WO2022059152A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022059152A1
WO2022059152A1 PCT/JP2020/035335 JP2020035335W WO2022059152A1 WO 2022059152 A1 WO2022059152 A1 WO 2022059152A1 JP 2020035335 W JP2020035335 W JP 2020035335W WO 2022059152 A1 WO2022059152 A1 WO 2022059152A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
display device
forming step
bank
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/035335
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
扇太郎 喜田
康 浅岡
豪 鎌田
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US18/026,343 priority Critical patent/US20230354648A1/en
Priority to PCT/JP2020/035335 priority patent/WO2022059152A1/ja
Priority to CN202080105283.XA priority patent/CN116194979A/zh
Publication of WO2022059152A1 publication Critical patent/WO2022059152A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape

Definitions

  • This disclosure relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Document 1 describes forming a light emitting layer of a light emitting element provided in a display device by using only an inkjet method (ink dropping method) in order to efficiently form the light emitting layer. ..
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2004-198486 (published on July 15, 2004)
  • Patent Document 1 describes a configuration in which a light emitting layer of each color provided in each of all the sub-pixels constituting one pixel is formed by using only the inkjet method.
  • the configuration described in Patent Document 1 since all the light emitting layers are formed by the inkjet method, the light emitting layers can be efficiently formed, but the banks (bulkheads) having a relatively high height in all the sub-pixels. Need to be prepared. Since the bank is formed to have a wider width due to its higher height, the area of the bank covering the island-shaped electrodes provided for each sub-pixel increases. Therefore, there arises a problem that the light emitting region of the light emitting layer is narrowed in all the sub pixels.
  • One aspect of the present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present disclosure is to provide a display device and a method for manufacturing the display device, which realizes an expansion of the light emitting region of the light emitting layer.
  • the display device of the present invention is used to solve the above-mentioned problems.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention is to solve the above-mentioned problems.
  • the second light emitting layer is not formed in the plurality of first regions, but in a plurality of second regions on the one side surface different from the plurality of first regions. It comprises a second light emitting layer forming step of forming only.
  • the first light emitting layer since the first light emitting layer is provided outside the first bank or is provided by a photolithography method that does not require a bank, the first light emitting layer emits light. It is possible to provide a display device that realizes an expansion of the area and a method for manufacturing the display device.
  • FIG. (A) to (f) are diagrams showing a part of the manufacturing process of the display device of the first embodiment. It is a figure which shows an example of the active board provided in the display device of Embodiment 1.
  • FIG. (A) is a plan view showing one pixel of the display device of the first embodiment, and (b) is a cross-sectional view taken along the line AA'of the display device of the first embodiment shown in FIG. 3A.
  • Is. (A) is a diagram showing a first modification of the display device of the first embodiment, and (b) is a diagram showing a second modification of the display device of the first embodiment.
  • (A) is a diagram showing a third modification of the display device of the first embodiment
  • (b) is a diagram showing a fourth modification of the display device of the first embodiment.
  • (A) is a diagram showing a fifth modification of the display device of the first embodiment
  • (b) is a diagram showing a sixth modification of the display device of the first embodiment.
  • (A) is a diagram showing a third modification of the display device of the first embodiment shown in FIG. 5 (a)
  • (b) is a diagram showing a seventh modification of the display device of the first embodiment.
  • (C) is a diagram showing an eighth modification of the display device of the first embodiment.
  • (A) to (c) are diagrams showing a part of the manufacturing process of the eighth modification of the display device of the first embodiment illustrated in FIG.
  • (A) to (c) are diagrams showing a part of the manufacturing process of the display device of the second embodiment.
  • (A) is a diagram showing a first modification of the display device of the second embodiment
  • (b) is a diagram showing a second modification of the display device of the second embodiment.
  • (A) and (b) are diagrams for explaining the schematic configuration of the display device of the third embodiment
  • (c) is a diagram showing a first modification of the display device of the third embodiment.
  • d) is a diagram showing a second modification of the display device of the third embodiment.
  • FIG. 12 (a) is a plan view showing the display device of the fourth embodiment
  • (b) is a cross-sectional view taken along the line BB'of the display device of the fourth embodiment shown in (a) of FIG.
  • (A) and (b) are plan views showing a schematic configuration of a mask used in the manufacturing process of the display device of the fourth embodiment shown in FIG. 12 (a).
  • (A) and (b) are diagrams showing a part of the manufacturing process of the display device of the fifth embodiment, and (c) is a plan view showing one pixel of the display device of the fifth embodiment.
  • (A) to (f) are diagrams showing a part of the manufacturing process of the display device of the sixth embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of an active substrate 11 provided in the display device 30 of the first embodiment.
  • the active substrate 11 provided in the display device 30 of the first embodiment includes a substrate 10, and a resin film 12, a barrier layer 3, and a thin film transistor layer 4 are provided on the substrate 10.
  • the first electrode 22 is provided in this order from the substrate 10 side.
  • a substrate having heat resistance that can withstand the process temperature of the post-process for forming various films can be used, and for example, a glass substrate or the like can be used.
  • the resin film 12 for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a polyamide resin, or the like can be used.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the transistors TR1 and TR2 and the light emitting device, and is, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film formed by CVD, or a silicon nitride film. It can be composed of these laminated films.
  • the transistors TR1 and TR2 and the capacitive element are provided on the upper layer of the barrier layer 3.
  • the thin film transistor layer 4 including the transistors TR1 and TR2 and the capacitive element includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film (gate insulating film) 16 above the semiconductor film 15, and a gate electrode GE and capacitance above the inorganic insulating film 16.
  • the insulating film (second insulating film) 20 layers SE1 to SE4 forming the source electrode, drain electrode and wiring, and layers SE1 to SE4 forming the source electrode, drain electrode and wiring above the inorganic insulating film 20.
  • a flattening film (interlayer insulating film) 21 on the upper layer is included.
  • the capacitive element is the same layer as the counter electrode CE of the capacitive element formed directly above the inorganic insulating film 18, the inorganic insulating film 18, and the layer formed directly below the inorganic insulating film 18 and forming the gate electrode GE. It is composed of a capacitive electrode GE'formed so as to overlap with the counter electrode CE of the capacitive element.
  • Transistors (thin film transistor (TFT)) TR1 and TR2 are configured to include a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16, a gate electrode GE, an inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 20, a source electrode and a drain electrode.
  • TFT thin film transistor
  • the semiconductor film 15 is composed of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • oxide semiconductor oxide semiconductor
  • the layers SE1 to SE4 forming the source electrode, drain electrode and wiring, the gate electrode GE, the capacitive electrode GE'and the counter electrode CE are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta). , Chromium (Cr), Tungsten (Ti), Copper (Cu), and Silver (Ag).
  • the inorganic insulating films 16/18/20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin, and is preferably formed by using a photosensitive organic material.
  • the first electrode 22 is formed in an island shape.
  • the first electrode 22 is a reflecting electrode and a cathode, a case where the first electrode 22 is formed of aluminum (Al) will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the first electrode 22 may be an anode or a transmission electrode having visible light transmittance.
  • the first electrode 22 is a reflective electrode, for example, Ag, Al, MgAl, MgAg, or the like may be used as the first electrode 22, and the first metal oxide layer having conductivity is visible.
  • a laminate in which a metal layer that reflects light and a second metal oxide layer that is a layer that transmits visible light and has conductivity may be laminated in this order may be used.
  • the first metal oxide layer and the second metal oxide layer are metal oxides selected from indium tin oxide (ITO (Indium Tin Oxide)) and indium zinc oxide (IZO (Indium Zinc Oxide)). It may be a layer, and the metal layer may be Ag, Al, or the like.
  • the first electrode 22 is a transmission electrode
  • Ag, Al, MgAl, MgAg, or the like formed with a film thickness sufficient to transmit visible light may be used as the first electrode 22, and indium tin oxide may be used.
  • Oxides (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (eg ZnO), tin oxide (eg SnO 2 ), titanium oxide (eg TiO 2 ), graphene and the like may be used.
  • the first electrode 22 is provided for each of a plurality of sub-pixels constituting one pixel, and is driven for each sub-pixel by transistors TR1 and TR2 provided for each sub-pixel.
  • FIGS. 1A to 1F are views showing a part of the manufacturing process of the display device 30 of the first embodiment. Note that, in FIGS. 1A to 1F, only the flattening film 21 and the first electrode 22 of the active substrate 11 shown in FIG. 2 are shown, and the other parts are omitted. There is.
  • the steps of forming the first light emitting layer 26R shown in FIGS. 1A and 1B and the second light emitting layer 26B shown in FIG. 1E are shown.
  • the edge cover forming step of forming the edge covers 23L and 23S and the bank 24 are formed.
  • the bank forming step and the forming step of the functional layer 25 on the first electrode 22 side are performed.
  • the edge cover forming step the island-shaped first electrodes 22 formed in the first electrode forming step are filled with each other, and edge covers 23L / 23S covering the edges of the plurality of first electrodes 22 are formed. do.
  • the edge cover 23L is formed to have a relatively wide width because a bank 24 having a high height is formed at the upper portion thereof, and the edge cover 23L and the edge cover 23L are formed to have a relatively wide width.
  • the area on which the first electrode 22 overlaps is large.
  • the bank 24 is not formed on the upper portion of the edge cover 23S, the width thereof is relatively narrow, and the area where the edge cover 23S and the first electrode 22 overlap is small.
  • the edge covers 23L and 23S can be formed of, for example, a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the bank 24 can be formed of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the edge cover forming step and the bank forming step may be one step using the same material.
  • a photosensitive organic material containing an acrylic resin is used, and an exposure step using a mask (for example, a halftone mask or a shadow mask) for making a difference in the exposure amount in the exposure region, and a development step.
  • a mask for example, a halftone mask or a shadow mask
  • the edge cover 23L / 23S and the bank 24 were formed at the same time, but the present invention is not limited to this.
  • the functional layer 25 on the first electrode 22 side formed in the process of forming the functional layer 25 on the first electrode 22 side is at least a hole injection layer and a hole transport layer.
  • the first electrode 22 is the cathode, it is at least one of the electron injection layer and the electron transport layer.
  • the functional layer 25 on the first electrode 22 side may be formed, for example, by coating or by a thin-film deposition method. In the step of forming the functional layer 25, a mask may or may not be used, if necessary.
  • the functional layer 25 on the first electrode 22 side for example, nanoparticles such as ZnO and NiO doped with Al, Mg, Li, Ga and the like or nanoparticles such as non-doped ZnO may be used, and the nanoparticles may be used.
  • the functional layer 25 on the first electrode 22 side may be patterned and formed by mixing the particles and the photosensitive material and exposing and developing them.
  • the functional layer 25 on the first electrode 22 side is the electron transport layer (ETL) Alq3, BCP, Cs2O3 , ZnO, SnO2, In . 2 O 3 or ZnMgO or the like can be used.
  • ETL electron transport layer
  • BCP BCP
  • Cs2O3 ZnO
  • SnO2 In . 2 O 3 or ZnMgO
  • a hole transport layer (HTL) such as TFB, TAPC, CBP, PVK, or NiO can be used as the functional layer 25 on the first electrode 22 side.
  • the film thickness of the functional layer 25 on the first electrode 22 side is preferably 200 nm or less, for example.
  • first for example, a first quantum dot (first light emitting material) containing a ligand that emits red light and a photosensitive resin (for example, a photosensitive resin).
  • a photosensitive resin for example, a photosensitive resin
  • An epoxy resin, an acrylic resin, etc.), a photoinitiator, and a resist material 26RO for forming a first light emitting layer were formed on the entire surface of the functional layer 25 on the first electrode 22 side.
  • the method for forming the resist material 26RO is not particularly limited, but may be formed by using a coater such as a spin coater, a slit coater, or a bar coater, or may be formed by a spray method or the like.
  • the resist material 26RO is a negative type
  • the resist material 26RO may be a positive type
  • the first light emitting layer 26R is a light emitting layer that emits red
  • the second light emitting layer 26B is a light emitting layer that emits blue
  • the third light emitting layer 26G is a light emitting layer that emits green. Will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B and the third light emitting layer 26G are both light emitting layers including quantum dots.
  • the quantum dot for example, a quantum dot having a structure having a core and a shell can be used.
  • the core material for example, CdSe, InP, ZnSe, ZnS, ZnTe, a mixed system thereof, CIGS, Si-based material, or the like can be used.
  • the shell material for example, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdS, or a mixed system thereof (ZnSeS) or the like can be used.
  • an organic ligand or an inorganic ligand is arranged on the quantum dots.
  • the outer diameter of the quantum dot shell may be about 1 to 15 nm.
  • the outside of the quantum dot shell The diameters may be different, or different types of quantum dots may be used.
  • the outer diameter of the shell of the second quantum dot that emits blue light contained in the second light emitting layer 26B is the outer diameter of the shell of the first quantum dot that emits red light contained in the first light emitting layer 26R.
  • the outer diameter of the shell of the third quantum dot that emits green light contained in the third light emitting layer 26G is not limited to this.
  • prebaking is performed at a temperature of 50 ° C. or higher and 120 ° C. or lower for a predetermined time to evaporate the solvent, and the resist material is formed. 26 RO is dried.
  • the resist material 26RO is exposed to the resist material 26RO by using a photomask PM1 including an opening PMRK through which the exposure light L passes and a light-shielding portion PMR that shields the exposure light L. rice field.
  • the exposure intensity is not particularly limited, but for example, exposure can be performed with an exposure intensity of 10 mJ / cm 2 or more and 1000 mJ / cm 2 or less.
  • the post-baking step of the first light emitting layer 26R can be appropriately omitted.
  • post-baking for example, before or after the step of forming the second light emitting layer 26B described later by the inkjet method, for example, at a temperature of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, baking is performed for a predetermined time. , Post-baking may be done.
  • the film thickness of the first quantum dot (first light emitting material) containing a ligand and the first light emitting layer 26R containing a resin is formed to be 1 nm or more and 100 nm or less, but the film thickness is not limited to this. , The film thickness of the first light emitting layer 26R can be appropriately determined.
  • the first light emitting layer 26R is a layer formed of a positive resist material 26RO, it is preferable to perform post-baking after the developing step. Further, depending on the positive resist material, it may be preferable to perform full exposure after the developing step and before the post-baking step.
  • the first light emitting layer 26R can be formed by a photolithography method.
  • a third quantum dot (third light emitting material) containing a ligand that emits green light and a photosensitive resin first, for example, a third quantum dot (third light emitting material) containing a ligand that emits green light and a photosensitive resin.
  • a resist material 26GO for forming a third light emitting layer containing for example, an epoxy resin or an acrylic resin, etc.
  • a photoinitiator, and a solvent is provided as a functional layer 25 on the first light emitting layer 26R and the first electrode 22 side. Formed on the entire surface above.
