WO2023153458A1

WO2023153458A1 - トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュール

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Publication number: WO2023153458A1
Application number: PCT/JP2023/004258
Authority: WO
Inventors: ジョンホバーステン; イェブゲニートカチェンコ; デイヴィドぺロー; 宗禎山本; 武小暮
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-02-10
Filing date: 2023-02-08
Publication date: 2023-08-17
Also published as: CN118575406A; US20240333220A1

Abstract

トラッカモジュール（１００Ａ）は、モジュール基板（９０）と、モジュール基板（９０）に配置された集積回路（８０）と、外部接続可能な出力端子（１４１）及び複数の出力端子（１２１～１２４）と、を備え、集積回路（８０）は、スイッチトキャパシタ回路（２０）に含まれる少なくとも１つのスイッチと、電源変調器（３０Ａ）に含まれる少なくとも１つのスイッチと、を含み、スイッチトキャパシタ回路（２０）は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を電源変調器（３０Ａ）及び複数の出力端子（１２１～１２４）に出力するよう構成され、電源変調器（３０Ａ）は、スイッチトキャパシタ回路（２０）によって生成された複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成される。 p

Description

トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュール

　本発明は、トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュールに関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、複数の異なる無線ネットワークに接続することが要求される。例えば、一般的なスマートフォンでは、３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）によって開発された標準規格（例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）及びＬＴＥ（Long Term Evolution）など）に基づくセルラーネットワーク（cellular network）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）によって開発された標準規格（例えばIEEE 802.11xxなど）に基づく無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ：Wireless Local Area Network）、及び、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ　ＳＩＧ（Bluetooth Special Interest Group）によって開発されたＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）に基づく無線パーソナルエリアネットワーク（ＷＰＡＮ：Wireless Personal Area Network）に接続することが要求される。また、５ＧＮＲでは、４５０ＭＨｚ～６０００ＭＨｚの周波数レンジ１（ＦＲ１：Frequency Range 1）に加えて、２４２５０ＭＨｚ～５２６００ＭＨｚの周波数レンジ２（ＦＲ２：Frequency Range 2）が用いられる。

　また、移動体通信機器では、電力付加効率（ＰＡＥ：Power-Added Efficiency）を改善するために、電力増幅器に供給される電源電圧を動的に調整するトラッキングモードが利用されている。特許文献１では、エンベロープ信号に基づいて複数の離散的な電圧レベルに可変な電源電圧を電力増幅器に供給することでＰＡＥの改善が図られている。

米国特許第９７６８７３１号明細書

　しかしながら、特許文献１に記載の技術では、電力増幅器に供給される電源電圧が劣化することがある。

　そこで、本発明は、電力増幅器に供給される電源電圧であって複数の離散的な電圧レベルに可変な電源電圧の劣化を抑制することができるトラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュールを提供する。

　本発明の一態様に係るトラッカモジュールは、モジュール基板と、モジュール基板に配置された少なくとも１つの集積回路と、外部接続可能な第１出力端子及び複数の第２出力端子と、を備え、少なくとも１つの集積回路は、スイッチトキャパシタ回路に含まれる少なくとも１つのスイッチと、第１電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチと、を含み、スイッチトキャパシタ回路は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を第１電源変調器及び複数の第２出力端子に出力するよう構成され、第１電源変調器は、スイッチトキャパシタ回路によって生成された複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に第１出力端子に出力するよう構成される。

　本発明の一態様に係る電力増幅モジュールは、モジュール基板と、モジュール基板に配置された、高周波信号を増幅するよう構成された電力増幅器と、モジュール基板に配置された集積回路と、複数の離散的電圧をそれぞれ受ける複数の入力端子と、を備え、集積回路は、高周波信号に基づいて、複数の入力端子を介して受けた複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に電力増幅器に出力するよう構成された電源変調器を含む。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、複数の出力端子を有する第１基板と、複数の出力端子にそれぞれ接続される複数の第１入力端子を有する第２基板と、スイッチトキャパシタ回路に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、第１基板に配置された第１集積回路と、電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、第２基板に配置された第２集積回路と、を備え、スイッチトキャパシタ回路は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を複数の出力端子に出力するよう構成され、電源変調器は、複数の第１入力端子を介して受けた複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成される。

　本発明の一態様に係るトラッカモジュールによれば、電力増幅器に供給される電源電圧であって複数の離散的な電圧レベルに可変な電源電圧の劣化を抑制することができる。

図１Ａは、平均電力トラッキングモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。図１Ｂは、アナログエンベロープトラッキングモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。図１Ｃは、デジタルエンベロープトラッキングモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。図２は、実施の形態１に係る通信装置の回路構成図である。図３Ａは、実施の形態１に係るプリレギュレータ回路、スイッチトキャパシタ回路、電源変調器及びフィルタ回路の回路構成図である。図３Ｂは、実施の形態１に係るデジタル制御回路の回路構成図である。図４は、実施の形態１に係る電源電圧供給方法を示すフローチャートである。図５は、実施の形態１におけるマザー基板上のモジュールの配置図である。図６は、実施の形態１に係るトラッカモジュールの平面図である。図７は、実施の形態１に係るトラッカモジュールの平面図である。図８は、実施の形態１に係るトラッカモジュールの断面図である。図９は、実施の形態１に係るＰＡモジュールの平面図である。図１０は、実施の形態１に係るＰＡモジュールの平面図である。図１１は、実施の形態２におけるマザー基板上のモジュールの配置図である。図１２は、実施の形態２に係るトラッカモジュールの平面図である。図１３は、実施の形態３におけるマザー基板上のモジュールの配置図である。図１４は、実施の形態３に係るＰＡモジュールの平面図である。図１５は、実施の形態３に係るＰＡモジュールの平面図である。図１６は、実施の形態４に係る通信装置の回路構成図である。図１７は、実施の形態４におけるマザー基板上のモジュールの配置図である。図１８は、実施の形態５におけるマザー基板上のモジュールの配置図である。図１９は、他の実施の形態に係る通信装置の部分回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列接続されることを意味する。

　本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、及び、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、及び、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。

　また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　まず、高周波信号を高効率に増幅する技術として、高周波信号に基づいて時間の経過とともに動的に調整された電源電圧を電力増幅器に供給するトラッキングモードについて説明する。トラッキングモードとは、電力増幅回路に印加される電源電圧を動的に調整するモードである。トラッキングモードにはいくつかの種類があるが、ここでは、平均電力トラッキング（ＡＰＴ：Average Power Tracking）モード及びエンベロープトラッキング（ＥＴ：Envelope Tracking）モード（アナログＥＴモード及びデジタルＥＴモードを含む）について図１Ａ～図１Ｃを参照しながら説明する。図１Ａ～図１Ｃにおいて、横軸は時間を表し、縦軸は電圧を表す。また、太い実線は、電源電圧を表し、細い実線（波形）は、変調波を表す。

　図１Ａは、ＡＰＴモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。ＡＰＴモードでは、１フレーム単位で複数の離散的な電圧レベルに電源電圧を変動させる。その結果、電源電圧信号は矩形波を形成する。ＡＰＴモードでは、平均出力電力に基づいて、電源電圧の電圧レベルが決定される。なお、ＡＰＴモードでは、１フレームよりも小さな単位（例えばサブフレーム、スロット又はシンボル）で電圧レベルが変化してもよい。シンボル単位で電圧レベルが変化するＡＰＴは、シンボルパワートラッキング（ＳＰＴ：Symbol Power Tracking）と呼ばれる場合もある。

　フレームとは、高周波信号（変調波）を構成する単位を意味する。例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）及びＬＴＥ（Long Term Evolution）では、フレームは、１０個のサブフレームを含み、各サブフレームは、複数のスロットを含み、各スロットは、複数のシンボルで構成される。サブフレーム長は１ｍｓであり、フレーム長は１０ｍｓである。

　図１Ｂは、アナログＥＴモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。アナログＥＴモードは、従来のＥＴモードの一例である。図１Ｂに示すように、アナログＥＴモードでは、電源電圧を連続的に変動させることで変調波の包絡線を追跡する。アナログＥＴモードでは、エンベロープ信号に基づいて、電源電圧が決定される。

　エンベロープ信号とは、変調波の包絡線を示す信号である。エンベロープ値は、例えば（Ｉ２＋Ｑ２）の平方根で表される。ここで、（Ｉ，Ｑ）は、コンスタレーションポイントを表す。コンスタレーションポイントとは、デジタル変調によって変調された信号をコンスタレーションダイヤグラム上で表す点である。（Ｉ，Ｑ）は、例えば送信情報に基づいてＢＢＩＣ４で決定される。

　図１Ｃは、デジタルＥＴモードにおける電源電圧の推移の一例を示すグラフである。図１Ｃに示すように、デジタルＥＴモードでは、１フレーム内で複数の離散的な電圧レベルに電源電圧を変動させることで変調波の包絡線を追跡する。その結果、電源電圧信号は矩形波を形成する。デジタルＥＴモードでは、エンベロープ信号に基づいて、複数の離散的な電圧レベルの中から電源電圧レベルが選択又は設定される。

　（実施の形態１）
　以下に、実施の形態１について説明する。本実施の形態に係る通信装置７は、無線接続を提供するために使用することができる。例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイスなどのセルラーネットワークにおけるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に通信装置７を実装することができる。別の例では、通信装置７を実装して、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）に無線接続を提供することができる。さらに別の例では、通信装置７を実装して、無線アクセスポイント又は無線ホットスポットで無線接続を提供することもできる。

　［１．１　通信装置７の回路構成］
　まず、通信装置７の回路構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る通信装置７の回路構成図である。図２に示すように、本実施の形態に係る通信装置７は、電源回路１と、電力増幅器２Ａ及び２Ｂと、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）５Ａ及び５Ｂと、アンテナ６Ａ及び６Ｂと、を備える。

　電源回路１は、デジタルＥＴモードで電源電圧Ｖ_ＥＴＡ及びＶ_ＥＴＢを電力増幅器２Ａ及び２Ｂにそれぞれ供給することができる。図１Ｃで説明したように、デジタルＥＴモードでは、電源電圧Ｖ_ＥＴＡ及びＶ_ＥＴＢの各々の電圧レベルは、エンベロープ信号に基づいて複数の離散的な電圧レベルの中から選択され、時間とともに変化する。

　なお、図２では、電源回路１は、２つの電力増幅器２Ａ及び２Ｂに２つの電源電圧Ｖ_ＥＴＡ及びＶ_ＥＴＢをそれぞれ供給しているが、複数の電力増幅器に同じ電源電圧を供給してもよい。

　図２に示すように、電源回路１は、プリレギュレータ回路１０と、スイッチトキャパシタ回路２０と、電源変調器（supply modulator）３０Ａ及び３０Ｂと、フィルタ回路４０と、直流電源５０と、デジタル制御回路６０と、を備える。

　プリレギュレータ回路１０は、パワーインダクタ及びスイッチを含む。パワーインダクタとは、直流電圧の昇圧及び／又は降圧に用いられるインダクタである。パワーインダクタは、直流経路に直列に配置される。なお、パワーインダクタは、直列経路とグランドとの間に接続（並列に配置）されていてもよい。プリレギュレータ回路１０は、パワーインダクタを用いて入力電圧を第１電圧に変換することができる。このようなプリレギュレータ回路１０は、磁気レギュレータ又はＤＣ（Direct Current）／ＤＣコンバータと呼ばれる場合もある。なお、プリレギュレータ回路１０は、必ずしもパワーインダクタを含む必要はない。

　スイッチトキャパシタ回路２０は、複数のキャパシタ及び複数のスイッチを含み、プリレギュレータ回路１０からの第１電圧から、複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧を生成することができる。スイッチトキャパシタ回路２０は、スイッチトキャパシタ電圧ラダー（Switched-Capacitor Voltage Ladder）と呼ばれる場合もある。

　電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々は、エンベロープ信号に対応するデジタル制御信号に基づいて、スイッチトキャパシタ回路２０で生成された複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力することができる。その結果、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂからは、複数の第２電圧の中から選択された少なくとも１つの電圧が出力される。電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々は、このような電圧の選択を時間の経過とともに繰り返すことで、出力電圧を時間の経過とともに変化させることができる。電源変調器３０Ａ及び３０Ｂは、出力スイッチ回路と呼ばれる場合もある。

　なお、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂには電圧降下及び／又はノイズ等を発生させる様々な回路素子及び／又は配線が含まれ得るので、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々の出力電圧の時間波形は複数の第２電圧のみを含む矩形波ではない場合もある。つまり、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々の出力電圧には、複数の第２電圧とは異なる電圧が含まれる場合がある。

　フィルタ回路４０は、電源変調器３０Ａからの信号（第２電圧）をフィルタリングすることができる。

　直流電源５０は、プリレギュレータ回路１０に直流電圧を供給することができる。直流電源５０としては、例えば、充電式電池（rechargeable battery）を用いることができるが、これに限定されない。

　デジタル制御回路６０は、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂからのデジタル制御信号に基づいて、プリレギュレータ回路１０と、スイッチトキャパシタ回路２０と、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂと、を制御することができる。

　このように、プリレギュレータ回路１０及びスイッチトキャパシタ回路２０は、２つの電力増幅器２Ａ及び２Ｂで共用され、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂは、２つの電力増幅器２Ａ及び２Ｂで個別に利用される。

　なお、電源回路１は、プリレギュレータ回路１０とスイッチトキャパシタ回路２０と電源変調器３０Ａ及び３０Ｂとフィルタ回路４０と直流電源５０とデジタル制御回路６０との少なくとも１つを含まなくてもよい。例えば、電源回路１は、フィルタ回路４０を含まなくてもよい。また、電源回路１は、直流電源５０を含まなくてもよい。また、プリレギュレータ回路１０とスイッチトキャパシタ回路２０と電源変調器３０Ａ及び３０Ｂとフィルタ回路４０との任意の組み合わせは、単一の回路に統合されてもよい。

　電力増幅器２Ａは、高周波信号Ｓ１を増幅可能な第１電力増幅器の一例であり、ＲＦＩＣ５Ａとアンテナ６Ａとの間に接続される。さらに、電力増幅器２Ａは、電源回路１に接続される。具体的には、電力増幅器２Ａは、入力端子２０１と、出力端子２０２と、電源端子２０３と、を有する。入力端子２０１は、ＲＦＩＣ５Ａに接続され、ＲＦＩＣ５Ａから高周波信号Ｓ１を受ける。出力端子２０２は、アンテナ６Ａに接続され、増幅された高周波信号Ｓ１を出力する。電源端子２０３は、電源回路１に接続され、電源電圧Ｖ_ＥＴＡを受ける。この接続構成において、電力増幅器２Ａは、電源回路１から供給される電源電圧Ｖ_ＥＴＡを用いて、ＲＦＩＣ５Ａから受けた高周波信号Ｓ１を増幅して出力することができる。

