CN220021082U - 电子设备 - Google Patents

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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种电子设备。电子设备具备：包含第1基板主体以及第1导体图案的第1基板、包含第2基板主体的第2基板、半导体元件、天线以及金属板。第1基板主体具有在上下方向上排列的第1基板主体上主面以及第1基板主体下主面。第2基板主体具有在上下方向上排列的第2基板主体上主面以及第2基板主体下主面。第2基板主体配置在第1基板主体的上方，使得第1基板主体上主面与第2基板主体下主面相对。半导体元件安装在第1基板主体下主面。天线设置在第2基板主体。金属板的厚度比第1导体图案的厚度大。金属板与第1基板主体上主面面接合，使得在上下方向上观察时与半导体元件重叠。

Description

电子设备
技术领域
本实用新型涉及具备半导体元件以及天线的电子设备。
背景技术
作为现有的关于电子设备的发明，例如已知专利文献1所记载的层叠模块。层叠模块具备LCP层叠基板、LTCC层叠基板、天线以及IC芯片。LCP层叠基板包含上部、下部以及连结部。LCP层叠基板的上部设置在LCP层叠基板的下部的上方。LCP层叠基板的连结部与LCP层叠基板的上部以及LCP层叠基板的下部连接。LCP层叠基板的连结部在上下方向上弯曲。据此，LCP层叠基板具有U字形状沿顺时针方向旋转了90度的形状。
天线设置在LCP层叠基板的上部的上主面。LTCC层叠基板设置在LCP层叠基板的下部的上主面。IC芯片设置在LTCC层叠基板的上主面。LTCC层叠基板是刚性基板。因此，LCP层叠基板的下部的变形通过LTCC层叠基板而被抑制。其结果是，由于LCP层叠基板的下部变形而IC芯片的配置偏移的情况被抑制。即，IC芯片向LCP层叠基板的安装可靠性提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2019-29669号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
可是，在专利文献1所记载的层叠模块中，IC芯片与天线的距离较近。因此，存在IC芯片从天线受到RF信号(电磁波)的影响的情况。此外，存在IC芯片中产生的噪声从天线辐射的情况。具体而言，噪声从IC向天线辐射。天线辐射该噪声。
因此，本实用新型的目的是提供一种电子设备，能够使半导体元件向第1基板的安装可靠性提高，并且能够抑制半导体元件从天线受到RF信号(电磁波)的影响、或者能够抑制半导体元件中产生的噪声从天线辐射。
用于解决问题的手段
本实用新型的一个方式涉及的电子设备具备：包含第1基板主体以及第1导体图案的第1基板、包含第2基板主体的第2基板、半导体元件、天线以及金属板，
所述第1基板主体具有在上下方向上排列的第1基板主体上主面以及第1基板主体下主面，
所述第2基板主体具有在上下方向上排列的第2基板主体上主面以及第2基板主体下主面，
所述第2基板主体配置在所述第1基板主体的上方，使得所述第1基板主体上主面与所述第2基板主体下主面相对，
所述半导体元件安装在所述第1基板主体下主面，
所述天线设置在所述第2基板主体，
所述金属板的厚度比所述第1导体图案的厚度大，
所述金属板与所述第1基板主体上主面面接合，使得在上下方向上观察时与所述半导体元件重叠。
实用新型效果
根据本实用新型涉及的电子设备，能够使半导体元件向第1基板的安装可靠性提高，并且能够抑制半导体元件从天线受到RF信号(电磁波)的影响、或者能够抑制半导体元件中产生的噪声从天线辐射。
附图说明
图1是电子设备10的后视图。
图2是第1基板12的仰视图。
图3是第2基板14的俯视图。
图4是电子设备10a的后视图。
图5是电子设备10b的后视图。
图6是电子设备10c的后视图。
图7是电子设备10d的后视图。
图8是电子设备10e的后视图。
图9是电子设备10f的后视图。
图10是电子设备10g的后视图。
具体实施方式
(实施方式)
[电子设备的构造]
以下，参照附图来说明本实用新型的实施方式涉及的电子设备10的构造。图1是电子设备10的后视图。图2是第1基板12的仰视图。图3是第2基板14的俯视图。
在本说明书中，如以下那样定义方向。将第1基板主体上主面S1的法线方向定义为上下方向。此外，将与上下方向正交的两个方向定义为左右方向以及前后方向。左右方向与前后方向正交。
以下，X是电子设备10的部件或者构件。在本说明书中，在没有特别说明的情况下，对于X的各部分，如以下那样进行定义。X的前部是指X的前半部分。X的后部是指X的后半部分。X的左部是指X的左半部分。X的右部是指X的右半部分。X的上部是指X的上半部分。X的下部是指X的下半部分。X的前端是指X的前方向的末端。X的后端是指X的后方向的末端。X的左端是指X的左方向的末端。X的右端是指X的右方向的末端。X的上端是指X的上方向的末端。X的下端是指X的下方向的末端。X的前端部是指X的前端及其附近。X的后端部是指X的后端及其附近。X的左端部是指X的左端及其附近。X的右端部是指X的右端及其附近。X的上端部是指X的上端及其附近。X的下端部是指X的下端及其附近。
首先，参照图1以及图3来说明电子设备10的构造。电子设备10例如是智能手机等便携式通信终端。电子设备10具备第1基板12、第2基板14、天线22a～22c、连结部24、半导体元件26、多个电子部件28、金属板32、绝缘树脂层34、多个连接导体36、间隔件38以及壳体40。
第1基板12、第2基板14以及连结部24包含于一张树脂基板50。树脂基板50包含跨第1基板12、第2基板14和连结部24的一个以上的绝缘体层。第1基板12是树脂多层基板。具体而言，如图1所示，第1基板12包含第1基板主体16以及多个第1导体图案18、19。第1基板主体16具有在上下方向上层叠了多个绝缘体层的构造。多个绝缘体层的材料例如是液晶聚合物、聚酰亚胺等热塑性树脂。如图2所示，在上下方向上观察时，第1基板主体16具有长方形状。第1基板主体16的长边在前后方向上延伸。第1基板主体16的短边在左右方向上延伸。第1基板主体16具有在上下方向上排列的第1基板主体上主面S1以及第1基板主体下主面S2。第1基板主体上主面S1位于第1基板主体下主面S2的上方。在本说明书中，“第1基板主体上主面S1位于第1基板主体下主面S2的上方”是指以下状态。第1基板主体上主面S1的至少一部分配置在第1基板主体下主面S2向上方向平行移动时通过的区域内。因此，第1基板主体上主面S1可以容纳于第1基板主体下主面S2向上方向平行移动时通过的区域内，也可以从第1基板主体下主面S2向上方向平行移动时通过的区域突出。在本实施方式中，第1基板主体上主面S1容纳于第1基板主体下主面S2向上方向平行移动时通过的区域内。
在第1基板主体下主面S2设置有多个第1导体图案18。在上下方向上观察时，多个第1导体图案18具有长方形状。多个第1导体图案18是用于安装后述的半导体元件26的安装电极。
在第1基板主体上主面S1设置有多个第1导体图案19。在上下方向上观察时，多个第1导体图案19具有长方形状。多个第1导体图案19与后述的金属板32电连接。例如，通过光刻工序等将铜箔图案化来形成多个第1导体图案18、19。
第2基板14是树脂多层基板。具体而言，如图1所示，第2基板14包含第2基板主体20。第2基板主体20具有在上下方向上层叠了多个绝缘体层的构造。多个绝缘体层的材料例如是液晶聚合物、聚酰亚胺等热塑性树脂。如图3所示，在上下方向上观察，第2基板主体20具有长方形状。第2基板主体20的长边在前后方向上延伸。第2基板主体20的短边在左右方向上延伸。第2基板14的厚度比第1基板12的厚度小。第2基板主体20具有在上下方向上排列的第2基板主体上主面S11以及第2基板主体下主面S12。第2基板主体上主面S11位于第2基板主体下主面S12的上方。第2基板主体20配置在第1基板主体16的上方，使得第1基板主体上主面S1与第2基板主体下主面S12相对。第1基板主体上主面S1与第2基板主体下主面S12相对，例如，是指满足以下两个条件。第1条件，是第1基板主体上主面S1的法线向量的朝向与第2基板主体下主面S12的法线向量的朝向形成180°。不过，这两个法线向量的朝向例如也可以在±45°的范围内从180°偏移。第2条件，是在第1基板主体上主面S1的法线向量(即，上下方向)上观察时第2基板主体20与第1基板主体16重叠。
如图1所示，连结部24在上下方向上弯曲，使得将第1基板主体16和第2基板主体20连结。在前后方向上观察时，连结部24弯曲为向右方向突出。连结部24比第1基板主体16以及第2基板主体20更容易在上下方向上弯曲。因此，连结部24的厚度比第1基板主体16的厚度以及第2基板主体20的厚度小。
半导体元件26是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)。因此，半导体元件26生成根据发送数据对具有给定频率的载波进行调制而得到的发送信号，并且将发送信号输出到天线22a～22c。半导体元件26对天线22a～22c接收到的接收信号进行解调从而取得接收数据。半导体元件26安装在第1基板主体下主面S2。更详细而言，如图1所示，半导体元件26通过焊锡凸块安装于第1导体图案18。
如图1所示，多个电子部件28安装在第1基板主体16的第1基板主体下主面S2。多个电子部件28例如是芯片型电子部件、半导体元件。
天线22a～22c将半导体元件26输出的发送信号作为电磁波而辐射。此外，天线22a～22c将接收到的电磁波作为接收信号而输出到半导体元件26。因此，天线22a～22c与半导体元件26电连接。天线22a～22c是贴片天线。如图1所示，天线22a～22c设置在第2基板主体20。在本实施方式中，天线22a～22c由设置在第2基板主体上主面S11的第2导体图案形成。如图3所示，在上下方向上观察时，天线22a～22c具有正方形状。如图3所示，天线22a～22c从后向前依次排列为一列。在上下方向上观察时，天线22b、22c与半导体元件26重叠。例如，通过光刻工序等将铜箔图案化来形成天线22a～22c。
如图2所示，在上下方向上观察时，金属板32是具有长方形状的板状构件。金属板32的材料的杨氏模量比第1基板主体16的材料的杨氏模量高。金属板32的材料例如是SUS(Steel Use Stainless，不锈钢)、铜合金(弹簧材料)等。如图1所示，金属板32的厚度比第1导体图案18、19的厚度大。据此，金属板32与第1基板12相比更难以变形。金属板32与第1基板主体上主面S1面接合，使得在上下方向上观察时与半导体元件26重叠。具体而言，绝缘树脂层34是使金属板32与第1基板主体上主面S1面接合的粘接层。面接合是指在上下方向上观察时金属板32与第1基板主体上主面S1接合的区域具有面形状。面接合例如是绝缘树脂层34的前后方向的长度以及绝缘树脂层34的左右方向的长度比绝缘树脂层34的上下方向的厚度大的状态。绝缘树脂层34例如是具有热固化性的丙烯酸系或环氧系的树脂所形成的底部填充。因此，绝缘树脂层34设置在金属板32与第1基板主体上主面S1之间。此外，在上下方向上观察时，金属板32与第1基板主体上主面S1的大致整体重叠。据此，在上下方向上观察时，金属板32与半导体元件26的整体重叠。此外，在上下方向上观察时，金属板32与天线22a～22c重叠。因此，金属板32位于天线22a～22c与半导体元件26之间。
其中，如图1所示，金属板32与多个第1导体图案19电连接。更详细而言，多个连接导体36分别设置在多个第1导体图案19的上方。多个连接导体36例如是焊锡。金属板32通过多个连接导体36与多个第1导体图案19电连接。据此，金属板32与接地电位连接。
如图1所示，间隔件38设置在第2基板主体下主面S12与金属板32之间。据此，间隔件38保持第2基板主体下主面S12与金属板32的间隔。间隔件38是板状构件。间隔件38的上主面与第2基板主体下主面S12相接。间隔件38的下主面与金属板32的上主面相接。间隔件38可以是仅具有保持第2基板主体下主面S12与金属板32的间隔的功能(间隔件功能)的构件，也可以是除了具有间隔件功能之外还具有其他功能的构件。其他功能例如是显示面板、电池等。
如图1所示，壳体40收纳第1基板12、第2基板14、天线22a～22c、连结部24、半导体元件26、多个电子部件28、金属板32、绝缘树脂层34、多个连接导体36以及间隔件38。壳体40是电子设备10的显示面板、外壳等。在壳体40是显示面板的情况下，壳体40是玻璃板。在壳体40是外壳的情况下，壳体40是金属板、玻璃板或者树脂板。
[效果]
根据电子设备10，半导体元件26向第1基板12的安装可靠性提高。更详细而言，若第1基板主体16变形，则在第1基板主体16与半导体元件26的连接部分施加应力。这种应力成为使第1基板12与半导体元件26的连接部分破损的原因。即，这种应力成为切断第1基板12与半导体元件26之间的电连接的原因。因此，在电子设备10中，金属板32与第1基板主体上主面S1面接合。据此，第1基板主体16被金属板32加强。因此，通过金属板32，抑制了第1基板主体16变形。其结果是，抑制了在第1基板主体16与半导体元件26的连接部分施加应力。因此，根据电子设备10，半导体元件26向第1基板12的安装可靠性提高。
根据电子设备10，能够抑制半导体元件26从天线22a～22c受到RF信号(电磁波)的影响，或者，能够抑制在半导体元件26中产生的噪声从天线22a～22c辐射。更详细而言，第2基板主体20配置在第1基板主体16的上方，使得第1基板主体上主面S1与第2基板主体下主面S12相对。半导体元件26安装在第1基板主体下主面S2。天线22a～22c设置在第2基板主体20。而且，金属板32与第1基板主体上主面S1面接合，使得在上下方向上观察时与半导体元件26重叠。据此，金属板32位于天线22a～22c与半导体元件26之间。因此，天线22a～22c辐射的RF信号(电磁波)被金属板32遮断，难以到达半导体元件26。同样地，半导体元件26辐射的噪声被金属板32遮断，难以到达天线22a～22c。因此，根据电子设备10，能够抑制半导体元件26从天线22a～22c受到RF信号(电磁波)的影响，或者，能够抑制在半导体元件26中产生的噪声从天线22a～22c辐射。尤其是，金属板32与接地电位连接。因此，根据电子设备10，能够更有效地抑制半导体元件26从天线22a～22c受到RF信号(电磁波)的影响，或者，能够更有效地抑制在半导体元件26中产生的噪声从天线22a～22c辐射。
根据电子设备10，在上下方向上观察时，金属板32与天线22a～22c重叠。据此，电子设备10能够更有效地抑制半导体元件26从天线22a～22c受到RF信号(电磁波)的影响，或者，能够更有效地抑制在半导体元件26中产生的噪声从天线22a～22c辐射。
根据电子设备10，可以抑制将天线22a～22c估计在内的阻抗的偏差以及天线22a～22c的辐射特性的偏差。更详细而言，间隔件38设置在第2基板主体下主面S12与金属板32之间，抑制第2基板主体下主面S12与金属板32的间隔发生变化。据此，可以抑制天线22a～22c与金属板32的距离发生变动。因此，可以抑制在天线22a～22c与金属板32之间产生的电容的大小发生变动。根据以上内容，根据电子设备10，可以抑制将天线22a～22c估计在内的阻抗的偏差以及天线22a～22c的辐射特性的偏差。
根据电子设备10，可以抑制天线22a～22c的辐射特性的偏差。更详细而言，连结部24比第1基板主体16以及第2基板主体20更容易在上下方向上弯曲。为了实现这一点，在电子设备10中，连结部24的厚度比第1基板主体16的厚度以及第2基板主体20的厚度小。据此，连结部24变得容易变形。进而，在连结部24发生了变形时，连结部24向第1基板主体16以及第2基板主体20施加的应力变小。因此，可以抑制在连结部24发生了变形时由于连结部24向第2基板主体20施加的应力而第2基板主体20发生变形。可以抑制由于第2基板主体20发生变形而天线22a～22c与金属板32的距离发生变化。其结果是，根据电子设备10，可以抑制天线22a～22c的辐射特性的偏差。此外，可以抑制树脂基板50的破损。
根据电子设备10，在第1基板12、半导体元件26中产生的热通过金属板32而扩散。据此，第1基板12、半导体元件26的冷却效率提高。
(第1变形例)
以下，参照附图来说明第1变形例涉及的电子设备10a。图4是电子设备10a的后视图。
电子设备10a在代替间隔件38而具备支承构件60这一点与电子设备10不同。更详细而言，壳体40支承第2基板14。支承构件60被壳体40支承。支承构件60支承第1基板12。此外，在上下方向上观察时，支承构件60与第1基板12重叠，与第2基板14不重叠。电子设备10a的其他构造与电子设备10相同，所以省略说明。
根据电子设备10a，可以抑制天线22a～22c的辐射特性的偏差，并且可以减少由间隔件38导致的损失。更详细而言，壳体40支承第2基板14。支承构件60被壳体40支承。支承构件60支承第1基板12。据此，支承构件60抑制了第2基板主体下主面S12与金属板32的间隔发生变化。因此，可以抑制天线22a～22c与金属板32的距离发生变动。因此，可以抑制在天线22a～22c与金属板32之间产生的电容的大小发生变动。根据电子设备10a，可以抑制天线22a～22c的辐射特性的偏差。进而，在上下方向上观察时，支承构件60与第1基板12重叠，与第2基板14不重叠。因此，在天线22a～22c与金属板32之间不存在支承构件60。即，在天线22a～22c与金属板32之间存在空气层。可以抑制天线22a～22c与金属板32之间的区域中的介电常数上升。其结果是，根据电子设备10a，可以减少由间隔件38导致的损失。此时，金属板32能够用作天线22a～22c的接地。
(第2变形例)
以下，参照附图来说明第2变形例涉及的电子设备10b。图5是电子设备10b的后视图。
电子设备10b在还具备框架70以及导热体72这一点与电子设备10a不同。框架70是电子设备10b的内部骨架。因此，框架70支承设置在壳体40内的部件(未图示)。其中，框架70也可以支承树脂基板50。框架70的材料例如是铝等金属。
导热体72是将金属板32和框架70连接的薄膜。导热体72通过粘接剂等粘贴在金属板32以及框架70。导热体72的材料是具有高导热率的材料。导热体72的材料例如是石墨、铜、铝等。据此，在第1基板12、半导体元件26中产生的热通过金属板32以及导热体72向框架70传递。据此，第1基板12、半导体元件26的冷却效率更有效地提高。
此外，在导热体72的材料为导电性材料的情况下，框架70(金属物品)与金属板32电连接。框架70与接地电位连接。因此，金属板32的电位变得更稳定。另外，电子设备10b的其他构造与电子设备10a相同，所以省略说明。
(第3变形例)
以下，参照附图来说明第3变形例涉及的电子设备10c。图6是电子设备10c的后视图。
电子设备10c在代替绝缘树脂层34而具备各向异性导电膜80这一点与电子设备10不同。更详细而言，各向异性导电膜80通称ACF(Anisotropic Conductive Film)。各向异性导电膜80具有在热固化性树脂中均匀地分散了导电粒子的构造，并且是兼备导通特性和绝缘特性的薄膜型的接合材料料。这种各向异性导电膜80能够将多个端子和多个端子同时统一进行连接。各向异性导电膜80使金属板32与第1基板主体上主面S1面接合，并且将金属板32和第1导体图案19电连接。第1导体图案19从第1基板主体上主面S1向上方向突出。据此，在各向异性导电膜80中向位于第1导体图案19与金属板32之间的部分施加的压力，比在各向异性导电膜80中向位于第1导体图案19与金属板32之间的部分以外的部分施加的压力大。据此，第1导体图案19和金属板32通过各向异性导电膜80中包含的导电性粒子而电连接。另外，电子设备10c的其他构造与电子设备10相同，所以省略说明。
(第4变形例)
以下，参照附图来说明第4变形例涉及的电子设备10d。图7是电子设备10d的后视图。
电子设备10在代替连结部24而具备连接器90、92这一点与电子设备10不同。连接器90安装在第1基板主体16的第1基板主体上主面S1。连接器92安装在第2基板主体20的第2基板主体下主面S12。连接器90和连接器92电连接。据此，半导体元件26和天线22a～22c通过第1基板12、连接器90、92以及第2基板14而电连接。电子设备10d的其他结构与电子设备10相同，所以省略说明。
(第5变形例)
以下，参照附图来说明第5变形例涉及的电子设备10e。图8是电子设备10e的后视图。
电子设备10e在第2基板主体20和连结部24通过连接器90、92而电连接这一点与电子设备10不同。即，连接器90安装在连结部24的外周面。连接器92安装在第2基板主体下主面S12。连接器90与连接器92电连接。电子设备10e的其他构造与电子设备10相同，所以省略说明。电子设备10e能够实现与电子设备10相同的作用效果。
此外，因为能够立体地配置电子设备10e，所以能够减少电子设备10e的收纳空间。此外，因为能够将连结部24与薄的板状的第2基板主体20连接，所以能够减小第2基板主体20与壳体40的间隙。此外，因为能够从第2基板主体20装卸连结部24，所以容易更换部件。
在电子设备10e中，因为连结部24的厚度较小，所以能够减小连结部24的曲率半径。据此，能够将连结部24配置在较小的空间。此外，因为连结部24的厚度较小，所以连结部24容易弯曲。因此，连结部24给连接器90带来的力小。其结果是，不易在连接器90与连接器92之间施加不需要的力。
(第6变形例)
以下，参照附图来说明第6变形例涉及的电子设备10f。图9是电子设备10f的后视图。
电子设备10f在第1基板主体16的厚度和第2基板主体20的厚度和连结部24的厚度相等这一点与电子设备10e不同。电子设备10f的其他构造与电子设备10e相同，所以省略说明。
此外，因为能够立体地配置电子设备10f，所以能够减少电子设备10f的收纳空间。此外，因为能够将连结部24与薄的板状的第2基板主体20连接，所以能够减小第2基板主体20与壳体40的间隙。此外，因为能够从第2基板主体20装卸连结部24，所以容易更换部件。
(第7变形例)
以下，参照附图来说明第7变形例涉及的电子设备10g。图10是电子设备10g的后视图。
电子设备10g在第1基板主体16的厚度和第2基板主体20的厚度和连结部24的厚度相等这一点、以及第1基板主体16和第2基板主体20在上下方向上弯曲这一点与电子设备10不同。更详细而言，第1基板主体16的厚度和第2基板主体20的厚度和连结部24的厚度相等。据此，第1基板主体16以及第2基板主体20与连结部24同样地容易在上下方向上弯曲。此外，在第1基板主体16与连结部24的边界没有台阶。在第2基板主体20与连结部24的边界没有台阶。据此，可以抑制树脂基板50在第1基板主体16与连结部24的边界以及第2基板主体20与连结部24的边界处破损。此外，不需要在树脂基板50形成空腔，所以树脂基板50的构造成为简单的构造。其结果是，能够容易地制造树脂基板50。其中，在第1基板主体上主面S1设置有金属板32。因此，第1基板主体16中的没有设置金属板32的部分在上下方向上弯曲。另外，也可以具有如下构造，即，通过在连结部24中减少导体层的数量等，从而连结部24在上下方向上容易弯曲。
如上所述，通过第1基板主体16的厚度以及第2基板主体20的厚度变得与连结部24的厚度相等，从而第1基板主体16以及第2基板主体20变薄。据此，通过使树脂基板50弯曲，能够将树脂基板50配置在狭小的空间。
(其他实施方式)
本实用新型涉及的电子设备不局限于电子设备10、10a～10g，在其主旨的范围内能够进行变更。另外，也可以将电子设备10、10a～10g的结构任意地进行组合。
天线22a～22c设置在第2基板主体20即可，也可以设置在第2基板主体20的内部、第2基板主体下主面S12。
天线22a～22c也可以不由第2基板14的导体图案形成。天线22a～22c也可以是安装在第2基板主体20的部件。
电子设备10、10a～10g具备3个天线。但是，电子设备10、10a～10g也可以具备一个或两个天线，还可以具备四个以上的天线。
在上下方向上观察时，金属板32也可以不与天线22a～22c重叠。
在上下方向上观察时，金属板32也可以不与半导体元件26的整体重叠。即，在上下方向上观察时，金属板32也可以与半导体元件26的一部分重叠。不过，在上下方向上观察时，金属板32与半导体元件26的整体重叠。据此，能够更有效地抑制半导体元件26从天线22a～22c受到RF信号(电磁波)的影响，或者，能够更有效地抑制天线22a～22c从半导体元件26受到噪声的影响。
天线22a～22c将半导体元件26输出的发送信号作为电磁波而辐射，并且将接收到的电磁波作为接收信号而输出到半导体元件26。但是，天线22a～22c也可以进行将半导体元件26输出的发送信号作为电磁波而辐射、以及将接收到的电磁波作为接收信号而输出到半导体元件26中的任意一者。
天线22a～22c也可以不与半导体元件26电连接。此外，半导体元件26也可以不是RFIC。即，天线22a～22c也可以不将半导体元件26输出的发送信号作为电磁波而辐射，并且不将接收到的电磁波作为接收信号而输出到半导体元件26。
第1基板12也可以具备设置在第1基板主体16的内部、第1基板主体上主面S1或者第1基板主体下主面S2的导体图案。第2基板14也可以具备设置在第2基板主体20的内部、第2基板主体上主面S11或者第2基板主体下主面S12的导体图案。连结部24也可以具备设置在连结部24的内部或者连结部24的两个主面的导体图案。
第1基板12以及第2基板14可以具有可挠性，也可以不具有可挠性。
在电子设备10中，也可以代替绝缘树脂层34以及连接导体36而通过导电性接合材料，使第1基板主体上主面S1和金属板32面接合，同时使第1导体图案18和金属板32电连接。
另外，在电子设备10a中，壳体40支承第2基板14。此外，支承构件60支承第1基板12。但是，壳体40也可以支承第1基板12。此外，支承构件60也可以支承第2基板14。即，壳体40支承第1基板12以及第2基板14中的一者即可。支承构件60支承第1基板12以及第2基板14中的另一者即可。
另外，在电子设备10d中，也可以代替连接器90、92而使用各向异性导电薄膜、焊锡等。在该情况下，由连接器90、92引起的寄生分量消失，所以可以抑制高频信号的反射。
另外，在电子设备10、10a～10g中，第1基板主体16以及/或者第2基板主体20也可以在上下方向上弯曲。
另外，电子设备10a也可以还具备间隔件38。即，电子设备10a也可以具备间隔件38以及支承构件60双方。据此，天线22a～22c与金属板32的距离变得固定。其结果是，可以减少天线22a～22c与连接于接地电位的金属板32的电容的偏差。进而，能够将天线22a～22c相对于壳体40进行定位。可以减少天线22a～22c与壳体40的距离的偏差。
另外，在电子设备10e、10f中，连接器92也可以安装在第2基板主体上主面S11。
另外，在电子设备10e、10f中，第2基板主体20和连结部24也可以不通过连接器90、92而通过导电性连接构件进行连接。在该情况下，可以实现电子设备10e、10f的薄型化。
另外，在电子设备10e中，连结部24的厚度比第1基板主体16的厚度以及第2基板主体20的厚度小。因此，在树脂基板50中在相当于连结部24的位置形成空腔(挖入部)。在该情况下，树脂基板50弯曲，使得第1基板主体下主面S2和连结部24的外周面相连。据此，可以抑制在连结部24与第1基板主体16的边界产生破损。不过，也可以树脂基板50弯曲，使得第1基板主体上主面S1和连结部24的内周面相连。
附图标记说明
10、10a～10g：电子设备
12：第1基板
14：第2基板
16：第1基板主体
18、19：第1导体图案
20：第2基板主体
22a～22c：天线
24：连结部
26：半导体元件