  • the method for forming the resist material 26GO is not particularly limited, and may be formed by using a coater such as a spin coater, a slit coater, or a bar coater, or may be formed by a spray method or the like.
  • a coater such as a spin coater, a slit coater, or a bar coater
  • a spray method or the like may be formed by a spray method or the like.
  • the resist material 26GO is a negative type will be described as an example, but the present invention is not limited to this, and the resist material 26GO may be a positive type.
  • prebaking is performed at a temperature of 50 ° C. or higher and 120 ° C. or lower for a predetermined time to obtain a solvent. To evaporate and dry the resist material 26GO.
  • the resist material 26GO is exposed to the resist material 26GO using a photomask PM2 including an opening PMGK through which the exposure light L passes and a light-shielding portion PMG that shields the exposure light L. rice field.
  • the exposure intensity is not particularly limited, but for example, exposure can be performed with an exposure intensity of 10 mJ / cm 2 or more and 1000 mJ / cm 2 or less.
  • the post-baking step of the third light emitting layer 26G can be appropriately omitted.
  • post-baking for example, before or after the step of forming the second light emitting layer 26B described later by the inkjet method, for example, at a temperature of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, baking is performed for a predetermined time. , Post-baking may be done.
  • the film thickness of the third quantum dot (third light emitting material) containing the ligand and the third light emitting layer 26G containing the resin is formed to be 1 nm or more and 100 nm or less, but the film thickness is not limited to this. , The film thickness of the third light emitting layer 26G can be appropriately determined.
  • the third light emitting layer 26G is a layer formed of a positive resist material 26GO, it is preferable to perform post-baking after the developing step. Further, depending on the positive resist material, it may be preferable to perform full exposure after the developing step and before the post-baking step.
  • the third light emitting layer 26G can be formed by a photolithography method.
  • the second quantum dot (second light emitting material) containing a ligand that emits blue light and the second light emitting material containing a solvent are included.
  • the inkjet material IJB for layer formation is dropped onto the inside of the bank 24 formed in a frame shape so as to surround a predetermined region (second region) using the inkjet device IJ.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are formed on the outside of the bank 24 formed in a frame shape.
  • a second light emitting layer 26B made of a second quantum dot (second light emitting material) containing a ligand is subjected to heat treatment at a temperature of 50 degrees or more and 200 degrees or less for a predetermined time to evaporate the solvent. It was formed with a film thickness of 1 nm or more and 100 nm or less so as to be in contact with the inner side surface of the bank 24.
  • the film thickness of the second light emitting layer 26B is formed to be 1 nm or more and 100 nm or less, but the film thickness is not limited to this, and the film thickness of the second light emitting layer 26B can be appropriately determined.
  • the second light emitting layer 26B can be formed by an inkjet method (ink dropping method).
  • the functional layer 27 on the second electrode 28 side was formed on the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B, and the third light emitting layer 26G.
  • the film thickness of the functional layer 27 on the side of the second electrode 28 is preferably formed to be, for example, 300 nm or less.
  • a second electrode 28, which is an electrode common to all sub-pixels, was formed to manufacture a display device 30.
  • a translucent sealing layer is provided on the second electrode 28.
  • the sealing layer is, for example, a first inorganic sealing film that covers the second electrode 28, an organic sealing layer formed above the first inorganic sealing film, and a first that covers the organic sealing layer. 2 It may be composed of an inorganic sealing film.
  • the second electrode 28 is a transmissive electrode having visible light transmittance and is an anode, and is therefore formed of indium tin oxide (ITO), but is not limited thereto. ..
  • the functional layer 27 on the second electrode 28 side is at least one of the hole injection layer and the hole transport layer, for example, on the second electrode 28 side.
  • a hole transport layer such as TFB, TAPC, CBP, PVK or NiO can be used.
  • FIG. 3A is a plan view showing one pixel of the display device 30 of the first embodiment
  • FIG. 3B is A of the display device 30 of the first embodiment shown in FIG. 3A. It is sectional drawing of -A'line.
  • one pixel of the display device 30 includes three adjacent sub-pixels, a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel.
  • the first light emitting layer 26R is formed so as to overlap the first electrode 22 of a part of the plurality of first electrodes 22 in a plan view
  • the second light emitting layer 26B is formed so as to overlap with the plurality of first electrodes 22.
  • the third light emitting layer 26G is formed so as to overlap with the first electrode 22 of the other part of the 22 in a plan view
  • the third light emitting layer 26G is the first of the other part of the plurality of first electrodes 22. It is formed so as to overlap with the electrode 22 in a plan view.
  • the bank 24 for forming the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G is not required.
  • the total number of banks 24 can be reduced.
  • the width of the edge cover 23 (23S) in which the bank 24 is not formed can be formed relatively narrow, and the area where the edge cover 23 (23S) and the first electrode 22 overlap can be reduced.
  • the area where the edge cover 23 (23S) and the first electrode 22 overlap each other becomes smaller, the area where the first electrode 22 and the functional layer 25 on the first electrode 22 side come into direct contact with each other increases, so that the light emission of the first light emitting layer 26R
  • the light emitting region GSGH of the region RSGH and the third light emitting layer 26G can be expanded.
  • the light emitting region BSGH of the second light emitting layer 26B is smaller than the light emitting region RSGH of the first light emitting layer 26R and the light emitting region GSGH of the third light emitting layer 26G.
  • the edge cover 23 provides contact holes CH1, CH2, and CH3 provided for each sub-pixel of each color. It is formed to cover, but is not limited to this.
  • the rising voltage of the display device 30 can be reduced and displayed. It is possible to improve the brightness of the device 30.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are formed by the photolithography method and the second light emitting layer 26B is formed by the inkjet method, all the light emitting layers are formed by the vapor deposition method.
  • the light emitting layer can be formed more efficiently than in the case of forming.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are formed first by the photolithography method and the second light emitting layer 26B is formed later by the inkjet method, the first light emitting layer 26R is formed. And the damage that the third light emitting layer 26G receives during the photolithography process can be reduced. Specifically, after the formation of the first light emitting layer 26R, there is only one photolithography step, and after the formation of the third light emitting layer 26G, there is no photolithography step. When the light emitting layers of all colors are formed by the photolithography method, since there are at least two photolithography steps after the light emitting layer of the first formed color, the damage received during the photolithography step is large.
  • an inkjet method is performed using a second quantum dot containing a ligand that emits blue light with poor carrier injection efficiency and low EQE, and an inkjet material IJB for forming a second light emitting layer containing a solvent.
  • a second light emitting layer 26B made of a second quantum dot (second light emitting material) containing a ligand is formed.
  • a carrier flow such as a resin component contained in the resist material, such as the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G, flows. Since it does not contain a component that inhibits the above, it is possible to suppress a decrease in the emission luminance of the second light emitting layer 26B and a decrease in the injection efficiency of the carrier.
  • the first light emitting material contained in the first light emitting layer 26R is the first quantum dot containing the ligand
  • the second light emitting material contained in the second light emitting layer 26B contains the ligand.
  • the case where the third quantum dot is a second quantum dot and the third light emitting material contained in the third light emitting layer 26G is a third quantum dot containing a ligand will be described as an example, but the present invention is not limited to this, and for example, At least one of the first light emitting material, the second light emitting material, and the third light emitting material may be a quantum dot containing a ligand, and the first light emitting material, the second light emitting material, and the third light emitting material. It may be a light emitting material that does not contain quantum dots, all of which contain a ligand. Examples of the light emitting material containing no quantum dots include organic light emitting materials used in organic EL devices.
  • the case where the second light emitting layer 26B, which is a blue light emitting layer, is formed by an inkjet method has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the first light emitting layer is a red light emitting layer.
  • the light emitting layer 26R or the third light emitting layer 26G which is a green light emitting layer may be formed by an inkjet method.
  • the case where the first light emitting layer 26R, which is a red light emitting layer, is formed before the third light emitting layer 26G, which is a green light emitting layer, has been described as an example, but the present invention is limited to this. Instead, the third light emitting layer 26G, which is a green light emitting layer, may be formed before the first light emitting layer 26R, which is a red light emitting layer.
  • one pixel of the display device 30 is formed of three adjacent sub-pixels, a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and one pixel of the display device 30 may further include sub-pixels of other colors.
  • the display device 30 is a flexible display device.
  • the substrate 10 may be peeled from the resin film 12 by a Laser Lift Off step (LLO step) to form a flexible display device. Further, after the substrate 10 is peeled from the resin film 12 by the LLO step, the film may be attached to the resin film 12 via the adhesive layer to form a flexible display device.
  • LLO step Laser Lift Off step
  • FIG. 4A is a diagram showing a display device 31 which is a first modification of the first embodiment
  • FIG. 4B is a diagram showing a display device 32 which is a second modification of the first embodiment. It is a figure.
  • the second electrode 28 is not shown.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G formed by the photolithography method are provided adjacent to each other and face each other.
  • One end of the layer 26R and one end of the third light emitting layer 26G are separated by a predetermined distance R1.
  • the unintended third light emitting layer 26G emits light when the first light emitting layer 26R emits light.
  • the first light emitting layer 26R will emit light unintentionally when the third light emitting layer 26G is made to emit light.
  • one end of the first light emitting layer 26R facing each other and one end of the third light emitting layer 26G are separated by a predetermined distance R1, so that an unintended adjacent light emitting layer as described above is used. Unintended light emission can be suppressed.
  • one end 26RA of the first light emitting layer 26R formed by the photolithography method is formed thicker than the other parts of the first light emitting layer 26R.
  • the one end 26GA of the third light emitting layer 26G formed by the photolithography method is formed thicker than the other parts of the third light emitting layer 26G.
  • the end portion of the light emitting layer formed by the photolithography method is formed in a tapered shape, so that the film thickness of the end portion is thin and current concentration may occur.
  • one end portion 26RA of the first light emitting layer 26R is formed thicker than the other portion of the first light emitting layer 26R, and one end portion 26GA of the third light emitting layer 26G is formed from the other portion of the third light emitting layer 26G. Since it is formed thicker than the portion, it is possible to suppress the possibility of current concentration occurring at the edge portion of the first light emitting layer 26R and the edge portion of the third light emitting layer 26G.
  • the one end 26RA of the first light emitting layer 26R and the one end 26GA of the third light emitting layer 26G are exposed using a mask (for example, a halftone mask or a shadow mask) for making a difference in the exposure amount of the exposed area. By doing so, it can be formed.
  • a mask for example, a halftone mask or a shadow mask
  • FIG. 5A is a diagram showing a display device 33 which is a third modification of the first embodiment
  • FIG. 5B is a diagram showing a display device 34 which is a fourth modification of the first embodiment. It is a figure.
  • the second electrode 28 is not shown.
  • a first thick film portion 26RGA is provided which is in contact with and overlaps a part of the above.
  • the first thick film portion 26RGA superimposes on at least a part between the first electrode 22 superimposing on the first light emitting layer 26R and the first electrode 22 superimposing on the third light emitting layer 26G.
  • the first thick film portion 26RGA is, for example, at the time of exposure in the step of first forming the first light emitting layer 26R by the photolithography method and then forming the third light emitting layer 26G by the photolithography method. It can be formed by exposing a part of the third light emitting layer 26G that overlaps with the above.
  • a common functional layer 25 on the first electrode 22 side is provided for all the sub-pixels, but the display device 34 shown in FIG. 5 (b) is provided.
  • the functional layers 25R, 25G, and 25B on the first electrode 22 side are provided for each sub-pixel of each color.
  • Each of the functional layers 25R, 25G, and 25B on the first electrode 22 side may be formed in one photolithography step using one material, for example, three times using three different materials. It may be formed by a lithography process.
  • the first thick film portion 26RGA' is provided, and the first thick film portion 26RGA'is provided with the first thick film portion 26RGA' because the resistance becomes high and the current does not easily flow. Therefore, it is possible to suppress the color mixing between the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G. Further, by providing the first thick film portion 26RGA', it is possible to suppress the concentration of current at the edge portion of the first electrode 22.
  • FIG. 6A is a diagram showing a display device 35 which is a fifth modification of the first embodiment
  • FIG. 6B is a diagram showing a display device 36 which is a sixth modification of the first embodiment. It is a figure.
  • the second electrode 28 is not shown.
  • a first thick film portion 26GRA is provided in the display device 35 shown in FIG. 6A.
  • the first thick film portion 26GRA is superimposed on the third light emitting layer 26G at the time of exposure in the step of first forming the third light emitting layer 26G by the photolithography method and then forming the first light emitting layer 26R by the photolithography method. It can be formed by exposing a part of the first light emitting layer 26R to be exposed.
  • the first thick film portion 26GRA is provided, and in the first thick film portion 26GRA, the resistance becomes high and it becomes difficult for the current to flow. It is possible to suppress the color mixing between the 1 light emitting layer 26R and the 3rd light emitting layer 26G. Further, by providing the first thick film portion 26GRA, it is possible to suppress the concentration of current at the edge portion of the first electrode 22.
  • a functional layer 25G on the electrode 22 side and a functional layer 25B on the first electrode 22 side superimposing on the second light emitting layer 26B are provided.
  • the display device 36 is further provided with a second thick film portion 25 RGA in addition to the first thick film portion 26 RGA shown in FIG. 5 (a).
  • the second thick film portion 25RGA is a first electrode 22 that overlaps a part of the edge of the functional layer (first functional layer) 25R'on the first electrode 22 side that overlaps with the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G. It is a portion where a part of the edge of the functional layer (second functional layer) 25G on the side is in contact with and overlaps.
  • the second thick film portion 25RGA is superimposed on at least a part between the first electrode 22 superimposed on the first light emitting layer 26R and the first electrode 22 superimposed on the third light emitting layer 26G.
  • the second thick film portion 25RGA first forms a functional layer (first functional layer) 25R'on the first electrode 22 side by a photolithography method, and then forms a functional layer (first functional layer) 25R'on the first electrode 22 side by a photolithography method.
  • the second thick film portion 25RGA is provided, and in the second thick film portion 25RGA, the resistance becomes high and the current becomes difficult to flow. It is possible to suppress the color mixing between the 1 light emitting layer 26R and the 3rd light emitting layer 26G. Further, by providing the second thick film portion 25RGA, it is possible to suppress the concentration of current at the edge portion of the first electrode 22.
  • a part of the edge of the functional layer (first functional layer) 25R'on the first electrode 22 side and the functional layer on the first electrode 22 side (second functional layer) superimposed on the third light emitting layer 26G a part of the edge of the functional layer (first functional layer) 25R'on the first electrode 22 side and the functional layer on the first electrode 22 side (second functional layer) superimposed on the third light emitting layer 26G.