　高周波信号Ｓ１は、第１高周波信号の一例であり、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信ネットワークにおける無線通信信号である。本実施の形態では、高周波信号Ｓ１は、セルラーネットワーク信号であり、より具体的にはセルラーネットワークのＳｕｂ６信号である。Ｓｕｂ６信号とは、６ギガヘルツ未満の周波数バンドの信号を意味する。５ＧＮＲでは、Ｓｕｂ６信号は、ＦＲ１に含まれる周波数バンドの信号である。

　電力増幅器２Ｂは、高周波信号Ｓ２を増幅可能な第２電力増幅器の一例であり、ＲＦＩＣ５Ｂとアンテナ６Ｂとの間に接続される。さらに、電力増幅器２Ｂは、電源回路１に接続される。具体的には、電力増幅器２Ｂは、入力端子３０１と、出力端子３０２と、電源端子３０３と、を有する。入力端子３０１は、ＲＦＩＣ５Ｂに接続され、ＲＦＩＣ５Ｂから高周波信号Ｓ２を受ける。出力端子３０２は、アンテナ６Ｂに接続され、増幅された高周波信号Ｓ２を出力する。電源端子３０３は、電源回路１に接続され、電源電圧Ｖ_ＥＴＢを受ける。この接続構成において、電力増幅器２Ｂは、電源回路１から供給される電源電圧Ｖ_ＥＴＢを用いて、ＲＦＩＣ５Ｂから受けた高周波信号Ｓ２を増幅して出力することができる。

　高周波信号Ｓ２は、第２高周波信号の一例であり、ＲＡＴを用いて構築される通信ネットワークにおける無線通信信号である。高周波信号Ｓ２としては、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯もしくは５ＧＨｚ帯の信号又はセルラーネットワークのミリ波信号を用いることができるが、本実施の形態では、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号が用いられる。

　なお、ミリ波信号とは、一般的には３０～３００ＧＨｚに含まれる周波数バンドの信号を意味するが、ここでは、２４２５０～５２６００ＭＨｚ（５ＧＮＲにおけるＦＲ２）に含まれる周波数バンドの信号を意味する。

　ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂは、高周波信号Ｓ１及びＳ２を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂは、入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波信号Ｓ１及びＳ２を、電力増幅器２Ａ及び２Ｂに供給する。また、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂは、電源回路１を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂの制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂの外部（例えば後述するトラッカモジュール）に実装されてもよい。

　アンテナ６Ａは、電力増幅器２Ａから入力された高周波信号Ｓ１を送信する。アンテナ６Ｂは、電力増幅器２Ｂから入力された高周波信号Ｓ２を送信する。なお、アンテナ６Ａ及び／又は６Ｂは、通信装置７に含まれなくてもよい。

　なお、図２に表された通信装置７の回路構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、通信装置７は、電力増幅器２Ａ及びアンテナ６Ａの間にフィルタを備えてもよく、及び／又は、電力増幅器２Ｂ及びアンテナ６Ｂの間にフィルタを備えてもよい。

　また例えば、通信装置７は、受信経路を備えてもよい。この場合、高周波信号Ｓ１は、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）信号であってもよく、高周波信号Ｓ２は、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）信号であってもよい。逆に、高周波信号Ｓ１が、ＴＤＤ信号であってもよく、高周波信号Ｓ２が、ＦＤＤ信号であってもよい。なお、高周波信号Ｓ１及びＳ２は、ともにＴＤＤ信号であってもよく、ともにＦＤＤ信号であってもよい。

　［１．２　電源回路１の回路構成］
　次に、電源回路１に含まれるプリレギュレータ回路１０、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ、フィルタ回路４０、並びに、デジタル制御回路６０の回路構成について、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明する。図３Ａは、本実施の形態に係るプリレギュレータ回路１０、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ、並びに、フィルタ回路４０の回路構成図である。図３Ｂは、本実施の形態に係るデジタル制御回路６０の回路構成図である。

　なお、図３Ａ及び図３Ｂは、例示的な回路構成であり、プリレギュレータ回路１０、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ、フィルタ回路４０、並びに、デジタル制御回路６０は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される各回路の説明は、限定的に解釈されるべきではない。

　［１．２．１　スイッチトキャパシタ回路２０の回路構成］
　まず、スイッチトキャパシタ回路２０の回路構成について説明する。スイッチトキャパシタ回路２０は、図３Ａに示すように、キャパシタＣ１１～Ｃ１６と、キャパシタＣ１０、Ｃ２０、Ｃ３０及びＣ４０と、スイッチＳ１１～Ｓ１４、Ｓ２１～Ｓ２４、Ｓ３１～Ｓ３４、及びＳ４１～Ｓ４４と、を備える。エネルギー及び電荷は、ノードＮ１～Ｎ４でプリレギュレータ回路１０からスイッチトキャパシタ回路２０に入力され、ノードＮ１～Ｎ４でスイッチトキャパシタ回路２０から電源変調器３０Ａ及び３０Ｂに引き出される。

　キャパシタＣ１１～Ｃ１６の各々は、フライングキャパシタ（トランスファキャパシタと呼ばれる場合もある）として機能する。つまり、キャパシタＣ１１～Ｃ１６の各々は、プリレギュレータ回路１０から供給された第１電圧を昇圧又は降圧するために用いられる。より具体的には、キャパシタＣ１１～Ｃ１６は、４つのノードＮ１～Ｎ４においてＶ１：Ｖ２：Ｖ３：Ｖ４＝１：２：３：４を満たす電圧Ｖ１～Ｖ４（グランド電位に対する電圧）が維持されるように、キャパシタＣ１１～Ｃ１６とノードＮ１～Ｎ４との間で電荷を移動させる。この電圧Ｖ１～Ｖ４が複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧に相当する。

　キャパシタＣ１１は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１１の２つの電極の一方は、スイッチＳ１１の一端及びスイッチＳ１２の一端に接続される。キャパシタＣ１１の２つの電極の他方は、スイッチＳ２１の一端及びスイッチＳ２２の一端に接続される。

　キャパシタＣ１２は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１２の２つの電極の一方は、スイッチＳ２１の一端及びスイッチＳ２２の一端に接続される。キャパシタＣ１２の２つの電極の他方は、スイッチＳ３１の一端及びスイッチＳ３２の一端に接続される。

　キャパシタＣ１３は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１３の２つの電極の一方は、スイッチＳ３１の一端及びスイッチＳ３２の一端に接続される。キャパシタＣ１３の２つの電極の他方は、スイッチＳ４１の一端及びスイッチＳ４２の一端に接続される。

　キャパシタＣ１４は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１４の２つの電極の一方は、スイッチＳ１３の一端及びスイッチＳ１４の一端に接続される。キャパシタＣ１４の２つの電極の他方は、スイッチＳ２３の一端及びスイッチＳ２４の一端に接続される。

　キャパシタＣ１５は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１５の２つの電極の一方は、スイッチＳ２３の一端及びスイッチＳ２４の一端に接続される。キャパシタＣ１５の２つの電極の他方は、スイッチＳ３３の一端及びスイッチＳ３４の一端に接続される。

　キャパシタＣ１６は、２つの電極を有する。キャパシタＣ１６の２つの電極の一方は、スイッチＳ３３の一端及びスイッチＳ３４の一端に接続される。キャパシタＣ１６の２つの電極の他方は、スイッチＳ４３の一端及びスイッチＳ４４の一端に接続される。

　キャパシタＣ１１及びＣ１４のセットと、キャパシタＣ１２及びＣ１５のセットと、キャパシタＣ１３及びＣ１６のセットとの各々は、第１フェーズ及び第２フェーズが繰り返されることで相補的に充電及び放電を行うことができる。

　具体的には、第１フェーズでは、スイッチＳ１２、Ｓ１３、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ３２、Ｓ３３、Ｓ４２及びＳ４３がオンにされる。これにより、例えば、キャパシタＣ１２の２つの電極の一方はノードＮ３に接続され、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１５の２つの電極の一方はノードＮ２に接続され、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方はノードＮ１に接続される。

　一方、第２フェーズでは、スイッチＳ１１、Ｓ１４、Ｓ２１、Ｓ２４、Ｓ３１、Ｓ３４、Ｓ４１及びＳ４４がオンにされる。これにより、例えば、キャパシタＣ１５の２つの電極の一方はノードＮ３に接続され、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１２の２つの電極の一方はノードＮ２に接続され、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方は、ノードＮ１に接続される。

　このような第１フェーズ及び第２フェーズが繰り返されることにより、例えばキャパシタＣ１２及びＣ１５の一方がノードＮ２から充電されているときに、キャパシタＣ１２及びＣ１５の他方がキャパシタＣ３０に放電することができる。つまり、キャパシタＣ１２及びＣ１５は、相補的に充電及び放電を行うことができる。

　キャパシタＣ１１及びＣ１４のセットとキャパシタＣ１３及びＣ１６のセットとの各々も、第１フェーズ及び第２フェーズが繰り返されることで、キャパシタＣ１２及びＣ１５のセットと同様に、相補的に充電及び放電を行うことができる。

　キャパシタＣ１０、Ｃ２０、Ｃ３０及びＣ４０の各々は、平滑キャパシタとして機能する。つまり、キャパシタＣ１０、Ｃ２０、Ｃ３０及びＣ４０の各々は、ノードＮ１～Ｎ４における電圧Ｖ１～Ｖ４の保持及び平滑化に用いられる。

　キャパシタＣ１０は、ノードＮ１及びグランドの間に接続される。具体的には、キャパシタＣ１０の２つの電極の一方は、ノードＮ１に接続される。一方、キャパシタＣ１０の２つの電極の他方は、グランドに接続される。

　キャパシタＣ２０は、ノードＮ２及びＮ１の間に接続される。具体的には、キャパシタＣ２０の２つの電極の一方は、ノードＮ２に接続される。一方、キャパシタＣ２０の２つの電極の他方は、ノードＮ１に接続される。

　キャパシタＣ３０は、ノードＮ３及びＮ２の間に接続される。具体的には、キャパシタＣ３０の２つの電極の一方は、ノードＮ３に接続される。一方、キャパシタＣ３０の２つの電極の他方は、ノードＮ２に接続される。

　キャパシタＣ４０は、ノードＮ４及びＮ３の間に接続される。具体的には、キャパシタＣ４０の２つの電極の一方は、ノードＮ４に接続される。一方、キャパシタＣ４０の２つの電極の他方は、ノードＮ３に接続される。

　スイッチＳ１１は、キャパシタＣ１１の２つの電極の一方とノードＮ３との間に接続される。具体的には、スイッチＳ１１の一端は、キャパシタＣ１１の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ１１の他端は、ノードＮ３に接続される。

　スイッチＳ１２は、キャパシタＣ１１の２つの電極の一方とノードＮ４との間に接続される。具体的には、スイッチＳ１２の一端は、キャパシタＣ１１の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ１２の他端は、ノードＮ４に接続される。

　スイッチＳ２１は、キャパシタＣ１２の２つの電極の一方とノードＮ２との間に接続される。具体的には、スイッチＳ２１の一端は、キャパシタＣ１２の２つの電極の一方及びキャパシタＣ１１の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ２１の他端は、ノードＮ２に接続される。

　スイッチＳ２２は、キャパシタＣ１２の２つの電極の一方とノードＮ３との間に接続される。具体的には、スイッチＳ２２の一端は、キャパシタＣ１２の２つの電極の一方及びキャパシタＣ１１の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ２２の他端は、ノードＮ３に接続される。

　スイッチＳ３１は、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方とノードＮ１との間に接続される。具体的には、スイッチＳ３１の一端は、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１３の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ３１の他端は、ノードＮ１に接続される。

　スイッチＳ３２は、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方とノードＮ２との間に接続される。具体的には、スイッチＳ３２の一端は、キャパシタＣ１２の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１３の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ３２の他端は、ノードＮ２に接続される。つまり、スイッチＳ３２の他端は、スイッチＳ２１の他端に接続される。

　スイッチＳ４１は、キャパシタＣ１３の２つの電極の他方とグランドとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ４１の一端は、キャパシタＣ１３の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ４１の他端は、グランドに接続される。

　スイッチＳ４２は、キャパシタＣ１３の２つの電極の他方とノードＮ１との間に接続される。具体的には、スイッチＳ４２の一端は、キャパシタＣ１３の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ４２の他端は、ノードＮ１に接続される。つまり、スイッチＳ４２の他端は、スイッチＳ３１の他端に接続される。

　スイッチＳ１３は、キャパシタＣ１４の２つの電極の一方とノードＮ３との間に接続される。具体的には、スイッチＳ１３の一端は、キャパシタＣ１４の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ１３の他端は、ノードＮ３に接続される。つまり、スイッチＳ１３の他端は、スイッチＳ１１の他端及びスイッチＳ２２の他端に接続される。

　スイッチＳ１４は、キャパシタＣ１４の２つの電極の一方とノードＮ４との間に接続される。具体的には、スイッチＳ１４の一端は、キャパシタＣ１４の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ１４の他端は、ノードＮ４に接続される。つまり、スイッチＳ１４の他端は、スイッチＳ１２の他端に接続される。

　スイッチＳ２３は、キャパシタＣ１５の２つの電極の一方とノードＮ２との間に接続される。具体的には、スイッチＳ２３の一端は、キャパシタＣ１５の２つの電極の一方及びキャパシタＣ１４の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ２３の他端は、ノードＮ２に接続される。つまり、スイッチＳ２３の他端は、スイッチＳ２１の他端及びスイッチＳ３２の他端に接続される。

　スイッチＳ２４は、キャパシタＣ１５の２つの電極の一方とノードＮ３との間に接続される。具体的には、スイッチＳ２４の一端は、キャパシタＣ１５の２つの電極の一方及びキャパシタＣ１４の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ２４の他端は、ノードＮ３に接続される。つまり、スイッチＳ２４の他端は、スイッチＳ１１の他端、スイッチＳ２２の他端及びスイッチＳ１３の他端に接続される。

　スイッチＳ３３は、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方とノードＮ１との間に接続される。具体的には、スイッチＳ３３の一端は、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１６の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ３３の他端は、ノードＮ１に接続される。つまり、スイッチＳ３３の他端は、スイッチＳ３１の他端及びスイッチＳ４２の他端に接続される。

　スイッチＳ３４は、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方とノードＮ２との間に接続される。具体的には、スイッチＳ３４の一端は、キャパシタＣ１５の２つの電極の他方及びキャパシタＣ１６の２つの電極の一方に接続される。一方、スイッチＳ３４の他端は、ノードＮ２に接続される。つまり、スイッチＳ３４の他端は、スイッチＳ２１の他端、スイッチＳ３２の他端及びスイッチＳ２３の他端に接続される。

