WO2021241474A1 - トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021241474A1
WO2021241474A1 PCT/JP2021/019521 JP2021019521W WO2021241474A1 WO 2021241474 A1 WO2021241474 A1 WO 2021241474A1 JP 2021019521 W JP2021019521 W JP 2021019521W WO 2021241474 A1 WO2021241474 A1 WO 2021241474A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
tracker
pass filter
low
module
power amplifier
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/019521
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
武 小暮
智英 荒俣
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202180037512.3A priority Critical patent/CN115668759A/zh
Priority to KR1020227040383A priority patent/KR20230006509A/ko
Priority to DE112021002963.0T priority patent/DE112021002963T5/de
Publication of WO2021241474A1 publication Critical patent/WO2021241474A1/ja
Priority to US18/055,957 priority patent/US20230075733A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/04—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
    • H03F1/06—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216—Continuous control
    • H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H03F1/0227—Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/03—Constructional details, e.g. casings, housings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/417—A switch coupled in the output circuit of an amplifier being controlled by a circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Definitions

  • the present invention generally relates to a tracker module, a power amplification module, a high frequency module and a communication device. More specifically, the present invention relates to a tracker module including a tracker component, a power amplification module including a tracker component, a high frequency module including a power amplification module, and a communication device including a high frequency module.
  • the ET method is a high-frequency amplification technique that changes the amplitude of the power supply voltage of the amplification element according to the amplitude of the envelope of the high-frequency signal. More specifically, the ET method reduces the power loss that occurs during operation when the power supply voltage is fixed by changing the collector voltage of the amplifier element according to the output voltage, and realizes high efficiency. It is a technology.
  • the power amplifier circuit described in Patent Document 1 includes a transistor that amplifies a signal input to a base and outputs it from a collector, changes the power supply voltage of the transistor according to the amplitude of the envelope of a high frequency signal, and changes the power supply voltage of the transistor. Supply voltage to the transistor.
  • a low-pass filter is connected to the path between the tracker component and the power amplifier in order to reduce the harmonic component of the power supply voltage from the tracker component.
  • the power consumption tends to be high due to the occurrence of parasitic resistance in the path between the tracker component and the low-pass filter.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a tracker module, a power amplification module, a high frequency module, and a communication device capable of reducing power consumption.
  • the tracker module includes a second board separate from the first board, tracker components, and a low-pass filter.
  • a power amplifier is arranged on the first board.
  • the tracker component supplies a power supply voltage to the power amplifier.
  • the low-pass filter is connected on the path between the output end of the tracker component and the power amplifier.
  • the tracker component and the low-pass filter are arranged on the second substrate.
  • the tracker module includes a tracker component and a low-pass filter.
  • the tracker component outputs a power supply voltage to the power amplifier.
  • the low-pass filter is connected to the output end of the tracker component.
  • the first path length of the path between the tracker component and the low-pass filter is shorter than the second path length of the path between the low-pass filter and the power amplifier.
  • the power amplification module includes the tracker module and the power amplifier.
  • the high frequency module includes the tracker module, the power amplifier, and a transmission filter.
  • the transmission filter passes a high frequency signal amplified by the power amplifier.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit outputs a high frequency signal to the high frequency module.
  • the power consumption of the tracker module can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view of the tracker module according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view of the tracker module of the same as above.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram showing the configurations of a tracker module, a power amplification module, a high frequency module, and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining the details of the tracker module of the above.
  • FIG. 5 is a graph showing the characteristics of the low-pass filter of the tracker module of the same as above.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram showing the configurations of the tracker module, the power amplification module, the high frequency module, and the communication device according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram showing the configuration of the power amplification module according to the second modification of the embodiment.
  • the tracker module 1 includes a substrate 2, a tracker component 3, a low-pass filter 4, and a plurality of (16 in the illustrated example) external connection terminals 23.
  • the tracker module 1 is connected to a communication device 7 (see FIG. 3) battery (not shown) such as a terminal on which the high frequency module 5 is mounted, and the tracker module 1 is connected to the tracker module 1 from a battery to a battery voltage V2 (FIG. 3). See) is supplied.
  • the high frequency module 5 includes a tracker module 1, a power amplifier circuit 6, a filter 51, a switch 52, an input terminal 53, and an antenna terminal 54.
  • the high-frequency signal output from the high-frequency module 5 is transmitted to a base station (not shown) via the antenna 71 described later.
  • the high frequency module 5 is used for a communication device 7 or the like described later.
  • the communication device 7 includes a high frequency module 5, an antenna 71, and a signal processing circuit 72.
  • an envelope tracking method (hereinafter referred to as “ET method”) is used.
  • the ET method includes an analog envelope tracking method (hereinafter referred to as “analog ET method”) and a digital envelope tracking method (hereinafter referred to as “digital ET method”).
  • the analog ET method is a method in which the envelope of the amplitude of the high frequency signal input to the amplification element is continuously detected, and the amplitude level of the power supply voltage of the amplification element is changed according to the envelope.
  • the amplitude level of the power supply voltage changes continuously.
  • the digital ET method is a method in which the envelope of the amplitude of the high frequency signal input to the amplification element is detected discretely, and the amplitude level of the power supply voltage of the amplification element is changed according to the envelope.
  • the amplitude level of the high frequency signal is detected at regular intervals rather than continuously, and the detected amplitude level is quantized.
  • the amplitude level of the power supply voltage changes discretely (see FIG. 2).
  • the board 2 shown in FIG. 1 is a board separate from the first board on which the power amplifier 61 (see FIG. 3) is arranged.
  • the substrate 2 has a first main surface 21 and a second main surface 22.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 face each other in the thickness direction of the substrate 2.
  • a plurality of (16 in the illustrated example) external connection terminals 23 are arranged on the second main surface 22 of the substrate 2.
  • the plurality of external connection terminals 23 include a power amplifier connection terminal 24 (output terminal) for connecting to the power amplifier 61 (see FIG. 3).
  • the tracker component 3 is configured to supply the power supply voltage V1 to the power amplifier 61. More specifically, the tracker component 3 generates a power supply voltage V1 at a level corresponding to the envelope extracted from the modulated signal of the high frequency signal, and supplies the power supply voltage V1 to the power amplifier circuit 6.
  • the tracker component 3 includes an input terminal (not shown) for inputting a power supply control signal and an output terminal (not shown) for outputting the power supply voltage V1.
  • the input terminal is connected to the signal processing circuit 72, and the power supply control signal is input from the signal processing circuit 72.
  • the tracker component 3 generates a power supply voltage V1 based on a power supply control signal input to the input terminal.
  • the tracker component 3 changes the amplitude of the power supply voltage V1 based on the power supply control signal from the signal processing circuit 72.
  • the tracker component 3 is an envelope tracking circuit that generates a power supply voltage V1 that fluctuates according to the envelope of the amplitude of the high frequency signal output from the signal processing circuit 72.
  • the tracker component 3 is composed of, for example, a DC-DC converter, detects an amplitude level of a high frequency signal from an I-phase signal and a Q-phase signal, and generates a power supply voltage V1 using the detected amplitude level.
  • the low-pass filter 4 is provided on the path between the output terminal of the tracker component 3 and the power amplifier 61. As shown in FIG. 1, the low-pass filter 4 has a plurality of (four in the illustrated example) electronic components 401 to 404.
  • the low-pass filter 4 is, for example, a so-called LC filter having an inductor and a capacitor as main components.
  • the low-pass filter 4 of the embodiment reduces the harmonic component of the power supply voltage V1. As a result, noise caused by the power supply voltage V1 can be reduced.
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are arranged on the substrate 2 as shown in FIG. More specifically, the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are arranged on the first main surface 21 of the substrate 2.
  • a plurality of electronic components 401 to 404 are arranged on the substrate 2. More specifically, the plurality of electronic components 401 to 404 are arranged on the first main surface 21 of the substrate 2. This makes it possible to reduce the parasitic resistance component generated in the path 81 (see FIG. 4) between the tracker component 3 and the low-pass filter 4.
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are packaged in one package.
  • the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further reduced.
  • the tracker component 3 is arranged adjacent to the low-pass filter 4 on the substrate 2. More specifically, two of the plurality of electronic components 401 to 404, the electronic components 401 and 402 are arranged adjacent to the tracker component 3. As a result, the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further shortened, so that the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further reduced. can.
  • the power amplifier connection terminal 24 is arranged on the second main surface 22 of the substrate 2 and overlaps with the low-pass filter 4 in a plan view from the thickness direction of the substrate 2. In the example of FIG. 2, the power amplifier connection terminal 24 overlaps with the electronic component 404. As a result, the path between the low-pass filter 4 and the power amplifier connection terminal 24, that is, the path 82 (see FIG. 4) between the low-pass filter 4 and the power amplifier 61 (see FIG. 3) can be shortened, so that the low-pass filter 4 can be shortened. The parasitic resistance component generated in the path 82 between the filter 4 and the power amplifier 61 can be reduced.
  • the power amplifier circuit 6 includes a power amplifier 61 and a control circuit 62, as shown in FIG.
  • the power amplifier circuit 6 amplifies the power of the high frequency signal (RF signal) output from the RF signal processing circuit 75 described later to a level necessary for transmitting it to a base station (not shown), and the amplified high frequency signal. It is an amplifier circuit that outputs.
  • the power amplifier 61 shown in FIG. 3 includes a transistor (amplifier element), a bias circuit, a resistor, an input matching circuit, and an output matching circuit.
  • the transistor (not shown) of the power amplifier 61 shown in FIG. 3 is, for example, an NPN transistor, which is an amplification element to which a power supply voltage V1 is supplied to amplify a high frequency signal.
  • the transistor amplifies the high frequency signal output from the RF signal processing circuit 75.
  • the base of the transistor is connected to the output end of an input matching circuit (not shown).
  • the base of the transistor may be electrically connected to the output end of the input matching circuit via a capacitor (not shown).
  • the collector of the transistor is electrically connected to the low-pass filter 4 of the tracker module 1.
  • the emitter of the transistor is the ground potential.
  • the power supply voltage V1 is supplied to the transistor of the power amplifier 61.
  • a high frequency signal output from the input matching circuit is input to the base of the transistor.
  • a bias circuit (not shown) is connected to the base of the transistor via a resistor (not shown), and a predetermined bias current is superimposed on the high frequency signal output from the input matching circuit.
  • the tracker module 1 is connected to the collector of the transistor.
  • a power supply voltage V1 controlled according to the amplitude level of the high frequency signal is applied to the collector of the transistor from the tracker module 1. Further, the collector of the transistor is connected to the filter 51 via an output matching circuit (not shown).
  • the amplitude level of the power supply voltage V1 changes based on the change in the amplitude of the high frequency signal.
  • the bias circuit (not shown) of the power amplifier 61 shown in FIG. 3 is a circuit for biasing the transistor (not shown) of the power amplifier 61 to the operating point.
  • the bias circuit is composed of, for example, a transistor such as an HBT.
  • the bias circuit is connected to the base of the transistor that amplifies the high frequency signal. More specifically, the bias circuit has an output end connected between the output end of an input matching circuit (not shown) and the base of the transistor.
  • the bias circuit is configured to supply a bias (bias current) to the base of the transistor.
  • the battery voltage supplied from the battery of the communication device 7 or the like on which the high frequency module 5 is mounted is applied to the collector of the transistor constituting the bias circuit.
  • the emitter of the transistor constituting the bias circuit is connected to the base of the transistor that amplifies the high frequency signal.
  • the bias circuit is not limited to the above-mentioned configuration, and may have another configuration as long as it is a circuit that biases the transistor that amplifies the high frequency signal to the operating point.
  • the input matching circuit (not shown) of the power amplifier 61 shown in FIG. 3 is connected to the input side of the transistor and is a circuit on the input side of the transistor (for example, an RF signal processing circuit). This is a matching circuit for matching the output impedance of 75) with the input impedance of the transistor.
  • the input matching circuit is composed of, for example, at least one of an inductor and a capacitor.
  • the output matching circuit (not shown) of the power amplifier 61 shown in FIG. 3 is connected to the output side of the transistor, and is connected to the output impedance of the transistor and the circuit on the output side of the transistor (5.1.5). For example, it is a matching circuit for matching with the input impedance of the filter 51).
  • the output matching circuit is composed of, for example, at least one of an inductor and a capacitor.
  • Control circuit controls the power amplifier 61 as shown in FIG. More specifically, the control circuit 62 controls the bias circuit of the power amplifier 61.
  • the filter filter 51 is a transmission filter of a communication band through which a high frequency signal is passed.
  • the filter 51 is provided in the path between the power amplifier circuit 6 and the antenna terminal 54 in the transmission path. More specifically, the filter 51 is provided in the path between the power amplifier circuit 6 and the switch 52.
  • the filter 51 passes a high frequency signal output from the power amplification circuit 6 after the power is amplified by the power amplification circuit 6.
  • the transmission path is a path connecting the input terminal 53 and the antenna terminal 54 in order to transmit a high frequency signal from the antenna 71.
  • the filter 51 is not limited to the transmission filter, and may be a duplexer including both a transmission filter and a reception filter, or may be a multiplexer including three or more filters.
  • the switch 52 is a switch for switching the path connected to the antenna terminal 54.
  • the switch 52 is a switch that switches a filter connected to the antenna terminal 54 from among a plurality of filters including the filter 51.
  • the switch 52 has a common terminal 521 and a plurality of (two in the illustrated example) selection terminals 522, 523.
  • the common terminal 521 is connected to the antenna terminal 54.
  • the selection terminal 522 is connected to the filter 51.
  • the selection terminal 523 is connected to another filter (not shown) different from the filter 51.
  • the switch 52 is, for example, a switch to which any one of a plurality of selection terminals 522 and 523 can be connected to the common terminal 521.
  • the switch 52 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the switch 52 is controlled by, for example, a signal processing circuit 72 described later.
  • the switch 52 switches the connection state between the common terminal 521 and the plurality of selection terminals 522 and 523 according to the control signal from the RF signal processing circuit 75 of the signal processing circuit 72.
  • the switch 52 may be a switch capable of simultaneously connecting a plurality of selection terminals 522 and 523 to the common terminal 521. In this case, the switch 52 is a switch capable of one-to-many connection.
  • the antenna terminal 54 is a terminal to which the antenna 71 described later is connected.
  • the high frequency signal from the high frequency module 5 is output to the antenna 71 via the antenna terminal 54.
  • the high frequency signal from the antenna 71 is output to the high frequency module 5 via the antenna terminal 54.
  • the antenna 71 is connected to the antenna terminal 54 of the high frequency module 5 as shown in FIG.
  • the antenna 71 has a radiation function of radiating a high frequency signal (transmission signal) output from the high frequency module 5 by radio waves, and a reception function of receiving a high frequency signal (reception signal) as radio waves from the outside and outputting it to the high frequency module 5.
  • the signal processing circuit 72 includes a baseband signal processing circuit 74 and an RF signal processing circuit 75.
  • the signal processing circuit 72 outputs a high frequency signal to the high frequency module 5.
  • the baseband signal processing circuit 74 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the frequency of the high frequency signal is, for example, about several hundred MHz to several GHz.
  • the baseband signal processing circuit 74 generates an I-phase signal and a Q-phase signal from the baseband signal.
  • the baseband signal is, for example, an audio signal, an image signal, or the like input from the outside.
  • the baseband signal processing circuit 74 performs IQ modulation processing by synthesizing an I-phase signal and a Q-phase signal, and outputs a transmission signal.
  • the transmission signal is generated as a modulation signal (IQ signal) in which a carrier signal having a predetermined frequency is amplitude-modulated with a period longer than the period of the carrier signal.
  • the modulated signal output from the baseband signal processing circuit 74 is output as an IQ signal.
  • the IQ signal is a signal whose amplitude and phase are represented on an IQ plane.
  • the frequency of the IQ signal is, for example, about several MHz to several tens of MHz.
  • the RF signal processing circuit 75 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 75 performs predetermined signal processing on the modulated signal (IQ signal) output from the baseband signal processing circuit 74, for example. More specifically, the RF signal processing circuit 75 performs signal processing such as up-conversion on the modulated signal output from the baseband signal processing circuit 74, and transfers the signal-processed high-frequency signal to the power amplifier circuit 6. Output.
  • the RF signal processing circuit 75 is not limited to performing direct conversion from the modulated signal to the high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 75 may convert the modulated signal into an intermediate frequency (IF) signal so that a high frequency signal is generated from the converted IF signal.
  • IF intermediate frequency
  • the signal processing circuit 72 outputs a power supply control signal to the tracker component 3 of the tracker module 1.
  • the power supply control signal is a signal including information regarding a change in the amplitude of the high frequency signal, and is output from the signal processing circuit 72 to the tracker module 1 in order to change the amplitude of the power supply voltage V1.
  • the power supply control signal is, for example, an I-phase signal and a Q-phase signal.
  • the tracker component 3 outputs the power supply voltage V1. Since the first path length L1 of the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 is short, the sizes of the parasitic resistance component, the parasitic capacitance component, and the inductance component generated in the path 81 can be reduced.
  • the low-pass filter 4 passes the power supply voltage V1 from the tracker component 3.
  • the low-pass filter 4 reduces the harmonic component of the power supply voltage V1. That is, the low-pass filter 4 cuts the harmonic component of the power supply voltage V1 and passes the fundamental wave component of the power supply voltage V1.
  • the power supply voltage V1 that has passed through the low-pass filter 4 is applied to the power amplifier 61.
  • the second path length L2 of the path 82 between the low-pass filter 4 and the power amplifier 61 is short, the sizes of the parasitic resistance component, the parasitic capacitance component, and the inductance component generated in the path 82 can be reduced. ..