  • the display device 36 is provided with the second thick film portion 25RGA by forming the display device 36 so as to be in contact with and overlap with a part of the edge of the 25G will be described as an example, but the present invention is not limited thereto.
  • the functional layer 27 on the second electrode 28 side is provided for each sub-pixel of each color, and the functional layer (first functional layer) on the second electrode 28 side superimposed on the first light emitting layer 26R.
  • a part of the edge and a part of the edge of the functional layer (second functional layer) on the second electrode 28 side overlapping with the third light emitting layer 26G may be
  • FIG. 7A is a diagram showing a display device 33 which is a third modification of the first embodiment shown in FIG. 5A
  • FIG. 7B is a seventh embodiment of the first embodiment. It is a figure which shows the display device 37 which is a modification
  • (c) of FIG. 7 is a figure which shows the display device 38 which is the 8th modification of Embodiment 1.
  • the second electrode 28 and the functional layer 27 on the second electrode 28 side are not shown.
  • the display device 37 shown in FIG. 7B is provided with a first thick film portion 26RGA'', and the first thick film portion 26RGA'' is attached to the display device 33 shown in FIG. 7A. Its thickness is thicker than that of the provided first thick film portion 26RGA.
  • the first thick film portion 26RGA'' is, for example, first formed by a photolithography method so that one end portion 26RA of the first light emitting layer 26R is thicker than the other portions of the first light emitting layer 26R, and then a photolithography method. It can be formed by exposing a part of the third light emitting layer 26G that overlaps with one end portion 26RA of the first light emitting layer 26R at the time of exposure in the step of forming the third light emitting layer 26G. In the step of forming the third light emitting layer 26G by the photolithography method, one end portion 26GA of the third light emitting layer 26G is formed thicker than the other parts of the third light emitting layer 26G, and the first thick film portion 26RGA'' is formed. , One end 26RA of the first light emitting layer 26R and one end 26GA of the third light emitting layer 26G.
  • the display device 38 shown in FIG. 7 (c) has the same layer formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer formed of the same material as the third light emitting layer 26G on the bank 24.
  • the formed upper bank 24U is provided.
  • the upper bank 24U is formed by using both the same layer formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer formed of the same material as the third light emitting layer 26G.
  • the upper bank 24U is formed of the same layer made of the same material as the first light emitting layer 26R and the same material as the third light emitting layer 26G. It may be formed on at least one of the same layers.
  • the height of the bank can be increased and the external light absorption effect of the upper bank 24U can be obtained.
  • FIG. 8 (a) to 8 (c) are views showing a part of the manufacturing process of the display device 38 which is the eighth modification of the first embodiment shown in FIG. 7 (c).
  • FIG. 8C the second electrode 28 and the functional layer 27 on the second electrode 28 side are not shown.
  • FIG. 8A an opening PMRK through which the exposure light L is passed, a light-shielding portion PMR that shields the exposure light L, and an exposure light L that is less than the opening PMRK and more than the light-shielding portion PMR are transmitted.
  • a photomask PM3 containing a halftone portion (shadow portion) PMRH to pass through, the resist material 26RO formed on the entire surface was exposed, then developed and heat-treated, and one end formed thicker than the other portions.
  • a state in which the first light emitting layer 26R including the portion 26RA is formed in a predetermined region (first region) is shown. Further, a first light emitting layer 26R for forming the upper bank 24U is also formed on the bank 24.
  • an opening PMGK through which the exposure light L is passed a light-shielding portion PMG that blocks the exposure light L, and an exposure light L that passes through less exposure light L than the opening PMGK and has more exposure light L than the light-shielding portion PMG.
  • a photomask PM4 including a halftone portion (shadow portion) PMGH to be passed through, the resist material 26GO formed on the entire surface is exposed, then developed and heat-treated, and one end formed thicker than the other portions.
  • a state in which the third light emitting layer 26G including the portion 26GA is formed in a predetermined region (third region) is shown. Further, a third light emitting layer 26G for forming the upper bank 24U is also formed on the bank 24.
  • the third light emitting layer 26R overlaps with the one end portion 26RA at the time of exposure in the step of forming the third light emitting layer 26G.
  • the exposure is performed including a part of the light emitting layer 26G.
  • the display device 38 provided with the first thick film portion 26RGA ′′ and the upper bank 24U can be manufactured.
  • the bank 24' is the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G. It differs from the first embodiment in that it is formed at least on one side, and the others are as described in the first embodiment.
  • the members having the same functions as the members shown in the drawings of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • 9 (a) to 9 (c) are views showing a part of the manufacturing process of the display device 39 of the second embodiment.
  • FIG. 9C the second electrode 28 and the functional layer 27 on the second electrode 28 side are not shown.
  • FIG. 9A an opening PMGK that allows the exposure light L to pass through, a light-shielding portion PMG that shields the exposure light L, and an exposure light L that passes through less exposure light L than the opening PMGK and has more exposure light L than the light-shielding portion PMG.
  • FIG. 9B shows the process of exposing the resist material 26GO formed on the whole surface using the photomask PM5 including the halftone part (shadow part) PMGH to pass through. After exposure, it is developed and heat-treated, and as shown in FIG. 9B, the third light emitting layer 26G and the third light emitting layer which becomes a part of the bank 24'formed thicker than the third light emitting layer 26G.
  • the same layer 26GB formed of the same material as the layer 26G was formed in a predetermined region (third region).
  • FIG. 9B shows an opening PMRK that allows the exposure light L to pass through, a light-shielding portion PMR that shields the exposure light L, and an exposure light L that passes through less exposure light L than the opening PMRK and has more exposure light L than the light-shielding portion PMR.
  • the same layer 26RB formed of the same material as the layer 26R was formed in a predetermined region (first region).
  • FIG. 9 (c) shows the formation of the second light emitting layer 26B in which the second light emitting layer 26B is formed only in a predetermined region (second region) after the step of forming the third light emitting layer 26G and the first light emitting layer 26R.
  • a second quantum dot (second light emitting material) containing a ligand that emits blue light and an inkjet material IJB for forming a second light emitting layer containing a solvent are formed in a frame shape so as to surround a predetermined region (second region).
  • the ink jet device IJ is used to drop the inside of the bank 24'.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are formed on the outside of the bank 24'formed in a frame shape.
  • a second light emitting layer 26B made of a second quantum dot (second light emitting material) containing a ligand is subjected to heat treatment at a temperature of 50 degrees or more and 200 degrees or less for a predetermined time to evaporate the solvent. It was formed with a film thickness of 1 nm or more and 100 nm or less so as to be in contact with the inner side surface of the bank 24'.
  • the bank 24' is the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G. Since it is formed by the above, it is not necessary to use another material for forming the bank, so that it is possible to shorten the manufacturing process and reduce the material cost. Further, since the bank 24'is formed by using two layers of the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G. Banks can be formed high.
  • the bank 24' is formed of the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G.
  • the present invention is not limited to this, and the bank 24'is formed of the same material as the same layer 26RB and the third light emitting layer 26G formed of the same material as the first light emitting layer 26R. It may be formed on at least one of the same layer 26 GB.
  • FIG. 10A is a diagram showing a display device 40 which is a first modification of the second embodiment
  • FIG. 10B is a diagram showing a display device 41 which is a second modification of the second embodiment. It is a figure.
  • the illustration of the second electrode 28 and the functional layer 27 on the second electrode 28 side is omitted.
  • the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G are formed.
  • the bank 24' is provided, and the first thick film portion 26GRA' described above in the first embodiment is further provided.
  • the same layer 26RB formed of the same material as the first light emitting layer 26R and the same layer 26GB formed of the same material as the third light emitting layer 26G are formed.
  • the bank 24' is provided, and the first thick film portion 26GRA'' described above in the first embodiment is further provided.
  • the first thick film portion 26GRA'shown in FIG. 10 (a) and the first thick film portion 26GRA'shown in FIG. 10 (b) are not formed in a frame shape, the first thick film portion 26GRA' Even if 26GRA'' is provided, the light emitting region of the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G can be expanded.
  • Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the light emitting regions of the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B, and the third light emitting layer 26G are expanded by reducing the area forming the bank 24.
  • the others are as described in the first and second embodiments.
  • the members having the same functions as the members shown in the drawings of the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 11A and 11B are diagrams for explaining the schematic configuration of the display device 42 of the third embodiment, and FIG. 11C is a first modification of the third embodiment. It is a figure which shows the display device 43, and (d) of FIG. 11 is a figure which shows the display device 44 which is the 2nd modification of Embodiment 3.
  • the plurality of first electrodes 22 are arranged in a matrix and are formed in a line shape by a photolithography method.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are respectively superposed on a row of first electrode groups in which the first electrode 22 is arranged along the first direction D1, and are formed in a line shape by an inkjet method.
  • the resulting second light emitting layer 26B is superimposed on, for example, two rows of first electrode groups in which the first electrode 22 is arranged along the first direction D1.
  • the two first electrodes 22 superposed on the second light emitting layer 26B each belong to different pixels GASO.
  • the pixel GASO includes, for example, three first electrodes 22 that are adjacent to each other in the second direction D2 and overlap with different light emitting layers.
  • the banks 24 and 24' are formed in a frame shape for each sub-pixel, but in the display device 42, the banks 24 are formed in a line shape by an inkjet method.
  • the two light emitting layers 26B are composed of two facing partition walls surrounding the left side and the right side. That is, as shown in FIG. 11A, the bank 24 is composed of two facing partition walls that partition the inner region and the outer region, and the second light emitting layer 26B is formed in the inner region of the two facing partition walls.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G are formed in the outer regions of the two facing partition walls. Therefore, the area forming the bank 24 can be reduced, and the light emitting regions of the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B, and the third light emitting layer 26G can be expanded.
  • the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B, and the third light emitting layer 26R are mounted on a large substrate before obtaining the individualized display device 42 as shown in (a) of FIG. 11 and (b) of FIG.
  • the bank 24 may be formed in a frame shape or may be formed so as to include two facing partition walls that partition the inner region and the outer region.
  • the large-sized substrate means a substrate having a size such that a plurality of display devices 42 can be obtained by division.
  • the bank 24 When the bank 24 is formed in a frame shape on the large substrate for each size of the display device 42, for example, the upper side and the lower side of the bank 24 formed in the frame shape are cut off in the individualization step.
  • the bank 24 As in the individualized display device 42 shown in (a) and 11 (b) of FIG. 11, the bank 24 is composed of two facing partition walls that partition the inner region and the outer region. You may.
  • the present invention is not limited to this, and in the individualization step, only one of the upper side and the lower side of the bank 24 formed in a frame shape may be cut off, and the upper side and the lower side of the bank 24 formed in a frame shape may be cut off. You do not have to cut off the bottom edge.
  • the bank 24 when the bank 24 is formed in a frame shape having a size straddling between the plurality of display devices 42 on the large substrate, or the bank 24 is opposed to partition the inner region and the outer region straddling the plurality of display devices 42. When it is formed so as to include two partition walls, a large substrate is cut in the individualization step, and the individualized display device shown in FIG. 11A and FIG. 11B is shown. As in the case of 42, the bank 24 may be composed of two facing partition walls separating the inner region and the outer region.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G formed by the photolithography method surround the second light emitting layer 26B formed by the inkjet method. As such, it is provided.
  • the second light emitting layer 26B of the four adjacent pixels GASO is formed by using one frame-shaped bank 24, the area forming the bank 24 can be reduced, and the first light emitting layer can be reduced.
  • the light emitting area of 26R, the second light emitting layer 26B and the third light emitting layer 26G can be expanded.
  • each of the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G is provided in an island shape for each pixel GASO, but the present invention is not limited to this.
  • the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G formed by the photolithography method surround the second light emitting layer 26B formed by the inkjet method. As such, it is provided.
  • each of the first light emitting layer 26R and the third light emitting layer 26G is provided across two adjacent pixels GASO, but is not limited thereto. .. It should be noted that the group of pixel GASOs as shown in FIG. 11C or FIG. 11D may be repeatedly arranged or arranged like a delta arrangement.
  • Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
  • the display device 45 of the present embodiment is different from the first to third embodiments in that the first electrodes 22R, 22G, and 22B are arranged in a pentile, and the others are as described in the first to third embodiments. ..
  • the members having the same functions as the members shown in the drawings of the first to third embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 12A is a plan view showing the display device 45 of the fourth embodiment
  • FIG. 12B is the BB of the display device 45 of the fourth embodiment shown in FIG. 12A
  • 'It is a cross-sectional view of a line.
  • the bank 24'formed by the third light emitting layer 26G and the same layer 26GB formed of the same material is provided, and the first thick film portion 26GRA'''is further provided.
  • the light emitting region of the light emitting layer 26G can be expanded.
  • FIG. 13A and 13B are plan views showing a schematic configuration of the photomasks PM7 and PM8 used in the manufacturing process of the display device 45 of the fourth embodiment shown in FIG. 12A. be.
  • the photo mask PM7 shown in FIG. 13A passes through an opening PMGK that allows the exposure light L to pass through, a light-shielding portion PMG that shields the exposure light L, and an exposure light L that is less than the opening PMGK, and is more than the light-shielding portion PMG. It includes a halftone portion (shadow portion) PMGH through which a large amount of exposure light L is passed.
  • the photomask PM7 is made of the same material as the third light emitting layer 26G shown in FIG. 12B and the third light emitting layer 26G which is a part of the bank 24'formed thicker than the third light emitting layer 26G.
  • a predetermined region is the same layer 26GB and the same layer 26GA formed of the same material as the third light emitting layer 26G which is a part of the first thick film portion 26GRA'' which is formed thicker than the third light emitting layer 26G. It is a photomask for forming in (third region).
  • the photomask PM8 shown in FIG. 13B passes through an opening PMRK that allows the exposure light L to pass through, a light-shielding portion PMR that shields the exposure light L, and an exposure light L that is less than the opening PMRK, and is more than the light-shielding portion PMR. It includes a halftone portion (shadow portion) PMRH through which a large amount of exposure light L is passed.
  • the photomask PM8 is made of the same material as the first light emitting layer 26R shown in FIG. 12B and the first light emitting layer 26R which is a part of the bank 24'formed thicker than the first light emitting layer 26R.
  • a predetermined region is the same layer 26RB and the same layer 26RC formed of the same material as the first light emitting layer 26R which is a part of the first thick film portion 26GRA'' which is formed thicker than the first light emitting layer 26R. It is a photomask for forming in (the first region).
  • Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the display device 46 of the present embodiment is different from the first to fourth embodiments in that not only the second light emitting layer 26B but also the third light emitting layer 26G'is formed by the inkjet method, and the other embodiments are the same. As described in 1 to 4.