　スイッチＳ４３は、キャパシタＣ１６の２つの電極の他方とグランドとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ４３の一端は、キャパシタＣ１６の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ４３の他端は、グランドに接続される。

　スイッチＳ４４は、キャパシタＣ１６の２つの電極の他方とノードＮ１との間に接続される。具体的には、スイッチＳ４４の一端は、キャパシタＣ１６の２つの電極の他方に接続される。一方、スイッチＳ４４の他端は、ノードＮ１に接続される。つまり、スイッチＳ４４の他端は、スイッチＳ３１の他端、スイッチＳ４２の他端及びスイッチＳ３３の他端に接続される。

　スイッチＳ１２、Ｓ１３、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ３２、Ｓ３３、Ｓ４２及びＳ４３を含む第１セットのスイッチと、スイッチＳ１１、Ｓ１４、Ｓ２１、Ｓ２４、Ｓ３１、Ｓ３４、Ｓ４１及びＳ４４を含む第２セットのスイッチとは、相補的にオン及びオフが切り替えられる。具体的には、第１フェーズでは、第１セットのスイッチがオンにされ、第２セットのスイッチがオフにされる。逆に、第２フェーズでは、第１セットのスイッチがオフにされ、第２セットのスイッチがオンにされる。

　例えば、第１フェーズ及び第２フェーズの一方において、キャパシタＣ１１～Ｃ１３からキャパシタＣ１０～Ｃ４０への充電が実行され、第１フェーズ及び第２フェーズに他方において、キャパシタＣ１４～Ｃ１６からキャパシタＣ１０～Ｃ４０への充電が実行される。つまり、キャパシタＣ１０～Ｃ４０には、キャパシタＣ１１～Ｃ１３又はキャパシタＣ１４～Ｃ１６から常に充電されるので、ノードＮ１～Ｎ４から電源変調器３０Ａ及び３０Ｂへ高速で電流が流れても、ノードＮ１～Ｎ４には高速で電荷が補充されるので、ノードＮ１～Ｎ４の電位変動を抑制できる。

　このように動作することで、スイッチトキャパシタ回路２０は、キャパシタＣ１０、Ｃ２０、Ｃ３０及びＣ４０のそれぞれの両端でほぼ等しい電圧を維持することができる。具体的には、Ｖ１～Ｖ４のラベルが付された４つのノードにおいて、Ｖ１：Ｖ２：Ｖ３：Ｖ４＝１：２：３：４を満たす電圧Ｖ１～Ｖ４（グランド電位に対する電圧）が維持される。電圧Ｖ１～Ｖ４の電圧レベルは、スイッチトキャパシタ回路２０によって電源変調器３０Ａ及び３０Ｂに供給可能な複数の離散的な電圧レベルに対応する。

　なお、電圧比Ｖ１：Ｖ２：Ｖ３：Ｖ４は、１：２：３：４に限定されない。例えば、電圧比Ｖ１：Ｖ２：Ｖ３：Ｖ４は、１：２：４：８であってもよい。

　また、図３Ａに示したスイッチトキャパシタ回路２０の構成は、一例であり、これに限定されない。図３Ａにおいて、スイッチトキャパシタ回路２０は、４つの離散的な電圧レベルの電圧を供給可能に構成されていたが、これに限定されない。スイッチトキャパシタ回路２０は、２以上の任意の数の離散的な電圧レベルの電圧を供給可能に構成されてもよい。例えば、２つの離散的な電圧レベルの電圧を供給する場合、スイッチトキャパシタ回路２０は、少なくとも、キャパシタＣ１２及びＣ１５と、スイッチＳ２１～Ｓ２４及びＳ３１～Ｓ３４と、を備えればよい。

　［１．２．２　電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの回路構成］
　次に、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの回路構成について説明する。電源変調器３０Ａは、第１電源変調器の一例であり、デジタル制御回路６０に接続される。電源変調器３０Ａは、図３Ａに示すように、入力端子１３１Ａ～１３４Ａと、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａと、出力端子１３０Ａと、を備える。また、電源変調器３０Ｂは、第２電源変調器の一例であり、デジタル制御回路６０に接続される。電源変調器３０Ｂは、図３Ａに示すように、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂと、スイッチＳ５１Ｂ～Ｓ５４Ｂと、出力端子１３０Ｂと、を備える。

　以下では、電源変調器３０Ａについて説明し、電源変調器３０Ｂについては基本的に説明を省略する。なお、電源変調器３０Ｂについては、電源変調器３０Ａの説明において符号の「Ａ」を「Ｂ」に置き換えたものと略同一である。

　出力端子１３０Ａは、フィルタ回路４０に接続される。出力端子１３０Ａは、フィルタ回路４０を介して電力増幅器２Ａに、電圧Ｖ１～Ｖ４の中から選択された少なくとも１つの電圧を電源電圧Ｖ_ＥＴＡとして供給するための端子である。なお、上述したように電源変調器３０Ａには電圧降下及び／又はノイズ等を発生させる様々な回路素子及び／又は配線が含まれ得るので、出力端子１３０Ａで観測される電源電圧Ｖ_ＥＴＡには、電圧Ｖ１～Ｖ４とは異なる電圧が含まれ得る。

　入力端子１３１Ａ～１３４Ａは、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ４～Ｎ１にそれぞれ接続される。入力端子１３１Ａ～１３４Ａは、スイッチトキャパシタ回路２０から電圧Ｖ４～Ｖ１を受けるための端子である。

　スイッチＳ５１Ａは、入力端子１３１Ａと出力端子１３０Ａとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ５１Ａは、入力端子１３１Ａに接続された端子と、出力端子１３０Ａに接続された端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ５１Ａは、制御信号ＣＳ３Ａによってオン／オフが切り替えられることで、入力端子１３１Ａと出力端子１３０Ａとの接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ５２Ａは、入力端子１３２Ａと出力端子１３０Ａとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ５２Ａは、入力端子１３２Ａに接続された端子と、出力端子１３０Ａに接続された端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ５２Ａは、制御信号ＣＳ３Ａによってオン／オフが切り替えられることで、入力端子１３２Ａと出力端子１３０Ａとの接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ５３Ａは、入力端子１３３Ａと出力端子１３０Ａとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ５３Ａは、入力端子１３３Ａに接続された端子と、出力端子１３０Ａに接続された端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ５３Ａは、制御信号ＣＳ３Ａによってオン／オフが切り替えられることで、入力端子１３３Ａと出力端子１３０Ａとの接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ５４Ａは、入力端子１３４Ａと出力端子１３０Ａとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ５４Ａは、入力端子１３４Ａに接続された端子と、出力端子１３０Ａに接続された端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ５４Ａは、制御信号ＣＳ３Ａによってオン／オフが切り替えられることで、入力端子１３４Ａと出力端子１３０Ａとの接続及び非接続を切り替えることができる。

　これらのスイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａは排他的にオンになるように制御される。つまり、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａのいずれかのみがオンにされ、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａの残りがオフにされる。これにより、電源変調器３０Ａは、電圧Ｖ１～Ｖ４の中から選択された１つの電圧を出力することができる。

　なお、図３Ａに示した電源変調器３０Ａの構成は、一例であり、これに限定されない。特にスイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａは、４つの入力端子１３１Ａ～１３４Ａのいずれかを選択して出力端子１３０Ａに接続できればよく、どのような構成であってもよい。例えば、電源変調器３０Ａは、さらに、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５３ＡとスイッチＳ５４Ａ及び出力端子１３０Ａとの間に接続されたスイッチを備えてもよい。また例えば、電源変調器３０Ａは、さらに、スイッチＳ５１Ａ及びＳ５２ＡとスイッチＳ５３Ａ及びＳ５４Ａ並びに出力端子１３０Ａとの間に接続されたスイッチを備えてもよい。

　なお、スイッチトキャパシタ回路２０から２つの離散的な電圧レベルの電圧が供給される場合、電源変調器３０Ａは、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａのうちの少なくとも２つを備えればよい。

　［１．２．３　プリレギュレータ回路１０の回路構成］
　まず、プリレギュレータ回路１０の構成について説明する。図３Ａに示すように、プリレギュレータ回路１０は、入力端子１１０と、出力端子１１１～１１４と、インダクタ接続端子１１５及び１１６と、スイッチＳ６１～Ｓ６３、Ｓ７１及びＳ７２と、パワーインダクタＬ７１と、キャパシタＣ６１～Ｃ６４と、を備える。

　入力端子１１０は、直流電圧の入力端子である。つまり、入力端子１１０は、直流電源５０から入力電圧を受けるための端子である。

　出力端子１１１は、電圧Ｖ４の出力端子である。つまり、出力端子１１１は、スイッチトキャパシタ回路２０に電圧Ｖ４を供給するための端子である。出力端子１１１は、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ４に接続される。

　出力端子１１２は、電圧Ｖ３の出力端子である。つまり、出力端子１１２は、スイッチトキャパシタ回路２０に電圧Ｖ３を供給するための端子である。出力端子１１２は、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ３に接続される。

　出力端子１１３は、電圧Ｖ２の出力端子である。つまり、出力端子１１３は、スイッチトキャパシタ回路２０に電圧Ｖ２を供給するための端子である。出力端子１１３は、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ２に接続される。

　出力端子１１４は、電圧Ｖ１の出力端子である。つまり、出力端子１１４は、スイッチトキャパシタ回路２０に電圧Ｖ１を供給するための端子である。出力端子１１４は、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ１に接続される。

　インダクタ接続端子１１５は、パワーインダクタＬ７１の一端に接続される。インダクタ接続端子１１６は、パワーインダクタＬ７１の他端に接続される。

　スイッチＳ７１は、入力端子１１０とパワーインダクタＬ７１の一端との間に接続される。具体的には、スイッチＳ７１は、入力端子１１０に接続される端子と、インダクタ接続端子１１５を介してパワーインダクタＬ７１の一端に接続される端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ７１は、オン／オフを切り替えることで、入力端子１１０とパワーインダクタＬ７１の一端との間の接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ７２は、パワーインダクタＬ７１の一端とグランドとの間に接続される。具体的には、スイッチＳ７２は、インダクタ接続端子１１５を介してパワーインダクタＬ７１の一端に接続される端子と、グランドに接続される端子と、を有する。この接続構成において、スイッチＳ７２は、オン／オフを切り替えることで、パワーインダクタＬ７１の一端とグランドとの間の接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ６１は、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１１との間に接続される。具体的には、スイッチＳ６１は、インダクタ接続端子１１６を介してパワーインダクタＬ７１の他端に接続された端子と、出力端子１１１に接続された端子と、有する。この接続構成において、スイッチＳ６１は、オン／オフを切り替えることで、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１１との間の接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ６２は、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１２との間に接続される。具体的には、スイッチＳ６２は、インダクタ接続端子１１６を介してパワーインダクタＬ７１の他端に接続された端子と、出力端子１１２に接続された端子と、有する。この接続構成において、スイッチＳ６２は、オン／オフを切り替えることで、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１２との間の接続及び非接続を切り替えることができる。

　スイッチＳ６３は、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１３との間に接続される。具体的には、スイッチＳ６３は、インダクタ接続端子１１６を介してパワーインダクタＬ７１の他端に接続された端子と、出力端子１１３に接続された端子と、有する。この接続構成において、スイッチＳ６３は、オン／オフを切り替えることで、パワーインダクタＬ７１の他端と出力端子１１３との間の接続及び非接続を切り替えることができる。

　キャパシタＣ６１の２つの電極の一方は、スイッチＳ６１と出力端子１１１とに接続される。キャパシタＣ６１の２つの電極の他方は、スイッチＳ６２と出力端子１１２とキャパシタＣ６２の２つの電極の一方とに接続される。

　キャパシタＣ６２の２つの電極の一方は、スイッチＳ６２と出力端子１１２とキャパシタＣ６１の２つの電極の他方とに接続される。キャパシタＣ６２の２つの電極の他方は、スイッチＳ６３と出力端子１１３とキャパシタＣ６３の２つの電極の一方とを接続する経路に接続される。

　キャパシタＣ６３の２つの電極の一方は、スイッチＳ６３と出力端子１１３とキャパシタＣ６２の２つの電極の他方とに接続される。キャパシタＣ６３の２つの電極の他方は、出力端子１１４とキャパシタＣ６４の２つの電極の一方とに接続される。

　キャパシタＣ６４の２つの電極の一方は、出力端子１１４とキャパシタＣ６３の２つの電極の他方とに接続される。キャパシタＣ６４の２つの電極の他方は、グランドに接続される。

　スイッチＳ６１～Ｓ６３は、排他的にオンになるように制御される。つまり、スイッチＳ６１～Ｓ６３のいずれかのみがオンにされ、スイッチＳ６１～Ｓ６３の残りがオフにされる。スイッチＳ６１～Ｓ６３のいずれかのみをオンとすることにより、プリレギュレータ回路１０は、スイッチトキャパシタ回路２０に供給する電圧を電圧Ｖ２～Ｖ４の電圧レベルで変化させることが可能となる。

　このように構成されたプリレギュレータ回路１０は、出力端子１１１～１１３の少なくとも１つを介してスイッチトキャパシタ回路２０に電荷を供給することができる。

　なお、入力電圧が１つの第１電圧に変換される場合、プリレギュレータ回路１０は、少なくとも、スイッチＳ７１及びＳ７２と、パワーインダクタＬ７１と、を備えればよい。

　［１．２．４　フィルタ回路４０の回路構成］
　次に、フィルタ回路４０の回路構成について説明する。フィルタ回路４０は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ：Low Pass Filter）を含む。具体的には、図３Ａに示すように、フィルタ回路４０は、インダクタＬ５１～Ｌ５３と、キャパシタＣ５１及びＣ５２と、抵抗Ｒ５１と、入力端子１４０と、出力端子１４１と、を備える。

　入力端子１４０は、電源変調器３０Ａで選択された電圧の入力端子である。つまり、入力端子１４０は、複数の電圧Ｖ１～Ｖ４の中から選択された電圧を受けるための端子である。

　出力端子１４１は、第１出力端子の一例であり、電源電圧Ｖ_ＥＴＡの出力端子である。つまり、出力端子１４１は、電力増幅器２Ａに電源電圧Ｖ_ＥＴＡを供給するための端子である。

　インダクタＬ５１～Ｌ５３と、キャパシタＣ５１及びＣ５２と、抵抗Ｒ５１とは、パルス整形ネットワークを構成する。本実施の形態では、パルス整形ネットワークは、ローパスレスポンスを有する。これにより、フィルタ回路４０は、電源電圧に含まれる高周波成分を低減することができる。

　なお、図３Ａに示すフィルタ回路４０の構成は、一例であり、これに限定されない。例えば、フィルタ回路４０は、インダクタＬ５３及び抵抗Ｒ５１を備えなくてもよい。また例えば、フィルタ回路４０は、キャパシタＣ５１の２つの電極の一方に接続されたインダクタを備えてもよく、キャパシタＣ５２の２つの電極の一方に接続されたインダクタを備えてもよい。また、フィルタ回路４０は、寄生リアクタンス及び／又は寄生抵抗で部分的又は完全に構成されてもよい。寄生リアクタンスは、例えば２つのノードを接続する金属配線（metal trace）のインダクタンス及び／又はキャパシタンスを含む。また、寄生抵抗は、例えば２つのノードを接続する金属配線の抵抗を含む。

　［１．２．５　デジタル制御回路６０の回路構成］
　次に、デジタル制御回路６０の回路構成について説明する。デジタル制御回路６０は、図３Ｂに示すように、第１コントローラ６１と、第２コントローラ６２と、制御端子６０１～６０６と、を備える。

　第１コントローラ６１は、ソース同期方式のデジタル制御信号を処理して制御信号ＣＳ１及びＣＳ２を生成することができる。制御信号ＣＳ１は、プリレギュレータ回路１０に含まれるスイッチＳ６１～Ｓ６３、Ｓ７１及びＳ７２のオン／オフを制御するための信号である。制御信号ＣＳ２は、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれるスイッチＳ１１～Ｓ１４、Ｓ２１～Ｓ２４、Ｓ３１～Ｓ３４及びＳ４１～Ｓ４４のオン／オフを制御するための信号である。また、第１コントローラ６１には、プリレギュレータ回路１０のスイッチＳ６１～Ｓ６３、Ｓ７１及びＳ７２を制御するためのフィードバック信号が入力される。

　なお、第１コントローラ６１で処理されるデジタル制御信号は、ソース同期方式のデジタル制御信号に限定されない。例えば、第１コントローラ６１は、クロック埋め込み方式のデジタル制御信号を処理してもよい。また、第１コントローラ６１は、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂを制御するための制御信号を生成してもよい。

　また、本実施の形態では、プリレギュレータ回路１０及びスイッチトキャパシタ回路２０のためのデジタル制御信号として１セットのクロック信号及びデータ信号が用いられているが、これに限定されない。例えば、プリレギュレータ回路１０及びスイッチトキャパシタ回路２０のためのデジタル制御信号として、クロック信号及びデータ信号のセットが個別に用いられてもよい。

　第２コントローラ６２は、ＲＦＩＣ５Ａから制御端子６０３及び６０４を介して受信されたデジタル制御論理（ＤＣＬ：Digital Control Logic/Line）信号（ＤＣＬ１Ａ、ＤＣＬ２Ａ）を処理して制御信号ＣＳ３Ａを生成する。ＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ａ、ＤＣＬ２Ａ）は、ＲＦＩＣ５Ａによって、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて生成される。制御信号ＣＳ３Ａは、電源変調器３０Ａに含まれるスイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａのオン／オフを制御するための信号である。

　さらに、第２コントローラ６２は、ＲＦＩＣ５Ｂから制御端子６０５及び６０６を介して受信されたＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ｂ、ＤＣＬ２Ｂ）を処理して制御信号ＣＳ３Ｂを生成する。ＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ｂ、ＤＣＬ２Ｂ）は、ＲＦＩＣ５Ｂによって、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて生成される。制御信号ＣＳ３Ｂは、電源変調器３０Ｂに含まれるスイッチＳ５１Ｂ～Ｓ５４Ｂのオン／オフを制御するための信号である。

　ＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ａ、ＤＣＬ２Ａ、ＤＣＬ１Ｂ、ＤＣＬ２Ｂ）の各々は、１ビット信号である。電圧Ｖ１～Ｖ４の各々は、２つの１ビット信号の組み合わせによって表される。例えば、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４は、「００」、「０１」、「１０」及び「１１」によってそれぞれ表される。電圧レベルの表現には、グレイコード（Gray code）が用いられてもよい。

　なお、本実施の形態では、電源変調器３０Ａの制御に２つのデジタル制御論理信号が用いられ、電源変調器３０Ｂの制御に２つのデジタル制御論理信号が用いられているが、デジタル制御論理信号の数は、これに限定されない。例えば、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々が選択可能な電圧レベルの数に応じて１つ又は３以上の任意の数のデジタル制御論理信号が用いられてもよい。また、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの制御に用いられるデジタル制御信号は、デジタル制御論理信号に限定されない。

　［１．３　電源電圧供給方法］
　次に、以上のように構成された電源回路１による２つの電力増幅器２Ａ及び２Ｂへの電源電圧の供給方法について、図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態に係る電源電圧供給方法を示すフローチャートである。

　まず、プリレギュレータ回路１０は、直流電源５０から入力された入力電圧を第１電圧に変換する（Ｓ１０１）。スイッチトキャパシタ回路２０は、第１電圧から複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧を生成する（Ｓ１０２）。電源変調器３０Ａは、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＡとして選択する（Ｓ１０３Ａ）。つまり、電源変調器３０Ａは、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御する。電源変調器３０Ｂは、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＢとして選択する（Ｓ１０３Ｂ）。つまり、電源変調器３０Ｂは、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御する。電源回路１は、電源変調器３０Ａによって選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＡを電力増幅器２Ａに供給し、かつ、電源変調器３０Ｂによって選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＢを電力増幅器２Ｂに供給する（Ｓ１０４）。

　なお、図４において、複数のステップの一部は省略されてもよい。例えば、ステップＳ１０１は省略されてもよい。また、ステップの順序が変更されてもよい。例えば、ステップＳ１０３Ａ及びＳ１０３Ｂの順序は逆であってもよい。また、ステップＳ１０３Ａ及びＳ１０３Ｂは同時に行われてもよい。

　以上のように構成された通信装置７の実装例について以下に説明する。

　［１．４　モジュールの配置］
　まず、通信装置７のマザー基板１０００上のトラッカモジュール１００並びに電力増幅（ＰＡ）モジュール２００及び３００等の配置について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施の形態におけるマザー基板１０００上のモジュールの配置図である。

　トラッカモジュール１００は、ＰＡモジュール２００及び３００に電源電圧Ｖ_ＥＴＡ及びＶ_ＥＴＢをそれぞれ供給することができ、プリレギュレータ回路１０（ＰＲ）、スイッチトキャパシタ回路２０（ＳＣ）、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ（ＳＭ）、フィルタ回路４０（ＬＰＦ）及びデジタル制御回路６０（ＣＮＴ）を含む。トラッカモジュール１００は、マザー基板１０００上でＰＡモジュール２００及び３００の間に配置されている。

　ＰＡモジュール２００は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号を増幅可能な電力増幅器２Ａ（ＰＡ）を含む。ＰＡモジュール２００の電源端子２０３は、配線Ｗ１を介してトラッカモジュール１００の出力端子１４１に接続されている。

　ＰＡモジュール３００は、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂ（ＰＡ）を含む。ＰＡモジュール３００の電源端子３０３は、配線Ｗ２を介してトラッカモジュール１００の出力端子１３０Ｂに接続されている。ここで、配線Ｗ２の長さは、配線Ｗ１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ２の幅は、配線Ｗ１の幅よりも広くてもよい。

　配線の長さとは、２つの端子を電気的に接続する導体の電流が流れる方向に沿う長さを意味する。配線の幅とは、基板の平面視において、電流が流れる方向に直交する方向に沿う長さを意味する。

　ＲＦＩＣ５Ａは、ＰＡモジュール２００の近傍に配置されている。具体的には、ＲＦＩＣ５Ａは、ＰＡモジュール３００よりもＰＡモジュール２００の方の近くに配置されている。

　ＲＦＩＣ５Ｂは、ＰＡモジュール３００の近傍に配置されている。具体的には、ＲＦＩＣ５Ｂは、ＰＡモジュール２００よりもＰＡモジュール３００の方の近くに配置されている。

　アンテナ６Ａは、マザー基板１０００の下辺側に配置され、ＰＡモジュール２００の近傍に配置されている。アンテナ６Ｂは、マザー基板１０００の上辺側に配置され、ＰＡモジュール３００の近傍に配置されている。

　［１．５　トラッカモジュール１００の構成］
　次に、トラッカモジュール１００の構成について、図６～図８を参照しながら説明する。なお、本実施の形態では、プリレギュレータ回路１０に含まれるパワーインダクタＬ７１は、モジュール基板９０に配置されず、トラッカモジュール１００に含まれていないが、これに限定されない。

　図６は、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００の平面図である。図７は、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００の平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。図８は、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００の断面図である。図８におけるトラッカモジュール１００の断面は、図６及び図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線における断面である。

　なお、図６～図８において、モジュール基板９０に配置された複数の回路部品を接続する配線の一部の図示が省略されている。また、図６及び図７において、複数の回路部品を覆う樹脂部材９１及び樹脂部材９１の表面を覆うシールド電極層９３の図示が省略されている。

　トラッカモジュール１００は、図３Ａ及び図３Ｂに示されたプリレギュレータ回路１０、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ、フィルタ回路４０、並びに、デジタル制御回路６０に含まれる能動素子及び受動素子を含む複数の回路部品（パワーインダクタＬ７１を除く）に加えて、モジュール基板９０と、樹脂部材９１と、シールド電極層９３と、回路部品Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ５１～Ｘ６２及びＸ８１～Ｘ８３と、複数のランド電極１５０と、を備える。

　モジュール基板９０は、互いに対向する主面９０ａ及び９０ｂを有する。モジュール基板９０内には、配線層、ビア導体及びグランド電極層９４などが形成されている。なお、図６及び図７において、モジュール基板９０は、平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。

　モジュール基板９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板もしくは高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９０ａ上には、集積回路８０と、キャパシタＣ１０～Ｃ１６、Ｃ２０、Ｃ３０、Ｃ４０、Ｃ５１、Ｃ５２、及び、Ｃ６１～Ｃ６４と、インダクタＬ５１～Ｌ５３と、抵抗Ｒ５１と、回路部品Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ５１～Ｘ６２及びＸ８１～Ｘ８３と、樹脂部材９１と、が配置されている。

　集積回路８０は、ＰＲスイッチ部８０ａと、ＳＣスイッチ部８０ｂと、ＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢと、デジタル制御部８０ｄと、を有する。ＰＲスイッチ部８０ａは、スイッチＳ６１～Ｓ６３、Ｓ７１及びＳ７２を含む。ＳＣスイッチ部８０ｂは、スイッチＳ１１～Ｓ１４、Ｓ２１～Ｓ２４、Ｓ３１～Ｓ３４及びＳ４１～Ｓ４４を含む。ＳＭスイッチ部８０ｃＡは、スイッチＳ５１Ａ～Ｓ５４Ａを含む。ＳＭスイッチ部８０ｃＢは、スイッチＳ５１Ｂ～Ｓ５４Ｂを含む。デジタル制御部８０ｄは、第１コントローラ６１及び第２コントローラ６２を含む。

　なお、図６では、ＰＲスイッチ部８０ａ、ＳＣスイッチ部８０ｂ、ＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢ及びデジタル制御部８０ｄは、１つの集積回路８０に含まれているが、これに限定されない。例えば、ＰＲスイッチ部８０ａ及びＳＣスイッチ部８０ｂが１つの集積回路に含まれ、ＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢが別の集積回路に含まれてもよい。また例えば、ＳＣスイッチ部８０ｂ並びにＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢが１つの集積回路に含まれ、ＰＲスイッチ部８０ａが別の集積回路に含まれてもよい。また、ＰＲスイッチ部８０ａ並びにＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢが１つの集積回路に含まれ、ＳＣスイッチ部８０ｂが別の集積回路に含まれてもよい。また例えば、ＰＲスイッチ部８０ａ、ＳＣスイッチ部８０ｂ、並びに、ＳＭスイッチ部８０ｃＡ及び８０ｃＢは、３つの集積回路に個別に含まれてもよい。このとき、デジタル制御部８０ｄは、複数の集積回路の各々に含まれてもよく、複数の集積回路のいずれかのみに含まれてもよい。なお、複数の集積回路は、異なるプロセステクノロジーノード（process technology node）で製造することができる。

　また、図６において、集積回路８０は、モジュール基板９０の平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。

　集積回路８０は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。なお、集積回路８０は、ＣＭＯＳに限定されない。

　キャパシタＣ１０～Ｃ１６、Ｃ２０、Ｃ３０、Ｃ４０、Ｃ５１、Ｃ５２、及び、Ｃ６１～Ｃ６４の各々は、チップキャパシタとして実装されている。チップキャパシタとは、キャパシタを構成する表面実装デバイス（ＳＭＤ：Surface Mount Device）を意味する。なお、複数のキャパシタの実装は、チップキャパシタに限定されない。例えば、複数のキャパシタの一部又は全部は、集積型受動デバイス（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）に含まれてもよく、集積回路８０に含まれてもよい。

　インダクタＬ５１～Ｌ５３の各々は、チップインダクタとして実装されている。チップインダクタとは、インダクタを構成するＳＭＤを意味する。なお、複数のインダクタの実装は、チップインダクタに限定されない。例えば、複数のインダクタは、ＩＰＤに含まれてもよい。

　抵抗Ｒ５１は、チップ抵抗として実装されている。チップ抵抗とは、抵抗を構成するＳＭＤを意味する。なお、抵抗Ｒ５１の実装は、チップ抵抗に限定されない。例えば、抵抗Ｒ５１は、ＩＰＤに含まれてもよい。

　このように主面９０ａ上に配置された複数のキャパシタ、複数のインダクタ及び抵抗は、回路ごとにグループ化されて集積回路８０の周囲に配置されている。

　プリレギュレータ回路１０に含まれるキャパシタＣ６１～Ｃ６４のグループは、モジュール基板９０の平面視において、集積回路８０の左辺に沿う直線とモジュール基板９０の左辺に沿う直線とに挟まれた主面９０ａ上の領域に配置されている。これにより、プリレギュレータ回路１０に含まれる回路部品のグループは、集積回路８０内のＰＲスイッチ部８０ａの近くに配置される。

　スイッチトキャパシタ回路２０に含まれるキャパシタＣ１０～Ｃ１６、Ｃ２０、Ｃ３０及びＣ４０のグループは、モジュール基板９０の平面視において、集積回路８０の上辺に沿う直線とモジュール基板９０の上辺に沿う直線とに挟まれた主面９０ａ上の領域と、集積回路８０の右辺に沿う直線とモジュール基板９０の右辺に沿う直線とに挟まれた主面９０ａ上の領域と、に配置されている。これにより、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれる回路部品のグループは、集積回路８０内のＳＣスイッチ部８０ｂの近くに配置される。つまり、ＰＲスイッチ部８０ａ及びＳＭスイッチ部８０ｃＡの各々よりもＳＣスイッチ部８０ｂの方が、スイッチトキャパシタ回路２０の近くに配置される。

