WO2022107559A1 - 電子デバイスの製造方法及びガラス板群 - Google Patents

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WO2022107559A1
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glass plate
glass
electronic device
manufacturing
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拡志 澤里
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an electronic device such as an organic EL display, and a group of glass plates used in this manufacturing method.
  • Organic EL devices used for flexible displays and the like are manufactured by using a resin layer such as polyimide as a substrate and forming a TFT layer, an organic EL layer, etc. on the resin layer.
  • the resin layer is formed by applying a varnish-like composition on a glass plate (also referred to as carrier glass) and heat-treating the resin component at a temperature below the thermal decomposition temperature for a certain period of time (see, for example, Patent Document 1).
  • a peeling step of peeling the organic EL device (resin layer) and the glass plate is executed.
  • a laser is irradiated from the side opposite to one surface of the glass plate on which the organic EL device is formed to heat the interface between the glass plate and the resin layer.
  • Lasers used include XeCl excima laser (wavelength 308 nm), Nd-YAG solid-state laser (wavelength 355 nm), Yb-YAG solid-state laser (wavelength 343 nm) and the like.
  • the organic EL device manufactured through the above steps is flexible and has good device characteristics. Therefore, it is particularly used in the manufacture of flexible electronic devices such as displays, touch panels, and solar cells.
  • the peeling step may include an organic EL device in which the peeling of the resin layer from the glass plate is insufficient. Specifically, a part of the resin layer in the organic EL device may not be peeled off from the glass plate and may remain on the glass plate.
  • the technical subject of the present invention is to make it difficult for wrinkles to occur in the resin layer of the electronic device when the glass plate is peeled off from the electronic device.
  • the present inventor has made variations in the transmittance at a wavelength of 308 to 355 nm for each glass plate of the glass plate group in the step of irradiating the interface between the glass plate and the resin layer of the electronic device with a UV laser. It is proposed as the present invention by finding that the heating state at the interface between the glass plate and the resin layer can be easily made uniform by setting the value to a certain value or less, and the above-mentioned problems can be solved.
  • the present invention has a preparatory step of preparing a glass plate group including a plurality of glass plates, a device forming step of forming an electronic device including a resin layer on the glass plate, and the resin layer of the electronic device and the glass.
  • a method for manufacturing an electronic device comprising a peeling step of peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device by heating an interface with the plate, wherein the plurality of the glass plates are the resin layer.
  • the standard deviation of the transmittance at a wavelength of 308 nm to 355 nm is 3.0 or less, which means that the standard deviation of the transmittance at a specific wavelength selected from the range of 308 nm to 355 nm (for example, wavelength 308 nm, 343 nm or 355 nm). It means that the deviation is 3.0 or less, and it is not necessary that the standard deviation related to the transmittance is 3.0 or less at all wavelengths in the range of 308 nm to 355 nm.
  • the standard deviation ⁇ t of the plate thickness of the plurality of glass plates is preferably 50 ⁇ m or less.
  • One of the factors that influence the variation in transmittance at wavelengths of 308 nm to 355 nm of the glass plate group is the change in the plate thickness of each glass plate constituting the glass plate group.
  • the standard deviation ⁇ t of the plate thickness of the glass plate is set to 50 ⁇ m or less, it is possible to reduce the variation in the transmittance of the glass plate group at wavelengths of 308 to 355 nm.
  • the content of Fe 2 O 3 in the glass plate is preferably 0.001 to 0.05% in terms of mass% in terms of oxide.
  • Another factor that influences the variation in transmittance of the glass plate group at wavelengths of 308 nm to 355 nm is the change in the content of Fe 2 O 3 in each glass plate constituting the glass plate group.
  • Fe When introduced into glass, it is a component that absorbs light having a wavelength of 430 nm or less and light having a broad wavelength range centered on 1080 nm. Therefore, when the content of Fe 2 O 3 in the glass plate group changes, the transmittance at a wavelength of 308 nm to 355 nm changes.
  • the glass plate group of the present invention by controlling the content of Fe 2 O 3 in the range of 0.001 to 0.05%, the variation in the transmittance of the glass plate group at a wavelength of 308 nm to 355 nm can be reduced. It is possible.
  • the standard deviation of the Fe 2 O 3 content in the glass plate is preferably 0.0009% or less in terms of oxide mass%. In this way, by controlling the standard deviation of the Fe 2 O 3 content in a plurality of glass plates to 0.0009% or less, it is possible to reduce the variation in the transmittance of the glass plate group at wavelengths of 308 nm to 355 nm. Will be.
  • the thickness of the glass plate is preferably 2.0 mm or less. If the thickness of the glass plate group is too thick, the energy of the UV laser used for peeling the resin layer in the peeling step is easily absorbed by the glass plate, and the resin layer is difficult to peel off. In the present invention, by setting the thickness of the glass plate to 2.0 mm or less, the glass plate can be easily peeled off from the resin layer of the electronic device.
  • a rectangular evaluation region having a first side along the plate pulling direction and a second side along the direction orthogonal to the plate pulling direction is set for the glass plate, and the evaluation region is set.
  • the difference in deflection between the front and back sides is preferably ⁇ 0.8 to 0.8 mm.
  • the glass plate can be suitably peeled from the resin layer by setting the difference between the front and back deflections within the above numerical range.
  • the glass plate is preferably a quadrangle having a side of 200 mm or more. As a result, the electronic device can be efficiently manufactured.
  • the coefficient of linear thermal expansion of the plurality of glass plates at 30 to 380 ° C. is preferably 30 ⁇ 10 -7 / ° C. to 50 ⁇ 10 -7 / ° C.
  • the heat shrinkage rate of the glass plate is preferably 30 ppm or less. This makes it possible to minimize the total pitch shift (TFT pattern shift), especially when manufacturing an organic EL device using low-temperature polysilicon (LTPS).
  • the transmittance of the glass plate at a wavelength of 308 nm is preferably 60% to 85%. If the above configuration is adopted, it is possible to minimize the output of the laser when the glass plate is peeled from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the XeCl excimer laser.
  • the transmittance of the glass plate at a wavelength of 343 nm is preferably 83% to 92%. If the above configuration is adopted, it is possible to minimize the output of the laser when the glass plate is peeled from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the Yb-YAG solid-state laser.
  • the transmittance of the glass plate at a wavelength of 355 nm is preferably 87% to 92%. If the above configuration is adopted, it is possible to minimize the output of the laser when the glass plate is peeled from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the Nd-YAG solid-state laser.
  • the glass plates constituting the glass plate group have an oxide equivalent mass% of SiO 2 50 to 70%, Al 2 O 3 10 to 25%, B 2 O 3 0.1 to 5%, MgO + CaO + SrO + BaO. It is preferably made of glass containing 10 to 30%.
  • the resin layer formed on the glass plate in the device forming step may contain at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polyetherimide, and polyesterimide.
  • the present invention when the glass plate is peeled from the electronic device, it is possible to prevent the resin layer of the electronic device from being wrinkled.
  • FIG. 1 to 10 show a method for manufacturing an electronic device according to the present invention, and an embodiment of a group of glass plates used in this method.
  • a step S2 and a peeling step S3 for heating the interface between the resin layer of the electronic device and the glass plate and peeling the glass plate from the resin layer are provided.
  • an organic EL device organic EL display
  • the glass plate group Gg is placed in a vertical posture on one vertical pallet 1 (preferably tilted posture of 45 ° to 80 ° with respect to the horizontal direction, more preferably 60 ° to 75 °). Includes a plurality of glass plates Gs loaded in.
  • the pallet 1 includes a bottom surface support portion 1a that supports the bottom surface of the glass plate group Gg made of a laminated body of glass plates Gs in a vertical posture, and a back surface support portion 1b that supports the back surface of the glass plate group Gg.
  • the glass plate group Gg is laminated on one horizontal pallet 2 in a horizontal posture (preferably 0 ° (horizontal posture) to 30 °, more preferably 0 ° to 15 °). It may contain a plurality of glass plates Gs.
  • the pallet 2 includes a bottom surface support portion 2a that supports the bottom surface of a glass plate group Gg made of a laminated body of glass plates Gs in a horizontal posture.
  • the glass plate group Gg it is preferable to sandwich a protective sheet such as a paper (blanket) or a foamed resin sheet between the glass plates Gs.
  • a protective sheet such as a paper (blanket) or a foamed resin sheet between the glass plates Gs.
  • the number of glass plates Gs contained in the glass plate group Gg can be, for example, 50 to 500.
  • the sample In the measurement of transmittance, the sample is placed in an analytical photometer, and fixed point measurement of transmittance at wavelengths of 308 nm, 343 nm, and 355 nm is performed. In this fixed point measurement, the transmittance is measured 300 times with respect to the fixed point of the sample, and the average value thereof is taken as the transmittance of the sample.
  • the average value of the transmittances of the 20 samples is the transmittance of the glass plate group Gg
  • the standard deviation of the transmittances of the 20 samples is the standard deviation of the transmittance of the glass plate group Gg.
  • the standard deviation of the transmittance of the glass plate group Gg at a wavelength of 308 to 355 nm is 3.0 or less, 2.5 or less, 2.2 or less, 1.8 or less, 1.5 or less, 1.3 or less, 1.1. Below, it is preferably 1.0 or less, 0.9 or less, 0.8 or less, 0.7 or less, and particularly preferably 0.4 or less.
  • the standard deviation of the transmittance of the glass plate group Gg at a wavelength of 308 to 355 nm is preferably 0.01 or more.
  • the plate thickness t is measured for 20 glass plates Gs randomly extracted from the glass plate group Gg.
  • the plate thickness t is measured at a pitch of 20 mm with a micrometer or the like along the direction orthogonal to the plate pulling direction.
  • the average value of the plate thickness t is calculated from the obtained measurement results and used as the plate thickness t of the glass plate Gs.
  • the average value of the plate thickness t of the 20 glass plates Gs is the plate thickness t of the glass plate Gs of the glass plate group Gg, and the standard deviation of the plate thickness t of the 20 glass plates Gs is the plate of the glass plate group Gg.
  • the plate thickness t is preferably 2.0 mm or less, 1.5 mm or less, 1.0 mm or less, 0.7 mm or less, and particularly preferably 0.6 mm or less.
  • the plate thickness t is preferably 0.1 mm or more.
  • the standard deviation ⁇ t of the plate thickness of the glass plate group Gg is preferably 50 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 27 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, and particularly preferably 20 ⁇ m or less.
  • the standard deviation ⁇ t of the plate thickness is preferably 1 ⁇ m or more.
  • the Fe 2 O 3 content is measured by a chemical analysis method for 20 glass plates Gs randomly extracted from the glass plate group Gg. More specifically, after crushing and drying the glass sample, the sample is liquefied with an acid solution, and the Fe concentration in the solution is measured with ICP-OES. This is converted into the content in the glass to obtain the Fe 2 O 3 content.
  • the standard deviation is calculated from the Fe 2 O 3 content of 20 glass plates Gs and used as the standard deviation of the Fe 2 O 3 content of the glass plate group Gg. It is preferable that the standard deviation of the Fe 2 O 3 content of the glass plate group Gg is 0.0009% or less, 0.0008% or less, and particularly 0.0007% or less in terms of mass% in terms of oxide.
  • the standard deviation ⁇ t of the Fe 2 O 3 content is preferably 0.0001% or more. The details of the components related to the glass plate Gs will be described later.
  • the glass plate Gs manufactured as described above is configured in a square shape having a first side Ga and a second side Gb.
  • the Ga and Gb on each side are preferably 200 mm or more, 500 mm or more, 800 mm or more, and particularly preferably 1000 mm or more.
  • the upper limit of the length of each side Ga and Gb can be, for example, 3000 mm.
  • the glass plate Gs has a first main surface GS1 on which an electronic device is formed and a second main surface GS2 located on the opposite side of the first main surface GS1.
  • the manufacturing method of the glass plate Gs will be described.
  • the glass raw material prepared so as to have a desired glass composition is put into a continuous melting furnace, the glass raw material is heated and melted, defoamed, and then supplied to the molding furnace to form the molten glass into a plate shape. It can be manufactured by molding and slowly cooling.
  • the glass plate Gs are preferably molded by using the overflow down draw method from the viewpoint of producing the glass plate Gs having a required good molding quality.
  • 5 and 6 show a molding furnace capable of carrying out the overflow downdraw method.
  • the molding furnace 3 has a molded body 4 and furnace wall portions 5a to 5f covering the molded body 4.
  • the molded body 4 includes an overflow groove 4a that overflows the molten glass Gm, side wall portions 4b and 4c that guide the molten glass Gm downward, and a lower end portion 4d that fuses the molten glass Gm. , Have.
  • the furnace wall portions 5a to 5f are each manufactured by cutting a refractory material of a single member.
  • the furnace wall portions 5a to 5f are also manufactured from the refractory material of the joint member (a member made by joining small refractory blocks with mortar or the like), but there is a problem that cracks occur at the joint portion of the joint member itself. be.
  • the molten glass Gm formed by the molded body 4 tends to have a bent shape due to a change in the plate thickness t, and as a result, the difference in deflection between the front and back of the glass plate Gs becomes large.
  • the present embodiment by using a single member refractory for the furnace wall portions 5a to 5f of the molding furnace 3, it is possible to manufacture glass plates Gs having a small variation in the plate thickness t and a small difference in front and back deflection. ..
  • the molten glass Gm is made to overflow from both sides of the overflow groove 4a of the molded body 4. Further, the molten glass Gm flowing down along the side wall portions 4b and 4c is fused and integrated at the lower end portion 4d of the molded body 4. As a result, the molten glass Gm is formed as a plate-shaped glass ribbon Gr.
  • the width and thickness of the glass ribbon Gr are set to the desired dimensions by sandwiching the glass ribbon Gr with a roller and stretching it in the width direction while stretching and molding (plate drawing) downward.
  • the plate drawing direction of the glass ribbon Gr is indicated by reference numeral X.
  • a square glass plate Gs is manufactured from the glass ribbon Gr.
  • the outer surface of the molten glass Gm which should be the surface of the glass plate Gs, does not come into contact with the molded body 4, and is molded in a free surface state.
  • the glass plate Gs manufactured by the overflow down draw method has better surface quality than other molding methods such as the float method, the slot down draw method, and the redraw method.
  • the difference in deflection between the front and back of the glass plate Gs manufactured as described above is -0.8 to 0.8 mm, -0.7 to 0.7 mm, -0.6 to 0.6 mm, and particularly -0.5 to. It is preferably 0.5 mm.
  • the difference in deflection between the front and back of the glass plate Gs is measured as follows.
  • a rectangular evaluation region EA having a first side EAa along the plate pulling direction X and a second side EAb along the direction Y orthogonal to the plate pulling direction from the glass plate Gs. Is cut out from the glass plate Gs. It is assumed that each side EAa and EAb of the rectangular evaluation area EA is 250 to 500 mm.
  • the second side EAb along the direction Y orthogonal to the plate pulling direction is set with the first main surface GS1 of the glass plate piece Gp formed by cutting out the evaluation region EA on the upper side.
  • the difference (W1-W2) is calculated as the front and back deflection difference.
  • the support interval L is a value obtained by subtracting 20 mm from the length of the second side EAb.
  • the difference in deflection between the front and back shall be converted by (W1-W2) ⁇ (350 / L) so that the support interval L becomes 350 mm.
  • the front-back deflection difference is measured for each evaluation area EA.
  • the front-back deflection difference is -0.8 to 0.8 mm, it means that the front-back deflection difference of all the evaluation areas EA is -0.8 to 0.8 mm.
  • the shape of the glass plate Gs becomes a shape with large irregularities, and when the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device is heated and peeled by a UV laser in the peeling step S3, the laser is used. Out of focus is likely to occur. As a result, the heating state at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device tends to be non-uniform, and the peelability of the resin layer of the electronic device is lowered.
  • the coefficient of linear thermal expansion of the glass plate Gs at 30 to 380 ° C is 30 ⁇ 10 -7 / ° C to 50 ⁇ 10 -7 / ° C, 33 ⁇ 10 -7 / ° C to 47 ⁇ 10 -7 / ° C, especially 35 ⁇ . It is preferably 10 -7 / ° C to 45 ⁇ 10 -7 / ° C.
  • TFT pattern shift total pitch shift
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the glass plate Gs preferably has a transmittance of 60% or more, 63% or more, 67% or more, and particularly 70% or more in the plate thickness direction at a wavelength of 308 nm. Further, the glass plate Gs preferably has a transmittance of 83% or more, 84% or more, 85% or more, particularly 87% or more in the plate thickness direction at a wavelength of 343 nm. Further, the glass plate Gs preferably has a transmittance of 87% or more, 88% or more, particularly 89% or more in the plate thickness direction at a wavelength of 355 nm. If the transmittance is too small, the energy of the UV laser used for peeling the resin layer is easily absorbed by the glass plate Gs, and the resin layer is difficult to peel.
  • the glass plate Gs is an oxide-equivalent mass% as a glass constituent, SiO 2 50 to 70%, Al 2 O 3 10 to 25%, B 2 O 3 0.1 to 5%, MgO + CaO + SrO + BaO 15 to 30%, It preferably contains Fe 2 O 3 0.001 to 0.05.
  • SiO 2 is a main component forming a glass skeleton structure.
  • the content of SiO 2 is 50 to 70%, 52 to 68%, 55 to 65%, and particularly 57 to 63%. If the content of SiO 2 is too high, the meltability decreases and the manufacturing cost increases. On the other hand, if the content of SiO 2 is too small, the chemical durability is lowered and the glass component is eluted into the resin when the resin layer is fired.
  • Al 2 O 3 is a main component that forms a glass skeleton structure and is also a component that enhances the stability of glass.
  • the content of Al 2 O 3 is 10 to 25%, 12 to 23%, and particularly 15 to 22%. If the content of Al 2 O 3 is too high, the meltability decreases and the manufacturing cost increases. On the other hand, if the content of Al 2 O 3 is too small, the stability of the glass is lowered, devitrified crystals such as mullite and anorthite are likely to precipitate, and defects in the glass increase.
  • B 2 O 3 is a component that forms the skeleton of the glass network structure, but unlike SiO 2 , it does not raise the melting temperature of glass, but rather has the function of lowering the melting temperature. ..
  • the content of B 2 O 3 is 0.1 to 5%, preferably 0.2 to 3%, 0.4 to 2%, and particularly preferably 0.5 to 1%. If the content of B 2 O 3 is too large, the Young's modulus of the glass decreases and the difference in deflection between the front and back becomes large. On the other hand, if the content of B 2 O 3 is too small, the meltability decreases and the manufacturing cost increases.
  • MgO, CaO, SrO and BaO are components that enhance the meltability of glass.
  • the content of MgO + CaO + SrO + BaO is 10 to 30%, preferably 13 to 28%, 15 to 25%, and particularly preferably 17 to 22%. If the content of MgO + CaO + SrO + BaO is too large, the chemical durability of the glass is extremely deteriorated, and the glass component is eluted into the resin layer when the resin layer of the electronic device is fired in the device forming step S2, and the characteristics of the resin layer are large. It will change. On the other hand, if the content of MgO + CaO + SrO + BaO is too small, the meltability decreases and the manufacturing cost increases.
  • Fe 2 O 3 is a component that acts as a clarifying agent.
  • the content of Fe 2 O 3 is preferably 0.001 to 0.05%, 0.003 to 0.04%, 0.005 to 0.03%, and particularly preferably 0.007 to 0.02%. .. If the content of Fe 2 O 3 is too high, the transmittance of the glass plate group Gg varies widely from 308 nm to 355 nm, and in the peeling step S3, the heating state at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device is changed. It becomes difficult to make it uniform.
  • Fe is not intentionally added and is inevitably mixed as an impurity from the glass raw material, glass cullet, equipment, etc. used in the manufacture of the glass plate in the manufacturing process.
  • the glass cullet refers to defective glass generated in the glass manufacturing process and recycled glass collected from home appliances and the like.
  • the glass plate group Gg used in the device forming step S2 is prepared.
  • the resin layer 6 to be the substrate of the organic EL element is formed on the first main surface GS1 of the glass plate Gs (resin layer forming step).
  • the resin layer 6 preferably contains at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polyetherimide, and polyesterimide. By containing these components, an organic EL device having good device characteristics can be produced.
  • a polyimide solution (a solution in which polyimide is melted or dissolved in an organic solvent) which is a precursor of polyimide is applied to a glass plate Gs and dried by heating. It is possible to form the resin layer 6.
  • a spin coater can be used, but the coating method is not limited to this method.
  • the applied solution is dried by, for example, vacuum drying.
  • the polyimide layer can also be formed by thermal imidization of a polyamic acid. The thickness of the polyimide layer thus formed is, for example, 5 to 50 ⁇ m.
  • TFT layer 7 (TFT: Thin Film Transistor) is formed on the resin layer 6 (TFT layer forming step).
  • the TFT layer 7 includes a TFT array circuit that realizes an active matrix.
  • the material of the semiconductor layer constituting the TFT element includes, for example, crystalline silicon, amorphous silicon, oxide semiconductor, and low temperature polysilicon (LTPS).
  • the thickness of the TFT layer 7 is, for example, 4 ⁇ m, but is not limited to this dimension.
  • the insulating layer 8 is formed on the TFT layer 7 (insulating layer forming step).
  • the insulating layer 8 is for flattening a step on the upper surface of the TFT layer 7.
  • the insulating layer 8 is composed of a resin layer such as polyimide.
  • the organic EL layer 9 is formed on the insulating layer 8 (organic EL layer forming step).
  • the organic EL layer 9 includes an array of OLED elements, each of which can be driven independently.
  • the organic EL layer 9 has a known structure in which a hole transport layer, an electron transport layer, a hole injection layer, an electron injection layer and the like are laminated in addition to the organic light emitting layer.
  • the thickness of the organic EL layer 9 is, for example, 1 ⁇ m, but the thickness is not limited to this dimension.
  • the device forming step S2 in addition to the TFT layer 7, the insulating layer 8 and the organic EL layer 9, known components such as an electrode layer and a sealing layer are laminated.
  • a laminated body LM formed by laminating an organic EL device D as an electronic device and a glass plate Gs is formed.
  • the protective sheet 10 is attached to the organic EL device D.
  • the protective sheet 10 may have adhesiveness or gas barrier property.
  • the thickness of the protective sheet 10 is, for example, 50 to 300 ⁇ m.
  • the laminated body LM is inverted and placed on the surface plate 11.
  • the laminated body LM is placed on the surface plate 11 so that the protective sheet 10 is interposed between the laminated body LM and the surface plate 11.
  • the laminated body LM is placed on the surface plate 11 so that the glass plate Gs is located on the upper portion.
  • the laser irradiation device 12 shown in FIG. 10C irradiates the glass plate Gs with a laser LS composed of a UV laser or the like.
  • the laser LS is configured in a line shape, for example, and is scanned in a predetermined direction while being irradiated to the interface between the resin layer 6 and the first main surface GS1 of the glass plate Gs.
  • the wavelength of the laser LS is selected so that it is not absorbed by the glass as much as possible, but is absorbed and decomposed by the resin layer 6.
  • the wavelength of the laser LS is, for example, 308 nm, 355 nm, and 343 nm.
  • FIG. 10D when the interface is heated by the laser LS, the glass plate Gs is peeled from the resin layer 6 of the organic EL device D and removed from the organic EL device D.
  • the standard deviation related to the transmittance of a plurality of glass plates Gs contained in the glass plate group Gg at a wavelength of 308 nm to 355 nm is 3.
  • the value is set to 0 or less, it becomes easy to make the heating state at the interface between the first main surface GS1 of the glass plate Gs and the resin layer 6 related to the electronic device uniform in the peeling step S3.
  • the glass plate Gs can be suitably peeled from the electronic device without leaving the resin layer 6 on the glass plate Gs.
  • wrinkles are less likely to occur in the resin layer 6 in the peeling step S3.
  • the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and is not limited to the above-mentioned action and effect.
  • the present invention can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
  • Composition and characteristics of glass Table 1 below shows an example of the composition of the glass (Sample No. 1) constituting the glass plate group used in the present invention and the measurement results of the characteristics (coefficient of thermal expansion, transmittance). ing.
  • various glass raw materials such as natural raw materials and chemical raw materials were weighed and mixed so as to have the glass composition shown in Table 1 to prepare a glass batch.
  • this glass batch After putting this glass batch into a crucible made of platinum rhodium alloy, it was melted at 1600 ° C. for 24 hours in an indirect heating electric furnace, and then the melted glass was poured onto a carbon plate and formed into a plate shape. .. The coefficient of thermal expansion was measured using this glass sample.
  • the average coefficient of thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. was measured using a delatometer based on JIS R3102.
  • the short side (1500 mm) of the glass plate was cut and collected so as to be in the plate pulling direction, and the long side (1850 mm) of the glass plate was cut and collected so as to be in the width direction orthogonal to the plate pulling direction.
  • 200 glass plates were collected and loaded on a vertical pallet in a vertical posture to prepare a group of glass plates of Example 1.
  • the speed of the tension roller, the speed of the cooling roller, the temperature distribution of the heating device, the temperature of the molten glass, the flow rate of the glass, the plate pulling speed, the rotation speed of the stirring stirrer, etc. are changed to change the glass plate.
  • the glass plate group of Examples 2 to 11 was prepared by adjusting the plate thickness t, the difference in deflection between the front and back surfaces, and the heat shrinkage rate.
  • Comparative Example 1 is the sample No.
  • a batch prepared by blending a raw material containing Fe as an impurity and a glass cullet so as to have the composition of 1 is melted in a glass melting furnace, and a molding furnace made of a refractory material for the joining member is used in the same manner as in Example 1.
  • a group of glass plates of Comparative Example 1 was prepared.
  • the plate thickness t of the glass plate in each example was arbitrarily extracted by cutting out a glass sample having a length of 50 mm in the plate pulling direction and a length of 1850 mm in the width direction orthogonal to the plate pulling direction from one glass plate. In the cross section in the plate thickness direction, the plate thickness t was measured at 93 points at a pitch of 20 mm, and the average value was calculated.
  • Each evaluation region is a rectangle having a length of 370 mm in the width direction orthogonal to the plate pulling direction and a length of 470 mm in the plate pulling direction.
  • the difference in deflection between the front and back sides was measured using glass pieces obtained by cutting these evaluation regions.
  • a sample of 30 mm ⁇ 160 mm was cut out from a glass plate and measured as follows. That is, as shown in FIG. 11A, linear marks M1 and M2 are written in two places at predetermined portions of the sample Gp of the glass plate at predetermined intervals, and as shown in FIG. 11B, in the direction perpendicular to the marks M1 and M2. By dividing the sample Gp, two glass plate pieces Gpa and Gpb were obtained.
  • the heat-treated glass plate pieces Gpa and the non-heat-treated glass plate pieces Gpb were arranged side by side and fixed with the adhesive tape T, and the marks M1 and M2 of the glass plate pieces Gpa were added.
  • the amount of deviation was measured, and the heat shrinkage rate C was calculated based on the following equation (1).
  • l 0 is the distance between the marks M1 and M2 on the glass plate Gp
  • ⁇ l t is the distance between the mark M1 on the glass plate piece Gpa and the mark M1 on the glass plate piece Gpb
  • ⁇ l. 2 is the distance between the mark M2 of the glass plate piece Gpa and the mark M2 of the glass plate piece Gpb.
  • a glass plate is cut into a size of 50 mm x 50 mm to prepare a sample, and a 50 mm x 50 mm surface is used as the measurement surface and installed in an analytical photometer (UV-3100PC manufactured by Shimadzu Corporation) with a wavelength of 308 nm.
  • UV-3100PC manufactured by Shimadzu Corporation
  • the method for manufacturing the organic EL element is as follows. First, a polyimide solution (a solution in which polyimide was melted or dissolved in an organic solvent) was applied to one surface of a glass plate for a sample, and heat-dried at 450 ° C. to form a colorless and transparent polyimide layer as a resin layer. .. Subsequently, a TFT layer and an organic EL layer were formed on the polyimide layer. Further, a protective sheet made of polyethylene terephthalate was attached on the organic EL layer.
  • a polyimide solution a solution in which polyimide was melted or dissolved in an organic solvent
  • this organic EL device was turned upside down together with the glass plate and installed on the surface plate. Then, the glass plate was irradiated with a line-shaped UV laser (wavelength 308 nm, 343 nm, 355 nm) to peel off the glass plate and the polyimide layer. The glass plate was lifted off, and the residual polyimide on the glass plate was visually confirmed, and the presence or absence of wrinkles in the polyimide layer was confirmed and evaluated.
  • a line-shaped UV laser wavelength 308 nm, 343 nm, 355 nm
  • the meanings of the residual polyimide layer on the glass substrate and the evaluation of the wrinkles of the polyimide layer shown in Tables 2 and 3 are as follows. ⁇ : It is shown that all of the 20 organic EL devices were excellent in that the polyimide layer did not remain on the glass substrate and the polyimide layer did not wrinkle. ⁇ : It is shown that wrinkles of the residual polyimide layer of the polyimide layer on the glass substrate were generated only at a few points out of 20 organic EL devices, and the results were good. X: In most of the 20 organic EL devices, it is shown that the polyimide layer remained on the glass substrate and the polyimide layer was wrinkled, which was impossible.
  • the standard deviation of the transmittance exceeds 3.0, and as a result, the residual polyimide layer on the glass substrate and the wrinkles of the polyimide layer frequently occur, and the evaluation is evaluated. It became ⁇ .
  • the standard deviation of the transmittance was 3.0 or less, the residual polyimide layer on the glass substrate was reduced, and the evaluation was ⁇ or ⁇ .
  • the standard deviation of the transmittance is 0.4 or less and the difference in deflection between the front and back is ⁇ 0.5 to 0.5 mm, and the polyimide layer on the glass substrate remains. It did not occur and the evaluation was ⁇ .

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Abstract

電子デバイスの製造方法は、複数のガラス板Ｇｓを含むガラス板群Ｇｇを用意する準備工程Ｓ１と、電子デバイスＤをガラス板Ｇｓに形成するデバイス形成工程Ｓ２と、ガラス板Ｇｓを電子デバイスＤの樹脂層６から剥離させる剥離工程Ｓ３と、を備える。複数のガラス板Ｇｓにおける波長３０８～３５５ｎｍの透過率の標準偏差は、３．０以下である。

Description

電子デバイスの製造方法及びガラス板群
　本発明は、有機ＥＬディスプレイ等の電子デバイスを製造する方法、及びこの製造方法に使用されるガラス板群に関する。
　フレキシブルディスプレイ等に用いられる有機ＥＬデバイスは、ポリイミドなどの樹脂層を基板とし、その上にＴＦＴ層、有機ＥＬ層等を形成することで製造される。樹脂層はガラス板（キャリアガラスとも呼ばれる）上にワニス状組成物を塗布し、樹脂成分の熱分解温度以下で一定時間熱処理を施すことによって形成される（例えば特許文献１参照）。
　有機ＥＬデバイスが樹脂層上に形成されると、有機ＥＬデバイス（樹脂層）とガラス板とを剥離させる剥離工程が実行される。この剥離工程では、有機ＥＬデバイスが形成されるガラス板の一方の面とは反対側からレーザーを照射してガラス板と樹脂層との界面を加熱する。使用されるレーザーには、ＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）、Ｎｄ－ＹＡＧ固体レーザー（波長３５５ｎｍ）、Ｙｂ－ＹＡＧ固体レーザー（波長３４３ｎｍ）などがある。
　上記のような工程を経て製造される有機ＥＬデバイスは、フレキシブルであり、良好なデバイス特性を有する。そのため特に、ディスプレイやタッチパネル、太陽電池等のフレキシブルな電子デバイスの製造に使用されている。
国際公開第２０１４／０７３５９１号
　電子デバイスの製造工程では、複数のガラス板を含むガラス板群を用意しておき、各ガラス板に対して有機ＥＬデバイスを順次形成する。従来の製造工程では、剥離工程において、ガラス板からの樹脂層の剥離が不十分となる有機ＥＬデバイスが含まれる場合があった。具体的には、有機ＥＬデバイスにおける樹脂層の一部がガラス板から剥離せず、ガラス板上に残存する場合があった。
　この問題を解決する方法として、レーザーの照射強度を上げる方法がある。しかしながら、この方法では樹脂層に過剰な熱応力が加わり、ガラス板から樹脂層を剥離した後に樹脂層（樹脂基板）とＴＦＴ層の間の残留応力が原因となって、樹脂基板にしわ（局所的な膜の剥がれ）が発生するおそれがあった。
　樹脂基板にしわが発生すると、有機ＥＬデバイスの動作不良の原因となる。このため、有機ＥＬデバイスの製造は歩留まりが低くなり、生産コストが増大するおそれがあった。
　本発明は、電子デバイスからガラス板を剥離する際に、電子デバイスの樹脂層にしわが発生し難くなるようにすることを技術的課題とする。
　本発明者は種々の検討を行った結果、ガラス板と電子デバイスの樹脂層の界面にＵＶレーザーを照射する工程において、ガラス板群の各ガラス板について、波長３０８～３５５ｎｍの透過率のばらつきをある一定の値以下にすることで、ガラス板と樹脂層の界面における加熱状態を均一にしやすくなり、上記課題を解決できることを見出して、本発明として提案するものである。
　すなわち、本発明は、複数のガラス板を含むガラス板群を用意する準備工程と、樹脂層を含む電子デバイスを前記ガラス板に形成するデバイス形成工程と、前記電子デバイスの前記樹脂層と前記ガラス板との界面を加熱することにより、前記ガラス板を前記電子デバイスの前記樹脂層から剥離させる剥離工程と、を備える電子デバイスの製造方法であって、前記複数の前記ガラス板は、前記樹脂層が形成される第一主面と、前記第一主面とは反対側に位置する第二主面とを有し、前記複数のガラス板における波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍの透過率の標準偏差は、３．０以下であることを特徴とする。
　上記のように、複数のガラス板における波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍの透過率に係る標準偏差を３．０以下とすることで、剥離工程において、ガラス板と樹脂層の界面の加熱状態を均一にしやすくなる。これにより、ガラス板を樹脂層から剥離させる際に、ガラス板上に樹脂層が残り難くすることができる。これにより、剥離工程において、樹脂層にしわが発生し難くなる。なお、波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍの透過率に係る標準偏差を３．０以下とするとは、３０８ｎｍ～３５５ｎｍの範囲内から選択された特定の波長（例えば波長３０８ｎｍ、３４３ｎｍ又は３５５ｎｍ）において透過率に係る標準偏差が３．０以下であることを意味し、３０８ｎｍ～３５５ｎｍの範囲内の全ての波長において透過率に係る標準偏差が３．０以下であることを要しない。
　前記複数の前記ガラス板に係る板厚の標準偏差Δｔは、５０μｍ以下であることが好ましい。
　ガラス板群の波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきに影響を及ぼす因子の一つが、ガラス板群を構成する各ガラス板の板厚の変化である。本発明では、ガラス板の板厚の標準偏差Δｔを５０μｍ以下にすることで、ガラス板群の波長３０８～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきを小さくすることが可能である。
　本発明では、前記ガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量は、酸化物換算の質量％で、０．００１～０．０５％であることが好ましい。
　ガラス板群の波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきに影響を及ぼすもう一つの因子が、ガラス板群を構成する各ガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量の変化である。Ｆｅはガラス中に導入されると、４３０ｎｍ以下の波長の光、および１０８０ｎｍを中心としたブロードな波長域の光を吸収する成分である。よって、ガラス板群のＦｅ2Ｏ3の含有量が変化すると３０８ｎｍ～３５５ｎｍの波長における透過率が変化する。本発明のガラス板群は、Ｆｅ2Ｏ3の含有量を０．００１～０．０５％の範囲にコントロールすることで、ガラス板群の波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきを小さくすることが可能である。
　本発明では、前記ガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差は、酸化物換算の質量％で、０．０００９％以下であることが好ましい。このように、複数のガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差を０．０００９％以下にコントロールすることで、ガラス板群の波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきを小さくすることが可能となる。
　前記ガラス板の板厚は、２．０ｍｍ以下であることが好ましい。ガラス板群の板厚が厚すぎると、剥離工程において樹脂層の剥離に用いるＵＶレーザーのエネルギーがガラス板に吸収されやすくなり、樹脂層が剥離し難くなってしまう。本発明では、ガラス板の板厚を２．０ｍｍ以下とすることで、ガラス板を電子デバイスの樹脂層から剥離させ易くなる。
　前記準備工程では、板引き方向に沿った第一辺と、前記板引き方向と直交する方向に沿った第二辺とを有する長方形の評価領域が前記ガラス板に対して設定され、前記評価領域の表裏たわみ差は、－０．８～０．８ｍｍであることが好ましい。
　ガラス板群の表裏たわみ差が大きすぎると、ガラス板の形状が凹凸の大きな形状となり、剥離工程においてＵＶレーザーでガラス板と樹脂層の界面を加熱して剥離する際に、レーザーの焦点ずれが発生しやすい。その結果、ガラス板と樹脂層の界面における加熱状態が不均一になりやすく、樹脂層の剥離性が低下する。本発明では、表裏たわみ差の上記の数値範囲とすることで、ガラス板を樹脂層から好適に剥離させることができる。
　また、前記ガラス板は、２００ｍｍ以上の辺を有する四角形であることが好ましい。これにより、電子デバイスを効率良く製造することができる。
　前記複数の前記ガラス板の３０～３８０℃における線熱膨張係数は、３０×１０-7／℃～５０×１０-7／℃であることが好ましい。これにより、電子デバイスの製造する際のトータルピッチずれの発生を防止するとともに、ガラス板に形成される樹脂層のひび割れを防止することができる。
　また、ガラス板の熱収縮率は、３０ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、特に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を用いた有機ＥＬデバイスを作製する際に、トータルピッチずれ（ＴＦＴパターンのずれ）を最小限に抑えることができる。
　前記ガラス板の波長３０８ｎｍにおける透過率は、６０％～８５％であることが好ましい。上記構成を採用すれば、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いた剥離工程において、ガラス板を電子デバイスの樹脂層から剥離させる際に、レーザーの出力を最小限に抑えることが可能となる。
　前記ガラス板の波長３４３ｎｍにおける透過率は、８３％～９２％であることが好ましい。上記構成を採用すれば、Ｙｂ－ＹＡＧ固体レーザーを用いた剥離工程において、ガラス板を電子デバイスの樹脂層から剥離させる際に、レーザーの出力を最小限に抑えることが可能となる。
　前記ガラス板の波長３５５ｎｍにおける透過率は、８７％～９２％であることが好ましい。上記構成を採用すれば、Ｎｄ－ＹＡＧ固体レーザーを用いた剥離工程において、ガラス板を電子デバイスの樹脂層から剥離させる際に、レーザーの出力を最小限に抑えることが可能となる。
　本発明においては、ガラス板群を構成するガラス板が酸化物換算の質量％で、ＳｉＯ2　５０～７０％、Ａｌ2Ｏ3　１０～２５％、Ｂ2Ｏ3　０．１～５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　１０～３０％を含有するガラスからなることが好ましい。
　デバイス形成工程においてガラス板に形成される前記樹脂層は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。上記構成を採用すれば、フレキシブルであり、良好なデバイス特性を有する有機ＥＬデバイスを作製することができる。
　本発明によれば、電子デバイスからガラス板を剥離する際に、電子デバイスの樹脂層にしわが発生し難くなるようにすることが可能となる。
電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 ガラス板が縦置き姿勢で積載されたパレットを示す側面図である。 ガラス板が横置き姿勢で積載されたパレットを示す側面図である。 ガラス板の斜視図である。 成形炉の正面断面図である。 図５のＶＩ－ＶＩ矢視線に係る成形炉の断面図である。 評価領域が設定されたガラス板の平面図である。 ガラス板のたわみ差を説明するための概念図である。 デバイス形成工程を示す側面図である。 デバイス形成工程を示す側面図である。 デバイス形成工程を示す側面図である。 剥離工程を示す側面図である。 剥離工程を示す側面図である。 剥離工程を示す側面図である。 剥離工程を示す側面図である。 熱収縮率の測定方法を説明するための平面図である。 熱収縮率の測定方法を説明するための平面図である。 熱収縮率の測定方法を説明するための平面図である。
　以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図１０は、本発明に係る電子デバイスの製造方法、及びこの方法に使用されるガラス板群の一実施形態を示す。
　図１に示すように、本方法は、複数のガラス板を含むガラス板群を準備する準備工程Ｓ１と、樹脂層（樹脂基板）を含む電子デバイスをキャリアガラスとしてのガラス板に形成するデバイス形成工程Ｓ２と、電子デバイスの樹脂層とガラス板との界面を加熱し、ガラス板を樹脂層から剥離させる剥離工程Ｓ３と、を備える。以下、電子デバイスとして有機ＥＬデバイス（有機ＥＬディスプレイ）を製造する場合を例として説明する。
　図２及び図３は、準備工程Ｓ１において用意されるガラス板群の例を示す。
　図２に示すように、ガラス板群Ｇｇは、一つの縦置きパレット１の上に縦姿勢（水平方向に対して４５°～８０°の傾斜姿勢が好ましく、６０°～７５°がより好ましい）で積載された複数のガラス板Ｇｓを含む。パレット１は、縦姿勢のガラス板Ｇｓの積層体からなるガラス板群Ｇｇの底面を支持する底面支持部１ａと、ガラス板群Ｇｇの背面を支持する背面支持部１ｂとを備えている。
　図３に示すように、ガラス板群Ｇｇは、一つの横置き用パレット２の上に、横姿勢（０°（水平姿勢）～３０°が好ましく、０°～１５°がより好ましい）で積層された複数のガラス板Ｇｓを含んでもよい。パレット２は、横姿勢のガラス板Ｇｓの積層体からなるガラス板群Ｇｇの底面を支持する底面支持部２ａを備えている。
　上記のガラス板群Ｇｇにおいて、ガラス板Ｇｓの各相互間に、紙（合紙）や発泡樹脂シートなどの保護シートを挟むことが好ましい。ガラス板群Ｇｇに含まれるガラス板Ｇｓの枚数は、例えば５０枚～５００枚とすることができる。
　ここで、ガラス板群Ｇｇの透過率及びその標準偏差を測定する方法について説明する。ガラス板群Ｇｇからランダムに抽出された２０枚のガラス板Ｇｓについて、５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断加工したサンプルを作製し、各サンプルに対して透過率を測定する。
　透過率の測定では、サンプルを分析光度計に設置し、波長３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍの透過率の定点測定を行う。この定点測定では、サンプルの定点に対して３００回の透過率の測定を行い、その平均値を当該サンプルの透過率とする。２０枚のサンプルの透過率の平均値を、ガラス板群Ｇｇの透過率とし、２０枚のサンプルの透過率の標準偏差を、ガラス板群Ｇｇの透過率の標準偏差とする。
　ガラス板群Ｇｇの波長３０８～３５５ｎｍにおける透過率の標準偏差は、３．０以下、２．５以下、２．２以下、１．８以下、１．５以下、１．３以下、１．１以下、１．０以下、０．９以下、０．８以下、０．７以下、特に０．４以下であることが好ましい。
　標準偏差が大きすぎると、剥離工程Ｓ３においてガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面における加熱状態を均一にすることが難しく、ガラス板Ｇｓから樹脂層がきれいに剥がれず、ガラス板Ｇｓから剥離後の樹脂層にしわが発生するおそれがある。一方、標準偏差が小さすぎる場合、ガラス原料中のＦｅ2Ｏ3混入を限りなくゼロにする必要がある。そのため極端に純度の高いガラス原料を使用する必要があり、製造コストが大幅に上昇する。加えて、板厚の標準偏差Δｔを小さくするために、オーバーフローダンドロー法でガラス板Ｇｓを成形する際の板引きスピードが極端に低下し、生産性が大幅に悪化する。前述した製造コスト、生産性の観点から、ガラス板群Ｇｇの波長３０８～３５５ｎｍにおける透過率の標準偏差は、０．０１以上とすることが好ましい。
　続いて、ガラス板群Ｇｇの板厚ｔの標準偏差Δｔを測定する方法について説明する。ガラス板群Ｇｇからランダムに抽出された２０枚のガラス板Ｇｓについて、板厚ｔの測定を行う。板厚ｔの測定では、マイクロメーター等によって板厚ｔを２０ｍｍピッチで板引き方向と直交する方向に沿って測定する。
　その後、得られた測定結果から板厚ｔの平均値を算出して当該ガラス板Ｇｓの板厚ｔとする。２０枚のガラス板Ｇｓの板厚ｔの平均値を、ガラス板群Ｇｇのガラス板Ｇｓの板厚ｔとし、２０枚のガラス板Ｇｓの板厚ｔの標準偏差を、ガラス板群Ｇｇの板厚の標準偏差とする。板厚ｔは、２．０ｍｍ以下、１．５ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、０．７ｍｍ以下、特に０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
　板厚ｔが厚すぎると、剥離工程Ｓ３おいて使用されるＵＶレーザーのエネルギーがガラス板Ｇｓに吸収されやすくなり、電子デバイスの樹脂層がガラス板から剥離し難しくなってしまう。一方、ガラス板の反りを防止する観点から、板厚ｔは、０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。
　また、ガラス板群Ｇｇの板厚の標準偏差Δｔは、５０μｍ以下、４０μｍ以下、３５μｍ以下、３０μｍ以下、２７μｍ以下、２５μｍ以下、特に２０μｍ以下であることが好ましい。
　板厚の標準偏差Δｔが大きすぎると、波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきが大きくなり、剥離工程Ｓ３においてガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面における加熱状態を均一にすることが難しくなる。一方、生産性の観点から、板厚の標準偏差Δｔは、１μｍ以上とすることが好ましい。
　続いて、ガラス板群ＧｇのＦｅ2Ｏ3含有量の標準偏差を測定する方法について説明する。ガラス板群Ｇｇからランダムに抽出された２０枚のガラス板Ｇｓについて、化学分析法によってＦｅ2Ｏ3含有量を測定する。詳述するとガラス試料を粉砕、乾燥後、酸溶液を用いて試料を溶液化し、ＩＣＰ－ＯＥＳを用いて溶液中のＦｅ濃度を測定する。これをガラス中の含有量に換算し、Ｆｅ2Ｏ3含有量を求める。２０枚のガラス板ＧｓのＦｅ2Ｏ3含有量から標準偏差を算出してガラス板群ＧｇのＦｅ2Ｏ3含有量の標準偏差とする。ガラス板群ＧｇのＦｅ2Ｏ3含有量の標準偏差が、酸化物換算の質量％で、０．０００９％以下、０．０００８％以下、特に０．０００７％以下であることが好ましい。
　Ｆｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差が大きすぎると、ガラス板群Ｇｇの波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきが大きくなり、ガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面における加熱状態を均一にすることが難しくなる。一方、製造コストの観点から、Ｆｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差Δｔは、０．０００１％以上とすることが好ましい。なお、ガラス板Ｇｓに係る成分の詳細については後述する。
　図４に示すように、上記のようにして製造されたガラス板Ｇｓは、第一辺Ｇａ及び第二辺Ｇｂを有する四角形状に構成される。各辺Ｇａ，Ｇｂは、２００ｍｍ以上、５００ｍｍ以上、８００ｍｍ以上、特に１０００ｍｍ以上であることが好ましい。
　ガラス板Ｇｓの辺Ｇａ，Ｇｂの長さ寸法が小さすぎると、電子デバイスの生産量を増やすために極端に多くのガラス板Ｇｓが必要となり、生産性が悪化する。また、四角形以外の形状のガラス板Ｇｓを用いた場合、製品形状に切り抜く際のロスが増えて、生産性が悪化する。一方、各辺Ｇａ，Ｇｂの長さの上限は、例えば３０００ｍｍとすることができる。
　ガラス板Ｇｓは、電子デバイスが形成される第一主面ＧＳ１と、第一主面ＧＳ１の反対側に位置する第二主面ＧＳ２と、を有する。
　以下、ガラス板Ｇｓの製造方法について説明する。ガラス板Ｇｓは、所望のガラス組成となるように調合したガラス原料を連続溶融炉に投入し、ガラス原料を加熱溶融し、脱泡した後、成形炉に供給したうえで溶融ガラスを板状に成形し、徐冷等することにより製造することができる。
　ガラス板Ｇｓは、求められる良好な成形品位のガラス板Ｇｓを製造する観点から、オーバーフローダウンドロー法を用いて成形されることが好ましい。図５及び図６は、オーバーフローダウンドロー法を実施することが可能な成形炉を示す。
　図５及び図６に示すように、成形炉３は、成形体４と、成形体４を覆う炉壁部５ａ～５ｆを有する。図６に示すように、成形体４は、溶融ガラスＧｍを溢れ出されるオーバーフロー溝４ａと、溶融ガラスＧｍを下方へと案内する側壁部４ｂ，４ｃと、溶融ガラスＧｍを融合させる下端部４ｄと、を有する。
　炉壁部５ａ～５ｆは、それぞれが単一部材の耐火物を切削加工して作製されることが好ましい。接合部材（小さな耐火物ブロックをモルタル等で接合して作製された部材）の耐火物で炉壁部５ａ～５ｆを作製する方法もあるが、接合部材自体の接合箇所でクラックが生じるという問題がある。
　炉壁部５ａ～５ｆにクラックが生じると、クラックを通じて外気が成形炉３内に侵入し、局所的な溶融ガラスＧｍの温度低下を引き起こす。その結果、溶融ガラスＧｍの温度低下が生じた部位でガラスリボンＧｒの板厚に変化が生じ、これによるガラス板Ｇｓの板厚ｔのばらつきが大きくなる。
　さらに成形体４によって成形された溶融ガラスＧｍは、板厚ｔの変化によって撓んだ形状になりやすく、結果的にガラス板Ｇｓの表裏たわみ差が大きくなる。本実施形態では、成形炉３の炉壁部５ａ～５ｆに単一部材の耐火物を使用することによって、板厚ｔのばらつきが小さく、表裏たわみ差が小さいガラス板Ｇｓを作製することができる。
　オーバーフローダウンドロー法では、まず、溶融ガラスＧｍを成形体４のオーバーフロー溝４ａの両側から溢れ出させる。さらに、側壁部４ｂ，４ｃに沿って流下する溶融ガラスＧｍを成形体４の下端部４ｄで融合一体化する。これにより、溶融ガラスＧｍは、板状のガラスリボンＧｒとして成形される。
　その後、ガラスリボンＧｒをローラーで挟んで幅方向に引き伸ばしつつ、下方に延伸成形（板引き）することで、ガラスリボンＧｒの幅及び厚みを所望の寸法とする。なお、図５及び図６において、ガラスリボンＧｒの板引き方向を符号Ｘで示す。
　その後、徐冷工程、冷却工程、切断工程を経て、ガラスリボンＧｒから四角形状のガラス板Ｇｓが製造される。
　上記のオーバーフローダウンドロー法の場合、ガラス板Ｇｓの表面となるべき溶融ガラスＧｍの外表面は成形体４に接触せず、自由表面の状態で成形される。これにより、オーバーフローダウンドロー法により製造されるガラス板Ｇｓは、他の成形方法であるフロート法、スロットダウンドロー法、リドロー法などに比べて表面品位が良好なものとなる。
　上記のようにして製造されたガラス板Ｇｓの表裏たわみ差は、－０．８～０．８ｍｍ、－０．７～０．７ｍｍ、－０．６～０．６ｍｍ、特に－０．５～０．５ｍｍであることが好ましい。ガラス板Ｇｓの表裏たわみ差は、以下のようにして測定される。
　まず、図７に示すように、ガラス板Ｇｓから板引き方向Ｘに沿った第一辺ＥＡａと、前記板引き方向と直交する方向Ｙに沿った第二辺ＥＡｂとを有する矩形の評価領域ＥＡをガラス板Ｇｓから切り出す。矩形の評価領域ＥＡの各辺ＥＡａ、ＥＡｂは２５０～５００ｍｍとするものとする。
　次に、図８に示すように、評価領域ＥＡを切り出すことで形成されたガラス板片Ｇｐの第一主面ＧＳ１を上側にして、板引き方向と直交する方向Ｙに沿った第二辺ＥＡｂの両端部を支持した場合に発生するガラス板片Ｇｐの湾曲量Ｗ１と、このガラス板片Ｇｐの第二主面ＧＳ２を上側にして同様の方法で発生するガラス板片Ｇｐの湾曲量Ｗ２とを測定し、その差（Ｗ１－Ｗ２）を表裏たわみ差として算出する。その際、支持間隔Ｌは、第二辺ＥＡｂの長さから２０ｍｍを差し引いた値とする。表裏たわみ差は、支持間隔Ｌが３５０ｍｍとなるように（Ｗ１－Ｗ２）×（３５０／Ｌ）で換算するものとする。表裏たわみ差は、各評価領域ＥＡについて測定する。表裏たわみ差が－０．８～０．８ｍｍであるとは、全部の評価領域ＥＡの表裏たわみ差が－０．８～０．８ｍｍであることを意味する。
　表裏たわみ差が大きすぎると、ガラス板Ｇｓの形状が凹凸の大きな形状となり、剥離工程Ｓ３においてＵＶレーザーでガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面を加熱して剥離する際に、レーザーの焦点ずれが発生しやすい。その結果、ガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面における加熱状態が不均一になりやすく、電子デバイスの樹脂層の剥離性が低下する。
　ガラス板Ｇｓの３０～３８０℃における線熱膨張係数は、３０×１０-7／℃～５０×１０-7／℃、３３×１０-7／℃～４７×１０-7／℃、特に３５×１０-7／℃～４５×１０-7／℃であることが好ましい。
　熱膨張係数が大きすぎると、特に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を用いた有機ＥＬデバイスを作製する際に、トータルピッチずれ（ＴＦＴパターンのずれ）が発生しやすくなる。一方、熱膨張係数が小さすぎると、樹脂層との熱膨張係数の差が大きくなり、樹脂層にひび割れが発生しやすくなる。
　ガラス板Ｇｓは、波長３０８ｎｍにおける板厚方向の透過率が６０％以上、６３％以上、６７％以上、特に７０％以上であることが好ましい。また、ガラス板Ｇｓは、波長３４３ｎｍにおける板厚方向の透過率が８３％以上、８４％以上、８５％以上、特に８７％以上であることが好ましい。また、ガラス板Ｇｓは、波長３５５ｎｍにおける板厚方向の透過率が８７％以上、８８％以上、特に８９％以上であることが好ましい。透過率が小さすぎると樹脂層の剥離に用いるＵＶレーザーのエネルギーがガラス板Ｇｓに吸収されやすくなり、樹脂層が剥離しにくくなってしまう。
　ガラス板Ｇｓは、ガラス構成成分として酸化物換算の質量％で、ＳｉＯ2　５０～７０％、Ａｌ2Ｏ3　１０～２５％、Ｂ2Ｏ3　０．１～５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　１５～３０％、Ｆｅ2Ｏ3　０．００１～０．０５を含有することが好ましい。
　上記のように各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。
　ＳｉＯ2は、ガラス骨格構造を形成する主要成分である。ＳｉＯ2の含有量は５０～７０％であり、５２～６８％、５５～６５％、特に５７～６３％である。ＳｉＯ2の含有量が多すぎると、溶融性が低下して製造コストが上昇する。一方、ＳｉＯ2の含有量が少なすぎると、化学的耐久性が低下して樹脂層の焼成時にガラス成分が樹脂中に溶出してしまう。
　Ａｌ2Ｏ3は、ガラス骨格構造を形成する主要成分であり、ガラスの安定性を高める成分でもある。Ａｌ2Ｏ3の含有量は１０～２５％であり、１２～２３％、特に１５～２２％である。Ａｌ2Ｏ3の含有量が多すぎると、溶融性が低下して製造コストが上昇する。一方、Ａｌ2Ｏ3の含有量が少なすぎると、ガラスの安定性が低下して、ムライトやアノーサイト等の失透結晶が析出しやすくなり、ガラス中の欠陥が増加する。
　Ｂ2Ｏ3は、ＳｉＯ2と同様にガラス網目構造において、その骨格をなす成分であるが、ＳｉＯ2のようにガラスの溶融温度を高くすることはなく、むしろ溶融温度を低下させる働きがある。Ｂ2Ｏ3の含有量は０．１～５％であり、０．２～３％、０．４～２％、特に０．５～１％であることが好ましい。Ｂ2Ｏ3の含有量が多すぎると、ガラスのヤング率が低下して表裏たわみ差が大きくなってしまう。一方、Ｂ2Ｏ3の含有量が少なすぎると、溶融性が低下して製造コストが上昇する。
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは、ガラスの溶融性を高める成分である。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は１０～３０％であり、１３～２８％、１５～２５％、特に１７～２２％であることが好ましい。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が多すぎると、ガラスの化学的耐久性が極端に悪化し、デバイス形成工程Ｓ２における電子デバイスの樹脂層の焼成時にガラス成分が樹脂層に溶出して、樹脂層の特性が大きく変化してしまう。一方、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が少なすぎると、溶融性が低下して製造コストが上昇する。
　Ｆｅ2Ｏ3は、清澄剤として作用する成分である。Ｆｅ2Ｏ3の含有量は、０．００１～０．０５％、０．００３～０．０４％、０．００５～０．０３％、特に０．００７～０．０２％であることが好ましい。Ｆｅ2Ｏ3の含有量が高すぎると、ガラス板群Ｇｇの波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍにおける透過率のばらつきが大きくなり、剥離工程Ｓ３においてガラス板Ｇｓと電子デバイスの樹脂層との界面における加熱状態を均一にすることが難しくなる。一方、Ｆｅは、意図的に添加されることはなく、製造過程でガラス板の製造で使用されるガラス原料やガラスカレット、設備等から不純物として不可避的に混入する。ここで、ガラスカレットとは、ガラス製造工程で発生した不良ガラスや、家電製品などから回収したリサイクルガラスをさす。
　Ｆｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差を０．０００９％以下とする方法として、例えば、ガラスカレットの使用量を低減すること、又は、ガラスカレットを使用しないことを採用できる。また、不純物の少ない高純度のガラス原料を使用することを採用してもよい。
　上記のようにして製造された所定数のガラス板Ｇｓをパレット１，２に積載することで、デバイス形成工程Ｓ２に使用されるガラス板群Ｇｇが用意される。
　次に、デバイス形成工程Ｓ２について、図９を参照しながら説明する。
　図９Ａに示すように、デバイス形成工程Ｓ２では、まず、ガラス板Ｇｓの第一主面ＧＳ１に有機ＥＬ素子の基板となる樹脂層６が形成される（樹脂層形成工程）。
　樹脂層６は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。これらの成分を含有することによって、良好なデバイス特性を有する有機ＥＬデバイスを作製できる。
　本実施形態における樹脂層６の成分をポリイミド層とする場合、ポリイミドの前駆体であるポリイミド溶液（ポリイミドを溶融または有機溶媒に溶解した溶液）をガラス板Ｇｓに塗布し、加熱乾燥させることで、樹脂層６を形成することが可能である。塗布方法としては、例えばスピンコーターを用いることが可能であるが、この方法に限定されない。塗布された溶液は、例えば真空乾燥等により乾燥処理される。また、ポリイミド層は、ポリアミド酸の熱イミド化によっても形成することができる。このようにして形成したポリイミド層の厚みは、例えば５～５０μｍである。
　次に、図９Ｂに示すように、樹脂層６上にＴＦＴ層７（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成される（ＴＦＴ層形成工程）。
　ＴＦＴ層７は、アクティブマトリクスを実現するＴＦＴアレイ回路を含む。ＴＦＴ素子を構成する半導体層の材料は、例えば結晶性のシリコン、非晶質のシリコン、酸化物半導体、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を含む。ＴＦＴ層７の厚みは例えば４μｍであるが、この寸法に限定されない。
　その後、図９Ｃに示すように、ＴＦＴ層７上に絶縁層８が形成される（絶縁層形成工程）。絶縁層８は、ＴＦＴ層７の上面の段差を平坦化するためのものである。絶縁層８は、樹脂層６と同様に、ポリイミド等の樹脂層により構成される。
　その後、絶縁層８上に有機ＥＬ層９が形成される（有機ＥＬ層形成工程）。有機ＥＬ層９は、各々が独立して駆動されうるＯＬＥＤ素子のアレイを含む。また、有機ＥＬ層９は、有機発光層の他、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等が積層された公知の構造を有する。有機ＥＬ層９の厚みは例えば１μｍであるが、この寸法に限定されない。
　デバイス形成工程Ｓ２では、ＴＦＴ層７、絶縁層８及び有機ＥＬ層９の他、電極層、封止層等の公知の構成要素が積層される。このデバイス形成工程Ｓ２によって、電子デバイスとしての有機ＥＬデバイスＤと、ガラス板Ｇｓとが積層されてなる積層体ＬＭが形成される。
　次に、剥離工程Ｓ３について、図１０Ａ～図１０Ｄを参照しながら説明する。
　図１０Ａに示すように、剥離工程Ｓ３では、まず、有機ＥＬデバイスＤに対して保護シート１０を貼り付ける。保護シート１０は、粘着性やガスバリア性を有していてもよい。保護シート１０の厚みは、例えば５０～３００μｍである。
　次に、図１０Ｂに示すように、積層体ＬＭを反転させて定盤１１に載置する。この場合において、積層体ＬＭは、積層体ＬＭと定盤１１との間に保護シート１０が介在するように、定盤１１に載置される。これにより、積層体ＬＭは、上部にガラス板Ｇｓが位置するように定盤１１に載置されることとなる。
　その後、図１０Ｃに示すレーザー照射装置１２により、ガラス板Ｇｓに対してＵＶレーザー等からなるレーザーＬＳを照射する。レーザーＬＳは、例えばライン状に構成されており、樹脂層６とガラス板Ｇｓの第一主面ＧＳ１との界面に対して照射された状態で所定の方向に走査される。レーザーＬＳの波長は、可能な限り、ガラスに吸収されず、樹脂層６に吸収、分解されるように選択される。レーザーＬＳの波長は、例えば３０８ｎｍ、３５５ｎｍ、３４３ｎｍである。図１０Ｄに示すように、レーザーＬＳによって界面が加熱されることで、ガラス板Ｇｓは、有機ＥＬデバイスＤの樹脂層６から剥離し、有機ＥＬデバイスＤから取り外される。
　以上説明した本実施形態に係る電子デバイス（有機ＥＬデバイスＤ）の製造方法によれば、ガラス板群Ｇｇに含まれる複数のガラス板Ｇｓにおける波長３０８ｎｍ～３５５ｎｍの透過率に係る標準偏差を３．０以下とすることで、剥離工程Ｓ３において、ガラス板Ｇｓの第一主面ＧＳ１と、電子デバイスに係る樹脂層６との界面における加熱状態を均一にし易くなる。これにより、剥離工程Ｓ３では、ガラス板Ｇｓ上に樹脂層６が残ることなく、ガラス板Ｇｓを電子デバイスから好適に剥離させることができる。これにより、剥離工程Ｓ３において、樹脂層６にしわが発生し難くなる。
　なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
（１）ガラスの組成、特性
　下記の表１は、本発明で使用するガラス板群を構成するガラスの組成例（試料Ｎｏ．１）と特性（熱膨張係数、透過率）の測定結果を示している。
　まず、表１のガラス組成になるように、天然原料、化成原料等の各種ガラス原料を秤量、混合して、ガラスバッチを作製した。次に、このガラスバッチを白金ロジウム合金製坩堝に投入した後、間接加熱電気炉内で１６００℃にて２４時間溶融し、その後、溶融したガラスをカーボン板上に流しだし、板状に成形した。このガラス試料を用いて熱膨張係数を測定した。
　熱膨張係数については、ＪＩＳ　Ｒ３１０２に基づいて、ディラートメーターを用いて３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001



（２）ガラス板の作製及び各種測定
　実施例１～１１については、試料Ｎｏ．１の組成になるように低鉄原料のみを調合したバッチをガラス溶融炉で溶融し、単一部材の耐火物で作られた成形炉を用いてオーバーフローダンドロー法でガラスリボンを成形し、切断加工して１５００ｍｍ×１８５０ｍｍサイズの四角形のガラス板を得た。
　この際、ガラス板の短辺（１５００ｍｍ）が板引き方向、ガラス板の長辺（１８５０ｍｍ）が板引き方向と直交する幅方向となるように切断採取した。ガラスの製造条件を固定したうえで、ガラス板を２００枚採取し、これを縦置きパレット上に縦姿勢で積載し、実施例１のガラス板群を作製した。
　さらにオーバーフローダウンドロー法による成形に際し、引張ローラーの速度、冷却ローラーの速度、加熱装置の温度分布、溶融ガラスの温度、ガラスの流量、板引き速度、攪拌スターラーの回転数等を変化させ、ガラス板の板厚ｔ、表裏たわみ差、熱収縮率を調整して、実施例２～１１のガラス板群を作製した。
　続いて比較例１は、試料Ｎｏ．１の組成になるようにＦｅを不純物として含む原料とガラスカレットを調合したバッチをガラス溶融炉で溶融し、接合部材の耐火物で作られた成形炉を用いて実施例１と同様の方法で比較例１のガラス板群を作製した。
　ここで、実施例及び比較例の板厚ｔ、表裏たわみ差、熱収縮は、ガラス基板群から１枚のガラス基板を抜き取り、測定した結果を用いた。
　各例におけるガラス板の板厚ｔは、一枚のガラス板から板引き方向の長さが５０ｍｍ、板引き方向と直交する幅方向の長さが１８５０ｍｍのガラス試料を切り出し、任意に抽出された板厚方向の断面において、板厚ｔを２０ｍｍピッチで９３か所測定し、その平均値を算出した。
　表裏たわみ差の測定では、一枚のガラス板に四つの評価領域を設定した。各評価領域は、板引き方向と直交する幅方向の長さが３７０ｍｍ、板引き方向の長さが４７０ｍｍの大きさの長方形とした。これらの評価領域を切断加工して得たガラス片を用いて表裏たわみ差を測定した。
　熱収縮率については、ガラス板から３０ｍｍ×１６０ｍｍの試料を切り出し、下記の要領にて測定を行った。すなわち、図１１Ａに示すようにガラス板の試料Ｇｐの所定部位に、直線状のマークＭ１，Ｍ２を所定間隔で二ケ所記入し、図１１Ｂに示すように、マークＭ１，Ｍ２と垂直な方向に試料Ｇｐを分断することで、二つのガラス板片Ｇｐａ，Ｇｐｂを得た。
　そして、一方のガラス板片Ｇｐａのみを、常温から１０℃／分の速度で５００℃まで昇温し、５００℃で１時間保持した後、１０℃／分の速度で常温まで冷却した。
　その後、図１１Ｃに示すように、熱処理を施したガラス板片Ｇｐａと、熱処理を施していないガラス板片Ｇｐｂとを並べて接着テープＴで固定した状態で、ガラス板片ＧｐａのマークＭ１、Ｍ２とのずれ量を測定し、下記の式（１）に基づいて熱収縮率Ｃを計算した。
　Ｃ（ｐｐｍ）＝（Δｌ1（μｍ）＋Δｌ2（μｍ））／ｌ0（ｍ）・・・（１）
　上記の式（１）において、ｌ0は、ガラス板ＧｐにおけるマークＭ１，Ｍ２間の距離、Δｌtは、ガラス板片ＧｐａのマークＭ１とガラス板片ＧｐｂのマークＭ１との間の距離、Δｌ2は、ガラス板片ＧｐａのマークＭ２とガラス板片ＧｐｂのマークＭ２との間の距離である。
　透過率は、ガラス板を５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断加工してサンプルを作製し、５０ｍｍ×５０ｍｍの面を測定面として分析光度計（株式会社島津製作所製　ＵＶ－３１００ＰＣ）に設置し、波長３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍにおける透過率を測定した。
（３）有機ＥＬデバイスの作製及び評価
　実施例１～１１、および比較例１のガラス板群から２０枚のガラス板をランダムに抽出し、抽出したガラス板を半分のサイズ１５００ｍｍ×９２５ｍｍに切断して試料用のガラス板を採取した。この試料用ガラス板を用いて有機ＥＬデバイスを作製した。
　有機ＥＬ素子の作製方法は、以下の通りである。まず、試料用ガラス板の一方の面上にポリイミド溶液（ポリイミドを溶融または有機溶媒に溶解した溶液）を塗布し、４５０℃で加熱乾燥処理を施して無色透明なポリイミド層を樹脂層として形成した。続いて、ポリイミド層の上にＴＦＴ層、有機ＥＬ層を形成した。さらに、有機ＥＬ層の上にポリエチレンテレフタレートからなる保護シートを貼り付けた。
　次に、この有機ＥＬデバイスをガラス板ごと上下反転させ、定盤上に設置した。その後、ガラス板にライン状ＵＶレーザー（波長３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ）を照射し、ガラス板とポリイミド層を剥離した。ガラス板をリフトオフし、目視にてガラス板上のポリイミドの残存を確認すると共にポリイミド層のしわの有無を確認して評価した。
　表２及び表３に示すガラス基板上のポリイミド層の残存とポリイミド層のしわの評価の意味は、下記の通りである。
◎：２０枚の有機ＥＬデバイスのうちの全部でガラス基板上のポリイミド層の残存とポリイミド層のしわが発生せず、優良であったことを示す。
〇：２０枚の有機ＥＬデバイスのうちの数点でのみ、ガラス基板上のポリイミド層の残存ポリイミド層のしわが発生し、良好であったことを示す。
×：２０枚の有機ＥＬデバイスのうちの多くで、ガラス基板上のポリイミド層の残存やポリイミド層のしわが発生し、不可であったことを示す。
　実施例１～１１、および比較例１のガラス板群に係る測定の結果及び評価の結果を下記の表２及び表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002












Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003









　表２、３の結果から明らかなように、比較例では、透過率の標準偏差が３．０を超え、その結果、ガラス基板上のポリイミド層の残存やポリイミド層のしわが多発し、評価が×となった。実施例１～１１では、透過率の標準偏差が３．０以下となり、ガラス基板上のポリイミド層の残存等が低減し、評価が◎又は〇となった。また、実施例１、２、４、７、１１では、透過率の標準偏差が０．４以下かつ裏表たわみ差が－０．５～０．５ｍｍとなり、ガラス基板上のポリイミド層の残存等が発生せず、評価が◎となった。
　６　　　　　　樹脂層
　Ｄ　　　　　　電子デバイス
　ＥＡ　　　　　評価領域
　Ｇａ　　　　　ガラス板の第一辺
　Ｇｂ　　　　　ガラス板の第二辺
　Ｇｇ　　　　　ガラス板群
　Ｇｓ　　　　　ガラス板
　ＧＳ１　　　　ガラス板の第一主面
　ＧＳ２　　　　ガラス板の第二主面
　Ｓ１　　　　　準備工程
　Ｓ２　　　　　デバイス形成工程
　Ｓ３　　　　　剥離工程

Claims (15)

  1. 　複数のガラス板を含むガラス板群を用意する準備工程と、
    　樹脂層を含む電子デバイスを前記ガラス板に形成するデバイス形成工程と、
    　前記電子デバイスの前記樹脂層と前記ガラス板との界面を加熱することにより、前記ガラス板を前記電子デバイスの前記樹脂層から剥離させる剥離工程と、を備える電子デバイスの製造方法であって、
    　前記複数の前記ガラス板は、前記樹脂層が形成される第一主面と、前記第一主面とは反対側に位置する第二主面とを有し、
    　前記複数のガラス板における波長３０８～３５５ｎｍの透過率の標準偏差は、３．０以下であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  2. 　前記複数の前記ガラス板に係る板厚の標準偏差Δｔは、５０μｍ以下である請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 　前記ガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量は、酸化物換算の質量％で、０．００１～０．０５％である請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 　前記複数の前記ガラス板におけるＦｅ2Ｏ3の含有量の標準偏差は、酸化物換算の質量％で、０．０００９％以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. 　前記ガラス板の板厚ｔは、２．０ｍｍ以下である請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  6. 　前記準備工程では、板引き方向に沿った第一辺と、前記板引き方向と直交する方向に沿った第二辺とを有する長方形の評価領域が前記ガラス板に対して設定され、
    　前記評価領域の表裏たわみ差は、－０．８～０．８ｍｍである請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 　前記ガラス板は、２００ｍｍ以上の辺を有する四角形である請求項１から６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  8. 　前記ガラス板の３０～３８０℃における線熱膨張係数は、３０×１０-7／℃～５０×１０-7／℃である請求項１から７のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  9. 　前記ガラス板の熱収縮率は、３０ｐｐｍ以下である請求項１から８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  10. 　前記ガラス板における波長３０８ｎｍの透過率は、６０～８５％である請求項１から９のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  11. 　前記ガラス板における波長３４３ｎｍの透過率は、８３～９２％である請求項１から１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  12. 　前記ガラス板における波長３５５ｎｍの透過率は、８７～９２％である請求項１から１０のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  13. 　前記ガラス板は、酸化物換算の質量％で、ＳｉＯ2　５０～７０％、Ａｌ2Ｏ3　１０～２５％、Ｂ2Ｏ3　０．１～５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　１０～３０％を含有するガラスからなる請求項１から１２のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  14. 　前記樹脂層は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する請求項１から１３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  15. 　複数のガラス板を含むガラス板群であって、
    　前記ガラス板は、電子デバイスの樹脂層が形成される第一主面と、前記第一主面とは反対側に位置する第二主面とを有し、
    　前記複数の前記ガラス板における波長３０８～３５５ｎｍの透過率の標準偏差は、３．０以下であることを特徴とするガラス板群。
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