  • the members having the same functions as the members shown in the drawings of the first to fourth embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • FIG. 14A and 14B are views showing a part of the manufacturing process of the display device 46 of the fifth embodiment
  • FIG. 14C is the display device 46 of the fifth embodiment. It is a top view which shows one pixel.
  • a third quantum dot containing a ligand that emits green light (third quantum dot).
  • An inkjet device IJ is used inside a bank 24 formed in a frame shape so as to surround a predetermined region (third region) of an inkjet material IJG for forming a third light emitting layer containing (3 light emitting materials) and a solvent. And dropped.
  • the first light emitting layer 26R is formed on the outside of the bank 24 formed in a frame shape.
  • the third light emitting layer 26G'made of the third quantum dot (third light emitting material) is placed in the bank 24. It was formed with a film thickness of 1 nm or more and 100 nm or less so as to be in contact with the inner side surface of the above.
  • the second light emitting layer 26B was formed by an inkjet method.
  • the display device 46 since the bank 24 is not formed in a frame shape so as to surround the first light emitting layer 26R, the light emitting region RSGH of the first light emitting layer 26R is expanded. can.
  • the bank 24 when the bank 24 is formed of a light emitting layer, the bank is formed of the same layer made of the same material as the first light emitting layer 26R. Also, when forming the upper bank, the upper bank is formed of the same layer made of the same material as the first light emitting layer 26R.
  • the inkjet material IJG for forming the third light emitting layer is formed inside the bank 24 formed in a frame shape
  • the inkjet material IJB for forming the second light emitting layer is formed in a frame shape.
  • the bank 24 is formed inside the bank 24 has been described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the inkjet material IJG for forming the third light emitting layer is formed in the inner region of the bank 24 including the two facing partition walls that partition the inner region and the outer region, and the inkjet material IJB for forming the second light emitting layer is formed. It may be formed in the inner region of the bank 24 including two opposing partition walls that partition the inner region and the outer region.
  • one of the inkjet material IJG for forming the third light emitting layer and the inkjet material IJB for forming the second light emitting layer is formed inside the bank 24 formed in a frame shape, and the inkjet for forming the third light emitting layer is formed.
  • the other of the material IJG and the inkjet material IJB for forming the second light emitting layer may be formed in the inner region of the bank 24 including two facing partition walls separating the inner region and the outer region.
  • the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B'and the third light emitting layer 26G are formed by using a photolithography method and a thin film deposition method without using an inkjet method. In that respect, it is different from the first to fifth embodiments, and the others are as described in the first to fifth embodiments.
  • the members having the same functions as the members shown in the drawings of the first to fifth embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • 15 (a) to 15 (f) are views showing a part of the manufacturing process of the display device 47 of the sixth embodiment.
  • the second light emitting layer 26B' is set to a predetermined region (second region) by using the vapor deposition mask VM1 including the opening VMK through which the vapor deposition particles BVS pass and the blocking portion VMB through which the vapor deposition particles BVS do not pass.
  • VM1 including the opening VMK through which the vapor deposition particles BVS pass and the blocking portion VMB through which the vapor deposition particles BVS do not pass.
  • the second light emitting layer 26B' is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask VM1, it can be formed only in a predetermined region (second region). Further, since the second light emitting layer 26B'is formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask VM1, it is made of a light emitting material (second light emitting material) that emits blue light.
  • the display device 47 since the display device 47 is not provided with the bank 24, the light emitting regions of the first light emitting layer 26R, the second light emitting layer 26B'and the third light emitting layer 26G can be expanded. ..
  • the present invention is not limited to this, and the second light emitting layer 26B'and the third light emitting layer 26G are used.
  • the first light emitting layer 26R is formed by the photolithography method first
  • the first light emitting layer 26R can be formed by the thin film deposition method.
  • the third light emitting layer 26G can be formed by the thin film deposition method.
  • the second light emitting layer 26B' is formed in a predetermined region (second region) by a vapor deposition method using a vapor deposition mask VM1.
  • the present invention is not limited to this.
  • the second light emitting layer 26B' may be formed by using a mask and a mist spray method.
  • the inkjet material IJB for forming the second light emitting layer already described in the first embodiment is formed at the opening of the mask. Can be sprayed through.
  • the second light emitting layer 26B' is formed by the vapor deposition method
  • the energy used in the manufacturing process is compared with the case where the second light emitting layer 26B'is formed by the inkjet method or the mist spray method. Therefore, when energy saving is taken into consideration, the second light emitting layer 26B'is preferably formed by an inkjet method or a mist spray method.
  • the present invention can be used for a display device and a method for manufacturing a display device.
  • Active board (board) 22 1st electrode 22R, 22G, 22B 1st electrode 23, 23S, 23L Edge cover 24, 24'Bank 24U Upper bank 25, 27 Functional layer 25R, 25G, 25B Functional layer 25R'Functional layer 25RGA 2nd film thickness part 26R 1st light emitting layer 26B, 26B' 2nd light emitting layer 26G, 26G' 3rd light emitting layer 26RGA 1st film thickness part 26RGA' 1st film thickness part 26RGA'' 1st film thickness part 26RGA'' 1st film thickness part 26GRA', 26GRA'' 1st film thickness part 26GRA'' 1st film thickness part 28 2nd electrode 30-47 Display device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

表示装置（３０）は、島状の複数の第１電極（２２）と、複数の第１電極（２２）のうちの一部の第１電極（２２）と重畳するように形成された第１発光材料及び樹脂を含む第１発光層（２６Ｒ）と、複数の第１電極（２２）のうちの他の一部の第１電極（２２）と重畳するように形成された第２発光材料からなる第２発光層（２６Ｂ）と、枠状または、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成されたバンク（２４）と、を備え、第２発光層（２６Ｂ）は、バンク（２４）の内側側面と接するように、バンク（２４）の内側に設けられ、第１発光層（２６Ｒ）は、バンク（２４）の外側に設けられている。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法
　本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
　近年、発光素子を備えた様々な表示装置が開発されており、特に、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）または、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）などを備えた表示装置は、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。
　しかしながら、例えば、ＯＬＥＤを備えた表示装置の場合、全ての発光層を蒸着法で形成した場合に、発光層の形成工程において時間や費用などがかかることから、発光層を効率的に形成できない。したがって、ＱＬＥＤまたは、ＯＬＥＤを備えた表示装置の発光層の形成方法について開発が活発に行われている。
　例えば、下記特許文献１には、発光層を効率的に形成するため、表示装置に備えられた発光素子の発光層をインクジェット法（インク滴下法）のみを用いて形成することについて記載されている。
日本国公開特許公報「特開２００４‐１９８４８６」（２００４年７月１５日公開）
　上記特許文献１には、１画素を構成する全てのサブ画素のそれぞれに備えられる各色の発光層をインクジェット法のみを用いて形成した構成について記載されている。上記特許文献１に記載の構成の場合、インクジェット法で全ての発光層を形成しているので、発光層を効率的に形成できるが、全てのサブ画素に比較的高さが高いバンク（隔壁）を備える必要がある。前記バンクは、高さが高い分、幅も広く形成されるため、前記バンクがサブ画素毎に備えられた島状の電極を覆う面積が増加してしまう。したがって、全てのサブ画素において発光層の発光領域が狭くなってしまうという問題が生じる。
　本開示の一態様は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、発光層の発光領域の拡大を実現した表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の表示装置は、前記の課題を解決するために、
　基板と、
　前記基板の一方側の面上に形成された島状の複数の第１電極と、
　前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第１発光材料及び樹脂を含む第１発光層と、
　前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第２発光材料からなる第２発光層と、
　枠状または、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成された第１バンクと、を備え、
　前記第２発光層は、前記第１バンクの内側側面と接するように、前記第１バンクの内側に設けられ、
　前記第１発光層は、前記第１バンクの外側に設けられている。
　本発明の表示装置の製造方法は、前記の課題を解決するために、
　フォトリソグラフィ法によって、基板の一方側の面上の複数の第１領域に第１発光層を形成する、第１発光層形成工程と、
　前記第１発光層形成工程の後に、第２発光層を、前記複数の第１領域には形成せず、前記複数の第１領域とは異なる前記一方側の面上の複数の第２領域にのみ形成する、第２発光層形成工程と、を含む。
　本開示の一態様によれば、前記第１発光層は、前記第１バンクの外側に設けられているか、バンクを必要としないフォトリソグラフィ法によって設けられているので、前記第１発光層の発光領域の拡大を実現した表示装置及び表示装置の製造方法を提供できる。
（ａ）から（ｆ）は、実施形態１の表示装置の製造工程の一部を示す図である。 実施形態１の表示装置に備えられたアクティブ基板の一例を示す図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置の１画素を示す平面図であり、（ｂ）は、図３の（ａ）に図示する実施形態１の表示装置のＡ－Ａ’線の断面図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置の第１変形例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置の第２変形例を示す図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置の第３変形例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置の第４変形例を示す図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置の第５変形例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置の第６変形例を示す図である。 （ａ）は、図５の（ａ）に図示した実施形態１の表示装置の第３変形例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置の第７変形例を示す図であり、（ｃ）は、実施形態１の表示装置の第８変形例を示す図である。 （ａ）から（ｃ）は、図７の（ｃ）に図示した実施形態１の表示装置の第８変形例の製造工程の一部を示す図である。 （ａ）から（ｃ）は、実施形態２の表示装置の製造工程の一部を示す図である。 （ａ）は、実施形態２の表示装置の第１変形例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態２の表示装置の第２変形例を示す図である。 （ａ）及び（ｂ）は、実施形態３の表示装置の概略構成を説明するための図であり、（ｃ）は、実施形態３の表示装置の第１変形例を示す図であり、（ｄ）は、実施形態３の表示装置の第２変形例を示す図である。 （ａ）は、実施形態４の表示装置を示す平面図であり、（ｂ）は、図１２の（ａ）に図示する実施形態４の表示装置のＢ－Ｂ’線の断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、図１２の（ａ）に図示する実施形態４の表示装置の製造工程において用いられるマスクの概略構成を示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、実施形態５の表示装置の製造工程の一部を示す図であり、（ｃ）は、実施形態５の表示装置の１画素を示す平面図である。 （ａ）から（ｆ）は、実施形態６の表示装置の製造工程の一部を示す図である。