　フィルタ回路４０に含まれるキャパシタＣ５１及びＣ５２、インダクタＬ５１～Ｌ５３、並びに、抵抗Ｒ５１のグループは、モジュール基板９０の平面視において、集積回路８０の下辺に沿う直線とモジュール基板９０の下辺に沿う直線とに挟まれた主面９０ａ上の領域に配置されている。これにより、フィルタ回路４０に含まれる回路部品のグループは、集積回路８０内のＳＭスイッチ部８０ｃＡの近くに配置される。つまり、ＰＲスイッチ部８０ａ及びＳＣスイッチ部８０ｂの各々よりもＳＭスイッチ部８０ｃＡの方が、フィルタ回路４０の近くに配置される。

　回路部品Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ５１～Ｘ６２及びＸ８１～Ｘ８３は、本実施の形態に必須ではない任意の回路部品である。

　樹脂部材９１は、主面９０ａ及び主面９０ａ上の複数の電子部品の少なくとも一部を覆っている。樹脂部材９１は、主面９０ａ上の複数の電子部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材９１は、トラッカモジュール１００に含まれなくてもよい。

　主面９０ｂ上には、複数のランド電極１５０が配置されている。複数のランド電極１５０は、図３Ａ及び図３Ｂに示した入力端子１１０、出力端子１３０Ｂ及び１４１、インダクタ接続端子１１５及び１１６、並びに、制御端子６０１～６０６に加えてグランド端子を含む複数の外部接続端子として機能する。

　複数のランド電極１５０は、トラッカモジュール１００のｚ軸負方向に配置されたマザー基板１０００上の入出力端子及び／又はグランド端子等に電気的に接続される。また、複数のランド電極１５０は、モジュール基板９０内に形成されたビア導体などを介して、主面９０ａ上に配置された複数の回路部品に電気的に接続される。

　複数のランド電極１５０としては、銅電極を用いることができるが、これに限定されない。例えば、複数のランド電極１５０として、はんだ電極が用いられてもよい。また、複数のランド電極１５０の代わりに、複数のバンプ電極又は複数のポスト電極が複数の外部接続端子として用いられてもよい。

　図７において、複数のランド電極１５０は、モジュール基板９０の平面視において、モジュール基板９０の中央領域９０ｂ１を囲む外周領域９０ｂ２に配置された２８個のランド電極１５０と、モジュール基板９０の中央領域９０ｂ１に配置された６個のランド電極１５０と、を含む。外周領域９０ｂ２に配置されたに２８個のランド電極１５０は、出力端子１４１として機能するランド電極１５１と、出力端子１３０Ｂとして機能するランド電極１５２と、を含む。ランド電極１５１及び１５２は、モジュール基板９０の平面視において、互いに対向する辺に沿って配置されている。図７では、ランド電極１５１はモジュール基板９０の下辺（第１辺の一例）に沿って配置され、ランド電極１５２はモジュール基板９０の上辺（第２辺の一例）に沿って配置されている。言い換えると、ランド電極１５１は、外周領域９０ｂ２のうちのモジュール基板９０の下辺に沿う領域に配置され、ランド電極１５２は、外周領域９０ｂ２のうちのモジュール基板９０の上辺に沿う領域に配置されている。

　シールド電極層９３は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜である。シールド電極層９３は、樹脂部材９１の表面（上面及び側面）を覆うように形成されている。シールド電極層９３は、グランドに接続され、外来ノイズがトラッカモジュール１００を構成する電子部品に侵入すること、及び、トラッカモジュール１００で発生したノイズが他のモジュール又は他の機器に干渉することを抑制する。なお、シールド電極層９３は、トラッカモジュール１００に含まれなくてもよい。

　なお、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００の構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、主面９０ａに配置されたキャパシタ及びインダクタの一部は、モジュール基板９０内に形成されてもよい。また、主面９０ａに配置されたキャパシタ及びインダクタの一部は、トラッカモジュール１００に含まれなくてもよく、モジュール基板９０に配置されなくてもよい。

　また、出力端子１４１として機能するランド電極１５１と出力端子１３０Ｂとして機能するランド電極１５２との位置関係は、一例であり、トラッカモジュール１００とＰＡモジュール２００及び３００との位置関係に応じて適宜変更されてもよい。例えば、ランド電極１５１及び１５２は、同一辺に沿って配置されてもよい。また例えば、ランド電極１５１及び１５２は、互いに直交する２辺に沿ってそれぞれ配置されてもよい。

　［１．６　ＰＡモジュール２００及び３００の構成］
　次に、ＰＡモジュール２００及び３００の構成について、図９及び図１０を参照しながら説明する。なお、ＰＡモジュール２００及び３００は、類似の構成を有するので、同一の構成についてはＰＡモジュール３００の説明を省略する。

　図９は、本実施の形態に係るＰＡモジュール２００及び３００の平面図である。図１０は、本実施の形態に係るＰＡモジュール２００及び３００の平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板２９０及び３９０の主面２９０ｂ及び３９０ｂ側を透視した図である。

　なお、図９及び図１０において、モジュール基板２９０及び３９０に配置された複数の回路部品を接続する配線の図示が省略されている。また、図９及び図１０において、複数の回路部品を覆う樹脂部材及び樹脂部材の表面を覆うシールド電極層の図示が省略されている。

　ＰＡモジュール２００は、電力増幅器２Ａに加えて、モジュール基板２９０と、複数のランド電極２５０と、を備える。

　モジュール基板２９０は、互いに対向する主面２９０ａ及び２９０ｂを有する。モジュール基板２９０内には、配線層、ビア導体及びグランド電極層などが形成されている。なお、図９及び図１０において、モジュール基板２９０は、平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。

　モジュール基板２９０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板もしくはＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面２９０ａ上には、電力増幅器２Ａが配置されている。電力増幅器２Ａは、例えば集積回路に実装される。このとき集積回路は、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つで構成することができるが、集積回路の材料はこれに限定されない。

　主面９０ｂ上には、複数のランド電極２５０が配置されている。複数のランド電極２５０は、図５に示した入力端子２０１、出力端子２０２、及び、電源端子２０３に加えてグランド端子を含む複数の外部接続端子として機能する。

　複数のランド電極２５０は、ＰＡモジュール２００のｚ軸負方向に配置されたマザー基板１０００上の入出力端子及び／又はグランド端子等に電気的に接続される。また、複数のランド電極２５０は、モジュール基板２９０内に形成されたビア導体などを介して、主面２９０ａ上に配置された電力増幅器２Ａに電気的に接続される。

　複数のランド電極２５０としては、銅電極を用いることができるが、これに限定されない。例えば、複数のランド電極２５０として、はんだ電極が用いられてもよい。また、複数のランド電極２５０の代わりに、複数のバンプ電極又は複数のポスト電極が複数の外部接続端子として用いられてもよい。

　なお、本実施の形態に係るＰＡモジュール２００及び３００の構成は、例示であり、これに限定されない。

　［１．７　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る電源回路１は、第１電圧から複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧を生成するスイッチトキャパシタ回路２０と、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＡとして選択し、選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＡを、高周波信号Ｓ１を増幅可能な電力増幅器２Ａに出力する電源変調器３０Ａと、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＢとして選択し、選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＢを、高周波信号Ｓ２を増幅可能な電力増幅器２Ｂに出力する電源変調器３０Ｂと、を備え、高周波信号Ｓ１は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号であり、高周波信号Ｓ２は、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号である。

　これによれば、複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧の中からＷＬＡＮ信号のエンベロープ信号に基づいて選択された第２電圧が電源電圧Ｖ_ＥＴＢとして電力増幅器２Ｂに供給される。一般的に、ＷＬＡＮ信号の帯域幅は広いため、エンベロープ信号の振幅変動の変化率が大きくなる（つまり、エンベロープ信号の変化が速くなる）。そのため、ＷＬＡＮ信号の増幅には、アナログＥＴモードを用いることが難しく、ＡＰＴモード又は固定電圧モードが用いられることが多い。このようなＷＬＡＮ信号の増幅に、デジタルＥＴモードを用いることで、ＰＡＥの改善を図ることができる。さらに、本実施の形態によれば、セルラーネットワーク信号を増幅する電力増幅器２ＡとＷＬＡＮ信号を増幅する電力増幅器２Ｂとの両方にデジタルＥＴモードが適用される。したがって、複数の第２電圧を生成するスイッチトキャパシタ回路２０を電力増幅器２Ａ及び２Ｂで共用することができ、電力増幅器ごとに個別に電圧生成部が必要なアナログＥＴモードが電力増幅器２Ａ及び２Ｂに適用される場合よりも電源回路１の小型化（つまり、電源回路１の占有面積の縮小）に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１は、さらに、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂが実装されたモジュール基板９０と、電源電圧Ｖ_ＥＴＡを電力増幅器２Ａに供給する出力端子１４１と、電源電圧Ｖ_ＥＴＢを電力増幅器２Ｂに供給する出力端子１３０Ｂと、を備え、出力端子１４１は、モジュール基板９０の下辺に沿って配置され、出力端子１３０Ｂは、モジュール基板９０の上辺に沿って配置されてもよい。

　これによれば、２つの電力増幅器２Ａ及び２Ｂにそれぞれ接続される出力端子１４１及び１３０Ｂがモジュール基板９０の互いに対向する辺に沿って配置される。したがって、電力増幅器２Ａ及び２Ｂと電源回路１との配置の自由度を増加させることができ、電力増幅器２Ａ及び２Ｂと電源回路１とを接続するための配線長の短縮も容易となる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１は、電力増幅器２Ａ及び２Ｂの間に配置されてもよい。

　これによれば、出力端子１４１及び１３０Ｂと電力増幅器２Ａ及び２Ｂとをそれぞれ接続するための配線長の短縮を図ることができ、寄生容量及び／又は寄生インダクタンスによる電源電圧信号の劣化を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１は、さらに、スイッチトキャパシタ回路２０、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂが実装されたモジュール基板９０と、電源電圧ＶＥＴＡを電力増幅器２Ａに供給する出力端子１４１と、電源電圧ＶＥＴＢを電力増幅器２Ｂに供給する出力端子１３０Ｂと、を備え、出力端子１４１及び１３０Ｂは、モジュール基板９０の同一辺に沿って配置されてもよい。

　これによれば、電力増幅器２Ａ及び２Ｂがモジュール基板９０に対して類似する方向に配置される場合などに、電源回路１と電力増幅器２Ａ及び２Ｂとをそれぞれ接続するための配線長の短縮が容易となる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１において、高周波信号Ｓ１は、ＦＤＤ送信信号であり、電源回路１は、さらに、電源変調器３０Ａに接続されたフィルタ回路４０を備え、電源変調器３０Ａは、フィルタ回路４０を介して、電源電圧Ｖ_ＥＴＡを電力増幅器２Ａに出力してもよい。

　これによれば、フィルタ回路４０を介して電源電圧Ｖ_ＥＴＡが電力増幅器２Ａに供給されるので、電源電圧Ｖ_ＥＴＡの信号に含まれるノイズによってＦＤＤ受信信号の受信感度が低下することを抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１において、フィルタ回路４０は、モジュール基板９０に実装されてもよい。

　これによれば、通信装置７の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源回路１は、さらに、パワーインダクタＬ７１を用いて入力電圧を第１電圧に変換するプリレギュレータ回路１０を備えてもよい。

　これによれば、直流電源５０の電圧変動による第１電圧の変動を抑制することができ、スイッチトキャパシタ回路２０において生成される複数の第２電圧の電圧レベルの安定性を向上させることができる。

　また、本実施の形態に係る電源電圧供給方法は、第１電圧から複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の第２電圧を生成し、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて、生成された複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＡとして選択し、選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＡを、高周波信号Ｓ１を増幅可能な電力増幅器２Ａに供給し、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて、複数の第２電圧のうちの少なくとも１つを電源電圧Ｖ_ＥＴＢとして選択し、選択された電源電圧Ｖ_ＥＴＢを、高周波信号Ｓ２を増幅可能な電力増幅器２Ｂに供給し、高周波信号Ｓ１は、セルラーネットワーク信号であり、高周波信号Ｓ２は、ＷＬＡＮ信号である。

　これによれば、上記電源回路１と同様の効果を奏することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る電源電圧供給方法は、さらに、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて第１ＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ａ及びＤＣＬ２Ａ）を生成し、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて第２ＤＣＬ信号（ＤＣＬ１Ｂ及びＤＣＬ２Ｂ）を生成し、電源電圧ＶＥＴＡは、第１ＤＣＬ信号に基づいて選択され、電源電圧ＶＥＴＢは、第２ＤＣＬ信号に基づいて選択されてもよい。

　これによれば、エンベロープ信号に基づいて生成されたＤＣＬ信号に基づいて複数の第２電圧の中から電源電圧を選択することができる。

　なお、本実施の形態では、高周波信号Ｓ２として、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号が用いられていたが、これに限定されない。例えば、高周波信号Ｓ２として、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号が用いられてもよい。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、電力増幅器２ＢがＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号を増幅可能であり、電源変調器３０Ｂがトラッカモジュールに含まれずＳＷモジュールに含まれる点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

　なお、本実施の形態に係る通信装置７及び電源回路１の回路構成、並びに、電源電圧供給方法は、上記実施の形態１と同様であるので、その説明を省略する。

　［２．１　モジュールの配置］
　通信装置７のマザー基板１０００上のトラッカモジュール１００Ａ、ＰＡモジュール２００及び３００Ａ、並びに、集積回路４００等の配置について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、本実施の形態におけるマザー基板１０００上のモジュールの配置図である。

　トラッカモジュール１００Ａは、プリレギュレータ回路１０（ＰＲ）、スイッチトキャパシタ回路２０（ＳＣ）、電源変調器３０Ａ（ＳＭ）、フィルタ回路４０（ＬＰＦ）及びデジタル制御回路６０（ＣＮＴ）を含む。トラッカモジュール１００Ａは、マザー基板１０００上でＰＡモジュール２００及び３００Ａの間に配置されている。トラッカモジュール１００Ａは、スイッチトキャパシタ回路２０のノードＮ１～Ｎ４にそれぞれ接続され、電圧Ｖ１～Ｖ４をそれぞれ供給するための出力端子１２１～１２４を有する。この構成により、トラッカモジュール１００Ａは、出力端子１４１を介してＰＡモジュール２００に電源電圧Ｖ_ＥＴＡを供給することができ、出力端子１２１～１２４を介して（つまり、電源変調器を介さずに）集積回路４００に複数の電圧Ｖ１～Ｖ４を印加することができる。

　なお、トラッカモジュール１００Ａにおいて、モジュール基板９０は、第１基板の一例であり、出力端子１４１は、第１出力端子の一例であり、出力端子１２１～１２４は、複数の第２出力端子の一例である。

　ＰＡモジュール３００Ａは、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂ（ＰＡ）を含む。ＰＡモジュール３００Ａの電源端子３０３は、配線Ｗ３を介して集積回路４００の出力端子１３０Ｂに接続されている。これにより、ＰＡモジュール３００Ａは、集積回路４００から電源電圧Ｖ_ＥＴＢを受けることができる。

　集積回路４００は、電源変調器３０Ｂを含み、マザー基板１０００上でトラッカモジュール１００Ａ及びＰＡモジュール３００Ａの間に配置されている。集積回路４００は、例えばＣＭＯＳを用いて構成された集積回路であり、マザー基板１０００に配置されている。本実施の形態では、マザー基板１０００が第２基板の一例である。集積回路４００は、例えばＳＯＩプロセスにより製造されてもよい。なお、集積回路４００は、ＣＭＯＳに限定されない。

　集積回路４００は、配線Ｗ３１～Ｗ３４を介してトラッカモジュール１００Ａに接続されている。集積回路４００において、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の第１入力端子の一例である。具体的には、入力端子１３１Ｂは、配線Ｗ３４を介してトラッカモジュール１００Ａの出力端子１２４に接続されている。入力端子１３２Ｂは、配線Ｗ３３を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２３に接続されている。入力端子１３３Ｂは、配線Ｗ３２を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２２に接続されている。入力端子１３４Ｂは、配線Ｗ３１を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２１に接続されている。これにより、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂには、スイッチトキャパシタ回路２０から電圧Ｖ４～Ｖ１がそれぞれ印加される。配線Ｗ３４の長さは、配線Ｗ３１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ３４の幅は、配線Ｗ３１の幅よりも広くてもよい。

　［２．２　トラッカモジュール１００Ａの構成］
　次に、トラッカモジュール１００Ａの構成について、図１２を参照しながら説明する。ここでは、モジュール基板９０の主面９０ｂ上に配置された複数のランド電極１５０の配置について図１２を参照しながら説明する。

　図１２は、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９０の主面９０ｂ側を透視した図である。主面９０ｂ上には、複数のランド電極１５０が配置されている。複数のランド電極１５０は、入力端子１１０、出力端子１２１～１２４及び１４１、インダクタ接続端子１１５及び１１６、並びに、制御端子６０１～６０６に加えてグランド端子を含む複数の外部接続端子として機能する。

　図１２において、複数のランド電極１５０は、モジュール基板９０の平面視において、モジュール基板９０の中央領域９０ｂ１を囲む外周領域９０ｂ２に配置された２８個のランド電極１５０と、モジュール基板９０の中央領域９０ｂ１に配置された６個のランド電極１５０と、を含む。外周領域９０ｂ２に配置されたに２８個のランド電極１５０は、出力端子１４１として機能するランド電極１５１と、出力端子１２１～１２４として機能する４つのランド電極１５３と、を含む。ランド電極１５１及び１５３は、モジュール基板９０の平面視において、互いに対向する辺に沿って配置されている。図１２では、ランド電極１５１はモジュール基板９０の下辺に沿って配置され、ランド電極１５３はモジュール基板９０の上辺に沿って配置されている。言い換えると、ランド電極１５１は、外周領域９０ｂ２のうちのモジュール基板９０の下辺に沿う領域に配置され、ランド電極１５３は、外周領域９０ｂ２のうちのモジュール基板９０の上辺に沿う領域に配置されている。

　なお、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａの構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、出力端子１４１として機能するランド電極１５１と出力端子１２１～１２４として機能するランド電極１５３との位置関係は、一例であり、トラッカモジュール１００ＡとＰＡモジュール２００及び３００Ａとの位置関係に応じて適宜変更されてもよい。例えば、ランド電極１５１及び１５３は、同一辺に沿って配置されてもよい。また例えば、ランド電極１５１及び１５３は、互いに直交する２辺に沿ってそれぞれ配置されてもよい。

　［２．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａは、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置された集積回路８０と、外部接続可能な出力端子１４１及び複数の出力端子１２１～１２４と、を備え、集積回路８０は、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれる少なくとも１つのスイッチと、電源変調器３０Ａに含まれる少なくとも１つのスイッチと、を含み、スイッチトキャパシタ回路２０は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を電源変調器３０Ａ及び複数の出力端子１２１～１２４に出力するよう構成され、電源変調器３０Ａは、スイッチトキャパシタ回路２０によって生成された複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力端子１４１に出力するよう構成される。

　これによれば、トラッカモジュール１００Ａは、複数の出力端子１２１～１２４を介してスイッチトキャパシタ回路２０から複数の離散的電圧を出力することができる。したがって、スイッチトキャパシタ回路２０と電力増幅器２Ｂとの間に接続される電源変調器３０Ｂがトラッカモジュール１００Ａに含まれる必要がなく、電源変調器３０Ｂをスイッチトキャパシタ回路２０から離して配置することが可能となる。その結果、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂのより近くに配置することも可能となり、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂに接続する配線Ｗ３の長さの短縮を図ることができる。これにより、配線Ｗ３の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。さらに、本実施の形態によれば、複数の電力増幅器２Ａ及び２Ｂでスイッチトキャパシタ回路２０を共用することができ、電力増幅器ごとに電圧生成部が必要なアナログＥＴモードが利用される場合よりもトラッカモジュール１００Ａの小型化を図ることができる。

　また例えば、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａにおいて、電源変調器３０Ａは、高周波信号Ｓ１のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御するよう構成されてもよい。

　これによれば、電力増幅器２ＡにデジタルＥＴモードを適用することができ、ＰＡＥの向上を図ることができる。

　また例えば、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａにおいて、モジュール基板９０は、互いに対向する下辺及び上辺を有してもよく、出力端子１４１は、下辺に沿って配置され、複数の出力端子１２１～１２４は、上辺に沿って配置されてもよい。

　これによれば、出力端子１４１と出力端子１２１～１２４とがモジュール基板９０の互いに対向する辺に沿って配置される。したがって、出力端子１４１に接続されるＰＡモジュール２００及び出力端子１２１～１２４に接続されるＰＡモジュール３００Ａとトラッカモジュール１００Ａとの配置の自由度を向上させることができ、ＰＡモジュール２００及び３００Ａとトラッカモジュール１００Ａとを接続するための配線長の短縮も容易となる。

　また例えば、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａにおいて、出力端子１４１は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号又はＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号（高周波信号Ｓ１）を増幅するよう構成された電力増幅器２Ａに接続されてもよく、複数の出力端子１２１～１２４は、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号（高周波信号Ｓ２）を増幅するよう構成された電力増幅器２Ｂに接続されてもよい。

　これによれば、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂに電源変調器３０Ｂを接続する配線Ｗ３の短縮を図ることで、配線Ｗ３の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。特に、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号では、より広いチャネル帯域幅が利用され得るので、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの時間変化も大きくなる。したがって、配線Ｗ３の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　なお、本実施の形態において、通信装置７に電力増幅器２Ａ及びアンテナ６Ａが含まれなくてもよい。この場合、電源回路１に、電源変調器３０Ａ及びフィルタ回路４０が含まれなくてもよい。

　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態では、電力増幅器２Ｂがセルラーネットワークのミリ波信号を増幅可能であり、電源変調器３０Ｂが、ＰＡモジュールに含まれる点が、上記実施の形態１及び２と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１及び２と異なる点を中心に説明する。

　［３．１　モジュールの配置］
　通信装置７のマザー基板１０００上のトラッカモジュール１００Ａ並びにＰＡモジュール２００及び３００Ｂ等の配置について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、本実施の形態におけるマザー基板１０００上のモジュールの配置図である。

　ＰＡモジュール３００Ｂは、セルラーネットワークのミリ波信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂ（ＰＡ）及び電源変調器３０Ｂ（ＳＭ）を含む。本実施の形態において、ＰＡモジュール３００Ｂの電力増幅器２Ｂは、第２電力増幅器の一例である。ＰＡモジュール３００Ｂ内では、電力増幅器２Ｂ及び電源変調器３０Ｂは、配線Ｗ４を介して接続されている。配線Ｗ４の長さは、配線Ｗ１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４の幅は、配線Ｗ１の幅よりも広くてもよい。

　ＰＡモジュール３００Ｂは、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを有する。本実施の形態において、ＰＡモジュール３００Ｂの入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の第１入力端子の一例である。入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、配線Ｗ４４～Ｗ４１を介してトラッカモジュール１００Ａに接続されている。具体的には、入力端子１３１Ｂは、配線Ｗ４４を介してトラッカモジュール１００Ａの出力端子１２４に接続されている。入力端子１３２Ｂは、配線Ｗ４３を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２３に接続されている。入力端子１３３Ｂは、配線Ｗ４２を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２２に接続されている。入力端子１３４Ｂは、配線Ｗ４１を介して、トラッカモジュール１００Ａの出力端子１２１に接続されている。これにより、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂには、スイッチトキャパシタ回路２０から電圧Ｖ４～Ｖ１がそれぞれ印加される。配線Ｗ４４の長さは、配線Ｗ４１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４４の幅は、配線Ｗ４１の幅よりも広くてもよい。

　［３．２　ＰＡモジュール３００Ｂの構成］
　次に、ＰＡモジュール３００Ｂの構成について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。図１４は、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂの平面図である。図１５は、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板３９０の主面３９０ｂ側を透視した図である。

　なお、図１４及び図１５において、モジュール基板３９０に配置された複数の回路部品を接続する配線の一部の図示が省略されている。また、図１４及び図１５において、複数の回路部品を覆う樹脂部材及び樹脂部材の表面を覆うシールド電極層の図示が省略されている。

　ＰＡモジュール３００Ｂは、電力増幅器２Ｂ及び電源変調器３０Ｂに加えて、モジュール基板３９０と、複数のランド電極３５０と、を備える。本実施の形態において、モジュール基板３９０は、第２基板の一例である。

　主面３９０ａ上には、電力増幅器２Ｂ及び電源変調器３０Ｂが配置されている。電力増幅器２Ｂ及び電源変調器３０Ｂは、配線Ｗ４を介して接続されている。電源電圧Ｖ_ＥＴＢは、電源変調器３０Ｂから配線Ｗ４を介して電力増幅器２Ｂに供給される。

　電力増幅器２Ｂは、例えば集積回路に実装される。このとき集積回路は、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つで構成することができるが、集積回路の材料はこれに限定されない。

　電源変調器３０Ｂは、例えばＣＭＯＳを用いて構成された集積回路に実装されている。このとき、集積回路は、例えばＳＯＩプロセスにより製造されてもよい。なお、集積回路は、ＣＭＯＳに限定されない。

　主面３９０ｂ上には、複数のランド電極３５０が配置されている。複数のランド電極３５０は、図１３に示した入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂ及び３０１、並びに、出力端子３０２に加えてグランド端子を含む複数の外部接続端子として機能する。

　複数のランド電極３５０は、ＰＡモジュール３００Ｂのｚ軸負方向に配置されたマザー基板１０００上の入出力端子及び／又はグランド端子等に電気的に接続される。また、複数のランド電極３５０は、モジュール基板３９０内に形成されたビア導体などを介して、主面３９０ａ上に配置された電力増幅器２Ｂ及び電源変調器３０Ｂに電気的に接続される。

　なお、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂの構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、ＰＡモジュール３００ＢにＲＦＩＣ５Ｂの一部又は全部が含まれてもよい。

　また、通信装置７には、複数のＰＡモジュール３００Ｂが含まれてもよい。この場合、トラッカモジュール１００Ａは、複数のＰＡモジュール３００Ｂに複数の電圧Ｖ１～Ｖ４を供給してもよい。これにより、トラッカモジュール１００Ａが複数の電力増幅器２Ｂで共用されるので、通信装置７の小型化に効果的である。

　［３．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａは、モジュール基板９０と、モジュール基板９０に配置された集積回路８０と、外部接続可能な出力端子１４１及び複数の出力端子１２１～１２４と、を備え、集積回路８０は、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれる少なくとも１つのスイッチと、電源変調器３０Ａに含まれる少なくとも１つのスイッチと、を含み、スイッチトキャパシタ回路２０は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を電源変調器３０Ａ及び複数の出力端子１２１～１２４に出力するよう構成され、電源変調器３０Ａは、スイッチトキャパシタ回路２０によって生成された複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力端子１４１に出力するよう構成される。

　これによれば、トラッカモジュール１００Ａは、複数の出力端子１２１～１２４を介してスイッチトキャパシタ回路２０から複数の離散的電圧を出力することができる。したがって、スイッチトキャパシタ回路２０と電力増幅器２Ｂとの間に接続される電源変調器３０Ｂがトラッカモジュール１００Ａに含まれる必要がなく、電源変調器３０Ｂをスイッチトキャパシタ回路２０から離して配置することが可能となる。その結果、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂのより近くに配置することも可能となり、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂに接続する配線Ｗ４の長さの短縮を図ることができる。これにより、配線Ｗ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。さらに、本実施の形態によれば、複数の電力増幅器２Ａ及び２Ｂでスイッチトキャパシタ回路２０を共用することができ、電力増幅器ごとに電圧生成部が必要なアナログＥＴモードが利用される場合よりもトラッカモジュール１００Ａの小型化を図ることができる。

　これによれば、出力端子１４１と出力端子１２１～１２４とがモジュール基板９０の互いに対向する辺に沿って配置される。したがって、出力端子１４１に接続されるＰＡモジュール２００及び出力端子１２１～１２４に接続されるＰＡモジュール３００Ｂとトラッカモジュール１００Ａとの配置の自由度を向上させることができ、ＰＡモジュール２００及び３００Ｂとトラッカモジュール１００Ａとを接続するための配線長の短縮も容易となる。

　また例えば、本実施の形態に係るトラッカモジュール１００Ａにおいて、出力端子１４１は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号又はＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号（高周波信号Ｓ１）を増幅するよう構成された電力増幅器２Ａに接続されてもよく、複数の出力端子１２１～１２４は、セルラーネットワークのミリ波信号（高周波信号Ｓ２）を増幅するよう構成された電力増幅器２Ｂに接続されてもよい。

　これによれば、セルラーネットワークのミリ波信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂに電源変調器３０Ｂを接続する配線Ｗ４の短縮を図ることで、配線Ｗ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。特に、セルラーネットワークのミリ波信号では、より広いチャネル帯域幅が利用され得るので、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの時間変化も大きくなる。したがって、配線Ｗ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　また、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂは、モジュール基板３９０と、モジュール基板３９０に配置された、高周波信号Ｓ２を増幅するよう構成された電力増幅器２Ｂと、モジュール基板３９０に配置された集積回路と、複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の電圧Ｖ４～Ｖ１をそれぞれ受ける複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂと、を備え、集積回路は、高周波信号に基づいて、複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを介して受けた複数の離散的電圧Ｖ４～Ｖ１のうちの少なくとも１つを選択的に電力増幅器２Ｂに出力するよう構成された電源変調器３０Ｂを含む。

　これによれば、電源変調器３０Ｂと電力増幅器２Ｂとがともにモジュール基板３９０に配置されるので、電源変調器３０Ｂと電力増幅器２Ｂとを接続する配線Ｗ４の長さを短縮することができる。その結果、配線Ｗ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂにおいて、電源変調器３０Ｂは、高周波信号Ｓ２のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御してもよい。

　これによれば、電力増幅器２ＢにデジタルＥＴモードを適用することができ、ＰＡＥの向上を図ることができる。また、デジタルＥＴモードでは、電源電圧Ｖ_ＥＴＢは、複数の離散的な電圧レベルに短時間で変化するので、配線Ｗ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　また例えば、本実施の形態に係るＰＡモジュール３００Ｂにおいて、高周波信号Ｓ２は、セルラーネットワークのミリ波信号であってもよい。

　（実施の形態４）
　次に、実施の形態４について説明する。本実施の形態では、通信装置に、上記実施の形態１～３で説明した４つのＰＡモジュール２００、３００、３００Ａ及び３００Ｂが含まれる点が上記実施の形態１～３と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１～３と異なる点を中心に図１６及び図１７を参照しながら説明する。

　図１６は、本実施の形態に係る通信装置７Ａの回路構成図である。本実施の形態に係る通信装置７Ａは、電源回路１Ａと、電力増幅器２Ａと、３つの電力増幅器２Ｂと、ＲＦＩＣ５Ａと、３つのＲＦＩＣ５Ｂと、アンテナ６Ａと、３つのアンテナ６Ｂと、を備える。３つの電力増幅器２Ｂは、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号、５ＧＨｚ帯の信号、及び、セルラーネットワークのミリ波信号をそれぞれ増幅可能である。

　電源回路１Ａは、プリレギュレータ回路１０と、スイッチトキャパシタ回路２０と、電源変調器３０Ａと、３つの電源変調器３０Ｂと、フィルタ回路４０と、直流電源５０と、デジタル制御回路６０と、を備える。

　３つの電源変調器３０Ｂのうちの１つは、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号のエンベロープに対応するデジタル制御信号に基づいて、複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に電力増幅器２Ｂのうちの１つに出力することができる。電源変調器３０Ｂの他の１つは、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号のエンベロープに基づいて、複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に電力増幅器２Ｂのうちの他の１つに出力することができる。電源変調器３０Ｂの残りの１つは、セルラーネットワークのミリ波信号のエンベロープに基づいて、複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に電力増幅器２Ｂのうちの残りの１つに出力することができる。

　図１７は、本実施の形態におけるマザー基板１０００上のモジュールの配置図である。図１７において、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂ並びにアンテナ６Ａ及び６Ｂの図示は省略されている。本実施の形態に係る高周波モジュールは、トラッカモジュール１００Ｃと、ＰＡモジュール２００、３００、３００Ａ及び３００Ｂと、集積回路４００と、を備える。

　ＰＡモジュール２００は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号（第１高周波信号の一例）を増幅可能な電力増幅器２Ａを含む。本実施の形態において、ＰＡモジュール２００の電力増幅器２Ａは、第１電力増幅器の一例である。

　ＰＡモジュール３００は、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号（第１高周波信号の一例）を増幅可能な電力増幅器２Ｂを含む。本実施の形態において、ＰＡモジュール３００の電力増幅器２Ｂは、第１電力増幅器の一例である。

　ＰＡモジュール３００Ａは、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号（第２高周波信号の一例）を増幅可能な電力増幅器２Ｂを含む。本実施の形態において、ＰＡモジュール３００Ａの電力増幅器２Ｂは、第２電力増幅器の一例である。

　ＰＡモジュール３００Ｂは、セルラーネットワークのミリ波信号（第３高周波信号の一例）を増幅可能な電力増幅器２Ｂを含む。本実施の形態のＰＡモジュール３００Ｂにおいて、電力増幅器２Ｂは、第３電力増幅器の一例である。また、本実施の形態のＰＡモジュール３００Ｂにおいて、モジュール基板３９０は、第３基板の一例であり、電源変調器３０Ｂは、第３電源変調器の一例であり、電源変調器３０Ｂを含む集積回路は、第３集積回路の一例であり、入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の第２入力端子の一例である。

　集積回路４００は、第２集積回路の一例であり、電源変調器３０Ｂ（第２電源変調器の一例）を含み、マザー基板１０００上に配置されている。本実施の形態において、集積回路４００の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の第１入力端子の一例である。また、マザー基板１０００が第２基板の一例である。

　トラッカモジュール１００Ｃは、ＰＡモジュール２００、３００、３００Ａ及び３００Ｂに電圧を供給することができ、プリレギュレータ回路１０（ＰＲ）、スイッチトキャパシタ回路２０（ＳＣ）、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂ（ＳＭ）、フィルタ回路４０（ＬＰＦ）及びデジタル制御回路６０（ＣＮＴ）を含む。

　本実施の形態のトラッカモジュール１００Ｃにおいて、モジュール基板９０は、第１基板の一例であり、集積回路８０は、第１集積回路の一例であり、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々は、第１電源変調器の一例であり、出力端子１４１は、第１出力端子の一例であり、出力端子１２１～１２４は、複数の第２出力端子の一例である。

　具体的には、トラッカモジュール１００Ｃは、配線Ｗ１及びＷ２を介してＰＡモジュール２００及び３００にそれぞれ接続され、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂで選択された電圧をＰＡモジュール２００及び３００にそれぞれ供給することができる。また、トラッカモジュール１００Ｃは、配線Ｗ３１～Ｗ３４（複数の第１配線の一例）を介して集積回路４００に接続され、スイッチトキャパシタ回路２０で生成された複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する電圧Ｖ１～Ｖ４を集積回路４００に印加することができる。また、トラッカモジュール１００Ｃは、配線Ｗ４１～Ｗ４４（複数の第２配線の一例）を介してＰＡモジュール３００Ｂに接続され、スイッチトキャパシタ回路２０で生成された複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する電圧Ｖ１～Ｖ４をＰＡモジュール３００Ｂに印加することができる。

　配線Ｗ４４の長さは、配線Ｗ３４の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４４の幅は、配線Ｗ３４の幅よりも広くてもよい。同様に、配線Ｗ４３の長さは、配線Ｗ３３の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４３の幅は、配線Ｗ３３の幅よりも広くてもよい。配線Ｗ４２の長さは、配線Ｗ３２の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４２の幅は、配線Ｗ３２の幅よりも広くてもよい。配線Ｗ４１の長さは、配線Ｗ３１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４１の幅は、配線Ｗ３１の幅よりも広くてもよい。

　また、配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ３４の長さは、配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ３１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ３４の幅は、配線Ｗ３１の幅よりも広くてもよい。同様に、配線Ｗ４１～Ｗ４４のうち最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ４４の長さは、配線Ｗ４１～Ｗ４４のうち最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ４１の長さよりも短く、さらに、配線Ｗ４４の幅は、配線Ｗ４１の幅よりも広くてもよい。

　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、複数の出力端子１２１～１２４を有する第１基板（モジュール基板９０）と、複数の出力端子１２４～１２１にそれぞれ接続される複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを有する第２基板（マザー基板１０００）と、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、第１基板に配置された集積回路８０と、電源変調器３０Ｂに含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、第２基板に配置された集積回路４００と、を備え、スイッチトキャパシタ回路２０は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された複数の離散的電圧を複数の出力端子に出力するよう構成され、電源変調器３０Ｂは、複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを介して受けた複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成される。

　これによれば、スイッチトキャパシタ回路２０に含まれる少なくとも１つのスイッチを含む集積回路８０と電源変調器３０Ｂを含む集積回路４００とが同じ基板に実装される必要がないので、電源変調器３０Ｂをスイッチトキャパシタ回路２０から離して配置することが可能となる。その結果、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂのより近くに配置することも可能となり、電源変調器３０Ｂを電力増幅器２Ｂに接続する配線Ｗ３の長さの短縮を図ることができる。これにより、配線Ｗ３の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、電源変調器３０Ｂは、エンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御するよう構成されてもよい。

　これによれば、電力増幅器２ＢにデジタルＥＴモードを適用することができ、ＰＡＥの向上を図ることができる。また、デジタルＥＴモードでは、電源電圧Ｖ_ＥＴＢは、複数の離散的な電圧レベルに短時間で変化するので、配線Ｗ３又はＷ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、第１基板（モジュール基板９０）は、さらに、出力端子１４１を有してもよく、集積回路８０は、さらに、電源変調器３０Ａに含まれる少なくとも１つのスイッチを含んでもよく、電源変調器３０Ａは、高周波信号Ｓ１に基づいて複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力端子１４１に出力するよう構成されてもよい。

　これによれば、複数の電力増幅器２Ａ及び２Ｂでスイッチトキャパシタ回路２０を共用することができ、電力増幅器ごとに電圧生成部が必要なアナログＥＴモードが利用される場合よりもトラッカモジュール１００Ｃの小型化を図ることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、出力端子１４１は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号又はＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された電力増幅器２Ａに接続されてもよく、複数の出力端子１２１～１２４は、セルラーネットワークのミリ波信号又はＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された電力増幅器２Ｂに接続されてもよい。

　これによれば、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号又はセルラーネットワークのミリ波信号を増幅可能な電力増幅器２Ｂに電源変調器３０Ｂを接続する配線Ｗ３又はＷ４の短縮を図ることで、配線Ｗ３又はＷ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。特に、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号又はセルラーネットワークのミリ波信号では、より広いチャネル帯域幅が利用され得るので、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの時間変化も大きくなる。したがって、配線Ｗ３の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールは、さらに、複数の出力端子１２４～１２１にそれぞれ接続された複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを有する第３基板（ＰＡモジュール３００Ｂのモジュール基板３９０）と、電源変調器３０Ｂに含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、第３基板に配置された集積回路（ＰＡモジュール３００Ｂに含まれる集積回路）と、を備えてもよく、電源変調器３０Ｂは、複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂを介して受けた複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成されてもよい。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、出力端子１４１は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号を増幅するよう構成された電力増幅器２Ａに接続されてもよく、複数の出力端子１２１～１２４は、第２基板の複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂ及び電源変調器３０Ｂを介して、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成されたＰＡモジュール３００Ａの電力増幅器２Ｂに接続され、かつ、第３基板の複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂ及び電源変調器３０Ｂを介して、セルラーネットワークのミリ波信号を増幅するよう構成されたＰＡモジュール３００Ｂの電力増幅器２Ｂに接続されてもよい。

　これによれば、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号及びセルラーネットワークのミリ波信号をそれぞれ増幅可能な２つの電力増幅器２Ｂに２つの電源変調器３０Ｂをそれぞれ接続する配線Ｗ３及びＷ４の短縮を図ることで、配線Ｗ３及びＷ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンス等を低減することができ、２つの電力増幅器２Ｂのための２つの電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化を抑制することができる。特に、ＷＬＡＮの５ＧＨｚ帯の信号及びセルラーネットワークのミリ波信号では、より広いチャネル帯域幅が利用され得るので、電源電圧Ｖ_ＥＴＢの時間変化も大きくなる。したがって、配線Ｗ３及びＷ４の寄生容量及び／又は寄生インダクタンスの低減による電源電圧Ｖ_ＥＴＢの劣化の抑制効果は大きい。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、集積回路４００の複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４を介して複数の出力端子１２１～１２４に接続されており、ＰＡモジュール３００Ｂの複数の入力端子１３１Ｂ～１３４Ｂは、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４を介して複数の出力端子１２１～１２４に接続されており、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の各々の長さは、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の各々の長さよりも短くてもよい。

　これによれば、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の各々の長さが複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の各々の長さよりも短くなるので、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の寄生抵抗を複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の寄生抵抗よりも低くすることができる。セルラーネットワークでは、ＷＬＡＮよりも高い出力電力が求められるので、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４には、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４よりも大きな電流が流れる。したがって、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の寄生抵抗を複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の寄生抵抗よりも低くすることで、より効果的に配線による抵抗損失を低減させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の各々の幅は、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の各々の幅よりも広くてもよい。

　これによれば、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の各々の幅が複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の各々の幅よりも広くなるので、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の寄生抵抗を複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の寄生抵抗よりも低くすることができる。セルラーネットワークでは、ＷＬＡＮよりも高い出力電力が求められるので、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４には、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４よりも大きな電流が流れる。したがって、複数の配線Ｗ４１～Ｗ４４の寄生抵抗を複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４の寄生抵抗よりも低くすることで、より効果的に配線による抵抗損失を低減させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ３４の長さは、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ３１の長さよりも短くてもよい。

　これによれば、配線Ｗ３４の長さが配線Ｗ３１の長さよりも短くなるので、配線Ｗ３４の寄生抵抗を配線Ｗ３１の寄生抵抗よりも低くすることができる。最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ３４には、最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ３１よりも大きな電流が流れる。したがって、配線Ｗ３４の寄生抵抗を配線Ｗ３１の寄生抵抗よりも低くすることで、より効果的に配線による抵抗損失を低減させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールにおいて、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ３４の幅は、複数の配線Ｗ３１～Ｗ３４のうち最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ３１の幅よりも広くてもよい。

　これによれば、配線Ｗ３４の幅が配線Ｗ３１の幅よりも広くなるので、配線Ｗ３４の寄生抵抗を配線Ｗ３１の寄生抵抗よりも低くすることができる。最も高い電圧Ｖ４が印加される配線Ｗ３４には、最も低い電圧Ｖ１が印加される配線Ｗ３１よりも大きな電流が流れる。したがって、配線Ｗ３４の寄生抵抗を配線Ｗ３１の寄生抵抗よりも低くすることで、より効果的に配線による抵抗損失を低減させることができる。

　（実施の形態５）
　次に、実施の形態５について説明する。本実施の形態では、２つの電源変調器３０Ｂが１つのＳＷモジュールに含まれる点が、上記実施の形態４と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態４と異なる点を中心に図１７を参照しながら説明する。

　図１８は、本実施の形態におけるマザー基板１０００上のモジュールの配置図である。図１８において、ＲＦＩＣ５Ａ及び５Ｂ並びにアンテナ６Ａ及び６Ｂの図示は省略されている。

　ＳＷモジュール４００Ａは、２つの電源変調器３０Ｂを含む。ＳＷモジュール４００Ａは、例えばＣＭＯＳを用いて構成された２つの集積回路であり、モジュール基板に配置されている。２つの集積回路は、例えばＳＯＩプロセスにより製造されてもよい。また、２つの集積回路は、１つの集積回路に統合されてもよい。

　本実施の形態において、ＳＷモジュール４００Ａのモジュール基板は、第２基板及び第３基板の一例である。つまり、本実施の形態において、第２基板及び第３基板は、１つの同じ基板である。これによれば、２つの基板に複数の電源変調器３０Ａ及び３０Ｂを実装することができるので、通信装置７Ａの小型化に貢献することができる。

　なお、本実施の形態において、ＰＡモジュール３００Ｂに含まれる電源変調器３０ＢもＳＷモジュール４００Ａに含まれてもよい。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、及び高周波モジュールについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係るトラッカモジュール、電力増幅モジュール、及び高周波モジュールは、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記電源回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態に係る各種回路の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、電力増幅器２Ａとアンテナ６Ａとの間、及び／又は、電力増幅器２Ｂとアンテナ６Ｂとの間に、フィルタが挿入されてもよい。

　なお、上記各実施の形態では、デジタルＥＴモードが用いられていたが、デジタルＥＴモードの代わりに、ＳＰＴモードが用いられてもよい。

　なお、上記各実施の形態では、電源回路１及び１Ａは、５ＧＮＲのＳｕｂ６信号を増幅可能な電力増幅器に電源電圧を供給していたが、５ＧＮＲのＳｕｂ６信号を増幅可能な電力増幅器に加えて、又は、５ＧＮＲのＳｕｂ６信号を増幅可能な電力増幅器の代わりに、ＬＴＥ信号を増幅可能な電力増幅器に電源電圧を供給してもよい。

　なお、上記各実施の形態では、スイッチトキャパシタ回路から複数の離散的な電圧レベルをそれぞれ有する複数の電圧が電源変調器に供給されていたが、これに限定されない。例えば、複数のＤＣＤＣコンバータから複数の電圧がそれぞれ供給されてもよい。なお、複数の離散的な電圧レベルが等間隔である場合には、スイッチトキャパシタ回路が用いられることが好ましく、トラッカモジュールの小型化に効果的である。

　なお、上記各実施の形態では、４つの離散的な電圧レベルに可変な電源電圧が供給されていたが、離散的な電圧レベルの数は４つに限定されない。例えば、複数の離散的な電圧レベルに、少なくとも、最大出力電力に対応する電圧レベルと、最も発生頻度が高い出力電力に対応する電圧レベルとが含まれればＰＡＥを効果的に改善することができる。

　なお、上記各実施の形態では、電源回路１及び１Ａは、２つ又は４つの電源変調器を備えていたが、電源変調器の数はこの数に限定されない。１つのスイッチトキャパシタ回路に接続される電源変調器の数としては、任意の数を採用することができる。

　なお、上記各実施の形態において、高周波信号Ｓ１及びＳ２として、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号及びミリ波信号、並びに、ＷＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯及び５ＧＨｚ帯の信号が用いられていたが、これらに限定されない。例えば、高周波信号Ｓ１及び／又はＳ２として、ＷＬＡＮの６ＧＨｚ帯及び／又は７ＧＨｚ帯の信号が用いられてもよい。また例えば、高周波信号Ｓ１及び／又はＳ２として、セルラーネットワークの周波数レンジ３（ＦＲ３：Frequency Range 3）の信号が用いられてもよい。また例えば、高周波信号Ｓ１及び／又はＳ２として、レーダー信号が用いられてもよい。

　なお、無線技術では、一般的に複数の同時無線送信を使用して、データレートを向上させたり、接続パフォーマンスの他の側面を向上させたりすることができる。例えば、多入力多出力（ＭＩＭＯ：Multiple-Input and Multiple-Output）アプローチは、同じ周波数で複数の同時無線信号伝送を利用する。別の例では、キャリアアグリゲーション（ＣＡ：Carrier Aggregation）は、セルラーアプリケーションで異なる周波数での複数の同時無線信号伝送を利用する。別の例では、同時デュアルバンド（ＣＤＢ：Concurrent Dual Band）動作は、ＷＬＡＮアプリケーションで異なる周波数の複数の送信を利用する。

　このような複数の同時無線送信の信号が、高周波信号Ｓ１、Ｓ２、追加の高周波信号、又は、これらの任意の組み合わせとして用いられてもよい。例えば、高周波信号Ｓ１、Ｓ２、追加の高周波信号、又は、これらの任意の組み合わせとして、セルラーネットワークのＣＡ用又はＥＮＤＣ（E-UTRAN New Radio - Dual Connectivity）用の複数のＦＲ１又はＦＲ２信号が用いられてもよい。また例えば、高周波信号Ｓ１、Ｓ２、追加の高周波信号、又は、これらの任意の組み合わせとして、セルラーネットワークのデュアルＳＩＭ（Subscriber Identity Modul）用又はＭＩＭＯ用の複数のＦＲ１又はＦＲ２信号が用いられてもよい。また例えば、高周波信号Ｓ１、Ｓ２、追加の高周波信号、又は、これらの任意の組み合わせとして、ＷＬＡＮのＭＩＭＯ用又はＣＤＢ用の複数の信号が用いられてもよい。また例えば、高周波信号Ｓ１、Ｓ２、追加の高周波信号、又は、これらの任意の組み合わせとして、セルラーネットワークのＦＲ１、ＦＲ２及びＦＲ３信号が用いられてもよい。

　なお、上記各実施の形態では、電源変調器３０Ａ及び３０Ｂの各々は、１つの電力増幅器に接続されているが、複数の電力増幅器に接続されてもよい。例えば、図１９では、電源変調器３０Ａは、２つの電力増幅器２Ａに選択的に電源電圧Ｖ_ＥＴＡを供給することができ、電源変調器３０Ｂは、同じ変調高周波信号を増幅する２つの電力増幅器２Ｂに同時に電源電圧_ＥＴＢを供給することができる。

　本発明は、電力増幅器に電源電圧を供給する電源回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ　電源回路
　２Ａ、２Ｂ　電力増幅器
　５Ａ、５Ｂ　ＲＦＩＣ
　６Ａ、６Ｂ　アンテナ
　７、７Ａ　通信装置
　１０　プリレギュレータ回路
　２０　スイッチトキャパシタ回路
　３０Ａ、３０Ｂ　電源変調器
　４０　フィルタ回路
　５０　直流電源
　６０　デジタル制御回路
　６１　第１コントローラ
　６２　第２コントローラ
　８０、４００　集積回路
　８０ａ　ＰＲスイッチ部
　８０ｂ　ＳＣスイッチ部
　８０ｃＡ、８０ｃＢ　ＳＭスイッチ部
　８０ｄ　デジタル制御部
　９０、２９０、３９０　モジュール基板
　９０ａ、９０ｂ、２９０ａ、２９０ｂ、３９０ａ、３９０ｂ　主面
　９０ｂ１　中央領域
　９０ｂ２　外周領域
　９１　樹脂部材
　９３　シールド電極層
　９４　グランド電極層
　１００、１００Ａ、１００Ｃ　トラッカモジュール
　１１０、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、１３３Ａ、１３３Ｂ、１３４Ａ、１３４Ｂ、１４０、２０１、３０１　入力端子
　１１１、１１２、１１３、１１４、１２１、１２２、１２３、１２４、１３０Ａ、１３０Ｂ、１４１、２０２、３０２　出力端子
　１５０、１５１、１５２、１５３、２５０、３５０　ランド電極
　２００、３００、３００Ａ、３００Ｂ　ＰＡモジュール
　２０３、３０３　電源端子
　４００Ａ　ＳＷモジュール
　６０１、６０２、６０３、６０４、６０５、６０６　制御端子
　１０００　マザー基板
　Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ２０、Ｃ３０、Ｃ４０、Ｃ５１、Ｃ５２、Ｃ６１、Ｃ６２、Ｃ６３、Ｃ６４　キャパシタ
　Ｌ５１、Ｌ５２、Ｌ５３　インダクタ
　Ｌ７１　パワーインダクタ
　Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４　ノード
　Ｒ５１　抵抗
　ＣＳ１、ＣＳ２、ＣＳ３Ａ、ＣＳ３Ｂ　制御信号
　Ｓ１、Ｓ２　高周波信号
　Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３３、Ｓ３４、Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４、Ｓ５１Ａ、Ｓ５１Ｂ、Ｓ５２Ａ、Ｓ５２Ｂ、Ｓ５３Ａ、Ｓ５３Ｂ、Ｓ５４Ａ、Ｓ５４Ｂ、Ｓ６１、Ｓ６２、Ｓ６３、Ｓ７１、Ｓ７２　スイッチ
　Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４　電圧
　Ｖ_ＥＴＡ、Ｖ_ＥＴＢ　電源電圧
　Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ３１、Ｗ３２、Ｗ３３、Ｗ３４、Ｗ４１、Ｗ４２、Ｗ４３、Ｗ４４　配線

Claims

　モジュール基板と、
　前記モジュール基板に配置された少なくとも１つの集積回路と、
　外部接続可能な第１出力端子及び複数の第２出力端子と、を備え、
　前記少なくとも１つの集積回路は、スイッチトキャパシタ回路に含まれる少なくとも１つのスイッチと、第１電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチと、を含み、
　前記スイッチトキャパシタ回路は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された前記複数の離散的電圧を前記第１電源変調器及び前記複数の第２出力端子に出力するよう構成され、
　前記第１電源変調器は、前記スイッチトキャパシタ回路によって生成された前記複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に前記第１出力端子に出力するよう構成される、
　トラッカモジュール。
　前記第１電源変調器は、第１高周波信号のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御するよう構成される、
　請求項１に記載のトラッカモジュール。
　前記モジュール基板は、互いに対向する第１辺及び第２辺を有し、
　前記第１出力端子は、前記第１辺に沿って配置され、
　前記複数の第２出力端子は、前記第２辺に沿って配置されている、
　請求項１又は２に記載のトラッカモジュール。
　前記第１出力端子は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号又は無線ローカルエリアネットワークの２．４ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された第１電力増幅器に接続され、
　前記複数の第２出力端子は、セルラーネットワークのミリ波信号又は無線ローカルエリアネットワークの５ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された第２電力増幅器に接続される、
　請求項１～３のいずれか１項に記載のトラッカモジュール。
　モジュール基板と、
　前記モジュール基板に配置された、高周波信号を増幅するよう構成された電力増幅器と、
　前記モジュール基板に配置された集積回路と、
　複数の離散的電圧をそれぞれ受ける複数の入力端子と、を備え、
　前記集積回路は、前記高周波信号に基づいて、前記複数の入力端子を介して受けた前記複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に前記電力増幅器に出力するよう構成された電源変調器を含む、
　電力増幅モジュール。
　前記電源変調器は、前記高周波信号のエンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御するよう構成される、
　請求項５に記載の電力増幅モジュール。
　前記高周波信号は、セルラーネットワークのミリ波信号である、
　請求項５又は６に記載の電力増幅モジュール。
　複数の出力端子を有する第１基板と、
　前記複数の出力端子にそれぞれ接続される複数の第１入力端子を有する第２基板と、
　スイッチトキャパシタ回路に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、前記第１基板に配置された第１集積回路と、
　電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、前記第２基板に配置された第２集積回路と、を備え、
　前記スイッチトキャパシタ回路は、入力電圧に基づいて複数の離散的電圧を生成し、生成された前記複数の離散的電圧を前記複数の出力端子に出力するよう構成され、
　前記電源変調器は、前記複数の第１入力端子を介して受けた前記複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成される、
　高周波モジュール。
　前記電源変調器は、エンベロープ信号に基づいて出力電圧を制御するよう構成される、
　請求項８に記載の高周波モジュール。
　前記電源変調器は、第２電源変調器であり、
　前記複数の出力端子は、複数の第２出力端子であり、
　前記第１基板は、さらに、第１出力端子を有し、
　前記第１集積回路は、さらに、第１電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、
　前記第１電源変調器は、第１高周波信号に基づいて前記複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に前記第１出力端子に出力するよう構成される、
　請求項８又は９に記載の高周波モジュール。
　前記第１出力端子は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号又は無線ローカルエリアネットワークの２．４ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された第１電力増幅器に接続され、
　前記複数の第２出力端子は、前記複数の第１入力端子及び前記第２電源変調器を介して、セルラーネットワークのミリ波信号又は無線ローカルエリアネットワークの５ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された第２電力増幅器に接続される、
　請求項１０に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記複数の第２出力端子にそれぞれ接続された複数の第２入力端子を有する第３基板と、
　第３電源変調器に含まれる少なくとも１つのスイッチを含み、前記第３基板に配置された第３集積回路と、を備え、
　前記第３電源変調器は、前記複数の第２入力端子を介して受けた前記複数の離散的電圧のうちの少なくとも１つを選択的に出力するよう構成される、
　請求項１０に記載の高周波モジュール。
　前記第１出力端子は、セルラーネットワークのＳｕｂ６信号を増幅するよう構成された第１電力増幅器に接続され、
　前記複数の第２出力端子は、前記複数の第１入力端子及び前記第２電源変調器を介して、無線ローカルエリアネットワークの５ＧＨｚ帯の信号を増幅するよう構成された第１電力増幅器に接続され、かつ、前記複数の第２入力端子及び前記第３電源変調器を介して、セルラーネットワークのミリ波信号を増幅するよう構成された第３電力増幅器に接続される、
　請求項１２に記載の高周波モジュール。
　前記複数の第１入力端子は、複数の第１配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第２入力端子は、複数の第２配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第２配線の各々の長さは、前記複数の第１配線の各々の長さよりも短い、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記複数の第１入力端子は、複数の第１配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第２入力端子は、複数の第２配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第２配線の各々の幅は、前記複数の第１配線の各々の幅よりも広い、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記複数の第１入力端子は、複数の第１配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第１配線のうち最も高い第２電圧が印加される第１配線の長さは、前記複数の第１配線のうち最も低い第２電圧が印加される第１配線の長さよりも短い、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記複数の第１入力端子は、複数の第１配線を介して前記複数の第２出力端子に接続されており、
　前記複数の第１配線のうち最も高い電圧が印加される第１配線の幅は、前記複数の第１配線のうち最も低い電圧が印加される第１配線の幅よりも広い、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記第２基板及び前記第３基板は、１つの同じ基板である、
　請求項１２～１７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。