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are arranged on a board 2 (second board) separate from the first board on which the power amplifier 61 is arranged.
  • the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be shortened, so that the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be reduced.
  • the power consumption of the tracker module 1 can be reduced. That is, it is possible to reduce the power consumption when the tracker module 1 supplies the power supply voltage V1 to the power amplifier 61.
  • the low-pass filter 4 has a function of reducing the high frequency component of the power supply voltage output from the tracker component 3, and provides a path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4.
  • the characteristics are determined by the impedance characteristics included.
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are packaged in one package.
  • the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further reduced.
  • the power consumption of the tracker module 1 power consumption when supplying the power supply voltage V1 to the power amplifier 61
  • the tracker component 3 is arranged adjacent to the low-pass filter 4 on the substrate 2.
  • the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further shortened, so that the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be further reduced. can.
  • the power consumption of the tracker module 1 power consumption when supplying the power supply voltage V1 to the power amplifier 61
  • the power consumption of the tracker module 1 power consumption when supplying the power supply voltage V1 to the power amplifier 61
  • the power amplifier connection terminal 24 overlaps with the low-pass filter 4 in a plan view from the thickness direction of the substrate 2 (second substrate).
  • the path between the low-pass filter 4 and the power amplifier connection terminal 24, that is, the path 82 between the low-pass filter 4 and the power amplifier 61 can be shortened, so that the path between the low-pass filter 4 and the power amplifier 61 can be shortened.
  • the parasitic resistance component generated in the path 82 can be reduced. By reducing the parasitic resistance component, the power consumption of the tracker module 1 (power consumption when supplying the power supply voltage V1 to the power amplifier 61) can be further reduced.
  • the low-pass filter 4 reduces the harmonic component of the power supply voltage V1. As a result, noise caused by the power supply voltage V1 can be reduced.
  • the high-frequency module 5a includes a tracker module 1a, a power amplifier circuit 6a, a filter 51, a switch 52, an input terminal 53, and an antenna terminal 54. ..
  • the tracker module 1a includes a tracker component 3a and a plurality of (two in the illustrated example) low-pass filters 41 and 42.
  • the tracker component 3a is configured to supply the power supply voltages V11 and V12 to the power amplifier 61a, similarly to the tracker component 3 of the first embodiment.
  • the tracker component 3a outputs the power supply voltage V11 to the low-pass filter 41 and outputs the power supply voltage V12 to the low-pass filter 42.
  • the power amplifier circuit 6a includes a power amplifier 61a and a control circuit 62a.
  • the power amplifier 61a shown in FIG. 6 has a plurality of (for example, two) transistors (amplifier elements), a plurality of (for example, two) bias circuits, a plurality of (for example, two) resistors, and input matching. It includes a circuit, an output matching circuit, and a matching circuit.
  • the plurality of transistors include a first transistor (not shown) and a second transistor (not shown).
  • the plurality of bias circuits include a first bias circuit (not shown) and a second bias circuit (not shown).
  • the plurality of resistors include a first resistor (not shown) and a second resistor (not shown).
  • a power supply voltage V11 is supplied to the first transistor (not shown).
  • a high frequency signal output from the input matching circuit is input to the base of the first transistor.
  • a first bias circuit is connected to the base of the first transistor via a first resistor, and a predetermined bias current is superimposed on the high frequency signal output from the input matching circuit.
  • a tracker module 1a is connected to the collector of the first transistor.
  • a power supply voltage V11 controlled according to the amplitude level of the high frequency signal is applied to the collector of the first transistor from the tracker module 1a. Further, the collector of the first transistor is connected to the second transistor (not shown) via a matching circuit (not shown).
  • a power supply voltage V12 is supplied to the second transistor (not shown).
  • a high frequency signal output from the matching circuit is input to the base of the second transistor.
  • a second bias circuit is connected to the base of the second transistor via a second resistor, and a predetermined bias voltage is superimposed on the high frequency signal output from the matching circuit.
  • a tracker module 1a is connected to the collector of the second transistor.
  • a power supply voltage V12 controlled according to the amplitude level of the high frequency signal is applied to the collector of the second transistor from the tracker module 1a. Further, the collector of the second transistor is connected to the filter 51 via an output matching circuit (not shown).
  • the first bias circuit (not shown) of the power amplifier 61a shown in FIG. 6 is a circuit for biasing the first transistor (not shown) to the operating point.
  • the second bias circuit (not shown) of the power amplifier 61a shown in FIG. 6 is a circuit for biasing the second transistor (not shown) to the operating point.
  • the second bias circuit (not shown) is connected to the base of the second transistor (not shown). More specifically, the second bias circuit has an output end connected between the output end of the matching circuit (not shown) and the base of the second transistor.
  • the second bias circuit is configured to supply a bias (bias current) to the base of the second transistor.
  • the matching circuit (not shown) of the power amplifier 61a is provided between the first transistor and the second transistor, and is a matching circuit for matching the output impedance of the first transistor and the input impedance of the second transistor. Is.
  • the matching circuit is composed of, for example, at least one of an inductor and a capacitor.
  • the control circuit 62a controls the power amplifier 61a as shown in FIG. More specifically, the control circuit 62a controls a plurality of bias circuits of the power amplifier 61a.
  • the tracker module 1b (high frequency module 5b) may have a configuration as shown in FIG. 7.
  • the tracker module 1b according to the second modification includes a tracker component 3b and a low-pass filter 4b.
  • the tracker component 3b outputs the power supply voltage V1 of the power amplifier 61b.
  • the low-pass filter 4b is connected to the output end of the tracker component 3b.
  • the first path length L3 of the path 81b between the tracker component 3b and the low-pass filter 4b is larger than the second path length L4 of the path 82b between the low-pass filter 4b and the power amplifier 61b. short.
  • the first path length L3 of the path 81b between the tracker component 3b and the low-pass filter 4b is from the second path length L4 of the path 82b between the low-pass filter 4b and the power amplifier 61. Is also short.
  • the parasitic resistance component generated in the path 81b between the tracker component 3b and the low-pass filter 4b can be reduced.
  • the power consumption of the tracker module 1b power consumption when the tracker module 1b supplies the power supply voltage V1 to the power amplifier 61
  • the relationship between the first path length L3 of the path 81b between the tracker component 3b and the low-pass filter 4b and the second path length L4 of the path 82b between the low-pass filter 4b and the power amplifier 61 is not limited to the above. ..
  • the first path length L3 of the path 81b between the tracker component 3b and the low-pass filter 4b may be longer than the second path length L4 of the path 82b between the low-pass filter 4b and the power amplifier 61.
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 may be separately configured in the tracker module 1.
  • the low-pass filter 4 is arranged on the substrate 2 with the tracker component 3 via at least one electronic component.
  • the low-pass filter 4 is not limited to the fact that two of the plurality of electronic components 401 to 404, the electronic components 401 and 402, are arranged adjacent to the tracker component 3. Only one of the plurality of electronic components 401 to 404 may be arranged adjacent to the tracker component 3, or three of the plurality of electronic components 401 to 404 may be arranged adjacent to each other. You may. Alternatively, all of the plurality of electronic components 401 to 404 may be arranged adjacent to the tracker component 3.
  • the low-pass filter 4 is not limited to being composed of a plurality of electronic components 401 to 404.
  • the low-pass filter 4 may be composed of one chip.
  • the power amplification circuit 6 may be configured as a power amplification module.
  • the power amplification module includes a tracker module 1 and a power amplifier 61.
  • the power amplifier 61 is driven by the power supply voltage V1 output from the tracker module 1 to amplify a high frequency signal.
  • the tracker component 3 and the low-pass filter 4 are arranged in the tracker module 1.
  • the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be shortened, so that the parasitic resistance component generated in the path 81 between the tracker component 3 and the low-pass filter 4 can be reduced.
  • the power consumption of the tracker module 1 power consumption when the tracker module 1 supplies the power supply voltage V1 to the power amplifier 61
  • the tracker module (1; 1a; 1b) includes a second substrate (board 2) separate from the first substrate, a tracker component (3; 3a; 3b), and a low-pass filter (4; 41). 42; 4b).
  • a power amplifier (61; 61a) is arranged on the first substrate.
  • the tracker component (3; 3a; 3b) supplies a power supply voltage (V1; V11; V12) to the power amplifier (61; 61a).
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is provided on the path between the output end of the tracker component (3; 3a; 3b) and the power amplifier (61; 61a).
  • the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) are arranged on the second substrate.
  • the parasitic resistance component generated in the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) can be reduced.
  • the power consumption of the tracker module (1; 1a; 1b) can be reduced.
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) has a power supply voltage (V1; It has a function of reducing the high frequency component of V11; V12), and is characterized by impedance characteristics including a path (81) between a tracker component (3; 3a; 3b) and a low-pass filter (4; 41; 42; 4b). Is decided.
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is stably independent of the positional relationship between the first substrate and the second substrate. 42; 4b) can be obtained.
  • the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) are packaged in one package. ing.
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is the tracker component (board 2) in the second substrate (board 2). It is arranged adjacent to 3; 3a; 3b).
  • the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b). Is further shortened, so that the parasitic resistance component generated in the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is further reduced. be able to.
  • the power consumption of the tracker module (1; 1a; 1b) can be further reduced.
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) has a plurality of electronic components (401 to 404). At least one of the plurality of electronic components (401 to 404) is arranged adjacent to the tracker component (3; 3a; 3b).
  • the second substrate (board 2) has the first main surface (21) facing each other and the first main surface (21) facing each other. It has a second main surface (22) and has a power amplifier connection terminal (24) for connecting to a power amplifier (61; 61a).
  • the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) are arranged on the first main surface (21) of the second substrate.
  • the power amplifier connection terminal (24) is arranged on the second main surface (22) of the second substrate, and is a low-pass filter (4; 41; 42; 4b) in a plan view from the thickness direction of the second substrate. It overlaps with.
  • the lowpass filter (4; 41; 42; 4b) and the power amplifier (61; 61a) can be shortened because the path (82; 82b) between the 42; 4b) and the power amplifier (61; 61a) can be shortened. It is possible to reduce the parasitic resistance component generated in the path (82; 82b) between and. By reducing the parasitic resistance component, the power consumption of the tracker module (1; 1a; 1b) can be further reduced.
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is composed of one chip. There is.
  • the tracker module (1; 1a; 1b) includes a tracker component (3; 3a; 3b) and a low-pass filter (4; 41; 42; 4b).
  • the tracker component (3; 3a; 3b) outputs the power supply voltage (V1; V11; V12) of the power amplifier (61; 61a).
  • the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) is connected to the output end of the tracker component (3; 3a; 3b).
  • the first path length (L1; L3) of the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 4a; 42; 4b) is the low-pass filter (4; 41; It is shorter than the second path length (L2; L4) of the path (82; 82b) between the 42; 4b) and the power amplifier (61; 61a).
  • the power amplification module according to the eighth aspect includes a tracker module (1; 1a; 1b) according to any one of the first to seventh aspects and a power amplifier (61; 61a).
  • the high frequency module (5) includes a tracker module (1; 1a; 1b), a power amplifier (61; 61a), and a transmission filter (filter 51) according to any one of the first to seventh aspects. And.
  • the transmission filter passes a high frequency signal amplified by the power amplifier (61; 61a).
  • Path (81; 81b) can be shortened so that the infestation that occurs in the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the lowpass filter (4; 41; 42; 4b).
  • the resistance component can be reduced. By reducing the parasitic resistance component, the power consumption of the tracker module (1; 1a; 1b) can be reduced.
  • the communication device (7) includes the high frequency module (5) of the ninth aspect and the signal processing circuit (72).
  • the signal processing circuit (72) outputs a high frequency signal to the high frequency module (5).
  • the communication device (7) according to the tenth aspect, in the tracker module (1; 1a; 1b), between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b).
  • Parasitism that occurs in the path (81; 81b) between the tracker component (3; 3a; 3b) and the low-pass filter (4; 41; 42; 4b) because the path (81; 81b) can be shortened.
  • the resistance component can be reduced. By reducing the parasitic resistance component, the power consumption of the tracker module (1; 1a; 1b) can be reduced.

Abstract

消費電力を低減させる。トラッカモジュール（１）は、第１基板と別体の第２基板と、トラッカ部品（３）と、ローパスフィルタ（４）とを備える。第１基板には、パワーアンプが配置されている。トラッカ部品（３）は、パワーアンプに電源電圧を供給する。ローパスフィルタ（４）は、トラッカ部品（３）の出力端とパワーアンプとの間の経路上に接続されている。トラッカ部品（３）及びローパスフィルタ（４）は、第２基板に配置されている。

Description

トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般にトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置に関する。本発明は、より詳細には、トラッカ部品を備えるトラッカモジュール、トラッカ部品を備える電力増幅モジュール、電力増幅モジュールを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　近年、エンベロープ・トラッキング方式（以下「ＥＴ方式」という）を用いた電力増幅回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。ＥＴ方式とは、高周波信号の包絡線の振幅に応じて増幅素子の電源電圧の振幅を変化させる高周波増幅技術である。より詳細には、ＥＴ方式とは、増幅素子のコレクタ電圧を出力電圧に応じて変化させることにより、電源電圧が固定である場合での動作時に生じる電力のロスを減らし、高効率化を実現する技術である。
　特許文献１に記載された電力増幅回路は、ベースに入力される信号を増幅してコレクタから出力するトランジスタを備え、高周波信号の包絡線の振幅に応じてトランジスタの電源電圧を変化させ、当該電源電圧をトランジスタに供給する。
国際公開第２００３／１７６１４７号
　ところで、特許文献１に記載された電力増幅回路では、トラッカ部品からの電源電圧の高調波成分を低減させるために、トラッカ部品とパワーアンプとの間の経路にローパスフィルタが接続されている。
　しかしながら、従来の電力増幅回路では、トラッカ部品とローパスフィルタとの間の経路に寄生抵抗が発生することによって、消費電力が高くなる傾向がある。
　本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、消費電力を低減させることができるトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係るトラッカモジュールは、第１基板と別体の第２基板と、トラッカ部品と、ローパスフィルタとを備える。前記第１基板には、パワーアンプが配置されている。前記トラッカ部品は、前記パワーアンプに電源電圧をする。前記ローパスフィルタは、前記トラッカ部品の出力端と前記パワーアンプとの間の経路上に接続されている。前記トラッカ部品及び前記ローパスフィルタは、前記第２基板に配置されている。
　本発明の一態様に係るトラッカモジュールは、トラッカ部品と、ローパスフィルタとを備える。前記トラッカ部品は、パワーアンプに電源電圧を出力する。前記ローパスフィルタは、前記トラッカ部品の出力端に接続されている。前記トラッカ部品と前記ローパスフィルタとの間の経路の第１経路長は、前記ローパスフィルタと前記パワーアンプとの間の経路の第２経路長よりも短い。
　本発明の一態様に係る電力増幅モジュールは、前記トラッカモジュールと、前記パワーアンプとを備える。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、前記トラッカモジュールと、前記パワーアンプと、送信フィルタとを備える。前記送信フィルタは、前記パワーアンプで増幅された高周波信号を通す。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに高周波信号を出力する。
　本発明の上記態様に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置によれば、トラッカモジュールの消費電力を低減させることができる。
図１は、実施形態に係るトラッカモジュールの平面図である。 図２は、同上のトラッカモジュールの透視図である。 図３は、実施形態に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置の構成を示す概念図である。 図４は、同上のトラッカモジュールの詳細を説明するための概念図である。 図５は、同上のトラッカモジュールのローパスフィルタの特性を示すグラフである。 図６は、実施形態の変形例１に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置の構成を示す概念図である。 図７は、実施形態の変形例２に係る電力増幅モジュールの構成を示す概念図である。
　以下、実施形態に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さ並びにそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　（１）トラッカモジュール
　実施形態に係るトラッカモジュール１の構成について、図面を参照して説明する。
　実施形態に係るトラッカモジュール１は、図１及び図２に示すように、基板２と、トラッカ部品３と、ローパスフィルタ４と、複数（図示例では１６個）の外部接続端子２３とを備える。トラッカモジュール１は、例えば高周波モジュール５が搭載された端末等の通信装置７（図３参照）バッテリ（図示せず）に接続されており、トラッカモジュール１には、バッテリからバッテリ電圧Ｖ２（図３参照）が供給される。
　（２）高周波モジュール
　次に、トラッカモジュール１を用いた高周波モジュール５について、図面を参照して説明する。
　高周波モジュール５は、図３に示すように、トラッカモジュール１と、電力増幅回路６と、フィルタ５１と、スイッチ５２と、入力端子５３と、アンテナ端子５４とを備える。高周波モジュール５から出力される高周波信号は、後述のアンテナ７１を介して基地局（図示せず）に送信される。高周波モジュール５は、後述の通信装置７等に用いられる。
　（３）通信装置
　次に、高周波モジュール５を用いた通信装置７について、図面を参照して説明する。
　通信装置７は、図３に示すように、高周波モジュール５と、アンテナ７１と、信号処理回路７２とを備える。
　ここで、高周波信号を増幅する際に、エンベロープ・トラッキング方式（以下「ＥＴ方式」という）が用いられる。ＥＴ方式には、アナログ・エンベロープ・トラッキング方式（以下「アナログＥＴ方式」という）と、デジタル・エンベロープ・トラッキング方式（以下「デジタルＥＴ方式」という）とがある。
　アナログＥＴ方式は、増幅素子に入力される高周波信号の振幅の包絡線（エンベロープ）を連続的に検出し、上記エンベロープに応じて、増幅素子の電源電圧の振幅レベルを変化させる方式である。アナログＥＴ方式では、エンベロープを連続的に検出するため、電源電圧の振幅レベルは連続的に変化する。
　デジタルＥＴ方式は、増幅素子に入力される高周波信号の振幅の包絡線（エンベロープ）を離散的に検出し、上記エンベロープに応じて、増幅素子の電源電圧の振幅レベルを変化させる方式である。デジタルＥＴ方式では、高周波信号の振幅レベルを連続的ではなく一定の間隔で検出し、検出した振幅レベルを量子化する。デジタルＥＴ方式では、エンベロープを離散的に検出するため、電源電圧の振幅レベルは離散的に変化する（図２参照）。
　（４）トラッカモジュールの各構成要素
　以下、実施形態に係るトラッカモジュール１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（４．１）基板
　図１に示す基板２は、パワーアンプ６１（図３参照）が配置されている第１基板と別体の基板である。基板２は、図１及び図２に示すように、第１主面２１と、第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、基板２の厚さ方向において互いに対向する。
　また、基板２の第２主面２２には、複数（図示例では１６個）の外部接続端子２３が配置されている。複数の外部接続端子２３は、パワーアンプ６１（図３参照）に接続するためのパワーアンプ接続端子２４（出力端子）を含む。
　（４．２）トラッカ部品
　トラッカ部品３は、図３に示すように、パワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給するように構成されている。より詳細には、トラッカ部品３は、高周波信号の変調信号から取り出したエンベロープに応じたレベルの電源電圧Ｖ１を生成し、電源電圧Ｖ１を電力増幅回路６に供給する。
　トラッカ部品３は、電源制御信号が入力される入力端子（図示せず）と、電源電圧Ｖ１を出力する出力端子（図示せず）とを備える。入力端子は、信号処理回路７２に接続されており、信号処理回路７２から電源制御信号が入力される。トラッカ部品３は、入力端子に入力される電源制御信号に基づいて電源電圧Ｖ１を生成する。この際に、トラッカ部品３は、信号処理回路７２からの電源制御信号に基づいて電源電圧Ｖ１の振幅を変化させる。言い換えると、トラッカ部品３は、信号処理回路７２から出力される高周波信号の振幅の包絡線（エンベロープ）に応じて変動する電源電圧Ｖ１を生成するエンベロープ・トラッキング回路である。トラッカ部品３は、例えば、ＤＣ－ＤＣコンバータにより構成されており、Ｉ相信号及びＱ相信号から高周波信号の振幅レベルを検出し、検出した振幅レベルを用いて電源電圧Ｖ１を生成する。
　（４．３）ローパスフィルタ
　ローパスフィルタ４は、図３に示すように、トラッカ部品３の出力端子とパワーアンプ６１との間の経路上に設けられている。ローパスフィルタ４は、図１に示すように、複数（図示例では４つ）の電子部品４０１～４０４を有する。ローパスフィルタ４は、例えば、インダクタとキャパシタとを主構成要素とするフィルタいわゆるＬＣフィルタである。
　実施形態のローパスフィルタ４は、電源電圧Ｖ１の高調波成分を低減させる。これにより、電源電圧Ｖ１に起因するノイズを低減させることができる。
　（４．４）トラッカ部品、ローパスフィルタ及びパワーアンプ接続端子の配置関係
　上述したトラッカモジュール１において、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４は、図１に示すように、基板２に配置されている。より詳細には、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４は、基板２の第１主面２１に配置されている。図１の例では、複数の電子部品４０１～４０４は、基板２に配置されている。より詳細には、複数の電子部品４０１～４０４は、基板２の第１主面２１に配置されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１（図４参照）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。
　ところで、実施形態では、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４は、ワンパッケージ化されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。
　また、実施形態では、トラッカ部品３は、基板２において、ローパスフィルタ４と隣接して配置されている。より詳細には、複数の電子部品４０１～４０４のうち２つの電子部品４０１，４０２がトラッカ部品３と隣接して配置されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１を更に短くすることができるので、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。
　パワーアンプ接続端子２４は、基板２の第２主面２２に配置されており、基板２の厚さ方向からの平面視において、ローパスフィルタ４と重なっている。図２の例では、パワーアンプ接続端子２４は、電子部品４０４と重なっている。これにより、ローパスフィルタ４とパワーアンプ接続端子２４との間の経路すなわちローパスフィルタ４とパワーアンプ６１（図３参照）との間の経路８２（図４参照）を短くすることができるので、ローパスフィルタ４とパワーアンプ６１との間の経路８２に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。
　（５）高周波モジュールの各構成要素
　以下、実施形態に係る高周波モジュール５の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（５．１）電力増幅回路
　電力増幅回路６は、図３に示すように、パワーアンプ６１と、制御回路６２とを備える。
　電力増幅回路６は、後述のＲＦ信号処理回路７５から出力される高周波信号（ＲＦ信号）の電力を、基地局（図示せず）に送信するために必要なレベルまで増幅し、増幅した高周波信号を出力する増幅回路である。
　（５．１．１）パワーアンプ
　図３に示すパワーアンプ６１は、図示しないが、トランジスタ（増幅素子）と、バイアス回路と、抵抗と、入力整合回路と、出力整合回路とを備える。
　（５．１．２）トランジスタ
　図３に示すパワーアンプ６１のトランジスタ（図示せず）は、例えばＮＰＮトランジスタであり、電源電圧Ｖ１が供給されて高周波信号を増幅する増幅素子である。トランジスタは、ＲＦ信号処理回路７５から出力される高周波信号を増幅する。トランジスタのベースは、入力整合回路（図示せず）の出力端に接続されている。なお、トランジスタのベースは、キャパシタ（図示せず）を介して入力整合回路の出力端に電気的に接続されていてもよい。トランジスタのコレクタは、トラッカモジュール１のローパスフィルタ４に電気的に接続されている。トランジスタのエミッタは、グランド電位である。
　パワーアンプ６１のトランジスタには、電源電圧Ｖ１が供給される。トランジスタのベースには、入力整合回路から出力される高周波信号が入力される。また、トランジスタのベースには、抵抗（図示せず）を介してバイアス回路（図示せず）が接続されており、入力整合回路から出力された高周波信号に所定のバイアス電流が重畳される。トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１が接続されている。トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１から、高周波信号の振幅レベルに応じて制御される電源電圧Ｖ１が印加される。また、トランジスタのコレクタは、出力整合回路（図示せず）を介してフィルタ５１に接続されている。
　ここで、上述したように、ＥＴ方式が用いられているので、電源電圧Ｖ１の振幅レベルは、高周波信号の振幅の変化に基づいて変化する。
　（５．１．３）バイアス回路
　図３に示すパワーアンプ６１のバイアス回路（図示せず）は、パワーアンプ６１のトランジスタ（図示せず）を動作点にバイアスするための回路である。バイアス回路は、例えば、ＨＢＴ等のトランジスタで構成されている。
　バイアス回路は、高周波信号を増幅するトランジスタのベースに接続されている。より詳細には、バイアス回路は、入力整合回路（図示せず）の出力端とトランジスタのベースとの間に接続されている出力端を有する。そして、バイアス回路は、トランジスタのベースにバイアス（バイアス電流）を供給するように構成されている。
　図示を省略するが、バイアス回路を構成するトランジスタのコレクタには、例えば高周波モジュール５が搭載された通信装置７等のバッテリから供給されるバッテリ電圧が印加される。バイアス回路を構成するトランジスタのエミッタは、高周波信号を増幅するトランジスタのベースに接続されている。なお、バイアス回路は、上述した構成に限定されず、高周波信号を増幅するトランジスタを動作点にバイアスする回路であれば他の構成であってもよい。
　（５．１．４）入力整合回路
　図３に示すパワーアンプ６１の入力整合回路（図示せず）は、トランジスタの入力側に接続されており、トランジスタの入力側の回路（例えばＲＦ信号処理回路７５）の出力インピーダンスとトランジスタの入力インピーダンスとを整合させるための整合回路である。入力整合回路は、例えば、インダクタ及びキャパシタのうちの少なくとも１つで構成されている。
　（５．１．５）出力整合回路
　図３に示すパワーアンプ６１の出力整合回路（図示せず）は、トランジスタの出力側に接続されており、トランジスタの出力インピーダンスとトランジスタの出力側の回路（例えばフィルタ５１）の入力インピーダンスとを整合させるための整合回路である。出力整合回路は、例えば、インダクタ及びキャパシタのうちの少なくとも１つで構成されている。
　（５．１．６）制御回路
　制御回路６２は、図３に示すように、パワーアンプ６１を制御する。より詳細には、制御回路６２は、パワーアンプ６１のバイアス回路を制御する。
　（５．２）フィルタ
　フィルタ５１は、図３に示すように、高周波信号を通過させる通信バンドの送信フィルタである。フィルタ５１は、送信経路のうち電力増幅回路６とアンテナ端子５４との間の経路に設けられている。より詳細には、フィルタ５１は、電力増幅回路６とスイッチ５２との間の経路に設けられている。フィルタ５１は、電力増幅回路６で電力が増幅されて電力増幅回路６から出力される高周波信号を通す。送信経路は、高周波信号をアンテナ７１から送信するために、入力端子５３とアンテナ端子５４とを結ぶ経路である。
　なお、フィルタ５１は、送信フィルタであることに限定されず、送信フィルタと受信フィルタとの両方を含むデュプレクサであってもよいし、３つ以上のフィルタを含むマルチプレクサであってもよい。
　（５．３）スイッチ
　スイッチ５２は、図３に示すように、アンテナ端子５４に接続させる経路を切り替えるスイッチである。言い換えると、スイッチ５２は、フィルタ５１を含む複数のフィルタの中からアンテナ端子５４に接続されるフィルタを切り替えるスイッチである。
　スイッチ５２は、共通端子５２１と、複数（図示例では２つ）の選択端子５２２，５２３とを有する。共通端子５２１は、アンテナ端子５４に接続されている。選択端子５２２は、フィルタ５１に接続されている。選択端子５２３は、フィルタ５１とは異なる他のフィルタ（図示せず）に接続されている。
　スイッチ５２は、例えば、共通端子５２１に複数の選択端子５２２，５２３のうちのいずれか１つを接続可能なスイッチである。スイッチ５２は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。スイッチ５２は、例えば、後述の信号処理回路７２によって制御される。スイッチ５２は、信号処理回路７２のＲＦ信号処理回路７５からの制御信号に従って、共通端子５２１と複数の選択端子５２２，５２３との接続状態を切り替える。なお、スイッチ５２は、共通端子５２１に複数の選択端子５２２，５２３を同時に接続可能なスイッチであってもよい。この場合、スイッチ５２は、一対多の接続が可能なスイッチである。
　（５．４）アンテナ端子
　アンテナ端子５４は、図３に示すように、後述のアンテナ７１が接続される端子である。高周波モジュール５からの高周波信号は、アンテナ端子５４を介して、アンテナ７１に出力される。また、図示しないが、アンテナ７１からの高周波信号は、アンテナ端子５４を介して、高周波モジュール５に出力される。
　（６）通信装置の各構成要素
　以下、実施形態に係る通信装置７の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（６．１）アンテナ
　アンテナ７１は、図３に示すように、高周波モジュール５のアンテナ端子５４に接続されている。アンテナ７１は、高周波モジュール５から出力された高周波信号（送信信号）を電波にて放射する放射機能と、高周波信号（受信信号）を電波として外部から受信して高周波モジュール５へ出力する受信機能とを有する。
　（６．２）信号処理回路
　信号処理回路７２は、図３に示すように、ベースバンド信号処理回路７４と、ＲＦ信号処理回路７５とを備える。信号処理回路７２は、高周波モジュール５に高周波信号を出力する。
　ベースバンド信号処理回路７４は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。高周波信号の周波数は、例えば、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度である。
　ベースバンド信号処理回路７４は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路７４は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路７４から出力される変調信号は、ＩＱ信号として出力される。ＩＱ信号とは、振幅及び位相をＩＱ平面上で表した信号である。ＩＱ信号の周波数は、例えば、数ＭＨｚから数１０ＭＨｚ程度である。
　ＲＦ信号処理回路７５は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路７５は、例えば、ベースバンド信号処理回路７４から出力される変調信号（ＩＱ信号）に対して所定の信号処理を行う。より詳細には、ＲＦ信号処理回路７５は、ベースバンド信号処理回路７４から出力される変調信号に対してアップコンバートなどの信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を電力増幅回路６へ出力する。なお、ＲＦ信号処理回路７５は、変調信号から高周波信号へのダイレクトコンバージョンを行うことに限定されない。ＲＦ信号処理回路７５は、変調信号を中間周波数（Intermediate Frequency：ＩＦ）信号に変換し、変換されたＩＦ信号から高周波信号が生成されるようにしてもよい。
　信号処理回路７２は、トラッカモジュール１のトラッカ部品３に電源制御信号を出力する。電源制御信号は、高周波信号の振幅の変化に関する情報を含む信号であり、電源電圧Ｖ１の振幅を変化させるために信号処理回路７２からトラッカモジュール１に出力される。電源制御信号は、例えば、Ｉ相信号及びＱ相信号である。
　（７）トラッカモジュールの動作
　次に、実施形態に係るトラッカモジュール１の動作について、図面を参照して説明する。
　図４に示すように、トラッカ部品３が電源電圧Ｖ１を出力する。トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１の第１経路長Ｌ１が短いので、経路８１に発生する寄生抵抗成分、寄生容量成分及びインダクタンス成分の大きさを低減させることができる。
　ローパスフィルタ４は、トラッカ部品３からの電源電圧Ｖ１を通す。ローパスフィルタ４は電源電圧Ｖ１の高調波成分を低減させる。すなわち、ローパスフィルタ４は、電源電圧Ｖ１の高調波成分をカットし、電源電圧Ｖ１の基本波成分を通す。
　その後、パワーアンプ６１には、ローパスフィルタ４を通った電源電圧Ｖ１が印加される。このとき、ローパスフィルタ４とパワーアンプ６１との間の経路８２の第２経路長Ｌ２が短いので、経路８２に発生する寄生抵抗成分、寄生容量成分及びインダクタンス成分の大きさを低減させることができる。
　上記のように、経路８１，８２に発生する寄生容量成分及びインダクタンス成分を低減させることによって、図５に示すように、ローパスフィルタ４では、減衰極において急峻な減衰が得られる（図５の特性Ａ１）。一方、上記経路が長い場合、寄生容量成分及びインダクタンス成分が大きいため、ローパスフィルタ４では、減衰極での減衰が１０ｄＢ程度劣化する（図５の特性Ａ２）。
　（８）効果
　実施形態に係るトラッカモジュール１では、パワーアンプ６１が配置されている第１基板と別体の基板２（第２基板）に、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４が配置されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１を短くすることができるので、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール１の消費電力を低減させることができる。すなわち、トラッカモジュール１がパワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力を低減させることができる。
　また、実施形態に係るトラッカモジュール１において、ローパスフィルタ４は、トラッカ部品３から出力される電源電圧の高周波成分を低減させる機能を有し、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１を含むインピーダンス特性によって特性が決まる。ローパスフィルタ４が基板２（第２基板）に配置されることで、第１基板と第２基板の位置関係に依存せずに安定してローパスフィルタ４の効果を得ることができる。
　実施形態に係るトラッカモジュール１では、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４がワンパッケージ化されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。上記寄生抵抗成分を更に低減させることによって、トラッカモジュール１の消費電力（パワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力）を更に低減させることができる。
　実施形態に係るトラッカモジュール１では、基板２において、トラッカ部品３がローパスフィルタ４と隣接して配置されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１を更に短くすることができるので、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。上記寄生抵抗成分を更に低減させることによって、トラッカモジュール１の消費電力（パワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力）を更に低減させることができる。
　実施形態に係るトラッカモジュール１では、基板２（第２基板）の厚さ方向からの平面視において、パワーアンプ接続端子２４がローパスフィルタ４と重なっている。これにより、ローパスフィルタ４とパワーアンプ接続端子２４との間の経路すなわちローパスフィルタ４とパワーアンプ６１との間の経路８２を短くすることができるので、ローパスフィルタ４とパワーアンプ６１との間の経路８２に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール１の消費電力（パワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力）を更に低減させることができる。
　実施形態に係るトラッカモジュール１では、ローパスフィルタ４が電源電圧Ｖ１の高調波成分を低減させる。これにより、電源電圧Ｖ１に起因するノイズを低減させることができる。
　（変形例）
　以下、実施形態の変形例について説明する。
　（１）変形例１
　実施形態の変形例１に係る高周波モジュール５ａは、図６に示すように、トラッカモジュール１ａと、電力増幅回路６ａと、フィルタ５１と、スイッチ５２と、入力端子５３と、アンテナ端子５４とを備える。
　トラッカモジュール１ａは、図６に示すように、トラッカ部品３ａと、複数（図示例では２つ）のローパスフィルタ４１，４２とを備える。
　トラッカ部品３ａは、実施形態１のトラッカ部品３と同様、パワーアンプ６１ａに電源電圧Ｖ１１，Ｖ１２を供給するように構成されている。トラッカ部品３ａは、電源電圧Ｖ１１をローパスフィルタ４１に出力し、電源電圧Ｖ１２をローパスフィルタ４２に出力する。
　電力増幅回路６ａは、図６に示すように、パワーアンプ６１ａと、制御回路６２ａとを備える。
　図６に示すパワーアンプ６１ａは、図示しないが、複数（例えば２つ）のトランジスタ（増幅素子）と、複数（例えば２つ）のバイアス回路と、複数（例えば２つ）の抵抗と、入力整合回路と、出力整合回路と、整合回路とを備える。複数のトランジスタは、第１トランジスタ（図示せず）と、第２トランジスタ（図示せず）とを含む。複数のバイアス回路は、第１バイアス回路（図示せず）と、第２バイアス回路（図示せず）とを含む。複数の抵抗は、第１抵抗（図示せず）と、第２抵抗（図示せず）とを含む。
　第１トランジスタ（図示せず）には、電源電圧Ｖ１１が供給される。第１トランジスタのベースには、入力整合回路から出力される高周波信号が入力される。また、第１トランジスタのベースには、第１抵抗を介して第１バイアス回路が接続されており、入力整合回路から出力された高周波信号に所定のバイアス電流が重畳される。第１トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１ａが接続されている。第１トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１ａから、高周波信号の振幅レベルに応じて制御される電源電圧Ｖ１１が印加される。また、第１トランジスタのコレクタは、整合回路（図示せず）を介して第２トランジスタ（図示せず）に接続されている。
　第２トランジスタ（図示せず）には、電源電圧Ｖ１２が供給される。第２トランジスタのベースには、整合回路から出力される高周波信号が入力される。また、第２トランジスタのベースには、第２抵抗を介して第２バイアス回路が接続されており、整合回路から出力された高周波信号に所定のバイアス電圧が重畳される。第２トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１ａが接続されている。第２トランジスタのコレクタには、トラッカモジュール１ａから、高周波信号の振幅レベルに応じて制御される電源電圧Ｖ１２が印加される。また、第２トランジスタのコレクタは、出力整合回路（図示せず）を介してフィルタ５１に接続されている。
　図６に示すパワーアンプ６１ａの第１バイアス回路（図示せず）は、第１トランジスタ（図示せず）を動作点にバイアスするための回路である。図６に示すパワーアンプ６１ａの第２バイアス回路（図示せず）は、第２トランジスタ（図示せず）を動作点にバイアスするための回路である。
　第２バイアス回路（図示せず）は、第２トランジスタ（図示せず）のベースに接続されている。より詳細には、第２バイアス回路は、整合回路（図示せず）の出力端と第２トランジスタのベースとの間に接続されている出力端を有する。そして、第２バイアス回路は、第２トランジスタのベースにバイアス（バイアス電流）を供給するように構成されている。
　パワーアンプ６１ａの整合回路（図示せず）は、第１トランジスタと第２トランジスタとの間に設けられており、第１トランジスタの出力インピーダンスと第２トランジスタの入力インピーダンスとを整合させるための整合回路である。整合回路は、例えば、インダクタ及びキャパシタのうちの少なくとも１つで構成されている。
　制御回路６２ａは、図６に示すように、パワーアンプ６１ａを制御する。より詳細には、制御回路６２ａは、パワーアンプ６１ａの複数のバイアス回路を制御する。
　（２）変形例２
　実施形態の変形例２として、トラッカモジュール１ｂ（高周波モジュール５ｂ）は、図７に示すような構成であってもよい。変形例２に係るトラッカモジュール１ｂは、トラッカ部品３ｂと、ローパスフィルタ４ｂとを備える。トラッカ部品３ｂは、パワーアンプ６１ｂの電源電圧Ｖ１を出力する。ローパスフィルタ４ｂは、トラッカ部品３ｂの出力端に接続されている。
　基板５５の主面５５１において、トラッカ部品３ｂとローパスフィルタ４ｂとの間の経路８１ｂの第１経路長Ｌ３は、ローパスフィルタ４ｂとパワーアンプ６１ｂとの間の経路８２ｂの第２経路長Ｌ４よりも短い。
　変形例２に係るトラッカモジュール１ｂでは、トラッカ部品３ｂとローパスフィルタ４ｂとの間の経路８１ｂの第１経路長Ｌ３がローパスフィルタ４ｂとパワーアンプ６１との間の経路８２ｂの第２経路長Ｌ４よりも短い。これにより、トラッカ部品３ｂとローパスフィルタ４ｂとの間の経路８１ｂに発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール１ｂの消費電力（トラッカモジュール１ｂがパワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力）を低減させることができる。
　なお、トラッカ部品３ｂとローパスフィルタ４ｂとの間の経路８１ｂの第１経路長Ｌ３とローパスフィルタ４ｂとパワーアンプ６１との間の経路８２ｂの第２経路長Ｌ４との関係は、上記に限定されない。トラッカ部品３ｂとローパスフィルタ４ｂとの間の経路８１ｂの第１経路長Ｌ３は、ローパスフィルタ４ｂとパワーアンプ６１との間の経路８２ｂの第２経路長Ｌ４よりも長くてもよい。
　（３）他の変形例
　実施形態の変形例として、トラッカモジュール１において、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４は、別体に構成されていてもよい。
　実施形態の他の変形例として、トラッカモジュール１において、ローパスフィルタ４は、基板２において、トラッカ部品３との間に少なくとも１つの電子部品を介して配置されている。
　なお、ローパスフィルタ４では、複数の電子部品４０１～４０４のうち２つの電子部品４０１，４０２がトラッカ部品３と隣接して配置されていることに限定されない。複数の電子部品４０１～４０４のうち１つの電子部品のみがトラッカ部品３と隣接して配置されていてもよいし、複数の電子部品４０１～４０４のうち３つの電子部品が隣接して配置されていてもよい。あるいは、複数の電子部品４０１～４０４のすべてがトラッカ部品３と隣接して配置されていてもよい。
　なお、ローパスフィルタ４は、複数の電子部品４０１～４０４で構成されていることに限定されない。ローパスフィルタ４は、１つのチップで構成されていてもよい。
　電力増幅回路６は、電力増幅モジュールとして構成されてもよい。電力増幅モジュールは、トラッカモジュール１と、パワーアンプ６１とを備える。パワーアンプ６１は、トラッカモジュール１から出力される電源電圧Ｖ１によって駆動して高周波信号を増幅する。
　本変形例に係る電力増幅モジュールでは、トラッカモジュール１において、トラッカ部品３及びローパスフィルタ４が配置されている。これにより、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１を短くすることができるので、トラッカ部品３とローパスフィルタ４との間の経路８１に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール１の消費電力（トラッカモジュール１がパワーアンプ６１に電源電圧Ｖ１を供給する際の消費電力）を低減させることができる。
　以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）は、第１基板と別体の第２基板（基板２）と、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）と、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とを備える。第１基板には、パワーアンプ（６１；６１ａ）が配置されている。トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）は、パワーアンプ（６１；６１ａ）に電源電圧（Ｖ１；Ｖ１１；Ｖ１２）を供給する。ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）の出力端とパワーアンプ（６１；６１ａ）との間の経路上に設けられている。トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）及びローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、第２基板に配置されている。
　第１の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）を短くすることができるので、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を低減させることができる。
　また、第１の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）において、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）から出力される電源電圧（Ｖ１；Ｖ１１；Ｖ１２）の高周波成分を低減させる機能を有し、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１）を含むインピーダンス特性によって特性が決まる。ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）が第２基板（基板２）に配置されることで、第１基板と第２基板の位置関係に依存せずに安定してローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）の効果を得ることができる。
　第２の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１の態様において、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）及びローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、ワンパッケージ化されている。
　第２の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。上記寄生抵抗成分を更に低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を更に低減させることができる。
　第３の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１又は２の態様において、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、第２基板（基板２）において、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）と隣接して配置されている。
　第３の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）を更に短くすることができるので、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を更に低減させることができる。上記寄生抵抗成分を更に低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を更に低減させることができる。
　第４の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第３の態様において、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、複数の電子部品（４０１～４０４）を有する。複数の電子部品（４０１～４０４）の少なくとも１つがトラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）と隣接して配置されている。
　第５の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、第２基板（基板２）は、互いに対向する第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有し、かつ、パワーアンプ（６１；６１ａ）に接続するためのパワーアンプ接続端子（２４）を有する。トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）及びローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、第２基板の第１主面（２１）に配置されている。パワーアンプ接続端子（２４）は、第２基板の第２主面（２２）に配置されており、第２基板の厚さ方向からの平面視において、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）と重なっている。
　第５の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とパワーアンプ接続端子（２４）との間の経路すなわちローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とパワーアンプ（６１；６１ａ）との間の経路（８２；８２ｂ）を短くすることができるので、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とパワーアンプ（６１；６１ａ）との間の経路（８２；８２ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を更に低減させることができる。
　第６の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１～５の態様のいずれか１つにおいて、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、１つのチップで構成されている。
　第７の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）は、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）と、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とを備える。トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）は、パワーアンプ（６１；６１ａ）の電源電圧（Ｖ１；Ｖ１１；Ｖ１２）を出力する。ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）は、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）の出力端に接続されている。トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４ａ；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）の第１経路長（Ｌ１；Ｌ３）は、ローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）とパワーアンプ（６１；６１ａ）との間の経路（８２；８２ｂ）の第２経路長（Ｌ２；Ｌ４）よりも短い。
　第７の態様に係るトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）によれば、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を低減させることができる。
　第８の態様に係る電力増幅モジュールは、第１～７の態様のいずれか１つのトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）と、パワーアンプ（６１；６１ａ）とを備える。
　第８の態様に係る電力増幅モジュールによれば、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）において、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）を短くすることができるので、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を低減させることができる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（５）は、第１～７の態様のいずれか１つのトラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）と、パワーアンプ（６１；６１ａ）と、送信フィルタ（フィルタ５１）とを備える。送信フィルタは、パワーアンプ（６１；６１ａ）で増幅された高周波信号を通す。
　第９の態様に係る高周波モジュール（５）によれば、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）において、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）を短くすることができるので、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を低減させることができる。
　第１０の態様に係る通信装置（７）は、第９の態様の高周波モジュール（５）と、信号処理回路（７２）とを備える。信号処理回路（７２）は、高周波モジュール（５）に高周波信号を出力する。
　第１０の態様に係る通信装置（７）によれば、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）において、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）を短くすることができるので、トラッカ部品（３；３ａ；３ｂ）とローパスフィルタ（４；４１；４２；４ｂ）との間の経路（８１；８１ｂ）に発生する寄生抵抗成分を低減させることができる。上記寄生抵抗成分を低減させることによって、トラッカモジュール（１；１ａ；１ｂ）の消費電力を低減させることができる。
　１，１ａ，１ｂ　トラッカモジュール
　２　基板（第２基板）
　２１　第１主面
　２２　第２主面
　２３　外部接続端子
　２４　パワーアンプ接続端子
　３，３ａ，３ｂ　トラッカ部品
　４，４１，４２，４ｂ　ローパスフィルタ
　４０１～４０４　電子部品
　５，５ａ，５ｂ　高周波モジュール
　５１　フィルタ
　５２　スイッチ
　５２１　共通端子
　５２２，５２３　選択端子
　５３　入力端子
　５４　アンテナ端子
　５５　基板
　５５１　主面
　６，６ａ　電力増幅回路
　６１，６１ａ，６１ｂ　パワーアンプ
　６２，６２ａ　制御回路
　７　通信装置
　７１　アンテナ
　７２　信号処理回路
　７４　ベースバンド信号処理回路
　７５　ＲＦ信号処理回路
　８１，８１ｂ　経路
　８２，８２ｂ　経路
　Ｌ１，Ｌ３　第１経路長
　Ｌ２，Ｌ４　第２経路長
　Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ１２　電源電圧
　Ｖ２　バッテリ電圧
　Ａ１，Ａ２　特性

Claims (10)

  1. 　パワーアンプが配置されている第１基板と別体の第２基板と、
    　前記パワーアンプに電源電圧を供給するトラッカ部品と、
    　前記トラッカ部品の出力端と前記パワーアンプとの間の経路上に設けられているローパスフィルタと、を備え、
    　前記トラッカ部品及び前記ローパスフィルタは、前記第２基板に配置されている、
    　トラッカモジュール。
  2. 　前記トラッカ部品及び前記ローパスフィルタは、ワンパッケージ化されている、
    　請求項１に記載のトラッカモジュール。
  3. 　前記ローパスフィルタは、前記第２基板において、前記トラッカ部品と隣接して配置されている、
    　請求項１又は２に記載のトラッカモジュール。
  4. 　前記ローパスフィルタは、複数の電子部品を有し、
    　前記複数の電子部品の少なくとも１つが前記トラッカ部品と隣接して配置されている、
    　請求項３に記載のトラッカモジュール。
  5. 　前記第２基板は、
    　　互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、かつ、
    　　前記パワーアンプに接続するためのパワーアンプ接続端子を有し、
    　前記トラッカ部品及び前記ローパスフィルタは、前記第２基板の前記第１主面に配置されており、
    　前記パワーアンプ接続端子は、前記第２基板の前記第２主面に配置されており、前記第２基板の厚さ方向からの平面視において、前記ローパスフィルタと重なっている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載のトラッカモジュール。
  6. 　前記ローパスフィルタは、１つのチップで構成されている、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載のトラッカモジュール。
  7. 　パワーアンプの電源電圧を出力するトラッカ部品と、
    　前記トラッカ部品の出力端に接続されているローパスフィルタと、を備え、
    　前記トラッカ部品と前記ローパスフィルタとの間の経路の第１経路長は、前記ローパスフィルタと前記パワーアンプとの間の経路の第２経路長よりも短い、
    　トラッカモジュール。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載のトラッカモジュールと、
    　前記パワーアンプと、を備える、
    　電力増幅モジュール。
  9. 　請求項１～７のいずれか１項に記載のトラッカモジュールと、
    　前記パワーアンプと、
    　前記パワーアンプで増幅された高周波信号を通す送信フィルタと、を備える、
    　高周波モジュール。
  10. 　請求項９に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールに高周波信号を出力する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
PCT/JP2021/019521 2020-05-25 2021-05-24 トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置 WO2021241474A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180037512.3A CN115668759A (zh) 2020-05-25 2021-05-24 追踪器模块、功率放大模块、高频模块以及通信装置
KR1020227040383A KR20230006509A (ko) 2020-05-25 2021-05-24 트래커 모듈, 전력 증폭 모듈, 고주파 모듈 및 통신 장치
DE112021002963.0T DE112021002963T5 (de) 2020-05-25 2021-05-24 Tracker-modul, leistungsverstärkermodul, hochfrequenzmodul und kommunikationsvorrichtung
US18/055,957 US20230075733A1 (en) 2020-05-25 2022-11-16 Tracker module, power amplifier module, radio frequency module, and communication device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020090955 2020-05-25
JP2020-090955 2020-05-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/055,957 Continuation US20230075733A1 (en) 2020-05-25 2022-11-16 Tracker module, power amplifier module, radio frequency module, and communication device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021241474A1 true WO2021241474A1 (ja) 2021-12-02

Family

ID=78744768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/019521 WO2021241474A1 (ja) 2020-05-25 2021-05-24 トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230075733A1 (ja)
KR (1) KR20230006509A (ja)
CN (1) CN115668759A (ja)
DE (1) DE112021002963T5 (ja)
WO (1) WO2021241474A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023153458A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 株式会社村田製作所 トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028218A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Murata Mfg Co Ltd 多層プリント基板
JP2009182277A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tdk Corp 高周波モジュール
JP2010278704A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP2011120142A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅装置
WO2012046668A1 (ja) * 2010-10-05 2012-04-12 日本電気株式会社 電力増幅器、高周波電力増幅装置、および増幅制御方法
JP2014505449A (ja) * 2011-02-07 2014-02-27 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド 包絡線トラッキング較正のための装置および方法
JP2016032301A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 低周波損失補正回路、電力増幅器モジュールおよび無線装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1284568A1 (de) 2001-08-17 2003-02-19 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Datenverarbeitungsvorrichtung zum Übertragen von Daten über verschiedene Schittstellen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028218A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Murata Mfg Co Ltd 多層プリント基板
JP2009182277A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tdk Corp 高周波モジュール
JP2010278704A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP2011120142A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅装置
WO2012046668A1 (ja) * 2010-10-05 2012-04-12 日本電気株式会社 電力増幅器、高周波電力増幅装置、および増幅制御方法
JP2014505449A (ja) * 2011-02-07 2014-02-27 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド 包絡線トラッキング較正のための装置および方法
JP2016032301A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 低周波損失補正回路、電力増幅器モジュールおよび無線装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023153458A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 株式会社村田製作所 トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE112021002963T5 (de) 2023-03-16
CN115668759A (zh) 2023-01-31
KR20230006509A (ko) 2023-01-10
US20230075733A1 (en) 2023-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11309925B2 (en) Radio-frequency module, transmission power amplifier, and communication apparatus
US10418951B2 (en) Combined output matching network and filter for power amplifier with concurrent functionality
CN104011998B (zh) 用于功率放大器的装置和方法
KR102448318B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
US10171053B2 (en) Apparatus and methods for power amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage
US11757478B2 (en) Radio frequency module and communication device
US11689225B2 (en) Radio frequency module and communication device
EP1405402A2 (en) Compact cascode radio frequency cmos power amplifier
CN103546101A (zh) 用于低噪声放大器的系统及方法
US11368172B2 (en) Radio-frequency module and communication device
US11870401B2 (en) Power amplifier module, frontend circuit, and communication device
WO2021241474A1 (ja) トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置
KR20210116227A (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2021241233A1 (ja) トラッカモジュール、電力増幅モジュール、高周波モジュール及び通信装置
US20220376665A1 (en) Radio-frequency circuit and communication device
WO2021161928A1 (ja) 電力増幅回路、高周波回路及び通信装置
WO2021261184A1 (ja) 高周波回路及び通信装置
WO2022254875A1 (ja) 高周波回路および通信装置
WO2023203858A1 (ja) 高周波回路および通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21813153

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227040383

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21813153

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP