WO2022114448A1 - 신규한 유기 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
신규한 유기 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022114448A1 WO2022114448A1 PCT/KR2021/009983 KR2021009983W WO2022114448A1 WO 2022114448 A1 WO2022114448 A1 WO 2022114448A1 KR 2021009983 W KR2021009983 W KR 2021009983W WO 2022114448 A1 WO2022114448 A1 WO 2022114448A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- formula
- group
- substituted
- carbon atoms
- unsubstituted
- Prior art date
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 296
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 122
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 106
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 73
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 51
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 46
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 27
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 22
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 20
- -1 anthracene compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 17
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 16
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000005240 diheteroarylamino group Chemical group 0.000 claims description 13
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005377 alkyl thioxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005165 aryl thioxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 3
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M benzethonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1OCCOCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006588 heterocycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 152
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 132
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 15
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 10
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- JRGGUPZKKTVKOV-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Br)=C1 JRGGUPZKKTVKOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OTKPPUXRIADSGD-PPRNARJGSA-N avoparcina Chemical compound O([C@@H]1C2=CC=C(C(=C2)Cl)OC=2C=C3C=C(C=2O[C@H]2C([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O[C@@H]2O[C@@H](C)[C@H](O)[C@H](N)C2)OC2=CC=C(C=C2)[C@@H](O)[C@H](C(N[C@H](C(=O)N[C@H]3C(=O)N[C@H]2C(=O)N[C@@H]1C(N[C@@H](C1=CC(O)=CC(O)=C1C=1C(O)=CC=C2C=1)C(O)=O)=O)C=1C=CC(O)=CC=1)=O)NC(=O)[C@H](NC)C=1C=CC(O[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O2)O)=CC=1)[C@H]1C[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O1 OTKPPUXRIADSGD-PPRNARJGSA-N 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SRWDQSRTOOMPMO-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=CSC2=C1 SRWDQSRTOOMPMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N triflic anhydride Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OS(=O)(=O)C(F)(F)F WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSORPSLNKUANCM-UHFFFAOYSA-N OC1=CC=CC2=C1C(C=CC=C1Br)=C1O2 Chemical compound OC1=CC=CC2=C1C(C=CC=C1Br)=C1O2 XSORPSLNKUANCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(I)=C1 CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004283 Sodium sorbate Substances 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- GMQUEDBQYNHEEM-UHFFFAOYSA-N [B].[B].CC(C)(O)C(C)(C)O.CC(C)(O)C(C)(C)O Chemical compound [B].[B].CC(C)(O)C(C)(C)O.CC(C)(O)C(C)(C)O GMQUEDBQYNHEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L calcium acetate Chemical compound [Ca+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001639 calcium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000011092 calcium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229960005147 calcium acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- ONCCWDRMOZMNSM-FBCQKBJTSA-N compound Z Chemical compound N1=C2C(=O)NC(N)=NC2=NC=C1C(=O)[C@H]1OP(O)(=O)OC[C@H]1O ONCCWDRMOZMNSM-FBCQKBJTSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004302 potassium sorbate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical group 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OVPWEQROJNJHAG-UHFFFAOYSA-N (1-naphthalen-1-ylnaphthalen-2-yl)-diphenylphosphane Chemical group C1=CC=CC=C1P(C=1C(=C2C=CC=CC2=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OVPWEQROJNJHAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOVMDVZAWWQSDC-UHFFFAOYSA-N (2-fluoro-6-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=CC(F)=C1B(O)O XOVMDVZAWWQSDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006686 (C1-C24) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRCJYPMNBNNCFE-UHFFFAOYSA-N 1,6-dibromopyrene Chemical compound C1=C2C(Br)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=C(Br)C=CC2=C1 JRCJYPMNBNNCFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXTPPPWXNHSMLZ-UHFFFAOYSA-N 1,7-dibromodibenzofuran Chemical compound C1=CC(Br)=C2C3=CC=C(Br)C=C3OC2=C1 HXTPPPWXNHSMLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANPSUGBBTPJBLQ-UHFFFAOYSA-N 1-(3-bromophenyl)naphthalene Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C1 ANPSUGBBTPJBLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEOHKQQUAYAZNB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene Chemical compound CC1=CC(Cl)=C(Cl)C(Br)=C1 CEOHKQQUAYAZNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVKCZUVMQPUWSX-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2,3-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Br)=C1Cl HVKCZUVMQPUWSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIRHKGBNGGSCGS-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1I OIRHKGBNGGSCGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(azetidin-3-yloxy)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(OC2CNC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2-morpholin-4-ylethoxy)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCCN1CCOCC1 IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-phenylmethoxypyrazol-1-yl]-1-morpholin-4-ylethanone Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CCOCC1 HVTQDSGGHBWVTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[5-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrazin-2-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC=1N=CC(=NC=1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 VXZBYIWNGKSFOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICJNAOJPUTYWNV-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=COC2=C1 ICJNAOJPUTYWNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N 3-bromoaniline Chemical compound NC1=CC=CC(Br)=C1 DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-2-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-1H-pyrazol-5-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)O MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJJCCZSSLQQHY-UHFFFAOYSA-N 4a,9a-dimethyl-2,3,4,9-tetrahydro-1h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2(C)C1(C)CCCC2 LQJJCCZSSLQQHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 5-cyclopenta-2,4-dien-1-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical group C1=CC=CC1C1C=CC=C1 IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 6-[(E)-C-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-N-hydroxycarbonimidoyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C/C(=N/O)/C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 WTFUTSCZYYCBAY-SXBRIOAWSA-N 0.000 description 1
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 6-[5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-4,5-dihydro-1,2-oxazol-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC1CC(=NO1)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 LLQHSBBZNDXTIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHHROUIPPVCTAR-UHFFFAOYSA-N 6-bromodibenzofuran-2-ol Chemical compound Oc1ccc2oc3c(Br)cccc3c2c1 XHHROUIPPVCTAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N N-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethyl]-2-oxo-3H-1,3-benzoxazole-6-carboxamide Chemical compound C1CN(CCN1CCNC(=O)C2=CC3=C(C=C2)NC(=O)O3)C4=CN=C(N=C4)NC5CC6=CC=CC=C6C5 NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- JOFBTOVNZIUWPX-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-1-ylboronic acid Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2B(O)O JOFBTOVNZIUWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N hydrochloric acid Substances Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyrrole Substances C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilicon Chemical group CO[Si](OC)OC PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/658—Organoboranes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물을 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1전극과 제2 전극사이에 두 개의 발광층을 포함하며, 상기 두개의 발광층 중 적어도 하나에 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물을 사용하는 유기발광소자에 관한 것이며, 이때 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]는 발명의 상세한 설명에 기재된 바와 동일하다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자에 사용될 수 있는 신규한 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1전극과 제2 전극사이에 두 개의 발광층을 포함하며, 상기 두개의 발광층 중 적어도 하나에 상기 신규한 유기 화합물을 도입함으로써, 높은 발광 효율, 저전압구동 및 장수명의 소자 특성을 구현할 수 있는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 자기 발광 현상을 이용한 디스플레이로서, 시야각이 크고 액정 디스플레이에 비해 경박, 단소해질 수 있고, 빠른 응답 속도 등의 장점을 가지고 있어 풀-컬러(full-color) 디스플레이 또는 조명으로의 응용이 기대되고 있다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우, 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트-도판트 시스템을 사용할 수 있다.
그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때, 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
이러한 발광층 중 호스트 화합물로서 최근 헤테로 고리 화합물에 대해 연구가 되고 있으며, 이와 관련된 종래기술로서 공개특허공보 제10-2016-0089693호(2016.07.28)에서는 안트라센 고리에 디벤조퓨란 고리가 결합된 구조의 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자에 관해 기재되어 있으며, 또한, 공개특허공보 제10-2017-0055743호(2017.05.22)에서는 산소, 질소, 황 등의 헤테로원자를 포함하는 축합 플루오렌 고리에 아릴 치환기 또는 헤테로아릴 치환기가 결합된 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자가 개시되어 있다.
그러나, 상기 종래기술을 포함하여 유기발광소자의 발광층에 사용하기 위한 다양한 형태의 화합물이 제조되었음에도 불구하고 아직까지 유기 발광 소자용으로 응용가능하면서, 고효율, 저전압구동 및 장수명의 소자 특성을 가지는 신규한 유기발광소자의 개발의 필요성은 지속적으로 요구되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기발광소자내 발광층의 호스트 물질로 사용가능한 신규한 유기 화합물을 이용하여, 고효율, 저전압구동 및 장수명의 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED)를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 제1전극; 및 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 을 포함하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에는 제1호스트와 제1 도판트를 포함하는 제1 발광층; 및 제2 호스트와 제2 도판트를 포함하는 제2 발광층;을 순차적으로 포함하고, 상기 제1 호스트 및 제2 호스트 중에서 적어도 하나는 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 1 종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
[화학식 A] [화학식 B]
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,
상기 R1 내지 R14은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 연결기 L1 및 L2는 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;
상기 n1 및 n2는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 이들 각각이 2 인 경우에 각각의 연결기 L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고,
상기 R 및 R'은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 n3 및 n4는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 1 내지 9의 정수이되, 이들 각각이 2 이상인 경우에 각각의 R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 에서, '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.
본 발명에 따른, 유기발광소자내 두 개의 발광층을 가지며, 이들 중 적어도 하나에 상기 화학식 A또는 화학식 B로 표시되는 유기 화합물을 도입한 유기발광 소자의 경우에, 종래기술에 따른 유기발광소자에 비하여 보다 고효율, 저전압구동 및 장수명을 나타내는 유기발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 각 도면에 있어서, 구조물들의 사이즈나 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이고, 특징적 구성이 드러나도록 공지의 구성들은 생략하여 도시하였으므로 도면으로 한정하지는 아니한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않으며, 또한 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
본 발명은 제1전극; 및 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 을 포함하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에는 제1호스트와 제1 도판트를 포함하는 제1 발광층; 및 제2 호스트와 제2 도판트를 포함하는 제2 발광층;을 순차적으로 포함하고, 상기 제1 호스트 및 제2 호스트 중에서 적어도 하나는 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 1 종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
[화학식 A] [화학식 B]
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,
상기 R1 내지 R14은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 연결기 L1 및 L2는 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;
상기 n1 및 n2는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 이들 각각이 2 인 경우에 각각의 연결기 L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고,
상기 R 및 R'은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 n3 및 n4는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 1 내지 9의 정수이되, 이들 각각이 2 이상인 경우에 각각의 R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 에서, '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.