　本開示の実施の形態について、図１から図１５に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
　〔実施形態１〕
　図２は、実施形態１の表示装置３０に備えられたアクティブ基板１１の一例を示す図である。
　図２に示すように、実施形態１の表示装置３０に備えられたアクティブ基板１１は、基板１０を備えており、基板１０上に、樹脂膜１２と、バリア層３と、薄膜トランジスタ層４と、第１電極２２とを、基板１０側からこの順に備えている。
　基板１０としては、各種膜を形成する後工程の工程温度に耐えられる耐熱性を有する基板を用いることができ、例えば、ガラス基板などを用いることができる。
　樹脂膜１２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。
　バリア層３は、水分や不純物が、トランジスタＴＲ１・ＴＲ２や発光素子に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　トランジスタＴＲ１・ＴＲ２及び容量素子は、バリア層３の上層に設けられている。トランジスタＴＲ１・ＴＲ２及び容量素子を含む薄膜トランジスタ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜（ゲート絶縁膜）１６と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥ及び容量電極ＧＥ’と、ゲート電極ＧＥ及び容量電極ＧＥ’よりも上層の無機絶縁膜（第１絶縁膜）１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の対向電極ＣＥと、対向電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜（第２絶縁膜）２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース電極、ドレイン電極及び配線を形成する層ＳＥ１～ＳＥ４と、ソース電極、ドレイン電極及び配線を形成する層ＳＥ１～ＳＥ４よりも上層の平坦化膜（層間絶縁膜）２１と、を含む。
　なお、容量素子は、無機絶縁膜１８の直上に形成された容量素子の対向電極ＣＥと、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８の直下に形成され、ゲート電極ＧＥを形成する層と同一層で、容量素子の対向電極ＣＥと重畳するように形成された容量電極ＧＥ’と、で構成される。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０、ソース電極及びドレイン電極を含むように、トランジスタ（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））ＴＲ１・ＴＲ２が構成される。
　半導体膜１５は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。
　ソース電極、ドレイン電極及び配線を形成する層ＳＥ１～ＳＥ４、ゲート電極ＧＥ、容量電極ＧＥ’及び対向電極ＣＥは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、及び銀（Ａｇ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成することができる。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド樹脂または、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができ、感光性有機材料を用いて形成することが好ましい。
　図２に示すように、本実施形態の表示装置３０に備えられたアクティブ基板１１においては、第１電極２２は、島状に形成されている。なお、本実施形態においては、第１電極２２が、反射電極であり、カソードであるので、アルミニウム（Ａｌ）で形成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、第１電極２２は、アノードであってもよく、可視光透過性を有する透過電極であってもよい。
　第１電極２２が反射電極である場合には、第１電極２２としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、ＭｇＡｌまたは、ＭｇＡｇなどを用いてもよく、導電性を有する第１金属酸化物層と、可視光を反射する金属層と、可視光を透過する層であり、かつ、導電性を有する第２金属酸化物層とを、この順に積層した積層体を用いてもよい。前記第１金属酸化物層と前記第２金属酸化物層とは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ（Indium Tin Oxide））及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide））から選択される金属酸化物層であってもよく、前記金属層は、ＡｇまたはＡｌなどであってもよい。
　第１電極２２が透過電極である場合には、第１電極２２としては、可視光を透過させる程度の膜厚で形成されたＡｇ、Ａｌ、ＭｇＡｌまたは、ＭｇＡｇなどを用いてもよく、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ）、酸化スズ（例えば、ＳｎＯ２）、酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２）または、グラフェンなどを用いてもよい。
　なお、第１電極２２は、１画素を構成する複数のサブ画素毎に備えられており、サブ画素毎に備えられたトランジスタＴＲ１・ＴＲ２などによって、サブ画素毎に駆動される。
　図１の（ａ）から図１の（ｆ）は、実施形態１の表示装置３０の製造工程の一部を示す図である。なお、図１の（ａ）から図１の（ｆ）では、図２に示すアクティブ基板１１のうち、平坦化膜２１及び第１電極２２のみを図示し、他の部分の図示は省略している。
　図２に示すアクティブ基板１１に対しては、図１の（ａ）及び図１の（ｂ）に示す第１発光層２６Ｒの形成工程と、図１の（ｅ）に示す第２発光層２６Ｂ形成工程と、図１の（ｃ）及び図１の（ｄ）に示す第３発光層２６Ｇの形成工程との前に、エッジカバー２３Ｌ・２３Ｓを形成するエッジカバー形成工程と、バンク２４を形成するバンク形成工程と、第１電極２２側の機能層２５の形成工程とが行われる。
　前記エッジカバー形成工程では、第１電極形成工程で形成された島状の複数の第１電極２２それぞれの間を埋めるとともに、複数の第１電極２２それぞれの縁を覆うエッジカバー２３Ｌ・２３Ｓを形成する。図１の（ａ）から図１の（ｆ）に示すように、エッジカバー２３Ｌは、上部に高さの高いバンク２４が形成されるため、その幅が比較的広く形成され、エッジカバー２３Ｌと第１電極２２とが重畳する面積が大きい。一方、エッジカバー２３Ｓは、上部にバンク２４が形成されないため、その幅が比較的狭く形成され、エッジカバー２３Ｓと第１電極２２とが重畳する面積が小さい。
　エッジカバー２３Ｌ・２３Ｓは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって形成することができる。
　バンク２４は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって形成することができる。
　前記エッジカバー形成工程と前記バンク形成工程とは、同一材料を用いた一つの工程であってもよい。本実施形態においては、アクリル樹脂を含む感光性有機材料を用いるとともに、露光領域の露光量に差を付けるためのマスク（例えば、ハーフトーンマスクまたはシャドウマスク）を用いた露光工程と、現像工程とを行い、エッジカバー２３Ｌ・２３Ｓ及びバンク２４を同時に形成したが、これに限定されることはない。
　第１電極２２側の機能層２５の形成工程で形成される第１電極２２側の機能層２５は、第１電極２２がアノードである場合には、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方であり、第１電極２２がカソードである場合には、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一方である。第１電極２２側の機能層２５は、例えば、塗布して形成してもよく、蒸着法で形成してもよい。なお、機能層２５の形成工程においては、必要に応じて、マスクを用いてもよく、マスクを用いなくてもよい。また、第１電極２２側の機能層２５としては、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｇａ等がドープされたＺｎＯ、ＮｉＯ等のナノ粒子やノンドープのＺｎＯ等のナノ粒子を用いてもよく、ナノ粒子と感光性材料とを混合し、露光・現像をすることで、第１電極２２側の機能層２５をパターニングして形成してもよい。
　本実施形態においては、第１電極２２がカソードであるので、第１電極２２側の機能層２５として、電子輸送層（ＥＴＬ）であるＡｌｑ３、ＢＣＰ、Ｃｓ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３またはＺｎＭｇＯ等を用いることができる。なお、第１電極２２がアノードである場合には、第１電極２２側の機能層２５として、正孔輸送層（ＨＴＬ）であるＴＦＢ、ＴＡＰＣ、ＣＢＰ、ＰＶＫまたはＮｉＯ等を用いることができる。なお、第１電極２２側の機能層２５の膜厚は、例えば、２００ｎｍ以下で形成することが好ましい。
　図１の（ａ）に示すように、第１発光層２６Ｒの形成工程においては、先ず、例えば、赤色を発光するリガンドを含む第１量子ドット（第１発光材料）と、感光性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂等）と、光開始剤と、溶媒とを含む第１発光層形成用のレジスト材料２６ＲＯを、第１電極２２側の機能層２５上の全面に形成した。レジスト材料２６ＲＯの形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコーター、スリットコーター及びバーコーターなどのコーターを用いて形成してもよく、スプレー法などを用いて形成してもよい。なお、本実施形態においては、レジスト材料２６ＲＯがネガ型である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、レジスト材料２６ＲＯはポジ型であってもよい。なお、本実施形態においては、第１発光層２６Ｒが赤色を発する発光層であり、第２発光層２６Ｂが青色を発する発光層であり、第３発光層２６Ｇが緑色を発する発光層である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
　本実施形態において、第１発光層２６Ｒと、後述する第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇとは、何れも、量子ドットを含む発光層である。量子ドットとしては、例えば、コアとシェルを有する構造の量子ドットを用いることができる。コア材料としては、例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、これらの混合系、ＣＩＧＳまたは、Ｓｉ系材料などを用いることができる。また、シェル材料としては、例えば、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、またはこれらの混合系（ＺｎＳｅＳ）等を用いることができる。また、前記量子ドットには、有機リガンドまたは、無機リガンドが配置されている。量子ドットのシェルの外径は１～１５ｎｍ程度であってもよい。なお、第１発光層２６Ｒと、第２発光層２６Ｂと、第３発光層２６Ｇとで、互いに発光する光の中心波長を異なるようにするため、それぞれの発光層において、量子ドットのシェルの外径を異なるようにしてもよく、互いに異なる種類の量子ドットを用いてもよい。本実施形態においては、第２発光層２６Ｂに含まれる青色を発光する第２量子ドットのシェルの外径は、第１発光層２６Ｒに含まれる赤色を発光する第１量子ドットのシェルの外径及び第３発光層２６Ｇに含まれる緑色を発光する第３量子ドットのシェルの外径より小さいが、これに限定されることはない。
　レジスト材料２６ＲＯを第１電極２２側の機能層２５上の全面に形成した後には、例えば、５０度以上１２０度以下の温度で、所定時間の間、プリベークを行い、溶媒を蒸発させ、レジスト材料２６ＲＯを乾燥させる。
　その後、図１の（ａ）に示すように、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＲＫと露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＲとを含むフォトマスクＰＭ１を用いて、レジスト材料２６ＲＯに対して露光を行った。なお、露光強度は、特に限定されないが、例えば、１０ｍＪ/ｃｍ２以上１０００ｍＪ/ｃｍ２以下の露光強度で露光を行うことができる。
　露光を行った後には、例えば、アルカリ溶液、有機溶媒、水等で現像を行い、図１の（ｂ）に示すように、第１発光層２６Ｒを所定の領域（第１領域）に形成することができる。なお、本実施形態のように、第１発光層２６Ｒがネガ型のレジスト材料２６ＲＯから形成された層である場合には、適宜、第１発光層２６Ｒのポストベーク工程を省くことができる。ポストベークを行う場合には、例えば、後述する第２発光層２６Ｂをインクジェット法で形成する工程の前または後で、例えば、８０度以上２００度以下の温度で、所定時間の間、焼成して、ポストベークを行ってもよい。本実施形態においては、リガンドを含む第１量子ドット（第１発光材料）及び樹脂を含む第１発光層２６Ｒの膜厚を、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で形成したが、これに限定されることはなく、第１発光層２６Ｒの膜厚は適宜決定することができる。一方、第１発光層２６Ｒがポジ型のレジスト材料２６ＲＯから形成された層である場合には、前記現像工程後に、ポストベークを行うことが好ましい。また、ポジ型のレジスト材料によっては、前記現像工程の後であって、前記ポストベーク工程の前に、全面露光を行うことが好ましい場合もある。
　以上のように、第１発光層２６Ｒをフォトリソグラフィ法によって形成することができる。
　その後、図１の（ｃ）に示すように、第３発光層２６Ｇの形成工程においては、先ず、例えば、緑色を発光するリガンドを含む第３量子ドット（第３発光材料）と、感光性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂等）と、光開始剤と、溶媒とを含む第３発光層形成用のレジスト材料２６ＧＯを、第１発光層２６Ｒ及び第１電極２２側の機能層２５上の全面に形成した。レジスト材料２６ＧＯの形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコーター、スリットコーター及びバーコーターなどのコーターを用いて形成してもよく、スプレー法などを用いて形成してもよい。なお、本実施形態においては、レジスト材料２６ＧＯがネガ型である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、レジスト材料２６ＧＯはポジ型であってもよい。
　レジスト材料２６ＧＯを第１発光層２６Ｒ及び第１電極２２側の機能層２５上の全面に形成した後には、例えば、５０度以上１２０度以下の温度で、所定時間の間、プリベークを行い、溶媒を蒸発させ、レジスト材料２６ＧＯを乾燥させる。
　その後、図１の（ｃ）に示すように、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＧＫと露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＧとを含むフォトマスクＰＭ２を用いて、レジスト材料２６ＧＯに対して露光を行った。なお、露光強度は、特に限定されないが、例えば、１０ｍＪ/ｃｍ２以上１０００ｍＪ/ｃｍ２以下の露光強度で露光を行うことができる。
　露光を行った後には、例えば、アルカリ溶液、有機溶媒、水等で現像を行い、図１の（ｄ）に示すように、第３発光層２６Ｇを所定の領域（第３領域）に形成することができる。なお、本実施形態のように、第３発光層２６Ｇがネガ型のレジスト材料２６ＧＯから形成された層である場合には、適宜、第３発光層２６Ｇのポストベーク工程を省くことができる。ポストベークを行う場合には、例えば、後述する第２発光層２６Ｂをインクジェット法で形成する工程の前または後で、例えば、８０度以上２００度以下の温度で、所定時間の間、焼成して、ポストベークを行ってもよい。本実施形態においては、リガンドを含む第３量子ドット（第３発光材料）及び樹脂を含む第３発光層２６Ｇの膜厚を、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で形成したが、これに限定されることはなく、第３発光層２６Ｇの膜厚は適宜決定することができる。一方、第３発光層２６Ｇがポジ型のレジスト材料２６ＧＯから形成された層である場合には、前記現像工程後に、ポストベークを行うことが好ましい。また、ポジ型のレジスト材料によっては、前記現像工程の後であって、前記ポストベーク工程の前に、全面露光を行うことが好ましい場合もある。
　以上のように、第３発光層２６Ｇをフォトリソグラフィ法によって形成することができる。
　その後、図１の（ｅ）に示すように、第２発光層２６Ｂの形成工程においては、青色を発光するリガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）と、溶媒とを含む第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを、所定領域（第２領域）を取り囲むように枠状に形成されたバンク２４の内側に、インクジェット装置ＩＪを用いて、滴下する。なお、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇは、枠状に形成されたバンク２４の外側に形成されている。
　その後、例えば、５０度以上２００度以下の温度で、所定時間の間、熱処理を行い、溶媒を蒸発させ、リガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）からなる第２発光層２６Ｂを、バンク２４の内側側面と接するように、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成した。本実施形態においては、第２発光層２６Ｂの膜厚を、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下で形成したが、これに限定されることはなく、第２発光層２６Ｂの膜厚は適宜決定することができる。
　以上のように、第２発光層２６Ｂをインクジェット法（インク滴下法）によって形成することができる。
　その後、図１の（ｆ）に示すように、第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇ上に、第２電極２８側の機能層２７を形成した。なお、第２電極２８側の機能層２７の膜厚は、例えば、３００ｎｍ以下で形成することが好ましい。その後、全てのサブ画素において共通する電極である第２電極２８を形成し、表示装置３０を製造した。なお、図示してないが、第２電極２８上には、透光性の封止層が設けられていることが好ましい。前記封止層は、例えば、第２電極２８を覆う第１無機封止膜と、前記第１無機封止膜よりも上側に形成される有機封止層と、前記有機封止層を覆う第２無機封止膜とで構成されていてもよい。
　本実施形態においては、第２電極２８は、可視光透過性を有する透過電極であり、アノードであるので、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で形成しているが、これに限定されることはない。本実施形態においては、第２電極２８がアノードであるので、第２電極２８側の機能層２７は、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方であり、例えば、第２電極２８側の機能層２７として、正孔輸送層（ＨＴＬ）であるＴＦＢ、ＴＡＰＣ、ＣＢＰ、ＰＶＫまたはＮｉＯ等を用いることができる。
　図３（ａ）は、実施形態１の表示装置３０の１画素を示す平面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に図示する実施形態１の表示装置３０のＡ－Ａ’線の断面図である。
　図３の（ａ）に示すように、表示装置３０の１画素は、３つの隣接するサブ画素である、赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素とを含む。なお、第１発光層２６Ｒは、複数の第１電極２２のうちの一部の第１電極２２と平面視において重畳するように形成されており、第２発光層２６Ｂは、複数の第１電極２２のうちの他の一部の第１電極２２と平面視において重畳するように形成されており、第３発光層２６Ｇは、複数の第１電極２２のうちのさらに他の一部の第１電極２２と平面視において重畳するように形成されている。
　表示装置３０においては、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇをフォトリソグラフィ法によって形成しているので、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇを形成するためのバンク２４は必要なく、バンク２４の全体数を減らすことができる。上部にバンク２４が形成されないエッジカバー２３（２３Ｓ）は、その幅を比較的狭く形成することができ、エッジカバー２３（２３Ｓ）と第１電極２２とが重畳する面積を小さくすることができる。エッジカバー２３（２３Ｓ）と第１電極２２とが重畳する面積が小さくなると、第１電極２２と第１電極２２側の機能層２５とが直接接する面積が増えるので、第１発光層２６Ｒの発光領域ＲＳＧＨ及び第３発光層２６Ｇの発光領域ＧＳＧＨを拡大することができる。一方、第２発光層２６Ｂの発光領域ＢＳＧＨは、第１発光層２６Ｒの発光領域ＲＳＧＨ及び第３発光層２６Ｇの発光領域ＧＳＧＨより小さい。これは、上部にバンク２４が形成されるエッジカバー２３（２３Ｌ）と第１電極２２とが重畳する面積が比較的大きいので、第１電極２２と第１電極２２側の機能層２５とが直接接する面積が減るからである。
　図３の（ａ）及び図３の（ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置３０においては、エッジカバー２３が、各色のサブ画素毎に設けられたコンタクトホールＣＨ１・ＣＨ２・ＣＨ３を覆うように形成しているが、これに限定されることはない。
　上述したように、表示装置３０においては、第１発光層２６Ｒの発光領域ＲＳＧＨ及び第３発光層２６Ｇの発光領域ＧＳＧＨを拡大することができるので、表示装置３０の立ち上がり電圧の低電圧化及び表示装置３０の輝度の向上を実現できる。
　また、表示装置３０においては、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇをフォトリソグラフィ法によって形成し、第２発光層２６Ｂをインクジェット法によって形成しているので、全ての発光層を蒸着法で形成する場合と比較して、発光層を効率的に形成することができる。
　また、表示装置３０においては、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇをフォトリソグラフィ法によって先に形成し、第２発光層２６Ｂをインクジェット法によって後に形成しているので、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇがフォトリソグラフィ工程中に受けるダメージを減らすことができる。具体的に、第１発光層２６Ｒの形成後には、１回のフォトリソグラフィ工程があるのみであり、第３発光層２６Ｇの形成後には、フォトリソグラフィ工程はない。全ての色の発光層をフォトリソグラフィ法によって形成する場合、最初に形成した色の発光層の後には、少なくとも２回のフォトリソグラフィ工程があるので、フォトリソグラフィ工程中に受けるダメージが大きい。
　さらに、本実施形態においては、キャリアの注入効率が悪くＥＱＥが低い青色を発光するリガンドを含む第２量子ドットと、溶媒とを含む第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを用いて、インクジェット法で、リガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）からなる第２発光層２６Ｂを形成している。リガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）からなる第２発光層２６Ｂには、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇのように、レジスト材料に含まれる樹脂成分などのキャリアの流れを阻害する成分が含まれていないので、第２発光層２６Ｂの発光輝度の低下やキャリアの注入効率の低下を抑制することができる。
　以上のように、本実施形態においては、第１発光層２６Ｒに含まれる第１発光材料がリガンドを含む第１量子ドットであり、第２発光層２６Ｂに含まれる第２発光材料がリガンドを含む第２量子ドットであり、第３発光層２６Ｇに含まれる第３発光材料がリガンドを含む第３量子ドットである場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、前記第１発光材料、前記第２発光材料及び前記第３発光材料の少なくとも一つがリガンドを含む量子ドットであってもよく、前記第１発光材料、前記第２発光材料及び前記第３発光材料の全てがリガンドを含む量子ドットを含まない発光材料であってもよい。量子ドットを含まない発光材料としては、有機ＥＬ素子に用いられる有機系の発光材料が挙げられる。
　また、本実施形態においては、青色発光層である第２発光層２６Ｂをインクジェット法で形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、赤色発光層である第１発光層２６Ｒまたは緑色発光層である第３発光層２６Ｇをインクジェット法で形成してもよい。
　また、本実施形態においては、赤色発光層である第１発光層２６Ｒを緑色発光層である第３発光層２６Ｇより先に形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、緑色発光層である第３発光層２６Ｇを赤色発光層である第１発光層２６Ｒより先に形成してもよい。
　なお、本実施形態においては、表示装置３０の１画素が、３つの隣接するサブ画素である、赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素で形成される場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、表示装置３０の１画素は、さらに他の色のサブ画素を含んでいてもよい。
　本実施形態においては、図２に示すように、基板１０としてガラス基板を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、表示装置３０をフレキシブル表示装置化する場合には、Laser Lift Off工程（ＬＬＯ工程）により、基板１０を樹脂膜１２から剥離しフレキシブル表示装置としてもよい。また、ＬＬＯ工程により、基板１０を樹脂膜１２から剥離した後、樹脂膜１２に接着層を介してフィルムを貼り付けてフレキシブル表示装置としてもよい。
　図４の（ａ）は、実施形態１の第１変形例である表示装置３１を示す図であり、図４の（ｂ）は、実施形態１の第２変形例である表示装置３２を示す図である。なお、図４の（ａ）及び図４の（ｂ）においては、第２電極２８の図示は省略している。
　図４の（ａ）に示すように、表示装置３１においては、フォトリソグラフィ法によって形成される第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとは、隣接して設けられ、互いに対向する第１発光層２６Ｒの一端部と第３発光層２６Ｇの一端部とは、所定距離Ｒ１離れている。例えば、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとが接する程度に隣接して形成されている場合、第１発光層２６Ｒを発光させる際に、意図していない第３発光層２６Ｇが発光してしまう可能性や、第３発光層２６Ｇを発光させる際に、意図していない第１発光層２６Ｒが発光してしまう可能性がある。
　表示装置３１の場合、互いに対向する第１発光層２６Ｒの一端部と第３発光層２６Ｇの一端部とを、所定距離Ｒ１離しているので、上述したような意図していない隣接する発光層での意図していない発光を抑制することができる。
　図４の（ｂ）に示すように、表示装置３２においては、フォトリソグラフィ法によって形成される第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡは、第１発光層２６Ｒの他の部分より厚く形成されており、フォトリソグラフィ法によって形成される第３発光層２６Ｇの一端部２６ＧＡは、第３発光層２６Ｇの他の部分より厚く形成されている。一般的に、フォトリソグラフィ法によって形成される発光層の端部は、テーパー形状に形成されるため、その端部の膜厚は薄く、電流の集中が生じる可能性がある。
　表示装置３２の場合、第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡを、第１発光層２６Ｒの他の部分より厚く形成し、第３発光層２６Ｇの一端部２６ＧＡを、第３発光層２６Ｇの他の部分より厚く形成しているので、第１発光層２６Ｒのエッジ部分及び第３発光層２６Ｇのエッジ部分で、電流の集中が生じる可能性を抑制できる。
　なお、第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡ及び第３発光層２６Ｇの一端部２６ＧＡは、露光領域の露光量に差を付けるためのマスク（例えば、ハーフトーンマスクまたはシャドウマスク）を用いて露光することで、形成することができる。
　図５の（ａ）は、実施形態１の第３変形例である表示装置３３を示す図であり、図５の（ｂ）は、実施形態１の第４変形例である表示装置３４を示す図である。なお、図５の（ａ）及び図５の（ｂ）においては、第２電極２８の図示は省略している。
　図５の（ａ）に示すように、表示装置３３においては、フォトリソグラフィ法によって形成される第１発光層２６Ｒの縁の一部と、フォトリソグラフィ法によって形成される第３発光層２６Ｇの縁の一部とが接して重なる第１厚膜部２６ＲＧＡが設けられている。第１厚膜部２６ＲＧＡは、第１発光層２６Ｒと重畳する第１電極２２と第３発光層２６Ｇと重畳する第１電極２２との間の少なくとも一部と重畳する。
　第１厚膜部２６ＲＧＡでは、抵抗が高くなり、電流が流れにくくなるので、第１厚膜部２６ＲＧＡを備えることで、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとの混色を抑制することができる。さらに、第１厚膜部２６ＲＧＡを備えることで、第１電極２２のエッジ部での電流の集中も抑制することができる。
　なお、第１厚膜部２６ＲＧＡは、例えば、先ず、フォトリソグラフィ法によって第１発光層２６Ｒを形成した後、フォトリソグラフィ法によって第３発光層２６Ｇを形成する工程における露光時に、第１発光層２６Ｒと重畳する第３発光層２６Ｇの一部領域を含めて露光することで形成することができる。
　上述した表示装置３０・３１・３２・３３では、全てのサブ画素に対して、共通する第１電極２２側の機能層２５が設けられているが、図５の（ｂ）に示す表示装置３４においては、各色のサブ画素毎に第１電極２２側の機能層２５Ｒ・２５Ｇ・２５Ｂが設けられている。第１電極２２側の機能層２５Ｒ・２５Ｇ・２５Ｂのそれぞれは、例えば、一つの材料を用いて１回のフォトリソグラフィ工程で形成してもよく、３種類の異なる材料を用いて３回のフォトリソグラフィ工程で形成してもよい。
　表示装置３４においては、第１厚膜部２６ＲＧＡ’が設けられており、第１厚膜部２６ＲＧＡ’では、抵抗が高くなり、電流が流れにくくなるので、第１厚膜部２６ＲＧＡ’を備えることで、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとの混色を抑制することができる。さらに、第１厚膜部２６ＲＧＡ’を備えることで、第１電極２２のエッジ部での電流の集中も抑制することができる。
　図６の（ａ）は、実施形態１の第５変形例である表示装置３５を示す図であり、図６の（ｂ）は、実施形態１の第６変形例である表示装置３６を示す図である。なお、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）においては、第２電極２８の図示は省略している。
　図６の（ａ）に示す表示装置３５においては、第１厚膜部２６ＧＲＡが設けられている。なお、第１厚膜部２６ＧＲＡは、先ず、フォトリソグラフィ法によって第３発光層２６Ｇを形成した後、フォトリソグラフィ法によって第１発光層２６Ｒを形成する工程における露光時に、第３発光層２６Ｇと重畳する第１発光層２６Ｒの一部領域を含めて露光することで形成することができる。
　表示装置３５においては、第１厚膜部２６ＧＲＡが設けられており、第１厚膜部２６ＧＲＡでは、抵抗が高くなり、電流が流れにくくなるので、第１厚膜部２６ＧＲＡを備えることで、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとの混色を抑制することができる。さらに、第１厚膜部２６ＧＲＡを備えることで、第１電極２２のエッジ部での電流の集中も抑制することができる。
　図６の（ｂ）に示す表示装置３６には、各色のサブ画素毎に第１発光層２６Ｒと重畳する第１電極２２側の機能層２５Ｒ’と、第３発光層２６Ｇと重畳する第１電極２２側の機能層２５Ｇと、第２発光層２６Ｂと重畳する第１電極２２側の機能層２５Ｂと、が備えられている。
　表示装置３６には、図５の（ａ）に示す第１厚膜部２６ＲＧＡに加え、さらに、第２厚膜部２５ＲＧＡが設けられている。第２厚膜部２５ＲＧＡは、第１発光層２６Ｒと重畳する第１電極２２側の機能層（第１機能層）２５Ｒ’の縁の一部と第３発光層２６Ｇと重畳する第１電極２２側の機能層（第２機能層）２５Ｇの縁の一部とが接して重なる部分である。なお、第２厚膜部２５ＲＧＡは、第１発光層２６Ｒと重畳する第１電極２２と第３発光層２６Ｇと重畳する第１電極２２との間の少なくとも一部と重畳する。
　第２厚膜部２５ＲＧＡは、例えば、先ず、フォトリソグラフィ法によって第１電極２２側の機能層（第１機能層）２５Ｒ’を形成した後、フォトリソグラフィ法によって第１電極２２側の機能層（第２機能層）２５Ｇを形成する工程における露光時に、第１電極２２側の機能層（第１機能層）２５Ｒ’と重畳する第１電極２２側の機能層（第２機能層）２５Ｇの一部領域を含めて露光することで形成することができる。
　表示装置３６においては、第２厚膜部２５ＲＧＡが設けられており、第２厚膜部２５ＲＧＡでは、抵抗が高くなり、電流が流れにくくなるので、第２厚膜部２５ＲＧＡを備えることで、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとの混色を抑制することができる。さらに、第２厚膜部２５ＲＧＡを備えることで、第１電極２２のエッジ部での電流の集中も抑制することができる。
　本実施形態においては、第１電極２２側の機能層（第１機能層）２５Ｒ’の縁の一部と第３発光層２６Ｇと重畳する第１電極２２側の機能層（第２機能層）２５Ｇの縁の一部とが接して重なるように形成することで、表示装置３６に第２厚膜部２５ＲＧＡを設けた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、第２厚膜部は、第２電極２８側の機能層２７を各色のサブ画素毎に設け、第１発光層２６Ｒと重畳する第２電極２８側の機能層（第１機能層）の縁の一部と第３発光層２６Ｇと重畳する第２電極２８側の機能層（第２機能層）の縁の一部とが接して重なるように形成して設けてもよい。
　図７の（ａ）は、図５の（ａ）に図示した実施形態１の第３変形例である表示装置３３を示す図であり、図７の（ｂ）は、実施形態１の第７変形例である表示装置３７を示す図であり、図７の（ｃ）は、実施形態１の第８変形例である表示装置３８を示す図である。なお、図７の（ａ）、図７の（ｂ）及び図７の（ｃ）においては、第２電極２８及び第２電極２８側の機能層２７の図示は省略している。
　図７の（ｂ）に示す表示装置３７には、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’が設けられており、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’は、図７の（ａ）に示す表示装置３３に備えられた第１厚膜部２６ＲＧＡよりその厚さが厚い。
　第１厚膜部２６ＲＧＡ’’は、例えば、先ず、フォトリソグラフィ法によって第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡが、第１発光層２６Ｒの他の部分より厚くなるように形成した後、フォトリソグラフィ法によって第３発光層２６Ｇを形成する工程における露光時に、第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡと重畳する第３発光層２６Ｇの一部領域を含めて露光することで形成することができる。なお、フォトリソグラフィ法によって第３発光層２６Ｇを形成する工程では、第３発光層２６Ｇの一端部２６ＧＡは第３発光層２６Ｇの他の部分より厚く形成され、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’は、第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡと第３発光層２６Ｇの一端部２６ＧＡとを含む。
　第１厚膜部２６ＲＧＡ’’では、抵抗が高くなり、電流が流れにくくなるので、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’を備えることで、第１発光層２６Ｒと第３発光層２６Ｇとの混色を抑制することができる。さらに、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’を備えることで、第１電極２２のエッジ部での電流の集中も抑制することができる。
　図７の（ｃ）に示す表示装置３８には、バンク２４上に、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層と第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層とで形成された上部バンク２４Ｕが設けられている。
　本実施形態においては、上部バンク２４Ｕを、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層と第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層との両方の層を用いて形成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、上部バンク２４Ｕは、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層及び第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層の少なくとも一方で形成されてもよい。
　バンク２４上に上部バンク２４Ｕを設けることで、バンクの高さを高くすることができるとともに、上部バンク２４Ｕによる外光吸収効果を得ることができる。
　図８の（ａ）から図８の（ｃ）は、図７の（ｃ）に図示した実施形態１の第８変形例である表示装置３８の製造工程の一部を示す図である。なお、図８の（ｃ）においては、第２電極２８及び第２電極２８側の機能層２７の図示は省略している。
　図８の（ａ）は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＲＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＲと、開口部ＰＭＲＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＲよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＲＨとを含むフォトマスクＰＭ３を用いて、全面に形成されたレジスト材料２６ＲＯに対して露光を行った後、現像及び熱処理し、他の部分より厚く形成された一端部２６ＲＡを含む第１発光層２６Ｒを所定領域（第１領域）に形成した状態を示す。さらに、バンク２４上にも、上部バンク２４Ｕを形成するための第１発光層２６Ｒが形成されている。
　図８の（ｂ）は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＧＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＧと、開口部ＰＭＧＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＧよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＧＨとを含むフォトマスクＰＭ４を用いて、全面に形成されたレジスト材料２６ＧＯに対して露光を行った後、現像及び熱処理し、他の部分より厚く形成された一端部２６ＧＡを含む第３発光層２６Ｇを所定領域（第３領域）に形成した状態を示す。さらに、バンク２４上にも、上部バンク２４Ｕを形成するための第３発光層２６Ｇが形成されている。なお、図８の（ｃ）に示す第１厚膜部２６ＲＧＡ’’を形成するため、第３発光層２６Ｇを形成する工程における露光時には、第１発光層２６Ｒの一端部２６ＲＡと重畳する第３発光層２６Ｇの一部領域を含めて露光をしている。
　以上のようにして、図８の（ｃ）に示すように、第１厚膜部２６ＲＧＡ’’と上部バンク２４Ｕとを備えた表示装置３８を製造することができる。
　〔実施形態２〕
　次に、図９及び図１０に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の表示装置３９・４０・４１においては、バンク２４’が第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢ及び第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢの少なくとも一方で形成されている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図９の（ａ）から図９の（ｃ）は、実施形態２の表示装置３９の製造工程の一部を示す図である。なお、図９の（ｃ）においては、第２電極２８及び第２電極２８側の機能層２７の図示は省略している。
　図９の（ａ）は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＧＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＧと、開口部ＰＭＧＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＧよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＧＨとを含むフォトマスクＰＭ５を用いて、全面に形成されたレジスト材料２６ＧＯに対して露光を行う工程を示す図である。露光を行った後、現像及び熱処理し、図９の（ｂ）に示すように、第３発光層２６Ｇと、第３発光層２６Ｇより厚く形成されたバンク２４’の一部となる第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとを所定領域（第３領域）に形成した。
　図９の（ｂ）は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＲＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＲと、開口部ＰＭＲＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＲよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＲＨとを含むフォトマスクＰＭ６を用いて、全面に形成されたレジスト材料２６ＲＯに対して露光を行う工程を示す図である。露光を行った後、現像及び熱処理し、図９の（ｃ）に示すように、第１発光層２６Ｒと、第１発光層２６Ｒより厚く形成されたバンク２４’の一部となる第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢとを所定領域（第１領域）に形成した。
　図９の（ｃ）は、第３発光層２６Ｇ及び第１発光層２６Ｒの形成工程の後に、第２発光層２６Ｂを、所定領域（第２領域）にのみ形成する第２発光層２６Ｂの形成工程を示す。青色を発光するリガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）と、溶媒とを含む第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを、所定領域（第２領域）を取り囲むように枠状に形成されたバンク２４’の内側に、インクジェット装置ＩＪを用いて、滴下する。なお、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇは、枠状に形成されたバンク２４’の外側に形成されている。
　その後、例えば、５０度以上２００度以下の温度で、所定時間の間、熱処理を行い、溶媒を蒸発させ、リガンドを含む第２量子ドット（第２発光材料）からなる第２発光層２６Ｂを、バンク２４’の内側側面と接するように、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成した。
　図９の（ｃ）に示す表示装置３９においては、バンク２４’を、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとで形成しているので、バンクを形成するための別材料を用いる必要がないので、製造工程の短縮や材料コストの低減を実現することができる。また、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとの２層を用いてバンク２４’を形成しているので、バンクを高く形成することができる。
　なお、本実施形態においては、バンク２４’を第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとで形成している場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、バンク２４’は、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢ及び第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢの少なくとも一方で形成されていてもよい。
　図１０の（ａ）は、実施形態２の第１変形例である表示装置４０を示す図であり、図１０の（ｂ）は、実施形態２の第２変形例である表示装置４１を示す図である。なお、図１０の（ａ）及び図１０の（ｂ）においては、第２電極２８及び第２電極２８側の機能層２７の図示は省略している。
　図１０の（ａ）に示す表示装置４０においては、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとで形成しているバンク２４’を備えているとともに、実施形態１で上述した第１厚膜部２６ＧＲＡ’をさらに備えている。
　図１０の（ｂ）に示す表示装置４１においては、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとで形成しているバンク２４’を備えているとともに、実施形態１で上述した第１厚膜部２６ＧＲＡ’’をさらに備えている。
　なお、図１０の（ａ）に示す第１厚膜部２６ＧＲＡ’及び図１０の（ｂ）に示す第１厚膜部２６ＧＲＡ’’は、枠状に形成されないので、第１厚膜部２６ＧＲＡ’・２６ＧＲＡ’’が備えられていても第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大できる。
　〔実施形態３〕
　次に、図１１に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態の表示装置４２・４３・４４においては、バンク２４を形成する面積を減らすことで、第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大している点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１１の（ａ）及び図１１の（ｂ）は、実施形態３の表示装置４２の概略構成を説明するための図であり、図１１の（ｃ）は、実施形態３の第１変形例である表示装置４３を示す図であり、図１１の（ｄ）は、実施形態３の第２変形例である表示装置４４を示す図である。
　図１１の（ａ）及び図１１の（ｂ）に示すように、表示装置４２においては、複数の第１電極２２は、マトリックス状に配置されており、フォトリソグラフィ法によってライン状に形成された第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇは、それぞれ、例えば、第１方向Ｄ１に沿って第１電極２２が配置された１列の第１電極群と重畳し、インクジェット法によってライン状に形成された第２発光層２６Ｂは、例えば、第１方向Ｄ１に沿って第１電極２２が配置された２列の第１電極群と重畳する。第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、第２発光層２６Ｂと重畳する２つの第１電極２２は、それぞれ、異なる画素ＧＡＳＯに属する。なお、画素ＧＡＳＯは、例えば、第２方向Ｄ２において隣接し、異なる発光層と重畳する３つの第１電極２２を含む。
　上述した実施形態１及び２においては、バンク２４・２４’は、サブ画素毎に枠状に形成されていたが、表示装置４２においては、バンク２４は、インクジェット法によってライン状に形成された第２発光層２６Ｂの左辺及び右辺を囲む対向する２つの隔壁で構成されている。すなわち、図１１の（ａ）に示すように、バンク２４は、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁で構成され、対向する２つの隔壁の内側領域に第２発光層２６Ｂが形成されており、対向する２つの隔壁の外側領域に第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇが形成されている。したがって、バンク２４を形成する面積を減らすことができ、第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大できる。
　なお、図１１の（ａ）及び図１１の（ｂ）に示すような個片化された表示装置４２を得る前である、大型基板に第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇを形成する工程においては、バンク２４は、枠状に形成されていても、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成されていてもよい。大型基板とは、分断によって、表示装置４２を複数個得られる程度の大きさの基板をいう。
　大型基板上に、表示装置４２のサイズ毎に、バンク２４が枠状に形成されている場合には、個片化工程において、例えば、枠状に形成されたバンク２４の上辺及び下辺を切り落とし、図１１の（ａ）及び図１１の（ｂ）に示す個片化された表示装置４２のように、バンク２４が、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁で構成されるようにしてもよい。これに限定されることはなく、個片化工程においては、枠状に形成されたバンク２４の上辺及び下辺の何れか一方のみを切り落としてもよく、枠状に形成されたバンク２４の上辺及び下辺を切り落とさなくてもよい。
　また、大型基板上に、バンク２４が複数の表示装置４２間に跨るサイズの枠状に形成されている場合または、バンク２４が複数の表示装置４２間に跨る内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成されている場合には、個片化工程において、大型基板を切断し、図１１の（ａ）及び図１１の（ｂ）に示す個片化された表示装置４２のように、バンク２４が、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁で構成されるようにしてもよい。
　図１１の（ｃ）に示すように、表示装置４３においては、フォトリソグラフィ法によって形成された第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇは、インクジェット法によって形成された第２発光層２６Ｂを取り囲むように、設けられている。表示装置４３においては、隣接する４つの画素ＧＡＳＯの第２発光層２６Ｂを一つの枠状バンク２４を用いて形成しているので、バンク２４を形成する面積を減らすことができ、第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大できる。なお、本実施形態の表示装置４３においては、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇのそれぞれは、画素ＧＡＳＯ毎に島状に設けられているが、これに限定されることはない。
　図１１の（ｄ）に示すように、表示装置４４においては、フォトリソグラフィ法によって形成された第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇは、インクジェット法によって形成された第２発光層２６Ｂを取り囲むように、設けられている。なお、本実施形態の表示装置４４においては、第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇのそれぞれは、隣接する２つの画素ＧＡＳＯに跨って設けられているが、これに限定されることはない。なお、図１１の（ｃ）または、図１１の（ｄ）に示すような画素ＧＡＳＯの群が繰り返し並んでいても、デルタ配列のように並んでいてもよい。
　〔実施形態４〕
　次に、図１２及び図１３に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態の表示装置４５においては、第１電極２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂがペンタイル配置されている点において、実施形態１から３とは異なり、その他については実施形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１２の（ａ）は、実施形態４の表示装置４５を示す平面図であり、図１２の（ｂ）は、図１２の（ａ）に図示する実施形態４の表示装置４５のＢ－Ｂ’線の断面図である。
　図１２の（ａ）及び図１２の（ｂ）に示す第１電極２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂがペンタイル配置されている表示装置４５においては、第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢとで形成しているバンク２４’を備えているとともに、第１厚膜部２６ＧＲＡ’’’をさらに備えている。
　なお、図１２の（ｂ）に示す第１厚膜部２６ＧＲＡ’’’は、枠状に形成されないので、第１厚膜部２６ＧＲＡ’’’が備えられていても第１発光層２６Ｒ及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大できる。
　図１３の（ａ）及び図１３の（ｂ）は、図１２の（ａ）に図示する実施形態４の表示装置４５の製造工程において用いられるフォトマスクＰＭ７・ＰＭ８の概略構成を示す平面図である。
　図１３の（ａ）に示すフォトマスクＰＭ７は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＧＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＧと、開口部ＰＭＧＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＧよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＧＨとを含む。フォトマスクＰＭ７は、図１２の（ｂ）に示す、第３発光層２６Ｇと、第３発光層２６Ｇより厚く形成されたバンク２４’の一部となる第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＢと、第３発光層２６Ｇより厚く形成された第１厚膜部２６ＧＲＡ’’’の一部となる第３発光層２６Ｇと同一材料で形成された同一層２６ＧＡと、を所定領域（第３領域）に形成するためのフォトマスクである。
　図１３の（ｂ）に示すフォトマスクＰＭ８は、露光光Ｌを通す開口部ＰＭＲＫと、露光光Ｌを遮光する遮光部ＰＭＲと、開口部ＰＭＲＫより少ない露光光Ｌを通し、遮光部ＰＭＲよりは多い露光光Ｌを通すハーフトーン部（シャドウ部）ＰＭＲＨとを含む。フォトマスクＰＭ８は、図１２の（ｂ）に示す、第１発光層２６Ｒと、第１発光層２６Ｒより厚く形成されたバンク２４’の一部となる第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＢと、第１発光層２６Ｒより厚く形成された第１厚膜部２６ＧＲＡ’’’の一部となる第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層２６ＲＣと、を所定領域（第１領域）に形成するためのフォトマスクである。
　〔実施形態５〕
　次に、図１４に基づき、本発明の実施形態５について説明する。本実施形態の表示装置４６においては、第２発光層２６Ｂのみでなく、第３発光層２６Ｇ’もインクジェット法によって形成している点において、実施形態１から４とは異なり、その他については実施形態１から４において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１４の（ａ）及び図１４の（ｂ）は、実施形態５の表示装置４６の製造工程の一部を示す図であり、図１４の（ｃ）は、実施形態５の表示装置４６の１画素を示す平面図である。
　第１発光層２６Ｒをフォトリソグラフィ法によって形成した後、図１４の（ａ）に示すように、第３発光層２６Ｇ’の形成工程においては、緑色を発光するリガンドを含む第３量子ドット（第３発光材料）と、溶媒とを含む第３発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＧを、所定領域（第３領域）を取り囲むように枠状に形成されたバンク２４の内側に、インクジェット装置ＩＪを用いて、滴下した。なお、第１発光層２６Ｒは、枠状に形成されたバンク２４の外側に形成されている。
　その後、例えば、５０度以上２００度以下の温度で、所定時間の間、熱処理を行い、溶媒を蒸発させ、第３量子ドット（第３発光材料）からなる第３発光層２６Ｇ’を、バンク２４の内側側面と接するように、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚で形成した。
　その後、図１４の（ｂ）に示すように、第２発光層２６Ｂをインクジェット法によって形成した。
　図１４の（ｃ）に示すように、表示装置４６においては、バンク２４は、第１発光層２６Ｒを取り囲むように枠状に形成されていないので、第１発光層２６Ｒの発光領域ＲＳＧＨを拡大できる。
　なお、表示装置４６においては、バンク２４を発光層で形成する場合には、バンクは第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層で形成される。また、上部バンクを形成する場合にも、上部バンクは第１発光層２６Ｒと同一材料で形成された同一層で形成される。
　なお、本実施形態においては、第３発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＧを、枠状に形成されたバンク２４の内側に形成し、第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを、枠状に形成されたバンク２４の内側に形成する場合を、一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。例えば、第３発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＧを、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むバンク２４の内側領域に形成し、第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むバンク２４の内側領域に形成してもよい。さらには、第３発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＧ及び第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢの一方は、枠状に形成されたバンク２４の内側に形成し、第３発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＧ及び第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢの他方は、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むバンク２４の内側領域に形成してもよい。
　〔実施形態６〕
　次に、図１５に基づき、本発明の実施形態６について説明する。本実施形態の表示装置４７においては、インクジェット法を用いずに、フォトリソグラフィ法と蒸着法とを用いて第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ’及び第３発光層２６Ｇを形成している点において、実施形態１から５とは異なり、その他については実施形態１から５において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から５の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１５の（ａ）から図１５の（ｆ）は、実施形態６の表示装置４７の製造工程の一部を示す図である。
　図１５の（ａ）から図１５の（ｄ）については、バンク２４が備えられていない点以外は、実施形態１において、既に説明しているので、ここではその説明を省略する。
　図１５の（ｅ）は、蒸着粒子ＢＶＳを通す開口部ＶＭＫと、蒸着粒子ＢＶＳを通さない遮断部ＶＭＢとを含む蒸着マスクＶＭ１を用いて、第２発光層２６Ｂ’を所定領域（第２領域）に形成する工程を説明するための図である。
　第２発光層２６Ｂ’は、蒸着マスクＶＭ１を用いた蒸着法で形成されるので、所定領域（第２領域）のみに形成することができる。また、第２発光層２６Ｂ’は、蒸着マスクＶＭ１を用いた蒸着法で形成されるので、青色を発光する発光材料（第２発光材料）からなる。
　図１５の（ｆ）に示すように、表示装置４７においては、バンク２４が備えられていないので、第１発光層２６Ｒ、第２発光層２６Ｂ’及び第３発光層２６Ｇの発光領域を拡大できる。
　本実施形態においては、第２発光層２６Ｂ’を蒸着法で形成する場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、第２発光層２６Ｂ’及び第３発光層２６Ｇを先にフォトリソグラフィ法で形成した場合には、第１発光層２６Ｒを蒸着法で形成することができる。また、第１発光層２６Ｒ及び第２発光層２６Ｂ’を先にフォトリソグラフィ法で形成した場合には、第３発光層２６Ｇを蒸着法で形成することができる。
　なお、本実施形態においては、図１５の（ｅ）に示すように、蒸着マスクＶＭ１を用いた蒸着法で、第２発光層２６Ｂ’を所定領域（第２領域）に形成する場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。例えば、第２発光層２６Ｂ’は、マスクとミスト・スプレー法とを用いて、形成してもよい。第２発光層２６Ｂ’を、マスクとミスト・スプレー法とを用いて、形成する場合には、例えば、実施形態１で既に説明した第２発光層形成用のインクジェット材料ＩＪＢを、マスクの開口部を介して、スプレーすることができる。
　なお、蒸着法で、第２発光層２６Ｂ’を形成する場合には、インクジェット法やミスト・スプレー法で、第２発光層２６Ｂ’を形成する場合と比較して、製造工程で使用されるエネルギーが大きいので、省エネルギーを考慮した場合、第２発光層２６Ｂ’は、インクジェット法やミスト・スプレー法で、形成することが好ましい。
　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に利用することができる。
　１１　　　　　　　　　　アクティブ基板（基板）
　２２　　　　　　　　　　第１電極
　２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ　第１電極
　２３、２３Ｓ、２３Ｌ　　エッジカバー
　２４、２４’　　　　　　バンク
　２４Ｕ　　　　　　　　　上部バンク
　２５、２７　　　　　　　機能層
　２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ　機能層
　２５Ｒ’　　　　　　　　機能層
　２５ＲＧＡ　　　　　　　第２膜厚部
　２６Ｒ　　　　　　　　　第１発光層
　２６Ｂ、２６Ｂ’　　　　第２発光層
　２６Ｇ、２６Ｇ’　　　　第３発光層
　２６ＲＧＡ　　　　　　　第１膜厚部
　２６ＲＧＡ’　　　　　　第１膜厚部
　２６ＲＧＡ’’　　　　　第１膜厚部
　２６ＲＧＡ’’’　　　　第１膜厚部
　２６ＧＲＡ’、２６ＧＲＡ’’　第１膜厚部
　２６ＧＲＡ’’’　　　　第１膜厚部
　２８　　　　　　　　　　第２電極
　３０～４７　　　　　　　表示装置

Claims (29)

  1. 　基板と、
    　前記基板の一方側の面上に形成された島状の複数の第１電極と、
    　前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第１発光材料及び樹脂を含む第１発光層と、
    　前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第２発光材料からなる第２発光層と、
    　枠状または、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成された第１バンクと、を備え、
    　前記第２発光層は、前記第１バンクの内側側面と接するように、前記第１バンクの内側に設けられ、
    　前記第１発光層は、前記第１バンクの外側に設けられている、表示装置。
  2. 　前記複数の第１電極のうちのさらに他の一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第３発光材料及び樹脂を含む第３発光層を、さらに備え、
    　前記第３発光層は、前記第１バンクの外側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記複数の第１電極のうちのさらに他の一部の第１電極と重畳するように前記一方側の面上に形成された、第３発光材料からなる第３発光層と、
    　枠状または、内側領域と外側領域を区画する対向する２つの隔壁を含むように形成された第２バンクと、をさらに備え、
    　前記第１発光層は、前記第２バンクの外側に設けられ
    　前記第３発光層は、前記第２バンクの内側側面と接するように、前記第２バンクの内側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記第１バンクは、前記第１発光層と同一材料で形成された同一層及び前記第３発光層と同一材料で形成された同一層の少なくとも一方で形成されている、請求項２に記載の表示装置。
  5. 　前記第１バンクは、前記第１発光層及び前記第３発光層とは異なる樹脂材料で形成されている、請求項２に記載の表示装置。
  6. 　前記第１バンク及び前記第２バンクは、前記第１発光層と同一材料で形成された同一層で形成されている、請求項３に記載の表示装置。
  7. 　前記第１バンク及び前記第２バンクは、前記第１発光層とは異なる樹脂材料で形成されている、請求項３に記載の表示装置。
  8. 　前記第１バンク上には、前記第１発光層と同一材料で形成された同一層及び前記第３発光層と同一材料で形成された同一層の少なくとも一方で形成された上部バンクが設けられている、請求項５に記載の表示装置。
  9. 　前記第１バンク及び前記第２バンクの少なくとも一方の上には、前記第１発光層と同一材料で形成された同一層で形成された上部バンクが設けられている、請求項７に記載の表示装置。
  10. 　前記第１発光層の縁の一部と前記第３発光層の縁の一部とが接して重なる第１厚膜部がさらに設けられ、
    　前記第１厚膜部は、前記第１発光層と重畳する前記第１電極と前記第３発光層と重畳する前記第１電極との間の少なくとも一部と重畳する、請求項２、４、５、８の何れか１項に記載の表示装置。
  11. 　前記第１発光層と前記第３発光層とは、隣接して設けられ、
    　互いに対向する前記第１発光層の一端部と前記第３発光層の一端部とは、離れている、請求項２、４、５、８の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 　前記第１発光層の一端部は、前記第１発光層の他の部分より厚く形成され、
    　前記第３発光層の一端部は、前記第３発光層の他の部分より厚く形成されている、請求項２、４、５、８、１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 　前記第１発光層と重畳する第１機能層と、前記第３発光層と重畳する第２機能層とをさらに備え、
    　前記第１機能層の縁の一部と前記第２機能層の縁の一部とが接して重なる第２厚膜部がさらに設けられ、
    　前記第２厚膜部は、前記第１発光層と重畳する前記第１電極と前記第３発光層と重畳する前記第１電極との間の少なくとも一部と重畳する、請求項２、４、５、８、１０、１１、１２の何れか１項に記載の表示装置。
  14. 　前記複数の第１電極は、マトリックス状に配置され、
    　前記第１発光層及び前記第３発光層は、それぞれ、第１方向に沿って前記第１電極が配置された１列の第１電極群と重畳し、
    　前記第２発光層は、前記第１方向に沿って前記第１電極が配置された２列の第１電極群と重畳し、
    　前記第１方向と直交する第２方向において、前記第２発光層と重畳する２つの第１電極は、それぞれ、異なる画素に属する、請求項２、４、５、８、１０～１３の何れか１項に記載の表示装置。
  15. 　前記第１発光層及び前記第３発光層は、前記第２発光層を取り囲むように、設けられている、請求項２、４、５、８、１０～１３の何れか１項に記載の表示装置。
  16. 　前記第２発光層が発光する光の中心波長は、前記第１発光層が発光する光の中心波長及び前記第３発光層が発光する光の中心波長より短い、請求項２、４、５、８、１０～１５の何れか１項に記載の表示装置。
  17. 　前記第１発光層が発光する光の中心波長は、前記第２発光層が発光する光の中心波長及び前記第３発光層が発光する光の中心波長より長い、請求項３、６、７、９の何れか１項に記載の表示装置。
  18. 　前記第１発光材料は、リガンドを含む第１量子ドットであり、
    　前記第２発光材料は、リガンドを含む第２量子ドットであり、
    　前記第３発光材料は、リガンドを含む第３量子ドットである、請求項２から１７の何れか１項に記載の表示装置。
  19. 　前記第２量子ドットのシェルの外径は、前記第１量子ドットのシェルの外径及び前記第３量子ドットのシェルの外径より小さい、請求項１８に記載の表示装置。
  20. 　前記第２量子ドットは、青色を発光する、請求項１９に記載の表示装置。
  21. 　前記複数の第１電極それぞれの間を埋めるとともに、前記複数の第１電極それぞれの縁を覆うエッジカバーをさらに備える、請求項１から２０の何れか１項に記載の表示装置。
  22. 　フォトリソグラフィ法によって、基板の一方側の面上の複数の第１領域に第１発光層を形成する、第１発光層形成工程と、
    　前記第１発光層形成工程の後に、第２発光層を、前記複数の第１領域には形成せず、前記複数の第１領域とは異なる前記一方側の面上の複数の第２領域にのみ形成する、第２発光層形成工程と、を含む、表示装置の製造方法。
  23. 　フォトリソグラフィ法によって、前記複数の第１領域及び前記複数の第２領域とは異なる前記一方側の面上の複数の第３領域に第３発光層を形成する、第３発光層形成工程を、さらに含み、
    　前記第３発光層形成工程は、前記第２発光層形成工程より前に行われる、請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
  24. 　前記第１発光層形成工程の後に、第３発光層を、前記複数の第１領域及び前記複数の第２領域には形成せず、前記複数の第１領域及び前記複数の第２領域とは異なる前記一方側の面上の複数の第３領域にのみ形成する、第３発光層形成工程を、さらに含む、請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
  25. 　前記第１発光層形成工程、前記第２発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程の前に行われる、
    　前記基板の一方側の面上に島状の複数の第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
    　前記複数の第１電極それぞれの間を埋めるとともに、前記複数の第１電極それぞれの縁を覆うエッジカバーを形成する、エッジカバー形成工程と、
    　前記エッジカバー上の一部に、前記複数の第２領域それぞれを取り囲む複数の第１バンクを形成する、バンク形成工程と、をさらに含み、
    　前記第１発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程のそれぞれにおいては、前記第１発光層及び前記第３発光層を前記複数の第１バンクそれぞれの外側に形成し、
    　前記第２発光層形成工程においては、前記第２発光層を前記複数の第１バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第１バンクそれぞれの内側に形成する、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
  26. 　前記第１発光層形成工程、前記第２発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程の前に行われる、
    　前記基板の一方側の面上に島状の複数の第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
    　前記複数の第１電極それぞれの間を埋めるとともに、前記複数の第１電極それぞれの縁を覆うエッジカバーを形成する、エッジカバー形成工程と、
    　前記エッジカバー上の一部に、前記複数の第２領域それぞれを取り囲む複数の第１バンクと、前記複数の第３領域それぞれを取り囲む複数の第２バンクとを形成する、バンク形成工程と、をさらに含み、
    　前記第１発光層形成工程においては、前記第１発光層を前記複数の第１バンク及び前記複数の第２バンクそれぞれの外側に形成し、
    　前記第２発光層形成工程においては、前記第２発光層を前記複数の第１バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第１バンクそれぞれの内側に形成し、
    　前記第３発光層形成工程においては、前記第３発光層を前記複数の第２バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第２バンクそれぞれの内側に形成する、請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
  27. 　前記エッジカバー形成工程と、前記バンク形成工程とは、一つの工程である、請求項２５または２６に記載の表示装置の製造方法。
  28. 　前記第１発光層形成工程、前記第２発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程の前に行われる、
    　前記基板の一方側の面上に島状の複数の第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
    　前記複数の第１電極それぞれの間を埋めるとともに、前記複数の第１電極それぞれの縁を覆うエッジカバーを形成する、エッジカバー形成工程と、をさらに含み、
    　前記第１発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程のそれぞれにおいては、前記第１発光層及び前記第３発光層を形成するとともに、前記エッジカバー上の一部に、前記複数の第２領域それぞれを取り囲む複数の第１バンクを形成し、
    　前記第２発光層形成工程においては、前記第２発光層を前記複数の第１バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第１バンクそれぞれの内側に形成する、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
  29. 　前記第１発光層形成工程、前記第２発光層形成工程及び前記第３発光層形成工程の前に行われる、
    　前記基板の一方側の面上に島状の複数の第１電極を形成する、第１電極形成工程と、
    　前記複数の第１電極それぞれの間を埋めるとともに、前記複数の第１電極それぞれの縁を覆うエッジカバーを形成する、エッジカバー形成工程と、をさらに含み、
    　前記第１発光層形成工程においては、前記第１発光層を形成するとともに、前記エッジカバー上の一部に、前記複数の第２領域それぞれを取り囲む複数の第１バンクと、前記複数の第３領域それぞれを取り囲む複数の第２バンクとを形成し、
    　前記第２発光層形成工程においては、前記第２発光層を前記複数の第１バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第１バンクそれぞれの内側に形成し、
    　前記第３発光層形成工程においては、前記第３発光層を前記複数の第２バンクそれぞれの内側側面と接するように、前記複数の第２バンクそれぞれの内側に形成する、請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
PCT/JP2020/035335 2020-09-17 2020-09-17 表示装置及び表示装置の製造方法 WO2022059152A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/026,343 US20230354648A1 (en) 2020-09-17 2020-09-17 Display device and method for manufacturing display device
PCT/JP2020/035335 WO2022059152A1 (ja) 2020-09-17 2020-09-17 表示装置及び表示装置の製造方法
CN202080105283.XA CN116194979A (zh) 2020-09-17 2020-09-17 显示装置及显示装置的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/035335 WO2022059152A1 (ja) 2020-09-17 2020-09-17 表示装置及び表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022059152A1 true WO2022059152A1 (ja) 2022-03-24

Family

ID=80776598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/035335 WO2022059152A1 (ja) 2020-09-17 2020-09-17 表示装置及び表示装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230354648A1 (ja)
CN (1) CN116194979A (ja)
WO (1) WO2022059152A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533810A (ja) * 2006-04-12 2009-09-17 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光電子ディスプレイ及びその製造方法
JP2011216250A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ素子用基板の製造方法
JP2013089401A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、及びカラーフィルター基板の製造方法、電子機器
JP2016115747A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
US20180108842A1 (en) * 2016-01-13 2018-04-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Crosslinkable Quantum Dot And Preparing Method Thereof, Array Substrate And Preparing Method Thereof
WO2018225782A1 (ja) * 2017-06-08 2018-12-13 株式会社Ｄｎｐファインケミカル 量子ドット含有硬化性組成物、量子ドット含有硬化物、光学部材の製造方法、及び表示装置の製造方法
WO2020059143A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法
WO2020065963A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533810A (ja) * 2006-04-12 2009-09-17 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 光電子ディスプレイ及びその製造方法
JP2011216250A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ素子用基板の製造方法
JP2013089401A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、及びカラーフィルター基板の製造方法、電子機器
JP2016115747A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
US20180108842A1 (en) * 2016-01-13 2018-04-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Crosslinkable Quantum Dot And Preparing Method Thereof, Array Substrate And Preparing Method Thereof
WO2018225782A1 (ja) * 2017-06-08 2018-12-13 株式会社Ｄｎｐファインケミカル 量子ドット含有硬化性組成物、量子ドット含有硬化物、光学部材の製造方法、及び表示装置の製造方法
WO2020059143A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法
WO2020065963A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116194979A (zh) 2023-05-30
US20230354648A1 (en) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022042059A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US9209231B2 (en) Array substrate, method for fabricating the same, and OLED display device
CN108922916B (zh) 发光装置以及电子设备
JP5459142B2 (ja) 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
EP3021363B1 (en) Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
KR101333612B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR20150111544A (ko) 표시 장치, 이의 제조 방법 및 리페어 방법
KR20150042367A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101456402B1 (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR102016070B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
US11800772B2 (en) Display apparatus
KR20080061675A (ko) 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR101071712B1 (ko) 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20180021286A (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
WO2020065963A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US11145836B2 (en) OLED display device and manufacturing method for the same
CN114450802A (zh) 一种显示面板、掩膜组件和显示装置
KR100725493B1 (ko) 디스플레이장치 및 그 제조방법
JP2011138634A (ja) 有機ｅｌ装置及びその製造方法
KR20100000405A (ko) 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
JP2004134356A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2022059152A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4502661B2 (ja) カラー発光表示装置
CN110911457A (zh) 显示面板及其制备方法
JP2007265859A (ja) 有機ｅｌ表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20954137

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20954137

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP