WO2022085451A1 - 電子機器 - Google Patents

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    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps

Definitions

  • the present invention relates to an electronic device including a semiconductor element and an antenna.
  • the laminated module includes an LCP laminated board, an LTCC laminated board, an antenna, and an IC chip.
  • the LCP laminated substrate includes an upper part, a lower part and a connecting part.
  • the upper portion of the LCP laminated substrate is provided above the lower portion of the LCP laminated substrate.
  • the connecting portion of the LCP laminated board is connected to the upper part of the LCP laminated board and the lower part of the LCP laminated board.
  • the connecting portion of the LCP laminated substrate is bent in the vertical direction.
  • the LCP laminated substrate has a shape in which the U-shape is rotated 90 degrees in the clockwise direction.
  • the antenna is provided on the upper main surface of the upper part of the LCP laminated board.
  • the LTCC laminated substrate is provided on the upper main surface of the lower part of the LCP laminated substrate.
  • the IC chip is provided on the upper main surface of the LTCC laminated substrate.
  • the LTCC laminated substrate is a rigid substrate. Therefore, the deformation of the lower part of the LCP laminated substrate is suppressed by the LTCC laminated substrate. As a result, the deformation of the lower part of the LCP laminated substrate prevents the IC chips from being displaced. That is, the mounting reliability of the IC chip on the LCP laminated board is improved.
  • the distance between the IC chip and the antenna is short. Therefore, the IC chip may be affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antenna.
  • noise generated in the IC chip may be radiated from the antenna. Specifically, noise is radiated from the IC to the antenna. The antenna radiates this noise.
  • an object of the present invention is to improve the mounting reliability of the semiconductor element on the first substrate, to suppress the influence of the RF signal (electromagnetic wave) from the antenna on the semiconductor element, or to suppress the semiconductor element. It is an object of the present invention to provide an electronic device capable of suppressing the noise generated in an element from being radiated from an antenna.
  • the electronic device is It includes a first board body and a first board containing a first conductor pattern, a second board containing a second board body, a semiconductor element, an antenna, and a metal plate.
  • the first substrate main body has an upper main surface of the first substrate main body and a lower main surface of the first substrate main body arranged in the vertical direction.
  • the second substrate main body has an upper main surface of the second substrate main body and a lower main surface of the second substrate main body arranged in the vertical direction.
  • the second board main body is arranged on the first board main body so that the upper main surface of the first board main body and the lower main surface of the second board main body face each other.
  • the semiconductor element is mounted on the lower main surface of the first substrate main body.
  • the antenna is provided on the second board main body, and the antenna is provided on the second board main body.
  • the thickness of the metal plate is larger than the thickness of the first conductor pattern.
  • the metal plate is surface-bonded to the main surface on the first substrate main body so as to overlap the semiconductor element when viewed in the vertical direction.
  • the mounting reliability of the semiconductor element on the first substrate can be improved, and the semiconductor element can be suppressed from being affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antenna. , It is possible to suppress the noise generated in the semiconductor element from being radiated from the antenna.
  • FIG. 1 is a rear view of the electronic device 10.
  • FIG. 2 is a bottom view of the first substrate 12.
  • FIG. 3 is a top view of the second substrate 14.
  • FIG. 4 is a rear view of the electronic device 10a.
  • FIG. 5 is a rear view of the electronic device 10b.
  • FIG. 6 is a rear view of the electronic device 10c.
  • FIG. 7 is a rear view of the electronic device 10d.
  • FIG. 8 is a rear view of the electronic device 10e.
  • FIG. 9 is a rear view of the electronic device 10f.
  • FIG. 10 is a rear view of the electronic device 10 g.
  • FIG. 1 is a rear view of the electronic device 10.
  • FIG. 2 is a bottom view of the first substrate 12.
  • FIG. 3 is a top view of the second substrate 14.
  • the direction is defined as follows.
  • the normal direction of the main surface S1 on the first substrate main body is defined as the vertical direction.
  • the two directions orthogonal to the vertical direction are defined as the horizontal direction and the front-back direction.
  • the left-right direction and the front-back direction are orthogonal to each other.
  • X is a part or member of the electronic device 10. Unless otherwise specified, each part of X is defined as follows in the present specification.
  • the front part of X means the front half of X.
  • the rear part of X means the rear half of X.
  • the left part of X means the left half of X.
  • the right part of X means the right half of X.
  • the upper part of X means the upper half of X.
  • the lower part of X means the lower half of X.
  • the front end of X means the front end of X.
  • the rear end of X means the rear end of X.
  • the left end of X means the left end of X.
  • the right end of X means the right end of X.
  • the upper end of X means the upper end of X.
  • the lower end of X means the lower end of X.
  • the front end portion of X means the front end portion of X and its vicinity.
  • the rear end portion of X means the rear end portion of X and its vicinity.
  • the left end portion of X means the left end portion of X and its vicinity.
  • the right end portion of X means the right end portion of X and its vicinity.
  • the upper end portion of X means the upper end portion of X and its vicinity.
  • the lower end portion of X means the lower end portion of X and its vicinity.
  • the electronic device 10 is, for example, a portable communication terminal such as a smartphone.
  • the electronic device 10 includes a first substrate 12, a second substrate 14, antennas 22a to 22c, a connecting portion 24, a semiconductor element 26, a plurality of electronic components 28, a metal plate 32, an insulating resin layer 34, a plurality of connecting conductors 36, and a spacer. It includes 38 and a housing 40.
  • the first substrate 12, the second substrate 14, and the connecting portion 24 are included in one resin substrate 50.
  • the resin substrate 50 includes one or more insulator layers straddling the first substrate 12, the second substrate 14, and the connecting portion 24.
  • the first substrate 12 is a resin multilayer substrate. Specifically, as shown in FIG. 1, the first substrate 12 includes a first substrate main body 16 and a plurality of first conductor patterns 18 and 19.
  • the first substrate main body 16 has a structure in which a plurality of insulator layers are laminated in the vertical direction.
  • the material of the plurality of insulator layers is, for example, a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer or polyimide.
  • the first substrate main body 16 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction.
  • the long side of the first substrate body 16 extends in the front-rear direction.
  • the short side of the first substrate body 16 extends in the left-right direction.
  • the first substrate main body 16 has an upper main surface S1 of the first substrate main body and a lower main surface S2 of the first substrate main body arranged in the vertical direction.
  • the upper main surface S1 of the first substrate main body is located on the lower main surface S2 of the first substrate main body.
  • “the first substrate main body upper main surface S1 is located on the first substrate main body lower main surface S2" refers to the following state. At least a part of the upper main surface S1 of the first substrate main body is arranged in a region through which the lower main surface S2 of the first substrate main body passes when it is translated upward.
  • the upper main surface S1 of the first board body may be contained in the region through which the lower main surface S2 of the first board body passes when the first board body lower main surface S2 moves in parallel in the upward direction, and the lower main surface S2 of the first board body may be contained. It may protrude from the area through which it passes when translating in the upward direction of the body.
  • the upper main surface S1 of the first substrate main body is contained in the region through which the lower main surface S2 of the first substrate main body passes when it is translated upward.
  • the plurality of first conductor patterns 18 are provided on the lower main surface S2 of the first substrate main body.
  • the plurality of first conductor patterns 18 have a rectangular shape when viewed in the vertical direction.
  • the plurality of first conductor patterns 18 are mounting electrodes for mounting the semiconductor element 26 described later.
  • the plurality of first conductor patterns 19 are provided on the main surface S1 on the first substrate main body.
  • the plurality of first conductor patterns 19 have a rectangular shape when viewed in the vertical direction.
  • the plurality of first conductor patterns 19 are electrically connected to a metal plate 32 described later.
  • the plurality of first conductor patterns 18 and 19 are formed by, for example, patterning a copper foil by a photolithography process or the like.
  • the second substrate 14 is a resin multilayer substrate.
  • the second substrate 14 includes the second substrate main body 20 as shown in FIG.
  • the second substrate main body 20 has a structure in which a plurality of insulator layers are laminated in the vertical direction.
  • the material of the plurality of insulator layers is, for example, a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer or polyimide.
  • the second substrate main body 20 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction.
  • the long side of the second substrate body 20 extends in the front-rear direction.
  • the short side of the second substrate body 20 extends in the left-right direction.
  • the thickness of the second substrate 14 is smaller than the thickness of the first substrate 12.
  • the second substrate main body 20 has an upper main surface S11 of the second substrate main body and a lower main surface S12 of the second substrate main body arranged in the vertical direction.
  • the upper main surface S11 of the second substrate main body is located on the lower main surface S12 of the second substrate main body.
  • the second substrate main body 20 is arranged on the first substrate main body 16 so that the upper main surface S1 of the first substrate main body and the lower main surface S12 of the second substrate main body face each other.
  • the fact that the upper main surface S1 of the first substrate main body and the lower main surface S12 of the second substrate main body face each other means that, for example, the following two conditions are satisfied.
  • the first condition is that the direction of the normal vector of the upper main surface S1 of the first substrate body and the direction of the normal vector of the lower main surface S12 of the second board body form 180 °. However, the orientation of these two normal vectors may deviate from 180 ° in the range of ⁇ 45 °, for example.
  • the second condition is that the second substrate main body 20 overlaps with the first substrate main body 16 when viewed in the normal vector (that is, in the vertical direction) of the main surface S1 on the first substrate main body.
  • the connecting portion 24 is bent in the vertical direction so as to connect the first substrate main body 16 and the second substrate main body 20.
  • the connecting portion 24 is curved so as to project to the right when viewed in the front-rear direction.
  • the connecting portion 24 is more easily bent in the vertical direction than the first substrate main body 16 and the second substrate main body 20. Therefore, the thickness of the connecting portion 24 is smaller than the thickness of the first substrate main body 16 and the thickness of the second substrate main body 20.
  • the semiconductor element 26 is an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit). Therefore, the semiconductor element 26 generates a transmission signal obtained by modulating a carrier wave having a predetermined frequency with transmission data, and outputs the transmission signal to the antennas 22a to 22c. The semiconductor element 26 demodulates the received signal received by the antennas 22a to 22c to acquire the received data.
  • the semiconductor element 26 is mounted on the lower main surface S2 of the first substrate main body. More specifically, as shown in FIG. 1, the semiconductor element 26 is mounted on the first conductor pattern 18 via solder bumps.
  • the plurality of electronic components 28 are mounted on the lower main surface S2 of the first board body of the first board body 16.
  • the plurality of electronic components 28 are, for example, chip-type electronic components or semiconductor elements.
  • the antennas 22a to 22c radiate the transmission signal output by the semiconductor element 26 as an electromagnetic wave. Further, the antennas 22a to 22c output the received electromagnetic wave as a reception signal to the semiconductor element 26. Therefore, the antennas 22a to 22c are electrically connected to the semiconductor element 26.
  • the antennas 22a to 22c are patch antennas. As shown in FIG. 1, the antennas 22a to 22c are provided on the second substrate main body 20. In the present embodiment, the antennas 22a to 22c are formed by a second conductor pattern provided on the main surface S11 on the second substrate main body. As shown in FIG. 3, the antennas 22a to 22c have a square shape when viewed in the vertical direction. As shown in FIG.
  • the antennas 22a to 22c are arranged in a line in this order from the back to the front.
  • the antennas 22b and 22c overlap with the semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction.
  • the antennas 22a to 22c are formed by, for example, patterning a copper foil by a photolithography process or the like.
  • the metal plate 32 is a plate-shaped member having a rectangular shape when viewed in the vertical direction.
  • the Young's modulus of the material of the metal plate 32 is higher than the Young's modulus of the material of the first substrate body 16.
  • the material of the metal plate 32 is, for example, SUS (Steel Use Stainless), a copper alloy (spring material), or the like.
  • the thickness of the metal plate 32 is larger than the thickness of the first conductor patterns 18 and 19. As a result, the metal plate 32 is less likely to be deformed than the first substrate 12.
  • the metal plate 32 is surface-bonded to the main surface S1 on the first substrate main body so as to overlap the semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction.
  • the insulating resin layer 34 is an adhesive layer for surface-bonding the metal plate 32 to the main surface S1 on the first substrate main body.
  • the surface joining means that the region where the metal plate 32 and the main surface S1 on the first substrate main body are joined has a surface shape when viewed in the vertical direction.
  • the surface bonding is, for example, a state in which the length of the insulating resin layer 34 in the front-rear direction and the length of the insulating resin layer 34 in the left-right direction are larger than the thickness of the insulating resin layer 34 in the vertical direction.
  • the insulating resin layer 34 is, for example, an underfill made of a thermosetting acrylic or epoxy resin.
  • the insulating resin layer 34 is provided between the metal plate 32 and the main surface S1 on the first substrate main body. Further, the metal plate 32 overlaps with substantially the entire main surface S1 on the first substrate main body when viewed in the vertical direction. As a result, the metal plate 32 overlaps with the entire semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction. Further, the metal plate 32 overlaps with the antennas 22a to 22c when viewed in the vertical direction. Therefore, the metal plate 32 is located between the antennas 22a to 22c and the semiconductor element 26.
  • the metal plate 32 is electrically connected to a plurality of first conductor patterns 19. More specifically, each of the plurality of connecting conductors 36 is provided on the plurality of first conductor patterns 19. The plurality of connecting conductors 36 are, for example, solder. The metal plate 32 is electrically connected to the plurality of first conductor patterns 19 via the plurality of connecting conductors 36. As a result, the metal plate 32 is connected to the ground potential.
  • the spacer 38 is provided between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32. As a result, the spacer 38 maintains a distance between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32.
  • the spacer 38 is a plate-shaped member.
  • the upper main surface of the spacer 38 is in contact with the lower main surface S12 of the second substrate main body.
  • the lower main surface of the spacer 38 is in contact with the upper main surface of the metal plate 32.
  • the spacer 38 may be a member having only a function (spacer function) for maintaining a distance between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32, or a member having a further function in addition to the spacer function. You may. Further functions are, for example, a display panel, a battery, and the like.
  • the housing 40 includes a first substrate 12, a second substrate 14, antennas 22a to 22c, a connecting portion 24, a semiconductor element 26, a plurality of electronic components 28, a metal plate 32, an insulating resin layer 34, and the like. It houses a plurality of connecting conductors 36 and spacers 38.
  • the housing 40 is a display panel, a case, etc. of the electronic device 10.
  • the housing 40 is a glass plate.
  • the housing 40 is a metal plate, a glass plate, or a resin plate.
  • the mounting reliability of the semiconductor element 26 on the first substrate 12 is improved. More specifically, when the first substrate main body 16 is deformed, stress is applied to the connection portion between the first substrate main body 16 and the semiconductor element 26. Such stress causes damage to the connection portion between the first substrate 12 and the semiconductor element 26. That is, such stress causes the electrical connection between the first substrate 12 and the semiconductor element 26 to be broken. Therefore, in the electronic device 10, the metal plate 32 is surface-bonded to the main surface S1 on the first substrate main body. As a result, the first substrate main body 16 is reinforced by the metal plate 32. Therefore, the metal plate 32 suppresses the deformation of the first substrate main body 16. As a result, it is suppressed that stress is applied to the connection portion between the first substrate main body 16 and the semiconductor element 26. Therefore, according to the electronic device 10, the mounting reliability of the semiconductor element 26 on the first substrate 12 is improved.
  • the semiconductor element 26 can be suppressed from being affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antennas 22a to 22c, or the noise generated in the semiconductor element 26 is radiated from the antennas 22a to 22c. Can be suppressed.
  • the second substrate main body 20 is arranged on the first substrate main body 16 so that the upper main surface S1 of the first substrate main body and the lower main surface S12 of the second substrate main body face each other.
  • the semiconductor element 26 is mounted on the lower main surface S2 of the first substrate main body.
  • the antennas 22a to 22c are provided on the second substrate main body 20.
  • the metal plate 32 is face-bonded to the main surface S1 on the first substrate main body so as to overlap the semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction. As a result, the metal plate 32 is located between the antennas 22a to 22c and the semiconductor element 26. Therefore, the RF signals (electromagnetic waves) radiated by the antennas 22a to 22c are blocked by the metal plate 32, and it becomes difficult to reach the semiconductor element 26. Similarly, the noise radiated by the semiconductor element 26 is blocked by the metal plate 32, making it difficult to reach the antennas 22a to 22c.
  • the semiconductor element 26 can be suppressed from being affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antennas 22a to 22c, or the noise generated in the semiconductor element 26 is radiated from the antennas 22a to 22c. It can be suppressed.
  • the metal plate 32 is connected to the ground potential. Therefore, according to the electronic device 10, the semiconductor element 26 can be more effectively suppressed from being affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antennas 22a to 22c, or the noise generated in the semiconductor element 26 is generated by the antennas 22a to 22c. It is possible to suppress the emission from the antenna more effectively.
  • the metal plate 32 overlaps with the antennas 22a to 22c when viewed in the vertical direction.
  • the electronic device 10 can more effectively suppress the influence of the RF signal (electromagnetic wave) from the antennas 22a to 22c on the semiconductor element 26, or the noise generated in the semiconductor element 26 is generated from the antennas 22a to 22c. It is possible to suppress the radiation more effectively.
  • the spacer 38 is provided between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32, and suppresses the change in the distance between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32. ..
  • the spacer 38 is provided between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32, and suppresses the change in the distance between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32. ..
  • fluctuations in the distance between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32 are suppressed. Therefore, it is possible to suppress fluctuations in the magnitude of the capacitance generated between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32.
  • the connecting portion 24 is more easily bent in the vertical direction than the first substrate main body 16 and the second substrate main body 20.
  • the thickness of the connecting portion 24 is smaller than the thickness of the first substrate main body 16 and the thickness of the second substrate main body 20.
  • the connecting portion 24 is easily deformed.
  • the stress applied by the connecting portion 24 to the first substrate main body 16 and the second substrate main body 20 becomes smaller. Therefore, when the connecting portion 24 is deformed, the stress applied by the connecting portion 24 to the second substrate main body 20 suppresses the deformation of the second substrate main body 20.
  • the deformation of the second substrate body 20 suppresses the change in the distance between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32. As a result, according to the electronic device 10, variations in the radiation characteristics of the antennas 22a to 22c are suppressed. In addition, damage to the resin substrate 50 is suppressed.
  • the heat generated in the first substrate 12 and the semiconductor element 26 is diffused through the metal plate 32. As a result, the cooling efficiency of the first substrate 12 and the semiconductor element 26 is improved.
  • FIG. 4 is a rear view of the electronic device 10a.
  • the electronic device 10a is different from the electronic device 10 in that the support member 60 is provided instead of the spacer 38. More specifically, the housing 40 supports the second substrate 14. The support member 60 is supported by the housing 40. The support member 60 supports the first substrate 12. Further, the support member 60 overlaps with the first substrate 12 and does not overlap with the second substrate 14 when viewed in the vertical direction. Since the other structures of the electronic device 10a are the same as those of the electronic device 10, the description thereof will be omitted.
  • the housing 40 supports the second substrate 14.
  • the support member 60 is supported by the housing 40.
  • the support member 60 supports the first substrate 12.
  • the support member 60 suppresses the change in the distance between the lower main surface S12 of the second substrate main body and the metal plate 32. Therefore, fluctuations in the distance between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32 are suppressed. Therefore, it is possible to suppress fluctuations in the magnitude of the capacitance generated between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32.
  • variations in the radiation characteristics of the antennas 22a to 22c are suppressed.
  • the support member 60 overlaps with the first substrate 12 and does not overlap with the second substrate 14 when viewed in the vertical direction. Therefore, the support member 60 does not exist between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32. That is, there is an air layer between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32. The increase in the dielectric constant in the region between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32 is suppressed. As a result, according to the electronic device 10a, the loss due to the spacer 38 is reduced. At this time, the metal plate 32 can be used as a ground for the antennas 22a to 22c.
  • FIG. 5 is a rear view of the electronic device 10b.
  • the electronic device 10b is different from the electronic device 10a in that the frame 70 and the heat conductor 72 are further provided.
  • the frame 70 is an internal skeleton of the electronic device 10b. Therefore, the frame 70 supports a component (not shown) provided in the housing 40. However, the frame 70 may support the resin substrate 50.
  • the material of the frame 70 is, for example, a metal such as aluminum.
  • the heat conductor 72 is a film connecting the metal plate 32 and the frame 70.
  • the heat conductor 72 is attached to the metal plate 32 and the frame 70 by an adhesive or the like.
  • the material of the thermal conductor 72 is a material having a high thermal conductivity.
  • the material of the heat conductor 72 is, for example, graphite, copper, aluminum or the like.
  • the frame 70 (metal article) is electrically connected to the metal plate 32.
  • the frame 70 is connected to the ground potential. Therefore, the potential of the metal plate 32 becomes more stable. Since the other structures of the electronic device 10b are the same as those of the electronic device 10a, the description thereof will be omitted.
  • FIG. 6 is a rear view of the electronic device 10c.
  • the electronic device 10c is different from the electronic device 10 in that the anisotropic conductive film 80 is provided instead of the insulating resin layer 34. More specifically, the anisotropic conductive film 80 is commonly known as ACF (Anisotropic Conducive Film).
  • the anisotropic conductive film 80 is a film-type bonding material having a structure in which conductive particles are uniformly dispersed in a thermosetting resin and having both conduction and insulation characteristics. In such an anisotropic conductive film 80, a plurality of terminals and a plurality of terminals can be collectively connected at the same time.
  • the metal plate 32 is surface-bonded to the main surface S1 on the first substrate main body, and the metal plate 32 and the first conductor pattern 19 are electrically connected.
  • the first conductor pattern 19 projects upward from the main surface S1 on the first substrate main body.
  • the pressure applied to the portion located between the first conductor pattern 19 and the metal plate 32 in the anisotropic conductive film 80 is between the first conductor pattern 19 and the metal plate 32 in the anisotropic conductive film 80. It is greater than the pressure applied to the part other than the part located in.
  • the first conductor pattern 19 and the metal plate 32 are electrically connected to each other via the conductive particles contained in the anisotropic conductive film 80. Since the other structures of the electronic device 10c are the same as those of the electronic device 10, the description thereof will be omitted.
  • FIG. 7 is a rear view of the electronic device 10d.
  • the electronic device 10d is different from the electronic device 10 in that the connectors 90 and 92 are provided instead of the connecting portion 24.
  • the connector 90 is mounted on the main surface S1 on the first board body of the first board body 16.
  • the connector 92 is mounted on the lower main surface S12 of the second board body of the second board body 20.
  • the connector 90 and the connector 92 are electrically connected to each other.
  • the semiconductor element 26 and the antennas 22a to 22c are electrically connected to each other via the first substrate 12, the connectors 90, 92, and the second substrate 14. Since the other configurations of the electronic device 10d are the same as those of the electronic device 10, the description thereof will be omitted.
  • FIG. 8 is a rear view of the electronic device 10e.
  • the electronic device 10e is different from the electronic device 10 in that the second board main body 20 and the connecting portion 24 are electrically connected via the connectors 90 and 92. That is, the connector 90 is mounted on the outer peripheral surface of the connecting portion 24. The connector 92 is mounted on the lower main surface S12 of the second board body. The connector 90 is electrically connected to the connector 92. Since the other structures of the electronic device 10e are the same as those of the electronic device 10, the description thereof will be omitted. The electronic device 10e can exert the same action and effect as the electronic device 10.
  • the electronic device 10e can be arranged three-dimensionally, the storage space of the electronic device 10e can be reduced. Further, since the connecting portion 24 can be connected to the thin plate-shaped second board main body 20, the gap between the second board main body 20 and the housing 40 can be reduced. Further, since the connecting portion 24 can be attached to and detached from the second board main body 20, parts can be easily replaced.
  • the connecting portion 24 since the thickness of the connecting portion 24 is small, the radius of curvature of the connecting portion 24 can be reduced. As a result, the connecting portion 24 can be arranged in a small space. Further, since the thickness of the connecting portion 24 is small, the connecting portion 24 is easily bent. Therefore, the force exerted by the connecting portion 24 on the connector 90 is small. As a result, it is difficult for unnecessary force to be applied between the connector 90 and the connector 92.
  • FIG. 9 is a rear view of the electronic device 10f.
  • the electronic device 10f is different from the electronic device 10e in that the thickness of the first substrate main body 16 and the thickness of the second substrate main body 20 and the thickness of the connecting portion 24 are equal to each other. Since the other structures of the electronic device 10f are the same as those of the electronic device 10e, the description thereof will be omitted.
  • the electronic device 10f can be arranged three-dimensionally, the storage space of the electronic device 10f can be reduced. Further, since the connecting portion 24 can be connected to the thin plate-shaped second board main body 20, the gap between the second board main body 20 and the housing 40 can be reduced. Further, since the connecting portion 24 can be attached to and detached from the second board main body 20, parts can be easily replaced.
  • FIG. 10 is a rear view of the electronic device 10 g.
  • the thickness of the first board body 16 and the thickness of the second board body 20 and the thickness of the connecting portion 24 are equal to each other, and the first board body 16 and the second board body 20 are bent in the vertical direction. It differs from the electronic device 10 in that it is different from the electronic device 10. More specifically, the thickness of the first substrate main body 16 and the thickness of the second substrate main body 20 and the thickness of the connecting portion 24 are equal to each other. This makes it easier for the first board body 16 and the second board body 20 to bend in the vertical direction in the same manner as the connecting portion 24. Further, there is no step at the boundary between the first substrate main body 16 and the connecting portion 24. There is no step at the boundary between the second substrate body 20 and the connecting portion 24.
  • the connecting portion 24 may have a structure in which the connecting portion 24 is easily bent in the vertical direction by reducing the number of conductor layers in the connecting portion 24.
  • the thickness of the first board body 16 and the thickness of the second board body 20 become equal to the thickness of the connecting portion 24, so that the first board body 16 and the second board body 20 become thinner. This makes it possible to arrange the resin substrate 50 in a narrow space by bending the resin substrate 50.
  • the electronic device according to the present invention is not limited to the electronic devices 10, 10a to 10 g, and can be changed within the scope of the gist thereof.
  • the configurations of the electronic devices 10, 10a to 10g may be arbitrarily combined.
  • the antennas 22a to 22c may be provided on the second board main body 20, and may be provided inside the second board main body 20 or on the lower main surface S12 of the second board main body.
  • the antennas 22a to 22c do not have to be formed by the conductor pattern of the second substrate 14.
  • the antennas 22a to 22c may be components mounted on the second board main body 20.
  • Electronic devices 10, 10a to 10g are equipped with three antennas. However, the electronic devices 10, 10a to 10g may be provided with one or two antennas, or may be provided with four or more antennas.
  • the metal plate 32 does not have to overlap with the antennas 22a to 22c when viewed in the vertical direction.
  • the metal plate 32 does not have to overlap with the entire semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction. That is, the metal plate 32 may overlap with a part of the semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction. However, the metal plate 32 overlaps with the entire semiconductor element 26 when viewed in the vertical direction. Thereby, the semiconductor element 26 can be more effectively suppressed from being affected by the RF signal (electromagnetic wave) from the antennas 22a to 22c, or the antennas 22a to 22c are more effectively affected by the noise from the semiconductor element 26. Can be suppressed.
  • the antennas 22a to 22c radiate the transmission signal output by the semiconductor element 26 as an electromagnetic wave, and output the received electromagnetic wave as a reception signal to the semiconductor element 26.
  • the antennas 22a to 22c may either radiate the transmission signal output by the semiconductor element 26 as an electromagnetic wave or output the received electromagnetic wave as a reception signal to the semiconductor element 26.
  • the antennas 22a to 22c do not have to be electrically connected to the semiconductor element 26. Further, the semiconductor element 26 does not have to be an RFIC. That is, the antennas 22a to 22c do not have to radiate the transmission signal output by the semiconductor element 26 as an electromagnetic wave and do not have to output the received electromagnetic wave as a reception signal to the semiconductor element 26.
  • the first substrate 12 may include a conductor pattern provided inside the first substrate main body 16, the upper main surface S1 of the first substrate main body, or the lower main surface S2 of the first substrate main body.
  • the second substrate 14 may include a conductor pattern provided inside the second substrate main body 20, the upper main surface S11 of the second substrate main body, or the lower main surface S12 of the second substrate main body.
  • the connecting portion 24 may include a conductor pattern provided inside the connecting portion 24 or on two main surfaces of the connecting portion 24.
  • the first substrate 12 and the second substrate 14 may or may not have flexibility.
  • the first conductor pattern 18 and the metal plate 32 are joined to each other while the main surface S1 on the first substrate main body and the metal plate 32 are surface-bonded by a conductive bonding material instead of the insulating resin layer 34 and the connecting conductor 36. May be electrically connected.
  • the housing 40 supports the second substrate 14. Further, the support member 60 supports the first substrate 12. However, the housing 40 may support the first substrate 12. Further, the support member 60 may support the second substrate 14. That is, the housing 40 may support one of the first substrate 12 and the second substrate 14. The support member 60 may support the other of the first substrate 12 and the second substrate 14.
  • an anisotropic conductive film, solder, or the like may be used instead of the connectors 90 and 92. In this case, since the parasitic component caused by the connectors 90 and 92 is eliminated, the reflection of the high frequency signal is suppressed.
  • the first substrate main body 16 and / or the second substrate main body 20 may be bent in the vertical direction.
  • the electronic device 10a may further include a spacer 38. That is, the electronic device 10a may include both the spacer 38 and the support member 60. As a result, the distance between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32 becomes constant. As a result, the variation in capacitance between the antennas 22a to 22c and the metal plate 32 connected to the ground potential is reduced. Further, the antennas 22a to 22c can be positioned with respect to the housing 40. The variation in the distance between the antennas 22a to 22c and the housing 40 is reduced.
  • the connector 92 may be mounted on the main surface S11 on the second board main body.
  • the second substrate main body 20 and the connecting portion 24 may be connected by a conductive connecting member instead of the connectors 90 and 92.
  • the electronic devices 10e and 10f can be made thinner.
  • the thickness of the connecting portion 24 is smaller than the thickness of the first substrate main body 16 and the thickness of the second substrate main body 20. Therefore, a cavity (drilled portion) is formed at a position corresponding to the connecting portion 24 on the resin substrate 50.
  • the resin substrate 50 is bent so that the lower main surface S2 of the first substrate main body and the outer peripheral surface of the connecting portion 24 are connected. As a result, it is possible to prevent damage from occurring at the boundary between the connecting portion 24 and the first substrate main body 16.
  • the resin substrate 50 may be bent so that the main surface S1 on the first substrate main body and the inner peripheral surface of the connecting portion 24 are connected.

Landscapes

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Abstract

第１基板本体は、上下方向に並ぶ第１基板本体上主面及び第１基板本体下主面を有している。第２基板本体は、上下方向に並ぶ第２基板本体上主面及び第２基板本体下主面を有している。第２基板本体は、第１基板本体上主面と第２基板本体下主面とが向かい合うように、第１基板本体の上に配置されている。半導体素子は、第１基板本体下主面に実装されている。アンテナは、第２基板本体に設けられている。金属板の厚みは、第１導体パターンの厚みより大きい。金属板は、上下方向に見て、半導体素子と重なるように、第１基板本体上主面に面接合されている。

Description

電子機器
　本発明は、半導体素子及びアンテナを備える電子機器に関する。
　従来の電子機器に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層モジュールが知られている。積層モジュールは、ＬＣＰ積層基板、ＬＴＣＣ積層基板、アンテナ及びＩＣチップを備えている。ＬＣＰ積層基板は、上部、下部及び連結部を含んでいる。ＬＣＰ積層基板の上部は、ＬＣＰ積層基板の下部の上に設けられている。ＬＣＰ積層基板の連結部は、ＬＣＰ積層基板の上部及びＬＣＰ積層基板の下部に接続されている。ＬＣＰ積層基板の連結部は、上下方向に曲がっている。これにより、ＬＣＰ積層基板は、Ｕ字形状が時計回り方向に９０度回転した形状を有している。
　アンテナは、ＬＣＰ積層基板の上部の上主面に設けられている。ＬＴＣＣ積層基板は、ＬＣＰ積層基板の下部の上主面に設けられている。ＩＣチップは、ＬＴＣＣ積層基板の上主面に設けられている。ＬＴＣＣ積層基板は、リジッド基板である。そのため、ＬＣＰ積層基板の下部の変形がＬＴＣＣ積層基板により抑制される。その結果、ＬＣＰ積層基板の下部が変形することによって、ＩＣチップの配置がずれることが抑制される。すなわち、ＩＣチップのＬＣＰ積層基板への実装信頼性が向上する。
特開２０１９－２９６６９号公報
　ところで、特許文献１に記載の積層モジュールでは、ＩＣチップとアンテナとの距離が近い。そのため、ＩＣチップがアンテナからＲＦ信号（電磁波）の影響を受ける場合がある。また、ＩＣチップにおいて発生したノイズがアンテナから放射される場合がある。具体的には、ノイズがＩＣからアンテナへと放射される。アンテナは、このノイズを放射する。
　そこで、本発明の目的は、半導体素子の第１基板への実装信頼性を向上させることができ、かつ、半導体素子がアンテナからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることを抑制できる、又は、半導体素子において発生したノイズがアンテナから放射されることを抑制できる電子機器を提供することである。
　本発明の一形態に係る電子機器は、
　第１基板本体及び第１導体パターンを含んでいる第１基板、第２基板本体を含んでいる第２基板、半導体素子、アンテナ及び金属板を備えており、
　前記第１基板本体は、上下方向に並ぶ第１基板本体上主面及び第１基板本体下主面を有しており、
　前記第２基板本体は、上下方向に並ぶ第２基板本体上主面及び第２基板本体下主面を有しており、
　前記第２基板本体は、前記第１基板本体上主面と前記第２基板本体下主面とが向かい合うように、前記第１基板本体の上に配置されており、
　前記半導体素子は、前記第１基板本体下主面に実装されており、
　前記アンテナは、前記第２基板本体に設けられており、
　前記金属板の厚みは、前記第１導体パターンの厚みより大きく、
　前記金属板は、上下方向に見て、前記半導体素子と重なるように、前記第１基板本体上主面に面接合されている。
　本発明に係る電子機器によれば、半導体素子の第１基板への実装信頼性を向上させることができ、かつ、半導体素子がアンテナからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることを抑制できる、又は、半導体素子において発生したノイズがアンテナから放射されることを抑制できる。
図１は、電子機器１０の背面図である。 図２は、第１基板１２の底面図である。 図３は、第２基板１４の上面図である。 図４は、電子機器１０ａの背面図である。 図５は、電子機器１０ｂの背面図である。 図６は、電子機器１０ｃの背面図である。 図７は、電子機器１０ｄの背面図である。 図８は、電子機器１０ｅの背面図である。 図９は、電子機器１０ｆの背面図である。 図１０は、電子機器１０ｇの背面図である。
（実施形態）
［電子機器の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る電子機器１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、電子機器１０の背面図である。図２は、第１基板１２の底面図である。図３は、第２基板１４の上面図である。
　本明細書において、方向を以下のように定義する。第１基板本体上主面Ｓ１の法線方向を上下方向と定義する。また、上下方向に直交する２方向を左右方向及び前後方向と定義する。左右方向と前後方向とは直交している。
　以下では、Ｘは、電子機器１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。
　まず、図１及び図３を参照しながら、電子機器１０の構造について説明する。電子機器１０は、例えば、スマートフォン等の携帯型通信端末である。電子機器１０は、第１基板１２、第２基板１４、アンテナ２２ａ～２２ｃ、連結部２４、半導体素子２６、複数の電子部品２８、金属板３２、絶縁樹脂層３４、複数の接続導体３６、スペーサー３８及び筐体４０を備えている。
　第１基板１２、第２基板１４及び連結部２４は、一枚の樹脂基板５０に含まれている。樹脂基板５０は、第１基板１２と第２基板１４と連結部２４とに跨る１以上の絶縁体層を含んでいる。第１基板１２は、樹脂多層基板である。具体的には、第１基板１２は、図１に示すように、第１基板本体１６及び複数の第１導体パターン１８，１９を含んでいる。第１基板本体１６は、複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有する。複数の絶縁体層の材料は、例えば、液晶ポリマーやポリイミド等の熱可塑性樹脂である。第１基板本体１６は、図２に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。第１基板本体１６の長辺は、前後方向に延びている。第１基板本体１６の短辺は左右方向に延びている。第１基板本体１６は、上下方向に並ぶ第１基板本体上主面Ｓ１及び第１基板本体下主面Ｓ２を有している。第１基板本体上主面Ｓ１は、第１基板本体下主面Ｓ２の上に位置している。本明細書において、「第１基板本体上主面Ｓ１は、第１基板本体下主面Ｓ２の上に位置している。」とは、以下の状態を指す。第１基板本体上主面Ｓ１の少なくとも一部分は、第１基板本体下主面Ｓ２が上方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１基板本体上主面Ｓ１は、第１基板本体下主面Ｓ２が上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、第１基板本体下主面Ｓ２が体上方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。本実施形態では、第１基板本体上主面Ｓ１は、第１基板本体下主面Ｓ２が上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっている。
　複数の第１導体パターン１８は、第１基板本体下主面Ｓ２に設けられている。複数の第１導体パターン１８は、上下方向に見て、長方形状を有している。複数の第１導体パターン１８は、後述する半導体素子２６を実装するための実装電極である。
　複数の第１導体パターン１９は、第１基板本体上主面Ｓ１に設けられている。複数の第１導体パターン１９は、上下方向に見て、長方形状を有している。複数の第１導体パターン１９は、後述する金属板３２と電気的に接続されている。複数の第１導体パターン１８，１９は、例えば、銅箔がフォトリソグラフィ工程等によりパターニングされて形成される。
　第２基板１４は、樹脂多層基板である。具体的には、第２基板１４は、図１に示すように、第２基板本体２０を含んでいる。第２基板本体２０は、複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有する。複数の絶縁体層の材料は、例えば、液晶ポリマーやポリイミド等の熱可塑性樹脂である。第２基板本体２０は、図３に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。第２基板本体２０の長辺は、前後方向に延びている。第２基板本体２０の短辺は左右方向に延びている。第２基板１４の厚みは、第１基板１２の厚みより小さい。第２基板本体２０は、上下方向に並ぶ第２基板本体上主面Ｓ１１及び第２基板本体下主面Ｓ１２を有している。第２基板本体上主面Ｓ１１は、第２基板本体下主面Ｓ１２の上に位置している。第２基板本体２０は、第１基板本体上主面Ｓ１と第２基板本体下主面Ｓ１２とが向かい合うように、第１基板本体１６の上に配置されている。第１基板本体上主面Ｓ１と第２基板本体下主面Ｓ１２とが向かい合うとは、例えば、以下の２つの条件を満足することである。第１の条件は、第１基板本体上主面Ｓ１の法線ベクトルの向きと第２基板本体下主面Ｓ１２の法線ベクトルの向きとが１８０°を形成していることである。ただし、これらの２つの法線ベクトルの向きは、例えば、±４５°の範囲において１８０°からずれていてもよい。第２の条件は、第２基板本体２０は、第１基板本体上主面Ｓ１の法線ベクトル（すなわち、上下方向）に見て、第１基板本体１６と重なっていることである。
　連結部２４は、図１に示すように、第１基板本体１６と第２基板本体２０とを連結するように、上下方向に曲がっている。連結部２４は、前後方向に見て、右方向に突出するように湾曲している。連結部２４は、第１基板本体１６及び第２基板本体２０より上下方向に曲がりやすい。そのため、連結部２４の厚みは、第１基板本体１６の厚み及び第２基板本体２０の厚みより小さい。
　半導体素子２６は、ＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。従って、半導体素子２６は、所定の周波数を有する搬送波を送信データにより変調した送信信号を生成し、送信信号をアンテナ２２ａ～２２ｃに出力する。半導体素子２６は、アンテナ２２ａ～２２ｃが受信した受信信号を復調して受信データを取得する。半導体素子２６は、第１基板本体下主面Ｓ２に実装されている。より詳細には、半導体素子２６は、図１に示すように、第１導体パターン１８に半田バンプを介して実装されている。
　複数の電子部品２８は、図１に示すように、第１基板本体１６の第１基板本体下主面Ｓ２に実装されている。複数の電子部品２８は、例えば、チップ型電子部品や半導体素子である。
　アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６が出力する送信信号を電磁波として放射する。また、アンテナ２２ａ～２２ｃは、受信した電磁波を受信信号として半導体素子２６に出力する。従って、アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６と電気的に接続されている。アンテナ２２ａ～２２ｃは、パッチアンテナである。アンテナ２２ａ～２２ｃは、図１に示すように、第２基板本体２０に設けられている。本実施形態では、アンテナ２２ａ～２２ｃは、第２基板本体上主面Ｓ１１に設けられている第２導体パターンにより形成されている。アンテナ２２ａ～２２ｃは、図３に示すように、上下方向に見たときに、正方形状を有している。アンテナ２２ａ～２２ｃは、図３に示すように、後から前へとこの順に一列に並んでいる。アンテナ２２ｂ，２２ｃは、上下方向に見て、半導体素子２６と重なっている。アンテナ２２ａ～２２ｃは、例えば、銅箔がフォトリソグラフィ工程等によりパターニングされて形成される。
　金属板３２は、図２に示すように、上下方向に見て、長方形状を有する板状部材である。金属板３２の材料のヤング率は、第１基板本体１６の材料のヤング率より高い。金属板３２の材料は、例えば、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）や銅合金（ばね材）等である。金属板３２の厚みは、図１に示すように、第１導体パターン１８，１９の厚みより大きい。これにより、金属板３２は、第１基板１２に比べて変形しにくい。金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６と重なるように、第１基板本体上主面Ｓ１に面接合されている。具体的には、絶縁樹脂層３４は、金属板３２を第１基板本体上主面Ｓ１に面接合させる接着層である。面接合とは、上下方向に見て、金属板３２と第１基板本体上主面Ｓ１とが接合している領域が面形状を有していることである。面接合とは、例えば、絶縁樹脂層３４の前後方向の長さ及び絶縁樹脂層３４の左右方向の長さが絶縁樹脂層３４の上下方向の厚さより大きい状態である。絶縁樹脂層３４は、例えば、熱硬化性を有するアクリル系又はエポキシ系の樹脂によるアンダーフィルである。従って、絶縁樹脂層３４は、金属板３２と第１基板本体上主面Ｓ１との間に設けられている。また、金属板３２は、上下方向に見て、第１基板本体上主面Ｓ１の略全体と重なっている。これにより、金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６の全体と重なっている。また、金属板３２は、上下方向に見て、アンテナ２２ａ～２２ｃと重なっている。従って、金属板３２は、アンテナ２２ａ～２２ｃと半導体素子２６との間に位置している。
　ただし、金属板３２は、図１に示すように、複数の第１導体パターン１９と電気的に接続されている。より詳細には、複数の接続導体３６のそれぞれは、複数の第１導体パターン１９の上に設けられている。複数の接続導体３６は、例えば、はんだである。金属板３２は、複数の接続導体３６を介して、複数の第１導体パターン１９と電気的に接続されている。これにより、金属板３２は、グランド電位に接続されている。
　スペーサー３８は、図１に示すように、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間に設けられている。これにより、スペーサー３８は、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間隔を保っている。スペーサー３８は、板状部材である。スペーサー３８の上主面は、第２基板本体下主面Ｓ１２に接している。スペーサー３８の下主面は、金属板３２の上主面に接している。スペーサー３８は、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間隔を保つ機能（スペーサー機能）のみを有する部材であってもよいし、スペーサー機能の他に更なる機能を有する部材であってもよい。更なる機能は、例えば、表示パネルやバッテリー等である。
　筐体４０は、図１に示すように、第１基板１２、第２基板１４、アンテナ２２ａ～２２ｃ、連結部２４、半導体素子２６、複数の電子部品２８、金属板３２、絶縁樹脂層３４、複数の接続導体３６及びスペーサー３８を収容している。筐体４０は、電子機器１０の表示パネル、ケース等である。筐体４０が表示パネルである場合は、筐体４０がガラス板である。筐体４０がケースである場合、筐体４０が金属板、ガラス板又は樹脂板である。
［効果］
　電子機器１０によれば、半導体素子２６の第１基板１２への実装信頼性が向上する。より詳細には、第１基板本体１６が変形すると、第１基板本体１６と半導体素子２６との接続部分に応力が加わる。このような応力は、第１基板１２と半導体素子２６との接続部分を破損させる原因となる。すなわち、このような応力は、第１基板１２と半導体素子２６との間の電気的接続を切断する原因となる。そこで、電子機器１０では、金属板３２は、第１基板本体上主面Ｓ１に面接合されている。これにより、第１基板本体１６は、金属板３２により補強されている。そのため、第１基板本体１６が変形することが金属板３２により抑制される。その結果、第１基板本体１６と半導体素子２６との接続部分に応力が加わることが抑制される。よって、電子機器１０によれば、半導体素子２６の第１基板１２への実装信頼性が向上する。
　電子機器１０によれば、半導体素子２６がアンテナ２２ａ～２２ｃからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることを抑制できる、又は、半導体素子２６において発生したノイズがアンテナ２２ａ～２２ｃから放射されることを抑制できる。より詳細には、第２基板本体２０は、第１基板本体上主面Ｓ１と第２基板本体下主面Ｓ１２とが向かい合うように、第１基板本体１６の上に配置されている。半導体素子２６は、第１基板本体下主面Ｓ２に実装されている。アンテナ２２ａ～２２ｃは、第２基板本体２０に設けられている。そして、金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６と重なるように、第１基板本体上主面Ｓ１に面接合されている。これにより、金属板３２は、アンテナ２２ａ～２２ｃと半導体素子２６との間に位置するようになる。そのため、アンテナ２２ａ～２２ｃが放射するＲＦ信号（電磁波）は、金属板３２により遮られ、半導体素子２６に到達しにくくなる。同様に、半導体素子２６が放射するノイズは、金属板３２により遮られ、アンテナ２２ａ～２２ｃに到達しにくくなる。よって、電子機器１０によれば、半導体素子２６がアンテナ２２ａ～２２ｃからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることを抑制できる、又は、半導体素子２６において発生したノイズがアンテナ２２ａ～２２ｃから放射されることを抑制できる。特に、金属板３２は、グランド電位に接続されている。そのため、電子機器１０によれば、半導体素子２６がアンテナ２２ａ～２２ｃからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることをより効果的に抑制できる、又は、半導体素子２６において発生したノイズがアンテナ２２ａ～２２ｃから放射されることをより効果的に抑制できる。
　電子機器１０によれば、金属板３２は、上下方向に見て、アンテナ２２ａ～２２ｃと重なっている。これにより、電子機器１０は、半導体素子２６がアンテナ２２ａ～２２ｃからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることをより効果的に抑制できる、又は、半導体素子２６において発生したノイズがアンテナ２２ａ～２２ｃから放射されることをより効果的に抑制できる。
　電子機器１０によれば、アンテナ２２ａ～２２ｃを見込むインピーダンスのばらつき及びアンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制される。より詳細には、スペーサー３８は、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間に設けられ、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間隔が変化することを抑制する。これにより、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との距離が変動することが抑制される。そのため、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との間に発生する容量の大きさが変動することが抑制される。以上より、電子機器１０によれば、アンテナ２２ａ～２２ｃを見込むインピーダンスのばらつき及びアンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制される。
　電子機器１０によれば、アンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制される。より詳細には、連結部２４は、第１基板本体１６及び第２基板本体２０より上下方向に曲がりやすい。これを実現するために、電子機器１０では、連結部２４の厚みは、第１基板本体１６の厚み及び第２基板本体２０の厚みより小さい。これにより、連結部２４が変形しやすくなる。更に、連結部２４が変形したときに、連結部２４が第１基板本体１６及び第２基板本体２０に加える応力が小さくなる。そのため、連結部２４が変形したときに、連結部２４が第２基板本体２０に加える応力により、第２基板本体２０が変形することが抑制される。第２基板本体２０が変形することによって、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との距離が変化することが抑制される。その結果、電子機器１０によれば、アンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制される。また、樹脂基板５０の破損が抑制される。