한편, 본 발명에서의 상기 "치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기", "치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기" 등에서의 상기 알킬기 또는 아릴기의 범위를 고려하여 보면, 상기 탄소수 1 내지 30의 알킬기 및 탄소수 5 내지 50의 아릴기의 탄소수의 범위는 각각 상기 치환기가 치환된 부분을 고려하지 않고 비치환된 것으로 보았을 때의 알킬 부분 또는 아릴 부분을 구성하는 전체 탄소수를 의미하는 것이다. 예컨대, 파라위치에 부틸기가 치환된 페닐기는 탄소수 4의 부틸기로 치환된 탄소수 6의 아릴기에 해당하는 것으로 보아야 한다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴기는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 상기 아릴기가 치환기가 있는 경우 서로 이웃하는 치환기와 서로 융합 (fused)되어 고리를 추가로 형성할 수 있다.
상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, o-비페닐기, m-비페닐기, p-비페닐기, o-터페닐기, m-터페닐기, p-터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 인데닐기, 플루오레닐기, 테트라히드로나프틸기, 페릴렌일기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 플루오란텐일기 등과 같은 방향족 그룹을 들 수 있고, 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 아미노기 (-NH2, -NH(R), -N(R')(R''), R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 이 경우 "알킬아미노기"라 함), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기로 치환될 수 있다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 헤테로아릴기는 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리 원자가 탄소인 탄소수 2 내지 24의 고리 방향족 시스템을 의미하며, 상기 고리들은 융합(fused)되어 고리를 형성할 수 있다. 그리고 상기 헤테로아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
또한 본 발명에서 상기 방향족 헤테로고리는 방향족 탄화수소 고리에서 방향족 탄소중 하나이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하며, 상기 방향족 헤테로 고리는 바람직하게는 방향족 탄화수소내 방향족 탄소 1 내지 3개가 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 알킬기는 알칸(alkane)으로부터 수소 하나가 제거된 치환기로서, 직쇄형, 분지형을 포함하는 구조이며, 이의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 시클로알킬기에서의 '시클로'는 알킬기 내 포화탄화수소의 단일 고리 또는 다중 고리를 형성할 수 있는 구조의 치환기를 의미하며, 예컨대 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로펜틸, 메틸시클로헥실, 에틸시클로펜틸, 에틸시클로헥실, 아다만틸, 디시클로펜타디에닐, 데카히드로나프틸, 노보닐, 보닐, 아이소보닐 등을 들 수 있고, 상기 시클로알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 알콕시기는 알킬기 또는 시클로알킬기의 말단에 산소원자가 결합한 치환기로서, 이의 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소부틸옥시, sec-부틸옥시, 펜틸옥시, iso-아밀옥시, 헥실옥시, 시클로부틸옥시, 시클로펜틸옥시, 아다만탄옥시, 디시클로펜탄옥시, 보닐옥시, 이소보닐옥시 등을 들 수 있고, 상기 알콕시기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴알킬기의 구체적인 예로는 페닐메틸(벤질), 페닐에틸, 페닐프로필, 나프틸메틸 나프틸에틸 등을 들 수 있고, 상기 아릴알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있고, 상기 실릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하다.
또한, 본 발명에서 알케닐(alkenyl)기는 두 개의 탄소원자에 의해 이루어지는 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬 치환기를 의미하며, 또한 알키닐(alkynyl)기는 두 개의 탄소원자에 의해 이루어지는 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 알킬 치환기를 의미한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 알킬렌(alkylene)기는 직쇄형 또는 분지형 형태의 포화탄화수소인 알칸(alkane) 분자내 두 개의 수소 제거에 의하여 유도된 유기 라디칼로, 상기 알킬렌기의 구체적인 예로는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, iso-아밀렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있고, 상기 알킬렌기 중 하나 이상의 수소 원자는 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
또한 본 발명에서 디아릴아미노기는 상기 기재된 동일하거나 상이한 두 개의 아릴기가 질소원자에 결합된 아민기를 의미하며, 또한 본 발명에서 디헤테로아릴아미노기는 동일하거나 상이한 두 개의 헤테로아릴기가 질소원자에 결합된 아민기를 의미하고, 또한, 상기 아릴(헤테로아릴)아미노기는 상기 아릴기와 헤테로아릴기가 각각 질소원자에 결합된 아민기를 의미한다.
한편, 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 상기 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'에 대한 보다 바람직한 예로서, 이는 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 2 내지 12의 알키닐기, 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 12의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 20의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 18의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 18의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 18의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 12의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 18의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물은 발광층내 호스트로 사용되는 화합물로서, 상기 [화학식 A]로 표시되는 유기 화합물은 치환 또는 비치환된 피렌고리에서의 특정한 위치(아래 구조식 C참조)에 연결기 L1이 결합되고 상기 연결기 L1에 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기의 1번위치가 결합된 것을 기술적 특징으로 하며, 또한 상기 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물은 치환 또는 비치환된 피렌고리에서의 특정한 위치(아래 구조식 C참조)에 연결기 L2가 결합되고 상기 연결기 L2에 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기의 2번위치가 결합된 것을 기술적 특징으로 한다.
[구조식 C]
본 발명에 따른 유기발광소자내 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서, 상기 화학식 A로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함할 수 있고, 상기 화학식 B 로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함할 수 있다.
더욱 상세하게는, 상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기이며, 상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자에서 상기 화학식 A로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함할 수 있고, 상기 화학식 B 로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함할 수 있는 경우에, 상기 [화학식 A]에서의 적어도 하나의 R 은 중수소를 포함하는 치환기이며, 또한 상기 [화학식 B]에서의 적어도 하나의 R' 은 중수소를 포함하는 치환기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 R1 내지 R14, R, R' 는 각각 동일하거나 상이하며 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 18의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴실릴기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 치환기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고, 상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 연결기 L1 및 L2는 각각 단일결합이거나, 아래 [구조식 1] 내지 [구조식 5] 중에서 선택되는 어느 하나 일 수 있다.
[구조식 1] [구조식 2] [구조식 3]
[구조식 4] [구조식 5]
상기 [구조식 1] 내지 [구조식 5] 에서의 방향족 고리의 탄소자리는 수소 또는 중수소가 결합될 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 연결기 L1 및 L2는 각각 단일결합일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 [화학식 A]에서의 적어도 하나의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고, 상기 [화학식 B]에서의 적어도 하나의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있으며, 이 경우에 바람직하게는, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고, 상기 [화학식 A]에서의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며, 상기 [화학식 B]에서의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물은 하기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 B-1] 중에서 어느 하나로 표시되는 화합물 일 수 있다.
[화학식 A-1] [화학식 B-1]
이때, 상기 [화학식 A-1] 및 [화학식 B-1]에서, 상기 치환기 R1 내지 R14, 연결기 L1 및 L2, n1 및 n2는 앞서 [화학식 A] 또는 [화학식 B]에서 정의한 바와 동일하고,
치환기 R 및 R'은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고, 상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7, R 중 적어도 하나는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며, 상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14, R' 중 적어도 하나는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고, 상기 [화학식 A]에서의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기이며, 상기 [화학식 B]에서의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물은 [화학식 1] 내지 [화학식 240] 중에서 선택되는 어느 하나의 화합물일 수 있다.
화학식 1 화학식 2 화학식 3
화학식 4 화학식 5 화학식 6
화학식 7 화학식 8 화학식 9
화학식 10 화학식 11 화학식 12
화학식 13 화학식 14 화학식 15
화학식 16 화학식 17 화학식 18
화학식 19 화학식 20 화학식 21
화학식 22 화학식 23 화학식 24
화학식 25 화학식 26 화학식 27
화학식 28 화학식 29 화학식 30
화학식 31 화학식 32 화학식 33
화학식 34 화학식 35 화학식 36
화학식 37 화학식 38 화학식 39
화학식 40 화학식 41 화학식 42
화학식 43 화학식 44 화학식 45
화학식 46 화학식 47 화학식 48
화학식 49 화학식 50 화학식 51
화학식 52 화학식 53 화학식 54
화학식 55 화학식 56 화학식 57
화학식 58 화학식 59 화학식 60
화학식 61 화학식 62 화학식 63
화학식 64 화학식 65 화학식 66
화학식 67 화학식 68 화학식 69
화학식 70 화학식 71 화학식 72
화학식 73 화학식 74 화학식 75
화학식 76 화학식 77 화학식 78
화학식 79 화학식 80 화학식 81
화학식 82 화학식 83 화학식 84
화학식 85 화학식 86 화학식 87
화학식 88 화학식 89 화학식 90
화학식 91 화학식 92 화학식 93
화학식 94 화학식 95 화학식 96
화학식 97 화학식 98 화학식 99
화학식 100 화학식 101 화학식 102
화학식 103 화학식 104 화학식 105
화학식 106 화학식 107 화학식 108
화학식 109 화학식 110 화학식 111
화학식 112 화학식 113 화학식 114
화학식 115 화학식 116 화학식 117
화학식 118 화학식 119 화학식 120
화학식 121 화학식 122 화학식 123
화학식 124 화학식 125 화학식 126
화학식 127 화학식 128 화학식 129
화학식 130 화학식 131 화학식 132
화학식 133 화학식 134 화학식 135
화학식 136 화학식 137 화학식 138
화학식 139 화학식 140 화학식 141
화학식 142 화학식 143 화학식 144
화학식 145 화학식 146 화학식 147
화학식 148 화학식 149 화학식 150
화학식 151 화학식 152 화학식 153
화학식 154 화학식 155 화학식 156
화학식 157 화학식 158 화학식 159
화학식 160 화학식 161 화학식 162
화학식 163 화학식 164 화학식 165
화학식 166 화학식 167 화학식 168
화학식 169 화학식 170 화학식 171
화학식 172 화학식 173 화학식 174
화학식 175 화학식 176 화학식 177
화학식 178 화학식 179 화학식 180
화학식 181 화학식 182 화학식 183
화학식 184 화학식 185 화학식 186
화학식 187 화학식 188 화학식 189
화학식 190 화학식 191 화학식 192
화학식 193 화학식 194 화학식 195
화학식 196 화학식 197 화학식 198
화학식 199 화학식 200 화학식 201
화학식 202 화학식 203 화학식 204
화학식 205 화학식 206 화학식 207
화학식 208 화학식 209 화학식 210
화학식 211 화학식 212 화학식 213
화학식 214 화학식 215 화학식 216
화학식 217 화학식 218 화학식 219
화학식 220 화학식 221 화학식 222
화학식 223 화학식 224 화학식 225
화학식 226 화학식 227 화학식 228
화학식 229 화학식 230 화학식 231
화학식 232 화학식 233 화학식 234
화학식 235 화학식 236 화학식 237
화학식 238 화학식 239 화학식 240
한편, 본 발명에서 "(유기층이) 유기 화합물을 1종 이상 포함한다" 란, "(유기층이) 본 발명의 범주에 속하는 1종의 유기 화합물 또는 상기 유기 화합물의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
이때, 본 발명의 상기 유기발광소자내 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 제1 전극과 제1 발광층 사이에는 정공수송층 및 정공주입층 중 적어도 하나이상이 구비되며, 또한 제2 발광층과 제2전극 사이에는 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나이상이 구비될 수 있고, 바람직하게는 제1 전극과 제1 발광층 사이에는 정공수송층 및 정공주입층이 각각 구비되며, 또한 제2 발광층과 제2전극 사이에는 전자수송층 및 전자주입층이 각각 구비되는 유기발광소자를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 유기발광소자는 상기 제1발광층내 제1 도판트 또는 제2발광층내 제2 도판트 중 적어도 하나는 아래 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10] 중에서 어느 하나로 표시되는 화합물을 적어도 1종 포함할 수 있으며, 바람직하게는 상기 제1발광층내 제1 도판트 및 제2발광층내 제2 도판트 모두, 각각 동일하거나 상이하며, 상기 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10] 중에서 선택되는 어느 하나이상의 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 D1]
[화학식 D2]
상기 [화학식 D1] 및 [화학식 D2]에서, A31, A32, E1 및 F1은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 방향족 헤테로고리이고;
상기 A31의 방향족 고리내 서로 이웃한 두 개의 탄소원자와, 상기 A32의 방향족 고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 치환기 R51 및 R52에 연결된 탄소원자와 5원환을 형성함으로써 각각 축합고리를 형성하며;
상기 연결기 L21 내지 L32는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되며;
상기 W 및 W'는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 N-R53, CR54R55, SiR56R57, GeR58R59, O, S, Se 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 치환기 R51 내지 R59, Ar21 내지 Ar28은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬게르마늄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30 의 아릴게르마늄기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이되,
상기 R51 및 R52는 서로 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택되는어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며;
상기 p11 내지 p14, r11 내지 r14 및 s11 내지 s14는 각각 1 내지 3의 정수이되, 이들 각각이 2 이상인 경우에 각각의 연결기 L21 내지 L32는 서로 동일하거나 상이하고,
상기 x1은 1 이고, y1, z1 및 z2은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 0 내지 1의 정수이며,
상기 Ar21 과 Ar22, Ar23과 Ar24, Ar25와 Ar26 및 Ar27과 Ar28은 각각 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고;
상기 화학식 D1에서 A32고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q11의 *와 결합하여 축합고리를 형성하고,
상기 화학식 D2에서 상기 A31고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q12의 *와 결합하여 축합고리를 형성하고, 상기 A32 고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q11의 *와 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다.
