり、バンドＢは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ６６、Ｂａｎｄ１２及びＢａｎｄ２５のいずれかであってもよい。

　これによれば、パワークラス１．５の採用が検討されている５ＧＮＲのためのｎ４１において、信号品質又は電力効率の劣化を抑制することができる。さらに、５ＧＮＲのためのｎ４１と同時送信可能なＬＴＥのためのＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ６６、Ｂａｎｄ１２及びＢａｎｄ２５のいずれかにも対応することができる。

　（変形例１）
　次に、実施の形態１又は２の変形例１について説明する。本変形例に係る高周波回路１又は１Ｃは、電力増幅回路２２の代わりに差動増幅型の電力増幅回路２２Ａを備える点が、上記実施の形態１及び２と主として異なる。以下に、本変形例に係る電力増幅回路２２Ａの回路構成について図７を参照しながら具体的に説明する。

　図７は、変形例１に係る電力増幅回路２２Ａの回路構成図である。電力増幅回路２２Ａは、電力増幅器２２１Ａ～２２３Ａと、分配器２２４Ａと、合成器２２５Ａと、スイッチ回路５２の端子５２３に接続される入力端子２２６と、送信フィルタ回路６２Ｔの入力端に接続される出力端子２２７と、を備える。

　分配器２２４Ａは、第１トランスフォーマであり、１つの信号を互いに逆相の２つの信号に分配することができる。つまり、分配器２２４Ａは、シングルエンド信号を差動信号に変換することができる。分配器２２４Ａは、入力端子２２４１Ａと、出力端子２２４２Ａ及び２２４３Ａと、コイル２２４４Ａと、コイル２２４５Ａと、を備える。

　入力端子２２４１Ａは、第１入力端子の一例であり、電力増幅器２２３Ａの出力端に接続されている。出力端子２２４２Ａは、第１出力端子の一例であり、電力増幅器２２１Ａの入力端に接続されている。出力端子２２４３Ａは、第２出力端子の一例であり、電力増幅器２２２Ａの入力端に接続されている。

　コイル２２４４Ａは、第１コイルの一例であり、第１トランスフォーマの一次側コイルである。コイル２２４４Ａの一端は、入力端子２２４１Ａに接続されている。コイル２２４４Ａの他端は、第１電源（電源電圧Ｖｃｃ１）に接続されている。

　コイル２２４５Ａは、第２コイルの一例であり、第１トランスフォーマの二次側コイルである。コイル２２４５Ａの一端は、出力端子２２４２Ａに接続されている。コイル２２４５Ａの他端は、出力端子２２４３Ａに接続されている。

　合成器２２５Ａは、第２トランスフォーマであり、互いに逆相の２つの信号を１つの信号に合成することができる。つまり、合成器２２５Ａは、差動信号をシングルエンド信号に変換することができる。合成器２２５Ａは、入力端子２２５１Ａ及び２２５２Ａと、出力端子２２５３Ａと、コイル２２５４Ａと、コイル２２５５Ａと、を備える。

　入力端子２２５１Ａは、第２入力端子の一例であり、電力増幅器２２１Ａの出力端に接続されている。入力端子２２５２Ａは、第３入力端子の一例であり、電力増幅器２２２Ａの出力端に接続されている。出力端子２２５３Ａは、第３出力端子の一例であり、電力増幅回路２２Ａの出力端子２２７に接続されている。

　コイル２２５４Ａは、第３コイルの一例であり、第２トランスフォーマの一次側コイルである。コイル２２５４Ａの一端は、入力端子２２５１Ａに接続されている。コイル２２５４Ａの他端は、入力端子２２５２Ａに接続されている。コイル２２５４Ａの中点は、第２電源（電源電圧Ｖｃｃ２）に接続されている。

　コイル２２５５Ａは、第４コイルの一例であり、第２トランスフォーマの二次側コイルである。コイル２２５５Ａの一端は、出力端子２２５３Ａに接続されている。コイル２２５５Ａの他端は、グランドに接続されている。