　電子機器１０によれば、第１基板１２や半導体素子２６において発生した熱は、金属板３２を介して拡散する。これにより、第１基板１２や半導体素子２６の冷却効率が向上する。
（第１変形例）
　以下に、第１変形例に係る電子機器１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、電子機器１０ａの背面図である。
　電子機器１０ａは、スペーサー３８の代わりに支持部材６０を備えている点において電子機器１０と相違する。より詳細には、筐体４０は、第２基板１４を支持している。支持部材６０は、筐体４０に支持されている。支持部材６０は、第１基板１２を支持している。また、支持部材６０は、上下方向に見て、第１基板１２と重なり、第２基板１４と重ならない。電子機器１０ａのその他の構造は、電子機器１０と同じであるので説明を省略する。
　電子機器１０ａによれば、アンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制されると共に、スペーサー３８による損失が低減される。より詳細には、筐体４０は、第２基板１４を支持している。支持部材６０は、筐体４０に支持されている。支持部材６０は、第１基板１２を支持している。これにより、支持部材６０は、第２基板本体下主面Ｓ１２と金属板３２との間隔が変化することを抑制している。従って、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との距離が変動することが抑制される。そのため、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との間に発生する容量の大きさが変動することが抑制される。電子機器１０ａによれば、アンテナ２２ａ～２２ｃの放射特性のばらつきが抑制される。更に、支持部材６０は、上下方向に見て、第１基板１２と重なり、第２基板１４と重ならない。そのため、支持部材６０は、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との間に存在しない。すなわち、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との間に空気層が存在する。アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２との間の領域における誘電率が上昇することが抑制される。その結果、電子機器１０ａによれば、スペーサー３８による損失が低減される。このとき、金属板３２は、アンテナ２２ａ～２２ｃのグランドとして利用されることが可能である。
（第２変形例）
　以下に、第２変形例に係る電子機器１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、電子機器１０ｂの背面図である。
　電子機器１０ｂは、フレーム７０及び熱伝導体７２を更に備えている点において電子機器１０ａと相違する。フレーム７０は、電子機器１０ｂの内部骨格である。従って、フレーム７０は、筐体４０内に設けられている部品（図示せず）を支持する。ただし、フレーム７０は、樹脂基板５０を支持してもよい。フレーム７０の材料は、例えば、アルミニウム等の金属である。
　熱伝導体７２は、金属板３２とフレーム７０とを接続しているフィルムである。熱伝導体７２は、接着剤等により金属板３２及びフレーム７０に貼り付けられている。熱伝導体７２の材料は、高い熱伝導率を有する材料である。熱伝導体７２の材料は、例えば、グラファイト、銅、アルミニウム等である。これにより、第１基板１２や半導体素子２６において発生した熱は、金属板３２及び熱伝導体７２を介してフレーム７０へと伝達される。これにより、第１基板１２や半導体素子２６の冷却効率がより効果的に向上する。
　また、熱伝導体７２の材料が導電性材料である場合には、フレーム７０（金属物品）は、金属板３２と電気的に接続される。フレーム７０は、グランド電位に接続される。従って、金属板３２の電位がより安定するようになる。なお、電子機器１０ｂのその他の構造は、電子機器１０ａと同じであるので説明を省略する。
（第３変形例）
　以下に、第３変形例に係る電子機器１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図６は、電子機器１０ｃの背面図である。
　電子機器１０ｃは、絶縁樹脂層３４の代わりに異方性導電膜８０を備えている点において電子機器１０と相違する。より詳細には、異方性導電膜８０は、通称ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）である。異方性導電膜８０は、熱硬化性樹脂の中に導電粒子が均一に分散された構造を有し、かつ、導通と絶縁の特性を兼ね備えたフィルム型の接合材料である。このような異方性導電膜８０は、複数の端子と複数の端子とを同時に一括して接続することができる。異方性導電膜８０は、金属板３２を第１基板本体上主面Ｓ１に面接合させると共に、金属板３２と第１導体パターン１９とを電気的に接続している。第１導体パターン１９は、第１基板本体上主面Ｓ１から上方向に突出している。これにより、異方性導電膜８０において第１導体パターン１９と金属板３２との間に位置する部分に加わる圧力は、異方性導電膜８０において第１導体パターン１９と金属板３２との間に位置する部分以外の部分に加わる圧力より大きくなる。これにより、第１導体パターン１９と金属板３２とは、異方性導電膜８０に含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されている。なお、電子機器１０ｃのその他の構造は、電子機器１０と同じであるので説明を省略する。
（第４変形例）
　以下に、第４変形例に係る電子機器１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図７は、電子機器１０ｄの背面図である。
　電子機器１０ｄは、連結部２４の代わりにコネクタ９０，９２を備えている点において電子機器１０と相違する。コネクタ９０は、第１基板本体１６の第１基板本体上主面Ｓ１に実装されている。コネクタ９２は、第２基板本体２０の第２基板本体下主面Ｓ１２に実装されている。コネクタ９０とコネクタ９２とは、電気的に接続されている。これにより、半導体素子２６とアンテナ２２ａ～２２ｃとは、第１基板１２、コネクタ９０，９２及び第２基板１４を介して電気的に接続されている。電子機器１０ｄのその他の構成は、電子機器１０と同じであるので説明を省略する。
（第５変形例）
　以下に、第５変形例に係る電子機器１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図８は、電子機器１０ｅの背面図である。
　電子機器１０ｅは、第２基板本体２０と連結部２４とがコネクタ９０，９２を介して電気的に接続されている点において電子機器１０と相違する。すなわち、コネクタ９０は、連結部２４の外周面に実装されている。コネクタ９２は、第２基板本体下主面Ｓ１２に実装されている。コネクタ９０は、コネクタ９２に電気的に接続されている。電子機器１０ｅのその他の構造は、電子機器１０と同じであるので説明を省略する。電子機器１０ｅは、電子機器１０と同じ作用効果を奏することができる。
　また、電子機器１０ｅを立体的に配置できるので、電子機器１０ｅの収納スペースを低減できる。また、連結部２４を薄い板状の第２基板本体２０と接続できるので、第２基板本体２０と筐体４０と隙間を小さくすることができる。また、連結部２４を第２基板本体２０から着脱できるので、部品の交換が容易である。
　電子機器１０ｅでは、連結部２４の厚みが小さいので、連結部２４の曲率半径を小さくできる。これにより、連結部２４を小さなスペースに配置することができる。また、連結部２４の厚みが小さいので、連結部２４が曲げられやすい。そのため、連結部２４がコネクタ９０に及ぼす力が小さい。その結果、コネクタ９０とコネクタ９２との間に不要な力が加わりにくい。
（第６変形例）
　以下に、第６変形例に係る電子機器１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図９は、電子機器１０ｆの背面図である。
　電子機器１０ｆは、第１基板本体１６の厚みと第２基板本体２０の厚みと連結部２４の厚みとが等しい点において電子機器１０ｅと相違する。電子機器１０ｆのその他の構造は、電子機器１０ｅと同じであるので説明を省略する。
　また、電子機器１０ｆを立体的に配置できるので、電子機器１０ｆの収納スペースを低減できる。また、連結部２４を薄い板状の第２基板本体２０と接続できるので、第２基板本体２０と筐体４０と隙間を小さくすることができる。また、連結部２４を第２基板本体２０から着脱できるので、部品の交換が容易である。
（第７変形例）
　以下に、第７変形例に係る電子機器１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１０は、電子機器１０ｇの背面図である。
　電子機器１０ｇは、第１基板本体１６の厚みと第２基板本体２０の厚みと連結部２４の厚みとが等しい点、並びに、第１基板本体１６及び第２基板本体２０が上下方向に曲がっている点において電子機器１０と相違する。より詳細には、第１基板本体１６の厚みと第２基板本体２０の厚みと連結部２４の厚みとが等しい。これにより、第１基板本体１６及び第２基板本体２０が連結部２４と同様に上下方向に曲がりやすくなる。また、第１基板本体１６と連結部２４との境界に段差がなくなる。第２基板本体２０と連結部２４との境界に段差がなくなる。これにより、第１基板本体１６と連結部２４との境界及び第２基板本体２０と連結部２４との境界において樹脂基板５０が破損することが抑制される。また、樹脂基板５０にキャビティーを形成する必要がないので、樹脂基板５０の構造が単純な構造となる。その結果、樹脂基板５０を容易に製造できる。ただし、第１基板本体上主面Ｓ１には、金属板３２が設けられている。従って、第１基板本体１６の内の金属板３２が設けられていない部分が上下方向に曲がっている。なお、連結部２４において導体層の数を少なくすること等により、連結部２４が上下方向に曲げられやすい構造を有してもよい。
　以上のように、第１基板本体１６の厚み及び第２基板本体２０の厚みが連結部２４の厚みと等しくなることにより、第１基板本体１６及び第２基板本体２０が薄くなる。これにより、樹脂基板５０を曲げることにより、狭いスペースに樹脂基板５０を配置することが可能となる。