[화학식 D3]
상기 [화학식 D3] 에서,
상기 X1는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고
상기 T1 내지 T3은 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 방향족 헤테로고리이고;
상기 Y1는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 Y2는 N-R66, CR66R68, O, S, SiR69R70 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 R61 내지 R70은 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 R61 내지 R70은 각각 상기 T1 내지 T3중에서 선택되는 하나 이상의 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
[화학식 D4] [화학식 D5]
상기 [화학식 D4] 및 [화학식 D5]에서,
상기 X2는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고
상기 T4 내지 T6는 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,
상기 Y4는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 Y5는 N-R66, CR66R68, O, S, SiR69R70 중에서 선택되는 어느 하나이며
상기 Y6는 N-R71, CR72R73, O, S, SiR74R75 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 R61 내지 R75 는 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하다.
[화학식 D6] [화학식 D7]
상기 X3는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고
상기 T7 내지 T9는 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,
상기 Y6는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;
상기 치환기 R61 내지 R65, R71 내지 R72은 각각 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하되,
상기 R71 및 R72는 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성하거나 또는 상기 T7 고리 또는 T9 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다
[화학식 D8] [화학식 D9]
[화학식 D10]
상기 [화학식 D8] 내지 [화학식 D10]에서,
상기 X는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 Q1 내지 Q3은 각각 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,
상기 연결기 Y는 N-R3, CR4R5, O, S, Se 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 치환기 R3 내지 R5은 각각 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하되,
상기 R3 내지 R5은 각각 상기 Q2 고리 또는 Q3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,
상기 R4 및 R5은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,
상기 Cy1에 의해 형성되는 고리는 질소(N) 원자, 상기 질소(N) 원자가 결합된 Q1고리내 방향족 탄소원자 및 상기 Cy1과 결합될 Q1고리내 방향족 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이고,
상기 화학식 D9에서,
상기 'Cy2'는 상기 Cy1에 부가되어 포화 탄화수소 고리를 형성가능하며, 상기 Cy2에 의해 형성되는 고리는 Cy1에 포함되는 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이고,
상기 화학식 D10에서,
상기 Cy3에 의해 형성되는 고리는 상기 Cy3와 결합될 Q3고리내 방향족 탄소원자, 질소(N)원자와 결합될 Q3내 방향족 탄소원자, 질소(N)원자, 상기 질소(N) 원자가 결합된 Cy1내 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이며,
여기서, 상기 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미하며, 보다 바람직한 예로서, 이는 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 2 내지 12의 알키닐기, 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 12의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 20의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 18의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 18의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 18의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 12의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 18의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 도판트 화합물 중 상기 [화학식 D3] 내지 [화학식 D10] 중 어느 하나로 표시되는 보론 화합물의 경우에, 상기 T1 내지 T9 또는 Q1 내지 Q3 의 방향족 탄화수소 고리, 또는 방향족 헤테로고리에 치환가능한 치환기로서, 중수소, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 24의 아릴아미노기가 치환될 수 있고, 여기서, 상기 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기 및 탄소수 6 내지 24의 아릴아미노기에서의 각각의 알킬기 또는 아릴기는 서로 연결될 수 있으며, 더욱 바람직한 치환기로서는, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 18의 아릴아미노기가 치환될 수 있으며, 상기 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노기 및 탄소수 6 내지 18의 아릴아미노기에서의 각각의 알킬기 또는 아릴기는 서로 연결될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 유기발광소자내 발광층에 사용되는 도판트 화합물 중 상기 [화학식 D1] 내지 [화학식 D2] 중 어느 하나로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는, 아래 d 1 내지 d 239 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 발광층내 도판트 화합물 중 [화학식 D3]로 표시되는 화합물은 하기 <D 101> 내지 <D 130> 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 발광층내 도판트 화합물 중 상기 [화학식 D4], [화학식 D5], [화학식 D8] 내지 [화학식 D10]중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 <D 201> 내지 <D 476> 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 발광층내 도판트 화합물 중 [화학식 D6] 및 [화학식 D7]중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 <D 501> 내지 <D 587> 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
이때, 상기 발광층내 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 상기 발광층은 상기 도판트와 호스트 이외에도 다양한 호스트와 다양한 도펀트 물질을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 바람직한 본 발명에 따른 유기발광소자의 일실시예로서, 상기 제1발광층은 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나의 화합물을 1 종 이상을 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명에 따른 유기발광소자내 제1발광층이 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나의 화합물을 포함하는 경우에, 상기 제2 발광층에는 하기 [화학식 E]로 표시되는 안트라센 유도체가 호스트로서 사용될 수 있다.
[화학식 E]
상기 [화학식 E]에서,
상기 치환기 R41 내지 R56은 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 치환기 Ar5은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이며,
상기 연결기 L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 n은 1 내지 2의 정수이고, n이 2이상인 경우 각각의 연결기 L1은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 [화학식 E]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.
또한, 본 발명에서의 상기 제2 발광층내 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체는 적어도 하나이상의 중수소를 포함할 수 있다. 이경우에, 치환기 R41 내지 R56, 또는 Ar5 중 적어도 하나의 치환기는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자의 바람직한 실시예로서, 상기 제2 발광층이 호스트로서 상기 [화학식 E]로 표시되는 안트라센 유도체를 포함하는 경우에, 상기 [화학식 E]로 표시되는 안트라센 유도체의 보다 바람직한 구조로서는 하기 [화학식 E-1] 또는 [화학식 E-2]로 표시되는 안트라센 유도체가 사용될 수 있다.
[화학식 E-1]
[화학식 E-2]
상기 [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2]에서,
상기 치환기 R41 내지 R48, R49 내지 R55 은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 치환기 Ar5 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이며,
상기 연결기 L11은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 k은 1 내지 2의 정수이고, k가 2이상인 경우 각각의 연결기 L11은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.
또한, 상기 [화학식 E], [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2]에서의'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'에 관한 보다 바람직한 예로서, 이는 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 2 내지 12의 알키닐기, 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 12의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 20의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 12의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 18의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 18의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 18의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 12의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 18의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것일 수 있다.
여기서, 상기 [화학식 E-1] 또는 [화학식 E-2]로 표시되는 화합물은 아래 그림 1에서와 같이, 디벤조퓨란의 어느 한쪽 페닐고리의1번 또는 2번 위치 또는 디벤조퓨란의 다른 한쪽 페닐고리의1'번 또는 2'번 위치가 안트라세닐기 또는 연결기 L11의 9번위치에 결합되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에서, 상기 [화학식 E], [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2] 중 어느 하나로 표시되는 안트라센 유도체내 치환기 Ar5는 아래 [구조식 C-1] 으로 표시되는 치환기 일 수 있다.
[구조식 C-1]
이때, 상기 [구조식 C-1] 내의 R61 내지 R65은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 50의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느하나이고,
상기 [구조식 C-1]에서의 '-*'는 [화학식 E], [화학식 E-1] 또는 [화학식 E-2] 내 안트라세닐기의 10번 위치에 결합되는 결합사이트이다.
일실시예로서, 본 발명에 따른 유기발광소자의 바람직한 예로서, 상기 [화학식 E-1] 또는 [화학식 E-2]내 연결기 L11 은 단일결합이거나, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기일 수 있으며, 이때, 상기 k는 1 내지 2의 정수이되, 상기 k가 2 이상인 경우에 각각의 L13은 서로 동일하거나 상이하다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 E에서 Ar5 는 적어도 하나의 중수소를 포함하는 치환기일 수 있고, 바람직하게는 적어도 하나의 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 50의 아릴기일 수 있고, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있고, 더욱 바람직하게는 중수소 치환된 페닐기일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 E에서 R41 내지 R48 중 적어도 하나는 중수소일 수 있고, 바람직하게는 적어도 2개 이상, 더욱 바람직하게는 적어도 4개이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 8개 모두 중수소일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 E에서 R49 내지 R56 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기일 수 있으며, 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 50의 아릴기일 수 있고, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 더욱 바람직하게는 중수소를 포함하는 탄소수 6 내지 18의 아릴기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 E에서 R49 내지 R56 중 하나 또는 두 개는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기 일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 일 실시예로서, 상기 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체는 중수소화도가 20% 이상일 수 있고, 바람직하게는 30% 이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 35% 이상일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 40% 이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 45% 이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 50% 이상일 수 있다.
한편, 본 명세서에서 사용되는 중수소화도에 관하여 구체적으로 살펴보면, 일반적으로 화합물 X의 "중수소화 유도체"는 화합물 X와 동일한 구조를 가지나, 화합물 X내 탄소원자, 질소원자 또는 산소원자 등에 결합된 수소원자(H)를 대체하는 적어도 하나의 중수소(D)를 동반하는 것을 의미한다.
이때, 용어 " yy % 중수소화됨" 또는 "yy % 중수소화"는 화합물 X.내 탄소원자, 질소원자 또는 산소원자 등에 직접 결합된 모든 수소와 중수소의 합에 대한 중수소의 비율을 백분율로 나타낸 것을 지칭한다.
따라서, 벤젠의 6개의 수소중에 2개가 중수소화되었다면 화합물 C6H4D2에 있어서 중수소화도는 2/(4+2) ㅧ 100 = 33% 중수소화라고 볼 수 있다.
본 발명에서의 안트라센 유도체 화합물에 중수소가 치환된 경우에 이의 중수소화도는 안트라센 유도체내 탄소원자에 직접 결합된 모든 수소와 안트라센 유도체내 탄소원자에 직접 결합된 모든 중수소의 합에 대한 안트라센 유도체내 탄소원자에 직접 결합된 모든 중수소의 비율을 백분율로 나타낸 것을 의미한다.
예컨대, 하기 화합물 Z로 표시되는 안트라센 유도체의 경우에, 안트라센기에 결합된 페닐기에 중수소가 5개, 디벤조퓨란에 결합된 페닐기에 중수소가 5개이므로 총 10개의 중수소가 있고, 안트라센기에 수소원자가 8개, 디벤조퓨란의 양쪽 6원환내 방향족탄소원자에 결합된 6개의 수소원자가 결합되어 있어, 이의 중수소화도는 100* 10/(10+8+6) = 41.7% 로 나타낼 수 있다.
한편, 특정한 치환기의 경우에 중수소화도는 각각의 개별 치환기마다 다를 수 있으므로, 평균적으로 치환된 정도를 구함으로써 중수소화도를 나타낼 수 있다.
일 예로서, 중수소가 일부 치환된 안트라센기의 경우를 살펴보기로 하면, 반응조건에 따라 모든 탄소원자에 중수소가 결합된 안트라센 유도체를 제조하여 이를 중수소 치환된 안트라센기로서 사용할 수도 있지만, 반응조건에 따라 특정한 위치 또는 특정한 부분(moiety)의 탄소원자(들)에 수소가 결합된 화합물과 중수소가 결합된 화합물이 혼합물 형태로 존재하는 생성물이 얻어질 수 있으며, 이를 분리하는 것이 매우 곤란할 수 있어, 이 경우에는 평균적으로 중수소가 치환된 정도를 구하여 이를 참조하여 전체의 구조식에 따라 중수소화도를 계산할 수 있다
본 발명에서는 상기 [화학식 E] 로 표시되는 안트라센 유도체 중에서도 앞서 설명한 바와 같이 중수소가 치환된 안트라센 유도체를 사용함으로써, 유기발광소자의 수명을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자내 상기 [화학식 E]로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 <화합물 201> 내지 <화합물 506> 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 그림이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 양극(20), 정공수송층(40), 호스트 및 도판트를 포함하는 제1 발광층(50-A) 및 제2 발광층(50-B), 전자수송층(60) 및 음극(80)을 순차적 순서로 포함하는 유기발광소자로서, 상기 양극을 제1 전극으로, 음극을 제2전극으로 하여, 상기 양극과 발광층 사이에 정공수송층을 포함하고, 발광층과 음극 사이에 전자수송층을 포함한 유기발광소자에 해당한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 상기 양극(20)과 정공수송층(40) 사이에 정공주입층(30)이 포함되며, 상기 전자수송층(60)과 음극(80) 사이에 전자주입층(70)이 포함될 수 있다.
상기 도 1을 참조하여 본 발명의 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저 기판(10) 상부에 양극(애노드) 전극용 물질을 코팅하여 양극(20)을 형성한다. 여기에서 기판(10)으로는 통상적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고, 양극 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
상기 양극(20) 전극 상부에 정공 주입층 물질을 진공열 증착, 또는 스핀 코팅하여 정공주입층(30)을 형성한다. 그 다음으로 상기 정공주입층(30)의 상부에 정공수송층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 정공수송층(40)을 형성한다.
상기 정공주입층 재료는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것인 한 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들어 2-TNATA [4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine], NPD[N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)], TPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine], DNTPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine] 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 상기 정공수송층의 재료로서 당업계에 통상적으로 사용되는것인 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐 -[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 또는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘(a-NPD) 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 발명은 상기 정공 수송층 상부에 전자 차단층을 추가적으로 형성할 수 있다. 상기 전자차단층은 전자주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공수송층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시키기 위한 층으로서, 발광층과 정공주입층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있으며, 바람직하게는 발광층과 정공수송층 사이에 형성될 수 있다.
이어서, 상기 정공수송층(40) 또는 전자차단층의 상부에 상기 제1발광층(50-A) 과 제2발광층(50-B)을 순차적으로 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 적층할 수 있다.
여기서, 상기 각각의 제1발광층과 제2발광층은 호스트와 도펀트로 이루어질 수 있으며, 이들을 구성하는 재료에 대해서는 앞서 기재한 바와 같다.
즉, 상기 발광층은 제1발광층(50-A) 및 제2 발광층(50-B)으로 각각 별도의 증착공정 또는 코팅공정을 통하여 서로 동일하거나 상이한 호스트 및 도판트 재료를 사용하여 상기 제1발광층 및 제2 발광층을 각각 형성할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 제1발광층은 형광 호스트로서 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 화합물을 1 종 이상 포함하도록 하고, 제2 발광층은 상기 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체를 1종이상 포함하도록 할 수 있으며, 상기 제1발광층 및 제2 발광층내 각각의 형광 도판트로서는, 서로 독립적으로 동일하거나 상이한 재료로서 상기 화학식 D1 내지 화학식 D10 중에서 선택되는 어느 하나이상의 재료가 사용될 수 있다.
또한 본 발명에서의 상기 제1발광층 및 제2 발광층에서 사용가능한 호스트 재료로서, 상기 제1발광층에 사용되는 호스트 재료(BH1)는 제2발광층에 사용되는 호스트 재료(BH2)에 비하여 최저비점유분자궤도함수(LUMO)가 더 낮고, 최고점유분자궤도함수(HOMO)는 더 높은 재료를 사용함으로써, 제2 발광층에서 사용되는 호스트(BH2)에 비해 정공(Hole) 및/또는 전자(Electron)의 주입이 용이한 구조를 가지도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 구체적인 예에 의하면, 상기 각각의 발광층의 두께는 50 내지 2,000 Å인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 상기 제1발광층(화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 화합물 포함)과 제2발광층(화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체 포함)의 증착 두께비율은 제1발광층과 제2발광층의 두께의 총합을 100으로 하였을 경우에 상기 제1발광층 두께는 10 % ~ 70 %인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 % ~ 50 %의 범위일 수 있다.
한편, 상기 발광층 상에 전자수송층(60)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 통해 증착한다.
한편 본 발명에서 상기 전자수송층 재료로는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자수송물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자수송물질의 예로는, 퀴놀린유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), Liq, TAZ, BAlq, 베릴륨비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), E 201, E 202, BCP, 옥사디아졸유도체인 PBD, BMD, BND 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
TAZ BAlq
E 201 E 202 BCP
또한, 본 발명에서의 유기발광소자는 상기 전자수송층을 형성한 후에 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층 형성 재료로는 CsF, NaF, LiF, Li2O, BaO등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1 Å 내지 약 100 Å일 수 있고, 바람직하게는 약 3 Å 내지 약 90 Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 음극은 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질을 이용할 수 있다. 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 이들의 합금 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 사용하거나, ITO, IZO를 사용한 투과형 음극을 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서의 유기 발광 소자는 380 nm 내지 800 nm의 파장범위에서 발광하는 청색 발광재료, 녹색 발광재료 또는 적색 발광재료의 발광층을 추가적으로 포함할 수 있다. 즉, 본 발명에서의 발광층은 복수의 발광층으로서, 상기 추가적으로 형성되는 발광층내 청색 발광재료, 녹색 발광재료 또는 적색 발광재료는 형광재료 또는 인광재료일 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 각각의 층중에서 선택된 하나 이상의 층은 단분자 증착공정 또는 용액공정에 의하여 형성될 수 있다.
여기서 상기 증착 공정은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 진공 또는 저압상태에서 가열 등을 통해 증발시켜 박막을 형성하는 방법을 의미하고, 상기 용액공정은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 용매와 혼합하고 이를 잉크젯 인쇄, 롤투롤 코팅, 스크린 인쇄, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅 등과 같은 방법을 통하여 박막을 형성하는 방법을 의미한다.
또한 본 발명에서의 상기 유기 발광 소자는 평판 디스플레이 장치; 플렉시블 디스플레이 장치; 단색 또는 백색의 평판 조명용 장치; 및 단색 또는 백색의 플렉시블 조명용 장치;에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용될 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
(실시예)
<호스트 화합물의 제조>
합성예 1. 화학식 19의 합성
합성예 1-1. <1-a>의 합성
[반응식 1]
<1-a>
3000 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 1,6-다이브로모파이렌 100 g (0.278 mol), 페닐보론산 33.9 g (0.278 mol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (Pd[PPh3]4) 6.4 g (0.006 mol), 탄산나트륨 88.3 g (0.833 mol), 톨루엔 1400 ml 및 물 420 ml을 넣고 9 시간 환류한다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각 후 생성된 고체를 여과하여 폐기하고 여액을 에틸아세테이트와 물로 추출한 후 유기층을 무수처리한다. 무수처리 후 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <1-a> 45.4 g(수율 45.7%)를 얻었다.
합성예 1-2. <1-b>의 합성
[반응식 2]
<1-b>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 6-브로모-1-다이벤조퓨란올 20 g (0.076 mol), 페닐보론산(D5) 11.6 g (0.091 mol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (Pd[PPh3]4) 1.8 g (0.002 mol), 탄산칼륨 17.9 g (0.129 mol), 톨루엔 140 ml, 에탄올 35 ml 및 물 65 ml를 넣고 5 시간 환류한다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각 후 에틸아세테이트와 물로 추출을 하고 유기층을 무수처리한다. 유기층을 감압농축 후 에틸아세테이트와 헵탄으로 재결정하여 <1-b> 15.2 g(수율 75.4%)를 얻었다.
합성예 1-3. <1-c>의 합성
[반응식 3]
<1-c>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 <1-b> 15.2 g (0.058 mol)과 피리딘 6 g (0.076 mol)과 다이클로로메탄 150 ml를 넣고 온도를 0 ℃ 이하로 냉각한다. 냉각 후 트리플루오로메탄 설포닉 언하이드라이드 18.1 g (0.064 mol)를 천천히 적가한다. 적가 후 반응액을 상온으로 승온 후 반응 종료까지 교반한다. 반응이 종료되면 다이클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 무수처리후 감압증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <1-c> 20 g(수율 87.3%)를 얻었다.
합성예 1-4. <1-d>의 합성
[반응식 4]
<1-d>
300 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 <1-c> 20 g (0.050 mol), 비스피나콜다이보론 16.6 g (0.065 mol), 비스디페닐포스피노페로센디클로로팔라듐 0.8 g (0.001 mol), 칼슘아세테이트 9.9 g (0.101 mol) 및 1,4-다이옥산 200 ml를 넣고 12 시간 환류한다. 반응이 종료되면 반응액을 상온으로 냉각 후 셀라이트 여과하고 여액을 농축한 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <1-d> 14.8 g (수율 78.4%)를 얻었다.
합성예 1-5. [화학식 19]의 합성
[반응식 5]
[화학식 19]
300 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 <1-a> 10.7 g (0.030 mol), <1-d> 13.7 g (0.036 mol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.7 g (0.001 mol), 탄산칼륨 7.4 g (0.053 mol), 톨루엔 80 ml, 에탄올 20 ml 및 물 26 ml를 넣고 4 시간 환류한다. 반응 종료 후 상온으로 냉각하여 에틸아세테이트와 물로 추출한다. 유기층을 무수처리 후 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 [화학식 19] 8.4 g(수율 53.4%)를 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 525.21[M]+
합성예 2. 화학식 34의 합성
합성예 2-1. <2-a>의 합성
[반응식 6]
<2-a>
합성예 1-1에서 사용한 페닐보론산 대신 페닐보론산(D5)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <2-a> (수율 79.3%)를 얻었다.
합성예 2-2. <2-b>의 합성
[반응식 7]
<2-b>
합성예 1-2에서 사용한 6-브로모-1-다이벤조퓨란올 대신 1,7-다이브로모다이벤조퓨란을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <2-b> (수율 54%)를 얻었다.
합성예 2-3. <2-c>의 합성
[반응식 8]
<2-c>
합성예 1-4에서 사용한 <1-c> 대신 <2-b>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <2-c> (수율 72.8%)를 얻었다.
합성예 2-4. [화학식 34]의 합성
[반응식 9]
[화학식 34]
합성예 1-5에서 사용한 <1-a> 대신 <2-a>를 사용하고, <1-d>대신 <2-c>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 34] (수율 63.7%)을 얻었다
MS(MALDI-TOF) : m/z 530.25[M]+
합성예 3. 화학식 52의 합성
합성예 3-1. <3-a>의 합성
[반응식 10]
<3-a>
합성예 1-2에서 사용한 6-브로모-1-다이벤조퓨란올 대신 6-브로모-2-다이벤조퓨란올을 사용하고, 페닐보론산(D5) 대신 페닐보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <3-a> (수율 72.0%)를 얻었다.
합성예 3-2. <3-b>의 합성
[반응식 11]
<3-b>
합성예 1-3에서 사용한 <1-b> 대신 <3-a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <3-b> (수율 85.2%)를 얻었다.
합성예 3-3. <3-c>의 합성
[반응식 12]
<3-c>
합성예 1-4에서 사용한 <1-c> 대신 <3-b>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <3-c> (수율 76.8%)를 얻었다.
합성예 3-4. [화학식 52]의 합성
[반응식 13]
[화학식 52]
합성예 2-4에서 <2-c> 대신 <3-c>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 52] (수율58.0%)를 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 525.21[M]+
합성예 4. 화학식 131의 합성
합성예 4-1. [화학식 131]의 합성
[반응식 14]
[화학식 131]
합성예 2-4에서 <2-c> 대신 1-다이벤조퓨란보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로합성하여 [화학식 131] (수율 61.4%)을 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 449.18[M]+
합성예 5. 화학식 136의 합성
합성예 5-1. <5-a>의 합성
[반응식 15]
<5-a>
1000 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지를 하고 과산화수소 30wt% 수용액 50 ml (0.477 mol), 페놀(D5) 45 g (0.454 mol), 아이오딘 57.6 g (0.227 mol) 및 물 450 ml를 넣고 50 ℃에서 24 시간 교반한다. 반응이 종료되면 소듐티오설페이트수용액을 넣어 교반 후 반응액을 에틸아세테이트와 물로 추출한 후 무수처리하고 감압농축한다. 농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-a> 45 g (수율 44.3%)을 얻었다.
합성예 5-2. <5-b>의 합성
[반응식 16]
<5-b>
1000 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 <5-a> 45 g (0.201 mol), 2-플루오로-6-메톡시페닐보론산 41 g (0.241 mol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 7 g (0.006 mol), 탄산칼륨 47.2 g (0.341 mol), 톨루엔 315 ml, 에탄올 80 ml 및 물 170 ml를 넣고 8 시간 환류한다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각 후 에틸아세테이트와 물로 추출한 후 유기층을 무수처리한다. 유기층을 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-b> 28.6 g (수율 64.1%)을 얻었다.
합성예 5-3. <5-c>의 합성
[반응식 17]
<5-c>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 <5-b> 28.6 g (0.129 mol), 탄산칼륨 44.5 g (0.322 mol), 1-메틸-2-피롤리딘 143 ml를 넣고 12 시간 환류한다. 반응이 종결되면 온도를 상온으로 냉각 후 2 N-염산수용액 200 ml를 천천히 넣고 충분히 교반 후 에틸아세테이트와 물로 추출한다. 유기층을 농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-c> 21 g(수율 80.7%)을 얻었다.
합성예 5-4. <5-d>의 합성
[반응식 18]
<5-d>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 <5-c> 21 g (0.104 mol), 다이클로로메탄 120 ml를 넣고 반응액을 0 ℃이하로 냉각한다. 보론트리브로마이드 52 g (0.208 mol)를 온도에 주의하며 천천히 적가한다. 적가 후 반응액을 상온으로 승온 후 반응종결까지 교반한다. 반응이 종결되면 반응액에 물 100 ml를 천천히 적가한 후 충분히 교반한다. 반응액을 다이클로로메탄과 물로 추출한 후 무수처리하고 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-d> 15 g (수율 76.8%)을 얻었다.
합성예 5-5. <5-e>의 합성
[반응식 19]
<5-e>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 질소 퍼지하고 <5-d> 15.0 g (0.080 mol)과 피리딘 8.2 g (0.104 mol), 다이클로로메탄 150 ml를 넣고 반응액 온도를 0 ℃이하로 냉각한다. 냉각 후 트리플루오로메탄설포닉언하이드라이드 24.7 g (0.088 mol)을 천천히 적가한다. 적가 후 반응액을 상온으로 승온시키고 반응 종료까지 교반한다. 반응이 종료되면 다이클로로메탄과 물로 추출한 후 유기층을 무수처리하고 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-e> 20 g(수율 78.4%)을 얻었다.
합성예 5-6. <5-f>의 합성
[반응식 20]
<5-f>
500 ml 둥근바닥 플라스크에 질소퍼지하고 <5-e> 20 g (0.062 mol), 비스피나콜디보론 23.8 g (0.094 mol), 비스디페닐포스피노페로센디클로로팔라듐 2.5 g (0.003 mol), 칼슘아세테이트 9.5 g (0.125 mol) 및 1,4-다이옥산 200 ml를 넣고 12 시간 환류한다. 반응이 종료되면 반응액을 상온으로 냉각 후 셀라이트 여과하고 여액을 농축한 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <5-f> 15 g (수율 80.6%)을 얻었다.
합성예 5-7. [화학식 136]의 합성
[반응식 21]
[화학식 136]
합성예 2-4에서 <2-c> 대신 <5-f>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 136] (수율 60.3%)을 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 453.21[M]+
합성예 6. 화학식 41의 합성
합성예 6-1. [화학식 41]의 합성
[반응식 22]
[화학식 41]
합성예 1-5에서 사용한 <1-a> 대신 <2-a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 41] (수율 54.2%)를 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 530.25[M]+
합성예 7. 화학식 57의 합성
합성예 7-1. [화학식 57]의 합성
[반응식 23]
[화학식 57]
합성예 1-5에서 사용한 <1-d> 대신 <3-c>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 57] (수율 53.5%)를 얻었다.
MS(MALDI-TOF) : m/z 520.18[M]+
<도판트 화합물의 제조>
합성예 8. D 202 의 합성
합성예 8-1. <8-a>의 합성
[반응식 24]
<8-a>
100 mL 반응기에 1-브로모-3-클로로벤젠 3.1 g (16 mmol), 아닐린 5.8 g (16 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.1 g (1 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 3 g (32 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.2 g (1 mmol), 톨루엔 45 mL를 넣고 24 시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 여과하여 여액을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <8-a> 5.2 g을 얻었다. (수율 82%)
합성예 8-2. <8-b>의 합성
[반응식 25]
<8-b>
250 mL 반응기에 <8-a> 20 g (98 mmol), 3-브로모벤조티오펜 20.9 g (98 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.5 g (2 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 18.9 g (196 mmol), 트리 터셔리부틸포스핀 0.8 g (4 mmol), 톨루엔 200 mL를 넣고 5 시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 여과하여 여액을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <8-b> 24.7 g을 얻었다. (수율 75%)
합성예 8-3. <8-c>의 합성
[반응식 26]
<8-c>
100 mL 반응기에 <8-b> 5.4 g (16 mmol), 아닐린 5.8 g (16 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.1 g (1 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 3 g (32 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.2 g (1 mmol), 톨루엔 45 mL를 넣고 24 시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 여과하여 여액을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <8-c> 4.6 g을 얻었다. (수율 73%)
합성예 8-4. <8-d>의 합성
[반응식 27]
<8-d>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 <8-c>를 사용하고, 3-브로모벤조티오펜 대신 1-브로모-2-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <8-d>를 얻었다. (수율 77%)
합성예 8-5. <D 202>의 합성
[반응식 28]
<D 202>
300 mL 반응기에 <8-d> 12.6 g (23 mmol), 터트-부틸벤젠 120 mL을 넣는다. -78 ℃에서 n-부틸리튬 42.5 mL (68 mmol) 적가한다. 적가 후 60 ℃에서 3 시간 교반한다. 그 후 60 ℃에서 질소를 불어 헵탄을 제거한다. -78 ℃에서 보론 트리브로마이드 11.3 g (45 mmol)을 적가한다. 적가 후 상온에서 1 시간 교반하고, 0 ℃에서 N,N-디아이소프로필에틸아민 5.9 g (45 mmol)을 적가한다. 적가 후 120 ℃에서 2 시간 교반한다. 반응 종료 후 상온에서 소듐아세테이트 수용액을 넣고 교반한다. 에틸아세테이로 추출하고 유기층을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <D 202> 1.1 g을 얻었다. (수율 10%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 476.15 [M+]
합성예 9. D 265 의 합성
합성예 9-1. < 9-a>의 합성
[반응식 29]
<9-a>
합성예 8-1에서 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <9-a>를 얻었다. (수율 71%)
합성예 9-2. <9-b>의 합성
[반응식 30]
<9-b>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 디페닐아민을 사용하고, 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 1-브로모-3-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <9-b>를 얻었다. (수율 77%)
합성예 9-3. <9-c>의 합성
[반응식 31]
<9-c>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 <9-a>를 사용하고, 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 <9-b>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <9-c>를 얻었다. (수율 75%)
합성예 9-4. <9-d>의 합성
[반응식 32]
<9-d>
1 L 반응기에 3-브로모아닐린 30 g (174 mmol), 페닐브론산 25.5 g (209 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 4 g (3 mmol), 탄산칼륨 48.2 g (349 mmol), 1,4-다이옥산 150 mL, 톨루엔 150 mL, 증류수 90 mL을 넣고 4 시간 동안 환류교반한다. 반응 종료 후 상온에서 층분리하고 유기층을 감압농축한 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <9-d> 24 g을 얻었다. (수율 80%)
합성예 9-5. <9-e>의 합성
[반응식 33]
<9-e>
합성예 8-1에서 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 3-브로모벤조퓨란을 사용하고, 아닐린 대신 <9-d>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <9-e>를 얻었다. (수율 68%)
합성예 9-6. <9-f>의 합성
[반응식 34]
<9-f>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 <9-c>를 사용하고, 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 <9-e>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <9-f>를 얻었다. (수율 68%)
합성예 9-7. <D 265>의 합성
[반응식 35]
<D 265>
250 mL 반응기에 <9-f> 21 g (37 mmol), 터셔리뷰틸벤젠을 넣는다. -78 ℃에서 터셔리뷰틸리튬 42.4 mL (74 mmol) 적가한다. 적가 후 60 ℃에서 3 시간 교반한다. 그 후 60 ℃에서 질소를 불어 펜탄을 제거한다. -78 ℃에서 보론 트리브로마이드 7.1 mL (74 mmol)을 적가한다. 적가 후 상온에서 1시간 교반하고, 0 ℃에서 N,N-디아이소프로필에틸아민 6 g (74 mmol)을 적가한다. 적가 후 120 ℃에서 2 시간 교반한다. 반응 종료 후 상온에서 소듐아세테이트 수용액을 넣고 교반한다. 에틸아세테이로 추출하고 유기층을 농축하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 <D 265>2.0 g을 얻었다. (수율 17%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 703.28 [M+]
합성예 10. 화학식 D 459 의 합성
합성예 10-1. <10-a>의 합성
[반응식 36]
<10-a>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 4a,9a-디메틸-2,3,4,4a,9,9a-헥사하이드로-1H-카바졸을 사용하고, 3-브로모벤조티오펜 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <10-a>를 얻었다. (수율 32%)
합성예 10-2. <10-b>의 합성
[반응식 37]
<10-b>
합성예 8-1에서 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 3-(1-나프틸)-1-브로모벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <10-b>를 얻었다. (수율 77%)
합성예 10-3. <10-c>의 합성
[반응식 38]
<10-c>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 <10-b>를 사용하고, 3-브로모벤조티오펜 대신 1-브로모-3-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <10-c>를 얻었다. (수율 64%)
합성예 10-4. <10-d>의 합성
[반응식 39]
<10-d>
합성예 8-1에서 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 <10-c>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <10-d>를 얻었다. (수율 75%)
합성예 10-5. <10-e>의 합성
[반응식 40]
<10-e>
합성예 8-2에서 사용한 <8-a> 대신 <10-d>를 사용하고, 3-브로모벤조티오펜 대신 <10-a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <10-e>를 얻었다. (수율 65%)
합성예 10-6. <D 459>의 합성
[반응식 41]
<D 459>
합성예 9-7에서 사용한 <9-f> 대신 <10-e>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <D 459>를 얻었다. (수율 11%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 759.38 [M+]
실시예 1 내지 46 : 제1발광층 및 제 2발광층을 포함하는 유기발광소자의 제조
ITO 글래스의 발광 면적이 2 mm x 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 상기 ITO 글래스를 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1x10-7 torr가 되도록 한 후 상기 ITO위에 DNTPD (700Å), α-NPD (300Å) 순으로 성막하였다. 발광층을 제1발광층 및 제2발광층을 순차적으로 형성하되, 제 1발광층은 본 발명에 따른 파이렌 화합물(화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 화합물)과 하기 BD 도판트 화합물 (1 wt%)를 혼합하여 성막 (50Å)하고, 제2발광층은 본 발명에 따른 안트라센 화합물 (화학식 E로 표시되는 화합물)과 하기 BD 도판트 화합물(1 wt%)을 혼합하여 성막 (150Å)한 다음, 이후에 전자수송층으로 [E-1]과 [E-2]를 (1:1)의 비로 (300Å), 전자주입층으로 [E-2] (10Å), Al (1,000Å)의 순서로 성막하여 유기발광 소자를 제조하였다. 상기 유기발광 소자의 발광특성은 0.4 mA에서 측정하였다.
[DNTPD] [α-NPD]
[E-1] [E-2]
| 제1발광층 | 제2발광층 | EQE | T97 | V | ||||
| 호스트 | 도판트 | 호스트 | 도판트 | |||||
| 실시예1 | 화학식 19 | D 202 | 화합물 219 | D 202 | 13.0 | 315 | 3.6 | |
| 실시예2 | 화학식 19 | D 202 | 화합물 307 | D 202 | 13.6 | 320 | 3.8 | |
| 실시예3 | 화학식 19 | D 202 | 화합물 433 | D 202 | 13.2 | 308 | 3.7 | |
| 실시예4 | 화학식 34 | D 202 | 화합물 254 | D 202 | 12.7 | 301 | 3.7 | |
| 실시예5 | 화학식 34 | D 202 | 화합물 307 | D 202 | 12.9 | 312 | 3.8 | |
| 실시예6 | 화학식 34 | D 202 | 화합물 433 | D 202 | 12.4 | 300 | 3.6 | |
| 실시예7 | 화학식 52 | D 202 | 화합물 219 | D 202 | 12.6 | 309 | 3.6 | |
| 실시예8 | 화학식 52 | D 202 | 화합물 254 | D 202 | 13.0 | 314 | 3.7 | |
| 실시예9 | 화학식 52 | D 202 | 화합물 307 | D 202 | 13.3 | 305 | 3.7 | |
| 실시예10 | 화학식 131 | D 202 | 화합물 219 | D 202 | 13.0 | 311 | 3.6 | |
| 실시예11 | 화학식 131 | D 202 | 화합물 254 | D 202 | 12.5 | 307 | 3.8 | |
| 실시예12 | 화학식 131 | D 202 | 화합물 433 | D 202 | 12.6 | 300 | 3.8 | |
| 실시예13 | 화학식 136 | D 202 | 화합물 219 | D 202 | 12.6 | 306 | 3.6 | |
| 실시예14 | 화학식 136 | D 202 | 화합물 307 | D 202 | 12.8 | 311 | 3.7 | |
| 실시예15 | 화학식 136 | D 202 | 화합물 433 | D 202 | 12.1 | 302 | 3.7 | |
| 실시예16 | 화학식 19 | D 265 | 화합물 219 | D 265 | 12.8 | 281 | 3.6 | |
| 실시예17 | 화학식 19 | D 265 | 화합물 307 | D 265 | 13.2 | 295 | 3.6 | |
| 실시예18 | 화학식 19 | D 265 | 화합물 433 | D 265 | 12.5 | 290 | 3.6 | |
| 실시예19 | 화학식 34 | D 265 | 화합물 254 | D 265 | 11.9 | 280 | 3.8 | |
| 실시예20 | 화학식 34 | D 265 | 화합물 307 | D 265 | 12.3 | 283 | 3.8 | |
| 실시예21 | 화학식 34 | D 265 | 화합물 433 | D 265 | 11.8 | 287 | 3.8 | |
| 실시예22 | 화학식 52 | D 265 | 화합물 219 | D 265 | 12.7 | 291 | 3.8 | |
| 실시예23 | 화학식 52 | D 265 | 화합물 254 | D 265 | 11.9 | 292 | 3.7 | |
| 실시예24 | 화학식 52 | D 265 | 화합물 307 | D 265 | 11.6 | 288 | 3.7 | |
| 실시예25 | 화학식 131 | D 265 | 화합물 219 | D 265 | 12.4 | 284 | 3.8 | |
| 실시예26 | 화학식 131 | D 265 | 화합물 254 | D 265 | 12.1 | 280 | 3.8 | |
| 실시예27 | 화학식 131 | D 265 | 화합물 433 | D 265 | 11.9 | 290 | 3.6 | |
| 실시예28 | 화학식 136 | D 265 | 화합물 219 | D 265 | 11.8 | 286 | 3.8 | |
| 실시예29 | 화학식 136 | D 265 | 화합물 307 | D 265 | 12.0 | 294 | 3.8 | |
| 실시예30 | 화학식 136 | D 265 | 화합물 433 | D 265 | 11.5 | 290 | 3.7 | |
| 실시예31 | 화학식 19 | D 459 | 화합물 219 | D 459 | 12.0 | 286 | 3.8 | |
| 실시예32 | 화학식 19 | D 459 | 화합물 307 | D 459 | 12.5 | 300 | 3.7 | |
| 실시예33 | 화학식 52 | D 459 | 화합물 254 | D 459 | 11.9 | 295 | 3.6 | |
| 실시예34 | 화학식 52 | D 459 | 화합물 307 | D 459 | 11.6 | 280 | 3.7 | |
| 실시예35 | 화학식 136 | D 459 | 화합물 307 | D 459 | 12.0 | 292 | 3.8 | |
| 실시예36 | 화학식 136 | D 459 | 화합물 433 | D 459 | 11.5 | 288 | 3.7 | |
| 실시예37 | 화학식 41 | D 202 | 화합물 403 | D 202 | 14.2 | 345 | 3.6 | |
| 실시예38 | 화학식 41 | D 459 | 화합물 403 | D 459 | 14.0 | 330 | 3.6 | |
| 실시예39 | 화학식 57 | D 202 | 화합물 403 | D 202 | 11.9 | 264 | 3.8 | |
| 실시예40 | 화학식 41 | D 202 | 화합물 486 | D 202 | 13.9 | 327 | 3.6 | |
| 실시예41 | 화학식 41 | D 202 | 화합물 498 | D 202 | 13.8 | 324 | 3.7 | |
| 실시예42 | 화학식 19 | D 202 | 화합물 461 | D 202 | 11.9 | 292 | 3.7 | |
| 실시예43 | 화학식 57 | D 202 | 화합물 461 | D 202 | 11.4 | 260 | 3.8 | |
| 실시예44 | 화학식 34 | D 202 | 화합물 463 | D 202 | 11.7 | 262 | 3.7 | |
| 실시예45 | 화학식 41 | d 98 | 화합물 403 | d 141 | 13.6 | 318 | 3.7 | |
| 실시예46 | 화학식 19 | D 202 | 화합물 498 | D 459 | 12.7 | 305 | 3.7 | |
비교예 1 내지 18
비교예 1 내지 18을 위한 유기발광소자는 상기 실시예 1 내지 46의 제 1 발광층 및 제 2발광층에서 사용된 화합물 이외에 하기 표에 기재된 화합물을 사용한 것 이외에는 동일하게 유기발광소자를 제작하였으며, 상기 유기발광소자의 발광특성은 0.4 mA에서 측정하였다.
| 제1발광층 | 제2발광층 | EQE | T97 | V | |||
| 호스트 | 도판트 | 호스트 | 도판트 | ||||
| 비교예1 | 화학식 19 | D 202 | 화학식 34 | D 202 | 8.7 | 190 | 4.0 |
| 비교예2 | 화학식 52 | D 265 | 화학식 131 | D 265 | 8.5 | 185 | 4.1 |
| 비교예3 | BH1 | D 202 | 화학식 19 | D 202 | 7.7 | 180 | 4.0 |
| 비교예4 | BH1 | D 265 | 화학식 34 | D 265 | 7.4 | 180 | 4.0 |
| 비교예5 | BH1 | D 202 | BH1 | D 202 | 6.5 | 170 | 4.2 |
| 비교예6 | BH1 | D 459 | BH1 | D 459 | 6.3 | 160 | 4.0 |
| 비교예7 | 화합물 219 | D 202 | BH2 | D 202 | 7.6 | 185 | 3.9 |
| 비교예8 | 화합물 307 | D 265 | BH2 | D 265 | 7.3 | 178 | 3.8 |
| 비교예9 | 화합물 219 | D 202 | 화합물 433 | D 202 | 8.4 | 194 | 3.8 |
| 비교예10 | 화합물 307 | D 265 | 화합물 254 | D 265 | 8.0 | 182 | 3.9 |
| 비교예11 | BH2 | D 202 | BH2 | D 202 | 5.9 | 175 | 4.0 |
| 비교예12 | BH2 | D 459 | BH2 | D 459 | 5.6 | 170 | 4.0 |
| 비교예13 | 화학식 19 | D 202 | BH2 | D 202 | 7.7 | 184 | 3.9 |
| 비교예14 | 화학식 131 | D 265 | BH2 | D 265 | 7.5 | 179 | 3.9 |
| 비교예15 | BH1 | D 202 | 화합물 307 | D 202 | 9.4 | 210 | 3.8 |
| 비교예16 | BH1 | D 265 | 화합물 433 | D 265 | 8.9 | 200 | 3.8 |
| 비교예17 | BH1 | D 202 | BH2 | D 202 | 6.1 | 182 | 4.0 |
| 비교예18 | BH1 | D 459 | BH2 | D 459 | 5.8 | 175 | 4.0 |
[BH1] [BH2]
상기 표 1 및 표 2에서 보는 바와 같이 본 발명에 의한 유기발광소자는 종래기술에 의한 비교예들의 화합물을 사용한 유기발광소자보다 발광 효율이 우수하며, 저전압구동 및 장수명의 특성을 보여줌으로써 유기발광 소자로서 응용가능성이 높은 것을 알 수 있다.
본 발명에 의한 화합물을 사용하여 발광층을 제조한 유기발광소자는 종래의 화합물에 비하여 보다 고효율, 저전압구동 및 장수명 특성이 향상되어, 유기발광소자에 적용하는 경우에 개선된 특성을 나타내어 유기발광소자 및 이와 관련한 산업 분야에서 산업상 이용가능성이 높다.
Claims (24)
- 제1전극; 및상기 제1전극에 대향된 제2전극; 을 포함하며,상기 제1전극과 상기 제2전극사이에는 제1호스트와 제1 도판트를 포함하는 제1 발광층; 및 제2 호스트와 제2 도판트를 포함하는 제2 발광층;을 순차적으로 포함하고,상기 제1 호스트 및 제2 호스트 중에서 적어도 하나는 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 1 종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[화학식 A] [화학식 B]
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,상기 R1 내지 R14은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 연결기 L1 및 L2는 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;상기 n1 및 n2는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 0 내지 2의 정수이되, 이들 각각이 2 인 경우에 각각의 연결기 L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고,상기 R 및 R'은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 n3 및 n4는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 1 내지 9의 정수이되, 이들 각각이 2 이상인 경우에 각각의 R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 에서, '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다. - 제1항에 있어서,상기 화학식 A로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함하며,상기 화학식 B 로 표시되는 화합물은 적어도 하나이상의 중수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기이며,상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 [화학식 A]에서의 적어도 하나의 R 은 중수소를 포함하는 치환기며,상기 [화학식 B]에서의 적어도 하나의 R' 은 중수소를 포함하는 치환기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 연결기 L1 및 L2는 각각 단일결합이거나, 아래 [구조식 1] 내지 [구조식 5] 중에서 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[구조식 1] [구조식 2] [구조식 3]
[구조식 4] [구조식 5]
상기 연결기 에서 방향족 고리의 탄소자리는 수소 또는 중수소가 결합될 수 있다. - 제 6항에 있어서,상기 연결기 L1 및 L2는 각각 단일결합 인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 [화학식 A]에서의 적어도 하나의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고,상기 [화학식 B]에서의 적어도 하나의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 8항에 있어서,상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고,상기 [화학식 A]에서의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며,상기 [화학식 B]에서의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 화합물은 하기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 B-1] 중에서 어느 하나로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[화학식 A-1] [화학식 B-1]
상기 [화학식 A-1] 및 [화학식 B-1]에서,상기 치환기 R1 내지 R14, 연결기 L1 및 L2, n1 및 n2는 제1항에서의 [화학식 A] 또는 [화학식 B]에서 정의한 바와 동일하고,치환기 R 및 R'은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다. - 제 1항에 있어서,상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고,상기 [화학식 A]에서의 R1 내지 R7, R 중 적어도 하나는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며,상기 [화학식 B]에서의 R8 내지 R14, R' 중 적어도 하나는 중수소 치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 화학식 A 및 화학식 B에서의 상기 n3 및 n4는 각각 1 이고,상기 [화학식 A]에서의 R 은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기이며,상기 [화학식 B]에서의 R' 은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 화합물은 하기 [화학식 1] 내지 [화학식 240] 으로 표시되는 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
화학식 1 화학식 2 화학식 3
화학식 4 화학식 5 화학식 6
화학식 7 화학식 8 화학식 9
화학식 10 화학식 11 화학식 12
화학식 13 화학식 14 화학식 15
화학식 16 화학식 17 화학식 18
화학식 19 화학식 20 화학식 21
화학식 22 화학식 23 화학식 24
화학식 25 화학식 26 화학식 27
화학식 28 화학식 29 화학식 30
화학식 31 화학식 32 화학식 33
화학식 34 화학식 35 화학식 36
화학식 37 화학식 38 화학식 39
화학식 40 화학식 41 화학식 42
화학식 43 화학식 44 화학식 45
화학식 46 화학식 47 화학식 48
화학식 49 화학식 50 화학식 51
화학식 52 화학식 53 화학식 54
화학식 55 화학식 56 화학식 57
화학식 58 화학식 59 화학식 60
화학식 61 화학식 62 화학식 63
화학식 64 화학식 65 화학식 66
화학식 67 화학식 68 화학식 69
화학식 70 화학식 71 화학식 72
화학식 73 화학식 74 화학식 75
화학식 76 화학식 77 화학식 78
화학식 79 화학식 80 화학식 81
화학식 82 화학식 83 화학식 84
화학식 85 화학식 86 화학식 87
화학식 88 화학식 89 화학식 90
화학식 91 화학식 92 화학식 93
화학식 94 화학식 95 화학식 96
화학식 97 화학식 98 화학식 99
화학식 100 화학식 101 화학식 102
화학식 103 화학식 104 화학식 105
화학식 106 화학식 107 화학식 108
화학식 109 화학식 110 화학식 111
화학식 112 화학식 113 화학식 114
화학식 115 화학식 116 화학식 117
화학식 118 화학식 119 화학식 120
화학식 121 화학식 122 화학식 123
화학식 124 화학식 125 화학식 126
화학식 127 화학식 128 화학식 129
화학식 130 화학식 131 화학식 132
화학식 133 화학식 134 화학식 135
화학식 136 화학식 137 화학식 138
화학식 139 화학식 140 화학식 141
화학식 142 화학식 143 화학식 144
화학식 145 화학식 146 화학식 147
화학식 148 화학식 149 화학식 150
화학식 151 화학식 152 화학식 153
화학식 154 화학식 155 화학식 156
화학식 157 화학식 158 화학식 159
화학식 160 화학식 161 화학식 162
화학식 163 화학식 164 화학식 165
화학식 166 화학식 167 화학식 168
화학식 169 화학식 170 화학식 171
화학식 172 화학식 173 화학식 174
화학식 175 화학식 176 화학식 177
화학식 178 화학식 179 화학식 180
화학식 181 화학식 182 화학식 183
화학식 184 화학식 185 화학식 186
화학식 187 화학식 188 화학식 189
화학식 190 화학식 191 화학식 192
화학식 193 화학식 194 화학식 195
화학식 196 화학식 197 화학식 198
화학식 199 화학식 200 화학식 201
화학식 202 화학식 203 화학식 204
화학식 205 화학식 206 화학식 207
화학식 208 화학식 209 화학식 210
화학식 211 화학식 212 화학식 213
화학식 214 화학식 215 화학식 216
화학식 217 화학식 218 화학식 219
화학식 220 화학식 221 화학식 222
화학식 223 화학식 224 화학식 225
화학식 226 화학식 227 화학식 228
화학식 229 화학식 230 화학식 231
화학식 232 화학식 233 화학식 234
화학식 235 화학식 236 화학식 237
화학식 238 화학식 239 화학식 240 - 제1항에 있어서,상기 제1 전극과 제1 발광층 사이에는 정공수송층 및 정공주입층 중 적어도 하나이상이 구비되며, 또한 제2 발광층과 제2전극 사이에는 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나이상이 구비되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 제1발광층내 제1 도판트 또는 제2발광층내 제2 도판트 중 적어도 하나는 아래 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10] 중에서 선택되는 어느 하나이상의 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[화학식 D1]
[화학식 D2]
상기 [화학식 D1] 및 [화학식 D2]에서, A31, A32, E1 및 F1은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 방향족 헤테로고리이고;상기 A31의 방향족 고리내 서로 이웃한 두 개의 탄소원자와, 상기 A32의 방향족 고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 치환기 R51 및 R52에 연결된 탄소원자와 5원환을 형성함으로써 각각 축합고리를 형성하며;상기 연결기 L21 내지 L32는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되며;상기 W 및 W'는 N-R53, CR54R55, SiR56R57, GeR58R59, O, S, Se 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 치환기 R51 내지 R59, Ar21 내지 Ar28은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬게르마늄기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30 의 아릴게르마늄기 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이되,상기 R51 및 R52는 서로 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택되는어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며;상기 p11 내지 p14, r11 내지 r14 및 s11 내지 s14는 각각 1 내지 3의 정수이되, 이들 각각이 2 이상인 경우에 각각의 연결기 L21 내지 L32는 서로 동일하거나 상이하고,상기 x1은 1 이고, y1, z1 및 z2은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 0 내지 1의 정수이며,상기 Ar21 과 Ar22, Ar23과 Ar24, Ar25와 Ar26 및 Ar27과 Ar28은 각각 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고;상기 화학식 D1에서 A32고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q11의 *와 결합하여 축합고리를 형성하고,상기 화학식 D2에서 상기 A31고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q12의 *와 결합하여 축합고리를 형성하고, 상기 A32 고리내 서로 이웃한 두개의 탄소원자는 상기 구조식 Q11의 *와 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다.[화학식 D3]
상기 [화학식 D3] 에서,상기 X1는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고상기 T1 내지 T3은 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40의 방향족 헤테로고리이고;상기 Y1는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 Y2는 N-R66, CR66R68, O, S, SiR69R70 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 R61 내지 R70은 각각 서로 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 R61 내지 R70은 각각 상기 T1 내지 T3중에서 선택되는 하나 이상의 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.[화학식 D4] [화학식 D5]
상기 [화학식 D4] 및 [화학식 D5]에서,상기 X2는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고상기 T4 내지 T6는 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,상기 Y4는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 Y5는 N-R66, CR66R68, O, S, SiR69R70 중에서 선택되는 어느 하나이며상기 Y6는 N-R71, CR72R73, O, S, SiR74R75 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 R61 내지 R75 는 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하다.[화학식 D6] [화학식 D7]