28：电子部件
32：金属板
34：绝缘树脂层
36：连接导体
38：间隔件
40：壳体
50：树脂基板
60：支承构件
70：框架
72：导热体
80：各向异性导电膜
90、92：连接器
S1：第1基板主体上主面
S11：第2基板主体上主面
S12：第2基板主体下主面
S2：第1基板主体下主面。

Claims (13)

1.一种电子设备，其特征在于，具备：包含第1基板主体以及第1导体图案的第1基板、包含第2基板主体的第2基板、半导体元件、天线以及金属板，
所述第1基板主体具有在上下方向上排列的第1基板主体上主面以及第1基板主体下主面，
所述第2基板主体具有在上下方向上排列的第2基板主体上主面以及第2基板主体下主面，
所述第2基板主体配置在所述第1基板主体的上方，使得所述第1基板主体上主面与所述第2基板主体下主面相对，
所述半导体元件安装在所述第1基板主体下主面，
所述天线设置在所述第2基板主体，
所述金属板的厚度比所述第1导体图案的厚度大，
所述金属板与所述第1基板主体上主面面接合，使得在上下方向上观察时与所述半导体元件重叠。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，
在上下方向上观察时，所述金属板与所述天线重叠。
3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备连结部，
所述第1基板主体、所述第2基板主体以及所述连结部包含于一张树脂基板，
所述连结部在上下方向上弯曲，使得将所述第1基板主体和所述第2基板主体连结。
4.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述第1导体图案设置在所述第1基板主体上主面，
所述金属板与所述第1导体图案电连接。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备：
连接导体，其设置在所述第1导体图案的上方；以及
绝缘树脂层，其使所述金属板与所述第1基板主体上主面面接合，
所述金属板通过所述连接导体与所述第1导体图案电连接。
6.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备各向异性导电膜，该各向异性导电膜使所述金属板与所述第1基板主体上主面面接合，并且将所述金属板和所述第1导体图案电连接。
7.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备：
壳体，其支承所述第1基板以及所述第2基板中的一者；以及
支承构件，其支承所述第1基板以及所述第2基板中的另一者，并且被所述壳体支承。
8.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备间隔件，该间隔件设置在所述第2基板主体下主面与所述金属板之间。
9.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述电子设备还具备金属物品，该金属物品与所述金属板电连接。
10.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述天线与所述半导体元件电连接。
11.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述半导体元件是RFIC。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，
所述天线将所述半导体元件输出的发送信号作为电磁波而辐射，以及/或者，所述天线将接收到的电磁波作为接收信号而输出到所述半导体元件。
13.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，
所述金属板与接地电位连接。
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