　電力増幅器２２１Ａは、第１電力増幅器の一例であり、分配器２２４Ａによって分配された信号の一方を増幅することができる。電力増幅器２２１Ａの入力端は、分配器２２４Ａの出力端子２２４２Ａに接続されている。電力増幅器２２１Ａの出力端は、合成器２２５Ａの入力端子２２５１Ａに接続されている。

　電力増幅器２２２Ａは、第２電力増幅器の一例であり、分配器２２４Ａによって分配された信号の他方を増幅することができる。電力増幅器２２２Ａの入力端は、分配器２２４Ａの出力端子２２４３Ａに接続されている。電力増幅器２２２Ａの出力端は、合成器２２５Ａの入力端子２２５２Ａに接続されている。

　電力増幅器２２３Ａは、入力端子２２６を介して受けたバンドＡの送信信号を増幅することができる。電力増幅器２２３Ａの入力端は入力端子２２６に接続され、電力増幅器２２３Ａの出力端は分配器２２４Ａの入力端子２２４１Ａに接続されている。

　なお、図７に示す電力増幅回路２２Ａの回路構成は、差動増幅型の増幅回路の例示であり、これに限定されない。例えば、図７に表された複数のインダクタ及びキャパシタの一部又は全部は、電力増幅回路２２Ａに含まれなくてもよい。また、電力増幅器２２３Ａも、電力増幅回路２２Ａに含まれなくてもよい。

　以上のように、本変形例に係る電力増幅回路２２Ａは、電力増幅器２２１Ａと、電力増幅器２２２Ａと、入力端子２２４１Ａ、電力増幅器２２１Ａの入力端に接続される出力端子２２４２Ａ、及び、電力増幅器２２２Ａの入力端に接続される出力端子２２４３Ａを有する分配器２２４Ａと、電力増幅器２２１Ａの出力端に接続される入力端子２２５１Ａ、電力増幅器２２２Ａの出力端に接続される入力端子２２５２Ａ、及び、出力端子２２５３Ａを有する合成器２２５Ａと、を備える。

　これによれば、分配器２２４Ａで分配されたバンドＡの送信信号を２つの電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａで別々に増幅することができる。したがって、電力増幅回路２２Ａは、２つの電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａに負荷を分散することができ、より高い出力パワーを実現することができる。

　また例えば、本変形例に係る電力増幅回路２２Ａにおいて、分配器２２４Ａは、コイル２２４４Ａ及びコイル２２４５Ａを有する第１トランスフォーマであり、コイル２２４４Ａの一端は、入力端子２２４１Ａに接続され、コイル２２４５Ａの一端は、出力端子２２４２Ａに接続され、コイル２２４５Ａの他端は、出力端子２２４３Ａに接続され、合成器２２５Ａは、コイル２２５４Ａ及びコイル２２５５Ａを有する第２トランスフォーマであり、コイル２２５４Ａの一端は、入力端子２２５１Ａに接続され、コイル２２５４Ａの他端は、入力端子２２５２Ａに接続され、コイル２２５５Ａの一端は、出力端子２２５３Ａに接続され、コイル２２５５Ａの他端は、グランドに接続されている。

　これによれば、分配器２２４Ａ及び合成器２２５Ａとしてトランスフォーマが用いられるので、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａは反転位相にて動作する。このとき、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａの基本波での電流が反転位相、つまり逆方向に流れるため、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａから略等距離に配置されたグランド配線及び電源配線へは基本波の電流が流れにくくなる。このため、グランド配線及び電源配線への不要な電流の流れこみを抑制できるので、従来の電力増幅器に見られる電力利得（パワーゲイン）の低下を抑制することが可能となる。また、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａでそれぞれ増幅された差動信号が合成されるので、差動信号に同様に重畳されたノイズ成分を相殺でき、偶数次の高調波成分を低減することができる。

　（変形例２）
　次に、実施の形態１又は２の変形例２について説明する。本変形例に係る高周波回路１又は１Ｃは、電力増幅回路２２の代わりにウィルキンソン型の電力増幅回路２２Ｂを備える点が、上記実施の形態１及び２と主として異なる。以下に、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｂの回路構成について図８を参照しながら説明する。

　図８は、変形例２に係る電力増幅回路２２Ｂの回路構成図である。電力増幅回路２２Ｂは、電力増幅器２２１Ｂ～２２３Ｂと、分配器２２４Ｂと、合成器２２５Ｂと、入力端子２２６と、出力端子２２７と、を備える。

　分配器２２４Ｂは、ウィルキンソン分配器であり、１つの信号を同相の２つの信号に分配することができる。分配器２２４Ｂは、入力端子２２４１Ｂと、出力端子２２４２Ｂ及び２２４３Ｂと、１／４波長線路（λ／４線路）２２４４Ｂ及び２２４５Ｂと、抵抗２２４６Ｂと、を備える。

　入力端子２２４１Ｂは、第１入力端子の一例であり、電力増幅器２２３Ｂの出力端及び第１電源（電源電圧Ｖｃｃ１）に接続されている。出力端子２２４２Ｂは、第１出力端子の一例であり、電力増幅器２２１Ｂの入力端に接続されている。出力端子２２４３Ｂは、第２出力端子の一例であり、電力増幅器２２２Ｂの入力端に接続されている。

　１／４波長線路２２４４Ｂの入力端は、入力端子２２４１Ｂに接続されている。１／４波長線路２２４４Ｂの出力端は、出力端子２２４２Ｂに接続されている。

　１／４波長線路２２４５Ｂの入力端は、入力端子２２４１Ｂに接続されている。１／４波長線路２２４５Ｂの出力端は、出力端子２２４３Ｂに接続されている。

　抵抗２２４６Ｂは、１／４波長線路２２４４Ｂの出力端と１／４波長線路２２４５Ｂの出力端との間に直列接続されている。

　合成器２２５Ｂは、ウィルキンソン合成器であり、同相の２つの信号を１つの信号に合成することができる。合成器２２５Ｂは、入力端子２２５１Ｂ及び２２５２Ｂと、出力端子２２５３Ｂと、１／４波長線路２２５４Ｂ及び２２５５Ｂと、抵抗２２５６Ｂを備える。

　入力端子２２５１Ｂは、第２入力端子の一例であり、電力増幅器２２１Ｂの出力端及び第２電源（電源電圧Ｖｃｃ２）に接続されている。入力端子２２５２Ｂは、第３入力端子の一例であり、電力増幅器２２２Ｂの出力端及び第２電源（電源電圧Ｖｃｃ２）に接続されている。出力端子２２５３Ｂは、第３出力端子の一例であり、電力増幅回路２２Ｂの出力端子２２７に接続されている。

　１／４波長線路２２５４Ｂの入力端は、入力端子２２５１Ｂに接続されている。１／４波長線路２２５４Ｂの出力端は、出力端子２２５３Ｂに接続されている。

　１／４波長線路２２５５Ｂの入力端は、入力端子２２５２Ｂに接続されている。１／４波長線路２２５５Ｂの出力端は、出力端子２２５３Ｂに接続されている。

　抵抗２２５６Ｂは、１／４波長線路２２４４Ｂの入力端と１／４波長線路２２４５Ｂの入力端との間に直列接続されている。

　電力増幅器２２１Ｂは、第１電力増幅器の一例であり、分配器２２４Ｂによって分配された信号の一方を増幅することができる。電力増幅器２２１Ｂの入力端は、分配器２２４Ｂの出力端子２２４２Ｂに接続されている。電力増幅器２２１Ｂの出力端は、合成器２２５Ｂの入力端子２２５１Ｂに接続されている。

　電力増幅器２２２Ｂは、第２電力増幅器の一例であり、分配器２２４Ｂによって分配された信号の他方を増幅することができる。電力増幅器２２２Ｂの入力端は、分配器２２４Ｂの出力端子２２４３Ｂに接続されている。電力増幅器２２２Ｂの出力端は、合成器２２５Ｂの入力端子２２５２Ｂに接続されている。

　電力増幅器２２３Ｂは、入力端子２２６を介して受けたバンドＢの送信信号を増幅することができる。電力増幅器２２３Ｂの入力端は入力端子２２６に接続され、電力増幅器２２３Ｂの出力端は分配器２２４Ｂの入力端子２２４１Ｂに接続されている。

　なお、図８に示す電力増幅回路２２Ｂの回路構成は、ウィルキンソン型の増幅回路の例示であり、これに限定されない。例えば、図８に表された複数のインダクタ及びキャパシタの一部又は全部は、電力増幅回路２２Ｂに含まれなくてもよい。また、電力増幅器２２３Ｂも、電力増幅回路２２Ｂに含まれなくてもよい。

　以上のように、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｂは、電力増幅器２２１Ｂと、電力増幅器２２２Ｂと、入力端子２２４１Ｂ、電力増幅器２２１Ｂの入力端に接続される出力端子２２４２Ｂ、及び、電力増幅器２２２Ｂの入力端に接続される出力端子２２４３Ｂを有する分配器２２４Ｂと、電力増幅器２２１Ｂの出力端に接続される入力端子２２５１Ｂ、電力増幅器２２２Ｂの出力端に接続される入力端子２２５２Ｂ、及び、出力端子２２５３Ｂを有する合成器２２５Ｂと、を備える。

　これによれば、分配器２２４Ｂで分配されたバンドＡの送信信号を２つの電力増幅器２２１Ｂ及び２２２Ｂで別々に増幅することができる。したがって、電力増幅回路２２Ｂは、２つの電力増幅器２２１Ｂ及び２２２Ｂに負荷を分散することができ、より高い出力パワーを実現することができる。

　また例えば、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｂにおいて、分配器２２４Ｂは、ウィルキンソン分配器であり、合成器２２５Ｂは、ウィルキンソン合成器であってもよい。

　これによれば、分配器２２４Ｂ及び合成器２２５Ｂとして、ウィルキンソン回路が用いられるので、１つの信号を２つの同相の信号に効率的に分配し、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａで増幅された２つの同相の信号を効率的に合成することができる。

　（変形例３）
　次に、実施の形態１又は２の変形例３について説明する。本変形例に係る高周波回路１又は１Ｃは、送信フィルタ回路６２Ｔの代わりに、電力増幅器２２１Ａ及び２２２Ａと合成器２２５Ａとの間にそれぞれ接続された２つの送信フィルタ６２１ＴＣ及び６２２ＴＣを有する送信フィルタ回路６２ＴＣを備える点が、上記変形例１と主として異なる。以下に、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｃ及び送信フィルタ回路６２ＴＣの回路構成について、上記変形例１と異なる点を中心に図９を参照しながら説明する。

　図９は、変形例３に係る電力増幅回路２２Ｃ及び送信フィルタ回路６２ＴＣの回路構成図である。電力増幅回路２２Ｃは、電力増幅器２２１Ａ～２２３Ａと、分配器２２４Ａと、合成器２２５Ａと、スイッチ回路５２の端子５２３に接続される入力端子２２６と、スイッチ回路５１又は５１Ｃの端子５１３に接続される出力端子２２７と、送信フィルタ回路６２ＴＣと、を備える。送信フィルタ回路６２ＴＣは、送信フィルタ６２１ＴＣ及び６２２ＴＣを備える。

　送信フィルタ６２１ＴＣは、第２フィルタ回路に含まれる第１フィルタの一例であり、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２１ＴＣの入力端は、電力増幅器２２１Ａの出力端に接続されている。送信フィルタ６２１ＴＣの出力端は、合成器２２５Ａの入力端子２２５１Ａに接続されている。

　送信フィルタ６２２ＴＣは、第２フィルタ回路に含まれる第２フィルタの一例であり、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２２ＴＣの入力端は、電力増幅器２２２Ａの出力端に接続されている。送信フィルタ６２２ＴＣの出力端は、合成器２２５Ａの入力端子２２５２Ａに接続されている。

　以上のように、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｃにおいて、送信フィルタ回路６２ＴＣは、一端が電力増幅器２２１Ａの出力端に接続され、他端が合成器２２５Ａの入力端子２２５１Ａに接続される送信フィルタ６２１ＴＣと、一端が電力増幅器２２２Ａの出力端に接続され、他端が合成器２２５Ａの入力端子２２５２Ａに接続される送信フィルタ６２２ＴＣと、を備える。

　これによれば、分配器２２４Ａで分配された２つの信号が２つの送信フィルタ６２１ＴＣ及び６２２ＴＣをそれぞれ通過する。したがって、合成器２２５Ａで合成された信号が通過する送信フィルタに必要な耐電力性よりも低い耐電力性を有する２つの送信フィルタを用いることができる。

　（変形例４）
　次に、実施の形態１又は２の変形例４について説明する。本変形例に係る高周波回路１又は１Ｃは、送信フィルタ回路６２Ｔの代わりに、電力増幅器２２１Ｂ及び２２２Ｂと合成器２２５Ｂとの間にそれぞれ接続された２つの送信フィルタ６２１ＴＤ及び６２２ＴＤを有する送信フィルタ回路６２ＴＤを備える点が、上記変形例２と主として異なる。以下に、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｄ及び送信フィルタ回路６２ＴＤの回路構成について、上記変形例２と異なる点を中心に図１０を参照しながら説明する。

　図１０は、変形例４に係る電力増幅回路２２Ｄ及び送信フィルタ回路６２ＴＤの回路構成図である。電力増幅回路２２Ｄは、電力増幅器２２１Ｂ～２２３Ｂと、分配器２２４Ｂと、合成器２２５Ｂと、スイッチ回路５２の端子５２３に接続される入力端子２２６と、スイッチ回路５１又は５１Ｃの端子５１３に接続される出力端子２２７と、送信フィルタ回路６２ＴＤと、を備える。送信フィルタ回路６２ＴＤは、送信フィルタ６２１ＴＤ及び６２２ＴＤを備える。

　送信フィルタ６２１ＴＤは、第２フィルタ回路に含まれる第１フィルタの一例であり、バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２１ＴＤの入力端は、電力増幅器２２１Ｂの出力端に接続されている。送信フィルタ６２１ＴＤの出力端は、合成器２２５Ｂの入力端子２２５１Ｂに接続されている。

　送信フィルタ６２２ＴＤは、第２フィルタ回路に含まれる第２フィルタの一例であり、バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２２ＴＤの入力端は、電力増幅器２２２Ｂの出力端に接続されている。送信フィルタ６２２ＴＤの出力端は、合成器２２５Ｂの入力端子２２５２Ｂに接続されている。

　以上のように、本変形例に係る電力増幅回路２２Ｄは、送信フィルタ回路６２ＴＤは、一端が電力増幅器２２１Ｂの出力端に接続され、他端が合成器２２５Ｂの入力端子２２５１Ｂに接続される送信フィルタ６２１ＴＤと、一端が電力増幅器２２２Ｂの出力端に接続され、他端が合成器２２５Ｂの入力端子２２５２Ｂに接続される送信フィルタ６２２ＴＤと、を備える。

　これによれば、分配器２２４Ｂで分配された２つの信号が２つの送信フィルタ６２１ＴＤ及び６２２ＴＤをそれぞれ通過する。したがって、合成器２２５Ｂで合成された１つの信号が通過する送信フィルタに必要な耐電力性よりも低い耐電力性を有する２つの送信フィルタを用いることができる。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路及び高周波モジュールについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路及び高周波モジュールは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態に係る高周波回路及び通信装置の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、送信フィルタ回路６１Ｔと電力増幅回路２１との間、及び／又は、送信フィルタ回路６２Ｔと電力増幅回路２２との間にインピーダンス整合回路が挿入されてもよい。このとき、インピーダンス整合回路は、例えば、インダクタ及び／又はキャパシタにより構成することができる。

　なお、上記各実施の形態では、高周波回路１又は１Ｃは、ＦＤＤ用バンドに対応していたが、これに限定されない。例えば、高周波回路１及び／又は１Ｃは、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用バンドに対応してもよく、ＦＤＤ用バンド及びＴＤＤ用バンドの両方に対応してもよい。この場合、高周波回路１及び／又は１Ｃは、ＴＤＤ用のバンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路と、送信及び受信を切り替えるスイッチ回路とを備えればよい。

　なお、上記実施の形態１に係る通信装置５は１つのアンテナ２を備え、上記実施の形態２に係る通信装置５Ｃは、２つのアンテナ２ａ及び２ｂを備えていたが、アンテナの数は、これに限定されない。例えば、通信装置５が２つのアンテナを備えて、通信装置５Ｃが１つのアンテナのみを備えてもよい。また、通信装置５及び５Ｃの各々は、３以上のアンテナを備えてもよい。

　なお、上記実施の形態２では、２つのバンドの信号を送受信可能であってが、バンドの数は、これに限定されない。高周波モジュールは、３以上のバンドに対応してもよい。

　なお、上記実施の形態１では、スイッチ回路５１は、第１高周波回路１１が実装されたモジュール基板９１Ａに実装されていたが、第２高周波回路１２が実装されたモジュール基板９１Ｂに実装されてもよく、スイッチ回路５１は、化合物半導体で構成されてもよい。化合物半導体としては、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化ガリウム（III）（Ｇａ_２Ｏ_３）、又は、ガリウムビスマス（ＧａＢｉ）等を用いることができるが、これらに限定されない。これによれば、スイッチ回路５１がモジュール基板９１Ｂに実装される場合に、熱によるスイッチ回路５１の電気特性の劣化を抑制することができる。なお、実施の形態２においても同様に、スイッチ回路５１Ｃは、モジュール基板９１Ｂに実装されてもよい。

　なお、上記各実施の形態では、第１高周波モジュールは、送受信用モジュールであったが、受信専用モジュールであってもよい。つまり、第１高周波回路１１には、低雑音増幅回路２３が含まれればよく、電力増幅回路２１が含まれなくてもよい。同様に、実施の形態２における第３高周波回路１３に電力増幅回路２５が含まれなくてもよい。これによれば、スイッチ回路５１及び５１Ｃが受信専用モジュールに実装されるので、熱によるスイッチ回路５１及び５１Ｃの電気特性の劣化を抑制することができる。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ｃ　高周波回路
　１Ａ、１ＡＣ　第１高周波モジュール
　１Ｂ　第２高周波モジュール
　２、２ａ、２ｂ　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５、５Ｃ　通信装置
　１１　第１高周波回路
　１２　第２高周波回路
　１３　第３高周波回路
　２１、２２、２５、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ　電力増幅回路
　２３、２４、２６　低雑音増幅回路
　５１、５１Ｃ、５２　スイッチ回路
　６１、６２、６３　デュプレクサ回路
　６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ　受信フィルタ回路
　６１Ｔ、６２Ｔ、６２ＴＣ、６２ＴＤ、６３Ｔ　送信フィルタ回路
　９１Ａ、９１Ｂ　モジュール基板
　９２Ａ、９２Ｂ　樹脂部材
　９３Ａ、９３Ｂ　シールド電極層
　１００、１０１、１０２　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　高周波入力端子
　１２１、１２２、１２３　高周波出力端子
　１３１Ａ、２２７、２２４２Ａ、２２４２Ｂ、２２４３Ａ、２２４３Ｂ、２２５３Ａ、２２５３Ｂ　出力端子
　１３１Ｂ、２２６、２２４１Ａ、２２４１Ｂ、２２５１Ａ、２２５１Ｂ、２２５２Ａ、２２５２Ｂ　入力端子
　１３２Ａ、１３２Ｂ　入出力端子
　１５０Ａ、１５０Ｂ　外部接続端子
　２２１Ａ、２２１Ｂ、２２２Ａ、２２２Ｂ、２２３Ａ、２２３Ｂ　電力増幅器
　２２４Ａ、２２４Ｂ　分配器
　２２５Ａ、２２５Ｂ　合成器
　５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５２１、５２２、５２３　端子
　６２１ＴＣ、６２１ＴＤ、６２２ＴＣ、６２２ＴＤ　送信フィルタ
　９１１Ａ、９１１Ｂ、９１２Ａ、９１２Ｂ　主面
　２２４４Ａ、２２４５Ａ、２２５４Ａ、２２５５Ａ　コイル
　２２４４Ｂ、２２４５Ｂ、２２５４Ｂ、２２５５Ｂ　１／４波長線路
　２２４６Ｂ、２２５６Ｂ　抵抗

Claims

　第１高周波回路と、
　第２高周波回路と、
　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１高周波回路に接続される第２端子、及び、前記第２高周波回路に接続される第３端子を有する第１スイッチ回路と、を備え、
　前記第１高周波回路は、
　第１パワークラスに対応する第１電力増幅回路と、
　前記第１電力増幅回路に接続され、第１バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、を備え、
　前記第２高周波回路は、
　前記第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスに対応する第２電力増幅回路と、
　前記第２電力増幅回路に接続され、前記第１バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、を備える、
　高周波回路。
　前記第２フィルタ回路は、前記第１フィルタ回路よりも高い耐電力性を有する、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記第１フィルタ回路は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタで構成され、
　前記第２フィルタ回路は、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、又は、誘電体共振フィルタで構成されている、
　請求項２に記載の高周波回路。
　前記第２電力増幅回路は、
　第１電力増幅器と、
　第２電力増幅器と、
　第１入力端子、前記第１電力増幅器の入力端に接続される第１出力端子、及び、前記第２電力増幅器の入力端に接続される第２出力端子を有する分配器と、
　前記第１電力増幅器の出力端に接続される第２入力端子、前記第２電力増幅器の出力端に接続される第３入力端子、及び、第３出力端子を有する合成器と、を備える、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第２フィルタ回路は、
　一端が前記第１電力増幅器の出力端に接続され、他端が前記合成器の前記第２入力端子に接続される第１フィルタと、
　一端が前記第２電力増幅器の出力端に接続され、他端が前記合成器の前記第３入力端子に接続される第２フィルタと、を備える、
　請求項４に記載の高周波回路。
　前記分配器は、第１コイル及び第２コイルを有する第１トランスフォーマであり、
　前記第１コイルの一端は、前記第１入力端子に接続され、
　前記第２コイルの一端は、前記第１出力端子に接続され、
　前記第２コイルの他端は、前記第２出力端子に接続され、
　前記合成器は、第３コイル及び第４コイルを有する第２トランスフォーマであり、
　前記第３コイルの一端は、前記第２入力端子に接続され、
　前記第３コイルの他端は、前記第３入力端子に接続され、
　前記第４コイルの一端は、前記第３出力端子に接続され、
　前記第４コイルの他端は、グランドに接続されている、
　請求項４又は５に記載の高周波回路。
　前記分配器は、ウィルキンソン分配器であり、
　前記合成器は、ウィルキンソン合成器である、
　請求項４又は５に記載の高周波回路。
　前記第１電力増幅回路は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成され、
　前記第２電力増幅回路は、窒化ガリウムトランジスタ又は炭化シリコントランジスタで構成されている、
　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１スイッチ回路は、
　前記第１バンドが前記第１パワークラスで用いられる場合に、前記第１端子を前記第２端子に接続し、
　前記第１バンドが前記第２パワークラスで用いられる場合に、前記第１端子を前記第３端子に接続する、
　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記高周波回路は、前記第１バンドの送信信号を外部から受けるための入力端子に接続される第４端子、前記第１電力増幅回路に接続される第５端子、及び、前記第２電力増幅回路に接続される第６端子を有する第２スイッチ回路を備える、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第２スイッチ回路は、
　前記第１バンドが前記第１パワークラスで用いられる場合に、前記第４端子を前記第５端子に接続し、
　前記第１バンドが前記第２パワークラスで用いられる場合に、前記第４端子を前記第６端子に接続する、
　請求項１０に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、ＬＴＥ（Long Term Evolution）のためのＢａｎｄ４１、Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ１２、並びに、５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）のためのｎ４１及びｎ７１のいずれかである、
　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記高周波回路は、第３高周波回路を備え、
　前記第３高周波回路は、
　第３電力増幅回路と、
　前記第３電力増幅回路に接続され、第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタ回路と、を備え、
　前記第１スイッチ回路は、前記第３高周波回路に接続される第７端子を有する、
　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１バンドは、５ＧＮＲのためのｎ４１であり、
　前記第２バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ６６、Ｂａｎｄ１２及びＢａｎｄ２５のいずれかである、
　請求項１３に記載の高周波回路。
　前記第１パワークラスは、パワークラス２又は３であり、
　前記第２パワークラスは、パワークラス１又は１．５である、
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１高周波回路は、第１モジュール基板に実装され、
　前記第２高周波回路は、第２モジュール基板に実装されている、
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１スイッチ回路は、前記第１モジュール基板に実装されている、
　請求項１６に記載の高周波回路。
　モジュール基板と、
　前記モジュール基板に配置され、第１バンドの送信信号を外部から受けるための第１入力端子と、
　前記モジュール基板に配置され、前記第１入力端子に接続され、第１パワークラスに対応する電力増幅回路と、
　前記モジュール基板に配置され、前記電力増幅回路に接続されるフィルタ回路と、
　前記モジュール基板に配置され、前記第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスの最大出力パワーを満たすパワーまで増幅された前記第１バンドの送信信号を外部から受けるための第２入力端子と、
　前記モジュール基板に配置され、アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記フィルタ回路に接続される第２端子及び前記第２入力端子に接続される第３端子を有するスイッチ回路と、を備える、
　高周波モジュール。
　前記スイッチ回路は、
　前記第１バンドが前記第１パワークラスで用いられる場合に、前記第１端子を前記第２端子に接続し、
　前記第１バンドが前記第２パワークラスで用いられる場合に、前記第１端子を前記第３端子に接続する、
　請求項１８に記載の高周波モジュール。
　第１高周波回路と、
　第２高周波回路と、
　アンテナ接続端子に接続される第１端子、前記第１高周波回路に接続される第２端子、及び、前記第２高周波回路に接続される第３端子を有するスイッチ回路と、を備え、
　前記第１高周波回路は、
　第１パワークラス及び前記第１パワークラスよりも最大出力パワーが大きい第２パワークラスで用いられる第１バンドの受信に対応する低雑音増幅回路と、
　前記低雑音増幅回路に接続され、第１バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、を備え、
　前記第２高周波回路は、
　前記第２パワークラスに対応する電力増幅回路と、
　前記電力増幅回路に接続され、前記第１バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、を備え、
　前記第１高周波回路及び前記スイッチ回路は、第１モジュール基板に実装され、
　前記第２高周波回路は、第２モジュール基板に実装されている、
　高周波回路。