상기 X3는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고상기 T7 내지 T9는 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,상기 Y6는 N-R61, CR62R63, O, S, SiR64R65 중에서 선택되는 어느 하나이며;상기 치환기 R61 내지 R65, R71 내지 R72은 각각 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하되,상기 R71 및 R72는 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성하거나 또는 상기 T7 고리 또는 T9 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.[화학식 D8] [화학식 D9]
[화학식 D10]
상기 [화학식 D8] 내지 [화학식 D10]에서,상기 X는 B, P, P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고,상기 Q1 내지 Q3은 각각 [화학식 D3]에서 T1 내지 T3와 동일하며,상기 연결기 Y는 N-R3, CR4R5, O, S, Se 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 치환기 R3 내지 R5은 각각 [화학식 D3]에서 상기 R61 내지 R70 과 동일하되,상기 R3 내지 R5은 각각 상기 Q2 고리 또는 Q3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,상기 R4 및 R5은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,상기 Cy1에 의해 형성되는 고리는 질소(N) 원자, 상기 질소(N) 원자가 결합된 Q1고리내 방향족 탄소원자 및 상기 Cy1과 결합될 Q1고리내 방향족 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이고,상기 화학식 D9에서,상기 'Cy2'는 상기 Cy1에 부가되어 포화 탄화수소 고리를 형성가능하며, 상기 Cy2에 의해 형성되는 고리는 Cy1에 포함되는 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이고,상기 화학식 D10에서,상기 Cy3에 의해 형성되는 고리는 상기 Cy3와 결합될 Q3고리내 방향족 탄소원자, 질소(N)원자와 결합될 Q3내 방향족 탄소원자, 질소(N)원자, 상기 질소(N) 원자가 결합된 Cy1내 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌 기이며,여기서, 상기 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다. - 제 1 항에 있어서,상기 제1발광층은 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 화합물을 1 종 이상 포함하며,상기 제2 발광층에는 하기 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체가 호스트로서 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[화학식 E]
상기 [화학식 E]에서,상기 치환기 R41 내지 R56은 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,상기 치환기 Ar5은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이며,상기 연결기 L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 n은 1 내지 2의 정수이고, n이 2이상인 경우 각각의 연결기 L1은 서로 동일하거나 상이하고,상기 [화학식 E]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다. - 제 16 항에 있어서,상기 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체는 아래의 화학식 E-1 또는 화학식 E-2로 표시되는 안트라센 화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.[화학식 E-1]
[화학식 E-2]
상기 [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2]에서,상기 치환기 R41 내지 R48, R49 내지 R55 은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,상기 치환기 Ar5 은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이며,상기 연결기 L11은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 k은 1 내지 2의 정수이고, k가 2이상인 경우 각각의 연결기 L11은 서로 동일하거나 상이하고,상기 [화학식 E-1] 및 [화학식 E-2]에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 3 내지 24의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 12 내지 24의 디아릴아미노기, 탄소수 2 내지 24의 디헤테로 아릴아미노기, 탄소수 7 내지 24의 아릴(헤테로아릴)아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다. - 제 16 항에 있어서,상기 제2 발광층내 화학식 E로 표시되는 안트라센 유도체는 적어도 하나이상의 중수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 화학식 E에서 R41 내지 R48 중 적어도 하나는 중수소인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 16 항에 있어서,상기 화학식 E에서 Ar5 는 적어도 하나의 중수소를 포함하는 치환기인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 16 항에 있어서,상기 화학식 E에서 R49 내지 R56 중 적어도 하나는 중수소를 포함하는 치환기인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 16 항에 있어서,상기 화학식 E는 중수소화도가 20% 이상인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1발광층내 제1 도판트 및 제2발광층내 제2 도판트는 각각 동일하거나 상이하며, 상기 [화학식 D1] 내지 [화학식 D10] 중에서 선택되는 어느 하나이상의 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제14항에 있어서,상기 유기발광소자는 평판 디스플레이 장치; 플렉시블 디스플레이 장치; 단색 또는 백색의 평판 조명용 장치; 및, 단색 또는 백색의 플렉시블 조명용 장치;에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202180078145.1A CN116491242A (zh) | 2020-11-26 | 2021-07-30 | 发光层内包含新型有机化合物的有机发光元件 |
| EP21898277.5A EP4254526A1 (en) | 2020-11-26 | 2021-07-30 | Organic light-emitting device comprising novel organic compound in emission layer |
| US18/037,720 US20240023359A1 (en) | 2020-11-26 | 2021-07-30 | Organic light-emitting device comprising novel organic compound in emission layer |
| JP2023530977A JP2023552321A (ja) | 2020-11-26 | 2021-07-30 | 新規な有機化合物を発光層内に含む有機発光素子 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20200161275 | 2020-11-26 | ||
| KR10-2020-0161275 | 2020-11-26 | ||
| KR1020210098724A KR102439581B1 (ko) | 2020-11-26 | 2021-07-27 | 신규한 유기 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자 |
| KR10-2021-0098724 | 2021-07-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2022114448A1 true WO2022114448A1 (ko) | 2022-06-02 |
Family
ID=81754737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2021/009983 WO2022114448A1 (ko) | 2020-11-26 | 2021-07-30 | 신규한 유기 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240023359A1 (ko) |
| EP (1) | EP4254526A1 (ko) |
| JP (1) | JP2023552321A (ko) |
| WO (1) | WO2022114448A1 (ko) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140146951A (ko) * | 2013-06-18 | 2014-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20160089693A (ko) | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 에스에프씨 주식회사 | 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20170008673A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-24 | 에스에프씨 주식회사 | 고효율의 유기 발광 소자 |
| KR20170055743A (ko) | 2015-11-12 | 2017-05-22 | 에스에프씨 주식회사 | 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20170064131A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| CN107162869A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-15 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 芘类衍生物有机电致发光材料及其制备方法和有机电致发光器件 |
| KR20200081984A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 및 유기발광장치 |
-
2021
- 2021-07-30 WO PCT/KR2021/009983 patent/WO2022114448A1/ko active Application Filing
- 2021-07-30 US US18/037,720 patent/US20240023359A1/en active Pending
- 2021-07-30 JP JP2023530977A patent/JP2023552321A/ja active Pending
- 2021-07-30 EP EP21898277.5A patent/EP4254526A1/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140146951A (ko) * | 2013-06-18 | 2014-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20160089693A (ko) | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 에스에프씨 주식회사 | 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20170008673A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-24 | 에스에프씨 주식회사 | 고효율의 유기 발광 소자 |
| KR20170055743A (ko) | 2015-11-12 | 2017-05-22 | 에스에프씨 주식회사 | 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20170064131A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| CN107162869A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-09-15 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 芘类衍生物有机电致发光材料及其制备方法和有机电致发光器件 |
| KR20200081984A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 및 유기발광장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240023359A1 (en) | 2024-01-18 |
| JP2023552321A (ja) | 2023-12-15 |
| EP4254526A1 (en) | 2023-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018066830A1 (ko) | 장수명, 저전압 및 고효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2017023021A1 (ko) | 고효율을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2016126022A1 (ko) | 저전압구동이 가능하며 장수명을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2020105990A1 (ko) | 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2018066831A1 (ko) | 장수명, 저전압 및 고효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2015174682A1 (ko) | 방향족아민기를 포함하는 헤테로고리 화합물및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| WO2017082556A1 (ko) | 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| WO2013081315A1 (ko) | 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| WO2016108419A1 (ko) | 고효율과 장수명을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2016171429A2 (ko) | 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2013105747A1 (ko) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| WO2016017919A2 (ko) | 헤테로고리를 포함하는 축합 플루오렌 유도체 | |
| WO2016200080A1 (ko) | 고효율을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2013183851A1 (ko) | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| WO2018080066A1 (ko) | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| WO2021010770A1 (ko) | 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2021112403A1 (ko) | 유기화합물을 포함하는 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
| WO2020251183A1 (ko) | 유기발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2021230653A1 (ko) | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2016167505A1 (ko) | 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| WO2020153650A1 (ko) | 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 장수명의 유기발광소자 | |
| WO2019013556A1 (ko) | 고효율을 갖는 유기 발광 소자 | |
| WO2021162347A1 (ko) | 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2021210894A1 (ko) | 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| WO2017146397A1 (ko) | 신규한 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 21898277 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 18037720 Country of ref document: US |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 202180078145.1 Country of ref document: CN |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2023530977 Country of ref document: JP |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2021898277 Country of ref document: EP Effective date: 20230626 |