（その他の実施形態）
　本発明に係る電子機器は、電子機器１０，１０ａ～１０ｇに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。なお、電子機器１０，１０ａ～１０ｇの構成を任意に組み合わせてもよい。
　アンテナ２２ａ～２２ｃは、第２基板本体２０に設けられていればよく、第２基板本体２０の内部や第２基板本体下主面Ｓ１２に設けられていてもよい。
　アンテナ２２ａ～２２ｃは、第２基板１４の導体パターンにより形成されていなくてもよい。アンテナ２２ａ～２２ｃは、第２基板本体２０に実装される部品であってもよい。
　電子機器１０，１０ａ～１０ｇは、３個のアンテナを備えている。しかしながら、電子機器１０，１０ａ～１０ｇは、１個又は２個のアンテナを備えていてもよいし、４個以上のアンテナを備えていてもよい。
　金属板３２は、上下方向に見て、アンテナ２２ａ～２２ｃと重なっていなくてもよい。
　金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６の全体と重なっていなくてもよい。すなわち、金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６の一部と重なっていてもよい。ただし、金属板３２は、上下方向に見て、半導体素子２６の全体と重なっている。これにより、半導体素子２６がアンテナ２２ａ～２２ｃからＲＦ信号（電磁波）の影響を受けることをより効果的に抑制できる、又は、アンテナ２２ａ～２２ｃが半導体素子２６からノイズの影響を受けることをより効果的に抑制できる。
　アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６が出力する送信信号を電磁波として放射し、かつ、受信した電磁波を受信信号として半導体素子２６に出力する。しかしながら、アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６が出力する送信信号を電磁波として放射すること、及び、受信した電磁波を受信信号として半導体素子２６に出力することのいずれか一方を行ってもよい。
　アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６と電気的に接続されていなくてもよい。また、半導体素子２６は、ＲＦＩＣでなくてもよい。すなわち、アンテナ２２ａ～２２ｃは、半導体素子２６が出力する送信信号を電磁波として放射せず、かつ、受信した電磁波を受信信号として半導体素子２６に出力しなくてもよい。
　第１基板１２は、第１基板本体１６の内部、第１基板本体上主面Ｓ１又は第１基板本体下主面Ｓ２に設けられる導体パターンを備えていてもよい。第２基板１４は、第２基板本体２０の内部、第２基板本体上主面Ｓ１１又は第２基板本体下主面Ｓ１２に設けられる導体パターンを備えていてもよい。連結部２４は、連結部２４の内部又は連結部２４の２つの主面に設けられる導体パターンを備えていてもよい。
　第１基板１２及び第２基板１４は、可撓性を有していてもよいし、可撓性を有していなくてもよい。
　電子機器１０において、絶縁樹脂層３４及び接続導体３６の代わり導電性接合材により、第１基板本体上主面Ｓ１と金属板３２とを面接合させつつ、第１導体パターン１８と金属板３２とを電気的に接続させてもよい。
　なお、電子機器１０ａでは、筐体４０は、第２基板１４を支持している。また、支持部材６０は、第１基板１２を支持している。しかしながら、筐体４０は、第１基板１２を支持していてもよい。また、支持部材６０は、第２基板１４を支持していてもよい。すなわち、筐体４０は、第１基板１２及び第２基板１４の内の一方を支持していればよい。支持部材６０は、第１基板１２及び第２基板１４の内の他方を支持していればよい。
　なお、電子機器１０ｄにおいて、コネクタ９０，９２の代わりに、異方性導電フィルムや半田等が用いられてもよい。この場合、コネクタ９０，９２に起因する寄生成分がなくなるので、高周波信号の反射が抑制される。
　なお、電子機器１０，１０ａ～１０ｇにおいて、第１基板本体１６及び／又は第２基板本体２０は、上下方向に曲がっていてもよい。
　なお、電子機器１０ａは、スペーサー３８を更に備えていてもよい。すなわち、電子機器１０ａは、スペーサー３８及び支持部材６０の両方を備えていてもよい。これにより、アンテナ２２ａ～２２ｃと金属板３２の距離が一定になる。その結果、アンテナ２２ａ～２２ｃとグランド電位に接続されている金属板３２との容量のばらつきが低減される。更に、アンテナ２２ａ～２２ｃを筐体４０に対して位置決めできる。アンテナ２２ａ～２２ｃと筐体４０との距離のばらつきが低減される。
　なお、電子機器１０ｅ，１０ｆでは、コネクタ９２は、第２基板本体上主面Ｓ１１に実装されていてもよい。
　なお、電子機器１０ｅ，１０ｆでは、第２基板本体２０と連結部２４とは、コネクタ９０，９２ではなく、導電性接続部材により接続されてもよい。この場合、電子機器１０ｅ，１０ｆの薄型化が図られる。
　なお、電子機器１０ｅにおいて連結部２４の厚みが第１基板本体１６の厚み及び第２基板本体２０の厚みより小さい。そこで、樹脂基板５０において連結部２４に相当する位置にキャビティー（掘り込み部）が形成される。この場合、第１基板本体下主面Ｓ２と連結部２４の外周面とが繋がるように、樹脂基板５０が曲げられる。これにより、連結部２４と第１基板本体１６との境界において破損が生じることが抑制される。ただし、第１基板本体上主面Ｓ１と連結部２４の内周面とが繋がるように、樹脂基板５０が曲げられてもよい。
１０，１０ａ～１０ｇ：電子機器
１２：第１基板
１４：第２基板
１６：第１基板本体
１８，１９：第１導体パターン
２０：第２基板本体
２２ａ～２２ｃ：アンテナ
２４：連結部
２６：半導体素子
２８：電子部品
３２：金属板
３４：絶縁樹脂層
３６：接続導体
３８：スペーサー
４０：筐体
５０：樹脂基板
６０：支持部材
７０：フレーム
７２：熱伝導体
８０：異方性導電膜
９０，９２：コネクタ
Ｓ１：第１基板本体上主面
Ｓ１１：第２基板本体上主面
Ｓ１２：第２基板本体下主面
Ｓ２：第１基板本体下主面

Claims (13)

  1. 　第１基板本体及び第１導体パターンを含んでいる第１基板、第２基板本体を含んでいる第２基板、半導体素子、アンテナ及び金属板を備えており、
    　前記第１基板本体は、上下方向に並ぶ第１基板本体上主面及び第１基板本体下主面を有しており、
    　前記第２基板本体は、上下方向に並ぶ第２基板本体上主面及び第２基板本体下主面を有しており、
    　前記第２基板本体は、前記第１基板本体上主面と前記第２基板本体下主面とが向かい合うように、前記第１基板本体の上に配置されており、
    　前記半導体素子は、前記第１基板本体下主面に実装されており、
    　前記アンテナは、前記第２基板本体に設けられており、
    　前記金属板の厚みは、前記第１導体パターンの厚みより大きく、
    　前記金属板は、上下方向に見て、前記半導体素子と重なるように、前記第１基板本体上主面に面接合されている、
    　電子機器。
  2. 　前記金属板は、上下方向に見て、前記アンテナと重なっている、
    　請求項１に記載の電子機器。
  3. 　前記電子機器は、
    　連結部を、
    　更に備えており、
    　前記第１基板本体、前記第２基板本体及び前記連結部は、一枚の樹脂基板に含まれており、
    　前記連結部は、前記第１基板本体と前記第２基板本体とを連結するように、上下方向に曲がっている、
    　請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子機器。
  4. 　前記第１導体パターンは、前記第１基板本体上主面に設けられており、
    　前記金属板は、前記第１導体パターンと電気的に接続されている、
    　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子機器。
  5. 　前記電子機器は、
    　前記第１導体パターンの上に設けられている接続導体と、
    　前記金属板を前記第１基板本体上主面に面接合させる絶縁樹脂層と、
    　を更に備えており、
    　前記金属板は、前記接続導体を介して、前記第１導体パターンと電気的に接続されている、
    　請求項４に記載の電子機器。
  6. 　前記電子機器は、
    　前記金属板を前記第１基板本体上主面に面接合させると共に、前記金属板と前記第１導体パターンとを電気的に接続する異方性導電膜を、
    　更に備えている、
    　請求項４に記載の電子機器。
  7. 　前記電子機器は、
    　前記第１基板及び前記第２基板の内の一方を支持する筐体と、
    　前記第１基板及び前記第２基板の内の他方を支持し、前記筐体に支持される支持部材と、
    　を更に備えている、
    　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子機器。
  8. 　前記電子部品は、
    　前記第２基板本体下主面と前記金属板との間に設けられているスペーサーを、
    　更に備えている、
    　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子機器。
  9. 　前記電子機器は、
    　前記金属板と電気的に接続されている金属物品を、
    　更に備えている、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子機器。
  10. 　前記アンテナは、前記半導体素子と電気的に接続されている、
    　請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電子機器。
  11. 　前記半導体素子は、ＲＦＩＣである、
    　請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の電子機器。
  12. 　前記アンテナは、前記半導体素子が出力する送信信号を電磁波として放射する、及び／又は、前記アンテナは、受信した電磁波を受信信号として前記半導体素子に出力する、
    　請求項１１に記載の電子機器。
  13. 　前記金属板は、グランド電位に接続されている、
    　請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の電子機器。
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